SAHYOUN 2011 Archivage 1

THSE
Pour obtenir le grade de

DOCTEUR DE LUNIVERSIT DE GRENOBLE
Spcialit : Optiques et Radiofrquences
Arrt ministriel : 7 aot 2006

Prsente par
Walaa SAHYOUN

Thse dirige par Philippe Benech et
codirige par Jean-Marc Duchamp

prpare au sein du Laboratoire IMEP-LAHC
dans l'cole Doctorale EEATS

Modlisation et Caractrisation
linaire et non-linaire des
filtres RF en technologie BAW
et CRF et mthode pseudo-
temporel de test industriel

Thse soutenue publiquement le 14 octobre 2011 ,
devant le jury compos de :
M. Jamal ASSAAD
Professeur luniversit de Valenciennes (Prsident)
M. Gilles DESPAUX
Professeur luniversit de Montpellier 2 (Rapporteur)
M. Jean-Pierre TEYSSIER
Professeur luniversit de Limoges (Rapporteur)
M. Jean-Baptiste DAVID
Ingnieur de recherche au CEA-LETI (Membre)
M. Philippe BENECH
Professeur luniversit Joseph Fourier (Directeur de thse)
M. Jean-Marc DUCHAMP
Maitre de confrences luniversit Joseph Fourier (Co-directeur de thse)

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Remerciements

Ce travail a t effectu au sein du linstitut de Microlectronique, Electromagntisme et
Photonique IMEP-LAHC situ en partie sur le site grenoblois et dirig par Monsieur
Grard Ghibaudo. Quil trouve ici lexpression de ma gratitude.

Jexprime ma plus profonde reconnaissance mon directeur de thse Monsieur Philippe
Benech pour ses aides, son soutien, ses conseils aviss dans le domaine RF surtout la
modlisation lectro-acoustique dont il est lexpert, son encouragement tout au long de la
thse, sa grande sriosit au travail qui ma permis de finir la thse temps et sa
disponibilit.

Jassure de mon entire reconnaissance mon co-directeur de thse M. Jean-Marc Duchamp
qui ma accompagn acadmiquement tout au long de mon sjour au laboratoire depuis le
stage PFE jusquau doctorat. Je le remercie pour mavoir form dans le domaine RF, pour
les changes trs enrichissants que nous avons eu, son soutien, sa vision assez ouverte qui
ma aid avancer dans la deuxime partie de la thse, sa sympathie et son amiti.

Je tiens exprimer ma reconnaissance Monsieur Jamal Assaad, professeur luniversit de
Valenciennes qui me fait lhonneur de prsider la commission dexamen.

Jexprime mes plus sincres remerciements Monsieur Gilles Despaux, professeur
luniversit de Montpellier 2, qui me fait lhonneur de juger ce travail et den tre rapporteur.

Jadresse galement mes remerciements Monsieur Jean-Pierre Teyssier, professeur
luniversit de Limoges davoir accept dtre le rapporteur de mon travail.

Je remercie galement Monsieur Jean-Baptiste David, ingnieur au CEA-LETI qui me fait
lhonneur daccepter de participer ce jury de thse.

Je tiens remercier tout lquipe RFM dirig par Monsieur Philippe Ferrari et Monsieur Tan
Phu Vuong de mavoir accueilli pendant les quatre dernires annes, de leurs soutiens et de
leurs amitis.

Un grand merci Monsieur Nicolas Corrao, responsable de la plateforme hyperfrquence au
laboratoire pour son aide au cours des diffrentes mesures RF.

Je remercie galement Mme Batrice Cabon, qui tait toujours une vraie amie qui ma
soutenu durant les moments les plus difficiles de ma vie avec ses conseils et sa vision fminine
apprciable.

Bien videmment, je salue tous les membres du laboratoire et surtout les ex-colocataires du
bureau 308 : Alina, Yan, Lonce et Karim, ma colocataire de bureau Evanaska et tous les
amis que jai partag mes moments de djeuners avec eux : Anne-Laure, Hamza, Amer,
Estelle, Paolo, Francesco, Franois, Irina, Jalal

Je tiens remercier tous les personnels administratifs et techniques du laboratoire : Anne,
Chahla, Dalhila, Valrie, Annaick, Brigitte, Serge et Luc.

Je noublie pas de remercier mes amis que jai passs avec eux des moments inoubliables
Grenoble : Maher, Mohammad Haffar (mon grand frre), Mohamad Achkar, Dounia, Mirna,
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Zoukaa, Samer, Khaled, Diana, Ahmad Issa, Caroline, Ahmad Habli, Sereen, Ahmad Achkar,
Salim, Wassim, Sahar, Mohamad Eleter

Bien videmment, je ne peux pas citer en quelques lignes tous ceux que jai croiss et qui
mont accord un peu de leur temps ou fait partager leurs connaissances. Ces remerciements
sont eux.

Finalement, je tiens remercier ma chre mre, mon pre, mes trois frres et ma petite sur
et ma grande famille au Liban.
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Table des matires
Thse de Walaa Sahyoun, Grenoble Universits, 2011 1
Table des matires

Table des matires...................................................................................................................... 1
Introduction Gnrale................................................................................................................. 5
Chapitre1 Etat de lart ......................................................................................................... 9
1.1 La tlphonie cellulaire : une histoire de gnrations ................................................ 9
1.2 Notions de filtrage.................................................................................................... 13
1.3 Filtres RF dans les tlphones cellulaires ................................................................ 14
1.4 Technologies SAW et BAW dans la tlphonie mobile .......................................... 16
1.4.1 Les filtres actifs intgrs .................................................................................. 17
1.4.2 Les filtres cramiques....................................................................................... 17
1.4.3 Les filtres ondes de surface SAW ........................................................... 18
1.4.4 Les filtres ondes de volume BAW ........................................................... 20
1.4.5 Principe de fonctionnement des BAW............................................................. 21
1.4.5.1 Les filtres rsonateurs................................................................................ 23
1.4.5.2 Les filtres empils ........................................................................................ 25
1.5 Caractrisation RF.................................................................................................... 27
1.5.1 Mesure VNA.................................................................................................... 28
1.5.1.1 Rappel du principe ....................................................................................... 28
1.5.1.2 L'volution des mesures frquentielles ........................................................ 29
1.5.2 Mesure TDR/TDT............................................................................................ 30
1.6 Conclusion................................................................................................................ 32
1.7 Rfrences ................................................................................................................ 33
Chapitre2 Modlisation des filtres CRF-BAW................................................................. 37
2.1 Introduction .............................................................................................................. 37
2.2 La pizolectricit et le Nitrure dAluminium......................................................... 37
2.2.1 Bref rappel sur la pizolectricit..................................................................... 37
2.2.2 Les quations pizolectriques......................................................................... 38
2.2.3 Quelques matriaux pizolectrique ................................................................ 41
2.2.3.1 Loxyde de zinc (ZnO)................................................................................. 43
2.2.3.2 Le PZT (Perovskite: plomb-zirconium-titanium) ........................................ 43
2.2.3.3 Le nitrure daluminium (AlN)...................................................................... 45
2.2.3.4 Autres matriaux pizolectriques ............................................................... 47
2.2.3.5 Bilan des matriaux pizolectriques........................................................... 47
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Table des matires
2 Thse de Walaa Sahyoun, Grenoble Universits, 2011
2.3 Introduction sur les rsonateurs BAW et les CRF ................................................... 48
2.3.1 Les rsonateurs BAW SMR............................................................................. 48
2.3.2 Les filtres rsonateurs coupls (CRF) ........................................................... 49
2.4 Modlisation et simulation des structures ................................................................ 51
2.4.1 La modlisation et la simulation par la mthode des lments finis................ 51
2.4.2 La modlisation analytique .............................................................................. 52
2.4.3 Les modles bass sur des circuits lectriques quivalents.............................. 53
2.4.3.1 Modle BVD................................................................................................ 53
2.4.3.2 Modle de Mason et le modle KLM........................................................... 54
2.4.4 Circuit lectrique quivalent une propagation en mode d'paisseur ............. 55
2.4.4.1 Les matriaux pizolectriques .................................................................... 55
2.4.4.2 Les matriaux non pizolectriques ............................................................. 58
2.5 Description et validation des modles lectro-acoustiques...................................... 59
2.5.1 Modle d'un rsonateur onde de volume (BAW) .......................................... 59
2.5.2 Modle des filtres CRF .................................................................................... 61
2.6 Conclusions .............................................................................................................. 62
2.7 Rfrences ................................................................................................................ 64
Chapitre3 Caractrisation et validation des simulations des BAW et des CRF................ 67
3.1 Introduction .............................................................................................................. 67
3.2 Les BAW.................................................................................................................. 67
3.3 Les CRF.................................................................................................................... 69
3.3.1 Caractrisation RF des filtres CRF................................................................... 69
3.3.1.1 Prsentation des mesures.............................................................................. 69
3.3.1.2 Premiers rsultats de mesures ...................................................................... 71
3.3.1.3 Dispositifs de de-embedding........................................................................ 73
3.3.1.4 Rsultats des mesures aprs de-embedding ................................................. 75
3.3.2 Comparaison des rsultats de simulations et de mesures................................. 75
3.3.3 Modle lectro-acoustique 1D en large bande ................................................. 76
3.3.4 Extension du modle 1D en modle 2D........................................................... 77
3.3.5 Effet des plots de mesure et limites de la mthode d'pluchage ...................... 79
3.4 Optimisation du test RF pour des filtres CRF.......................................................... 80
3.4.1.1 Impact de la position sur le wafer du filtre sur ses caractristiques............. 80
3.4.2 Automatisation des mesures............................................................................. 83
3.4.3 Etude dun test frquentiel optimis................................................................. 86
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Table des matires
3.5 Conclusion................................................................................................................ 88
3.6 Rfrences ................................................................................................................ 90
Chapitre4 Caractrisation non-linaire des filtres acoustiques sous forte puissance RF.. 91
4.1 Introduction .............................................................................................................. 91
4.2 Caractrisation en puissance des rsonateurs BAW................................................ 93
4.2.1 Banc de caractrisation en puissance des BAW............................................... 93
4.2.2 Dispositif exprimental .................................................................................... 93
4.2.3 Analyse des mesures de puissance................................................................... 95
4.2.4 Modle non-linaire ......................................................................................... 96
4.3 Caractrisation en puissance des filtres acoustiques CRF ..................................... 101
4.3.1 Objectifs ......................................................................................................... 101
4.3.2 Le point de compression ................................................................................ 101
4.3.2.1 Dispositif exprimental .............................................................................. 101
4.3.3 Mesure du point de compression.................................................................... 102
4.3.4 Le produit dintermodulation dordre 3 ......................................................... 103
4.3.4.1 Dispositif exprimental .............................................................................. 103
4.3.4.2 Bilan de puissance...................................................................................... 104
4.3.5 Mesure du spectre la sortie du filtre et dtermination delIP3 .................... 105
4.3.5.1 IP
3
dun thru............................................................................................... 105
4.3.5.2 IP
3
du filtre CRF ........................................................................................ 105
4.3.6 Modle non-linaire des filtres acoustiques ................................................... 106
4.3.6.1 Simulations HB pour les CRF.................................................................... 107
4.3.6.2 Comparaison des rsultats de retro-simulations et des mesures ................ 109
4.3.6.3 Loi de variation non-linaire des paramtres du triplet.............................. 110
4.3.6.4 Vrification du modle non-linaire avec le CRF n2............................... 112
4.4 Conclusion.............................................................................................................. 114
4.5 Rfrences .............................................................................................................. 116
Chapitre5 Nouvelle mthode de tests de dispositifs hyperfrquences............................ 119
5.1 Introduction ............................................................................................................ 119
5.2 Choix des conditions de mesures ........................................................................... 121
5.2.1 Choix du paramtre danalyse........................................................................ 122
5.2.1.1 Rapport Signal sur Bruit (RSB) .................................................................. 122
5.2.1.2 Taux dErreur Binaire (TEB)...................................................................... 123
5.2.1.3 Module du Vecteur dErreur (EVM) .......................................................... 124
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Table des matires
5.2.2 Choix de la modulation .................................................................................. 126
5.3 Description de la technique de mesure................................................................... 128
5.3.1 Principe........................................................................................................... 128
5.3.2 Mthode de simulation sous ADS.................................................................. 130
5.3.3 Procdure dexprimentation et banc de mesure............................................ 132
5.4 Analyse des rsultats des filtres de Butterworth .................................................... 134
5.5 Applications sur des filtres de Tchebychev............................................................ 139
5.6 Applications du test industriel sur des filtres CRF-BAW...................................... 140
5.6.1 Analyse dun filtre CRF prototype................................................................. 141
5.6.2 Paramtres critiques pour le test industriel .................................................... 142
5.6.3 Test des filtres CRF........................................................................................ 142
5.6.3.1 Dcision sur le point A............................................................................... 143
5.6.3.2 Dcision sur le point C............................................................................... 143
5.6.3.3 Dcision sur le point D............................................................................... 144
5.6.3.4 Dcision sur le point B............................................................................... 145
5.7 Conclusion.............................................................................................................. 147
5.8 Rfrences .............................................................................................................. 148
Conclusions Gnrales ........................................................................................................... 149
Liste des publications ............................................................................................................. 153
Annexe I : Equation de la propagation en mode dpaisseur dune couche pizolectrique . 155
Annexe II : Proprits des matriaux ..................................................................................... 159
Annexe III : Calibration sous forte puissance ........................................................................ 161
Annexe IV : Simulations HB du CRF sous forte puissance................................................... 163
Glossaire................................................................................................................................. 167
Rsum................................................................................................................................... 169
Abstract .................................................................................................................................. 169
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Introduction Gnrale
Introduction Gnrale
Grce lvolution de la microlectronique, la tlphonie mobile a subi depuis une
vingtaine dannes un grand essor du point de vue technologique et conomique. Les besoins
en termes de miniaturisation, rduction du cot et de la consommation nergtique et
lamlioration des performances ont contribu au passage des standards numriques utilisant
une large bande de frquence pour transmettre linformation et laccroissement de la
complexit lie une quantit de fonctionnalits nouvelles, intgres dans les terminaux
mobiles. Parmi les circuits lectroniques les plus concerns par les contraintes technologiques
figurent les fonctions de filtrage. En effet, ces fonctions comptent parmi les plus importantes
de la tlphonie cellulaire, elles permettent de slectionner le signal utile en rception et de
limiter les signaux parasites en mission. Elles doivent relever un double dfi consistant
traiter simultanment un nombre toujours plus grand de signaux, tout en limitant la
consommation nergtique et la surface de silicium employe pour ceux qui sont intgrs. Les
filtres radiofrquences utiliss dans un systme de communications radio reprsentent 30% de
son cot total.
La ralisation de filtres est possible avec des technologies traditionnelles type PCB
(Printed Circuit Board). Cependant ces technologies noffrent pas les performances attendues
(facteur de qualit) et ne sont pas intgrables. Les technologies utilisant des rsonateurs
onde de volume ou BAW (Bullk Acoustic Wave) offrent des potentialits importantes tant sur
le plan des performances que sur celui de lintgration ou de la fabrication dans des
technologies silicium. Cette technologie base sur des couches minces pizolectriques de
nitrure daluminium permet dobtenir un facteur de qualit lev et une surface plus rduite
que les rsonateurs SAW (Surface Acoustic Wave) et les rsonateurs cramiques.
De nombreuses tudes ont t menes ces dernires annes pour tudier la faisabilit et la
ralisation de filtres BAW sur silicium compatibles avec les technologies standard de la
microlectronique. Ces tudes ont port sur des aspects technologiques, sur les architectures
possibles utilisant plusieurs BAW ou encore sur la fiabilit. Parmi celles-ci les filtres
rsonateurs coupls ou CRF (Coupled Resonator Filter) apportent des solutions performantes.
Ces filtres base sur une architecture innovante utilisant des rsonateurs BAW coupls
lectriquement et mcaniquement travers un empilement de couches offrent des
performances leves en termes de pentes de rjections et de pertes dinsertion dans la bande
passante.
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Introduction Gnrale
Cependant, les tudes concernant la caractrisation de ces dispositifs grande chelle sont
trs peu nombreuses. Les tests effectuer peuvent tre de plusieurs natures : contrle physico-
chimique au cours de la fabrication, test intermdiaires laide de composants ddis mais
non utiles en termes de filtrage.... Malgr ces tests, le test final la frquence de
fonctionnement du filtre ralis demeure indispensable. Les techniques classiquement
utilises pour caractriser les composants et dispositifs hyper frquences sont au nombre de
deux.
La premire mthode de mesure qui est aussi la plus utilise est la caractrisation
frquentielle laide dun signal harmonique. Cela est d vraisemblablement au rapide
dveloppement des analyseurs de rseaux vectoriels qui offrent depuis lavnement des
sources synthtises, des caractristiques de prcision, de stabilit et de dynamiques
excellentes. En outre, les systmes de communication sont le plus souvent bande troite
(mlangeurs, filtres, multiplieurs, coupleurs, duplexeurs, ) et se prtent bien une analyse
frquentielle. Elle permet de faire un bilan de puissances microonde partir de la puissance
envoye par lappareil et deux puissances mesures : celle ayant travers le dispositif et celle
rflchie par lentre du dispositif hyperfrquence tester (DST). On obtient alors les
paramtres S du DST. Cette mthode sappuie sur un appareil nomm Vector Network
Analyser (VNA). Toutefois la premire tape de mesure avec un VNA ncessite de raliser
une calibration. Cette tape est indispensable pour dplacer les plans de rfrence de
lappareil de mesure jusqu lentre du dispositif et ainsi de saffranchir principalement de
linfluence des cbles et des sondes de mesure et corriger les drives de lappareil. Ce
calibrage peut tre rpt plusieurs fois durant la journe. Ensuite pour chaque point de
frquence quatre paramtres complexes S (module et phase) sont mesurs. Le temps de
mesure dpend du nombre de points de mesures frquentielles (classiquement plusieurs
centaines). Le principal inconvnient de cette mthode de mesure est que la moiti du cot
dun filtre RF intgr et ralis en technologie microlectronique est lie ces tests
frquentiels. Il existe une variante cette mthode frquentielle base sur lutilisation
danalyseurs de spectre. Cette variante permet dobtenir une seule mesure correspondant au
module de la puissance transmise (soit 1 paramtre au lieu de 8). Un analyseur de spectre est
un appareil gnralement moins cher quun VNA. Si cette variante est souvent plus rapide, il
est toutefois impossible de dcrire correctement le comportement dun DST avec un seul
paramtre et sans aucune information sur le dphasage quil introduit.
La seconde mthode de mesure est base sur des mesures impulsionelles ralises laide
dun Time Domain Reflectometry/Transmission (TDR/T). Lapproche temporelle peut
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Introduction Gnrale
constituer une bonne solution pour la caractrisation de ces nouveaux systmes. De plus,
contrairement aux analyseurs de rseaux vectoriels, les TDR/T peuvent tre utiliss sans
calibration pralable pour donner des informations qualitatives sur le dispositif test.
Toutefois pour obtenir des informations quantitatives avec une prcision acceptable une
calibration est aussi ncessaire. Les TDR/T sont des bancs de rflectomtrie temporelle
constitus dun gnrateur transition rapide et dun oscilloscope. Le principe dun tel
appareil consiste exciter un DST par un gnrateur dchelon ou dimpulsion pour mesurer,
laide de ttes dchantillonnage, les signaux rflchis et transmis. Cette technique exige une
trs grande rapidit dchantillonnage des sondes. De plus, la finalit est de dterminer les
paramtres S en appliquant un algorithme de transforme de Fourier Rapide (FFT) aux
signaux mesurs ce qui ncessite un temps de mesure supplmentaire non ngligeable. Cette
mthode est mal adapte lextraction de performances propres un systme de transmission
numrique tel que le taux derreur binaire (TEB ou BER en anglais). Elle reste ddie la
caractrisation de composants. Les performances des systmes TDR/T en termes de
dynamique et de rptabilit restent cependant trs infrieures celles obtenues avec les
systmes htrodynes. Cette mthode ne peut pas remplacer les VNA par des systmes
temporels, mais permet une approche alternative pour mesurer des non linarits ou certaines
rponses transitoires.
Les diffrentes techniques classiques cites ci-dessus exigent la fois une procdure
complique de mesure, un temps de caractrisation important et souvent des quipements
prix levs. Dautre part aucune de ces mthodes ne permet de prciser limpact des
performances du DST sur celles du systme de transmission global.
Le travail de cette thse prsente deux aspects : la modlisation des filtres CRF en rgime
linaire et non linaire et loptimisation des tests industriels RF.
Ce manuscrit est organis en cinq chapitres et sarticule de la manire suivante :
Dans le premier chapitre, nous prsentons un aperu des diffrentes gnrations
et standards de la tlphonie cellulaire. Ensuite, un tat de lart des technologies
faisant appel aux ondes lastiques de surface et de volume (SAW et BAW)
utilises dans le filtrage RF est illustr par les diffrentes solutions ondes
acoustiques de volume (BAW) dont les filtres CRF qui feront lobjet de notre
tude.
Le deuxime chapitre porte sur des rappels concernant la pizolectricit et
particulirement sur le matriau AlN. De plus, nous expliquons le principe de
fonctionnement des CRF et nous abordons les diffrents modles et les outils de
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Introduction Gnrale
simulations associs. Enfin, nous validons un modle lectro-acoustique large
bande que nous avons retenu pour lensemble des travaux de thse sur les filtres
acoustiques.
Au cours du troisime chapitre, nous prsentons la caractrisation et la
simulation large bande des rsonateurs BAW et des filtres pizolectriques CRF.
Aprs, nous avons tudi une procdure de caractrisation en frquence des
filtres, base sur une analyse, comme elle peut tre faite classiquement avec un
grand nombre de points de frquence et nous avons propos et valid une
mthode visant rduire le nombre de frquences mesures.
Nous nous intressons dans le quatrime chapitre au comportement non-linaire
des rsonateurs BAW et filtres CRF sous fortes puissances. Un modle lectro-
acoustique non linaire est dvelopp par la suite partir des mesures sous fortes
puissances que nous avons effectues.
Le dernier chapitre sera consacr dfinir une nouvelle mthode de test
industriel permettant de qualifier les dispositifs RF en grande srie avec un
temps et un cot rduits. Le principe de la nouvelle mthode repose sur une
mthode hybride : frquentielle et temporelle qui exploite les avantages et les
potentialits de ces deux approches.
Enfin, nous conclurons sur les principaux points abords dans cette thse en envisageant
quelques perspectives ces travaux.
Lensemble de ce travail a t men bien dans le cadre du projet FAST labellis par le
ple de comptitivit MINALOGIC. Notre partenaire principal qui nous a fourni les filtres
intgrs est le CEA-LETI.
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Chapitre 1 : Etat de lart
Chapitre1 Etat de lart
Le monde de la tlphonie cellulaire et des systmes de transmission radiofrquence a
subit une volution technologique effrne ces dernires annes. Nous prsentons dabord
dans ce chapitre les diffrentes gnrations marquant lvolution de la tlphonie mobile
allant de la transmission analogique de la premire gnration la transmission numrique
haut dbit de la quatrime gnration.
Cette explosion du monde des communications mobiles a remis en cause toutes les
technologies rcentes afin de rpondre aux exigences de plus en plus strictes en termes
doccupation du spectre radiofrquence et de compatibilit ventuelle des standards
tlphoniques conduisant donc des architectures plus complexes de toutes les fonctions RF.
Une des fonctions les plus concernes par les contraintes des nouveaux standards est le
filtrage radiofrquence (RF) que nous aborderons, nous verrons notamment les diffrentes
technologies utilises, leurs avantages et leurs limitations. Citons la technologie ondes de
surface ( SAW : Surface Acoustic Wave) suivie par celle ondes de volume ( BAW :
Bulk Acoustic Volume ) offrant des potentialits importantes tant sur le plan des
performances que sur celui de lintgration et de la fabrication dans des technologies
collectives comme les technologies silicium.
Le dveloppement technologique des systmes de communication tend rduire
lencombrement par une stratgie dintgration de tous les modules RF tout en prenant en
compte le cot du systme total, dans lequel le test doit tre intgr.
Le test des composants radiofrquences tant une tape importante de la fabrication, il
est actuellement bas sur la mise en uvre de techniques frquentielles ou impulsionnelles
avec des appareils classiques tels que le VNA (Vector Network Analyzer) ou le TDR
(Time Domain Reflectometry) qui restent assez lourds en termes de cot et de temps
d'analyse.
1.1 La tlphonie cellulaire : une histoire de gnrations
Lhistoire des systmes de communication sans fil remonte au 19
me
sicle, quand Hertz
dmontra que les ondes lectromagntiques pouvaient se propager sans support matriel. Les
interactions des ondes lectromagntiques mises avec lenvironnement dans lequel elles se
propagent sont diverses et multiples et dterminent les performances des systmes de
transmission sans fil. Par ailleurs, la demande de dbits de plus en plus importants a conduit
une augmentation des frquences porteuses.
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Au dbut des annes 1980, les systmes de tlphonie cellulaire ont connu un essor
principalement au niveau de la mobilit. En effet, les volutions technologiques des semi-
conducteurs, microprocesseurs et des batteries ont permis de concevoir des tlphones
portables plus petits, plus lgers et accessibles pour un grand nombre dutilisateurs (20
millions dutilisateurs en 1990). Ces premires architectures cellulaires dites de premires
gnrations (1G) permettaient la transmission de la voix dune faon analogique. Les
systmes les plus importants de tlphonie portable sont AMPS (Advanced Mobile Phone
System), NMT (Nordic Mobile Telephone) et TACS (Total Access Communication
System).
Les principales contraintes de cette gnration taient le nombre limit des
communications simultanes dans une mme cellule par risque de saturation des rseaux de
transmission.
Le dveloppement des tlphones cellulaires de seconde gnration fut dirig par le
besoin d'amliorer la qualit de transmission, le dbit ainsi que la couverture du rseau. Les
technologies des semi-conducteurs et des dispositifs micro-ondes ont permis l'utilisation de
la transmission numrique au sein des tlcommunications mobiles.
Grce aux rseaux 2G, il est possible de transmettre la voix ainsi que des donnes
numriques de faible volume, par exemple des messages texte ( SMS , pour Short Message
Service) ou des messages multimdias ( MMS , pour Multimedia Message Service).
Aujourd'hui de nombreux standards lis aux premire et deuxime gnrations sont
apparus et sont mondialement utiliss. Chaque standard son propre niveau de mobilit, de
capacit et de service. Certains standards ne sont utiliss que dans un pays ou une rgion et
sont pour la plupart incompatibles entre eux. Les principaux standards de tlphonie mobile
sont les suivants [Lagrange-2000] :
GSM (Global System for Mobile Communications) : le standard le plus utilis la fin
du 20
me
sicle. Les bandes de frquences utilises en Europe sont 900 MHz et 1800 MHz,
aux Etats-Unis 1900 MHz. La norme GSM permet un dbit de 9,6 kbps. GSM est
la famille de standards la plus efficace ( GSM900 , GSM1800 , et GSM1900 ) qui
reprsente 250 millions des 450 millions de cellulaires prsents dans le monde sur environ
140 pays et 400 rseaux.
Le standard GPRS (General Packet Radio System), appel encore 2,5G, est une
extension de la norme GSM et a t mis en uvre afin damliorer la qualit du dbit
qui est de lordre de 114 kbps.
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La norme EDGE (Enhanced Data Rates for Global Evolution) connue comme la
gnration 2,75G amliore aussi la qualit du dbit du GPRS en le ramenant 384
kbps et permettant donc des transmissions de contenus multimdias.
CDMA (Code Division Multiple Access) : utilisant le principe de multi frquences. Il
permet plusieurs liaisons numriques d'utiliser simultanment la mme frquence
porteuse.
TDMA (Time Division Multiple Access) : utilisant une technique de dcoupage
temporel des canaux de communication, afin d'augmenter le volume de donnes
transmises simultanment. La technologie TDMA est principalement utilise sur le
continent amricain, en Nouvelle Zlande et en Asie Pacifique.
Aprs les deux premires gnrations, les instances de normalisation ont dcid
dunifier tous les rseaux de la 2G en un seul rseau en lui ajoutant des capacits multimdias
ncessitant un haut dbit pour les donnes en un seul systme dit de troisime gnration (3G)
de tlphonie mobile : International Mobile Telecommunications IMT-2000 . Le nombre
2000 est en rfrence la bande de frquence utilise autour de 2000 MHz.
Le principe du systme est souvent rsum dans la formule anyone, anywhere,
anytime , signifiant que chacun doit pouvoir joindre ou tre joint n'importe o et n'importe
quand. Le systme doit donc permettre l'acheminement des communications indpendamment
de la localisation de l'abonn, que celui-ci se trouve chez lui, au bureau, dans un moyen de
transport...
Les spcifications IMT-2000 de l'Union Internationale des Communications (UIT),
dfinissent les caractristiques de la 3G. Ces caractristiques sont notamment les suivantes :
Un haut dbit de transmission partag entre 144 Mbps et 2 Mbps ;
Compatibilit mondiale avec les services mobiles 3G et les rseaux de la
seconde gnration.
La 3G, permettant datteindre des dbits levs, ouvre ainsi la porte des usages
multimdias tels que la transmission vido, la visioconfrence ou l'accs internet haut dbit.
Les rseaux 3G utilisent des bandes de frquences diffrentes des rseaux prcdents : 1885-
2025 MHz et 2110-2200 MHz.
La principale norme 3G utilise en Europe est l UMTS (Universal Mobile
Telecommunications System), utilisant un codage W-CDMA (Wideband Code Division
Multiple Access). La technologie UMTS utilise une bande de frquence de 5 MHz pour le
transfert de la voix et des donnes avec des dbits pouvant aller de 384 kbps 2 Mbps.
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La technologie HSDPA (High-Speed Downlink Packet Access) est un protocole de
tlphonie mobile de troisime gnration dit 3,5G permettant d'atteindre des dbits de
l'ordre de 8 10 Mbits/s. La technologie HSDPA utilise une bande de frquence autour de
5 GHz et utilise le codage W-CDMA (Wide CDMA).
La quatrime gnration 4G est la suite de l'volution de la tlphonie mobile. On
attend une migration majeure vers la technologie IP (Internet Protocol), qui constitue une
convergence du rseau sans fil (WiFi) et de la tlphonie mobile. Il existe toujours et encore
un nuage autour de la norme 4G, d'une part cause de limmaturit de la technologie et
d'autre part cause de la concurrence des organisations, des associations de
tlcommunication qui veulent imposer leur norme pour la 4G.
Les spcifications prvues pour les systmes 4G sont un dbit minimal de 100 Mbps
pour des mobilits leves, arrivant 1 Gbps pour une utilisation fixe, haute qualit de service
multimedia, haute dfinition HDTV pour la vido, une compatibilit avec tous les
standards de tlphonie et les rseaux sans fil existants et finalement un rseau total IP avec
commutation de paquets (packet switching).
Les technologies prcurseurs de la 4 G comme le WiMAX (Worldwide
Interoperabiliy for Microwave Access), le LTE (Long Term Evolution) sont apparues sur
le march partir de 2006 et 2009 respectivement. Les versions rcentes de ces pr-4G vont
vers des rseaux internet mobiles avec des dbits similaires ceux de l'internet fixe de lordre
de 100Mbps et 144Mbps avec un grand nombre dutilisateurs simultans tout en rduisant le
cot des mgabits transmis.

Figure 1-1. Evolution des systmes de tlphonie mobile [Adachi-2001] de la 1G vers la 4G et des
rseaux de communication sans fil
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Les puces silicium ont donc volu pour rpondre la demande de ces nouveaux
standards et la croissance continue du march mondial. Le spectre de frquences occup par
les systmes de tlcommunications sans fil, slargit considrablement pour permettre un
dbit dinformation toujours plus important, donnant naissance notamment aux architectures
mergeantes allant vers la 3G et la 4G pour le domaine de la tlphonie.
Les terminaux 3G doivent alors satisfaire un cahier des charges assez svre en termes
de cot et de miniaturisation tout en multipliant les fonctionnalits incorpores et lautonomie
en nergie. Lamlioration des performances accompagne dune stratgie dintgration de
toutes les fonctionnalits dans les tlphones mobiles est accompagne par une complexit
technologique de plus en plus importante conduisant lapparition de technologies
prometteuses tels que les dispositifs acoustiques intgrs onde de surface SAW ou
onde de volume BAW .
Ces dispositifs rpondant aux exigences des nouveaux standards se trouvent dans les
fonctions filtrages et oscillateur .
1.2 Notions de filtrage
La demande d'utilisation de systmes de transmissions radiofrquence est en constante
augmentation et le nombre de bandes disponibles tant restreint, il devient impratif que les
systmes de transmission soit efficaces en terme de largeur de canaux. Compte tenu de ces
contraintes, il faut pouvoir isoler efficacement les bandes de frquences entre elles afin de les
rapprocher. De plus, les canaux de frquence tant en gnral utiliss en mode full-duplex ,
il faut pouvoir sparer les canaux dmission (Tx) et de rception (Rx) pour chaque bande
sans dgrader la qualit de transmission. Pour rpondre ces exigences, les contraintes de
ralisation sont en grande partie reportes sur les filtres, principalement passe-bande, dont la
rponse typique est prsente sur la figure 1-2.
La principale caractristique dans la conception dun filtre passe-bande est sa frquence
centrale f
0
. Ce paramtre compar la bande passante du filtre dfinit le facteur de qualit Q
l

qui reprsente la slectivit du filtre, bien que ce facteur ne soit plus tout fait reprsentatif
des qualits d'un filtre notamment pour les filtres rsonateurs mcaniques qui prsentent des
pentes de rjection extrmement leves. Pour les tlphones portables actuels, ce facteur peut
atteindre des valeurs de 30 pour certaines technologies avances [Satoh-2005]-[Dubois-2006]
comme les filtres acoustiques en technologie SAW et BAW .
Un des critres les plus importants dans la bande passante du filtre est les pertes
dinsertion (ou Insertion Losses IL en anglais) qui doivent tre les plus faibles possibles
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(figure 1-2). Les filtres commerciaux actuels dans les tlphones portables prsentent des
pertes dinsertions suprieures 4 dB pour une gamme de temprature de fonctionnement
allant de -30C 85C [Aigner-2004]. Des pertes dinsertion de 3 dB signifient que la moiti
de la puissance est dissipe sous forme de chaleur, ce qui chauffe le filtre et conduit un
comportement non linaire qui se traduit par une translation de sa bande passante. Do
limportance de la stabilit thermique du dispositif surtout pour le standard amricain PCS
(Personal Communications Service) pour lequel la bande de sparation entre les canaux Tx et
Rx est seulement de 20 MHz. Des pertes dinsertion plus faibles induisent une meilleure
sensibilit du rcepteur, une rduction du niveau damplification et une augmentation de
lautonomie de la batterie [Ruby-2005].

Figure 1-2. Rponse dun filtre passe-bande avec ses principales caractristiques
Les ondulations dans la bande passante (figure 1-2) ou en anglais band ripple , sont
aussi un paramtre critique qui ne doit pas dpasser 0,5 dB pour garantir un niveau de
puissance quasi-homogne du signal la sortie du filtre.
La rjection ou le niveau dattnuation hors bande est un troisime facteur important
dans la notion de filtrage qui vite les interfrences entre deux canaux adjacents de
communication surtout pour des cas critiques o les bandes de sparation sont faibles. En
consquence, les bandes de transition (figure 1-2) doivent tre les plus troites possibles
ramenant des facteurs de qualit levs.
1.3 Filtres RF dans les tlphones cellulaires
Le rle principal de la partie analogique RF de l'metteur est de transposer le signal
transporter de la bande de base vers la frquence porteuse.
f0 : frquence centrale
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Figure 1-3. Schma bloc simplifi dun metteur RF
La transposition vers les radiofrquences consiste moduler lune des caractristiques
dun signal RF. Le rcepteur doit extraire les informations du signal mis en dmodulant le
signal reu. Notons qu'ici pour simplifier la comprhension, nous avons prsent un metteur
sans frquence intermdiaire, alors que la plupart des systmes actuels utilise une frquence
intermdiaire pour passer de la bande de base la frquence porteuse.
Pour amener le signal en bande de base sur la porteuse radiofrquence, on utilise la
fonction mlangeur (figure 1-3) qui permet de multiplier le signal metteur en basse frquence
par la porteuse RF synthtise laide dun oscillateur local. Le signal obtenu la sortie du
mlangeur possde un spectre centr la frquence de loscillateur local ou frquence
porteuse. Lamplificateur de puissance PA (Power Amplifier en anglais) amplifie le signal
qui a subit une attnuation lors de son passage par le mlangeur. Avant lmission par
lantenne, on passe par une tape de filtrage RF qui permet de rejeter tous les signaux
parasites ajouts au signal utile dans les tages prcdents.

Figure 1-4. Schma bloc simplifi dun rcepteur RF
La chane de rception de la figure 1-4 doit pouvoir extraire le signal mis en bande de
base du signal RF et capt par lantenne. Comme pour la partie metteur, nous avons choisi de
prsenter un rcepteur sans frquence intermdiaire. Lantenne capte toutes les ondes
lectromagntiques dans une bande passante dtermine dont celle du signal utile. Alors le
signal reu au niveau de lantenne contient le signal utile et des signaux parasites provenant
dautres voies de communication. Le filtre passe-bande RF aprs lantenne vient donc filtrer
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le signal reu par celle-ci autour de la frquence porteuse. Une slectivit trs leve est
requise pour ce filtre surtout si le signal utile est de faible amplitude comparable aux
amplitudes dautres signaux parasites. Le signal est ensuite amplifi par un amplificateur
faible bruit LNA (Low Noise Amplifer) puis transpos en bande de base laide de
ltage mlangeur.
Pour des systmes de transmission full-duplex o lmission et la rception se font
simultanment, les filtres utiliss prcdemment sont assembls autours d'un composant
appel duplexeur. Cest le cas du standard de communication 3G UMTS qui permet une
mission et une rception simultanes du tlphone mobile.
Le duplexeur permet donc de connecter les chanes dmission et de rception
directement lantenne via les filtres Rx et Tx (figure 1-5). En consquence, il faut garantir
une forte isolation entre les deux chanes de transmission pour ne pas saturer la partie
rcepteur. Cette isolation du signal mis arrive 55 dB lentre du rcepteur pour les
duplexeurs PCS dAvago.

Figure 1-5. Systme full-duplex dun metteur-rcepteur RF avec frquence intermdiaire (FI)
A part lisolation leve requise entre les bandes Tx et Rx et la forte slectivit des
filtres, le mode full-duplex doit avoir une sensibilit importante en rception de lordre de
-117 dBm [Bar-2008]. Do, les performances des systmes de transmission full-duplex
qui dpendent fortement des performances des filtres duplexeurs [Ruby-2005]-[Inoue-2003].
1.4 Technologies SAW et BAW dans la tlphonie mobile
Lintroduction des gnrations rcentes 3G et 4G sest accompagne dune rduction de
la taille des terminaux tlphoniques mobiles et donc des composants utiliss dont les filtres
RF.
Un filtre classique passe-bande est constitu dlments localiss tels que les
inductances et les capacits. Toutefois, cette technologie de filtre ne fonctionne pas au-del de
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500 MHz cause des faibles facteurs de qualits des composants et des pentes de rjection
trop faibles.
Dautres technologies sont proposes pour rpondre aux exigences des nouveaux
standards de tlphonie mobile, comme les filtres actifs, les filtres cramiques et les filtres
acoustiques en technologie SAW et BAW .
1.4.1 Les filtres actifs intgrs
Les filtres actifs sont constitus de composants passifs et dlments actifs
(principalement des amplificateurs oprationnels). Grce aux nouvelles technologies
dintgration avec des transistors frquences de transition leves et l'aide de la
compensation des faibles facteurs de qualit par des montages amplificateurs, la ralisation de
ces filtres partir de rsonateurs lments localiss est devenue possible. Deux mthodes de
compensation des pertes sont utilises : les montages rsistance ngative [Pipilos-1996]-
[Karacaoglu-1995] et les inductances actives [Kuhn-1996]. Les performances prsentes par
les filtres actifs intgrs dvelopps en technologie MMIC (Monolithic Microwave Integrated
Circuits) sont intressantes car ces dispositifs allient plusieurs avantages tels que la
compacit, la reproductibilit, le rglage de la fonction lectrique gnre, la compensation
des pertes et la possibilit de combiner la fonction filtrage avec dautres fonctions
hyperfrquences (amplification, mlange, etc.) [Bergeras-2010].
Nanmoins, lintgration complte dun filtre actif pose de gros problmes relatifs la
prcision des composants, la dynamique des valeurs que lon peut obtenir, la linarit et
linfluence des capacits parasites. Ces limitations ont fait que lapplication des filtres actifs
intgrs est reste trs restreinte dans les chanes radio des terminaux mobiles [Kuhn-1998].
1.4.2 Les filtres cramiques
Dautres topologies de filtres peuvent tre ralises parmi lesquelles les filtres
dilectriques utiliss depuis 1960 pour raliser les fonctions de filtrage RF. Les matriaux
cramiques ont lavantage davoir des pertes dilectriques rduites, une grande stabilit en
temprature (un coefficient de variation de la frquence en temprature TCF infrieur
10ppm/C) et une permittivit relative importante (entre 20 et 90) [Wakino-1984]. Une forte
permittivit relative avec de faibles pertes dilectriques se traduit par un facteur de qualit
lev, de faibles pertes dinsertion et une bonne stabilit thermique [Aigner-2005]. Leur
fonctionnement repose sur les diffrents modes de propagation des ondes lectromagntiques
ce qui ncessite de protger les rsonateurs par des cavits mtalliques pour viter les
rayonnements parasites prsents dans lenvironnement.
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Figure 1-6. Filtre dilectrique dordre 9 pour le standard UMTS en liaison montante
[Knack-2008] (Uplink)
Ces structures sont faciles concevoir, et elles peuvent tre fabriques en masse, donc
bas cot et facilement modulables pour obtenir une forme dsire. Ces filtres sont utiliss
dans les stations de base de radio mobile grce leurs forts facteurs de qualit avec une forte
stabilit en puissance arrivant jusqu 10 W, mais leur encombrement est un problme majeur
pour leur intgration dans les tlphones mobiles.
Les matriaux cramiques haute permittivit dilectrique parmi lesquels le MgTiO
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CaTiO
3
[Wakino-1977], Ba(Sn,Mg,Ta)O
3
[Tamura-1986] et le Ba(Zn,Ta)O
3
[Kawashima-
1983] ont connu un grand succs pour la conception des filtres dilectriques miniaturiss.
Cependant, la contrainte de la taille reste persistante parce que ces matriaux cramiques
plus forte permittivit prsentent des pertes dilectriques assez leves. La taille des
cramiques peut atteindre 1 cm dans les " front-end modules" [Ren-2001] et condamne
dfinitivement lide dintgration.
1.4.3 Les filtres ondes de surface SAW
Tous les filtres acoustiques utilisent le principe de la conversion dnergie lectrique en
nergie acoustique et inversement. Lintrt de cette technologie est que les ondes acoustiques
se propagent des vitesses 100000 fois plus faibles que celle des ondes lectromagntiques ce
qui permet de rduire de la taille du composant.

