1

CAPITOLUL 7
Elemente de zica corpului solid

In capitolele precedente am introdus o teorie, noua fat a de mecanica cla-

sica si electromagnetism, care trateaza particulele microscopice. Am studiat
unele aplicat ii simple ale acestei teorii pentru o particula libera, am descris
electronul n cel mai simplu atom din natura, atomul de hidrogen. De aici am
trecut la o descriere simplicata a atomilor cu mai mult i electroni, bazandu-
ne pe principiul de excluziune al lui Pauli. Totusi, atomii izolat i nu constitue
sisteme care ne intereseaza n mod special; scopul nostru este de a studia
comportamentul electronilor n solide deoarece componentele electronice uti-
lizeaza tocmai proprietat ile electronilor n materiale conductoare si semicon-
ductoare. Din fericire, nt elegerea multor proprietat i zice ale cristalelor
este facilitata de structura lor periodica.

In cele ce urmeaza vom prezenta
not iunile fundamentale legate de cristale.
7.1. Structura cristalina
Solidele se prezinta n natura sub doua forme:
a) amorfe, n care dispunerea atomilor sau moleculelor este aleatoare
b) cristalina, n care atomii, n pozit iile lor de echilibru, sunt dispusi
ordonat, ntr-o structura periodica numita ret ea.
Solidele pe care le vom analiza sunt cele cu structura cristalina. Mai mult
decat structura lor, vom ilustra unele consecint e legate de regularitatea dis-
punerii atomilor n cristal; n particular, scopul nostru este de ant elege de ce
unele materiale sunt conductoare, altele sunt semiconductoare sau izolatoare.
Structura tuturor cristalelor se poate descrie n termenii unei ret ele si a
unei baze. Ret eaua este o repetare periodica a unor noduri, dispuse ordonat
n spat iu unul n urma celuilalt. Baza este un atom, un grup de atomi sau
molecule, pozit ionat i n nodurile ret elei.
2
Cristalul se obt ine prin repetarea n spat iu a unei baze.

In practica,
nu este simplu sa se creasca un monocristal de dimensiuni mai mari dec at
cat iva centimetri, chiar daca, n principiu, nu exista limite n ceea ce priveste
dimensiunea monocristalului.
O ret ea tridimesionala este denita de trei vectori fundamentali de translat ie,
a, b, c, astfel ncat pozit ia nodurilor din ret ea (si, deci, a atomilor din struc-
tura cristalina) este data de combinat ii ale vectorilor a, b, c, numit i vectori
de translat ie ai ret elei, de forma
t =n
1
a+n
2
b+n
3
c, cun
1
, n
2
, n
3
ntregi, pozitivisaunegativi.7.1(1)
Semnicat ia relat iei (7.1) este ilustrata n Fig. 7.1, pentru o ret ea bidimen-
sionala.
Fig.7.1
Structura cristalina se obt ine asociind ret elei o baza; aceasta poate
constituita din acelasi atom, din atomi diferit i sau molecule.
Periodicitatea pozit iilor atomilor poate descrisa prin intermediul celulei
elementare, care reprezinta paralelipipedul construit cu vectorii a, b si c.
Pentru ecare cristal, ret eaua, baza si celula elementara nu sunt univoc deter-
minate. De exemplu, daca ne referim la ret eaua bidimensionala din Fig.7.1,
este evident faptul ca daca alegem ca vectori fundamentali a
1
si b
1
sau a
2
si
b
2
, ei denesc aceeasi ret ea. Sa notam, nsa, ca ret eaua individualizata de
vectorii a
2
si b
2
cont ine un numar mai mic de puncte decat cea descrisa de
vectorii a
1
si b
1
; deci, bazele care li se asociaza sunt diferite.

In natura, sistemul cristalin cel mai simplu este sistemul cubic, care
cuprinde trei ret ele diferite:
a) Ret eaua cubica simpla (CS)
Nodurile ret elei sunt numai n varfurile cubului; celula primitiva este un
cub deoarece ecare din cele 8 varfuri este n comun cu 8 celule vecine.

In
afara de poloniu, nu se cunoaste un alt cristal cu astfel de ret ea.
b) Ret eaua cubica cu volum centrat (CVC)

In afara nodurilor din varfurile cubului, mai exista un alt atomn centru;
presupunand ca baza este constituita dintr-un singur tip de atomi, cristalele
cu o astfel de ret ea au 8 atomi n varfuri si un atom n centru si evident,
celula primitiva nu este cubul. Metalele alcaline au o astfel de structura
crsitalina.
c) Ret eaua cubica cu fet e centrate (CFC)
Nodurile ret elei sunt n varfurile cubului si n centrul ecarei fet e. La
fel ca si n structura CVC, cubul nu este celula primitiva deoarece cont ine 4
3
atomi (1/8 din atom pentru ecare varf + 1/2 din atom pentru ecare fat a).
Aceasta este ret eaua metalelor nobile (Au, Ag, Cu).
Tot n sistemul cubic cristalizeaza si cea mai mare parte a materialelor
semiconductoare, n particular siliciu si germaniu, care au ret eaua diaman-
tului constituita din doua ret ele CFC deplasate cu 1/4 n lungul diagonalei
principale, ca n Fig.7.2.
Deoarece materialele conductoare si semiconductoare de care suntem interesat i
cristalizeaza n sistemul cubic, n cele ce urmeaza ne vom referi numai la
cristale de tip cubic. Pentru cristalul cubic, lungimea laturii cubului, a,
reprezinta constanta ret elei.
7.2. Ret eaua reciproca - zona Brillouin
Referindu-ne la un cristal cubic, tot i parametri interni ai cristalului au
periodicitatea ret elei (de exemplu, pentru potent ial, V (r +t) = V(r)).
Sa consideram o ret ea unidimensionala: faptul ca potent ialul este periodic
n interiorul cristalului nseamna ca
V (x +t) = V (x +n
1
a) = V (x)
Deoarece V (x) este periodic, se poate dezvolta n serie Fourier:
V (x) = V
0
+

n>0
_
a
n
cos(n
2
a
x) +b
n
sin(n
2
a
x)
_
7.2 (2)
Coecientul
2
a
din argumentul funct iilor cosinus, respectiv sinus, realizeaza
condit ia de periodicitate V (x +n
1
a) = V (x).
V (x +n
1
a) = V
0
+

n>0
_
a
n
cos
_
n
2
a
(x +n
1
a)
_
+b
n
sin
_
n
2
a
(x +n
1
a)
__
=
= V
0
+

n>0
_
a
n
cos(n
2
a
x) +b
n
sin(n
2
a
x)
_
.7.3 (3)
Marimile g
n
= n
2
a
au ca dimensiune inversul lungimii; punctul de abscisa
n
2
a
este un nod n spat iul Fourier al cristalului numit spat iu reciproc. Acest
spat iu este periodic, cu perioada
2
a
.
4
Deci, ret elei directe, n spat iul real al lungimilor care au perioada a (nu-
mita ret ea Bravais) i corespunde o ret ea cu perioada A =
2
a
numita ret ea
reciproca. Zona cuprinsa ntre
a
2
si
a
2
apart inand ret elei directe constituie
celula primitiva; analog, zona cuprinsa ntre

a
si

a
din ret eaua reciproca
constituie celula primitiva, care este numita prima zona Brillouin.
Asa cum ret eaua directa este denita de celula primitiva si de periodic-
itate, ret eaua reciproca este denita de prima zona Brillouin si de period-
icitate. Marimile zice ale cristalului care se obt in asociind ret elei o baza,
sunt periodice n spat iul direct; asadar, este sucienta descrierea lor n celula
primitiva pentru a le cunoaste n ntreg cristalul. Similar, este sucienta
descrierea imaginilor lor n prima zona Brillouin pentru a avea imaginea
cristalului n spat iul inversului lungimilor.
7.3. Tipuri de cristale
Asa cum am vazut, solidul cristalin este caracterizat de faptul ca atomii
(sau moleculele) sunt dispusi n nodurile unei ret ele periodice. Rezultatul
este un ansamblu ordonat de nuclee si de electroni legat i ntre ei, n principal,
prin fort e coulombiene (se analizeaza particule ncarcate electric).

In general,
aceste fort e ar trebui cunoscute; nsa, interact iile dintre particule sunt foarte
complicate si fort ele nu pot calculate cu exactitate. Pentru simplicare, se
face urmatoarea aproximat ie:
i) electronii foarte apropiat i de nucleu vor asociat i acestuia; nucleul si
electronii interni constituie un ion; ionii sunt n echilibru n nodurile ret elei
cristaline
ii) electronii din exterior vor considerat i particule cvasi-libere, care se
misca n campul creat de ioni.
Pornind de la aceasta simplicare, solidele se clasica n funct ie de com-
portarea electronilor din exterior astfel:
1.Cristale moleculare. Baza acestor cristale este constituita din molecule.
Fort ele de legatura din interiorul moleculelor sunt mari si electronii din exte-
rior sunt tot i legat i de atomii care alcatuiesc moleculele. Fort ele de legatura
dintre molecule sunt slabe, interact iile ind de dipol electric (fort e van der
Waals). Procesul de solidicare pentru astfel de cristale se face numai la
temperaturi joase, atunci cand agitat ia termica nu poate distruge legaturile
5
dintre molecule.
2. Cristale ionice. Ret eaua cristalina este formata din ioni pozitivi si
negativi care se atrag reciproc deoarece electronii din exterior trec de la un
atom la altul. Cristalele ionice tipice sunt NaCl, LiF, KBr, n care singurul
electron exterior al atomului de Na, Li sau K trece cu usurint a la elementul
electronegativ (Cl, F, Br) care are 7 electroni externi si care, cu cel de-al op-
tulea electron ajungentr-o congurat ie electronica stabila.

In aceste cristale,
electronii din exterior nu se ndeparteaza mult de atomii carora le apart in
deoarece se leaga de atomii adiacent i. La temperatura joasa, cristalele ionice
sunt izolatoare deoarece nu au electroni liberi care sa se miste n interiorul
ret elei.
3. Cristale covalente. Sunt constituite din elemente ca germaniu, carbon,
siliciu, etc., ai caror atomi au 4 electroni externi pe care i pun n comun cu
4 atomi vecini, realizand legaturi covalente. Proprietat ile de conduct ie ale
acestor cristale depind de cat de puternica este legatura care t ine electronii de
valent a n vecinatatea atomilor; pentru diamant, aceasta legatura este foarte
puternica si el este izolator; pentru staniu, legatura este slaba si el este con-
ductor; pentru Ge si si, taria legaturii este medie astfel ncat, la temperatura
camerei, acestea sunt semiconductoare.

In aceste materiale, datorita agitat iei
termice, o parte din electronii externi pot rupe legaturile si se pot misca n
interiorul cristalului.

In afara proprietat ilor de conduct ie, aceste cristale au
si alte proprietat i interesante care deriva din natura legaturii covalente.
4. Metale. Sunt alcatuite din elemente electropozitive. Legatura poate
privita ca un caz limita al legaturii covalente n care electronii externi ai
ecarui atom sunt n comun pentru tot i ionii cristalului si sunt liberi sa se
mute de la un ion la altul, pentru tot cristalul.

In acest sens, electronii se
comporta ca un gaz de electroni. Ei se misca n campul potent ial rezul-
tant al tuturor ionilor pozitivi si exercita fort e atractive asupra ecarui ion,
fort e mai puternice decat cele repulsive dintre ioni; acestia vor ment inunt i
astfel n pozit ii de echilibru n nodurile ret elei cristaline. Imediat ce ionii se
deplaseaza din pozit iile lor de echilibru, electronii liberi, prin miscarea lor, se
redistribuie n interiorul cristalului astfel ncat fort ele care apar readuc ionii
n pozit iile de echilibru.
7.4. Electronii n metale. Modelul electronului liber
6
Un solid metalic este alcatuit dintr-o ret ea n nodurile careia se gasesc
ioni pozitivi imaginat i ca niste sfere, iar n jurul lor se misca electronii care
sunt numit i electroni de conduct ie. Fort ele coulombiene care se exercita ntre
gazul de electroni si ionii din nodurile ret elei ment in starea de solid. Pentru
solidul izotrop, aceasta fort a de interact ie este si ea izotropa si uniforma
si act ioneaza ca o fort a de presiune ce compacteaza electronii obligandu-
i sa ocupe cel mai mic spat iu posibil, adica de tipul structurii cubice cu
fet e centrate (CFC), structura caracteristica metalelor cu o conductibilitate
electrica ridicata.
Deoarece suntem interesat i sa analizam proprietat ile de conduct ie ale
solidelor metalice, ne putem limita la descrierea gazului de electroni de
conduct ie. Pentru aceasta ar trebui sa scriem ecuat ia Schrodinger relativa la
tot i electronii de conduct ie, t inand cont de toate interact iile dintre particulele
prezente n solide. Stiind ca un metal cont ine 10
22
10
23
electroni pe cm
3
,
va imposibil sa se evalueze toate interact iile din solid; n aceste condit ii,
solut ia este utilizarea metodelor aproximative.
Un model simplu care, limitandu-se la metale, conduce la rezultate n
deplin acord cu observat iile experimentale este modelul electronului liber.
Simplicarile care stau la baza acestui model sunt urmatoarele:
1. Se considera un singur electron n interact ie cu ionii solidului, si nu
tot gazul de electroni de conduct ie, adica se neglijeaza interact iile dintre
electroni. Cu alte cuvinte, presupunem ca, n medie, repulsia dintre electroni
este anulata de atract ia lor de catre ioni.
2. Se considera ca ionii sunt csi n pozit iile lor de echilibru din nodurile
ret elei cristaline, adica neglijam interact ia dintre ei. Potent ialul creat va o
funct ie de pozit ie V (r).
3.Se considera ca potent ialul n care se gaseste electronul n interiorul
solidului este constant si n spat iu, nu numai n timp, V (r) = const., adica
neglijam faptul ca V (r) n cristal este periodic cu periodicitatea ret elei.
Este evident faptul ca, t inand cont de ipotezele 1, 2 si 3, electronul pe care
l consideram este un electron care se misca liber n interiorul cristalului (de
unde si numele de modelul electronului liber). Peret ii cristalului vor ca niste
peret i ai unei gropi de potent ial tridimensionale (Fig.7.3, reprezentare uni-
dimensionala), adica n imediata vecinatate a peret ilor electronii sunt supusi
unei fort e atractive din partea ret elei cristaline, fort a carempiedica electronii
sa paraseasca metalul.
Fig.7.3.
V
0
reprezinta adancimea gropii de potent ial iar L este lungimea cristalului
7
ntr-o dimensiune; n trei dimensiuni, groapa va avea dimensiunile maroscop-
ice reale ale cristalului, de exemplu L
x
, L
y
, L
z
.
Deoarece am presupus faptul ca electronii nu interact ioneaza ntre ei,
rezultatele pe care le vom obt ine sunt valabile pentru oricare dintre elec-
tronii ce alcatuiesc gazul de electroni de conduct ie. Cum V (r) nu depinde de
timp, ecuat ia Schrodinger pe care trebuie sa o rezolvam este cea a starilor
stat ionare:

