HDR Lissorgues

Universit de Marne-La-Valle
HABILITATION A DIRIGER LES RECHERCHES

Spcialit : Electronique et Traitement du Signal
prsente et soutenue publiquement par

Galle Lissorgues
Professeur Associe au Groupe ESIEE
Le 6 octobre 2006
Contribution ltude de micro-dispositifs lectro-
mcaniques destins des applications radiofrquences ou
hyperfrquences MEMS RF
Du composant simple vers des fonctions plus complexes.

Contribution to the study of Micro Electro Mechanical Systems for RF
applications From basic components to complex functions.

Jury
M. Jean Aubert, IEF Rapporteur
M. Adrian Ionescu, EPFL Rapporteur
M. Raymond Qur, XLIM Rapporteur
M. Lionel Buchaillot, IEMN Examinateur
M. Francis Pressecq, CNES Examinateur
Mme Odile Picon, UMLV Examinatrice
M. Pierre Nicole, THALES Invit

UMLV

A Lisa

Remerciements
Je tiens trs sincrement remercier lensemble des membres du jury qui ont accept
dexaminer mes travaux, en particulier les rapporteurs de cette habilitation.
Je remercie lensemble du laboratoire SIGTEL de lESIEE pour ses encouragements et
lambiance agrable de travail qui rgne au quotidien.
Je remercie le Service des Moyens en Micro-lectronique et Micro-systmes de lESIEE pour
ses conseils prcieux et son aide lors des tapes de fabrication en salle blanche, plus
particulirement Lionel Rousseau et Frdric Marty qui mont largement fait profiter de leur
exprience.
Je remercie chaleureusement Paul Bildstein de mavoir propos de travailler mon arrive au
Groupe ESIEE sur les systmes tl-aliments, thme qui fut lorigine de mon orientation
russie vers les MEMS RF.
Je tiens aussi tmoigner toute mon amiti Patrick Sangouard qui a largement particip
ma formation en salle blanche mes dbuts.
Je remercie Elodie Richalot et Odile Picon pour leur confiance dans les travaux communs que
nous avons mens lUniversit de Marne-La-Valle, ainsi que lquipe ESYCOM dans son
ensemble pour lattention porte mes recherches.
Je tiens aussi remercier Pierre Nicole pour les ides souvent innovantes quil me propose
rgulirement, et pour la confiance rciproque qui sest instaure entre nous.

Enfin, je remercie de tout mon cur ma famille et mes proches pour leur soutien sans faille.
Et il me faudra encore attendre quelques annes avant que mes filles, Cla, ge de 5 ans, et
Lisa, de 18 mois, me demandent ce que signifient les mots MEMS RF et HDR

Rsum
Les activits de recherche prsentes correspondent la synthse de mes travaux depuis fin 1997 et
portent sur ltude de MEMS RF, appellation anglo-saxonne signifiant "Micro-Electro-Mechanical-
Systems for Radio Frequency applications"; ce qui dsigne des micro-dispositifs lectro-mcaniques
(micro-structures, micro-composants plus souvent que microsystmes) destins des applications
radiofrquences ou hyperfrquences, typiquement au del de 500MHz. Le chapitre I du document est
donc consacr un tat de l'art sur les MEMS RF, avec la mise en vidence des principaux
laboratoires travaillant dans ce domaine, en France et en Europe principalement.
La premire tude sur laquelle j'ai travaill portait sur un dispositif de translation de frquence base
de micro-capacits variables fonctionnant entre 1 et 2 GHz qui fait lobjet du Chapitre II. Ces premiers
travaux m'ont alors permis de dgager deux axes importants sur lesquels j'ai ensuite concentr mes
efforts dans le cadre du laboratoire ESIEE-ESYCOM:
- les lignes de transmission sur silicium faible pertes, entre 1 et 40 GHz (tude traite en dtails
dans le Chapitre III, correspondant un travail de thse en co-suivi avec lUniversit Marne-
La-Valle)
- les micro-composants passifs accordables entre 1 et 20 GHz (tude traite en dtails dans le
Chapitre IV, correspondant deux thses, lune en CIFRE avec THALES et lUniversit Paris
VII, et lautre sur une bourse DGA avec lUniversit Paris XI)
Dautres thmes en lien direct avec les prcdents ont vu le jour plus rcemment, comme le problme
de la tenue en puissance RF des MEMS, avec une ouverture vers les systmes dcharge localise
(effet de pointes et vacuum electronics), la fiabilit, la reconfigurabilit (en particulier, antennes base
de MEMS et systmes de radiocommunications reconfigurables) ou les difficults lies
l'encapsulation des MEMS RF (apport du "System in Package", ou problmatique de l'encapsulation
sous vide). Ces diffrentes perspectives de recherche sont voques dans le Chapitre V, et sinscrivent
en parallle de 3 suivis de thse. Les questions de reconfigurabilit et de tenue en puissance des
MEMS RF sont aussi largement tudies dans le cadre du projet europen RETINA qui a dmarr en
Fvrier 2005.
Enfin, le Chapitre VI correspond la description dtaille de mon CV, incluant les activits
denseignement, ainsi que la liste de mes publications.

Mots Cls : MEMS RF, micro-technologies, composants passifs radiofrquences, systmes de
radiocommunications reconfigurables, antennes, encapsulation, mission lectronique.
Abstract

The document is a synthetis on the research and development activities of Galle Lissorgues, associate
professor at ESIEE-ESYCOM, during the period 1997 2006.
Her main research topic deals with RF MEMS for Radio Frequency Micro-Electro-Mechanical-
Systems, and works presented are the following:
- a frequency modulator based on tuneable micro-capacitors operating between 1 and 2 GHz
- very low loss transmission lines on silicon, between 1 and 40GHz
- passive tuneable micro-components (L and C) between 1 and 20GHz
- high power handling capabilities of RF MEMS, with new projects based on field emission and
vacuum electronics
Some other recent topics, like reconfigurable radiocommunication systems and MEMS based antenna,
or System in Package problems, have also been included.

Key Words : RF MEMS, micro-machining, passive tuneable components, reconfigurable
radiocommunication systems, antenna, packaging, field emission, vacuum electronics.

Table des matires
Chapitre I

I. Introduction.3
II. Introduction aux MEMS RF tat de l'art..3
III. Positionnement national et international de la thmatique MEMS RF...7
III.1. En France.......................................................................................................................... 7
III.1.1. Description des activits MEMS RF des principaux laboratoires franais................... 8
III.1.1.1. IEMN.......................................................................................................................... 8
III.1.1.2. IMEP .......................................................................................................................... 9
III.1.1.3. LAAS ....................................................................................................................... 10
III.1.1.4. LETI et MINATEC.................................................................................................. 13
III.1.1.5. XLIM (anciennement IRCOM)................................................................................ 15
III.1.1.6. IEF et MINERVE..................................................................................................... 19
III.1.1.7. IXL........................................................................................................................... 21
III.1.1.8. LPMO et Institut FEMTO-ST.................................................................................. 22
III.1.2. Rseaux et projets faisant intervenir des MEMS RF .................................................. 23
III. 2. En Europe...................................................................................................................... 26
III.2.1. Gnralits................................................................................................................... 26
III.2.2. Description des activits MEMS RF des principaux laboratoires europens ............. 29
III.2.2.1. Allemagne ................................................................................................................ 29
III.2.2.2. Angleterre................................................................................................................. 30
III.2.2.3. Suisse........................................................................................................................ 31
III.2.2.4. Belgique ................................................................................................................... 32
III.2.2.5. Pays-Bas ................................................................................................................... 33
III.2.2.6. Finlande.................................................................................................................... 33
III.2.2.7. Sude ........................................................................................................................ 34
III.2.2.8. Norvge .................................................................................................................... 35
III.2.2.9. Espagne .................................................................................................................... 35
III.2.2.10. Italie........................................................................................................................ 35
III.2.2.11. Roumanie ............................................................................................................... 36
III.2.3. Projets europens faisant intervenir des MEMS RF depuis 2000............................... 37
III.3. Les MEMS RF dans les autres pays............................................................................... 39
III.3.1. Universit du Michigan, Ann Arbor ........................................................................... 40
III.3.2. Universit de Berkeley................................................................................................ 41
III.3.3. MIT, Massachusetts Institute of Technology.............................................................. 41
III.3.4. Sandia Laboratories, Albuquerque.............................................................................. 42
III.3.5. Universit Carngie Mellon, Pittsburgh...................................................................... 43
III.3.6. Caltech, California Institute of Technology................................................................ 44
III.3.7. Universit de Californie Los Angeles, UCLA............................................................ 44
III.3.8. Universit du Colorado ............................................................................................... 44
III.4. Conclusion (bilan, synthse) sur le positionnement national et international de la
thmatique MEMS RF ............................................................................................................ 45
IV. Recherches personnelles dans le domaine MEMS RF...45
Rfrences bibliographiques du Chapitre .............................................................................. 47

Chapitre II

I. Introduction...51
II. Systmes tl-aliments et rseaux de capteurs sans fils 51
II.1. Gnralits ....................................................................................................................... 51
II.2. Tl-interrogation avec translation de frquence ............................................................ 53
II.3. Mise en uvre base de MEMS: principe du micro-modulateur ................................... 55
II.3.1. Description rapide du premier prototype...................................................................... 55
II.3.2. Description rapide du second prototype: principe du micro-modulateur ..................... 56
III. Etude du micro-modulateur hyperfrquences.58
III.1. Description et premier dimensionnement ...................................................................... 58
III.1.1. Description gnrale.................................................................................................... 58
III.1.2. Premier dimensionnement........................................................................................... 60
III.1.3. Modlisation................................................................................................................ 61
III.1.3.1. Analyse statique ....................................................................................................... 61
Etude des bras de torsion......................................................................................................... 61
Dplacement de la plaque du la force lectrostatique .......................................................... 62
Calcul de la capacit et de sa variation relative ...................................................................... 63
Etude du positionnement des lectrodes BF et HF ................................................................. 64
Dimensionnement de la structure............................................................................................ 64
III.1.3.2. Analyse dynamique.................................................................................................. 65
Expression gnrale de la frquence de rsonance ................................................................. 65
Calcul du moment dinertie J de la plaque en torsion............................................................. 66
Retour sur le dimensionnement............................................................................................... 66
III.1.3.3. Conclusion................................................................................................................ 67
III.2. Ralisation technologique .............................................................................................. 67
III.2.1. Description rapide du procd technologique............................................................. 67
III.2.2. Prototypes raliss....................................................................................................... 69
III.3. Caractrisation des prototypes ....................................................................................... 70
II.3.1. Caractrisation mcanique............................................................................................ 71
III.3.2. Caractrisation lectrique............................................................................................ 72
IV. Conclusion et perspectives................................................................................................ 76
Rfrences bibliographiques du chapitre II............................................................................. 78

Chapitre III

I. Introduction.......................................................................................................................... 81
II. Les spcificits du substrat silicium en hautes frquences................................................. 81
II. 1. Spcificits RF et micro-ondes....................................................................................... 81
II.1.1. Longueur critique ......................................................................................................... 81
II.1.2. Choix du substrat ....... ...82
II.1.3. Choix du conducteur..................................................................................................... 83
II.2. Le problme de la transmission sur silicium standard..................................................... 84
II.3. Les solutions classiques lies la transmission sur silicium........................................... 86
II. 4. Conclusion...................................................................................................................... 88
III. Etude des lignes coplanaires sur silicium.......................................................................... 88
III.1. Synthse des rsultats obtenus entre 1998 et 2000 ........................................................ 89
III.2. Complments sur le banc de caractrisation hyperfrquences sous pointes .................. 92
III.3. Conclusion...................................................................................................................... 96

IV. Etude des lignes micro-rubans inverses .......................................................................... 96
IV.1. Description..................................................................................................................... 96
IV.1.1. Gnralits .................................................................................................................. 96
IV.1.2. 1re gnration avec une paisseur dair de 10m..................................................... 96
IV.1.3. 2me gnration avec une paisseur dair de 100m ............................................... 103
IV.1.4. Cas particulier de la transition accs coplanaire / ligne micro-ruban inverse......... 105
IV. 1.5. Procd technologique ............................................................................................ 107
IV.2. Application au filtrage ................................................................................................. 109
IV.2.1. Etude du filtre passe-bas ........................................................................................... 110
IV.2.2. Etude du filtre passe-bande....................................................................................... 111
IV.2.3. Conclusion sur les filtres........................................................................................... 113
V. Conclusion gnrale ........................................................................................................ 113
Rfrences bibliographiques du Chapitre III ........................................................................ 114

Chapitre IV

I. Introduction........................................................................................................................ 117
II. Micro-capacits variables ................................................................................................. 118
II.1. Gnralits ..................................................................................................................... 118
II.1.1. Dfinitions .................................................................................................................. 118
II.1.1.1. Capacit variable MEMS......................................................................................... 118
II.1.1.2. Les diffrentes familles de varicaps MEMS............................................................ 119
Varicaps MEMS variation de surface................................................................................. 120
Varicaps MEMS variation d'paisseur de dilectrique....................................................... 121
Varicaps MEMS variation de permittivit ......................................................................... 123
II.1.2. Etat de l'art synthtique............................................................................................... 123
II.2. Originalit et Synthse des travaux ............................................................................... 125
II.2.1. Dveloppement d'une nouvelle structure gomtrie 3D.......................................... 125
II.2.2. Analyse de l'influence de la puissance RF sur les performances ............................... 128
II.2.2.1. Position du problme............................................................................................... 128
II.2.2.2. Conclusions ............................................................................................................. 130
II.2.3. Utilisation d'une mthode de modlisation lectrostatique originale ......................... 130
II.2.3.1. Principe de la mthode MPSR (description rapide) ................................................ 130
1re tape: la discrtisation des surfaces............................................................................... 131
2me tape: la mise en quation sous forme matricielle....................................................... 131
3me tape: calcul des capacits ........................................................................................... 132
II.2.3.2. Perspectives d'utilisation de cette mthode dans le domaine des MEMS ............... 133
II.2.4. La ralisation et la caractrisation des prototypes ...................................................... 134
II.2.4.1. Fabrication des prototypes....................................................................................... 134
II.2.4.2. Caractrisation des prototypes................................................................................. 136
II.3. Conclusions et perspectives........................................................................................... 138
III. Micro-inductances variables.139
III.1. Gnralits.................................................................................................................... 139
III.1.1. Principe de fonctionnement d'une inductance variable............................................. 139
III.1.2. Etat de l'art................................................................................................................. 140
III.2. Synthse des travaux de thse ...................................................................................... 144
III.2.1. Dveloppement d'une structure base de transformateur......................................... 144
III.2.1.1. Description du principe et choix d'une topologie................................................... 144
III.2.1.2. Mise en quation simplifie ................................................................................... 145
III.2.1.3. Ralisation et caractrisation.................................................................................. 147
Procd technologique .......................................................................................................... 147
Description des diffrents prototypes.................................................................................... 149
Caractrisation des diffrents prototypes .............................................................................. 150
III.2.2. Essais d'intgration dans une fonction MEMS accordable ....................................... 152
IV. Conclusions et perspectives ............................................................................................ 154
Rfrences bibliographiques du chapitre IV......................................................................... 155

Chapitre V

I. Synthse de mes activits sur la priode 1998-2004 ......................................................... 161
II. Perspectives: nouveaux axes de recherche depuis 2005................................................... 162
II.1. Limitation de puissance RF base de MEMS tenue en puissance des MEMS.......... 162
II.1.1. Thse sur la conception d'un limiteur MEMS de puissance....................................... 163
II.1.1.1. Description et contexte des travaux......................................................................... 163
II.1.1.2. Etat de l'art sur les limiteurs de puissance ............................................................... 165
II.1.1.3. Synthse des premiers rsultats (priode : octobre 2004 avril 2006) ................... 167
II.1.2. Le projet europen RETINA ...................................................................................... 169
II.2. Antennes MEMS et systmes de radiocommunication reconfigurables ....................... 174
II.3. Conclusion..................................................................................................................... 176
III. Conclusion gnrale ........................................................................................................ 177
Rfrences bibliographiques du chapitre V .......................................................................... 178

Chapitre VI

I. Etat civil ............................................................................................................................. 183
II. Formation universitaire - Diplmes.................................................................................. 184
II.1. Annes universitaires 1994-1997 .................................................................................. 184
II.2. Anne universitaire 1993-1994 ..................................................................................... 184
II.3. Annes universitaires 1990-1994: ................................................................................. 184
III. Activits d'enseignement................................................................................................. 185
III.1. Formation Ingnieurs ESIEE ....................................................................................... 185
III.2. Formation Technologues ESTE ................................................................................... 186
III.3. Formation de 3me cycle ............................................................................................. 187
III.4. Dveloppement de travaux pratiques ........................................................................... 187
III.5. Formation continue industrielle ................................................................................... 188
III.6. Autres interventions extrieures l'ESIEE .................................................................. 188
IV. Activits de recherche..................................................................................................... 189
IV. 1. Rsum des activits de Recherche ............................................................................ 189
IV.2. Encadrement de stagiaires et doctorants ...................................................................... 190
IV.2.1. Stagiaires DEA ou ingnieurs longue dure ............................................................. 190
Stages ingnieurs ou quivalent ............................................................................................ 190
Stages DEA Master Recherche .......................................................................................... 191
IV.2.2. Doctorants ................................................................................................................. 191
IV. 3. Animation d'quipe et collaborations acadmiques.................................................... 192
IV.3.1. Ple Francilien Microsystmes (PFM) ..................................................................... 192
IV.3.2. Equipe d'Accueil "Systmes de Communication et Microsystmes" (ESYCOM)... 193
IV.3.3. SEE............................................................................................................................ 193
IV.3.4. Collaboration avec le CNAM PARIS....................................................................... 194
IV.3.5. Collaboration avec l'Ecole Polytechnique Fdrale de Lausanne (EPFL)................ 194
IV.3.6. Collaboration avec le centre de Recherche EADS Munich ...................................... 194
IV.4. Participation des contrats .......................................................................................... 195
V. Publications ...................................................................................................................... 196
V.1. Brevets........................................................................................................................... 196
V.2. Revues internationales................................................................................................... 196
V.3. Revues nationales .......................................................................................................... 197
V.4. Confrences internationales avec actes ......................................................................... 197
V.5. Confrences nationales avec actes ................................................................................ 200
V.6. Autres confrences ........................................................................................................ 201
V.7. Ouvrages collectifs ........................................................................................................ 201

Chapitre I Introduction aux MEMS RF et tat de l'art
1
Table des matires du Chapitre I

I. Introduction........................................................................................................................ 3
II. Introduction aux MEMS RF tat de l'art ......................................................................... 3
III. Positionnement national et international de la thmatique MEMS RF.......................... 7
III.1. En France................................................................................................................... 7
III.1.1. Description des activits MEMS RF des principaux laboratoires franais........... 8
III.1.1.1. IEMN............................................................................................................... 8
III.1.1.2. IMEP ............................................................................................................... 9
III.1.1.3. LAAS ............................................................................................................ 10
III.1.1.4. LETI et MINATEC....................................................................................... 13
III.1.1.5. XLIM (anciennement IRCOM)..................................................................... 15
III.1.1.6. IEF et MINERVE.......................................................................................... 19
III.1.1.7. IXL................................................................................................................ 21
III.1.1.8. LPMO et Institut FEMTO-ST....................................................................... 22
III.1.2. Rseaux et projets faisant intervenir des MEMS RF............................................ 23
III. 2. En Europe............................................................................................................... 26
III.2.1. Gnralits ........................................................................................................... 26
III.2.2. Description des activits MEMS RF des principaux laboratoires europens ..... 29
III.2.2.1. Allemagne ..................................................................................................... 29
III.2.2.2. Angleterre...................................................................................................... 30
III.2.2.3. Suisse............................................................................................................. 31
III.2.2.4. Belgique ........................................................................................................ 32
III.2.2.5. Pays-Bas ........................................................................................................ 33
III.2.2.6. Finlande......................................................................................................... 33
III.2.2.7. Sude ............................................................................................................. 34
III.2.2.8. Norvge ......................................................................................................... 35
III.2.2.9. Espagne ......................................................................................................... 35
III.2.2.10. Italie............................................................................................................. 35
III.2.2.11. Roumanie .................................................................................................... 36
III.2.3. Projets europens faisant intervenir des MEMS RF depuis 2000 ....................... 37
III.3. Les MEMS RF dans les autres pays........................................................................ 39
III.3.1. Universit du Michigan, Ann Arbor ................................................................ 40
III.3.2. Universit de Berkeley..................................................................................... 41
III.3.3. MIT, Massachusetts Institute of Technology................................................... 41
III.3.4. Sandia Laboratories, Albuquerque................................................................... 42
III.3.5. Universit Carngie Mellon, Pittsburgh........................................................... 43
III.3.6. Caltech, California Institute of Technology..................................................... 44
III.3.7. Universit de Californie Los Angeles, UCLA................................................. 44
III.3.8. Universit du Colorado .................................................................................... 44
III.4. Conclusion (bilan, synthse) sur le positionnement national et international de la
thmatique MEMS RF ..................................................................................................... 45
IV. Recherches personnelles dans le domaine MEMS RF....................................................... 45
Rfrences bibliographiques du Chapitre I .............................................................................. 47

2
3
- Chapitre I -
Introduction aux MEMS RF et Etat de l'art

I. Introduction

Dans ce premier chapitre, nous allons prsenter la thmatique de recherche autour des MEMS
RF sur laquelle je travaille depuis mon arrive au Groupe ESIEE en septembre 1997.

Il s'agit tout d'abord de donner quelques dfinitions et d'tablir un rapide tat de l'art dans le
domaine, puis de montrer la croissance de ce thme de recherche dans le contexte national et
international, et enfin de dcrire les principaux travaux que je souhaite prsenter dans les
chapitres suivants.

II. Introduction aux MEMS RF tat de l'art

Nous utilisons l'appellation anglo-saxonne MEMS RF pour "Micro-Electro-Mechanical-
Systems for Radio Frequency applications"; ce qui dsigne des micro-dispositifs lectro-
mcaniques (micro-structures, micro-composants plus souvent que microsystmes) destins
des applications radiofrquences ou hyperfrquences, typiquement au del de 500MHz.

Les premires tudes datent du dbut des annes 1990, en particulier aux Etats-Unis,
l'Universit du Michigan, sous la direction de G. Rebeiz, et elles taient principalement
orientes vers des applications de tlcommunication sans fil, fort niveau d'intgration,
ncessitant des systmes faible consommation pour une grande autonomie. Le march de la
tlphonie mobile dans les bandes de frquences 900MHz-2GHz a fortement contribu
l'essor de cette discipline.

L'illustration devenue classique de l'importance des lments qui peuvent tre remplacs par
des MEMS dans une chane d mission - rception radio est propose sur la Figure 1
[NGU 98], et a t frquemment utilise dans les prsentations concernant les MEMS RF.
4
L'ide consiste limiter le nombre de composants discrets qui occupent encore une surface
importante sur les cartes lectroniques, et participent ainsi un surcot. Les lments suivants
pourraient a priori tre remplacs par des composants MEMS RF intgrs:
- filtres en bande basse l'mission et la rception, filtres d'antennes, filtres en
frquence intermdiaire
- rsonateurs pour fonction oscillateur (de rfrence ou VCO)
- commutateurs d'antennes, de mode (E/R), slection de canal

Figure 1. Elments d'une chane radio qui peuvent tre remplacs par des MEMS RF.

Les principales contraintes lies aux MEMS RF, indpendamment des difficults
technologiques, sont rsumes ci-dessous:
obtenir un coefficient de qualit Q lev (inductances, Q>50, ou rsonateurs, Q>5000)
afin d'avoir une bonne slectivit des filtres, une slection fine de canal, ou une grande
stabilit des oscillateurs,
travailler faibles pertes dinsertion (typiquement 0.1dB) et trs forte isolation
(typiquement >40dB), de faon concurrencer les composants l'tat solide usuels
(systmes diodes ou transistors)
gagner en linarit des composants ou des fonctions
rechercher la faible consommation dans le cas d'applications nomades (100W), la
meilleure intgration possible (par la rduction des dimensions de chaque composant), et
la compatibilit CMOS pour les MEMS sur silicium
favoriser l'accordabilit des lments

5
Les principales ralisations en MEMS RF peuvent finalement tre regroupes en fonction des
composants lmentaires mis en jeu, comme illustr Figure 2:
micro-commutateurs (ou "RF switches"), pour rseaux dantennes actives, slection de
canaux, antennes reconfigurables, lments passifs et filtres accordables
lments passifs intgrs, si possibles accordables, pour VCO, filtres, lignes retard,
adaptation dimpdance, dphaseurs
composants micro-usins sur membranes, en particulier pour les filtres
micro-rsonateurs pour oscillateurs et filtres

Les micro-commutateurs sont les plus reprsents dans la littrature, Figure 3, tant l'origine
des dveloppements sur les MEMS RF; viennent ensuite les capacits variables et les micro-
rsonateurs. Les filtres accordables en frquences, encore appels filtres agiles, sont l'une des
applications fortement tudies mettant en uvre plusieurs composants MEMS, Figure 4.

Notons quil existe 3 ouvrages de rfrence concernant les MEMS RF et leurs applications :
[REI 02], [LOC 02], et [VAR 02].

Figure 2. Composants lmentaires MEMS RF.

Insertion de la technologie MEMS dans une chane E/R
6

Figure 3. Exemple de Commutateur RF 40GHz, [source QinetiQ, Novembre 2002].

Figure 4. Exemples de filtres accordables MEMS.

7
III. Positionnement national et international de la
thmatique MEMS RF

Une analyse exhaustive de l'ensemble des laboratoires qui travaillent sur les MEMS RF serait
longue, voire impossible car probablement toujours incomplte. La difficult provient de
plusieurs facteurs: ce thme est relativement jeune, comparativement aux recherches sur les
MEMS en gnral, il fait appel de multiples comptences (outre la micro-mcanique, les
micro-technologies, la physique, il requiert de connatre les spcificits du domaine
hyperfrquence) et il se trouve en constante volution, fortement pouss par les applications
en radiocommunications essentiellement "wireless" (terminaux multi-bandes, GSM, UMTS,
Bluetooth, nouvelles fonctionnalits des WLANs, services mobiles par satellites, GPS, etc...).

J'ai donc simplement effectu une synthse permettant de situer le contexte des activits
concernant les MEMS RF, en renvoyant si possible sur les liens Internet concerns, en France,
en Europe, puis rapidement aux Etats-Unis.
III.1. En France
La recherche sur les MEMS RF s'est naturellement organise en France d'une part autour des
grandes centrales technologiques (premier et second cercles) susceptibles de fabriquer des
dmonstrateurs, et d'autre part dans des laboratoires ayant une expertise reconnue en RF et
micro-ondes.

Les laboratoires du dpartement STIC fortement impliqus dans les MEMS RF sont, par ordre
alphabtique, l'IEMN, lIMEP, le LAAS, le LETI et le ple MINATEC, lXLIM
(anciennement IRCOM) puis avec une participation plus faible, l'IEF et le ple MINERVE
(avec le PFM), l'IXL, ou encore le LPMO et l'Institut FEMTO-ST. Ces diffrents laboratoires
correspondent des ples gographiques de R&D relativement bien rpartis sur le territoire
franais: Lille, Grenoble, Toulouse, Limoges, Paris, Bordeaux, et Besanon.

Liste des sites Internet des laboratoires cits (par ordre alphabtique):
- FEMTO-ST http://www.femto-st.fr/
- IEF http://www.u-psud.fr/ief/
- IEMN http://www.iemn.univ-lille1.fr
- IMEP http://www.imep.enserg.fr/
8
- IXL http://www.ixl.u-bordeaux.fr/
- LAAS http://www.laas.fr/
- LETI http://www-leti.cea.fr/
- LPMO http://lpmo.univ-fcomte.fr/ ou http://www.lpmo.edu/
- MINATEC http://www.minatec.com/
- MINERVE http://www.u-psud.fr/IEFMINERVE.nsf/
- XLIM http://www.xlim.fr/
III.1.1. Description des activits MEMS RF des principaux laboratoires
franais

III.1.1.1. IEMN
Lactivit MEMS RF a dbut l'IEMN en 2000 dans le cadre d'un projet national (RNRT-
ARRESAT, RTE-TESS) et d'un projet europen (MELODICT, IST FP5). Les recherches
portent sur deux types de dispositifs qui font appel des microstructures mobiles :
- les micro-interrupteurs hyperfrquences pour la ralisation d'antenne balayage
destines aux communications par satellite en bande K et aux rseaux ad hoc entre
objets mobiles communicants 60 GHz (ARRESAT),
- les rsonateurs lectromcaniques pour le filtrage de signaux en bande
intermdiaire(bande 100-500MHz) et RF en tlphonie mobile (MELODICT).

Par exemple, une topologie quasi optimale de micro-commutateur capacitif membrane
mtallique est reprsente Figure 5 pour les applications en bande Ka (26-40 GHz).

Figure 5. Micro-commutateur capacitif
membrane mtallique, avec Isolation et pertes aux tats OFF et ON.
[Source: http://www.iemn.univ-lille1.fr]
9
Et un rsonateur en mode de flexion est reprsent Figure 6, avec sa rponse en frquence.

Figure 6. Rsonateur lectromcanique et rponse en frquence en mode contact.
[Source: http://www.iemn.univ-lille1.fr]

Les perspectives de ces travaux concernent essentiellement l'amlioration de la fiabilit des
dispositifs lmentaires et l'intgration de ceux-ci au sein de systmes originaux.
Les tudes concernant les rsonateurs lectromcaniques s'attacheront pousser les
performances en terme de frquence de rsonance et les applications de filtrage devraient
s'ouvrir vers la conception et la ralisation de structures BAW (Bulk Acoustic Wave).

Ces recherches fortement pluridisciplinaires impliquent gnralement la collaboration au sein
de l'IEMN de trois quipes : "Microsystmes Silicium", "Micro-lectronique - Conception de
Circuits Silicium", et "Circuits et Systmes Micro-ondes".

III.1.1.2. IMEP

L'institut de Microlectronique, lectromagntisme et Photonique, IMEP, est une nouvelle
Unit Mixte de Recherche (UMR 5130 CNRS-INPG-UJF) qui a t forme en janvier 2001
suite la fusion de deux anciens laboratoires (LEMO et LPCS). LIMEP est fortement
impliqu dans l'ensemble des domaines des micro- et nano-technologies et les diffrents
groupes de recherche travaillent dans les domaines des composants microlectroniques
silicium avancs, des dispositifs optiques intgrs sur verre et de l'intgration des fonctions
radiofrquences et hyperfrquences sur Si.

10
Les principaux axes de recherche sont:

- Composants CMOS avancs silicium et SOI, avec pour objectif d'tudier les
problmes poss par l'intgration ultime des technologies CMOS sur Silicium
massif ou sur SOI et de proposer de nouvelles architectures plus performantes
pour les dispositifs du futur.
- Dispositifs alternatifs et innovants, tels que Composants sur carbure de
silicium (SiC), Dispositifs sur poly-silicium (TFT), Composants quantiques et
un lectron (SEM et SET).
- Photonique, autour de la modlisation de structures lectromagntiques
guides et de la ralisation de circuits intgrs optiques.
- Micro-capteurs et microsystmes, avec la conception et ralisation de
dmonstrateurs, ltude de procds technologiques et lanalyse de
performances (vieillissement, bruit)
- RF, Hyperfrquences et opto-microondes, avec la modlisation et
caractrisation de composants RF et HF, lintgration de fonctions RF sur SOI,
ltude de systmes numriques RF et optolectroniques, ou opto-microondes.
- Intgrit du signal, CEM, fiabilit et bruit

III.1.1.3. LAAS

Les comptences du LAAS en micro et nano-systmes s'organisent au sein du Ple MINAS,
Ple MIcro et Nano Systmes, et couvrent trois aspects complmentaires:
- l'tude des processus physiques dans les structures, la modlisation des
composants jusqu'aux limites de performances, avec la prise en compte de
mcanismes coupls (transport lectronique, propagation lectromagntique, effets
thermiques, mcaniques, interactions avec lenvironnement,),
- l'tude des processus technologiques, avec la physico-chimie associe ces
procds aux chelles micro et nanomtriques, mais aussi les proprits
lmentaires (lectroniques, mcaniques, optiques, thermiques, ) des matriaux
et des interfaces, ainsi que les problmes lis lintgration, en incluant des
exigences de faisabilit, reproductibilit et fiabilit,
11
- la conception de composants et microsystmes devant sintgrer dans un systme
complet devant assurer une fonction globale, en troite liaison avec la ralisation
technologique de dispositifs de test et de prototypes de laboratoire pour la
validation.

Les travaux du Ple MINAS, qui ont pour motivations gnrales la rduction des dimensions,
lintgration de matriaux, technologies ou fonctions, laugmentation de performances et la
ralisation de nouvelles fonctions, se dclinent selon trois grands champs d'applications :
- les micro et nanosystmes pour linformation et la communication, base de
filires technologiques Si et GaAs,
- les micro et nanosystmes pour la gestion de lnergie,
- les micro et nanosystmes pour la physique, la chimie et les sciences du vivant.

Les thmatiques du Ple MINAS sont distribues dans six groupes de recherche dont certains
projets portent sur les MEMS RF, en particulier dans les Groupes "Microsystmes et
Intgration de Systmes", "Technologie, Micro et Nanostructures", "Composants et
Intgration de Puissance", tous fortement associs aux activits de la Centrale de Technologie,
et surtout dans le Groupe "Composants et Intgration des Systmes Hyperfrquences pour
Tlcommunications".