ZnO
Substrat
Electrodes
Film
pizolectrique
Substrat

Profondeur
Direction de
propagation en surface

Figure 1-7. Schma d'un rsonateur de type SAW. Figure 1-8. Dplacement mcanique des
particules pour une onde de Rayleigh.
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Les filtres SAW ne sont pas les premiers composants acoustiques apparatre, les
rsonateurs quartz ont t utiliss depuis longtemps notamment pour des fonctions de
filtrage. Vu leurs limitations en frquence de rsonance jusqu quelques centaines de MHz,
les SAW ont t la solution technologique pour le filtrage plus haute frquence.
A partir des annes 80, la technologie de type SAW est dj largement employe dans le
dveloppement des applications militaires telles que les quipements radars, les capteurs
chimiques [Dickert-2001], et d'aprs Weigel et al. [Weigel-2002] pour la premire fois en tant
que filtre passe-bande FI dans les rcepteurs TV, et toujours employs aujourd'hui notamment
pour cette mme fonction.
En 1990, ces filtres furent llment indispensable dans un systme de transmission sans
fil rpondant aux exigences en termes de petite taille et un facteur de qualit lev [Ikat-
1990]. Les filtres SAW sont utiliss au dbut pour le filtrage intermdiaire (FI) mais avec les
progrs de la photolithographie, les filtres SAW ont pu atteindre des frquences de
fonctionnement de lordre de 2,5 GHz permettant dadopter des architectures conversion
directe en bande de base sans passer par des tages de filtrage intermdiaire [Steichen-2000].
Les filtres FI ont commenc donc disparatre des tlphones GSM et CDMA.
Un exemple de schma et de principe de fonctionnement est reprsent sur la figure 1-7.
Une onde du type onde de Rayleigh nat de la contraction d'un milieu solide tel un matriau
pizolectrique situ entre les doigts de l'lectrode en forme de peigne interdigit. Un signal
RF appliqu sur l'un des peignes est converti en ondes acoustiques de surface se propageant
vers l'autre lectrode. L'onde acoustique de surface est alors transforme nouveau en onde
lectromagntique. Pour une frquence bien dtermine, ceci permet de crer une excitation
acoustique constructive pour les ondes de surface.
Le filtre SAW possde des trs bonnes performances en termes de slectivit, de pertes
dinsertion et d'encombrement avec un cot de fabrication assez comptitif grce la
simplicit de la procdure de fabrication tout en permettant une grande flexibilit sur ces
caractristiques en jouant sur la conception du filtre [Aigner-2005]. Toutefois, les filtres SAW
prsentent deux inconvnients majeurs : la limitation en frquence jusqu 2,5 GHz due la
limitation du procd de gravure des peignes interdigits (rsolution lithographique) et leur
sensibilit aux niveaux levs de puissance au-del de 1 W. En outre, la nature chimique des
matriaux pizolectriques prsents dans la plupart des SAW les rend incompatibles avec les
circuits intgrs silicium. Ainsi, les SAW ncessitent souvent aussi une couche pour isoler le
matriau pizolectrique du silicium des puces. Cette couche peut servir la fois d'isolation
chimique, si le film pizolectrique est incompatible chimiquement avec le substrat ou encore
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favoriser la propagation des ondes acoustiques. Un dernier inconvnient est la taille de ces
composants, qui si elle est rduite par rapport aux technologies antrieures, est trop
importante pour envisager leur intgration sur silicium.
1.4.4 Les filtres ondes de volume BAW
Vu les contraintes technologiques limitant lutilisation des composants SAW, des
travaux de recherche ont commenc depuis une vingtaine dannes sur une nouvelle
technologie exploitant des ondes acoustiques de volume dite BAW (Bulk Acoustic Wave).
La figure 1-9 montre que les composants BAW permettent de monter en frquence alors
que les dispositifs SAW restent limits 2,5 GHz mme pour les TC-SAW.

Figure 1-9. Rpartition de lutilisation des composants SAW, TC-SAW (SAW compenss en
temprature) et BAW dans les tlphones mobiles
Cette technologie rpond aux besoins de la monte en frquence car daprs le principe
de fonctionnement, lpaisseur est la dimension qui dtermine la frquence de rsonance de la
couche pizolectrique et par consquent les frquences caractristiques des filtres. Donc, la
fabrication des filtres BAW ne pose pas le problme de rsolution lithographique. De plus, les
BAW sont bien plus stables [Aigner-2003]. Ils rsistent galement mieux la puissance
vhicule [Park-2003] et aux dcharges lectrostatiques [Aigner-2002] puisque la puissance
RF est rpartie dans le volume de la couche pizolectrique qui son tour prsente une tenue
remarquable la puissance.
Le passage la nouvelle technologie BAW se traduit aussi par un gain de surface, par
rapport aux filtres SAW. La taille des BAW permet denvisager l'intgration monolithique des
circuits micro-ondes, dits MMIC ("Monolithic Microwave Integrated Circuits"), avec les
technologies CMOS [Lanz-2004]. Les BAW sont plus attractifs que les SAW car ils sont
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compatibles avec les procds de fabrication des circuits CMOS et BiCMOS ce qui permet
denvisager l'intgration complte d'une chane de transmission radiofrquence permettant de
rduire les cots de production [Loebl-2003]. Un autre avantage est la possibilit dutiliser un
substrat bas cot tel que le silicium contrairement aux filtres SAW qui requiert un substrat
pizolectrique.
Le dveloppement de cette technologie depuis une vingtaine dannes lui a permis de
passer au stade de la commercialisation la fin des annes 90 quand AVAGO (prcdemment
Hewlett Packard) et Infineon (prcdemment Siemens) ont dvelopp un procd de
pulvrisation permettant d'obtenir des couches pizolectriques de qualit.
1.4.5 Principe de fonctionnement des BAW
La structure de base est une capacit Mtal-Isolant-Mtal MIM dont le dilectrique
est un matriau pizolectrique pris en sandwich entre deux lectrodes mtalliques de faible
paisseur. Suite lapplication dun champ lectrique, le matriau pizolectrique est le sige
dune dformation grce au phnomne de pizolectricit inverse (ou leffet Lippman).
Londe acoustique gnre suite lapplication dun champ lectrique se propage suivant une
direction donne dans le matriau avec une vitesse v qui dpend des proprits lastiques du
milieu et de la direction de propagation. La rsonance aura lieu suite la construction dune
onde stationnaire qui dpend des dimensions caractristiques telles que la longueur de
propagation de londe acoustique qui doit tre n fois (n est un nombre entier) la demi-
longueur donde .
Les premiers dispositifs onde de volume sont les rsonateurs Quartz surfaces
planes. Les premiers rsonateurs raliss, le sont partir des substrats monocristallins amincis
dont la technique dusinage permet de rduire lpaisseur 8 m, soit une frquence de
rsonance de 200 MHz [Coussot-1974]. Pour pouvoir monter vers les hautes frquences, les
industries ont dvelopp des mthodes de dpt de couches minces de matriaux
pizolectriques tel que le sulfure de Cadium (CdS), loxyde de Zinc (ZnO) et le nitrure
dAluminium (AlN). Ces couches de faible paisseur possdent des proprits
pizolectriques permettant de raliser des rsonateurs hautes frquences.
Tout d'abord, les premiers BAW directement exploitables par l'industrie de la
microlectronique ont t dvelopps par K.M. Lakin et al. [Lakin-2004] aux Etats-Unis, il y
a quelques dizaines d'annes. Aujourd'hui, ces rsonateurs possdent plusieurs configurations
et se dclinent en trois architectures principales.
La premire architecture dveloppe par les acteurs du domaine tait un rsonateur
BAW membrane, ralis par micro-usinage de la face arrire du silicium ; une publication
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sur un rsonateur 198 MHz base de LiNbO
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est date des annes 70 [Coussot-1974]. Pour
bnficier dune technologie "planar " et donc rduire les cots de fabrication, ils ont t
progressivement remplacs par les AGR ("Air Gap Resonators"), que commercialise
aujourd'hui AVAGO. Ceux-ci sont raliss par une nouvelle technologie dite de micro-
usinage de surface (figure 1-10), c'est dire par gravure d'une couche sacrificielle entre le
substrat et la partie active du rsonateur pour raliser une cavit disolation sous le rsonateur.
Ces deux gnrations sont communment appeles FBAR (Film Bulk Acoustic
Resonator) et reprsentent lextension du principe de fonctionnement dun cristal de quartz en
mode dpaisseur.

Figure 1-10. Principe de micro-usinage de surface pour raliser lisolation acoustique des
structures FBAR
Toutefois, lisolation par une cavit dair est pnalisante au niveau de la dissipation
thermique vers le substrat ce qui entrane un chauffement et des effets non linaires plus
importants du FBAR quun SMR (Solidly Mounted Resonator) qui est la nouvelle
architecture des BAW base de rflecteur de Bragg.
La mthode transpose dun principe largement exploit en optique qui est le miroir de
Bragg consiste raliser des empilements alterns de couches quart-donde de matriaux
ayant des faibles et fortes impdances acoustiques sous la partie active du rsonateur (MIM).
Ce principe illustr sur la figure 1-11 permet donc dobtenir des ondes rflchies en phase
avec les ondes incidentes. K.M. Lakin et K.T. McCarron ont relanc l'intrt de cette structure
en 1995 [Lakin-1995] en s'inspirant de travaux datant de 1964 [Newell-1965].
Cette structure ncessite toutefois le dpt de couches supplmentaires et mme la
gravure des couches du miroir de Bragg si celles-ci sont mtalliques ce qui est gnralement
le cas car on prfre utiliser un empilement W/SiO
2
. De plus, cette solution devient trs
coteuse pour des rsonateurs au-dessous de 500 MHz, mais il ne semble pas que cela
constitue un problme majeur spcifique aux SMR car les filtres BAW seront de toute faon
plus coteux et mal placs pour concurrencer les SAW au-dessous de 1GHz. Compare la
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structure FBAR, la structure SMR prsente une isolation moins bonne et donc un coefficient
de couplage et un facteur de qualit moins bons.

Figure 1-11. SMR : un rsonateur BAW avec un rflecteur de Bragg
La troisime architecture est celle BAW avec cavit rsonante ou HBAR (High
Overtone Bulk Acoustic Resonator). Comme pour les FBAR, la partie active du rsonateur est
monte sur un matriau pais prsentant un fort facteur de qualit tel que le Saphire ou le
LiNbO
3
. Toutefois, les dimensions du HBAR et lencombrement excessif du spectre autour de
la frquence de rsonance ne permet pas de lutiliser dans les fonctions de filtrage haute
frquence. Dans le cadre de cette thse, nous nous intressons donc des rsonateurs BAW.
La premire application des BAW est celle des filtres passe-bande pour les frquences
autour du GHz. Lvolution des procds de dpt des matriaux pizolectriques couches
minces a permis de raliser des rsonateurs BAW fonctionnant jusqu 20 GHz [Lanz-2001].
Les filtres BAW sont classs en deux grandes catgories : les filtres rsonateurs et les filtres
empils.
1.4.5.1 Les filtres rsonateurs
Dans ce type de filtre, des rsonateurs BAW (FBAR ou SMR) sont disposs cte cte
(figure 1-12), ce qui simplifie la fabrication dans la mesure o une seule couche
pizolectrique est ncessaire. Toutefois, contrairement au CRF (cf. paragraphe suivant), cette
catgorie de filtre BAW ne permet ni la conversion de mode, du mode asymtrique au mode
diffrentiel, ni la transformation d'impdance. Deux grandes architectures de filtres existent,
les filtres en chelle ("Ladder") soit en "", soit en "T", et en treillis ("Lattice") [Aigner-2007]
ainsi que le montre la figure 1-12.
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Figure 1-12 a) Exemple d'une architecture 3/2-T en chelle.
b) Exemple d'une architecture en treillis.
Pour raliser ces filtres, il est ncessaire de disposer de deux types de rsonateurs
possdant des frquences diffrentes. Le dcalage en frquence peut s'obtenir en ajoutant une
couche supplmentaire de SiO
2
(loading) au rsonateur standard pour abaisser la frquence ou
en gravant la couche suprieure de l'empilement pour augmenter la frquence. Ce dcalage en
frquence est dune grande importance lors de la fabrication de ces filtres car il dtermine au
premier ordre la largeur de la bande passante ainsi que le niveau des pertes d'insertion.
Selon Olutade et al. [Olutade-1997], les filtres en treillis conviennent mieux pour les
circuits RF dont l'entre et la sortie sont diffrentielles ("balanced"). Le rseau en chelle a
une masse commune entre lentre et la sortie. Cette topologie est utile quand on connecte le
filtre une entre en mode commun ("single-ended"), comme c'est le cas des deux filtres de
duplexeur connects lantenne. D'aprs Agilent [Wang-2003], le dsavantage du filtre en
treillis est une bande de transition mdiocre ("roll-off") par comparaison avec des filtres en
chelle et ce avec le mme nombre de rsonateurs.
Afin de combiner les avantages des deux topologies, des travaux proposent de combiner
les deux architectures en une architecture mixte chelle-treillis permettant ainsi dallier les
performances de slectivit et de rjection hors-bande des deux topologies.
Kim et al, [Kim-2006] indiquent que la topologie en treillis ncessite deux fois plus de
rsonateurs que la topologie en chelle, ce qui est srement l'origine de la meilleure tenue en
puissance lectrique qu'ils mentionnent. Ces mmes auteurs montrent galement l'existence
d'une troisime architecture de filtre, dnomme pleine chelle ("Full Ladder") o la
reprsentation des rsonateurs sries entre le port 1 et le port 2 de la figure 1-12 (a) serait
reporte symtriquement la place de la ligne de masse, cette masse commune n'existant
alors plus entre l'entre et la sortie. Comme la configuration en treillis, cette architecture
possde des ports entre-sortie diffrentiels.
a) b)

Parallles
(fo 0,03fo)
Sries
(fo)
masse
Port 1 Port 2

Parallles
(fo 0,03fo)
Sries
(fo)
Port 1 Port 2
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Malgr les diffrentes architectures, ils adoptent la topologie en chelle qui offre de
bonnes performances pour un faible nombre de rsonateurs. Les filtres sont conus en
utilisant des rsonateurs quasiment identiques, mais dont les frquences de rsonance sont
diffrentes [Larson-2000]. Pour satisfaire cet effet, des rsonateurs possdent une charge
mcanique ("mass-loading") sur llectrode suprieure pour abaisser les frquences de
rsonance et danti-rsonance de lordre de 3% par rapport la frquence de la porteuse.
1.4.5.2 Les filtres empils
Parmi les filtres empils, nous trouvons les filtres couplage acoustique tel que les SCF
(Stacked Crystal Filter) et les CRF (Coupled Resonator Filter).
Dans le cas de la figure 1-13, deux rsonateurs sont superposs. Llectrode commune,
fine et relie la masse, permet de raliser un couplage fort et direct entre ces deux
rsonateurs. Le comportement est ainsi quivalent celui dun rsonateur unique mais avec
une rponse en frquence complexe et un k
t
2
divis par deux par rapport un rsonateur
simple ce qui a pour effet de diminuer la bande passante ralisable.

Figure 1-13. Exemple dun empilement de filtre SCF
Les SCF intgrs sur silicium puis sur arsniure de gallium sont initialement raliss par
Kline et al. En 1993, Stokes et al. ralisent le premier filtre BAW dans la configuration SCF
avec deux couches pizolectriques minces dAlN (450nm) et qui est utilis autour de la
troisime harmonique 11,6 GHz.
Ces filtres possdent des pertes dinsertion trs faibles mais leur ralisation dans
lindustrie est coteuse car elle ncessite une bonne matrise des techniques de dpt de
couches minces pizolectriques du fait que les deux rsonateurs doivent rsonner la mme
frquence. Les filtres SCF prsentent aussi des bandes passantes rduites ne permettant pas de
les utiliser dans la plupart des applications de communication RF. Cette contrainte est leve
Couche Pizolectrique
Rflecteur
de Bragg
Electrodes
Substrat
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dans les filtres CRF proposs par Lakin en 2001 qui disposent de bandes passantes
suffisamment larges tout en gardant lavantage dun faible encombrement.
Le principe des filtres CRF est de diminuer le couplage fort entre les deux rsonateurs
en insrant un empilement de couches dpaisseurs /4 et appeles couches de couplage
(figure 1-14). Plus les deux rsonateurs sont loigns, plus ils tendent se comporter comme
deux rsonateurs indpendants, ce qui va permettre donc dlargir la bande passante du filtre
tout en jouant sur le nombre de couches ainsi que sur leur rapport dimpdance acoustique et
d'autre part, d'isoler lectriquement l'entre de la sortie. En outre la surface occupe est
rduite, jusqu' 75 % par rapport un filtre BAW huit rsonateurs comme celui prsent
dans le paragraphe prcdent. Comme le montre la figure 1-14, le dcouplage galvanique
entre lentre et la sortie de ce filtre permet de raliser des adaptations dimpdance de 50
vers 200 par exemple, ainsi que des conversions de mode, mode commun rfrenc la
masse vers des signaux diffrentiels ou vice-versa, ce quon appelle la fonction "Balun" (pour
Balanced-Unbalanced).

Figure 1-14. Exemple dun empilement de filtre CRF
Cette conversion de mode et la transformation d'impdance sont ncessaires dans les
standards actuels GSM et WCDMA. En consquence, la technologie BAW doit intgrer
galement ces fonctions de conversion de mode et de transformation d'impdance. Ainsi, le
CRF est une structure trs intressante de la technologie ondes acoustiques de volume
puisquil permet, en utilisant la technologie BAW, de raliser des filtres films minces
prsentant les mmes fonctions que les filtres SAW (conversion dimpdance et fonction de
balun) ce qui explique lintrt croissant pour cette technologie des leaders des composants
BAW. La faisabilit d'un filtre avec 75 MHz de bande passante -3 dB est dmontre pour
Rflecteur de Bragg
Electrodes
Substrat
Couche de couplage
Electrodes
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l'UMTS 3G. La bande passante obtenue est suffisamment plate ("flatness") pour une
application CDMA. Selon Lakin et al., peu prs 24000 de ces rsonateurs pourraient tre
fabriqus sur un wafer silicium de 200mm.
Nanmoins, le problme majeur de cette technologie est le cot du procd de
fabrication qui ncessite deux fois plus dtapes quun procd de fabrication BAW standard
et qui devient trs coteux compar celui dun SAW [Aigner-2005].
Dans le cadre de ltude prsente dans cette thse, les filtres CRF-BAW conus par le
CEA-LETI dans le cadre du projet FAST avec STMicroelectronics seront tudis. Une tude
du comportement frquentiel du filtre CRF-BAW est effectue avec une modlisation large
bande de sa rponse en rgime linaire et non-linaire.
Toutefois, puisque ces dispositifs sont intgrs, la caractrisation tait faite sous pointe
laide dun VNA. Il faut aussi noter que nous avons utilis des filtres de premire
gnration, raliss par le CEA-LETI. Ces filtres prsentent des dfauts dans la bande
passante ce qui tait intressant dans le cadre du dveloppement de notre tude concernant le
test de ces composants. Le CEA-LETI a depuis mis au point des procds technologiques lui
permettant d'obtenir des filtres de bien meilleure qualit, mais qui ne nous auraient pas permis
de valider notre tude.
1.5 Caractrisation RF
Avec lvolution des dbits dans les systmes de transmission numriques dans le
domaine du gigahertz, les effets dpendant de la frquence deviennent plus importants. La
mesure des paramtres S est devenue alors une tape cruciale dans la vrification lors des
conceptions des systmes de communications grands dbits comme le protocole Ethernet
10 Gbits/s [IEEE 802.3ae] et les standards XFI/XFP [XFP] qui demandent des topologies de
circuits diffrentiels. Ces mesures sont effectues traditionnellement par un analyseur
vectoriel de rseau VNA qui permet de mesurer squentiellement la rflexion et la
transmission du dispositif sous test DST et dafficher les donnes en fonction de la
frquence.
Avec lapparition des nouveaux rflectomtres temporels TDR/TDT avec un temps
de monte de limpulsion trs court de lordre de quelques picosecondes [Picosecond], la
mesure dans le domaine temporel demeure une option de mesure prometteuse. Le TDR/TDT
permet une mesure des paramtres S en fonction de la frquence par une simple transforme
de Fourier aprs numrisation des impulsions transmises et rflchies. La diffrence majeure
entre les deux mthodes de mesure est que le VNA effectue des tests squentiels sur des
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points de frquences dtermines alors que le TDR/TDT permet de raliser la caractrisation
d'un dispositif sur une large bande de frquence qui dpend de la largeur de l'impulsion et ce
en une seule opration. Les mesures TDR/TDT apportent donc des mesures plus rapides avec
une possibilit de faire des mesures diffrentielles et non-linaires.
Dans les paragraphes suivants, nous essayerons dexpliquer brivement le
comportement de chacun de ces appareils en citant les dfis majeurs de chaque technique et
leurs voies de dveloppements.
1.5.1 Mesure VNA
1.5.1.1 Rappel du principe
L'objectif d'un analyseur vectoriel de rseau (VNA) est de fournir des informations
rseaux de type paramtres S du dispositif sous test. Une onde incidente mono frquence subit
une rflexion dune partie du signal due la diffrence dimpdance entre l'entre du
dispositif et l'appareil de mesure, alors que le reste traversera le dispositif. Les paramtres S
sont donc le rapport entre londe incidente et londe rflchie d'une part et entre l'onde
incidente et londe transmise d'autre part.
S
ij
est gale au rapport
j pourk a
j i
k
a b
=0
avec a
j
londe incidente dune source RF au port
j et b
i
londe mesure au port i simultanment. Les autres sources a
k
sont mises zro. Tous
les autres ports doivent tre adapts pour viter la rflexion [Pozar-2002].

DST
Onde incidente
(mode directe)
Onde transmise/
rflchie
(mode directe/inverse)
Onde incidente
(mode inverse)
Onde transmise/
rflchie
(mode directe/inverse)
Source RF

Figure 1-15. Diagramme de mesure en paramtres S
Un quadriple est caractris par 4 paramtres S dont deux en transmission et deux en
rflexion sur chacun des deux ports du DST comme le montre la figure 1-15 ci-dessus. Les
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paramtres S
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et S
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sont ceux de rflexion et valent respectivement b
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/a
1
et b
2
/a
2
. Les
paramtres de transmission S
21
et S
12
sont les rapports de londe transmise travers le DST
sur londe incidente et valent b
2
/a
1
et b
1
/a
2
respectivement.
La source RF commute entre deux modes : le mode direct et le mode inverse. Durant le
premier mode, les deux paramtres S
11
et S
21
sont mesurs. Les deux autres paramtres S
22
et
S
12
sont mesurs en mode inverse.
Les erreurs systmatiques entre ce qui est mesur par le VNA et les signaux mesurs au
niveau du DST sont caractrises laide des procdures de calibration et limines par des
oprations mathmatiques sur les mesures effectues. Diffrentes procdures de calibration
existent telles que le SOLT (Short-Open-Load-Thru), TRL (Thru-Reflect-Line), LRM (Line-
Reflect-Match) et qui diffrent selon lapplication, la mthode de correction et le nombre
de termes derreur [Rytting-2000].
1.5.1.2 L'volution des mesures frquentielles
Les volutions des systmes de transmission sans-fil exigent une rduction de la
consommation dnergie et des interfrences lectromagntiques et une augmentation des
dbits de transfert des donnes. Ces exigences poussent dvelopper des dispositifs
multiports avec des modes communs et diffrentiels haute frquence. Do la ncessit de
dvelopper de nouvelles mthodes de mesures multiports [Rumiantsev-2007].
En outre, la caractrisation des dispositifs numriques modernes allant du processeur
la carte mre dun PC pose des dfis importants aux ingnieurs de conception due aux effets
indsirables des hautes frquences. En effet, lutilisation croissante des PC et de linternet
avec la technologie CMOS a pour rsultat daugmenter la frquence des horloges des
processeurs pour atteindre les gammes des radiofrquences. Pour assurer des hautes
performances aux PC, de nouvelles architectures sont dveloppes utilisant des dizaines et des
centaines de canaux de transmission parallles oprant des hauts dbits de lordre du Gb/s.
Les concepteurs de PC ont donc emprunt les techniques des concepteurs radiofrquences
pour pouvoir prserver lintgrit du signal large bande dans les connecteurs, les emballages
packages et les lignes de connexions PCB. Les techniques de mesure voluent donc pour
caractriser des systmes large bande avec des systmes multiports dans le domaine des
radiofrquences.
Les caractrisations linaires des dispositifs micro-ondes sont effectues par la mesure
des paramtres S laide d'un VNA. Les VNA classiques utilisent deux ports pour mesurer les
dispositifs alors que les mesures des dispositifs numriques ncessitent des instruments
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multiports [Ferrero-2010]. De plus, cause de la nature large bande des signaux numriques,
les mesures frquentielles doivent staler sur une large gamme de frquences allant au-del
de 40 GHz et mme parfois plus pour tudier le comportement pour les frquences
harmoniques des frquences porteuses. Pour ces hautes frquences, la calibration des mesures
doit tre trs prcise.
Le premier VNA 4-ports bas sur le principe de 2n-rcepteurs 40 GHz est conu par
Rhode et Schwarz [Rhode&Shwarz-2006]. Les mesures multiports prsentent des difficults
[Agilent-2006] surtout si elles sont effectues sous pointes o la configuration des sondes ne
permet pas toujours une transmission idale au niveau de la connexion. L'augmentation de la
frquence des VNA multiports ncessite aussi de nouvelles mthodes de calibration
particulirement pour les mesures au niveau du wafer et les dispositifs travaillant en mode
diffrentiel.
Les voies de dveloppement pour un VNA suivent donc le besoin de nouvelles
mthodes de caractrisation des dispositifs sous pointe, multiports et diffrentielles au-del de
40 GHz. Il faut aussi ajouter ces dveloppements des tentatives de caractrisation de
phnomnes non linaires. Les travaux mens actuellement et les produits commerciaux qui
en dcoulent, montrent que le VNA ne peut pas rpondre aux besoins de test des nouveaux
systmes de transmissions numriques disposant de nouveaux protocoles de communications
et reste restreint des tests frquentiels au niveau du composant ou du circuit.
Dautres mthodes de test peuvent tre envisages comme la mthode de test avec un
TDR/TDT.
1.5.2 Mesure TDR/TDT
Linstrument TDR/TDT (Time Domain Reflectometer/Transmission) est un
oscilloscope avec un chantillonnage rapide ayant une large bande passante et disposant d'un
gnrateur dimpulsion interne ayant un court temps de monte. Lappareil excite le DST par
une impulsion et mesure la rflexion/ transmission son entre/sortie (figure 1-16). A partir
des mesures du TDR, le concepteur peut alors localiser les dfauts du DST, connatre son
impdance d'entre et mieux comprendre la topologie du systme. Les informations mesures
partir du TDT permettent de caractriser les paramtres de pertes dune ligne de
transmission, la dgradation, les pertes dinsertion, leffet de peau et les pertes dilectriques.
Toutefois, nous ne pouvons pas observer le comportement en frquence du systme
caractriser. Un logiciel le permet en effectuant le transforme de Fourier (FFT).
Limpulsion incidente se propage travers les discontinuits du DST qui seront
localises et quantifies partir des ondes rflchies. Un TDR rapide possde un temps de
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monte de lordre de 25 35 ps comme les appareils Agilent ou Tektronix [Tektronix-2005]
assurant quune large bande de frquence est caractrise durant cette mesure.

Figure 1-16. Synoptique de mesure TDR/T
La premire tape des mesures TDR/T est la calibration qui permet dliminer les
sources derreur telles que les dlais et les distorsions gnres par les cbles et les sondes. En
gnral un substrat cramique contenant des structures standard (open, short, 50 ohms) est
utilis comme pour le VNA.
Les mesures peuvent tre effectues en mode commun ou en mode diffrentiel avec
deux sources synchronises et une configuration de mesure 4 ports. Le VNA par contre,
utilise un sinus pour exciter le DST avec une bande passante troite du filtre de rception. Les
mesures sont acheves en balayant la frquence RF de la source et du rcepteur synchronis
pour obtenir des informations dans le domaine frquentiel en rfrence aux paramtres S. La
figure 1-17 prsente les mesures en paramtres S en frquence, relies aux mesures
temporelles laide dun TDR/T.

Figure 1-17. Relation entre les mesures paramtres S et les mesures TDR/T
Les mesures faites par un VNA ou un TDR/T sont identiques et rciproques laide
dune simple transforme de Fourier sans aucune perte. Toutefois, la ralisation de chaque
instrument est diffrente entranant donc une diffrence de performances et de prcisions
[Krueger-2008]. La diffrence majeure est la bande passante qui peut arriver dans le cas du
VNA dans le domaine millimtrique (110 GHz, 220 GHz...) alors que la bande de frquence
du gnrateur dimpulsion et de loscilloscope natteignent pas les 30 GHz. Le second
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inconvnient est le bruit du TDR/T caus par un dlai alatoire de 10 ps. Un autre avantage du
VNA est la dynamique de 90 dB alors que celle du TDR/T reste 40 dB.
Les voies de dveloppement du TDR/T comme pour le VNA vont vers une rponse aux
exigences des systmes numriques de haut dbit. Pour assurer lintgrit du signal, il est
ncessaire de contrler limpdance de transmission du milieu que le signal traverse puisque
les discontinuits entranent des rflexions qui peuvent dgrader la qualit du signal.
Les filtres CRF conus par le CEA-LETI sont raliss sur des wafers silicium sur
chacun desquels se trouvent quelques milliers de pices. La mthode impulsionnelle ne
permet pas de tester tous les filtres dans un temps acceptable sur une chane de fabrication.
1.6 Conclusion
Au cours de cet tat de l'art, nous avons fait un rapide bilan de l'volution des
technologies lies aux systmes de transmission sans fil et principalement aux systmes de
tlphonie mobile. Nous avons pu mettre en vidence le rle fondamental des filtres dans les
circuits lectroniques de transmission. Les volutions principales que nous retiendrons sont :
Une rduction de la taille et du poids des appareils de tlphonie qui
reposent entre autre sur les circuits lectroniques suivant la mme
tendance,
Une rduction de largeur des bandes de frquences entre les canaux de
transmission,
Une monte en frquence, vers des frquences porteuses de quelques giga
hertz,
Un accroissement des dbits,
Des contraintes fortes sur les filtres et concernant ces derniers une
ncessit de trouver des technologies et des architectures innovantes.
Concernant les filtres, compte tenu de l'ensemble des contraintes, seuls des filtres
rsonateurs mcaniques peuvent aujourd'hui rpondre aux besoins de la tlphonie mobile.
Le deuxime point important de notre travail concerne le test des filtres. Les mthodes
traditionnellement utilises pour caractriser les circuits hyperfrquences, mthode
frquentielle et mthode impulsionelle, vont vers des volutions lies la structure des
systmes d'une part et d'autre part vers une monte en frquence vers le domaine
millimtrique et au-del. Cependant, nous n'avons pas trouv de dveloppement majeur dans
le domaine du test discriminant pour des composants ou des circuits en sortie de chane de
production.
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1.7 Rfrences
[Lagrange-2000] X. Lagrange, et al., Rseaux GSM : des principes la norme,
ditions Herms Sciences, 2000, (ISBN 2-7462-0153-4)

[Adachi-2001] F. Adachi, Wireless past and Future: Evolving Mobile Communication
Systems. IEICE Trans. Findamental, Vol. E84-A, No.1, Jan. 2001.

[Satoh-2005] Y. Satoh, et al, Development of piezoelectric thin film resonator and its
impact on future wireless communication systems, Japanese Journal of Applied Physics,
Vol. 44, pp. 28832893, 2005.

[Dubois-2006] M.A.Dubois, et al, Monolithic above-IC resonator technology for integrated
architectures in mobile and wireless communication, IEEE Journal of Solid-State Circuits,
Vol. 41, pp. 716, 2006.

[Aigner-2004] R. Aigner, Volume manufacturing of BAW-filters in a CMOS fab, Acoustic
Wave Device Symposium 2004, Chiba Japan, March 2004

[Ruby-2005] R. Ruby, Duplexers : Importance in cellular phone performance. WCA:
Innovations in Wireless Components. http://www.wca.org/year2005/WCA_05-
%20Agilent.pdf, 2005

[Bar-2008] P. Bar, Thse de doctorat intitule Contribution lintgration de rsonateurs
ondes acoustiques de volume au sein des fonctions actives et passives des rcepteurs-
metteurs radiofrquences, Universit de Limoge (2008)

[Inoue-2003] S. Inoue, et al., 1.9 GHz Range Ultra-Low-Loss and Steep Cut-Off Double
Mode SAW Filter for the Rx Band in the PCS Antenna Duplexer. IEEE UFFC Symposium,
pp. 389-392, 2003

[Pipilos-1996] S. Pipilos, et al., A Si 1.8 GHz RLC Filter with Tunable Center Frequency
and Quality Factor. IEEE Journal of Solid State Circuits, vol. 31, no.10, pp. 1517- 1525,
1996

[Karacaoglu-1995] U. Karacaoglu et al., MMIC active bandpass filters using varacter-
tuned negative resistance elements. IEEE Transactions MTT-S., vol. 43, pp. 29262932,
Dec. 1995

[Kuhn-1996] W. B. Kuhn. Design of Integrated RF Bandpass Filters and Oscillators for
Low-Power Radio Receivers. Proceedings of the Ninth Annual IEEE International ASIC
Conference, pp.87-91, 1996

[Bergeras-2010] F.Bergeras, Etude de nouvelles structures de filtres actifs intgres en
Hyperfrquences, Universit de Limoge (2010)

[Kuhn-1998] W. B. Kuhn, et al., Q-Enhanced LC Bandpass Filters for Integrated Wireless
Applications. IEEE Transactions MTTS, vol. 46, no. 12, pp.2577-2586, 1998

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1
[Wakino-1984] K. Wakino, et al., Microwave characteristics of (Zr,Sn)TiO4 and BaO-
PbONd2O3-TiO2 dielectric resonator. Journal of American Ceramics Society, vol. 67, pp.
278-281, 1984

[Aigner-2005] R. Aigner, MEMS in RF filter applications: thin film BAW Technology,
Solid- State Sensors, Actuators and Microsystems, Vol.1, pp.175-210, 2005

[Knack-2008] A.Knack et al. Dielectric Resonator Filters for UMTS Systems, IEEE MTT-
S International Microwave Workshop Series on Art of Miniaturizing RF and Microwave
Passive Components, pp.30-33, Chengdu, Dec.2008.

[Wakino-1977] K. Wakino, et al., Microwave dielectric materials. IEE Four Joint
Conv. Rec., papier: 235, 1977

[Tamura-1986] H. Tamura, et al., High-Q dielectric resonator material for millimetre-
wave frequency, 3rd US-Japan Seminar on Dielectric Piezoelectric Ceramics, pp.: 69-72,
1986.

[Kawashima-1983] S. Kawashima, et al., Ba(Zn,Ta)O3 ceramic with low dielectric loss.
Journal of American Ceramics Society, vol.: 6, pp.: 421-423, 1983.

[Ren-2001] T.L. Ren, et al., PZT based bulk acoustic wave RF filters, Solid-State and
Integrated-Circuit Technology, 2001. Proceedings. 6th International Conference, vol.
1, p.726-29, Oct. 2001

[Dickert-2001] F.L. Dickert, et al., QCM and SAW transducers allow analyte
detection from nanometer to micrometer dimensions using imprinting techniques, Frequency
Control Symposium and PDA Exhibition, 2001. Proceedings of the 2001 IEEE International,
p.528-34, June 2001.

[Weigel-2002] R. Weigel, et al., Microwave acoustic materials, devices, and
applications, Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions, vol. 50, Issue 3, p.738-
49, March 2002.

[Ikat-1990] O. Ikat, et al. Development of 800 MHz band SAW filters using weighting for
the number of finger pairs. IEEE Ultrasonics Symposium, pp.: 83-86. 1990

[Steichen-2000] W. STEICHEN, et al. Composants acoustiques utiliss pour le filtrage
:Revue des diffrentes technologies, Techniques de lingnieur, pp. 1-28, E 2000

[Aigner-2003] R. Aigner; et al. Bulk-acoustic-wave filters: performance optimization and
volume manufacturing, Microwave Symposium Digest, 2003 IEEE MTT-S International,
vol.3, p.2001-04, June 2003.

[Park-2003] J.Y. Park; et al., Comparison of micromachined FBAR band pass filters with
different structural geometry, Microwave Symposium Digest, 2003 IEEE MTT-S
International, vol.3, p.2005-08, June 2003.

[Aigner-2002] R. Aigner; et al., Advancement of MEMS into RF-filter applications,
Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International, p.897-900, Dec. 2002.

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1
[Lanz-2004] R. Lanz, Thse intitule: Piezoelectric thin films for bulk acoustic wave
resonator applications: from processing to microwave filters, Ecole Polytechnique Fdrale
de Lausanne (EPFL), N2991, 2004.

[Loebl-2003] H.P. Loebl; et al., Low-level effects in SBARS and their application to device
optimisation, 2003 IEEE Ulrasonics symposium, vol.1, p.182-86, Oct. 2003.

[Coussot-1974] G.C. Coussot. Bulk wave resonator for the 100-300 MHz frequency
range Proc. IEEE, pp. 590-591, 1974

[Lakin-2004] K.M. Lakin, Thin film BAW filters for wide bandwidth and high performance
applications, Microwave Symposium Digest, 2004 IEEE MTT-S International, vol.2, p.923-
26, June 2004.

[Lakin-1995] K.M. Lakin et al., Solidly mounted resonators and filters, IEEE Ultrasonics
Symposium, 1995. Proceedings, vol. 2, pp.905-08, Nov. 1995

[Newell-1965] W.E. Newell, Face-mounted piezoelectric resonators, Proceedings of the
IEEE, vol.53, Issue 6, p.575-81, June 1965.

[Lanz-2001] R. Lanz, et al., Solidly mounted BAW filters for the 6 to 8 GHz range on AlN
thin films, IEEE Ultrason. Symp., pp. 843-846, 2001

[Aigner-2007] R. Aigner, Bringing BAW Technology into Volume Production: The Ten
Commandments and the Seven Deadly Sins, Proc. 3th Int. Symp. Acoustic Wave Devices
for Future Mobile Communication Systems, 2007

[Olutade-1997] B.L. Olutade; et al., Sensitivity analysis of a thin film bulk acoustic
resonator ladder filter, Frequency Control Symposium, 1997, Proceedings of the 1997 IEEE
International, p.737-42, May 1997.

[Wang-2003] K. Wang; et al., FBAR Rx filters for handset front-end modules with wafer-
level packaging, Ultrasonics, 2003 IEEE Symposium, vol.1, p.162-65, Oct. 2003.

[Kim-2006] Y.D Kim et al., Highly miniaturized RF bandpass filter based on thin-film
bulk acoustic-wave resonator for 5-GHz-band application, Microwave Theory and
Techniques, IEEE Transactions, vol.54, Issue 3, p.1218-28, March 2006.

[Larson-2000] J.D. Larson, et al., Power handling and temperature coefficient studies in
FBAR duplexers for the 1900 MHz PCS band, Ultrasonics Symposium, 2000 IEEE,
vol.1, p.869-74, Oct. 2000.

[IEEE 802.3ae] IEEE Std 802.3ae, The institute of Electrical and Electronics
Engineers, Inc, New York, NY, USA

[XFP] XFP 10 Gigabit Small Form Factor Pluggable Module Standard

[Picosecond] Application Note, "High-Resolution TDR Measurements Using the PSPL
Model 4020 9 ps TDR Source Enhancement Module", Picosecond Pulse Labs, Boulder, CO,
USA, www.picosecond.com

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1
1
[Pozar-2002] David M. Pozar, Microwave Engineering, 2nd edition, John Wiley & Sons,
Inc, 2002.

[Rytting-2000] Doug Rytting, Network Analyzer Error Models and Calibration
Methods, 54
th
ARFTG Conference short notes, December 2000.

[Rumiantsev-2007] A.Rumiantsev et al. A robust broadband calibration method for wafer-
level characterization of multiport devices, 69
th
ARFTG Conference, pp.1-5, Honlulu, HI,
June 2007.

[Ferrero-2010] A.Ferrero, Multiport VNAs Measurements and their digital
applications, APMC 2010 Conference, pp.1887-1892, Yokohma, JP, December, 2010.

[Rhode&Schwarz-2006] Rhode and Schwarz, Vector Network Analyzer R&S ZVA,
Product Brochure, June 2006.

[Agilent-2006] Agilent Technology, Agilent solutions for multiport and balanced
devices, Product Brochure, March 2006.

[Tektronix-2005] Tektronix, Inc., TDR Impedance Measurements: A foundation for
Signal Integrity, Application Note, Literature Number 55W-14601-1, 2005.

[Krueger-2008] B.Krueger et al. Advanced localization technique of failures in
packages / IO-stages of chips using Vector Network Analyser, 15
th
IPFA Conference, pp.1-4,
Singapore, July 2008.