2
2m

2
(x, y, z) = E(x, y, z), 7.4 (4)
n care ne limitam la analiza cazului n care 0 < E < V
0
deoarece pentru E >
V
0
electronul nu mai este legat n interiorul metalului. Ecuat ia (7.4) a fost
rezolvata n capitolul precedent; ntr-o cutie dreptunghiulara de dimensiuni
L
x
, L
y
, L
z
. Ca solut ie a ecuat iei (7.4) cautam o funct ie proprie de forma
(x, y, z) = X(x)Y (y)Z(z)7.5 (5)
iar funct iile X(x), Y (y) si Z(z) trebuie sa satisfaca ecuat iile

2
2m
d
2
X(x)
dx
2
= E
1
X(x)7.6 (6)

2
2m
d
2
Y (y)
dy
2
= E
2
Y (y)7.7 (7)

2
2m
d
2
Z(z)
dz
2
= E
3
Z(z), 7.8 (8)
cu E = E
1
+E
2
+E
3
.
Oricare din cele trei ecuat ii de mai sus admite solut ii de tipul
(x
i
) = A
i
e
ik
i
x
i
+B
i
e
ik
i
x
i
, 7.9 (9)
unde x
i
poate x sau y sau z si (x
i
) poate X(x) sau Y (y) sau Z(z); A
i
si B
i
sunt coecient i constant i.
Asa cum am vazut, solut iile ecuat iei Schrodinger trebuie sa satisfaca
condit iile la limita n punctele de discontinuitate ale potent ialului (conti-
nuitatea funct iei (x
i
) si a derivatei sale de ordinul ntai). Analiza oricarei
componente (X(x), Y (y), Z(z)) este identica cu cea facuta n cazul gropii de
pontent ial unidimensionale de nalt ime nita. Asadar, impunand condit iile
la limita deja ment ionate se obt in funct ii de unda n interiorul gropii de
potent ial, funct ii de forma undelor stat ionare (B
i
= A
i
) iar vectorii de
8
unda permisi sunt n numar nit. Ecuat ia care permite determinarea vec-
torilor de unda permisi este o ecuat ie implicita, care nu se poate rezolva
analitic ci numai prin calcul numeric sau prin metode grace.

Insa, vectorii
de unda permisi determinat i prin aceste metode complicate practic coincid cu
cei obt inut i analitic n cazul unei gropi de pontent ial innite, daca nalt imea
V
0
a gropii de potent ial este mult mai mare decat energia E a electronului.
Cum aceasta este chiar situat ia electronilor de conduct ie ntr-un metal se
poate, cu o aproximat ie foarte buna, nlocui groapa reala de potent ial cu
o groapa de nalt ime innita pentru a se calcula vectorii de unda permisi.
Condit iile la limita, n acest caz, se reduc la anularea funct iei de unda pe
peret ii conductorului, adica pentru x = 0 si x = L
x
, y = 0 si y = L
y
, z = 0
si z = L
z
. Impunand aceste condit ii funct iilor (7.9) rezulta ca A
i
= B
i
iar
componentele vectorilor de unda permisi trebuie sa verice relat iile:
k
x
= n
x

L
x
,k
y
= n
y

L
y
,k
z
= n
z

L
z
,7.10 (10)
unde n
x
, n
y
si n
z
sunt numere ntregi, pozitive.
Funct ia de unda va avea expresia:
(x, y, z) = Asin (k
x
x) sin (k
y
y) sin (k
z
z) .7.11 (11)
Aproximat ia gropii de potent ial de nalt ime innita precum si rezultatele
(7.10) si (7.11) nu sunt suciente pentru explicarea, ntr-o maniera simpla,
a unor proprietat i ale materialelor cristaline, cum ar conduct ia electrica.
Pentru aceasta se foloseste metoda Born von Karman.
Metoda consta n cautarea solut iilor ecuat iei Schrodinger nu ca unde
stat ionare, ci sub forma undelor progresive. Aceasta metoda este n mod
particular folosita daca cristalul nu este izolat (aproximat ia potent ialului
cu o groapa cu peret i innit i) sau daca, de exemplu, studiem proprietat ile
unui cub de latura L aat n interiorul metalului.

In acest caz solut ia ecuat iei
Schrodinger poate scrisa, folosind metoda separarii variabilelor, sub forma
unei unde progresive. Unidimensional, solut ia este
= Ae
ik
x
x
7.12 (12)
Numarul de unda k poate atat un numar pozitiv (unda plana care se
propaga n sensul pozitiv al axei x) cat si negativ (propagarea undei n sens
opus).
9
Doarece cautam solut ii periodice cu perioada L, condit iile la limita n
metoda Born - von Karman se scriu:
(x +L) = (x), 7.13 (13)
relat ie care conduce la cuanticarea numarului de unda k: e
ik
x
L
= 1, sau
k
x
=
2
L
n
x
, 7.14 (14)
cu n
x
ntreg, pozitiv sau negativ. Notam faptul ca n
x
= n > 0 si n
x
= n se
refera la doua funct ii de unda complet diferite. De fapt, n
x
> 0 corespunde
unei particule care se deplaseaza n sensul pozitiv al axei x, avand impulsul
k
x
> 0, n timp ce n
x
< 0 corespunde unei particule care se deplaseaza n
sens opus.

In trei dimensiuni, cuanticarea vectorului de unda este
k
y
=
2
L
n
y
, k
z
=
2
L
n
z
.7.14

(15)
Energia este legata de vectorul de unda prin relat ia:
E =

2
k
2
2m
.7.15 (16)
Aceasta relat ie nu depinde de condit iile la limita sau de tipul solut iei ecuat iei
Schrodinger (unda stat ionara sau unda progresiva); pentru o particula de
Broglie energia si impulsul sunt proport ionale cu pulsat ia, respectiv cu numarul
de und a.

In gura de mai jos este reprezentata energia nivelelor n funct ie de nu-

merele de unda accesibile electronilor ntr-un metal, n cazul unidimesional:
Fig.7.4

In cele ce urmeaza vom utiliza rezultatele obt inute cu metoda Born

von Karman.
Modulul vectorului de unda este
k
2
= k
2
x
+k
2
y
+k
2
z
= (2)
2
(n
2
x
+n
2
y
+n
2
z
)
L
2
.7.16 (17)
Cu condit iile la limita periodice, n
x
, n
y
, n
z
pot pozitivi, negativi sau nuli;
ei corespund undelor care se propaga n lungul x, y, z. Rezulta, deci, ca
n spat iul lui k, starile permise se gasesc n varfurile unei ret ele formate din
cuburi elementare de latura 2/L, ca n Fig.7.5.
10
Fig.7.5.
Asa cum se observa, exista un nod al ret elei pentru ecare element de
volum (2/L)
3
din spat iul reciproc. De fapt, ecare nod se poate considera
n centrul unui cub de latura 2/L; este sucient sa deplasam cuburile din
gura cu /L n oricare din cele trei dimensiuni.
Expresia energiei asociata ecarei funct ii proprii este:
E =

2
2m
4
2
L
2
(n
2
x
+n
2
y
+n
2
z
) =

2
2m
4
2
L
2
n
2
.7.17 (18)
Energiile din relat ia (7.17) sunt, evident, cuanticate. Deci, pentru o valoare
a energiei xata arbitrar, nu nseamna (sau este foarte put in probabil) ca
exista o stare avand exact aceasta energie. Sau, daca se xeaza un interval
de energie (E, E+dE), se vor gasi mai multe stari ale caror energii se gasesc
n acest interval. Numarul de stari pe unitatea de energie reprezinta o marime
importanta n analiza pe care o vom face si se numeste densitate de stari.

Intorcandu-ne la spat iul vectorilor de unda k, observam ca relat ia (7.15)

nu este altceva decat ecuat ia unei sfere de raza |k| = k:
k
2
x
+k
2
y
+k
2
z
= k
2
=
2mE

2
.7.18 (19)
Asadar, suprafet ele de egala energie sunt suprafet e sferice. Pentru a gasi den-
sitatea de stari vom considera doua astfel de sfere avand razele k, respectiv
k + dk si energiile E, respectiv E + dE. Volumul cuprins ntre aceste doua
sfere este 4k
2
dk.
Cum vectorii de unda k sunt cuanticat i, ecare punct reprezentativ al
unei stari a sistemului n spat iul vectorilor de unda ocupa, asa cum am
vazut, un volum (2/L)
3
(V = L
3
= volumul cristalului) egal cu volumul
ocupat de un cub elementar n spat iul vectorilor de unda.
Asadar, n volumul 4k
2
dk cuprins ntre doua suprafet e sferice de raze k
si k + dk este un numar dN
s
de puncte (ce corespund la dN
s
stari diferite)
dat de relat ia:
dN
s
=
V olumuldintredou asuprafet edeaceea

sienergiedistant atecudE
V olumulocupatdeostare
dN
s
=
4k
2
dk
(2)
3
V
=
k
2
V dk/2

2
.7.19 (20)
11
Pentru a obt ine expresia lui dN
s
n funct ie de E se exprima k n funct ie de
E
k
2
=
2mE

2
k =
(2m)
1/2

E
1/2
dk =
(2m)
1/2

1
2
E
1/2
dE
si, substituind ultima relat ie n ecuat ia (7.19) rezulta
dN
s
=
4V
(2)
3
2mE

2
(2m)
1/2

1
2
E
1/2
dE =
V
(2)
2
_
2m

2
_
3/2
E
1/2
dE = D(E)dE.7.20
(21)

In (7.20) am introdus notat ia D(E) pentru densitatea de stari, adica numarul

de stari pe unitatea de energie
D(E) =
V
(2)
2
_
2m

2
_
3/2
E
1/2
.7.21 (22)
De fapt, prin denit ie, D(E) multiplicata cu variat ia innitezimala de energie
dE trebuie sa e egala cu numarul de stari cu energia cuprinsa n dE, adica
numarul de stari n dE este chiar dN
s
= D(E)dE.
Conform principiului de excluziune Pauli, ecare stare individualizata
printr-un vector de unda poate cont ine doi electroni avand componenta z a
momentului de spin m
s
= +
1
2
, respectiv m
s
=
1
2
. Deci, daca se t ine cont de
spinul electronului, numarul de stari accesibile pentru electronii de conduct ie
ai unui metal tratat i ca un gaz de electroni n modelul electronului liber este
egal cu de 2 ori numarul de puncte reprezentative din spat iul vectorilor de
unda. Asadar, t inand cont de spin, se deneste o alta densitate de stari
D

(E) = 2D(E) :
D

(E) = 2
V
(2)
2
_
2m

2
_
3/2
E
1/2
.7.22 (23)
Notam faptul ca, uneori, n locul lui D(E) se utilizeaza densitatea de stari
pe unitatea de volum a carei expresie este
D

(E) =
1
(2)
2
_
2m

_
3/2
E
1/2
.7.23 (24)
Observat ie: condit iile la limita periodice sunt condit ii articiale compara-
tiv cu cele reale conform carora funct iile de unda se anuleaza pe peret ii
gropii de potent ial care schematizeaza cristalul. Motivul pentru care se uti-
lizeaza condit iile periodice atunci cand se analizeaza electronii aat i la o
12
anumita distant a de peret ii gropii este simplitatea calculului, conservand
totusi proprietat ile esent iale necesare nt elegerii tuturor efectelor din cristal.

In particular, condit iile Born von Kraman conduc la un numar corect de

stari stat ionare si la aceeasi densitate de stari ca n cazul adevaratelor stari
stat ionare.
7.5. Nivelul Fermi. Distribut ia Fermi-Dirac
Sa consideram un cristal metalic real, cont inand N atomi: daca atomii
sunt monovalent i, n cristal vor N ioni si N electroni de conduct ie; daca
atomii sunt bivalent i, numarul de ioni este tot N, dar numarul de electroni
va 2N.