Des investigations sur les possibilits offertes par le silicium et son micro-usinage pour
dvelopper sur ce matriau, conjointement aux parties actives, des fonctions micro-ondes
passives lectromcaniques (MEMS RF) faible cot mais performances et compacit
leves sont en cours, en particulier pour dvelopper des circuits avancs sur silicium.
Les techniques de micro-usinage du silicium, associes aux outils de simulation lectrique et
lectromagntique, sont utilises pour raliser des fonctions passives, notamment des micro-
commutateurs, tout en conservant une certaine compatibilit avec les technologies silicium
conventionnelles (BiCMOS, SiGe) pour dmontrer la faisabilit sur une seule puce
d'oscillateurs et d'amplificateurs faible bruit ainsi que d'autres dispositifs plus complexes,
appels micro-systmes micro-ondes.
Une filire "above IC" est actuellement dveloppe et introduit la ralisation d'un dpt
d'isolant organique sur le circuit intgr, suivi par la conception du micro-systme sur ce
nouveau substrat. Ces travaux rcents ouvrent la voie l'laboration de systmes de
12
communication compacts reconfigurables et faible cot sur une seule et mme puce,
contrairement aux solutions hybrides actuelles.
Des tudes complmentaires portent sur la fiabilit et le "packaging" de ces dispositifs, en
particulier pour les applications futures des micro-systmes micro-ondes dans le domaine
spatial, Figure 7.
Enfin, de nouvelles structures de commutateurs sont actuellement tudies, permettant
d'optimiser simultanment les performances lectromcaniques (commande) et les
performances hyperfrquences, en incluant la tenue aux fortes puissances. Ces activits
concernent en particulier les MEMS RF de puissance, avec par exemple l'tude de dphaseurs
supportant au moins 5 W de puissance traversante, dans la bande 20-30 GHz.

Figure 7. Rpartition de signaux micro-ondes commutateurs MEMS destins
l'activation de circuits de redondance dans un satellite de tlcommunications. [source:
http://www.laas.fr]

Le LAAS met disposition dans le cadre de sa centrale technologique l'infrastructure ouverte
IMPACT, "IMProving multidisciplinary ACcess to microsystems Technologies", ddie
l'tude et la fabrication de MEMS, qui aura particip par exemple aux projets RF suivants:
- Microwave Microswitch, Universit de Chalmers, Sude,
- Filtres et antennes micro-usines 77 et 94 GHz, IMT Bucarest, Roumanie.

Le LAAS est galement membre du rseau d'excellence europen AMICOM, "Advanced
MEMS for RF and Millimeter Wave Applications " (http://www.amicom.info/).

13
III.1.1.4. LETI et MINATEC

Le LETI, Laboratoire d'Electronique de Technologie de l'Information, dpend de la Direction
de la Recherche Technologique du CEA (Commissariat l'nergie Atomique). Ses activits
portent sur les Technologies silicium, les Micro-systmes, les Composants optiques et
multimdia, les Systmes de transmissions et tlcommunications, les Systmes pour la
biologie et la sant, et la Conception.
Le LETI possde une large comptence en Micro-systmes et Micro-lectronique.

Sachant que les technologies radiofrquences jouent un rle majeur, notamment en Europe,
depuis plusieurs annes, un effort important a t consacr lintgration sur circuits intgrs
de fonctions jusquici ralises en composants discrets : condensateurs, inductances, micro-
commutateurs, rsonateurs, Les micro-systmes sont donc toujours dvelopps au LETI
sous forme discrte, notamment ceux qui exigent des performances pointues, comme les
micro-systmes mcaniques pour capteurs, ou les micro-systmes opto-mcaniques.

Les activits MEMS RF se retrouvent au sein de deux ples du LETI, Micro-systmes et
Systmes de transmission et tlcommunications. Et parmi les nouveaux programmes du
LETI, ceux sur lintgration des tages RF et lutilisation des composants passifs above IC ou
des MEMS RF prennent de plus en plus dimportance.

Les principales actions radiofrquence du ple Micro-systmes sont:
- Etude de composants passifs sur substrat silicium
- Etude d'un nouveau matriau high k pour capacits de dcouplage
- Etude du silicium poreux pour l'intgration d'inductances planaires
- Etude de couches minces ferromagntiques pour inductances spirales
- Micro-commutateurs
- Rsonateurs et filtres RF intgrables sur silicium

De plus, dans le cadre des actions du ple Systmes de transmission et tlcommunications,
des travaux sont entrepris autour de la conception htrogne pour la RF afin de prparer les
futurs systmes de tlcommunications, et certaines architectures (pour rseau WPAN)
devraient comprendre des MEMS RF.

14
Sont dtailles ci-dessous quelques unes des actions RF proposes:

- Etude de composants passifs sur substrat silicium
Comme les composants actifs et les pistes dinterconnexion, les composants passifs, doivent
tre raliss sur substrat silicium pour augmenter la densit dintgration. Les procds de
fabrication dinductances planaires en cuivre pais, issus des micro-technologies (rsine de 5
10 m, conducteurs en cuivre de 4 5 m, passivation) ont t adapts pour tre
compatibles avec les contraintes des circuits de microlectronique, Figure 8.

Figure 8. Inductances planaires en cuivre pais [source: http://www-leti.cea.fr/].

- Micro-commutateurs
Des micro-commutateurs commande lectrostatique capables deffectuer 10 milliards de
cycles avec un temps de commutation de 1 s ont t raliss pour les besoins dune
application spatiale. Ces performances correspondent aussi aux exigences des applications
mission/rception pour la tlphonie mobile. Elles ont t obtenues par une optimisation des
procds de fabrication et de certaines structures critiques du dispositif, Figure 9. Ses
performances en isolation sont remarquables: pertes 0,5 dB et isolation 22 dB 31 GHz.

Figure 9. Micro-commutateur commande lectrostatique [source: http://www-leti.cea.fr/].

- Rsonateurs et filtres RF intgrables sur silicium
Les filtres ondes acoustiques de volume (BAW), raliss en nitrure de silicium, sont
intgrables directement sur circuits silicium, tout en offrant des performances comparables
15
aux SAW. Le projet europen Martina, lanc en 2002 vise ainsi raliser de tels filtres RF
intgrs, Figure 10.

Figure 10. Filtre RF intgr base de BAW [source: http://www-leti.cea.fr/].

D'autre part, le Ple Minatec (http://www.minatec.com/) regroupe des laboratoires du CEA-
LETI Grenoble et des units mixtes de recherche dont les composantes appartiennent au CEA,
CNRS, INP Grenoble, INRIA, et l'Universit Joseph Fourier (UJF). L'ventail des axes de
recherche est large, regroup autour de quatre grands thmes:
- la micro-lectronique (dont les micro-systmes)
- les nanosciences
- la biologie
- les aspects logiciels
En plus des ressources techniques de chacun des laboratoires, le ple offre deux plate-formes
technologiques:
- PLATO, plate-forme du CEA-Leti pour les moyens de technologie et de
caractrisation
- CIME, Centre Inter-universitaire de Microlectronique, pour la ralisation et la
caractrisation de prototypes de nouveaux composants.

III.1.1.5. XLIM (anciennement IRCOM)

La cration d'XLIM en Janvier 2006, Unit Mixte de Recherche de lUniversit de LIMOGES
(UMR 6172 du CNRS) est le rsultat de la fusion de quatre laboratoires pr-existants, le
LACO - Laboratoire dArithmtique, Calcul formel et Optimisation, le LMSI - Laboratoire
des Mthodes et Structures Informatiques, l'UMOP - Unit de Microlectronique,
Optolectronique et Polymre, et l'IRCOM - Institut de Recherche en Communications
Optiques et Microondes.
16

Ses champs dapplication privilgis concernent la Dfense, les Tlcommunications, le
Spatial, les Transports, la Sant, ou la Domotique.

Linstitut se rpartit en 5 dpartements :
Mathmatiques Informatique (DMI)
Composants, Circuits Systmes et Signaux Haute Frquence (C2S2)
Ondes et Systmes Associes (OSA)
Photonique
Micro et Nanotechnologies pour les Composants Optiques et Microondes
(MINACOM)
Enfin, 3 programmes transversaux pluridisciplinaires sont galement proposs :
Scurit (SeFSI)
Terahertz
Imageries optiques et microondes (IRO)

De plus, PLATINOM, la PLATe forme de technologie et d'Instrumentation pour l'Optique et
les Microondes, est le centre de ressources technologiques d'XLIM, et regroupe un ensemble
de moyens exprimentaux de caractrisation et de fabrication, ainsi que les moyens humains
ncessaires au bon fonctionnement.

Plusieurs procds technologiques MEMS ont donc t dvelopps au laboratoire et sont
utiliss aujourd'hui pour la fabrication de composants MEMS RF, MOEMS et de circuits et
sous-systmes reconfigurables, Figure 11, en particulier pour la ralisation de:
Capacits variables MEMS
Micro-commutateurs MEMS contact capacitif ou rsistif
Micro-miroirs MOEMS dformables
Lignes de transmission et inductances suspendues
Circuits sur membrane de BCB (Benzo-Cyclo-Butne)
Rsonateurs FBAR

17

Figure 11. Exemples de MEMS RF raliss lXLIM
[source : http://www.xlim.fr/]

A l'XLIM , les projets MEMS RF s'insrent en fait dans les activits traditionnelles RF et
micro-ondes du laboratoire (partie IRCOM), telles que le dveloppement de logiciels utiliss
pour la dfinition des paramtres lectriques et lectromagntiques de toute structure micro-
onde, la conception , la ralisation et le test de nouveaux dispositifs planaires et volumiques
(rsonateurs dilectriques et mtalliques, filtres passifs et actifs, oscillateurs, combineurs,
et microsystmes), ou enfin la caractrisation des matriaux dans la bande de frquence 0.1
110GHz.

A partir des exemples gnraux prsents prcdemment, nous pouvons dire que l'quipe qui
travaille sur les MEMS RF se concentre essentiellement sur trois types d'application:
18

- l'intgration de composants MEMS dans les circuits RF et micro-ondes
Ces travaux portent sur la conception, la fabrication et le test de circuits MEMS RF, qui
vont du micro-commutateur au filtre accordable, Figure 12. Les tudes entreprises en
interne et travers de trs nombreuses collaborations portent sur lintgration des
MEMS dans la plupart des lments des chanes de rceptions analogiques.
Paralllement, des mthodes pour lintgration de modles lectromcaniques dans des
outils de simulation commerciaux ont t dveloppes. Ces modles ont t valids
grce au procd de fabrication dvelopp au laboratoire, qui permet de raliser des
structures comportant plusieurs types de matriaux dilectriques, dpaisseurs et de
natures diffrentes.

Figure 12. Exemple de filtre accordable MEMS (coopration LEST / IRCOM).

- les composants passifs millimtriques sur membrane
Ces travaux portent sur la fabrication de circuits micro-rubans suspendus sur de fines
membranes dilectriques (membranes BCB) par des techniques de gravure slective du
silicium mono cristallin afin de raliser des filtres 60 GHz. Une technique
dencapsulation associe est disponible de sorte que les circuits nont ni rayonnement ni
modes parasites. Les applications sont les filtres prsentant de faibles pertes et des
rjections trs importantes, Figure 13, et les rsonateurs forts coefficients de
surtension.
19

Figure 13. Filtre micro-ruban sur membrane [source: http://www.xlim.fr]

- les rsonateurs volumiques et pizo-lectriques
Ces travaux portent sur la conception de nouvelles topologies de circuit rsonant prsentant de
forts facteurs de qualit et/ou une bonne stabilit frquentielle. Dans ce cadre deux familles de
structures rsonantes ont t tudies : des dispositifs modes de galerie de rsonateurs
dilectriques dont la principale proprit est de concentrer lnergie dans le dilectrique, et
des structures utilisant des modes conventionnels des rsonateurs dilectriques mais en
utilisant des inserts dilectriques qui jouent le rle de rflecteurs de Bragg .
Enfin, dans le domaine de la tlphonie mobile, les performances des rsonateurs n'tant pas
le principal souci au regard de la miniaturisation de llment rsonant, une tude est mene
sur la ralisation de rsonateurs pizo-lectriques.

III.1.1.6. IEF et MINERVE

L'Institut d'lectronique Fondamentale (IEF UMR 8622) est une Unit Mixte de Recherche
CNRS/Universit Paris Sud-XI, rattache au Dpartement des Sciences et Technologies de
l'Information et de la Communication (STIC) du CNRS.

Les recherches menes l'IEF portent sur les matriaux semiconducteurs IV-IV, les
20
matriaux magntiques, les nanostructures, les microsystmes et les procds associs,
l'optolectronique et la photonique, les composants microlectroniques, la conception de
circuits intgrs et les architectures de machines. Ces activits sont menes dans le cadre des
dpartements de recherche:
- AXIS, Architectures, Contrle, Communication, Images, Systmes
- CMO, Composants pour la Micro-lectronique et l'Opto-lectronique
- MMS, Magntisme, Micro et nano-Structures
- MINASYS, MIcro-NAno-SYStmes
- NAEL, Nanophotonique et Electronique Ultra-rapide
- NST, NanoSpinTronique

Au sein de l'IEF, les activits en rapport avec les MEMS RF se retrouvent principalement
dans le groupe MINASYS, qui travaille sur les thmes suivants:
- tude des procds de traitement physico-chimique et de modification des
matriaux en couches minces par faisceaux d'ions et par faisceaux laser
- la conception, ralisation et caractrisation de microsystmes : tudes de matriaux
et de procds de fabrication spcifiques, modlisation, dveloppement
d'instruments de mesure et de l'lectronique associe aux microsystmes.

D'autre part, l'IEF, tout comme le Groupe ESIEE, fait partie du consortium MINERVE, pour
"Microsystmes, Imageries, Nanosciences, Enseignement, Recherche, Valorisation,
Entreprises", et ce titre bnficie depuis mi 2004 des nouvelles installations pour la
ralisation de dmonstrateurs dans la Centrale de Technologie Universitaire d'Orsay.

Minerve regroupe les forces dune quinzaine de laboratoires, rpartis sur plusieurs sites
franciliens : Cachan, Orsay, Plateau de Saclay et Marne-la -Valle. Les thmes scientifiques
sont regroups sous deux rubriques complmentaires:
- Nanotechnologies-nanosciences
Imagerie et analyse ultimes pour la nanophysique
Nanomagntisme/Electronique de spin
Nanostructures, nanolectronique, nanophotonique
Cohrence quantique
Interface Physique-Chimie-Biologie
- Micro-systmes
21
Technologie pour les micro-systmes
Les microcomposants et les M(O)EMS
Microcapteurs chimiques et biologiques

III.1.1.7. IXL

L'IXL, UMR 5818 du CNRS, laboratoire d'tude de l'intgration des composants et systmes
lectroniques, est organis en groupes de recherche:
- Tlcommunications, Circuits et Systmes
- Conception et test
- Micro-technologies : matriaux microassembls, capteurs, microsystmes
- Analyse comportementale et fiabilit

Les travaux de recherche associs au thme Micro-technologies, dans lesquels nous pourrions
trouver quelques actions MEMS RF, sont regroups au sein de deux oprations principales,
"matriaux microassembls pour composants et capteurs" d'une part, et "capteurs,
microsystmes" d'autre part.

Dans le thme "matriaux microassembls pour composants et capteurs", les travaux portent
sur l'assemblage de matriaux pour la ralisation:
- de composants passifs tels que varistances pour la protection de circuits
lectroniques, substrats mtalliss diffuseurs thermiques pour des circuits de
puissance
- de capteurs de gaz polluants et/ou explosifs et de capteurs d'humidit pour des
applications dans les domaines de l'agro-alimentaire, la domotique,
l'environnement, l'automobile

La deuxime opration "capteurs, microsystmes" comporte trois axes de recherche:
- les capteurs ondes lastiques ddis la dtection de composs gazeux ou
celle d'espces en milieu liquide
- les dispositifs hyperfrquences et les micro-poutres utilisant les micro et
nanotechnologies et les connaissances sur la slectivit des membranes
polymres acquises dans le domaine des capteurs ondes acoustiques
- les micro-systmes et les microstructures pour des applications mdicales
22

Enfin, certains travaux de recherche associs au thme Tlcommunications, Circuits et
Systmes, portent sur des structures qui pourraient intgrer terme des MEMS RF. Un
premier exemple concerne l'tude de rsonateurs BAW (Bulk Acoustic Wave) et les
applications la synthse des filtres FBAR (Film Bulk Acoustic Wave Resonator) pour de
nouvelles architectures Radio.

III.1.1.8. LPMO et Institut FEMTO-ST

Le LPMO fait partie de l'Institut FEMTO-ST, UMR 6174 du CNRS cre en janvier 2004.
Les recherches au LPMO sont relatives aux axes "Ondes lectromagntiques, optiques et
acoustiques" et "Microsystmes et Microtechnologies", et se rpartissent entre quatre
thmatiques principales:
- Acoustique et Microsonique (propagation des ondes lastiques guides,
milieux pizolectriques)
- Physique des ondes et mtrologie des oscillateurs
- Micro-systmes et microlectronique (actionneurs et capteurs pour applications
dans le domaine du temps-frquence, technologie LIGA-UV)
- Microscopie champ proche et instrumentation

A titre d'exemple, le LPMO a travaill en 2002 sur la conception et la ralisation ( l'aide de
technologies de micro fabrication silicium ou LIGA UV) de micro-rsonateurs
lectromcaniques pour les tlcommunications, dans la gamme de frquences autour des
10 MHz, fonctionnant selon le mode de vibration dit "mode de Lam". Les structures
obtenues prsentent un facteur de qualit dans lair de 1280 6.05 MHz.

D'autre part, l'Institut FEMTO-ST " Franche-Comt Electronique, Mcanique, Thermique et
Optique - Sciences et Technologies", qui a vu le jour en 2004 par la fusion de cinq
laboratoires, offre des comptences en mcanique, optique et tlcommunications,
lectronique, temps-frquence, nergtique et fluidique:
- CREST, Centre de Recherche sur les Ecoulements, Surfaces et Transferts
- LMARC, Laboratoire de Mcanique Applique
- LOPMD, Laboratoire d'Optique
- LPMO, Laboratoire de Physique et Mtrologie des Oscillateurs
23
- LCEP, Laboratoire de Chronomtrie, Electronique et Pizolectricit
L'institut propose galement une plate-forme technologique de micro fabrication utilisant les
technologies de la microlectronique associes celles de la micromcanique traditionnelle.

III.1.2. Rseaux et projets faisant intervenir des MEMS RF

Une autre faon de situer les actions MEMS RF en France consiste les retrouver dans le
cadre de projets fdratifs, tel que ceux soutenus par le CNRS (RTP
1
, AS
2
, ATIP
3
, EPML
4
),
ou dans les rseaux tels que :
- le Rseau des Micro et Nano Technologies, RMNT (www.rmnt.org), transform
depuis 2005 en Observatoire des Micro et Nano Technologies, OMNT
(www.omnt.fr/) et associ au Rseau National en Nanosciences et Nanotechnologie
(R3N),
- le Rseau National de Recherche en Tlcoms, RNRT (www.telecom.gouv.fr/rnrt/).

LObservatoire des Micro et Nano Technologies (OMNT) est une unit mixte de service
(UMS n2920) cre par le CEA et le CNRS. Sa mission est dassurer une veille stratgique
continue sur des thmes cls des micro et nanotechnologies, couvrant lessentiel des grands
sujets de demain : instrumentation pour la biologie, lectronique molculaire, matriaux et
composants pour loptique, nanocomposants, nanoconstruction, microsources dnergie,
lectronique organique.

Par exemple, la Figure 14 donne une vision de la rpartition des projets RMNT labelliss par
domaines fin 2003.

1
RTP = Rseau Thmatique Prioritaire
2
AS = Action Spcifique
3
ATIP = Action Thmatique et Incitative sur Programme
4
EPML = Equipe Projets Multi Laboratoires
24

Figure 14. Rpartition des projets RMNT labelliss par domaines, Novembre 2003.

Je ne ferai ensuite que donner une liste des principaux types de projets soutenus par le CNRS
qui ont intgr (ou auraient p le faire) l'tude de MEMS RF:

- Chantier n11 : MEMS les interactions information, matire, nergie , et
RTP45, Micro et nanosystmes : capteurs, transducteurs et actionneurs.
- Chantier n12 : CoopSTIC Les STIC au service et en synergie avec les autres
secteurs dactivit scientifiques ou conomiques , et RTP46, STIC & systmes aro-
spatiaux, ou RTP48, Energie lectrique : gnration, stockage, transmission, gestion et
usages.
- Chantier n5 : Nanotech Les micro et nanotechnologies pour le traitement de
linformation , et RTP31, Fiabilit des composants et packaging
- Chantier n1 : Ambiant Un continuum de communication et de transport
dinformation, dense et performant , et RTP4, Composants pour les communications
radio et millimtriques.

- AS 08 : Systmes de transfert dnergie
- AS 07 : Gnration et conversion dnergie opur les systmes portables
- AS 11 : Microsystmes micromcaniques pour RF et micro-ondes
- AS05 : Systmes multi-antenne l'mission et la rception
25
- EPML 14 : Matriaux magntiques et micro-actionneurs

- ATIP 32 : Conception et intgration de micrognrateurs pour microsystmes
autonomes
- ATIP 47 : Microsystemes Communiquants , Smarts MEMS
- ATIP 58 : Couches minces frrolectriques pour circuit intgr de
tlcommunications

Enfin, il faut noter que suite aux restructurations rcentes de la recherche en France, avec la
cration en 2005 de lANR (Agence nationale pour la Recherche, www.gip-anr.fr/) associe
au Ministre de la Recherche, de trs nombreux appels projets ont t lancs.
En particulier, lANR a lanc en 2005 un programme national en nanosciences et
nanotechnologies (PNANO) dont la mise en uvre s'appuie sur le Rseau National en
Nanosciences et Nanotechnologies (R3N).

Parmi les projets du programme PNANO labelliss en 2005, ceux qui font (ou pourraient
faire) intervenir des MEMS RF sont les suivants :
- NANOMAG-2, Dveloppement de matriaux magntiques nanocomposites intgrs
sur silicium destins la ralisation de micro-commutateurs MEMS RF bistables
actionnement magntique pour des applications spatiales, coordonnateur Christophe
BILLARD, CEA-LETI, LCMS, INPG-LEG
- HF-CNT, Nano dispositifs base de nanotubes de carbone pour applications multi-
GHz, coordonnateur Jean-Philippe BOURGOIN, CEA/LEM, IEMN, IEF
- MAGICO, Oscillateurs RF accordable large bande et forte facteur de qualit pour
les tlcoms de futur base des matriaux de l'lectronique de spin, coordonnatrice
Ursula EBELS, CEA-CNRS-THALES, LETI, LPN
- SUMO, SUstrats, Micro et nanO-structures base de ZnO, coordonnateur Pierre
GALTIER, LPSC-UMR 8635, CRHEA-UPR 10, ICMCB-UPR 9048

Dautre part, lANR soutient un programme Tlcommunications qui sappuie sur le RNRT.
Lappel projets 2006 concernait les thmes suivants :

26
Mobilit et interoprabilit,
Trs haut dbit,
Intelligence ambiante : objets communicants en rseau,
Scurit en tlcommunications,
Galileo catalyseur,
Applications rparties/embarques.
Enfin, parmi les projets financs suite lappel 2005, certains sont en lien avec le
dveloppement de MEMS RF :
- ACES, Antennes et Circuits Millimtriques Reconfigurables en technologie MEMS
pour applications spatiales et automobile,
- METABIP, Antenne multi-bandes et multi- faisceaux pour le DCS-UMTS-WIFI-
WIMAX reconfigurable, base de METAmatriaux et de matriaux Bande
Interdite Photonique,
- ACOR2, Architectures,COmposants,matriaux ferrolectriques pour ttes RF
Reprogrammables.

III. 2. En Europe
III.2.1. Gnralits

Aprs une vision des principales actions franaises, un premier panorama europen des
centres de R&D capables de concevoir et fabriquer des MEMS peut tre obtenu partir des
rseaux tels que:
- NEXUS (www.nexus-mems.com), le plus important rseau qui regroupe
l'ensemble des acteurs du domaine des MEMS,
- EURIMUS (www.eurimus.com), qui vient de dmarrer le programme EUREKA
EURIMUS II, "European industrial Initiative for Micro-systems Uses", pour la
priode 2004-2008,
- MINANET, pour "MIniaturisation & NAnotechnology NETwork"
(www.minanet.com) , qui propose une base de donnes sur les projets
Microsystmes, pour la priode 2001-2005,
- EUROPRACTICE (www.europractice.com), rseau qui fdre les diffrents
partenaires, industriels et acadmiques, autour de la micro-lectronique et des
27
MEMS; le rseau comptait en 2002 plus de 50 organismes rpartis sur 18 pays
europens, Isral, le Japon, ou les Etats-Unis, Figure 15. La part des applications
Tlcoms y tait relativement importante, malgr un contexte conomique
dfavorable en 2002, Figure 16.
- Le site de la Commission Europenne (www.cordis.lu), qui centralise les appels
d'offre et diffuse les rsultats des projets labelliss.

Spcifiquement sur les MEMS RF, le rseau dexcellence AMICOM
(http://www.amicom.info/) propose une trs grande quantit dinformations. Notons aussi que
le 15 septembre 2005, AMICOM a lanc 3 projets NSP = North Star Projects :
- RARPA = "Reflectarrays and Reconfigurable Printed Antennas", Project leader
R. Sorrentino (University of Perigia),
- ReRaFE = "Reconfigurable Radio Front End", Project leader H. Tilmans
(IMEC),
- MMID = "Millimeter wave identification network for bio and other sensors using
micro- and nanocomponents", Project leader J. Tuovinen (VTT, MilliLab).

Il existe deux autres rseaux dexcellence qui font intervenir des MEMS RF en lien avec
AMICOM :
- ACE = Antenna Centre of Excellence (http://www.ist-ace.org/ ou
http://www.elec.unice.fr/pages/ace/ace.html#intro)

- PATENT = Design for Micro & Nano Manufacture (http://www.patent-
dfmm.org/)

Figure 15. Rpartition des partenaires du rseau EUROPRACTICE en 2002.
28

Figure 16. Rpartition des applications dans EUROPRACTICE en 2002.

Enfin, pour trouver des liens avec les activits industrielles, il existe aussi des socits de
conseil et tude de march, telles YOLE en France (http://www.yole.fr/) ou Wicht
Technologie Consulting en Allemagne (http://www.wtc-consult.de/).
En particulier, WTC propose un recueil concernant une tude de march sur le domaine des
MEMS RF pour la priode 2004-2009, avec analyse des technologies actuelles et prvisions
pour les annes futures.

L'ensemble de ces activits autour des rseaux est rsume sur la Figure 17.

Figure 17. Synthse des rles des diffrents rseaux (source MINANET 2003).
29
Les principaux pays impliqus dans la recherche sur les MEMS, sans parler spcifiquement
de MEMS RF, sont: l'Allemagne, la France, l'Angleterre, la Suisse, la Belgique, les Pays-Bas,
la Finlande, la Sude, la Norvge, et la Roumanie.

Notons qu'un gros effort existe en Allemagne depuis plusieurs annes dans ce domaine, et
qu'il existe un centre national en charge de coordonner les actions MEMS, VDI/VDE
(www.vdivde-it.de).
"VDI/VDE-Technologiezentrum Informationstechnik GmbH (english VDI/VDE
Technology Centre for Information Technology Ltd.) is an organisation founded by the
two largest German professional associations for Engineers (VDI = Association of
German Engineers and VDE = Association for Electrical, Electronical and Information
Technologies). The companys primary objective is to promote R&D mainly (but not
exclusively) in the area information technologies as well microsystem technologies to
assist governmental authorities in developing initiatives for the diffusion of technologies
and to speed up product and process innovation by assisting especially small and
medium sized enterprises in adapting new technologies."

D'autre part, pour les actions MEMS RF, la plupart des laboratoires europens travaillent en
troite collaboration avec des industriels du secteur des tlcommunications.

III.2.2. Description des activits MEMS RF des principaux laboratoires
europens

Tout comme pour les laboratoires franais, cette description restera videmment non
exhaustive, et ne reprsente en fait qu'une photographie du paysage europen un instant
donn, soit courant 2005-2006 ici.

III.2.2.1. Allemagne

Comme dit prcdemment, l'essentiel des activits MEMS en Allemagne se retrouve sur le
site du VDI/VDE, et reprsente environ 150 laboratoires.

30
Nous pouvons citer titre d'exemple les universits Karlsruhe, ISIT Fraunhofer Institute for
Silicon Technology (http://www.isit.fhg.de/) Hamburg, ou Fraunhofer Institute for
Reliability and Microintegration IZM (http://www.pb.izm.fhg.de/) Berlin, dans lequel les
actions MEMS RF ont port sur les capacits variables, les micro-commutateurs
thermomcaniques, les inductances fort coefficient de qualit Q, et plus rcemment la
fiabilit des micro-systmes, en particulier pour applications spatiales, et le packaging.

Nous pouvons galement noter que les socits Bosch, Infineon, ou EADS sont fortement
impliques dans ces actions MEMS RF.

III.2.2.2. Angleterre

Nous pouvons citer quelques universits, telles que:
- L'Imperial College London (http://www.imperial.ac.uk/) et son dpartement
"Electrical and Electronic Engineering" associ au centre "Electronic Material and
Devices" (http://www2.ee.ic.ac.uk/electricalengineering/research/groups.htm),
- L'Universit Lancaster, Bailrigg, et son centre "Microsystems Engineering"
- L'Universit de Cambridge, qui possde une activit spcifique sur les MEMS RF
(http://www-g.eng.cam.ac.uk/edm/research/mems/RF_MEMS.html), au sein du
groupe "Electronic Devices & Materials (EDM)" du dpartement "Engineering" de
l'universit.

Nous pouvons galement noter que les socits Qinetic et BA Systems sont fortement
impliques dans ces actions MEMS RF.

A titre d'exemple, les composants MEMS RF dvelopps par l'Universit de Cambridge sont
des micro-commutateurs lame mtallique, Figure 18, des capacits variables utilisant des
matriaux forte constante dilectrique, et des filtres SAW ondes de surface base de ZnO.

31

Figure 18. Micro-commutateur, vue MEB et courbe I-V, Univ. of Cambridge.

III.2.2.3. Suisse

Les deux ples de recherche en MEMS sont bass d'une part Lausanne, avec l'EPFL, Ecole
Polytechnique Fdrale de Lausanne, et d'autre part Neuchtel avec la FSRM, Fondation
Suisse pour la Recherche en Microtechnologies et le CSEM, Centre Suisse d'Electronique et
de Microtechnique.
Liens Internet:
EPFL, http://www.epfl.ch/; FSRM, http://www.fsrm.ch/; CSEM, http://www.csem.ch/.

C'est cependant plutt l'EPFL que l'on trouve les actions proprement MEMS RF pour
applications en tlcommunications, autour des thmes suivants, Figure 19:
- composants passifs fixes sur membranes (ex: inductances suspendues)
- composants accordables (ex: varicaps, et intgration dans un VCO)
- micro-commutateurs jusqu 10GHz et pour applications optiques
- filtres rsonateurs en films minces et systmes lectro-acoustiques

Ces actions sont dveloppes dans le Laboratoire d'Electricit Gnrale
(http://legwww.epfl.ch/index_fr.htm) et celui de Cramique, avec l'aide de la centrale
technologique CMI (http://cmi.epfl.ch/) de la Facult des Sciences et Techniques de
l'Ingnieur (http://microtechnique.epfl.ch/).

32

Figure 19. Capacits et inductances MEMS (projet Wide-RF, EPFL)

III.2.2.4. Belgique

Un premier centre travaillant sur les MEMS se situe l'Universit Catholique de Louvain
(http://www.uclouvain.be/) avec des actions MEMS RF autour du design de circuits actifs et
passifs associ au dveloppement du micro-usinage en vue de l'intgration dans les sous-
systmes radio.

Un second centre se situe Leuven, autour de l'important ple de recherche IMEC
(http://www.imec.be/), dont les thmatiques MEMS sont regroupes ainsi:
- Embedded & Intelligent Systems (for wireless and multimedia)
- Process Technologies
- Renewable Energy
- Nanotechnology

Dans les actions MEMS RF, nous pouvons citer d'une part l'tude du concept "System-in-a-
package (Sip)", appliqu l'intgration d'un module RF WLAN fonctionnant 5GHz, et
d'autre part l'tude d'un composant de rfrence, au choix micro-commutateur ou capacit
variable, utilis ensuite dans la conception d'un VCO trs faible bruit de phase, Figure 20.
Cette dernire application demande aussi de concevoir les circuits de contrle, pour limiter les
surtensions (varicap commande sous 40V contre 1,8V pour la puce CMOS du VCO) ou pour
contrler la charge de la capacit (et viter les instabilits de ce MEMS).
33

Figure 20. VCO intgrant une puce CMOS en flip-chip sur substrat micro-usin (varicap
MEMS), [ source IMEC: http://www.imec.be/].

III.2.2.5. Pays-Bas

Il existe un centre de micro-technologie l'Universit de Twente, dans le cadre de l'Institut
MESA+ (http://www.mesaplus.utwente.nl/) , pour "Micro Electronics Material Engineering
Sensors and Actuators", avec quelques actions autour des commutateurs RF dans le groupe "
Microwave techniques". Mais les principales activits MEMS RF se retrouvent lUniversit
de Delft (http://www.tudelft.nl/), dans lInstitut de Technologie Micro-lectronique DIMES
(Delft Institute of Microelectronics and Submicron-technology :
http://www.dimes.tudelft.nl/).
En particulier, la thmatique autour des technologies hautes frquences propose 4
programmes de recherche sur les points suivants :
- Composants passifs RF et packages
- Conception de circuits et systmes RF
- Modlisation, Outils de Conception et Mthodologies de Test
- Conception de systmes larges bandes

III.2.2.6. Finlande

Les travaux MEMS, qui incluent ceux MEMS RF, sont dvelopps au VTT "Technical
Research Centre of Finland" (http://www.vtt.fi/). Ce centre de recherche regroupe plusieurs
instituts:
- VTT Electronics
34
- VTT Information Technology
- VTT Industrial Systems
- VTT Processes
- VTT Biotechnology
- VTT Building and Transport

Le thme MEMS RF, plutt rattach au thme de recherche "Systmes de Tlcoms", apparat
dans le cadre du projet europen EMMA "ElectroMechanical Microcomponents for precision
Applications", ainsi que sur quelques tudes du dpartement Information and
Communications Technology (ICT) and Electronics ,
(http://www.vtt.fi/palvelut/cluster1/topic1_8/index.jsp) :
- Capacitive RF MEMS power sensors [VAH 03]
- FBARS pour tlphonie mobile
- Filtres, commutateurs et oscillateurs RF

Nous pouvons galement noter que la socit NOKIA est fortement implique dans ces
actions MEMS RF (http://www.research.nokia.com/).