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Chapitre 2 : Modlisation des filtres CRF-BAW
Chapitre2 Modlisation des filtres CRF-BAW
2.1 Introduction
La modlisation et la simulation constituent une tape cruciale dans le dveloppement
dun niveau de comprhension suffisant pour lanalyse ou la conception dun systme
physique tel quun systme pizolectrique. Comme nous lavons vu dans ltat de lart, il est
ncessaire de fournir des outils aux utilisateurs finaux, dans notre cas il sagit de proposer aux
concepteurs de chanes de transmissions radiofrquences, des solutions de simulation
permettant dintroduire les filtres dans leurs circuits lectriques et de pouvoir les simuler.
Cette partie du travail vise un double objectif, dune part comprendre le fonctionnement
et les phnomnes mis en jeu dans les structures utilisant les rsonateurs BAW (Bulk
Acoustic Waves) et dautre part de fournir des modles dcrivant le comportement de ces
dispositifs qui soient en plus adapts aux outils de conception microlectronique et
radiofrquence.
Ce chapitre introduit dabord des rappels sur la pizolectricit et sur le matriau
principal utilis dans les dispositifs BAW quest lAlN. Puis, nous prsenterons la structure
du second dispositif de filtrage radiofrquence : les CRF (Coupled Resonators Filter) et leurs
principes de fonctionnement. Les diffrents modles et les outils de simulation associs seront
ensuite abords. Enfin, nous validerons le modle que nous avons retenu pour lensemble des
travaux de cette thse.
2.2 La pizolectricit et le Nitrure dAluminium
2.2.1 Bref rappel sur la pizolectricit
Leffet pizolectrique est le phnomne par lequel des charges lectriques apparaissent
sur les faces de certains cristaux lorsquils sont soumis des variations de contraintes
mcaniques. Cette dformation induit une polarisation lectrique (ou la variation dune
polarisation dj existante) proportionnelle la dformation et changeant de signe avec cette
dernire.
Cest aux frres Pierre et Jacques Curie (1880) que lon attribue la dcouverte de leffet
pizolectrique direct par leurs tudes thoriques et exprimentales et la mise en vidence de
ses rapports avec les symtries de ltat cristallin. En 1881, Lippmann suggre leffet
pizolectrique inverse, qui fut confirm exprimentalement, la mme anne, par les frres
Curie.
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2.2.2 Les quations pizolectriques
La pizolectricit sera considre comme un phnomne linaire pour les
modlisations en fonction de la puissance d'excitation o les phnomnes non linaires
n'apparaissent pas, ce qui justifie l'utilisation de la thorie de l'lasticit, loi de Hooke par
exemple, pour analyser l'aspect mcanique du problme. Nous verrons au cours du chapitre 4
que des effets non linaires doivent tre pris en considration dans certaines conditions. La
reprsentation de la pizolectricit repose principalement sur le couplage entre proprits
lastiques et lectriques, bien qu'en toute rigueur d'autres proprits devraient tre prises en
compte (thermique, magntique..) mais dont les effets peuvent tre ngligs dans les cas qui
vont nous concerner.
Si nous analysons lensemble des dformations et des contraintes que peut subir un
paralllpipde et que nous ajoutons aux grandeurs mcaniques les grandeurs lectriques et
leurs couplages par la pizolectricit, alors seule une approche tensorielle unique permet de
reprsenter le comportement dun matriau pizolectrique.
Pour simplifier lcriture de cette reprsentation, nous donnerons les diffrentes
quations pizolectriques sous forme symbolique et prciserons les rapports entre critures
tensorielle et matricielle de ces mmes quations. En pratique, cest la notation matricielle qui
est la plus utilise. Ainsi ces quations relieront une variable mcanique (dformation S ou
contrainte T) et une variable lectrique (induction D ou champ E), elles peuvent se rsumer
en huit quations dtat diffrentes, que nous crirons dans le cas dun modle
unidimensionnel.
Selon le choix des paramtres, nous pouvons dcrire quatre combinaisons de relation :
Equation de type extensive (forme h) :

+ ++ + = == =
= == =
k
S
ik kl ikl i
k kij kl
D
ijkl ij
D S h E
D h S c T

, (2-1)
Equation de type intensive (forme d) :

+ ++ + = == =
+ ++ + = == =
k
T
ik kl ikl i
k kij kl
E
ijkl ij
E T d D
E d T s S

, (2-2)
Equation de type mixte (forme g) :

+ ++ + = == =
= == =
k
T
ik kl ikl i
k kij kl
D
ijkl ij
D T g E
D g T s S

, (2-3)
Equation de type mixte (forme e) :
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+ ++ + = == =
= == =
k
S
ij kl ikl i
k kij kl
E
ijkl ij
E S e D
E e S c T

, (2-4)
avec E (V/m), D (C/m) des tenseurs dordre 1 et T (N/m), S (m/m) tenseurs dordre 2.
T
et
S
: tenseur de permittivit dilectrique dordre 2 en F/m T ou S constant.
T
et
S
: tenseur dimpermabilit dilectrique dordre 2 en m/F T ou S constant.
h

: tenseur de constante pizolectrique dordre 3 en V/m ou N/C.
Les autres tenseurs pizolectriques dordre 3 sont d (en C/N ou m/V), g (en Vm/N ou
m/C) et e (en C/m ou N/Vm).
S
E
et s
D
: tenseur de souplesse lastique dordre 4 en m/N E ou D constant.
c
E
et c
D
tenseur de raideur lastique dordre 4 en N/m E ou D constant.
Chacun de ces coefficients peut tre exprim en fonction des autres en passant dun type
dquations un autre. Par exemple pour passer de la forme h e, il suffit dexprimer la
raideur lastique c comme suit :
c
D
= c
E
+ h , (2-5)
La reprsentation complte des proprits dun matriau pizolectrique se fait donc par
un tenseur dordre 4, comportant 81 coefficients.

|
|
\
|
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(

=
|
|
\
|
E
S
e e
e e
e c
e c c
e e c c
D
T
ij i
i
. . . . . . . . .
. . . . . .
. . . . . .
. . . . . . . . .
. . . . . . . . .
. . . . . . .
. . . . . . . . .
. . . . . .
. . . . .
21
11 12 11
12 22 21
21 11 12 11

, (2-6)
En utilisant les symtries cristallines des matriaux, les symtries des grandeurs
mcaniques, le nombre de coefficients indpendants peut tre considrablement rduit, ce qui
en facilite lutilisation [Berlincourt-1964].
Les quations (2-1) (2-4) sont crites sous la forme tensorielle condense qui utilise la
convention de notation dEinstein, savoir : quand un indice intervient deux fois dans un
terme monme, la sommation par rapport cet indice est automatiquement sous-entendue.
D'une faon gnrale, un tenseur de rang n possde 3
n
composantes (le nombre
dindices dun tenseur indique son rang).
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Les tenseurs de dformation et de contrainte sont symtriques, par dfinition pour les
premiers et en labsence de champ de moments pour les seconds. La symtrie de ces tenseurs
permet dcrire celle des modules pizolectriques (d
ijk
), des lasticits (s
ijkl
) ou des rigidits
(c
ijkl
), soit :
S
ij
= S
ji
(tenseur de rang 2)
T
ij
= T
ji
(tenseur de rang 2)
d
ijk
= d
ikj
(tenseur de rang 3)
s
ijkl
= s
jikl
= s
klij
= s
kilj
(tenseur de rang 4)
Dune faon gnrale, il est possible de passer de la notation tensorielle la notation
matricielle en adoptant les conventions suivantes qui utilisent la notation de Voigt ou la
sommation dEinstein :

TENSEUR
ij
MATRICE
I
xx ou (11)
yy (22)
zz (33)
yz, zy (23, 32)
xz, zx (13, 31)
xy, yx (12, 21)
1
2
3
4
5
6

Cest cette forme matricielle laquelle nous ferons rfrence lorsque nous utiliserons
des modles pour reprsenter le comportement du matriau pizolectrique dans les
composants.
Dans la plupart des cas, on traite les modes de propagation soit purement longitudinaux
soit purement transversaux. La modification de lquation donde par les quations
pizolectriques sera donc traite pour ce cas particulier. Sans perte de gnralit, en
considrant x
k
la direction de propagation, lquation de Newton prend la forme suivante :

k
ki i
x
T
t
2
2
, (2-7)
Avec
i
le dplacement de la particule dans la direction i et la densit volumique du
matriau pizolectrique.
Dans un milieu pizolectrique, la contrainte T est une fonction de la dformation S et
du champ lectrique E (Equation pizolectrique de type mixte). Pour des cristaux isolants ou
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cramiques, on considre une charge despace nulle do divD=0. Par consquent, lquation
de Newton sera exprime comme suit :

2
2
2
2
k
i D
ii
i
x
c
t

, (2-8)
Parmi les proprits les plus importantes des matriaux pizolectriques, on cite le
facteur de couplage qui traduit le rapport de la densit dnergie mutuelle la moyenne
gomtrique des densits dnergie lastique et dilectrique [Berlincourt-1964]. Le facteur de
couplage est exprim en fonction des constantes lastiques, pizolectriques et dilectriques
du matriau :

D
ii
S
ii
ii
t
c
e
k
2
2
= , (2-9)
Un milieu pizolectrique transmet donc une onde lastique plane avec une vitesse
acoustique v
D
de
D
c quand le champ pizolectrique gnr est parallle la direction de
propagation approprie.
Comme dans les problmes mcaniques, les conditions aux limites interviennent pour
limiter la complexit du systme. Les frontires mcaniques sont choisies soit T=0 (sans
condition sur la contrainte-dformation), soit S=0 (avec condition sur la contrainte-
dformation). Les conditions aux limites lectriques sont imposes par la gomtrie et la
position des lectrodes permettant soit un dplacement lectrique D constant, soit un champ
lectrique E constant. Lquation de propagation en mode dpaisseur est dveloppe en
Annexe I.
2.2.3 Quelques matriaux pizolectrique
Les cristaux possdent diffrents axes de symtries et sont rpartis en sept systmes
rticulaires (cubique, orthorhombique, ttragonal, trigonal, hexagonal, etc) et diviss en 32
classes cristallines. Les axes de symtrie de la structure cristalline ont des consquences
importantes sur les proprits de polarisation. Un cristal comprenant un grand nombre daxes
de symtrie ne prsente pas dintrt en tant que matriau pizolectrique car les effets se
compensent. Dans le cas des composs chimiques phase hexagonale (wrtzite) par exemple,
tels les nitrures dlments de la troisime colonne du tableau de Mendeleiv, la distribution
des densits lectroniques autour des diffrents atomes fait que les barycentres des charges
positives et ngatives ne concident pas toujours. Cela donne naissance un ensemble de
diples orients selon le mme axe. Le matriau est alors le sige dune polarisation
macroscopique sans contrainte externe. Nous pouvons citer parmi les matriaux trs utiliss
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pour raliser des rsonateurs par exemple, lAlN (nitrure daluminium) et le ZnO (oxyde de
zinc) qui prsentent des structures hexagonales. En revanche, les matriaux tels que le
LiNbO
3
, le LiTaO
3
et le -quartz SiO
2
prsentent une symtrie de type trigonale.
La figure suivante reprsente les 32 classes cristallines et leurs principales proprits.
Nous observons que 21 classes sont non centrosymtriques donc susceptibles de prsenter des
effets pizolectriques, mais que seulement 20 dentre elles pourront prsenter cet effet.

Figure 2-1. Regroupement des 32 classes cristallines selon leurs proprits pizolectriques,
pyrolectriques et ferrolectriques
Parmi ces classes pizolectriques, 10 possdent une polarisation lectrique spontane
et sont dites polaires. Leur polarisation spontane varie avec la temprature, ces cristaux sont
donc pyrolectriques. Parmi les cristaux pyrolectriques enfin, certains sont dits
ferrolectriques et se caractrisent par le fait qu'il est possible de renverser leur polarisation
lectrique permanente en appliquant un fort champ lectrique dans le sens oppos.
Pour les applications radiofrquences, la nature du matriau pizolectrique employ
conditionne directement les performances des futurs composants. Nous pouvons rappeler
quelques critres importants :
Le coefficient de couplage lectromcanique, qui reprsente un facteur
de mrite du matriau pizolectrique traduisant son aptitude transformer une
nergie mcanique en nergie lectrique et inversement,
Le processus de dpt doit tre compatible avec les procds
technologiques de fabrication des filires microlectroniques RF-IC, dans une optique
d'intgration, cela implique une compatibilit chimique (pollution de la salle blanche)
et une compatibilit physique comme la temprature d'laboration du matriau
Le matriau pizolectrique doit tre stable chimiquement et compatible
avec les circuits CMOS.
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Il est prfrable qu'il soit endurant aux attaques environnementales
(humidit, temprature, chocs, etc..) et puissances lectriques.
Des vitesses acoustiques importantes pour les applications
plusieurs GHz.
De faibles pertes dilectriques et lastiques.
Les principaux matriaux disponibles et ayant fait l'objet d'applications sont : le nitrure
dAluminium (AlN), l'oxyde de zinc (ZnO), l'alliage de plomb, zirconate et titane (PZT) et
plus rcemment (KNbO
3
). Nous prsentons un tat de lart de ces matriaux pizolectriques
en prsentant leurs constantes mcaniques s
E
, lectriques
T
, pizolectriques d, masses
volumiques , et leur temprature de Curie T
c
.
2.2.3.1 Loxyde de zinc (ZnO)
Le ZnO est un des premiers matriaux avoir t employ dans les applications
commerciales, avec les filtres SAW (Surface Accoustic Waves) [Sze-1994]. Ce compos
pizolectrique et pyrolectrique a t frquemment utilis dans la conception de rsonateurs
BAW [Yang-2003], [Kubo-2003], [Kang-2003], [Mang-1996]. Le ZnO peut tre dpos en
couche mince par simple pulvrisation cathodique (avec cible de zinc et mlange Ar /O) ou
par vaporation assiste laser. Il est en gnral dpos sur du platine, de laluminium, de lor,
etc Par exemple, Sang-Ho Kim et al. [Kim-1999] utilisent des lectrodes en Au (100 nm)/
Ni-Cr (5 nm). Son coefficient de couplage lectromcanique est parmi les plus grands (~
8,5%) ce qui favorise son utilisation pour les applications plus larges bandes. Nanmoins, sa
permittivit dilectrique relative est faible (de lordre de 9 10) [Dubois-1999]. De plus, le
ZnO nest pas compatible chimiquement avec les circuits CMOS et sa temprature de dpt
est suprieure 300C, ce qui rend impossible la solution de dpt "above IC". La vitesse
acoustique dans ce matriau est ~2700m/s ce qui impose des paisseurs de films faibles, de
l'ordre de quelques dizaines de nanomtres pour les frquences des systmes de
communications infrieurs 5 GHz. Dun point de vue de la stabilit thermique, le ZnO est
un mauvais candidat car il affiche des TCF (Temperature Coefficient of Frequency) de lordre
de -60 ppm/C et ces coefficients tant lgrement plus faible pour des structures type
rsonateur SMR (Solidly Mounted Resonator), ce qui est plutt dfavorable. De plus, le ZnO
est sensible lhumidit [Trippard-2003].
2.2.3.2 Le PZT (Perovskite: plomb-zirconium-titanium)
Un autre matriau pizolectrique rpandu dans tous types de rsonateurs, et pas
seulement pour les BAW, est le compos de type PZT (Perovskite : plomb-zirconium-
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titanium ou Pb(Zr
1-X
Ti
X
)O
3
: "Lead-Zirconate-Titanate") sous forme cramique. Cest une
structure binaire (mlange PbTiO
3
et PbZrO
3
) dont les proprits varient en fonction du taux
du titane x. Il existe une grande varit de cramiques PZT disponibles pour de nombreuses
applications (mdicale : sonde pour chographie, navale : sonar). Selon la nature des
dopants utiliss on distingue deux familles de cramiques PZT :
Les cramiques PZT douces prsentant des proprits pizolectriques importantes et
une temprature de Curie plus leve de 365C. En revanche, les facteurs de qualit
des rsonateurs fabriqus avec des cramiques PZT douces sont plus faible et la
permittivit relative est plus grande (~1700).
Les cramiques PZT dures permettent dobtenir des rsonateurs avec des facteurs de
qualit plus importants et une temprature de Curie de 315C. Par contre, ils sont
moins pizolectriques avec un coefficient de couplage de lordre de 8%.
Les coefficients de raideur lastique sont faibles et la densit est leve, compars aux
autres matriaux, ce qui rduit les vitesses acoustiques qui valent 2600 m/s (PZT doux) et
2900 m/s (PZT dur) et donc limite les applications plus hautes frquences. Lensemble de
ces points est confirm dans larticle [Aigner-2003]
1
qui rfrence les matriaux utilisables
pour des applications en tlcommunications. De plus, de par la nature ferrolectrique du
PZT, les pertes acoustiques sont importantes, ce qui nest pas favorable en terme de facteur de
qualit pour les rsonateurs et donc en terme de pertes dinsertion pour les filtres. Nanmoins,
Larson et al. [Larson-2004] montrent quil est utilisable dans les structures membrane de
type FBAR (Thin Film Bulk Acoustic Resonator) dAgilent et dmontre la faisabilit d'un
film de PZT (Zr/Ti: 52/48) pour une frquence de 450 MHz. Ceux-ci soulignent lintrt
d'avoir une constante dilectrique leve (>300), permettant de raliser des structures de trs
petites tailles (des lectrodes en platine (Pt) et iridium (Ir) dpaisseur 0,1 m) tout en ayant
une grande capacit statique, ce qui est intressant pour obtenir une adaptation 50 en
hyperfrquences. Le couplage lectromcanique est important, compris entre 12 % et 35 %,
(contre entre 8,5% et 6,5% pour le ZnO et lAlN respectivement).
Tin Ling Ren et al. [Ren-2001] ont montr la faisabilit d'un filtre 1,44 GHz avec une
bande passante de 70 MHz. Ils montrent des pertes dinsertion pouvant aller jusqu ~20 dB
dans la bande passante. Selon ces auteurs, le couplage lectromcanique offert par le PZT
permet de crer des filtres avec une large bande passante, jusqu 100 MHz. Les techniques
de dpt par pitaxie jet molculaire (MBE Molecular Beam Epitaxy ), pulvrisation
cathodique, dpt chimique MOCVD, CSD (Chemical Solution Deposition) sont utilises
pour cet lment. Cependant, la temprature de mise en uvre est leve, suprieure 580C
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dans ce cas, et donc incompatible avec les techniques dintgration CMOS actuelles. Lusage
du plomb prsente des inconvnients, il contamine les machines et pollue les semi-
conducteurs. Des lectrodes en platine semblent adaptes ce type de matriau
pizolectrique [Ren-2001]. Enfin, il faut mentionner que le PZT est un matriau
pizolectrique qui ncessite une tape de polarisation.
2.2.3.3 Le nitrure daluminium (AlN)
Grce l'ensemble de ses proprits lectro-acoustiques, chimiques et physiques, lAlN
est aujourdhui le matriau qui prsente le meilleur compromis pour raliser des rsonateurs
acoustiques films minces dans des technologies microlectroniques. Parmi les ralisations,
nous trouvons des filtres, des capteurs ondes de volume (Bulk Acoustic Wave - BAW) ou
ondes de surface (Surface Acoustic Wave - SAW) mais aussi des micromoteurs ou micro-
actionneurs. Seuls les monocristaux et les films minces structurs dAlN prsentent des
proprits pizolectriques. Ce matriau est moins performant que le PZT du point de vue
pizolectrique, mais prsente des caractristiques trs stables en fonction de la frquence et
du champ lectrique appliqu.
Ce dilectrique est un compos III-V dont le gap est de 6,2 eV [Dubois-1999]. Ses
proprits pizolectriques sont exploites lorsque sa structure est polycristalline, par exemple
lors du dpt en film mince. Ce matriau possde une faible permittivit dilectrique et de
faibles pertes acoustiques, ce qui le rend trs intressant dans les applications ultrasonores qui
requirent de faibles consommations dnergie. La structure cristallographique de l'AlN est
reprsente sur la figure 2-2. Elle consiste en deux structures hexagonales (wrzite)
interpntres. LAlN prsente une symtrie hexagonale et fait partie du groupe ponctuel
6 mm. Notons que les matriaux de type wrzite sont des matriaux non ferrolectriques mais
prsentant la proprit de pyrolectricit.
LAlN est chimiquement inerte et sa temprature de dcomposition est de 2500C, son
coefficient de dilatation thermique est trs proche de celui du Silicium, ce qui limite
laccumulation de contraintes supplmentaires lors du refroidissement aprs le processus de
dpt et qui confre une bonne compatibilit avec le silicium.
Il sagit dun matriau trs rsistant des points de vue chimique et mcanique, mais
prsentant des proprits pizolectriques et un couplage lectromcanique un peu moins
importants que le ZnO. Ses grands coefficients de raideur lastique et sa faible densit lui
procurent une vitesse acoustique du mode longitudinal (~10600 m/s) bien suprieure celle
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du ZnO ou du PZT, ce qui en fait un candidat idal pour la ralisation des composants haute
frquence onde acoustique tels que les rsonateurs BAW et SAW.

Figure 2-2. Structure hexagonale wrzite de l'AlN : a=3,111 ; c=4,978 ; c/a=1,6 [106]
L'AlN peut tre grav avec de lacide phosphorique (H
3
PO
4
) ou plus difficilement avec
lacide chlorhydrique (HCl). L'AlN est un bon conducteur thermique ce qui lui permet de
rsister de fortes puissances [Aigner-2003]
2
.
Il existe diverses mthodes de dpt de lAlN, tel que MOCVD (MetalOrganic
Chemical Vapour Deposition), MBE (Molecular Beam Epitaxy), mais le substrat doit tre
chauff entre 1000 et 1300C alors que pour les technologies VLSI CMOS, la temprature ne
doit pas excder 300C afin dobtenir une bonne cristallisation. Dans les annes 80, une
technique utilise pour le ZnO a t applique au nitrure daluminium [Aigner-2003]
2
. Cest
la pulvrisation cathodique ractive DC magntron pulse et dont le principe est entirement
dtaill par Frederick Engelmark [Engelmark-2002]. La cible est de laluminium pur
99,999%, et le gaz ractif est de lazote N
2
. Ainsi, le dpt seffectue beaucoup plus basse
temprature.
Pour avoir un coefficient de couplage lectromcanique en paisseur (k
t
2
) lev, lidal
est davoir une couche oriente selon laxe C (axe perpendiculaire au plan de la couche et
galement axe polaire sachant que la polarisation soriente selon cet axe). En effet, londe
acoustique recherche pour les rsonateurs est longitudinale et se dplace selon cet axe. Les
paramtres du processus de pulvrisation doivent tre optimiss pour avoir une qualit de film
la meilleure possible. Les paramtres du bti de dpt tels que la temprature, la pression, le
flux et le mlange gazeux Ar/N
2
sont ajusts. La temprature est un facteur crucial dans
lorientation des grains selon laxe C. M.A. Dubois, durant sa thse [Dubois-1999], a
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dmontr que les films dAlN dposs sur platine ou aluminium taient parfaitement orients
selon cette direction pour des tempratures minimales de 200C et que 100 % des cristallites
sont orientes selon la direction [002] pour des tempratures de dpt comprises entre 200C
et 500C.
2.2.3.4 Autres matriaux pizolectriques
Des matriaux pizolectriques plus "exotiques" ont dj t employs pour les
structures ondes de surface (SAW) [Yamanouchi-1998] et ont t utilis par lEPFL [Lanz-
2004] dans le cadre de rsonateur BAW. Le KNbO
3
possde la fois un couplage
lectromcanique lev de 47% et, contrairement au PZT, un facteur de qualit important aux
frquences UHF et des frquences basses dans la bande SHF. Il peut de plus tre appliqu aux
hautes frquences (de lordre du GHz) car des vitesses acoustiques de lordre de 8000 m/s
sont possibles. R. Lanz souligne toutefois, dans [Lanz-2004], la difficult supplmentaire
pour synthtiser cet lment avec une bonne stchiomtrie, due notamment au potassium
hautement volatile. La croissance cristalline est de type orthorhombique principalement, et
ralise par pulvrisation cathodique, elle seffectue au-del de 500C, ce qui interdit
denvisager son intgration "above IC". La croissance est ralise sur une lectrode en platine
et diffrentes couches daccroche ("seed layer") sont testes.
2.2.3.5 Bilan des matriaux pizolectriques
Plusieurs matriaux peuvent tre employs dans la ralisation des dispositifs BAW tels
que lAlN, le PZT, le ZnO ou le KNbO
3
. Pour garantir la performance de ces dispositifs,
plusieurs paramtres sont tenir en compte.
Nous proposons alors un tableau comparatif des matriaux prcdemment prsents
tout en prenant en compte les critres suivants :
Le facteur de couplage lectromcanique k
t
2
qui dtermine essentiellement le niveau
dnergie chang entre les domaines lectrique et mcanique. Un matriau
pizolectrique ayant un coefficient de couplage assez faible ne peut pas tre utilis
pour raliser des filtres intgrs dans les tlphones portables.
La constante dilectrique
r
: le niveau dimpdance dun rsonateur est dtermin par
sa surface, son paisseur et sa permittivit. Une constante dilectrique leve permet
de rduire la surface du rsonateur. De point de vue performance acoustique, une
permittivit relative de 100 est idale 1 GHz [Aigner-2003]
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La vitesse acoustique v
L
(longitudinal) : un matriau avec une faible vitesse acoustique
permet davoir des couches pizolectriques plus minces et donc des dispositifs plus
miniatures.
Les pertes mcaniques dans les matriaux
Le facteur de qualit Q
AlN ZnO PZT (dur) KNbO
3

Facteur de couplage k
t
2
6,5%-7,8% 8,5% 25% 47%
Constante dilectrique
r
8-10 9-10 >400 415
Vitesse acoustique v
L
(m/sec) 10600 2700 2900 8000
Facteur de qualit Q >1000 >1000 67 -
Pertes mcaniques Faible Faible Eleve -
Tableau 2-1. Tableau comparatif des proprits des matriaux pizolectriques les plus utiliss dans
les applications BAW film mince
Sur lensemble des matriaux pizolectriques, le plus grand intrt a t port sur
lAlN qui lorigine tait le plus compatible avec lintgration pour des applications RF avec
des pertes mcaniques et dilectriques faibles haute frquence. Des tempratures denviron
200C [Lanz-2004] suffisent synthtiser lAlN. De plus, lAlN ne pollue pas le silicium ou
larsniure de gallium comme le PZT. Sa grande vitesse acoustique vis--vis du PZT et ZnO
dans la direction longitudinale lui permet dtre le candidat le plus favorable pour la
ralisation des composants haute frquence tels que les dispositifs BAW.
Cependant, lintgration des rsonateurs AlN est encore timide. LAlN est galement le
matriau qui prsente le meilleur compromis entre tous les points noncs prcdemment.
2.3 Introduction sur les rsonateurs BAW et les CRF
2.3.1 Les rsonateurs BAW SMR
Le SMR tudi sur la figure 2-3 est constitu dune couche de nitrure daluminium
(AlN) dpaisseur 1,5 m et de surface 25 10
3
m
2
. Pour exciter la couche pizolectrique,
deux lectrodes de Molybdne (Mo) de 200 nm sont dposes de part et dautre. Cette partie
est considre comme la partie active du rsonateur.
Lorientation de la couche dAlN dpend fortement de la nature de la couche lectrode-
support. Llectrode infrieure est utilise comme support pour la croissance de la couche
dAlN. Ainsi, il est extrmement important davoir une bonne compatibilit cristallographique
entre ces deux couches afin dassurer la qualit cristalline de la couche pizolectrique. Le
Molybdne, prsente un rseau cristallographique cubique centr. De plus, il possde
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approximativement le mme coefficient de dilatation thermique que lAlN (
Mo
= 4,8.10
-6
/C
et
AlN
= 4.10
-6
/C). Le Mo offre aussi une bonne conductivit thermique (142 W/m.K). Cest
pourquoi ce matriau a t choisi pour raliser les lectrodes de lAlN.

4 couches de Bragg
Substrat de Silicium
Elect rodes de Mo
de la couche AlN
Couche pizolectrique suprieure

Figure 2-3. Structure et photo du rsonateur pizolectrique CRF
Afin de limiter les pertes acoustiques dans le substrat de Silicium, la couche dAlN est
isole du substrat de Silicium grce au rflecteur de Bragg. Ce rflecteur est constitu de 4
couches alternes doxyde de silicium et de tungstne (SiO
2
/W) dont les paisseurs sont
gales /4. Le SiO
2
joue le rle dun matriau de faible impdance acoustique alors que le
tungstne joue le rle dun matriau de forte impdance acoustique. Une onde acoustique
sortant de la couche dAlN traverse les couches de Bragg qui ont pour rle principal
dempcher londe acoustique de se propager vers le substrat de Silicium. Les couches quart
donde permettent une recombinaison destructive (par opposition de phase) des ondes
rflchies aux interfaces. Ainsi, les ondes transmises au substrat sattnuent de plus en plus en
passant dune couche une autre et les ondes rflchies par les couches de Bragg rejoignent
de nouveau la couche dAlN. Le rflecteur de Bragg permet donc de conserver lnergie dans
la couche pizolectrique en vitant la propagation vers le substrat.
Lapplication dun champ lectrique variable et normal aux lectrodes excite la couche
pizolectrique qui se dforme et entre en vibration. La condition de rsonance dpend de
lpaisseur de la couche pizolectrique. Londe acoustique doit tre longitudinale suivant
laxe z pour avoir le couplage lectromcanique le plus lev et la vitesse acoustique
maximale.
2.3.2 Les filtres rsonateurs coupls (CRF)
Les CRF sont des filtres pizolectriques base de rsonateurs BAW coupls en mode
dpaisseur (figure 2-4). Deux rsonateurs suprieurs sont coupls acoustiquement un
rsonateur infrieur. Le filtre peut tre vu comme deux empilements de couches connects
lectriquement entre elles par des lectrodes infrieures. Le rsonateur du bas occupe donc
une surface double.
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Couplage
acoustique
Rsonateurs BAW
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Couplage
acoustique
4 couches de Bragg
3 couches de couplage
Entre Sortie
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Elect rodes de la
couche suprieure
Electrodes de la
couche infrieure
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Couche pizolectrique suprieure
Couche pizolectrique infrieure

Figure 2-4. Structure et fonctionnement du filtre pizolectrique CRF
Lpaisseur de la couche dAlN est de 1,25 m avec des lectrodes en Molybdne
dpaisseur 400 nm. Comme pour les rsonateurs BAW, les couches de couplage entre les
rsonateurs sont constitues dun empilement de couches alternativement de basses et hautes
impdances acoustiques raliss avec de loxyde de silicium et du tungstne (SiO
2
-W-SiO
2
).
Le champ lectrique exerc lentre du filtre excite le rsonateur suprieur de gauche
(figure 2-4) gnrant ainsi une onde lastique dans la couche dAlN. Londe va se propager
vers le rsonateur infrieur travers les trois couches de couplage garantissant une
transmission optimale entre les couches dAlN suprieure et infrieure.
La couche dAlN infrieure gnre par effet pizolectrique inverse un champ
lectrique qui sera guid vers le deuxime empilement travers llectrode continue de Mo de
la couche pizolectrique infrieure.
Le rsonateur infrieur du deuxime empilement, excit par un champ lectrique, met,
son tour, une onde lastique se propageant vers le haut laide des couches de couplage.
Cette onde atteint le rsonateur suprieur de droite pour gnrer enfin le champ lectrique et
londe de tension lectrique la sortie du filtre.

Sondes RF
Entre du CRF Sortie du CRF

Figure 2-5. Photo du filtre pizolectrique CRF
Lisolation mcanique entre la couche dAlN infrieur et le substrat se fait travers le
miroir de Bragg (SiO
2
-W). Le miroir de Bragg est une srie des couches alternes de
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tungstne W et de dioxyde de Silicium SiO
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ayant respectivement de fortes et faibles
impdances acoustiques empchant la propagation de londe vers le substrat de Silicium.
Les rsonateurs ont une gomtrie dite apodise empchant la mise en rsonance par
des ondes lastiques et lectromagntiques qui pourraient se propager transversalement dans
la couche pizolectrique et dans les lectrodes.
Une dernire tape de fabrication est ncessaire pour ajuster la frquence de rsonance
des rsonateurs suprieurs pour quelle sadapte celle du rsonateur infrieur. Pour cela, une
charge mcanique de nitrure de Silicium (SiN) est ajoute permettant de rgler la frquence
du rsonateur suprieur.
2.4 Modlisation et simulation des structures
Plusieurs solutions diffrentes sont disponibles pour raliser des simulations de ces
rsonateurs pizolectriques. Citons :
- les outils utilisant les mthodes lments finis (ANSYS, COMSOL, )
- les outils mathmatiques tels que Matlab ou Mathematica utilisant la reprsentation
analytique des quations dcrivant le comportement physique de la structure,
principalement bas sur une modlisation 1D,
- les simulateurs lectriques pour lesquels des schmas lectriques quivalents sont
utiliss (ADS, Spice, ).
Nous allons succinctement prsenter les diffrents modles et les mthodes de
simulation dont nous disposons au laboratoire. Nous justifierons les choix que nous avons d
faire concernant les modles et les moyens de calcul permettant de mettre en uvre ces
modles.
2.4.1 La modlisation et la simulation par la mthode des lments finis
La modlisation par la mthode des lments finis est une technique numrique bien
adapte pour lanalyse des structures gomtriques complexes. Ces structures peuvent tre des
matriaux inhomognes dont les caractristiques physiques dpendent de la frquence.
Les logiciels commerciaux tels quANSYS [Ansys-2011], COMSOL [Comsol-2011] ou
Coventor [Coventor-2011], sont bass sur une formulation variationnelle et sont souvent mal
adapts aux matriaux couches minces.
Les rsonateurs et les filtres acoustiques qui utilisent principalement une couche dAlN
mince pizolectriques (quelques centaines de nm dpaisseur pour des centaines de m dans
les deux autres axes) conduisent des conditions extrmes dutilisation de tels logiciels de
part leur rapport de forme, grandes dimensions latrales et faible paisseur.
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La modlisation du comportement des filtres pizolectriques se fait en couplant suivant
les trois dimensions les modes de propagation lectrique et acoustique. Bien que ces
simulations 3D permettent de visualiser les modes parasites dans les dimensions latrales,
elles prsentent un temps de calcul important qui dpend du dcoupage de la structure en
lments de type de maille (nombre de mailles). Une structure complexe ncessite un nombre
de mailles important (>20) par longueur donde pour assurer une bonne convergence. Pour
une simulation en trois dimensions, avec la torsion, le cisaillement et le degr de libert
lectrique, on se retrouve avec 6 degrs de libert et 20 lments finis par longueur donde
dans les trois dimensions, ce qui fait un grand nombre de mailles do un temps de calcul
assez long.
Un filtre acoustique CRF prsentant plus dune dizaine de couches couples soit
acoustiquement soit lectriquement exige des conditions aux limites relativement compliques
pour chaque couche et un maillage important, et par consquent un temps de calcul important
qui constitue un des principaux handicaps des ces simulateurs pour quils puissent tre utiliss
par des concepteurs de circuits.
2.4.2 La modlisation analytique
La pizolectricit est un phnomne physique couplant la fois les dformations des
solides lastiques dcrites par la loi de Hooke et llectromagntisme rgit par les quations
de Maxwell donnant ainsi un systme dquation diffrentielle.
Le modle analytique propose donc de rsoudre lquation de propagation du
dplacement mcanique (issu des quations constitutives de la pizolectricit) sur lensemble
de la structure (multicouches) en fonction des conditions mcaniques aux limites et des
conditions lectriques sur les lectrodes. Le modle physique de la structure tudie fournit
les conditions aux limites et permet de faire certaines approximations comme la propagation
dans une seule dimension z (1D) en supposant que la structure est infinie dans les dimensions
latrales (x et y). Les outils mathmatiques qui peuvent permettre de simuler ce modle
analytique, sont, par exemple, Matlab ou Mathematica.
La modlisation analytique est connue donc comme une seconde piste permettant de
calculer laide des outils mathmatiques le comportement de la couche pizolectrique. Pour
des empilements de couches tel que les BAW et les CRF, la complexit du modle se
multiplie et la probabilit derreur de calcul saccentue. Des modles lectro-acoustiques
bass sur des circuits lectriques quivalents viennent donc remplacer le modle analytique
tout en fournissant la mme analyse du comportement des structures pizolectriques.
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2.4.3 Les modles bass sur des circuits lectriques quivalents
Les mthodes concurrentes des prcdentes en termes de temps et defficacit sont
bases sur des modles utilisant une quivalence entre grandeurs mcaniques et grandeurs
lectriques : une force est ainsi reprsente par une tension et une vitesse de dplacement de
particule est reprsente par un courant. Elles reposent sur des modles de propagation 1D.
On trouve le modle de Mason, le modle KLM (Krimholtz, Leedom and Matthae) et le
modle BVD (Butterworth-Van Dyke) qui est une simplification des modles prcdents
autours de la frquence de rsonance et ventuellement de ses harmoniques.
2.4.3.1 Modle BVD
Le modle le plus simple est celui de Butterworth-Van Dyke [Lakin-1992], il est
constitu dlments lectriques localiss tels que des capacits et des inductances. Il est
facile mettre en uvre car il comporte moins de composants dans la reprsentation
lectrique. Par contre, ce modle nest valable quautour de la frquence de rsonance et sa
prcision est faible quant au comportement du rsonateur en large bande. Le rsonateur est
modlis par une capacit C
0
reprsentant la capacit lectrique de la lame (deux lectrodes
disposes de part et d'autre d'un dilectrique) en parallle avec une branche reprsentant le
comportement lastique et constitue dune capacit reprsentant le frottement visqueux (C
m
),
dune inductance reprsentant le mouvement (L
m
) et dune rsistance reprsentant les pertes
lastiques R
m
(figure 2-6).
La frquence de rsonance srie du circuit reprsente la rsonance mcanique soit un
minimum relatif de l'impdance lectrique et correspond
m m s
C L f 2 1 = == = . La frquence
de rsonance parallle reprsente la frquence danti-rsonance et correspond un maximum
de l'impdance lectrique : ( (( ( ) )) )
0 0
C C C f f
m s p
+ ++ + = == = .. En sloignant de la rsonance, le
circuit se comporte comme une capacit statique C
0
.
R
s
C
m
L
m
R
m
C
0
R
0

Figure 2-6. Circuit lectrique MBVD
La figure 2-6 reprsente le modle BVD modifi ou MBVD prenant en compte les
pertes dues aux lectrodes et reprsentes par la rsistance R
s
. La rsistance R
0
en srie avec la
capacit statique C
0
correspond aux pertes dilectriques.
t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

N
o
v

2
0
1
1
Le modle MBVD permet deffectuer des calculs rapides avec des logiciels de
simulation de circuits pour donner la rponse du rsonateur ou du filtre acoustique autour de
la frquence tudie.
Rp
Co
R3
L3
C3
Rn
Ln
Cn
Ro
Lo
Cd

Figure 2-7. Circuit lectrique MBVD pour des branches de rsonance multiples
Linsertion des branches parallles (figure 2-7) permet de dcrire le comportement
pizolectrique pour les harmoniques de la frquence de rsonance. Pour chaque nouvelle
branche, reprsentant une harmonique, il faut dterminer les valeurs des paramtres R, L et C
qui lui sont associs et qui reprsentent les mmes phnomnes physiques que pour la
premire branche.
2.4.3.2 Modle de Mason et le modle KLM
Le modle de Mason, publi en 1948 dans Electromechanical Transducers and Wave
filters [Mason-1948] est bas sur les lois lectro-acoustiques des matriaux permettant
dobserver la rponse en frquence dun rsonateur BAW ou dun filtre acoustique CRF tout
en observant les rsonances dans la bande passante et les harmoniques pour des hautes
frquences. Le modle peut stendre deux ou trois dimensions en juxtaposant les modles
une dimension reprsentant des modes de propagation diffrents. Chaque couche mcanique
est prsente par un circuit lectrique quivalent formant un quadriple et le calcul de la
structure se fait par une seule multiplication des fonctions de transfert de chaque quadriple.
Les circuits lectriques permettent des simulations rapides avec des logiciels de calcul de
circuits capable de prendre en compte les phnomnes de propagation, ce qui est le cas d'ADS
[Agilent-2011] largement utilis en hyperfrquence et que nous avons retenu pour calculer les
rponses lectriques en fonction de la frquence des filtres et rsonateurs BAW. Il faut aussi
rappeler que le modle de Mason ne prend pas en compte les pertes qu'elles soient lectriques
ou mcaniques.
Le modle KLM publi par R.Krimholtz, D.A.Leedom et G.L.Matthaei en 1970
[Krimholtz-1970] repose comme le modle de Mason, sur le mme principe de circuits
lectriques quivalents au systme dquations lectro-mcaniques. Il conduit aux mmes
t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
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r
s
i
o
n

1

-

9

N
o
v

2
0
1
1
solutions analytiques [Sherrit-1999]. Le modle KLM apparu aprs le modle de Mason
apporte des modifications sur le circuit quivalent : le port lectrique excite une ligne de
transmission en son milieu travers un transformateur idal dont le rapport de transformation
varie avec la frquence. Des modles alternatifs sont les modles de Redwood et Leach, un
driv direct du modle de Mason.
Nous avons souhait disposer d'un modle large bande et ce pour deux raisons au
moins, la premire est qu'un filtre est un quadriple or les modles de type BVD sont des
diples et de plus les filtres que nous avons tudis prsentent une largeur de bande qui n'est
pas ngligeable donc difficilement reprsentable par des modles ne reprsentant les
rsonateurs qu'autours de leur rsonance. Par ailleurs, le modle dont nous avons besoin doit
tre facilement implment dans des logiciels de type simulations circuits tels quADS et
aisment accessible par les concepteurs de circuits lectroniques. Deux modles peuvent
rpondre nos exigences, le modle KLM et le modle de Mason condition de le modifier
pour prendre en compte les pertes. Par tradition au laboratoire la modlisation base sur le
modle de Mason est utilise et de faon arbitraire nous avons choisi d'utiliser cette
reprsentation. Le modle sera ensuite implant dans ADS, qui est lui aussi un outil de
simulation de circuits hyperfrquences largement utilis au laboratoire.
2.4.4 Circuit lectrique quivalent une propagation en mode
d'paisseur
Les dispositifs que nous avons tudis, font appel des couches pizolectriques
d'paisseur faible devant les dimensions latrales et pour lesquels le champ lectrique
d'excitation se trouve orient dans l'paisseur. Cette observation correspond au mode de
fonctionnement en paisseur des couches pizolectriques ; c'est pour cela que nous allons
nous intresser principalement ce mode.
Les diffrentes couches de la structure tudie, qu'elles soient pizolectriques ou non,
seront reprsentes par des circuits lectriques quivalents.
2.4.4.1 Les matriaux pizolectriques
Le modle de la couche pizolectrique prsent dans ce paragraphe est inspir du
modle de Mason. Le circuit quivalent est driv de lquation reliant le dplacement dans
une direction et les autres grandeurs, comme le coefficient de raideur c, la vitesse acoustique v
et la constante pizolectrique e
t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

N
o
v

2
0
1
1
La figure 2-8 montre la lame pizolectrique polarise par une tension V. La lame
possde une paisseur d et une surface S normale aux forces F aux interfaces. Le port
mcanique i prsente une vitesse de dplacement v
i
et une force mcanique F
i
.
x
y
z
Port mcanique 1
Port mcanique 2
Les lectrodes
d
F2
F1
S
+
-
V
I

Figure 2-8. Lame pizolectrique
Pour pouvoir calculer les forces aux interfaces F
i
et la tension V, on se sert des
conditions aux interfaces 1 et 2 pour trouver les valeurs A et B de la solution de lquation de
Newton.
( ) ( ) ( ) | |
t j D D
z
e v z B v z A t z

cos sin , + = , (2-10)
Avec v
D
=
D
c
33
, la vitesse acoustique suivant z en fonction de la constante de raideur et de
la densit du matriau pizolectrique.
Les conditions mcaniques sont les vitesses de dplacement v
1
et v
2
aux ports
mcaniques 1 et 2 qui sont les drives partielles du dplacement par rapport au
temps t v
z
= . La condition lectrique est le courant I considr comme une image du
dplacement lectrique suivant la 3
me
direction I=jSD
z
.
Aprs avoir tabli lquation de dplacement
z
(z,t) en fonction des conditions aux
interfaces (v
1
, v
2
, I), on calcule les forces mcaniques comme suit : F
1
ou F
2
= -ST
z
= -S z
z

et la tension

=
d
Edz V
0
. Lquation 2-11 donne la matrice de transfert exprimant les
paramtres dpendants (F
1
, F
2,
V) en fonction des paramtres indpendants (v
1
, v
2,
I) comme
suit :

( ) ( )
( ) ( )
|
|
|
\
|
(
(
(
=
|
|
|
\
|
I
v
v
C h h
h v d tg S Z v d S Z
h v d S Z v d tg S Z
V
F
F
D
e
D
e
D
e
D
e
2
1
0 33 33
33
33
2
1
1
/ / sin
/ sin /

, (2-11)
On dfinit Z
e
limpdance lastique de la lame
D D
e
v c Z /
33
= et d S C
S
33 0
= , la capacit
statique de la lame pizolectrique.
t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

N
o
v

2
0
1
1

Port
lectrique
Port
mcanique 2
Port
mcanique 1
X
1p

1:N
V
I
-C
0

F
1

F
2

v
1

v
2

.
.
C
0

X
1p

X
2p

Figure 2-9. Circuit lectrique quivalent de la couche pizolectrique
La matrice de transfert est traduite par le circuit lectrique quivalent de la figure 2-9.
Le comportement lectrique de la couche pizolectrique est reprsent par la capacit C
0
. La
propagation des ondes lastiques est reprsente par un circuit en T dans lequel chacune des
impdances prend en compte l'impdance du milieu, la vitesse de propagation des ondes,
l'paisseur dans la direction de propagation des ondes et enfin la frquence :
X
1p
= j.Z
e
.S.tg
.d
2v
D
|
\

|

| ,
( )
D
e
p
v d j
S Z
X
. sin
.
2
= (2-12)
Il faut noter que la surface de la couche dans la direction perpendiculaire la
propagation intervient car la reprsentation lectrique de la force par une tension n'est pas tout
fait quivalente la traduction des quations dans lesquelles c'est la contrainte qui apparat
et pas la force. Un transformateur dimpdance idale de rapport N est introduit dans ce
circuit, pour reprsenter la transformation dnergie lectrique en nergie mcanique et
inversement. Le rapport de transformation est d S e C h N /
33 0 33
= = o h et e sont des
constantes pizolectriques. C
0
tant la capacit statique de la couche de valeur
S
33
S/d.
La couche dAlN se comporte en dehors de ses frquences de rsonance et danti-
rsonance comme une capacit statique ayant une permittivit dilectrique . Elle possde
donc une tangente de perte dilectrique tan (
e
) due aux imperfections du milieu et figurant
dans la partie imaginaire de la permittivit. Les pertes par conduction de llectrode sont
reprsentes par une rsistance lectrique et dpendent essentiellement de sa rsistivit.
Le matriau pizolectrique prsente une certaine viscosit dissipant lnergie de londe
acoustique et attnue sa propagation dans le milieu. Cette viscosit dpendant de la
dformation en fonction du temps est introduite dans la partie imaginaire de la constante
lastique.
t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

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v

2
0
1
1
2.4.4.2 Les matriaux non pizolectriques
Les couches non pizolectriques prsentent des quations plus simples puisque seuls
les effets mcaniques et les grandeurs associes sont considrer. Les grandeurs aux
interfaces sont les vitesses de dplacements v
i
et les forces mcaniques F
i
(figure 2-10).
x
y
z
Port mcanique 1
Port mcanique 2 d
F2
F1
S

Figure 2-10. Lame non pizolectrique
La matrice de transfert de lquation 2-11 est rduite aux paramtres dpendants (F
i
,
F
i+1
) en fonction des paramtres indpendants (v
i
, v
i+1
) comme suit :

( ) ( )
( ) ( )
|
|
\
|
(
=
|
|
\
|
+ + 1 1
/ / sin
/ sin /
i
i
e e
e e
i
i
v
v
v d tg S Z v d S Z
v d S Z v d tg S Z
F
F

, (2-13)

X
2m
F
i

X
1m
X
1m
F
i+1

v
i+1

.
v
i

.