In general, numarul de electroni este egal cu numarul de atomi nmult it

cu valent a; deci, numarul de electroni de conduct ie este foarte mare (ntr-
un metal obisnuit, concentrat ia, adica numarul de electroni de conduct ie pe
unitatea de volum este n 10
23
cm
3
).
Energia oricarui electron, conform modelului electronului liber, este data
de relat ia (7.17). Deoarece electronii sunt particule de spin semintreg, ei se
supun principiului de excluziune Pauli: ntr-o stare caracterizata de acelasi
set n
x
, n
y
, n
z
, pot exista cel mult doi electroni cu spin antiparalel. Dis-
punerea electronilor pe diferite nivele de energie este statistica si depinde de
temperatura la care se gaseste cristalul.
Vom analiza doua situat ii distincte: T = 0K si T > 0K
1. T = 0K
La zero absolut sistemul se va gasi n congurat ia care realizeaza energia
mini-ma posibila. Conform principiului de excluziune Pauli, nu este posibil ca
tot i electronii sa se gaseasan starea cu energia cea mai mica, corespunzatoare
valorii minime a modulului vectorului de unda. Deci, pornind de la starea
de energie minima, electronii vor ocupa starile permise pana la un anumit
n (n
x
, n
y
, n
z
) care se noteaza cu n
F
si caruia i corespunde energia numita
energia Fermi E
F
.
Asadar, daca N
e
este numarul total de electroni de conduct ie din metal,
acesta este legat de numarul N
s
de stari din spat iul k cu energia E < E
F
prin
relat ia N
e
= 2N
s
, unde factorul 2 t ine cont de spinul electronului. Cum N
e
este un numar foarte mare, energia ultimului nivel ocupat poate destul de
13
mare chiar si la zero absolut, situat ie imposibila pentru un gaz de particule
clasice. De fapt, n cazul clasic,la zero absolut tot i electronii s-ar aa pe
nivelul cu energia cea mai joasa. Analizand nsa particule cuantice de spin
semintreg, nu pot exista mai mult de doi electroni pe aceasi stare si, deci,
chiar la zero absolut se vor gasi electroni pe nivele de energie mai mare.

In gura 7.6 este prezentata, ntr-o singura dimensiune, o schematizare a

nivelelor energetice electronice ocupate la zero absolut.
Fig.7.6
Diferent a dintre adancimea V
0
a gropii de potent ial si energia ultimului
nivel ocupat se numeste lucru mecanic de extract ie al metalului si core-
spunde energiei minime care trebuie furnizata unui electron pentru a extras
din metal:
= V
0
E
F
.7.24 (25)
Pentru a calcula E
F
consideram, n spat iul vectorilor de unda, sfera de raza
|k
F
| = k
F
, numita raza sferei Fermi, corespunzatoare nivelului E
F
. Aceasta
sfera cont ine un anumit numar de stari,adica de vectori k, ecareia asociindu-
se doi electroni cu spinul opus. Deoarece tot i electronii din metal au energia
mai mica decat E
F
, numarul de stari va N
s
= N
e
/2. Dar N
s
trebuie sa e
egal si cu raportul dintre volumul sferei si volumul ocupat de o stare:
N
s
=
N
e
2
=
4
3
k
3
F
_
2
L
_
3
=
4V k
3
F
3(2)
3
k
3
F
= 3
N
e
V

2
k
F
= (3
2
n
e
)
1/3
, 7.25 (26)
unde n
e
reprezinta concentrat ia electronilor de conduct ie, n
e
=
N
e
V
.
Utilizand relat ia dintre energie si numarul de unda, se obt ine urmatoarea
expresie pentru energia nivelului Fermi:
E
F
=

2
2m
(3
2
n
e
)
2/3
.7.26 (27)
Asa cum se observa, E
F
depinde numai de concentrat ia de electroni si este
o caracteristica a metalului. Cateva valori tipice:
k
F
1 10
8
cm
1
E
F
5eV.
Dupa modul n care a fost denita E
F
putem arma ca la zero absolut toate
starile cu energia mai mica decat E
F
sunt ocupate iar cele cu energia mai
14
mare decat E
F
sunt libere.

In spat iul k este denita o suprafat a Fermi care
reprezinta conturul sferei Fermi de raza k
F
.
Fig.7.7
2. T > 0K
La o temperatura mai mare decat zero absolut trebuie sa luam n con-
siderare si energia de agitat ie termica care se adauga energiei de origine pur
cuantica, astfel ncat electronii pot ocupa stari cu energia mai mare dec at
E
F.
.

Inainte de a calcula numarul de electroni care ocupa starile de mai sus,

sa facem cateva observat ii calitative. Pentru E
F
5eV si kT
1
40
eV (la
temperatura camerei), distribut ia de energie nu poate varia semnicativ la
temperaturi obisnuite. La cresterea temperaturii, numai electronii cu energi-
ile apropiate de E
F
pot ocupa starile cu E > E
F
deoarece energia termica
nu este destul de mare pentru a ajuta electronii cu energia cea mai mica sa
ocupe o stare libera cu E > E
F
. Deci, variat ia lui D(E) n funct ie de E va
arata astfel:
Fig.7.8
unde starile neocupate cu energia mai mica decat E
F
trebuie, evident, com-
pensate de starile ocupate cu E > E
F
. Efectul creste la cresterea tempera-
turii.
Pentru a descrie riguros acest fenomen trebuie sa gasim o expresie care sa
exprime numarul de electroni care au energia cuprinsa ntr-un interval bine
determinat atunci cand metalul este la temperatura T.
Atunci cand sistemele sunt alcatuite dintr-un numar mare de particule,
modul de dispunere a acestor particule pe nivelele de energie permise variaza
n funct ie de caracteristicile proprii ale particulelor. Probabilitatea ca o par-
ticula a sistemului sa se ae pe nivelul de energie E la temperatura T este
descrisa de o funct ie de distribut ie f(E, T).
1. Sistemele de particule discernabile sunt descrise de statistica Maxwell-
Boltzmann.
Funct ia de distribut ie f
MB
(E, T) care descrie un sistem de particule cla-
sice discernabile este data de expresia studiata n statistica clasica:
f
MB
(E, T) = Ae
E/kT
, 7.27 (28)
unde A este o constanta de normare care depinde de numarul de particule
prezente.
Ecuat ia (7.27) a fost obt inuta facandu-se ipoteza ca particulele identice
(de exemplu, electronii cu acelasi spin) sunt discernabile. Aceasta presupune
15
este adevarata pentru particulele care se supun legilor mecanicii clasice dar
nu este adevarata pentru particulele cae se supun legilor mecanicii cuantice.
Sa consideram, de exemplu, un sistem format din doua particule identice,
adica cu aceasi masa, sarcina, spin, etc. (1 si 2), (vezi Fig.7.9). Clasic, daca
se masoara pozit ia init iala la t
0
, putem identica ecare particula; la orice
moment ulterior, miscarea lor se desfasoara de-a lungul unor traiectorii bine
determinate si, deci, se poate stii ntotdeauna care este particula 1, respectiv
care este particula 2. Cuantic, sistemul este descris de o funct ie de unda; daca
se masoara pozit ia n momentul t
0
si se gaseste pentru particula 1 pozit ia
r
1
si pentru particula 2 pozit ia r
2
, conform principiului de nedeterminare
Heisenberg impulsul este complet nedeterminat; n orice moment succesiv,
nu va exista un echivalent al traiectoriei clasice.
O noua masuratoare de pozit ie poate indica doua noi valori r

1
si r

2
, dar
nu va exista nici o indicat ie referitoare la care dintre cele doua particule se
aa n r

1
,respectiv n r

2
. Cu alte cuvinte, daca schimbam pozit iile celor doua
particule, aceasta schimbare nu poate evident iata experimental. Asadar,
n mecanica cuantica particulele identice sunt indiscernabile.
Fig.7.9
Sistemele de particule identice indiscernabile, adica descrise de legile
mecanicii cuantice, sunt de doua feluri, cu proprietat i mult diferite.
2. Sistemele de particule indiscernabile cu spin semintreg (fermioni),
care verica principiul de excluziune Pauli, sunt descrise de statistica Fermi-
Dirac. Funct ia de distribut ie corespunzatoare f
FD
(E, T), care reprezinta
probabilitatea ca o particula sa ocupe nivelul de energie E la temperaturaT
este data de
f
FD
(E, T) =
1
1 +e
EE
F
kT
, 7.28 (29)
unde E
F
este energia nivelului Fermi care se obt ine impunand condit ia de
normare a funct iei de distribut ie.
Se verica usor faptul ca, pentru E < E
F
si E
F
E kT, funct ia de
distribut ie (7.28) este practic egala cu 1 (e
(EE
F
)/kT
1 n relat ia (7.28)).
Daca E > E
F
si E E
F
kT, funct ia de distribut ie tinde la zero.
3. Sistemele de particule indiscernabile cu spin intreg (bozoni) sunt de-
scrise de statistica Bose-Einstein:
f
BE
(E, T) =
1
e
E
kT
1
, 7.29 (30)
unde se determina din condit ia de normare.
16
Cum caracteristica ce impune tipul de statistica ce poate descrie sis-
temele de particule identice indiscernabile este spinul, apare evident faptul ca
funct iile de distribut ie f
FD
(E, T) si f
BE
(E, T) sunt pentru particule cuantice.
Se poate verica usor ca pentru energii foarte mari (E E
F
sau E ),
atat f
FD
cat si f
BE
tind la f
MB
, adica la limita n care particulele cuantice
se comporta ca si particulele clasice, statistica folosita este cea clasica.

Intorcandu-ne la problema noastra legata de modul n care se dispun

electronii de conduct ie ai unui metal pe nivelele de energie permise la o tem-
peratura T > 0K, este evident ca funct ia de distribut ie care exprima proba-
bilitatea ca un electron sa aiba energia E la temperatura T este f
FD
(E, T),
electronii avand spinul 1/2.
Sa analizam expresia f
FD
(E, T) data de ralat ia (7.28). La T = 0K, f
FD
are doua valori:
f
FD
(E, T) = {
1pentruE < E
F
0pentruE > E
F
7.30 (31)
si are forma de treapta ca n gura 7.10.
Fig.7.10
Asadar, regasim rezultatul pentru T = 0K din moment ce probabilitatea
ca un electron sa aiba E < E
F
este 1 iar probabilitatea de a avea E > E
F
este zero; cu alte cuvinte, la T = 0K toate nivelele cu energia mai mica
decat E
F
sunt ocupate, n timp ce toate nivelele cu energia mai mare dec at
E
F
sunt libere.

In gura 7.10 este reprezentata f
FD
(E, T) si pentru alte doua
temperaturi T
2
< T
1
.
Sa notam faptul ca oricare ar temperatura T > 0K, f
FD
(E = E
F
, T) =
1
2
. Putem,asadar, da o noua denit ie nivelului Fermi, ca ind acel nivel de
energie care are probabilitatea 1/2 de a ocupat, pentru orice temperatura
T > 0K. Asa cum o sa constatam, aceasta denit ie are avantajul de a
valabila nu numai pentru metale, dar si pentru semiconductori.

In metale,
E
F
este si nivelul de energie maxima permisa la T = 0K, asa cum am vazut
deja.
O alta observat ie importanta este ca intervalul de energie centrat n E
F
n care f
FD
(E, T) difera semnicativ de f
FD
(E, T = 0K) este de ordinul a
cat iva kT.

In gura 7.10, daca pentru E
F
luam o valoare rezonabila pentru
metale (de exemplu, E
F
= 5eV ), se observa imediat faptul ca, la temperatura
camerei (T
1
40
eV 0.026eV ), nu este prea mare diferent a dintre curba
punctata si cea continua corespunzatoare distribut iei reale.
17

In acest mod cunoastem atat densitatea de stari data de relat ia (7.23)

cat si probabilitatea ca un electron sa ocupe o stare data de relat ia (7.28);
putem, asadar, calcula numarul de electroni, pe unitatea de volum de metal,
care au o energie bine determinata E la temperatura T. De fapt, numarul
de electroni dN
e
pe unitatea de volum cu energia cuprinsa ntre E si E +dE
este egal cu de doua ori numarul de stari permise ocupate cuprinse ntre E
si E + dE pe unitatea de volum; acesta la randul sau, este egal cu produsul
dintre densitatea de stari permise pe unitatea de volum si probabilitatea de
ocupare a unei stari:
dN
e
(E, T) = 2D

(E)f
FD
(E, T)dE.7.31 (32)

In gura 7.11 sunt reprezentate D

(e) si f
FD
(E, T) n funct ie de E.
Fig.7.11.
Gracul produsului lor este reprezentat n gura 7.12.
FIG7.12
Integrand relat ia (7.31) pe ntreg intervalul de energie se obt ine numarul
n
e
de electroni pe unitatea de volum (concentrat ia electronilor de conduct ie):
n
e
=
_
dN
e
(E, T) =

_
0
2D

(E)f
FD
(E, T)dE =
2
(2)
2
_
2m

2
_
1/2

_
0
E
1/2
dE
1 +e
EE
F
kT
.7.32
(33)

In general, n
e
se determina experimental si, utilizand relat ia (7.32) se poate
determina valoarea E
F
precum si dependent a ei de temperatura.

In acest
mod se gaseste ca, la temperaturi obisnuite, E
F
depinde slab de temperatura
si coincide, practic, cu valoarea calculata la T = 0K (7.26).
Ca o simpla aplicat ie, putem calcula energia medie E a electronilor de
conduct ie dintr-un metal. Energia totala E
tot
a tuturor electronilor de conduct ie
este:
E
tot
=

_
0
2ED(E)f
FD
(E, T)dE.7.33 (34)
Energia medie pe electron E este data de energia totala mpart ita la numarul
total de electroni:
E
tot
N
tot
, 7.34 (35)
18
adica
E =

_
0
2ED(E)f
FD
(E, T)dE

_
0
2D(E)f
FD
(E, T)dE
7.35 (36)
f
FD
(E, T) poate aproximata, asa cum am vazut deja, cu o funct ie treapta
pentru o temperatura obisnuita iar relat ia (7.35) se poate aproxima cu:
E =
E
F
_
0
ED(E)dE
E
F
_
0
D(E)dE
=
A
E
F
_
0
E E
1/2
dE
A
E
F
_
0
E
1/2
dE
=
E
F
_
0
E
3/2
dE
E
F
_
0
E
1/2
dE
=
3
5
E
F
.7.36 (37)
Cu toate ca este foarte simplu, modelul electronului liber poate explica
multe rezultate experimentale (calduri specice, paramagnetism, emisia ter-
moionica, etc).

