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Alternativamente, es posible utilizar la fuente de iones para bombardear directamente la superficie del substrato durante el proceso de evaporacin, con objeto impartir mas energa a los tomos evaporados y mejorar con ello las propiedades de la capa depositada (adherencia, densidad, etc.). Esta tcnica, denominada 'deposicin asistida mediante haces de iones' o IBAD est tambin disponible en el laboratorio y ha sido utilizada convenientemente para depositar capas de carbono (DLC) y de compuestos binarios y ternarios de la familia carbono-boro-nitrogeno.
http://www.icmm.csic.es/fis/espa/pvd.html