Sumrio

1. Diodos Semicondutores...........................................................................................2 1.1. Fenmeno de Avalanche / Efeito Zener.............................................................6 1.2. Diodo Zener........................................................................................................8 1.3. Diodo ontrolado de Sil!cio " #h$ristor..............................................................% 1.&. D'A e #('A ...................................................................................................12 1.). Fotodiodo e Diodo *uminoso............................................................................13 2. ircuitos (etificadores+ re,uladores e controladores de -ot.ncia.........................1) 2.1. ircuitos (etificadores......................................................................................1) 2.2. (etificadores #rif/sicos....................................................................................18 2.3. 0ro1eto de um (e,ulador de #ens2o Zener.....................................................21 2.&. ontroladores de 0ot.ncia...............................................................................22 3. #ransistores 3i-olares.............................................................................................26 3.1. onfi,ura42o Emissor omum.........................................................................28 3.2. onfi,ura42o oletor omum..........................................................................32 3.3. 0ar5metros 6 onfi,ura42o.............................................................................32 3.&. (e,i7es de 8-era42o de #ransistores.............................................................33 3.). 0olari9a42o de #ransistores.............................................................................3& 3.6. 0ro1eto de um ircuito de 0olari9a42o.............................................................36 3.:. 8 #ransistor omo Am-lificador .....................................................................3: 3.8. 8 #ransistor omo have................................................................................&; &. #ransistores de Efeito de am-o............................................................................&1 &.1. <FE#..................................................................................................................&1 &.2. =8SFE#...........................................................................................................&& &.3. E>=8SFE#.......................................................................................................&& &.&. DE>=8SFE#.....................................................................................................&) E?erc!cios ...................................................................................................................&8 Fonte............................................................................................................................&%

DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES E APLICAES

Estudaremos os dis-ositivos semicondutores+ mostrando seu -rinc!-io de funcionamento e suas a-lica47es. /lculos @ue mostram os -ontos de o-era42o e dimensionamentos s2o necess/rios -ara maior clare9a.

1. DIODOS SEMICONDUTORES
E?istem materiais @ue n2o s2o nem condutores nem isolantes+ -odendo sua condutiAilidade elBtrica ser alterada -ela introdu42o de /tomos de suAst5ncias diferentes na estrutura destes materiais+ suAst5ncias estas denominadas de impurezas. 8s materiais @ue a-resentam estas caracter!sticas s2o chamados de SE=' 8CDD#8(ES. 8 material semicondutor mais usado em eletrnica B o S'*E '8. 8 nFmero atmico do sil!cio B 1&+ distriAu!do nas se,uintes camadasG HI2 *I 8 =I& A Fltima camada denominada camada de val.ncia tem & elBtrons. (e-resentando o cristal de sil!cio -elo nFcleo e -elos elBtrons da camada de val.ncia de seus /tomos teremos a fi,ura aAai?o Jre-resenta42o -lanarK. 8s /tomos est2o li,ados entre si atravBs li,a47es covalentes entre os elBtrons da camada de val.ncia.

3 8Aserve @ue+ da forma como est2o li,ados+ os /tomos atin,em o nFmero de estaAilidade na camada de val.ncia @ue B 8. Lamos a,ora introdu9ir no cristal acima+ /tomos de fMsforo+ -or e?em-lo+ @ue -ossuem ) elBtrons na camada de val.ncia. 8 @ue ocorrer/ B @ue & elBtrons formar2o li,a47es covalentes com os & /tomos de sil!cio -rM?imos+ atin,indo o nFmero de estaAilidade J8K -ermanecendo um elBtron da estrutura do fMsforo sem li,a42o.

Se introdu9irmos im-ure9as trivalentes J/tomos de Aoro -or e?em-loK na estrutura do cristal do sil!cio+ ficar/ faltando um elBtron -ara com-letar as li,a47es covalentes e assim atin,ir o nFmero de estaAilidade.

&

8corre @ue na tem-eratura amAiente+ a ener,ia de viAra42o dos /tomos Jener,ia tBrmicaK desloca elBtrons da camada de val.ncia ,erando -ares elBtron> lacunas + como tamABm recomAina47es Jretorno de elBtrons -ara as camadas de val.nciaK + num e@uil!Ario din5mico. Assim+ um elBtron @ue se deslocou de uma li,a42o covalente entre /tomos de sil!cio -ode retornar -ara a camada de val.ncia com-letando a li,a42o @ue faltava entre o /tomo de Aoro e o de sil!cio visinho. A re,i2o de onde se deslocou o elBtron fica eletricamente -ositiva -ois nela o nFmero de -rMtons B maior @ue o nFmero de elBtrons. Ca re,i2o onde a li,a42o covalente foi com-letada+ a car,a fica eletricamente ne,ativa JnFmero de elBtrons B maior @ue o nFmero de -rMtonsK. N re,i2o eletricamente -ositiva chamamos de *A DCA. 8 -rocesso de introdu9ir im-ure9as no cristal de sil!cio chama>se D80AOE=. Puando introdu9imos im-ure9as -entavalentes J) elBtrons na camada de val.nciaK no semicondutor+ soAram elBtrons @ue v2o com-or a corrente elBtrica e a im-ure9a B dita D8AD8(A. 8 semicondutor assim do-ado B dito ser do #'08 C. Puando introdu9imos im-ure9as trivalentes J3 elBtrons na camada de val.nciaK faltam elBtrons -ara com-letar as li,a47es covalentes @ue s2o rece-tados de outras li,a47es e a im-ure9a B dita (E E0#8(A. 8 semicondutor assim do-ado B dito ser do #'08 0. Q im-ortante ressaltar @ue um cristal de sil!cio -uro a-resenta condutividade crescente com a tem-eratura em face da ,era42o de -ares elBtron>lacunas ser maior @ue as recomAina47es R medida em @ue a tem-eratura aumenta. #al caracter!stica -ermanece @uando o cristal de sil!cio B do-ado tanto -or im-ure9as do ti-o 0 @uanto do ti-o C. Lamos a,ora analisar @ual B o com-ortamento de um dis-ositivo constitu!do de um cristal de sil!cio com a metade es@uerda do ti-o 0 e a metade direita do ti-o C. Le1a fi,ura aAai?o.

) Ao ser formada esta 1un42o 0C os elBtrons do semicondutor ti-o C Jlado direitoK se deslocam -ara o semicondutor 0+ atra!dos -elas lacunas l/ e?istentes. Assim+ na 1un42o 0C teremos um e?cesso de car,as ne,ativas no lado 0 e de car,as -ositivas no lado C+ ou melhor di9endo um cam-o elBtrico interno+ se-arando as car,as ne,ativas do lado 0 das car,as -ositivas do lado C. A diferen4a de -otencial @ue a-arece em fun42o deste cam-o elBtrico B denominado 08#EC 'A* DE 8C#A#8. Este valor B em torno de ;+: L -ara semicondutores de sil!cio. 8Aserve @ue as car,as circuladas s2o fi?as+ criadas -ela introdu42o de im-ure9as. </ as n2o circuladas s2o car,as mMveis Jlacunas no lado 0 e elBtrons no lado CK. onectemos a,ora uma Aateria ao semicondutor 0C+ conforme fi,ura aAai?o. Ceste ti-o de cone?2o a 1un42o 0C B dita 08*A('ZADA D'(E#A=EC#E.

8s elBtrons do -Mlo ne,ativo da Aateria s2o introdu9idos no lado C do semicondutor+ for4ando>os a atravessar a 1un42o 0C. 0or sua ve9 o -Mlo -ositivo atrai os elBtrons @ue emer,em do outro lado da 1un42o. Assim + o efeito da Aateria B anular o cam-o elBtrico interno e conse@Sentemente o -otencial de contato interno ao semicondutor. En@uanto a tens2o da Aateria B menor @ue o -otencial de contato na 1un42o 0C+ a corrente de condu42o B muito -e@uena. Dm aumento na tens2o da Aateria corres-onder/ a uma diminui42o do -otencial de contato+ @ue se anular/ @uando a tens2o da Aateria atin,ir seu valor JT ;+: LK. A -artir deste valor+ um aumento na tens2o da Aateria im-licar/ num aumento si,nificativo na corrente de condu42o sendo limitada -ela resist.ncia do cor-o do semicondutor. 'nvertendo a -olaridade da Aateria+ -olari9aremos a 1un42o 0C de forma @ue esta estar/ (ELE(SA=EC#E 08*A('ZADA. Le1a fi,ura aAai?o.