Insa, cu acest model nu se poate explica fenomenul de
conduct ie electrica care apare atunci cand metalul este supus act iunii unui
camp electric extern. Cu mici modicari ale modelului vom vedea ca se poate
explica conductibilitatea electrica a metalelor
7.6 Conduct ia electrica n metale
Daca un conductor nu este supus act iunii unui camp electric extern, elec-
tronii sai de conduct ie se distribuie pe nivelele de energie permise pana la
valoarea maxima E
F
, riguros daca T = 0K. si aproximativ pentru T > 0K
(variat ia este mica pentru T > 0 rezonabile). Pentru a nt elege mecan-
ismul conduct iei este mai util sa folosim metoda Born von Karman n
locul aproximat iei undelor stat ionare ntr-o groapa de potent ial. Cu aceasta
metoda se observa imediat ca exista tot atatea stari ocupate cu vectorul k
pozitiv cate sunt ocupate cu k negativ. Adica, pentru ecare electron care
se deplaseaza ntr-o anumita direct ie cu o viteza bine determinata exista un
alt electron care se deplaseaza n sens opus, dar cu aceeasi viteza.

In medie,
viteza rezultanta este nula si, deci, nu exista curent electric.
Atunci cand metalul este supus act iunii unui camp electric extern, trebuie
rezolvata ecuat ia Schrodinger pentru un potent ial descris n gura 7.13 care
19
este, asa cum se poate observa, similar potent ialului folosit n metoda Born
von Karman.
FIG.7.13
Solut ia acestei probleme este complicata, dar pe noi ne interereseaza nu-
mai sublinierea faptului ca n acest caz este favorizata propagarea undelor
n sens negativ al axei x.

In timp ce pentru potent ialul constant numarul
de stari cu k < 0 ocupate coincide cu numarul de stari cu k > 0 ocupate,
acum acest lucru nu mai este adevarat: la un anumit moment de timp t dupa
aplicarea campului electric extern, situat ia n care se aa sistemul poate
reprezentata ca n gura 7.14.
FIG.7.14
Problema acestui model este ca diferent a dintre valorile pozitive si nega-
tive ale vectorului de unda creste liniar cu timpul, pana la valori foarte mari.
O modalitate cvasi-clasica de abordare a acestei probleme consta n faptul ca
atunci cand se aplica un camp electric E, ecare electron al metalului simte
act iunea unei fort e F=-eE. Daca presupunem ca aplicarea campului extern
se face pe direct ia x, atunci
F =
dV (x)
dt
=
dp
dt
=
dk
dt
= eE7.37 (38)
Prin integrarea relat iei (7.37) rezulta:
k = k(t) k(t = 0) =
eEt

7.38 (39)
adica k creste liniar cu timpul aplicarii campului electric extern.
Aceeasi problema o putem aborda si ntr-o maniera diferita, asa cum am
ilustrat n gura 7.15.
FIG.7.15

In absent a unui camp electric exista o distribut ie izotropa de vectori de

unda k corespunzatori starilor ocupate, pana la valoarea k
F
care se aa
pe suprafat a sferei Fermi (suprafat a Fermi). Dupa un timp t de la apli-
carea c ampului, ecare vector de unda este translatat cu k, echivalent cu
deplasarea ntregii sfere Fermi (desenul din dreapta Fig.7.15). Distribut ia
starilor ocupate nu mai este izotropa si, daca facem media vitezelor tuturor
electronilor, aceasta este diferita de zero si, deci, va exista un curent electric.
Sa ncercam sa nt elegem mai bine ce nseamna ca electronii de conduct ie
dintr-un metal au un comprtament cuantic, cum este cu sigurant a adevarat
20
dim moment ce au energiile de origine pur cuantica mult mai mare decat ener-
gia termica kT.

In spat iul vectorilor k, suprafat a de ecuat ie E
F
=

2
k
2
F
2m
separa
starile ocupate (din interiorul sferei Fermi) de cele libere (din exteriorul sferei
Fermi). deoarece n modelul nostru am presupus potent ialul constant n
interiorul metalului, ecare electron trebuie sa se ae ntr-o stare descrisa
de funct ia proprie
k
(r) = Ae
ikr
(unda plana monocromatica). Stim, nsa,
ca aceasta funct ie nu poate descrie starea reala a unui electron, descrierea
corecta ind data de suprapunerea tuturor funct iilor
k
(r) cu diferit i k, de
exemplu variind ntr-un interval mic, [k
0
k, k
0
+ k]. Funct ia de unda
rezultanta este pachetul de unde de forma
(r,t) =
k+k
_
kk
Ae
i(krt)
dk.7.39 (40)
Acestui pachet de unde i corespunde o viteza de grup scrisa n forma unidi-
mensionala ca
v
g
=

d
dk

k=k
0
=
1

dE
dk

k=k
0
=
k
0
m
7.40 (41)
si pe care o vom considera ca viteza proprie a unui electron.
Relat ia (7.40) arma ca ntr-un metal viteza pe care o are un electron
aat ntr-o stare denita de (7.39) este proport ionala cu vectorul de unda.
Cu toate ca v
g
nu este o viteza n sensul clasic (adica, nu se poate exprima
ca
dr
dt
deoarece pozit ia nu poate determinata cu precizie), putem folosi
rat ionamentul care ne-a condus la relat ia (7.37) si, deci, la (7.38) ca si n
cazul clasic.
Problema acestui model al gazului de electroni care se misca liberi n
metal, atat din punct de vedere clasic cat si cuantic, este ca n prezent a
unui camp electric extern are loc o deplasare continua a sferei Fermi n timp.
Acest lucru contrazice legea lui Ohm conform careia, dupa un timp sucient
de lung se stabileste un curent constant n interiorul metalului. La limita,
relat ia (7.38) poate conduce la un rezultat absurd: cresterea innita a lui k
nseamna o viteza v > c.
Aceasta dicultate se poate depasi introducand n model ciocnirile asa
cum s-a facut si clasic.

In acest caz, termenul ciocnire va avea o semnicat ie
mai larga, de interact ie a electronilor cu variat ia de potent ial din interiorul
metalului. Ipotezele facute n modelul electronului liber se modica astfel:
21
i) ionii nu sunt csi n pozit iile lor de echilibru;
ii) potent ialul pe care l produc nu este perfect periodic si constant n
timp.
Astfel, electronii care se gasesc ntr-o stare k bine denita sufera cicniri
care le schimba starean k

, stare care nu este legata prin nici un fel de relat ie

cu vectorul k al starii precedente; efectul campului exista numai pentru un
timp dintre doua ciocniri, si nu pe toata durata n care este aplicat campul
extern.
Sa presupunem ca electronii parcurg o distant a l (drum liber mediu) ntre
doua ciocniri. Deoarece starile libere se gasesc cu usurint a n apropierea
suprefet ei Fermi, putem considera ca viteza electronilor este v
F
, corespunzatoare
energiei Fermi. v
F
, comparata cu orice modicare de viteza care poate
produs a de un camp electric extern de intensitate rezonabila (adica, infe-
rior campului de strapungere a materialului!) este foarte mare ( 10
6
m/s),
astfel ncat putem presupune ca modulul vitezei electronului ramane practic
nemodicat ntre doua ciocniri; timpul dintre doua ciocniri succesive este
aproximativ un timp mediu dat de relat ia
=
l
v
F
7.41 (42)
si (7.38) devine
k =
eE

=
eEl
v
F
.7.42 (43)
Asadar, viteza medie pe care o vor avea electronii n prezent a unui camp elec-
tric extern (care, atunci cand se analizeaza conduct ia electrica n materialele
conductoare este numita viteza de drift v
d
) este
v
d
=
eE
m
, 7.43 (44)
si verica relat ia k =mv
d
.
Folosind expresia densitat ii de curent J = nev
d
se obt ine imediat ex-
presia rezistivitat ii unui metal:
=
mv
F
n
e
e
2
l
=
m
n
e
e
2

, 7.44 (45)
unde n
e
este concentrat ia electronilor de conduct ie.
Subliniem faptul ca relat ia (7.44) este formal identica cu cea obt inuta
utilizand modelul clasic al gazului de electroni, cu o deosebire nsa.

In cazul
22
clasic, n locul vitezei Fermi apare viteza termica care este data de statistica
Maxwell Boltzman (v
T
(3kT/2m)
1/2
.

In cazul cuantic, nsa, apare
viteza Fermi v
F
care nu depinde de temperatura.
Daca potent ialul n care se aa electronii ar fost riguros periodic, se
poate demonstra ca nu ar exista ciocniri. Deci, pentru a discuta conduct ia
n metale sau, echivalent, rezistivitatea electrica, trebuie sa t inem cont de
imperfect iunile care distrug periodocitatea cristalului.
Imperfect iunile mai importante sunt de doua tipuri:
1. Vibrat iile termice ale ret elei care mpiedica ionii sa se ae n nodurile
ret elei n acelasi timp. Acest tip de imperfect iuni sunt ntotdeauna prezente
daca temperatura este diferita de zero absolut.
2. Impuritat i, adica atomi diferit i de cei ai bazei cristalului.
7.7. Semiconductoare
Modelul electronului liber care explica destul de bine comportarea elec-
tronilor de conduct ie ntr-un metal, nu permite nt elegerea faptului ca unele
solide sunt buni conductori n timp ce altele sunt izolatoare.
Pentru a explica aceste lucruri trebuie sa abandonam ipoteza ca potent ialul
este constant n interiorul cristalului.

Inainte de a face acest pas, sa rezumam
rezultatele importante obt inute cu modelul electronului liber:
1. funct iile proprii sunt de tipul:

k
(r) = Ae
ikr
7.45 (46)
si reprezinta unde deplasandu-se cu impulsul p =k.
2. valorile permise ale energiei sunt distribuitentr-un mod cvasi-continuu
de la 0 la si sunt:
E
|k|
=

2
2m
(k
2
x
+k
2
y
+k
2
z
) =

2
k
2
2m
.7.46 (47)
3. valorile lui k sunt cuanticate si, cu condit iile periodice la limita, au
expresiile:
k
x
= n
x
2
L
x
, k
y
= n
y
2
L
y
, k
z
= n
z
2
L
z
, 7.47 (48)
cu n
x
, n
y
, n
z
numere ntregi.
23
Sa vedem cum se schimba rezultatele 1, 2 si 3 (exprimate de ecuat iile 7.45,
7.46 si 7.47) daca t inem cont de periodicitatea potent ialului care, desigur,
este legata de periodocitatea ret elei cristaline:
V (r +t) =V (r), 7.48 (49)
unde vectorul t a fost denit la nceputul capitolului. Potent ialul poate
reprezentat prin repetarea unei funct ii denita pe celula elementara a ret elei.
Deoarece toate celulele elementare sunt congruente, pentru electron nu este
atat de importanta pozi-t ia sa fat a de originea sistemului de referint a ales
cat pozit ia sa n interiorul celulei n care se aa.
Se poate demonstra ca amplitudinea funct iei proprii este periodica cu
perioada ret elei iar partea spat iala a funct iei de unda a unui electron ntr-o
ret ea periodica are forma:

k
(r) =u(r)e
ikr
, u(r +t) =n(r)7.49 (50)
(r) data de relat ia (7.49) se numeste unda Bloch. Solut iile generale ale
ecuat iei starilor stat ionare

2
2m

2
(r)+V (r)(r) =E(r)7.50 (51)
cu V (r) periodic cu periodicitatea ret elei cristaline (V (r +t) =V (r)) sunt de
tipul ecuat iei (7.49).
Ecuat ia (7.50) este dicil de rezolvat; n paragraful urmator vom gasi o
solut ie n cazul n care V (r) are o expresie simpla. Acum, fara demonstrat ii,
vom enunt a si comenta rezultatele semnicative n cazul unidimensional, ex-
tinderea la cazul tridimensional ind imediata.
Consideram o ret ea de dimensiune nita (L) si e a dimensiunea celulei
elementare. Rezulta, deci, ca aceasta ret ea este alcatuita din N celule cu
N = L/a, 7.51 (52)
asa cum este reprezentat schematic n gura 7.16.
FIG.7.16
Fiecare celula elementara cont ine un atom. Condit iile la limita periodice
pe care le verica funct ia de unda sunt:
(x +L) = (x +Na) = (x).7.52 (53)
24
Cum solut ia ecuat iei Schrodinger este o unda Bloch, atunci
(x +Na) = e
ikNa
(x)7.53 (54)
si
e
ikNa
= 1 k =
2m
Na
=
2m
L
, 7.54 (55)
unde m este un numar ntreg.
Ca prima concluzie, aceasta condit ie de cuanticare a vectorilor de unda
coincide cu cea gasita anterior pentru conductoare, n ipoteza potent ialului
constant. Relat ia (7.54) exprima faptul ca, la fel ca n modelul electronului
liber, impunand condit iile la limita gasim cuanticarea valorilor posibile ale
vectorilor de unda. Deoarece valorile lui k sunt cuprinse n intervalul

a
<
k <

a
, putem gasi intervalul n care variaza m:

a
<
2m
a
<

a

N
2
< m <
N
2
.7.55 (56)

In consecint a, numarul vectorilor de unda permisi din prima zona Brillouin

este N, adica este egal cu numarul de atomi sau cu numarul de celule ele-
mentare care alcatuiesc cristalul. Se poate verica imediat ca numarul de
valori mntregi cuprinse n intervalul (N/2, N/2) este N.
A doua concluzie, care exprima diferent a fundamentala dintre teoria elec-
tronului liber si teoria potent ialului periodic, consta n relat ia dintre en-
ergie E si vectorul de unda k.

In primul caz, aceasta relat ie este o funct ie
parabolica data de ecuat ia (7.46).

In cel de al doilea caz, pentru o aceeasi

valoare a lui k, E poate avea mai multe valori, formandu-se astfe benzi de
energie permisa si interzisa.

