CDltWoMkCvp MPPT

Rapport de Stage Projet Fin dEtudes
Ralisation de Commandes MPPT Numriques

Diplme : Ingnieur Technique Industriel : Electronique Industrielle

AUTEUR: Alain Bilbao Learreta

DIRECTEURS: Angel Cid Pastor (URV)
Corinne Alonso (LAAS-CNRS)
Cedric Cabal (LAAS-CNRS)
DATE: Septembre / 2006.
LAAS-CNRS Toulouse (France) 2006

ii

Avant-propos
Le CNRS :
Avec 26 000 personnes (dont 11 600 chercheurs et 14 400 ingnieurs, techniciens et
administratifs), un budget qui s'lve 2 214 millions d'euros HT pour l'anne 2004, une
implantation sur l'ensemble du territoire national, le CNRS exerce son activit dans tous
les champs de la connaissance, en s'appuyant sur 1260 units de recherche et de service.
Le CNRS est prsent dans toutes les disciplines majeures regroupes au sein de six
dpartements scientifiques :
Mathmatiques, informatique, physique, plantes et univers (MIPPU)
Chimie
Vivant
Homme et socit
Environnement et dveloppement durable (EDD)
Ingnierie.

Le LAAS :
Le LAAS est une unit propre de recherche du Centre National de la Recherche
Scientifique (CNRS), rattach au Dpartement Sciences et Technologies de l'Information
et de la Communication (STIC), il est associ trois tablissements d'enseignement
suprieur de Toulouse : l'Universit Paul Sabatier (UPS), l'Institut National des Sciences
Appliques (INSA) et l'Institut National Polytechnique (INP).
Le LAAS compte environ 500 personnes.

Il est organis en 4 ples :

- le Ple Micro et Nanosystmes : MINAS
- le Ple Modlisation, Optimisation et Conduite des Systmes : MOCOSY
- le Ple Robots et Systmes Autonomes : ROSA
- le Ple Systmes Informatiques Critiques : SINC

Ces ples englobent plusieurs groupes, personnellement jai travaill dans le groupe
ISGE : Intgration de Systmes de Gestion de l'Energie qui fait partie du ple MINAS.

Ce projet seffectue dans le cadre dune collaboration entre le LAAS-CNRS et EDF
(Electricit de France) pour la ralisation dtages dadaptation pour gnrateurs
photovoltaques.
Plus concrtement ltude se centre sur la ralisation dune commande numrique pour la
recherche du point de puissance maximale (MPPT) dun gnrateur photovoltaque.


iii

Remerciements

A lissue de ce projet de fin dtudes, je souhaite tout dabord remercier Marise Bafleur
responsable du groupe ISGE pour mavoir accueilli au sein de son laboratoire.

Je souhaite aussi remercier Mme Corinne Alonso du LAAS-CNRS pour mavoir donn la
possibilit de raliser ce projet dtudes au LAAS-CNRS Toulouse.

Je tiens galement tmoigner ma reconnaissance Angel Cid Pastor qui par ses
comptences remarquables et sa qualit humaine ont rendu ce travail trs intressant.

Un gros merci Cdric Cabal, qui ma donn des attentions et des aides professionnels et
personnelles trs importants au cours de ce stage.

Je remercie par ailleurs, Lionel Seguiers et Bruno Estibals, qui ont contribu la
ralisation de ce projet.

Je veux remercier aussi mes compatriotes catalans Jaume Roig, Sergi Palomar, Adan
Simon, Jordi Martinez avec lesquels jai partag des discussions techniques et amicales
notamment importantes durant le stage.

Je tiens galement remercier Loic Theolier pour ses ides pendant la ralisation du
projet.

Jen profite galement pour remercier tous les amis avec lesquels jai partag ce stage :
Cdric Fabre, Alain Salles, et tous ceux qui ont fait de ce stage une exprience inoubliable.


iv

SOMMAIRE

Avant-propos ......................................................................................................................... ii
1 Introduction ................................................................................................................... 1
2 LEnergie Solaire Photovoltaque ................................................................................. 3
2.1 Electricit Photovoltaque...................................................................................... 3
2.1.1 Histoire .......................................................................................................... 3
2.1.2 LEffet Photovoltaque .................................................................................. 4
2.1.3 La Cellule Photovoltaque ............................................................................. 5
2.1.4 La Jonction PN utilise comme Capteur ....................................................... 5
2.2 Le Gnrateur PV et ses Performances ................................................................. 6
2.2.1 Caractristique Courant-Tension................................................................... 6
2.2.2 Influence de lclairement............................................................................. 7
2.2.3 Influence de la Temprature.......................................................................... 8
2.2.4 Association de Cellules Photovoltaques en Srie......................................... 8
2.2.5 Association de Cellules Photovoltaques en Parallle................................... 9
2.3 Fonctionnement dun Gnrateur PV sa Puissance Maximale........................... 9
2.3.1 Principe.......................................................................................................... 9
2.4 tage dAdaptation entre un Gnrateur PV et une Charge................................ 11
2.5 Site Photovoltaque (PV) du LAAS-CNRS......................................................... 12
2.5.1 Module PV utilis........................................................................................ 12
2.5.2 Systme de Mesure...................................................................................... 13
2.6 Rendement de la Chane de Puissance ................................................................ 14
3 tage dAdaptation pour Gnrateur PV avec Fonction MPPT de Type Numrique. 16
3.1 tage dAdaptation de Type BOOST avec MPPT............................................... 16
3.2 Commande pour la Recherche du Point de Puissance Maximale (MPPT) ......... 19
3.2.1 Les Premires Types de Commande MPPT................................................ 20
3.2.2 Description de la Commande MPPT Extrmale du LAAS-CNRS ............. 22
3.3 Commande MPPT Numrique ............................................................................ 24
3.3.1 Schma de Principe ..................................................................................... 25
3.3.2 Structure de lAlgorithme MPPT ................................................................ 26
3.3.3 Choix du Microcontrleur PIC.................................................................... 28
3.3.4 Explication du Programme .......................................................................... 32
3.3.5 Essais Prliminaires..................................................................................... 35
3.3.6 Ralisation lectronique de la MPPT Numrique....................................... 43
3.3.7 Amliorations Possibles .............................................................................. 44
4 Mesures Exprimentales.............................................................................................. 46
4.1 Relevs exprimentaux........................................................................................ 46
4.2 Mesures journalires............................................................................................ 49
4.3 Synthse............................................................................................................... 56
5 Ralisation lectronique de la Commande MPPT Numrique ................................... 57
5.1 Schma lectronique de la Commande MPPT Numrique ................................ 57
5.2 Emplacement des Composants de la Commande MPPT Numrique ................. 60
5.3 Prototype Final de ltage dAdaptation pour GPV............................................ 61
5.4 Cot de la Carte ................................................................................................... 61
5.5 Comparatif avec la Carte MPPT Analogique...................................................... 62
6 Conclusions ................................................................................................................. 64
7 Rfrences Bibliographiques....................................................................................... 65


v
8 ANNEXE 1: Programme en C de la commande MPPT numrique pour un
PIC18F1220......................................................................................................................... 67
9 ANNEXE 2: Mesures en rgime tabli de ltage dadaptation avec commande MPPT
numrique ............................................................................................................................ 72


vi

LISTE DES TABLEAUX

Tableau 2.1 : Caractristiques du panneau solaire du LAAS-CNRS............................................................... 13
Tableau 3.1 : Caractristiques les plus importantes du PIC18F1220 [18]....................................................... 28
Tableau 3.2 : Spcification du temps de calcul avec ou sans un multiplicateur hardware [18]....................... 28
Tableau 3.3 : Caractristiques les plus importantes du PIC16F877 [19]......................................................... 31
Tableau 4.1 : Mesures de lEnergie Maximale, lEnergie Produite et lEnergie Transmise associes aux
diffrents rendements moyens sur une journe de production......................................................................... 56
Tableau 5.1 : Liste des composants ncessaire la conception de la carte MPPT numrique ........................ 61


vii
LISTE DES FIGURES

Figure 2.1 : Coupe transversale dune cellule PV typique ................................................................................ 5
Figure 2.2 : Schma quivalent lectrique dune cellule PV............................................................................. 5
Figure 2.3 : Caractristiques dune jonction PN sous clairement [3]............................................................... 6
Figure 2.4 : Courbe i =f(v) dun panneau photovoltaque ................................................................................. 6
Figure 2.5 : Caractristique dun gnrateur photovoltaque pour diffrents clairements ............................... 7
Figure 2.6 : Influence de la temprature sur la caractristique lectrique ......................................................... 8
Figure 2.7 : Caractristique rsultante dun groupement en srie de n
s
cellules identiques [3]......................... 9
Figure 2.8 : Caractristique rsultante dun groupement constitu de n
p
cellules identiques en parallle [3] ... 9
Figure 2.9: a) Connexion lectrique directe entre un gnrateur PV et une charge. ............................. 10
Figure 2.10 : Etage dadaptation jouant le rle dinterface de puissance entre un GPV et une charge pour le
transfert de P
MAX
du GPV................................................................................................................................ 11
Figure 2.11 : Chane lmentaire de conversion photovoltaque base dun transformateur DC contrl par
une commande MPPT [8]................................................................................................................................ 12
Figure 2.12 : Site photovoltaque du LAAS-CNRS ........................................................................................ 13
Figure 2.13: Chane de conversion dnergie solaire comprenant un panneau photovoltaque, un
convertisseur BOOST, une commande MPPT et une charge. ......................................................................... 14
Figure 3.1: Exemple de convertisseur statique DC-DC pouvant tre utilis comme adaptateur entre un
gnrateur PV et une charge [1] ...................................................................................................................... 16
Figure 3.2 : Structure du convertisseur BOOST .............................................................................................. 16
Figure 3.3 : Circuit quivalent pour T
ON
.......................................................................................................... 17
OFF
......................................................................................................... 17
Figure 3.5 : Forme du courant i
1
...................................................................................................................... 17
Figure 3.6 : Forme de courant i
2
...................................................................................................................... 18
Figure 3.7: Principe classique dune MPPT pouvant tre implante en numrique ........................................ 20
Figure 3.8: Principe de fonctionnement dune commande MPPT................................................................... 21
Figure 3.9: Changement dclairement et consquence sur les courbes de puissance dun gnrateur PV ainsi
que sur ladaptation source-charge. ................................................................................................................. 22
Figure 3.10 : Loi de commande MPPT analogique du LAAS-CNRS, [8]. ..................................................... 23
Figure 3.11 : Ralisation de la MPPT analogique [8]...................................................................................... 24
Figure 3.12 : Schma de la MPPT numrique du LAAS-CNRS..................................................................... 25
Figure 3.13: Diagramme de blocks de la MPPT numrique............................................................................ 26
Figure 3.14: Schma de principe de l'algorithme MPPT................................................................................. 27
Figure 3.15 : Graphiques du temps dacquisition du courant et de tension pour une conversion sur 8 bits .... 29
Figure 3.16 : Temps dacquisition dune valeur de puissance pour une conversion sur 8 bits avec le
PIC18F1220 .................................................................................................................................................... 29
Figure 3.17 : Graphiques du temps dacquisition du courant et de tension pour une conversion sur 10 bits .. 30
Figure 3.18 : Temps dacquisition dune valeur de puissance pour une conversion sur 10 bits avec le
PIC18F1220 .................................................................................................................................................... 30
Figure 3.19 : Rgime tabli des valeurs de V, I et P dun gnrateur PV avec fonction MPPT numrique pour
8 bits, 4 points dchantillonnage de puissance et 6.5 ms de retard. ............................................................... 35
8 bits, 8 points dchantillonnage de puissance et 6.5 ms de retard. ............................................................... 36
10 bits, 4 points dchantillonnage de puissance et 6.5 ms de retard. ............................................................. 37
10 bits, 4 points dchantillonnage de puissance et 13 ms de retard. .............................................................. 37
10 bits, 8 points dchantillonnage de puissance et 6.5 ms de retard. ............................................................. 38
10 bits, 8 points dchantillonnage de puissance et 13 ms de retard. .............................................................. 38
Figure 3.25 : Figure qui montre la prcision sur une conversion de 8 bits...................................................... 40
Figure 3.26 : Figure qui montre la prcision sur une conversion de 10 bits.................................................... 41
Figure 3.27 : Gain de lintgrateur important .................................................................................................. 42
Figure 3.28 : Gain de lintgrateur faible ........................................................................................................ 42
Figure 3.29: Chane lmentaire de conversion photovoltaque avec convertisseur BOOST contrl par une
commande MPPT numrique .......................................................................................................................... 43


viii
Figure 3.30 : Schma du convertisseur boost + MPPT numrique.................................................................. 43
Figure 3.31: Comportement de la commande MPPT numrique avec dlai pendant une variation
d'clairement.................................................................................................................................................... 44
Figure 3.32: Amliorations possibles .............................................................................................................. 45
Figure 3.33: Schma des amliorations........................................................................................................... 45
Figure 4.1 : Relev exprimental en rgime tabli dun convertisseur boost avec fonction MPPT ................ 47
Figure 4.2: Rponse du systme vis--vis de changements brutaux de courants dans le gnrateur constitu de
deux panneaux BP 585 en parallle................................................................................................................. 47
Figure 4.3: Rponse la connexion/dconnexion en srie de quelques cellules en srie du GPV (simul par
une source de tension auxiliaire de 5V)........................................................................................................... 48
Figure 4.4: Mesures en rgime tabli dun boost avec fonction MPPT aliment par un module BP 585 ... 48
Figure 4.5 : Schmas de connexions utilises pour la comparaison entre une commande MPPT numrique et
une commande MPPT analogique et une connexion directe par diode anti-retour. ........................................ 49
Figure 4.6 : Visualisation de VBAT, IBAT, VPV, IPV du convertisseur boost avec MPPT numrique pendant
toute une journe (9h-18h). A Toulouse le 27 Juillet 2006. ............................................................................ 50
Figure 4.7 : Visualisation du rendement du convertisseur Boost avec MPPT numrique, rendement MPPT,
rendement global de la chane photovoltaque pendant toute une journe (9h-18h). A Toulouse le 27 Juillet
2006................................................................................................................................................................. 51
Figure 4.8 : Tensions et courants dun GPV en connexion directe avec une diode anti-retour sur une batterie
de 12V pendant toute une journe (9h-18h). A Toulouse le 27 Juillet 2006. .................................................. 52
Figure 4.9 : Puissances et rendements dun GPV en connexion directe avec une diode anti-retour sur une
batterie de 12V pendant toute une journe (9h-18h). A Toulouse le 27 Juillet 2006. ..................................... 52
Figure 4.10 : Visualisation de VBAT, IBAT, VPV, IPV de la chane photovoltaque pendant toute une
journe (9h-18h). A Toulouse le 27 Juillet 2006. (MPPT analogique)............................................................ 53
Figure 4.11 : Visualisation du rendement du convertisseur Boost, rendement MPPT, rendement global de la
chane photovoltaque pendant toute une journe (9h-18h50). A Toulouse le 27 Juillet 2006 (MPPT
Analogique) ..................................................................................................................................................... 54
Figure 4.12 : Rendements MPPT des trois types de connexions. .................................................................... 55
Figure 5.1 : Schma lectronique de la commande MPPT numrique............................................................ 57
Figure 5.2 : Comparateur LM311 et lintgrateur RC..................................................................................... 58
Figure 5.3 : Circuit de gnration du signal triangulaire laide du CI NE555 .............................................. 58
Figure 5.4 : Schma de principe de la commande MPPT numrique mise en oeuvre..................................... 59
Figure 5.5 : Schma lectronique du convertisseur boost ............................................................................... 59
Figure 5.6 : Vue TOP de la carte MPPT numrique........................................................................................ 60
Figure 5.7 : Vue BOTTON de la carte MPPT numrique................................................................................ 60
Figure 5.8 : Prototype finale du convertisseur boost avec la carte de commande MPPT numrique.............. 61
Figure 5.9 : Reprsentation graphique du prix dune carte MPPT numrique ................................................ 62
Figure 5.10 : Convertisseur boost + carte de la MPPT analogique ................................................................. 62


ix
LISTE DES ABREVIATIONS

GPV Gnrateur Photovoltaque
MPPT Maximum Power Point Tracking
PV Photovoltaque
PWM Pulse Width Modulation
PPM Point de Puissance Maximum
P
MAX
Puissance Maximale dun Gnrateur Photovoltaque
MPPT
Rendement MPPT
CONV
Rendement de Conversion
OPT
V et
OPT
I Tension et Courant optimaux correspondant a P
MAX
DC Direct Current
CS Convertisseur Statique
MLI Modulation de Largeur dImpulsion

1- Introduction

1

1 Introduction

Lnergie solaire photovoltaque provient de la transformation directe dune partie du
rayonnement solaire en nergie lectrique. Cette conversion dnergie seffectue par le
biais dune cellule dite photovoltaque (PV) base sur un phnomne physique appel effet
photovoltaque qui consiste produire une force lectromotrice lorsque la surface de cette
cellule est expose la lumire. La tension gnre peut varier en fonction du matriau
utilis pour la fabrication de la cellule. Lassociation de plusieurs cellules PV en
srie/parallle donnent lieu un gnrateur photovoltaque (GPV) qui a une caractristique
courant-tension (I-V) non linaire prsentant un point de puissance maximale.