III.2.2.7. Sude

Les comptences autour des MEMS RF se trouvent l'Universit d'Uppsala
(http://www.uu.se/), qui propose son expertise en technologies micro-ondes et ondes
millimtriques (SiGe HBT et FET, antennes, structures passives, MEMS), dans le service
"Material Science Signals and Systems Group" du dpartement "Engineering Sciences".

Ce dpartement tudie plus particulirement les thmes suivants:
- micromotors and microrobots,
- microanalysis systems for medical diagnosis,
- micro-optical systems for telecom,
- advanced systems for micro- and nano-satellites

Nous pouvons galement noter que la socit ACREO est souvent implique dans des actions
MEMS RF.

35
III.2.2.8. Norvge

Il existe un organisme regroupant 9 instituts de Recherche, le SINTEF " Foundation for
Scientific and Industrial Research" (http://www.sintef.no/), avec une thmatique autour des
Technologies de lInformation et de la Communication Information and Communication
Technology (ICT) .

Les comptences MEMS (et donc aussi MEMS RF) se situent dans l'Institut "Materials
Technology " Trondheim (NTNU, The Norwegian University of Science and Technology),
et Oslo (Center for Materials Research, University of Oslo), qui regroupe 8 dpartements:
- Applied Physics,
- Process Metallurgy and Ceramics,
- Casting and Metal Forming,
- Joining Technology,
- Fracture Mechanics and Materials Testing,
- Machine and Product Development,
- Corrosion and Surface Technology,
- Polymers and Composites.

III.2.2.9. Espagne

Nous pouvons trouver des travaux autour des MEMS RF lUniversit Polytechnique de
Catalogne, Barcelone ( http://www.upc.edu/ ), dans le Laboratoire RF & microwave
systems, devices and materials du Dpartement Traitement du signal et Communications.
Les principales activits concernent la modlisation et la caractrisation de composants et de
circuits micro-ondes base de diverses technologies (MIC, MMIC, RF MEMS, Matriaux
supraconducteurs).

III.2.2.10. Italie

Nous pouvons trouver des travaux autour des MEMS RF lUniversit de Perugia
(http://www.diei.unipg.it/MEL).

36
A lUniversit de Perugia, les activits du Dpartement Microwave Engineering Lab ,
initialement tournes vers la modlisation de circuits micro-ondes et millimtriques, se sont
ouvertes aux technologies LTCC et MEMS [SOR 02] [FAR 04], pour des applications de
communications sans fils terrestres et satellitaires (Contact: Prof. R. Sorrentino). Quelques
exemples de dispositifs dvelopps rcemment, Figure 21 :
- Commutateur capacitif (de type shunt) ou contact ohmique, SPDT
- Capacit variable discrte 3 bits fort Q
- Dphaseur 3 bits base de ligne retard (20GHz)

a) b)
Figure 21. a) 3-bits true time delay MEMS phase-shifter on alumina b) MEMS Single Pole Double
Throw Switch [source : http://www.diei.unipg.it/MEL]

III.2.2.11. Roumanie

Nous pouvons citer le centre IMT-Bucharest, National Institute for Research and
Development in Microtechnologies (http://www.imt.ro/), en particulier dans le Laboratoire de
Circuits et Systmes micro-ondes micro-usins dirig par le Pr. Alexandru Muller
(http://www.imt.ro/organisation/research%20labs/L4/index.htm). Nous pouvons citer comme
principaux rsultats des tudes sur les sujets suivants :
- Elments passifs sur Si ou GaAs pour applications mobiles (inductances
suspendues, filtres passifs dans les gammes de frquences 1 5GHz)
- Filtres reconfigurables pour applications mobiles sur Silicium ou membranes
dilectriques (exemple 38GHz)
- Commutateurs pour applications millimtriques 40 et 60 GHz
- Dispositifs ondes acoustiques de surface (SAW) et de volume (BAW)
37
- Circuits, lments passifs et antennes Yagi-Uda sur membranes dilectriques
pour ondes millimtriques (38, 45, 77, 94 GHz).

III.2.3. Projets europens faisant intervenir des MEMS RF depuis 2000

Je ne donnerai ici qu'une simple liste des projets, par ordre chronologique, avec le thme, la
dure, les titres dtaills tant suffisamment explicites pour entrevoir les domaines traits.
Les descriptifs de chacun de ces projets se trouvent facilement sur la base de donnes du site
de la Commission europenne, www.cordis.lu.

MELODICT: Micromachined Electromechanical Devices for Integrated Wireless
Communication Transceivers.
Contractant principal : ISEN Institut Suprieur dElectronique du Nord, France.
Dure : 02/2000 01/2003.

MARTINA : Monolithic Above IC Resonator Technology for Integrated Novel Architecture
in mobile and wireless communication.
Contractant principal : STmicroelectronics Central R&D Crolles, France.
Dure : 07/2001 12/2004.

MIPA: MEMS Based Integrated Phased Array Antennas 40/50GHz or 77GHz.
Contractant principal : Alcatel Space Industries, France.
Dure : 08/2001 07/2004.

EMMA : ElectroMechanical Microcomponents for precision Applications.
Contractant principal : VTT Automation, Finlande.
Dure : 09/2001 08/2004.

MEMS2TUNE: Development of a metal-based MEMS technology for realising
tunable/switchable RF modules for wireless applications up to 6Ghz.
Contractant principal : Philips Electronics Nederland BV, Pays-Bas.
Dure : 09/2001 08/2004.

38
WIDE-RF: Innovative Mems Devices for Wideband reconfigurable RF Microsystems.
Contractant principal : Tronics Microsystems, France.
Dure : 01/2002 12/2004.

FACILE: Flexible Access Cluster for Integrated microsystems with Low cost of Entry.
Contractant principal : Qinetiq Ltd., Grande-Bretagne.
Dure : 04/2002 12/2004.

MULTIMEMS: Manufacturing cluster providing MULTI-functional MEMS service to the
industry.
Contractant principal : SENSONOR ASA, Norvge.
Dure : 04/2002 12/2004.

VABOND : Long-term Stability of VAcuum-encapsulated MEMS Devices using Eutectic
Wafer BONDing
Contractant principal : FRAUNHOFER-INSTITUT FUR SILIZIUMTECHNOLOGIE (ISIT)
Dure : 04/2002 03/2005

ARHMS: Advanced High power RF subsystems exploiting MEMS switches for wireless
applications.
Contractant principal :THALES, Thales Research and Technology, France.
Dure : 08/2002 07/2005.

MIMOSA: MIcrosystems platform for MObile Services and Applications (Low power
microsystems for wireless sensors and RFID).
Contractant principal : STmicroelectronics Central R&D Crolles, France.
Dure : 01/2004 06/2006.

HIDING DIES: High Density Integration of Dies into Electronics Substrates.
Contractant principal : TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN, Allemagne.
Dure : 01/2004 12/2006.

39
POLYAPPLY: The application of polymer electronics towards ambient intelligence
(Polymer based electronic for RF tags).
Contractant principal : STMICROELECTRONICS S.R.L., Italie
Dure : 01/2004 12/2007.

POWER SMART: Power Silicon and MEMS based elements for Radio Transceivers.
Contractant principal : EADS Telecom, France.
Dure : 36 mois.

APROTHIN : Advanced Process Technologies for Horizontal Integration
Type de projet : Early Stage Research Training (EST)
Contractant principal : Interuniversitair Micro-Electronica centrum vzw, Leuven, Belgique
Date de lancement: Janvier 2005

RETINA : Reliable, tuneable and inexpensive antennas by collective fabrication processes
Contractant principal : EADS Deutschland GmbH, Allemagne
Dure : 02/2005 01/2008.

III.3. Les MEMS RF dans les autres pays

De nombreux pays sont actifs en MEMS comme les Etats-Unis, le Japon, ou la Core.
Cependant, pour terminer cette prsentation du contexte international des activits MEMS RF,
je me limiterai quelques exemples aux Etats-Unis uniquement.

Il existe un groupement industriel autour des MEMS, ou MEMS Industry Group (MIG),
http://www.memsindustrygroup.org/, qui offre de nombreuses informations et des contacts sur
les actions R&D en cours aux Etats-Unis.

Il est galement possible de trouver des informations sur les actions MEMS RF sur le site
gouvernemental du NIST, "National Institute of Standard and Technology"
(http://www.nist.gov/ ou directement http://mems.nist.gov/) ou sur celui de la DARPA,
"Defense Advanced Research Projects Agency" (http://www.darpa.mil/). Il existe aussi un site
d'change d'informations sur les MEMS pilot par la DARPA: www.mems-exchange.org.
40
La DARPA a d'ailleurs lanc un vaste programme autour du dveloppement des MEMS, dont
les MEMS RF, avec pour objectifs:
- L'amlioration des switches RF (bandes X, Ka, Ku) pour applications du
dpartement de la Dfense (DoD),
- Une meilleure prdiction des mcanismes de rupture en vue doptimiser leur
fiabilit,
- Le dveloppement d'une source dapprovisionnement en Switches RF.

Je propose ensuite une slection d'universits amricaines, par ordre dimportance, dont
certaines quipes travaillent sur les MEMS RF actuellement. Compte-tenu du nombre
important dquipes et de projets, cette dernire partie ne pourra tre que non exhaustive.

III.3.1. Universit du Michigan, Ann Arbor

Comme je l'ai signal en introduction, les dbuts des activits sur les MEMS RF datent des
annes 1990, et ont dmarr aux Etats-Unis, en particulier dans les laboratoires de l'universit
du Michigan, sur l' tude des micro-commutateurs (http://www.eecs.umich.edu/eecs/).

Ces actions sont portes par le groupe EECS pour "Electrical Engineering and Computer
Science"qui associe divers laboratoires et centres de recherche:
- Advanced Computer Architecture Laboratory (ACAL)
- Artificial Intelligence Laboratory (AI)
- Communications and Signal Processing Lab (CSPL)
- Control Laboratory
- Optical Science Laboratory (Optics Lab)
- Radiation Laboratory (RADLAB)
- Real Time Computing Lab (RTCL)
- Software Systems Research Lab
- Solid-State Electronics Laboratory (SSEL)
- Center for Wireless Integrated Microsystems (WIMS)
- Center for Neural Communications Technology (CNCT)
- Center for Ultrafast Optical Science (CUOS)

41
Mais c'est principalement dans le centre de recherche WIMS "Wireless Integrated
MicroSystems", cr en 2000, http://www.wimserc.org/, que se situent les activits MEMS
RF.

Quelques exemples d'actions sont:
- tude de circuits CMOS (nano-CMOS ou low power CMOS) et RF MEMS
- antennes miniatures et rseaux de capteurs (2.4GHz)
- interfaces sans fils pour applications biomdicales
- micro-packaging (wafer-level fabrication, low-temperature processing, vacuum
and hermetic encapsulation, wafer bonding, thin film techniques)
III.3.2. Universit de Berkeley

Les activits MEMS de l'universit de Berkeley sont en fait regroupes dans le centre de
recherche BSAC (http://www-bsac.eecs.berkeley.edu/), "Berkeley Sensor & Actuator
Center", cr en 1986.

Une forte activit autour des MEMS RF se trouve dans le groupe " Wireless Communication
And RF Devices", avec de nombreux projets portant par exemple sur les thmes suivants:
- composants RF accordables: capacits, inductances et transformateurs,
- micro-commutateurs RF ( contacts en gallium liquide, pour applications trs
hautes tensions, auto-actionns,)
- rsonateurs HF(en AlN, gap nanomtrique, FBAR pour filtrage,)
- architectures d'metteurs ultra-low power (RF CMOS, SiGe, et MEMS)

III.3.3. MIT, Massachusetts Institute of Technology

Les activits MEMS au MIT sont regroupes dans le Laboratoire de Technologie et
Microsystmes, MTL (http://mtlweb.mit.edu/), fond en 1980.
Les thmes principaux tudis sont:
- solid state devices,
- materials for electronic applications,
- novel process technologies,
- MicroElectroMechanical devices (sensors and actuators),
42
- integrated circuits and systems,
- computer-aided fabrication.

Les activits MEMS sont prsentes sur le lien suivant : http://mtlweb.mit.edu/mems/, faisant
apparatre les MEMS RF dans la catgorie Enabling Technologies , avec quelques
exemples cits ci-dessous.
- Rsonateur accordable cavit lectromagntique fort coefficient de qualit (Q~
200 entre 2.5 et 4.0 GHz) [HOU 04]
- Switch RF contact latral actionnement pizolectrique (PZT) [SHI 05]

Figure 22. Fabricated RF Switch: a) Released devices layout, b) Contact metal at the
later wall [source : http://mtlweb.mit.edu/mems/]

III.3.4. Sandia Laboratories, Albuquerque

Les laboratories de Sandia Labs (http://www.sandia.gov/ ou
http://www.sandia.gov/mstc/index.html) offrent un accs leur technologie SUMMiT V de
fabrication de MEMS, dans le cadre dun programme spcifique SAMPLES(Sandia Agile
MEMS Prototyping, Layout Tools, Education and Services).

Les diffrents projets en cours actuellement autour des micro-systmes sont les suivants :
- Resonant Micro-optical gyroscope
- Smart card microsystems
- Explosive detection microsystems for the FAA
- Radiation detection microsystems
- Optical imaging microsystems for satellites
- RF communications microsystems
- Cochlear and retinal medical prostheses for the University of Michigan and DOE
43
- Integration of chemical sensors with micro-robots and UAVs for surveillance
applications
- Engineering support for MicroChemLab units for national security and
commercial applications
- Microsystem product development for Sandia weapon applications

Les activits MEMS RF sappuient aussi sur les quipes des Dpartements Frequency
Devices , Passive Devices and Interconnects , et Advanced Micro-systems Packaging .

Un exemple illustr ci-dessous reprsente un corrlateur filtre SAW utilis dans des
systmes de communication faible consommation, tels que badges ou capteurs abandonns.

Figure 23. SEM picture of a 2.7GHz broadband 15 chip SAW correlator designed and
fabricated at Sandia Labs.

III.3.5. Universit Carngie Mellon, Pittsburgh.

Voici une liste de thmes traits en MEMS (voir http://www.ece.cmu.edu/):
- nanometer-scale data storage,
- microsensors and microactuators,
- MEMS design tools,
- micromechanical component modeling,
- embedded microinstruments,
- microrobotics.
44

Et concernant les MEMS RF, un exemple de sujet propos rcemment : RF CMOS-MEMS
Mixer/Filter Devices for RF receiver applications [Equipe de Gary Fedder].

III.3.6. Caltech, California Institute of Technology

Les activits MEMS relvent du domaine "Electrical Engineering" (http://ee2.caltech.edu/, ou
http://www.caltech.edu/ et pour les MEMS http://mems.caltech.edu/), et sont rparties sur les
laboratoires suivants, concernant cependant assez peu les MEMS RF:
- MEMS Research (Micromachining Lab)
- Microsystems Research Laboratory
- Nano-fabrication Group
- RF & Microwave Group

III.3.7. Universit de Californie Los Angeles, UCLA

Exemple de thmes traits en MEMS (http://cjmems.seas.ucla.edu/):
- digital microfluidics,
- nanoengineered surfaces,
- microdroplet-dispensing systems,
- RF liquid switches, seule action rpertorie pour le thme MEMS RF
- micro fuel cells,
- 3-D microbatteries,
- on-chip encapsulation of microdevices.

III.3.8. Universit du Colorado

Il existe quelques exemples de thmes traits en MEMS RF dans cette universit
(http://mems.colorado.edu/):
- RF MEMS: Device, Packaging and System
- High-Q Tunable Capacitors and Multi-way Switches Using MEMS for Millimeter-
Wave Applications

45
III.4. Conclusion (bilan, synthse) sur le positionnement national et
international de la thmatique MEMS RF

Nous avons pu constater un fort dveloppement des activits autour des MEMS RF depuis
2000-2001, avec des thmes rcurrents comme l'tude trs pousse des micro-commutateurs
ou des filtres accordables, par exemple base de rsonateurs.
Le nombre d'acteurs d'une part, et de projets europens d'autre part, ne cesse de crotre dans
ce domaine. Enfin, la France est finalement assez dynamique sur le sujet.

Il est cependant toujours dlicat de dgager les tendances futures, par exemple l'horizon de 5
10 ans, mais nous pouvons retenir que les tudes semblent s'orienter de plus en plus vers
l'intgration de composants MEMS RF connus (commutateurs ou varicaps principalement)
dans une application prcise plutt que vers l'tude du composant lui mme. Les questions de
fiabilit ou de packaging se posent alors de faon plus critique, comme cela a pu tre le cas
pour d'autres types de MEMS par le pass (capteurs et actionneurs).

IV. Recherches personnelles dans le domaine MEMS RF

Mes activits de recherche se sont progressivement orientes vers l'tude des MEMS RF,
partir dun premier travail portant sur "Les microsystmes tlaliments autonomes" entre
1997-2000.

Dans le cadre de cette thmatique principale MEMS RF, j'ai eu l'occasion de traiter plusieurs
sujets en parallle:
- les micro-systmes tlaliments autonomes : tude sur le micro-modulateur
hyperfrquences
- les lignes de transmission sur silicium en technologie MEMS et leurs applications
au filtrage 30 GHz
- les composants passifs accordables : micro-capacits et micro-inductances
variables continment dans la gamme 1 20 GHz

Le choix de ces sujets a t motiv en particulier par les points suivants:
46
- favoriser lintgration de mes activits de recherche dans le laboratoire SIGTEL
5
,
puis ESYCOM
6
, dont les projets sont fortement orients vers les systmes de
communication mobiles,
- se positionner par rapport ltat de lart en MEMS RF (France et Europe), par
exemple en ne traitant pas directement des switches RF largement tudis ailleurs,
- dvelopper ou renforcer la collaboration avec d'autres laboratoires en Ile de France
(IEF Orsay, SATIE lENS Cachan, Universit Marne-La-Valle),
- entretenir limplication des industriels et institutionnels (Thals, MEMSCAP,
DGA) ou rechercher de nouveaux contacts (EPFL, EADS, CNES)

J'ai donc choisi de prsenter successivement dans ce manuscrit les diffrentes actions MEMS
RF cites ci-dessus, qui s'talent sur la priode 1998 2004, avant de terminer par quelques
thmes plus nouveaux dans le cadre des perspectives de mes travaux actuels (priode 2005-
2006).
Le second chapitre traitera donc de l'tude du micro-modulateur, le chapitre 3 offrira une
synthse des diffrents travaux concernant les lignes de transmission sur substrat de silicium,
le quatrime chapitre dcrira les travaux sur les composants passifs accordables de type
capacits ou inductances, le cinquime les perspectives, et le dernier chapitre sera une mise
jour de mon CV et des publications associes.

5
SIGTEL = Laboratoire SIGNAUX et TELECOMMUNICATIONS de lESIEE
6
ESYCOM = Equipe Systmes de Communications et Microsystmes (EA2552)
47

Rfrences bibliographiques du Chapitre I

[FAR 04] Farinelli P., Giacomozzi F., Mannocchi G., Marcelli R., Margesin B., Mezzanotte P., Di Nardo
S., Russel P., Sorrentino R., Vitulli F., Vietzorreck L., RF MEMS Switch on silicon substrate for use
in the space enviroment: technological implication for high reliability design, Microwave Technology
and Techniques Workshop, ESA ESTEC, May 2004.

[HOU 04], S.M. Hou, J.H. Lang, A.H. Slocum, A.C. Weber, J.R. White, A High-Q Widely-Tunable
Gigahertz Electromagnetic Cavity Resonator, Proc. of the 2004 IEEE Solid-State Sensor, Actuator and
Microsystems Workshop, June 2004.

[LOS 02] Hector J. De Los Santos, RF MEMS Circuit Design for Wireless Communications, Artech
House Publishers, 1st edition (June 2002).

[NGU 98] "Micromachined Devices for Wireless Communications", Clark, Nguyen, & al., Proc. IEEE, 86
(8), 1998.

[REI 02] Gabriel M. Rebeiz, RF MEMS: Theory, Design, and Technology, Wiley-Interscience, 1st
edition (June 2002).

[SHI 05] Shi, Y. and Kim, S-G. A Lateral, Self-Cleaning, Direct-Contact MEMS Switch, Proc. IEEE
MEMS 2005, Miami, January 2005.

[SOR 02] Sorrentino R., Mezzanotte P., Electromagnetic modelling of RF MEMS structures, Proc.
URSI-2002 , Maastricht, NL, Aug. 2002.

[VAH 03] Vh-Heikkil, Tauno; Kyynrinen, Jukka; Dekker, James; Pekko, Panu; Guillaume, Nadine;
Oja, Aarne; Varis, Jussi; Sepp, Heikki, Capacitive RF MEMS power sensors , Workshop
Espoo. European Space Agency, (2003), pp. 503508.

[VAR 02] Vijay Varadan, K. J. Vinoy, RF Mems & Their Applications, John Wiley & Sons, 1st edition
(December 2002).

48

Chapitre II Le Micro-modulateur hyperfrquences.

49
Table des matires du Chapitre II

I. Introduction........................................................................................................................... 51
II. Systmes tl-aliments et rseaux de capteurs sans fils .................................................... 51
II.1. Gnralits................................................................................................................ 51
II.2. Tl-interrogation avec translation de frquence ..................................................... 53
II.3. Mise en uvre base de MEMS: principe du micro-modulateur............................ 55
II.3.1. Description rapide du premier prototype.............................................................. 55
II.3.2. Description rapide du second prototype: principe du micro-modulateur............. 56
III. Etude du micro-modulateur hyperfrquences .................................................................... 58
III.1. Description et premier dimensionnement ............................................................... 58
III.1.1. Description gnrale............................................................................................ 58
III.1.2. Premier dimensionnement.................................................................................... 60
III.1.3. Modlisation......................................................................................................... 61
III.1.3.1. Analyse statique ................................................................................................ 61
Etude des bras de torsion.......................................................................................... 61
Dplacement de la plaque du la force lectrostatique ........................................... 62
Calcul de la capacit et de sa variation relative ....................................................... 63
Etude du positionnement des lectrodes BF et HF .................................................. 64
Dimensionnement de la structure............................................................................. 64
III.1.3.2. Analyse dynamique........................................................................................... 65
Expression gnrale de la frquence de rsonance .................................................. 65
Calcul du moment dinertie J de la plaque en torsion.............................................. 66
Retour sur le dimensionnement................................................................................ 66
III.1.3.3. Conclusion......................................................................................................... 67
III.2. Ralisation technologique ....................................................................................... 67
III.2.1. Description rapide du procd technologique..................................................... 67
III.2.2. Prototypes raliss ............................................................................................... 69
III.3. Caractrisation des prototypes ................................................................................ 70
II.3.1. Caractrisation mcanique.................................................................................... 71
III.3.2. Caractrisation lectrique.................................................................................... 72
IV. Conclusion et perspectives................................................................................................. 76
Rfrences bibliographiques du chapitre II.............................................................................. 78


50

51

- Chapitre II -
Le Micro-modulateur hyperfrquences

I. Introduction

Dans ce second chapitre, je vais prsenter la premire tude MEMS RF sur laquelle j'ai
travaill en arrivant l'ESIEE, entre fin 1997 et dbut 2001. Elle tait en particulier fonde
sur les travaux antrieurs de M. Paul Bildstein autour des systmes tl-aliments autonomes,
en collaboration avec M. Pierre Nicole, chef de projets R&D, travaillant initialement chez
Dassault Electronique, puis Detexis, et enfin Thals.

Aprs quelques gnralits sur les systmes tl-aliments et les rseaux de capteurs sans fils,
je prsenterai en dtail l'tude d'une fonction que nous avons appele "micro-modulateur
hyperfrquences", ou parfois aussi "translateur de frquences", et qui a fait l'objet d'un dpt
de brevet [BRE 97] et [BRE 98]. Cette tude s'est galement inscrite dans le cadre d'un projet
CNRS sur le thme "Micro systmes autonomes en nergie et de communication sans fil",
davril 1999 septembre 2000, avec l'IEF et le LESiR (actuellement SATIE).

II. Systmes tl-aliments et rseaux de capteurs sans fils

II.1. Gnralits

Les rseaux de capteurs tl-aliments actuellement accessibles sont bass sur
l'mission/rception de signaux lectromagntiques qui servent transmettre simultanment
des commandes et de lnergie, et recueillir les donnes de l'ensemble des capteurs dits
"abandonns".

52
On dfinit la tl-interrogation, qui consiste rcuprer distance des donnes mesures par
ces capteurs abandonns en plusieurs points de lespace et fonctionnant par alternance de
phases de veille et rveil, Figure 1.

Figure 1 . Principe des rseaux de capteurs tl-aliments.

De faon gnrale, un systme de tl-alimentation dans le cadre dun rseau de capteurs sans
fils est compos dau moins deux lments :
- une station de base relie une unit centrale d'interrogation, encore appele botier
interrogateur hyperfrquence (BIH), possdant une source d'nergie interne, qui met une
onde RF module par des informations issues du terminal (adresse, commande spcifique).
L'onde RF reue par les capteurs est convertie en puissance continue ncessaire leur
activation.
- un capteur qui, activ s'il possde assez d'nergie, peut mesurer divers paramtres et les
transmettre au BIH en retour. Il rmet une partie de l'onde incidente aprs translation de
frquence et modulation par les donnes de mesures (temprature, pression, humidit,
contraintes...)

Le droulement des oprations se divise selon les tapes de la Figure 2. Il s'agit d'un dialogue
bidirectionnel entre la station de base et l'ensemble des capteurs dans un volume donn.


53
BIH C
mission
des
rsultats
BIH
C
chargement du
capteur
en nergie
+
reconnaissance

1 tape : Le BIH envoie au capteur une onde qui contient:
- suffisamment d'nergie pour l'alimenter
- un code d'identification propre au capteur (adresse)

2 tape: Le capteur renvoie au BIH les rsultats correspondant aux
paramtres qu'il peut mesurer. Notons que durant la deuxime tape, le
signal descendant reste prsent, dans la mesure o il permet de faire
fonctionner le dispositif.

Figure 2. Les tapes de la tl-interrogation.

Comme les capteurs sont destins servir pendant plusieurs annes, le point qui limite
actuellement la porte de tels systmes est li l'efficacit du systme de conversion et de
stockage de l'nergie, la source dnergie ne pouvant pas tre une simple pile, qui poserait en
particulier le problme de son remplacement. Les recherches sur de meilleurs convertisseurs
d'nergie sont donc un point cl du futur de cette technologie.
II.2. Tl-interrogation avec translation de frquence

Un problme important est la rcupration des informations issues du capteur.
Traditionnellement, le capteur cens renvoyer les informations de mesure dispose dun

54
oscillateur qui lui est propre, capable de gnrer la porteuse de retour sur laquelle se
superposera la modulation des donnes. Mais pour des applications utilisant la tl-
alimentation hyperfrquence, la prsence dun oscillateur pour lmission de retour nest pas
trs compatible avec une bonne efficacit nergtique, car la dissipation du rpondeur
augmente avec la frquence (cas des technologies MOS).

Il y a donc tout intrt dans les rseaux de capteurs tl-aliments utiliser un circuit trs
faible consommation, dont la frquence dhorloge reste basse. Dans ce cas, on peut profiter de
londe radiofrquence du BIH pour restituer la base l'information issue des capteurs laide
dune translation de frquence [VIL 97].

En effet, une partie de l'nergie haute frquence est renvoye la base aprs avoir subi une
translation de frquence, Figure 3, afin de sparer les voies montante et descendante. La
translation de frquence est obtenue par une structure simple de multiplieur o la porteuse f
H

(de 1 3 GHz) est dcale de f
B
(de 1 50 kHz selon les applications) elle mme en fait
module par les donnes issues du capteur.

Figure 3. Principe de la tl-interrogation avec translation de frquence.

La solution sur laquelle j'ai en fait travaill consiste dvelopper cette fonction de translation
de frquence en utilisant un MEMS appel "micro-modulateur" trs faible consommation.

Lopration de translation de frquence ressemble aux techniques classiques de modulation
BLU avec cependant une trs faible translation spectrale (f
B
<< f
H
), comme sur le synoptique
de la Figure 4, o f
H
correspond l'onde porteuse de tl-alimentation et f
H
+f
B
l'onde
dcale utilise pour la rtromodulation des donnes issues du capteur.

f
H

canal
dmission
f
B

donnes capteur
f
H
f
B

canal de retour
(f
B
<< f
H
)

Conversion DC
stockage de
l'nergie incidente
Translation de
frquence
(micro-modulateur)

Electronique ultra
faible
consommation
Capteur C1
Capteur C2
Capteur C3
Capteur Cn
antenne

55

Figure 4. Translation de frquence MEMS par modulation de type BLU.

II.3. Mise en uvre base de MEMS: principe du micro-modulateur

La fonction de rmission des donnes issues des capteurs dans ces dispositifs tl-aliments
concerne la mise au point dune translation de frquence, correspondant en ralit un
multiplieur analogique, que nous avons choisi de raliser laide dun MEMS capacits
micromcaniques variables, intgres sur une membrane ou plaque de silicium en flexion ou
en torsion, et commandes par les donnes issues du capteur.

Deux versions ont t dveloppes au laboratoire, la premire entre 1994 et 1996 avant mon
arrive au Groupe ESIEE, par l'quipe de Paul Bildstein et Claudine Vasseure.

II.3.1. Description rapide du premier prototype

Le principe du premier prototype reposait sur l'analogie avec des capteurs acoustiques
capacitifs [KUH 92]; la capacit variable tant constitue d'une membrane de silicium trs
fortement dope P
+
au dessus d'une lectrode en aluminium, avec une paisseur d'air de
l'ordre de 1 2 m, Figure 5.
Malgr des rsultats intressants, de nombreuses difficults technologiques (membrane
fragile, soudure anodique mal matrise l'poque) et hyperfrquences (pertes leves aux
Onde de
rtromodulation des
donnes capteur
Cos[2(f
H
+f
B
)]
Sin(2f
H
)
donnes
Modulateur
BF (f
B
)
Dphasage
de /2
Cos(2f
H
)
soustracteur
MEMS
Translateur
capacits
variables
MEMS
Translateur
capacits
variables

56
contacts ou dans les lignes CPW, propagation dans le silicium) nous ont incits modifier
la structure.
De plus, la fonction recherche de translation par modulation BLU requiert a priori deux
micro-modulateurs assurant la multiplication analogique l'aide chacun de deux capacits
variables apparies. Cette dernire contrainte a conduit concevoir un second prototype qui
intgre simultanment deux micro-capacits apparies grce un systme en rotation.

Figure 5. Vue 3D du premier prototype de micro-capacit variable.

II.3.2. Description rapide du second prototype: principe du micro-
modulateur

Le principe retenu pour le second prototype sur lequel j'ai travaill entre 1998 et 2001, en
particulier avec Patrick Sangouard l'ESIEE, est fond sur la modification de lpaisseur dair
(e) inter-lectrodes de deux capacits en mouvement symtrique selon un systme torsionel.
La tension de commande basse frquence V
B
(typiquement f
B
= 10 kHz) lie au faible dbit
des donnes issues des capteurs entrane la modification symtrique des capacits; ce qui
module la porteuse hyperfrquence V
H
de frquence f
H
servant la rtromodulation. Le
schma de principe est donn sur la figure 6.

lectrode Al
Accs CPW
HF out
Accs CPW
HF in
Commande BF
Substrat verre
500m
Substrat Si
250m
membrane Si P
+

paisseur 1m

57

Figure 6. Micro-modulateur, principe utilisant des capacits variables symtriques
en torsion.

En notant C
0
la capacit nominale lquilibre pour une paisseur de dilectrique e
0
et S la
surface inter-lectrodes, la capacit C(t) volue selon l'hypothse "parallel-plate" (eq.1), o
C
B
(t) reprsente les variations basses frquences lies aux variations de lpaisseur de
dilectrique:

En premire approximation, il existe une relation linaire entre la capacit C
B
et la tension de
commande V
B
. De plus le signal hyperfrquence V
H
, ayant une frquence trs suprieure la
frquence de rsonance mcanique des lectrodes, ne perturbe en rien le dplacement.

Le courant gnr par ces variations est donn par (eq.2), dans lequel le terme C
B
.dV
H
/dt est
en fait prpondrant :

I C
dV
H
dt
V
H
dC
B
dt
= + +
0
C
B
dV
H
dt
(eq.2)

Les courants I
1
et I
2
sexpriment sur chacune des sorties selon (eq.3) et (eq.4). Le courant utile
est dtect aprs un dphasage de de I
2
sur I
1
, Figure 7, et ne dpend plus que du terme
principal I 2C
B
.dV
H
/dt dans la mesure o f
H
>> f
B
.

e
o
V
H
(f
H
) signal hyperfrquence
paisseur variable
basse frquence
(f
B
)
e
o
- e(t)
e
o
+ e(t)
I
2
li C
2
I
1
li C
1

silicium
Axe de
torsion
Structure en
rotation
Bras de
torsion
silicium
[11]
0
e
e(t)
S
r
0
(t)
B
C et
0
e
S
r
0
C o (t)
B
C
0
C C(t) = = + =
(eq.1)
( )
( )
[12]
dt
(t)
B
C
0
C d
).
B
V
H
(V
dt
)
B
V
H
d(V
. (t)
B
C
0
C
1
I
+
+ +
+
+ =
(eq.3)

58

Figure 7. Micro-modulateur quilibr 2 capacits variant en opposition.

La structure complte du multiplieur comporte 2 capacits C
1
et C
2
symtriques de faon
saffranchir du terme constant en C
0
et augmenter la rjection des harmoniques, tout en
amliorant la sensibilit de dtection d'un facteur 2. Enfin, la valeur de la capacit nominale
C
0
peut tre calcule de faon maximiser la puissance de sortie rcupre, pour un rapport
C
0
/C
B
constant, soit quelques pF autour de 2,45 GHz.
III. Etude du micro-modulateur hyperfrquences

III.1. Description et premier dimensionnement

III.1.1. Description gnrale

La structure tudie est donc un systme torsionel, constitu de l'association dun substrat de
silicium SOI soud un substrat de verre, de faon dgager une plaque de silicium de faible
paisseur en rotation autour dun axe fixe par lintermdiaire de bras de torsion, Figure 8.
C
2
(t)=C
0
-C
B
(t)
C
1
(t)=C
0
+C
B
(t)
V
H

I = I
1
-I
2

dphaseur
( )
( )
[13]
dt
(t)
B
C
0
C d
).
B
V
H
(V
dt
)
B
V
H
d(V
. (t)
B
C
0
C
2
I

+ +
+
=
(eq.4)

59
Les accs HF sont en technologie coplanaire sur le verre de faon rester compatible avec la
caractrisation sous pointes, tout en minimisant les problmes de pertes lies au substrat. Le
passage du signal sur le silicium seffectue alors par contact via des plots mtalliss.
De plus, la plaque de silicium en rotation est perfore douvertures afin de minimiser les
frottements lis lair. La commande de lpaisseur de dilectrique est assure par un jeu
dlectrodes mtalliques en regard les unes des autres constituant les capacits BF, et les
capacits variables utiles HF sont disposes de part et dautre de ces lectrodes de commande,
Figure 9. Une analyse approfondie de la position optimale des lectrodes BF et HF, prsente
plus loin, a t ralise avec I. Dufour (au LESiR cette poque) partir des quations
analytiques relatives l'actionnement lectrostatique.

