LABOTORIO DE ELECTRONICA II

INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA MECNICA Y ELCTRICA UNIDAD ZACATENCO

INGENIERA EN CONTROL Y AUTOMATIZACIN BECERRIL ORTEGA LUIS OJEDA ROSETTE GIOVANNY JAIR RAMREZ GODINEZ NADIA GUADALUPE 6AM1

PRACTICA 2

ELECTRONICA II

PROF.:

MEJIA

GARCIA

ADRIAN

ESTEBAN

LABOTORIO DE ELECTRONICA II Practica II. Funcionamiento de dispositivos semiconductores Objetivo Realizar los circuitos bsicos de los dispositivos semiconductores de potencia ms comunes, tales como los transistores de unin bipolar(BJT), Transistor de Efecto de Campo Oxido Metalico(MOSFET) y Triodo para Alternativo de Corriente(TRIAC),utilizando los elementos apropiados para su activacin, asentando los principios bsicos para la conversin de energa. Informacin preliminar El TRIAC es un componente semiconductor de la familia PNPN.Es similar al DIAC, pero posee una puerta para controlar la tensin de disparo tanto en el semiciclo positivo como en el semiciclo negativo. Constante de tres terminales o electrodos, dos de ellos para utilizar como un interruptor normal, denominados T1 Y T2 o H1 y H2 o E1 y E2 o 1 y 2 respectivamente, y el tercero para el disparo denominado G, puerta. El terminal T1o H1 o E1 o 1 es el terminal ms prximo a la puerta.La capsula va unidad a la pata 2.Su estructura, smbolos y circuitos equivalente se muestran en la figura 2.1.

LABOTORIO DE ELECTRONICA II ELTRIAC Curva caracterstica Se puede observar en la figura 2.2, que el TRIAC se comporta como dos tiristores en anti paralelo, por lo tanto es de esperar que pueda funcionar tanto en el primer como en el tercer cuadrante.

Figura 2.2 Curva caracterstica del TRIAC

Las posibilidades de disparo del TRIAC son: a) b) c) d) Terminal 2 positiva respecto a 1 y puerta positiva, se dispara en el cuadrante 1. Terminal 2 positiva respecto a 1 y puerta negativa, se dispara en el cuadrante 1. Terminal 2 negativa respecto a 1 y puerta positiva, se dispara en el cuadrante 3. Terminal 2 negativa respecto a 1 y puerta negativa, se dispara en el cuadrante 3.

Los triacs estn diseados para permitir el paso de la corriente en los dos sentidos de una manera controlada sin producir rectificado por los que son muy indicados en la regulacin o control de la corriente alterna (iluminacin, velocidad de motores, de potencia, de temperatura de hornos elctricos, etc.). El transistor MOSFET El transistor MOSFET (Transistor de Efecto de Semiconductor Oxido Silicio), es un conmutador muy rpido que ha demostrado ser muy fiable en aplicaciones de alta frecuencia (arriba de 1 Mhz) y baja potencia (hasta algunos kilowatts).Tambin se les conoce con otros nombres: HEXFET (International Rectifier),SIMMOS(Siemens) y TIMOS(Motorola). El smbolo de un MOSFET se muestra en la figura 2.3a.Las 3 terminales son llamadas Dren (D), Fuente(S) y Compuerta (G).El flujo de corriente es de Dren a Fuente. El dispositivo no tiene

LABOTORIO DE ELECTRONICA II capacidad de revertir el bloque por tensin, es por eso que siempre se le conecta un rectificador que revierta el bloque.

En el primer cuadrante aparece dibujada la caracterstica tensin-corriente cuando la tensin aplicada a las terminales 1 y 2 es positiva (1 positivo con respecto a 2).En el tercer cuadrante la tensin entre 1 y 2 es negativa (1 negativo respecto al terminal 2).Al ir aumentando la tensin entre las terminales, la nica corriente que aparece es la inversa del diodo que ene se momento se encuentra polarizado inversamente, por lo que su aumento con la tensin es pequeo, as como su valor. Si se aumenta la tensin el valor llamada tension de disparo, de conmutacin o de ruptura, el elemento conducir como un diodo. Se dice que se a disparado. En ese momento la tensin cae a unos valores muy bajos, alrededor de un volt, llamada tensin de mantenimiento o de entretenimiento al que corresponde una corriente llamada corriente de mantenimiento. A partir de ese punto si se aumenta la tensin, aumenta la corriente. Esta tensin de disparo se puede reducir mediante la aplicacin a la puerta de un pequeo impulso o disparo, de pequeo valor (del orden de 1 a 2 volts en la mayora de los triacs).Una vez disparado, la puerta pierde control del triac, por lo que esta solo sirve para producir el disparo con una menor tensin . Funcionamiento Sin aplicar tensin a la puerta el triac permanece bloqueado cualquiera que se la tensin aplicada entre las terminales 1 y 2, a menos que este sobrepase el lmite de tensin de cebado (mtodo no recomendado).Pero si se aplica un pulso, positivo negativo, a la puerta, independientemente de la polaridad aplicada a las terminales 1 y 2, el triac se dispara y pasa al estado de conduccin con una menor tensin y esta ser menor si la tensin aplicada a la puerta es mayor. El transistor MOSFET tiene un coeficiente de temperatura positivo de la resistencia y la posibilidad de un corte o punto de ruptura secundario es casi nulo.