Ceste caso o -Mlo -ositivo da Aateria atrair/ os elBtrons no lado C do semicondutor e o -Mlo ne,ativo introdu9ir/ elBtrons -elo lado 0. Lemos assim @ue o efeito B o acFmulo cada ve9 maior de car,as ne,ativas no lado 0 e car,as -ositivas no lado C+ refor4ando o cam-o elBtrico interno da 1un42o 0C e conse@Sentemente o -otencial de contato. omo o -otencial de contato im-ede a mi,ra42o de elBtrons atravBs da 1un42o+ conclu!>se @ue n2o haver/ condu42o de corrente -elo semicondutor @uando este estiver -olari9ado reversamente. 0ortanto+ o semicondutor 0C -rodu9 um efeito muito usado em eletrnica @ue B o de -ermitir o flu?o de corrente num sentido J@uando a 1un42o B -olari9ada diretamenteK+ -orBm Alo@ueando>se a corrente no sentido o-ostoJ@uando a 1un42o B -olari9ada reversamenteK. 0or semelhan4a de funcionamento com os diodos termoinicos+ a 1un42o 0C @uando -rovida de terminais elBtricos e enca-sulada -assa a ser chamada de D'8D8 SE=' 8CDD#8( ou D'8D8 (E#'F' AD8( ou sim-lesmente D'8D8.

1.1. e!"me!o #e A$a%a!&'e ( E)ei*o +e!er

Se o diodo est/ -olari9ado reversamente e um elBtron livre a-arece na re,i2o da 1un42o 0C do lado 0+ o cam-o elBtrico -resente acelera este elBtron -ara o lado C+ onde est2o as car,as ne,ativas. Puanto maior a tens2o reversa da Aateria+ com maior velocidade este elBtron ser/ acelerado. 8corre @ue este elBtron -ode+ em sua tra1etMria atin,ir e deslocar outros elBtrons de suas li,a47es covalentes. #ornando>se elBtrons livres+ tamABm ser2o acelerados e -or sua ve9 deslocar2o outros elBtrons num efeito cascata @ue culminar/ numa alta corrente reversa. 8 fenmeno acima descrito B chamado de fenmeno de ALA*AC UE. Acontece @ue+ antes @ue se tenha in!cio o fenmeno de avalanche+a corrente de -olari9a42o reversa aumenta em fun42o de elBtrons @ue s2o deslocados da camada de val.ncia -ela -rM-ria for4a do cam-o elBtrico interno. A este efeito se d/ o nome de efeito ZECE(. Le1a fi,ura aAai?o.

A curva caracter!stica aAai?o resume as considera47es feitas acima soAre as -olari9a47es direta e reversa em diodos retificadores.

8Aserve @ue @uando o diodo entra em avalanche+ nele est/ sendo a-licada uma tens2o ,rande e tamABm -ercorrendo uma corrente tamABm ,rande.

8 Assim+ o -roduto da tens2o -ela corrente JI -ot.ncia dissi-adaK B muito ,rande+ o @ue leva o diodo a se danificar+ -ois atin,e tem-eraturas Aem acima do su-ort/vel. onclu!mos @ue n2o -odemos dei?ar @ue o diodo atin1a a tens2o "3L do diodo+ @uando -olari9ado reversamente J3 I 3reaVdoWn I AvalancheK. Ca fi,ura aAai?o+ e?em-los de diodos e seu s!mAolo.

1.,. Dio#o +e!er

8 diodo 9ener B um diodo semicondutor -ro1etado -ara traAalhar na re,i2o de -olari9a42o reversa m/?ima+ chamada de re,i2o Zener. A fi,ura aAai?o mostra as curvas caracter!sticas Jtens2o ? correnteK de diodos 9ener e seu s!mAolo.

1.-. Dio#o Co!*ro%a#o #e Si%.&io / T'0ris*or

8 diodo controlado de sil!cio B tamABm chamado de S ( JSilicon ontrolled (ectifierK. 0ara entendermos o seu funcionamento+ vamos -rimeiro analisar como funciona o semicondutor 0C0C mostrado aAai?o.

onectemos R 1un42o 0C0C um resistor e uma Aateria conforme fi,ura aAai?o.

Ceste caso as 1un47es <1 e <3 ficam reversamente -olari9adas e o semicondutor se com-orta como uma 1un42o 0C @uando reversamente -olari9ada.

1; 'nvertendo os terminais da Aateria teremos o circuito da fi,ura aAai?o.

A,ora as 1un47es <1 e <3 ficam diretamente -olari9adas e a 1un42o <2 reversamente -olari9ada. A corrente no semicondutor B -e@uena e continuar/ assim atB @ue ocorra avalanche na 1un42o <2 . Sem a Aarreira em <2 seu lado C -assa ser totalmente ocu-ado -or elBtrons e seu lado 0 -or lacunas+ levando esta 1un42o a ficar tamABm diretamente -olari9ada. om as tr.s 1un47es diretamente -olari9adas h/ conse@Sente @ueda da tens2o no semicondutor+ aumento de corrente circulante e aumento da tens2o no resistor (.. Di9>se assim @ue o semicondutor est/ condu9indo. Antes da avalanche em <2 este estava Alo@ueado. Le1a aAai?o a curva caracter!stica do semicondutor 0C0C.

11 onde G 'U+ LU > corrente e tens2o de manuten42o+ -ara continuar condu9indo o -onto de o-era42o tem @ue estar fora da re,i2o delimitada -elos ei?os e -or 'U+ LU. 'P+ LP " -onto de o-era42o na re,i2o de condu42o. >3L > tens2o de avalanche Se acrescentarmos mais um terminal no semicondutor ti-o 0C0C entre as 1un47es <2 e <3+ teremos o #UX('S#8( Jou S (K.+ sendo este um terminal de controle da tens2o a-licada entre catodo e anodo @ue vai fa9er o th$ristor condu9ir. A corrente de controle B a @ue circula entre este terminal+ denominado de OA#E e o catodo. Puanto maior B esta corrente menor B a tens2o entre catodo e anodo @ue fa9 o th$ristor condu9ir. A -olaridade da tens2o entre catodo e anodo B a@uela @ue -olari9a as 1un47es <1 e <3 diretamente+ ou se1a+ -ositiva no anodo e ne,ativa no catodo. =udando a -olaridade o th$ristor se com-orta com um diodo -olari9ado reversamente.

ondeG L38+ L381 e L382 > tens2o de YAreaVoverZ corres-ondentes as correntes de ,ate 'O8+ 'O1 e 'O2. AAai?o um formato de um th$ristor e seu s!mAolo.

12

1.1. DIAC e TRIAC

8 D'A B um semicondutor cu1as camadas 0C s2o dis-ostas conforme a fi,ura aAai?o.

A curva caracter!stica mostra @ue+ tanto num sentido como no outro+ o D'A -assa a condu9ir+ @uando a tens2o nos seus terminais che,a R tens2o de dis-aro L38. 8 #('A B mostrado na fi,ura aAai?o Jdis-osi42o das camadas 0C+ s!mAolo e curva caracter!sticaK.

13

1.2. o*o#io#o e Dio#o Lumi!oso

8 fotodiodo B um dis-ositivo cu1a 1un42o 0C B -olari9ada reversamente em @ue a corrente reversa B aumentada -ela cria42o de -ares elBtron/lacuna ,erados -ro-orcionalmente -elos fMtons de um fei?e luminoso incidindo soAre o diodo. Le1a fi,ura aAai?o.

Co diodo luminoso J*ED I *i,th Emitin, DiodeK ocorre o fenmeno inverso ao do foto>diodo. A-licando uma tens2o direta na 1un42o 0C+ vamos Y e?citarZ os elBtrons @ue saltam da camada de val.ncia e se tornam elBtrons livres+ ,erando -ares elBtron/lacuna. Co *ED os elBtrons @ue foram deslocados+ ao retornarem -ara camada de val.ncia liAeram a ener,ia com @ue foram e?citados anteriormente emitindo>a em forma de fMtons Jradia42o luminosaK. A curva caracter!stica do *ED B a mesma de um diodo comum. A oAten42o da cor @ue um *ED emite de-ende do cristal e da im-ure9a usada na do-a,em. Le1a fi,ura aAai?o.