Figure 8. Vue 3D de la structure en rotation.

Figure 9. Position des lectrodes BF et HF sur le prototype en torsion (coupe AA').
Silicium
(SOI)
Verre
A
A'
Bras de
torsion
Ouvertures
dans la
plaque de
Silicium
entrefer
sortie
HF
1
sortie
HF
2
entre
LF
entre
LF
entre HF
masse
plaque de
silicium en
torsion
substrat de
verre


60

III.1.2. Premier dimensionnement

Nous avons suppos que lpaisseur de dilectrique tait de hauteur ngligeable devant la
largeur des lectrodes, et que langle de dplacement de la plaque restait trs faible, toujours
nettement infrieur la dflexion maximale autorise par la gomtrie; ce qui revient
considrer la pression lectrostatique constante.
Ces hypothses imposent alors que la variation relative de capacit lie au mouvement des
lectrodes reste faible (entre 1 et 20 %).

La modlisation lectromcanique a t effectue par lanalyse statique puis dynamique du
dispositif en torsion, partir des quations analytiques simplifies, puis complte par des
simulations par quations intgrales (MatrixX) ou par lments finis (ANSYS 5.4). Ce travail
a t ralis d'une part lors d'un stage ingnieur de 6 mois (Marcello Magna) co-encadr
l'ESIEE avec P. Sangouard, et d'autre part en collaboration avec I. Dufour, au LESiR ce
moment l, dans le cadre des projets du PFM.

Les rsultats obtenus pour le premier dimensionnement sont rsums dans les tableaux ci-
dessous. Ils ont servi pour le dessin des jeux de masques du prototype tudi par la suite.

Description gomtrique Dimension (m)
Longueur / Largeur de la structure 2500 / 1440
Longueur / Largeur des bras de torsion 400 /185
Epaisseur des bras 15
paisseur de dilectrique 4

Paramtres mcaniques Valeurs obtenues
par calcul
Capacits lquilibre 0.9 1.1 pF
Moment dinertie (J) 1,38.10
-14
kg.m
Constante de torsion () 7.34 10
-5
Nm
Frquence de rsonance (fr) 11,5 kHz
Angle maximum 4,1.10
-4
rad

61

III.1.3. Modlisation

La modlisation a eu pour objectifs de dfinir un premier dimensionnement de prototype
compatible avec les contraintes de ralisation au sein du laboratoire, mais aussi de dterminer
les performances thoriquement envisageables, ainsi que les volutions ventuelles possibles.

Pour les calculs analytiques qui vont suivre, nous utiliserons les notations correspondant la
Figure 10, en prenant les dimensions des tableaux dj mentionns. Nous supposerons
l'paisseur de dilectrique uniquement remplie d'air de constante dilectrique
0
.

L
l
h
w
a
b
A
B
BF BF HF HF
paisseur t
entrefer S

Figure 10. Notations pour les calculs analytiques de la plaque en torsion.

III.1.3.1. Analyse statique

Etude des bras de torsion

Pour une poutre en torsion de cts x = t = 15m (paisseur du bras), y = w = 185m (largeur
du bras) et de longueur h = 400m, le couple de torsion T a pour expression (eq.5) qui se
rduit (eq.6), et la valeur maximale de la contrainte de cisaillement
max
, qui a lieu au milieu
du grand ct, a pour expression (eq.7) simplifie (eq.8), k et k
1
tant des coefficients qui
dpendent du rapport a b .

(
(
\
|
= 5 , 3 , 1 n
5 5
3
x 2
y n
th
n
1
y
x 192
1 y x
h 3
G
T (eq.5)

62
1
3
k w t
h
G
T = (eq.6)
(
(
(
(
\
|
= 5 , 3 , 1 n
2
2
max
x 2
y n
ch n
1
y
x 8
1 x
h
G
(eq.7)
k t
h
G
max
= (eq.8)

Les valeurs de k et
1
k sont donnes dans le tableau suivant (pour notre prototype, w/t = 12):

w / t 1 1.3 1.6 2 3 5 10 20
1
k 0.14058 0.17706 0.20374 0.22868 0.26332 0.29132 0.31233 0.32283 1/3
k 0.6753 0.7927 0.8694 0.9301 0.9854 0.9994 1 1 1

Dplacement de la plaque du la force lectrostatique

Dans ce calcul, on nglige les effets de bord au niveau des lectrodes BF, ce qui impose que
la largeur des lectrodes BF soit nettement plus grande que l'paisseur: S 10 a b > .

La force lmentaire dF produite par un lment de largeur dx et de longueur L plac la
distance x de laxe de rotation a pour module (eq.9):
( ) ( )
2
2
0
sin x S 2
dx L V
dF

= (eq.9)

Le couple M produit par la force totale qui sexerce sur l'lectrode BF a alors pour
expression (eq.10):

( ) ( ) ( )
( )
( )
(
|
|
\
|

+

= = =

sin a S
sin b S
ln
sin a S
S
sin b S
S
sin 2
L V
dF x dF OM M
2
2
0
b
a
b
a
(eq.10)

Dans notre cas, nous avons vu, compte tenu des dimensions, que l'angle maximal de rotation
reste trs faible et nous prenons ( ) = sin .

Dautre part, les deux bras de torsion exercent chacun un couple rsistant selon (eq.6) et le
couple total sera not sous la forme (eq.11) :

63
= T avec
1
3
k w t
h
G
2 = (eq.11)

La position dquilibre est donc donne par langle solution de lquation suivante (eq.12):
=
(
\
|

+

a S
b S
ln
a S
S
b S
S
2
L V
2
2
0
(eq.12)

Aprs linarisation de l'expression du couple M, nous obtenons (eq.13) qui devient
indpendante de l'angle pour les angles petits (pression lectrostatique indpendante du
dplacement), et nous trouvons une solution analytique pour l'angle (eq.14).

( )
(
S
a b
3
2
2
a b
S 2
L V
M
3 3
2 2
2
2
0
(eq.13)
( )
2
2 2 2
0
S 4
a b L V

= (eq.14)

Calcul de la capacit et de sa variation relative

Dans ce calcul, on nglige les effets de bord au niveau des lectrodes HF, ce qui impose la
largeur des lectrodes HF soit nettement plus grande que l'paisseur : S 10 A B > .

Il s'agit d'une gomtrie didrique et non pas "parallel-plate", et lexpression de la capacit C
du condensateur est donne de faon approche selon (eq.15).

( )
( )
|
|
\
|

|
|
\
|

=
B S
A S
ln
L
sin B S
sin A S
ln
L
C
0 0
(eq.15)

Il est possible de linariser lexpression de cette capacit C condition que B S << ,
(eq.16), ce qui donne rapidement accs la capacit au repos C
0
(eq.17).

( )
(
+ +
+
+
+
2
2 2 2
0
S 3
B AB A
S 2
B A
1 A B
S
L
C (eq.16)

( ) A B
S
L
C
0
0

(eq.17)

La variation relative de capacit a alors pour expression (eq.18):


64
S 2
B A
S 3
B AB A
S 2
B A
C
C
2
2 2 2
0
+
+ +
+
+
(eq.18)

Etude du positionnement des lectrodes BF et HF

Nous avons tudi la variation relative de la capacit C/C
0
en fonction du positionnement
des lectrodes, partir du cas limite o toute la surface de la plaque en torsion est recouverte
par les lectrodes BF ou HF (lectrodes jointives).

En remplaant l'expression de l'angle d'quilibre (eq.14) dans la variation relative de
capacit, nous obtenons (eq.19), o le terme tudier est ( )( )
2 2
a b B A + .

( )( )
2 2
2
2
0
0
a b B A
S
L V
8
1
S 2
B A
C
C
+
(eq.19)

Je ne donne ensuite qu'un rsum des conclusions obtenues suite cette tude, selon que les
lectrodes BF (actionnement) sont au bord et HF (condensateur utile) au centre ou le
contraire:
Avec la configuration "lectrodes BF au centre", les variations relatives de capacit
peuvent tre a priori plus importantes. Mais il ne faut pas prendre trop de surface pour
lactionnement, sinon la capacit au repos devient trop petite. L'ide a t de fixer
cette capacit au repos, ce qui revient imposer la dimension B A = X.
Si llectrode BF est plus petite que llectrode HF (2X > l), il vaut mieux mettre
lactionnement au bord. Dans le cas contraire (l >2X), si llectrode BF est plus grande
que llectrode HF, il vaut mieux mettre lactionnement au centre.

Dimensionnement de la structure

Nous avons fix la longueur totale de la plaque L 2500m, l'paisseur S 4m (contraintes
essentiellement technologiques l'poque), et la capacit au repos C
0
1pF (contraintes
hyperfrquences pour une utilisation vers 1-3GHz).

Nous pouvons alors calculer la largeur de la capacit HF par (eq.20) et celle de l'lectrode BF
par (eq.21), condition de respecter la contrainte du positionnement ( l >2 (B-A)).
L
S C
A B
0
0
= (eq.20)
l B =
L
S C
l b A
0
0
= = 0 a = (eq.21)

65

En notant t w r = , le coefficient (eq.11) du couple de torsion T vaut ) r ( k t r
h
G
2
1
4
= .
Nous pouvons alors tirer de la variation C/C
0
(eq.19) lexpression de la longueur h des bras
(eq.22), qui apparat donc proportionnelle la variation relative de capacit.

0
0
0
2
0
0
2
0
1
4 3
C
C
L
S C
l 2
L
S C
l
1
L V
) r ( k r t S G 16
h

|
|
\
|
|
|
\
|
= (eq.22)

Il devient intressant, pour diffrents rapports w / t, de dterminer la longueur du bras h par
pourcentage de variation de capacit souhait.

III.1.3.2. Analyse dynamique

Nous garderons les notations de ltude statique, Figure 10.

Expression gnrale de la frquence de rsonance

La frquence de rsonance d'une plaque de moment d'inertie J par rapport son axe de torsion
a pour expression (eq.23), o le couple de torsion T dvelopp par les 2 bras est donn par
= T .
J 2
1
f

= (eq.23),
avec
h
) r ( k w t G 2
1
3
= ,
t
w
r = et
( ) +
=
1 2
E
G , E tant le module dYoung et le
coefficient de Poisson.

Nous avons choisi pour toutes les applications numriques les valeurs moyennes relatives au
silicium: GPa 150 E = , 273 . 0 = , et
3
m / kg 2300 = .


66

Calcul du moment dinertie J de la plaque en torsion

A partir des coordonnes de la plaque rectangulaire, en torsion par rapport l'axe de rotation
x : [ ] 2 L ; 2 L ; axe y : [ ] l ; l ; axe z : [ ] 2 t ; 2 t , l'expression du moment dinertie J
x
par
rapport laxe x est donn par (eq.24):
( )
+ = dz dy dx z y J
2 2
x
, soit
( )
(
(
+ =
12
t
12
l 2
t l 2 L J
2 2
x
(eq.24)

Retour sur le dimensionnement

A partir des relations (eq.23) et (eq.24), la frquence de rsonance s'crit selon (eq.25):
( )
(
(
=
12
t
12
l 2
t L l 2
1
h
) r ( k w t G 2
2
1
J 2
1
f
2 2
1
3
(eq.25)

Sachant que l'paisseur de la plaque reste faible ( l t << ), lexpression prcdente de J se
simplifie et la frquence de rsonance peut scrire (eq.26):

h l L
) r ( k r t G 3
2
1
l t L 2
3
2
1
J 2
1
f
3
1
3
3
= (eq.26)

Nous souhaitons un fonctionnement du micro-modulateur tel que
min
f f > ~10kHz, ce qui
impose une contrainte sur les dimensions (
min
3
1
3
f
h l L
) r ( k r t G 3
2
1
>
).

A partir de ltude statique o h devient la variable dterminer, nous vrifions que h reste
compatible avec la frquence de rsonance minimale souhaite, cest dire (eq.27):
3
1
3
2
min
l L
) r ( k r t G 3
f 2
1
h
|
|
\
|
< (eq.27)


67

III.1.3.3. Conclusion

Cette modlisation m'aura permis de mieux apprhender les diffrents phnomnes
mcaniques prendre en compte lors de la conception d'un MEMS, sans avoir recours
ncessairement un logiciel spcifique (ANSYS ou Coventor par exemple).

Je dois aussi signaler que l'analyse complte du dimensionnement que je viens de rsumer n'a
t effectue qu'aprs la ralisation (en 1998) du premier prototype de micro-modulateur
deux capacits en torsion. Par consquent, les dimensions de ce prototype n'taient pas
optimales, et une deuxime structure aurait d tre dveloppe (suite au projet CNRS 1999-
2000); ce qui n'a pas t possible faute de nouveaux moyens financiers sur ce thme.

Nous disposons nanmoins de l'ensemble des donnes utiles une optimisation de la
gomtrie de ce micro-modulateur, si nous souhaitons relancer une action intgrant cette
fonction, par exemple pour raliser un front-end intgr qui associerait plusieurs fonctions
MEMS (Antenne, commutateur, Micro-modulateur, filtres).

III.2. Ralisation technologique

Ce projet a reprsent pour moi l'opportunit de me former de faon pratique, ds mon arrive
au Groupe ESIEE, aux micro-technologies (dessins de masques, formation en salles blanches,
choix et contraintes technologiques).

Notons galement que certains procds actuellement bien fiabiliss n'en taient qu' leurs
dbuts l'ESIEE en 1998, comme la DRIE
1
ou la soudure anodique.

III.2.1. Description rapide du procd technologique

Le dispositif est constitu de l'association dun substrat de silicium SOI soud un substrat de
verre, de faon dgager une plaque de silicium de faible paisseur en rotation autour dun
axe fixe par lintermdiaire de bras de torsion.

1
DRIE = Deep Reactive Ion Etching

68

La technologie choisie utilise la soudure anodique du verre et du silicium. La ralisation des
capacits variables a ncessit 7 niveaux de masques : 4 sur la plaquette SOI et 3 sur la
plaquette de verre. Les plaquettes SOI sont initialement trs peu dopes (rsistivit >
4000.cm). Les figures suivantes (11.a - 11.g) rsument les diffrentes tapes du procd
technologique mis en uvre.

Figure 11.a. Oxydation et ralisation des zones dopes localement.

Figure 11.b. Mtallisation et gravure des lectrodes.

Figure 11.c. Gravures face arrire et face avant, dgagement des plaques mobiles.

Figure 11.d. Gravure de cavits dans le verre.

Figure 11.e. Mtallisation et gravure des lectrodes sur le verre.
Silicium
Silium intrinsque
Oxyde Dope
Dope
Verre
Verre
HF1 BF BF HF2
Silicium
Silium intrinsque
Oxyde
Masse Electrode
Dope Dope
Silicium
Silium intrinsque
Oxyde
Masse
Electrode
Dope Dope
Bras de torsion

69

Figure 11.f. Protection de Nitrure sur les lectrodes.

Figure 11.g. Soudure Verre Silicium.

Figure 11. Etapes de fabrication du micro-modulateur (a g)

III.2.2. Prototypes raliss

Nous avons obtenu 2 wafers 4" mesurables. Dans le premier cas, un mauvais alignement lors
de la dernire tape de soudure anodique (procd non standard et manuel l'poque de la
ralisation) a rduit le nombre de cellules utilisables pour des tests.

Les mtallisations ont t ralises en Aluminium (~0.5 1m) ou en Cr/Au
(typ.~1000A+3000A). L'inconvnient de l'aluminium provient de son oxydation l'air et par
consquent de la mauvaise qualit des contacts RF, contrairement l'or. Mais la soudure
anodique qui ncessite idalement une tape thermique vers 400C doit tre adapte plus
basse temprature dans le cas d'utilisation de pistes en or. Dans ce cas, la soudure est de
moins bonne qualit dans le temps.

Nous avons sur chaque plaquette 2 tailles de modulateur (rectangle ou carr) et diffrentes
lignes de transmission pour des tests RF (pertes, calibration).

Silicium
Silium intrinsque Dope Dope
Verre
Nitrure
Bras de torsion
Electrodes BF
Electrodes HF
Masse
Verre
Nitrure

70
Sont donnes ci-dessous la photographie d'une cellule rectangulaire, Figure 12, et la vue (au
microscope lectronique balayage) au fond des cavits aprs DRIE sur le SOI, Figure 13.

Figure 12. Photographie vue de dessus du prototype.

Figure 13. Vue au MEB d'une plaque en torsion aprs DRIE.

III.3. Caractrisation des prototypes

La caractrisation mcanique et lectrique des dispositifs s'est effectue dans le cadre du
PFM, avec d'une part les possibilits offertes de mesures par profilomtrie l'ENS Cachan (I.
Dufour) et par vibromtrie optique l'IEF (A. Bosseboeuf), et d'autre part des mesures
3 mm
Commande
BF
Entre HF
Sorties HF
BF
GND

71
hyperfrquences sous pointes l'IEF (P. Crozat et JP. Gilles) avant que nous ne disposions
l'ESIEE d'un banc de mesure sous pointes fonctionnel.

Ces contacts, qui m'ont videmment permis de me familiariser plus rapidement avec ces
diffrentes techniques de caractrisation, ont servi valider le principe de fonctionnement de
notre micro-modulateur.
II.3.1. Caractrisation mcanique

Les mesures de profilomtrie ont fait apparatre des structures lgrement bombes,
Figure 14. La courbure, qui est denviron 5 m au centre sur les structures longues (3mm),
doit pouvoir tre corrige en modifiant le procd technologique de faon rduire les
contraintes mcaniques (plaque mobile en silicium + SiO
2
rsiduel non grav aprs DRIE).

Figure 14. Mesure par profilomtrie optique, vue 3D et en coupe au centre.

Les mesures de vibromtrie [BOS 99], qui sont fondes sur la dtection dinterfrences
optiques, Figure 15, ont permis de visualiser un grand nombre de frquences de rsonance,
dont une premire mesure vers 5,75 kHz et une autre autour de 10,5 kHz proche de la
frquence thorique calcule (11,5kHz).
Dans le cas de la gomtrie rectangulaire ainsi teste, le mode de torsion semblait perturb par
un mode de flexion indsirable plus basse frquence. De plus, la courbure prcdemment
observe contribue expliquer que la frquence de rsonance en torsion soit lgrement plus
faible que prvu (10,5 contre 11,5kHz).


72

Figure 15. Micro-modulateur ltat dynamique et spectre de vibration 10.5kHz
(suite une excitation pizolectrique de 4.8V)

III.3.2. Caractrisation lectrique

Plusieurs types de mesures lectriques ont t ralises ( l'IEF):
- mesures l'analyseur de rseau vectoriel HP8510C (45MHz 12GHz) ou
HP8753D (30kHz 6GHz):
paramtres [S] de lignes de transmission de rfrence,
paramtres [S] de l'association srie des deux capacits variables CHF
1
et
CHF
2
, avec polarisation DC des lectrodes de commande (0 40V), Figure 16.
- mesures l'analyseur de spectre HP8563E :
puissance des raies de mlange, pour une entre HF 1GHz et diffrentes
frquences de modulation BF (200Hz 1,5kHz), Figure 17.

Figure 16. Principe de la mesure des deux capacits variables CHF1 et CHF2 en
srie.

0,00
0,20
0,40
0,60
0,80
1,00
1,20
1,40
1,02 10
4
1,04 10
4
1,06 10
4
1,09 10
4
1,11 10
4
Spectre de vibration du modulateur de l'ESIEE
au voisinage de 10.5 KHz avec une xcitation du PZT 4.8 Volt
Frquences
CHF
1

Commande BF
2

Sortie HF
2
=
Sortie HF = Port 2 de
l'analyseur de rseau

Sortie HF
1
=
Entre HF = Port 1 de
l'analyseur de rseau
CHF
2

Commande BF
1

Commandes BF
alternes,
DC entre 0 et 40V
Entre HF du
prototype non utilise

73

Figure 17. Principe de la mesure en puissance.

L'analyse de la phase du paramtre S
11
pour les capacits variables en srie nous a permis
d'extraire, partir d'un modle quivalent trs simplifi sous ADS
2
:
- les valeurs statiques au repos des capacits, soit 0,95 pF et 0,87 pF, valeurs
proches des 1pF souhaits (de plus, seule une symtrie parfaite de la structure
permettrait d'obtenir exactement les mmes valeurs pour CHF
1
et CHF
2
)
- la loi de variation C(V) en fonction de la commande BF

Des lignes de transmission, disponibles sur d'autres plaquettes spcifiques, ont servi
dterminer linfluence du substrat de silicium (type de dopage, type de lignes optimales
coplanaires ou micro-rubans, dimensions ), ainsi que les pertes ohmiques dues la qualit
des mtallisations (Al ou Cr/Au), comme sur la Figure 18. Ces informations ont t ensuite
utilises pour liminer l'influence des accs dans le schma quivalent.

Le modle lectrique quivalent ADS extrait des mesures de phase est propos Figure 19. Les
capacits parasites Cp
1
et Cp
2
sont dues la couche doxyde intermdiaire sous les lectrodes
mtalliques, et la connectique inter-lectrodes se traduit par un effet inductif L.

2
ADS = Agilent Design Software
Analyseur
de rseau =
entre HF
Adaptation 50
CHF
2

BF
2

CHF
1

Analyseur de
spectre = sortie
HF module
BF
1

Actionnement
lectrostatique par
gnrateur BF
entre 200Hz et
1,5kHz 20V AC

74

Figure 18. Paramtres S11 et S21 sur Si peu dop (a) et fortement dop (b), ligne
micro-ruban de largeur w = 80 m et longueur L = 1500 m.

Figure 19. Comparaison mesure/modle sur la phase de S11 (a) et schma
lectrique quivalent associ la partie mobile (b).

La polarisation BF du ct 1 ou 2 se traduit par des variations opposes de capacit (CHF
1

tant dcroissante pendant que CHF
2
est croissante, ou inversement), Figure 20.
Nous avons remarqu que le niveau de tension requis pour un actionnement significatif
(variation de capacit dtectable), soit 40V, est plus lev que celui attendu cause de la
valeur de l'paisseur dair entre verre et silicium pour des structures qui sont bombes au
centre (gap de 10m au lieu de 4m thoriquement).
Nous avons galement pu dterminer partir de ces mesures la loi de variation C(V) sous
polarisation DC pour chacune des capacits HF, soit une loi linaire en V.

(a) (b)
modle
mesure
(a) (b)
CHF
1

Accs
1.3 mm
Accs
1.3 mm
Cp
2
= 0.67 pF
Cp
1
= 0.23 pF
Port 1
L = 0.3 nH R = 18
CHF
2

Port 2

75

Figure 20. Loi de variation C(V) extraite des mesures sous polarisation DC des
lectrodes BF entre 0 et 40V.

Enfin, une validation du principe de fonctionnement du translateur a t effectue, en
combinant des mesures hyperfrquences lanalyseur de rseaux vectoriel et des mesures
lanalyseur de spectre, pour diffrents niveaux de polarisation AC (0 20V) et diffrentes
frquences (200Hz 1,5kHz) des lectrodes de commande.
Pour ces tests, nous avons choisi une frquence porteuse 1GHz injecte sur l'entre HF, et
un signal modulant basse frquence issu du GBF (frquence choisie de 200Hz 1,5 kHz) est
appliqu de faon alterne complmentaire sur la commande des lectrodes BF. Le signal
rsultant est mesur l'analyseur de spectre sur l'une des sortie HF (l'autre sortie tant 50).

Nous dtectons principalement la raie porteuse 1GHz, mais galement des raies dcales en
frquence en fonction du signal modulant. L'amplitude de ces raies latrales apparat
directement proportionnelle au carr de la tension BF choisie pour la modulation, Figure 21.
Il faut noter que la configuration de mesure n'est pas exactement celle du fonctionnement du
micro-modulateur, puisqu'une seule des deux capacits HF n'est ici utilise; ce qui explique la
prsence forte de la raie porteuse. La combinaison (soustraction) des signaux issus des deux
sorties CHF
1
et CHF
2
doit permettre ensuite de s'affranchir de cette frquence porteuse
indsirable. Cependant, la mise en uvre exprimentale de cette configuration relle de
fonctionnement est assez complexe, et ncessite entre autre du matriel supplmentaire non
disponible l'poque des mesures.
Right polarisation
CHF2 = 4E-05V + 0,5403 (pF)
CHF1 = -7E-06V + 0,5928 (pF)
0,53
0,54
0,55
0,56
0,57
0,58
0,59
0,6
0,61
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
square DC voltage (V)
c
a
p
a
c
i
t
a
n
c
e

v
a
l
u
e
s

(
p
F
)
CHF1
CHF2

76

0
1
2
3
4
5
6
0 100 200 300 400 500
Pmod @ 200Hz
Pmod @500Hz
Pmod @1kHz
Pmod @1.5kHz
Modulated power (10
-4
mW)
Square modulating voltage (V
2
)

Figure 21. Puissance du signal modul en sortie pour diffrentes tensions du signal
BF modulant.

IV. Conclusion et perspectives

Cette tude s'est acheve dbut 2001, essentiellement faute de financement pour dvelopper
un nouveau prototype optimis.

Les rsultats intressants obtenus retenir sont les suivants:
validation du principe de fonctionnement de la fonction "translation de
frquence"
ralisation de premires capacits variables MEMS (~1pF@2.5 GHz) en
technologie verre-silicium

Les points amliorer lors d'une reprise de cette tude seraient en priorit:
le dimensionnement de la plaque de torsion avec ses lectrodes, suite l'analyse
mcanique plus pousse qui a t faite courant 2000 (analytique et ANSYS); l'ide

77
tant d'augmenter la frquence de rsonance mcanique en diminuant les dimensions
(pour simplifier la translation de frquence)
la fiabilisation du procd technologique, sachant que nos connaissances autour de la
DRIE en particulier ont beaucoup progress depuis la fabrication du premier prototype
en torsion
les performances hyperfrquences, pour augmenter la sensibilit du modulateur (raies
latrales trop faibles) et liminer la composante continue

Enfin, je garde personnellement un grand intrt pour cette fonction de micro-modulateur, qui
devrait pouvoir tre intgre terme dans des applications hyperfrquences plus complexes.

Par exemple, nous avions essay de relancer ce thme travers une proposition d'tude sur
des systmes d'mission rception entirement base de MEMS en bande Ka, dans le cadre
d'une ACI Jeunes Chercheurs avec l'quipe de Marne-La-Valle en 2003 (proposition qui a
cependant t refuse).

L'ide consistait combiner les savoir-faire disponibles:
une technologie MEMS verre-silicium, utilise pour des lignes de transmission micro-
ruban inverses et pour le micro-modulateur,
une bonne analyse des lignes inverses trs faibles pertes, compatibles avec la bande
Ka, et utilises dans la synthse de filtres (voir chapitre III) [MAR 01],
une tude de faisabilit sur le micro-modulateur, qui ne demandait qu' tre optimis
[BAZ 00] ,
une antenne imprime compacte polarisation circulaire [AIS 02], intgrant sur un
mme plan la ligne dalimentation coplanaire et la fente de couplage.

Une structure complte dmission pourrait tre ralise l'aide de cette technologie
verre/silicium faible cot, comportant un micro-modulateur suivi dune antenne sur
membrane inverse. La structure quivalente de rception associe, constitue dune antenne
identique, suivie dun filtre et dun dmodulateur, pourrait aussi tre dveloppe.

L'intrt actuel pour relancer une telle tude rside plutt dans l'intgration possible de
diffrentes fonctions l'aide d'une technologie MEMS commune.

78
Rfrences bibliographiques du chapitre II

[AIS 02] H. Aissat, L. Cirio, M. Grzeskowiak, O. Picon, Circularly polarized microstrip
antenna coupled on an asymetrical cross coplanar slot, Proc. of JINA 2002 (International
Symposium on Antennas), Nice, vol. 2, pp. 137-140, Nov. 2002.

[BAZ 00] G. Bazin, J.P. Gilles, P. Crozat, P. Sangouard, A. Bosseboeuf, I. Dufour, R.
Yahiaoui, P. Bildstein, " An electomechanical mixer using Si micromechanical capacitors
and radio-frequency functions.", Journal of Micromechanics and Microengineering, vol.10, pp
254-259, Aug. 2000.

[BOS 99] A. BOSSEBOEUF, J.L. THOUVENIN, J.M. QUEMPER, White light interferometric
profilometry, a powerful technique for the control micromechanical devices deformations and
fabrication., Proc. of MME'99, Gif/Yvette, 59-62, Sept. 1999.

[BRE 97] Brevet franais n97015311 du 4 dcembre 1997, "Translateur de frquence
perfectionn faible consommation" , collectivement, en qualit d'inventeurs, M. Paul
Bildstein, M. Patrick Sangouard, Mme Galle Bazin et M. Pierre Nicole.

[BRE 98] Complment n98 11426 du 14 septembre 1998, "Improved low-consumption
frequency translator" pour brevet international, collectivement, en qualit d'inventeurs, M.
Paul Bildstein, M. Patrick Sangouard, Mme Galle Bazin et M. Pierre Nicole.

[KUH 92] Khnel W., Hess G., " Micromachined subminiature condenser microphones in
silicon ", Sensors and Actuators, vol. 32, p. 560-564, 1992.

[MAR 01] L. Martoglio, E. Richalot, O.Picon, G. Lissorgues-Bazin, C. Vasseure, "Low-
Loss Microstrip MEMS Technology for RF passive Components., Proceedings of EuMW
2001, Londres, pp. 13-16, Oct. 2001.

[VIL 97] M. Villegas, P. Bildstein, P. Nicole, Translateur de frquence micro-ondes pour
capteur intelligent autonome, Journes Nationales Micro-ondes, pp270-271, May 1997.

Chapitre III Lignes de transmission sur silicium
79
Table des matires du Chapitre III

I. Introduction 81

II. Les spcificits du substrat silicium en hautes frquences 81
II. 1. Spcificits RF et micro-ondes 81
II.1.1. Longueur critique 81
II.1.2. Choix du substrat 82
II.1.3. Choix du conducteur 83
II.2. Le problme de la transmission sur silicium standard 84
II.3. Les solutions classiques lies la transmission sur silicium 86
II. 4. Conclusion 88

III. Etude des lignes coplanaires sur silicium 88
III.1. Synthse des rsultats obtenus entre 1998 et 2000 89
III.2. Complments sur le banc de caractrisation hyperfrquences sous pointes 92
III.3. Conclusion 96

IV. Etude des lignes micro-rubans inverses 96
IV.1. Description 96
IV.1.1. Gnralits 96
IV.1.2. 1
re
gnration avec une paisseur dair de 10m 96
IV.1.3. 2
me
gnration avec une paisseur dair de 100m 103
IV.1.4. Cas particulier de la transition accs coplanaire / ligne micro-ruban inverse 105
IV. 1.5. Procd technologique 107
IV.2. Application au filtrage 109
IV.2.1. Etude du filtre passe-bas 110
IV.2.2. Etude du filtre passe-bande 111
IV.2.3. Conclusion sur les filtres 113

V. Conclusion gnrale 113

Rfrences bibliographiques du Chapitre III 114

80
81
- Chapitre III -
Lignes de transmission sur silicium

I. Introduction

Dans ce troisime chapitre, je vais prsenter les diffrents travaux raliss autour des lignes de
transmission hyperfrquences, en particulier sur substrat silicium.

Il sagit initialement dun projet lanc par Claudine Vasseure, ingnieur au Groupe ESIEE, qui
sest occupe des premiers dveloppements technologiques entre 1998 et 2001, et qui m'a
galement forme aux techniques de mesures sous pointes. A partir de 2001, j'ai directement pris
en charge les diffrents aspects de ralisation en salles blanches et de caractrisation.

De plus, ces tudes se sont droules en collaboration avec lquipe dOdile Picon lUMLV
1
, en
particulier afin d'illustrer par des confrontations entre simulations numriques et mesures
exprimentales une partie des travaux de deux doctorants, A. Richardson (thse soutenue en 2004)
et L. Martoglio (thse soutenue le 12 dcembre 2005). La poursuite de ces travaux reste d'actualit
au sein d'ESYCOM, avec des extensions aux filtres micro-ondes ( saut d'impdances ou lignes
couples), en troite collaboration avec Elodie Richalot.

II. Les spcificits du substrat silicium en hautes frquences

II. 1. Spcificits RF et micro-ondes
II.1.1. Longueur critique
Pour les gammes de frquences suprieures au GHz, il existe une longueur critique des pistes
mtalliques, Tableau 1, au del de laquelle il est indispensable de prendre en compte les
phnomnes de propagation. De faon gnrale, la monte en frquence favorise la rduction des
dimensions au dtriment de laugmentation des effets parasites et de rayonnement.

1
UMLV = Universit Marne-La-Valle
82

Compte-tenu des petites dimensions des MEMS, les pistes d'interconnexions ou les lignes d'accs
sont gnralement suprieures L
critique
~ 10. avec longueur d'onde guide et
r
la permittivit
dilectrique du substrat. En ralit, il faut tenir compte du type de ligne et de son environnement
(coplanaire ou micro-ruban par exemple), afin de dterminer la permittivit effective quivalente
eff
(1).

Le choix du type de substrat dont dpend la valeur de la permittivit dilectrique
r
devient donc
trs important. Rappelons galement que cette constante
r
varie en ralit en fonction de la
frquence selon une loi
r
(f) gnralement difficile connatre avec prcision pour chaque type de
substrat.