LABOTORIO DE ELECTRONICA II Si se produce calentamiento, el coeficiente de temperatura positivo a la resistencia, fuerza a las concentraciones locales de corriente a distribuirse sobre el rea, evitando as la creacin de puntos locales calientes. El area de operacin segura del MOSFET se muestra en la figura 2.3b. Esta restringida a tres limites: limite de corriente (ab), limite de disipacin de potencia (bc), y voltaje limite (cd). El AOS (rea de operacin segura) puede ser aumentado por la operacin pulso del dispositivo. Las caractersticas de comunicacin de los MOSFET son similares a los BJT. Sin embargo, la activacin y desactivacin de un MOSFET es muy rpida, ya que se da en menos de 50 ns. Debido a esto el MOSFET puede cambiar bajo condiciones de alta tensin de descarga durante la desactivacin. Los MOSFET son intrnsecamente mas rpidos que los dispositivos bipolares porque no tienen portadores minoritarios en exceso que deben moverse dentro o fuera del dispositivo para su activacin o desactivacin. Las nicas cargas que deben moverse son aquellas de las capacitancias de fuga y las capacitancias de la capa de deplexin, que se muestran en la figura 2.4b. Estas capacitancias pueden representarse por el circuito equivalente de la figura 4, que es vlido cuando el MOSFET se encuentra en la regin activa o de corte. Las capacitancias de Dren a Fuente mostrada en la fugura 2.4, pueden omitirse en el circuito equivalente porque esta no afecta ninguna de las caractersticas de conmutacin o formas de onda.

LABOTORIO DE ELECTRONICA II Formas de onda El comportamiento de un MOSET incorporado en un convertidor CD-CD, un circuito comnmente encontrado en electrnica de potencia ser examinado. La carga inductiva es representada por una fuente de corriente constante Io en paralelo con un diodo como se muestra en la figura 2.5. El MOSFET es remplazado por un circuito equivalente en la regin activa. La puerta es manejada por una fuente de voltaje ideal que se supone que es una tensin que pasa entre cero y en serie con una resistencia externa . Para simplificar la explicacin se asume que el comportamiento del diodo es ideal a una corriente de recuperacin de cero.

Las formas de onda del encendido se muestran en la figura 6, donde la puerta maneja los cambios de voltaje en una funcin escaln en t=0 de cero a , que es muy por encima del valor Durante la activacin del tiempo de retardo el voltaje de se levanta de cero a debido al flujo de corrientes a travs de un y , como se muestra en la figura 2.6. La tasa de aumento de VGS en esta regin es caslieneal, aunque es parte de una cuerva exponencial discontinua, mostrada en la figura 6, que tiene una constante de tiempo ( = + ). Ms alla de , continua aumentando como antes, y la corriente del drenadorempieza a aumentar. El voltaje del drenador-fuente se mantienen mientras ID<I0 y el diodo Dfesta conduciendo. El tiempo requerido para que pase de cero a es el tiempo de aumento de tri. Una vez que el MOSFET ha llegado a la corriente total de carga, pero aun se encuentra en la regin activa, el voltaje puerta-fuente se convierte temporalmente en , que es el voltaje puertafuente de la curva de transferencia necesario para mantener = . La corriente de puerta viene dada por:

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La disminucin de ocurre en dos distintos intervalos, y . Una vez que la tensin drenfuente ha completado su cada al estado activo, el voltaje puerta- fuente se desbloque y continua creciendo a . Esta parte de crecimiento ocurre con un tiempo constante de y simultneamente la corriente de puerta decae a cero con el mismo tiempo constante que se muestra en la figura 6. El transistor BJT Un transistor es un dispositivo semiconductor de 3 capas (PNP o NPN). Este tipo de transistor es conocido como de unin bipolar (BJT). La estructura y smbolo de un transistor NPN se muestra en la figura 2.7. Las tres terminales del dispositivo son llamadas emisor (E), base (B) y colector (C). El colector y el emisor son conectados al circuito principal de potencia y la base es conectada a una seal de control.