La caractristique I-V du GPV dpend du niveau dclairement et de la temprature
de la cellule ainsi que du vieillissement de lensemble. De plus, son point de
fonctionnement du GPV dpend directement de la charge quil alimente. Afin dextraire en
chaque instant le maximum de puissance disponible aux bornes du GPV, nous introduisons
un tage dadaptation entre le gnrateur et la charge pour coupler les deux lments le
plus parfaitement possible.

Le problme du couplage parfait entre un gnrateur photovoltaque et une charge de
type continue nest pas encore rellement rsolue. Un des verrous technologiques qui
existe dans ce type de couplage est le problme du transfert de la puissance maximale du
gnrateur photovoltaque (GPV) la charge qui souffre souvent dune mauvaise
adaptation. Le point de fonctionnement qui en dcoule est alors parfois trs loign du
point de puissance maximale (PPM). La littrature propose une grande quantit de
solutions sur lalgorithme de contrle qui effectue une recherche de point de puissance
maximale lorsque le GPV est coupl une charge travers un convertisseur statique.

Les convertisseurs statiques, adapts lnergie solaire photovoltaque, sont souvent
appels dans le commerce convertisseurs solaires. Ils ont comme objectif dadapter
lnergie lectrique qui provient des panneaux photovoltaques, pour pouvoir alimenter des
charges alternatives.

Certains rgulateurs recherchent le point optimal de fonctionnement nomm PPM
(Point de Puissance Maximale) correspondant une tension et un courant de panneau PV
optimaux (nomms respectivement V
OPT
et I
OPT
) pour lesquels la puissance maximale
dpend dun certain nombre de paramtres mtorologiques, tel que le niveau dirradiation
solaire et la temprature.

Ltude effectue par le LAAS-CNRS en partenariat avec EDF et lUniversit Rovira
i Virgili consiste dvelopper des rgulateurs solaires munis dune fonction de recherche
du point de puissance maximale (MPPT) de haut rendement. Des tudes thoriques ont
dj t raliss afin damliorer la stabilit de la loi de commande MPPT [8]. Une
premire implmentation analogique de cette commande a t mise au point et test au
LAAS. Les qualits du point de vue du tracking et du rendement ont t dmontres
exprimentalement. Par contre, ce type de commande analogique prsente quelques
inconvnients :
1- Introduction

2
- cot lev de la commande MPPT analogique due au nombre lev des composants
utiliss, notamment le multiplieur analogique.
- Niveau dencombrement lev due au nombre de composants utiliss
- Consommation de la commande proche du demi-watt avec une alimentation
5V.
- Difficult dutiliser le mme circuit de commande MPPT pour diffrents types de
modules PV avec diffrentes puissances crtes.

Ainsi, afin de rduire la quantit de composants utiliser et le prix total de chaque
circuit de commande une solution numrique a t tudie. Dans ce contexte, nous
prsentons dans ce projet la ralisation dune commande MPPT extrmale numrique
base sur la commande analogique prsent par R. Leyva et alt. sur [8].

Lobjectif du projet est la ralisation lectronique, par le biais dun microcontrleur
PIC de la srie 18F, dune commande MPPT numrique ayant les mmes prestations que la
commande analogique existante [8]. Le choix du type de microcontrleur a t fait en vue
dune amlioration future du programme en insrant diffrentes fonctions de supervision
de lensemble du rgulateur solaire.

Tout dabord, nous prsentons dans ce rapport le contexte de lnergie solaire
photovoltaque ainsi que les principaux inconvnients de ce type de source dnergie. Dans
la section 3 de ce rapport nous prsentons ltage dadaptation pour gnrateur PV avec
fonction MPPT numrique. Ensuite, dans la section 4 nous dtaillons les mesures
exprimentales qui ont t ralises pour vrifier les performances de la commande MPPT
numrique ralise. Finalement, dans les sections 5 et 6, nous prsentons respectivement,
le dtail de la ralisation lectronique de cette commande numrique et les conclusions de
ce projet.

2- LEnergie Solaire Photovoltaque

3

2 LEnergie Solaire Photovoltaque

Llectricit est une des formes dnergie les plus versatiles et qui sadapte au mieux
chaque ncessit. Son utilisation est si tendue, quaujourdhui on pourrait difficilement
concevoir une socit techniquement avance qui nen fasse pas usage. Des milliers
dappareils sont dessins pour fonctionner grce lnergie lectrique, soit sous forme de
courant continu de faible tension, soit partir dun courant alternatif de tension plus
leve. Il est trs intressant de produire de llectricit avec une source dnergie sre et
pas polluante, comme lnergie solaire.

Il existe deux mthodes pour pouvoir convertir lnergie solaire en lectricit, selon
quon utilise lnergie cintique comme forme intermdiaire du procs de conversion :

- Systmes de conversion thermodynamique
- Systmes directs, fonds sur les interactions physiques entre les photons de la
radiation incidente et les lectrons du matriau, leffet photovoltaque.

2.1 Electricit Photovoltaque

2.1.1 Histoire

Bien que les bases thoriques de leffet photovoltaque taient connues depuis le
dbut du sicle, ce nest qu partir de 1954, dans les laboratoires de la Bell Tlphone
New Jersey, que la premire cellule ayant un rendement raisonnable a t mise au point.
Depuis la deuxime moiti du sicle prcdent, le processus de purification de
monocristaux de silicium a merg [1-4].

En 1956 Loferski publiait diffrentes tables de conversion de rendement
photovoltaque pour tous les matriaux semi-conducteurs. Puis, cest au dbut des annes
70 que lon a pu obtenir en laboratoire un rendement de 20 % en travaillant sur des cellules
de monocristal darsenic de gallium (GaAs). Le rendement est sensiblement infrieur
lorsque ces cellules se font lchelle industrielle [3].

Aussi, des expriences ont t faites avec des cellules composes de deux couches :
une de sulfure de cadmium (SCd) et une autre de sulfure de cuivre (SCu2). Ces cellules
prsentent lavantage dutiliser trs peu de matire active et permettent un processus de
fabrication plus simple. Cependant, leur faible rendement ne permet pas de les utiliser
lchelle industrielle.

La commercialisation de cellules solaires photovoltaques a commenc ds
lapparition du silicium monocristallin et elles occupent encore la premire place du
march. Plus tard, apparurent les matriaux polycristalins, de fabrication plus conomique,
mais prsentant encore de faibles rendements.

Rcemment se sont commercialises des cellules de silicium amorphe, utilises pour
des dispositifs de trs faible puissance : calculettes, montres, radio portable, etc

4

Les premires applications pratiques de llectricit photovoltaque se firent dans les
vhicules spatiaux, permettant lalimentation des quipements de commande, de mesure,
ou de retransmission de donnes. Ensuite, la production industrielle de premiers panneaux
ayant des applications terrestres domestiques a dbut. Bien quau dbut des annes 80 ces
panneaux naient pas t suffisamment comptitifs pour la production grande chelle, ils
ont tout de mme permis llectrification de logements isols.

Les recherches pour faire des produits plus efficaces et conomiques continuent
bon rythme mme sil existe peu dentreprise au niveau mondial ayant la capacit de
supporter des cots levs de recherche.

2.1.2 LEffet Photovoltaque

Cest la conversion de lnergie que transportent les photons de la lumire lorsquils
rentrent en collision avec des matriaux semi-conducteurs convenablement traits, en
nergie lectrique capable de crer un courant dlectrons travers un circuit extrieur, en
ralisant un travail utile [3].

La cl pour produire un courant lectrique utile est darriver extraire les lectrons
librs. Un procd pour faire cela est dintroduire dans le matriau semi-conducteur des
lments chimiques qui contribuent produire un excs dlectrons et de trous. Ces
lments, qui altrent notablement les proprits intrinsques du semi-conducteur,
sappellent les dopants et le matriau est dit dop lorsque le processus dincorporation au
semi-conducteur est achev.

Un dopant appropri pour le silicium est le bore. La structure cre sappelle un
semi-conducteur de type P (positif).

Un autre dopant possible pour le silicium est le phosphore. Le semi-conducteur est
dit de type N (ngatif).

Si les photons de la lumire incidente communiquent de lnergie aux lectrons du
semi-conducteur, quelques lectrons peuvent traverser la barrire de potentiel, en tant
expulss hors du semi-conducteur dans un circuit extrieur. Ceci gnre un courant
lectrique. Les lectrons, aprs avoir parcouru le circuit externe, retournent dans le semi-
conducteur par la face oppose.

Le matriau semi-conducteur ne stocke donc pas dnergie lectrique mais la gnre,
en transformant lnergie incidente.

La physique quantique prdit un rendement thorique pour la cellule de silicium de
26 %, mais les cellules commerciales obtenues de manire industrielle ne montent pas au
dessus de 17%. Ces valeurs, impliquant une limitation sur la puissance lectrique pouvant
tre obtenue, montrent que seulement une petite partie de lnergie solaire peut gnrer de
llectricit.


5
La figure 2.1 montre la coupe transversale dune cellule PV typique

PHOTONS
ZONE
DOPEE P
ZONE
DOPEE N
JONCTION
PN
ICELL
VCELL
ECLAIREMENT G
CONTACT
AVANT
(GRILLE)
DEPLACEMENT
DELECTRONS

Figure 2.1 : Coupe transversale dune cellule PV typique

2.1.3 La Cellule Photovoltaque

Une cellule photovoltaque est constitue par un matriau semi-conducteur de type
P-N. La taille de chaque cellule va de quelques centimtres carrs jusqu 100 cm
2
ou plus.
Sa forme est circulaire, carre ou drive des deux gomtries.

Les cellules se branchent en srie, ce qui permet aux lectrons gnrs par une
cellule dtre repris par la suivante. Le but est davoir une diffrence de potentiel
normalement entre 6 et 24 V.

Caque cellule peut tre modlise par le schma lectrique quivalent :

D
+
-
R
SH

R
S

I
CELL

V
CELL
I
CC

Figure 2.2 : Schma quivalent lectrique dune cellule PV

Les rsistances Rs et Rsh permettent de tenir en compte des pertes lies aux dfauts
de fabrication. Rs reprsente les diverses rsistances de contact et de connexion tandis que
Rsh caractrise les courants de fuite dus diode et aux effets de bord de la jonction.

2.1.4 La Jonction PN utilise comme Capteur

En polarisant lectriquement une jonction PN classique base de Si, on obtient les
caractristiques statiques dune diode. La particularit du Si est que lorsque la jonction PN
est claire, un courant proportionnel lclairement apparat. Cest cette particularit qui
est employe dans les gnrateurs solaires photovoltaques (figure 2.3).


6

Figure 2.3 : Caractristiques dune jonction PN sous clairement [3]

2.2 Le Gnrateur PV et ses Performances

Un gnrateur photovoltaque ou module est constitu dun ensemble de cellules
photovoltaques lmentaires montes en srie et/ou parallle afin dobtenir des
caractristiques lectriques dsires tels que la puissance, le courant de court-circuit ou la
tension en circuit ouvert.

2.2.1 Caractristique Courant-Tension

La figure ci-dessous reprsente la courbe ( ) v f i = dun panneau photovoltaque
typique dans des conditions constantes dirradiation et de temprature :

Icc
Iopt
Vopt Voc
Caracteristique
relle
I
V

Figure 2.4 : Courbe i =f(v) dun panneau photovoltaque

Il est difficile de donner un caractre source de courant ou de tension un panneau
photovoltaque sur toute ltendue de la caractristique courant-tension. Le panneau
photovoltaque est donc considrer comme une source de puissance. On saperoit alors
lexistence dun point Pm o la puissance se trouve tre maximale. Il est sans aucun doute
intressant de se placer sur ce point pour tirer le maximum dnergie et ainsi exploiter au
mieux la puissance crte installe, seule une charge dont la caractristique passe par le
point Pm permettra dextraire la puissance maximale. Certains rgulateurs solaires
ralisent donc une adaptation dimpdance pour qu chaque instant on se trouve proche de

7
ce point de puissance maximale, cest ce que lon appelle le Maximum Power Point
Tracking (MPPT). Nous reviendrons par la suite sur cette technique.

2.2.2 Influence de lclairement

La figure 2.5 prsente un exemple des courbes pour diffrents niveaux de rayonnement :

200
400
600
800
1000 W/m
2

Vopt
Iopt
Vp
Ip
Icc
Vc0

Figure 2.5 : Caractristique dun gnrateur photovoltaque pour diffrents clairements

On remarque que la valeur du courant de court-circuit est directement
proportionnelle lintensit du rayonnement [5]. Par contre, la tension en circuit ouvert ne
varie pas dans les mmes proportions, elle reste quasiment identique mme faible
clairement.

Lirradiation standard, internationalement accepte, pour mesurer la rponse des
panneaux photovoltaques est une intensit rayonnante de 1000 W/m2 et une temprature
de 25 C.

8

2.2.3 Influence de la Temprature

La figure 2.6 prsente des courbes courant-tension pour diffrentes tempratures de
fonctionnement de la cellule PV:

58 C
48 C
28 C
Vpv
Ipv

Figure 2.6 : Influence de la temprature sur la caractristique lectrique

On remarque que la temprature une influence ngligeable sur la valeur du courant
de court-circuit. Par contre, la tension en circuit ouvert baisse assez fortement lorsque la
temprature augmente, par consquent la puissance extractible diminue [5]. Lors du
dimensionnement dune installation, la variation de la temprature du site sera
imprativement prendre en compte.

Il est important de savoir que la puissance du panneau diminue environ de 0,5% par
chaque degr daugmentation de la temprature de la cellule au dessus de 25 C.

2.2.4 Association de Cellules Photovoltaques en Srie

Dans un groupement en srie, les cellules sont traverses par le mme courant et la
caractristique rsultante du groupement en srie est obtenue par addition des tensions
courant donn.

La figure 2.7 montre la caractristique rsultante (
SCC
I ,
SCO
V ) obtenue en associant
en srie (indice s) n
s
cellules identiques (
CC
I ,
CO
V ) [3]:
cc scc
I I = et
co s sco
V n V =


9

Figure 2.7 : Caractristique rsultante dun groupement en srie de n
s
cellules identiques [3]

2.2.5 Association de Cellules Photovoltaques en Parallle

Les proprits du groupement en parallle des cellules sont duales de celles du
groupement en srie. Ainsi, dans un groupement de cellules connectes en parallle, les
cellules sont soumises la mme tension et la caractristique rsultante du groupement est
obtenue par addition des courants tension donne. La figure 2.8 montre la caractristique
rsultante (
PCC
I ,
PCO
V ) obtenue en associant en parallle (indice p) n
p
cellules identiques (
CC
I ,
CO
V ) [3]:
cc p pcc
I n I = et
co pco
V V =

Figure 2.8 : Caractristique rsultante dun groupement constitu de n
p
cellules identiques en parallle [3]

2.3 Fonctionnement dun Gnrateur PV sa Puissance Maximale

2.3.1 Principe

La conception globale de systmes photovoltaques optimiss est par nature difficile.
En effet, ct source, pour un gnrateur photovoltaque (PV), la production de puissance
varie fortement en fonction de lclairement, de la temprature, mais aussi du
vieillissement global du systme comme nous avons pu le voir dans les parties prcdentes.

Chaque charge, que ce soit en continu (DC) (batteries, certains appareils
lectromnagers destins des rseaux continus isols) a son comportement propre. De
plus, souvent, la variation du comportement de la charge varie brutalement en fonction de

10
la consommation des utilisateurs, ce qui est souvent difficile prvoir surtout sur des petits
rseaux locaux.

Ainsi, pour quune connexion source-charge soit possible, un point de
fonctionnement correspondant lintersection des caractristiques lectriques doit exister.
Pour mieux comprendre ceci, prenons par exemple le cas dune connexion directe entre un
gnrateur PV et une charge. Nous regardons linfluence de la nature de la charge quelle
soit une simple charge rsistive R ou bien mme une batterie, comme illustr dans la figure
2.9 o les points PPM1 et PPM2 correspondent au fonctionnement optimal du gnrateur
PV.

Vpv
Ipv

PV
Charge Vpv
Ipv
Icc2
Icc1
E1
E2
Vb Voc1 Voc2
R1
R2
R3
R4
PPM1
PPM2

Figure 2.9: a) Connexion lectrique directe entre un gnrateur PV et une charge.
b) Points de fonctionnements rsultant de lassociation du gnrateur PV sous deux niveaux
dclairements (E1, E2) avec une charge soit rsistive R variable (R1, R2, R3, R4) ou bien dune
batterie (Vb).

Comme nous pouvons le constater sur la figure 2.9 (b), le fonctionnement du
gnrateur PV dpend fortement des caractristiques de la charge laquelle il est associ.
En effet, pour la charge rsistive de diffrentes valeurs, ladaptation optimale ne se produit
que pour un seul point de fonctionnement particulier, nomm Point de Puissance Maximal
(PPM) il est not dans notre cas PPM1 et PPM2. Ceux-ci correspondent la puissance
maximale que peut dlivrer un gnrateur PV pour une courbe ( ) V I donne. Pour la
charge de type batterie, le point de connexion source-charge nest pas optimal. Ainsi,
lorsque lon ralise une connexion directe source-charge, le rendement de lensemble est
alors rarement optimal.

