Universidad Politcnica Salesiana 01/06/2013

PRACTICA 6 POLARIZACIN DEL TRANSISTOR BJT

Ortega Cajamarca Edison Mauricio eortegac@est.ups.edu.ec Laboratorio de Analgica I (G12)

Resumen Los transistores tienen como funcin

principal la amplificacin de seales, para lograr este cometido deben ser polarizados adecuadamente mediante la aplicacin de voltajes DC en sus uniones B-E y B-C. Esto se consigue a travs de circuitos de polarizacin, los cuales garantizan que el transistor se encuentre ubicado en un punto sobre su "recta de carga" y en su zona activa. ndice de Trminosbjt, disear, comprobar, polarizacin, transistor,

Fuente: Los Autores El transistor bipolar BJT Formado por dos uniones PN con tres zonas cada una conectada a los terminales, C es el colector, la zona central es la base y E es el emisor. Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo de colector" (el de la derecha en este caso). Tipos de Transistor NPN Es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. PNP El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.

I. INTRODUCCIN
En esta prctica tenemos que disear, calcular y comprobar el funcionamiento de los circuitos de polarizacin del transistor BJT obteniendo las grficas de las rectas de carga y puntos de trabajo, tomando tres NPN y tres PNP. En el presente artculo est estructurado como sigue: Seccin II Marco Terico, Seccin III Herramientas y materiales, Seccin IV Desarrollo de la prctica, Seccin V Anlisis de resultados, Seccin VI Conclusiones, Seccin VII Referencias.

II.

MARCO TERICO

Transistor El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes,

Figura 1. El transistor

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Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

Recta de carga del transistor Hemos de conocer el comportamiento del transistor trabajando con una determinada resistencia de carga y averiguar el punto de funcionamiento del mismo. Para ello, trazamos la recta de carga del transistor en las curvas de colector para poder determinar los puntos de funcionamiento. Para determinar la corriente que circula por el colector (emisor comn), podemos aplicar la ley de Ohm entre los extremos de la resistencia de carga RL. La tensin aplicada a esta resistencia se corresponder con la tensin total aplicada por la fuente VCC menos la cada de tensin que se produce entre el colector y el emisor VCE. De esta forma obtendremos la siguiente expresin, que se corresponder con la ecuacin de la recta de carga:

Figura 2. Transistor BJT Fuente: Los Autores Caractersticas Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las variaciones de la tensin de polarizacin VBE sobre la corriente de base IB. Estas grficas reciben el nombre de curvas caractersticas de transferencia. Las curvas que se obtienen son muy similares a la de un diodo cuando se polariza directamente.

Para dibujar esta recta sobre la curva caracterstica, lo primero que hay que hacer es encontrar sus extremos. Para VCE=0

Para IC=0

Llevando estos valores a la curva caracterstica de colector, obtendremos la recta de carga para una determinada resistencia de carga RL y una fuente VCC. A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres partes fundamentales: puntos de corte, punto de saturacin,

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punto de trabajo.
1.

IV.

PROCEDIMIENTO

Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de los siguientes circuitos de polarizacin del transistor BJT obteniendo las grficas de las rectas de carga y puntos de trabajo. a. Circuito con dos fuentes de alimentacin. b. Circuito con una fuente de alimentacin. c. Circuito con divisor de tensin. d. Circuito con auto polarizacin. e. Circuito con resistencia al emisor. f. Disear un Circuito que tenga la capacidad de Moverse desde hasta de la recta de carga

a. Circuito con dos fuentes de alimentacin NPN Punto de corte El punto de corte es donde la lnea de carga corta a la curva correspondiente a la corriente de base igual a cero (IB=0). Punto de saturacin El punto de saturacin aparece donde la lnea de carga corta a la intensidad de base de saturacin. En este punto, la corriente de colector es la mxima que se puede dar para la operacin de transistor, dentro de los lmites de la recta de carga. Haciendo una aproximacin, se puede decir que el punto de saturacin aparece en la interseccin de la recta de carga con el eje vertical, es decir, cuando:
VEE 5V VCC 15V

R1 68k

R2 470 Q1 2N3904

VEE 5V R1 68k

VCC 15V R2 470

Punto de trabajo El punto de trabajo es aqul donde el transistor trabaja de una forma normal y que, normalmente, se encuentra entre la zona de corte de saturacin. Para determinar el punto de trabajo (Q) de transistor para una determinada corriente de base (IB), se busca el punto de interseccin de la recta de carga con la curva correspondiente a dicha corriente de base.

+ + -

0.011

U2 Q1 2N3904
+ -

0.063m

U1

9.720

+ -

0.011

U3

III.