In cazul unidimensional, relat ia dintre E si k
este reprezentata schematic n gura 7.17.
FIG.7.17
Se observa ca pentru aceeasi valoare a lui k exista mai multe stari de
energie diferita si ca sunt si anumite valori de energie pe care sistemul nu
poate sa le aiba (intervale de energie interzise). Caracteristica principala este
ca toate curbele se repeta dupa un interval
2
a
care, asa cum am vazut deja,
este vectorul de baza al ret elei reciproce; asadar, ne putem limita la studiul
acestor curbe n intervalul corespunzator primei zone Brillouin. Intervalele
de energie separate de un interval interzis se numesc benzi de energie permise,
n timp ce distant a n energie dintre doua benzi permise succesive se numeste
banda interzisa de energie. Pentru orice valoare a lui k exista mai multe valori
25
permise pentru E, n ecare banda cate o valoare. Descrierea este complicata
daca de ecare data consideram toate curbele, asa cum sunt reprezentate n
gura7.17. Se pot obseva valorile lui k distant ate cu un multiplu ntreg al
vectorului ret elei reciproce (2/a) ce corespund acelorasi funct ii proprii si,
deci, ce corespund acelorasi valori proprii ale energiei. Asadar, pentru ecare
banda de energie permisa ne putem limita la considerarea numai a unuia sau
a mai multor intervale nite de valori ale lui k. O alegere care se foloseste n
mod frecvent si care este cunoscuta sub denumirea de schema zonelor extinse
este reprezentata schematic n gura 7.18.
FIG.7.18
Valorile cele mai mici ale lui k ce corespund primei zone Brillouin sunt
n banda cu energia cea mai joasa; intervalele de la k =

a
la k =
2
a
si de la
k =

a
la k =
2
a
corespund celei de-a doua benzi de energie, si asa mai
departe. Pentru comparat ie, pe diagrama din Fig.7.18 este trasata punctat si
curba parabolica corespunzatoare relat iei E =

2
k
2
2m
din modelul electronului
liber.
Subliniem faptul ca aceasta reprezentare mai simplicata este numita
zona redusa (gura 7.19) care prezinta toate benzile de energie n intervalul
[

a
,

a
].
FIG7.19
Funct ia E(k), asa cum se observa n gura, practic coincide cu parabola
din modelul electronului liber pentru valori k aate n centrul zonei Brillouin,
dar difera sensibil la margini (k

a
).

In paragraful urmator vom verica faptul ca solut ia ecuat iei Schrodinger

(7.50) conduce la aparit ia benzilor de energie. Deoarece aceasta problema
este destul de dicila ne vom limita la cazul unidimensional si la aproxi-
marea potent ialului periodic cu un potent ial discontinuu constituit din gropi
si bariere dreptunghiulare, care au periodicitatea cristalului (modelul Kron-
ing Penney).
7.8 Modelul Kroning Penney
Ecuat ia starilor stat ionare pe care trebuie sa o rezolvam este (7.50) tran-
26
scrisa n cazul unidimesional:

2
2m
d
2

dx
2
+V (x)(x) = E(x)7.56 (57)
cu V (x) periodic cu perioada ret elei.
Solut ia ecuat iei (7.56) depinde mult de forma exacta a potent ialului V (x).
Pentru un cristal unidimensional schematizat ca o ret ea de N atomi aat i la
distant a a unul fat a de altul, daca a ar mare, atomii vecini nu intereact ioneaza
si potent ialul n care se aa ecare atom ar cel corespunzator atomului izo-
lat, asa cum se poate observa n gura 7.20.

In aceste condit ii un electron
care se aa n vecinatatea unui atom (sau, mai corect, a uni ion), simte nu-
mai atract ia coulombiana din partea acestuia.

In consecint a, electronii care
apart in unui atom raman legat i ntr-o regiune mica din apropierea atomului
iar nivelele energetice sunt mult asemanatoare cu cele ale atomului izolat.
FIG.7.20

In cristalele reale nsa distant ele dintre atomi sunt de ordinul a catorva

A, asa ncat un electron care se aa n apropierea unui atom din ret ea simte
si atract ia din partea altor atomi. Potent ialul real rezultant este de forma
celui din gura 7.21.
FIG.7.21
Caracteristica fundamentala a acestui potent ial este de a minim n
punctele n care sunt pozit ionat i atomi, si maxim la mijlocul distant ei din-
tre doi atomi vecini si se repeta periodic n spat iu. Expresia analitica a
potent ialului real nu este simpla si, prin urmare, este dicila rezolvarea exacta
a ecuat iei starilor stat ionare.

Insa, proprietat ile esent iale ale potent ialului
pot aproximatentr-un mod acceptabil utilizand potent ialul Kronig-Penney
a carui forma este prezentata n gura 7.22.
FIG7.22
Desigur, cu acest model se pot analiza si metalele, dar pe noi ne intere-
seaza n mod special pentru semiconductoare din moment ce pentru metale
funct ioneaza bine modelul electronului liber.
Consideram ca nivel zero energia fundului gropii si rezolvam ecuat ia (7.56)
pentru un electron care are energia E < V
0
. Solut iile ecuat iei trebuie sa e
de forma:
(x) = u(x)e
ikx
, cuu(x +a) = u(x).7.57 (58)
Ecuat ia (7.56) are o forma diferita n intervalele cu potent ial constant, adica
ntre doua zone: groapa si treapta. Cum solut iile sunt periodice cu perioada
27
spat ial a a, ne putem limita doar la considerarea intervalului [b, l] (gura
7.23).
FIG.7.23
i) n intervalul [0, l], V (x) = 0

2
2m
d
2

dx
2
= E

+
2
= 0, cu
2
=
2mE

2
7.58 (59)
ii) n intervalul [b, 0], V (x) = V
0

2
2m
d
2

dx
2
+V
0
= E

2
= 0, cu
2
=
2m(V
0
E)

2
.7.59 (60)

In ecuat ia (7.58) nlocuim expresia lui (x) data de (7.57):

d
2
dx
2
_
u(x)e
ikx

+
2
u(x)e
ikx
= 0
d
dx
_
d
dx
u(x)e
ikx
_
+
2
u(x)e
ikx
= 0
d
dx
_
u

(x)e
ikx
+iku(x)e
ikx

+
2
u(x)e
ikx
= 0
u

(x)e
ikx
+iku

(x)e
ikx
+iku

(x)e
ikx
k
2
u(x)e
ikx
+
2
u(x)e
ikx
= 0

Impart ind relat ia de mai sus prin e

ikx
obt inem:
u

1
(x) + 2iku

1
(x) + (
2
k
2
)u
1
(x) = 0, 7.60 (61)
unde am notat funct ia u(x) cu indicele 1 (u
1
(x) = u(x)) pentru a deosebi
aceasta funct ie de cea relativa la cazul ii).

In mod similar, ecuat ia (7.59) devine:

u

2
(x) + 2iku

2
(x) + (
2
+k
2
)u
2
(x) = 0.7.61 (62)
Ecuat iile (7.60) si (7.61) sunt ecuat ii diferent iale liniare, omogene si cu coecient i
constant i ale caror solut ii generale sunt:
u
1
(x) = Ae
i(k)x
+Be
i(+k)x
7.62 (63)
u
2
(x) = Ce
(ik)x
+De
(+ik)x
, 7.63 (64)
28
unde u
1
(x) reprezinta amplitudinea funct iei (x) n intervalul [0, l] si u
2
(x)
reprezinta amplitudinea (x) n intervalul [b, 0].
De fapt, solut iile ecuat iilor (7.60) si (7.61) sunt de tipul u
i
(x) = e
i
i
x
, cu
i = 1, 2 si, n cazul nostru particular conduc la relat iile
_

2
1
u
1
+ 2i
1
ku
1
+ (
2
k
2
)u
1
= 0

2
2
u
2
+ 2i
2
ku
2
(
2
+k
2
)u
2
= 0

2
1
e
i
1
u
+ 2i
1
ke
i
1
u
+ (
2
k
2
)e
i
1
u
= 07.64 (65)

2
2
e
i
2
u
+ 2i
2
ke
i
2
u
(
2
+k
2
)e
i
2
u
= 07.65 (66)

Impart ind relat iile de mai sus prin e

i
1
x
, respectiv e
i
2
x
obt inem:
_

2
1
+ 2i
1
k + (
2
k
2
) = 0

2
2
+ 2i
2
k (
2
+k
2
) = 0

1
= ik
_
k
2
(
2
k
2
) = ik

2
= ik i
_
i(k +)
i(k )

2
= ik
_
k
2
(
2
+k
2
) = ik
_

2
=
_
ik +
ik
Substituind solut iile obt inute, gasim ca u
1
(x) sunt de forma
e
i(k+)x

si e
i(k)x
iar solut ia generala este :
u
1
(x) = Ae
i(k)x
+Be
i(+k)x
7.66 (67)
Analog, pentru u
2
(x) se obt ine
u
2
(x) = Ce
i(ik)x
+De
(+ik)x
.7.67 (68)
Funct iile u
1
(x) si u
2
(x) trebuie sa se racordeze n punctul x = 0, adica
u
1
(x) = u
2
(x)7.68 (69)

du
1
(x)
dx

x=0
=

du
2
(x)
dx

x=0
.7.69 (70)
29
Pe langa aceasta, u(x) este periodica cu perioada a = l +b iar acest fapt cere
ca funct ia si derivata sa de ordinul ntai sa aiba aceeasi valoare n punctele
x = b si x = l care se gasesc la distant a a unul fat a de altul
u
2
(l) = u
2
(b)

du
1
dx

x=l
=

du
2
dx

x=b
7.70 (71)
Avem, asadar, de rezolvat un sistem omogen de 4 ecuat ii cu necunoscutele
A, B, C si D:
A +B = C +D
Ai( k) iB( +k) = C( ik) D( +ik)
Ae
i(k)l
+Be
i(+k)l
= Ce
(ik)b
+De
(+ik)b
Ai( k)e
i(k)l
Bi( +k)e
i(+k)l
=
= C( ik)e
(ik)b
D( +ik)e
(+ik)b
7.71 (72)
Sistemul are solut ii diferite de zero numai daca determinantul coecient ilor
necunoscutelor se anuleaza. Impunand aceasta condit ie se obt ine (trecand cu
termenii dependent i de k ntr-un membru si cu cei fara k n celalalt membru):

2
2
sinh(b) sin(l)+cosh(b) cos(l) = cos[k(l+b)] = cos ka.7.72 (73)
Cum
2
=
2mE

2
si
2
= 2m
(V
0
E)

2
, termenul din membru stang este o funct ie
de E astfel ncat se poate rescrie ecuat ia (7.72) sub forma:
F(E) = cos ka.7.73 (74)
Cum funct ia cosinus nu poate avea valori mai mici decat 1 si mai mari ca
1, sistemul are solut ii numai daca
1 F(E) 1.7.74 (75)
Condit iile (7.74) permit nt elegerea motivului existent ei intervalelor interzise
de e-nergie. De fapt, toate valorile de energie E pentru care funct ia F(E) are
modulul mai mare decat unu nu satisfac condit ia (7.74) si, deci, nu permit
rezolvarea ecuat iei starilor stat ionare, adica vor corespunde valorilor interzise
de energie.

In general, rezolvarea ecuat iei (7.72) este dicila, nsa caracteris-
ticile esent iale ale acestei probleme nu se modica daca vom considera un caz
30
particular mai simplu. Presupunem ca bariera este foarte ngusta (b 0) si
foarte nalta (V
0
), si ca produsul bV
0
tinde la o valoare constanta nita.
Cu aceste ipoteze se poate verica usor ca

_
2mV
0

2
; ; b 0.
sinh(b) b; cosh(b) 1;l = a b a.7.75 (76)
Cum produsul bV
0
tinde la o valoare constanta, si b
2
tinde la o constanta.

Inlocuind coecientul P =
2
ba/2, ecuat ia (7.75) poate rescrisa sub forma:
F() =
P
a
sin(a) + cos(a) = cos ka.7.76 (77)

In gura 7.24 am reprezentat gracul F() n funct ie de pentru valoarea

particulara P = 3/2. Toate intervalele cu valori ale lui ,respectiv ale
energiei E, pentru care funct ia este mai mica decat 1 sau mai mare ca +1
corespund intervalelor interzise de energie.
FIG7.24

In cazul general, axa energiei este divizata n intervale permise de energie

(benzi) separate ntre ele de intervale interzise de energie. b, l, V
0
sunt con-
stante care depind de material; deci, este clar ca F(E) se poate reprezenta
efectiv numai daca se cunosc proprietat ile specice ale solidului studiat.
Dependent a lui E n funct ie de k este aceea pe care am reprezentat-o n
paragraful anterior. Repetand aceeasi procedura de impunere a condit iilor la
limita periodice obt inem ca valorile posibile ale lui k sunt cuanticate (relat ia
7.54) n interiorul benzilor de energie permise. Numarul valorilor k permise
n oricare banda este egal cu numarul de celule elementare N sau, echivalent,
cu numarului de atomi (mai precis de ioni) care constituie cristalul. Cum
pe ecare stare pot exista doi electroni cu spin antiparalel, numarul total
de stari n ecare banda este 2N. Cu aceste rezultate putem nt elege de ce
exista metale, izolatoare si semiconductoare.
7.9. Metale, izolatoare si semiconductoare

In gura 7.25 este reprezentata dependent a lui E n funct ie de k n

convent ia zonelor extinse:
31
FIG.7.25
Sa consideram un cristal constituit din N atomi. Daca atomii sunt
monovalent i, exista N electroni externi. Cum ecare banda cont ine 2N stari,
aceasta nseamna ca electronii vor ocupa jumatatea de jos a primei benzi
(gura a), asa cum se ntampla n metale conform modelului electronului
liber. Daca atomii sunt bivalent i, atunci exista 2N electroni externi care vor
umple complet prima banda (gura b). Continuand aceasta schematizare
se obt ine reprezentarea din gura c si asa mai departe; n rezumat putem
spune:
atomimonivalent i primaband ajum atateocupat a
atomibivalent i primaband acompletocupat a
atomitrivalent i primaband aocupat a, adouajum atateocupat a
atomitetravalent i prima

siadouaband aocupate
.
.
.
.
.
.
Benzile joase complet ocupate de electroni se numesc benzi de valent a (n
unele cart i termenul banda de valent a se foloseste numai pentru ultima banda
total ocupata) n timp ce banda part ial ocupata sau libera imediat urmatoare
benzii de valent a se numeste banda de conduct ie. Distant a n energie dintre
maximul benzii de valent a si minimul benzii de conduct ie reprezinta largimea
benzii interzise si se noteaza cu E
g
(gap de energie).

