CEM n sisteme cu generare distribuit i/sau ambarcate Partea a III-a C_ 2 1

2. CELULE FOTOVOLTAICE
2.1. STRUCTUR, FUNCIONARE, CARACTERISTICI
Atomii unei substane solide au electronii dispui pe benzi de energie, astfel:













banda de valen i
banda de conducie
separate printr-o aa-numit band interzis.

Banda de valen reprezint nivelul energetic inferior i modul n care este ocupat
de electroni depinde de natura chimic a substanei i structura acesteia.

n funcie de gradul de ocupare cu electroni a benzilor energetice, solidele se mpart
n:
conductoare (n general, metale), dac banda de valen este parial ocupat
cu electroni;
semiconductoare, dac banda de valen este complet ocupat cu electroni
i limea benzii interzise, E
g
< 3 eV;
izolatoare (dielectrici) , dac banda de valen este complet ocupat cu
electroni i limea benzii interzise, E
g
> 3 eV;

Conducia electric se realizeaz diferit n conductoare, respectiv n
semiconductoare:
n conductoare, conducia se realizeaz datorit electronilor liberi din banda
de conducie;
n semiconductoare, trecerea unui electron din banda de valen n cea de
conducie las n urm un gol, echivalent cu o sarcin pozitiv; Prin
introducerea unor impuriti (substane dopante) comportarea electric a
semiconductoarelor se modific, astfel:
impuritile care mresc numrul de electroni din banda de conducie
(impuriti donoare, de ex. P, pentru Si) determin semiconductorul s
devin de tip n;
impuritile care micoreaz numrul de electroni din banda de conducie
(impuriti acceptoare de ex. B, pentru Si) determin semiconductorul s
devin de tip p;
un semiconductor pur, la care conducia este realizat numai de ctre
electronii proprii este denumit semiconductor intrinsec.
Band de conducie (Bc)
Band interzis
Band de valen (Bv)
Energie
Ec
Ev
Eg
CEM n sisteme cu generare distribuit i/sau ambarcate Partea a III-a C_ 2 2
Sub denumirea generic de efect fotoelectric (descoperire atribuit lui E. Bequerel,
n 1839), pot fi grupate urmtoarele procese:
efectul fotoelectric extern: const n emisia de electroni de ctre un metal
sau un semiconductor (n exteriorul lor) sub aciunea radiaiilor din
domeniul vizibil i ultraviolet; n acest efect sunt implicai electronii liberi,
de conducie;
fotoionizarea: const n extragerea electronilor din atomii unui gaz la
interaciunea acestora cu radiaii din domeniul ultraviolet;
efectul fotoelectric intern: const in mrirea numrului de purttori de
sarcin electric, liberi, n interiorul unui metal sau al unui semiconductor,
fr ca acetia s prseasc sistemul, n urma interaciunii sistemului cu
radiaii luminoase. Se obine o micorare a rezistenei electrice a
materialului radiat.
efectul fotovoltaic - const n apariia unei tensiuni electromotoare la
contactul dintre un semiconductor i un metal sau la contactul dintre dou
semiconductoare, dac regiunea de contact este radiat cu un fascicul de
lumin.
Cum se explic efectul fotovoltaic pentru o jonciune p-n (deci avnd structura unei
diode):
dac o jonciune p-n este radiat cu un flux de energie, semiconductorului i
se comunic o energie cuantic W = hf (h constanta lui Planck:
h = 6,6310
34
Js, iar f frecvena radiaiei electromagnetice);
regiunea n expus radiaiei este foarte subire, astfel nct radiaia este
absorbit, n principal, de regiunea p;
dac energia cuantic a fotonului este mai mare dect lrgimea benzii
interzise, electronul va trece n banda de conducie, devenind liber i lsnd
n banda de valen un gol [deci, numai anumite componente ale spectrului
solar ofer energii n msur s fac posibil efectul fotoelectric (W > E
g
)];
ca urmare a acestui proces, apare un cmp electric imprimat E
i
, orientat de
la semiconductorul n ctre semiconductorul p (opus celui al jonciunii i
care micoreaz bariera de potenial, ca i cum ar fi aplicat din exterior o
tensiune direct); Acest cmp separ sarcinile electrice create;

Structura unei celule fotovoltaice cu Si i funcionarea acesteia.