Figure 2-11. Circuit lectrique quivalent de la couche non pizolectrique
Le circuit lectrique quivalent est rduit au quadriple de la figure 2.11. Daprs ce
schma lectrique, nous pouvons en dduire

|
|
\
|
|
|
\
|
+
+
=
|
|
\
|
+ + 1 2 1 2
2 2 1
1
.
i
i
m m m
m m m
i
i
v
v
X X X
X X X
F
F
, (2-14)
Les expressions des impdances sont :
|
\
|
=
v
d
tg S Z j X
e m
2
.
. . .
1

et
( ) v d j
S Z
X
e
m
. sin
.
2
= .
La vitesse de dplacement c v = et limpdance mcanique v c Z
e
= sont des
fonctions des proprits de la couche non pizolectrique comme sa constante de raideur c et
sa densit .
Les couches semi-infinies telles que lair ou le substrat sont vues comme une lame avec
une seule force exerce sur lune de ces faces latrales (F
1
, F
2
=0). La matrice de transfert sera
rduite un scalaire reprsentant limpdance acoustique de la couche : Z = c
i

i
, avec c
i
et
i
la raideur lastique et la densit de la couche semi-infinie.
F
i

F
i+1

t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

N
o
v

2
0
1
1
2.5 Description et validation des modles lectro-acoustiques
2.5.1 Modle d'un rsonateur onde de volume (BAW)
Le schma quivalent du rsonateur BAW (figure 2-3) reprsent sur la figure 2.12 est
une succession de couches passives telles que les lectrodes de Mo et de la couche active
dAlN. Lisolation acoustique du rsonateur vis--vis du substrat est assure par les couches
de Bragg permettant de confiner lnergie mcanique dans le rsonateur afin daugmenter le
coefficient de qualit. Llectrode suprieure possde une interface avec lair considr
comme milieu semi-infini et reprsent par une simple impdance acoustique. De lautre ct,
le substrat lui aussi est considr comme un milieu semi-infini.
X
1_Mo_sup X
1_Mo_sup
X
2
_
M
o
_
s
u
p
X
1_piezo
X
2
_
p
i
e
z
o
V
i
N
-C
0
C
0
X
1_Mo_inf
Couches de
Bragg
X
s
u
b
s
t
r
a
t
X
a
i
r
Electrode
suprieure
Electrode
infrieure
Couche
pizolectrique
Substrat Air
X
1_piezo X
1_Mo_inf
X
2
_
M
o
_
i
n
f

Figure 2-12. Modle lectro-acoustique du rsonateur BAW
Les caractristiques principales des matriaux entrant dans la composition du rsonateur
et utilises lors de la simulation sont regroupes dans le tableau 2-2.
Matriau AlN Mo SiO
2
W SiN Si
Vitesse acoustique v (m/s) 11150 5200 5800 4500 13000 8400
Densit (g/m) 3380 10220 2200 19300 1800 2340
Epaisseur (nm) 1500 200 710 610 150

Tableau 2-2 . Valeurs des proprits acoustiques des matriaux
Le rsonateur BAW tant un dispositif ne prsentant qu'un seul port, son impdance
Z
BAW
) est obtenue partir du coefficient de rflexion S
11
(Equation 2-15).

11
11
0
1
1
S
S
Z Z
BAW
+
= , (2-15)
Avec Z
0
impdance de la source d'excitation qui vaut 50 .
La figure 2.13 reprsente les modules du paramtre de rflexion S
11
et de l'impdance
lectrique du rsonateur obtenue aprs simulation l'aide d'ADS.
t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

N
o
v

2
0
1
1
La couche dAlN prsente une permittivit relative relle
33r
de 8,4 et un coefficient
pizolectrique e
33
de 1,4 N/V.m. Les pertes dans les lectrodes sont modlises par une
rsistance de 0,5 .
Lvolution du module du coefficient de rflexion S
11
et de limpdance du rsonateur
BAW est dcrite sur la figure 2-13. Le comportement du rsonateur BAW en basse frquence
et en haute frquence est celui dune capacit (celle de la couche pizo). Par contre, il existe
une bande de frquence pour laquelle limpdance varie fortement.
Coefficient de rflexion du BAW
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Frquence (GHz)
M
o
d
u
l
e

(
d
B
)
Impdance lectrique du BAW
10
15
20
25
30
35
40
45
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Frquence (GHz)
M
o
d
u
l
e

(
d
B
)

Figure 2-13. Modules du coefficient de rflexion et de limpdance du rsonateur BAW en dB
La rsonance fondamentale du mode dpaisseur est caractrise par :
La frquence danti-rsonance ou rsonance parallle (f
p
) de 2 GHz pour laquelle
limpdance prsente un maximum relatif (infini dans un cas sans perte).
La frquence de rsonance ou rsonance srie (f
s
) de 1,96 GHz pour laquelle
limpdance prsente une valeur minimale relative (nulle dans un cas sans perte).
Le facteur de couplage lectro-mcanique effectif k
teff
2
valuant la transduction
lectro-mcanique dans le rsonateur est alors gale
k
teff
2
=

2
4
1
f
s
f
p
|
\

|

|
|
, (2-16)
A partir de lquation suivante, le facteur de couplage effectif du rsonateur BAW
obtenu est gal 5%.
Le facteur de qualit renseigne sur la slectivit du rsonateur sa frquence de
rsonance et danti-rsonance.
Rsonateur fondamental
du mode dpaisseur
Harmoniques
t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

N
o
v

2
0
1
1
Les simulations du modle lectro-acoustique illustrent les pics de rsonances des
harmoniques suprieures dans la rponse des modules de S
11
et de limpdance du rsonateur.
2.5.2 Modle des filtres CRF
Le filtre CRF est constitu de deux empilements comprenant deux lments
pizolectriques. L'lment suprieur sera connect lectriquement pour raliser un port
d'entre ou de sortie du filtre. L'lment pizolectrique infrieur est commun aux deux
empilements et les lectrodes sont continues pour couvrir toute la surface (figure 2-14)
3 couches de couplage
4 couches de Bragg
Couche pizolectrique supr ieure
Couche pizolectrique infrieure
Top
AlN
Mo
Entre/Sortie
Electrique
Si02
W
M
o
B
o
t
t
o
m
A
l
N
M
o
Si
W
Couches de
couplage
Couches de Bragg
C
o
u
p
l
a
g
e

l
e
c
t
r
i
q
u
e
a
u

d
e
u
x
i
m
e

p
i
l
e
SiN
Mo
Air
Si02
Si02

Figure 2-14. Prsentation en cascade dun seul empilement de couches du CRF
Les rsonateurs suprieurs isols lectriquement entre eux sont coupls acoustiquement
au rsonateur pizolectrique infrieur travers les couches de couplage (SiO
2
-W-SiO
2
).
Lisolation mcanique entre la couche dAlN infrieure et le substrat se fait travers un
miroir de Bragg.
Les simulations sont faites sous ADS dAgilent permettant des simulations de type
paramtres S en hyperfrquence. Les deux piles du CRF sont connectes lectriquement entre
eux. La figure 2-14 est une reprsentation schmatique de la moiti d'un CRF par des
quadriples ou hexaples. Chaque couche de lempilement est reprsente par son circuit
lectrique quivalent selon le modle lectrique quivalent prsent prcdemment.
Puisque nous utilisons les mmes matriaux du rsonateur BAW, leurs valeurs de
vitesses acoustiques et densits restent gales celles trouves pour le rsonateur (tableau 2-
2). Quant aux paisseurs des couches, elles sont prsentes au tableau 2-3.

t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
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o
n

1

-

9

N
o
v

2
0
1
1
Matriau AlN Mo SiO
2
W SiN Si
Epaisseur (nm) 1230 400 710 610 200 400

Tableau 2-3 . Epaisseurs des couches

Coefficient de rflexion en mode
d'paisseur
-25
-20
-15
-10
-5
0
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Frquence (GHz)
M
o
d
u
l
e

d
e

S
1
1

(
d
B
)
Coefficient de transmission en
mode d'paisseur
-140
-120
-100
-80
-60
-40
-20
0
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Frquence (GHz)
M
o
d
u
l
e

S
2
1

(
d
B
)

Figure 2-15. Module du coefficient de rflexion et transmission du modle CRF simul
Le modle du filtre simul sous ADS permet dobtenir les rponses en transmission et
en rflexion du CRF en large bande (figure 2-15).
La frquence centrale obtenue pour ce filtre est de 2,14 GHz avec une bande passante de
60 MHz. A la frquence centrale les pertes dinsertion obtenues sont de -3 dB. Le facteur de
qualit non charg vaut donc 122. Les lobes secondaires en dehors de la bande passante
correspondent aux frquences de rsonance des couches passives telles que le SiO
2
et le Mo.
La rflexion la frquence centrale du filtre vaut -15 dB 2,14 GHz dcrivant une
bonne adaptation dimpdance du CRF. Une rflexion non nulle de -7 dB apparat sur
lharmonique suprieure dordre 2 (2f
0
) et aux modes de rsonance des couches passives.
2.6 Conclusions
La pizolectricit fait appel un couplage entre des grandeurs mcaniques et
lectriques. Sa mise en quation ncessite donc des connaissances approfondies en
dformations des solides lastiques dcrites par la loi de Hooke et llectricit. A ces
connaissances, on ajoute les quations de la pizolectricit pour crer un modle analytique
pouvant dcrire la totalit du comportement du matriau pizolectrique.
t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

N
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v

2
0
1
1
Aprs une rapide analyse des moyens et des mthodes permettant de simuler les
rponses des rsonateurs BAW et des filtres CRF, nous avons retenu la modlisation par
reprsentation l'aide d'un modle lectrique quivalent. Ce modle a ensuite t implant
dans un logiciel de calcul de circuits hyperfrquences. Ce choix a t justifi et nous
retiendrons qu'il est parfaitement compatible avec les outils de conception de la
microlectronique. Il faut aussi mentionner les limitations de ces choix qui sont
principalement une modlisation une dimension, bien que nous ayons t amens ajouter
une seconde dimension dans certaines simulations que nous aborderons au chapitre suivant.
Enfin, le modle que nous avons dvelopp prend en compte toutes les couches constitutives
des structures et intgre aussi les pertes dilectriques et lastiques.
Les simulations que nous avons effectues donnent une rponse large bande par rapport
la frquence des signaux lectriques d'excitation. Les rponses simules seront compares
dans le chapitre suivant aux mesures et nous permettront de valider le choix des modles et
les simulations.
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2.7 Rfrences
[Sze-1994] SM Sze Semiconductor Sensors, Wiley & sons, 1994

[Yang-2003] C.-M. Yang et al., Highly c-axis oriented AlN film using MOCVD for 5GHz-
band FBAR filter, IEEE Ultrasonics Symposium, vol.1, p.170-73, Oct. 2003

[Kubo-2003] R. Kubo et al., Fabrication of 5GHz band film bulk acoustic wave resonators
using ZnO thin film, IEEE Ultrasonics Symposium, vol.1, p.166-69, Oct. 2003

[Kang-2003] T.Y. Kang et al., Preparation of AZO/ZnO/AZO/SiO/sub 2//Si thin film for
FBAR, IEEE Ultrasonics Symposium, vol.2, p. 2016-19, Oct. 2003

[Mang-1996] L. Mang et al., ZnO thin film resonator lattice filters, Proceedings of the 50
th

IEEE International on Frequency Control Symposium, pp.363-65, June 1996

[Dubois-1999] M. A. Dubois, Thse intitule: Aluminum nitride and lead zirconate-
titanate thin films for ultrasonic applications: Integration, properties and devices, Ecole
Polytechnique Fdrale de Lausanne (EPFL), Thse N2086 (1999)

[Trippard-2003] A Trippard, Etude de la fiabilit dun FBAR, Rapport de stage
Ingnieur STMicroelectronics (Crolles1): Ecole Nationale Suprieure des Mines de Saint-
Etienne (ENSM), 2003

[Kim-1999] Sang-Ho Kim et al., The fabrication of thin-film bulk acoustic wave
resonators employing a ZnO/Si composite diaphragm structure using porous silicon layer
etching, IEEE on Electron Device Letters, vol.20, Issue 3, p.113-15, March 1999

[Aigner-2003]
1
R. Aigner, RF-MEMS, filters manufactures on Silicon: Key facts
about bulk-acoustic-wave technology, Proceedings of IEEE on Silicon Monolithic Integrated
Circuits in RF Systems, 2003 Topical Meeting, p.157-61, April 2003

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1
[Larson-2004] J.D. Larson et al., PZT material properties at UHF and microwave frequencies
derived from FBAR measurements, IEEE Ultrasonics Symposium, vol.1, p.173-77, Aug.
2004

[Ren-2001] Tian-Ling Ren et al., PZT based bulk acoustic wave RF filters, Proceedings
of 6th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, vol.1,
p.726-29, Oct. 2001

[Yamanouchi-1998] K. Yamanouchi et al., New piezoelectric KNbO3 films for SAW
device applications, Proceedings of IEEE Ultrasonics Symposium, vol.1, p.203-06, Oct.
1998

[Lanz-2004] R. Lanz, Thse intitule: Piezoelectric thin films for bulk acoustic wave
resonator applications: from processing to microwave filters, Ecole Polytechnique Fdrale
de Lausanne (EPFL), N2991 (2004)

[Berlincourt-1964] D. A. Berlincourt et al., Chapter 3- Piezoelectric and Piezomagnetic
Material and their Function in Transducers, pp. 169-270, Physical Acoustics- Principles and
Methods, Volume 1-Part A, ed. W.P. Mason Academic Press, New York, 1964

[Aigner-2003]
2
R. Aigner; High performance RF-filters suitable for above IC
integration: film bulk-acoustic resonators (FBAR) on silicon, Proceedings of IEEE Custom
Integrated Circuits Conference, p.141-46, Sept. 2003

[Engelmark-2002] Frederick Engelmark, Thse intitule: AlN and High-K thin films for
IC and Electroacoustic Applications, Acta Universitatis Upsaliensis, Uppsala (Sweden) 2002

[Ansys-2011] www.ansys.com

[Comsol-2011] www.comsol.com

[Coventor-2011] www.coventor.com

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1
[Mason-1948] W.P. Mason, Electromechanical Transducers and Wave Filters, Princeton,
NJ, Van Nostrand, 1948

[Agilent11] www.agilent.com

[Krimholtz-1970] R. Krimholtz et al., New Equivalent Circuit for Elementary
Piezoelectric Transducers, Electron Letters, Electron. Lett. 6, pp. 398- 399, 1970

[Sherrit-1999] Stewart Sherrit et al., Comparison of the Mason and KLM Equivalent Circuits
for Piezoelectric Resonators in the Thickness Mode, IEEE Ultrasonics Symposium, vol.2,
p.921-924, Oct.1999.

[Lakin-1992] K.M.Lakin, Modeling of thin film resonators, IEEE MTT-S Digest, pp.149-
152, 1992.
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Chapitre 3 : Caractrisation et validation des simulations des BAW et des CRF
Chapitre3 Caractrisation et validation des simulations
des BAW et des CRF
3.1 Introduction
Les BAW et les CRF dcrits et modliss dans le chapitre prcdent sont caractriss
dans ce chapitre afin de valider les simulations de leurs modles lectro-acoustiques.
La caractrisation frquentielle est une tape importante dans ltude des dispositifs RF
permettant danalyser leur comportement et dtudier leurs caractristiques. Elle passe par une
phase de calibration de lanalyseur vectoriel de rseaux (VNA - Vector Network Analyzer)
pour ramener les plans de mesures aux bornes du dispositif caractriser. La mesure des
paramtres S des dispositifs RF est une technique de caractrisation trs utilise dans le
secteur de la recherche. Par contre, les caractrisations systmatiques de produits industriels
ne peuvent pas toujours tre effectues avec ce type de mesure qui requiert du temps de
mesure et danalyse. Pour pouvoir insrer ce type de test dans une chane de production, il
faudrait rduire le temps de mesure et ce d'autant plus que pour les filtres le cot final du test
peut reprsenter jusqu 50% du cot de revient et 15% du cot total dun systme de
transmission.
3.2 Les BAW
Le BAW est le rsonateur lmentaire dun filtre CRF. La validation de la simulation de
son modle lectro-acoustique sous ADS va nous permettre de gnraliser les simulations de
ce modle dautres dispositifs acoustiques. Le nombre de couches tant plus faible que dans
un CRF, nous aurons moins de paramtres ajuster pour que le modle permette de
reproduire les rsultats de mesure, ce qui simplifie le travail avant de passer aux CRF.
Nous caractriserons plusieurs rsonateurs BAW ayant tous les mmes paisseurs de
couches actives et passives mais possdant chacun une surface dlectrode diffrente. Les
mesures sont faites avec le VNA 8510C en utilisant un seul port, ce qui permet une calibration
de type SOLT (la TRL ne peut se faire que sur le wafer). Le substrat de calibration utilis est
le ISS 101-190 de Cascade et les sondes RF sont de type ACP-GSG-100m de Cascade.
La figure 3-1 prsente le module de limpdance de trois rsonateurs BAW en large
bande entre 1 GHz et 9 GHz. Les trois BAW, numrots de 1, 2 et 3 prsentent
respectivement des surfaces de S
u1
= 10000 m, S
u2
= S
u1
/2 = 5000 m et
S
u3
= S
u1
/4 = 2500 m.
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Impdance de rsonace du BAW
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100
1000
1,E+09 1,E+10
Frquence (Hz)
M
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Surface 1
Surface 2
Surface 3

Figure 3-1. Module de limpdance de rsonance des rsonateurs BAW de diffrentes surfaces
Nous remarquons daprs la rponse mesure des trois rsonateurs quils prsentent tous
trois une rsonance autour de 2,14 GHz. De plus, nous constatons que la surface a un impact
sur le niveau de limpdance qui apparat clairement en dehors de la zone de rsonance. Ces
courbes sont caractristiques dun comportement capacitif de la couche dAlN qui nest
quune capacit statique hors de sa zone de rsonance. Une surface plus petite diminue la
capacit et augmente donc la valeur de limpdance mme aux frquences de rsonance et
danti-rsonance.
Nous avons choisi arbitrairement le rsonateur ayant la plus petite surface, car de plus il
ncessitera moins de puissance lors de l'tude des non-linarits (S
u3
) pour valider la
simulation du modle lectro-acoustique en large bande.

Impdance de rsonance du BAW
1
10
100
1,E+09 1,E+10
Frquence (Hz)
M
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Mesure
Simulation

Figure 3-2. Module de limpdance de rsonance du modle simul et du BAW mesur

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Les simulations de type circuit dans ADS utilisent le mode de simulation en paramtres
S. A partir du paramtre S
11
, le module de limpdance de rsonance est calcul (figure 3-2).
Aprs avoir ajust les paramtres des matriaux, principalement les pertes (L'ensemble
des valeurs est donne en annexe II), la rponse du modle lectro-acoustique du BAW
simul sous ADS se superpose aux mesures en large bande (figure 3-2). En conclusion, les
simulations circuits sous ADS, prsentes dans le chapitre prcdent corroborent les mesures.
Le modle lectro-acoustique dvelopp et simul sous ADS/circuit permet de dcrire
fidlement le comportement des dispositifs acoustiques tels que les rsonateurs BAW.
3.3 Les CRF
Une fois la mthode de simulation circuit sous ADS valide pour le modle lectro-
acoustique dun simple rsonateur BAW, nous avons tent de ltendre des structures plus
complexes telles que les CRF. Ils sont constitus de trois rsonateurs BAW coupls en mode
dpaisseur. Les caractrisations de ces quadriples ncessitent dutiliser cette fois-ci les deux
ports de lanalyseur de rseaux puisque nous avons un quadriple.
3.3.1 Caractrisation RF des filtres CRF
3.3.1.1 Prsentation des mesures
Les dispositifs CRF tester sont raliss sur un wafer de 200 mm constitu de 40
rticules (ou die ). Chaque rticule contient plusieurs centaines de filtres. Ces filtres se
distinguent par leur accs soit de type mode commun en entre ( single )/mode commun en
sortie ( single ) ou mode commun ( single )/mode diffrentiel ( differential ). Il faut
noter quun cadre (ou frame ) a t ralis autour des couches suprieures de chaque
rsonateur pour isoler les rsonateurs suprieurs. Comme nous le verrons plus tard ce
dispositif n'a pas d'incidence sur les rponses que nous avons observes.

Figure 3-3. Nomenclature des filtres CRF
Ref du filtre
Largeur du frame
en m
Single/Single
Impdance
E/S en Ohm
Espacement entre
rsonateurs en m
Forme carre ou
apodise
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Les filtres pizolectriques CRF prsents sur la figure 3-3 sont de type mode commun
( single )/ mode commun ( single ) avec des largeurs de cadre diffrentes et des
rsonateurs surfaciques de gomtrie carre ou apodise. Ces deux filtres font partie de ceux
qui ont t caractriss.
Pour pouvoir caractriser les filtres CRF, nous disposons dune station Cascade semi-
automatise S300 ayant un support du wafer (ou Chuck ) qui se dplace suivant les trois
directions x, y, z et qui autorise galement des rotations dans le plan du plateau (x-y). Le
dplacement est contrl laide dun logiciel, nomm Nucleus , qui est install sur un
ordinateur de contrle connect la station Cascade S300.
Les paramtres S des filtres CRF sont mesurs avec un VNA 8720ES en large bande
entre 1 GHz et 9 GHz sur 800 points de mesures de frquences. Ces mesures sont ensuite
transfres du VNA lordinateur de contrle via une connexion parallle GPIB. Les mesures
sont faites l'aide de sondes RF qui sont places sur les plots d'entre et de sortie du
dispositif. Ces sondes RF sont de type Cascade I40 GSG avec un espacement entre la masse
et le signal de 100 m (figure 3-4 (a)).
Pour le calibrage, un substrat de calibration est utilis (ISS 101-190 de Cascade) avec
des motifs Thru (dispositif de liaison des sondes), Load (charge adapte) et Short
(court-circuit de chaque sonde). Avec ce substrat, trois types de calibrations peuvent tre
utiliss : la SOLT ( Short-Open-Load-Thru ), la LRM ( Line-Reflect-Match ) et la
LRRM ( Line-Reflect-Reflect-Match ).
La calibration LRM ncessite deux motifs Load identiques pour calibrer correctement
les deux ports du VNA, sinon la prcision des mesures est rduite [Williams-1995].
La mthode de calibration utilise est la LRRM pour saffranchir du problme de motifs
identiques, parce quelle est large bande et parce que daprs la littrature, elle semble moins
sensible la position des pointes sur les plots. Cette technique de mesure lgrement
diffrente de la LRM qui utilise une ligne de transmission, deux Reflects de type Open
et Short et un Match standard.
Ce type de calibration intgre un algorithme de compensation dinductance de charge
[Hayden-2006]. Le standard Match doit avoir en thorie une ractance nulle alors que ce
nest pas le cas du dispositif rel. En effectuant la caractrisation dun Thru de temps de
propagation de 1 psec, on se rend compte qu'il prsente une ractance ngative [Davidson-
1990]. Pour corriger cette erreur, le programme Cascade ajuste en calculant la valeur
dinductance en excs pour le standard Match et en linsrant de nouveau dans le calcul
des coefficients derreur.
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Cette technique de calibration possde un plan de rfrence au centre dun Thru ,
ceci conduit la rendre moins sensible au dplacement des sondes contrairement la mthode
de calibration SOLT ayant un plan de rfrence aux contacts sondes-dispositif tester
[Safwat-2001]. Les sources derreurs communes non contrlables par les diffrentes mthodes
de calibration sont le changement du matriau dilectrique, la variation de la gomtrie des
plots RF ou le couplage entre les sondes RF.

R1 R2
R3 R4 R5
R6 R7 R8
R9 R10 R11
R12 R13 R14
R1 R2
R3 R4 R5
R6 R7 R8
R9 R10 R11
R12 R13 R14

(a) (b)
Figure 3-4. A gauche, photo des mesures RF avec deux sondes GSG. A droite, position des rticules
mesurs sur le wafer
Pour dfinir les filtres tester en priorit sur un wafer, nous avons tout dabord tudi la
dispersion des performances des filtres en fonction de leur position sur le wafer. En supposant
que le wafer est symtrique, nous pouvons le diviser en quatre parties identiques et de mmes
performances. Pour limiter les dplacements, les filtres caractriss se situent dans un peu
plus quun quart de wafer et sont rpartis sur quatorze rticules (figure 3-4 (b)). Nous
slectionnons deux filtres par rticule soit un total de 28 filtres mesurer. Les deux filtres
slectionns se distinguent seulement par la largeur de leur frame . Ceci permet galement
dtudier leur impact sur la rponse du filtre.
3.3.1.2 Premiers rsultats de mesures
Les caractrisations en paramtres S sont effectues sur des filtres carrs et apodiss
pour tudier leurs comportements et leurs caractristiques. Nous relevons 800 points de
frquences par filtre avec une rsolution de 3 MHz dans la bande passante pour dcrire
prcisment leurs caractristiques.
La figure 3-5 reprsente la rponse des deux filtres CRF, prsents sur la figure 3-3 ; un
filtre carr nomm I7 et un apodis K7. Ces deux filtres prsentent quasiment la mme
signature frquentielle (transmission et rflexion) en large bande toutefois lorsque nous
dtaillons leur comportement dans la bande passante (figure 3-5 (b)), nous pouvons remarquer
des oscillations plus marques (dont une sur S
11
2,16 GHz) dans la bande et des oscillations
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sur la pente de rjection en haute frquence du paramtre S
21
(trait noir). Nous observons
aussi des oscillations de la phase (figure 3-5 (d)).
Ces oscillations proviennent essentiellement des propagations parasites des modes
latraux. Une onde latrale se rflchit totalement car elle se propage perpendiculairement aux
faces du rsonateur carr alors quelle se rflchit partiellement jusqu svanouir pour un
rsonateur apodis grce ses faces non parallles.

Caractrisation RF large bande
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
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1 2 3 4 5 6 7 8 9
Frquence (GHz)
M
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B
S21 carr
S21 apo

Caractrisation RF bande troite
-50
-40
-30
-20
-10
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2,05 2,1 2,15 2,2 2,25 2,3
Frquence (GHz)
M
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B
S11 apo
S21 apo
S11 carr
S21 carr

(a) (b)
Caractrisation RF large bande
-600
-450
-300
-150
0
150
300
450
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Frquence (GHz)
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S21 carr
S21 apo
Caractrisation RF bande troite
-450
-350
-250
-150
-50
50
150
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350
2,05 2,1 2,15 2,2 2,25 2,3
Frquence (GHz)
P
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S21 carr
S21 apo

(c) (d)
Figure 3-5. Modules (a et b) du coefficient de rflexion et du coefficient de transmission mesurs et
phases de la transmission et phases (c et d) en bande troite pour deux filtres apodis (K7) et carr (I7)
De plus, nous avons constat de petites oscillations parasites dans la bande passante.
Nous supposons quelles sont lies linhomognit de lpaisseur de la couche
pizolectrique qui produit des modes doscillations parasites en profondeur dont la signature
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est illustre figure 3-5 (b), ce point a t vrifi par le LETI qui tait une de nos partenaires
dans ce projet. Les frquences de rsonance parasites ont t observes sur la rponse
frquentielle en large bande entre 3 GHz et 6 GHz en module (figure 3-5 (a)) et phase (figure
3-5 (c)). Elles correspondent daprs leurs valeurs, aux rsonances des couches non
pizolectriques, toutefois la transmission du filtre ces frquences ne dpasse pas - 45 dB.

Gabarit WCDMA pour les filtres CRF
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,6
Frquence(GHz)
M
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(
d
B
)
dB(S21)
Gabarit
Series3

Figure 3-6. Gabarit du WCDMA en transmission compar la rponse du filtre CRF
Ces filtres CRF ont t initialement conus pour une application de transmission sans
fils W-CDMA (figure 3-6). Dans ce cas la puissance mise hors bande par le systme est
rglemente et doit respecter un masque frquentiel reprsent sur la figure 3-6 avec une
rjection maximale 39 dB [Carpentier-2005].
Nous constatons, lissue de ces premires mesures, que la rjection des filtres CRF
dans la bande de frquence mesure est proche du masque, avec une rjection qui tend
diminuer lorsque la frquence augmente, toutefois ces mesures ont t faites sans tenir compte
des effets parasites des plots daccs RF.
3.3.1.3 Dispositifs de de-embedding
Pour complter les mesures RF, il faut procder l'pluchage (de-embedding). En
thorie cette technique permet de saffranchir de leffet des plots daccs RF et ainsi de
dplacer les plans de rfrence au plus proche du dispositif. Pour cela, plusieurs dispositifs de
de-embedding ont t raliss et sont disponibles sur le wafer (plots sans connexions,
plots connects entre eux... ou encore Open , Thru ...).
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Dans un premier temps, la transmission sur motif open , est prsente sur la figure 3-
7 (trait noir). Ce motif de de-embedding est simplement constitu par des plots daccs et de
la couche isolante de SiO
2
sans couche active pizolectrique et sans lectrode.
Dans un second temps, la transmission mesure par le VNA, lorsque les sondes des
ports 1 et2 (aprs calibration) sont en lair et suffisamment espaces pour viter un couplage
capacitif direct est prsente sur la figure 3-7 (trait gris). Cette mesure permet de quantifier le
plancher de bruit de lanalyseur de rseau vectoriel VNA 8720 ES, sur la plage frquence
envisage. Nous pouvons noter une attnuation maximale mesure en transmission de -75 dB
5 GHz.

Paramtre de transmission
-90
-80
-70
-60
-50
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Frquence (GHz)
M
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B
Motif "Open"
S21_oct_bruit

Figure 3-7. Rponse en transmission du bruit de lensemble (VNA+ cbles+ sondes) et du dispositif de
de-embedding
La transmission mesure sur le motif Open est toujours suprieure -65 dB et
toujours au moins 20 dB au-dessus du plancher de sensibilit mesure par le VNA. De plus, le
module de la rponse en transmission de ce motif augmente avec la frquence. Ceci est la
signature dun comportement capacitif qui peut tre reprsent par une capacitance que nous
avons estime 0,5 fF. Cet effet provient des plots RF espacs de 200 m et qui engendrent
un couplage capacitif entre les deux accs via le substrat de silicium.
La consquence de ce couplage entre plots RF est que les CRF mesurer sont bass sur
la mme gomtrie cest dire quils prsenteront ce couplage parasite qui limitera lisolation
entre les deux ports comme celle du motif Open .
C= 0,5 fF

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3.3.1.4 Rsultats des mesures aprs de-embedding
Par une ou plusieurs oprations mathmatiques utilisant la reprsentation matricielle la
mieux adapte (en gnral la reprsentation sous forme de matrice admittance) la rponse du
filtre sans les plots de caractrisation peut tre obtenue.
Ces mesures du filtre (K7) sans plot sont prsentes sur la figure 3-8. Nous constatons
que les rponses dans la bande passante et en large bande restent identiques pour le module et
la phase du coefficient de transmission. Toutefois pour le module, autour des pentes de
rjection et en basse frquence, cest aprs de-embedding , que nous pouvons observer que
lcart de rjection d leffet des plots nest pas ngligeable autour de la bande passante (de
10 dB 1 GHz 5 dB 3 GHz).

-80
-60
-40
-20
0
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Frquence (GHz)
M
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B
Filtre mesur
Filtre sans plot

-600
-450
-300
-150
0
150
300
450
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Frquence (GHz)
P
h
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s
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d
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g
r
Filtre mesur
Filtre sans plot

(a) (b)
Figure 3-8. La rponse brute du filtre compare celle mesure en module (a) et en phase (b)
De plus nous constatons que le plancher de mesure de la rjection du filtre est limit par
la mesure de transmission du motif Open . La mesure de rjection du filtre est ainsi limite
par leffet de couplage mis en vidence sur le motif Open . Nous justifierons cette
limitation laide de comparaison avec des rsultats de simulation.
3.3.2 Comparaison des rsultats de simulations et de mesures
Le CRF tel quil a t introduit dans le chapitre prcdent est constitu de deux
empilements de couches coupls lectriquement par les lectrodes infrieures de Mo ;
lensemble du rsonateur infrieur (Mo-AlN-Mo) est continu entre les deux piles du CRF. Les
rsonateurs suprieurs isols lectriquement entre eux sont coupls acoustiquement au
rsonateur pizolectrique infrieur travers les couches de couplage (SiO
2
-W-SiO
2
).
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Lisolation mcanique entre la couche dAlN infrieure et le substrat se fait travers le miroir
de Bragg.
Dans les paragraphes suivants, des rsultats de simulations sous ADS du modle
lectro-acoustique vont tre compars aux rsultats de mesures large bande prsents.
3.3.3 Modle lectro-acoustique 1D en large bande
Le modle lectro-acoustique une dimension (1D) permet de dcrire la propagation
longitudinale en mode dpaisseur tout en ngligeant les autres modes de propagation
notamment les modes transversaux. Ce modle prsent prcdemment a t implment sous
ADS. La figure 3-9 montre les rsultats de mesures et de simulations en bande troite autour
de la bande passante du CRF. Le modle dcrit relativement bien la rponse mesure du filtre
dans sa bande passante en rflexion et en transmission. Quant la rjection, la simulation du
modle 1D montre les mmes pentes de rjection gauche et droite que celles mesures
jusqu -55 dB.

Paramtre de rflexion S
11
bande
troite
-40
-30
-20
-10
0
1,8 2 2,2 2,4 2,6
Frquence (GHz)
M
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B
Mesure
Simulation

Paramtre de transmission S
21
bande troite
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
1,8 2 2,2 2,4 2,6
Frquence (GHz)
M
o
d
u
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n

d
B
Mesure
Simulation

(a) (b)
Figure 3-9. Comparaison des modules simuls et mesurs en bande troite en rflexion (a) et en
transmission (b)
Toutefois, en scartant de la bande passante, nous observons une divergence entre les
rponses du modle et celles mesures. Cette diffrence montre une rjection plus forte en
simulation quen mesure (figure 3-10) avec une attnuation plus importante hors bande.
La diffrence de rjection en large bande ne peut pas tre explique par une limitation
de lappareil de mesure. En effet nous avons mesur le niveau de bruit de lanalyseur vectoriel
de rseau (figure 3-7). Nous avons obtenu une attnuation de -80 dB 3 GHz alors que
lattnuation du filtre ne descend pas au-dessous de -65 dB.
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large
bande
-120
-100
-80
-60
-40
-20
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1 2 3 4 5 6 7 8 9
Frquence (GHz)
M
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B
Mesure
Simulation

Figure 3-10. Comparaison des rsultats de simulations et des mesures en transmission en large bande
Pour expliquer ces diffrents comportements en large bande, deux possibilits sont
envisages :
Manque de prcision du modle : prendre en considration les modes de propagation
parasites dans les directions transverses (modle 2D)
Limitations dues aux plots de mesure
3.3.4 Extension du modle 1D en modle 2D
Dans cette partie, nous supposons que le modle 1D nest pas suffisant pour reprsenter
la totalit du comportement RF des filtres pizolectriques en large bande, la solution
alternative propose est dtendre le modle en 2D en prenant en compte le mode de
propagation transverse entre les rsonateurs suprieurs.
Le circuit quivalent pour le mode transverse et le circuit quivalent pour le mode
dpaisseur sont connects en parallle (figure 3-11) sur lentre lectrique [Feng-2006,
Ballato-2001]. Ils possdent la mme capacit C
0
Les paramtres caractristiques de ce mode sont une constante lastique et un
coefficient pizolectrique diffrents du mode dpaisseur et par consquent une vitesse de
propagation des ondes lastiques et une impdance acoustique diffrente. Les paramtres du
modle lectrique quivalent X
1tr
et X
2tr
et N
tr
ont des expressions semblables celles du
modle d'paisseur, mais ils auront des valeurs diffrentes :
( )
E
b tr tr tr
v l tg S jZ X 2
1
= et ( )
E
b tr tr tr
v l S Z X sin
2
= (3-1)
La vitesse acoustique transversale est obtenue l'aide de la relation : v
b
E
= 1 .s
11
E
avec
une impdance acoustique transversale Z
tr
= .S
tr
.v
b
E
. S
tr
est la surface transversale, dfinie par
S
tr
= w.d

et l est la dimension latrale de la couche pizolectrique normale la force F.
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N
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1
1
Le rapport de transformation entre le port lectrique et la partie acoustique pour le mode
transverse vaut N
tr
= wd
31
s
11
E
avec d
31
le coefficient pizolectrique transverse et
E
s
11
coefficient de souplesse champ lectrique constant.

Figure 3-11. Reprsentation du circuit quivalent de la couche dAlN pour les deux modes
longitudinal et transversal
Les rsultats de simulations effectues avec ADS de ce modle 2D sont prsents sur la
figure 3-12. Ils ne modifient pas la rponse du filtre dans sa bande passante. Par contre, sa
rponse large bande conduit une rjection dtriore donc plus proche des mesures que celle
du modle 1D comme le montre la figure 3-12.

21
large
bande
-120
-100
-80
-60
-40
-20
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1 2 3 4 5 6 7 8 9
Frquence (GHz)
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Mesures
Modle 1D
Modle 2D

Figure 3-12. Comparaison mesures et simulations large bande pour les deux modles 1D et 2D
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Ces rsultats montrent que le couplage acoustique entre les rsonateurs de dessus
dgrade la performance du filtre en dehors de sa bande passante mais ne permet pas toutefois
de dcrire la rponse mesure du filtre CRF en large bande de manire satisfaisante.
Le modle prenant en compte deux dimensions nayant pas apport de solution
satisfaisante, nous allons explorer la deuxime hypothse lie leffet des plots de
caractrisation.
3.3.5 Effet des plots de mesure et limites de la mthode d'pluchage
Daprs la figure 3-7, nous observons que la rponse du dispositif dpluchage (ou de-
embedding ) est limite -65 dB. Cette rponse est principalement due aux effets des plots
qui gnrent un couplage capacitif dans le substrat de Silicium. Cette rponse devient
dominante sur la rponse du filtre en dehors de la bande passante et vient masquer la rponse
du filtre mesur. La procdure d'pluchage dtaille dans le paragraphe 3.3.1.4 montre que les
performances du filtre en large bande ne peuvent pas tre restitues en enlevant les effets des
plots.
Pour valider les simulations du modle des CRF en large bande, nous avons recours la
procdure inverse dite de embedding . Cette procdure reproduit les conditions de mesures
en ajoutant aux simulations les effets des plots mesurs en large bande. Cette mthode
consiste donc ajouter la matrice admittance du dispositif d'pluchage la matrice Y du
modle CRF.