1&

E?em-losG

OaAs > Jarsenieto de ,/lioK emite lu9 vermelha OaAs0 > emite lu9 vermelha ou amarela de-endendo da concentra42o de fMsforo. Oa0 > vermelha Jcom do-a,em de 9inco e o?i,.nioK Oa0 > verde ou amarela Jcom do-a,em de nitro,.nioK

1)

,. CIRCUITOS RETI ICADORES3 RE4ULADORES E CONTROLADORES DE POT5NCIA ,.1. Cir&ui*os Re*i)i&a#ores

8s circuitos retificadores t.m o seu em-re,o maior na retifica42o de ondas alternadas senoidais a @ual consiste na elimina42o ou invers2o de semiciclos da senMide ori,inal. #emos Aasicamente dois ti-os de retificadoresG

(etificadores de meia onda (etificadores de onda com-leta

2.1.1. (etificadores de meia onda

onsiste da elimina42o de um semiciclo do sinal alternado de entrada. Le1a fi,ura aAai?o.

Co semiciclo -ositivo da onda de entrada o diodo fica -olari9ado diretamente condu9indo e transferindo @uase @ue com-letamente o semiciclo -ara a car,a (. Co semiciclo ne,ativo o diodo B -olari9ado reversamente+ n2o circulando -raticamente nenhuma corrente -elo diodo e + -ortanto+ -ela car,a (. A tens2o nos terminais de sa!da Jna car,a (K B -raticamente nula.

16

2.1.2. (etificador de onda com-leta

#emos dois ti-os de retificador de onda com-letaG A.1K (etificador de 8nda A.2K (etificador de 8nda om-leta com #ransformador de #a- entral om-leta a Puatro Diodos

6.17 Re*i)i&a#or #e O!#a Comp%e*a &om Tra!s)orma#or #e Tap Ce!*ra% A fi,ura aAai?o mostra este retificador

Entre o terminal de terra e o terminal do transformador li,ado ao anodo de D1 a-arecer/ uma senMide JS1K cu1a am-litude B dada -orG Lm/? I L-/J2CK onde C B a rela42o de transforma42o do transformador. Co outro terminal do secund/rio do transformador Jo li,ado ao anodo de D2K a-arecer/ uma onda de mesma am-litude da citada acima+ -orBm defasada de 18;[ desta JS2K.. Em resumo+ @uando S1 est/ no seu semiciclo -ositivo a S2 estar/ no seu semiciclo ne,ativo e vice>versa. Puando S1 est/ no seu semiciclo -ositivo D1 estar/ diretamente -olari9ado+ transferindo @uase @ue totalmente S1 -ara a car,a (. om S2 est/ no seu semiciclo ne,ativo D2 estar/ reversamente -olari9ado e n2o condu9ir/. Estando S1 no seu semiciclo ne,ativo D1 ficar/ reversamente -olari9ado e D2 diretamente e S2 ser/ @uase @ue totalmente transferida -ara a car,a (. 8Aserve @ue os dois semiciclos foram a-roveitados+ da! o nome de (E#'F' AD8( DE 8CDA 8=0*E#A.

1: 6.,7 Re*i)i&a#or #e O!#a Comp%e*a a 8ua*ro Dio#os Le1a o circuito aAai?o.

Durante o semiciclo -ositivo da tens2o no secund/rio do transformador condu9ir2o os diodos D1 e D2. Semiciclo ne,ativo condu9ir2o os diodos D3 e D&. Capa&i*or #e i%*ro Le1amos o @ue ocorre @uando num retificador de meia onda se li,a um ca-acitor em -aralelo coma car,a conforme fi,ura aAai?o.

18 8 ca-acitor uma ve9 carre,ado tende a manter a tens2o m/?ima entre seus terminais. Ca -arte descendente do semiciclo -ositivo+ lo,o a-Ms o -onto em @ue seu valor B menor @ue a tens2o no ca-acitor o diodo fica -olari9ado reversamente e -ortanto+ -/ra de condu9ir. 8 @ue temos ent2o B o ca-acitor se descarre,ando soAre o resistor de car,a atB o -onto do -rM?imo semiciclo -ositivo onde a tens2o do secund/rio do transformador ultra-assa novamente a tens2o no ca-acitor. A diferen4a entre a tens2o no secund/rio do transformador e a do ca-acitor B a de um diodo condu9indo JT;+: LK e sua corrente de condu42o alimenta a car,a e re-7e a car,a -erdida no ca-acitor atB @ue a tens2o no ca-acitor de torne maior @ue a tens2o no secund/rio de transformador novamente Jna -arte descendente do semiciclo -ositivoK. 8Aserve na fi,ura acima @ue o diodo fica a maior -arte do tem-o reversamente -olari9ado e a tens2o m/?ima reversa B -rM?ima de 2\L-. 8Aserve tamABm @ue a tens2o de sa!da JL;K ad@uiriu forma mais cont!nua+ a-resentando ainda varia47es de am-litude. A estas varia47es chamamos de ('00*E+ cu1o valor de -ico a -ico e mostrado como Lr na fi,ura acima. Em fun42o do ri--le se define o FA#8( DE ('00*E ou FA#8( DE 8CDD*A]^8 DE 8CDA dado -or G _ ('00*E I JLr/L-K\1;; _ ondeG L- > tens2o m/?ima de L; Lr > tens2o de -ico a -ico de ri--le de L; 8 fator de ri--le com resist.ncia de car,a ( e ca-acitor tamABm dado -orG _('00*E I J#/J(\ K\1;; _ ondeG # > -er!odo da forma de onda do retificador JI16+6: ms -ara retificador de meia onda em 6; U9 e 8+33 ms -ara retificador em onda com-leta em 6; h9K ( > resist.ncia de car,a em H " ca-acit5ncia de em F

,.,. Re*i)i&a#ores Tri)si&os

Dma forma de redu9ir as varia47es da onda retificada Jri--leK B aumentar o nFmero de fases envolvidas na retifica42o. Desta forma -odemos lan4ar m2o dos circuitos trif/sicos normalmente -resentes em redes elBtricas industriais e mesmo residenciais.

1% A fi,ura aAai?o mostra um retificador trif/sico de meia onda e a tens2o de sa!da retificada.

Dsando o mesmo circuito trif/sico -odemos aumentar o nFmero de fases usando o circuito em -onte conforme fi,ura aAai?o.

2; 8Aservar @ue as tens7es retificadas s2o as FASE>FASE @ue est2o defasadas entre si de 6;[ e n2o de 12;[ com as tens7es FASE>CED#(8. Le1a o dia,rama fasorial aAai?o.

RE4ULADORES DE TENS9O ircuitos re,uladores de tens2o t.m -or finalidade manter a tens2o de sa!da constante -ara uma fai?a de solicita42o de corrente da car,a e -ara varia47es da tens2o de entrada. 8 re,ulador de tens2o mais sim-les B o @ue usa diodo 9ener e seu circuito B o mostrado na fi,ura aAai?o.

21

,.-. Pro:e*o #e um Re;u%a#or #e Te!s<o +e!er

Dadas as caracter!sticas do diodo 9ener+ as tens7es de entrada m/?ima e m!nima e valor da car,a @ue ser/ alimentada -ela tens2o re,ulada+o -ro1eto consiste sim-lesmente da determina42o do resistor (s da fi,ura acima Jvalor e -ot.nciaK. Antes -orBm de determinarmos (s+ vamos ver a curva reversa de um diodo 9ener em mais detalhes.