Tableau 1. Exemples de longueurs critiques selon le substrat

II.1.2. Choix du substrat
La prsence d'un substrat semi-conducteur sous les lignes de transmission va introduire des pertes
dilectriques (dphasage li une tangente de pertes tg non nulle, Tableau 2). Il existe une
relation approche permettant de relier ces pertes la conductivit du substrat, pour une
frquence f donne par = 2f (2).

0.8 mm 8.3 mm GaAs (r = 13)
0.9 mm 8.7 mm Silicium (r =12)
1.5 mm 1.5 cm Silice (r = 4)
< 1mm 9.8 mm Alumine (r = 9,8)
2 mm 2 cm Tflon (r = 2,25)
1.4 mm 1.4 cm Verre poxy
(r = 4,45)
10 GHz 1 GHz
L
critique
CPW en
r
eff eff
2
1
0

+
=
(1)
= =
r
tg
0
(2)
83
Matriau Constante dilectrique Angle de pertes
dilectriques tg 10GHz
Tflon 2,1 0.0005
Quartz 3,8 0.0001
Silice (SiO
2
) 4 0,004
Verre 4,5 5 0.0036
Berylium (BeO) 6,3 0.006
Alumine (Al
2
O
3
) 9,8 0.0001
Silicium (10
3
Ohmcm) 11,9 (fonction du dopage) 0.015
GaAs peu dop 12,9 (fonction du dopage) 0.002

Tableau 2. Quelques valeurs de tg selon le substrat

II.1.3. Choix du conducteur

Les conducteurs utiliss pour les lignes en hautes frquences sont caractriss par leur conductivit
lectrique , Tableau 3, mais le choix dpend aussi de paramtres technologiques (couche
d'accrochage, compatibilit des procds, oxydation en surface, ..)

Rsistivit (.m) Conductivit (S.m
-1
)
Au 2,35.10
-8
42,55.10
6

Al 2,65.10
-8
37,74.10
6

Cr 12,9.10
-8
7,75.10
6

Ag 1,62.10
-8
61,73.10
6

Pt 10,50.10
-8
9,52.10
6

Cu 1,72.10
-8
58,13.10
6

Ni 6,90.10
-8
14,49.10
6

Ti 40.10
-8
2,5.10
6

Tableau 3. Caractristiques de quelques mtaux conducteurs

Notons qu'au laboratoire, nous ne disposons facilement que de couches Cr/Au ou Al pour raliser
nos MEMS RF.

Les conducteurs introduisent gnralement des pertes rsistives ou ohmiques, des pertes par effet
de peau, tableau 4, lies la longueur de pntration
p
(3) et des pertes par effet de proximit ou
par couplage. Il existe pour chaque type de mtal une paisseur critique t suffisante pour rendre
ngligeable l'effet de peau, gnralement choisie telle que t >3 ou 5 (il s'agit d'un ordre de
grandeur empirique).

f
p
1
=
(3)
84

Matriau Rsistivit relative
/
Cu
(
Cu
= 1,72.10
-8
m)
Epaisseur de
peau
p

en m
2GHz
Epaisseur de
peau
p

en m 10GHz
Epaisseur de
peau
p

en m 30GHz
Cuivre (Cu) 1 1,47 0,66 0,38
Or (Au) 1,36 1,72 0,77 0,44
Aluminium (Al) 1,6 1,87 0,84 0,48
Chrome (Cr) 7,5 4,07 1,82 1,05

Tableau 4. Quelques valeurs d'paisseur de peau selon le conducteur.

II.2. Le problme de la transmission sur silicium standard
Les modes de propagation, Figure 1, varient selon la rsistivit du Silicium qui introduit des
pertes, Figure 2, en hautes frquences (absorption partielle du rayonnement lectromagntique
dans le substrat). Il existe en fait trois modes de propagation possibles dans un substrat semi-
conducteur:
le mode quasi TEM ou rgime dilectrique faibles pertes
le mode d ondes lentes ou rgime conducteur pertes leves
le mode par effet de peau

Il faut donc viter de se trouver dans le mode d'ondes lentes; ce qui impose d'utiliser du silicium
peu dop, ou encore appel silicium haute rsistivit (HRS
2
), ds que l'on travaille au del du GHz.

Nous pouvons donner un ordre de grandeur des pertes dans du silicium standard (rsistivit autour
de 5 Ohm.cm) :
pertes dilectriques : > 3 dB/cm 20GHz
pertes dans le conducteur : entre 0,1 et 0,5 dB/cm 20 GHz

En gnral, dans un substrat semi-conducteur, les pertes dans les conducteurs (
c
) restent
infrieures celles lies au substrat (
d
). En effet, les pertes dilectriques dpendent fortement du
niveau de dopage du substrat, Figure 2, et diminuent pour des semi-conducteurs peu dops
devenus beaucoup plus rsistifs.

2
HRS = High Resistivity Silicon
85

Figure 1. Modes de propagation dans le Si

Figure 2. Attnuation de lignes sur Si selon la rsistivit du Si
86
II.3. Les solutions classiques lies la transmission sur silicium
Les solutions les plus courantes pour saffranchir de la prsence du substrat en silicium, tout en
restant compatible avec les technologies de micro-usinage pour les MEMS sont les suivantes :
Ralisation de lignes sur membranes dilectriques faibles pertes
- exemple: membrane typique SiO
2
/Si
3
N
4
/SiO
2
en couches minces, dgage par micro-
usinage du substrat
- applications aux frquences trs leves (> 30 GHz)
- inconvnient : pas de rduction des dimensions
Insertion d'une couche isolante intermdiaire sur silicium standard, par exemple une couche
d'oxyde ou de polymre (tel que BCB
3
), pour minimiser les capacits parasites. Il devient alors
possible de diminuer les pertes en usinant localement la couche isolante au niveau de
l'paisseur de dilectrique dans le cas de lignes coplanaires.
Exemple du cas d'une ligne coplanaire sur silicium 30GHz, Figure 3 et Tableau 5.

Figure 3. Lignes coplanaires sur diffrents substrats, a )haute rsistivit, b) silicium standard
avec couche isolante, c) silicium standard avec couche isolante grave

Mtal conducteur Substrat Pertes (dB/cm)
Al (1.3m) HRS (>4000.cm) 2.2
Ti/Au (1000A+2.5m) HRS (>4000.cm) 0.8
Al (1.3m) Si standard + couche de SiO
2
thermique 15
Ti/Au (1000A+2.5m) Si standard + couche de SiO
2
thermique 1.5
Al (1.3m) Si standard + couche de SiO
2
thermique
grav
3
Ti/Au (1000A+2.5m) Si standard + couche de SiO
2
thermique
grav
0.9

Tableau 5. Pertes des diffrentes lignes coplanaires [PON 99]

Plusieurs autres solutions ont t prsentes pour minimiser les pertes des lignes sur silicium faible
rsistivit [HAS 71], [MIL 98].

3
BCB = Benzocyclobutene
HRS
Si Standard
Isolant
Si Standard
Isolant
grav
localement
(a) (b) (c)
87
Dans le cadre de la thse d'Alain Phommahaxay, nous avons galement ralis au laboratoire en
2005 quelques lignes de tests (CPW) pour comparer leurs performances, avec ou sans couche
isolante(SiO
2
, BCB), grave ou non, Figure 4:
Lignes sur silicium standard (rsistivit ~5 Ohm.cm)
Lignes sur silicium haute rsistivit (>3000Ohm.cm)

Figure 4. Mesures comparatives de pertes sur diffrents types de lignes coplanaires.

Ralisation de lignes sur verre (ou sur tout autre substrat dilectrique isolant) : il sagit alors
de technologies non standard, mais qui peuvent rester compatibles MEMS

2 4 6 8 10 12 14 16 18 0 20
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
-2.0
0.5
Frequency (GHz)
S
2
1
/
S
1
2

(
d
B
)
Losses on a 30ohm line with different process parameters
SiO2/Si
SiO2/HRS
BCB/Si
Etched
SiO2/HRS
HRS
2 4 6 8 10 12 14 16 18 0 20
-1.0
-0.5
0.0
-1.5
0.5
Frequency (GHz)
S
2
1
/
S
1
2

(
d
B
)
SiO2/Si
SiO2/HRS
BCB/Si
Etched
SiO2/HRS
HRS
2 4 6 8 10 12 14 16 18 0 20
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
-1.4
0.0
Frequency (GHz)
S
2
1
/
S
1
2

(
d
B
)
SiO2/Si
SiO2/HRS
BCB/Si
Etched
SiO2/HRS
HRS
88

Notons que dans le cas de l'insertion d'une couche d'oxyde intermdiaire sur le substrat de
silicium standard, il peut tre utile de rechercher les caractristiques quivalentes du substrat
Si/SiO
2
, par exemple en estimant la permittivit dilectrique quivalente. Mais cette
permittivit quivalente dpend de la distribution du champ, et donc du type de ligne,
coplanaire ou micro-ruban.

II. 4. Conclusion
Nous avons tudi au dpart des lignes coplanaires sur silicium, entre 1998 et 2000, puis nous
nous sommes orients vers une technologie de lignes micro-rubans inverses utilisant une
technologie verre-silicium, et qui prsentent de faibles pertes comparativement des lignes plus
classiques.
L'ide initiale tait de travailler sur une famille de lignes originales trs faibles pertes et qui
soient utilisables un jour dans nos MEMS RF.

De faon assez gnrale, lors de la conception de lignes de transmission, les choix porteront sur:
le type de lignes (coplanaires; micro-rubans; lignes inverses, couples)
les dimensions gomtriques des lignes (grce aux diffrents outils de simulation)
les paisseurs de mtallisation, sachant qu'une plus forte paisseur limitera l'influence des
pertes lies l'effet de peau (compromis avec la technologie)
la proximit des lignes, qui jouera sur les phnomnes de couplages lectromagntiques
aux frquences les plus leves
la position des plans de masse
l'influence du substrat

III. Etude des lignes coplanaires sur silicium

Nous avons tudi des lignes coplanaires sur silicium, entre 1998 et 2000, et ralis avec Claudine
Vasseure deux jeux de plaquettes, sur du silicium fortement dop (plaquette Si1: = 5 cm) et
faiblement dop (plaquette Si2: > 4000 cm). A l'poque, le banc de mesures sous pointes
n'tait pas encore disponible localement, et nous avons effectu les mesures en 1998 l'Universit
89
Paris 6 dans le cadre du CEMIP, puis en 1999 l'Universit d'Orsay dans le cadre du PFM avec
Paul Crozat.

III.1. Synthse des rsultats obtenus entre 1998 et 2000
Nous avons tudi, sur chacun des deux substrats Si1 (dop) et Si2 (peu dop), des lignes
coplanaires , figure 5, qui possdent les dimensions regroupes dans le Tableau ci-dessous, pour
une paisseur de substrat H = 250m correspondant des plaquettes 2".

Numro de ligne Largeur du conducteur
central W (m)
paisseur ou gap
G (m)
Longueur L (m)
1 640 80 5000
2 640 80 1500
3 640 160 1500
6 80 80 1500

Tableau 6. Dimensions gomtriques des lignes coplanaires tudies.

Figure 5. Gomtrie d'une ligne coplanaire.

Un exemple de mesures brutes est donn ci-dessous, et illustre bien les pertes importantes lies la
prsence d'ondes lentes sur le substrat fortement dop (figure 7), comparativement aux pertes sur
le substrat peu dop (Figure 6).

90

Figure 6. Ligne coplanaire 6 sur Si2, W = 80m G = 80m L = 1500m.

91

Figure 7. Ligne coplanaire 6 sur Si1, W = 80m G = 80m L = 1500m .

L'exploitation complte des diffrentes sries de mesure n'a pas t faite l'poque. Un travail de
rtro-simulation serait toujours envisageable.

L'essentiel de mes activits se porte actuellement sur la ralisation de fonctions MEMS RF, et nous
disposons du savoir-faire pour dimensionner puis fabriquer des lignes coplanaires de qualit
suffisante (50Ohm, faibles pertes <0.5dB/cm 10GHz) sur nos substrats de silicium ou de verre.
92
Ces lignes servent principalement aux accs RF de nos fonctions MEMS et aux lments de
calibration (SOLT
4
ou TRL
5
).
III.2. Complments sur le banc de caractrisation hyperfrquences sous
pointes

Nous utilisons un analyseur de rseau vectoriel agilent 8722ES qui travaille entre 50MHz et
40GHz, reli par GPIB un PC permettant la saisie directe des mesures sous le logiciel ADS, et
associ une station sous pointes manuelle SIGNATONE S-1160 relie pour l'aspiration du
substrat une pompe place sous la table. Nous disposons actuellement de plusieurs jeux de
pointes, toutes de 150m de pitch (espacement entre pads), et de 3 substrats de calibration sur
alumine:
- 50MHz 18GHz chez Picoprobe (ECP18-GSG-150-DP)
- 50MHz 40GHz chez Picoprobe (40A-GSG-150-P) et Cascade (APC40-GSG-150 et
Infinity I40-GSG-150)
- 50MHz 40GHz en tungstne pouvant tenir jusqu' 1watt chez Picoprobe (40A-GSG-
150-DPW)
- 1 substrat GGB Picoprobe CS-5 usag
- 1 substrat GGB Picoprobe CS-5 rcent (2005)
- 1 substrat Cascade LRM 101-190B S/N: 25569 rcent (2005)

De plus, nous avons remplac la partie optique cette anne (avril 2006) avec l'achat d'une
meilleure binoculaire (Leica), nous permettant grce une bonne profondeur de champ de mieux
prendre les contacts au fond de cavits comme cela arrive souvent avec nos MEMS.
Une vue d'ensemble du banc est propose figure 8, ainsi que le dtail des structures utilises pour
la calibration (SOLT sur alumine ou TRL spcifique), figure 9. Je travaille d'ailleurs rgulirement
l'volution de ce banc de caractrisation, en lien avec Claudine Vasseure et Alain Phommahaxay
pendant sa thse.

4
SOLT = Short Open Load Thru
5
TRL = Thru Reflect Line
93

Figure 8. Vue d'ensemble du banc de mesure hyperfrquences sous pointes

b) SOLT standards on alumina substrate

a) Vector measurement setup

c) TRL Line on borosilicate glass

Figure 9. Exemples de cellules de calibration (SOLT et TRL)

Pour la calibration TRL, nous devons disposer de 3 lignes coplanaires de longueurs diffrentes
pour lesquelles nous connaissons les retards induits a priori. L'inconvnient de ce type de
calibration est sa forte dpendance avec le substrat, ncessitant d'avoir une bonne information sur
ses proprits dilectriques. Connaissant la permittivit effective
eff
de la ligne, nous pouvons
calculer la vitesse v de propagation le long de cette ligne (4).
eff
c
v
=
(4)

Nous avons donc realis par exemple un kit TRL sur verre pour l'tude de nos composants
accordables (projet RETINA en cours), avec 5 lignes correspondant des retards de 2ps 6ps.

94
De premires mesures ont t effectues avec les pointes Picoprobe ECP40-GSG-DPW, Figure 10,
puis avec les pointes Infinity, Figure 11, qui autorisent a priori une meilleure prcision au moment
du placement des pointes sur les plots de contact.

L'extraction des retards d se fait l'aide de la formule (5), o f reprsente la frquence et le
dphasage en transmission.

360
d
f

=
(5)

12 14 16 18 10 20
-35
-30
-25
-20
-15
-40
-10
freq, GHz
6 ps delay line
2 ps delay line
3 ps delay line
S
1
1
/
S
2
2
,

d
B

12 14 16 18 10 20
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
-0.6
0.0
freq, GHz
6 ps delay line
2 ps delay line
3 ps delay line
S
1
2
/
S
2
1
,

d
B

a) Return Loss b) Insertion Loss

5 10 15 20 25 30 35 0 40
-80
-60
-40
-20
0
-100
20
freq, GHz
2ps TRL Line
4ps TRL Line
6ps TRL Line
p
h
a
s
e
,

d
e
g
r
e
e
s
5 10 15 20 25 30 35 0 40
-80
-60
-40
-20
0
-100
20
freq, GHz
2ps TRL Line
4ps TRL Line
6ps TRL Line
p
h
a
s
e
,

d
e
g
r
e
e
s

12 14 16 18 10 20
1.0
3.0
5.0
7.0
9.0
-1.0
1.0
freq, GHz
d
e
l
a
y
,

p
s
Delay=2.668ps
Delay=4.325ps
freq=
Delay=6.718ps
13.98GHz
12 14 16 18 10 20
1.0
3.0
5.0
7.0
9.0
-1.0
1.0
12 14 16 18 10 20
1.0
3.0
5.0
7.0
9.0
-1.0
1.0
freq, GHz
d
e
l
a
y
,

p
s
Delay=2.668ps
Delay=4.325ps
freq=
Delay=6.718ps
13.98GHz

a) S12/S21 phase b) Retards extraits

Figure 10. Dtermination des retards induits pour kit TRL sur verre pointes Picoprobe.

95

a) Return Loss b) Insertion Loss

a) S12/S21 phase b) Retards extraits

Figure 11. Dtermination des retards induits pour kit TRL sur verre pointes Cascade.

Enfin, connaissant l'expression approche de la permittivit effective d'une ligne coplanaire, nous
pouvons estimer la valeur exprimentale de la permittivit dilectrique relative
r
de nos substrats
(6), le verre Borosilicate pour notre exemple, Figure 12, avec c
0
vitesse de la lumire dans le vide
et l longueur physique de la ligne en test. Cependant, cette valeur reste trs approximative,
dpendant fortement du placement des pointes qui dtermine la longueur physique exacte l.

1
2
r
eff
+

2
0
2 1
r
c d
l

(6)

10 15 20 25 30 35 5 40
2
4
6
0
8
freq, GHz
6 ps delay line
2 ps delay line
3 ps delay line
4 ps delay line
freq= =4.819 14.08GHz
R
e
l
a
t
i
v
e

P
e
r
m
i
t
t
i
v
i
t
y

Figure 12. Permittivit relative du verre Borosilicate extraite des mesures TRL
96

III.3. Conclusion

Personnellement, cette premire tude sur les lignes coplanaires m'a servi me familiariser avec
les mthodes et les spcificits de la caractrisation hyperfrquence sous pointes (connaissance de
l'analyseur de rseau vectoriel, mthodes de calibration, de de-embedding, procdures d'extraction
de paramtres,). Les travaux effectus sur silicium auraient pu tre exploits davantage.
Cependant, je poursuis en permanence ma formation dans ce domaine de la caractrisation
hyperfrquence, et j'essaie de faire voluer le banc pour tendre au maximum ses possibilits, entre
autre offertes l'ensemble des membres d'ESYCOM. Je peux d'ailleurs tre sollicite pour
effectuer des campagnes de mesures (ex: mesures de SAW pour Philips ou le CNAM).

IV. Etude des lignes micro-rubans inverses

IV.1. Description
IV.1.1. Gnralits
Depuis 2000, nous avons travaill au dveloppement d'une nouvelle technologie de lignes
compatibles MEMS RF appeles lignes micro-rubans inverses sur verre ou silicium, dont l'ide
tait de pouvoir intgrer sur le mme dispositif une partie active (sur Si) et une partie passive
faibles pertes (sur Verre). De plus, de telles structures pourraient tre intressantes dans le cas de
dispositifs micro-usins htrognes, ou pour leur plus faible sensibilit au rayonnement
lectromagntique du fait d'une encapsulation partielle.

IV.1.2. 1
re
gnration avec une paisseur dair de 10m
Deux types de lignes micro-rubans inverses ont t tudis au dpart. Elles sont composes aprs
soudure anodique de lassociation d'un substrat de silicium et d'un substrat de verre, spars par
une couche d'air dpaisseur e assez bien contrle lors de la fabrication.
97
Pour la premire ligne (Figure 13), le plan de masse de largeur l se situe sur le silicium et la ligne
de largeur W sur le verre, tandis que la configuration est inverse pour la deuxime ligne
(Figure 14).

Figure 13. Ligne inverse sur verre

Figure 14. Ligne inverse sur silicium

Concernant les lignes inverses sur silicium, nous avons compar deux types de substrat, silicium
standard, fortement dop ( = 5 cm) et silicium faiblement dop (HRS
6
, > 4000 cm), pour
une longueur de ruban L = 1500m.

Notons que nous avons peu tudi ces lignes sur verre, qui prsentent une attnuation moyenne de
1dB/cm, mais pour lesquelles le procd technologique (dcrit plus loin) ne permet pas d'obtenir
une paisseur d'air importante (tests jusqu' h
max
= 18m). Or nous verrons par la suite que l'intrt
de ces structures est de travailler avec une paisseur de l'ordre de 100m.

Dans toute la suite de ce chapitre, je ne prsenterai que des rsultats concernant les lignes sur
silicium.

Des mesures sur tranche ont t effectues l'IEF avec Paul Crozat en juillet 1999 dans le cadre du
PFM lanalyseur de rseau vectoriel HP 8510 sur la plage 45MHz 12GHz. Quelques rsultats
bruts sont proposs sur les figures suivantes, 15 18. Notons que ces structures ncessitant la

6
HRS = High Resistivity Silicon
paisseur dair de
hauteur h =10m
Aluminium
paisseur
t = 1m
W = 80m
l = 1200m
Silicium Verre
paisseur dair de
hauteur h =10m
W = 80m
l = 1200m
Aluminium
paisseur
t = 1m
98
prsence d'une transition micro-ruban (sur silicium) / coplanaire (sur verre), les mesures ont en fait
t ralises sur des lignes de deux longueurs diffrentes (5 mm et 1,5 mm) afin de pouvoir en
extraire les paramtres caractristiques liniques.

Figure 15. Ligne inverse W = 80m sur Si faiblement dop (HRS)

99

Figure 16. Ligne inverse W = 160m sur Si faiblement dop (HRS)

100

Figure 17. Ligne inverse W = 80m sur Si standard

101

Figure 18. Ligne inverse W = 160m sur Si standard

A partir de ces mesures brutes, nous avons cherch comparer les rsultats des modles de
lignes obtenus sous HP-Momentum, aprs extraction des transitions lies aux accs. Les
simulations ont t ralises par l'quipe de l'UMLV pour une rsistivit moyenne de 5 .cm pour
le silicium standard et de 4000 .cm pour le HRS. Des simulations utilisant la FDTD
7
ont aussi
t effectues titre de vrification.

7
FDTD = Finite Difference Time Domain
102
Dans le cas du silicium standard, l'attnuation linique est de l'ordre de 14dB/cm, Figure 19, et le
dphasage de 280 rd/cm 6GHz, Figure 20. Dans tous les cas, l'attnuation est plus faible que
pour des lignes classiques [PON 99].

Figure 19. Attnuation linique (W=80m, silicium standard)

Figure 20. Dphasage linique ( W=80 m, silicium standard)

0
2
4
6
8
10
12
14
16
1 2 3 4 5 6 7 8 Freq.[GHz]
A
t
t
.
[
d
B
/
c
m
]
Line on Si measured Line on Si simulated (MoM) Line on Si simulated (FDTD)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
1 2 3 4 5 6 7 8 Freq.[GHz]
B
e
t
a
[
r
d
/
m
]
Line on Si measured Line on Si simulated (MoM) Line on Si simulated (FDTD)
103
IV.1.3. 2
me
gnration avec une paisseur dair de 100m
Compte tenu des rsultats obtenus avec l'paisseur dair de 10m, nous avons lanc des
simulations sous HP-Momentum afin de dterminer quelques paramtres critiques. La hauteur h de
l'paisseur dair est vite apparue comme un point important optimiser (donc aussi matriser
technologiquement) pour rduire les pertes intrinsques de ces lignes, comme illustr sur la
Figure 21 reprsentant l'attnuation de lignes inverses pour trois valeurs W/h constantes, en
fonction de la hauteur h de l'paisseur dair.
Nous avons pu constater qu'une paisseur plus importante devait permettre de rduire
considrablement les pertes de ces lignes inverses sur silicium. Un compromis entre les
contraintes technologiques et l'amlioration des performances des lignes nous a conduit choisir
une nouvelle paisseur d'air de 100m.

Figure 21. Attnuation fonction de l'paisseur d'air avec W/h = cst (HRS = 4000 .cm)

Les performances de ces nouvelles lignes se sont rvles trs intressantes, en particulier pour des
applications plus haut en frquence, entre 10 et 30GHz.

Par exemple, l'attnuation linique d'une ligne de largeur de 368m et d'impdance caractristique
proche de 30 reste en moyenne infrieure 0.5dB/cm (aprs de-embedding), Figure 22.
Le dphasage linique est donn sur la Figure 23, ainsi que l'impdance caractristique calcule en
fonction du rapport W/h, Figue 24, puis mesure, Figure 25.

0
4
8
12
16
20
0 40 80 120 160 200
Att.[dB/cm]
at
30 Ghz
h [m]
1 :W/h=0.2
2 :W/h=2
3 :W/h=20
1
2
3
h=100m
104

0
0,5
1
1,5
2
1 4 7 10 13 16 19
Frequency (GHz)
A
t
t
e
n
u
a
t
i
o
n

(
d
B
/
c
m
)

Measurements
Momentum simulation

Figure 22. Attnuation linique (W = 368m, h=100m).

Figure 23. Dphasage linique (W = 368m, h=100m).

0
200
400
600
800
1000
1200
1 6 11 16 21 26
Frequency (GHz)
B
e
t
a

(
r
d
/
m
)

Measurements
Momentum simulation
105

Figure 24. Impdance caractristique en fonction du rapport W/h 30GHz (h=100m).

0
5
10
15
20
25
30
35
40
1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35
Frequency [GHz]
C
h
a
r
a
c
t
e
r
i
s
t
i
c

i
m
p
e
d
a
n
c
e

[
O
h
m
s
]
Measurements
HFSS simulation

Figure 25. Impdance caractristique d'une ligne de largeur W=368m (h=100m).

IV.1.4. Cas particulier de la transition accs coplanaire / ligne micro-ruban
inverse

Par conception, afin de pouvoir raliser des mesures directement sur tranche, les lignes inverses
sur silicium sont connectes des accs coplanaires sur verre sur lesquels se poseront les pointes
de test hyperfrquences.
Il devient alors ncessaire de caractriser la transition entre la ligne micro-ruban et les accs
coplanaires, Figure 26, et de vrifier, la fois par mesure et par simulation, qu'elles introduisent
peu de pertes.
0
30
60
90
120
0 4 8 12 16 20 24
W/h
Z
c

(
O
h
m
s
)

106

Pour cela, nous avons prvu sur les plaquettes un certain nombre de motifs de calibration utiliss
pour extraire l'influence de ces transitions et effectuer correctement l'tape de de-embedding
[PAN 89], [MON 88], afin de ramener les mesures dans le plan des lignes inverses:
- 2 lignes inverses de longueur connue, 600 et 1400m,
- 1 circuit-ouvert correspondant une seule transition lie une ligne inverse de
longueur 700m

100 m
Transition area
W=360m

50 m
70 m
z = 0 z = -100m
Inverted
microstrip

100 m

Figure 26. Vue 3D de la transition entre la ligne micro-ruban et les accs coplanaires, et
dimensions (en m).

L'ensemble constitu des deux transitions tte-bche a t simul sous HFSS par Laurent
Martoglio pendant sa thse, afin de comparer aux mesures, Figure 27 ci-dessous. La double
transition prsente des pertes d'insertion infrieures 2,5dB sur la plage 1-40GHz et infrieures
0,4dB sur la plage 1 17,5GHz, pour un coefficient de rflexion suprieur 15dB.

Les paramtres choisis lors des simulations pour les substrats sont toujours les mmes, soit une
permittivit du verre
r
= 4, du silicium
r
= 11,6, et une rsistivit du silicium de 4000.cm.
Cependant, les rsultats des simulations sont fortement sensibles aux valeurs de permittivits, qui
dpendent en ralit aussi de la frquence.

Nous avons galement essay de trouver un modle lectrique quivalent de cette transition, au
moins sur de faibles bandes de frquences, avec le logiciel ADS:
Ligne
micro-ruban
Ouvertures dans
le silicium
Accs
coplanaires
107
- l'aide de modles de lignes et transitions en lments localiss
- l'aide de modles de lignes intgrs dans ADS

Mais la pertinence des rsultats n'tait pas satisfaisante, et il resterait donc un axe de recherche
dvelopper en ce sens. L'intrt serait de pouvoir d'une part optimiser les transitions puis remonter
au dessin de masques, et d'autre part intgrer ces modles dans un circuit lectrique plus complet
correspondant une application relle (et effectuer des simulations "systmes").

-0,8
-0,6
-0,4
-0,2
0
1 3 5 7 9 11 13 15 17 19
Frequency (GHz)
I
n
s
e
r
t
i
o
n

l
o
s
s

(
d
B
)
Measurement s
Simulat ion

Figure 27. Pertes d'insertion de la transition tte-bche.

IV. 1.5. Procd technologique
Le procd technologique est quasiment identique pour les lignes de 1
re
et 2
me
gnration, la
difficult des secondes par rapport aux premires venant de l'paisseur importante matriser. Je
ne dcrirai donc que le procd utilis pour les lignes paisseur dair de 100m.

La fabrication des lignes inverses repose sur la soudure anodique entre le substrat de verre (qui
portera le plan de masse) et le substrat de silicium (sur lequel se trouvera la ligne micro-ruban),
Figure 28. Cette soudure a lieu 380C sous une tension DC de polarisation de l'ordre de 400V.
Suite diffrents compromis, nous avons choisi l'aluminium pour toutes les mtallisations.
L'inconvnient de l'aluminium provient du fait que les contacts s'oxydent assez rapidement l'air,
faisant apparatre des rsistances de contact leves au moment des mesures (mais qui peuvent tre
en partie limines suite au de-embedding). L'autre choix disponible tait l'or sur une fine couche
d'accrochage en chrome, mais l'tape de soudure anodique devait alors se faire plus faible
108
temprature (250-300C) avec un rendement trs faible. Sinon, aprs un passage 400C, les
lignes taient formes d'un amalgame d'or et de chrome de conductivit mdiocre.

Enfin, je signale que ne disposant pas de contrat spcifique sur cette tude, nous avons cherch
minimiser les cots de fabrication en utilisant des masques en glatine de rsolution maximale
30m. Cette contrainte nous a limit dans le choix des motifs de filtres, et a compliqu en pratique
l'tape d'alignement prcdant la soudure anodique.

Sur le substrat de verre, nous commenons par graver chimiquement (HF 50% puis HF 25% et
enfin 10%) des cavits profondes de 100m, en procdant par tapes successives avec des
contrles au profilomtre de l'paisseur grave. La prcision exprimentale obtenue est de 1,5m
pour les 100m. Ensuite, nous dposons par pulvrisation cathodique la couche d'aluminium
(paisseur typique 1m) qui servira de plan de masse au fond des cavits et pour les accs
coplanaires en surface, Figure 29. L'tape de photolithographie ncessaire ce niveau demande
des conditions bien particulires lies la profondeur des cavits, afin d'obtenir une couverture de
marche suffisante:
- utilisation d'une rsine paisse (SJR5740) applique faible vitesse de rotation
- temps d'exposition aux UV fortement augment
Des quipements plus rcents (mais non disponibles l'ESIEE) tels que le spray coating
pourraient a priori faciliter cette tape.

Sur le substrat de silicium haute rsistivit (> 4000.cm), la premire photolithographie sert
dfinir les lignes micro-rubans et quelques autres motifs (circuit-ouvert, court-circuit pour le de-
embedding, filtres), aprs gravure de l'aluminium au plasma chlor. Ensuite, il est ncessaire
d'effectuer une photolithographie double face afin d'aligner les ouvertures de la face arrire sur les
motifs prcdents de la face avant. Ces ouvertures, qui serviront atteindre les accs coplanaires
aprs soudure, sont ralises par gravure profonde du silicium (DRIE
8
) sur l'paisseur totale de la
plaquette.

8
DRIE = Deep Reactive Ion Etching
109

Figure 28. Synthse des tapes de fabrication.

Ground
planes
Transition
area
Glass
y
x
z
CPW

Figure 29. Vue au MEB d'un accs coplanaire sur verre au niveau d'une transition coplanaire-
microruban.

IV.2. Application au filtrage

Compte-tenu des faibles pertes des lignes inverses, nous avons dcid d'inclure sur les plaquettes
du second run (lignes paisseur dair de 100m) deux filtres, un passe-bas saut d'impdance et
un passe-bande lignes couples, fonctionnant en bande Ka autour de 30GHz.

1. Gravure du verre
100m
verre
5. Soudure anodique
2. Plans de masse et accs
RF, Aluminium 1m
4. ouvertures en face
arrire par DRIE
3. Photolithographie des
motifs de lignes en Al (1m)
Accs
CPW
(top)
(top)
verre

Si
Si
Si
110
IV.2.1. Etude du filtre passe-bas
Il s'agit d'un filtre de Chebychev d'ordre 5 [MAT 64], prsentant une ondulation de 0,01dB, une
frquence de coupure 30GHz, et une attnuation minimale de 15dB 50GHz.
Les dimensions des diffrentes sections de lignes sont donnes ci-dessous, Tableau 7.

Figure 30 .Vue du filtre passe-bas saut d'impdance, sections Sj (j=1 4).

Section Largeur (m) Z0 () Longueur (m)
1 W1=194 50 L1=100
2 W2=368 38 L2=495
3 W3=44 80 L3=459
4 W4=368 38 L4=783

Tableau 7. Dimensions des sections Sj du filtre passe-bas

Les mesures et les simulations sous HP Momentum aprs de-embedding concident plutt bien, en
transmission jusqu' 37GHz, Figure 31, avec une attnuation dans la bande passante de l'ordre de
0.3dB et toujours infrieure 1dB. En rflexion, les performances obtenues sont galement
satisfaisantes, avec 14dB jusqu' 33GHz, Figure 32. Cependant, les simulations ne permettent pas
actuellement de retrouver la position correcte en frquence du pic en rflexion mesur autour de
31GHz, en particulier cause des difficults bien prendre en compte les proprits des substrats
(par exemple, volution du
r
avec la frquence).

Figure 31. Pertes d'insertion (S21) du passe-bas.
S1 S2 S3 S4 S3 S2 S1
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
20 25 30 35 40
Frenquency [GHz]
S
1
2

[
d
B
]
Momentum simulation Measurements
111

Figure 32. Return Loss (S11) du passe-bas.

