TEORIA DOS SEMICONDUTORES Dos materiais utilizados no campo da eletrnica, temos: CONDUTOR - Material que mantm um fluxo de carga

quando uma tenso, de amplitude limitada, aplicada em seus terminais. ISOLANTE - Material que oferece um nvel muito aixo de condutividade quando se aplica uma fonte de tenso. SEMICONDUTOR - Material que mantm um nvel de condutividade entre os extremos de um isolante e um condutor. !"#$ %"#D&'"()$ - %o re um om condutor * +, pr-tons e vinte nove eltrons, em como ouro e prata. $omente um eltron na .ltima camada * for/a menor para anular a atra/o do n.cleo. Bandas de Energia &m tomo formado por eltrons que giram ao redor de um n.cleo composto por prtons e n !trons. "s eltrons giram em -r itas ou nveis em definidas con0ecidas como "#L#M#N#O#$ E %. )ltrons de maior energia esto situados nas -r itas mais externas. %ada -r ita possui um n.mero m1ximo de eltrons. #e 2 +n+ 5 2 6n278 2 + 9 2 6n2+8 2 : M 2 6n2;8 2 7: # 2 6n2<8 2 ;+ 4e + : 7: 2 ;+ $i + : 2 = 7<

Modelo at&mi'o de Bo(r )r*ita e+terna 2 )r*ita de ,al n'ia ou Banda de -al n'ia * controla as propriedades eltricas do 1tomo. )ltrons nesta anda pode se li ertar ou se ligar a outro 1tomo atravs de liga./es 'o,alentes0 3 quantidade de eltrons nesta camada tem influencia significativa nas caractersticas eltricas do elemento. Eltrons li,res * )r*ita mais e+terna o! Banda de Cond!.1o , qualquer tenso faz com um eltron livre circule de um 1tomo para o outro. Banda proi*ida * regio entre uma -r ita e outra onde no possvel existir eltrons. 3 largura dessa anda, define o comportamento eltrico do material.

3ATORES %UE MATERIAIS5

IN3LUENCIAM

NA

DI3EREN4A

ENTRE

DI-ERSOS

Composi.1o 6!7mi'a 8 'o*re# 'ar*ono# sil7'io# et'0 Liga.1o 8 'o,alente# i&ni'a o! metli'a 3orma de organi9a.1o 8 Estr!t!ra amor:a 8 6!ando est1o desorgani9ados 8 Estr!t!ra 'ristalina 8 6!ando est1o organi9ados ION $OSITI-O * >uando um 1tomo neutro perde um ou mais eltrons. ION NE;ATI-O * >uando um 1tomo gan0a eltrons ele fica negativamente carregado. MATERIAIS SEMICONDUTORES "s semicondutores possuem < eltrons na camada de val?ncia e precisam de mais < para se tornaram est1veis, e o fazem com a participa/o dos 1tomos vizin0os 2@ todos entre si 2@ formando uma liga/o firme e est1vel c0amada de cristal. LI;A4<O CO-ALENTE * %ada 1tomo compartil0a um par de eltrons com os vizin0os.

" s.: )xistem tam m materiais con0ecidos como semicondutores III-V que so formados a partir da liga/o entre um elemento trivalente e um pentavalente. "s mais comuns so o arseneto de g1lio 64a3s8 e o fosfeto de ndio 6AnB8. " $ilcio 6$i8 por ser o mais a undante na natureza o material mais utilizado 6pode ser o tido a partir de quartzo que encontrado na areia da praia e na terra8 e portanto, mais arato. ESTRUTURA AT=MICA DO >TOMO DE SIL?CIO

>uando 1tomos de silcio se com inam para formar um s-lido, cada 1tomo cede dois eltrons para o seu vizin0o 6liga.1o 'o,alente8, de tal forma que cada um fica com oito eltrons na ultima camada, tonando-se, portanto est1vel, segundo um padro ordenado c0amado de Cristal. CORRENTE NOS SEMICONDUTORES Dois tipos de :l!+o de 'orrente * quando 01 ruptura de uma liga/o covalente em um semicondutor, ser1 deixada uma lacuna na estrutura do cristal em virtude da perda de um eltron. %omo as lacunas so preenc0idas por eltrons pr-ximos, deixando em seu lugar uma outra lacuna, o efeito total de uma unidade de carga positiva deslocando-se do primeiro para o segundo 1tomo, 'orrente de la'!nas e em sentido oposto 'orrente de eltrons. " s.: 3 )nergia trmica pode causar uma %orrente no cristal pela agita/o dos eltrons, quanto maior a temperatura, maior ser1 as vi ra/Ces mecDnicas. Corrente de deri,a * quando se aplica uma diferen/a de potencial em um semicondutor, o campo eltrico esta elecido no material faz com que os eltrons livres desloquem-se numa dire/o e as lacunas em outra oposta, essas duas componentes somam-se em vez de cancelarem-se. "s eltrons livres e as lacunas so muitas vezes c0amados de portadores. SEMICONDUTOR INTR?NSECO * um semicondutor puro, ou seEa, todos os 1tomos do cristal so de silcio 6$i8, ou germDnio 64e8 ou arseneto de g1lio 64a3s8 ou fosfeto de ndio . " s.: 3 *+F;o% o semicondutor intrnseco se comporta como um isolante perfeito. SEMICONDUTOR E@TR?NSICO

Gorma de se aumentar a conduti ilidade de um semicondutor, isso significa adicionar imp!re9as aos 1tomos. &m condutor dopado c0amado de semicondutor e+tr7nse'o. Bara aumentar o n.mero de eltrons livres, adiciona-se 1tomos penta,alentes ao silcio em fuso, ex.: ars?nio 63s8, antimnio6$ 8 e f-sforo 6B8 este processo c0amado de dopagem0 Bor possurem eltrons livres em excesso so c0amados de material tipo N0 #um material tipo N os eltrons li,res so c0amados de portadores majoritrios e as la'!nas de portadores minoritrios.