In gura 7.26 este
prezentata o schema a nivelelor individuale ocupate de electroni la T = 0K.

In acest caz, electronii ocupa starile de minima energie posibila, adica ocupa
toate nivelele pana la nivelul Fermi. Schema a) se refera la un cristal cu
atomi cu numar impar de electroni de valent a iar b) la un cristal cu atomi
cu num ar par de electroni de valent a.
FIG.7.26
Prin aplicarea unui camp electric cristalului a), electronii din apropierea
nivelului de energie maxima au la dispozit ie nivele libere permise si, deci, cu
ajutorul energiei cinetice capatata sub act iunea campului extern pot trece pe
aceste nivele. Electronii se comporta ca particule cvasi-libere care creeaza un
curent de conduct ie. Un astfel de cristal se numeste conductor. Elementele
cu un numar impar de electroni de valent a sunt, evident, buni conducatori
electrici.
Daca nsa aplicam un camp electric cristalului b), nici un electron nu
poate accelerat n campul extern deoarece nivelele de energie imediat
urmatoare sunt n intervalul interzis de energie. Sub act iunea campului ex-
tern nu exista trecere de curent iar un astfel de material se numeste izolator.
32
Aceasta schema simplicata la maxim este contrazisa de materiale ca
magneziul, zincul, mercurul, etc, care, chiar ind alcatuite din atomi bivalent i,
sunt bune conductoare. Explicat ia este ca benzile de energie trebuie sa e
considerate n cazurile reale (bidimensionale sau tridimensionale), si nu re-
duse la o singura dimensiune. Cum periodicitatea potent ialului variaza cu
direct ia, si structura de benzi depinde de direct ia considerata; rezultatul este
ca banda interzisa de energie poate mult diferita n diferite direct ii pana la
disparit ia ei completa.
Putem acum verica ce se ntampla la T > 0K si, n particular, pentru
materiale izolante. Daca banda E
g
a materialului izolant (schema b) nu este
foarte larga, la cresterea temperaturii unii electroni pot depasi acesta banda
datorita agitat iei termice; electronii vor lasa libere stari de energie mai mare
din banda de valent a si vor ocupa stari permise de energie joasa din banda
de conduct ie care, la T = 0K, sunt complet libere. Pentru E
g
1eV , acest
fenomen se verica chiar la temperatura camerei, cristalul avand un num ar
mic de electroni n banda de conduct ie. Electronii din banda de conduct ie se
comporta ca niste electroni liberi deoarece banda de conduct ie nu este com-
plet ocupata si, deci, electronii si pot cresten mod continuu energia ocupand
nivelele energetice libere imediat urmatoare nivelelor ocupate. Asadar, sub
act iunea unui camp electric extern exista o trecere a curentului deoarece
acesti electroni au multe stari libere permise de energie mai mare n banda
de conduct ie. Un astfel de material se numeste semiconductor intrinsec.
La cresterea temperaturii creste agitat ia termica si, deci, un numar mai
mare de electroni pot depasi banda interzisa; conduct ia creste cu temper-
atura, n mod contrar cu ceea ce se ntampa n metale unde, la cresterea
temperaturii creste numarul de ciocniri, scade si creste.

In semiconduc-
toare, acest mecanism al ciocnirilor care conduce la o scadere a lui cu T
este prezent, dar este neglijabil fat a de cresterea exponent iala a numarului
de sarcini de conduct ie, la cresterea temperaturii. Semiconductoarele in-
trinseci tipice sunt siliciul si germaniul ; carbonul, n funct ie de structura
ret elei cristaline, poate atat izolator (diamantul) deoarece largirea E
g
a
benzii interzise este mult prea mare pentru a putea depasita la tempera-
turi obisnuite, cat si semiconductor (gratul).
Din reprezentarea schematica din gura 7.27 a benzilor de valent a (BV)
si a celor de conduct ie (BC) pentru un semiconductor intrinsec este evident
ca orice electron din BV care, datorita agitat iei termice trece n banda de
conduct ie, lasa o stare libera permisan BV; aceste stari libere din banda care
la T = 0K este plina se numesc goluri. Golurile se comporta ca particule cu
33
sarcina opusa celei a electronului. De fapt, daca se aplica un camp electric ex-
tern sistemului, electronii ramasi n banda de valent a pot ocupa starile libere
create ramanand totusi n aceeasi banda. Acest mecanism este echivalent cu
deplasarea golurilor n sens opus deplasarii electronilor n prezent a unui camp
extern, deci, golurile se comporta ca sarcini electrice de sens opus sarcinii
electronilor. Asadar, n semiconductoare conduct ia este datorita unor doua
tipuri de purtatori de sarcina: electronii cu sarcina e n banda de conduct ie
si golurilor cu sarcina +e n banda de valent a.
7.10. Relat ia dintre energie si vectorul de unda. Masa
efectiva
Revenim la relat ia dintre E si k n cazul potent ialului periodic si sa ne
ocupam n special de dependent a E(k) n apropierea maximului benzii de
valent a si al mini-mului benzii de conduct ie. Deoarece electronii care ne
intereseaza n special sunt aceia care se gasesc n apropierea nivelelor libere
de energie permise astfel ncat sa poata ocupa aceste nivele sub act iunea unui
camp extern si, deci, contribui la conduct ia electrica, ncercam sa nt elegem
mai bine comportamentul acestora.

In gura 7.28 este reprezentata schema
de benzi n zona redusa precum si semnul derivatei a doua a lui E n raport
cu k n diferite regiuni.
FIG.7.28
Vom analiza cazul unidimensional si, n jurul unui maxim sau al unui
minim,vom dezvolta E(k) n serie Taylor:
E(k) = E(0) +
_
dE
dk
_
k=0
k +
1
2
_
d
2
E
dk
2
_
k=0
k
2
+...7.77 (78)
Deoarece prima derivata este zero, rezulta ca:
E(k) E(0)
_
d
2
E
dk
2
_
k=0

k
2
2
=

2
2m

e
k
2
, 7.78 (79)
unde m

e
denita de relat ia
m

e
=

2
d
2
E
dk
2
7.79 (80)
34
se numeste masa efectiva a electronului. Daca electronul ar fost liber si nu
s-ar aat ntr-un potent ial periodic, energia electronului ar fost data
de expresia E =
2
k
2
/2m. Comparand aceasta relat ie cu ecuat ia (7.78)
se observa ca prezent a potent ialului periodic produce o variat ie aparenta
a masei electronului. Asadar, comportamentul electronului n apropierea
minimului benzii de conduct ie este echivalent cu acela al unei particule ctive
avand masa m

e
care se misca ntr-un potent ial constant. Se poate demonstra
efectiv faptul ca sub act iunea unui camp extern electronul se comporta ca si
cum ar avea masa m

e
.
Din relat ia (7.79) se observa ca m

e
are semnul derivatei a doua a lui
E n raport cu k si, asa cum se constata din gura de mai sus, m

e
este
pozitiva n apropierea unui minim si negativa n apropierea unui maxim a
lui E(k). Se poate nota cu usurint a ca masa efectiva denita se reduce, n
cazul electronilor liberi ntr-un metal, la masa proprie a electronului.
Masa efectiva negativa este dicil de nt eles la prima vedere; de fapt, ea
are semnicat ia faptului ca sub act iunea unui camp electric extern electronul
este ncetinit n interiorul cristalului unde, peste campul aplicat se suprapune
si potent ialul periodic. Masa efectiva nu este, asadar, un parametru intrinsec
caracteristic electronului asa cum este masa lui reala, ci un parametru care
depinde de mediul n care se misca electronul. Cu alte cuvinte, masa efectiva
ne permite trecerea de la ecuat ia reala de mscare:
e(E +E
p
) = m
dv
g
dt
, 7.80 (81)
unde E este campul extern aplicat, E
p
este campul intern periodic si v
g
este viteza de grup a pachetului de unde asociat electronului, la ecuat ia mai
simpla
eE = m

e
dv
g
dt
, 7.81 (82)
unde efectul campului periodic este cont inut n m

e
.
Masa efectiva se poate deni si pentru goluri; este sucient sa t inem cont
ca miscarea golurilor, avand sarcina pozitiva, este opusa aceleia a electronilor,
adica se deplaseaza dinspre maximul benzii de valent a spre minimul aceleiasi
benzi. Deci, masa efectiva a golurilor m

g
va pozitiva n apropierea unui
maxim si negativa n apropierea unui minim.

In general, asa cum am vazut
deja, n analiza conduct iei electrice raman de interes numai nivelele energetice
din apropierea minimului benzii de conduct ie pentru electronii de conduct ie
si nivelele vecine maximulului benzii de valent a pentru goluri.

In concluzie,
35
m

e
> 0 pentru electroni n banda de conduct ie.
m

g
> 0 pentru goluri n banda de valent a.
Observat ii:
1. Dupa cum am spus, masa efectiva este constanta numai n extremitat ile
benzilor si, si schimba semnul trecand de la minimul la maximul benzii.

In general, m

e
si m

g
sunt acceptate ca si cum ar valori constante car-
acteristice ale benzii de conduct ie, respectiv al benzii de valent a. Aceasta
este o aproximat ie destul de corecta deoarece electronii din BC sunt oricum
concentrat i n partea de jos a benzii n timp ce golurile din BV sunt concen-
trate n partea de sus a benzii.
2. Este evident din denit ia (7.79) ca, cu cat este mai ngusta parabola,cu
atat este mai mare
d
2
E
dk
2
si cu atat este mai larga parabola cu atat este mai
mare masa efectiva.
Sa reamintim schematic, n gura 7.29, relat iile dintre energiile electron-
ilor si cele ale golurilor. Atunci cand energia unui electron creste, nseamna
ca electronul poate sari pe nivele mai nalte din BC; cand nsa energia unui
gol creste, cum acesta are sarcina pozitiva, el se va deplasa spre nivele mai
joase din BV.
FIG.7.29
Distant a dintre minimul benzii de conduct ie si maximul benzii de valent a
este E
g
, largimea benzii interzise. Minimul lui BC l notam cu E
c
; E
c
core-
spunde energiei potent iale a unui electron iar energia cinetica a electronului
este masurata n sensul pozitiv al axei energiei, pornind de la E
c
. Maximul
BVl notam cu E
v
; E
v
corespunde energiei potent iale a unui gol iar energia
cinetica a unui gol este masurata n sensul negativ al axei energiei, pornind
de la E
v
.
7.11. Concentrat ia purtatorilor de sarcina si pozit ia nivelu-
lui Fermi ntr-un semiconductor intrinsec
Pentru a calcula concentrat ia n a electronilor din banda de conduct ie a
unui semiconductor intrinsec vom utiliza acelasi procedeu ca si la metale. La
temperatura T, n este dat de produsul dintre densitatea de stari si probabil-
36
itatea de ocupare, integrat pe ntreg intervalul de energie, adica
n =
E
max
_
E
c
2D(E)f(E)dE, 7.82 (83)
unde E
c
reprezinta energia corespunzatoare minimului benzii de conduct ie,
E
max
este valoarea maxima a energiei n banda de conduct ie, D(E) este den-
sitatea de stari din banda de conduct ie si f(E) este funct ia de distribut ie
Fermi-Dirac. Funct ia de distribut ie f(E) este identica cu cea folosita n
cazul conductoarelor; de fapt, aceasta funct ie este o proprietate statistica ce
depinde numai de spinul particulelor si nu depinde de caracteristicile mediu-
lui. Densitatea de stari nsa depinde de caracteristicile benzii de conduct ie.
Deoarece la temperaturi obisnuite numai starile care corespund unei energii
put in mai mari decat E
c
(corespunzatoare minimului benzii de conduct ie)
sunt ocupate, se poate nlocui expresia exacta a funct iei E(k) cu aproximat ia
ei parabolica:
E(k) = E
c
+

2
k
2
2m

e
, 7.83 (84)
unde am folosit denit ia masei efective din relat ia (7.79).
Densitatea de stari D(E) din banda de conduct ie poate calculata uti-
lizand aceeasi metoda ca si n cazul conductoarelor. De fapt, relat ia (7.79)
este formal identica cu aceea obt inuta pentru semiconductoare daca se fac
nlocuirile E(k) E(k) E
c
si m
e
m

e
.

In consecint a, densitatea de stari
electronice D(E) din banda de conduct ie este:
D(E) =
1
(2)
2
_
2m

2
_
3/2
(E E
c
)
1/2
7.84 (85)
care, introdusa n relat ia (7.82) mpreuna cu expresia explicita a lui f(E)
conduc la expresia:
n =
E
max
_
E
c
2
1
(2)
2
_
2m

2
_
3/2
(E E
c
)
1/2
1
1 +e
EE
F
kT
dE.7.85 (86)
Calculul integralei (7.85) nu este imediat, dar se pot face cateva aproximat ii
care sa o reduca la o forma mai simpla. Funct ia f(E) este simetrica fat a
37
de nivelul Fermi si, datorita termenului exponent ial,se poate aproxima de
forma:
e

EE
F
kt
pentru E E
F
> 3kT
7.86 (87)
F(E, E) {
1 e

(EE
F
)
kT
pentru E E
F
< 3kT
7.87 (88)
Expresia (7.87) poate privita si ca probabilitatea ca un gol sa ocupe o
stare cu energie E la temperatura T; de fapt, probabilitatea de a gasi un
gol ntr-o anumita stare este egala cu probabiltatea ca un electron sa nu
se ae n aceeasi stare, adica 1 f(E, T).