CEM n sisteme cu generare distribuit i/sau ambarcate Partea a III-a C_ 2 3

Schema echivalent a celulei fotovoltaice

electronii se vor dirija ctre regiunea n iar golurile ctre p, separarea
acestor sarcini determinnd apariia unui curent I
s
(de la n ctre p) prin
jonciune; acumularea de sarcin face ca la bornele jonciunii s apar
tensiunea U; jonciunea se comport ca un generator de curent;
nchiznd circuitul exterior, prin jonciune va circula, un curent direct I
d
(de
la regiunea p la regiunea n), de sens opus celui produs prin efect
fotovoltaic. Valoarea rezultant a curentului prin jonciune este:
(

= = 1 exp
T
0
U
U
I I I I I
s d s
(1)
I
0
fiind curentul de saturaie la polarizarea invers a jonciunii iar U
T
tensiunea
termic echivalent temperaturii de funcionare a jonciunii, tensiune definit prin:
e
hT
U =
T
(2)
n care T este temperatura jonciunii, e sarcina electronului, iar h constanta lui
Planck.
(n schem R
i
este rezistena de izolaie dintre bornele celulei, iar R
s
rezistena serie
echivalent).

Regimuri de funcionare:
n scurtcircuit (U=0):
s i scurtcircu
I I
t
=

n gol (I=0): |
|

\
|
+ = 1 ln
0
T 0
I
I
U U
s

la iluminare ridicat
0
T 0
ln
I
I
U U

cnd celula nu este iluminat:
(

= = 1 exp
T
0
U
U
I I I
d
(I
d
este numit i
curent de ntuneric)



I

R

U

R
s
R
i
I
s
I
d
n p
I
d
I
s
I

R

U

hf
E
i
CEM n sisteme cu generare distribuit i/sau ambarcate Partea a III-a C_ 2 4
O celul cu siliciu, tipic, este format din:
un strat foarte subire de semiconductor de tip n ( Si, dopat cu P), cu
grosimea de cca. 3 m;
un strat mai gros de semiconductor de tip p ( Si, dopat cu B), cu grosimea
de cca. 250 m;
electrozi (electrodul superior este realizat fie sub forma unei reele metalice
transparente, fie sub forma unei grile)
indiferent de suprafaa i dimensiunile sale, o celul produce, la
funcionarea n gol, o tensiune de 0,5...0,6 V;
curentul (i implicit puterea furnizat) depind de suprafaa celulei, de
randamentul su i de intensitatea radiaiei solare (orientativ, o suprafa de
160 cm
2
, a unei baterii comerciale, pemite obinerea unei puteri maxime de
2 W, la radiaie solar maxim 1000 W/m
2
). Date fiind valorile de ieire
caracteristice unei celule, acestea se grupeaz n module, iar modulele n
panouri solare:



Celulele fotovoltaice (solare) se clasific:
dup natura neomogenitii
de tip homojonciune (o singur jonciune p-n)
de tip heterojonciune (tip sandwich, mai multe jonciuni p-n, suprapuse,
utiliznd diferitele benzi ale spectrului electromagnetic solar)
dup tipul semiconductorului utilizat
cu semiconductoare monocristaline (Si, GaAs): prezint randamente de
conversie mari, 18-25 %
cu semiconductoare policristaline (CdS policristalin) sau amorfe (Si amorf
hidrogenat), prezint randamente de conversie mai sczute, 5-12 %




CEM n sisteme cu generare distribuit i/sau ambarcate Partea a III-a C_ 2 5
Factorii de care depinde eficiena celulei fotovoltaice

Celula fotovoltaic transform numai o parte a energiei primite n energie electric.
Pierderile de energie apar ca urmare a:
proceselor care intervin asupra energiei incidente (pierderi de radiaie):
reflexie la suprafaa celulei (pentru a diminua acest proces suprafaa
iluminat este acoperit cu un strat antireflectant)
absorbie incomplet (selectiv) a radiaiei incidente:


Spectrul intensitii unor surse de lumin n funcie de lungimea de und

Spectrul vizibil
Culoare Lungime de und Interval de frecvene
rou ~ 625740 nm ~ 480405 THz
oranj ~ 590625 nm ~ 510480 THz
galben ~ 565590 nm ~ 530510 THz
verde ~ 520565 nm ~ 580530 THz
azuriu ~ 500520 nm ~ 600580 THz
albastru ~ 430500 nm ~ 600580 THz
violet ~ 380430 nm ~ 600580 THz


Sensibilitatea spectral a unor celule fotovoltaice


CEM n sisteme cu generare distribuit i/sau ambarcate Partea a III-a C_ 2 6
proceselor care intervin dup ce energia incident a fost transferata
semiconductorului:
generarea purttorilor de sarcin (nu toat energia recepionat poate
fi utilizat pentru producerea purttorilor de sarcin)
pierderi datorit recombinrii sarcinilor, n interiorul
semiconductorului
pierderi datorate nclzirii (i creterii rezistivitii) materialului

Aplicaii uzuale, actuale i de perspectiv
generatoare de mic putere (calculatoare de buzunar, radioreceptoare
portabile etc.)
generatoare locale de putere medie (pentru alimentarea pompelor de irigaii,
a aparatelor electrocasnice, a unor vehicule electrice)
generatoare de mare putere (centrale solare, racordabile la un sistem
electroenergetic)



Schema unei instalaii solare de mare putere, racordabil la o reea de tensiune
alternativ este:





Randamente uzuale i densiti de putere obinute:

7...18 %: cele cu = 7...12 % sunt realizate cu materiale amorfe iar cele cu
randamente = 12...18 % sunt policristaline sau monocristaline. Modulele
monocristaline (cu 13 %) furnizeaz cca. 130 W (valoare de vrf) la o
suprafa de 1 m
2
, la orele amiezii.
Pentru obinerea unei puteri de 1 MW ar fi necesar o suprafa de cca. 7700 m
2

(mai mare dect cea a unui stadion de fotbal). Se estimeaz creterea
randamentelor ctre 30...35 % n urmtorii 10..15 ani.
CEM n sisteme cu generare distribuit i/sau ambarcate Partea a III-a C_ 2 7

Particulariti ale caracteristicii de funcionare i consecine ale acestora:

caracteristica u-i: relativ plat, pn la cca. 80 % din curentul nominal; n acest
punct tensiunea la borne este mai mic cu cca. 15...20 % n raport cu tensiunea
de mers n gol, dar puterea produs este maxim;
invertoarele destinate bateriilor solare sunt prevzute cu automatizri care s
ajusteaz sarcina la surs (de exemplu, prin conectarea unui numr adecvat de
module) astfel nct funcionarea s se fac n punctul de putere maxim;
punctul de putere maxim nu este fix: el variaz n funcie de temperatura
ambiant (temperaturile sczute determin creterea valorii de vrf a puterii) i
de intensitatea radiaiei solare;
curentul de scurtcircuit este cu numai 20..30 % mai mare dect curentul
corespunztor puterii maxime;

2.2. PROBLEME DE COMPATIBILITATE ELECTROMAGNETIC A
GENERATOARELOR FOTOVOLTAICE
Apar datorit:
a) necesitii asigurrii proteciei mpotriva loviturilor directe de trsnet i a
supratensiunilor provocate de trsnet:
n reeaua de tensiune continu
n reeaua de tensiune alternativ la care sunt conectate prin
intermediul invertoarelor
b) fluctuaiei parametrilor de ieire (tensiune, putere) n funcie de nivelul radiaiei
solare: mbuntirea calitii energiei furnizate impune existena unui
echipament de condiionare a energiei (baterii de acumulatoare, invertoare,
regulatoare de ncrcare a bateriilor, diode de blocare) n msur s permit
meninerea tensiunii la nivelul puterii maxime de care este capabil sursa;
c) circuitelor de curent continuu, intens (care conecteaz panourile solare, grupate
adecvat, la intrarea invertorului);
d) funcionrii invertoarelor, cu problemele specifice acestora, la interfaa cu
reeaua de tensiune alternativ;
e) suprafeelor de reflexie/absorbie mari pentru undele electromagnetice:
panourile solare se pot comporta ca antene de emisie, care radiaz un
cmp electromagnetic, datorit frecvenelor nalte care nsoesc
funcionarea invertoarelor i, de asemenea,
CEM n sisteme cu generare distribuit i/sau ambarcate Partea a III-a C_ 2 8
reprezint suprafee reflectante pentru undele electromagnetice
incidente la acestea