8 diodo 9ener deve traAalhar entre '9min e '9m/? da sua re,i2o 9ener e desta forma manter a tens2o nos seus terminais entre L9min e L9m/?. Se aAai?o de '9min o diodo traAalha como se fosse um diodo comum reversamente -olari9ado e+ como -ode ser visto na curva acima+ a tens2o no diodo varia ,randemente com a corrente @ue -or ele circula. Se acima de '9m/?+ o diodo ir/ dissi-ar uma -ot.ncia acima da@uela @ue -ode su-ortar J09m/? I L9\'9m/?K vindo a se @ueimar. Dma condi42o e?trema @ue deve ser considerada B @uando temos a tens2o de entrada do re,ulador JLcK no seu valor m!nimo e a corrente em ( no seu valor m/?imo. Cesta condi42o a corrente no 9ener B a menor -oss!vel.. Assim+ o valor de (s -ara esta situa42o deve ser tal @ue -elo menos '9min circule -elo diodo 9ener e assim mantenha a tens2o 9ener na car,a JI L9minK. (sm/? I JLcmin " L9minK/ J 'rm/? ` '9minK 8Aserve @ue se (s for maior @ue o calculado acima+ a corrente no diodo B menor @ue '9min e a tens2o na car,a ir/ variar com a corrente no diodo.

22 A outra condi42o e?trema B @uando a tens2o de entrada do re,ulador JLcK est/ no m/?imo e a corrente na car,a B m!nima. Cesta situa42o a corrente no diodo B m/?ima. Assim+ (s deve ser tal @ue a corrente no diodo n2o ultra-asse '9m/?. (smin I JLcm/? > L9m/? K/J'rmin ` '9m/?K 8Aserve @ue se (s for menor @ue o calculado acima+ a corrente no diodo B maior @ue '9m/? e o diodo ir/ @ueimar>se. Lamos a um e?em-loG alcular (s de um re,ulador 9ener+ considerandoG #ens2o de sa!da re,ulada L; I L9 I 1; L. A tens2o de entrada Lc I 1) L 1; _ (esist.ncia de car,a ( I );; aracter!sticas do ZenerG 09m/? I 1 a + '9min I 2; mA onsiderar @ue a varia42o de tens2o do 9ener em sua re,i2o de traAalho B des-re9!vel+ ou se1a+ L9m/? I L9min I L9 I 1; L. '9m/? I 09m/?/ L9 I 1/1; I ;+1 A I 1;; mA Lcm/? I 1) `1+) I 16+) L Lcmin I 1) " 1+) I 13+) L 'rm/? I 'rmin I L9/( I 1;/);; I ;+;2 A I 2; mA Jresistor n2o -ode ser desli,adoK (sm/? I J13+) " 1;K/J2; ` 2;K I 3+)/&; I ;+;8:) H Rsm= > ?@32 (smin I J16+) " 1;K/J2; ` 1;;K I 6+)/12; I;+;)& H I )& Rsmi! > 21 onclus2oG 0ara as condi47es e o 9ener dados+ (s -ode ser um valor entre )& e 8:+).

,.1. Co!*ro%a#ores #e Po*A!&ia

E?iste um ,rande nFmero de a-lica47es industriais e comerciais @ue re@uerem controle de -ot.ncia+ tais comoG soldas elBtricas+ car,as de Aateria+ controle de ilumina42o+ de velocidade de motores+ de a@uecimento etc... Estes controles utili9am em sua maioria th$ristores+ triacs e mais recentemente transistores de -ot.ncia Jver item 8.3 aAai?oK. A fi,ura aAai?o B um circuito sim-lificado de um controle de -ot.ncia usando th$ristor.

23

8 circuito dis-arador receAe a onda de entrada -ara tomar como refer.ncia de tem-o+ tendo como ori,em de tem-o @uando esta -assa -elo 9ero ou -elo seu valor m/?imo J-ositivo ou ne,ativoK. A -artir desta refer.ncia o circuito ,era -ulsos+ caracteri9ados -or um 5n,ulo de dis-aro @ue determina o instante em @ue -ulsos s2o a-licados entre ,ate e catodo do th$ristor e assim fa9e>lo condu9ir. 8 5n,ulo de dis-aro B uma medida direta de tem-o+ considerando o ciclo da tens2o de refer.ncia Ja@ui a tens2o de entradaK . Assim+ o tem-o de um semiciclo com-leto corres-onde a 18; + um ciclo com-leto corres-onde a 36; de 5n,ulo de dis-aro. En@uanto n2o a-licarmos -ulsos de ,ate no th$ristor este n2o vai condu9ir+ uma ve9 @ue sem-re vamos usar th$ristores @ue t.m a tens2o L3; maior @ue a tens2o de entrada a-licada. 8Aservar @ue o th$ristor -/ra de condu9ir @uando cai na re,i2o aAai?o do -ar 'U+ LU Jver curva caracter!stica do th$ristorK. A fi,ura aAai?o mostra a tens2o de sa!da e a tens2o no th$ristor do circuito acima+ considerando um 5n,ulo de dis-aro ,enBrico+ menor @ue 18;[ . Le1a @ue n2o adianta a-licar -ulso com 5n,ulo de dis-aro maior @ue 18;[+ uma ve9 @ue no semiciclo ne,ativo o th$ristor se com-orta como um diodo -olari9ado reversamente.

2& Se I ;[ teremos m/?ima -ot.ncia na car,a . Se est/ -rM?imo de 18;[ teremos m!nima -ot.ncia na car,a. A fi,ura aAai?o mostra um controlador de -ot.ncia @ue tem um circuito dis-arador Aastante sim-les.

8 -otencimetro (1 e formam um circuito defasador. Le1a dia,rama fasorial acima. Se a resist.ncia do -otencimetro B m!nima LaA I L1 @ue -or sua ve9 est/ em fase com a onda de entrada. Assim o diodo D condu9 lo,o nos -rimeiros instantes do semiciclo -ositivo da onda de entrada+ corres-ondendo a um 5n,ulo de dis-aro de ;[ e -ortanto ao m/?imo de -ot.ncia entre,ue R car,a . 8Aserve -elo dia,rama fasorial @ue+ R medida @ue (1 aumenta+ maior vai ser L( e menor L + e LaA vai defasando cada ve9 mais de L1 Je -ortanto da onda de entradaK . Co e?tremo+ LaA estar/ defasada de L1 de 18;[ e corres-onder/ a um 5n,ulo de dis-aro de 18;[ e o th$ristor n2o ir/ condu9ir e nenhuma -ot.ncia ser/ entre,ue R car,a. Dm circuito Aastante sim-les e interessante+ usa o D'A e #('A e serve -ara controle de ilumina42o em resid.ncias. Seu nome B D'==E( e B mostrado na fi,ura aAai?o.

2)

A rede (1 1 B a rede defasadora. Dma ve9 atin,ida a tens2o L3; do D'A este condu9 e a-lica uma corrente de ,ate no #('A @ue condu9. 8 #('A condu9 atB @ue a corrente neste fi@ue aAai?o do valor 'U. 8 -rocesso acima ocorre tanto no semiciclo -ositivo @uanto no ne,ativo+ uma ve9 @ue os dis-ositivos s2o Aidirecionais. A rede 2 (2 tem -or finalidade melhorar o controle -rM?imo do 5n,ulo de dis-aro em 18;[ JAai?a luminosidadeK. A fi,ura aAai?o mostra o sinal @ue a-arece na l5m-ada -ara 5n,ulos de dis-aro -rM?imos de 9ero e 18;[.

2.&.1. A-lica42o
omo um e?em-lo -r/tico de a-lica42o a-resentamos na fi,ura aAai?o o circuito elBtrico de uma m/@uina de solda.

26

Dma m/@uina de solda com controle da corrente entre os eletrodos mais a-urado B feita suAstituindo>se os diodos H& -or th$ristores com os circuitos de dis-aros corres-ondentes. Assim+ ao invBs de termos o controle manual como no circuito acima o controle -assa a ser autom/tico e+ -ortanto+ muito mais -reciso.

-. TRANSISTORES BIPOLARES
8s transistores s2o dis-ositivos semicondutores onde a dis-osi42o das camadas 0C s2o conforme a fi,ura aAai?o.

A camada do meio B levemente do-ada e de tamanho menor. Q chamada de 3ASE. A camada lateral maior B denominada 8*E#8( e lateral menor E='SS8(. A simAolo,ia usada -ara os transistores B a mostrada aAai?o.

0olari9ar um transistor si,nifica -olari9ar suas 1un47es 3ASE>E='SS8( 3ASE> 8*E#8(.

A o-era42o de um transistor -ode analisada tomando>se um transistor C0C e -olari9ando>o conforme a fi,ura aAai?o.