LABOTORIO DE ELECTRONICA II Como los tiristores, los transistores pueden operar tambin en modo de conmutacin. Si la corriente de la base es cero (IB), el transistor est en un estado desactivado y se comporta como un circuito abierto. Por otro lado, si la base se excita demasiado, es decir, si la corriente de la base IB es suficientemente grande como para llevar al transistor a saturacin, entonces, el transistor se comporta como un interruptor cerrado. Este tipo de operacin se ilustra en la figura 2.7c.

Los transistores con niveles de voltaje y de corriente altos son conocidos como transistores de potencia. La ganancia de corriente (IC/IB) de un transistor de potencia puede estar alrededor de 10, aunque esta es ms grande que la de un transistor GTO. Por ejemplo una corriente de base de 10 amperes tal vez sea requerida para una corriente de colector de 100 amperes. La ganancia puede ser obtenida de un Darlinngton. Los transistores de potencia se activan y desactivan ms rpido que los tiristores. Estos se activan en menos de 1s y se desactivan en menos de 2s. Por los transistores de potencia, pueden ser usados, en aplicaciones donde se requiere una alta frecuencia. Estos dispositivos son, por lo tanto muy delicados. Ellos fallan en condiciones de voltaje y corrientes elevados.

LABOTORIO DE ELECTRONICA II BJT con carga RL

Si un gran voltaje y una gran corriente ocurren simultneamente durante la desactivacin, un punto caliente se forma y el dispositivo falla por disipacin de calor, este fenmeno se conoce como lmite secundario de corte. Circuitos amortiguadores son usados con transistores de potencia para evitar el disparo simultneo de la tensin pico y de la corriente pico. La figura 2.8 muestra los efectos de un circuito amortiguador en las caractersticas de desactivacin de un transistor de potencia. Si no se est utilizando un circuito amortiguador y la corriente de base se elimina para desactivar el transistor, el voltaje que pasa por el dispositivo, VCE primero sube y cuando alcanza el valor de la tensin de alimentacin de corriente directa, la corriente del colector cae. La disipacin de potencia (P) durante el intervalo de desactivacin se muestra en la figura 8 para la lnea donde se tocan. Se observa que en estas formas de onda idealizadas, los picos de VCE y IC ocurren simultneamente y esto puede provocar una mala distribucin secundaria.

Si se usa un circuito amortiguador y la corriente de base para desactivar el transistor es desactivada, la corriente del colector es liberada del capacitor. La corriente del colector por lo tanto, decrece como el voltaje de colector emisor aumenta, evitando el disparo simultneo de voltaje y la corriente pico. La figura 8 muestra el efecto que tiene el capacitor del circuito amortiguador en las caractersticas de desactivacin.

LABOTORIO DE ELECTRONICA II Desarrollo Experimental Material y Equipo 1 Resistencia de 3.3 K 1 Potencimetro de 250 K 1 Capacitor de 0.1F 1 Diac a 30 V 1 Triac BTA08-600BW 2 Resistencias de 15 K 4 Diodos 1N4004 1 Transistor TIP31 1 Transistor IRF510 1 Optoacoplador 4N25 1 Osciloscopio 1 Multmetro 1 Fuente de alimentacin 2 Cables de alimentacin 1 Foco con socket

Desarrollo Prctico 1.- Realizar el circuito mostrado en la figura 2.9, con R1= 3.3 K, R2=250 K y C =0.1F.

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Circuito Fsico

Una vez conectado el circuito mostrado en la figura 2.9, y este se encuentre funcionando (lmpara encendida). Conecte la punta positiva del osciloscopio en el nodo que se forma de la resistencia de 3.3 K y el foco, y la otra punta a tierra del circuito. La forma de onda que se obtenga debe ser similar a la que se muestra en la figura 2.10.

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Graficas resultantes al variar el potencimetro.

LABOTORIO DE ELECTRONICA II 2. Una vez obtenidas las seales, realizar el circuito mostrado en la figura 2.11.

Los valores de los elementos son los mismos del ejercicio anterior mientras que R3=100 . Con el circuito de la figura 2.11, variar el potencimetro de extremo a extremo, registrando 10 valores mientras se est moviendo poco a poco, realizar con los valores obtenidos una grafica de IG contra VG.