IV.2.2. Etude du filtre passe-bande
Il s'agit d'un filtre de Chebychev d'ordre 4 [MAT 64], prsentant une ondulation de 0,5dB et une
frquence centrale 28GHz. Ce filtre lignes couples est constitu de 7 sections parallles de
type /4. Les dimensions des diffrentes sections de lignes, Figure 33, sont donnes ci-dessous,
Tableau 8.
Les mesures et les simulations sous HP Momentum aprs de-embedding concident nouveau
plutt bien, montrant une frquence centrale de 28GHz avec une largeur de bande relative de 28%.
Les pertes d'insertion, Figure 34, restent infrieures 2,2dB et le coefficient de rflexion, Figure
36, -24dB dans la bande passante.

Figure 33. Vue du filtre passe-bande lignes couples, sections Sj (j=1 7).

-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
Frequency [GHz]
S
1
1

[
d
B
]
S22 Momentum Simulation S11 Measurements
S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7

112
Section Largeur (m) cartement (m) Longueur (m)
1 et 7 194 200
2 76 30 1212
3 120 60 1288
4 140 75 1257
5 120 60 1334
6 76 30 1237

Tableau 8. Dimensions des sections Sj du filtre passe-bande.

Figure 34.Pertes d'insertion du filtre passe-bande, et vue zoome (sur 24-32GHz).

Figure 35. Coefficient de rflexion du filtre pass-bande

-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
20 25 30 35 40
Frequency [GHz]
S
1
2

[
d
B
]
Momentum simulation
Measurements
-5
-4,5
-4
-3,5
-3
-2,5
-2
-1,5
-1
-0,5
0
24 26 28 30 32
Frequency [GHz]
S
1
2

[
d
B
]
Momentumsimulation
Measurements
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
20 25 30 35 40
Frequency [GHz]
S
1
1
[
d
B
]
S22 Momentum Simulation
S11 Measurements
113
IV.2.3. Conclusion sur les filtres

Nous avons obtenu de bons rsultats sur les deux types de filtres, en particulier en terme de faibles
pertes. Les simulations tant proches des mesures, nous pourrions maintenant utiliser ces modles
pour dvelopper d'autres filtres selon des gabarits spcifiques: il suffirait ensuite de vrifier la
faisabilit technologique en terme de dimensions critiques avant de lancer de nouvelles
ralisations. De plus, nous pensons intgrer ce type de filtres proximit d'une antenne en
utilisant toujours la mme technologie verre-silicium.

V. Conclusion gnrale

Dans ce troisime chapitre, j'ai donc prsent diffrents travaux raliss autour des lignes de
transmission hyperfrquences, en particulier sur substrat silicium ou verre, ainsi que quelques
aspects relatifs la caractrisation hyperfrquence sous pointes.
La poursuite de ces travaux devrait continuer au sein d'ESYCOM en troite collaboration avec
Elodie Richalot et Jean-Marc Laheurte, pour des questions autour du filtrage d'une part et autour
des antennes reconfigurables d'autre part, en lien direct avec la thse de Benot Poussot.
114
Rfrences bibliographiques du Chapitre III

[HAS 71] H. Hasegawa, M. Furukawa, H. Yanai, "Properties of microstrip line on Si-SiO
2
system", IEEE Trans.
MTT, Vol. 19, N 11, pp. 869-881, 1971.

[MIL 98] V. Milanovic, M. Ozgur, D.C. DeGroot, M. Gaitan, M. E. Zaghloul, "Characterization of Braod-Band
Transmission for coplanar Waveguides on CMOS Silicon substrates", IEEE Trans. MTT, Vol. 46, N 5, pp. 632 640,
1998.

[PON 99] G.E. Ponchak, "RF transmission lines on silicon substrates", 29
th
EuMC, Munich, pp. 158-161, 1999.

[PAN 89] R.R. Pantoka, M.J. Howes, J.R. Richardson, R. D. Pollard, Improved calibration and measurement of
scattering parameters of microwave integrated circuits , IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 37, NO. 11, pp.
1675-1680, Nov. 1989.

[MON 88] J.P. Mondal, T.H. Chen, Propagation Constant Determination on Microwave Fixture De-embedding
Procedure, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 36, NO. 4, pp. 706-714, Apr. 1988.

[MAT 64] G. Matthaei, L. Young, E.M.T. Jones, Microwave filters, impedance-matching networks, and coupling
structures, New York: Mc Graw-Hill, 1964.

Chapitre IV Micro-composants passifs accordables

115
Table des matires du Chapitre IV

I. Introduction......................................................................................................................... 117
II. Micro-capacits variables .................................................................................................. 118
II.1. Gnralits.............................................................................................................. 118
II.1.1. Dfinitions ........................................................................................................... 118
II.1.1.1. Capacit variable MEMS.................................................................................. 118
II.1.1.2. Les diffrentes familles de varicaps MEMS..................................................... 119
Varicaps MEMS variation de surface.................................................................. 120
Varicaps MEMS variation d'paisseur de dilectrique........................................ 121
Varicaps MEMS variation de permittivit .......................................................... 123
II.1.2. Etat de l'art synthtique....................................................................................... 123
II.2. Originalit et Synthse des travaux ........................................................................ 125
II.2.1. Dveloppement d'une nouvelle structure gomtrie 3D................................... 125
II.2.2. Analyse de l'influence de la puissance RF sur les performances ........................ 128
II.2.2.1. Position du problme........................................................................................ 128
II.2.2.2. Conclusions ...................................................................................................... 130
II.2.3. Utilisation d'une mthode de modlisation lectrostatique originale................. 130
II.2.3.1. Principe de la mthode MPSR (description rapide) ......................................... 130
1
re
tape: la discrtisation des surfaces ................................................................. 131
2
me
tape: la mise en quation sous forme matricielle .......................................... 131
3
me
tape: calcul des capacits .............................................................................. 132
II.2.3.2. Perspectives d'utilisation de cette mthode dans le domaine des MEMS ........ 133
II.2.4. La ralisation et la caractrisation des prototypes............................................. 134
II.2.4.1. Fabrication des prototypes................................................................................ 134
II.2.4.2. Caractrisation des prototypes.......................................................................... 136
II.3. Conclusions et perspectives.................................................................................... 138
III. Micro-inductances variables ............................................................................................ 139
III.1. Gnralits............................................................................................................. 139
III.1.1. Principe de fonctionnement d'une inductance variable ..................................... 139
III.1.2. Etat de l'art......................................................................................................... 140
III.2. Synthse des travaux de thse ............................................................................... 144
III.2.1. Dveloppement d'une structure base de transformateur................................. 144
III.2.1.1. Description du principe et choix d'une topologie............................................ 144
III.2.1.2. Mise en quation simplifie ............................................................................ 145
III.2.1.3. Ralisation et caractrisation........................................................................... 147
Procd technologique ........................................................................................... 147
Description des diffrents prototypes..................................................................... 149
Caractrisation des diffrents prototypes ............................................................... 150
III.2.2. Essais d'intgration dans une fonction MEMS accordable ............................... 152
IV. Conclusions et perspectives ............................................................................................. 154
Rfrences bibliographiques du chapitre IV.......................................................................... 155


116

117

- Chapitre IV -
Micro-composants passifs accordables

I. Introduction

Le travail prsent dans ce chapitre concerne plus particulirement l'tude des micro-capacits
et des micro-inductances variables, cest dire dont le coefficient de capacit propre C pour
les unes, et de self-induction L pour les autres, dpend dune variable continment ajustable
de type lectrique telle quun courant I ou une tension V.
Ces composants devront tre raliss avec des technologies MEMS, et fonctionner a priori
dans la gamme de frquences comprises entre 0.5 GHz et 20 GHz (avec un dcoupage
possible en sous-bandes). Le rapport de variation devra tre le plus lev possible sur une
large bande de frquences, idalement R = C
max
/C
min
ou R = L
max
/ L
min
>10.

L'essentiel des rsultats obtenus sur les micro-composants passifs accordables rsulte d'une
collaboration forte avec l'quipe de Pierre Nicole chez Thals Airborne Systems, et repose sur
les travaux de deux doctorants que j'ai encadrs entre 2001 et 2004:
- Aurlie Cruau d'une part, qui a soutenu le 13 janvier 2005 sa thse de l'Universit
Paris 7 sur "Etude, Conception, Ralisation et Test d'une Capacit variable MEMS RF
pour le Traitement de Frquences entre 0.5 et 20GHz",
- CharlesMarie Tassetti d'autre part, qui a soutenu le 5 juillet 2005 sa thse de
l'Universit Paris 11 sur " Conception et Ralisation de Micro-inductances Variables
Micro-usines, pour Applications Radiofrquences et Microondes".

Je ne prsenterai donc ici qu'une synthse de leurs principaux rsultats, disponibles par
ailleurs en dtail dans chacun des manuscrits [CRU 05_1] [TAS 05].
Enfin, dans chacun des cas tudis, je dirai que le contexte reste le mme, savoir le
dveloppement de structures originales utilisant les micro-technologies Silicium, pour des
applications en radiocommunications large bande et accordables. Les premires fonctions

118
auxquelles nous nous sommes intresss pour esprer intgrer moyen terme nos micro-
composants passifs sont les filtres agiles, les dphaseurs d'antenne, les lignes retard variable
(et impdance constante) ou les systmes d'adaptation d'impdance.

II. Micro-capacits variables

II.1. Gnralits

Je dcrirai ici le principe gnral de fonctionnement d'une capacit variable en technologie
MEMS, encore souvent appele varicap MEMS, en m'appuyant sur l'exemple classique du
condensateur plan, Figure 1.
plaques planes
conductrices de
surface S
entrefer e
milieu de permittivit
relative f

Figure 1. Schma classique du condensateur plan.
II.1.1. Dfinitions
II.1.1.1. Capacit variable MEMS

Dans le cas dun condensateur plan infini, la capacit sexprime par (1), avec
0
la
permittivit du vide, S la surface des lectrodes en regard, g la hauteur de l'paisseur de
dilectrique et
r
la permittivit relative du milieu dilectrique qui spare les lectrodes. Cette
formule ne reste valable pour des condensateurs finis que si lpaisseur de dilectrique g est
trs infrieur la surface S. Il existe des formules correctives calcules pour des cas
particuliers qui prennent en compte une partie des effets de bord [BAO 00].

g
S
C
r 0
0

= (1)
Nous pouvons aussi donner les dfinitions du facteur de qualit Q (2) et de la frquence de
rsonance lectrique Fe (3), partir d'un schma lectrique quivalent simple d'une capacit

119
C, Figure 2, o Cp reprsente les capacits parasites, L et R les pertes dues aux matriaux et
aux lignes daccs.
L C

R

Cp

Cp

capacit utile tudie

Figure 2. Schma lectrique simple dune capacit.

|
|
\
|
=

=
Re(Z)
Im(Z)
C R
1
Q (2)
C L 2
1
Fe

= (3)
Selon la formule approche (1), il suffit de faire varier au moins une des trois grandeurs S, g
ou
r
pour pouvoir modifier la valeur de la capacit C. Il existe donc trois grandes familles de
capacits variables : variation de surface, variation dpaisseur de dilectrique, ou bien
variation de permittivit. Les deux premiers cas sont toujours obtenus par l'intermdiaire de
dplacements mcaniques, Figure 3.
Enfin, le rapport de variation R est donn par la relation (4).
Cmin
Cmax
R = (4)

Si S => 0,8.Salors : C => 0,8.C
substrat
Si g => 0,8.g, alors : C => 1,25.C
substrat
a ) b )
ancrage
ressort

Figure 3. Dplacements mcaniques des lectrodes dans les cas : a) vertical, et b) latral.

II.1.1.2. Les diffrentes familles de varicaps MEMS

Les reprsentants les plus significatifs sont prsents ci-dessous, avec un tableau rcapitulatif
issu des travaux d'Aurlie, faisant rfrence de nombreuses sources bibliographiques
disponibles en fin de chapitre.


120
Varicaps MEMS variation de surface

Les systmes les plus rpandus utilisent la variation de surface en regard des doigts de
peignes interdigits en mouvement les uns par rapport aux autres, comme illustr Figure 4.
Pour gnrer ce mouvement, plusieurs solutions ont t mises en uvre:
- actionnement par peignes interdigits en translation [BOR 03 et TSA 03], ou en
rotation [NGU 04], Figure 5
- actionnement lectrostatique par dplacement d'une membrane [SEO 02]

Figure 4. Principe de la variation de surface avec une configuration de peignes interdigits.

a) b)

Figure 5. Varicap variation de surface utilisant des peignes interdigits a) en translation
[BOR 03], b) en rotation [NGU 04]

D'autres solutions plus marginales existent sans faire appel aux peignes interdigits, comme
celles utilisant des lectrodes circulaires en rotation [WIL 03], ou celles dplaant un jeu
d'lectrodes fragmentes planes parallles [LIU 02]. Notons aussi que les varicaps MEMS ne
sont pas toutes destines des applications RF.

b)
a) C minimum ; b) C maximum

lectrode fixe
au potentiel V1
lectrode mobile au
potentiel V2V1
a)

121
Varicaps MEMS variation d'paisseur de dilectrique

Il s'agit de la famille de varicaps MEMS la mieux tudie, fonde sur le principe du
condensateur plan-parallle lectrodes mobiles, Figure 7. L'actionnement le plus rpandu est
lectrostatique [RIJ 04, ou XIA 02], mais des travaux ont galement port sur des systmes
actionnement lectro-thermique [FEN 01] ou pizolectrique [PAR 01]. Enfin, de nombreuses
variantes du condensateur plan ont t dveloppes, en particulier les varicaps double gap,
Figure 8, et qui nous semblent promises un bel avenir [NIE 02, DUS 02, FRI 04].

Nous rappellerons simplement le principe de fonctionnement de la capacit paisseur de
dilectrique variable, Figure 6, l'aide d'une mise en quation simplifie sur le cas du
condensateur plan-parallle de capacit nominale C0.

Figure 6. Principe de la varicap MEMS paisseur de dilectrique variable

La capacit varie en fonction du dplacement relatif de l'lectrode suprieure mobile selon
(5), une tension V tant applique entre les deux lectrodes.

L'quilibre entre la force d'attraction lectrostatique (6) et la force de rappel mcanique
permet de calculer la tension de collage (7), ou Vpull-in, avec K constante de raideur
mcanique des suspensions. La limite d'quilibre stable donne le dplacement maximal x
max
(8), au-del duquel l'lectrode mobile se colle sur l'lectrode fixe; ce qui aboutit dans ce cas
trs simple un rapport thorique maximum de variation R
max
= 1,5.

+V
0
x
e
e: paisseur initial, S: surface des lectrodes
x: dplacement relatif / position initiale
V: potentiel appliqu
e
S
C
= 0
) / 1 (
0
) (
e x
C
x C
=
(5)

122

[RIJ 04] [XIA 02]

[PAR 01] [FEN 01]

Figure 7. Exemples de varicaps MEMS variation d'paisseur de dilectrique.

Figure 8. Varicap MEMS double gap a) schma de principe, b) exemple [NIE 02].
) ( 2
) (
x e
SV
x F
(6)
e x
3
1
max
=
e
s
C o
C
e
K v
r
in pull

0 0
0
27
8
=
=
(7) (8)
[RIJ 04] [XIA 02]

123
Varicaps MEMS variation de permittivit

Il s'agit de la troisime alternative pour modifier la valeur d'une capacit. Une variation de la
permittivit relative
r
du milieu peut sobtenir de deux faons:
- en dplaant un matriau dilectrique entre le jeu des lectrodes fixes
- en utilisant un matriau dont la permittivit est commandable par une tension
continue, comme les ferrolectriques.
Cependant, pour cette dernire famille de varicaps, le rapport de variation reste faible pour les
hautes frquences (>1GHz) et les pertes dans les matriaux dilectriques sont importantes,
faisant chuter fortement le facteur de qualit Q.

Figure 9. capacit dilectrique mobile ressort vertical [YOO 00].

II.1.2. Etat de l'art synthtique

Le tableau 1 ci-dessous est issu de la thse d'Aurlie Cruau dans la mesure o il rsume trs
bien l'tat de l'art concernant les varicaps MEMS, essentiellement pour la priode comprise
entre 2000 et 2004, avec petite mise jour pour 2005-2006 [ELS 06] [RIJ 06].

En conclusion, nous pouvons dire qu'il existe de nombreuses structures diffrentes de capacit
variable MEMS pour des applications RF, et que les structures les plus originales sont
apparues aprs 2002. Le rapport de variation est le paramtre le plus difficile amliorer (en
effet, R ne dpasse pas 10, sauf pour la structure de Philips qui vient au collage et possde
alors une non linarit dans sa courbe C(V)). Enfin, l'impact des fortes puissances RF
traversant les structures n'a t que peu tudi ou assez rcemment seulement [GIR 04].


124
Principe Rfrences
Cmin
(pF)
tension
(V) Cmin
Cmax

Q
xGHz
Fe
(GHz)
[BOR 03] 1.8 7 8.4 30 0.5 2
Peignes interdigits
[TSA 03] 1.78 10 2.2 _ _
Membrane
peignes
[SEO 02] 1.27 8 1.1 4 2 4.35
Peigne en rotation [NGU 04] 0.4 60 3.4 8 1 _
Plaques
fragmentes
[LIU 02] 0.58 _ 1.35 _ _
Plaques circulaires [WIL 03] _ _ _ _ _
[YOU 01] 2.04 3 1.5 62 1 >1.2
[DEC 98] 2.05 4 1.5 25.5 1 >6 Plaque avec bras
lectrostatique
[KIM 01] 0.026 30 1.3
>295
30
>30
Trois lectrodes [DEC 98] 3.4 4.4 1.9 16 1 6
Deux plaques
mobiles
[BAK 03] 4.6 21 2.17 _ _
[ZOU 00] 0.048 19 1.7 _ _
[NIE 02] 1.58 17.7 2.7 119 2 >8
[DUS 02] 0.082 24 1.46 100 34 >80
[FRI 04] 1 8 >2 _ _
[XIA 02] 0.945 70 7* _ _
[RIJ 04] 0.8 20 17* >100 1-6 >6
[GAL 04] 1.8 30 7.3 _ _
Structure plane-
parallle gaps
dcals
[PER 03] 0.043 23 4 >80 40 >100
Membranes
cascades
[HOI 01] 1 30 4
140
0.75
_
Membrane zippe
fractale
[ION 02] 1.9 13 3.56 >17 1.5 _
[BAZ 00] 1 40 1.7 _ _
Membrane pivote
bi-directionnelle
[DECO 03] _ 11-12.4 1.61 _ _
0.331 2.5 2.7 100 1 21
Plaque avec bras
lectrothermiques
[FEN 01]
0.272 3 2.7 197 10 >40
Plaque avec bras
pizolectriques
[PAR 01] ~0.08 6 3.1 210 1 _
[HUN 98] 0.78 35 1.25 _ _
Poutre zippe
[NOR 03] 0.14 30 2.5
>100
20
>60
Variation
dpaisseur par
peignes
lectrostatiques
[LI 02] 1.67 20 5 _ _

125
Variation
dpaisseur par
peignes
lectrostatiques
[OZ 03] 0.042 12 4.5 52 1.5 _
1.14 10 1.4 30 6 _
Dilectrique
mobile
[YOO 00]
1/21 10 1.08 40 16 19

Tableau 1. Synthse bibliographique des travaux sur les capacits variables.

II.2. Originalit et Synthse des travaux
II.2.1. Dveloppement d'une nouvelle structure gomtrie 3D

La thse d'Aurlie Cruau aura permis de raliser un nouveau type de capacit variable
MEMS, base sur le dplacement latral d'un conducteur mobile fragment dans l'paisseur
dair d'une capacit fixe, Figure 10, dont les lectrodes elles-mmes fragmentes, sont situes
sur les flancs d'une cavit en V micro-usine dans du silicium.

L'intrt de cette structure provient de sa gomtrie qui permet une compensation partielle des
effets ngatifs de la puissance RF traversante. En effet, lors du dplacement des lectrodes de
la capacit variable, les forces cres par le passage du signal RF se compensent (Figure 10c).

a ) b ) introduction du conducteur c ) capacit maximale
e
milieu fluide de
permittivit
e c

e c
t

e c
t

e c
forces dues
au signal RF
capacit vide = minimale

Figure 10. Principe de fonctionnement de la capacit variable conducteur mobile.

Le conducteur isol d'paisseur t est progressivement introduit dans lpaisseur e dune
capacit. Quand ses faces sont parfaitement en regard des lectrodes RF, le systme forme
alors deux capacits en srie dpaisseur e
c
, tel que e = 2e
c
+ t. Les valeurs approches
respectivement de la capacit quivalente C et du rapport de variation R sont donnes par (9)
et (10).
Nous pouvons aussi reprsenter la variation de R en fonction de t exprim en pourcentage de
l'paisseur e, Figure 11. La difficult qui apparat alors montre une limite technologique pour

126
atteindre de grands rapports de variation (>10). En effet, il faudrait que l'paisseur du
conducteur mobile introduit dans la capacit fixe soit suprieure 90% de lpaisseur initiale,
imposant des paisseurs d'air e
c
trop faibles (<1m). Ces contraintes technologiques tant trop
fortes pour une structure de type parallel-plate classique, nous nous sommes donc orients
vers une technologie de volume, qui a cependant ncessit le dveloppement dune
technologie spcifique.
t e
S
e 2
S

C2 C1
C2 C1
C
c
=
+
=
(9)
c
2.e
e
t e
e
C0
C
R
= =
(10)

Figure 11. Evolution du rapport R en fonction de lpaisseur t.

La capacit variable finalement ralise a une forme didrique, Figure 12:
- les lectrodes RF fixes sont fragmentes (en gris) et reposent sur les flancs inclins
d'une cavit en V micro-usine dans du silicium
- le conducteur isol (en orange) se dplace selon un mouvement de translation latrale
dans lpaisseur de dilectrique ; il est aussi fragment pour minimiser les dplacements.

Lorsque le conducteur est parfaitement en face des lectrodes RF, on retrouve les deux
capacits planes dpaisseur de dilectrique e
c
en srie. La profondeur des cavits doit tre la
plus grande possible (>50m) pour avoir des valeurs de capacit suffisantes (~ 50 100fF)
avec des surfaces occupes minimales, ce qui permet galement d'atteindre des rapports
thoriques importants.

Distance d =
paisseur du mtal t

127

b )

lp
lo
L
d
w

entre
signal RF
sortie
signal RF
a)

Figure 12. Schma simplifi de la structure en V de la capacit variable : a) Vue en 3D
b) Trois vues de dessus dans la progression du dplacement

Pour des raisons defficacit et de simplicit, nous avons choisi des actionneurs
lectrostatiques composs de deux plaques parallles dont une mobile est fixe au conducteur
en mouvement et lautre fixe, toutes deux places perpendiculairement la capacit RF.
Un seul actionneur suffirait a priori, mais pour garantir une bonne stabilit de la structure
mcanique, une symtrie est prfrable et un deuxime actionneur est donc ajout de l'autre
ct. La cavit creuse dans le silicium a donc une forme de I avec deux actionneurs
lectrostatiques aux extrmits et les peignes RF au centre, Figure 13.

capacit RF
fragmente
actionneur DC
bras de
suspension
ancrage
accs DC
plot daccs la
contre-lectrode DC
cavit dans
silicium
membrane
mobile

Figure 13. Vue de dessus de la structure complte.

128
II.2.2. Analyse de l'influence de la puissance RF sur les performances
II.2.2.1. Position du problme

Dans une capacit variable actionnement lectrostatique, les actionneurs DC subissent, en
plus de la force recherche pour l'actionnement, la force lectrostatique moyenne due au
passage dun signal RF. Les forces d'origine DC et RF moyennes sadditionnent et le
mouvement se trouve influenc simultanment par la commande DC (F
DC
) et par le signal RF
(F
RF
) traversant. La prise en compte de cette force d'origine RF change les performances des
composants MEMS capacitifs: il y a un phnomne d'auto-actionnement qui, au-dessus dune
puissance donne fonction des dimensions de la structure, provoque un collage anticip des
structures.

Les diffrents cas tudis en dtails pendant la thse sont les suivants:
impact de la puissance RF sur une capacit simple "parallel-plate"
impact de la puissance RF sur une capacit double gap
influence du dilectrique pertes sur l' impact de la puissance RF
influence de la frquence (existence d'une frquence limite au-del de laquelle le
collage disparat) sur l' impact de la puissance RF.

Notons aussi que ce phnomne a t peu tudi (avant 2004) dans la mesure o les varicaps
MEMS traitaient surtout des signaux de basses puissances (< 100mW) avec des tensions
dactionnement leves (> 20V).
Une rapide mise en quation permet de donner l'expression de la force d'origine RF (11),
sachant que V
RF
est le signal RF appliqu

aux bornes de la capacit:
avec P = puissance traversante, et Z
0
= impdance de la ligne (souvent =50).

Ensuite, il suffit de reprendre les calculs d'quilibre mcanique relatifs aux structures
capacitives (12) pour trouver les nouvelles performances de la varicap.

Equilibre dune structure capacitive :
( )
2
V
x
C
2
1
t V
x
C
2
1
F
2
RF
2
RF
=
0
2
RF
Z P 2 V =
(11)
(12) 0 F F F
R DC RF
= + +
actionnement
rappel d aux suspensions, de raideur k
Signal RF

129
Dans le cas simple de la capacit "parallel-plate", nous ne trouvons pas de modification de la
position de collage x
pi
(environ 1/3 de l'paisseur de dilectrique) mais une nouvelle tension
de collage Vpi
T
(13), qui limite l'utilisation de ces varicaps aux fortes puissances RF et faibles
tensions d'actionnement, Figure 14.

Figure 14.Evolution de la puissance de collage, cas "parallel-plate".

Enfin, les calculs montrent par exemple que la puissance RF, mme faible, provoque une
chute importante du rapport de variation R, dans tous les cas tudis, comme Figure 15, o
Ppi est la puissance RF qui provoque le collage de la structure sans tension dactionnement.

a) b)
Figure 15. Chute du rapport de variation R avec la puissance RF, a) cas "parallel-plate";
b) cas "double gap".
collage
pas de
collage
Z0 P
S
xpi k 8
Vpi
0
3
T

=
(13)

130
II.2.2.2. Conclusions

La puissance du signal RF cre des perturbations non ngligeables sur le comportement
mcanique des varicaps MEMS, en particulier :
une baisse du rapport de variation d un auto-actionnement (en fait, les positions initiale et
de collage se rapprochent)
une baisse de la tension de collage (comme s'il fallait moins dnergie pour atteindre le
collage)
Quelques solutions ont t envisages, comme:
trouver la gamme de frquence adapte, sachant qu'il existe une frquence limite au-del de
laquelle le collage disparat
inclure une boucle de rtroaction qui compense l'effet de la force moyenne d'origine RF
dvelopper des structures nouvelles insensibles aux effets lectrostatiques de la puissance

C'est cette dernire solution sur laquelle nous avons choisi de travailler avec Aurlie Cruau
pendant sa thse.

II.2.3. Utilisation d'une mthode de modlisation lectrostatique originale

Dans le cadre de la collaboration entre le laboratoire SATIE de l'ENS Cachan et l'ESIEE au
sein du PFM, nous avons eu l'opportunit de travailler sur une mthode de modlisation
originale dveloppe par l'quipe de Dominique Placko [LIE 02], la Mthode Sources
Ponctuelles Rparties (MPSR) ou Distributed Point Source Method (DPSM), applique ici
l'lectrostatique.
Son avantage provient du fait qu'il suffit de mailler les interfaces, vitant ainsi d'avoir recours
de longs calculs pour mailler les volumes comme c'est le cas avec les mthodes utilisant les
lments finis. Aurlie a partiellement appliqu cette mthode MPSR la varicap
conducteur mobile en forme de V de faon amliorer son dimensionnement.

II.2.3.1. Principe de la mthode MPSR (description rapide)

Je dcrirai le principe sur le cas le plus simple de la capacit plane lectrodes parallles.


131
1
re
tape: la discrtisation des surfaces

Les surfaces des conducteurs sont considres comme un ensemble de charges ponctuelles q
k

rparties aux points sources S
k
, Figure 16, auquel nous pouvons appliquer le principe de
superposition. Ces points sources sont positionns par l'utilisateur selon la forme de la surface
modliser.
Pour connatre les charges correspondant au problme, il suffit dutiliser les conditions aux
limites ( savoir, potentiels constants Vcl pour les conducteurs) appliques sur les points P
k
,
points placs au sommet d"une hmisphre centre sur le point source S
k
et place du ct
d'mission des charges (surfaces orientes). V(M) et E(M) reprsentent respectivement le
potentiel et le champ lectrique en un point M la distance R
k
d'une charge q
k
, dans
l'hypothse du champ Coulombien, faisant apparatre les fonctions f
k
.
Enfin, plus le nombre de points sources S
k
est lev, plus les points P
k
se rapprochent de la
surface relle du conducteur et se confondent avec les points S
k
(hmisphre de rayon quasi
nul).

Figure 16 .Distribution des charges sur la surface d'une lectrode.

2
me
tape: la mise en quation sous forme matricielle

Afin de rsoudre le problme, nous recherchons les charges q
k
partir des potentiels fixs sur
les lectrodes et de l'expression des fonctions f
k
prcdentes. Cette relation peut s'crire sous
forme matricielle (14).

Ensuite, connaissant les vecteurs Q par inversion de la matrice F, nous pouvons calculer le
champ lectrique et le potentiel en tout point de lpaisseur de dilectrique qui correspond la
zone dmission des deux surfaces discrtises portes aux potentiels V1 et V2, Figure 17.

M
Eq
1

E
Eq
2
Pk
Sk

Pk : points au potentiel Vcl
Sk : sources de charge q
k

R
k

r
k
( )
k
N
1
2
k
k
q
R 4
r
M E

=
r
r
( )
k
N
1 k
q
R 4
1
M V

=
f
k

132

Figure 17. Distribution des charges sur les lectrodes d'une capacit "parallel-plate".

3
me
tape: calcul des capacits

Connaissant l'expression des charges et les potentiels, il devient possible de calculer la
capacit C entre les conducteurs 1 et 2 (15).

q est la charge transfrer de 1 vers 2 pour avoir v
1
= v
2

V C
V
V
F
Q
Q

2
1 1 -
2
1
=
(
=
(
=
(
2
1
22 21
12 11
2
1
v
v

c c
c c

Qt
Qt
22 21 12 11
21 12 22 11
2 1
c c c c
c c c c
C
) v (v C q
+ + +

=
=
Somme des charges
sur chaque
lectrode
Potentiels
constants
factoriss
Coefficients
d'influence
du systme

S
P
V1
V2
lectrode
suprieure
lectrode
infrieure
entrefer
conditions aux
limites
charges
inconnues
Q F
Q
Q
F F
F F

V
V
V
2
1
22 21
12 11
2
1
=
(
=
(
=
calcule
avec les f
k
(14)
(15)

133
Cette formule est valable pour deux conducteurs quelque soit leur environnement dans la
mesure o les coefficients capacitifs c
ij
tiennent compte des influences extrieures.

Exemple d'application aux varicaps : cas "parallel-plate"

Aurlie Cruau a compar les rsultats concernant une varicap lectrodes planes parallles,
par simulation par lments finis (ANSYS) et par MSPR, partir d'un exemple issu de la
publication [LIU 01]. Elle a observ un cart de l'ordre de 4,4% entre les deux mthodes, pour
un gain de temps important avec la mthode MSPR, Figure 18.

Figure 18. Comparaison MSPR / lments finis, sur une varicap parallel-plate.

II.2.3.2. Perspectives d'utilisation de cette mthode dans le domaine des
MEMS

Dans le cadre de la thse d'Aurlie, les rsultats obtenus par cette mthode l'auront
essentiellement aide dimensionner ses capacits. Nous avons galement pu vrifier la
pertinence des rsultats obtenus par MSPR par comparaison avec d'autres outils logiciels
(ANSYS) ou avec les formules thoriques exactes dans les cas simples.

Cependant, l'ide initiale tait aussi de voir si cet outil relativement rapide mettre en uvre
pourrait servir l'tude d'autres structures MEMS. En effet, les actionneurs lectrostatiques
sont trs rpandus dans les microsystmes et le couplage de la mthode MSPR avec des outils
de modlisation mcanique par exemple serait intressant. D'autre part, les effets temporels
(propagation lectromagntique) pourraient aussi tre implments.

Dimensions :
Lx = 200m avec nx = 150
Ly = 8m avec ny = 6
e = 2m
Nombre total de points sources = 900

Lx
fixe
mobile suivant y
Ly
e
x
y
z

valeur

134
J'ai aussi dmarr des tudes faisant appel aux phnomnes d'mission de champ par effet de
pointes (nouvelle thse depuis octobre 2004), mais ces phnomnes ne sont pas disponibles
dans les logiciels classiques de modlisation de MEMS. Toutefois, nous avons trouv courant
2005 un logiciel qui prend assez bien en compte ces effets, coupls avec un modle
lectromagntique 3D (Lorentz HF). Il serait alors ventuellement possible d'appliquer la
mthode MSPR certaines de nos structures tudies afin de comparer les rsultats aux
simulations obtenues sous Lorentz HF.

II.2.4. La ralisation et la caractrisation des prototypes

II.2.4.1. Fabrication des prototypes

Les dveloppements technologiques correspondants ces travaux sont issus d'une
collaboration rcente (2001) autour des activits MEMS RF, entre le groupe ESIEE d'une
part, et l'quipe d'Adrian Ionescu de l'Ecole Polytechnique Fdrale de Lausanne, EPFL,
d'autre part.

La fabrication des prototypes, Figure 19, s'est droule en plusieurs tapes [CRU 05]:
- tude de faisabilit partir de structures simplifies sur verre, ralises dans les salles
blanches de l'ESIEE, pour valider le principe d'un rapport de variation important avec des
lectrodes fragmentes inclines ~15 jours
- dveloppement d'un nouveau procd technologique au Centre de
micronanotechnologie (CMI) de lEPFL en Suisse partir d'une gravure chimique du silicium
en deux tapes (KOH puis TMAH) ~ 3 mois
- fabrication successive de deux jeux de prototypes de micro-capacits variables, sur
silicium standard puis haute rsistivit, avec une premire optimisation des accs RF et des
actionneurs mcaniques ~ 6 mois

Je n'ai fait que superviser ces diffrentes tapes au CMI, Aurlie tant partie seule l'EPFL.