Dans le cas dune connexion directe entre une batterie et un gnrateur PV, le
rendement MPPT du systme dpend de lcart entre la tension optimale du gnrateur PV
et la tension de batterie qui varie en fonction de son tat de charge. Ainsi pour une batterie
au plomb de tension nominale de 12 V et un gnrateur constitu par exemple dun module
BP585 de tension optimale V
opt
= 16,7 V et de courant optimal I
opt
= 4,7 A le point
dopration du gnrateur pourrait tre trs proche du PPM o de mme il pourrait tre trs
loign entranant ainsi une diminution de la production.

Par exemple, avec la tension de la batterie en dbut de charge gale 12 V et le
courant de charge I
b
de 5A compte tenu du point de fonctionnement gal au courant de
court circuit du gnrateur PV, Icc = 5A. Le rendement MPPT (Voir section 2.6) de
lensemble sera :


11
% 4 , 76 =
=
opt opt
b b
I V
I V
(2.1)

Si ltat de charge de la batterie est tel que sa tension vaut 14 V, le rendement atteint
alors 87.4 %.

2.4 tage dAdaptation entre un Gnrateur PV et une Charge

Un GPV prsente des caractristiques I(V) non linaires avec des PPM. Ces
caractristiques dpendent entre autre du niveau dclairement et de la temprature de la
cellule. De plus, selon les caractristiques de la charge sur laquelle le GPV dbite, nous
pouvons trouver un trs fort cart entre la puissance potentielle du gnrateur et celle
rellement transfre la charge en mode connexion directe.

Afin dextraire chaque instant le maximum de puissance disponible aux bornes du
GPV et de la transfrer la charge, la technique utilise classiquement est dutiliser un
tage dadaptation entre le GPV et la charge comme dcrit dans la figure 2.10. Cet tage
joue le rle dinterface entre les deux lments en assurant travers une action de contrle,
le transfert du maximum de puissance fournie par le gnrateur pour quelle soit la plus
proche possible de P
MAX
disponible [6, 7].

GPV
V
1

I
1

+
-
I
2

V
2

+
-
ETAGE
DADAPTATION
CHARGE

v
i

Figure 2.10 : Etage dadaptation jouant le rle dinterface de puissance entre un GPV et une charge pour le transfert de
P
MAX
du GPV

Ce dernier par le biais dune commande spcifique est alors susceptible de permettre
au gnrateur de dlivrer sa puissance maximale note P
max
(P
max
= V
opt
I
opt
, o V
opt
et I
opt

reprsentent respectivement les tensions et courants optimaux du gnrateur PV pour une
courbe I(V) donne) tout en assurant que la tension ou bien le courant de la charge
correspond bien aux caractristiques de cette dernire.

Pour que le gnrateur PV fonctionne le plus souvent possible dans son rgime
optimal, la solution communment adopte est alors dintroduire un convertisseur statique
qui joue le rle dadaptateur source-charge (voir figure 2.11).


12

Convertisseur
DC-DC

GPV
P
MAX

G

Commande
MPPT
C
h
a
r
g
e

D
C

I
PV

V
PV

Rapport Cyclique D
V
1

I
1

+
-
V
2

+
-
I
2

Figure 2.11 : Chane lmentaire de conversion photovoltaque base dun transformateur DC contrl par une
commande MPPT [8].

La figure 2.11 montre le schma de principe dcrivant les fonctions prsentes dans un
tage dadaptation pour GPV rel conu. Le principe de la commande MPPT dlivre
laction de contrle approprie afin de suivre le point de puissance maximale en chaque
instant.

Le choix de la structure de conversion est effectu en fonction de la charge DC
alimenter. Nous avons besoin de structures de conversion survoltrice ou dvoltrice en
fonction de la caractristique de cette charge [9]. Par exemple, si nous supposons que la
charge est une batterie au plomb, ce sont ses plages de tension de charge et de dcharge qui
vont tablir la structure la plus adquate.

2.5 Site Photovoltaque (PV) du LAAS-CNRS

2.5.1 Module PV utilis

Au LAAS, nous disposons de 12 modules PV de 85 Watts crte commercialiss par
BP Solarex avec la rfrence BP585 [10].

Les panneaux PV peuvent tre interconnects en srie et/ou en parallle selon les
applications.

Un tableau de connections, situ dans le laboratoire photovoltaque, nous permet de
faire le branchement lectrique entre les divers panneaux.


13

Figure 2.12 : Site photovoltaque du LAAS-CNRS

Le tableau 2.1 montre les principales caractristiques des panneaux utiliss :

Module BP 585
Puissance 85 W (25C)
Tension optimale (maximum puissance) 18 V
Courant optimale (maximum puissance) 4,72A
Courant court-circuit 5A
Tension circuit ouvert 22,03 V
Dimensions 46"x20,9"x1,5"
Poids 16,5lb / 7,5Kg
Tableau 2.1 : Caractristiques du panneau solaire du LAAS-CNRS

2.5.2 Systme de Mesure

Afin de pouvoir raliser des mesures sur la chane de conversion dnergie PV, une
chane dacquisition de mesures assiste par ordinateur a t entirement conue et ralise
au LAAS-CNRS [11]. Le premier objectif de ce systme de mesure est dvaluer le
rendement nergtique dune ou plusieurs chanes de conversion modulaires pour systmes
photovoltaques.

La chane de mesure permet dvaluer les rendements de cinq systmes de
conversion dnergie travaillant en mme temps, les mesures ralises sont la tension du
panneau, courant du panneau, tension de batterie et courant de batterie. De ces mesures, on
peut dduire les diffrentes puissances dune chane de puissance lmentaire : puissance
instantane lentre et la sortie, puissance moyenne lentre et la sortie et puissance
maximale dlivre par les panneaux. A partir des donnes de puissance, le systme peut
calculer les rendements de la chane.

Le systme de mesure est gr par un logiciel appel SOL [11] qui, depuis un PC,
contrle tout le procs dacquisitions y compris le stockage des donnes sur le disque dur.
Aprs lobtention de ces donnes nous pouvons effectuer un traitement laide de
MATLAB pour obtenir les rsultats sous forme de graphiques o de rendements.


14
2.6 Rendement de la Chane de Puissance

Pour avoir une ide plus prcise des origines des pertes, des rendements de chaque
partie de la chane de puissance ont t dfinis. Pour cela, le rendement total de celle-ci a
t dcompos en divers types de rendements relis spcifiquement chaque partie de la
chane.

Lirradiance G (W/m
2
) reprsente la puissance lumineuse reue par unit de surface.
La puissance reue par le panneau de surface A (m
2
) est donc G .

PV
G
BOOST

DC/DC

charge
P
MAX
P
P
OUT

Commande
MPPT
V
I
D rapport cyclique

Figure 2.13: Chane de conversion dnergie solaire comprenant un panneau photovoltaque, un convertisseur BOOST,
une commande MPPT et une charge.

Le rendement maximum de la conversion photons-lectrons du panneau solaire not
PV
est dfini selon lquation (2.1):

Aeff G
P
MAX
PV
= (2.2)

o
MAX
P

est le maximum de puissance potentiellement disponible la sortie de panneau.
Remarque :
1).- Pour une surface du panneau, deux notations supplmentaires doivent tre dfinis
- surface totale du panneau comprenant linfrastructure et quon notera
T
A .
- surface effective du panneau PV reprsentant uniquement partie active (capteur
PV) effectuant la conversion. On la notera
eff
A .
2).-
MAX
P dpend des paramtres physiques du panneau et des conditions mtorologiques
[3].

La puissance P effectivement dlivre par un gnrateur PV va dpendre de la
commande utilise dans le convertisseur. Le rendement du point de fonctionnement qui en
dcoule que nous notons
MPPT
permet de mesurer lefficacit de la commande. En fait on
peut lappeler aussi rendement de la commande

MAX
MPPT
P
P
= (2.3)


15

Enfin, le rendement du convertisseur not
CONV,
gnralement fourni par les
documents constructeurs est dfini par lquation (2.4), en notant Pout la puissance
dlivre en sortie du convertisseur

P
P
OUT
CONV
= (2.4)

Le rendement total de la chane de conversion
TOTAL
(2.5) peut tre dfini le
produit de ces trois rendements prcdemment dfinis.

[ ]
[ ] [ ]
[ ]
[ ]
[ ]
[ ]
MPPT CONV PV
OUT
MAX
MAX
TOTAL
W P
W P
W P
W P
m A m W G
W P
=
=
2 2
/
(2.5)

Pour ltude que nous avons dveloppe, seuls les rendements du point de
fonctionnement et du convertisseur ont t considrs.

[ ]
[ ]
[ ]
[ ]
MPPT CONV
OUT
MAX
TOTAL
W P
W P
W P
W P
= = (2.6)
3- Etage dAdaptation pour Gnrateur PV avec Fonction MPPT Numrique

16

3 tage dAdaptation pour Gnrateur PV avec Fonction MPPT
de Type Numrique

3.1 tage dAdaptation de Type BOOST avec MPPT

Considrons lexemple de la figure 3.1 correspondant un convertisseur DC-DC
lvateur (boost). Ce type de convertisseur peut tre utilis comme adaptateur source-
charge lorsque la charge a besoin dune tension suprieure celle du gnrateur PV.

PV
Module

Charge
Rs
Vpv
Commande
rglable
Tr
Cs
Vs
Is
Cpv
Ipv

Figure 3.1: Exemple de convertisseur statique DC-DC pouvant tre utilis comme adaptateur entre un gnrateur PV et
une charge [1]

Ladaptation entre la source et la charge est ralise par la variation du rapport
cyclique . En effet, si nous supposons que le boost fonctionne en conduction continue et
si nous considrons que le rendement de ce dernier est de 100%, alors les relations
lectriques entre les grandeurs dentre du convertisseur (correspondant
PV
I

et
PV
V du
gnrateur) et de sortie du convertisseur (respectivement Is et Vs) ne dpendent que du
rapport cyclique et peuvent ainsi sexprimer [12]:

Convertisseur BOOST

Charge V
PV

L
MOS
C
D
V
S

Figure 3.2 : Structure du convertisseur BOOST

Le convertisseur peut alors travailler suivant deux modes de fonctionnement
dpendant de sa capacit de stockage dnergie et de la priode de commutation. Ces deux
modes de fonctionnement sont :

- Mode continu : dans ce cas, lnergie emmagasine dans linductance L est
transfre partiellement et donc le courant dans celle-ci ne sannule pas.
- Mode discontinu : dans ce cas, au contraire, lnergie emmagasine dans
linductance L est transfre totalement et donc le courant dans celle-ci sannule.

D

17
En mode de conduction continu, le fonctionnement du circuit peut se diviser en deux
selon lintervalle de commutation (T
ON
, T
OFF
). Lintervalle T
ON
commence quand on ferme
le transistor MOS t = 0. Le courant dentre, qui slve, traverse linductance L et le
transistor.

C
Charge
i
S

i
C

L I
PV
=i
1

V
PV
V
S
/Vc

ON

Lintervalle T
OFF
commence quand on ouvre le transistor MOS t = t
1
. Le courant de
linductance diminue car lnergie emmagasine dans linductance L est transfre la
charge.

Charge V
PV

L D
C V
S
/Vc
i
S

i
C

I
PV=
i
2

OFF

Dans lintervalle Ton le courant de linductance vaut :

dt
di
L V
e
1
=
(3.1)
1 1
) ( I t
L
V
t i
e
+ = (3.2)
O I
1
est le courant linstant initial. Pendant cet intervalle le courant traversant
linductance augmente.

i
I
1

I
2

i
1

T
on
T
off

i
t

Figure 3.5 : Forme du courant i
1


18

Le courant pendant lintervalle T
OFF
peut sexprimer :

S e
V
dt
di
L V + =
2
(3.3)

avec :
2 2
) ( I t
L
V V
t i
S e
+
= (3.4)

Ou I
2
est le courant initial pour lintervalle T
OFF
.

i
I
1

I
2

i
2

t
1
t
2

i
t

Figure 3.6 : Forme de courant i
2

En mode de conduction continue le priode de commutation est
off on
t t T + = et le rapport
cyclique

T
t
D
on
= (3.5)

Dun autre cot, nous pouvons exprimer la tension de sortie en fonction de la tension
dentre et du rapport cyclique selon :
PV S
V
D
V
=
1
1
(3.6)
Pour le convertisseur boost :
>
PV S
V V (3.7)

On peut faire varier la tension de sortie du convertisseur en changeant la valeur du
rapport cyclique .

La tension de sortie est minimale quand =0. On ne peut pas avoir =1 qui
correspondrait un MOS toujours ferm ; pour proche de 1, la tension de sortie devient
trs grande et est trs sensible au changement du rapport cyclique . De plus linfluence
des pertes dans le circuit limite la tension maximale de sortie du convertisseur.

Le gain en tension tend thoriquement vers linfini pour un rapport cyclique unitaire
si nous considrons le circuit sans pertes. Ainsi, en rsum nous pouvons exprimer la
tension et courant de sortie en rgime tabli selon :

19
D
V
V
PV
S
=
1
(3.8)

( )
PV s
I D I = 1 (3.9)

Ladaptation optimale est alors ralise lorsque
PV
I

et
PV
V valent respectivement
OPT
I

et
OPT
V . Ceci correspond alors une rsistance optimale
OPT
R du gnrateur
rpondant lquation suivante :

( ) ( )
s
s
s
opt
opt
opt
R D
I
V
D
I
V
R = = =
2 2
1 1 (3.10)

En rsum, la connexion entre une source et une charge peut tre optimise en
ajustant le rapport cyclique pour que dun ct, le gnrateur puisse fonctionner
OPT
R et dun autre ct, que la charge puisse varier " sa guise" dans la mesure o le
point dintersection source-charge continue exister.

Il est alors remarquer quune seule grandeur lectrique aux bornes de la charge
(courant ou tension) peut tre rgule. Cela impose donc une hypothse de fonctionnement
de la charge qui doit, soit accepter un courant quelconque lorsquelle impose la tension la
sortie du convertisseur statique, soit de grandes variations de tensions.

Pour que ladaptation se fasse automatiquement tout instant, un certain nombre de
lois de commande ont t labores. Toutes ont pour objectif deffectuer une recherche
automatise du PPM du systme, en se basant sur la nature convexe des courbes de
puissance du gnrateur PV ou, plus gnralement, dune source non linaire.

Dans la section suivante, nous prsentons une synthse de certains types de
commande MPPT que lon peut trouver dans la littrature ainsi comme celle utilis au
LAAS. La commande MPPT du LAAS va tre, par la suite, implment laide dun
microcontrleur.

3.2 Commande pour la Recherche du Point de Puissance Maximale (MPPT)

Diverses publications sur des commandes assurant un fonctionnement de type MPPT
apparaissent rgulirement dans la littrature depuis 1968, date de publication de la
premire loi de commande de ce type, adapte une source dnergie renouvelable de type
PV [12].

tant donn le grand nombre de publications dans ce domaine, nous ne prsentons
que le principe de base des premiers types de commandes pour ensuite dcrire la
commande MPPT extrmale du LAAS-CNRS [8]. Cette commande a t implmente
laide dun circuit lectronique analogique.


20
3.2.1 Les Premires Types de Commande MPPT

Lalgorithme mis en uvre dans les premires MPPT conues tait relativement
simple. En effet, les capacits des microcontrleurs disponibles cette poque taient
faibles et les applications, surtout destines au spatial avaient beaucoup moins de
contraintes en variation de temprature et dclairement que les applications terrestres.
Appliqu au photovoltaque, son principe a dabord t dcrit par A.F Boehringer [13]. La
commande expose dans cet article est base sur un algorithme de contrle adaptatif,
permettant de maintenir le systme son point de puissance maximum (PPM). Ce dernier
est reprsent en figure 3.7 et peut tre implant entirement en numrique.

Initialisation
Mesure
I
b
, I
s
, V
b

Calcul
Pn
Pn < P
0

Sortir
= + Cte = - Cte
P
0
= Pn
NON OUI

Figure 3.7: Principe classique dune MPPT pouvant tre implante en numrique

Le systme dmarre dun rapport cyclique initial
0
et dune puissance initiale
0
P
Aprs avoir effectu la mesure du courant
b
I

et de la tension
b
V aux bornes de la batterie
et du courant de charge
S
I , le produit ( ) [ ]
b S b
V x I I + est calcul. Ce dernier est limage de
la puissance instantane Pn dlivre par le gnrateur PV linstant o la mesure a t
effectu.
Cette image est alors compare la puissance
0
P , si Pn est infrieure
0
P , alors
est incrment, sinon est rduit. Une fois modifi,
0
P prend la valeur Pn et on effectue
une nouvelle mesure de
b
I ,
b
V et
S
I pour calculer la nouvelle puissance Pn
Ainsi, par un algorithme numrique de recherche, on peut rgler la prcision de cette
commande de faon obtenir un rendement MPPT proche de 100% en fonction de
lalgorithme implant. De plus, le temps de calcul de la MPPT est directement fonction de
lalgorithme implant ainsi que des performances du microprocesseur.