21
large
bande
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
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1 2 3 4 5 6 7 8 9
Frquence (GHz)
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Mesures
Modle avec effets des plots

Figure 3-13. Comparaison mesures et simulations large bande du modle 1D avec les effets des plots
et des mesures
Les rsultats obtenus en mesures et en simulations 1D avec embedding sont dcrits
sur la figure 3-13. Dans ce cas, nous obtenons une bonne approximation de la rponse
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frquentielle en large bande mesure laide de ces rsultats de simulation bass sur un
simple modle 1D en large bande.
Nous pouvons donc conclure que les plots de mesure sont lorigine du comportement
observ en dehors de la bande passante. Ces plots de mesure ne servent que pour la
caractrisation individuelle des filtres. Nous pouvons raisonnablement estimer que les
proprits des filtres hors bande passante (sans plots de mesures) sont certainement bien
meilleures que celles observes exprimentalement en prsence de plots.
3.4 Optimisation du test RF pour des filtres CRF
La caractrisation frquentielle des dispositifs RF se fait classiquement laide dun
analyseur de rseaux vectoriel (VNA).
Ces mesures peuvent tre effectues manuellement pour une dizaine de dispositifs. Pour
un nombre plus lev de composants sur un mme wafer comportant plusieurs rticules
identiques, deux solutions peuvent tre envisages : soit avoir identifier des dispositifs de test,
soit automatiser les mesures.
Dans ces paragraphes nous allons prsenter une premire tude qui porte sur la
recherche de dispositifs de test en fonction de leur positon sur le wafer.
Dans le cas de nos filtres CRF, nous avons environ 2500 filtres caractriser sur un
wafer de 200 mm, nous avons choisi dans un second temps dautomatiser la procdure de
mesure en utilisant au maximum les possibilits de la station cascade semi-automatique S300.
3.4.1.1 Impact de la position sur le wafer du filtre sur ses caractristiques
Cette partie prsente les rsultats dune tude statistique sur la dispersion des
caractristiques des filtres en fonction de leur position sur le wafer. Le but tant didentifier si
possible le ou les rticules des filtres tester en priorit.
Les caractristiques des filtres mesurs sont : la frquence centrale f
0
, les pertes
dinsertion (IL) et la bande passante f -17 dB. Cette limite correspond aux premires
contraintes sur le masque (figure 3-6) 2,22 GHz.
3.4.1.1.1.1 Mthode de dtermination de la frquence centrale
La frquence centrale des filtres peut tre dtermine de deux manires :
La premire mthode, base sur la mesure du module de la transmission,
consiste dterminer la frquence centrale laide de la moyenne de deux
frquences (f
1
, f
2
) correspondant lattnuation -3 dB. Dans ce cas, le VNA
permet un balayage de la frquence permettant de rechercher les deux
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1
frquences f
1
et f
2
pour |S
21
|=IL-3 dB. Dans le meilleur des cas il faut au moins
deux points de mesures frquentielles. Toutefois il est probable que plusieurs
itrations soient ncessaires donc autant de frquences. Cette approche permet
aussi de trouver la bande passante f
2
- f
1
-3 dB.
La seconde approche utilise la proprit des filtres passe bande symtriques pour
lesquels la frquence centrale correspond une phase nulle. La technique de
dtection du passage par une phase nulle exige seulement deux points de
mesures ayant des phases
1
et
2
. Il faut choisir les phases dans la partie
linaire autour de zro avec
1

2
<0.
Ces deux techniques de mesure de la frquence centrale ont t mises en uvre sur les
28 chantillons. Les rsultats sont regroups dans le tableau 3-1. La frquence centrale
obtenue varie de 2,131 GHz 2,139 GHz en fonction de la mthode soit un cart de 8 MHz
constituant une erreur relative de 0,4% par rapport f
0
. De plus la dispersion de f
0
en fonction
de la position varie entre 2,7 MHz et 3,5 MHz soit une dispersion relative trs faible gale
0,16%.
Interpolation Mthode de phase
Moyen (GHz) 2,131 2,139
Ecart-type (MHz) 2,7 3,5
Tableau 3-1. Moyen et cart-type des deux mthodes de calcul de la frquence centrale
Cette tude statistique conduit la conclusion que la mthode de mesure de f
0
, laide
de la phase, donc seulement deux points de mesures, permet de dterminer la frquence
centrale moins de 0,4%.
3.4.1.1.1.2 Statistiques sur la dispersion des performances
Deux sries de filtres sont tudies F
1
et F
2
possdant des caractristiques diffrentes.
Chaque srie contient quatorze filtres rpartis sur quatorze rticules situs dans un quart de
wafer. Chaque srie possde une largeur de cadre (ou frame) et une surface de rsonateur
diffrente.
La figure 3-14 (a) prsente la dispersion de la frquence centrale sur quatorze filtres de
la srie F
1
distribus sur quatorze rticules. La dispersion maximale se trouve proche de la
priphrie du wafer (R
1
).
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1

Dispersion de la frquence centrale
selon les rticules
2,135
2,14
2,145
2,15
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1
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2
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3
R
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0
R
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1
R
1
2
R
1
3
R
1
4
Numro de la rticule
f
0

(
G
H
z
)

(a) (b)
Figure 3-14. (a) dispersion de f
0
suivant la position du rticule, (b) positions des rticules sur le wafer
La frquence centrale f
0
est calcule partir du passage par une phase nulle et les pertes
dinsertion sont gales au maximum de transmission dans la bande passante. f est la bande
passante -17 dB (figure 3-6), elle correspond aux premires attnuations dans les pentes de
rjection fixes dans le gabarit WCDMA ; il faut que |S
21
| soit infrieur -17 dB pour une
gamme de frquence entre 2,06 GHz et 2,22 GHz.

Dispersion de la bande passante -
17 dB
84
86
88
90
92
R
1
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2
R
3
R
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R
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R
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0
R
1
1
R
1
2
R
1
3
R
1
4
Numro de la rticule
f

(
M
H
z
)

Dispersion des pertes d'insertion
-3,6
-3,2
-2,8
-2,4
-2
R
1
R
2
R
3
R
4
R
5
R
6
R
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1
0
R
1
1
R
1
2
R
1
3
R
1
4
Numro de la rticule
I
L

(
d
B
)

(a) (b)
Figure 3-15. Dispersion de f (a) et IL (b) suivant la position du rticule
La bande passante de la srie F
1
varie entre 57 MHz et 63 MHz, en calculant le facteur
de qualit des filtres chargs par 50 , Q
c
varie entre 34 et 37,5. Le facteur de qualit non
charge Q
ul
est deux fois plus importantes soit 2.Q
c
(68 75).
R1 R2
R3 R4 R5
R6 R7 R8
R9 R10 R11
R12 R13 R14
R1 R2
R3 R4 R5
R6 R7 R8
R9 R10 R11
R12 R13 R14

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1
Quant F
2
, la bande passante est entre 62 MHz et 67 MHz, alors son facteur de qualit
charge Q
c
se situe entre 31,9 et 35. F
2
possde donc le mme facteur de qualit non charg
Q
ul
que F
1
qui vaut 2,14.Q
c
(68 75).
Nous remarquons que la bande passante f (figure 3-15 (a)) trouve son maximum pour
le filtre appartenant au rticule R12 situ la priphrie du wafer (figure 3-14 (b)). Par contre,
les pertes dinsertion prsentent un minimum pour R12 (figure 3-15 (b)) alors que ce filtre
possde la plus grande bande passante. En effet dans le cas de filtre base de rsonateurs
coupls tels que les CRF, les pertes dinsertion (IL) peuvent tre values partir de la
relation suivante :
IL = 20 n Log 1
Q
c
Q
ul
|
\

|

|
(3-2)
avec n le nombre de rsonateurs coupls.
Daprs le tableau 3-2, les carts types relatifs de sont de 0,15 % pour f
0
, de 2 % pour f
et de 9 % pour les pertes dinsertion IL. Ces dispersions sont faibles pour la frquence centrale
et la bande passante -17 dB, tandis que celle des pertes dinsertion ne sont pas ngligeables.
Frquence centrale f
0
Pertes dinsertion IL f -17 dB
F
1
2,139 GHz/ 3,4 MHz -3 dB/ 0,4 dB 87 MHz/ 1,8MHz
F
2
2,137 GHz/2,1 MHz -2,75 dB/ 0,3 dB 92 MHz/1,2 MHz
Tableau 3-2. Moyenne/cart type de f
0
, IL et f des deux sries de filtres
En conclusion, cette tude ne permet pas de faire apparatre une corrlation entre les
dispersions des performances des filtres et leur position sur le wafer. Ces dispersions sont
quasiment ngligeables pour la frquence centrale et la bande passante. Ne pouvant pas
identifier la position des filtres qui risquent dtre aux limites des performances nous allons
proposer une mthode de test systmatique automatise.
3.4.2 Automatisation des mesures
Pour mettre en uvre cette mthode, nous avons dvelopp un programme sous
Labview [Labview] permettant de mmoriser une squence de mesures cest dire le
dplacement des sondes sur le wafer, la pose des pointes et la rcupration des donnes
(figure 3-16).
Cette squence peut ensuite tre ensuite rejoue de manire autonome sur chaque
rticule. De plus, la position de chaque rticule sur le wafer est galement mmorise.
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Figure 3-16. Schma du dialogue entre les diffrents instruments
Le dplacement des sondes RF dans les trois directions est donc pilot par un
programme propre la station permettant la fois de dfinir la cartographie du wafer et de
commander le dplacement du support de wafer et des sondes. Ce programme sappelle
Nucleus .
Une seconde partie du programme concerne le pilotage du VNA. Le VNA doit tre
calibr une fois pour toutes au dbut de la squence de test, puis nous prcisons le type de
donnes mesurer et afficher par exemple les paramtres S en module et en phase avec la
plage de frquence et la rsolution frquentielle prendre en compte. La sauvegarde et le
transfert des donnes depuis le VNA vers lordinateur de contrle sont faits automatiquement.
Les mesures de chaque filtre sont ranges dans un fichier indpendant.
La phase de calibration reste manuelle parce nous avons choisi dutiliser un substrat de
calibration indpendant fourni par Cascade. Cette tape nest en principe effectue quune
seule fois.
La figure 3-17 prsente les synoptiques des programmes Labview. Le premier prsente
le programme gnral o est insr le bloc du sous-programme VNA. Ce bloc est dtaill sur
le second schma. Dans le sous-programme VNA, nous trouvons le bloc de sauvegarde de
donnes ainsi que les pilotes permettant le dialogue avec le VNA.
Initialisation du VNA
Choix des paramtres
dacquisition, nombre de points et
gamme de frquence
Contrle du dplacement
par Nucleus
Acquisition des
donnes
Liaison GPIB
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Figure 3-17. Synoptique du programme dautomatisation sous Labview
Dans le programme gnral, nous avons insr un compteur (timer) qui permet
dobtenir le temps de mesure ncessaire la caractrisation de tous les dispositifs tester sur
un wafer.
Par exemple, nous avons ralis la mesure de 40 filtres CRF rpartis sur les 40 rticules
du wafer avec 800 points de frquence par filtre. Les quatre paramtres S complexes sont
extraits pour chaque filtre. Lensemble des ces mesures a ncessit un temps de 5 minutes et
20 secondes. Le dplacement des sondes entre les rticules du wafer reprsente environ 48 s
soit 15 % du temps total alors que 85 % du temps restant sont ncessaires au VNA pour les
mesures et la rcupration des donnes (soit 272 s). (La mesure dun filtre reprsente environ
8 s de temps de mesure par filtre pour 4 paramtres S complexes. Lacquisition dun seul
paramtre S pour un point de frquence requiert 2,5 ms.
Programme
VNA
Calcul du
temps
Sauvegarde
des donnes
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Si nous considrons la mesure de lintgralit des 2500 filtres prsents sur un wafer
dans les mmes conditions de mesure que les prcdentes (4 paramtres S et 800 points), le
temps ncessaire pour la caractrisation est alors de 5 heures et 35 minutes. Ce temps est
suffisamment significatif pour ralentir la cadence dune chane de production et donc
augmenter au final le cot gnral du filtre.
Nous pouvons prciser quen gnral pour le test industriel, des cartes pointes
spcifiques sont utilises pour viter le dplacement de pointes. Cela rduit un peu le temps
global mais ne permet pas de gagner normment sur le temps que nous avons estim. Notons
que 50% du prix du filtre est ddi son test final.
3.4.3 Etude dun test frquentiel optimis
Pour rduire le temps de test, nous avons tudi une mthode visant rduire le nombre
de points de frquence. Cette mthode consiste mesurer seulement quelques points
caractristiques dans le gabarit du filtre. Le but tant cette fois de discriminer les mauvais
filtres ne respectant pas le gabarit, ce qui correspond du test des filtres et non plus de la
mesure. Nous avons procd par tapes en prenant un nombre de points impair en
commenant par 5 points et en ajoutant 2 points chaque tape.

Figure 3-18. Gabarit WCDMA des filtres CRF avec le choix des points de discrimination
Les filtres CRF sont destins des applications WCDMA, do ils doivent respecter son
gabarit prsent sur la figure 3-18. Les deux premiers points essentiels au respect du gabarit
sont les extrmits de la bande passante 2,11 GHz (point A) et 2,17 GHz (point B). La
frquence centrale reprsente le troisime point C 2,14 GHz. Les deux points additionnels D
et E dterminent les pentes de rjection minimales gauche et droite fixes par le gabarit

-18
-15
-12
-9
-6
-3
0
2,05 2,1 2,15 2,2 2,25 2,3
Frequency (GHz)
S
2
1

(
d
B
)
5 points
7 points
9 points
11 points
Gabarit WCDMA
A
B
F
G
H
I
J
K
E
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WCDMA. Ces 5 points prsents par des carrs bleus vont nous servir pour vrifier si tous les
filtres peuvent tre tris. A ce stade le rsultat est binaire, le filtre rpond ou ne rpond pas au
gabarit du WCDMA.
Pour tester la mthode, nous avons choisi 14 filtres CRF rpartis dans un quart du wafer
et ayant des caractristiques diffrentes.
Comme nous avons dj les caractristiques compltes des filtres (issues dune mesure
classique de paramtres S), nous savons priori quels sont les filtres qui respectent le gabarit.
Le principe est de commencer par un nombre limit de point de mesures, faire le test de
respect du gabarit sur ces seuls points et vrifier si cette mthode de test est fiable.
Avec cinq points (A, B, C, D et E), nous navons pas pu obtenir le rsultat escompt,
certains filtres ayant t dtects bons alors qu'ils ne l'taient pas.
Nous avons ensuite ajout deux points supplmentaires en divisant en deux les espaces
de frquence se trouvant entre A et C puis entre C et D. Les points ajouts sont
respectivement F et G. Avec ces sept points nous avons encore constat des erreurs dans le
test. En procdant par dichotomie successive cette mthode de test a converg vers
lidentification des 11 filtres effectivement dfectueux parmi les 14 filtres.

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Nombre de points de frquences
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Figure 3-19. Erreur commise sur le nombre de filtres rejets en fonction du nombre de points de
frquences
La figure 3-19 prsente le nombre derreurs commises sur les filtres tests en fonction
du nombre de points de frquences slectionns. A partir de 9 points, nous avons pu identifier
tous les filtres qui ne respectaient pas le gabarit.
Pour estimer le gain de temps sur le test, reprenons les rsultats obtenus sur les mesures
de temps de caractrisation faites avec le programme Labview. Les 800 points de mesure
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requirent 85% du temps du test. En utilisant seulement 11 points par filtre, le temps de
caractrisation prvoit une rduction dun facteur 80.
Un second programme Labview a t dvelopp pour raliser cette mthode de test
laide de 11 points de mesures.
Ce test a ensuite t prouv sur les 40 filtres CRF sur 40 rticules avec les mmes
conditions dautomatisation du dplacement du wafer et de contrle du VNA. Le temps de
test a alors t rduit 51,4 s (au lieu de 5 min et 20 s) tout en donnant une rponse binaire
sur ltat du fonctionnement du filtre. Le temps de dplacement des sondes reste inchang et
gal 48 s. En revanche le temps dacquisition et de transfert des mesures par le VNA ne
reprsente plus que 3,4 s (soit 80 fois plus court).
Il faut bien noter que ce test ne permet pas de saffranchir de la phase de calibration.
Toutefois, des dfauts dans la bande passante des frquences non mesures par notre
mthode ne sont pas dtectables. Cette mthode peut tre utilise comme test industriel mais
ne permet pas une dtection optimale de tous les dfauts dans la bande passante du filtre.
3.5 Conclusion
Au cours de ce chapitre nous avons prsent la caractrisation et la simulation large
bande des rsonateurs BAW et des filtres pizolectriques CRF. Nous avons pu valider les
rsultats de simulation aprs avoir cal les modles et nous avons obtenu l'ensemble des
donnes numriques des caractristiques mcaniques et lectriques des matriaux constituant
les composants.
En comparant les mesures et les simulations des CRF et aprs quelques hypothses,
nous avons montr que les plots de caractrisation RF limitaient les proprits des filtres hors
bande. Ce point est important noter pour les concepteurs qui pourraient obtenir de
meilleures performances pour les CRF hors bande passante en s'affranchissant de ces plots
quand ils ne sont pas ncessaires. Pour prolonger cette modlisation le chapitre 4 sera
consacr la modlisation de ces CRF sous fortes puissances RF avec les effets non-linaires
inhrents.
Dans une dernire partie nous avons tudi une procdure de caractrisation en
frquence des filtres, base sur une analyse comme elle peut tre faite classiquement avec un
grand nombre de points de frquence. Pour cette opration, nous avons automatis le banc de
mesure. La caractrisation frquentielle optimise par Labview automatise les tches du VNA
et de la station Cascade, et donne un temps de mesure important dont 85 % est ddi au
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dialogue avec le VNA. Ce temps de mesure ne permet pas dintgrer le test des filtres dans
une chane de production surtout si le cot du test reprsente 50% du cot du filtre.
Nous avons alors montr que le temps de caractrisation n'tait pas compatible avec un
processus de fabrication industriel et que le cot gnr par le test systmatique tait
prohibitif. Nous avons alors propos et valid une mthode visant rduire le nombre de
frquences mesures. Ce test s'est rvl positif mais montre malgr tout des limitations. Pour
aller plus loin dans la recherche d'un test optimum, nous avons explor d'autres voies faisant
appel des analyses pseudo temporelles. Cette mthode fait l'objet du chapitre 5.
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3.6 Rfrences
[Williams-1995] D.F. Williams, et al., LRM Probe tip Calibrations using Non-Ideal
Standards, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 43, No 2, pp.466-
469, Feb. 1995.

[Hayden-2006] L.Hayden, An Enhanced Line-Relfect-Reflect-Match Calibration,
IEEE 67
th
ARFTG Conference, pp.143-149, San Francisco CA, June 2006.

[Davidson-1990] A.Davidson et al. LRM and LRRM Calibrations with Automatic
Determination of Load Inductance, IEEE 36
th
ARFTG Conference Digest-Fall, pp.57-63,
Monterey CA, Nov.1990.

[Safwat-2002] A.M.E.Safwat et al., Sensitivity Analysis of Calibration Standards for
Fixed Probe Spacing On-Wafer Calibration Techniques, IEEE MTT-S Microwave
Symposium Digest, pp.2257-2260, Seattle WA, June 2002.

[Carpentier-2005] J.F.Carpentier et al., A SiGe:C BiCMOS WCDMA Zero-IF RF Front-
End Using an Above-IC BAW Filter, IEEE ISSCC Digest of Technical Papers, Vol.1,
pp.394-395, San Francisco CA, Feb. 2005.

[Feng-2006] F.Feng et al., A 2D equivalent circuit of piezoelectric ceramic ring for
transducer design, Proceedings of Ultrasonics International, Vol.44, pp.723-726, Dec.2006.

[Ballato-2001] A.Ballato, Modeling Piezoelectric and Piezomagnetic Devices and
Structures via Equivalent Networks, IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and
frequency control, Vol. 48, no. 5, Sep.2001.

[Labview] http://www.ni.com/labview
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Chapitre 4 : Caractrisation non linaire des filtres acoustiques sous forte puissance RF
Chapitre4 Caractrisation non-linaire des filtres
acoustiques sous forte puissance RF
4.1 Introduction
Les filtres acoustiques base de rsonateurs BAW (Bulk Acoustic Wave) sont
largement utiliss dans les frontaux radios du fait de leurs fortes rjections hors bande et leurs
faibles pertes dinsertion. Les performances des filtres BAW sont meilleures que celles de
leurs rivaux cramiques et SAW. Un exemple de frontal WCDMA est donn sur la figure 4-1.
Nous pouvons alors distinguer deux types de fonctionnalits : le filtrage slectif classique
dun canal et une fonction de sparation entre le canal dmission et celui de rception
ralise par un duplexeur.
Si le filtre BAW insr dans la chane dmission aprs le mlangeur permet de rejeter
les bandes hors standard, le second insr dans le duplexeur un double rle : isoler du canal
de rception et filtrer les harmoniques et leurs combinaisons dues principalement aux effets
non-linaires de lamplificateur de puissance. Ces effets non-linaires sont introduits par les
diffrentes fonctions de la chane dmission lorsquelles sont soumises une forte puissance
(quelques dizaines de dBm) par exemple au travers des transistors qui peuvent les constituer.
Sur la chane de rception, le filtre BAW permet de laisser passer le signal utile et de
filtrer tous les signaux parasites capts par lantenne autour de la bande de rception.
Les filtres acoustiques peuvent subir des puissances leves lors de lmission. Les forts
niveaux de puissances appliqus aux filtres BAW peuvent induire des comportements non-
linaires et donc une dtrioration de leurs performances (comme des drives de leurs
frquences de travail, une dsadaptation des ports,).
Ce comportement en large signal peut tre diffrent de la caractrisation des BAW en
petits signaux o le rgime de fonctionnement est considr comme linaire.
Ce chapitre propose une meilleure comprhension de ces effets non-linaire des filtres
BAW. Lobjectif du travail effectu tait dune part de connatre le comportement de ces
filtres lorsquils sont soumis des puissances importantes et dautre part de localiser les effets
non-linaires dans la structure. Lensemble de ce travail devant conduire un modle non-
linaire exploitable par un concepteur de circuit, nous proposons en fin de chapitre un modle
compatible avec les outils de simulation et de conception.
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Figure 4-1. Synoptique dun systme de transmission WCDMA
La complexit dun filtre CRF [Volatier-2006], nous a amens nous intresser en
premier lieu un rsonateur BAW seul, afin dextraire des paramtres et dtudier des
comportements non-linaires qui seront ensuite repris dans les filtres.
Cette dmarche se justifie dautant plus que nous navons pas trouv dans la littrature
dinformation sur le comportement non-linaire de lAlN et encore moins dlments de
modlisation de rponses non-linaires que ce soit pour les BAW ou pour les CRF [Mourot-
2009]. En effet, les modles non-linaires trouvs dans la littrature ([Nosek-1999],
[Constantinescu-2007], [Aigner-2005], [Rai-2010]) dcrivent le comportement non-linaire
des dispositifs BAW autour de leur frquence de rsonance par un circuit BVD. Ce circuit ne
permet pas de comprendre le comportement non-linaire de la couche active dAlN.
Les informations trouves dans la littrature sur le comportement non-linaire
concernent les matriaux de type PZT et pizocramiques ([Aurelle-1996], [Guyomar-1994],
[Chong-2004],[Joshi-1992], [Takahashi-1998], [Gonnard-2000], [Hruska-1996]). Nous allons
nous en inspirer tout au long de notre analyse de lAlN pour localiser les non-linarits dans
ce matriau.
Pour tudier le comportement sous forte puissance, nous avons dvelopp un banc de
caractrisation spcifique qui permet dtudier la rponse des rsonateurs BAW et des filtres.
Enfin avec lensemble des rsultats obtenus en caractrisation, nous avons dvelopp un
modle non-linaire du filtre afin de comparer les rsultats des simulations non-linaires aux
rsultats de caractrisations.
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4.2 Caractrisation en puissance des rsonateurs BAW
Un rsonateur BAW est un diple. Le principal paramtre pour tudier la non-linarit
est de suivre lvolution de limpdance lectrique du rsonateur acoustique en fonction de la
puissance applique en entre. En ralit, le banc de mesure de puissance RF mesure
lvolution du paramtre de rflexion (S
11
) lentre du rsonateur BAW ou dispositif sous
test (DST).
Dans un second temps, il est possible partir de ces mesures dtudier la dsadaptation
du rsonateur mais galement lvolution en fonction de la puissance des frquences de
rsonance et dantirsonance.
Ces effets non-linaires sont dus principalement aux changements des proprits de la
couche pizolectrique (AlN) qui provoquent leur tour un changement des conditions de
rsonance du BAW. Pour mieux comprendre le comportement non-linaire de la couche
dAlN, un modle lectro-acoustique est utilis dans la troisime partie dont le principal rle
est dexploiter les causes de la drive non-linaire. Le modle (dtaill dans le chapitre2)
fonctionnant pour un rgime petits signaux sera ajust aux rsultats de caractrisation pour
chaque valeur de puissance mettant en vidence les principales proprits altres par la forte
puissance.
4.2.1 Banc de caractrisation en puissance des BAW
Le banc de mesure de la figure 4-2 sert tudier la drive du comportement des
rsonateurs acoustiques sous forte puissance RF. Le paramtre unique servant caractriser
les effets non-linaires lis laugmentation de la puissance est le paramtre de rflexion en
entre S
11
du fait que le rsonateur est un diple.
4.2.2 Dispositif exprimental
Les instruments utiliss dans ce set up sont les suivants :
VNA 8720ES dlivrant une puissance maximale limite 5 dBm.
Un amplificateur Empower (1-3 GHz) dlivrant une puissance maximale de 10 Watts
(40 dBm) avec un point de compression 50 dBm.
Un circulateur (1,8-2,8 GHz).
Un coupleur directif 3022 NARDA ayant une rflexion infrieure -30 dB pour une
frquence allant de 1,9 GHz 2,2 GHz.
Des sondes de puissance ACP40-GSG-100 m.
Des attnuateurs de 10 dB et 20 dB.
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Ces instruments sont tous fonctionnels dans la bande de travail du rsonateur situe
entre 1,9 GHz et 2,1 GHz.
Le VNA est utilis comme gnrateur de signaux RF avec une puissance dlivre sa
sortie de 0 dBm sur le port A. Cette puissance tant faible, elle doit tre amplifie laide de
lamplificateur de puissance Empower permettant daugmenter la puissance sa sortie jusqu'
40 dBm. Ce dispositif prsente un point de compression 1 dB de +50 dBm, alors ses effets
non-linaires ne sadditionnent pas au signal RF pour toute puissance infrieure 40 dBm.

Figure 4-2. Banc de mesure des rsonateurs acoustiques BAW
Le circulateur dont le troisime port est connect une charge de 50 sert d'isolation
de lamplificateur pour toute puissance rflchie. Le coupleur directif a un double rle. Il
permet de mesurer limage de la puissance incidente lentre du rsonateur, acquise sur la
voie de rfrence R du VNA. La seconde sortie du coupleur, connecte sur la voie B du VNA,
donne limage de la puissance rflchie par le rsonateur. Les voies B et R sont ensuite
compares (B/R) pour calculer le coefficient de rflexion S
11
.
Les sondes employes sont de type ACP pouvant supporter une puissance allant jusqu
40 dBm. Les mesures sont faites en bande troite autour de la frquence de travail du BAW
(1,8 2,1 GHz) pour pouvoir suivre plus prcisment lvolution des deux frquences de
rsonance et dantirsonance en fonction de la puissance.
Ce type de montage ne permet pas de raliser une calibration classique du VNA
complte sur les deux ports ( full two ports ) en calculant les erreurs de tous les paramtres
S en module et phase. La calibration utilise dans cette caractrisation est de type
response ; il sagit dune calibration en transmission avec un accs aux boucles externes
grce une configuration spcifique du VNA. Cette calibration permet de corriger en
amplitude et en phase le paramtre de rflexion S
11
sous puissance maximale de 40 dBm
(Annexe III).
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4.2.3 Analyse des mesures de puissance
La puissance lentre du dispositif sous test varie entre 20 dBm (considr comme
faible puissance) et 32 dBm (puissance maximale applique lentre du BAW). Des essais
avec des puissances suprieures 32 dBm ont conduit la destruction de plusieurs
rsonateurs. La cause constate de ces destructions est laltration de llectrode lectrique
suprieure.
Plusieurs surfaces de rsonateur tant disponibles sur le wafer de test, pour des
rsonateurs de grandes surfaces, nous nobservons pas de changement significatif de la
rponse RF car la puissance est rpartie sur un volume plus grand et donc le BAW continue
fonctionner dans sa zone linaire.
Le BAW, dont les variations dimpdances sont dcrites sur la figure 4-3, prsente une
surface denviron 150x150 m (considre comme petite). Il permet dillustrer de manire
plus visible les changements comportementaux qui apparaissent lorsque le BAW est soumis
une forte puissance RF. La densit de puissance varie entre 36,4 dBm/mm et 58,4 dBm/mm.
Nous pouvons constater un dcalage important des frquences de rsonance f
r
et
dantirsonance f
a
(figure 4-3) correspondant respectivement au minimum et au maximum de
la valeur dimpdance du rsonateur lorsque la puissance varie de 20 (faible puissance) 32
dBm (puissance de saturation).
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1,8 1,9 2 2,1 2,2
Frquence (GHz)
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Faible puissance
Pin= 28 dBm
Pin=30 dBm
Psat=32 dBm

Figure 4-3. Variation de limpdance du rsonateur en fonction de la puissance applique
Pour des faibles puissances ( 20 dBm), les frquences de rsonance et danti-rsonance
sont respectivement gales 1,96 GHz et 1,995 GHz. En revanche, lorsque la puissance est de
32 dBm, ces valeurs augmentent f
r
= 1,996 GHz et f
a
= 2,055 GHz.
Nous remarquons un dcalage de la frquence de rsonance (f
r
= 36 MHz) et
dantirsonance (f
a
= 60 MHz) en fonction de la puissance. Ce dcalage f, comparable la
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bande passante |f
r
-f
a
|= 35 MHz, dmontre lintrt de pouvoir dcrire la non-linarit des
rsonateurs BAW.
Nous rappelons que le coefficient de couplage lectromcanique k
t
2
peut tre dfini par
lexpression suivante :
k
t
2
=

2
4
1
f
r
f
a
|
\

|

|
(4-1)
Ce coefficient passe de 4,3% pour une faible puissance de 20 dBm 7,1% pour une
puissance maximale de 32 dBm. Nous pouvons conclure partir de ces mesures que le
couplage lectromcanique augmente avec la puissance applique. De plus, nous pouvons
remarquer une augmentation du contraste de lamplitude de limpdance entre
Z f
r
( ) = Z
min
et Z f
a
( ) = Z
max
.
4.2.4 Modle non-linaire
Pour expliquer le comportement non-linaire du BAW forte puissance, nous allons
tendre le modle linaire du BAW bas sur des circuits quivalents traduisant la fois le
comportement de la couche pizolectrique et des autres couches passives (Chapitre2). Ce
modle prend en compte les proprits dilectriques, mcaniques et lectro-acoustiques (dans
le cas de couche pizolectrique) par un circuit quivalent sous forme de composants discrets
en T. Il permet de dcrire le comportement du rsonateur BAW sur une large bande (figure 4-
4) de frquence (au moins une dcade). Le modle des BAW petit signaux est dans un
premier temps cal pour ajuster les diffrentes incertitudes technologiques : les paisseurs des
diffrentes couches et la surface totale du BAW.
Faible puissance
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1 2 3 4 5 6 7 8 9
Frquence (GHz)
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(
)
Mesure
Simulation

Figure 4-4. Simulation du modle BAW compare la mesure en large bande
Lors de laugmentation de la puissance, le changement de ces paramtres gomtriques
est certainement faible et masqu par les variations beaucoup plus importantes des paramtres
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du matriau pizolectrique. En consquence nous considrerons que les seuls paramtres qui
varient sont les diffrentes proprits lastiques, dilectriques ou lectro-acoustiques des
couches pizolectriques et des couches passives. Cette approche est renforce par le fait que
daprs la figure 4.3 les frquences de rsonance et dantirsonance augmentent avec la
puissance dexcitation.
La modification de deux frquences f
r
et f
a
en fonction de la puissance RF applique
permet de cerner les coefficients physiques impacts par la puissance. De plus, les paramtres
qui sont les plus influents sur la rponse RF du rsonateur appartiennent la couche
pizolectrique (AlN). Cette couche est la principale responsable de la rsonance observe sur
ce dispositif. Daprs la littrature sur le comportement non-linaire des PZT et pizo-
cramique, nous constatons que les trois paramtres essentiellement affects par la puissance
sont la raideur lastique c, le coefficient pizolectrique e et la permittivit .
Par exemple, la frquence danti-rsonance peut tre dcrite par lexpression suivante :
f
a
=
c
33
.2.d
, (4-2)
avec c
33
, et d qui reprsentent respectivement : la constante dlasticit suivant la
profondeur, la densit du matriau (AlN) et lpaisseur de la couche pizolectrique.
Lobservation de laugmentation relative de f
a
de 3 % lorsque la puissance varie de 20
dBm 32 dBm implique que c
33
devrait augmenter de 6 %. Les deux autres paramtres restant
constants.
De mme, le coefficient de couplage est reli aux paramtres du matriau
pizolectrique par lexpression ci-dessous.
k
t
2
=
e
33
2
33
c
33
, (4-3)
avec e
33
et
33
respectivement la constante pizolectrique et la permittivit dilectrique
suivant la profondeur (troisime dimension) de la couche AlN.
En se rfrant lquation (4-3), on voit que le paramtre c
33
est inversement
proportionnel au facteur de couplage et donc une augmentation de ce paramtre va induire
une diminution de k
t
2
, alors quon observe que la puissance leve favorise le couplage. Par
consquent, la variation de k
t
2
depuis 4,3% ( 20 dBm) jusqu 7,1% (32 dBm) implique
quau moins un autre paramtre varie avec la puissance e
33
et/ou
33
.
Les effets non-linaires sont limits dans la bande de rsonance entre f
r
et f
a
. Pour des
valeurs hors bande, nous remarquons que les valeurs des impdances pour diffrentes
puissances appliques convergent vers une mme ligne de niveau (figure 4-3). Cette ligne est
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essentiellement dpendante de la permittivit de lAlN car le rsonateur se comporte hors
bande comme une capacit statique. Comme les valeurs dimpdance sont intactes hors,
bande, nous en dduisons que la permittivit
33
ne prsente pas un comportement non-
linaire sous forte puissance. Par consquent, le deuxime paramtre agissant en rgime non-
linaire serait le coefficient pizolectrique e
33
.
La variation de k
t
2
de 39,4% la saturation (P
in
=32 dBm) va induire une variation de
e
33
comme le montre le raisonnement suivant :

33
33
33
33
33
33
2
2
2
c
c
e
e
k
k
t
t

+ ++ +

= == =

, (4-4)
La variation de
33
tant nulle et celle de c
33
de 6%, nous en dduisons que e
33
varie de 16,7%.
Pour identifier les variations des ces diffrents paramtres et les quantifier, nous avons
ralis des rtro-simulations et ajust les valeurs de ces trois paramtres pour venir dcrire les
comportements observs lors des mesures des BAW sous forte puissance RF.
La figure 4-5 montre la rponse de limpdance dentre du modle simul, en pointill,
compare la mesure en trait continu pour une puissance injecte de 28 dBm. Les deux
frquences de rsonance et danti-rsonance sont dcales de 26 et 29 MHz respectivement de
celles correspondantes en rgime linaire. Les simulations sont faites sous le logiciel ADS
dAgilent [ADS-2011].
Pin= 28 dBm
10
100
1000
1,6 1,8 2 2,2 2,4
Frquence (GHz)
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)
Mesure
Simulation

Figure 4-5. Le rsonateur simul forte puissance en pointill compar aux mesures
La figure ci-dessus montre que le modle dj dvelopp pour un rgime linaire
permet de dcrire le comportement du rsonateur sous forte puissance en jouant sur des
proprits spcifiques traduisant la non--linarit du rsonateur acoustique pour une puissance
donne.
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Les deux paramtres ajusts lors de ces retro-simulations sont la partie relle du
coefficient lastique c
33
et le coefficient pizolectrique e
33
.
Ils ont un rle majeur dans le dcalage de la frquence du rsonateur BAW comme le
montrent les quations (4-2) et (4-3).
Pour estimer lamplitude de variation de ces deux paramtres c
33
et e
33
pour chaque
puissance, nous avons dtermin les valeurs que devaient avoir ces deux paramtres en
utilisant une procdure doptimisation sous ADS [ADS-2011] pour trouver la solution la plus
proche des rsultats de mesure. Le couple des solutions (partie relle de (c
33
) et e
33
) est unique
pour chaque puissance donne.
Les courbes prsentes figure 4-6 reprsentent les variations en fonction de la puissance
des deux proprits mcaniques et pizolectriques de la couche dAlN en fonction du champ
lectrique RF en V/m. Le champ lectrique est directement li la puissance incidente
comme le dcrit lquation suivante :
Z th E P = == = 2 ) (
2
max
, (4-5)
avec E
max
: lamplitude maximale du champ lectrique, th : lpaisseur de la couche dAlN et
Z limpdance lentre du rsonateur. Nous choisissons le champ lectrique car il permet de
voir avec plus de lisibilit les variations des paramtres comme il est exprim en fonction de
la racine carr de la puissance.
Nous considrons que le champ lectrique est uniformment rparti dans la couche
dAlN et que limpdance vaut 50 car le rsonateur est adapt (|S
11
|< -15 dB) pour les
frquences entre f
r
et f
a
.
400
410
420
430
440
450
2 4 6 8 10
Champ lectrique RF (V/m)
P
a
r
t
i
e

r
e
l
l
e

d
e

r
a
i
d
e
u
r

l
a
s
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i
q
u
e

c
3
3

(
G
p
a
)
1,2
1,3
1,4
1,5
1,6
C
o
e
f
f
i
c
i
e
n
t

p
i
z
o
e
l
e
c
t
r
i
q
u
e

e
3
3

(
N
/
V
.
m
)
c33
e33
Zone I
Zone III
Zone II

Figure 4-6. Variation des coefficients lastique et pizolectrique en fonction du champ lectrique en
V/m
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La figure 4-6 prsente les variations non-linaires des deux paramtres ( ( (( ( ) )) )
33
c , e
33
) en
fonction du champ lectrique RF variant entre 2 et 10 V/m. Nous pouvons diviser les deux
courbes de variations en trois zones comme suit :
1. Zone I : les deux paramtres sont invariables en fonction du champ appliqu. Cette
rgion stend jusqu 3,4 V/m et est considre comme zone de travail linaire du
BAW.
2. Zone II : Le couple de solution ( ( (( ( ) )) )
33
c , e
33
) varie linairement avec lamplitude du
champ lectrique. Cette partie va jusqu 6,6 V/m.
3. Zone III : Les variations diminuent peu peu pour arriver la saturation pour une
valeur seuil de E
th
gale 8,4 V/m. A partir de cette valeur, les deux paramtres de
( (( ( ) )) )
33
c et e
33
atteignent le maximum de variations et deviennent indpendants du
champ lectrique.
Pour la valeur seuil du champ lectrique E
th
, ( (( ( ) )) )
33
c prsente une variation relative
maximale de 6,6% (entre 405 GPa en rgime linaire et 434 GPa en saturation), alors que
33

arrive un seuil de 1,56 N.V
-1
.m
-1
correspondant une variation plus leve de 18%. Nous
observons que ces variations relatives trouves en simulations sont proches des variations
estimes partir des quations 4-2 et 4-4.
A partir de ces variations relatives, nous pouvons trouver les lois de non-linarits des
diffrentes couches pizolectriques du filtre acoustique CRF. Par contre, nous ne pouvons
pas appliquer les mmes valeurs des paramtres pour les CRF car les deux dispositifs (BAW
et CRF) ont t raliss squentiellement et le procd technologique a lgrement volu.
Les BAW ont t raliss antrieurement aux CRF. Cette diffrence de technologie de
fabrication induit une variation des proprits de toutes les couches et surtout de la couche
pizolectrique d'AlN.
Malgr que le rsonateur BAW possde un volume de couche dAlN plus grand que
celui du CRF, nous allons observer que ce dernier supporte plus de puissance que les BAW et
travaille en rgime linaire jusqu des puissances allant jusqu' 33 dBm ; la puissance de
saturation du BAW. Nous remarquons donc une technologie plus mature des CRF fabriqus
deux ans aprs les BAW, qui permet aux filtres acoustiques dtre plus robustes vis--vis des
puissances leves.
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4.3 Caractrisation en puissance des filtres acoustiques CRF
4.3.1 Objectifs
Lobjectif de ces mesures de puissance est de pouvoir valuer lvolution des non-
linarits prsentes dans un filtre acoustique CRF.
Deux types de mesures de puissance sont menes sur les filtres : le point de
compression 1dB et le produit dintermodulation IMD3 dordre 3. Ces paramtres peuvent
tre mesurs car nous disposons dun quadriple et donc nous pouvons rcuprer les 4
paramtres S.
4.3.2 Le point de compression
Le gain de compression se produit quand le gain linaire diminue de 1 dB d la
saturation du dispositif. Ce paramtre est considr comme un test de la linarit du dispositif
sur le mode fondamental.
4.3.2.1 Dispositif exprimental
Attnuateurs
Port B
Port A
Ref. port
-40dBm
Attnuateurs
-30dBm
Amplificateur
Empower 1-3 GHz
Circulateur
Coupleur directionnel
3020 Narda
CRF+probe ACP
VNA 8720 ES
50
50

Figure 4-7 Banc de mesure de la puissance de sortie en fonction de la puissance injecte.
Le dispositif est identique celui utilis pour caractriser les BAW, c'est dire qu'il
comporte les mmes appareils et composants. La technique de calibration est identique. Seule
la connexion des ports du coupleur change par rapport au VNA.
Lentre R est vue comme une image de la puissance lentre du filtre. Le signal la
sortie est rcupr sur la voie B et le paramtre de transmission se traduit par le rapport B/R.
Bilan de puissance :
Afin de faire le bilan de puissance, le filtre est remplac par un thru. La puissance
injecte est de -20 dBm laide du port A. Le VNA affiche une valeur de -20 dBm sur le port
B : P
mesure_portB
=-20 (P
in
)+ 40 (amplificateur) -0 (thru) -40 (attnuateur)=-20dBm, en accord avec les
mesures.
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Deux filtres sont tester dans les mesures des CRF sous forte puissance : CRF n1 et 2.
Le tableau 4-1 prsente les caractristiques des deux filtres CRF.
Pertes dinsertion (IL) Frquence centrale (f
0
) Bande passante (BP)
CRF n1 -3,3 dB 2,14 GHz 55 MHz
CRF n2 -3 dB 2,14 GHz 60 MHz
Tableau 4-1. Diffrentes caractristiques des deux chantillons CRF