135

lectrodes
dactionnement
ancrage
plot de mesure
peignes RF
bras de
suspension

a) b)
Figure 19. Prototypes des varicaps en V - a) coupe; b) photo MEB

Le procd est rsum sur la Figure 20 o les principales tapes sont reprsentes.
L'originalit (et la difficult) provient des tapes de photolithographie dans les cavits
profondes (~100m) creuses initialement dans le silicium pour dfinir la forme en "V".

1 gravure humide du silicium
par KOH et TMAH
plan
{111}
6m
2 oxydation humide :
formation dune couche de SiO2
0.7m
3 dpt, photolithographie, et
gravure d 1m dAlSi 1%
4 dpt par LPCVD de LTO
(SiO2)
gravure du silicium amorphe
gravure de 6m dAlSi 1%
7 libration de la structure :
gravure sche du silicium amorphe
{311}
40
100m

Figure 20. Rsum du procd par des vues en coupe de la varicap en V

LT
O

Si

AlSi

AlSi

SiO
2

entre
RF
sortie
RF
isolant conducteur
mobile

136
II.2.4.2. Caractrisation des prototypes

Le banc de mesure est toujours le mme: analyseur de rseau vectoriel Agilent 8722ES,
associ un systmes de pointes RF Picoprobes (pitch 150m frquence maximale 18GHz)
et un jeu de pointes DC ncessaires pour l'actionnement des bras (tension continment
variable de 0 400V disponible). Calibration de type SOLT sur alumine avec motifs en or.

Les trois sries de prototypes raliss ont t ainsi caractrises:
- varicaps sur verre, avec plusieurs motifs fixes correspondant une variation
progressive par pas discrets, ou lot de faisabilit
- varicaps sur silicium standard (rsistivit <0.5.cm) avec conducteur mobile grce
aux bras d'actionnement en forme de dpliants, encore appeles 1
er
lot
- varicaps sur silicium haute rsistivit (4000.cm), encore appeles 2
nd
lot, avec
conducteur mobile grce aux bras d'actionnement en forme de dpliants ou de crochets, et
optimisation des accs RF sur la plupart des motifs

Les mesures des varicaps sur silicium, Figures 21 et 22, ont t effectues entre 1 et 18 GHz,
faisant apparatre une frquence de rsonance lectrique de 5GHz pour le 1
er
lot et de12GHz
ou suprieure 18GHz pour le 2
nd
lot selon les motifs.
Le 1
er
lot prsentait de trop fortes pertes dues au substrat pour en extraire des valeurs de
capacits significatives.
Pour le second lot, nous avons choisi d'ajouter des motifs de test permettant d'utiliser la
mthode de "de-embedding" de Kolding [KOL 00] afin de soustraire les parasites autour de la
varicap. Le rapport maximal obtenu est alors R = 4,2 pour une variation de capacit utile entre
32fF et 132fF (et une tension d'actionnement de 42V) ou R = 3,66 (capacit allant de 30
110 fF) pour des motifs identiques ceux du premier lot (accs RF non optimiss).
Cependant, l'amlioration de performances sur le second lot n'est pas aussi importante que
prvu, en particulier suite de nombreux problmes lors de la ralisation technologique
limitant le nombre de structures effectivement mesurables. De plus, l'tape de "de-
embedding" serait sans doute revoir dans la mesure o les rsultats ne sont que trs peu
modifis aprs correction.

137

Figure 21. Photographie dune varicap du 1
er
lot et abaque de Smith (S11 et S12) associe

Figure 22. Photographie dune varicap du 2
nd
lot et abaque de Smith (S11 et S12) associe

frq (1.0GHz-10.0GHz)
S
11
_fi
na
S
12
_fi
na
S
11
a1
_fi
na
S
12
a1
_fi
na
colle
tat initial
aprs la
correction :
1
er
lot de varicap
2
nd
lot de varicap

138
Nous avons galement travaill rechercher un schma lectrique quivalent nos capacits
variables, en comparant les valeurs extraites des mesures un modle simple. Il reste encore
un effort mener sur ce point pour affiner les rsultats.
En fait, la caractrisation de tous ces prototypes s'est rvle assez dlicate (problmes de
calibration, d'actionnement, de pointes dfectueuses) et aurait mrit de relancer une
nouvelle campagne de mesures.

II.3. Conclusions et perspectives

Concernant ces travaux sur les micro-capacits variables, je vais essayer d'en extraire les
rsultats essentiels, qui vont finalement orienter les futures recherches sur le sujet.

Grce aux dveloppements d'Aurlie pendant sa thse, une structure en "V" compltement
nouvelle et originale a t teste, avec en particulier la mise au point d'une technologie
spcifique l'EPFL. Les rsultats sur la varicap elle mme sont intressants (rapport de
variation entre 3,5 et 4,2 selon les structures) mais la technologie est assez "lourde", peu
compatible avec d'autres procds plus standards, et ne pourrait pas tre simplement utilise
l'ESIEE. Cependant, ces dveloppements technologiques auront ouvert la voie vers d'autres
ides qui seront sans doute dveloppes ultrieurement ( l'EPFL ou en collaboration EPFL-
ESIEE), comme l'enduction en spray pour amliorer les tapes de photolithographie dans les
cavits profondes ou l'utilisation de procds holographiques destins aux fortes topologies
pour remplacer l'criture directe par laser.

Il ne faut pas oublier que cette structure en "V" a t conue pour minimiser les effets de la
puissance RF traversante. Nous avons donc commenc mettre en vidence les problmes
lis au passage d'une forte puissance RF (typiquement > 1 watt) dans un MEMS, et compte-
tenu du manque d'tudes antrieures sur ce point, il s'agit clairement d'un axe de recherche
poursuivre. En particulier, cette contrainte devra tre prise en compte sur tout autre nouveau
composant MEMS RF dvelopp dans notre laboratoire; ce qui implique galement le
dveloppement des outils de caractrisation associs. Quelques publications apparaissent
depuis fin 2004 sur ce thme [PER 04] [RIJ 06] [WAN 06].


139
Ensuite, comme je l'ai dj indiqu plus haut, il reste un gros travail sur la caractrisation des
varicaps (valable pour les autres composants passifs), avec l'amlioration permanente du banc
de mesure sous pointes dont je m'occupe avec l'aide de Claudine Vasseure, et qui doit pouvoir
servir terme toutes tudes dans le laboratoire commun ESYCOM.

Enfin, je participe depuis fvrier 2005 au projet europen RETINA
1
(Call AERO projet
N516121), dont je parlerai rapidement dans le chapitre suivant, dans lequel nous allons
inclure des varicaps MEMS. Nous allons nous orienter vers des solutions double gap ou vers
l'optimisation de structures lectrodes fragmentes qui restent compatibles avec des
technologies plus simples.

Je terminerai en rappelant que cette tude aura fortement contribu renforcer les
collaborations ESIEE-EPFL et ESIEE-TAS, et je souhaite videmment continuer en ce sens.

III. Micro-inductances variables

III.1. Gnralits

Je dcrirai ici le principe gnral de fonctionnement d'une inductance variable en technologie
MEMS, en partant de la loi de Biot et Savart. Puis je donnerai l'tat de l'art sur ce sujet
relativement nouveau partir des recherches de Charles-Marie Tassetti faites pendant sa thse
sur la priode 2001-2005.
III.1.1. Principe de fonctionnement d'une inductance variable

Nous pouvons crire linductance L (18) en fonction de lexpression intgrale du flux
magntique (17) avec la loi de Biot et Savart qui permet de calculer l'induction magntique
B(M) en un point M de l'espace (16).

1 RETINA = Reliable, tuneable and inexpensive antennas by collective fabrication processes

= == =
C
3
PM
PM dl . i
4
) M ( B
(16)

= == = ds . B
(17)
140
r 0
3
.
L= .
4
S C

PM
dl dS
PM
uuur
uur uuur
uuuuur

terme li la gomtrie
du systme
proprits magntiques
des matriaux utiliss

Nous pouvons alors identifier les diffrents paramtres intressants pour raliser une
inductance variable :
contrler les proprits magntiques des matriaux utiliss (permabilit
r
) ou
modifier la valeur de la permabilit magntique effective du milieu [ACH 96]
modifier les paramtres gomtriques de linductance
modifier le flux magntique indpendamment du parcourt du courant (c'est--
dire par couplage magntique entre circuits)

Notons que pour des frquences suprieures au GHz, les proprits magntiques de la plupart
des matriaux disparaissent, cause d'une permabilit relative proche de
r
1. Nous nous
sommes renseigns sur les recherches spcifiques portant sur les matriaux magntiques
compatibles avec les micro-technologies, et fonctionnant typiquement entre 1 et 20 GHz
[KOR 00][FER 02][GIA 02]. Cependant, il s'agit d'un domaine encore trs prospectif,
demandant par ailleurs des comptences sur les matriaux que je n'ai pas; ce qui explique que
nous n'ayons pas choisi d'explorer cette voie malgr des collaborations intressantes qui
existent au sein du PFM (au SATIE avec F. Alves et l'IEF avec E. Dufour-Gergam).

III.1.2. Etat de l'art

Les publications concernant des ralisations de micro-inductances variables sont peu
nombreuses. Les diffrents phnomnes physiques cits prcdemment y ont t exploits,
permettant de classer les inductances variables en deux catgories:
- les inductances variations continues
- les inductances variations discrtes fonctionnant par pas quantifis grce lutilisation
de micro-commutateurs.

Un tableau rcapitulatif peut donc tre propos, Tableau 1, associ aux Figures 23 28.
I / L = == =
(18)
donne

141

Principe Rfrences L
min

R=
L
max
/L
min

Q Fe
Micro-solnode [VEL 99] 0,25H 28 - 100 kHz
Film magntique
commandable
[SAL 78] 45H 2,5 65 15 MHz
Dformation hors
plan de spires
[LUB 01]
0,67 - 083
nH
qq% 4-5 2 8 GHz
Dformation hors
plan de solnode
[GEL 02] 100 nH 3 4 qq GHz
Modification de
couplage mutuel
[ZIN 05]
0,7 - 1,03
nH
13%
28%
9 25 qq GHz
Inductances
commutes

[ZHO99]
2,5 nH -
324 nH
>100
discret
3,3 4,6 GHz

Tableau 2. Synthse bibliographique sur les inductances variables MEMS.

Figure 23. Inductance variable noyau magntique mobile

La Figure 23 prsente une structure de micro-solnode dans lequel se dplace un noyau
magntique [VEL 99]. Si le noyau magntique est prsent dans le solnode, le champ
magntique est renforc et linductance maximale. Sinon, le champ magntique est plus faible
et linductance minimale. Ceci demande un noyau magntique de permabilit assez
importante (r ~ 40 ici) pour obtenir un bon rapport de variation (R ~ 28).
Une autre tude a t propose en 2004 pour des frquences <10MHz [TIE 04].


142

Figure 24. Inductance variable film magntique commandable

La Figure 24 propose une solution utilisant un matriau magntique, le permalloy (81% de
Nickel, 19% de Fer), dont on peut modifier la permabilit magntique r par l'intermdiaire
d'un champ magntique continu appliqu selon l'axe de facile ou difficile aimantation
[SAL 78].

Une autre famille de solutions autorisant des variations continues d'inductances consiste
modifier les paramtres gomtriques de linductance et/ou le couplage magntique entre
plusieurs circuits. Une premire ide, Figure 25, utilise la dformation hors plan par effet
thermique de pistes conductrices suspendues dans l'air [LUB 01], [GAM 99]. Une seconde
ide, Figure 26, consiste dformer mcaniquement la section d'un solnode 3D [GEL 02].


143

Figure 25. Dformation hors plan de spires

Figure 26. Dformation d'un solnode hors-plan

Enfin, la solution que nous avons choisi de dvelopper pendant la thse de Charles-Marie
Tassetti exploite les variations de mutuelle inductance provoques par des dplacements
mcaniques. Une publication apparue en 2003, [ZIN 03], prsentant deux inductances relies
en parallle superposes, dont l'une peut se soulever grce un jeu d'actionneurs thermiques,
utilise un effet similaire, Figure 27.


144
Figure 27. Inductances dformables et le jeu dactionneurs thermiques

L'autre famille de solutions repose sur l'utilisation de micro-commutateurs, Figure 28, pour
relier entre elles une srie d'inductances [ZHO 99], les performances de l'ensemble dpendant
directement de celles des commutateurs. Mais les variations se font alors par pas discrets.

Figure 28. Rseau d'inductances commutes

III.2. Synthse des travaux de thse
III.2.1. Dveloppement d'une structure base de transformateur
III.2.1.1. Description du principe et choix d'une topologie

Le couplage magntique cr entre deux circuits parcourus par un courant dpend
essentiellement de la distance sparant les conducteurs. Lors de la thse de C.M. Tassetti,
nous avons dvelopp un MEMS dans lequel le coefficient de couplage magntique k est
fonction de dplacements mcaniques obtenus par actionnement lectrostatique.
Pour dmontrer le principe et la faisabilit, mais aussi simplifier la mise en uvre
technologique, nous avons choisi une topologie de type transformateur dans lequel deux
circuits magntiques (en fait de simples spires mono-tour) sont coupls, Figures 29 et 30, et
dont l'un se dplace verticalement selon l'axe u
z
grce une poutre de silicium en flexion (ou
plaque en torsion pour le second run).

145
Figure 29.. Vue en coupe de la structure transformateur

Figure 30. Vue simplifie en 3D de la structure transformateur (la spire et llectrode
dactionnement sont montres par transparence sous la poutre en silicium).

III.2.1.2. Mise en quation simplifie

Comme indiqu prcdemment, la micro-inductance variable a t conue de la faon
suivante:
linductance principale utile, les plots de mesures RF et le plan de masse sont raliss
sur un substrat en verre fixe,
la simple spire (en circuit ferm) est ralise lextrmit dune poutre en silicium
susceptible de flchir sous laction dune force lectrostatique.

La variation dinductance peut tre simule pour diffrentes valeurs du coefficient de
couplage magntique k, Figure 31, en fonction de la frquence, partir des quations (19) et
(20). Nous observons alors deux zones de fonctionnement, Tableau 2, l'une basses frquences,
o la partie rsistive domine, et l'autre hautes frquences, o la partie inductive domine et
varie directement en fonction du coefficient k.

partie mobile (poutre
en silicium)
partie fixe (substrat de verre)
circuit secondaire
(spire court - cicuite)
circuit primaire : micro - inductan ce
Actionneur
lectrostatique
Verre (partie fixe)
Silicium (partie mobile)

146

( )
( )
( )
2
0
eq 0
0

kL
Z = R+jL +
R+jL
(19)
2
0
2 2
0
0 eq
(kL )
L = L 1-
R +(L )
| |
|
\
(20)

BASSES
FREQUENCES
MOYENNES
FREQUENCES
HAUTES FREQUENCES

R>>L RL L >>R
eq
L L
2
eq
.L
L L. 1-
R
(
| |
(
|
\
(

k

( )
2
eq
L L. 1- k

eq
R R
2
eq
k.L
R R. 1+
R
(
| |
(
|
\
(

( )
2
eq
R R. 1+k

Tableau 3. Zones de fonctionnement de la configuration transformateur.

Figure 31. Evolution de linductance quivalente du systme en fonction de la frquence
pour diffrents couplages magntiques k (simulations avec L
0
= 2.2 nH, R=1 ).

Le rapport de variation et le facteur de qualit sexpriment dans cette configuration selon les
relations (21) et (22).

2
2
min
max
Variation =
1-k
1-k
(21)
2
2
2
L (1-k )
Q =
R (1+k )
(22)


147

III.2.1.3. Ralisation et caractrisation

Procd technologique

Le procd technologique dvelopp lESIEE, Figures 32 et 33, est bas sur la soudure
anodique en fin de procd de deux substrats, verre et silicium de type SOI. Deux jeux de
prototypes ont t dvelopps partir du mme procd technologique, les seconds cherchant
amliorer certaines caractristiques des premires inductances variables (tension
d'actionnement plus faible, rapport de variation plus lev, facteur de qualit un peu
meilleur...).
Concernant le substrat de verre, nous utilisons 3 niveaux de masques selon les tapes
suivantes:
photolithographie permettant de dfinir les futures cavits daccueil (~15m) du circuit
primaire, aprs une gravure chimique (HF)
dpt d'une couche d'aluminium (~1m), par pulvrisation cathodique ou vaporation, suivi
d'une photolithographie servant la dfinition du circuit primaire (lectrodes, contacts RF,
plan de masse, inductance), avec gravure du mtal par plasma chlor
dpt de nitrure (Si
3
N
4
) par PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), suivi
d'une photolithographie pour ouvrir localement les contacts lectriques par RIE (Reactive Ion
Etching).

Concernant le substrat de silicium, nous utilisons galement 3 niveaux de masques selon les
tapes ci-dessous. Le substrat est de type SOI (Silicon On Insulator) constitu dune couche
de 15m de silicium haute rsistivit (>4000.cm) en face avant, 2m disolant (SiO
2
) et
500m de silicium standard en face arrire.

oxydation thermique en face avant pour isoler le circuit secondaire de la couche de
silicium (tape optionnelle)
dpt d'aluminium(~1m) en face avant, suivi d'une photolithographie pour former le
circuit secondaire (spire en court-circuit et lectrodes d'actionnement), avec gravure
du mtal par plasma chlor
libration de la structure mcanique en deux tapes de DRIE (Deep Reactive Ion
Etching), aprs une double photolithographie face avant et face arrire.

148
gravure RIE de la couche doxyde enterr et libration effective des parties mobiles.

La dernire tape consiste en la soudure anodique 380C des deux substrats (verre/silicium),
sous une tension de polarisation de l'ordre de 300V avec un procd sous vide.

Figure 32. Procd sur verre.

Figure 33. Procd sur SOI.


149
Description des diffrents prototypes

Les premiers prototypes dvelopps correspondent la structure base de poutre des Figures
30 et 34, et prsentent un rapport de variation maximal Lmax/Lmin de 2. Un second
prototype, Figure 35, fonctionnant en torsion ou en flexion selon le mode d'actionnement
choisi, a ensuite t dvelopp afin dobtenir un rapport de variation dinductance plus lev,
autour de 5, tout en rduisant les tensions d'actionnement. L'ensemble des inductances
ralises ont des diamtres de 800m, 600m et 400m pour des largeurs de piste de 100m,
50m ou 30m, et correspondent des valeurs nominales comprises entre 0.5nH et 2.2nH.

Figure 34. Vue au microscope du premier prototype.

Figure 35. Dtail de la structure mcanique du second prototype (photo MEB);
lectrode n1 : torsion, lectrode n2 : flexion, lectrode n3 : torsion

1
2
3
encrage
encrage
Circuit secondaire
poutre
polarisation DC
Pointes RF
Vue de dessus
micro-inductance
spire
poutre
lectrode
polarisation
Vue de dessous travers le verre

150
Caractrisation des diffrents prototypes

De part la topologie "transformateur", les micro-inductances ralises sont en configuration
court-circuit . Nous n'effectuons ainsi que les mesures du coefficient de rflexion S
11
.
Le banc de mesure est toujours le mme: mesures sous pointes (Picoprobes 18GHz , pitch
150m) lanalyseur de rseau vectoriel Agilent 8722ES, entre 100 MHz et 5 GHz pour les
premiers prototypes et jusqu' 15 GHz pour les seconds.

Lactionneur lectrostatique ncessite lutilisation dune alimentation qui peut dlivrer une
tension continue de 0 150V. La distance entre les deux circuits inductifs, micro-inductance
sur verre et spire en court-circuit sur la partie mobile, peut varier a priori entre 0 et 15 m
pour les poutres, 0 et 30m pour les plaques en torsion.

Les rsultats obtenus sont regroups dans le tableau 3 et reprsents sur les Figures 36 et 37.

L
min (mesure)
L
max (mesure)
R
max
F
e
( 0V DC) V
collage

1
er
prototypes 0.5 0.7nH 0.95 1.1nH 2 15GHz 150V
2
d
prototypes 0.5 nH 1.0 1.5 nH 5 >20GHz 60V

Tableau 4. Caractrisation des micro-inductances variables.

Figure 36. Variations dinductance du 1
er
prototype pour une tension d'actionnement de 0
150V , et loi quivalente L
eq
(V)=0,97-3,68.10
-5
V+2,57.10
-6
V
2
-1,125.10
-7
V
3
(en nH).

Pour les seconds prototypes, nous avons mesur 3 cas extrmes:
Une inductance de 800m de diamtre, sans circuit secondaire, qui reprsente la
valeur maximale idale (L
max ideal
),

151
Une inductance de 800m de diamtre, avec circuit secondaire, et la distance entre
primaire et secondaire minimale (L
min
),
Une inductance de 800m de diamtre, avec circuit secondaire, sans tension
dactionnement (L
@0V
)

La valeur dinductance mesure dans la troisime configuration (L
@0V
) sest rvle tre plus
faible que la valeur attendue en raison de contraintes mcaniques qui dforment les parties
mobiles et rduisent les dplacements effectifs (paisseur maximale infrieure aux 30m
souhaits). De plus, nous remarquons une augmentation des valeurs dinductances avec la
frquence au del de 8GHz environ, essentiellement dues aux capacits parasites.

Figure 37. Variations dinductances mesures pour les 3 configurations du second
prototype pour une tension d'actionnement de 0 60V

Enfin, nous avons propos un modle lectrique simplifi de l'inductance variable, fond sur
la dcomposition de chaque spire en portions lmentaires, Figure 38. Les calculs des valeurs
d'inductances et de mutuelles se font par l'intermdiaire du flux magntique, les capacits
entre la spire principale et la spire en court-circuit sont values par la formule approche des
plaques parallles, et les pertes correspondent aux rsistances de contact (DC). Pour un
schma 8 cellules lmentaires, nous observons une bonne correspondance entre ce modle
et les mesures, Figure 39.

L
max ideal

L
max @ 0V

L
min

152

Figure 38. Modle quivalent

Figure 39. Comparaison mesures modle (1
er
prototype)

III.2.2. Essais d'intgration dans une fonction MEMS accordable

Compte-tenu des rsultats obtenus, en particulier un rapport de variation L
max
/L
min
>2 voire
>5, sur la bande de frquence 1-10 GHz, nous avons choisi dintgrer les inductances
variables du second run dans quelques fonctions RF lmentaires [TAS 04]. Lintgration des
diffrents composants sur une mme plaquette peut tre mene en parallle puisquelle utilise
les mmes tapes technologiques. Les connections se font a priori par des lignes coplanaires
sur le substrat de verre.

Les systmes tudis par C.M. Tassetti sont d'une part une impdance accordable, association
srie dune inductance variable et dune capacit variable de type parallel-plate air,
Figure 40, et d'autre part un dphaseur lmentaire en , Figure 41.
L'association de telles cellules pourrait servir la conception de filtres agiles large bande ou
de structures de dphaseurs continment variables, tests actuellement entre 1 et 15GHz.

153

Figure 40. Association en srie dune inductance variable et dune capacit variable (vue
du substrat SOI uniquement) photo MEB

Figure 41. Exemple de dphaseur variable (vue du substrat SOI uniquement) - photo MEB

Ces mesures ont t intgres dans la partie du logiciel ADS de simulation de circuits
hyperfrquences afin de connatre les performances des dphaseurs raliss, Figure 42. Les
variations de phase observes atteignent 25 5GHz dans le cas rel et 50 dans le cas idal,
puis 48 dans le cas rel et 63 dans le cas idal 8GHz.

Figure 42. Simulations ADS d'une cellule de dphaseur intgrant les mesures
d'inductances du second run, avec C = 1,5pF.

inductance variable
capacit variable
inductances variables
capacit variable
C
L L

154
Il convient enfin dinsister sur le fait que ces variations de phase seront continues la
diffrence des dphaseurs hyperfrquences plus classiques utilisant des micro-commutateurs
MEMS et qui nautorisent que des variations de phase discrtes [HUN 03][LEE 03].

Cette dernire partie mrite d'tre approfondie, de faon mettre en vidence toutes les
potentialits des micro-inductances continment variables. Il ne faudra pas oublier
l'importance des contraintes technologiques, de telle sorte que les diffrents composants
passifs MEMS puissent tre intgrs simultanment (nous devons chercher tendre vers une
conception monolithique).

IV. Conclusions et perspectives

Lensemble des rsultats obtenus sur les capacits et les inductances est trs encourageant
pour la poursuite de nos tudes concernant les micro-composants passifs accordables entre 1
et 20 GHz.
Les deux thses ont permis de dgager des pistes de travail, et de souligner l'importance des
choix technologiques associs la conception de tels composants.

Il me reste faire un effort global de modlisation, de faon pouvoir prdire le
comportement de nos composants, mais aussi les optimiser plus rapidement, et les intgrer
terme dans des outils de simulation "circuit".

Une prolongation directe de ces travaux est en cours dans le cadre du contrat europen
RETINA dbut le 1
er
fvrier 2005, dont je parlerai au chapitre suivant. Nous avons d'ailleurs
dans ce cadre l'opportunit de travailler avec le logiciel CoventorWare de simulation de
MEMS (aspects dimensionnement, technologie, lectromagntique 3D). Je souhaite donc
en profiter pour me former ces outils afin de dvelopper dans un avenir proche des
comptences plus approfondies en modlisation de MEMS.


155
Rfrences bibliographiques du chapitre IV

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Chapitre V Perspectives et conclusions
159
Table des matires du Chapitre V

I. Synthse de mes activits sur la priode 1998-2004 .......................................................... 161
II. Perspectives: nouveaux axes de recherche depuis 2005.................................................... 162
II.1. Limitation de puissance RF base de MEMS tenue en puissance des MEMS... 162
II.1.1. Thse sur la conception d'un limiteur MEMS de puissance................................ 163
II.1.1.1. Description et contexte des travaux.............................................................. 163
II.1.1.2. Etat de l'art sur les limiteurs de puissance .................................................... 165
II.1.1.3. Synthse des premiers rsultats (priode : octobre 2004 avril 2006) ........ 167
II.1.2. Le projet europen RETINA ................................................................................ 169
II.2. Antennes MEMS et systmes de radiocommunication reconfigurables ................ 174
II.3. Conclusion........................................................................................................... 176
III. Conclusion gnrale ......................................................................................................... 177
Rfrences bibliographiques du chapitre V ........................................................................... 178

160
161
- Chapitre V -
Perspectives et Conclusions

Dans ce dernier chapitre, je vais effectuer une synthse rapide des chapitres prcdents, puis
je vais prsenter les nouveaux axes sur lesquels je commence travailler depuis 2005. Je
terminerai par une conclusion gnrale, qui sera complte par le chapitre VI concernant mon
Curriculum Vitae dtaill.

I. Synthse de mes activits sur la priode 1998-2004

J'ai orient mes activits de recherche depuis fin 1997 sur les MEMS RF , appellation anglo-
saxonne signifiant "Micro-Electro-Mechanical-Systems for Radio Frequency applications"; ce
qui dsigne des micro-dispositifs lectro-mcaniques (micro-structures, micro-composants
plus souvent que microsystmes) destins des applications radiofrquences ou
hyperfrquences, typiquement au del de 500MHz. Le chapitre I de ce document a donc t
consacr un tat de l'art sur les MEMS RF, avec la mise en vidence des principaux
laboratoires travaillant dans ce domaine, en France et en Europe.

La premire tude sur laquelle j'ai travaill en arrivant l'ESIEE portait sur un dispositif de
translation de frquence base de micro-capacits variables fonctionnant entre 1 et 2 GHz
(Chapitre II). Ces travaux m'ont alors permis de dgager deux axes importants sur lesquels j'ai
ensuite concentr mes efforts dans le cadre dESYCOM:
- les lignes de transmission sur silicium faible pertes, entre 1 et 40 GHz (Chapitre III)
- les micro-composants passifs accordables entre 1 et 20 GHz (Chapitre IV)

C'est alors tout naturellement que d'autres thmes en lien direct avec les prcdents ont vu le
jour rcemment, comme le problme de la tenue en puissance RF des MEMS, la fiabilit, la
reconfigurabilit ou les difficults lies l'encapsulation des MEMS RF.

162
II. Perspectives: nouveaux axes de recherche depuis 2005

Les nouveaux axes de recherche apparus courant 2005 sur lesquels je commence m'orienter
portent sur 2 grands thmes:
- la tenue en puissance des MEMS RF et la limitation en puissance associe
- les antennes base de MEMS et les systmes de radiocommunication reconfigurables

Certaines applications qui en dcoulent peuvent tre fortement lies.
Par ailleurs, je participe plus ponctuellement de nouvelles actions autour de l'encapsulation
des MEMS RF (thse de Vincent Georgel avec Philips sur l'apport du "System in Package",
ou problmatique de l'encapsulation sous vide pour le limiteur MEMS).

II.1. Limitation de puissance RF base de MEMS tenue en puissance
des MEMS

Nous avons commenc nous intresser la tenue en puissance des MEMS lors de la thse
d'Aurlie Cruau [CRU 05], qui a examin en dtail les phnomnes d'auto-actionnement
susceptibles de rduire les performances d'une capacit variable.

D'autre part, nos contacts avec la DGA et THALES ont mis en vidence la problmatique
suivante. Il existe certaines applications militaires, bases sur la dtection et la
communication par ondes hyperfrquences, qui demandent pouvoir traiter des signaux ayant
des dynamiques de plus en plus importantes dans des environnements lectromagntiques de
plus en plus denses, o les impulsions se recouvrent temporellement [SPE 02]. Les chanes de
traitement des signaux peuvent alors se trouver satures par les puissances reues par le
systme dantennes.
Un dispositif limiteur est utilis avant les amplificateurs, gnralement constitu dun
assemblage de diodes semi-conducteurs. Efficace pour protger les circuits sensibles situs
en aval, ce dispositif simple prsente linconvnient de distordre les signaux. En particulier, la
phase des signaux attnus nest pas conserve et les traitements de goniomtrie/localisation
des sources deviennent par exemple impossibles. Des situations similaires se retrouvent aussi
dans le domaine des radiocommunications sans fil civiles, o lon peut observer certaines
163
interfrences entre des matriels de tlphonie semi-fixe et mobile, en particulier avec des
extensions des normes WiFi.

La fonction d'un limiteur est donc d'viter la saturation ou la mise hors fonction des lments
sensibles situs la sortie d'une antenne de rception, et nous avons choisi de lancer une thse
sur cette fonction spcifique.

II.1.1. Thse sur la conception d'un limiteur MEMS de puissance

II.1.1.1. Description et contexte des travaux

Alain Phommahaxay a dmarr ses travaux de thse en octobre 2004 grce une bourse
DGA/CNRS, sur le sujet suivant: Conception et ralisation de micro-dispositifs de protection
des circuits radiorcepteurs aux impulsions de puissance base de micro-technologies ou
fonction " limiteur MEMS ".
Ces travaux sont fortement guids par les spcifications donnes par THALES (contact :
Pierre Nicole, pierre.nicole@fr.thalesgroup.com).

L'objet de la thse peut se rsumer ainsi:
Etude de faisabilit et dimensionnement de micro-dispositifs limiteurs de puissance transmise,
ayant une fonction de protection des dispositifs lectroniques sensibles trs large bande, et
utilisant prfrentiellement les technologies de micro-usinage sur Silicium. Simulations
comportementales micro-mcaniques et lectriques. Prise en compte des contraintes
spcifiques aux micro-ondes. Conception et ralisation de vhicules tests dans la centrale
technologique du laboratoire et caractrisation des prototypes obtenus.

Dans ce projet, nous nous basons sur les potentialits des microtechnologies pour proposer
ltude de solutions alternatives originales par rapport aux solutions classiques base de
diodes. La gamme des puissances attnuer de faon automatique, sans intervention dune
lectronique de soutien en drivation des lignes de transmission, est comprise entre 30dBm et
40dBm crte. Les signaux associs seront a priori de type impulsionnel (dure de 10s 300
s environ, rpts priodiquement). La possibilit dattnuer certains signaux forts doit
permettre de maintenir les amplificateurs situs en aval de la chane dans un domaine linaire,
164
et ainsi damliorer la rception des signaux faibles brouills actuellement par la saturation
des tages actifs.

Le sujet propos concerne donc une tude prliminaire, thorique et pratique, dune fonction
de limitation de puissance (P>1Watt) en technologie MEMS RF dans des gammes de
frquences comprises entre 10GHz et 18GHz.

Une solution serait par exemple de raliser un auto-limiteur ligne suspendue, en s'appuyant
sur l'tude des effets d'auto-actionnement dans les commutateurs et varicaps MEMS RF
[VAH 02]. Cependant, nous avons choisi d'orienter les recherches vers des structures plus
innovantes faisant appel des dispositifs pointes et dcharge localise. Les travaux de
thse se dcomposeront selon les tapes ci-dessous:
Conception d'une structure de limiteur MEMS utilisant des effets de pointe:
o Utilisation d'un logiciel de simulation spcifique (Lorentz HF) qui prend en
compte les effets d'mission de champ, en parallle d'outils de conception de
MEMS (CoventorWare)
o Dveloppements de pas technologiques originaux (optimisation de la gravure
profonde par DRIE, structures base de polymres tels que BCB ou
polyimide)
Ralisation technologique de structures de tests afin de valider la faisabilit (plusieurs
RUNs sont prvus) puis optimisation de la solution retenue
Ralisation dun dmonstrateur de limiteur dans la centrale technologique de l'ESIEE
Caractrisation (en puissance et en RF) des structures de tests puis du dmonstrateur
o Mise au point d'un banc de mesure spcifique pouvant monter quelques watts
en mode continu(CW) entre 10 et 18GHz

Les paramtres essentiels tudier lors de la caractrisation seront:
lvaluation du comportement global de la structure aux signaux de forte puissance
la puissance maximale admissible pour un critre donn (par exemple la dure
maximale des impulsions reues et leur frquence de rptition)
le temps de rponse intrinsque de la structure en fonction de la puissance
la fonction dattnuation du dispositif en fonction de la puissance incidente pour les
signaux les plus faibles
165

II.1.1.2. Etat de l'art sur les limiteurs de puissance

Afin d'clairer le contexte de cette tude assez nouvelle et originale, je propose un rapide tat
de l'art concernant les limiteurs de puissance RF issu des premires recherches effectues par
Alain Phommahaxay.