21
3.2.1.1 Evolution du point dopration du gnrateur PV

Nous devons chercher le point de puissance maximal, pour cela nous comparons un
point de puissance (P2) mesur linstant (t) avec un point de puissance (P1) mesur
linstant (t-1) (figure 3.8).

Si P1<P2, la drive est positive, cela signifie que nous nous rapprochons du point
de puissance maximal.

Si la drive de puissance est ngative, cela veut dire que nous avons dpass le
point de puissance maximal.

Ainsi, au dmarrage du systme, la recherche de PPM se fait progressivement, en
cherchant le premier maximum.

Les commandes MPPT prsentant finalement un bon compromis de rendements en
statique et dynamique mais aussi de robustesse sont bases sur une continuelle valuation
de la puissance et une comparaison avec ltat linstant prcdent.

P1
Vopt
P(pv)
P2
P1
P2
P1 P2
dP>0
dP>0
dP<0
V(pv)

Figure 3.8: Principe de fonctionnement dune commande MPPT

Cependant, pour la plupart des commandes MPPT, pour arriver converger dans de
bonnes conditions, quel que soit lalgorithme, il faut que les courbes de puissance dlivres
par le gnrateur soient constantes ou lentement variables. Si cette hypothse nest pas
respecte (changements brutaux des conditions de fonctionnement) le systme peut
diverger.

Nous avons rpertori les diffrents problmes qui peuvent survenir :

- La puissance dlivre par le gnrateur peut prsenter plusieurs maximums. Cela
peut se produire, en particulier, lorsque les diodes de protections (diodes by-pass)
des cellules PV associes en srie et ou en parallle se ferment.

Des changements brutaux dclairement et de charge peuvent survenir tout moment
sans que la frquence de ces changements soit prvisible. Ainsi, le gnrateur peut tout
instant avoir sa courbe de puissance modifie et donc son PPM comme lillustre la figure
3.9. Le point de fonctionnement (P1) se trouve sur la partie montante de la courbe de
puissance 1 avant le changement dclairement. Suite la variation dclairement, le point

22
de fonctionnement passe de P1 P2 qui se trouve sur la courbe de puissance 2. En
comparant la puissance P2 et P1, on en dduit une drive ngative, donc on inverse le
sens de poursuite pensant avoir dpass le point de puissance maximum, ici la commande
MPPT perd momentanment le PPM. De plus, le changement du sens de la poursuite fait
loigner encore plus le point dopration du PPM.

PPM2
PPM1
Ppv
Vpv
P0
P1
P2
dP>0
dP<0
Sens de poursuite
Sens de poursuite
Courbe de puissance1
Courbe de puissance2

Figure 3.9: Changement dclairement et consquence sur les courbes de puissance dun gnrateur PV ainsi que sur
ladaptation source-charge.

3.2.2 Description de la Commande MPPT Extrmale du LAAS-CNRS

Les commandes MPPT dveloppes au LAAS-CNRS ces dernires annes [8,14]
sont toutes bases sur le principe de la commande extrmale. Ce type de commande se
base sur la recherche dun extrme dun paramtre ou dune variable physique dun
systme par la variation ou perturbation dun paramtre dentre de ce systme. La
commande extrmale a t rapporte en 1920 par Leblanc pour la recherche du pic de
rsonance dun systme lectromcanique [15,16]. Dans le cas particulier dun GPV, une
commande MPPT extrmale oblige le point de fonctionnement du GPV se rapprocher du
PPM et osciller autour de lui indfiniment.

La commande MPPT utilise au long de ce stage de fin dtudes a t tudie au
pralable par Ramon Leyva [8]. Dans [8] il a t prsent une ralisation analogique de
cette commande. Dans ce contexte, lobjectif de notre tude est la ralisation de cette
commande MPPT sous forme numrique laide dun microcontrleur.

Le diagramme de la figure 3.10 reprsente le principe gnral dcompos en
diffrentes fonctions, de la commande MPPT extrmale du LAAS-CNRS [8]. Pour ce type
de commande, il est tout dabord ncessaire de connatre les tensions (V
PV
) et les courants
(I
PV
) en permanence aux bornes du GPV. Ces deux mesures permanentes permettent
didentifier au mieux tout changement de condition de fonctionnement du gnrateur. Pour
cela, deux capteurs distincts doivent tre prvus. A partir des informations dlivres par
ces capteurs, une image de la puissance fournie par le GPV peut tre obtenue en utilisant
un multiplieur analogique. Le niveau de puissance dlivr nest pertinent que si le systme
est capable de dterminer si ce niveau correspond au maximum pouvant tre dlivr par le

23
GPV. Ainsi, la sortie du multiplieur est connecte un circuit diffrenciateur et un
comparateur constituant la fonction drive de puissance et donnant le signe de cette
variation une bascule. Cette fonction que nous appelons drive de puissance permet
de connatre en permanence, si la puissance dlivre par le GPV sapproche ou sloigne
de son PPM. La fonction drive de puissance incorpore aussi un filtre passe-bas avec une
frquence de coupure F
C
telle que :

8
1
MPPT
C
C
T
F
T = = (3.11)
O T
MPPT
est la priode doscillations du point de fonctionnement du GPV autour du
PPM. Ce filtrage assure que les harmoniques dues la frquence de dcoupage du CS
ninterfrent pas dans lalgorithme de recherche. Ainsi, la constante T
C
doit tre plus petite
que les constantes de temps du CS qui, elles-mmes devraient tre plus grandes que la
frquence de dcoupage du CS.

V
PV

Multiplieur
analogique
Diffrentiateur
Comparateur
dhystrsis
Bascule avec
retard
dinhibition
Intgrateur PWM
Signal
triangulaire
250kHz
Vc
I
PV

Signal
dentre
du
driver

Figure 3.10 : Loi de commande MPPT analogique du LAAS-CNRS, [8].

La sortie du comparateur dhystrsis est introduite lentre dune bascule avec un
retard dinhibition qui tablit, aprs un temps fix pralablement, si la direction de la
recherche du maximum doit changer ou tre maintenue. Le temps dattente assure que le
convertisseur se trouve en rgime tabli quand la dcision pour changer ou pour maintenir
le signe de recherche seffectue.

Ainsi, la bascule change son tat de sortie en fonction de la drive de puissance. Si
la drive de puissance est positive, la bascule ne change pas dtat. Par contre, si la drive
de puissance est ngative et si le changement est autoris, la bascule change dtat.
Laccord pour le changement nest autoris que si le retard fix pralablement depuis le
dernier changement de ltat de sortie de la bascule ne sest pas coul.

Ltat de sortie de la bascule permet de charger ou de dcharger le circuit intgrateur.
La tension de sortie de cette bascule est multiplie par une constante et le rsultat est
intgr (intgrateur de la figure 3.10). Cette rfrence est compare un signal de
dcoupage haute frquence (soit une dent de scie, soit un signal triangulaire) travers un
comparateur. La sortie du comparateur fournit le rapport cyclique aux interrupteurs
commands du CS qui permet de raliser la fonction dadaptation entre le GPV et une
charge DC.

En rsum, la commande MPPT effectue un suivi permanent du PPM, ncessaire
connatre les variations de la puissance de sortie du GPV. Elle permet de rajuster le
rapport cyclique du convertisseur statique et ainsi dassurer ladaptation entre le GPV et la

24
charge, en faisant en sorte que le GPV fonctionne au mieux de ses possibilits. Le
fonctionnement de cette commande a t rapport pralablement avec une validation
complte de son fonctionnement sous diffrentes conditions de fonctionnement.

La figure 3.11 montre le circuit lectronique de cette commande MPPT extrmale.
Sur cette figure on retrouve les diffrentes fonctions qui constituent la commande MPPT
analogique du LAAS [8].

Figure 3.11 : Ralisation de la MPPT analogique [8]

3.3 Commande MPPT Numrique

Lobjectif de notre tude est la ralisation dune commande MPPT numrique base
sur la commande dj existante en version analogique. Les objectifs concrets que nous
voulons atteindre par cette ralisation numrique sont les suivants :
- Obtention des rendements MPPT quivalents ceux obtenus avec la commande
MPPT analogique
- Rduction du cot de fabrication par rapport la commande MPPT analogique
- Rduction du nombre de composants utiliss pour la mise en uvre
- Diminution du volume total de ltage dadaptation PV
- Diminution de la consommation de la commande

25

3.3.1 Schma de Principe

La figure 3.12 montre le schma de principe de la commande MPPT numrique,
nous notons que nous utilisons un microcontrleur PIC de la srie 18F pour la mise en
uvre de lalgorithme de recherche. Nous pouvons voir sur cette figure que nous navons
plus besoin du multiplieur, indispensable pour la commande analogique. Dun autre cot,
lalgorithme de recherche gnre un signal alpha () qui permet de charger et de dcharger
le circuit intgrateur comme il a t dfini dans le cas analogique la figure 3.10.

X
d P ?

>0 <0
H
Algorithme
Delay
P
alpha
Start timer
V
I
Integrateur
PWM
Vc
Signal
triangulaire
250kHz
Signal
dentree
du driver
PIC 18F1220

Figure 3.12 : Schma de la MPPT numrique du LAAS-CNRS

La figure 3.13 montre le diagramme de blocks de lalgorithme de recherche intgr
dans le microcontrleur PIC. Le fonctionnement de cet algorithme est le suivant. Dans un
premier temps nous configurons les registres du microcontrleur PIC18F. Nous effectuons
lacquisition de la valeur de tension du GPV (V
PV
) suivit de celle du courant du GPV (I
PV
).

Lacquisition de ces variables doit se faire de manire squentielle car le
microcontrleur dispose dun seul convertisseur analogique-numrique (CAN). Une fois
que nous avons obtenu la valeur de ces deux variables, nous les multiplions pour obtenir
une image de la puissance fournie par le GPV. Cette opration est ralis laide dune
instruction du PIC qui fait appel une multiplication de type hardware qui dure 1 cycle
dhorloge. Pour obtenir une valeur de puissance plus prcise est sans leffet des bruits de la
commutation du transistor nous calculons la puissance moyenne partir de huit mesures de
puissance. A partir de cette puissance moyenne nous calculons la drive de puissance par
rapport au temps afin de connatre les variations de la puissance du GPV. Ainsi nous
pouvons dterminer avec exactitude quand la puissance du GPV augmente ou quand elle
diminue, de manire savoir si on sapproche ou si on sloigne du PPM.

A partir du signe de la drive de puissance nous pouvons dterminer le sens
recherche du point de puissance maximal (dfini par le paramtre alpha) laide de ce que
nous notons dans la figure 3.13 Algorithme MPPT .


26

Acquisition de la tension

Acquisition du courant

Calcul de la puissance

Calcul de la
puissance moyenne

Calcul de la drive

Algorithme MPPT

Configuration du microcontrleur

Figure 3.13: Diagramme de blocks de la MPPT numrique

3.3.2 Structure de lAlgorithme MPPT

Ici nous dcrivons le fonctionnement de lalgorithme MPPT. Le signe de la drive
de puissance nous permet dexcuter cet algorithme. Si la drive est positive et la variable
(cette variable nous indique le sens de la recherche du PPM) est niveau haut 1 , cette
dernire reste identique puisque le signe positif de la drive indique que nous nous
approchons du PPM.
Lorsque la drive est ngative nous pouvons conclure un dpassement du PPM.
Dans ce cas, nous testons la valeur de la variable H (cette variable indique si le timer 0 a
dbord). Le timer 0 est charg une valeur programme par software qui correspond la
valeur du dlai illustr dans la figure 3.12. La variable H passe 1 lorsque secondes
se sont couls depuis le dernier changement du sens de recherche du PPM. Ainsi, si la
variable H vaut 1 nous inversons le sens de recherche en changeant la valeur de la
variable et nous rinitialisons le timer 0 et la variable H. Par contre, si la drive est
ngative et que la variable H vaut 0 , lalgorithme va attendre que le timer 0 scoule

27
(H=1) pour inverser le sens de poursuite (). En rsum, nous ne changeons le sens de la
recherche que si la drive est ngative et si secondes se sont couls depuis le dernier
changement du sens de recherche. De cette manire le point de fonctionnement du module
PV oscille de manire permanente autour du PPM.

La figure 3.14 montre en dtail le schma de principe de lalgorithme MPPT implment.

Drive de
puissance positive
Alpha =1
Drive de
puissance ngative
Alpha =1
Drive de
puissance positive
Alpha =0
Drive de
puissance ngative
Alpha =0
H=0 H=1 H=0 H=1 Alpha=1 Alpha=0
Alpha=1 Alpha=0
Start timer Start timer
Alpha=0
H=0
Alpha=1
H=0
Calcul derive

Figure 3.14: Schma de principe de l'algorithme MPPT


28

3.3.3 Choix du Microcontrleur PIC

Pour la mise en uvre une tude comparative a t mene, entre 2 types de
microcontrleurs.

Le premier est le PIC16F877, utilis dans des travaux antrieurs [17] dans la
conception dun chargeur de batterie pour systme photovoltaque, intgrant un autre type
dalgorithme MPPT.

Le deuxime est le PIC18F1220, qui intgre une multiplication hardware rduisant
considrablement le temps de calcul de la puissance fournie par le GPV par rapport au PIC
16F877, de plus son prix attractif et sa taille mmoire suffisante semble convenir notre
application.

PIC18F1220

Operating frequency 40 MHz
RESETS (and DELAYS) PBOR/PLVD
Flash Memory 4k
EEPROM Data Memory Bytes 256
RAM bytes 368
I/O PORTS PORTS A,B
Timers 4 (1-8bits, 3-16bits)
Capture/Compare/PWM Module 1
10 bit Analog to Digital Module 7 input channels
Serial Communications EUSART
I/O pins 16
Prix
3,97 euros

Tableau 3.1 : Caractristiques les plus importantes du PIC18F1220 [18]

Dans notre cas, nous utilisons un oscillateur de quartz de 20 Mhz, pour raliser
lhorloge. A cette frquence le temps dexcution dune instruction est de 0.2 us.

Nous montrons dans le tableau 3.2 les diffrences entre une multiplication hardware
(PIC18F1220) et une multiplication software (PIC16FXXX).

Tableau 3.2 : Spcification du temps de calcul avec ou sans un multiplicateur hardware [18]


29
Daprs le tableau, une multiplication de deux mots non signs de 8 bits ncessite
seulement un cycle dinstruction, soit 0.2s.

Pour dterminer le temps dacquisition du courant et de la tension du GPV nous
avons effectu des mesures avec loscilloscope.
Au dbut des acquisitions du courant et de la tension, nous mettons un port de sortie du
PIC au niveau haut (5V), lorsque lacquisition est termine celui-ci repasse ltat bas
(0V). De cette manire nous pouvons mesurer le temps dacquisition du courant et de la
tension qui est le mme pour les deux magnitudes (voir figure 3.15). Cette valeur est de
62.2 us pour une acquisition sur 8 bits.

a) Acquisition du courant b) Acquisition de tension

Figure 3.15 : Graphiques du temps dacquisition du courant et de tension pour une conversion sur 8 bits

La figure 3.16 montre le chronogramme de ces acquisitions de tension et de courant
ainsi que le calcul de la puissance (V x I).

Dbut
Acquisition
du courant
62.2s
Acquisition
de tension
Calcul de la
puissance
62.2s
0.2s
124.6s
Acquisition de
la puissance

Figure 3.16 : Temps dacquisition dune valeur de puissance pour une conversion sur 8 bits avec le PIC18F1220

Le temps total pour obtenir une valeur de puissance est de 124.6s pour une
conversion sur 8 bits.
Pour une multiplication de deux mots non sign de 16 bits avec une frquence de
20MHz, le microcontrleur a besoin de 28 cycles dinstruction, soit 5.6 s.


30
Pour savoir le temps dacquisition du courant et de la tension, nous avons rpt la
mme procdure que pour le cas dune acquisition sur 8 bits. Comme nous le montre le
chronogramme de la figure 3.18 le temps dacquisition du courant et de la tension est de
62.2 us.

Une acquisition de tension ou de courant se fait toujours sur 10 bits. Une fois
l'acquisition termine tu choisis de prendre le rsultat soit sur 8 bits ou sur 10 bits avec les
registres (ADRESH et ADRESL), en rsum suivant le dcalage droite ou a gauche du
rsultat tu prends ou non les bits de poids faibles, donc le temps de conversion est toujours
le mme.

a) Acquisition du courant b) Acquisition de tension

Figure 3.17 : Graphiques du temps dacquisition du courant et de tension pour une conversion sur 10 bits

Dbut
Acquisition
du courant
62.2s
Acquisition
de tension
Calcul de la
puissance
62.2s
5.6s
130s
Acquisition de
la puissance

Figure 3.18 : Temps dacquisition dune valeur de puissance pour une conversion sur 10 bits avec le PIC18F1220

Le temps total pour obtenir une valeur de puissance est de 130s pour une
conversion sur 10 bits.