Ces diffrentes caractristiques vont donner diffrentes valeurs du point de compression
(P
1dB
) et du point dinterception de troisime ordre (IP
3
) pour chacun des deux filtres. Les
rsultats de mesure (P
1dB
, IP
3
) du premier CRF seront compars aux simulations de type
Harmonic Balance afin de trouver un modle non-linaire exploitant les variations des
paramtres et dcrivant les effets non-linaires. Le CRF n2 possdant des rponses
diffrentes (P
1dB
, IP
3
) sera utilis pour tester la validit du modle non-linaire.
4.3.3 Mesure du point de compression
La mesure des points de compression des filtres 1 et 2 se calcule partir de la courbe ci-
dessous en traant la transmission IL

= fct(P
in
) 2,14GHz correspondant la frquence de
rsonance du filtre CRF.
Les courbes du gain de compression sont prsentes sur la figure 4-8. Les points de
compression 1 dB des CRF n1 et 2 se produisent 39 dBm et 39,6 dBm respectivement.
-4,5
-4
-3,5
-3
-2,5
20 25 30 35 40
Puissance incidente (dBm)
I
L

(
d
B
)

2
.
1
4

G
H
z
CRF n1
CRF n2
P1dB

Figure 4-8 Les pertes dinsertions des deux filtres en fonction de P
in

La non-linarit du filtre commence apparatre partir de 32 dBm, et les pertes
dinsertion atteignent une valeur de -5 dB (n1) et -4,4 dB (n2) pour P
in_max
=40 dBm. Cette
non-linarit apparat la frquence fondamentale de 2,14 GHz comme des pertes dinsertion
qui constituent de lnergie qui part du fondamental (2,14 GHz) vers les harmoniques dordre
suprieur. Cela sera vrifi par lanalyse des produits dintermodulation.
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Le gain de compression et les paramtres S renseignent sur les effets non-linaires
apparents sur la frquence fondamentale. Dans le cas des rsonateurs BAW, les seules
mesures que nous pouvions effectuer taient de type paramtres S en rflexion. Donc, les
effets non-linaires de ces rsonateurs sont juste observs sur le fondamental avec le VNA.
Par contre avec les CRF, nous utiliserons un banc de mesure permettant laccs aux
harmoniques dordres suprieures du spectre transmis.
Parmi les mesures intressantes dans le cas des CRF, nous avons lintermodulation
(IMD) qui mesure la distorsion produite par deux frquences adjacentes dans la bande
passante du filtre. A partir de ces mesures, nous caractrisons le point dinterception du
troisime ordre (IP
3
) qui doit se trouver 10 dB du point de compression suivant la rgle dor,
soit 49 dBm.
La rgle dor sapplique pour tous les dispositifs micro-ondes prsentant une faible non-
linarit. Dans le cas des CRF, si nous constatons une distance de 10 dB entre P
1dB
et IP
3
,
nous pouvons limiter les mesures sous forte puissance au point de compression et en dduire
lIP
3
. Pour une distance diffrente de 10 dB, les CRF introduisent donc de fortes non-
linarits [Cho-2005] et les mesures dintermodulations seront ncessaires pour complter la
caractrisation non-linaire des filtres.
4.3.4 Le produit dintermodulation dordre 3
Lintermodulation est vue comme un mlange indsirable de deux frquences voisines
crant des frquences parasites IM
n
(n est le produit dintermodulation). Dans notre cas, nous
nous limitons au produit dintermodulation de troisime ordre IM
3
.
4.3.4.1 Dispositif exprimental

Figure 4-9 Banc de mesure dIP3
Les instruments utiliss pour ce banc de mesure :
t
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2 gnrateurs (Anritsu MG3692B et Agilent 83711B de 1-20 GHz) pour gnrer des
signaux de frquences voisines
2 isolateurs Aerotek (IL=-0.5dB)
1 combineur ZFSC (2-10 GHz) avec IL = -6dB pour additionner les deux signaux RF
Analyseur de spectre (MS 2668C 9 kHz-40 GHz) pour visualiser les spectres la
sortie du filtre
Nous trouvons aussi lamplificateur Empower, le circulateur et les attnuateurs
protgeant lanalyseur de spectre des hautes puissances.
Pour mesurer le point dintermodulation dordre 3, nous utilisons deux gnrateurs de
signaux RF dont les frquences voisines sont espaces de 5 MHz correspondante la largeur
du canal de la norme UMTS.
Lattnuateur de 10 dB ajout la sortie du gnrateur Agilent 83711B permet de
trouver des puissances faibles de lordre de -15 dBm car la puissance minimale dlivre la
sortie du gnrateur Agilent est limite -7 dBm. Lisolateur favorise aussi lisolation et
diminue linteraction entre les deux sources RF.
Les deux signaux combins sont ainsi amplifis avec Empower et envoy au CRF.
Lanalyseur MS 2688C rcupre le spectre la sortie du filtre.
4.3.4.2 Bilan de puissance
Avec une puissance lentre de -15 dBm, la puissance mesure l'aide de lanalyseur
de spectre doit tre de 0dBm, pour un " travers" ou "thru" (IL=0dB) dispos la place du
filtre.
P
mesure
=-15 (P
in
)-0.5 (isolateur)-6 (combineur) +42 (amplificateur) -0 (thru) -20 (attnuateur)=0 dBm.
Cette puissance estime correspond bien la puissance mesure avec lanalyseur de spectre.
Ce test sert vrifier le fonctionnement des sondes RF ainsi que celui de la chane de mesure.
Nous vrifions aussi pour un "thru" la densit de bruit de lappareil qui est de -106
dBm/Hz. Le niveau de bruit visualis sur lanalyseur de spectre vaut -66 dBm pour une
fentre VBW (Video BandWidth) de 10 kHz. Le niveau de bruit est calcul comme suit :
densit spectrale de bruit de lappareil = -66 10log
10
(VBW)=-66-40=-106dBm/Hz.
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4.3.5 Mesure du spectre la sortie du filtre et dtermination delIP3
4.3.5.1 IP
3
dun thru
Le produit dintermodulation IM
3
en fonction de la puissance incidente (P
in
) en chelle
logarithmique donne la rponse 3:1 qui croise la rponse du fondamental 1:1 au point
dinterception de troisime ordre IP
3
.
La puissance incidente varie entre 20 et 40 dBm, avec un espacement des frquences
voisines de 5 MHz (G1 2,14 GHz et G2 2,135 GHz) dans la bande passante du filtre CRF.
Thru
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
20 30 40 50
Pin (dBm)
P
o
u
t

(
d
B
m
)
Fond. 1:1
IM3 3:1
IP
3

Figure 4-10 IP
3
dun thru
Nous trouvons un point dinterception du "thru" (figure 4-10) IIP
3
(Input
Intermodulation Product) = 52 dBm et OIP
3
(output Intermodulation Product) = 50,6 dBm.
4.3.5.2 IP
3
du filtre CRF
La figure 4-11 prsente les points dinterception des filtres 1 et 2. Le couple (IIP
3
, OIP
3
)
du CRF n1 est (45,6 dBm, 41,5 dBm) et du CRF n2 (44 dBm, 42,5 dBm).
-60
-40
-20
0
20
40
60
20 30 40 50
Pin (dBm)
P
o
u
t

(
d
B
m
)
Fond. 1:1
IM3 3:1
IP3
CRF n1
-60
-40
-20
0
20
40
60
20 30 40 50
Pin (dBm)
P
o
u
t

(
d
B
m
)
Fond. 1:1
IM3 3:1
IP3
CRF n2

Figure 4-11. IP
3
Des filtres

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IP
3
se situe approximativement 5 dB au-dessus du point de compression, et donc il ne
suit pas la rgle dor |P
1dB
-IIP
3
| ~ 10 dB pour les faibles non-linarits. Nous en dduisons
que le CRF introduit des fortes non-linarits qui changent la distance entre P
1dB
et IP
3
, et
donc le point de compression ne suffit pas caractriser les effets non-linaires dans la
couche dAlN.
Spectre pour |f
1
-f
2
|=5 MHz
-55
-35
-15
5
25
2,125 2,13 2,135 2,14 2,145 2,15
Frquence (GHz)
A
m
p
l
i
t
u
d
e

(
d
B
m
)
Spectre pour |f
1
-f
2
|= 0,5 MHz
-55
-35
-15
5
25
2,1357 2,1378 2,1399 2,142 2,1441
Frquence (GHz)
A
m
p
l
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d
e

(
d
B
m
)

Figure 4-12. Spectre du filtre CRF n1 pour un espacement de 5 et 0,5 MHz
La figure 4-12 donne les spectres du filtre CRF n1 pour deux espacements des
frquences voisines. A gauche, nous trouvons les deux raies du fondamental pour f
1
=2,14
GHz et f
2
= 2,135 GHz soit une diffrence de 5 MHz, les deux raies du produit
dintermodulation IM
3
sont 2,13 GHz et 2,145 GHz avec des amplitudes diffrentes dues
lattnuation inhomogne dans la bande passante du filtre. A droite, nous diminuons
lespacement 500 kHz, et alors nous observons lapparition des raies correspondant
lintermodulation IM
5
dordre 5 qui appartiennent la bande passante du filtre.
Ces effets non-linaires sont utiliss dans la partie suivante pour dvelopper un modle
non-linaire des CRF prenant en compte les variations des proprits de la couche dAlN sous
forte puissance. Ce modle compatible avec un simulateur commercial (ADS) peut servir aux
concepteurs de circuits pour dfinir les effets non-linaires des CRF sans avoir besoin de faire
des mesures.
4.3.6 Modle non-linaire des filtres acoustiques
Dans ce paragraphe, nous introduisons un modle non-linaire des CRF en utilisant le
modle linaire dtaill dans le chapitre 2. Pour pouvoir comparer les rsultats de mesures
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P
1dB
et IP
3
ceux du modle, nous utilisons les simulations Harmonic Balance sous ADS
expliques en Annexe IV.
4.3.6.1 Simulations HB pour les CRF
Les filtres rsonateurs coupls CRF possdent trois rsonateurs coupls en mode
dpaisseur comme le montre la figure ci-dessous. La surface dun rsonateur vaut
145x145 m. La puissance injecte est applique principalement sur le premier rsonateur
BAW dentre. La puissance confine dans les couches de couplage perd une partie de la
puissance en arrivant au rsonateur n2. Ce rsonateur prsente une surface double soit
300x145 m par rapport celles des rsonateurs suprieurs (1 et 3) et donc la puissance
confine ne suffit pas pour le pousser la non-linarit. Londe traversant de nouveau les
couches de couplage arrive au troisime rsonateur avec une puissance P
in
-2.

Figure 4-13 . La puissance telle quelle est rpartie sur les trois rsonateurs du CRF
En mesurant la rponse en transmission S
21
du CRF sous forte puissance, nous
constatons un dcalage de la pente de rjection de droite par rapport la rponse du CRF en
petits signaux alors que celle de gauche est intacte. La partie responsable du dcalage de la
pente droite est essentiellement les rsonateurs suprieurs [Lobel-2001] alors que le
rsonateur n2 agit sur la pente gauche. Ce qui justifie que seuls les rsonateurs suprieurs
travaillent en rgime non-linaire.
Dans les simulations HB sous ADS, nous prenons en compte cette rpartition
inhomogne de la puissance sur les trois rsonateurs. Les deux paramtres qui entrent en jeu
sont la partie relle du coefficient lastique c
33
et le coefficient pizolectrique e
33
.
Les simulations HB de lensemble des rsonateurs prsent sur la figure 4-13, utilisent
lalgorithme doptimisation du couple ( ( (( ( ) )) )
33
c , e
33
) en prcisant des objectifs sur la valeur de
P
out
pour le mode fondamental et pour le produit dintermodulation IM
3
. La source de
puissance injecte une puissance P
in
sur deux frquences voisines f
1
de 2,14 GHz et f
2
de
2,135 GHz. Le point de compression est vu comme les pertes gnres sur le fondamental f
1

et lIM
3
correspond 2 f
2
- f
1
soit 2,145 GHz. Lalgorithme doptimisation ne converge pas
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contrairement au cas des BAW et donc la solution du couple ( ( (( ( ) )) )
33
c , e
33
) n'existe pas
physiquement.
Par consquent, ce couple de paramtres dcrivant les effets non-linaires au mode
fondamental ne suffit pas pour trouver lIM
3
. Les simulations en paramtres S, dj ralises
dans le cas des BAW ne dcrivent pas en totalit le comportement non-linaire des dispositifs
acoustiques. Il y a un autre paramtre non-linaire qui contribue au produit dintermodulation
et qui na pas dimpact sur la rponse du fondamental. D'aprs la littrature, ce paramtre est
la constante dilectrique
33
de l'AlN.
Sur la figure 4-14, nous prsentons droite le modle de la couche pizolectrique telle
quelle est simule sous ADS, la capacit C
0NL
prsente la partie dilectrique, considre
comme non-linaire car elle est une fonction de la permittivit non-linaire
33
de lAlN.

Figure 4-14 . Organigramme de la mthode de simulation (gauche) et le modle non-linaire de la
couche AlN (droite)
Lorganigramme suivant donne la dmarche suivie durant les simulations HB pour
trouver une solution du triplet ( ( (( ( ) )) )
33
c , e
33
, ( (( ( ) )) )
33
). La simulation peut tre faite en plusieurs
itrations avant de converger vers une solution unique pour chaque valeur de puissance
incidente. Le point de compression est dduire partir du module du fondamental comme
dans lquation:
fond in
P P IL = == = , o IL sont les pertes dinsertion du CRF la frquence de
rsonance de 2,14 GHz.
La capacit non-linaire propose par ADS est un composant utilis dans le cas des
simulations Harmonic Balance et il permet laccs direct la valeur de la permittivit. Elle est
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1
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exprime en fonction de la tension ses bornes :

= == =
+ ++ + = == =
1
0 0
p
p
p NL
V c c C . Dans notre cas,
une non-linarit dordre 1 suffira: V c c C
NL 1 0 0
+ ++ + = == = o c
0
prsente la partie linaire
correspondante la valeur initiale de la permittivit en rgime petits signaux. La partie c
1
V
dcrit la partie non-linaire.
La puissance ractive aux bornes de la capacit sexprime comme suit
: ( (( ( ) )) )
3
1
2
0
2
V c V c V C P
onl CNL
+ ++ + = == = = == = , et donc nous remarquons une apparition des
harmoniques dordre 2 et 3.
En suivant la mthode de simulation propose dans lorganigramme et en balayant la
puissance incidente, lalgorithme converge vers les rsultats de mesure (P
1dB
, IP
3
) en
associant chaque puissance incidente des valeurs du triplet.
4.3.6.2 Comparaison des rsultats de retro-simulations et des mesures
Les simulations sont ajustes en faible puissance pour correspondre la rponse
mesure du filtre acoustique CRF n1. Ce filtre est utilis comme prototype pour exploiter les
lois de non-linarits alors quun autre filtre CRF n2 possdant une rponse dans la bande
passante (tableau 4-1) lgrement diffrente sera utilis pour vrifier le modle labor dans
les premires simulations HB.
-5
-4,5
-4
-3,5
-3
20 25 30 35 40
Pin (dBm)
I
L

2
,
1
4

G
H
z
Mesure
Simulation HB
-80
-60
-40
-20
0
20
40
10 20 30 40
Pin (dBm)
P
o
u
t

(
d
B
m
)

Fond. mesur
IM3 mesur
Fond. simul
IM3 simul

Figure 4-15 .Comparaison du gain de compression et produit dintermodulation mesures et simules
du filtre CRF n1
Le gain est calcul partir du module du fondamental pour diffrentes valeurs de la
puissance d'entre. Les puissances balayes vont de 30 dBm, moment dapparition de la non-
linarit, 40 dBm avec un pas de 2 dBm. La figure 4-15 gauche prsente les rsultats de
simulation HB et de mesure.
t
e
l
-
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2
7
,

v
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s
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n

1

-

9

N
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v

2
0
1
1
Comme pour le cas du gain de compression, les simulations fournissent aussi le
module du produit dintermodulation IM
3
. Nous partons des puissances faibles de lordre de
10 dBm jusqu 40 dBm. Nous trouvons les mmes valeurs en retro-simulations et en mesure.
4.3.6.3 Loi de variation non-linaire des paramtres du triplet
La simulation en faible puissance permet de figer certaines valeurs des paramtres tels
que les paisseurs des couches et les proprits acoustiques des matriaux passifs. Les
simulations HB sous forte puissance requirent une variation les lments du triplet ( ( (( ( ) )) )
33
c ,
e
33
, ( (( ( ) )) )
33
) pour sapprocher des mesures tout en conservant les autres paramtres du modle
constants.
Pour des puissances allant jusqu 30 dBm, le filtre travaille en rgime linaire et le
triplet ne change pas de valeur. Pour des puissances plus leves, nous constatons une
augmentation des coefficients lastique, pizolectrique et de la permittivit avec la puissance
incidente. Nous dterminons la loi de variation de chaque coefficient en cherchant pour
chaque puissance le jeu de paramtres permettant une convergence des simulations et des
mesures.
Nous commenons par la partie acoustique de lAlN vue dans le coefficient ( (( ( ) )) )
33
c . La
figure 4-16 prsente la variation non-linaire de ( (( ( ) )) )
33
c en fonction de lamplitude du champ
lectrique RF en V/m. La partie imaginaire de c
33
tant limage des pertes lastiques dans la
couche dAlN, ne prsente pas de variations notables sous forte puissance.
415
420
425
430
435
440
445
0 10 20 30
P
a
r
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e
l
l
e

d
e

c
3
3

(
G
P
a
)

Figure 4-16 . Loi de variation non-linaire de
( (( ( ) )) )
33
c
en fonction du champ lectrique RF (V/m)
( (( ( ) )) )
33
c reste constant (rgime linaire) jusqu E
cnl
=12,5 V/m (P
in
=33,5 dBm).
partir de cette valeur le paramtre varie linairement en fonction du champ lectrique et arrive
t
e
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0
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,

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1
1
une variation de 4,9% pour un champ lectrique arrivant 26 V/m (P
in
=40 dBm). Nous
dcrivons la variation linaire en une quation comme suit :
( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
l cnl
c E E c
33 33
52 . 1 + ++ + = == = , (4-6)
Avec ( (( ( ) )) )
l
c
33
la valeur initiale de ( (( ( ) )) )
33
c dans la zone linaire, E est lamplitude du champ
lectrique.
La saturation nest pas atteinte dans le cas des mesures CRF contrairement aux BAW.
Lamplificateur de puissance fournit une puissance maximale de 40 dBm suffisante pour voir
la saturation dun seul rsonateur BAW 32 dBm mais pas les filtres CRF qui saturent au-
del de 40 dBm.
Nous trouvons une variation similaire pour le coefficient pizolectrique en passant
dans la zone non-linaire. Diffremment de ( (( ( ) )) )
33
c , e
33
passe la zone non-linaire plus tard
E
enl
=15,5 V/m (35,5 dBm). La variation de
33
arrive 17,4% pour une puissance incidente
maximale de 40 dBm (E=26 V/m). La variation peut tre dcrite par une droite en fonction
du champ lectrique comme suit :
1,35
1,45
1,55
1,65
0 10 20 30
C
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e
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q
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e

(
N
/
V
.
m
)

Figure 4-17 . Loi de variation non-linaire de
33
( (( ( ) )) )
l enl
e E E e
33 33
023 . 0 + ++ + = == = , (4-7)
Avec
l
e
33
la valeur initiale de
33
dans la zone linaire.
Nous remarquons que les variations relatives de ( (( ( ) )) )
33
c et e
33
de 4,9% et 17,4% sont
proches de celles du BAW qui arrivent la saturation de lAlN des valeurs de 7% et 18%.
Le troisime paramtre variant sous forte puissance est la permittivit relle ( (( ( ) )) )
33
de
la couche dAlN.
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72
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74
75
76
77
0 10 20 30
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l
l
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(
F
/
p
m
)

Figure 4-18 . Loi de variation non-linaire de ( (( ( ) )) )
33
Ce paramtre a seul un impact sur les produits dintermodulation et les harmoniques
dordres suprieurs et donc il est exprim en fonction du carr du champ (figure 4-18). La
variation est vue dans lquation suivante :
( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
l
E
33
2
33
08 . 0 + ++ + = == = , (4-8)
avec ( (( ( ) )) )
l 33
la valeur initiale de ( (( ( ) )) )
33
dans la zone linaire.
La variation relative est de 5,2% pour un champ lectrique qui varie entre 0,8 V/m
(P
in
=20 dBm) et 26 V/m (P
in
=40 dBm) sans atteindre la saturation du CRF.
La permittivit prsente des variations ngligeables pour de faibles champs lectriques.
Les fortes puissances induisent une augmentation de la permittivit en fonction du carr du
champ lectrique mettant en vidence leffet dlectrostriction. Cet effet non-linaire est
responsable du transfert dnergie du fondamental aux harmoniques dordres suprieurs.
En somme, cette partie prsente la variation dun nouveau paramtre (permittivit) qui
apparat dans leffet dlectrostriction [Haun-1989] et qui agit principalement sur les
frquences harmoniques. Alors, la mesure du produit dintermodulation ou dharmoniques
dordre suprieur est ncessaire pour envisager tous les effets non-linaires de la couche
dAlN.
Pour valider les lois de variation de ces trois paramtres, les rsultats du filtre CRF n2
vont servir pour les comparer au modle non-linaire dans la partie suivante.
4.3.6.4 Vrification du modle non-linaire avec le CRF n2
Cette vrification du comportement de l'AlN permet de s'assurer de la validit du
modle non-linaire et des variations des paramtres de l'AlN, car la couche pizolectrique
est ralise dans la mme technologie de fabrication. Les deux CRF prsentant une lgre
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diffrence dans leurs caractristiques (tableau 4-1) donnent des effets non-linaires diffrents
(figure 4-18 et figure 4-11) pour P
1dB
et IP
3
.
Les pertes dinsertion augmentent principalement avec les pertes mcaniques de la
couche de Molybdne qui sont plus importantes dans le cas du CRF n1. En augmentant la
puissance applique, on favorise les pertes dinsertions en poussant lnergie du fondamental
partir vers les harmoniques. Le CRF n1 possdant les pertes les plus grandes va atteindre le
point de compression plus rapidement ; 39 dBm au lieu de 39,6 dBm pour le CRF n2.
Le champ lectrique appliqu la couche dAlN est inversement proportionnel aux
pertes dinsertion. Le champ entrant est plus important pour le CRF n2, et arrive le premier
sa valeur seuil E
th
o le point dinterception du 3
me
ordre (IP
3
) apparat. Le CRF n2
prsentant les plus faibles pertes dinsertion arrive plus tt au seuil et sa valeur dIIP
3

(44 dBm) est plus petite que celle du CRF n1(45,6 dBm).
A partir de cette analyse, nous validons lutilisation du second CRF pour valider le
modle non-linaire dvelopp dans le paragraphe prcdent.
-4,5
-4
-3,5
-3
-2,5
20 25 30 35 40
Pin (dBm)
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Simulation HB
-40
-20
0
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40
20 25 30 35 40
Pin (dBm)
P
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)
Fond. Mesur
IM3 mesur
Fond. simul
IM3 simul

Figure 4-19 . Comparaison du gain de compression et produit dintermodulation mesures et simules
du filtre CRF n2

Les quations des paramtres ( ( (( ( ) )) )
33
c , e
33
, ( (( ( ) )) )
33
) sont introduites dans le modle du
CRF n2. Ce modle la base linaire, devient alors un modle non-linaire en insrant les
lois non-linaires des paramtres. Les simulations de type HB sont compares aux mesures
sur la figure 4-19.
Le point de compression du CRF n2 se produit pour diffrentes valeurs de puissance
et de champ lectrique par rapport au CRF n1, et donc les valeurs du triplet associes vont
tre diffrentes ( ( (( ( ) )) ) 439
33
= == = c GPa, e
33
= 1,6 N.V
-1
.m
-1
, ( (( ( ) )) )
33
=76 F/pm). Daprs la figure 4-
19, nous dduisons que le modle non-linaire suit les mesures de P
1dB
et IM
3
et donc les
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variations non-linaires tablies peuvent tre utilises dans toutes les couches dAlN du CRF.
Les trois paramtres sont essentiellement responsables des effets non-linaires dans les filtres
acoustiques base dAlN. Leurs variations relatives sont respecter mais les valeurs initiales
sont diffrentes selon la qualit de lAlN utilis.
4.4 Conclusion
Dans ce chapitre, nous dcrivons le comportement non-linaire des rsonateurs BAW
et filtres CRF sous fortes puissances. Les BAW sont tudis en premier car ils prsentent une
structure plus simple base dune seule couche pizolectrique.
Les premires mesures sur le paramtre de rflexion S
11
faites sur les rsonateurs
acoustiques mettent en vidence une forte augmentation des frquences de rsonance et
dantirsonance pour des valeurs de puissances importantes arrivant jusqu 32 dBm
(puissance de claquage du rsonateur). Pour expliquer cette rponse, nous utilisons les
simulations en mode S-paramtres sous ADS dAgilent. Nous avons remarqu que cette non-
linarit provient de la couche pizolectrique qui permet davoir ce dcalage important des
frquences. Les paramtres responsables de cette non-linarit sont la partie relle du
coefficient lastique ( (( ( ) )) )
33
c et du coefficient pizolectrique e
33
. Une loi de variation est
labore partir de la comparaison entre les simulations et les mesures pour tre utilise dans
le cas des filtres acoustiques. ( ( (( ( ) )) )
33
c , e
33
, ( (( ( ) )) )
33
)
Les mesures en paramtres S refltent les pertes dnergie la frquence du
fondamental sans prendre en considration la variation dnergie au niveau des harmoniques.
Les rsonateurs tant des diples, sont mesurs en rflexion laide du paramtre S
11
la
frquence du fondamental et alors le VNA ne donne pas accs aux intermodulations dordres
suprieures pouvant introduire dautres paramtres non-linaires nagissant que sur les
harmoniques.
En outre, les BAW et les CRF ont t conus diffrentes priodes et donc ils n'ont
pas la mme technologie de fabrication. La technologie des CRF tant plus rcente permet
davoir plus de robustesse vis--vis de la puissance.
En somme, les variations non-linaires des paramtres acoustique et pizolectrique de
la couche dAlN ne peuvent pas tre appliques seules au cas des filtres cause des
diffrentes technologies de fabrication, car les mesures faites sur les rsonateurs ne prennent
en considration que la variation du fondamental. Par contre, ltude sur les rsonateurs donne
une ide des paramtres qui peuvent gnrer la non-linarit dans la couche pizolectrique et
la dynamique de variation de chaque coefficient.
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Les mesures dans le cas des CRF illustrent la variation du fondamental et de
lharmonique dordre 3 (IM
3
) sous forte puissance. Pour mieux comprendre le comportement
non-linaire de chacune des couches rsonantes, on a recours aux simulations Harmonic
Balance (HB) sous ADS qui nous permettent de calculer le fondamental et lintermodulation
dordre suprieur pour chaque puissance. Les simulations HB permettent une optimisation des
coefficients non-linaires de la couche dAlN pour sapprocher des rsultats de mesures. Pour
converger vers les mesures, un autre coefficient non-linaire est entr en jeu ; la permittivit
dilectrique agissant sur les harmoniques dordres suprieures traduisant leffet lectrostrictif
dans la couche pizolectrique.
Un premier filtre est utilis comme prototype pour laborer les lois de variations du
triplet (Rel (c
33
), e
33
, ) et un deuxime filtre ayant une rponse diffrente est utilis pour
vrifier ces lois. Par consquent, les variations non-linaires des coefficients du triplet sous
forte puissance peuvent tre gnralises pour tous types de rsonateurs ou filtres acoustiques
utilisant la mme technologie de fabrication.
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4.5 Rfrences
[Volatier-2006] A Volatier et al., Design, Elaboration and Characterization of Coupled
Resonator Filters for WCDMA Applications, IEEE Ultrasonics Symposium, Vancouver BC,
pp.829-832, Oct.2006.

[Mourot-2009] L. Mourot et al., Nonlinear Behavior of CRF Device at High Power
Level, IEEE Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, San
Diego CA, pp.1-4, Feb.2009.

[Paco-2007] P. Paco et al., Equivalent Circuit Modeling of Coupled Resonator Filters,
IEEE Trans. on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Controls, vol. 55, no.9, pp.2030-
2037, Sept.2007.

[Nosek-1999] J. Nosek, Drive Level Dependence of the Resonant Frequency in BAW
Quartz Resonators and his Modeling, IEEE Trans. on Ultrasonics, Ferroelectrics and
Frequency Controls, vol. 46, no.4, pp.823-829, July 1999.

[Constantinescu-2007] F. Constantinescu et al., Circuit Models for Power BAW
Resonators-Set up and Implementation, Proceedings of Africon 2007, Windhoek, pp.1-6,
Sept.2007.

[Aigner-2005] R. Aigner et al., Behavior of BAW devices at high power levels, 2005 IEEE
MTT-S International Microwave Symposium. Digest, pp.429-432, June 2005.

[Rai-2010] S. Rai et al., A Digitally Compensated 1.5 GHz CMOS/FBAR Frequency
Reference, IEEE Trans. on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Controls, vol. 57,
no.3, pp.552-561, March 2010.

[Aurelle-1996] N. Aurelle et al., Nonlinear behavior of an ultrasonic transducer,
Proceedings of Ultrasonics Int. 1995, vol. 34, pp.187-191, 1996.

[Guyomar-1994] D. Guyomar et al., Non-linearities in Langevin Trasducers,
Proceedings of IEEE Ultrasonics Symposium., Nov.1994.

[Chong-2004] C.P. Chong et al., Nonlinear of piezoceramics and piezocomposites under
various ac fields, Sensors and Actuators A, vol. 116, no.2, pp. 320-328, 2004.

[Joshi-1992] S.P. Joshi, Non-linear constitutive relations for piezoceramic materials,
Smart Material and Structures, vol.1, no.1, pp.80-83, 1992.

[Takahashi-1998] S. Takahashi, Nonlinear Piezoelectric Effect in Ferroelectric
Ceramics, Jpn.J.Appl.Phys, vol.47, no.9B, pp.5292-5296, Sept. 1998.

[Gonnard-2000] P. Gonnard., Investigation on dielectric, mechanical and piezoelectric
non-linearities in piezoceramics through a new equivalent circuits, Proceedings of
International Symposium on Applications if Ferroelectrics ISAF, vol. 2, pp.691-694,
Honolulu, Aug. 2000.

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[Hruska-1996] C.K. Hruska et al, Determination of the third-order piezoelectric
constants and electrostriction of alpha quartz using the thickness modes of plates,
Proceedings of 43
r
Annual Symposium on Frequency Control, pp.485-489, Denver CO,
Aug.1996.

[ADS-2011] Advanced Design System (ADS), Version 2011, Agilent Technologies, Santa
Clara, Calif., USA, March 2011.

[Cho-2005] C. Cho et al, IIP3 Estimation from the Gain Compression Curve, IEEE
Trans. on MTT-S, vol.53, no.4, pp.1197-1202, April 2005.

[Lobel-2001] H.P. Lobel et al, Materials for bulk acoustic wave (BAW) resonators and
filters, Journal of the European Ceramic Society, vol.21, no.15, pp.2633-2640, Oct. 2001.

[Haun-1989] M.J. Haun et al, Modeling of the Electrostrictive, Dielectric, and Piezolectric
Properties of Ceramuc PbTiO
3
, IEEE Trans. on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency
Controls, vol. 37, no.4, pp.393-401, July 1989.
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Chapitre 5 : Nouvelle mthode de tests de dispositifs hyperfrquences
Chapitre5 Nouvelle mthode de tests de dispositifs
hyperfrquences
5.1 Introduction
Classiquement les mthodes de tests linaires utilises dans lindustrie pour qualifier
des dispositifs hyperfrquences dcoulent de deux familles de mthodes de caractrisation.
La premire est base sur lutilisation dun signal sinusodal de frquence variable. Ce
signal de spectre trs troit permet une caractrisation qui peut tre trs prcise mais une
frquence donne. Un test sur une large bande de frquence ncessite alors de multiplier le
nombre de frquences de mesure et augmente de manire significative le temps de mesure
donc son cot. Nous avons montr la fin du chapitre 3, quil est possible dautomatiser et de
rduire le nombre de frquences de test. Toutefois cette optimisation ncessite la recherche
dun compromis entre le nombre minimum de points de mesure et la dtection de tous les
dfauts dans la rponse du dispositif sous test (DST). Cette recherche doptimum peut tre
longue. De plus, ces mthodes de mesure ncessitent un analyseur vectoriel (VNA) qui est un
appareil certes prcis (prcision au dixime de dB) mais qui requiert une phase de calibrage.
En conclusion, lorsque cette mthode est utilise pour le test hyperfrquence, elle conduit
souvent des temps de test longs avec des appareils souvent surdimensionns pour cet usage
et onreux.
La seconde famille de mthodes de caractrisation est, quant elle, base sur les
mthodes de rflectomtrie temporelle (TDR/T). Une impulsion lectrique (ou un chelon),
donc un signal large bande, excite le dispositif. La rponse spectrale de ce dernier va rflchir
partiellement en fonction des frquences, un signal hyperfrquence qui sera chantillonne et
analyse par transforme de Fourier. Cette technique peut aussi tre utilise en transmission.
En analysant lamplitude, la dure et la forme de londe rflchie, nous pouvons dterminer la
nature de la variation dimpdance dans le milieu. Compare la mesure frquentielle, la
TDR/T peut fournir les mmes informations sur le dispositif [Engl-2004], [Wakayama-2005].
Nous pouvons remonter aux paramtres frquentiels par une simple transforme de Fourier de
la rponse temporelle en rflexion ou en transmission (figure 5-1).
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Figure 5-1. Les techniques TDR/T et VNA
La mesure en rflexion est sensible la variation instantane de limpdance
dinterconnexion alors que la mesure avec le VNA est plus sensible limpdance dentre du
dispositif. Cette mthode prsente latout dun temps de mesure trs court. En revanche, elle
ncessite la gnration dun signal trs bref et dchantillonneurs encore plus rapides. Dans ce
cas encore les quipements mis en uvre sont coteux. De plus, la prcision obtenue avec une
mthode impulsionnelle est nettement moins bonne que dans le cas dune mthode
frquentielle.
Enfin partir des rsultats fournis par ces deux mthodes il est souvent trs difficile de
dduire limpact quauront les performances du circuit sur la chane de transmission
numrique dans laquelle il sera insr. En effet, par exemple le lien entre le taux derreur
binaire et londulation de la transmission dans la bande passante d'un filtre nest pas trivial.
Dans ce chapitre, nous nous proposons de dcrire une nouvelle mthode de test qui se
situe entre lanalyse spectre troit ou mthodes frquentielles et lanalyse large bande des
mthodes de rflectomtrie.
Cette mthode de test est base sur lanalyse de la dformation dune constellation
dune modulation numrique simple, par exemple une modulation QPSK. Le principe repose
sur la comparaison des constellations en entre et en sortie du DST. Connaissant la squence
de rfrence, il est possible de mesurer lerreur quadratique moyenne ( Error Vector
Magnitude ou EVM) de la constellation la sortie du dispositif.
Un autre avantage de cette mthode est la simplicit du banc de test : un gnrateur
hyperfrquence, un modulateur numrique et un oscilloscope numrique (figure 5-2). Elle
saffranchit de ltape prparatoire de la correction des erreurs de la chane de mesure
(calibration).
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Modulateur
QPSK
Band-pass
filter
Dmodulateur
QPSK
I
Q
Ireu
Qreu
Calcul
dEVM
Squence
Binaire
DST

Figure 5-2. Synoptique de la mthode de test industriel
De plus, cette mthode permet de tester la fonctionnalit dun circuit seul mais
galement dextrapoler son influence dans une chane de transmission complte grce l'EVM
qui peut tre reli au rapport signal sur bruit (RSB) et au taux derreur binaire (TEB) pour une
modulation donne.
Ce chapitre se dcompose en trois parties. Dans un premier temps, nous justifierons le
choix du paramtre danalyse EVM plutt que le RSB ou TEB, puis celui du type de
modulation. Dans la deuxime partie, nous prsenterons les mthodes de mesures et de
simulations envisages. La troisime partie, subdivise en trois, permettra de valider la
mthode dabord sur des filtres simples de Butterworth puis sur des filtres de Tchebychev et
enfin sur les filtres CRF caractriss dans les chapitres prcdents. Pour conclure une
synthse des rsultats et des limites de cette mthode de test seront rsums.
5.2 Choix des conditions de mesures
Lobjectif essentiel du test hyperfrquence dun dispositif est de dterminer son impact
sur la chane de transmission (ou dinstrumentation) hyperfrquence et vrifier le bon
fonctionnement de lensemble du systme lorsque les diffrents constituants seront assembls.
Il existe de nombreuses causes de distorsions ou des dgradations linaires ou non linaires
dans les chanes de transmission de signaux numriques.
Dans un systme de transmission, diffrentes sources de dgradation des signaux
peuvent produire :
une rponse frquentielle non uniforme dans la bande passante du canal
des produits dintermodulation dans le canal de transmission ou les canaux
adjacents
des problmes dinterfrences dues des trajets multiples
une dgradation due des effets non-linaires (saturation de lamplificateur de
puissance, de loscillateur,..)
Pour valuer ces imperfections, plusieurs paramtres peuvent tre tudis. Le rapport
signal sur bruit RSB (ou SNR Signal to Noise Ratio en anglais), lEVM et le TEB sont les trois
paramtres les plus utiliss pour quantifier des distorsions et dgradations du signal traversant
une chane de transmission.
t
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S
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u
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l
S
u
r
c
h
a
r
g
e

Figure 5-3. Profil du TEB en fonction du niveau de signal reu
Notre technique consiste tester des dispositifs RF laide dun des paramtres de
caractrisation des systmes mais lequel et pour quel type de modulation numrique ? Dans
les paragraphes suivants nous allons tenter de rpondre ces questions.
5.2.1 Choix du paramtre danalyse
Parmi les trois paramtres que nous venons de voir, nous allons tenter de justifier le
choix dun seul comme paramtre danalyse du test industriel. Avant cela, nous allons
rappeler brivement leurs dfinitions et nous verrons aussi que dans certaines conditions, il
existe des relations entre ces diffrents paramtres.
5.2.1.1 Rapport Signal sur Bruit (RSB)
Le RSB reprsente la qualit de la transmission dun signal par rapport aux signaux
parasites. Il dsigne le rapport entre lnergie dun signal et lnergie du bruit dans
lenvironnement o ce signal se trouve. Dans le cas dun modle de bruit gaussien, le RSB
[Shafik-2006] dans le cas dune modulation complexe est dfini par lquation suivante :

| |
| |
=
=
+
+
= =
T
t
t Q t I
T
t
t t
bruit
signal
n n
T
Q I
T
P
P
RSB
1
2
,
2
,
1
2 2
1
1
, (5-1)
O I
t
et Q
t
sont les composantes en phase et en quadrature de la tension du signal modul, et
o n
I,t
et n
Q,t
sont les composantes de lamplitude du bruit dans le plan complexe. Lquation
5-1 donne une valeur directe du RSB pour un grand nombre de symboles T >> M (o M est le
nombre de symboles pour une modulation M-aire donne). En chantillonnant le signal
complexe la frquence rythme du symbole, nous pouvons approximer le RSB par
t
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1
RSB =
E
s
N
0
=
log
2
M ( ).E
b
k.T
N
.B
, (5-2)
O E
s
est lnergie du symbole pour une modulation M-aire. Lnergie par symbole est gale
log
2
(M) E
b
. N
0
est la densit spectrale dnergie dun bruit blanc quivalent un bruit
thermique de temprature T
N
(en K) sur une bande de frquence B avec k la constante de
Boltzmann (1,38065 10
-23
J/K).
Toutefois la mesure directe du RSB est rarement possible et il faut donc avoir recourt un
autre paramtre danalyse.
5.2.1.2 Taux dErreur Binaire (TEB)
Pour caractriser une chane de communication numrique, nous relions les bits mis et
les bits reus par une figure de mrite proportionnelle au rapport entre le nombre de bits
errons la rception et le nombre total de bits transmis. Ce paramtre est le taux derreur
binaire (TEB). Pour une modulation M-aire, le TEB peut tre crit en fonction du RSB dans un
canal classique gaussien caractris par un bruit blanc additif Gaussien, AWGN (Additive
White Gaussian Noise), par lexpression suivante [Shafik-2006]:

( )
( )
( )
( )
(
(
=
M
RSB
L
L
Q
L L
L
TEB
2
2
2
2
log
. 2
1
log 3
log
1 2
, (5-3)
avec L = log
2
(M) le nombre de dimensions dune modulation M-aire et Q(x) est la fonction
derreur complmentaire de Gauss (encore nomme erfc).
Bien que le TEB soit une figure de mrite permettant de caractriser la qualit de
transmission dans un systme, ce paramtre prsente aussi plusieurs contraintes qui limitent
son utilisation [Hassun-1997]. Parmi les facteurs limitant, citons les suivants :
un temps de mesure qui peut tre long lorsque le TEB est faible (par exemple
10
-6
) et qui est inversement proportionnel au dbit binaire.
Si la valeur dfinie au pralable n'est pas atteinte, ce paramtre ne donne pas
d'information sur les causes possibles de limitation.
Pour les raisons cites ci-dessus, le TEB nest pas facilement utilisable dans notre
application de test industriel de dispositifs RF pour laquelle un temps de mesure le plus faible
possible est recherch.
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5.2.1.3 Module du Vecteur dErreur (EVM)
LEVM reprsente une mesure sur lensemble dune constellation (ensemble des
symboles transmis ou reus) de lcart de position entre un symbole de la constellation et un
symbole idal (figure 5-5).
-1,5
-1
-0,5
0
0,5
1
1,5
-1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5
I
Q
EVM=5%
EVM=10%
EVM=20%
EVM=30%

Figure 5-4 Exemple de distribution des points de mesures dun symbole QPSK pour diffrentes
valeurs dEVM
Le taux dEVM ou plus couramment appel EVM, exprim en pourcentage, permet de
caractriser les fluctuations damplitude et de phase en prenant en compte tous les symboles
de la constellation (figure 5-4).
Si un symbole complexe de rfrence est reprsent par ) (t r
r
sur la figure 5-5, celui reu
) (t v
r
a pu subir une succession de variations dans le canal de propagation et dans les diffrents
lments de la chane de transmission.

Constellation
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
I
Q
Rfrence
Dforme
v(t)

Vecteur
derreur
Erreur sur
lamplitude
r(t)

Figure 5-5. Un symbole de rfrence et la partie de la constellation du signal analys lui correspondant
et lcart (module et phase) pour un symbole
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La diffrence entre le vecteur de rfrence ( ) (t r
r
) et le vecteur li un symbole reu
( ) (t v
r
) est le vecteur derreur. Nous trouvons une erreur sur lamplitude de v(t) et une
diffrence de phase (figure 5-5). Avant de calculer lEVM, il faudrait en toute rigueur
corriger la phase par une rotation et lamplitude par une variation de l'amplitude identique de
tous les symboles de la constellation reue.
LEVM est la moyenne quadratique de l'erreur de tous les symboles :

2 1
1
2 2
. .
1
(
+ =

=
T
i
i
Q
i
Q V
i
I
i
I V RMS
r v A r v A x
T
EVM , (5-4)
avec les composantes I Q reues (v
I,
et v
Q
) et celles de rfrences (r
I
et r
Q
) normalises, T est le
nombre total de symboles transmis.
A
v
est le facteur de normalisation des symboles reus (figure 5-5).