2:

8Aservando a fi,ura acima a conclus2o @ue se tira R -rimeira vista B @ue a corrente entre Aase e emissor B ,rande J<1 diretamente -olari9adaK e a corrente entra Aase e coletor B -e@uena J<2 reversamente -olari9adaK. De fato o acima descrito n2o acontece. 8s elBtrons @ue atravessam <1 t.m dois caminhos a se,uir. 8 v2o -ara o terminal de Aase ou atravessam a 1un42o <2. omo a Aase B estreita e levemente do-ada h/ uma concentra42o -e@uena de lacunas atravBs das @uais os elBtrons che,am ao terminal de Aase J)_K. A maioria dos elBtrons @ue atravessam <1 vai de difundir na re,i2o da 1un42o <2 e che,ar/ ao coletor im-ulsionada -elo cam-o elBtrico ,erado na <2 reversamente -olari9ada J%)_K. 8Aservar @ue n2o circulando corrente em <1 Jcorrente entre Aase e emissorK o -rocesso n2o ocorre (esumidamente+ o -rocesso de funcionamento do transistor acima descrito necessita+ -ara funcionar+ @ue a 1un42o <1 este1a diretamente -olari9ada e a 1un42o <2 reversamente -olari9ada. Estando o circuito nestas condi47es a corrente de coletor B -ro-orcional R corrente de Aase. 0ara a confi,ura42o acima a corrente de entrada B 'e e a corrente de sa!da B 'c. A tens2o de entrada B L3E e a tens2o de sa!da B L 3. omo 'e I 'c ` 'A e 'A B -e@ueno+ -odemos di9er @ue 'e B maior @ue ' -orBm Aem -rM?imo deste. Assim se definirmos um -ar5metro chamado OACU8 DE 8((EC#E dado -or 'sa!da/ 'entrada I 'c/'e I dc+ -odemos di9er @ue nesta confi,ura42o dc b 1. Dm outro -ar5metro B Lsa!da /Lentrada+ denominado OACU8 DE #ECS^8 JAvK. Av I L 3/L3E Sendo @ue L 3 -olari9a <2 reversamente e L3E -olari9a <1 diretamente o transistor -ode ser -olari9ado tal @ue L 3 c L3E. Ent2o o ,anho de tens2o Av c 1.

28 8Aserve @ue no circuito de -olari9a42o acima as tens7es a-licadas t.m a Aase como refer.ncia. Esta confi,ura42o B chamada de 8CF'OD(A]^8 3ASE 8=D=. #emos ainda duas confi,ura47es A/sicasG 8=D= E 8CF'OD(A]^8 8*E#8( 8=D=. 8CF'OD(A]^8 E='SS8(

-.1. Co!)i;uraC<o Emissor Comum

Le1a a fi,ura aAai?o.

8Aservar @ue estamos considerando o sentido convencional da corrente elBtrica+ @ue B o sentido das car,as -ositivas+ contr/rio ao sentido adotado na confi,ura42o Aase comum. Lamos sem-re considerar o sentido convencional da corrente. A -olaridade de L33 B tal @ue <1 fica diretamente -olari9ado. 0odemos considerar @ue a tens2o L3E B ;+:L Jtens2o num diodo diretamente -olari9adoK. A 1un42o <2 -oder/ ficar diretamente ou reversamente -olari9ada de-endendo de L E. A-licando *HL na malha do transistor vemos @ueG >L E ` L 3 ` L3E I ; L 3 I L E " L3E I L E " ;+: Assim+ se L E c ;+: a 1un42o <2 estar/ -olari9ada reversamente. onforme dito acima a corrente de Aase B -ro-orcional a corrente de coletor desde @ue se1am satisfeitas as condi47es citadas.

2%

Ca confi,ura42o emissor comum a corrente de entrada B a de Aase J'AK+ e a corrente de sa!da B a de coletor J'cK. A tens2o de entrada B L3E e a tens2o de sa!da e L E. Sendo L3E a tens2o de um diodo diretamente -olari9ado e L E I L3E ` L 3 e sendo L 3 uma tens2o reversa n2o B dif!cil -olari9ar um transistor de forma @ue L E c L3E. 8 OACU8 DE #ECS^8 B dado como Lsa!da/Lentrada I Av. 0ortanto+ Av c 1. 8 OACU8 DE 8((EC#E B dado -ela a rela42o entre a corrente de Aase e a corrente de coletor+ e B re-resentado -or dc ou. dc I hFE I 'c/'A omo 'Abb 'c o ,anho de corrente dc I hFE cc 1. De fato a rela42o entre 'A e 'c n2o B uma reta -assando -ela ori,em. Esta rela42o B mais Aem visuali9ada na fi,ura aAai?o.

8Aservar @ue @uando 'A I ; 'c ;. Esta corrente a-arece em fun42o dos -ares elBtron>lacunas ,erados -or tem-eratura Jener,ia tBrmicaK. 8utra conse@S.ncia da curva acima B @ue o ,anho de corrente B diferente -ara sinais est/ticos e sinais variantes no tem-o. 0odemos ent2o definir um ,anho de corrente -ara estes sinais e o denominamos de ac. ac I 'c@/'A@ hFE ',ualmente im-ortantes s2o as rela47es entre a tens2o e a corrente de entrada e de sa!da da confi,ura42o emissor comum. Estas rela47es s2o mais Aem descritas em forma de curvas Jde entrada e de sa!daK.

3; Cur$as &ara&*er.s*i&as #e 6ase !a &o!)i;uraC<o emissor &omum / I6 = VBE Q a mesma de um diodo diretamente -olari9ado. Le1a fi,ura aAai?o.

8Aservar @ue a tens2o de sa!da JL EK influencia a curva de Aase. 'sto B -or@ue Lce indu9 uma corrente de sentido contr/rio 'A+ diminuindo o seu valor Jde 'A1 -ara 'A2K -ara a mesma tens2o L3E1+ @uando L E aumenta. Cur$as &ara&*er.s*i&as #e &o%e*or !a &o!)i;uraC<o emissor &omum / I& = VCE 0ara oAtermos as curvas de coletor de um transistor nesta confi,ura42o+ vamos variar L33 e L e analisarmos os resultados.

Se a1ustarmos L33 -ara uma dada corrente de Aase constante e variarmos + fa9endo>se leituras simult5neas de L E e 'c oAteremos a curva aAai?o.

31

0ara L E acima de 1L s2o satisfeitas as condi47es 1/ descritas -ara @ue a corrente de Aase ,ere a corrente de coletor -ro-orcionalmente. 8Aservar @ue L E influencia a rela42o 'c/'A+ ou @ue a curva 'c?L E n2o B uma linha hori9ontal+ o @ue deveria ser se a rela42o 'c/'A fosse a mesma ao lon,o dos valores de L E c 1L. 0odemos ent2o re-etir o -rocesso acima descrito+ a1ustando novos valores de L33 e assim determinando novos 'As+ em se,uida variando L e coletando as medidas de 'c e L E. A fam!lia de curvas B a mostrada aAai?o.

32

-.,. Co!)i;uraC<o Co%e*or Comum

A fi,ura aAai?o mostra o transistor na confi,ura42o coletor comum.

8 @ue muda em rela42o ao emissor comum B a refer.ncia de sa!da @ue -assa a,ora -ara o emissor. Assim a corrente de sa!da B 'e e a tens2o de sa!da B LE. A tens2o de entrada B L3 e a corrente de entrada B 'A. 8 -ar5metro ,anho de corrente a,ora -assa a ser 'e/'A. 8Aservar @ue a diferen4a entre a tens2o de entrada JL3K e a tens2o de sa!da JLEK B de a-enas L3E JI;+: LK. 8 OACU8 DE #ECS^8 @ue B a rela42o Lsa!da/Lentrada I LE/L3 ser/ menor mas Aem -rM?imo de 1. omo saAemos @ue 'A bb 'e o ,anho de corrente 'e/'A vai ser cc 1.