Nous obtenons une valeur de drive environ toute les millisecondes, car la
puissance moyenne est dtermine partir de 8 valeurs de puissance (8*130 s = 1040 s).

31

Nous allons ensuite calculer la mme chose pour un PIC16F877.

PIC16F877

Operating frequency 20 MHz
RESETS (and DELAYS) BOR
Flash Memory 8k
EEPROM Data Memory Bytes 256
RAM bytes 368
I/O PORTS PORTS A,B,C,D,E
Timers 3
Capture/Compare/PWM Module 2
Serial Communications MSSP/USART
10 bit Analog to Digital Module 8 input channels
Instruction Set 35 instructions
I/O pins 33
Prix 8,49 euros

Tableau 3.3 : Caractristiques les plus importantes du PIC16F877 [19]

Le PIC16F877 ne possde pas une multiplication hardware contrairement au PIC
18F1220.

Pour une multiplication de deux mots non sign de 8 bits, le PIC 16F877 a besoin de
69 cycles dinstruction soit 13.8s.
Le temps total pour obtenir une valeur de puissance pour une conversion sur 8 bits est de
138.2 s.

Pour effectuer une multiplication de deux mots non signs de 16 bits, le
microcontrleur a besoin de 48.4s, soit 242 instructions.
Le temps total pour obtenir une valeur de puissance pour une conversion sur 10 bits est de
172.8s.

tude comparative

Notre application na besoin que de deux entres analogiques (
PV
I et
PV
V ) et dun
signal de sortie (alpha).

Le PIC 18F1220 a deux ports (PORTA, PORTB) ce qui est largement suffisant pour
notre projet, ainsi que sa taille mmoire.

Lavantage quil a par rapport au PIC 16F877 cest quil possde une multiplication
hardware avec un temps de calcul rapide.

En vue damliorer lergonomie Homme-Machine (mise en place dun cran LCD),
le PIC 16F877 doit tre choisie cause de sa taille mmoire plus important, et de ces 5
ports (PORTA, PORTB, PORTC, PORTD, PORTE) de communications.

Bien entendu, ces amliorations au niveau du microcontrleur se retrouvent sur le
prix dachats.

32

Nous avons choisi finalement le PIC18F1220 car il est moins volumineux (18 pins
par rapport aux 40 pins du 16F877), son temps de calcul du produit VxI permet davoir une
commande MPPT plus rapide et son prix de revient est plus avantageux que le PIC
16F877.

3.3.4 Explication du Programme

Le programme complet en C de la commande MPPT est inclus dans lAnnexe 1 de
ce document.

Dans un premier temps nous devons configurer le CAN afin de capturer les valeurs
de la tension et du courant du GPV. La tension de rfrence du CAN est de 5V, un capteur
de courant et un pont diviseur de tension sont ncessaires du cot du convertisseur boost
pour adapter les grandeurs du panneau solaire (
PV
V et
PV
I ) cette tension de rfrence
(voir figure 5.5).

De cette manire nous obtenons les quivalences suivantes sur les deux ports
dentre.

La tension et le courant maximaux que peut fournir le panneau sont :
- VPV 0 22V
- IPV 0 5A

Capteur de courant : 0 5A ; CAN : 0 5V (PIN1)
Capteur de tension : 0 5V ; CAN : 0 5V (PIN0)

La tension est connecte sur le PORTA.RA0, configure en entre analogique du
CAN (AN0), tandis que le courant est sur le PORTA.RA1 (AN1).

Ces conversions ntant pas simultanes, nous obtenons de ce fait une image
approche de la puissance instantane. Le calcul de puissance sous entendu la
multiplication de
PV
V par
PV
I est effectue par le PIC18F1220 qui possde une
multiplication hardware, rduisant le temps de calcul :
Pour une multiplication 8 bits *8bits 1 cycle
Pour une multiplication 16 bits *16 bits 28 cycles
Tout dpend du type de conversion que lon veut faire (voir tableau 3.2).

La conversion peut se faire sur 8 bits ou 10 bits.

Pour dterminer la puissance, nous mettrons en place un chantillonnage sur
plusieurs valeurs de puissance (4 ou 8 points), afin den dterminer la puissance moyenne.

Le calcul de la puissance moyenne, amliore la rsolution de la drive de puissance,
car on sisole des bruits aux niveaux des signaux analogiques (
PV
V et
PV
I ).

Pour chercher le point de puissance maximal, nous comparons un point de puissance
(P2) mesur linstant (t) avec un point de puissance (P1) mesur linstant (t-1).

33

Si P1<P2, la drive est positive, cela signifie que nous rapprochons du point de
puissance maximal.

Si la drive de puissance est ngative, cela veut dire que nous avons dpass le
point de puissance maximale.

Pour viter de perdre le point de puissance maximal, lors de changements brutaux
dclairement et lors des transitoires du convertisseur boost, lalgorithme de recherche
inverse le sens de poursuite que si un certain temps sest coul aprs le dernier
changement. Ce temps est fix une valeur constante pralablement.

Si le signe de la drive de puissance est positif, le sens de poursuite reste inchang.
Si les deux conditions timer 0 coul et drive ngative sont runis, le sens de poursuite
est automatiquement invers (paramtre alpha). Ce temps dattente est effectu laide du
timer 0 qui gnre une interruption lorsque celui ci dborde modifiant ainsi la valeur de la
variable H.

Dtail du programme

Nous dcrivons par la suite le fonctionnement du programme prsent dans lAnnexe
I.
Dans un premier temps nous incluons les librairies ncessaires pour le bon
fonctionnement du programme :
- p18f1220.h (librairie du PIC18F1220)
- stdio.h
- math.h
- configuration du watch-dog comme inactif

Ensuite, nous dclarons toutes les variables globales. Ces variables sont toutes les
variables qui sont actives pendant toute lexcution du programme. Dans notre cas, nous en
avons une quantit leve car nous avons besoin de dterminer en permanence la drive
de la puissance fournie par le module PV pour connatre si nous nous approchons ou nous
nous loignons du PPM. Pour le faire, nous devons capturer la tension et le courant du
module PV pour effectuer la multiplication. Pour obtenir une bonne valeur de puissance
nous effectuons plusieurs chantillons de la puissance pour obtenir une valeur de puissance
moyenne.

Pour la conversion du courant du module PV nous dclarons trois variables, dans ce
cas de type local et connues seulement par le code de cette fonction (intensidad()). Ces
variables sont : intensidad_alta, intensidad_alta_total, intensidad_baja. Nous
effectuons un petit retard pour mieux acqurir le courant du module PV et effectuer la
conversion A/N. Une fois acquis la valeur du courant, nous commenons faire la
conversion. La conversion consiste en convertir la valeur du courant la tension de
rfrence du PIC. Ceci nous le faisons en configurant le registre ADCON0 (registre de
conversion) du PIC18F1220. Dans ce registre nous informons au PIC :
- le canal sur lequel va se faire la conversion (bits 2, 3, 4)
- activation du convertisseur par le bit 0 (bit 0 = 1_ON, bit 0 = 0_OFF)
- tat de la conversion (bit 1 = 1_en cours, bit 1 = 0 _termine)
- tension de rfrence du PIC pour quil travaille entre 0 et 5 V (bits 6, 7)

34

Tout dabord, nous configurons le registre pour initialiser la conversion avec la valeur
0x07.
Quand le registre prend par la valeur 0x05 cela signifie que la conversion est
termine. Les valeurs de conversion sont mmorises automatiquement dans les registres
ADRESH et ADRESL, reste maintenant les rcuprer en fonction du type de conversion
effectuer soit 8 bits soit 10 bits. Le rsultat total de la conversion est enregistr dans la
variable intensidad_convertida o nous retrouvons les 10 bits de la conversion qui est le
rsultat renvoy la fonction intensidad() aprs son appel.

Le timer 0 gnre une interruption quand il dborde. Avec cette interruption nous
activons la variable H qui indique la fin du timer 0. Nous initialisons le drapeau
dinterruption 0 et nous arrtons le timer 0.

Nous avons ralis aussi une fonction (configurar_registros()) pour la
configuration de tous les registres du PIC18F1220 en plus de raliser les fonctions
suivantes :
- initialisation des registres de conversion ADRESH et ADRESL 0
- autorisation de linterruption du timer 0
- configuration du PIC pour avoir les interruptions par front descendant (registre
INTCON2)
- dsactivations des interruptions externes (registre INTCON3)
- dsactivations des timers 2 et 3 (registre PIE1 et PIR1)
- configuration du niveau de priorit des interruptions (convertisseur, comparateur,
timer 1 et 2) (registre IPR1)
- dsactivations du flag de timer 3 (registre PIR2)
- Interdiction dinterruption du timer 3 (registre PIE2)
- configuration de la priorit des interruptions au niveau bas (erreur de loscillateur,
mmoire EEPROM, dtecteur niveau bas, timer 3) (registre IPR2)
- dsactivations de la priorit de niveau des interruptions (registre RCON)
- Configuration du timer 0 avec une valeur de 6.5ms (registre T0CON=0x46). Cette
valeur vient dune chelle de temps appel prescaler. Dans notre cas, comme nous
souhaitons un retard de 6.5 ms, nous configurons le registre T0CON avec la
valeur 0x46 que correspond un prescaler de 128.
- Nous configurons les pins AN0 et AN1 comme des entres analogiques qui seront
la tension et le courant du module PV (registre ADCON=0x7C)
- Configuration du PIC pour obtenir le rsultat de la conversion justifi gauche
(ADCON2=0x92)
- Configuration du port A du PIC comme sortie lexception des deux bits de poids
faibles qui sont configurs comme entres analogiques AN0 et AN1 dans le registre
TRISA. De la mme manire nous configurons tout le port B du PIC comme sortie.

Da faon identique la conversion du courant nous effectuons la conversion de la
tension du module PV. La seule diffrence est que la conversion seffectue sur le canal 1.
Ceci est effectu par la configuration du registre ADCON0 du PIC.

Une fois que nous avons les valeurs converties de la tension et du courant du module
PV, nous calculons la valeur de la puissance en faisant le produit de ces deux variables.
Ceci nous le ralisons laide de la fonction calculo_potencia() qui fait appel
respectivement aux fonctions tension() et intensidad(). Une fois cette valeur obtenue

35
nous effectuons le calcul de la puissance moyenne partir de 8 chantillons de puissance.
Nous pouvons effectuer aussi le calcul de cette puissance moyenne avec un nombre
dchantillons diffrents.

A partir de la puissance moyenne, nous pouvons dfinir avec plus de prcision le
signe de la drive de cette puissance. Pour calculer le signe de la driv nous avons cr la
fonction derivada_potencia().Pour le faire cette fonction compare deux valeurs de
puissance moyenne : la valeur ancienne et la valeur qui vient dtre calcule. Si la drive
est positive nous mettons le bit RB0 du port de sortie B 1 et si elle est ngative nous
lindiquons par une valeur 0 .

A partir du signe de la drive nous pouvons lancer lalgorithme MPPT. Ce dernier a
t programm dans le programme principal (main()). Dans le programme principal nous
faisons appel la fonction configurar_registros() pour que le PIC travaille selon nos
besoins. Le signe de la drive est vrifi en permanence au moyen dune boucle while(1).
En fonction de la valeur de cette drive et de la valeur de la variable (dans notre
programme cette variable est PORTBbits.RB1) nous procdons comme dcrit dans la
section 3.3.2.

3.3.5 Essais Prliminaires

Afin de bien choisir le type de conversion faire (8 bits ou 10 bits) et le nombre
dchantillons de puissance pour le calcul de la puissance moyenne et de sa drive nous
avons effectu diffrents essais exprimentaux. Nous avons considr les cas suivants :

- Conversion A/N sur 8 bits o sur 10 bits
- Dtermination de la puissance moyenne partir de 4 ou 8 valeurs de puissance.
- Valeurs des temps de retard : 6.5 ms ou 13 ms.

Par la suite nous prsentons les essais exprimentaux o nous vrifions linfluence de
ces paramtres sur la performance en rgime tabli de la commande MPPT.

A. Conversion sur 8 bits, 4 points dchantillonnages, 6.5ms dlai

Figure 3.19 : Rgime tabli des valeurs de V, I et P dun gnrateur PV avec fonction MPPT numrique pour 8 bits, 4
points dchantillonnage de puissance et 6.5 ms de retard.

VPV
IPV
PORTB.RB1=
PORTB.RB0=dP
PPV

36
On obtient un rendement MPPT de 98%.On passe sur le point de puissance
maximale et il y a un taux doscillation de puissance maintenu. Le problme dune
moyenne calcul partir de 4 chantillons, cest quelle est sensible aux bruits, ce qui
engendre des erreurs au niveau de la dtection du signe de la drive. Ces erreurs vont
ensuite retarder, le changement du signal alpha.
Avec une moyenne calcule partir de 8 points de puissance, nous filtrons les bruits dus
la frquence de commutation du convertisseur.

Avec un dlai plus grand (13ms), on est moins sensible aux erreurs de dtermination
de la driv, car lorsque le signal alpha change dtat, la driv est ngative depuis un
certains temps. Mais le rendement de la commande est mauvais car nous oscillons trop
autour du point de puissance maximal. Dans ce cas on obtient un rendement MPPT de
93,6%

B. Conversion sur 8 bits, 8 points dchantillonnages, 6.5ms dlai


Dans ce cas, on obtient un rendement MPPT de 98,8%. Le calcul de la drive
marche bien parce quon na pas de bruit. Le problme est que nous tardons pour dtecter
la variation du signe de la drive cause du nombre dchantillons trop lev. Avec un
dlai de 13ms, limage de la drive est correcte mais le rendement MPPT nest pas
optimal. On obtient un rendement MPPT de 94,3%.
PORTB.RB0=dP
PORTB.RB1=
VPV
IPV
PPV

37

C. Conversion sur 10 bits, 4 points dchantillonnages, 6.5ms dlai


On a le mme problme que prcdemment, la puissance moyenne calcule partir
de 4 chantillons nest pas aussi prcise, par contre le dlai est appropri parce que le
rendement MPPT est de 98,2%.

D. Conversion sur 10 bits, 4 points dchantillonnages, 13ms dlai

points dchantillonnage de puissance et 13 ms de retard.

Dans ce cas, on a un petit bruit mais le calcul de la drive marche bien. Ce petit
bruit est d au calcul de la puissance avec seulement 4 chantillons. On a un rendement
MPPT de 96,9%.

Le dlai choisi est trop lev, cela implique un P lev qui affecte le rendement MPPT.
PPV
PORTB.RB0=dP
PORTB.RB1=
VPV
IPV
IPV
VPV
PORTB.RB1=
PORTB.RB0=dP
PPV

38

E. Conversion sur 10 bits, 8 points dchantillonnage, 6.5ms dlai


Ce relev exprimental est correcte, lutilisation de 8 points dchantillonnage pour
calculer la puissance moyenne permet de filtrer le bruit, mais engendre un retard au niveau
de la dtection de la variation du signe de la puissance.

Nous considrons quun dlai de 6.5 ms est appropri pour notre systme, car les
erreurs de calculs de la drive ninfluence pas notre signal alpha, et nous permet dobtenir
un bon rendement.

Dans ce cas on obtient un rendement MPPT de 98,7%.

F. Conversion sur 10 bits, 8 points dchantillonnage, 13ms dlai

points dchantillonnage de puissance et 13 ms de retard.

Ici nous obtenons une image de la drive correcte, mais le rendement nest pas
optimis cause de la valeur du dlai qui trop lev. Le rendement MPPT est dans ce cas
de 96.4 %.
PPV
PORTB.RB1=
PORTB.RB0=dP
VPV
IPV
PORTB.RB1=
PORTB.RB0=dP
PPV
IPV
VPV

39

G. Synthse

Aprs avoir effectu tous les essais et analys tous les relevs exprimentaux, on doit
vrifier quelle est la meilleure rsolution de conversion effectuer pour la capture de la
tension et du courant, on a le choix entre :

- Conversion sur 8 bits
- Conversion sur 10 bits

Pour cela on a calcul la prcision de chaque conversion, et on a cherch savoir
quelle tait la variation de puissance ncessaire entre 2 points de mesures successifs pour
dtecter un changement de puissance.

G.1. Conversion sur 8 bits

Nous prenons la tension de rfrence du microcontrleur comme rfrence, pour
calculer la puissance maximale de notre systme. Pour faire la conversion sur 8 bits, la
valeur maximale de tension et de courant est de 0xFF (les 8 bits de poids fort).

5 V 0xFF
0xFF x 0xFF = 0xFE01 = 65025 (3.12)

5 A 0xFF

On calcule aussi la puissance maximale thorique du panneau pour obtenir la rsolution en
W/bit.