T P
A
V
v
/
1
= , (5-5)
P
v
tant la puissance totale des symboles reus et T le nombre de symboles.
Des expressions ont t proposes permettant de relier lEVM et le RSB [Shafik-2006]
dans certaines conditions. Celle le plus souvent retenue, est de considrer un grand nombre
doccurrences par symbole (T >> M), un bruit blanc gaussien et un chantillonnage optimal au
centre du symbole (ouverture maximale du diagramme dil). Cette relation est la suivante :
RSB
1
EVM ( )
2
ou RSB
dB
20log
10
EVM
RMS
( ), (5-6)
A partir des quations (5-3) et (5-6), nous dduisons, la relation suivante entre le TEB et
lEVM pour une modulation numrique M-aire donne.

( )
( )
( )
( )
|
|
\
|
(
M EVM L
L
Q
L L
L
TEB
RMS 2
2 2
2
2
log
2
1
log 3
log
1 2
, (5-7)
De plus pour effectuer les mesures dEVM, il nest pas indispensable de connatre le
signal transmis (contrairement au TEB). La mesure dEVM peut se faire tout niveau dun
systme de transmission (figure 5-6) condition que le signal soit ramen en bande de base
sil ne ltait pas dj. Ajoutons que lEVM est plus sensible au RSB et aux fluctuations dans
le systme que le TEB ceci est d la relation mathmatique qui les relie [Lin-2007].
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Figure 5-6. Diagramme dun systme de transmission avec calcul de TEB et dEVM
Le seul paramtre rpondant aux exigences du test industriel en termes de simplicit et
de temps de calcul est donc lEVM qui permet la fois de dduire dans certaines conditions le
RSB et le TEB. Nous avons donc choisi ce paramtre danalyse pour le test industriel.
5.2.2 Choix de la modulation
Une fois la mtrique identifie, il faut choisir la modulation numrique la plus adapte.
Les critres de choix sont les suivants :
une modulation simple mettre en uvre (modulation et dmodulation),
une modulation dont la largeur spectrale puisse tre ajuste en fonction de
la bande de frquence tester,
une modulation dont la puissance est indpendante des symboles transmis,
une modulation de test suffisamment reprsentative des signaux
numriques qui traverseront le dispositif dans son utilisation finale.
Plusieurs types de modulations vrifient ces conditions et peuvent tre proposes dans
le cadre de ce test. La modulation qui offre le meilleur compromis entre les diffrents critres
de choix est la modulation en quadrature de phase QPSK.

Figure 5-7. Constellation de la modulation QPSK
00 01
11 10
I
Q
Squence
Binaire
Modulation
en bande de
base
Up-
converter
Canal de
transmission
Down
Converter
Calcul
EVM
Calcul
TEB
Dmodulation
en bande de
base
Facultatif
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La modulation QPSK [Lee-2007] est quatre tats de phase (L = 2 et M = 4) comme
reprsente sur la figure 5-7. Ce type de modulation permet de moduler deux bits par
symbole. Pour une bande passante identique du signal mis, son dbit binaire est le double de
celui de la modulation BPSK (deux lments dans la constellation). Les tats de phase de la
modulation QPSK correspondent
i
avec une amplitude constante:
( )
4
1 2

+ = i
i
, avec 0 i < 4, (5-8)

Figure 5-8. Signal modul avec la modulation QPSK
Ajoutons que la QPSK ne prsente pas diffrents niveaux de puissance comme les
modulations QAM (pour M > 4) avec un taux derreur binaire plus faible. La densit spectrale
de puissance de la modulation QPSK est :
DSP
QPSK
f ( ) =
A
0
2
.T
s
2
sinc .T
s
f f
0
( ) ( )
2
(en V
2
/Hz) (5-9)
avec T
r
la priode rythme ou priode des symboles (la frquence rythme f
r
= 1/T
r
) et f
p
la
frquence de la porteuse.

Figure 5-9. Densit spectrale de puissance dun signal avec une modulation QPSK
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La modulation QPSK reste le choix le plus favorable pour faire des tests industriels
base de modulation numrique simple.
Pour cette modulation (L = 2 et M = 4), la relation entre le TEB et lEVM se simplifie
sous la forme suivante :

|
|
\
|
RMS
EVM
Q TEB
1
, (5-10)
Cette relation nous permet de remonter la probabilit derreur TEB partir de lEVM
pour un canal gaussien. Lvolution du TEB en fonction de lEVM pour plusieurs types de
modulations est dcrite dans la rfrence [Shafik-2006].
5.3 Description de la technique de mesure
Aprs, le choix du paramtre de mesure EVM et celui de la modulation numrique
QPSK, dans ce paragraphe, nous dtaillerons le principe de la mthode de test, le banc de
mesure, la procdure dexprimentation mise en uvre et la qualit des rsultats attendus.
Des mesures seront compltes par des simulations systme sous ADS permettant de
mieux comprendre le lien entre les dformations de la constellation en sortie du dispositif et la
rponse en transmission de ce dispositif.
5.3.1 Principe
La mthode consiste envoyer un signal numrique modul en QPSK travers un
circuit. Ce signal compos dun nombre de symboles (T) transmis la frquence rythme f
r
. Ce
signal est ensuite transpos autour de la frquence porteuse f
p
et son spectre occupe une
largeur de bande gale 2*f
r
.
Pour valider cette mthode de test et rester dans le cadre du test des filtres CRF nous
avons choisi comme circuit un filtre passe-bande (figure 5-10).
M
o
d
u
l
e

Figure 5-10. Principe de la technique de mesure
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Deux conditions de mesure sont respecter pour ce test :
la frquence porteuse f
p
du signal QPSK doit prsenter une amplitude suffisante
la sortie du filtre pour pouvoir dterminer l'EVM. Cela sous entend que f
p
soit
dans la bande passante (BP) du filtre (la zone de filtrage) ou en limite de BP, soit
f
p
= f
0
BP/2,
la frquence rythme f
r
doit tre choisie de faon ce quelle couvre la majorit
de la BP pour avoir en une seule mesure dEVM le comportement global du filtre
sur lensemble de sa BP, soit f
r
BP/2.

Constellation avant et aprs filtrage
-1
-0,5
0
0,5
1
-1 -0,5 0 0,5 1
I
Q
Rfrence
Dforme

Figure 5-11. Constellations QPSK lentre et la sortie du filtre passe bande
La constellation du signal QPSK la sortie du filtre va subir au moins deux
dformations : une rotation de sa phase initiale et une attnuation de son amplitude due
respectivement la phase du filtre et ses pertes dinsertion (figure 5-11). Cette rotation et
cette attnuation du signal QPSK sont directement relies aux deux paramtres frquentiels
qui sont le module et la phase du coefficient de transmission S
21
autour de la frquence
porteuse du signal (f
p
).
Aprs dmodulation du signal QPSK la sortie du filtre, nous calculons lEVM en trois
tapes :
La normalisation : le signal QPSK a subit une attnuation lors de la traverse du
filtre. A partir de lensemble des points qui constituent la tche dun symbole
nous dterminons le centre de la tche avec lquation 5-11 soit V
moy
. Si la
constellation de rfrence est rpartie sur un cercle de rayon unit le module
moyen du coefficient de transmission autour de la frquence porteuse est
gal linverse du coefficient de normalisation soit :

~|S
21
|
t
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0
0
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moy p
A
V f S
1
) (
2
21
= = , (5-11)
La correction de la phase : le signal QPSK dform suite au passage par le filtre
est compar au signal lentre du filtre. La diffrence de phase observe
entre les deux constellations (figure 5-11) donne la phase moyenne du filtre
autour de la frquence porteuse du signal, soit (pour le 1
er
symbole)
( ) ( )
4
) (
21

= =
moy p
V Arg f S Arg , (5-12)
Le calcul de lEVM : la constellation de sortie normalise et recale en phase est
compare celle de rfrence. La quantification de la dispersion des points de la
constellation mesure autour des quatre symboles de la modulation QPSK est
alors obtenue avec lexpression de lEVM (5-4). Ce paramtre EVM dpend des
caractristiques des filtres mais galement des choix faits pour la frquence
porteuse et la frquence rythme (dbit binaire).
A lissue de ces trois tapes, nous avons obtenus trois paramtres : , A
v
et une valeur
dEVM. Les deux premiers sont directement relis aux caractristiques du filtre autour de f
p
.
En revanche le dernier permet de tenir compte des diffrentes causes de dformation de la
constellation sur la bande de frquence teste : les pertes dinsertion, les ondulations de la
transmission dans la bande observe, un dcalage ventuel de la frquence centrale du filtre
Ce test permet donc avec un paramtre unique de tenir compte de causes multiples de
dformations. Si lensemble de ces causes cumules induit une valeur dEVM suprieure un
seuil maximal fix le filtre test doit tre rejet.
Ajoutons qu partir de cette valeur dEVM, nous pouvons dduire la contribution du
filtre la dgradation du RSB et remonter au TEB.
5.3.2 Mthode de simulation sous ADS
Avant de mettre en uvre les mesures dEVM, des simulations laide du logiciel ADS
[ADS-2011] ont t sont ralises. Ces simulations, limage de la mthode de test, se situent
entre les simulations temporelles et frquentielles mais galement entre le niveau systme
( Digital Signal Processing ) et le niveau composant ( Analog/RF ). En effet, elles
ncessitent dutiliser un simulateur temporel pour dcrire la modulation numrique, mais
aussi de pouvoir dcrire le dispositif simuler, dans notre cas un filtre, dans le domaine
frquentiel.
Pour raliser cette cohabitation nous avons utilis ADS Ptolemy ; qui est un
simulateur temporel dADS, qui permet de simuler simultanment une partie de circuit dcrite
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dans le domaine frquentiel ( Analog/RF ) et une partie dans le domaine temporel, le tout
dans un environnement de traitement du signal numrique ( Digital Signal Processing )
avec des sources temporelles.
De plus, deux types de simulations temporelles sont possibles en mode Digital Signal
Processing soit des simulations transitoire soit des simulations enveloppe . Les
simulations enveloppe proposent des simulations plus rapides que les simulations
transitoires . En effet, les simulations enveloppe extraient dabord les chantillons
complexes de lenveloppe du signal RF modul puis les simulent laide de la fonction
Harmonic-Balance vitant ainsi davoir recours des pas temporels trop petits imposs
par la priode du signal de la porteuse. Dans ce cas de simulation enveloppe , la frquence
porteuse na pas dinfluence sur le temps de simulation.
La figure 5-12 prsente le schma dune simulation temporelle sous ADS Ptolemy .
Un signal complexe (I
ref
, Q
ref
) alatoire est gnr et modul en QPSK (bloc MOD-QPSK) sur
une frquence porteuse f
p
puis envoy travers un filtre passe bande BPF simul dans le sous-
domaine enveloppe .
Le bloc EnvOutShort permet de faire linterface entre la sortie du sous-domaine
circuit et lentre du domaine Digital Signal Processing sous ADS Ptolemy . Le signal
la sortie du filtre est dmodul travers le bloc DEM-QPSK pour rcuprer les deux
composantes du signal complexe I
dist
et Q
dist
. Les composantes I et Q des deux signaux de
rfrence et dform vont servir pour calculer le facteur de normalisation, la phase moyenne
du filtre et la valeur dEVM comme nous lavons dcrit.
DF
DF1
Deadl ockManager=ReportDeadlock
Schedul erType=Clas si cal
OutVar=
DefaultSeed=1234567
DefaultTimeStop=Ts top nsec
DefaultTimeStart=0.0 nsec
DefaultNumericStop=Tstop
DefaultNumericStart=0.0
Data
D1
Repeat=Yes
SequencePattern=8
Type=Prbs
Us erPattern=
BitTime=bt nsec
TStep=Ts tep nsec
RTemp=-274.0
ROut=50.0 Ohm
QPSK_Mod
Q1
Exces sBw=0.35
Power=dbmtow(-10)
SymbolTime=Symti me nsec
FCarri er=Fc MHz
RTemp=-274.0
ROut=50.0 Ohm
RIn=50.0 Ohm
N_Tones
N1
PN_Type=Random PN
PhaseNois eData=
RandomPhas e=No
Additi onalTones=
Phase1=0.0
Power1=dbmtow(-10)
Frequency1=Fc MHz
TStep=Tstep nsec
RTemp=-274.0
ROut=50.0 Ohm
Ti medSink
Q_test
Control Simulation=YES
Stop=DefaultTimeStop
Start=DefaultTimeStart
Pl ot=None
Ti medSink
I_test
Control Simulation=YES
Stop=DefaultTimeStop
Start=DefaultTimeStart
Pl ot=None
QPSK_Demod
Q2
Excess Bw=0.35
Symbol Time=Symti me nsec
RTemp=-274.0
ROut=50.0 Ohm
RIn=50.0 Ohm
EnvOutShort
O1
OutFreq=Fc MHz
filtres
X2
SymbolSpl itter
S1
Delay=Symti me nsec
SymbolTime=bt nsec
RTemp=-274.0
ROut=50.0 Ohm
RIn=50.0 Ohm

Figure 5-12. Simulation temporelle avec ADS Ptolemy
Envelope
Env1
Step=Tstep nsec
Stop=(Nbpoints*Tstep) nsec
Order[1]=3
Freq[1]=Fc MHz
ENVELOPE
Port
P1
Num=1
Port
P2
Num=2
BPF_Butterworth
BPF3
Astop=30 dB
BWstop=170 MHz
Apass=1.5 dB
BWpass=60 MHz
Fcenter=880 MHz
I
ref

Q
ref

I
dist

Q
dist

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Les simulations temporelles ncessitent plusieurs points par symbole. Pour calculer
lEVM, nous choisissons le point de simulation correspondant louverture maximale du
diagramme dil.
Les premiers rsultats de simulations dEVM, faites sur des filtres de Butterworth
dordre 3 et 4, seront prsents et compars des mesures un peu plus tard dans le paragraphe
5.4.
5.3.3 Procdure dexprimentation et banc de mesure
Pour mettre en uvre la procdure de test dcrite prcdemment, nous avons utilis les
quipements suivants : un gnrateur de signaux numriques moduls ESG 4438C et un
oscilloscope numrique dAgilent DSO 54855A muni du logiciel VSA (Vector Signal
Analyzer). LESG 4438C permet la gnration de signaux moduls jusqu une frquence
porteuse de 6 GHz avec une frquence rythme maximale de 50 10
6
symboles par seconde (50
Mbauds/s) soit une largeur de bande spectrale occupe infrieure 100 MHz. De plus ce
gnrateur de signaux numriques offre la possibilit de gnrer soit des signaux alatoires
soit une squence binaire prdfinie.
Le DSO 54855A peut chantillonner des signaux jusqu une frquence de 20 Gsamples/s
pour une frquence porteuse du signal allant jusqu 6 GHz soit le tiers de la frquence
dchantillonnage afin de respecter la condition de Nyquist-Shannon.
Le VSA est un logiciel dAgilent permettant de faire la dmodulation dun signal et de
calculer son paramtre EVM. Le calcul de lEVM se fait en comparant la constellation
mesure une constellation de rfrence gnre par le logiciel lui-mme. Il suffit de lui
indiquer la frquence porteuse et la frquence rythme du signal avec le nombre de symboles et
le nombre de points de mesure par symbole.
Toutefois ce logiciel VSA prsente une limitation pour notre application. Bien que
loscilloscope numrique DSO 54855A dispose de deux entres le VSA ne permet de
dmoduler quun signal la fois. De plus il ne donne pas accs linformation de dphasage
entre la constellation mesure et celle de rfrence (un seul signal mesur) donc pas de
possibilit dobtenir et donc le dphasage du filtre.
Pour nos mesures, nous avons choisi 1000 symboles avec 1 point de mesure par
symbole. Nous avons vrifi que le nombre de points par symbole na pas dimpact sur la
valeur de lEVM calcule.
Ce nombre de symboles nous permet de garantir des transitions entre tous les points de
la constellation et une distribution quasi-homogne des symboles entre les quatre tats
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possibles (00, 01, 10 et 11). Le filtre de Nyquist utilis dans la partie
modulation/dmodulation QPSK est un filtre en cosinus surlev Root Raised Cosine
ayant le facteur d'ondulation roll-off = 0,35. Il permet de saffranchir des interfrences
inter-symboles qui augmentent la valeur derreur.

Figure 5-13. Ensemble des donnes fournies par le VSA
Dans le cas dune dmodulation dun signal QPSK la frquence porteuse de 875 MHz,
le VSA fournit les rsultats sous la forme de quatre quadrants dcrits sur la figure 5-13. Nous
pouvons observer la constellation mesure (quadrant en haut gauche), le spectre du signal
centr la frquence porteuse avec une largeur de bande de 2*f
r
(quadrant en bas gauche), le
spectre de lEVM en fonction des symboles (quadrant en haut droite) et la valeur derreur en
amplitude et phase et lEVM en % r.m.s. (quadrant en bas droite). Dans ce cas lEVM est de
0,4 %.
Nous utilisons lensemble des appareils de mesure (ESG+DSO) avec le logiciel VSA
pour calculer le module, la phase moyenne et lEVM du filtre.
Nous avons ralis le montage dcrit sur la figure 5-14. Le signal hyperfrquence
gnr par l'ESG est divis en deux par un diviseur de Wilkinson. La sortie 1 du diviseur est
relie au filtre grce un cble hyperfrquence de longueur L. La sortie du filtre est connecte
la voie dentre 1 du DSO par un cble de mme longueur L. De mme, la sortie 2 du
t
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diviseur est relie la voie 2 du DSO au travers des mmes cbles lexclusion du filtre
tester. Ce montage garanti que les signaux temporels mesurs par le DSO sur les deux voies
dentre ne seront dphass que par la contribution du filtre.

Figure 5-14. Schma du banc de mesure
Du fait que la phase du filtre ne peut pas tre mesure par le VSA, nous proposons de la
calculer directement en mesurant le retard temporel entre les voies 1 et 2 du DSO puis en
multipliant par la frquence porteuse pour remonter au dphasage en degr entre les deux
signaux. Les deux autres paramtres sont calculs partir du VSA, qui soccupe de
normaliser la constellation distordue par rapport la constellation de rfrence puis de
calculer lEVM. La valeur moyenne du module du coefficient de transmission ) (
21 p
f S est
affiche comme la valeur du module du spectre la frquence porteuse. LEVM est affiche
directement comme lerreur entre la constellation interne de rfrence et la constellation
corrige.
Un test prliminaire dtalonnage a t fait pour mesurer lEVM de rfrence obtenue
sur la voie 2 en labsence de filtre. Nous trouvons que le minimum dEVM est de 3% pour une
frquence rythme de lordre de 35 Mbd/s.
Des premires analyses de la mthode sont faites sur des filtres simples comme des
filtres de Butterworth de diffrents ordres et des filtres de Tchebychev afin dtablir la
technique. Des filtres CRF en technologie intgre sont utiliss dans la suite pour mettre en
uvre le test industriel.
5.4 Analyse des rsultats des filtres de Butterworth
Pour mieux apprhender les rsultats de mesure et de simulation obtenus avec cette
nouvelle mthode de test, nous avons commenc par des dispositifs simples et bien connus.
Les premiers filtres tests sont des filtres passe bande de Butterworth dordre 3 et 4. Ces
filtres prsentent des rponses les plus plates possible dans leurs bandes passantes.
Rappelons que la frquence rythme maximale de lESG4438C impose un signal modul
dont largeur spectrale maximale est denviron 100 MHz do le choix de la bande passante

ESG
4438C
Cble+Filtre+Cble

DSO
54855A
Cble+Cble
1
2
Diviseur
de
puissance
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0
0
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des filtres autour de cette valeur. De plus ces filtres doivent pouvoir tre raliss en
technologie planaire micro-ruban sur un substrat hyperfrquence (celui choisi est le Rogers
RO4003 de permittivit relative
r
= 3,55, dpaisseur h = 813 m et dangle de pertes
dilectriques tg = 27.10
-4
). A laide de la topologie planaire choisie : des rubans coupls en
ligne micro-ruban, il est difficile de raliser des filtres avec des facteurs de qualit suprieurs
une dizaine, donc le choix de la frquence centrale des filtres a t impos en dessous de
1 GHz.
Les caractristiques du filtre dordre 3 (nomm F
B3
) sont une frquence centrale f
0
de
920 MHz et une bande passante de 120 MHz. Celles du filtre dordre 4 (nomm F
B4
) sont une
f
0
de 935 MHz et une BP de 70 MHz. Ces filtres coplanaires avec des rsonateurs lignes
parallles couples en zigzag ou avec des stubs ont t conus et raliss (figure 5-15). La
rponse en transmission du filtre de Butterworth dordre 3 obtenue avec un VNA 8510 C avec
800 points de mesures et un pas de 2 MHz est donne sur la figure 5-16.

Figure 5-15. Photographie des filtres de Butterworth raliss
Pour valider notre mthode de test, la frquence rythme du signal modul QPSK a t
choisie arbitrairement dans un premier temps gal 30% de la BP du filtre (soit f
r
= 40 Mbd/s
pour F
B3
et f
r
= 21 Mbd/s pour F
B4
). Ce choix, qui permet au signal QPSK de couvrir 60 % de
la bande passante du filtre, reste un cas intermdiaire entre la mesure que nous pourrions faire
avec un VNA et celle faite en temporelle avec une impulsion.
Nous avons ensuite modifi la frquence porteuse pour faire des mesures dEVM sur
lensemble de la bande du filtre sans changer f
r
.
Les rsultats obtenus pour le module de la transmission du filtre (quation (5-11)) et le
dphasage (quation (5-12)) sont compars aux mesures faites laide du VNA sur la
figure 5-16.
Le paramtre f dcrit lcart entre la frquence porteuse f
p
et la frquence centrale f
0
.
Ce paramtre est ensuite normalis par la bande passante soit f/BP.
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0
0
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-20
-15
-10
-5
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-200% -100% 0% 100% 200%
f/BP
C
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f
f
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c
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(
d
B
)
Mesure VNA
Mesure temporelle

-400
-300
-200
-100
0
100
-200% -100% 0% 100% 200%
f/BP
P
h
a
s
e

e
n

d
e
g
r
Mesure VNA
Mesure temporelle

Figure 5-16. Module et phase du filtre mesurs par deux mthodes, temporelle et frquentielle
Nous pouvons remarquer que les rsultats sur le module et la phase issus des mesures
pseudo-temporelles restituent fidlement les mesures faites avec le VNA malgr un spectre du
signal QPSK qui couvre 60% de la bande passante du filtre.
Lcart maximum entre lextraction du module et de la phase moyenne du filtre par la
mthode temporelle par rapport celle mesure laide dun VNA arrive 2 dB sur le
module et 10 sur la phase.
Dans un second temps, aprs la normalisation et la correction de la phase, nous
comparons la valeur dEVM obtenue par simulation sous ADS Ptolemy et celle obtenue par
mesure avec le VSA (figure 5-17 et 5-18) toujours avec un spectre du signal QPSK qui couvre
60 % de la bande passante du filtre.
Les rsultats de simulation sont en accord avec ceux obtenus par les mesures. Lcart
entre les deux rsultats dEVM reste infrieur 2 %. Cet accord permet de valider la mthode
de simulation avec ADS Ptolemy. Cette mthode de simulation permet de dterminer la
variation de lEVM pour un filtre donn et destimer la sensibilit de lerreur aux diffrents
dfauts qui peuvent exister dans le filtre test.
Nous trouvons que le minimum dEVM de 3% est obtenu la frquence centrale du
filtre (f
p
= f
0
). Ce minimum correspond lerreur de la chane de transmission vide (sans le
filtre) pour une frquence rythme de 40 Mbd/s (30 % BP).

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Filtre de Butterworth d'ordre 3
0%
5%
10%
15%
20%
25%
-150% -100% -50% 0% 50% 100% 150%
f/BP
E
V
M

(
%
R
M
S
)
Mesure
Simulation

Figure 5-17. Mesure et simulation dEVM pour un filtre de Butterworth dordre 3
En scartant de la frquence centrale, lEVM tend augmenter avec lapparition dune
dissymtrie du spectre reu lie des attnuations diffrentes des lobes de part et dautres de
la porteuse, le filtre ntant plus centr sur le spectre du signal modul. Ce comportement
atteint un maximum lorsque lcart entre f
p
et f
0
est gale 85% de la BP (figure 5-17).
Nous constatons que la courbe dEVM ne prsente pas de symtrie par rapport laxe des
ordonnes. En effet nous trouvons un maximum de 20 % en haute frquence ( droite) et 23
% en basse frquence ( gauche). Cette diffrence sexplique par le fait que la pente de
rjection du filtre en basse frquence est plus importante que celle en haute frquence. Nous
pouvons remarquer que la non symtrie dun filtre sera dtectable avec lEVM.
Pour |f/BP| > 85%, lEVM dcrot car le filtre nest plus adapt et le signal transmis est
fortement attnu. Lamplitude du signal la sortie du filtre atteint une valeur limite minimale
o le calcul dEVM nest plus valide. Donc le calcul dEVM reste valide tant que le signal
modul ne sort pas entirement de la bande passante du filtre. Le test industriel ainsi
dvelopp peut dtecter tout type de dfaut en restant limit la bande passante du filtre.
La figure 5-18 reprsente lEVM dans la bande passante pour un filtre de Butterworth
dordre 4 (F
B4
) Nous trouvons la mme allure dEVM que pour le filtre de Butterworth dordre
3. Dans le cas du F
B4
les EVM maximums sont obtenus pour un dcalage de la frquence
porteuse gale 82 % de la BP avec des valeurs maximales dEVM plus importantes.
LEVM
max
en haute frquence est de 30 % et celui en basse frquence de 33%. De nouveau le
filtre F
B4
nest pas symtrique.
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Filtre de Butterworth d'ordre 4
0%
5%
10%
15%
20%
25%
30%
35%
-150% -100% -50% 0% 50% 100% 150%
f/BP
E
V
M

(
%
R
M
S
)
Mesure
Simulation

Figure 5-18. Mesure et simulation de lEVM pour un filtre de Butterworth dordre 4
Nous pouvons dduire des mesures de F
B3
et F
B4
que lEVM augmente avec la
dissymtrie et avec la pente de rjection (ou lordre du filtre).

Filtre d'ordre 3
0%
10%
20%
30%
40%
50%
0% 10% 20% 30% 40% 50%
Frquence rythme en %BP
E
V
M
m
a
x

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%
r
m
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0%
5%
10%
15%
E
V
M
m
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n

%
r
m
s
Cas
intermdiaire
30%BP

Figure 5-19. Variations dEVM
max
et dEVM
min
en fonction de la frquence rythme (%BP) pour un
filtre dordre 3
En comparant les allures dEVM pour les deux filtres, nous trouvons une dynamique
entre les valeurs minimales et maximales de 15% pour un filtre dordre 3 et 25% pour celui
dordre 4. Cette dynamique dpend aussi du choix de la largeur du signal choisi donc de la
frquence rythme do la justification du choix de la frquence des symboles 30% de la BP.
En effet, une largeur du signal plus troite conduit une dynamique dEVM plus faible
(figure 5-19). Il faut donc disposer dune dynamique suffisante pour pouvoir sparer les filtres
prsentant un dfaut des bons filtres.
La frquence rythme du filtre f
r
doit avoir aussi une limite maximale car pour une
largeur de bande importante du signal, nous risquons de moins dtecter les dfauts du filtre
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puisque le signal transmis moyenne toutes les variations produites dans sa bande passante.
Ainsi les valeurs minimales dEVM augmentent avec la frquence rythme (figure 5-19) pour
atteindre 5% dans le cas dune largeur de bande du signal couvrant la totalit de la bande
passante du filtre (f
r
= 50%BP). Cette valeur derreur leve ne permet pas de dtecter les
dfauts dans la bande passante du filtre qui entranent des valeurs de lEVM
min
infrieures
5%.
Aprs plusieurs mesures et simulations, nous avons dduit quune frquence rythme de
30% de la BP est le meilleur compromis pour la dtection dun dfaut avec une dynamique
suffisante de lEVM.
Diffrentes simulations et mesures faites sur plusieurs filtres de mme ordre mais de
frquence centrale et de bande passante diffrentes montrent que nous pouvons unifier la
signature dEVM pour un filtre dordre donn si nous normalisons toujours la frquence
rythme (f
r
/BP) et le dcalage de sa frquence porteuse (f/BP) par rapport la bande passante
BP du filtre comme sur les figures 5-17 et 5-18. La figure 5-17 peut alors tre considre
comme une rponse gnrale dEVM pour un filtre de Butterworth dordre 3 quelle que soit sa
frquence centrale, ses pertes dinsertion et sa bande passante. Cette rgle peut tre applicable
tous les filtres de Butterworth pour un ordre donn.
5.5 Applications sur des filtres de Tchebychev
Les deuximes srie de filtres tests a t celle des filtres de Tchebychev car ils
prsentent des ondulations dans la bande passante. Le but de cette partie est de dterminer si
la mesure de lEVM permet de dtecter ces ondulations et sous quelles conditions.
La frquence rythme est toujours fixe 30% de BP. Le filtre tudi est un filtre
dordre 4 ayant des ondulations dans la bande passante arrivant 1 dB.
La figure 5-20 prsente lallure de lEVM mesure laide du VSA puis elle est
compare au module du coefficient de transmission mesur avec un VNA. Nous constatons
que la valeur de lEVM prsente des ondulations qui varient entre 5% et 10% (soit EVM de
5%) dans la bande passante du filtre alors que le module de la transmission S
21
(prsente une
ondulation de S
21
= 1 dB). Les maximums de lEVM sont dtects autour de 78% de la BP.
Toutefois nous observons des valeurs maximales plus importantes de 38% (haute frquence)
et 30% (basse frquence). Ce filtre est lui aussi dissymtrique avec des pentes de rjection
suprieures celle du filtre de Butterworth dordre 4.
En conclusion, nous pouvons dtecter une variation des pertes dinsertion dans la bande
passante grce lEVM.
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Filtre de Tchebychev d'ordre 4
0%
5%
10%
15%
20%
25%
30%
35%
40%
45%
50%
-150% -100% -50% 0% 50% 100% 150%
f/BP
E
V
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(
%
R
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)
-25
-20
-15
-10
-5
0
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B
EVM
Module S21

Figure 5-20. Mesure de lEVM et du module de transmission pour un filtre de Tchebychev dordre 4
Des pentes de rjection plus importantes ont un impact sur le dcalage f/BP
correspondant EVM
max
. Nous trouvons la valeur maximale derreur pour f/BP = 78% de la
BP alors que les filtres de Butterworth dordre 4 ont un maximum 82 % de la BP. Les pentes
tant plus fortes dans le cas des filtres de Tchebychev, ils attnuent plus rapidement le signal
transmis et donc lEVM nest plus significatif partir dune valeur du dcalage de la
frquence porteuse plus petite. Par consquent, des pentes de rjection plus importantes
donnent des valeurs maximales de lEVM plus leves pour des dcalages f/BP plus faibles.
Aprs lanalyse des filtres de Butterworth et Tchebychev, nous proposons de tester cette
mthode sur les filtres CRF tests dans le chapitre prcdent avec la mthode doptimisation
frquentielle. Les filtres CRF sont des filtres plus slectifs que les filtres prcdents avec des
ondulations svres dans la bande passante et des pertes dinsertion leves.
5.6 Applications du test industriel sur des filtres CRF-BAW
La mthode ainsi tablie va servir pour tester sa sensibilit la dispersion des
caractristiques des filtres CRF en fonction de leur position sur le wafer. Nous choisissons en
premier un filtre CRF comme filtre de rfrence puis nous testons les autres filtres CRF en les
comparant la rponse de ce filtre.
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5.6.1 Analyse dun filtre CRF prototype
Nous slectionnons un filtre CRF possdant une bande passante et des pertes dinsertion
moyennes par rapport aux autres filtres. Le filtre a une frquence centrale de 2,14 GHz et une
bande passante de 60 MHz. La figure 5-21 prsente le module du coefficient de transmission
et la variation de lEVM dans sa bande passante. La frquence rythme du signal modul est de
30% de la BP soit 18 Mbauds/s, avec une frquence porteuse variant de + 200% - 200% de
la BP.
Filtre prototype CRF
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
-200% -150% -100% -50% 0% 50% 100% 150% 200%
f/BP
E
V
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%
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-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
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-10
-5
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B
)
EVM
Module S21

Figure 5-21. Mesure dEVM et du module de transmission pour un filtre CRF
Sur cette signature dEVM du filtre CRF choisi en rfrence nous allons dfinir des
points caractristiques (4 nomms A, B, C et D). Nous trouvons dans la bande passante une
variation EVM de 8% pour une variation des pertes dinsertion comprise entre -5,5 dB 2,12
GHz (point C) et -3 dB 2,14 GHz (point D), soit une ondulation de 2,5 dB prsente sur une
largeur denviron 35% de la BP. LEVM de rfrence mesur sans le filtre est de 2 %.
Contrairement aux filtres de Butterworth, la frquence centrale ne prsente pas de
minimum dEVM puisque plusieurs oscillations sont prsentes dans la bande passante. Mais le
point de la frquence centrale (point D) reste un point critique dans le test dEVM car il
correspond au minimum des pertes dinsertion. Des pertes plus leves augmentent lerreur en
ce point.
LEVM maximal est atteinte -70%BP (point A) pour la pente gauche avec une valeur
de 48%. La pente droite donne une valeur maximale de 44% 75% de la BP (point B). Les
Point C
Point D
Point A
Point B
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pentes sont lgrement diffrentes, la pente gauche prsente une plus forte variation que celle
de droite suite une valeur maximale de lEVM de 48% plus grande pour un dcalage
maximal plus petit de 70% de la BP.
Ce filtre va servir comme filtre de rfrence et ces valeurs dEVM vont tre compares
celles dautres filtres pour trier les filtres vrifiant les spcifications.
5.6.2 Paramtres critiques pour le test industriel
Neuf filtres sont mesurs pour mettre en uvre la mthode du test industriel. LEVM est
calcule pour quatre points critiques :
Les deux valeurs maximales de lEVM dans les pentes de rjection -70% de la
BP (point A) et 75% de la BP (point B).
La valeur minimale dEVM -35% de la BP o les pertes dinsertion sont
maximales dans la bande passante (point C), ce point est considr comme un
point critique dans la bande passante.
La valeur de lEVM correspondant la frquence centrale (point D).
Les mesures dEVM faites sur un chantillon de filtres CRF montrent que ces quatre
points prsentent les plus grandes dynamiques dEVM.
Nous proposons partir de ces points caractristiques de discriminer les mauvais filtres
dans un test industriel.
Les points extremums peuvent avoir une variation dEVM de 5% alors que toute valeur
dEVM dans la bande passante doit rester infrieure 3% de celle du filtre prototype. Nous
pouvons augmenter ou diminuer les variations imposes suivant la qualit de discrimination
que nous souhaitons.
Avec ces valeurs dEVM, nous pouvons aussi localiser les dfauts dans les filtres
comme le dcalage ou la variation de la bande passante et la variation des pertes dinsertion.
Un dcalage de la bande passante du filtre change la valeur dEVM surtout aux extremums
(points A et B). Une augmentation de la bande passante diminue les valeurs derreur et une
variation des pertes dinsertion change la valeur de lEVM la frquence centrale (point D).
Dans le paragraphe suivant, nous prsentons les rsultats de discrimination du test
industriel faits sur neuf filtres CRF pour quatre points dEVM mesurs.
5.6.3 Test des filtres CRF
Les filtres slectionns pour le test industriel prsentent divers dfauts : des dcalages
de la bande passante gauche ou droite, des variations de la bande passante, des variations
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de la frquence centrale et des pertes dinsertion variables. Les mesures sont faites laide
dun signal QPSK dont la frquence rythme est de 30% de la BP soit un dbit de 18Mbauds/s.
5.6.3.1 Dcision sur le point A
Lhistogramme de la figure 5-22 prsente la variation de lEVM des filtres au point A.
La largeur du signal tant 60% de la BP du filtre couvre une partie de la pente de rjection
gauche et une partie de la bande passante du filtre, do des valeurs dEVM obtenues
relativement leves par rapport celles observes dans la bande passante du filtre.
Avec les conditions de discrimination fixes 5% de la valeur dEVM du filtre de
rfrence, seuls les filtres R1_K14 et R3_K14 sont bons. Tous les autres filtres sont
considrs comme mauvais pour diffrentes raisons.

Histogramme des erreurs des filtres au point A
0%
10%
20%
30%
40%
50%
60%
R
1
_
K
2
R
1
_
K
1
4
R
2
_
K
2
R
2
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K
1
4
R
3
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K
2
R
3
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K
1
4
R
8
_
K
1
4
R
5
_
K
2
R
8
_
K
2
R
1
2
_
K
2
Numro des filtres
E
V
M

(
%
R
M
S
)
Filtre
prototype

Figure 5-22. Histogramme dEVM pour le point dextremum A
Pour des valeurs dEVM suprieures celle du filtre prototype, les filtres considrs
(R1_K2, R5_K2 et R12_K2) prsentent un dcalage droite de la pente de rjection gauche.
Des valeurs dEVM plus petites peuvent tre le rsultat dun dcalage gauche de la pente de
rjection ou une anomalie dans la bande passante du filtre. Dautres points de mesure sont
ncessaires pour localiser leurs dfauts.
5.6.3.2 Dcision sur le point C
La figure 5-17 prsente lhistogramme du point critique dans la bande passante
possdant le minimum derreur. Pour une marge de variation de 3%, les filtres rejeter sont
R5_K2, R1_K2 et R12_K2, les mmes que ceux rejets laide du point A. Les filtres
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prsentent de grandes valeurs dEVM pour le point A et le point C, ce qui justifie aussi un
dcalage de la partie gauche de leurs bandes passantes.

Histogramme des erreurs des filtres au point C
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Filtre
prototype

Figure 5-23. Histogramme dEVM pour le point C de la bande passante
5.6.3.3 Dcision sur le point D
La figure 5-24 illustre les variations dEVM pour le point de la frquence centrale du
filtre (point D). La marge de variation dans la bande passante tant toujours 3%, un
nouveau filtre est discrimin : R2_K14. Les filtres rejets avec les points A et C prsentent
aussi des valeurs dEVM plus leves dues laugmentation des pertes dinsertion la
frquence centrale. Par consquent ces filtres (R1_K2, R5_K2 et R12_K2) prsentent aussi
des dfauts sur leurs pertes dinsertion la frquence centrale.
Le filtre R2_K14 prsente une petite valeur dEVM donc des pertes dinsertion
infrieures celles du filtre prototype pour la frquence centrale.
Une variation des pertes dinsertion la frquence centrale signifie une variation de la
valeur de la bande passante (quand on amorti, on largie la bande passante, notion Gain-
Bande). Par consquent, nous pouvons dire que les filtres ayant une valeur derreur leve ont
des pertes dinsertion leves et une bande passante infrieure celle du filtre prototype et
vice-versa. Lensemble des filtres R1_K2, R5_K2 et R12_K2 ont une bande passante
infrieure et R2_K14 possde une bande passante suprieure au filtre prototype.
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Histogramme des erreurs des filtres au point D
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prototype

Figure 5-24. Histogramme dEVM pour la frquence centrale D
5.6.3.4 Dcision sur le point B
Nous finissons avec le point B (figure 5-25), point dans la pente de rjection droite. Ce
point va nous permettre de dtecter les anomalies dans la partie droite de la bande passante.

Histogramme des erreurs des filtres au point B
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Numro des filtres
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Filtre
prototype

Figure 5-25. Histogramme dEVM pour la frquence centrale, point B
Le filtre R1_K2 prsente aussi une petite valeur dEVM droite, alors ce filtre possde
un dcalage droite de toute sa bande passante avec des pertes dinsertion plus leves et une
bande passante plus troite que celle du filtre prototype.
Les filtres R5_K2 et R12_K2 rejets pour des dfauts dans leurs pentes de rjection
gauche et leurs pertes dinsertion ne prsentent pas de dfaut au point B. Do ces filtres
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possdent donc un dcalage droite de leur pente de rjection gauche ce qui diminue la bande
passante du filtre et augmente les pertes dinsertion la frquence centrale du filtre de
rfrence.
Le filtre R2_K14 prsente une erreur suprieure celle du filtre prototype pour la pente
droite tout en ayant une erreur infrieure au point A, ct pente gauche et des pertes
dinsertion plus faibles dans la bande passante. Ce filtre possde donc une bande passante
dcale gauche et plus large que celle du filtre prototype.
Les filtres R8_K2, R3_K2 et R2_K2 ont des erreurs d'EVM suprieures celle du filtre
de rfrence, ce qui justifie le dcalage gauche de leurs pentes de rjection droite. Ces filtres
possdent une valeur dEVM infrieure au point A et aucune anomalie dans la bande passante
(point C et D), donc ces filtres prsentent des pertes significatives dans la partie gauche de
leur bande passante.
Les filtres R1_K14 et R3_K14 sont des filtres restant toujours dans les valeurs dEVM
requises pour les 4 points de discrimination et rpondent aux exigences.
Le tableau suivant reprend les diffrentes analyses sur les filtres tests.
Point A Point
B
Point
C
Point
D
Localisation des dfauts Rsultat de
discrimination
R1_K2 + - + +
Dcalage BP droite + IL lev
Mauvais
R1_K14 Bon
R2_K2 - +
Dcalage BP gauche
Mauvais
R2_K14 - + -
Dcalage BP gauche+ IL rduit
Mauvais
R3_K2 - +
Dcalage BP gauche
Mauvais
R3_K14 Bon
R5_K2 + + +
BP plus petite et IL lev
Mauvais
R8_K2 - +
Dcalage BP gauche
Mauvais
R12_K2 + + +
BP plus petite et IL lev
Mauvais
Tableau 5-1. Bilan des discriminations sur tous les filtres CRF
En conclusion et en comparant les rsultats de discrimination du test industriel la
rponse frquentielle de chacun des filtres, nous identifions les dfauts dtects par la
mthode de lEVM.
Le temps de ce test se limite au temps du dplacement des sondes qui est estim dans le
chapitre 3 85% du temps total du test tout en considrant que le temps de mesures de 4
points est ngligeable (1000 fois plus court que le test VNA). Ce test permet de saffranchir
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de ltape de calibration ncessitant un temps et une prcision leve dans le cas des autres
techniques de mesures.
5.7 Conclusion
Nous avons prsent une nouvelle mthode de test industriel base dune modulation
numrique QPSK envoye travers un dispositif RF. Les paramtres fournis par ce nouveau
type de test sont hybrides : des paramtres composants tels que le coefficient de transmission
frquentiel moyen en module et phase et un paramtre systme EVM.
Les premiers tests sont faits sur des filtres, les composants les plus critiques dun
systme de transmission en termes de cot du test final. Des analyses balayant la bande
passante des filtres de Butterworth et Tchebychev sont effectues pour comprendre le
comportement de lEVM. Ces analyses ainsi que lanalyse faites sur un filtre prototype CRF
nous a permis de dfinir une mthode de test industriel partir de quelques points de
frquence porteuse caractristiques (4 dans notre cas). La mthode est ensuite teste sur un
chantillon des filtres CRF et compare au test frquentiel pour mettre en uvre sa rapidit et
sa capacit localiser les dfauts dun filtre avec ces points de mesure et des paramtres
simples exploiter. Ce test peut tre effectu avec des instruments beaucoup moins cher
quun VNA et en saffranchissant des tapes de prparation telles que la calibration. Il nous
faut aussi mentionner que ce type de test suppose que les filtres ne prsentent pas de dfaut
majeur d'adaptation en entre. Ce point n'a pas t abord de faon explicite puisque nous
avons montr que l'attnuation du filtre restait dans les limites de ce qui avait t observ avec
les paramtres S. Si les filtres avaient t dsadapts, l'attnuation observe la sortie aurait
t plus importante.
Parmi les volutions de la mthode, nous pouvons envisager de tester les 4 points de
frquences en utilisant un signal de type OFDM avec 4 sous-porteuses. Dautres modulations
peuvent tre exploites pour analyser dautres paramtres tels que la non-linarit des filtres
partir de lEVM ou dautres paramtres tels que le rapport de puissance de bruit (NPR). Des
mesures des filtres CRF soumis de fortes puissances hyperfrquences telles que celles faites
au chapitre 4 devraient galement permettre de mettre en vidence limpact des non-linarits
sur lEVM du filtre et donc sur le TEB.
Le test industriel effectu sur des filtres passe-bande peut tre tendu des filtres passe-
haut ou passe-bas ou dautres composants tels que les amplificateurs, les diviseurs de
puissance, les dphaseurs
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5.8 Rfrences
[Engl-2004] M. Engl et al., Comparison of Time Domain Package Characterization
Techniques using TDR and VNA, Proceedings of 6th EPTC, pp.490-495, Singapore, Dec.
2004.