In gura 7.30 sunt reprezentate
schematic benzile de energie, densitatea de stari, distribut ia Fermi-Dirac si
concentrat ia de purtatori de sarcina (n sau p, concentrat ia de electroni, re-
spectiv concentrat ia de goluri).
FIG.7.30
Calitativ, putem spune ca n BC se aa multe stari permise dar un numar
mic de electroni, asa ncat probabilitatea ca o stare sa e ocupata este mica.

Insa, n banda de valent a aproape toate starile sunt ocupate de electroni iar
probabiltatea este aproape 1, adica sunt put ine goluri.
Pentru determinarea concentrat iei n putem calcula integrala (7.85) n
aproximat ia (7.86) (n BC si la temperaturi obisnuite E E
F
3kT) si
nlocuind limita superioara a integralei E
max
cu . Aceasta ultima aproximat ie
este justicata deoarece f(E, T) este o funct ie exponent iala care descreste
rapid cu cresterea energiei si care devine neglijabila pentru E = E
max
.

Introducand notat ia x =
EE
c
kT
obt inem:
n =
2
(2)
2
_
2m

2
_
3/2
(kT)
3/2
e
EE
c
kT

_
0
x
1/2
e
x
dx.7.88 (89)
Integrala din (7.88) este egala cu

2
si rezulta ca
n = N
c
e

EE
F
kT
7.89 (90)
unde
N
c
= 2
_
2m

e
kT

2
_
3/2
, 7.90 (91)
se numeste densitatea echivalenta de stari din banda de conduct ie.
38
De exemplu, pentru siliciu N
c
la temperatura camerei este 2.810
19
cm
3
.
N
c
este de acelasi ordin de marime cu densitatea electronilor de conduct ie
ntr-un conductor, iar n este cu cateva ordine de marime mai mic din cauza
factorului exponent ial din (7.79). De asemenea, n timp ce n cazul con-
ductoarelor densitatea electronilor de conduct ie nu depinde de temperatura,
n cazul materialelor semiconductoare aceasta creste exponent ial cu temper-
atura.
Notand faptul ca n unele manuale se alege ca nivel de zero al energiei
valoarea E
c
corespunzatoare minimului energiei benzii de conduct ie, adica
E
c
= 0; n consecint a, relat ia (7.89) devine:
n = N
c
e
E
F
kT
.7.91 (92)
Procedand n acelasi fel, putem gasi concentrat ia de goluri din banda de
valent a:
p = N
v
e

E
F
E
v
kT
, 7.92 (93)
unde E
v
reprezinta energia corespunzatoare maximului benzii de valent a iar
N
v
= 2
_
2m

g
kT

2
_
3/2
se numeste densitatea echivalenta de stari din banda de valent a.
Pentru siliciu la temperatura camerei N
v
= 1.04 10
19
cm
3
. Pentru un
semiconductor intrinsec, evident
n = p.7.94 (94)
De fapt, ecare electron care trece n banda de conduct ie lasa un loc liber n
banda de valent a, adica un gol. Numarul electronilor de conduct ie trebuie
sa coincida cu numarul golurilor.
Aceasta valoare comuna se numeste concentrat ia purtatorilor intrinseci
si se noteaza cu n
i
. Introducand n (7.94) relat iile (7.89) si (7.92) obt inem,
dupa calcule simple, expresia nivelului Fermi ntr-un semiconductor intrinsec:
E
F
=
E
c
+E
v
2
+
kT
2
ln
_
N
v
N
c
_
=
E
c
+E
v
2
+
3
4
kT ln
_
m

g
m

e
_
7.95 (95)
Din analiza relat iei (7.95) putem deduce cateva concluzii importante:
39
a) E
F
nu depinde de concentrat ia purtatorilor de sarcina, nici de a elec-
tronilor n nici de a golurilor p.
b) Pentru T = 0K, nivelul Fermi se aa exact la mijlocul benzii interzise.
De fapt
E
g
= E
c
E
v
E
c
= E
g
+E
v
E
F
=
E
g
+E
v
+E
v
2
=
E
g
2
+E
v
si, cum de obicei se alege E
v
ca origine a axei energiei, E
F
=
E
g
2
.
c) La cresterea temperaturii, E
F
se deplaseaza dinspre
E
g
2
nsprevalorimaimaridac am

g
> m

e
nsprevalorimaimicidac am

g
< m

e
.
Deoarece N
c
si N
v
depind de masele efective, f(E, T) (sau 1f(E, T)) trebuie
sa aiba o valoare mai mare atunci cand densitatea de stari este mai mica astfel
ncat, oricare ar temperatura T, sa se verice ntotdeauna egalitatea n = p.
d) Din relat iile (7.89) si (7.92) rezulta ca:
n
2
i
= np = N
c
N
v
e

E
c
E
F
kT
e

E
F
E
v
kT
= N
c
N
v
e

E
g
kT
7.96 (96)
si, deci,
n
i
=
_
N
c
N
v
e

E
g
kT
, 7.97 (97)
unde E
g
= E
c
E
c
.
Egalitatea np = n
2
i
este cunoscuta ca legea act iunii masei si se poate
demonstra ca este valabila atat pentru semiconductoarele intrinseci cat si
pentru semiconductoarele dopate, care vor prezentaten paragraful urmator.
Pentru siliciu la temperatura camerei, n
i
1.45 10
10
cm
3
.
7.12. Semiconductoare dopate

In paragrafele anterioare am analizat semiconductoarele ca si cum ar

fost cristale cu o ret ea perfecta si substant e pure din punct de vedere
chimic.

In realitate, semiconductoarele, la fel ca si alte solide cristaline, au
ntotdeauna imperfect iuni structurale si impuritat i. Deoarece impuritat ile
modic a proprietat ile electrice ale semiconductoarelor, acestea pot adaugate
40
intent ionat n matricea cristalina a semiconductorului printr-un proces numit
dopaj. Sa analizam acest proces pornind de la un semiconductor intrinsec
tipic cum ar siliciul si sa folosim ca impuritat i de dopare atomi pentavalent i
(ca fosforul, arseniul, etc) sau atomi trivalent i ( ca bariul, aluminiul, etc).
Siliciul este un element tetravalent. Ret eaua sa cristalina este tetraedrica
ca si aceea a carbonului sau a germaniului, dar, pentru simplicare, o vom
reprezenta grac ca o structura bidimensionala. Fiecare atom al Si pune la
dispuzit ie 4 electroni pentru formarea legaturilor covalente cu 4 atomi vecini.
Sa nlocuim un atom de si, de exemplu, cu un atom de As pentavalent si
vedem ce se ntampla la T = 0K.(gura 7.31)
FIG.7.31
Acest atom foloseste 4 dintre electronii sai de valent an legaturi covalente
pe care le formeaza cu 4 atomi vecini de si; al cincilea electron nu poate
ramane pe un nivel din banda de valent a deoarece acestea sunt deja ocupate
si nici pe un nivel din banda de conduct ie deoarece, la zero absolut, nu are
energia de agitat ie termica necesara pentru a depasi banda interzisa. Fat a
de situat ia n care atomul este liber, energia de legatura E
D
a electronului
suplimentar este mult mai mican cristal din cauza constantei dielectrice mari
a cristalului care reduce fort a atractiva coulombiana. Atomul pentavalent
introdus n semiconductorul intrinsec n locul atomului tetravalent poate,
asadar, pierde cu usurint a al cincilea electron de valent a; din acest motiv
acest atom se numeste atom donor de electroni. Al cincilea electron se gaseste
n campul de fort a electrostatica creat de un nucleu cu sarcina +Ze si de
(Z 1) electroni cu sarcina e(Z 1); campul rezultant este acela al unei
sarcini pozitive +e, similar aceluia n care se gaseste electronul n atomul de
hidrogen. Cum ecuat ia Schrodinger pentru atomul de hidrogen am rezolvat-o
deja, vom folosi rezultatele obt inute n acel model cu unele modicari legate
de problema pe care o analizam.

In atomul de hidrogen, electronul se gaseste n vid si nivelele sale de

energie sunt date de relat ia:
E
n
=
me
4
8
2
0
h
2
1
n
2
Nivelul zero al energiei este acela corespunzator ionizarii atomului, adica
situat iei n care electronul nu mai este legat de proton, ci liber n vid. Funct ia
sa de unda n acest caz este aceea a particulei libere:
(r) =Ae
ikr
.
41
Al cincelea electron al atomului de As se gaseste n campul produs de o
sarcina pozitiva, dar ntr-un mediu de constanta dielectrica
Si
=
0

r
diferita
de
0
prin factorul
r
care, pentru siliciu, este 12. Nivele sale energetice
vor , ntr-o evaluare aproximativa:
E

n
=
me
4
8
2
0

2
r
h
2
1
n
2
=
1

2
r
E
n
.7.98 (98)
Este evident ca |E

n
| |E
n
|. Nivelul zero de energie al acestui electron
nu este nivelul de vid, ci se aa n partea de jos a benzii de conduct ie a
siliciului intrinsec, adica atunci cand electronul se desprinde de atomul de
As nu se gaseste ca o particula libera n vid, ci ca un electron n BC a
semiconductorului intrinsec. Funct ia sa de unda (atunci cand se gaseste n
banda de conduct ie) este,asadar, o funct ie Bloch:

k
(r) =u
k
(r)e
ikr
.

In gura 7.32 sunt reprezentate, pentru a comparate, nivelele energetice

E
n
si E

n
FIG.7.32
iar n gura 7.33 este reprezentata o schema unidimensionala a benzilor
unui semiconductor dopat cu atomi donori de electroni la T = 0K.
FIG.7.33
Liniut ele din gura 7.33 care reprezenta nivelele de energie create prin
dopare sunt separate spat ial pentru a indica faptul ca funct iile de unda re-
spective nu se suprapun, adica ecare atom de impuritate este independent
de ceilalt i.
La cresterea temperaturi este evident ca electroni n exces creat i de atomii
donori pot trece mai usor n banda de conduct ie decat electronii din banda de
valent a ai siliciului (E
D
= E
c
E
d
E
g
= E
c
E
v
); asadar,cristalul devine
conductor la o temperatura mai scazuta decat siliciul pur (semiconductor
intrinsec). Aceasta conductibilitate datorata impuritat ilor este numita ex-
trinseca iar semiconductorul se numeste extrinsec.
Obeservat ii legate de folosirea modelului atomului de hidrogen:
Prima aproximat ie facuta n acest model este urmatoarea:
1. electronul de valent a n exces al atomului pentavalent introdus n
matricea cristalina a solidului tetravalent vede numai ionul sau si, deci, nu
simte potent ialul creat de alte impuritat i. Cu alte cuvinte, ecare atom de
42
impuritat i este un atom hidrogenoid cu nivelele sale energetice independente
de alt i atomi.
2. Cu acest tip de dopare sunt create nivele energetice permise n banda
interzisa la T = 0K.Aceste nivele se aa la cateva sutimi de eV fat a de
E
c
n timp ce largimea benzii interzise (de exemplu, pentru si la T = 0K)
este de ordinul 1.2eV . Este evident ca energia termica necesara conduct iei
(adica energia necesara unui electron pentru a trece n banda de conduct ie)
ntr-un semiconductor dopat cu atomi donori este mult mai mica decat aceea
necesara unui semiconductor intrinsec. Mai jos sunt redate cateva valori ale
lui E

0
pentru siliciu dopat cu diferit i atomi pentavalent i:
E

0
= 0.045eV pentruP
= 0.049eV pentruAs
= 0.039eV pentruSb
Asa cum se observa, E

0
este comparabila cu valoarea kT la temperatura
camerei (kT 0.025 eV ) si, deci, este de asteptat ca destul de mult i electroni
legat i de atomii de P, As sau Sb sa poata trece n banda de conduct ie.
3. Celui de-al cincelea electron al atomului donor i sunt permise nivele
energetice din banda interzisa (unde nu se gasesc stari permise pentru elec-
tronii atomilor semiconductoarelor intrinseci), put in sub E
c
. Aceste st ari
electronice nu sunt reprezentate de unde Bloch deoarece electronii n exces
se gasesc localizat i n apropierea impuritat ii. Daca temperatura creste si
acesti electroni pot trece n banda de conduct ie, atunci ei se vor aa sub
act iunea aceluiasi potent ial ca si electronii siliciului care pot trece n banda
de conduct ie si care sunt descrisi de unde Bloch.
Atomul donor caruia i apart ine electronul de acest tip nu va mai avea
nici o inuent a asupra acestuia care, de fapt, devine electron liber (ca si
electronul atomului de hidrogen ionizat). Altfel spus, relat ia:
E

n
=
m
e
e
4
8
2
0

2
r
h
2
1
n
2
7.99 (99)
este valabila atata timp cat electronii sunt legat i de atomul de la care provin
si nu cand electronii trec n BC.

In mod asemanator, o impuritate trivalenta se comporta n ret eaua sili-

ciului ca un acceptor de electroni. Referindu-ne la gura 7.34, putem spune
ca electronul care lipseste este nlocuit de un electron al siliciului provenind
din banda de valent a iar atomul acceptor devine ion negativ.
43
FIG7.34

In cazul unidimensional, structura de benzi poate schematizata ca n

gura 7.35
FIG.7.35
La o temperatura mai scazuta decat cea necesara trecerii electronilor
din BV n BC a siliciului, electronii din BV pot trece pe nivelele atomilor
acceptori ( E
A
= E
a
E
v
E
g
= E
c
E
v
), lasand goluri n banda de valent a
care pot conduce curentul. Ca si n cazul precedent, aceasta conduct ie se
numeste extrinseca iar semiconductorul se numeste extrinsec.
Observat ii privind doparea cu atomi acceptori
1. nivelul de energie introdus de impuritat ile trivalente este interpretat ca
energia necesara formarii unui ion negativ. Cateva valori tipice ale lui E

0
n
cazul impuritat ilor trivalente n siliciu sunt:
E

0
= 0.045eV pentruB
= 0.057eV pentruAl
= 0.016eV pentrun
2. Deoarece nivelele de energie introduse de impuritat ile trivalente sunt put in
deasupra lui E
v
, electronii vad o banda interzisa destul de mare si, deci,
nu pot trece n BC. Acesta este motivul pentru care conduct ia este creata de
goluri n BV.