-.-. ParDme*ros E Co!)i;uraC<o

A taAela aAai?o B um com-arativo entre as confi,ura47es a-resentadas acima.
F*em ,anho de corrente ,anho de tens2o im-ed5ncia. de entrada im-ed5ncia de sa!da Emissor Comum alto alto mBdia mBdia/alta Co%e*or Comum alto Aai?o alta Aai?a Base Comum Aai?o alto Aai?a alta

33 8Aservar a rela42o entre as im-ed5ncias e os ,anhos de tens2o e corrente. A taAela cima tamABm B um ,uia -ara definir as a-lica47es do ti-o de confi,ura42o. Assim+ se @uiser am-lificar o sinal em corrente e tens2o Jou se1a+ -ot.nciaK uso a confi,ura42o emissor comum. Se dese1o refor4ar o sinal em corrente uso a coletor comum. Se @uiser aco-lar um sinal de alta im-ed5ncia a uma sa!da de Aai?a im-ed5ncia uso coletor comumd se dese1ar o contr/rio uso Aase comum.

-.1. Re;iGes #e OperaC<o #e Tra!sis*ores

S2o tr.s as re,i7es de o-era42o dos transistoresG (e,i2o Ativa+ (e,i2o de corte e (e,i2o de Satura42o. Re;i<o A*i$a G Cesta re,i2o <1 est/ -olari9ada diretamente e <2 reversamente. onforme 1/ visto neste caso+ do total de corrente no emissor uma -e@uena -arte constitui a corrente de Aase e a maioria vai -ara o coletor. Cesta re,i2o 'c B -ro-orcional a 'A e 'c/'A I hFE. Re;i<o #e &or*eG 8 transistor est/ em corte @uando tanto <1 @uanto <2 est2o reversamente -olari9ados. Re;i<o #e Sa*uraC<oG Cesta re,i2o as 1un47es <1 e <2 est2o diretamente -olari9adas. 0ara lemArarG <1 1un42o Aase emissor e <2 1un42o Aase coletor 0odemos alocar estas re,i7es nas curvas caracter!sticas de coletor do transistor considerando>o na confi,ura42o emissor comum em @ue ocorre o se,uinteG aK Se <1 est/ reversamente -olari9ada n2o h/ corrente de Aase e -ortanto n2o h/ -raticamente corrente de coletor. Assim L E L e L 3 I L E " L3E sendo ainda @ue L3E B ne,ativo+ ,arantindo @ue <2 est/ reversamente -olari9ado. 8 transistor est/ na re,i2o de corte+ ou o transistor est/ cortado Jou n2o condu9indoK. AK Se <1 est/ diretamente -olari9ada+ a re,i2o de satura42o se diferencia da re,i2o ativa -elo valor de L E. SaAendo se @ue L 3 I L E " L3E + L 3 -ara -olari9ar <2 diretamente ter/ @ue ser ne,ativo e -ara isso L E ter/ @ue ser menor @ue L3E. 8 transistor est/ na re,i2o de satura42o @uando L 3 -olari9a <2 diretamente em ;+) L a@ui considerado o valor de in!cio da condu42o de uma 1un42o diretamente -olari9ada. 8corre @ue -ara termos L E -e@ueno 'c ter/ @ue ser ,rande -ois L EIL " (c\'c.

8 aumento de 'c dever/ ser feito -elo aumento de 'A @ue -or sua ve9 im-licar/ num li,eiro aumento de L3E. Assim o L3E de satura42o ser/ considerado ;+8 L e n2o ;+: L.

3& 0ara oAter L 3 I > ;+) L com L3E I ;+8 L L E I ;+3 L. 8 transistor est/ limitado tamABm -ela -ot.ncia @ue -ode dissi-ar @ue B o -roduto da tens2o L E -ela corrente 'c JL E\'c I 0m/?K. Le1a as re,i7es alocadas e a hi-BrAole de -ot.ncia nas curvas de coletor aAai?o.

-.2. Po%arizaC<o #e Tra!sis*ores

0olari9ar um transistor si,nifica determinar o seu -onto de o-era42o tamABm chamado de -onto @uiescente. Lamos determinar o -onto @uiescente no circuito aAai?o+ @ue B caracteri9ado -elos valores de 'A@+ 'c@ e L E@ .

3) Desde @ue 1un42o Aase emissor est/ diretamente -olari9ada o transistor n2o est/ no corte. 0oder/ estar ent2o ou na satura42o ou na re,i2o ativa. Su-ondo @ue est/ na re,i2o ativa ent2o L3E I ;+: L. A-licando *HL na malha de Aase teremosG >) ` 1;;\'A ` ;+: L I ; 'A@ I J) ";+:K/1;; I ;+;&3 mA I6H > I3I1- mA > 1- A Ca re,i2o ativa 'c/'A I hFE I 6; 'c@ I ;+;&3\6; I 2+)8 mA I&H > ,32? mA A-licando *HL na malha de coletor teremos >12 `2+)8\3 `L E I ; L E@ I 12 " 2+)8\3 I &+3 L VCEH > 13- V

L E c L3E L 3 c ; 1un42o Aase coletor reversamente -olari9ada. O *ra!sis*or es* #a re;i<o a*i$a. 0odemos alocar o -onto @uiescente ,raficamente nas curvas de coletor do transistor. A rela42o entre L + L E e 'c -ode ser escrita -or uma e@ua42o ,eral dada -elo uso da *HL na malha de coletor+ conforme aAai?o >L ` (c\'c ` L E I ;

ou @ue L EIL " (c\'c

0ara o circuito em @uest2o L E I 12 " 3;;;\'c @ue B a e@ua42o de uma reta @ue -assa -elo -ontosG 'c I ; e L E I 12 L E I; e 'c I 12/3;;; I ;+;;& A I & m A 8 -onto @uiescente do transistor na curva de coletor B o -onto onde a curva do transistor corres-ondente a 'A I &3 A encontra a reta @ue -assa -elos -ontos J'c I ;+L E I 12K e JL E I;+ 'c I & m AK.

36 Le1a fi,ura aAai?o.

-.J. Pro:e*o #e um Cir&ui*o #e Po%arizaC<o

AAai?o a-resentamos um circuito de -olari9a42o -ara ser -ro1etado. 8Aservar @ue h/ uma fonte tanto -ara o circuito de Aase como de coletor+ o @ue torna este circuito mais sim-les @ue o anterior.

Dado o transistor o -ro1eto acima se resume na determina42o de (A e (c.8 -rimeiro -asso B escolher o -onto @uiescente J'A@+ 'c@ e L E@K . 8 se,undo -asso B a escolha de L . L deve ser menor @ue a tens2o de avalanche da 1un42o Aase coletor do transistor @ue B um dado do transistor e B chamado de L E;m/? ou 3L E;. Dm Aom critBrio B escolher L I J1+) a 2 L E@K b L E;m/?.

3: 8 valor de (c B dado -or G (c I L /'cm/?

onde 'cm/? B um dado de faAricante do transistor. (A B dado -orG (A I JL " L3EK/ 'A

L3E -ode ser considerado i,ual a ;+: L e 'A I 'A@ I 'c@ / h FE.

-.@. O Tra!sis*or Como Amp%i)i&a#or

Dm transistor na confi,ura42o emissor comum e na re,i2o ativa normalmente est/ desem-enhando a fun42o de am-lificador inversor de tens2o. 8 @ue se dese1a B ter na sa!da do am-lificador um sinal variante no tem-o invertido e am-lificado em rela42o ao sinal a-licado na entrada. Co circuito da fi,ura aAai?o foram acrescentados os ca-acitores 1 e 2 e o resistor (*. 8s ca-acitores -ermitem a -assa,em do sinal variante no tem-o+ -orBm im-edem a -assa,em dos sinais de corrente cont!nua de -olari9a42o. Co resistor (* teremos o sinal @ue se dese1a am-lificado e invertido+ diferentemente do resistor (c @ue B -ara -olari9a42o do coletor.

Lamos redesenhar o circuito acima de forma @ue se1am desconsiderados -or hora os sinais alternados+ ficando somente os sinais cont!nuos de -olari9a42o. Este novo circuito se chama '( D'#8 EPD'LA*EC#E . Le1a fi,ura aAai?o.