EQUIPOS Y MATERIALES

Baceta Resistencias Multisim 12.0

Transistores 2N3904 y 2N3906 Multmetro digital

DC 1e-009Ohm DC 1e-009Ohm

Fuente de voltaje Potencimetro

Conectores tipo bananas

DC 1e-009Ohm DC 10MOhm

U4

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R1 1M Key=A 100 %

R2 22k Q2

b.

Circuito con una fuente de alimentacin NPN

VEE 12V R2 330

R3 22k

2N3906

VEE 12V
U1
R1 1M Key=A 100 %
-0.082
A

R1 1M Key=A U2
+ + -

1.839m

100 %

0.011m

Q1 2N3904

+ -

10.649

R2 22k U1
+

+ -

DC 1e-009Ohm
Q2
A +

-0.469m

R3 22k

2N3906

-11.164

DC 1e-009Ohm
12V

VEE

d. Circuito con auto polarizacin PNP DC HFE 10MOhm = 204 VCE = 8V U3 VCC = 12V IB = 33uA Calculos: IC = IB * HFE = 33uA *173 = 5.28mA
VCE = IB *RB + VBE

c. Circuito con divisor de tensin PNP

4V = 33u* RB + 0.7V RC =(4V 0.7V)/33uA= 100K VCC = IC * RC + VCE 12V = 5.28mA * RC + 4V RC =(12V - 4V)/5.28mA= 1.5K

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R2 1.5k R1 1M Key=A 100 % Q2

5 IC = IB *HFE = 112.7uA *173 = 18.032mA IE = IB + IC = 112.7_A + 18.032mA = 18.4327mA VCC = IC * RC + VCE + IE * RE 12V = 18.032mA *RC + 4V + 18.4327mA *220 RC =(12V - 4V-18.4327mA *220) /18.032mA Rc= 218.766

f.

Circuito con la capacidad de moverse desde 1/4 hasta 3/4 de la recta de carga.

2N3906 VEE 12V

R2 1.5k R1 1M Key=A 100 % U3
+ + -

-1.989m A

Q2
A

+ -

-8.289

-7.105u

2N3906 VEE 12V

Datos iniciales: Q =1/4;3/4 HFE = 173 VCE = 3V hasta 9V VCC = 12V RC = 1K RE = 220 Calculos con Vce = 3V IC =(VR/R)=(9V/1k)= 9mA

e. Circuito con resistencia en el emisor

B =(IC/IB) IB =(IC /B)=(9mA/186)= 48.3uA RB1 =(12V -0.7V)/48.30uA= 233.954K Calculos para Vce = 9V
U1 U2

IC =(VR/R)=(3V/1k)= 3mA DC 10MOhm IB =IC/B=(3mA/186)= 16.12uA

DC-0.7V) 1e-009Ohm P1 =(12V /16.12uA= 701.863K DC 1e-009Ohm

V. ANLISIS DE RESULTADOS
HFE = 173 VCE = 4V VCC = 12V RB = 100K RE = 220 VCC = IB * RE + VD + IB * RB 12V = IB(220 + 100K) + 0.7V IB =(12V 0.7V) /220 + 100K= 112.7uA

Circuito fuentes estabilizadas con Zener

Valores medidos +11.9V -11.85V +5.3V -5.1V Valores calculados +12V -12V +5V -5V

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Circuito fuentes estabilizadas con circuitos integrados

Valores medidos +11.8V -11.9V +5.2V -5.1V Valores calculados +12V -12V +5V -5V

VI. CONCLUSIONES
Los reguladores de voltaje se emplean para mantener una salida de voltaje predeterminada y estable, sin ser causa de alteracin de la entrada de la fuente y la carga que usa esta regulacin. Las resistencias de carga no deben tener mucha diferencia con respecto a las calculadas, ya que puede variar mucho los voltajes y corrientes al momento de las mediciones, esto es aplicado con mejor precisin para la fuente de voltaje regulable. Al haber terminado la prctica se pudo comprobar que en la mayora de los datos que se obtuvieron en lo clculos tienen una aceptable coincidencia con los datos medidos. Tambin se debe tener en cuenta que en las ondas de salida que no quedaban completamente continua se debe revisar el valor de los condensadores, como las sondas ya que puede introducirse ruido. Lo valores de las simulaciones con las mediciones tendrn diferencia ya que en las simulaciones son valores exactos mientras en la prctica no son valores exactos como el margen de error que existe en las resistencias

VII. BIBLIOGRAFA
[1] Torres Portero, M., Circuitos con Diodos, Paraninfo, 1994, ISBN: 84-283-1565-5. [2] Irwin, J. David, Anlisis bsico de circuitos en ingeniera, 1997, ISBN: 968-880-816-4. [3] Introduccin al anlisis de circuitos de Boylestad Dcima Edicin.