In timp ce ntr-un semiconductor pur sau intrinsec numarul de electroni

n BC este ntotdeauna egal cu numarul de goluri din BV, n = p = n
i
, ntr-un
semiconductor dopat sau extrinsec, n funct ie de numarul atomilor donori si
acceptori pot exista mai mult i electroni de conduct ie decat goluri; n acest
caz, purtatorii majoritari de sarcina sunt electronii cu sarcina negativa iar
semiconductorul se numeste de tip n. Daca numarul golurilor este mai mare
decat cel al electronilor, atunci purtatorii majoritari de sarcina sunt golurile
cu sarcina pozitiva iar semiconductorul se numeste de tip p.

In rezumat,
i) doparea cu impuritat i pentavalente conduce la cresterea numarului de
electroni n BC, electronii devin preponderent i fat a de golurile din BV,

In acest caz, electronii se numesc purtatori majoritari si

golurile se numesc purtatori minoritari iar
semiconductorul se numeste de tip n.
ii) doparea cu impuritat i trivalente introduce un nivel energeticn apropierea
BV care, la temperatura camerei, va ocupat de electroni ai siliciului provenind
44
din BV; acesti electroni se xeaza la atomii acceptori si lasa goluri n BV a
caror concentrat ie va , evident, mai mare decat a electronilor din BC.

In acest caz, golurile se numesc purtatori majoritarii si

electronii se numesc purtatori minoritari iar
semiconductorul se numeste de tip p.
Armat ia can semiconductoarelor de tip n si p conductivitatea este data,
n mod esent ial, de purtatorii majoritari, nu nseamna ca purtatorii minori-
tari pot neglijat i complet. De fapt, atunci cand se efectueaza combinat ii
de semiconductoare de tipuri diferite sau dopate diferit uxul de purtatori
minoritari are o important a fundamentala n determinarea proprietat ilor dis-
pozitivului, asa cum se ntampla n jonct iuni.
7.13. Concentrat ia purtatorilor de sarcina ntr-un semi-
conductor extrinsec

Intr-un semiconductor dopat oarecare, nivelul Fermi trebuie sa e pozit ionat

astfel ncat sa se asigure neutralitatea sistemului, oricare ar temperatura.
Ecuat ia de neutraliatea n forma sa generala este:
n +N

A
= p +N
+
D
, 7.100 (100)
unde n este concentrat ia de elctroni din BC, p este concentrat ia de goluri din
BV, N
+
D
este concentrat ia de atomi donori care au pierdut un electron care
a trecut n BC, N

A
este concentrat ia de atomi acceptori care au primit un
electron din BV si care a lasat n locul lui un gol.
Ecuat ia (7.100) este o consecint a directa a faptului ca suma tuturor
sarcinilor electrice prezenta ntr-un semiconductor neutru trebuie sa e egala
cu zero.
Pentru a determina separat n si p este necesara o alta relat ie, numita
legea act iunii masei:
n
2
i
= np.7.101 (101)
Aceasta lege, pe care am gasit-o deja pentru un semiconductor intrinsec,
se poate explica observand faptul ca variat ia numarului de electroni din
banda de conduct ie n unitatea de timp (dn/dt) este data de doua fenomene.
Primul fenomen consta n recombinarea unui electron din BC cu un gol din
45
BV: variat ia concentrat iei de electroni n unitatea de timp legata de acest
fenomen este proport ionala cu produsul concentrat iilor electronilor din banda
de conduct ie, respectiv a golurilor din banda de valent a, adica anp, unde
a este o constanta pozitiva. semnul arata ca n procesul de recombinare
concentrat ia electronilor scade. Al doilea fenomen consta n trecerea unui
electron din banda de valent a n banda de conduct ie; concentrat ia de elec-
troni care, n unitatea de timp, trec n BC este proport ionala cu concentrat ia
de electroni din BV (care nu este mult diferita n semiconductoarele de tip n
fat a de cele de tip p) si o notam cu b, constanta pozitiva.
Rezulta, deci:
dn
dt
= anp +b
La echilibru, dn/dt = 0 si rezulta ca np = b/a = cons tan t = n
2
i
, deoarece
trebuie sa e o relat ie valabila si pentru semiconductorul intrinsec.
Asadar, putem sa nt elegem cum variaza cu temperatura conduct ia n
semiconductoarele dopate; ecuat iile (7.100) si (7.101) sunt suciente pentru
determinarea separata a lui n si a lui p; acesta este primul lucru care trebuie
claricat n studiul unui semiconductor la echilibru.
Sa simplicam forma ecuat iei (7.100) n diferite cazuri:
1.Semiconductor de tip n

In acest caz N
D
N
A
astfel ncat ecuat ia de neutralitate a sistemului
are forma:
n = p +N
+
D
7.102 (102)
Pentru a gasi variat ia diferit ilor parametri cu temperatura observam ca
relat ia (7.102) poate aproximata cu diferite expresii n funct ie de inter-
valul de temperatura considerat.

In cazul temperaturilor foarte scazute, adica cele pentru care 0 kT

E
D
= E
c
E
d
E
g
, p este cu sigurant a neglijabil deoarece probabilitatea
ca un electron din banda de valent a sa treaca n banda de conduct ie este
neglijabila, deci (7.102) devine:
n = N
+
D
.7.103 (103)
La T = 0K nici un atom donor nu este ionizat si n = 0; la cresterea temper-
aturii T, numarul N
+
D
de atomi donori ionizat i creste rapid si, deci, creste
si num arul de electroni din banda de conduct ie; expresia exacta (nedemon-
strata) este
N
+
D
=
_
N
c
N
D
2
e

E
c
E
d
2kT
7.104 (104)
46
Pentru E
D
kT E
g
, p ramane neglijabil dar tot i atomii donori pot ceda
electronul lor n exces astfel ncat n = N
+
D
= N
D
. La cresterea temperaturii,
pentru kT E
g
, nu mai putem neglija p n relat ia (7.102). Folosind relat iile
n = p +N
+
D
np = n
2
i
introducand expresia lui p din cea de-a doua relat ie n prima, obt inem
n =
n
2
i
n
+N
+
D
n
2
N
+
D
n n
2
i
= 0.7.105 (105)
deoarece n reprezinta o concentrat ie, singura solut ie acceptata a ecuat iei
(7.105) este aceea care corespunde valorii n pozitive, adica
n =
N
+
D
2
_
1 +

1 +
4n
2
i
N
+2
D
_
.7.106 (106)
Relat ia (7.106) se poate aproxima cu expresii mai simple pentru doua limite:
temperaturi intermediare si n
i
=

N
c
N
v
e

E
g
2kT
N
D
4n
2
i
N
+2
D
1 n =
N
+
D
2
(1 + 1) = N
+
D
= N
D.
7.107 (107)
Asa cum se observa, n aceasta regiune regasim acelasi rezultat ca si n cazul
temperaturilor joase n cazul kT E
D.
temperaturi nalte si n
i
=

N
c
N
v
e
E
g
2kT
N
D
.

In acest caz numarul de electroni care trec din banda de valent a n banda
de conduct ie este foarte mare si depaseste numarul atomilor donori prezent i
(n
i
N
+
D
). Deci,
4n
2
i
N
+2
D
1 n
N
+
D
2
_
2 +
2n
i
N
+
D
_
n
i
_
N
c
N
v
e

E
g
2kT
.7.108 (108)
Relat ia (7.107) exprima legatura cu regimul de temperaturi joase atunci cand
p este neglijabil iar atomii donori sunt tot i ionizat i.
Relat ia (7.108) exprima faptul ca la temperaturi nalte chiar si electronii
din BV a semiconductorului intrinsec pot trece ntr-un numar mare n BC,
conductibilitatea ind data, n mod esent ial, de purtatorii intrinseci. Este
47
important sa constantam ca acest ultim caz limita este practic neobservabil
n semiconductoare ca siliciul dopat cu un numar de atomi donori N
D
=
10
15
atomi/cm
3
deoarece temperaturile care statisfac condit ia n
i
N
D
sunt
foarte ridicate.

Intr-o maniera similara se poate analiza un

2.Semiconductor de tip p
pentru care ecuat ia de neutraliate a sistemului (7.100) devine
p = n +N

A
, 7.109 (109)
si facand substituirile necesare se obt in rezultate echivalente.
7.14. Aplicat ii

In acest paragraf vom prezenta, n mod calitativ si, deci, foarte simplicat,
aplicat iile cele mai importante n technologia semiconductoarelor
1. Jonct iunea p-n
O jonct iune p n (sau dioda p n) provine dintr-un cristal unic, n
care o parte este dopata de tip p iar cealalta parte de tip n. Suprafat a de
separare dintre cele doua zone se numeste jonct iune.

In oricare dintre zone se
aa contacte metalice pentru aplicarea unei diferent e de potent ial pe dioda.

In gura 7.36 sunt reprezentate cateva tipuri de diode. Notam cu V

p
(V
n
)
potent ialul aplicat pe zona p(n): dioda este polarizata direct daca V
p
> V
n
si polarizata invers daca V
p
< V
n
.
FIG.7.36
Vom analiza pe scurt funct ionarea diodei p n n funct ie de diferent a
de potent ial aplicata pe electrozi. Ne vom referi la o dioda cu geometria
plana, asa cum este cea de tipul A din gura 7.36.
Cazul a) polarizarea directa Diferent a de potent ial aplicata creeaza
un camp electric ndreptat dinspre zona p spre zona n: golurile (din zona
p sau din n) se deplaseaza n direct ia campului iar electronii n sens opus.
Electrodul de pe zona n creeaza n mod continuu electroni iar cel din zona p
48
i atrage, furnizand goluri. Va exista un curent care poate sa ajunga la valori
mari chiar si pentru diferent e de potent ial mici aplicate. Dioda se comporta
ca un scurt circuit. Un calcul teoretic exact conduce la urmatoarea relat ie
curent-tensiune: i = i
0
(e
qV/kT
1), unde V este diferent a de potent ial aplicata
si i
0
o constanta care depinde de tipul diodei.
Cazul b) polarizarea inversa Diferent a de potent ial aplicata creeaza
init ial un camp electric care tinde sa ndeparteze electronii si golurile de
jonct iune.

In apropierea jonct iunii se creeaza, asadar, o regiune saraca n
purtatori mobili de sarcina, zona n care raman sarcinile xe (cristalul
init ial este neutru), cu concentrat ia eN
A
n zona p si eN
D
n zona n.
Miscarea sarcinilor este oprita (dupa un timp foarte scurt) atunci cand campul
electric din zona nesaracita este nul, adica atunci cand toata caderea de
potent ial este pe zona saracita. Cand se ajunge la echilibru, dioda practic, nu
mai conduce, exceptand un mic curent (curentul invers) care este exprimat
prin aceeasi formula i = i
0
(e
qV/kT
1), unde, de aceasta data, V < 0.
2. Celula solara
Modelul cel mai simplu de celula solara consta ntr-o dioda de tip B din
gura 7.36, n care grosimea zonei p este de circa 0.1 1m. Cele doua zone
ale diodei sunt nchise prin exterior cu o rezistent a R iar n serie cu aceasta se
poate lega un ampermetru. Daca dioda se aa n intuneric, curentul masurat
de ampermetru este nul.

In aceasta situat ie, n apropierea jonct iunii exista
o mica zona saracita de sarcini deoarece, datorita agitat iei termice, golurile
pot patrunde n zona n si se recombina cu electronii prezent i. Similar, unii
electroni din zona n difuzeaza n zona p si acolo se recombina cu golurile
prezente. Acest mecanism genereaza n zona saracita un camp electric.
Daca se ilumineaza regiunea p a diodei si daca radiat ia incidenta are
o astfel de frecvent a ncat h > E
g
(banda interzisa de energie), se vor
crea perechi electron-gol care, care sub act iunea campului electric genereaza
curentul masurat de ampermetru.

In celulele solare cu siliciu (E
g
= 1.21eV )
iluminate cu radiat ie solara, aproximativ 10% din energia incidenta este
transformata n energie electrica.
3. Tranzistorul cu efect de camp
49
Tranzistorul cu efect de camp (gura 7.37,a) este un dispozitiv alcatuit
din 3 electrozi, numit i sursa(S), colector(C) si poarta(P).
FIG7.37
Regiunea dintre sursa si colector (numita uneori canal) este un semi-
conductor dopat: n cazul prezentat n gura, acest semiconductor este de
tip n. Poarta este xata lateral pe un semiconductor p, formandu-se astfel,
ntre canal si porta o jonct iune p n. Tranzistorul va funct iona prin apli-
carea unei diferent e de potent ial ntre sursa (V
S
) si colector (V
C
> V
S
). Daca
poarta nu este conectata la o sursa, potent ialul sau va aproximativ egal cu
V
0
= (V
S
+ V
D
)/2; n acest caz se va crea n jurul jonct iunii o mica regiune
saracit a de sarcini (regiunea alba din gura b). Rezistent a electrica dintre S
si C este, cu o buna aproximat ie, egala cu L/A, unde este rezistivitatea
semiconductorilor de tip n, A este sect iunea canalului si L lungimea sa.
Atunci cand se aplica pe poarta o tensiune put in mai mica decat V
0
, situat ia
nu se schimba iar tranzistorul va avea o rezistent a mica ntre sursa si colector
(stare de conduct ie).
Daca, nsa, pe poarta se aplica o tensiune negativa (fat a de V
0
) destul
de mare, atunci joct iunea p n este polarizata invers si zona saracita se
extinde pana la inchiderea completa a canalului (gura c): n acest caz,
rezistent a dintre S si C va avea valori foarte mari (chiar G) si tranzistorul
nu va funct iona. Se realizeaza, asadar, un ntrerupator de dimensiuni foarte
reduse ( 10 100m). O alta utilizare importanta a tranzistorului este
aceea de amplicare.