Puissance panneau = 22 V x 5 A = 110 W (3.13)

Rsolution =
65025
110
= 1691 W / bit (3.14)

Avec la variation dun bit :

5 V 0xFE
0xFE x 0xFF = 0xFD02 = 64077 (3.15)

5 A 0xFF

255 64077 65025 = (3.16)
=
6
10 1691 255 431mW (3.17)

On dtermine la diffrence des deux mesures conscutives (voir quation 3.16) que
lon multiplie par la rsolution de la conversion (voir quation 3.17), pour obtenir la
variation de puissance minimale (prcision) relle au niveau du panneau. La prcision est
pour ce cas de 431mW.


40

Ppv
Vpv
P2=FD02
P1=FE01
431mW

Figure 3.25 : Figure qui montre la prcision sur une conversion de 8 bits

En rsum, pour une conversion de 8 bits, il faut que la puissance du panneau varie de 431
mW (voir figure 3.25), pour que le calculateur sen aperoive, cela risque de poser des
problmes au niveau du calcul de la drive faible puissance.

On effectue la mme chose pour la conversion sur 10 bits.

G.2. Conversion sur 10 bits

La rsolution dans ce cas est de 107 mW. Ce qui est plus appropri pour les faibles
puissances.

5 V 0x3FF
0x3FF x 0x3FF = 0xFF801 = 1046529 (3.18)
5 A 0x3FF

Puissance panneau = 22 V x 5 A = 110 W (3.19)

Prcision =
1046529
110
= 105 W / bit (3.20)

Avec la variation dun bit :

5 V 0x3FE
0x3FE x 0x3FF = 0xFF402 = 1045506 (3.21)
5 A 0x3FF

1023 1045506 1046529 = (3.22)

=
6
10 105 1023 107mW (3.23)

41

Ppv
Vpv
P2=FF402
P1=FF801
107mW

Figure 3.26 : Figure qui montre la prcision sur une conversion de 10 bits

La prcision pour une conversion sur 8 bits est de 431mW, tandis quelle est de
107mW pour 10 bits (voir figure 3.26). Comme vue prcdemment, le problme de la
conversion sur 8 bits, est qu faible puissance sa prcision est trop grande, donc difficult
dtecter la variation de puissance par rapport 2 chantillons, ce qui risque dengendrer
des erreurs au niveau du signe de la drive. Par contre une conversion sur 10 bits risque
dtre sensible aux bruits forte puissance.

En agissant sur le gain de notre intgrateur (RC), on agit sur la vitesse de balayage de
la caractristique ( )
PV PV
V f P = . Pour un temps fixe, plus cette vitesse est grande plus la
distance parcourue est importante, donc difficult pour la conversion sur 8 bits de
fonctionner faible puissance.

t v d
t
d
v = = (3.24)

v = vitesse
d = distance
t =temps (constant)

1- Avec 8 bits

A) gain intgrateur important.

d v forte variation de puissance entre deux chantillons

B) gain intgrateur faible

d v faible variation de puissance entre deux chantillons

Constant

42

Ppv
Vpv
P2
P1

P1=11111110
P2=11111101

Figure 3.27 : Gain de lintgrateur important

Avec un gain dintgrateur grand, on augmente la vitesse de balayage, donc la
distance entre deux points dchantillonnage. Ce qui permet faible puissance, et pour une
conversion de 8 bits de dtecter une variation de puissance, donc den dduire une bonne
image de la drive. Dans ce cas lalgorithme implment fonctionne correctement, mais la
valeur du gain (vitesse de balayage grande) va engendrer de grandes variations au niveau
de la tension et du courant du panneau solaire.

Ppv
Vpv
P2
P1

P1=11111111
P2=11111111
B

Figure 3.28 : Gain de lintgrateur faible

Si on diminue la vitesse (gain de lintgrateur), la distance entre les points se rduit.
La figure 3.28 montre le rapprochement des deux points, ce qui implique une faible
variation de puissance. Cette faible variation, pour une conversion sur 8 bits, va retarder la
dtection du signe de la drive, car il faut que les deux points de puissance soient sur un
versant trs prononc de la caractristique P
PV
= f(V
PV
), pour que le microcontrleur puisse
dtecter un changement de puissance. Ici le taux dondulation de la tension et du courant
du panneau est plus faible.

Cest pour cela que nous utilisons une conversion sur 10 bits, qui est plus prcise
faible puissance, mais plus sensible aux bruits forte puissance.

A

43
A partir des diffrents relevs exprimentaux effectus dans le chapitre 3.3.4, le
mode de calcul de la moyenne et la valeur du dlai retenu pour notre algorithme sont les
suivants :
Conversion sur 10 bits, pour une meilleure prcision.
Moyenne sur 8 points, pour filtrer au mieux le bruit.
Un dlai de 6.5ms, qui permet un bon fonctionnement de lalgorithme.

3.3.6 Ralisation lectronique de la MPPT Numrique

La figure 3.29 montre le schma de principe dune chane lmentaire de conversion
PV avec convertisseur boost contrl par une commande MPPT numrique. Nous
constatons que lintgrateur et le modulateur de largeur dimpulsion (PWM) ne sont pas
intgrs dans le microcontrleur PIC.

C
O

L
+
-
v
i Charge
GPV
PMAX
G

IPV
VPV
Driver
Commande
MPPT
numerique
Batterie

M
D
D
p
C
I

24 V
+
-
+2.5 V
-2.5 V
LM311
XR2206
VC
Integrateur

Figure 3.29: Chane lmentaire de conversion photovoltaque avec convertisseur BOOST contrl par une commande
MPPT numrique

La figure suivante montre comment est ralis la fonction intgrateur de lalgorithme
MPPT. Le circuit exprimental va tre dtaill dans la section 5 de ce rapport.

V
PV

250kHz
TRIANGULAR
WAVEFORME

PV
Module
L1
1 2

Charge
Rs
Tr
D
Cs
Vs
Is
Cpv
Ipv

R
C
D rapport
cyclique
AN0
AN1
D

PIC

18F1220
Vc

Figure 3.30 : Schma du convertisseur boost + MPPT numrique


44
Lavantage de cet algorithme est que lon converge toujours vers le point de
puissance maximal, pour ensuite osciller autour de ce dernier.

Ainsi, on oscille de manire permanente autour du point maximal de puissance que
peut fournir le panneau (voir figure 3.31).

PPM2
PPM1
Ppv
Vpv
P0
P1
P2
dP>0
dP<0
Dlai non coul, mme sens de poursuite
Sens de poursuite

Figure 3.31: Comportement de la commande MPPT numrique avec dlai pendant une variation d'clairement

Les avantages de raliser une MPPT numrique sont principalement son prix de
revient faible et laisance dapporter des modifications au niveau du programme
(changement de la valeur du dlai, du mode de calcul de la moyenne,.) et la possibilit
dintgrer plusieurs niveaux de protections au sein du systme (reset, contrle de la
temprature des composants,).

Le nombre de composants par rapport la commande MPPT analogique est moindre,
le multiplicateur analogique est remplac par le multiplicateur hardware intgr dans
lALU du microcontrleur PIC.

Le dlai est ralise partir dun timer que nous configurons pour obtenir une dure
de 6.5 ms. Dun autre cot, le signal est intgr grce un filtre passif RC.
Les seuls composants que nous gardons de la commande MPPT analogique sont :
- le comparateur LM311 pour la mise en uvre du MLI
- le TLC 555, pour raliser une dent de scie une frquence de 250 kHz

Avec le filtre RC, on intgre le signal fournit par le microcontrleur, que lon
compare au signal triangulaire fournit par le 555 grce au comparateur LM311. En sortie
de ce comparateur on obtient un signal carr avec une valeur de rapport cyclique D, partir
duquel on commande le transistor MOS de puissance.

3.3.7 Amliorations Possibles

Plusieurs amliorations peuvent tre apportes au systme actuel (voir figure 3.32):

1 - Centrer les oscillations autour du point de puissance maximale (PPM), pour rduire le
P et amliorer le rendement de la MPPT.

45

2- Rduire le temps du dlai, afin de diminuer la priode doscillation (rapprochement des
extrmits des oscillations vers le PPM).

P(pv)
V(pv)
P(pv)
V(pv)
P(pv)
P
P
P
Retarder le lancement
du timer 0
Rduire le temps du
dlai
Systme actuel Systme futur Systme futur

Figure 3.32: Amliorations possibles

Pour centrer les oscillations autour du point de puissance maximale, il faut retarder le
lancement du dlai, pour que les extrmits des oscillations avoisinent les mmes valeurs
de puissance (voir figure 3.33).

Vopt
P(pv)
V(pv)
6.5 ms
6.5 ms
Start timer 0
Start timer 0
Start
timer 0
Start timer 0
+ dlai
dlai

Figure 3.33: Schma des amliorations

Une fois les oscillations centres pour amliorer le rendement de la MPPT il suffira
de rduire la dure du dlai.
Ces amliorations font partie des travaux en cours au LAAS-CNRS mens par C. Cabal.

4- Mesures Exprimentales

46

4 Mesures Exprimentales

Nous avons effectu plusieurs relevs exprimentaux, pour tudier le comportement
des variables suivantes :
_ la tension panneau V
PV
(channel 1).
_ la tension batterie V
BAT
(channel 2).
_ la variable de contrle V
C
fournit par la MPPT

(channel 3).
_ le courant panneau I
PV
(channel 4).
_ limage de la puissance.

Nous avons tudi le comportement exprimental du courant du GPV (
PV
I ), de sa
tension (
PV
V ) et de sa puissance instantane (
PV
P ), ainsi que la tension aux bornes de la
batterie (
BAT
V ) et la variable de contrle fournie par la commande MPPT (Vc) sur des
relevs prcis obtenus avec un oscilloscope sur des intervalles de temps courts. Nous avons
aussi tudi le comportement de la commande MPPT pendant une journe complte de
mesures.

4.1 Relevs exprimentaux

Plusieurs essais ont t raliss, tout dabord un essai en rgime tabli afin de
visualiser les diffrentes grandeurs mesures et surtout pour vrifier le rendement MPPT
du systme.
Par la suite nous avons simul une variation de puissance (passage dun nuage), en
connectant et dconnectant des panneaux en parallles. Pour finir, nous avons analys le
comportement de la commande lorsque une partie des cellules du panneau sont protges
par les diodes by-pass. Pour effectuer cette simulation nous avons rajout en srie avec le
panneau une source de tension de 5V (qui correspond lassociation srie de 8 10
cellules), pour faire varier la valeur de la tension optimale du panneau.

Le schma de ralisation de ltage dadaptation dun GPV partir dun
convertisseur de type boost [7] est prsent en figure 3.1. Cette structure lvatrice est
plutt destine aux applications ou la tension de la batterie est suprieure la tension de
circuit ouvert
OC
V du gnrateur.

Le point de fonctionnement de lensemble est alors li directement la valeur de la
tension de la batterie. Ceci peut reprsenter un avantage important de cette structure.

La figure 4.1 montre le comportement en rgime tabli du convertisseur boost avec
une batterie de 24V et une fonction MPPT numrique.

Il y a deux passages par le point de puissance maximale dans chaque priode du
signal triangulaire Vc. Pour indication, sur ce relev, le rendement MPPT mesur est de
98,8% pour une puissance fournie de 22,71W.


47

Figure 4.1 : Relev exprimental en rgime tabli dun convertisseur boost avec fonction MPPT

La figure 4.2 illustre la rponse du systme aprs laugmentation brutale du courant
de la source PV alors que sa tension reste inchange. Le nouveau point de puissance
maximale est alors atteint instantanment. De mme, le systme va rpondre rapidement
vis--vis dune diminution brutale du courant du gnrateur PV.

Figure 4.2: Rponse du systme vis--vis de changements brutaux de courants dans le gnrateur constitu de deux
panneaux BP 585 en parallle

La figure 4.3 illustre le comportement des grandeurs lectriques du systme vis--
vis de changements brutaux de tension du GPV. Dans ce cas, la tension du point de
fonctionnement du gnrateur se trouve modifie si on connecte ou dconnecte le
gnrateur de tension annexe.

Comme nous pouvons le constater sur le relev exprimental, un certain temps (30
ms) est alors ncessaire lalgorithme de commande pour atteindre le nouveau point de
puissance maximale.

Nous pouvons constater une diffrence importante de comportement par rapport
la situation duale de variation brutale de courant du GPV. Ici la commande MPPT ajuste la
valeur du rapport cyclique pour permettre au systme dosciller autour de la nouvelle
tension optimale.

V
BAT

V
C

V
PV

I
PV

V
C

V
PV

I
PV

V
BAT
V
BAT
V
C

V
PV

I
PV

P
PV

P
PV

P
PV


48

a) Connexion b) Dconnexion
Figure 4.3: Rponse la connexion/dconnexion en srie de quelques cellules en srie du GPV (simul par une source
de tension auxiliaire de 5V)

La figure 4.4 montre le courant, la tension et la puissance fournit par le demi-
gnrateur quand le convertisseur boost est connecte sur une batterie de 12V. Nous
constatons que le convertisseur boost peut suivre le point de puissance maximale avec des
rendements MPPT levs. En effet, dans le cas dune batterie de 12V, le rendement est de
99,1%. Quand une ombre couvre la totalit dune cellule, la puissance restante dans le
demi-module PV non atteint par le dfaut ne peut pas tre fournie la charge.

a) V
BAT
=12V
Figure 4.4: Mesures en rgime tabli dun boost avec fonction MPPT aliment par un module BP 585

Nous avons pu constater que la rponse dynamique pour les diffrents types de
perturbations introduites est identique celui obtenu avec une commande MPPT
analogique [8].
V
BAT

V
PV

I
PV

V
C

V
C

V
BAT

V
PV

I
PV

V
BAT

V
PV

I
PV

V
C

P
PV

P
PV

P
PV


49

4.2 Mesures journalires

Dans cette section nous prsentons les essais de rendement de plusieurs tages
dadaptation PV pendant toute une journe. Pour que les rsultats soient rellement fiables,
il est ncessaire que les diffrents systmes MPPT (analogique et numrique) soient
soumis la mme puissance pour pouvoir comparer les diffrents rendements. Nous allons
aussi comparer les performances des tages dadaptation munis dune fonction MPPT par
rapport une connexion directe par diode anti-retour.

Il est ncessaire de mesurer pour chaque relev, la tension et le courant dentre et de
sortie du convertisseur afin de dterminer le rendement de conversion, not
CONV
, ainsi
que le rendement MPPT, not
MPPT
, de chaque systme. Cela nous permet de connatre
chaque instant les performances lectriques de chaque systme.

Pour connatre tous ces rendements, nous avons suivi une procdure dveloppe au
sein du LAAS-CNRS dcrite en dtail sur [11].

Nous avons tudi le comportement de trois type dinterfaces : deux par
convertisseur boost avec fonction MPPT (numrique ou analogique respectivement) et une
connexion directe par diode antiretour (figure 4.5), les essais vont se faire simultanment
sous conditions dirradiation gale.

PV
Convertisseur
Boost
+
MPPT
analogique
Batterie
24V
PV
Convertisseur
Boost
+
MPPT
numrique
Batterie
24V
PV
Batterie
12V

Figure 4.5 : Schmas de connexions utilises pour la comparaison entre une commande MPPT numrique et une
commande MPPT analogique et une connexion directe par diode anti-retour.


50
La figure 4.6 montre lvolution des grandeurs lectriques du convertisseur boost
avec MPPT numrique.

Figure 4.6 : Visualisation de VBAT, IBAT, VPV, IPV du convertisseur boost avec MPPT numrique pendant toute une
journe (9h-18h). A Toulouse le 27 Juillet 2006.

La figure 4.7 correspond aux relevs des mesures du 27 juillet 2006 en termes de
puissance et rendement, on peut voir lvolution du rendement MPPT (
MPPT
), du
rendement propre du convertisseur
CONV
et du rendement total de cet tage dadaptation
au cours de la journe
TOT
. A partir de 9h, dbut des relevs, nous pouvons observer quil
y a de forts changements dirradiations, nous avons pu constater que pendant un court
instant de pluie vers 16h le module PV ne fournissait pas de puissance. Cette journe tant
trs instable du point de vue mtorologique est un bon test pour vrifier le comportement
de notre commande MPPT numrique, il y a eu aussi des moments ou le ciel tait trs
couvert due la pluie. Nous constatons de rendements MPPT trs levs, entre 98 % et 99
%. Ces rendements diminuent au moment que la pluie fait son apparition, comportement
qui est normale car la puissance maximale disponible aux bornes du module PV est
presque nulle. Selon ces relevs nous pouvons conclure que la commande MPPT
numrique se comporte bien autant pendant les forts changements dirradiation que
pendant le moment o le niveau dirradiation est trs lev.

La consommation de la commande numrique est de 94 mW ncessitant une
alimentation unipolaire de + 5V.


51

Figure 4.7 : Visualisation du rendement du convertisseur Boost avec MPPT numrique, rendement MPPT,
rendement global de la chane photovoltaque pendant toute une journe (9h-18h). A Toulouse le 27 Juillet 2006

La figure 4.8 montre lvolution des grandeurs lectriques de la connexion directe
entre un module PV BP585 et une batterie au plomb de 12 V travers une diode antiretour
de type Schottky (MBR1660). Nous constatons, comme pour les figures prcdentes, les
fortes variations dirradiation ainsi que la forte diminution de la puissance dlivre vers
16h pendant la pluie. Dans ce cas, nous pouvons observer que la tension de la batterie
impose le point de fonctionnement du module PV car la tension de ce dernier suit la
tension de la batterie, ceci va entraner un gaspillage nergtique comme nous le verrons
dans la figure 4.9.