[Wakayama-2005] C. Wakayama, Correlation between VNA and TDR/TDT extracted S-
parameters up to 20GHz Intel Corporation/University of Washington (White paper) (2005)
[Online]. Available:
http://www.tek.com/products/oscilloscopes/sampling/interconnect_analysis/customer_papers/

[Shafik-2006] R.A. Shafik et al., On the Extended Relationships Among EVM, BER and
SNR as Performance Metrics, ICECE06, pp.408-411, Bangladesh, Dec. 2006.

[Hassun-1997] R. Hassun et al., Effective Evaluation of Link Quality using Error
Vector Magnitude Techniques, Proceedings of Wireless Communications Conference, pp.
89-94, Boulder, CO, USA, Aug. 1997.

[Lin-2007] M. Lin et al. EVM Simulation and its Comparison with BER for Different
Types of Modulation, TENCON 2007, pp. 1-4, Taipei, Nov. 2007.

[Lee-2007] R. Lee et al. Communications Engineering: Essentials for Computer Scientists
and Electrical Engineers, Wiley-IEEE Press, pp. 135-188, Nov. 2007.

[ADS-2011] Advanced Design System (ADS), Version 2011, Agilent Technologies, Santa
Clara, Calif., USA, March 2011.
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Conclusions Gnrales
Conclusions Gnrales
Nous prsentons dans cette thse la modlisation des filtres rsonateurs coupls CRF,
une architecture innovante de filtres ondes de volume (BAW) par reprsentation laide
dun modle lectro-acoustique large bande. Ce modle a ensuite t implant dans un
logiciel de calcul de circuit hyperfrquence ADS. Ce choix a t justifi et nous retiendrons
quil est parfaitement compatible avec les outils de conception de la microlectronique. Il faut
aussi mentionner les limitations de ce choix qui est principalement une modlisation une
dimension, bien que nous ayons t amens ajouter une seconde dimension dans certaines
simulations que nous avons abordes dans le chapitre 3. Le modle que nous avons dvelopp
prend en compte toutes les couches constitutives des structures et intgre aussi les pertes
dilectriques et lastiques.
Ensuite, nous avons prsent la caractrisation et la simulation large bande des
rsonateurs BAW et des filtres pizolectriques CRF. En comparant les mesures et les
simulations des CRF et aprs quelques hypothses, nous avons montr que les plots de
caractrisation RF limitaient les proprits des filtres hors bande. Ce point est important
noter pour les concepteurs qui pourraient obtenir de meilleures performances pour les CRF
hors bande passante en saffranchissant de ces plots quand ils ne sont pas ncessaires.
Dans ce mme chapitre, nous avons tudi une procdure de caractrisation en
frquence des filtres en automatisant le banc de mesure. La caractrisation frquentielle
optimise par Labview qui pilote le fonctionnement du VNA et de la station Cascade donne
un temps de mesure important dont 85 % est ddi aux changes entre le VNA et lordinateur
de contrle. Ce temps de mesure ne permet pas dintgrer le test des filtres dans une chane de
production surtout si le cot du test reprsente 50% du cot du filtre. Nous avons alors
propos et valid une mthode visant rduire le nombre de frquences mesures. Ce test
sest rvl positif mais montre malgr tout des limitations en termes de prcision et de
dtection des dfauts dans le filtre.
Dans le quatrime chapitre, nous avons pu tendre les modles prcdents pour simuler
le comportement non-linaire des rsonateurs BAW et filtres CRF sous fortes puissances. Les
rsonateurs BAW se saturent 32 dBm de puissance dexcitation alors que les filtres CRF
sont plus robustes laugmentation de la puissance avec un point de compression en entre
aux alentours 39 dBm.
Les mesures dans le cas des CRF illustrent la variation du fondamental et de
lharmonique dordre 3 (IM
3
) sous forte puissance. Pour comprendre le comportement non-
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Conclusions Gnrales
linaire de chacune des couches rsonantes, nous avons eu recours aux simulations Harmonic
Balance (HB) sous ADS qui nous permettent de calculer le fondamental et lintermodulation
dordre suprieur pour chaque puissance dentre. Nous avons mis en vidence que les
paramtres qui intervenaient sont le coefficient de raideur lastique, le coefficient
pizolectrique et la permittivit dilectrique, ce qui se traduit par une augmentation de
lamplitude des harmoniques dordres suprieures et qui valide lhypothse dun effet
lctrostrictif dans la couche pizolectrique.
Le dernier chapitre est dvolu une nouvelle mthode de test industriel base dune
modulation numrique QPSK sur porteuse RF place lentre dun dispositif. Les
paramtres fournis par ce nouveau type de test sont hybrides : des paramtres caractristiques
des composant ou des circuits tels quun coefficient moyen et complexe de transmission en
fonction de la frquence et un paramtre caractristique des systmes de transmission
numrique lEVM.
Les premiers tests de mise au point et de validation de la mthode sont effectus sur des
filtres de Butterworth et de Tchebychev, raliss sur circuit imprim. Des analyses sont
effectues en faisant varier la frquence porteuse dans la bande passante des filtres. Les
rsultats obtenus permettent dtudier les variations de lEVM. Ces analyses, ainsi que
lanalyse faite ultrieurement sur un filtre CRF, nous ont permis de dfinir une mthode de
test industriel partir de quelques points caractristiques de la frquence porteuse (4 dans
notre cas). La mthode est ensuite teste sur un chantillon de filtres CRF et les rsultats sont
compars ceux des tests frquentiels raliss avec un analyseur vectoriel de rseaux. Cela
nous permit de montrer lefficacit de la mthode en terme de mise en uvre, de rapidit et de
capacit localiser les dfauts dun filtre avec quelques points de mesure et des paramtres
simples exploiter. Ce test peut tre effectu avec des instruments beaucoup moins chers
quun VNA et en saffranchissant des tapes de prparation telles que la calibration.
Les perspectives de ce travail sont nombreuses. Nous pouvons citer des tudes sur
lutilisation de signaux multi-porteuses comme lOFDM qui permettrait de raliser la
caractrisation en une seule opration, le signal comportant autant de sous-porteuse que de
porteuses dans la mthode que nous avons prsente. Il est aussi envisageable dutiliser
dautres modulations numriques plus complexes qui permettraient de mettre en vidence
dautres caractristiques telles que la non-linarit des filtres partir de lEVM. Des mesures
des filtres soumis de fortes puissances hyperfrquences telles que celles faites au chapitre 4
devraient galement permettre de mettre en vidence limpact des non linarits sur lEVM du
filtre et donc sur le TEB. Enfin, une dernire piste pourrait aussi tre explore moyennant un
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dispositif plus complexe que celui que nous avons utilis et qui consisterait pouvoir obtenir
des informations sur le coefficient de rflexion lentre du filtre. Cette dernire piste nous
ferait quitter le domaine du test permettant de discriminer les filtres pour aller vers la
caractrisation.
La mthode de test que nous avons prsente sur des filtres passe-bande peut tre
tendue des filtres passe-haut ou passe-bas ou dautres composants tels que les
amplificateurs, les diviseurs de puissance, les dphaseurs
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Liste des publications
Journal international
[1] W. Sahyoun, J. M. Duchamp, and P. Benech, Coupled Resonator Filters: Wide-band
modeling, frequency versus pseudo-time characterizations, Microelectronic Engineering,
vol. In Press, Corrected Proof.

[2] W.Sahyoun, J.M.Duchamp and P.Benech, Acoustic, Piezoelectric, and Dielectric
Nonlinearities of AlN in Coupled Resonator Filters for high RF power levels, IEEE UFFC,
vol. In Press, Corrected Proof.
Communications internationales
[1] W.Sahyoun, Ph.Benech, JM.Duchamp, G.Parat, P.Ancey A method reducing the time of
RF test for Coupled Resonator Filters, IEEE Conference on Electronics Circuits and Systems
(ICECS 2009), Dec. 2009, Hammamet, Tunisia

[2] W. Sahyoun, Ph. Benech, N. Corrao, J-M. Duchamp Wide-band modelling of Coupled
Resonator Filters with measurement restrictions, Memswave 2010, July 2010, Otranto, Italy

[3] W.Sahyoun, Ph.Benech, JM.Duchamp Pseudo-time domain filter characterization using
EVM parameter, European Microwave Conference (EuMC 2010), September 2010, Paris,
France

[4] W.Sahyoun, JM.Duchamp, Ph.Benech An improved wide-band model of Coupled
Resonator Filters using two different approaches, Asia Pacific Microwave Conference
(APMC 2010), Dec. 2010, Yokohama, Japan

[5] W.Sahyoun, JM.Duchamp, Ph.Benech Coupled Resonator Filters: Modelling, Wide-
Band frequency and Pseudo-time domains characterizations, Micro&Nano conference, Dec.
2010, Athens, Greece

[6] Walaa Sahyoun, Jean-Marc Duchamp, Philippe Benech Industrial combining RF and
system test of microwave devices using QPSK modulation, International Microwave
Symposium (IMS 2011), June 2011, Baltimore, USA

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[7] Walaa Sahyoun, Jean-Marc Duchamp, Philippe Benech Nonlinear Behavior of AlN in
BAW and CRF devices for high RF Electric Field, European Microwave Integrated Circuits
Conference (EuMIC 2011), October 2011, Manchester, UK
Communications nationales
[1] Walaa Sahyoun, Jean-Marc Duchamp, Nicolas Corao, Philippe Benech, Guy Parat, Pascal
Ancey Etude d'une mthodologie de caractrisation de filtres CRF grande chelle,
Journes nationales Microondes (JNM 2009), Mai 2009, Grenoble, France

[2] Walaa Sahyoun, Philippe Benech, Nicolas Corrao, Jean-Marc Duchamp Modle large
bande des filtres acoustiques CRF caractrisant les restrictions des mesures RF, Journes
nationales Microondes (JNM 2011), Mai 2011, Grenoble, France

[3] Walaa Sahyoun, Philippe Benech, Jean-Marc Duchamp Nouvelle mthode de test de
dispositifs RF base sur lutilisation de modulations numriques, Journes nationales
Microondes (JNM 2011), Mai 2011, Grenoble, France
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Annexe I : Equation de la propagation en mode dpaisseur dune couche pizolectrique
Annexe I : Equation de la propagation en mode dpaisseur
dune couche pizolectrique
Les matriaux pizolectriques sont largement utiliss dans les rsonateurs et filtres
acoustiques. Cependant, il est intressant de comprendre analytiquement les effets
pizolectriques de ce matriau. Nous pouvons considrer deux types de propagation donde :
les ondes longitudinales o le dplacement des particules se fait suivant la propagation de
londe et les ondes transversales appeles ondes de cisaillement o les particules bougent
perpendiculairement la direction de propagation. Dans notre cas, nous tudions le mode de
propagation longitudinal suivant lpaisseur dsigne comme la troisime directeur 3 .
La pizolectricit dcrit une relation linaire entre des termes mcaniques tels que la
dformation (S), la contrainte (T) et des termes lectriques tels que le champ (E) et le
dplacement lectrique (D). Lhypothse de linarit est valable pour des petites variations.
Selon le choix des paramtres, on trouve quatre combinaisons de relation :
Equation de type extensive (forme h) :

+ =
=
3 33 3 33 3
3 33 3 33 3
D S h E
D h S c T
S
D
, (1)
Equation de type intensive (forme d) :

+ =
+ =
3 33 3 33 3
3 33 3 33 3
E S d D
E d S s T
T
E
, (2)
Equation de type mixte (forme g) :

+ =
=
3 33 3 33 3
3 33 3 33 3
D T g E
D g T s S
T
D
, (3)
Equation de type mixte (forme e) :

+ =
=
3 33 3 33 3
3 33 3 33 3
D S e D
E e S c T
S
E
, (4)
Avec E (V/m), D (C/m) des tenseurs dordre 1 et T (N/m), S (m/m) tenseurs dordre 2.
T
et
S
: tenseur de permittivit dilectrique dordre 2 en F/m T ou S constant.
T
et
S
: tenseur dimpermabilit dilectrique dordre 2 en m/F T ou S constant.
h
33
: tenseur de constante pizolectrique dordre 3 en V/m ou N/C.
Les autres tenseurs pizolectriques dordre 3 sont d
33
(en C/N ou m/V), g
33
(en Vm/N ou
m/C) et e
33
(en C/m ou N/Vm).
S
E
et s
D
: tenseur de souplesse lastique dordre 4 en m/N E ou D constant.
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c
E
et c
D
tenseur de raideur lastique dordre 4 en N/m E ou D constant.
Chacun de ces coefficients peut tre exprim en fonction des autres en passant dun type
dquations un autre. Par exemple pour passer de la forme h e, on exprime la raideur
lastique c comme suivant :

33 33 33 33
h c c
E D
+ = , (5)
En considrant la propagation en mode dpaisseur, les dimensions latrales tant assez
larges que celle de la direction de propagation ne subissent pas de dplacements et donc les
conditions limites mcaniques sont: S
1
=S
2
=0 (dformation longitudinale) et S
4
=S
5
=S
6
=0
(dformation de type cisaillement).
Selon Maxwell, un milieu dilectrique isolant o pas de pertes de flux lectriques
considre que : D
1
=D
2
=0 et 0
3 3
= x D (conditions limites lectriques).
D et S sont choisis dans les conditions limites comme des variables indpendantes, on
utilise les quations constitutives de type h. Dans le cas dun dplacement lectrique constant
D, et en se basant sur la relation de Newton :

2
3
3
2
33
2
3
2
x
u c
t
u
D
, (6)
Avec u
3
le dplacement de la particule dans la troisime direction et la densit volumique du
matriau pizolectrique.
Lquation rgissant le dplacement de la particule est la suivante
( ) ( ) ( ) | |
t j D D
e v x B v x A t x u

3 3 3 3
cos sin , + = , (7)
Avec v
D
la vitesse acoustique de la particule exprime en fonction des proprits du matriau
pizolectrique : ( ) ( ) ( )
2 / 1
33 33 33
2 / 1
33
h c c v
E D D
+ = = .
Les conditions aux limites donnent T
3
=0 pour x
3
=0 (on trouve A) et d (idem B), notons
que la dformation est exprime comme suit :
3 3 3
x u S = .
( ) ( ) ( )
t j D
D
D
D
D
e v x
v
t
tg v x
c
D h v
t x u

=
3 3
33
3 33
3 3
cos
2
sin , , (8)
Avec d lpaisseur de la couche pizolectrique. Limpdance lectrique donne :

(
=
D
D
t
v t
v t tg
k
C j
Z
2
2
1
1
2
0

, (9)
Avec ( )
S
d Surface C
33 0
= , la capacit statique de la lame pizolectrique et ( )
D S
t
c e k
33 33
2
33
2
= ,
le coefficient de couplage lectromcanique dans le matriau pizolectrique.
t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

N
o
v

2
0
1
1
La frquence de rsonance f
r
et dantirsonance f
a
correspondent aux minima et maxima
dimpdance. Pour des pertes ngligeables, la couche pizolectrique prsente f
r
=f
s
(frquence
srie) et f
a
=f
p
(frquence parallle). On peut exprimer f
a
et k
t
comme suit :

|
|
\
|
=
=
a
r a
a
r
t
D
a
f
f f
tg
f
f
k
d v f
2 2
2
2

, (10)
Si les frquences f
r
et f
a
sont proches de faon que | f
r
-f
a
|<<f
a
, on peut simplifier
lexpression du facteur de couplage :

a
r a
a
r
t
f
f f
f
f
k

=
4
2
2

, (11)
Les matriaux non pizolectriques utilisent les mmes quations que les prcdentes de
1 4 avec des tenseurs pizolectriques nuls.
t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

N
o
v

2
0
1
1

t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

N
o
v

2
0
1
1
Annexe II : Proprits des matriaux
Annexe II : Proprits des matriaux
Les simulations du CRF ncessitent les proprits des matriaux donnes dans le
tableau 1 pour le calcul des paramtres S.
Matriau AlN Mo SiO
2
W SiN Si
Vitesse acoustique v (m/s) 11150 5200 5800 4500 13000 8400
Densit (g/m) 3380 10220 2200 19300 1800 2340
Epaisseur (nm) 1230 400 710 610 200

Tableau 1. Valeurs des proprits acoustiques des matriaux
La couche dAlN prsente une permittivit relative relle
r
de 8,4 et de coefficient de
pizolectricit de 1,38 N/V.m et un coefficient lastique 420 GPa. Les pertes sont modlises
par une rsistance dlectrode de 0,5 , une partie imaginaire de la constante de raideur
c
33i
=1,1 GPa, langle de perte dilectrique tg () = 0,005. Le rsonateur suprieur du CRF
possde une surface apodise de 21080 m.
t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

N
o
v

2
0
1
1

t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

N
o
v

2
0
1
1
Annexe III : Calibration sous forte puissance
Annexe III : Calibration sous forte puissance
Le modle derreur Response fournit une correction de lerreur des paramtres de
transmission ou rflexion du signal traversant le DST. Ce modle est appropri pour des
mesures de transmission des dispositifs adapts, ayant des faibles pertes et pour des mesures
de rflexions o le vecteur de normalisation du module et de la phase permet davoir une
prcision suffisante des mesures.
Pour des mesures de rflexions, nous utilisons un open ou un short , et un
thru pour des mesures de transmissions.
La calibration est faite sous forte puissance, pour prendre en considration les erreurs
qui peuvent tre gnres en augmentant la puissance lentre du DST.

Figure 1 Calibrage test de type response en transmission (gauche) et en rflexion (droite)
La calibration utilise dans nos mesures est de type transmission response pour
inclure les deux ports A et B dans la correction derreur. La calibration reflection response
corrige les erreurs sur un des ports du VNA.
La mesure est effectue sur un thru et normalise par rapport un modle idale dune
rponse dun thru illustr sur la figure 2 (0dB perte dinsertion et 0 de dcalage de phase).

Figure 2 Mesure S
21
dun thru sans (gauche) et avec (droite) calibration response
t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

N
o
v

2
0
1
1

t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

N
o
v

2
0
1
1
Annexe IV : Simulations HB du CRF sous forte puissance
L'quilibre harmonique est une technique danalyse dans le domaine frquentiel des
circuits et systmes ayant un comportement non linaire. Ce type de simulation ralise avec
ADS dAgilent est bien adapt aux circuits micro-ondes analogiques. La simulation HB sert
calculer dans notre cas : le point de compression 1 dB, le point dinterception dordre 3 IP
3

et lintermodulation IMD.
Les simulations en paramtres S et en courant alternatif (AC) ne donnent aucune
information sur le comportement non linaire des circuits RF. Les simulations de type
transitoire ( transcient ) par contre, consomment beaucoup de temps et de mmoire et le pas
dans le temps doit correspondre la plus grande frquence alors que la priode de simulation
doit tre suffisamment grande pour observer une priode complte de la plus basse frquence
des harmoniques.
La simulation HB permet davoir des simulations des circuits avec plusieurs frquences
dentre. Cela permet de calculer les frquences dintermodulation, les diffrentes
harmoniques et la conversion entre les harmoniques.
Le principe de la mthode HB est itratif. Il est bas sur lhypothse que pour une
excitation sinusodale donne, il existe une solution stable qui peut tre approxime avec une
prcision satisfaisante par le biais dune srie de Fourier. Par consquent, les tensions des
nuds du circuit prennent des valeurs damplitude et de phase pour toutes les frquences
gnres par la source.
Pour les lments linaires y compris les lments distribus, les courants des nuds
sont calculs laide dune simple analyse linaire dans le domaine frquentiel. Dans le cas
d'lments non linaires, les courants des nuds sont traits dans le domaine temporel puis
transforms dans le domaine frquentiel laide de lanalyse de Fourier.
En se basant sur la loi des courants de Kirchoff (KCL), la somme des courants de
chaque harmonique de tous les nuds doit tre nulle. La probabilit dobtenir ce rsultat ds
la premire itration est extrmement faible.
La figure 1 prsente les simulations Harmonic Balance du CRF sous forte puissance
injecte en entre. Nous prsentons les paramtres non linaires ( )
33
c , e
33
and ( )
33
par
Re (c33_nl), e33_nl and Re (epsilon_nl) dans la figure 1 en fonction de lamplitude du champ
lectrique E calcul partir de la puissance lentre pin .
t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

N
o
v

2
0
1
1
P_nTone
PORT3
P[2]=dbmtow(pin)
P[1]=dbmtow(pin)
Freq[2]=f1 GHz
Freq[1]=f2 GHz
Z=50 Ohm
Num=3
HarmonicBalance
HB1
Order[2]=5
Order[1]=5
Freq[2]=f2 GHz
Freq[1]=f1 GHz
HARMONIC BALANCE
vcapa4
vcapa3
vout
Couche 5 Br agg Si O2
El ect r ode Mo bas
El ect r ode Mo bas
Couche 4 Br agg W
Couche 2 Br agg W
Seed l ayer
Pi ezo Al N bas
Couche 3 Si O 2
Couche 2 W
Couche 1 Si O 2
Seed l ayer
Char ge mecani que Si N
Couche pi ezo Al N
El ect r ode super i eur e Mo
El ect r ode i nf er i eur e Mo
vi n
vcapa2
vcapa1
Pi ezo Al N bas
Couche 5 Br agg Si O 2
Couche 3 Si O2
Couche 2 W
Couche 1 Si O2
Couche 2 Br agg W
Co up l i ng La ye r
Couche 4 Br agg W
El ect r ode Mo sup
El ect r ode Mo i nf
Seed l ayer 1 Al N
Seed l ayer 2 Al N
El ect r ode sper i eur e Mo
Couche pi ezo Al N
Char ge mecani que Si N
El ect r ode i nf er i eur e Mo
Model e du CRF
I _Pr obe
I _vcapa4
Nonl i nC
C2
Coef f =l i st ( 0, d)
Z1P_Eqn
Z1P53
Z[ 1, 1] =ZCH
Nonl i nC
C4
Coef f =l i st ( 0, c)
I _Pr obe
I _vcapa3
Ter m
Ter m2
Z=50 Ohm
Num=2
I _Pr obe
I _Pr obe2
R
R4
R=5M Ohm
Chai n
Chai n2
D=Nt H
C=0
B=0
A=1/ Nt H
Z1P_Eqn
Z1P116
Z[ 1, 1] =X2B5
Z1P_Eqn
Z1P99
Z[ 1, 1] =X2haut
Z1P_Eqn
Z1P100
Z[ 1, 1] =X1haut
Z1P_Eqn
Z1P101
Z[ 1, 1] =X1haut
Z1P_Eqn
Z1P98
Z[ 1, 1] =- ZCH
Z1P_Eqn
Z1P55
Z[ 1, 1] =X1B4
Z1P_Eqn
Z1P56
Z[ 1, 1] =X1B4
Z1P_Eqn
Z1P79
Z[ 1, 1] =X2B4
Z1P_Eqn
Z1P60
Z[ 1, 1] =X1B2
Z1P_Eqn
Z1P59
Z[ 1, 1] =X1B2
Z1P_Eqn
Z1P81
Z[ 1, 1] =X2B2
Z1P_Eqn
Z1P58
Z[ 1, 1] =X1B3
Z1P_Eqn
Z1P57
Z[ 1, 1] =X1B3
Z1P_Eqn
Z1P114
Z[ 1, 1] =X1B5
Z1P_Eqn
Z1P115
Z[ 1, 1] =X1B5
Z1P_Eqn
Z1P80
Z[ 1, 1] =X2B3
Z1P_Eqn
Z1P61
Z[ 1, 1] =X1B1
Z1P_Eqn
Z1P62
Z[ 1, 1] =X1B1
Z1P_Eqn
Z1P82
Z[ 1, 1] =X2B1
Z1P_Eqn
Z1P64
Z[ 1, 1] =X1sl 1
Z1P_Eqn
Z1P63
Z[ 1, 1] =X1sl 1
Z1P_Eqn
Z1P78
Z[ 1, 1] =X2sl 1
Z1P_Eqn
Z1P68
Z[ 1, 1] =X1Mo1i nf
Z1P_Eqn
Z1P70
Z[ 1, 1] =X1Mo1i nf
Z1P_Eqn
Z1P71
Z[ 1, 1] =X1Mo1sup
Z1P_Eqn
Z1P73
Z[ 1, 1] =X1Mo1sup
Z1P_Eqn
Z1P72
Z[ 1, 1] =X2Mo1sup
Z1P_Eqn
Z1P69
Z[ 1, 1] =X2Mo1i nf
Z1P_Eqn
Z1P90
Z[ 1, 1] =X1c2
Z1P_Eqn
Z1P89
Z[ 1, 1] =X1c2
Z1P_Eqn
Z1P92
Z[ 1, 1] =X2c2
Z1P_Eqn
Z1P86
Z[ 1, 1] =X1c1
Z1P_Eqn
Z1P91
Z[ 1, 1] =X2c1
Z1P_Eqn
Z1P93
Z[ 1, 1] =X2c3
Z1P_Eqn
Z1P84
Z[ 1, 1] =X1c3
Z1P_Eqn
Z1P85
Z[ 1, 1] =X1c3
Z1P_Eqn
Z1P67
Z[ 1, 1] =X2bas
Z1P_Eqn
Z1P66
Z[ 1, 1] =X1bas
Z1P_Eqn
Z1P65
Z[ 1, 1] =X1bas
Z1P_Eqn
Z1P88
Z[ 1, 1] =X1c1
Z1P_Eqn
Z1P108
Z[ 1, 1] =X2sl 2
Z1P_Eqn
Z1P109
Z[ 1, 1] =X1sl 2
Z1P_Eqn
Z1P110
Z[ 1, 1] =X1sl 2
Z1P_Eqn
Z1P83
Z[ 1, 1] =ZSi
Z1P_Eqn
Z1P96
Z[ 1, 1] =X2Mo2sup
Z1P_Eqn
Z1P74
Z[ 1, 1] =X1Mo2sup
Z1P_Eqn
Z1P97
Z[ 1, 1] =X1Mo2sup
Z1P_Eqn
Z1P87
Z[ 1, 1] =X1Mo2i nf
Z1P_Eqn
Z1P54
Z[ 1, 1] =X1Mo2i nf
Z1P_Eqn
Z1P94
Z[ 1, 1] =X2Mo2i nf
R
Rel ect r odes1
R=Rel ect r odes Ohm
Z1P_Eqn
Z1P77
Z[ 1, 1] =Zai r
Z1P_Eqn
Z1P75
Z[ 1, 1] =X1ch
Z1P_Eqn
Z1P76
Z[ 1, 1] =X1ch
Z1P_Eqn
Z1P95
Z[ 1, 1] =X2ch
Nonl i nC
C6
Coef f =l i st ( 0, ebas)
Nonl i nC
C8
Coef f =l i st ( 0, g)
Nonl i nC
C7
Coef f =l i st ( 0, f )
R
R5
R=5M Ohm
Z1P_Eqn
Z1P103
Z[ 1, 1] =- ZCB
Z1P_Eqn
Z1P102
Z[ 1, 1] =ZCB/ 2
Z1P_Eqn
Z1P104
Z[ 1, 1] =- ZCB
Chai n
Chai n5
D=Nt B
C=0
B=0
A=1/ Nt B
Chai n
Chai n4
D=Nt B
C=0
B=0
A=1/ Nt B
P_nTone
PORT3
P[ 2] =dbmt ow( pi n)
P[ 1] =dbmt ow( pi n)
Fr eq[ 2] =f 1 GHz
Fr eq[ 1] =f 2 GHz
Z=50 Ohm
Num=3
R
Rel ect r odes
R=Rel ect r odes Ohm
Z1P_Eqn
Z1P7
Z[ 1, 1] =ZCH
Z1P_Eqn
Z1P16
Z[ 1, 1] =X2ch
Z1P_Eqn
Z1P17
Z[ 1, 1] =Zai r
Z1P_Eqn
Z1P15
Z[ 1, 1] =X1ch
Z1P_Eqn
Z1P14
Z[ 1, 1] =X1ch
Z1P_Eqn
Z1P9
Z[ 1, 1] =X2Mo2sup
Z1P_Eqn
Z1P10
Z[ 1, 1] =X1Mo2sup
Z1P_Eqn
Z1P8
Z[ 1, 1] =X1Mo2sup
Z1P_Eqn
Z1P11
Z[ 1, 1] =X1Mo2i nf
Z1P_Eqn
Z1P13
Z[ 1, 1] =X1Mo2i nf
Z1P_Eqn
Z1P12
Z[ 1, 1] =X2Mo2i nf
Z1P_Eqn
Z1P33
Z[ 1, 1] =ZSi
Z1P_Eqn
Z1P107
Z[ 1, 1] =X2sl 2
Z1P_Eqn
Z1P106
Z[ 1, 1] =X1sl 2
Z1P_Eqn
Z1P105
Z[ 1, 1] =X1sl 2
Z1P_Eqn
Z1P43
Z[ 1, 1] =X1c1
Z1P_Eqn
Z1P37
Z[ 1, 1] =X2c3
Z1P_Eqn
Z1P35
Z[ 1, 1] =X1c3
Z1P_Eqn
Z1P36
Z[ 1, 1] =X1c3
Z1P_Eqn
Z1P51
Z[ 1, 1] =X2bas
Z1P_Eqn
Z1P50
Z[ 1, 1] =X1bas
Z1P_Eqn
Z1P52
Z[ 1, 1] =X1bas
Z1P_Eqn
Z1P42
Z[ 1, 1] =X1c1
Z1P_Eqn
Z1P41
Z[ 1, 1] =X2c1
Z1P_Eqn
Z1P40
Z[ 1, 1] =X1c2
Z1P_Eqn
Z1P39
Z[ 1, 1] =X1c2
Z1P_Eqn
Z1P38
Z[ 1, 1] =X2c2
Z1P_Eqn
Z1P44
Z[ 1, 1] =X1Mo1sup
Z1P_Eqn
Z1P45
Z[ 1, 1] =X1Mo1sup
Z1P_Eqn
Z1P46
Z[ 1, 1] =X2Mo1sup
Z1P_Eqn
Z1P49
Z[ 1, 1] =X1Mo1i nf
Z1P_Eqn
Z1P47
Z[ 1, 1] =X1Mo1i nf
Z1P_Eqn
Z1P48
Z[ 1, 1] =X2Mo1i nf
Z1P_Eqn
Z1P19
Z[ 1, 1] =X1sl 1
Z1P_Eqn
Z1P18
Z[ 1, 1] =X1sl 1
Z1P_Eqn
Z1P20
Z[ 1, 1] =X2sl 1
Z1P_Eqn
Z1P22
Z[ 1, 1] =X1B1
Z1P_Eqn
Z1P21
Z[ 1, 1] =X1B1
Z1P_Eqn
Z1P23
Z[ 1, 1] =X2B1
Z1P_Eqn
Z1P112
Z[ 1, 1] =X2B5
Z1P_Eqn
Z1P111
Z[ 1, 1] =X1B5
Z1P_Eqn
Z1P113
Z[ 1, 1] =X1B5
Z1P_Eqn
Z1P34
Z[ 1, 1] =X1B3
Z1P_Eqn
Z1P29
Z[ 1, 1] =X1B3
Z1P_Eqn
Z1P28
Z[ 1, 1] =X2B3
Z1P_Eqn
Z1P25
Z[ 1, 1] =X1B2
Z1P_Eqn
Z1P24
Z[ 1, 1] =X1B2
Z1P_Eqn
Z1P26
Z[ 1, 1] =X2B2
Z1P_Eqn
Z1P31
Z[ 1, 1] =X1B4
Z1P_Eqn
Z1P32
Z[ 1, 1] =X1B4
Z1P_Eqn
Z1P30
Z[ 1, 1] =X2B4
Chai n
Chai n1
D=Nt H
C=0
B=0
A=1/ Nt H
Z1P_Eqn
Z1P3
Z[ 1, 1] =X2haut
Z1P_Eqn
Z1P5
Z[ 1, 1] =X1haut
Z1P_Eqn
Z1P6
Z[ 1, 1] =X1haut
R
R3
R=5M Ohm
Z1P_Eqn
Z1P1
Z[ 1, 1] =- ZCH
I _Pr obe
I _vcapa1
I _Pr obe
I _vcapa2 Nonl i nC
C3
Coef f =l i st ( 0, b)
Nonl i nC
C5
Coef f =l i st ( 0, a)
VAR
Top_piezo
X2top_nl=ZAlN_nl/(j*sin(2*pi*freq*dptop/VAlN_nl))
X1top_nl=j*ZAlN_nl*tan(2*pi*freq*dptop/(2*VAlN_nl))
Ctop_nl=Epsilon_nl*S/dptop
Ntop_nl=S/dptop*e33_nl
ZAlN_nl=Rho_AlN*VAlN_nl*S
VAlN_nl=sqrt(c33_nl/Rho_AlN)
epsilon_nl=Re(epsilon_nl)+j*7.4e-15
Re(epsilon_nl)=(0.08*E)^2+7.4e-11
e33_nl=0.023*(E-15.5)+1.38
c33_nl=Re(c33_nl)+j*1e9
Re(c33_nl)=1.52*(E-12.5)+420e9
E=sqrt(pin*100)/dptop
cte=1e9
dptop=1.22e-6
Eqn
Var

Figure 1. Simulation HB du circuit lectro-acoustique du CRF sous ADS
Lquation de Re (c33_nl) est introduite pour calculer la vitesse acoustique non linaire,
limpdance acoustique non linaire et les impdances lastiques non linaires de la couche
dAlN suprieure dsigne dans le circuit ADS respectivement par VAlN_nl, ZAlN_nl,
X1top_nl et X2top_nl.
Le coefficient pizolectrique non linaire e33_nl apparat dans le rapport de
transformation non linaire Ntop_nl pour la couche dAlN suprieure et la permittivit non
linaire Re (epsilon_nl) donne une capacit statique non linaire Ctop_nl.
Les simulations HB du circuit lectro-acoustique du CRF donnent le module en
transmission aux frquences fondamentales (f
1
, f
2
) et les produits dintermodulation (2f
2
-f
1
,
2f
1
-f
2
) de la figure 2. Les pertes dinsertion sont alors calcules comme la diffrence entre la
puissance en sortie en dBm (vout) 2,14 GHz (figure 2) et la puissance en entre pin.
t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

N
o
v

2
0
1
1
2.135 2.145 2.125 2.150
0
20
-20
40
freq, GHz
d
b
m
(
v
o
u
t
)

Figure 2. Les modules en dbm des frquences fondamentales et des produits dintermodulation du
circuit CRF simuls sous HB dADS
t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

9

N
o
v

2
0
1
1

t
e
l
-
0
0
6
3
9
4
2
7
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

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Glossaire
Glossaire

ADS: Advanced Design System
AGR: Air Gap Resonator
AlN: Aluminium Nitride
AMPS: Advanced Mobile Phone System
BAW: Bulk Acoustic Wave
BER: Bit Error Rate
BiCMOS: Bipolar CMOS
BVD: Butterworth-Van Dyke model
CDMA: Code Division Multiple Access
CMOS: Complementary Metal-Oxide Semiconductor
CRF: Coupled Resonator Filter
CSD: Chemical Solution Deposition
DSO: Digital Storage Oscilloscope
EDGE: Enhanced Data Rates for Global Evolution
ESG: Vector Signal Generator
EVM: Error Vector Magnitude
FBAR: Film Bulk Acoustic Wave
FFT: Fast Fourier Transfromation
HBAR: High Overtone Bulk Acoustic Wave Resonator
HDTV: High Definition TV
HSDPA: High Speed Downlink Packet Access
GPRS: General Packet Radio System
GSM: Global System for Mobile Communication
IM: InterModulation Product
IMT: International Mobile Telecommunications
IP: Internet Protocol
IP3: Third order Intercept Point
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: Electromechanical Coupling coefficient
KLM: Krimholtz Leedom and Matthae model
LNA: Low Noise Amplifier
LRM: Line-Reflect-Match
LRRM: Line-Reflect-Reflect-Match
LTE: Long Term Evolution
MMIC: Monolithic Microwave Integrated Circuits
MMS: Multimedia Message Service
NMT: Nordic Mobile Telephone
OFDM: Orthogonal Frequency Division Multiplexing
PA: Power Amplifier
PCB: Printed Circuit Board
PZT: Plomb Zirconium Titanium
QPSK: Quadrature Phase Shift Keying
SAW: Surface Acoustic Wave
SCF: Stacked Crystal Resonator
SMR: Solidly Mounted Resonator
SMS: Short Message Service
SNR: Signal to Noise Ratio
SOLT: Short Open Load Thru
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Glossaire
TACS: Total Access Communication System
TDMA: Time Domain Multiple Access
TDR: Time Domain Reflectometry
TRL: Thru Reflect Line
UMTS: Universal Mobile Telecommunications Access
VNA: Vector Network Analyzer
VSA: Vector Signal Analyzer
WCDMA: Wide Code division Multiple Access
Wifi: Wireless Fidelity
WiMax: Worldwide Interoperability for Microwave Access
ZnO: Zinc Oxide
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Rsum et Abstract
Rsum
Les systmes de tlcommunications actuels ncessitent des filtres passe bande fonctionnant des
frquences comprises entre 1 GHz et 10 GHz pour les systmes les plus rpandus, notamment la tlphonie
mobile. Les filtres actuels sont reports, donc non intgrs sur silicium. Ils prsentent certains
inconvnients : cot, place occupe, incompatibilit avec les technologies siliciumUne solution consiste
utiliser des rsonateurs ondes de volume, plus communment appels BAW (Bulk Acoustic Waves). Ils
prsentent l'avantage d'tre intgrables sur silicium. De nouvelles architectures nommes CRF (Coupled
Resonator Filter) font appel des rsonateurs ondes de volume (BAW) mais aussi des structures
utilisant des couplages acoustiques entre diffrentes couches. L'objectif du travail propos est de modliser
les structures actuelles et en cours d'tudes pour obtenir des modles de type circuits lectriques. Ces
modles seront valids par des mesures effectues au laboratoire sur des rsonateurs BAW et sur des filtres
qui sont raliss par nos partenaires. La premire partie des tudes portait sur le comportement RF sous
faible et forte puissances, suivi du dveloppement dun modle large bande simul sous ADS dcrivant le
comportement des filtres BAW sous faible et forte puissances. Une optimisation du temps de mesure en
frquence est effectue pour rduire le temps du test RF.
La seconde partie de la thse est oriente vers le dveloppement d'une nouvelle mthode de test pseudo-
temporelle des filtres hyperfrquences qui consiste mesurer directement leur impact sur un signal
numrique grce au paramtre EVM (Error Vector Magnitude). Ce paramtre est reli au BER et nos
travaux montrent quil permet galement de retrouver en partie les paramtres S et dtecter les filtres
dfaillants partir dune seule mesure. Cette nouvelle technique permettant le test de filtres partir dun
seul point de mesure permet de rduire le temps et le cot de caractrisation des fins industrielles. Ce
travail s'est droul dans un cadre de collaborations avec le LETI et STMicroelectronics au sein du projet
FAST labellis par le ple MINALOGIC.

Mots cls :
ADS, BAW, caractrisation sous forte puissance, caractrisation pseudo-temporelle, cot du test
industriel, CRF, EVM, filtres RF, Modle large bande.
Abstract
The telecommunication systems require pass band filters operating between 1 GHz and 10 GHz for most of
the popular radio communication system including the mobile phones. The current filters that are not
integrated on silicon present some inconveniences such as cost, surface occupied and incompatibility with
silicon technology. The solution consists on using Bulk Acoustic Wave resonator called BAW that has the
advantage of being integrated on silicon. Innovative architectures called CRF (Coupled Resonator Filter)
are based on BAW resonator and use acoustic coupling between different layers. To understand the design
and the functioning of these structures, finite element software can be used which requires significant
computing time. The objective of our work is modelling the existing and coming structures with models
made of electrical circuits. These models will be validated on BAW filters designed by our partners (CEA-
LETI) and measured in our laboratory. In the first part, we develop an electro-acoustical wide band model
of BAW and CRF filters simulated with ADS software for low and high RF powers. Optimization of
measurement in the frequency domain is made to reduce the time of RF test.
The second part of the thesis is directed towards the development of a new method of pseudo-time domain
test of RF filters, which consists on measuring directly their impact on a digital signal with the parameter
EVM (Error Vector Magnitude) that is related to BER. Our work shows that we can also find some of S
parameters and detect the defected filters from a single measurement extraction. This new technique of
filter testing with a single measurement point allows reducing time and cost of test for industrial purposes.
This work takes place within collaboration with CEA-LETI and STMicroelectronics in the project FAST
labelled by MINALOGIC pole

Keywords :
ADS, BAW, High power characterization pseudo-time domain characterization, cost of industrial test,
CRF, EVM, RF filters, wide band model.

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