IG (Amperes) 0.00600 0.00600 0.00490 0.00380 0.00362 0.00326 0.00286 0.00223 0.00220 0.00211

VG (volts) 0.590 0.610 0.683 0.709 0.712 0.728 0.739 0.752 0.752 0.752

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0.8 0.7 0.6 0.5 VG (volts) 0.4 0.3 0.2 0.1 0 0 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007 IG (Amperes)

3. Conectar el multimetro de la carga para medir voltaje. Rotar el eje del potencimetro y registrar 5 valores diferentes, que sean tomados desde que el foco est apagado hasta que se encuentre totalmente encendido.

Tensin de carga (volts) 127 127.1 127.6 127.7 128

Desconectar de la fuente de alimentacin de CA el circuito y medir la resistencia de la carga.

R carga = 21.9
Para cada uno de los valores de los voltajes medidos, calcular la potencia disipada en la carga utilizando la siguiente ecuacin: (2)

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Tensin de carga(volts) 127 127.1 127.6 127.7 128

Resistencia de carga(ohms) 21.9 21.9 21.9 21.9 21.9

Potencia activa(watts) 736.48 737.64 743.45 744.62 748.12

En cada uno de las tensiones registradas, se presento una variacin en el ngulo de disparo. Calcular este ngulo con la ecuacin (3). (3)

1. Calcular las constantes de tiempo utilizando la ecuacin (4). Utilizando 5 valores de para R2 que se encuentra en un rango entre 0 y 20. (4)

resistencia

R2 (ohms) (mS) 20 19.92 50 20.1 100 20.4 120 20.52 195 20.97 Con la grafica de la figura 2.12 y las constantes calculadas, encontrar el voltaje del capacitor

El voltaje del capacitor ser de 1.42 volts

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4. Realiza el circuito de la figura 2.13, utilizando el optoacoplador 4N25.

5. Los 5v en el pin 1 del optoacoplador pueden alimentarse a travs de un botn al ser presionado.

6. Realizar el circuito de la figura 2.14

Variando el ancho de pulso registre 10 valores para la corriente y el voltaje, realice una grafica de ID contra VD.

ID (mA)

VD(v)

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62 63 96 111 120 129 131 138 143 164

12 10 8 VD (volts) 6 4 2 0 0 20 40 60 80 100 120

10.41 10.32 8.4 7.4 6.9 6.3 6 5.9 5.3 5.1

140

160

180

ID (mA)

Grafica de comparacin de VD vs ID Utilizando un rea de operacin segura del transistor MOSFET empleado, la cual se encuentra en hoja de datos del mismo, explique cul es el comportamiento que se tiene con el ancho de pulso, para hacer esto registre, la frecuencia del PWM. 7. Realice el circuito de la figura 2.14, pero sustituyendo el transistor por un BJT, y realice la grafica de IC contra VCE.

VCE (volts) 11.5 10.6 9.2 7.7 6.2

IC (mA) 252 281 304 344 482

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600 500 400 Ic (mA) 300 200 100 0 0 2 4 6 VCE (volts) 8 10 12 14

Grafica de Ic comparada con VCE Utilizando el rea de operacin segura del BJT empleado, la cual se encuentra en la hoja de datos del mismo, explique cul es el comportamiento que se tiene con el ancho de pulso, para hacer esto, registre la frecuencia del PWM. El transistor para mantener un rea fiable de operacin no debe ser sometido a una potencia mayor de disipacin que las curvas indican. El control de potencia de la relacin de la corriente de colector y la tensin de colector emisor se logra por medio de la base del transistor en la que esta en relacin con corriente base que es le resultado de la corriente eficaz generado por el PWM que varia dependiendo de la tensin que siempre depende de la frecuencia en la practica se uso um PWM con una frecuencia de 720Hz. 8. Elabora el circuito mostrado en la figura 2.15 y7 realiza un anlisis donde se compare el funcionamiento con el de la figura 2.9.

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En la figura 2.9 se presenta el circuito de disparo conformado por el DIAC, el condensador C, el potencimetro P y la resistencia R. Los valores resistivos permiten el ajuste de la constante de tiempo de carga del condensador de tal forma que lenta o rpidamente se alcance el nivel de disparo del DIAC y por lo tanto se lleve a conduccin el TRIAC. Puesto que el DIAC es un dispositivo bidireccional, valores positivos o negativos desarrollados sobre el condensador harn que este alcance sus niveles de disparo, permitiendo el control de la potencia suministrada a la carga tanto en semi-ciclos positivos como negativos de la tensin aplicada, obteniendo de esta forma un control de 180 sobre cada semi-ciclo. En cambio en la figura 2.15 se muestra un circuito de disparo de pulsos.
Conclusin