38

8 circuito acima B o circuito de -olari9a42o do transistor. 8s ca-acitores saem do circuito uma ve9 @ue+ -ara sinais cont!nuos estes se com-ortam como circuitos aAertos. 8 -onto @uiescente -ode ent2o ser calculado. 'A@ I JL " L3EK/(A I J12 ";+:K/2&; I ;+;&: mA I &: A I6H > 1@ A I&H > ,3?, mA

'c@ I 'A@\ hFE I ;+;&:\6; I 2+82 mA L E@ I L

" (c\'c@ I 12 " 3\2+82 I 3+)& L VCEH > -321 V

Dm outro circuito @ue deve ser desenhado B o @ue B visto -elo sinal variante no tem-o e n2o mais -elos sinais cont!nuos de -olari9a42o. A este circuito chamamos de '( D'#8 EPD'LA*EC#E A . 0ara esse sinal+ os ca-acitores s2o como curto> circuitos Jim-ed5ncias nulasK e a fonte de alimenta42o tamABm B um curto -ara a terra. Le1a fi,ura aAai?o.

3% A lei de ohm a-licada ao circuito de sa!da resulta emG L E/'c I > (*//(c onde L E B inter-retado como uma varia42o de L E no tem-o e 'c como uma varia42o de 'c. 8 sinal ne,ativo B -ara indicar @ue uma varia42o -ositiva 'c -rodu9 uma varia42o ne,ativa em Lce . L E/'c I > 3 H // 3 H I >1+) H Lamos a,ora -lotar os resultados acima nas curvas de coletor do ransistor. (eta de car,a J'c I L G 0ontos da reta de car,aG J'cI;+ L E I L I 12 LK

/(cI12/& I &+ L E I ;K B a mesma tra4ada anteriormente uma ve9

8Aservar @ue a reta de car,a @ue L e (c -ermaneceram.

A,ora vamos a tra4ar a reta de car,a vista -elo sinal variante no tem-o+ chamada de reta de car,a A . A -rimeira oAserva42o B @ue o sinal de entrada A + o sinal variante no tem-o+ nada mais fa9 do @ue se soAre-or aos sinais cont!nuos de -olari9a42o. Assim+ @uando esse sinal -assa -or 9ero+ o transistor estar/ no seu -onto @uiescente. 8 sinal alternado ent2o move o -onto @uiescente a -artir desta -osi42o inicial. Assim um -onto da reta de car,a A B o -rM-rio -onto @uiescente. 8utro -onto -ode ser encontrado estimando>se uma varia42o @ual@uer em 'c Jum 'cK e calculando o L E uma ve9 @ue a rela42o entre os dois B VCE( I& > K 132 L Fa9endo>se 'c I > 1 mA L E I >1+)\J>1 K I 1+) L a -artir do -onto J'A@ I &: A+ 'c@ I 2+82 mA+ Lce@ I 3+)&K+ um novo -onto da reta de car,a A ser/ J'c1I 1+82+ L E1 I )+;&K Le1a aAai?o as curvas de coletor com as retas de car,a tamABm o -onto @uiescente. eA -lotadas e

&;

om-arando>se as retas de car,a acima vemos @ue uma varia42o em 'c -rodu9 uma varia42o menor de Lce na reta de car,a A . Se -ensarmos @ue uma varia42o em 'c vem de uma varia42o em 'A+ @ue -or sua ve9 B -rovocada -or uma varia42o na entrada+ a conclus2o B @ue uma esta varia42o na entrada vai -rovocar uma varia42o menor na sa!da com a -resen4a de (*. Se o ,anho de tens2o A da am-lificador e a rela42o entre a am-litude da varia42o na sa!da -ela varia42o na entrada+ este ,anho B menor com a -resen4a de (* .Puanto menor (* mais inclinada B a reta de car,a A e menor B o ,anho de volta,em -ara sinais alternados.

-.?. O Tra!sis*or Como C'a$e

E?istem a-lica47es com transistores em @ue estes traAalham fora da re,i2o ativa+ ou se1a traAalham nas re,i7es de corte e satura42o. 8 sinal de entrada do circuito -ossui dois estados+ o mesmo ocorrendo na sa!da. Cum estado o transistor est/ cortado e no outro o transistor est/ saturado. onsiderando o transistor confi,urado como emissor comum+ -ara se oAter o estado cortado em um transistor Aasta atuar na tens2o L3E . Se L3EbI ; o transistor estar/ cortado. Puanto R satura42o+ o transistor dever/ ser estaAelecido num -onto @uiescente considerando L3E@ I L3Esat I ;+8 L+ L E@ I L Esat I ;+3 L e 'c@ tal @ue 'c@/'A@ b hFE + estaAelecendo>se um 'A@ maior @ue o 'A I 'c@/h FE . 'sto define o n!vel de satura42o do transistor @ue deve oAedecer a uma rela42o de com-romisso entre a velocidade de transi42o de corte -ara satura42o e vice>versa e a ,arantia da satura42o. Assim+ se voc. fa9 'A@ -rM?imo de 'A I 'c@/ h FE h/ risco de @ue fatores e?ternos+ como -or e?em-lo troca do transistor+ tem-eratura etc.. o levem -ara a re,i2o ativa. Fa9er 'A@cc 'c@/ hFE torna relativamente lenta a transi42o acima citada. Dm Aom valor -ara 'A@ B 'A@ I 2\J'c@/ hFE K

&1 omo um e?em-lo vamos calcular (A e (c no circuito da fi,ura aAai?o.

8s c/lculos de (A e (c s2o feitos considerando>se a satura42o do transistor. Esti-ulemos ent2o uma corrente 'c I ); mA. Se,ue>se @ue (c I J12 " ;+3K/); I ;+23& H I 23& . onsiderando 'A@ I 2\J'c@/1;;K I 2 \);/1;; I 1 mA Ent2o (A I J12 ";+8K/'A@ I 11+2/1 I 11+2 H

1. TRANSISTORES DE E EITO DE CAMPO

8 transistor de efeito de cam-o B um semicondutor em @ue o controle da corrente de sa!da B feito atravBs de uma tens2o+ diferentemente do transistor Ai-olar estudado no ca-!tulo anterior em @ue uma corrente de entrada Jcorrente de AaseK controla a corrente de sa!da Jcorrente de coletorK. E?istem dois ti-os de transistor de feito de cam-oG 8 transistor de efeito de cam-o de 1un42o J<FE#K e o transistor de efeito de cam-o de metal M?ido J=8SFE#K.

1.1. M ET
#rata>se de um semicondutor li,eiramente do-ado com im-ure9as ti-o C ou ti-o 0 denominado SD3S#(A#8+ no @ual se forma uma re,i2o altamente do-ada do ti-o o-osto ao suAstrato denominada ACA*. Puando o canal B do ti-o C o FE# B chamado de FE# ACA* C. Puando B o ti-o 0 o FE# B chamado de FE# ACA* 0.

&2 A fi,ura aAai?o mostra a estrutura es@uem/tica de um <FE# ACA* C.

Duas tens7es s2o a-licadas no FE#. Dma entre F8C#E e D(EC8 de modo a for4ar a -assa,em de corrente -elo canal. A outra conectada entre OA#E e F8C#E e controla a corrente @ue circula -elo canal. Dsaremos a letra D -ara dreno JD(A'CK+ O -ara ,ate e S -ara fonte JS8D( EK. A fi,ura aAai?o mostra o FE# -olari9ado.

&3 A 1un42o 0C formada entre o ,ate e a fonte B -olari9ada reversamente. Acumulam>se car,as ne,ativas do lado 0 J,ateK e car,as -ositivas no lado C JcanalK. Este acFmulo de car,as -ositivas J@ue s2o fi?asK no canal se caracteri9a -or uma re,i2o denominada de (EO'^8 DE DE0*E]^8 e B tanto maior @uanto maior for a tens2o LOS+ estreitando cada ve9 mais o canal+ tornando>o cada ve9 resistivo e assim diminuindo a corrente entre fonte e dreno. onclus7esG Puanto maior a tens2o LOS menor a corrente de dreno ou+ a tens2o LOS controla a corrente de dreno. onforme a fi,ura acima a re,i2o de de-le42o B maior no lado do dreno do @ue da fonte. 'sto B -or@ue a tens2o LOD I LOS ` LDS tamABm -olari9a a 1un42o fonte ,ate reversamente e B maior @ue a tens2o LOS. As curvas caracter!sticas de dreno e de transfer.ncia de um FE# s2o mostradas aAai?o.

