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DIMM
DDRIII Estos mdulos pueden transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800-1600 MHz, comparado con el rango actual del DDR 2 de 533-800 MHz 200-400 MHz del DDR. Se prev que la tecnologa DDR 3 sea dos veces ms rpida que la DDR 2, la memoria con mayor velocidad hoy en da, y el alto banda ancha que prometi ofrecer DDR 3 es la mejor para la combinacin de un sistema dual y procesadores quad core.
PROM
Las celdas de memoria de una EEPROM estn constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal esta cortado y la salida proporciona un 1 lgico. Aunque una EEPROM puede ser leda un nmero ilimitado de veces, slo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un milln de veces. Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como IC, SPI y Microwire. En otras ocasiones, se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez. FLASH MEMORY