La figure 4.9, de son cot, montre lvolution des rendements de cette connexion
directe. Le rendement MPPT a t estim partir de la puissance maximale du module PV
qui alimente le convertisseur boost avec fonction MPPT extrmale. Par son
fonctionnement cette commande fait osciller le point de fonctionnement du module PV
autour de son point de puissance maximale. Grce au systme de mesure SOL [11] et une
procdure dtalonnage des modules PV qui a t faite au pralable, nous pouvons estimer
la puissance maximale disponible en chaque instant du module PV utilis pour la
connexion directe en fonction de la puissance maximale du module PV qui alimente un
chargeur avec fonction MPPT extrmale. Cette procdure est dcrite en dtail sur [11]


52

Figure 4.8 : Tensions et courants dun GPV en connexion directe avec une diode anti-retour sur une batterie de 12V
pendant toute une journe (9h-18h). A Toulouse le 27 Juillet 2006.

Du fait que le point de fonctionnement du module PV est fonction de la tension de la
batterie, le rendement MPPT de ce type de connexion varie et peut dans certains moments
arriver des valeurs autour de 70 % comme nous le montre la figure 4.9. Dans ce cas le
rendement MPPT est trs infrieur celui obtenu avec un systme qui intgre une
commande MPPT extrmale. Par contre, le rendement de conversion est trs lev par le
fait quil est influenc que par les pertes de conduction de la diode.

Figure 4.9 : Puissances et rendements dun GPV en connexion directe avec une diode anti-retour sur une batterie de 12V
pendant toute une journe (9h-18h). A Toulouse le 27 Juillet 2006.


53
La figure 4.10 montre la connexion dun GPV constitu dun panneau BP 585 sur
une batterie de 24 V travers un convertisseur boost avec la commande MPPT extrmale
analogique du LAAS-CNRS [8] . Nous pouvons observer que le systme sest arrt de
fonctionner plusieurs fois dans la journe, ceci vient du fait que cette version de commande
MPPT analogique na pas t calibr pour des puissances fournies du module PV trs
faibles. Toutefois, nous pouvons nous servir de ces mesures pour avoir une ide
comparative par rapport la MPPT numrique. De plus, vers 12h30 nous constatons sur la
figure 4.10 que la mesure du courant du module PV obtenu laide dun capteur de
courant intgr dans le systme de mesure est sature pour des valeurs de courant levs.
Ceci limite la prcision des mesures effectues pour ce systme au moment de calculer les
valeurs des rendements moyens au cours de la journe.

Dun autre cot, nous constatons que les comportements de la commande MPPT
analogique et celui de la commande numrique sont trs proches. Dans le deux cas, le
point de fonctionnement du module PV sadapte rapidement aux changements
dirradiation. Nous constatons aussi des rendements MPPT similaires en conditions de
forte irradiation.

Figure 4.10 : Visualisation de VBAT, IBAT, VPV, IPV de la chane photovoltaque pendant toute une journe (9h-18h).
A Toulouse le 27 Juillet 2006. (MPPT analogique)


54

Figure 4.11 : Visualisation du rendement du convertisseur Boost, rendement MPPT, rendement global de la chane
photovoltaque pendant toute une journe (9h-18h50). A Toulouse le 27 Juillet 2006 (MPPT Analogique)

Nous pouvons observer dans la figure 4.11 que le rendement MPPT est proche au
100%, autour de 98 % et 99% dpendant de la puissance dlivre par le module PV. Sauf
pendant les moments o la commande MPPT analogique sest arrt de fonctionner, le
comportement de la commande est excellent.

Une diffrence importante par rapport la commande numrique est la
consommation. La commande MPPT analogique a une consommation de 400 mW avec
une alimentation 5V. Ainsi, la commande analogique a besoin dun circuit de
gnration de 5V et elle consomme 4 fois plus de puissance que la commande
numrique.

La figure 4.12 illustre les rendements MPPT des trois types de connexions : boost
avec commande MPPT numrique en rouge, connexion directe par diode en vert et boost
avec commande MPPT analogique en bleu. Nous constatons que les commandes MPPT
ont un meilleur rendement MPPT que la connexion directe. Dun autre cot, les
rendements MPPT des deux commandes extrmale sont trs proches avec un lger
avantage pour la commande analogique. La principale conclusion que nous en tirons de ce
graphique est que notre commande MPPT numrique a un comportement presque
identique, en termes de rendement MPPT, celui de la commande analogique. Par contre,
la connexion par diode antiretour noffre pas un bon rendement MPPT car le point de
fonctionnement dpend de la tension de la batterie. Si cette tension est proche de la tension
optimale le rendement MPPT est leve (voir intervalle 11h-12h), par contre si cette
tension est loin de la tension optimale le rendement MPPT diminue fortement.


55

Figure 4.12 : Rendements MPPT des trois types de connexions.

Le tableau 4.1 montre les valuations de lnergie maximale que produirait chaque
module PV sil fonctionnait en permanence son maximum de puissance, les mesures des
nergies rellement produites et des nergies transmises la charge par journe. Nous
avons galement calcul le
CONV
moyen journalier not
CONV
, le
MPPT
moyen
journalier not
MPPT
et le rendement total moyen not
TOTAL
qui est le produit des
deux derniers. La moyenne tant pondre en fonction des quantits nergtiques
produites. Le but de toutes ces grandeurs est davoir des critres dvaluation permettant
destimer les gains dun type de systme un autre [11].

Sur tous les cas, nous constatons que
MPPT
est plus petit pour les systmes
connexion directe par rapport ceux comportant un tage dadaptation avec commande
MPPT. Ceci vient du fait que cest la tension de la batterie qui fixe le point de
fonctionnement du GPV dans le cas de la connexion directe. Ce dernier peut tre plus ou
moins loin du PPM en fonction des conditions de fonctionnement. Ainsi, dans le cas de la
connexion directe, le rendement MPPT dpend fortement des donnes mtorologiques et
de ltat de la charge.

Ainsi, la commande MPPT numrique a un
MPPT
=98.2 % et un
CONV
=95.2%.
Ces rsultats ratifient la commande MPPT numrique comme la meilleure solution pour
ladaptation dimpdances entre un module PV et une charge de type continu.

En rsum, si nous analysons le rendement total moyen de chaque systme sur cette
journe, nous constatons que lutilisation dun convertisseur boost avec fonction MPPT
numrique transfre 5 % dnergie en plus la batterie en tat de charge moyen par rapport
une connexion directe par diode anti-retour.


56

Energie
Maximale
Energie
Produite
MPPT

Energie
Transmise
CONV

TOTAL

Chargeur boost
MPPT numerique
(VBAT =24 V)
301..2Wh 295.7Wh 98.2% 281.6Wh 95.2% 93.5%
Diode anti-retour
(VBAT =12 V)
322.1 Wh
(estim)
298.9Wh 92.8% 282.6Wh 94.5% 87.7%
Mesures du
27 juillet
2006
Chargeur boost
MPPT analogique
(VBAT =24 V)
313.4Wh 301.2Wh 96.1% 275.1Wh 91.3% 87.7%

Tableau 4.1 : Mesures de lEnergie Maximale, lEnergie Produite et lEnergie Transmise associes aux diffrents
rendements moyens sur une journe de production.

4.3 Synthse

A travers les diffrents essais effectus, nous avons pu constater le bon
fonctionnement de la commande MPPT numrique prsent dans ce projet. Ses
performances en rgime tabli montrent que les rendements de cette commande sont
levs. Ainsi, nous avons retrouv, sur une journe des rendements MPPT compris entre
97% et 99%. Nous pouvons proposer alors cette commande MPPT numrique comme une
solution plus adquate pour la ralisation de lalgorithme MPPT.

5- Ralisation lectronique de la Commande MPPT Numrique

57

5 Ralisation lectronique de la Commande MPPT Numrique

Dans cette section nous dtaillons la ralisation lectronique de la commande MPPT
numrique ralis dans le cadre de ce projet. Nous dtaillons le schma lectronique ainsi
que le lay-out de la carte que nous avons ralis au laboratoire photovoltaque du LAAS-
CNRS.

5.1 Schma lectronique de la Commande MPPT Numrique

C18F1
100nF
VCC
J5
CON1
1
J6
CON1
1
J2
CON8
1
2
3
4
5
6
7
8
commande
R555-2
2K5
C555-4
1nF
VCC
C555-1
1nF
VCC
C555-3
100nF
U12
NE555
OUT
3
RST
4
VCC
8
G
N
D
1
CV
5
TRG
2
THR
6
DSCHG
7
VCC
R555-1
1k
S1
swit ch 3P
C1
3
1
1
2
2
4
4
5
5
c2
6
7
7
8
8
U1
PIC18F1220
AN0
1
AN1
2
RA4
3
MCLCbarre
4
VSS
5
RA2
6
RA3
7
RB0
8
RB1
9
RB4
10
RB5
11
PGC
12
PGD
13
VDD
14
OSC2
15
OSC1
16
RB2
17
RB3
18
VCC
Ipv
Vpv
alpha
commande
P1
500k
J1
RJ45 6-6
5
3 6
1 4
2
Q1
quartz
1
1
2
2
Cquartz1
15pF
Cquartz2
15pF
-
+
U11
LM311
2
3
7
5
6 41
8
VCC
R30
1k
VCC
R31 1k
R32 1k
VCC
VCC
Ipv
Vpv
C2
100nF
C3
1uF
C1
100nF
R33
1k
J3
CON2
1
2
alpha
J4
CON2
1 2

Figure 5.1 : Schma lectronique de la commande MPPT numrique

Le schma ci-dessus montre la connexion des diffrents composants utiliss pour
raliser notre projet.

Au niveau du microcontrleur, on retrouve un oscillateur de quartz de 20MHz qui
fournit la frquence doscillation, ainsi quun interrupteur de 3 positions, connect sur la
borne MCLR.

Une position de linterrupteur est ddi la communication entre le microcontrleur
et le PC pour permettre la programmation et lutilisation du debugger MPLAB ICD2, par
lintermdiaire dune prise RJ45.

Une deuxime position, met la broche MCLR la masse, et la troisime applique le
5V au niveau de la broche qui permet de faire un reset au niveau du programme.
1
2

58
On retrouve les 2 broches dacquisition des signaux
PV
V et
PV
I [PORTA (AN0 et
AN1)], la broche qui dlivre [PORTB (RB0)] le signal , ainsi que lalimentation 5V et la
masse (Vdd, Vss).

Sur les broches dacquisition, on met en place des condensateurs, pour liminer tout
bruit rsiduel.

Le comparateur LM311 et lintgrateur RC

Figure 5.2 : Comparateur LM311 et lintgrateur RC

Le signal PWM directement appliqu au transistor MOSFET du convertisseur boost,
est obtenu en intgrant le signal par un filtre passif RC. Le signal tant un signal carr,
en sortit du filtre on obtient un signal triangulaire.

Le composant LM311, permet de comparer le signal intgr avec un signal
triangulaire dune frquence de 250KHz fournit par le NE555 (voir figure 5.3), afin de
dlivrer le signal PWM.

Figure 5.3 : Circuit de gnration du signal triangulaire laide du CI NE555

59

Rsum

On montre le diagramme de blocks de notre application, le programme en langage C
est implment dans le PIC qui fournit le signal . Ce signal est ensuite intgrer par
lintermdiaire dun filtre passif RC, dlivrant le signal V
C
qui est compar un signal
triangulaire de 250 KHz (puce NE 555) afin dobtenir le signal de commande (D) du
transistor du convertisseur.

Figure 5.4 : Schma de principe de la commande MPPT numrique mise en oeuvre

La figure 5.5 montre le schma du circuit lectronique correspondant au
convertisseur boost [20]. Nous avons not les tapes constitutives de cette carte que nous
avons utilise dans notre projet.

Tit le
Size Document Number Rev
Dat e: Sheet of
<Doc> <Rev Code>
<Title>
B
1 1 Tuesday , April 11, 2006
L2
100uH
L3
100uH
Cin3
1uF(1210)
Cin2
1uF(1210)
pont 4
0r0
R15
10K
R16
20K
Vcc
Tit le
Size Document Number Rev
Dat e: Sheet of
<Doc> <Rev Code>
<Title>
B
1 1 Tuesday , April 11, 2006
Vcc
pont2
0r0
R1
3K5
R2
1K
R3
Shunt
R5
1K
R8
1K
Cin4
1uF(1210)
Cin5
1uF(1210)
C3
1uF(1210)
C4
1uF(1210)
L1
100uH
D2
BZX79C33
D3
BZX79C15
Q2
BC109C
C5
100nF(0805)
U1
TC4420
I/P
2
VDD
1
O./ P.
6
O/P
7
VDD
8
G
N
D
4
G
N
D
5
J7
CON1
1
32CTQ030S
J8
CON1
1
R9
10K
Vcc
Ipv
Vin
J2
CON1
1
J3
CON1
1
J5
CON1
1
J4
CON1
1
D205
MBRB1645
C6
100nF(0805)
Vpv
U5
LT1373/SO
VIN
5
VSW
8
FB
2
NFB
3
S/S
4
VC
1
C7
10uF(tantale)
R12
5K
C8
10nF(0805)
Vpv
C9
3uF(0805)
Ipv
D206
DI ODE PIN
+ C35
220uF tantale
commande
commande
U2
MAX4172cms
RS+
1
RS-
2
NC
3
N. C.
4
GND
5
out.
6
PG
7
V+
8
R13
68K
R14
22K
C12
1uF(1210) C13
1uF(1210)
C14
1uF(1210)
Vcc
Cin6
1uF(1210)
Vcc
J9
CON8
1
2
3
4
5
6
7
8

Figure 5.5 : Schma lectronique du convertisseur boost

P
I
C

1
8
F
1
2
2
0

Integrateur
I
PV

V
PV

+
-
Vc
Comparateur
Drapport
cyclique
Capteur du
courant
Structure sepic
driver
protection
diode
batterie
Alimentation +5V
Pont diviseur
PV

60

5.2 Emplacement des Composants de la Commande MPPT Numrique

Les figures 5.6 et 5.7 montrent lemplacement et la connexion des composants de la
carte du circuit de commande MPPT numrique. Cette carte lectronique a t ralise
laide du logiciel ORCAD 10.5 [21].

Figure 5.6 : Vue TOP de la carte MPPT numrique

Figure 5.7 : Vue BOTTON de la carte MPPT numrique


61

5.3 Prototype Final de ltage dAdaptation pour GPV

La figure 5.8 montre la photographie du prototype final ralis au cours de ce projet.
Nous pouvons constater que la commande MPPT numrique a un nombre beaucoup plus
petit de composants que la commande MPPT analogique de la figure 5.10. Les dimensions
relles du circuit sont les suivantes 9cm x 5,7cm.

Figure 5.8 : Prototype finale du convertisseur boost avec la carte de commande MPPT numrique

5.4 Cot de la Carte

Le tableau 5.1 montre le cot de la carte de commande que nous avons fait au sein du
LAAS-CNRS.

Quantit Reference Prix unitaire Prix par lot
1 Comparateur LM311 0,42 0,42
1 Puce lctronique NE 555 0,27 0,27
1 PIC 18F1220 3,70 3,70
1 Interrupteur 3 positions 1,43 1,43
1 Resistance 2k5 0,03 0,03
5 Resistances 1k 0,03 0,15
1 Crsytal quartz 1,83 1,83
1 Potenciometre 500k 1,65 1,65
4 Connecteurs CON1, CON2 0,88 0,88
1 Connecteur RJ-45 4,04 4,04
1 Connecteur CON8 1,06 1,06
1 Condensateur 1F 1,61 1,61
2 Condensateurs 1F 0,25 0,50
4 Condensateurs 100F 0,33 1,32
2 Condensateurs 15pF 0,34 0,68
TOTAL 19,57

Tableau 5.1 : Liste des composants ncessaire la conception de la carte MPPT numrique

Convertisseur boost Commande MPPT numrique

62
La figure 5.9 montre une statistique des prix des composants qui font partie du
circuit de commande numrique.

Resistance 2k5
5%
Crsytal quartz
9%
Resistances 1k
1%
Potenciometre 500k
7%
Connecteurs CON1,
CON2
4%
Connecteur RJ-45
22%
Connecteur CON8
5%
Condensateur 1F
7%
Condensateur 1F
6%
Condensateur 100F
7%
Condensateur 15pF
3%
Comparateur LM311
2%
Puce lctronique NE
555
1%
PIC 18F1220
20%
Interrupteur 3
positions
7%

Figure 5.9 : Reprsentation graphique du prix dune carte MPPT numrique

On peut voir sur cette reprsentation graphique que le PIC18F1220 et le connecteur
RJ-45 sont les lments qui cotent le plus cher.