Protecia mpotriva loviturilor de trsnet

Caracteristici specifice panourilor fotovoltaice:
sunt montate n locuri expuse trsnetului:
pe acoperiuri ale cldirilor publice sau private (prevzute sau nu cu
instalaii proprii de paratrsnet); (se consider c instalaiile solare nu
mresc riscul de expunere la trsnet a cldirii pe care sunt dispuse);
pe suprafee deschise, de mari dimensiuni (n cazul centralelor solare)
pe instalaii de control al traficului rutier
ocup (n cazul sistemelor de puteri mari) suprafee mari, necesitnd conexiuni
de lungimi mari ale cablurilor:
de putere, de la cutia de borne a panoului, la cldirea n care sunt dispuse
invertoarele
de semnal, de la/ctre instalaiile de supraveghere i automatizare

Protecia mpotriva loviturilor directe de trsnet
se realizeaz cu paratrsnete special dispuse sau se amplaseaz panourile n
zona de protecie a paratrsnetelor existente:

Amplasarea paratrsnetelor: n conformitate cu metoda sferei fictive.
Cerine:
se pstreaz distane de izolare s, fa de elementele instalaiei de
paratrsnet, parcurse de curentul de trsnet (inclusiv a reelei de
echipotenializare a acesteia);
dac nu se pot asigura distanele de izolare (datorit inexistenei spaiului
disponibil), se recomand legarea masei panourilor solare la instalaia de
coborre a paratrsnetului.
CEM n sisteme cu generare distribuit i/sau ambarcate Partea a III-a C_ 2 9
Protecia mpotriva supratensiunilor provocate de trsnet

se realizeaz prin:
utilizarea de cabluri ecranate (sau dispuse n conducte metalice) pe partea
de tensiune continu, pn la intrarea n cutia de conexiuni a invertorului;
(loviturile de trsnet n apropiere pot induce tensiuni de mod diferenial de valori
mari n liniile de tensiune continu. Ecranul acestor linii poate conduce, de
asemenea, cureni de impuls de valori foarte mari)
echipotenializri;
(toate prile metalice care se afl n mod normal la potenialul pmntului
ecrane ale cablurilor, conducte etc. i care ptrund n cldirea invertorului,
trebuie conectate mpreun i la priza de pmnt a cldirii n cutia de jonciuni a
invertorului sau n imediata apropiere a acesteia)
montarea de dispozitive de protecie mpotriva supratensiunilor i
supracurenilor (de tip descrctor sau eclator) n urmtoarele puncte:
n cutia de conexiuni a panoului solar:

la intrarea de tensiune continu n invertor
pe partea de tensiune alternativ a invertorului


Criterii de alegere a dispozitivelor de protecie:
Pentru cele amplasate pe partea de tensiune continu: tensiunea de
funcionare continu, U
c
, se alege mai mare dect tensiunea maxim de
funcionare n gol a panoului solar (corespunztoare unei zile reci de iarn,
dar cu nsoleiere maxim);
Pentru cele amplasate pe partea de tensiune alternativ: conform tipului de
reea alimentat: TT sau TN

CEM n sisteme cu generare distribuit i/sau ambarcate Partea a III-a C_ 2 10
























Reea tip TN
TA
~
TC
=
L
N
PE
Cutia de conexiuni a
panoului
Dispozitiv de izolare
a reelei de TC
La masa panoului
solar
L
L
Descrctoare
Invertor Reea tip TT
TA
~
TC
=
L
N
PE
Descrctor
Eclator