Tipo N

Tipo $

Bara aumentarmos o n.mero de lacunas, utilizamos impurezas tri,alentes, cuEos 1tomos possuem apenas tr?s eltrons de val?ncia, ex.: alumnio 63l8, oro 6!o8 e g1lio 64a8. Bor possurem lacunas em excesso so c0amados de material tipo $. #um material tipo $ as la'!nas so os portadores majoritrios e os eltrons os portadores minoritrios. O DIODO SEMICONDUTOR 8 AUN4<O $N " diodo semicondutor formado Euntando-se um loco de material tipo B com um loco de material tipo # * A!n.1o $N Diodo n1o polari9ado * #o momento da Eun/o 0aver1 uma corrente de difuso, criando uma regio de ons negativos e positivos no com inados c0amado de Regi1o de Deple.1o e a distri ui/o da carga nessa 1rea c0amado de Carga Espa'ial. 3 largura da regio de deple/o dependente dos nveis de dopagem dos materiais B e #. " %ampo eltrico que aparece na regio de deple/o devido aos ons positivos e negativos c0amada de Barreira de poten'ial. H temperatura de +Io %, a arreira de potencial aproximadamente B#C - para o 4e e B#D para o $i.

3orma.1o da A!n.1o $N * 32 1tomos aceitadoresJ 0 2 lacunas associadasJ D 2 1tomos doadoresJ e 2 eltrons associadosJ K 2 ons positivos e - 2 ons negativos. SIMBOLO;IA " lado B da Eun/o B# con0ecido como anodo EAF do diodo e o lado # como 'atodo E"F.

$OLARIGA4<O DIRETA E RE-ERSA DAS AUN4HES &ma I!n.1o $N polari9ada diretamente , os eltrons livres do lado # so atrados pelo p-lo positivo da fonte externa e as lacunas so for/adas a entrar na regio B. )ltrons difundem-se pela regio de deple/o e recom inam-se com as lacunas do material B. 3 regio de deple/o estreita-se com a polariza/o direta. 3 tenso direta aplicada tem que ser maior do que a diferen/a de potencial que aparece na Eun/o, que para o semicondutor de silcio, est1 compreendida ente =,I e =,: L 6valor normalmente utilizado =,F L8

&ma I!n.1o $N polari9ada re,ersamente a fonte de tenso est1 invertida aumentando a arreira de potencial na Eun/o.

#esse tipo de polariza/o, o p-lo positivo atrair1 os eltrons e o p-lo negativo as lacunas, aumentando assim a arreira de potencial, no 0avendo, portanto condu/o de corrente eltrica devido aos portadores maEorit1rios, existindo apenas uma corrente devido aos portadores minorit1rios * 'orrente de Sat!ra.1o EIsF, que para o $ilcio da ordem de nanoamperes 6n38, tornando-se desprezvel e muito menor que a do 4ermDnio, da o silcio ser muito mais utilizado. Corrente de 3!ga da s!per:7'ie 8 corrente que circula na superfcie do cristal devido as liga/Ces covalente que radas.

RU$TURA Lalor de tenso reversa que um diodo pode suportar. 3o se aumentar a tenso reversa os portadores minorit1rios so acelerados e colidem com os 1tomos do cristal li erando eltrons de valencia, ou seEa, produzem eltrons livres, que por sua vez colidem com outros 1tomos li erando mais eltrons livres, que vo se somando aos E1 existentes at que a corrente se torne muito alta e o diodo conduz intensamente. 3 tenso de ruptura depende do nvel de dopagem. Diodos retificadores possuem tenso de ruptura geralmente maior que I=L.

O E3EITO GENEER Diodos fortemente dopados a camada de deple/o muito estreita fazendo com que a tenso de ruptura ocorra para valores de tenso mais aixos, significa dizer que a tenso permanece constante independente da corrente 6reversa8 que circule por ele. Diodos que utilizam esta propriedade so c0amados de diodo Mener, muito utilizados como referencia de tenso. Resistor de limita.1o de 'orrente e Reta de 'arga

3 corrente no diodo ser1:

I = Vs Vd R

( c0amado de resistor de limita/o de corrente, pois a corrente que circula nele a mesma que circula no diodo. Dissipa.1o m+ima de pot n'ia " produto da corrente pela tenso direta determinar1 a pot?ncia m1xima, no entanto, uma vez respeitada a corrente nominal m1xima o diodo no queimar1. O DIODO IDEAL " diodo ideal funciona como uma c0ave. %onsiderando que o diodo s- conduz ap-s ter vencido a arreira de potencial de =,FL. %onsiderando a resist?ncia de corpo r! do diodo