5.5 Comparatif avec la Carte MPPT Analogique

La figure 5.10 montre la photographie du prototype final dun circuit dadaptation
avec convertisseur boost et commande MPPT analogique, [8]. Comme nous pouvons le
voir sur la figure 5.10, le nombre de composants dune commande MPPT analogique est
plus lev.

Figure 5.10 : Convertisseur boost + carte de la MPPT analogique

La carte analogique est compose de neuf puces alors que la carte numrique nen
contient seulement trois. Si on adapte le tableau 5.1 la commande analogique on obtient
un prix de revient avoisinant 100 euros [22], cest dire 5 fois le prix de revient de la
commande numrique.

Convertisseur boost Commande MPPT analogique

63
Dans le cas dutiliser une technologie CMS, la taille de la carte MPPT numrique
serait approximativement quatre fois plus petite que la version CMS de la carte MPPT
analogique.

Dun autre cot, la MPPT analogique a une consommation de 400mW, de son cot la
commande MPPT numrique on a une consommation de 93 mW, ce qui dans le cadre de
notre application est trs intressant. De plus, la commande numrique est alimente avec
+5V, la version analogique a besoin de 5V.

6- Conclusions

64
6 Conclusions

Des travaux antrieurs raliss au LAAS en partenariat avec EDF (Electricit de
France), ont permis de mettre au point une commande MPPT analogique, performante.
Linconvnient de cette commande tait sont prix de revient, trop lev et son niveau de
consommation situ autour du demi watt.

Ce projet consistait intgrer le principe de cette commande dans un
microcontrleur. La priorit tait dobtenir le mme comportement que la commande
analogique, ce qui a t dmontr par les divers essais exprimentaux raliss au site PV
du LAAS. Nous avons vrifi exprimentalement le fonctionnement de la commande
numrique. Nous avons relev les principales formes donde du circuit et nous avons
mesur ce dernier pendant une journe entire afin de connatre ses performances pour des
conditions de fonctionnement variables. Ces mesures journalires, nous les avons fait en
parallle sur une commande MPPT analogique est sur une connexion de type directe entre
module PV et batterie. Nous avons constat que la commande MPPT numrique prsentait
des performances similaires celles que nous pourrions obtenir laide dune commande
analogique. Grce aux vrifications exprimentales, diffrentes itrations ont t faites afin
damliorer le fonctionnement du programme que gre le microcontrleur PIC utilis pour
la mise en uvre de cette application.

Ainsi, par la mise en uvre de cette version numrique de la commande MPPT, nous
avons pu vrifier une rduction importante du niveau de consommation de cette commande
par rapport la version analogique. De plus, la commande numrique a permis de rduire
considrablement le nombre de composants lectroniques, diminuant le cot de fabrication
par rapport au prix de la version analogique.

La poursuite de ces travaux va se faire afin de valider le fonctionnement de cette
commande MPPT numrique pour diffrents types de convertisseurs statiques (buck, Cuk,
flyback,). De plus, il est prvu de faire des amliorations du programme afin quil puisse
effectuer des fonctions de supervision, comme par exemple, le contrle de ltat de charge
de la batterie.

Une autre voie de poursuite de ces travaux serait lintgration sous une mme puce
de la partie microcontrleur, intgrateur RC et modulateur de largeur dimpulsion afin de
crer un seul circuit intgr ddi la recherche du point de puissance maximale dun
gnrateur PV. Ce type de circuit intgr nexiste pas sur le march.

7- Rfrences Bibliografiques

65

7 Rfrences Bibliographiques

[1] M.F. Shraif, Optimisation et mesure de chane de conversion dnergie photovoltaque en nergie
lectrique , Thse Universit Paul Sabatier, 2002.

[2] C. Alonso , D. Lagrange, A.Martinez "Conception et ralisation d'une chane de production d'lectricit
photovoltaque modulable . . Rapport de contrat final. Contrat Rgion Midi-Pyrnes NRECH/97001945, juin
2002, 30p.

[3] L. Protin, S. Astier, "Convertisseurs photovoltaques", Techniques de lingnieur, Ref D3360 Vol DAB,
http://ti.idm.fr

[4] R. Pedrola, Ralisation de convertisseurs statiques DC/DC avec MPPT de haut rendement et faible puissance
spcifique dnergie PV, Rapport interne LAAS-CNRS., 2002.

[5] F. Lasnier, T.G. Ang, Photovoltaic Engineering Handbook, IOP Publishing Ltd. 1980. ISBN 0-85274-311-4

[6] Singer, S. and Braunstein A ., A general model of maximum power point tracking Proceedings of
MELECON85 IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference, Madrid, Spain pp 147-151

[7] Singer, S. and Braunstein A ., Maximum power transfer from a nonlinear energy source to an arbitrary load
IEEE Proceedings, Pt G, 1987 pp 1-7

[8] Leyva, R.; Queinnec I.; Alonso, C.; Cid-Pastor, A. ; Lagrange D. and Martinez-Salamero L. ; MPPT of
photovoltaic systems using extremum seeking control IEEE Trans. on Aerospace and Electronic Systems,
IEEE Transactions on Aerospace and Electronic Systems, Jan 2006, Vol. 42,No, 1, pp 249-258,

[9] Angel Cid Pastor "Etude de lintgrabilit dune loi de Commande MPPT pour Gnrateurs Photovoltaques"
Stage effectu au Laboratoire dAnalyse et dArchitecture des Systmes, Juin 2003.

[10] BP 585F High-Efficiency Monocrystalline PV Module Data Sheet, BP SOLAR

[11] Angel Cid Pastor "Evaluation comparative de chargeurs de batteries pour systmes photovoltaques", Rapport
de stage du projet de fin dtudes.au LAAS-CNRS,2002

[12] J. P. Ferrieux, F. Forest. Dunod "Alimentations dcoupage, convertisseurs rsonance".

[13] A. F Boehinger "Self-adaptive DC converter for solar spacecraft power supply", IEEE Transactions on
Aerospace and Electronic Systems, 1968, AES-4, n1, pp 102-111

[14] C. Alonso, M.F. Sharif, A. Martinez, Brevet CNRS, US 2005099166, "Power converter control for automatic
maximum power point tracking".

[15] Leblanc, M. (1922), "Sur la lectrification des chemis de fer au moyen de courants alternative de frquence
leve", Revue Gnrale de lElectricit, 1922.

[16] Kristic, M., "Performance improvement and limitation in extremum seeking control", Systems & Control
Letters, 39 (2000), 313-326

[17] Mickhail Bessakhi, "Conception dun chargeur de batterie pour systme photovoltaque" LAAS-CNRS, rapport
de stage de DEA. Septembre 2005

[18] "Datasheet PIC18F1220 ", http://www.microchip.com/

[19] "Datasheet PIC16F877 ", http://www.microchip.com/

[20] R. Erickson and D. Maksimovic, "Fundamentals of Power Electronics, Second Edition" Kluwer Academic
Publishers, 2000, ISBN 0-7923-7270-0. COPEC, Colorado

7- Rfrences Bibliografiques

66
[21] "Logiciel ORCAD 10.5 "

[22] Lionel Sguier, "Ralisation dun convertisseur DC-DC de faible puissance. Specifi pour lnergie
photovoltaque. Application une structure Cuk commande par MPPT"; rapport de stage Licence
Professionnelle CCSEE, Conception et Commande des systmes Electriques Embarqus . Septembre 2005

8- Programme en C de la Commande MPPT Numrique pour PIC18F1220

67
8 ANNEXE 1: Programme en C de la commande MPPT
numrique pour un PIC18F1220

#include <p18f1220.h>
#include <stdio.h>
#include <math.h>
#pragma config WDT = OFF

//Variables globales

int i,H;
unsigned int tension_alta,tension_convertida,tension_alta_total;
unsigned char derivada_pot,tension_baja,intensidad_baja;
unsigned int intensidad_alta,intensidad_convertida;
unsigned int intensidad_alta_total,tension_panel;
unsigned long potencia,potencia_old,potencia_total;
unsigned int m;

//Funcion de conversion de intensidad: Convertimos la intensidad del
panel al valor de referencia del PIC (5V).

unsigned int intensidad (void)
{
intensidad_alta=0;
intensidad_alta_total=0;
intensidad_baja=0;
for (i=0;i<1;i++)
{
}
ADCON0=0x05;
for (i=0;i<10;i++)
{
}
ADCON0=0x07;// Corriente de conversion : conversion en el canal 1,
empieza la conversion
while (ADCON0!=0x05)
{
}
intensidad_alta=ADRESH; // Se guardan los 8 bits altos de la conversin
en el registro ADRESH
intensidad_alta_total=intensidad_alta<<8; // Realizamos un desplazamiento
para capturar posteriormente los dos bits de menor peso de la conversin
ya que utilizamos una conversin sobre 10 bits
intensidad_baja=ADRESL; //Se guardan los 2 bits de menor peso en el
regsitro ADRESL
intensidad_convertida=intensidad_alta_total+intensidad_baja; //Capturamos
los 10 bits de la conversin (intensidad convertida)
return(intensidad_convertida);
}

// Funcion de interrupcion del Timer 0: El timer0 genera una interrupcin
al desbordarse. La variable H se pone 1. Paramos el timer0 para que
vuelva a empezar con el valor deseado introducido por software (en
nuestro caso sera de 6,5ms).

void traiteIT(void);
#pragma code it=0x08
void saut_sur_spIT(void)
{

68
_asm
goto traiteIT
_endasm
}
#pragma code

#pragma interrupt traiteIT
void traiteIT(void)
{
if (INTCONbits.TMR0IF)
{
INTCONbits.TMR0IF=0; // Flag de interrupcion del timer 0
H=1; // Indica que el timer ha finalizado
T0CONbits.TMR0ON=0;// Reinicializacion del timer 0
}
}

//Funcion de inicializacion: Configuramos todos los registros del PIC
para el buen funcionamiento del sistema

void configurar_registros (void)
{
i=0;
m=0;
H=1;
potencia=0;
potencia_old=0;

ADRESH=0x00; // Poner a 0 el registro de conversion mas alto
ADRESL=0x00; // Poner a 0 el registro de conversion mas bajo

//TIMER 0

INTCONbits.TMR0IE=1; // Permitimos la interrupcin por desbordamiento
del timer0
INTCONbits.GIEH=1; // Permitimos todas las interrupciones
enmascaradas
INTCONbits.TMR0IF=0; //Desactivamos el flag del timer0
INTCON2=0x00; //Todas las interrupciones seran en el flanco de
bajada
INTCON3=0x00; //Deshabilitamos las interrupciones externas
PIR1=0x00; //Deshabilitamos los flags de los timer 1 y2
PIE1=0x00; //deshabilitamos la interrupcion de conversion y no
permitimos la interrupcin de los timers 1 y 2
IPR1=0x00; //Configuramos la prioridad de las interrupciones como
baja (conversor, comparador, timer1 y 2)
PIR2=0x00; //Deshabilitamos el flag del timer3
PIE2=0x00; //No permitimos la interrupcion del timer3
IPR2=0x00; // Configuramos la prioridad de las interrupciones como
baja (fallo en el oscilador, memoria EEPROM, detector nivel bajo, timer3)
RCON=0x00; //Deshabilitamos la prioridad de nivel en las
interrupciones

T0CON=0x46; //Configuramos el timer 0 con un valor de 6,5ms

//Conversion analogico-digital

ADCON1=0x7C; // Configuracion de los pines AN0 y AN1 como entradas
analogicas
ADCON2=0x92; // Resultado justificado a izquierda

69

//Perifericos

PORTA=0x00;
TRISA=0x03; //AN0 y AN1 configuradas como entradas
PORTB=0x00;
TRISB=0x00; //Puerto B configurado como salida
}

//Funcion de conversion de tension: Convertimos la tension del panel al
valor de tension de referencia del PIC18F1220 (5V) para poder trabajar.

unsigned int tension (void)
{
tension_alta=0;
tension_alta_total=0;
tension_baja=0;
for (i=0;i<1;i++) //Esperamos un poco antes de empezar la conversion
{
}
ADCON0=0x01;
for (i=0;i<10;i++)
{ //Tiempo de adquisicion correcta de
la seal
}
ADCON0=0x03;// Tension de conversion: conversion en el canal 0, empieza
la conversion

while (ADCON0!=0x01) // Esperamos hasta finalizar conversion
{
}
tension_alta=ADRESH; //Guardamos los valores de la tension
convertida en los registros de conversin del PIC
tension_alta_total=tension_alta<<8;
tension_baja=ADRESL;
tension_convertida=tension_alta_total+tension_baja; // Tension
convertida
return (tension_convertida);
}

//Funcion calculo de potencia

unsigned long calculo_potencia (void)
{
unsigned int x,y;
x=tension(); // Conversion tension
y=intensidad(); // Conversion corriente
potencia_total= x * y; // Calculo de la potencia: producto de corriente
* tension
return (potencia_total);
}


70

//Funcion calculo de potencia media: Calculamos la potencia media de la
seal para posteriormente hacer un mejor clculo de la derivada de
potencia, para aislar los ruidos de las seales analgicas y obtener una
mejor resolucin de la grafica de potencia.

unsigned long potencia_media (void)
{
unsigned long potencia_media_total,muestreos_P,c_potencia;
potencia_media_total=0;
muestreos_P=0;
c_potencia=0;
for (m=0;m<8;m++) //Muestreamos 8 puntos de la grafica
de potencia
{
c_potencia=calculo_potencia(); //Para hacer el muestreo vamos
capturando los valores, los vamos sumando y posteriormente los dividimos
por 8
muestreos_P=muestreos_P+c_potencia;
}
potencia_media_total=muestreos_P>>3; //Division por 8 (desplazar 3
posiciones los bits hacia la derecha)
return (potencia_media_total);
}

//Funcion de clculo de derivada: Calculamos la derivada de potencia para
detectar las variaciones de la potencia. Si nos acercamos o nos alejamos
del punto maximo de potencia.

unsigned char derivada_potencia (void)
{
unsigned char derivada;
potencia = potencia_media(); //Capturamos un valor de potencia
if (potencia>potencia_old) //Ese valor capturado lo comparamos
con otro anterior

{
derivada=1; //Si es mayor la derivada es positiva
PORTBbits.RB0=1; //Visualizamos el valor de la variable
derivada
}
else sino la derivada es negativa y alpha=0
{
derivada=0;
PORTBbits.RB0=0; //Visualizamos el valor de la variable
derivada
}
potencia_old = potencia; //El valor anterior pasa a ser el
actual
return (derivada);
}

71

//PROGRAMA PRINCIPAL//

void main()
{
configurar_registros();
tension_panel=tension();
if (tension_panel<0x2B9)
{
PORTBbits.RB1=1; //alpha
}
else
{
PORTBbits.RB1=0;
}
while(1)
{
derivada_pot = derivada_potencia(); //Capturamos el valor de
la derivada
if ((derivada_pot==1)&&(PORTBbits.RB1==1))
{
PORTBbits.RB1=1;
}
else if ((derivada_pot==0)&&(PORTBbits.RB1==1))
{
if (H==0)
{
PORTBbits.RB1=1;
}
else

{
PORTBbits.RB1=0;
H=0;
T0CONbits.TMR0ON=1;
}
}
{
PORTBbits.RB1=0;
}
{
if (H==0)
{
PORTBbits.RB1=0;
}
else
{
PORTBbits.RB1=1;
H=0;
T0CONbits.TMR0ON=1;
}
}
else
{
}
}
}

9- Mesures en Rgime tabli dEtage dAdaptation avec MPPT Numrique

72
9 ANNEXE 2: Mesures en rgime tabli de ltage dadaptation
avec commande MPPT numrique

Nous montrons dans cette partie les relevs des tensions, courant et puissance fournie
par un gnrateur PV sous diffrents niveaux densoleillement pour ltage dadaptation
PV dvelopp dans ce projet. Nous pouvons observer que le rendement MPPT se situe
entre 96% et 99% pour diffrentes valeurs de puissances fournies.

a) Pour PPV=5 W,
MPPT
=96,3% b) Pour PPV=10 W,
MPPT
=96,8%

c) Pour PPV=15 W,
MPPT
=98,5% d) Pour PPV=20 W,
MPPT
=98,4%

e) Pour PPV=30 W,
MPPT
=98,8% f) Pour PPV=40 W,
MPPT
=98,9%

P
PV

V
BAT

I
PV

V
PV

Vc
Vc
V
BAT

I
PV

V
PV

P
PV

I
PV

V
PV

P
PV

Vc
V
BAT

Vc
P
PV

V
BAT

V
PV

I
PV

I
PV

I
PV

V
PV

V
PV

P
PV

P
PV

Vc
Vc
V
BAT

V
BAT

9- Mesures en Rgime tabli dEtage dAdaptation avec MPPT Numrique

73

g) Pour PPV=50 W,
MPPT
=99% h) Pour PPV=60 W,
MPPT
=98,9%

Figure A.2.1 : Rgime tabli dun tage dadaptation boost avec fonction MPPT numrique pour diffrents niveaux
densoleillement

I
PV

I
PV

V
PV
V
PV

P
PV
P
PV

Vc
V
BAT
V
BAT

CDltWoMkCvp MPPT

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