#emos a destacar como -ar5metros dos FE#SG A tens2o de 0'C U>8FF @ue B tens2o Lds @uando 'd se estaAili9a e B indicada -or L-. 0ara Lds b L- a corrente 'd aumenta com o aumento de Lds. 0ara Lds cI L- o efeito de aumento da corrente 'd com Lds B anulado -elo fato de Lds tamABm contriAuir -ara o estreitamento do canal. A tens2o LOS I LOS 8(#E @ue B o valor de LOS em @ue o canal B totalmente Alo@ueado e 'd I ;. A rela42o entre 'd e LOS -ode ser a-ro?imada -ela e@ua42o dada aAai?o. 'd I 'dss\e1 > JLOS/L-Kf onde 'dss B a corrente 'd @uando ,ate e fonte s2o curto>circuitados+ sendo a tens2o L- medida nesta circunst5ncia. 8s -ar5metros acima s2o ideali9ados uma ve9 @ue+ assim como a corrente de coletor no transistor+ a corrente 'd n2o B totalmente estaAili9ada. Le1a curvas de dreno acima.

&& AAai?o a simAolo,ia usada -ara o FE#

1.,. MOS ET
A diferen4a entre um <FE# e um =8SFE# B @ue num =8SFE# o terminal de ,ate B isolado da estrutura do =8SFE# -or uma fina camada isolante de diM?ido de sil!cio JSi82K. E?istem dois ti-os de =8SFE#G #'08 F8(#A*E '=EC#8 JE>=8SFE#K e DE0*E]^8 F8(#A*E '=EC#8 JDE>=8SFE#K.

1.-. EKMOS ET
A estrutrura de um E>=8SFE# canal C consiste de um suAstrato ti-o 0 levemente do-ado+ no @ual duas re,i7es altamente do-adas do ti-o C s2o formadas Jre,i7es C`K. Estas re,i7es a,em como fonte e dreno. Dma fina camada de diM?ido de sil!cio se a-7e R su-erf!cie da estrutura e 1anelas s2o aAertas nesta camada + -ara se conectar os terminais de fonte e dreno. 8 terminal de ,ate B conectado a uma su-erf!cie de metal soAre-osta R camada de Si82. A fi,ura aAai?o a-resenta a dis-osi42o das camadas 0C de um E>=8SFE# canal C.

&) Se a-licarmos a tens2o LOS na -olaridade da fi,ura acima a camada isolante de Si82 se com-ortar/ como um dielBtrico de um ca-acitor ,erando um acFmulo de car,as elBtricas conforme indicado acima e -ortanto indu9indo uma re,i2o de car,as ne,ativas no material ti-o 0+ criando um canal C de li,a42o entre dreno e fonte. Puanto maior a tens2o LOS maior B o tamanho do canal indu9ido e mais condutor se tornar/ o =8SFE#. Jmaior B a corrente de dreno 'dK. 8Aservar @ue+ estando o ,ate isolado+ n2o h/ -raticamente nenhuma corrente de ,ate. A fi,ura aAai?o mostra as caracter!sticas de dreno e de transfer.ncia de um E> =8SFE# canal C.

1.1. DEKMOS ET
A diferen4a entre E>=8SFE# e um DE>=8SFE# B @ue no DE>=8SFE# o canal entre as re,i7es C` J-ara os de canal CK 1/ e?iste+ ao -asso @ue no E> =8SFE# canal B indu9ido -ela -olari9a42o ,ate fonte. Assim+ -ara LOS I ; o canal do DE>=8SFE# B condutor . Se LOSc; e aumenta em mMdulo 'd se torna cada ve9 maior uma ve9 @ue aumenta a @uantidade de -ortadores de car,a no canal C JelBtronsK. 'd se torna cada ve9 menor R medida @ue LOS b ; aumenta em mMdulo -ois as car,as -ositivas indu9idas na canal C redu9em cada ve9 mais o es-a4o -ara os elBtrons @ue s2o os -ortadores de car,a no canal do ti-o C. Le1a aAai?o as camadas 0C de um DE>=8SFE#.

&6

8 mesmo racioc!nio usado -ara os mosfets de canal C B v/lido -ara os de canal 0+ a-enas @ue as tens7es mudam de -olaridade assim como mudam as materiais do ti-o 0 -ara o ti-o C e vice>versa. A fi,ura aAai?o ilustra as caracter!sticas de dreno e de transfer.ncia de um DE> =8SFE#.

8s s!mAolos usados -ara os =8SFE#s est2o mostrados na fi,ura aAai?o.

&: omo -rinci-ais vanta,ens dos FE#S soAre os transistores Ai-olares citamosG

0ossuem im-ed5ncia de entrada e?tremamente alta. 0or e?G 1;; = Oeram menos ru!do =ais f/ceis de faAricar na forma inte,rada.

omo -rinci-al desvanta,em o FE# tem um ,anho de tens2o redu9ido em rela42o ao transistor Ai-olar. Desde @ue a camada de Si82 do ,ate B e?tremamente fina Jal,uns mK+ ela -ode ser facilmente danificada -or volta,em e?cessiva. Dm acFmulo de car,as elBtricas em um ,ate aAerto -ode resultar num cam-o elBtrico com intensidade suficiente -ara rom-er a camada de Si82. 0ara evitar este -roAlema al,uns =8SFE#s s2o faAricados com um 9ener entre ,ate e o suAstrato. 8 @ue foi dito acima se torna -articularmente im-ortante @uando do manuseio de dis-ositivos da fam!lia =8S J=etal 8?ide SemiconductorK -ois a eletricidade est/tica acumulada no cor-o de @uem o manuseia -ode ser suficiente -ara danificar o dis-ositivo. Assim B im-ortante descarre,ar @ual@uer eletricidade est/tica antes de -e,ar no dis-ositivo. A -olari9a42o de um FE# como no transistor Ai-olar consiste na determina42o do seu -onto @uiescente @ue B caracteri9ado -elos valores LOS@+ Lds@ e 'd@. AAai?o um e?em-lo de circuito de -olari9a42o de um <FE#.

8Aservar @ue n2o tendo corrente de ,ate a tens2o LO I ; e -ortanto LS I 'd\(s I > LOS.

&8

Desta forma a tens2o LOS B determinada -or 'd e (s.

EEERCFCIOS
1 > 0ara um retificador de onda com-leta com & diodos determine o ca-acitor de filtro considerando. A tens2o de sa!da de 1; Lcc Dm ri--le m/?imo de 2_ Dma car,a de 1;; ohms Desenhe o circuito Fa4a um esAo4o da forma de onda na car,a Determine -ara cada semiciclo @uais diodos condu9em. 2 > 0ara o retificador acima determine a resist.ncia @ue um re,ulador 9ener deve ter -ara re,ular um tens2o de ) Ldc+ considerando uma varia42o da tens2o antes do 9ener de mais ou menos 1; _ do valor da tens2o mBdia J1; LccK. 8 9ener B de &+: L+ 1 aatt e tem um corrente m!nima de 2; mA. 3 > Desenhe as curvas de um funcionamento. & > Desenhe as curvas de um funcionamento. S ( e e?-li@ue atravBs delas o seu #('A e e?-li@ue atravBs delas o seu

) > 0ara o circuito aAai?o determine o -onto @uiescente do transistor. Lcc I 1; Lcc+ (A I 1;; H+ (cI 2); 8hms+ hfe I 2;;.

6 > 0ara o circuito do -roAlema )+ -lote o -onto @uiescente a reta de car,a A eD .

&%

: > alcule as resist.ncia de Aase e coletor de um transistor na confi,ura42o em emissor comum + de forma @ue o mesmo sature @uando a-licado na sua entrada um tens2o de mesmo valor @ue a tens2o de alimenta42o. 8 ,anho de corrente do circuito deve estar na metade do valor do ,anho do transistor J h fe I 1;;K. A tens2o de alimenta42o B de 1; Lcc. 8 > 0ara o circuito aAai?o+ ache o e@uivalente de #hevenin do circuito visto da Aase -ara a terra e determine as correntes 'A+ 'c e Lce J-onto @uiescenteK .

% > 0ara o circuito aAai?o determine o -onto @uiescente J'd@+ Lds@ e L,s@K

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