Actuellement, les seuls limiteurs commercialement disponibles sont principalement bass sur
des structures de type diodes PIN en drivation dune ligne de transmission [SEY 90]. Les
diodes restent bloques tant que tension et puissance du signal dentre sont infrieures des
valeurs de seuil, le signal ntant alors pas modifi. Au-del de ce seuil, les diodes se mettent
conduire et court-circuiter la ligne de transmission. La puissance du signal de sortie se
trouve donc modifie.

Le cahier des charges demand dans la thse nest que partiellement rempli par les limiteurs
de ce type. Les derniers dispositifs dAgilent Technologies apparus sur le march en
novembre 2005 ont par exemple les caractristiques suivantes [AGI 05] :
Une bande de frquence de 10MHz 26GHz
Un temps de rponse infrieur 100ps
Une puissance seuil de 25dBm (0,3W)
Une puissance maximale admissible de 4W CW (Continuous Wave)
Ces dispositifs conviennent des applications grand public mais ne satisfont pas les
contraintes poses par des applications de type station mettrice/rceptrice ou bien encore de
guerre lectronique. De plus, ils ne sont pas du tout intgrs.

Sachant que les semi-conducteurs prsentent une densit maximale de courant admissible
partir de laquelle il y a une destruction irrversible du composant par chauffement [ZHU 01],
les composants Si ou GaAs ne supportent pas les pics de courant induits par des impulsions de
puissance crte leve (> 10W). Les recherches sur des composants de type SiC ou GaN
pourront peut-tre rsoudre partiellement ce problme, mais ces composants ne seront pas
tudis dans notre quipe.

166
Des dispositifs fonctionnant basse frquence permettent dj limiter des fortes puissances. Il
sagit par exemple dclateurs gaz (spark gap) [EPC 05]. Le principe de fonctionnement est
similaire celui bas sur les diodes PIN. Une ligne de transmission est court-circuite au-del
d'un certain seuil de tension par la formation dun arc lectrique (claquage plasma) entre deux
lectrodes spares par un gaz neutre. Plusieurs ampres peuvent ainsi tre dissips.

Des composants prsentant les avantages des deux familles prcdentes satisferaient donc le
cahier des charges. Lutilisation de composants lectroniques sous vide pourrait rpondre
nos besoins. Les tubes vides sont, en effet, encore utiliss de nos jours dans des applications
trs spcifiques comme dans les satellites de transmission et les stations au sol o de fortes
puissances RF sont ncessaires. Cette tenue en puissance nest pas encore atteinte facilement
par les semi-conducteurs [BAR 05].
Un des inconvnients majeurs de ces tubes est leur temprature de fonctionnement. Des
lectrons sont en effet extraits dune cathode mtallique par chauffement de la mme faon
que le canon lectron des tlvisions tube cathodique. Des tempratures de plus de 800C
peuvent tre atteintes et rendent lintgration de ces tubes trs difficile.

Les dveloppements technologiques apports par les MEMS permettent dj dobtenir une
mission dlectrons sans avoir besoin dapporter dnergie sous forme thermique. Il est
possible dobtenir des champs lectriques suffisamment importants, grce la rduction des
distances, pour extraire des lectrons dun matriau. Il sagit du phnomne d'mission
lectronique [FUR 05].
Un des avantages majeurs de lmission lectronique est la quasi instantanit de lextraction
dun lectron. Ceci permet douvrir les perspectives de dispositifs fonctionnant des
frquences approchant le terahertz [BAR 05]. Cest ainsi que des amplificateurs base de
micro-tubes vide fonctionnent plusieurs centaines de gigahertz.

Des systmes de limitation de puissance par des solutions purement lectromcaniques sont
aussi ralisables [BRE 05] mais le temps de rponse envisageable, correspondant au temps de
rponse mcanique, ne satisfera pas le cahier des charges. Enfin, des limiteurs de puissance
base de supraconducteurs sont galement en cours dtude dans certaines quipes de
recherche [BOO 03].
167

II.1.1.3. Synthse des premiers rsultats (priode : octobre 2004 avril 2006)

L'utilisation des micro-tubes vide dans les applications de limitation de puissance a tout
d'abord t value. Un premier prototype de limiteur bas sur des diodes vide distribues a
t conu et ralis en salle blanche courant janvier 2005, figures 1, 2 et 3.
Diverses configurations de structures avec diodes vide ont t simules et testes entre
100MHz et 20GHz basse puissance afin de vrifier que les diodes ne perturbent pas les
caractristiques RF. Des mesures en continu et plus forte puissance ont aussi t effectues
afin de dterminer les caractristiques dmission lectronique, figure 4 [PHO 05].

(a) (b)
Figure 1. Premiers prototypes DC (a) et RF (b).

Figure 2. Etapes de fabrication des premiers prototypes.

SiO
2

Si

b)

Si

c)

d)
Resist
Al
SiO
2

Si
a)
168

(a)

(b)
Figure 3. Vues MEB montrant diffrents profiles de gravure DRIE (a) et un zoom sur la
pointe (b).

-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
x 10
-7
Voltage (V)
C
u
r
r
e
n
t

(
A
)
I(V) Characteristic of 20 parallel vacuum diodes
with 2m-spaced electrodes and anisotropic etching
0 0.1 0.2
-19
-17
-15
-13
l
n
(
I
)
1/V
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
x 10
-7
Voltage (V)
C
u
r
r
e
n
t

(
A
)
I(V) Characteristic of 20 parallel vacuum diodes
with 2m-spaced electrodes and anisotropic etching
0 0.1 0.2
-19
-17
-15
-13
l
n
(
I
)
1/V

Figure 4. Courbe I(V) avec 20 diodes vide en parallle mesures DC pression
ambiante.

Une premire tude du vieillissement des structures a galement t effectue. Linfluence de
lenvironnement sur des structures non protges hermtiquement a t value. Une autre
169
application possible de ces structures serait la surveillance en temps rel denvironnements
sensibles (pression, gaz) [PHO 06_1]. Par extension, une nouvelle piste que nous
commenons explorer concerne l'encapsulation sous vide du limiteur, avec les difficults
technologiques que cela implique pour viter les fuites de pression en environnement hautes
frquences [HEC 06] [WEL 05] [MIC 02].

Enfin, la validation du principe du limiteur MEMS effet de pointes et dcharge localise
ncessite la mise en place d'un banc de caractrisation hyperfrquence (10 18 GHz) en
puissance continue (P
incidente
>1Watt). Une mise niveau du banc de mesure sous pointes
disponible dans le laboratoire est en cours, avec une solution a priori plus simple que certains
systmes existants [GIR 04]:
- pointes spcifiques (en tungstne)
- amplificateurs, attnuateurs et isolateurs pour apporter la puissance RF sur le MEMS
tout en protgeant les appareils de mesure(VNA)
- automatisation partielle des mesures sous interface Labview (gestion des balayages en
frquence et/ou en puisance)
- dfinition d'une procdure de calibration et de-embedding adapte
La possibilit d'effectuer des tests supplmentaires en rgime impulsionnel forte puissance
n'est actuellement pas rsolue.

Ces travaux de thse ont dj donn lieu 4 publications en confrences
[PHO 05][PHO 06_1] [PHO 06_3]. Une procdure de dpt de brevet avec Thales Airborne
Systems est galement en cours depuis Fvrier 2006 autour du limiteur proprement dit, mais
aussi dune solution originale de package.

II.1.2. Le projet europen RETINA

Dans le cadre de l'tude de la tenue en puissance des MEMS RF, j'ai particip ds fin 2003
la mise en place d'un consortium pour proposer un projet europen de type STREP. Les 8
partenaires finalement runis sont:
- EADS, Corporate Research Centre Germany, Munich, Allemagne
- THALES, Elancourt, France
- ESIEE ESYCOM, Marne-la-Valle, France
170
- IMEC, Leuven, Belgique
- EPFL, Ceramics Laboratory, Lausanne, Suisse
- Coventor, Pays-Bas et France
- JSI (Jozef Stefan Institute), Electronic Ceramics Department, Ljubljana, Slovnie
- HIPOT-HYB (PME), Research Group, Ljubljana, Slovnie

Le projet a dmarr le 1er fvrier 2005 et s'intitule RETINA pour "Reliable, Tuneable and
Inexpensive Antennas by collective fabrication processes", contrat #516121, issu de l'appel
projet aronautique. C'est EADS CRC Munich qui est porteur de ce projet.
Le site Internet relatif au projet est le suivant: http://dolomit.ijs.si/RETINA/.

L'objectif consiste dvelopper une ou plusieurs solutions faible cot en bande Ku ou Ka
pour des systmes d'antennes balayage sur plate-formes mobiles, telles que des avions ou
des satellites. Le principe gnral retenu fait appel la rflexion de faisceau
lectromagntique, et non pas aux antennes actives beaucoup plus coteuses mettre en
uvre, Figure 5.

L'intgration de ce type d'antenne devrait servir transfrer des donnes relativement haut
dbit entre des plate-formes en mouvement, et donc proposer par exemple de nouveaux
services aux passagers:
une liaison Internet continue et/ou la tlvision en direct bord des vols commerciaux,
l'assistance la navigation par l'intermdiaire d'une liaison satellite-avion,
l'amlioration de la scurit par une assistance la dtection de panne et/ou la mise
en alerte.

D'un point de vue technique, le balayage spatial du faisceau est obtenu par une combinaison
cohrente de rayonnements issus de cellules lmentaires. En effet, l'antenne balayage est
constitue d'un grand nombre de ces lments rayonnants espacs priodiquement, qui
mettent ou reoivent un signal avec un dphasage contrl. L'ensemble des dphasages
appliqus sur les cellules lmentaires sert modifier globalement le plan d'onde du signal
lectromagntique. La fonction fondamentale est alors le dphaseur, traditionnellement ralis
l'aide de diodes PIN mais qui prsentent un certain nombre d'inconvnients.

171

Figure 5. Principe d'une antenne rflecteur et application aux liaisons large bande avion-
satellites ("Internet on board").

L'ide de ce projet est d'explorer des solutions alternatives, compatibles avec une fabrication
collective faible cot, et supportant en outre de forts niveaux de puissance,
base de MEMS RF (travaux EADS et ESIEE-ESYCOM)
base de matriaux ferrolectriques (travaux EPFL et JSI)

Chacune de ces technologies prsente ses propres avantages et inconvnients, et le consortium
regroup dans RETINA tudiera les deux familles de solutions en parallle, avant de dcider
laquelle implmenter dans le prototype final de dphaseur pour la dernire anne du projet
(dcision prendre en fvrier 2007).

Enfin, l'ESIEE est leader d'un workpackage (WP3, Charaterisation) sur 7, et nous
organiserons un workshop en 2007 sur la partie MEMS RF pour favoriser la dissmination
des rsultats, probablement en association avec une confrence existante.

top surface
of the plane
Source
and/or
Receiver
1
2
172
Mes collgues de l'ESIEE, Jean-Luc Polleux et Philippe Basset, ont assur l'intrim au
dmarrage du projet alors que je me trouvais encore en cong maternit. Ils continuent depuis
mon retour suivre l'avancement des travaux, avec cependant une participation beaucoup plus
faible. Deux ingnieurs-chercheurs ont par ailleurs t recruts, Cdric Papon de Novembre
2005 Juin 2006, et Frdric Flourens depuis janvier 2006, afin de renforcer l'quipe sur ce
sujet. Mon implication personnelle dans ce projet reprsente depuis septembre 2005 une part
trs importante de mon temps consacr aux activits de recherche.

Nous travaillons plus spcifiquement au dveloppement de composants passifs accordables
(inductances et capacits) tenant des puissances incidentes de l'ordre de 1 2 watts, en bande
Ku. Les premiers rsultats concernent essentiellement la mise au point et la fiabilisation d'un
procd technologique verre-silicium (RUN1).
Un second RUN a dmarr en Janvier 2006 avec la fabrication d'une cellule gnrique de
composant accordable (RUN 2), qui peut tre inductif ou capacitif selon le design des
lectrodes, mais qui s"appuie sur une gomtrie commune de membrane mobile, comme
reprsente sur les figures 6 et 7.
Les premires caractrisations ont eu lieu en Avril et Mai 2006, mettant en vidence des
problmes de contraintes mcaniques importantes sur la partie mobile en silicium [ELS 06],
figure 8, et expliquant en partie les valeurs de capacits obtenues (> 50fF attendus), figure 9.

(a) (b) (c)

Figure 6. Composant gnrique sur membrane mobile de silicium (a), inductance L (b) ou
capacit C variable (c).

RF in
RF out
DC
DC
173

Figure 7. Vue MEB (a) et photographie (b) d'une structure du RUN2.

Figure 8. Exemple de courbure mcanique dune membrane du RUN2.

Figure 9. Exemple de caractrisation RF sous pointes dune cellule du RUN2.

Capacit variable: bras en
serpentins pour ancrage de la
membrane moble
Pointes DC
Pointes RF Capa MEMS
Silicon :
- thickness 10m
- = 0.1MPa
Aluminium :
- thickness 0.5m
- = 35 MPa
174
Le dtail des rsultats fait lobjet de nombreux rapports (Deliverables) diffuss au sein du
consortium et soumis la commission europenne, mais assez gnralement confidentiels.
Une rapide analyse bibliographique nous a montr l'intrt croissant de l'tude de l'impact des
fortes puissances sur le comportement des MEMS RF [PER 04] [TAN 05] [RIJ 06]
[WAN 06]. Une publication [LIS 06] a galement t accepte pour la confrence EUCAP en
Novembre 2006.

Enfin, un autre aspect trs important de ce projet concerne les tudes de fiabilit des MEMS
(vieillissement, fatigue, tenue en temprature, humidit), en partenariat avec IMEC pour la
caractrisation et Coventor pour le dveloppement d'outils de CAO spcifiques. Ceci nous
impose en particulier des mthodes de travail plus rigoureuses quant la fabrication des
prototypes en salle blanche, de faon pouvoir interprter ensuite plus facilement les divers
rsultats de caractrisation.

II.2. Antennes MEMS et systmes de radiocommunication
reconfigurables

Dans le cadre de l'Equipe Systmes de Communications et Microsystmes (ESYCOM), je
continue travailler avec le groupe de l'Universit Marne-La-Valle (Odile Picon, Jean-Marc
Laheurte et Elodie Richalot) sur des applications des technologies MEMS RF aux antennes.

Nous cherchons d'une part transposer les rsultats obtenus sur nos lignes inverses faibles
pertes des antennes inverses, dans le cadre de la thse de Benot Poussot. La possibilit
d'utiliser des micro-commutateurs pour modifier les impdances vues par l'antenne est
galement explore afin d'atteindre une certaine reconfigurabilit [ERD 05]. Il sagit en fait de
travaux initis par lquipe de Jean-Marc Laheurte sur la diversit en rception qui consiste
combiner de manire optimale le champ reu par plusieurs antennes afin d'optimiser le
rapport signal bruit en tenant compte des interfrences de la voie montante. Et parmi les
diffrentes techniques de diversit utilises (diversit despace, de polarisation ou de
diagramme), ESYCOM travaille plus spcifiquement sur les problmes de diversit de
diagramme et de polarisation. Les concepts dantennes diversit de diagramme peuvent tre
175
raliss en technologie verre/silicium 30 GHz en intgrant des MEMS dans le procd de
fabrication, Figure 10.

Figure 10. Exemple dantenne inverse diversit de diagramme en technologie verre-
silicium.

D'autre part, nous commenons regarder la faisabilit de rseaux d'antennes (pour
commencer, de type patch ou Vivaldi, ) pour des applications la rcupration d'nergie
lectromagntique ambiante. Cette thmatique est porte par le projet Apports des micro- et
nano-technologies pour la rcupration d'nergie financ par lANR dans le cadre de l'appel
projet Jeunes Chercheuses Jeunes Chercheurs 2005, et pilot par Philippe Basset de
lESIEE-ESYCOM.
Notons aussi que les travaux mens au sein dESYCOM sur lidentification sans contact
(RFID), en particulier avec C. Ripoll (ESIEE) et L. Cirio (UMLV), pourraient moyen terme
offrir de nouvelles perspectives dintgration de fonctions MEMS RF.

Enfin, de faon plus prospective, il devient intressant d'tudier l'intgration simultane de
plusieurs fonctions MEMS RF sur un mme dispositif (commutateur, dphaseur, filtre,
176
modulateur). Par exemple, une structure simple dmission pourrait tre ralise l'aide de
notre technologie verre/silicium, comportant un micro-modulateur suivi dune antenne sur
membrane inverse. Et la structure de rception associe, constitue dune antenne identique,
suivie dun filtre lignes microrubans inverses faibles pertes et dun dmodulateur, pourrait
aussi tre tudie. L'intrt majeur de cette approche rside dans l'intgration possible des
diffrentes fonctions en utilisant une technologie commune. Ce sujet pourrait typiquement
faire lobjet dune nouvelle tude lance dans le cadre dESYCOM.

II.3. Conclusion

Les perspectives que je viens de prsenter (tenue en puissance des MEMS RF et la limitation
en puissance associe, antennes base de MEMS et les systmes de radiocommunication
reconfigurables) sinscrivent en continuit directe de mes travaux antrieurs et actuels.

Nous pouvons galement chercher de nouvelles fonctions MEMS RF non disponibles ce
jour mais pour lesquelles les fonctions existent dans des technologies plus classiques, telles
que des circulateurs, baluns, mais aussi des systmes d'adaptation d'impdances contrls,
particulirement utiles pour amliorer la gestion de la dynamique des amplificateurs de
puissance. Ce dernier point pourrait par exemple demander dapprofondir les rsultats obtenus
sur les inductances variables.

Enfin, la thmatique MEMS en gnral offre des ouvertures vers dautres domaines (capteurs,
biologie ou optique par exemple), qui pourraient un jour tre coupls des applications
radiofrquences. Et je pense tout fait intressant de promouvoir ce type dinteractions.
177
III. Conclusion gnrale

Dans ce manuscrit, j'ai prsent mes travaux de recherche sur les MEMS RF. Le choix de
cette thmatique a t conditionn par mon embauche au Groupe ESIEE en septembre 1997
juste aprs ma thse. J'ai alors dcouvert les MEMS et les micro-technologies associes, avec
beaucoup de plaisir de part la pluridisciplinarit de ce domaine. Ma formation initiale en
Physique Applique m'a beaucoup aide ce moment l pour apprhender le sujet. De plus,
mon intgration dans le laboratoire Signaux et Tlcommunications de l'ESIEE dune part, et
dans lquipe de recherche ESYCOM dautre part, a largement contribu l'orientation de
mes recherches vers les MEMS pour applications radiofrquences, ce qui m'a permis de
mieux faire le lien avec d'autres activits du laboratoire.
Je pense avoir acquis maintenant une vision assez large et prcise sur les MEMS pour remplir
pleinement mon rle d'encadrement et d'animation. La majorit des travaux de recherche
prsents sont le fruit d'une collaboration industrielle ou universitaire. J'essaie galement
depuis plusieurs annes de transposer une partie de cette exprience au niveau de
l'enseignement (cours de Master et formation continue).

178
Rfrences bibliographiques du chapitre V
[AGI 05] Agilent N9355/6 Power Limiters 0.01 to 18, and 26.5 GHz Technical Overview, Agilent
Technologies, 2005.

[BAR 05] R.J. Barker, J.H. Brooske, N.C. Luhmann Jr., G.S. Nusinovich, Modern Microwave and
Millimeter-Wave Power Electronics, Piscataway, IEEE Press, 2005-12-09

[BRE 05] Brevet US 6,847,266 B2, Jan. 25, 2005

[BOO 03] J.C. Booth, D.A. Rudman, R.H. Ono.,A self-attenuating superconducting transmission line for
use as a microwave power limiter, IEEE Transactions on Applied Superconductivity, pp. 305-310, 13 (2003).

[CRU 05] Cruau Aurlie, thse de l'Universit Paris 7 sur "Etude, Conception, Ralisation et Test d'une Capacit
variable MEMS RF pour le Traitement de Frquences entre 0.5 et 20GHz", Janvier 2005.

[ERD 05] Erdil E., Onat S., Topalli K., Istanbulluoglu I., Unlu M., Demir S., Alatan L., Aydin Civi O., Akin T. ,
Reconfigurable antenna structures using MEMS technology, 6th Workshop on MEMS for MilimeterWave
Communications MEMSWAVE 2005, June 2005.

[EPC 05] Surge arrester and Switching Spark Gaps Product Profiles, EPCOS, 2005

[ELS 06] Elshurafa A.M., El-Masry E.I., "Finite-Element Modeling of Low-stress Suspension Structures and
Applications in RF MEMS Parallel-plate Variable Capacitors", Trans. On Microwave Theory and Techniques,
Vol. 54, N5, pp.2211-2219, May 2006.

[FUR 05] G. Fursey, Field Emission in Vacuum Microelectronics, New York, Kluwer Academic, 2005

[GIR 04] Girbau D., Lazaro A., Pradell L., Characterisation of dynamics and power handling of RF MEMS using
vector measurements technoqies, IEEE Trans. On Microwave theory and Techniques, vol.52, pp2627-2633,
2004.

[HEC 06] Heck J., "Wafer level packaging for wireless MEMS applications", 2
d
International Workshop on Wafer
bonding for MEMS Technologies, Germany, pp.9-10, 2006.

[LIS 06] Lissorgues G., J.L.Polleux, C.Papon, F.Flourens, A.Phommahaxay, T.Dousset, X. Delestre, P. Nicole,
A.Ziaei, " A generic passive RF tunable component for ReflectArray antenna applications", Proc. of
EUCAP2006.

[MIC 02] Mick S., Wilson J., Franzon P., 4 Gbps High-Density AC Coupled Interconnection, IEEE 2002
CUSTOM INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE, pp. 133-140, 2002.

[PER 04] Peroulis D., Pacheco S.P., Katehi L., "RF MEMS Switches with enhanced power-handling capabilities",
Trans. On Microwave Theory and Techniques, Vol. 52, N1, pp.59-68, Jan. 2004.

[PHO 05] A. Phommahaxay, G. Lissorgues, T. Bourouina, P. Nicole, Single Mask Fabrication Process of
Vacuum Microelectronics Components and Preliminary Characterization Results, Technical Digest of the 18
th

International Vacuum Nanoelectronics Conference, Oxford, 10-14 July 2005, pp. 368-369, IEEE

[PHO 06_1] A. Phommahaxay, G. Lissorgues, Rousseau L., T. Bourouina, P. Nicole, Surface Conditioning
Effect on Vacuum Microelectronics Components Fabricated by Deep Reactive Ion Etching, Proc. of DTIP, pp.
58-62, April 2006.

[PHO 05_2] Phommahaxay A., Lissorgues G., Vasseure C., Rousseau L., Bourouina T., Nicole P., "Simulation,
fabrication and early characterization of a fully passive Ku-band Power limiter using RF MEMS Technologies
and Vacuum Microelectronics", Proc. of MEMSWAVE 06, June 2006.

179
[PHO 06_3] Phommahaxay A., Lissorgues G., Vasseure C., Rousseau L., Bourouina T., Nicole P., "Towards a
fully passive Ku-band Power limiter using RF MEMS Technologies and Vacuum Microelectronics", Proc. of
EuMW, September 2006.

[RIJ 06] Rijks TH., Steeneken P.G., Van Beek J.T.M., Tilmans H.A.C., De Coster J, "Microelectromechanical
tunable capacitors for reconfigurable RF architectures", J. of Micromechanics and Microengineering, Vol. 16,
pp. 601-611, 2006.

[SEY 90] D.J. Seymour, D.D. Heston, R.E. Lehmann, D. Zych, X-Band monolithic GaAs PIN diode
variable attenuation limiter, IEEE MTT-S, pp. 841-844, 1990.

[SPE 02] Spezio A.E., "Electronic Warfare systems", Trans. On Microwave Theory and Techniques, Vol. 50, N3,
pp.633-644, March 2002.

[TAN 05] Tan G., McErlean E.P., Hong J.-S., Cui Z., Wang L., Greed R.B., Voyce D.C., "Electromechanical
modeling of high power RF MEMS switches with Ohmic contact", Proc. of the 35th European Microwave
Conference, Paris, 2005.

[VAH 02] Vh-Heikkil T., Kyynrinen J., Oja A. Varis J., Sepp H. "Capacitive MEMS power sensor",
Proceedings of MEMSWAVE 2002.

[WAN 06] Wang L., Cui Z., Hong J.S., McErlean E.P., Greed R.B., Voyce D.C., "Fabrication of high power RF
MEMS switches", Microelectronic Engineering 83, pp.14181420, Feb 2006.

[WEL 05] Welch W., Chae J., Najafi K., Transfer of metal MEMS packages using a wafer-level solder transfer
technique, IEEE Trans. On Advanced packaging, Vol. 28, N4, pp643-649, Nov. 2005.

[ZHU 01] W. Zhu, Vacuum Micro-electronics, New-York, John Wiley & Sons, 2001, pp. 1-32.

180

Chapitre VI - Curriculum Vitae Travaux et Publications
181
Table des matires du chapitre VI

I. Etat civil .............................................................................................................................. 183
II. Formation universitaire - Diplmes................................................................................... 184
II.1. Annes universitaires 1994-1997 ........................................................................... 184
II.2. Anne universitaire 1993-1994 .............................................................................. 184
II.3. Annes universitaires 1990-1994: .......................................................................... 184
III. Activits d'enseignement.................................................................................................. 185
III.1. Formation Ingnieurs ESIEE ................................................................................ 185
III.2. Formation Technologues ESTE ............................................................................ 186
III.3. Formation de 3
me
cycle......................................................................................... 187
III.4. Dveloppement de travaux pratiques .................................................................... 187
III.5. Formation continue industrielle ............................................................................ 188
III.6. Autres interventions extrieures l'ESIEE ........................................................... 188
IV. Activits de recherche...................................................................................................... 189
IV. 1. Rsum des activits de Recherche ..................................................................... 189
IV.2. Encadrement de stagiaires et doctorants ............................................................... 190
IV.2.1. Stagiaires DEA ou ingnieurs longue dure ...................................................... 190
Stages ingnieurs ou quivalent ................................................................................. 190
Stages DEA Master Recherche ............................................................................... 191
IV.2.2. Doctorants .......................................................................................................... 191
IV. 3. Animation d'quipe et collaborations acadmiques............................................. 192
IV.3.1. Ple Francilien Microsystmes (PFM) .............................................................. 192
IV.3.2. Equipe d'Accueil "Systmes de Communication et Microsystmes" (ESYCOM)193
IV.3.3. SEE..................................................................................................................... 193
IV.3.4. Collaboration avec le CNAM PARIS ................................................................. 194
IV.3.5. Collaboration avec l'Ecole Polytechnique Fdrale de Lausanne (EPFL) ....... 194
IV.3.6. Collaboration avec le centre de Recherche EADS Munich................................ 194
IV.4. Participation des contrats ................................................................................... 195
V. Publications ....................................................................................................................... 196
V.1. Brevets.................................................................................................................... 196
V.2. Revues internationales............................................................................................ 196
V.3. Revues nationales ................................................................................................... 197
V.4. Confrences internationales avec actes .................................................................. 197
V.5. Confrences nationales avec actes ......................................................................... 200
V.6. Autres confrences ................................................................................................. 201
V.7. Ouvrages collectifs ................................................................................................. 201

182
183

- Chapitre VI -
Curriculum vitae, Travaux et Publications

I. Etat civil

Nom: Lissorgues ne Bazin, Galle, Sarah, Chirine
Date et lieu de naissance: 20 aot 1970, Champigny-sur-Marne (94)
Nationalit: franaise
Situation de famille: marie, deux enfants (aot 2001 et mars 2005)

Adresse personnelle: 4, rue d'Avron, 94170 Le Perreux-sur-Marne, France
Tlphone personnel: 01.48.71.83.54 ou 08.71.73.78.39

Adresse professionnelle: Groupe ESIEE, Cit Descartes, 93162 Noisy-le-Grand
Tlphone professionnel: 01.45.92.66.96
Adresse lectronique: g.lissorgues@esiee.fr

Situation professionnelle actuelle: Enseignant-chercheur depuis septembre 1997, au grade de
professeur associ.

Etablissement: Groupe ESIEE, Ecole Suprieure d'Ingnieurs en Electronique et
Electrotechnique, tablissement de la Chambre de Commerce et d'Industrie de Paris

Laboratoire de rattachement: ESYCOM, Equipe Systmes de Communications et
Microsystmes, quipe d'accueil du Ministre EA2552

Disciplines d'enseignement et de recherche: lectronique des tlcommunications, traitement
du signal, RF et micro-ondes, optolectronique, micro-systmes et micro-technologies.

184
II. Formation universitaire - Diplmes
II.1. Annes universitaires 1994-1997

Allocataire Moniteur Normalienne (AMN), affecte l'Universit Pierre et Marie-Curie
(UPMC) de Paris VI, pour l'enseignement, et au Laboratoire d'Electricit, Signaux et
Robotique (LESiR), l'ENS Cachan, pour la recherche:
- Monitorat l'UPMC en Matrise EEA: TP et TD d'Automatique,
- Doctorat de l'Universit Paris 6, secteur E.E.A. Electronique
Thse de Docteur en Sciences Physiques de l'Universit Paris VI, spcialit Electronique,
soutenue le 4 juillet 1997 :
- Titre du Doctorat: Etude et mise en uvre d'une nouvelle mthode de tlmtrie laser
fonde sur la mesure d'un battement de frquences,
- Jury: Prsidente, Mme C. Alqui, Rapporteurs, M. Molva et M. Bennech,
Examinateurs, M. Bonnaud, M. Lamela, M. D. Placko, et M. B. Journet, Invit: M.
Myllyl (Universit Oulu, Finlande)
- Mention: trs honorable avec les flicitations du jury
II.2. Anne universitaire 1993-1994

Diplme d'Etudes Approfondies en Electronique, l'UPMC de Paris VI:
- option Instrumentation,
- mention TB.
Stage effectu l'Ecole Suprieure de Physique et Chimie Industrielle, Laboratoire
d'Electricit Gnrale.
Sujet du stage: tude des phnomnes d'injection de charges dans les isolants solides soumis
de forts champs lectriques divergents dans une gomtrie plan/fils/plan.
II.3. Annes universitaires 1990-1994:

Elve-professeur l'Ecole Normale Suprieure de Cachan dans la section Physique
Applique:
- 1992-1993: Agrgation de Sciences Physiques, option Physique Applique, rang 1,
- 1991-1992: Matrise EEA, Universit d'Orsay, Paris XI, mention TB,
- 1990-1991: Licence EEA, Universit d'Orsay, Paris XI, mention B.

185
Baccalaurat srie C, Mention TB, obtenu en juin 1988.

Langues trangres: Anglais (courant), Allemand (moyen) et Russe (dbutant)

III. Activits d'enseignement

Je dcrirai mes activits d'enseignement au Groupe ESIEE sur la priode comprise entre mon
arrive en septembre 1997 et l'anne scolaire 2005-2006. Le volume horaire annuel moyen
(Cours / TDs / TPs / projets confondus) reprsente environ 350 heures quivalentes TP, soit
environ 233 heures quivalentes TD. Les interventions peuvent se faire en petits groupes (<12
lves), pour des effectifs moyens types de lordre de 40 48 tudiants, ou en amphithtres
(> 80 tudiants). Les niveaux schelonnent de Bac+1 Bac +5, sans compter la formation
continue pour adultes.

Les enseignements effectus au Groupe ESIEE ont presque systmatiquement ncessit la
cration de polycopis dactylographis sur l'ensemble des cours prsents. Lobjectif suivant
est la mise en ligne partielle de certains de ces documents de cours (tlchargeables ou
simplement consultables au format pdf). Jai galement particip la rdaction de deux
chapitres douvrages collectifs sur le thme des Radiocommunications, ouvrages raliss avec
lensemble des membres du laboratoire SIGTEL [O2] [O3].

Depuis la rentre de septembre 2005, j'ai repris mes activits au Groupe ESIEE sur une
quotit de travail 80% aprs la naissance de ma deuxime fille. Enfin, jai accept en 2005
la responsabilit partielle de la Majeure Signaux et Tlcommunications, avec la gestion des
lves de quatrime anne, ma collgue Pascale Jardin soccupant encore des tudiants de
cinquime anne. Jen aurai la complte responsabilit ds septembre 2006, soit la gestion des
lves de quatrime et cinquime anne de la spcialit Signaux et Tlcommunications .

III.1. Formation Ingnieurs ESIEE

Suite plusieurs sries de rforme des programmes d'enseignement, certains cours ont disparu
ou ont migr d'une anne une autre, avec des volumes horaires variables. En effet, mon
arrive, jai assur des cours, travaux dirigs (TDs) ou travaux pratiques (TPs), la fois en
186
traitement du signal (outils de base tels que transforme de Fourier, TZ ou techniques
dchantillonnage, signaux alatoires, signaux discrets), en radio (PLL et synchronisation), en
hyperfrquences (adaptation et abaque de Smith), ou en rseaux haut dbit et optiques (ATM,
SDH, WDM), de la premire anne Ingnieurs ESIEE la cinquime.

Je citerai plutt dans la suite les enseignements correspondant l'tat actuel ou rcent de mes
interventions, que jai essay tout la fois de recentrer un peu mais aussi douvrir vers mes
activits de recherche travers les Masters.
Par ailleurs, j'encadre assez rgulirement des TPs en salles blanches diffrents niveaux.

Je participe en ce moment la fois au tronc commun et la Majeure Signaux et Tlcoms
essentiellement dans les enseignements suivants:
- 3
me
anne: introduction aux Tlcoms (milieux de transmission, caractristiques
systme dune liaison filaire, radio ou sur fibre optique, bilan de liaison, etc)
- 4
me
anne: filtrage (thorie du filtrage, filtres actifs, filtres capacits commutes,
mais aussi filtres hyperfrquences), circuits et systmes radiofrquences (transposition
et synthse de frquences, mlangeurs, oscillateurs, PLL), optique guide et
optolectronique (composants dextrmit, fibres et guides optiques, rseaux optiques
et modulations), mesures RF et hyperfrquences (mesures scalaires et vectorielles, mesures
de diagrammes de rayonnement dantennes, ligne fendue et TOS, analyse spectrale, rcepteur
super-htrodyne, analyse de signaux GSM en bande de base et transpose, etc)
- 5
me
anne: communications optiques (rseaux optiques, WDM, amplificateurs
optiques fibre dope), micro-systmes (dont MEMS RF) et micro-technologies.

III.2. Formation Technologues ESTE

La formation ESTE est une formation Bac+3, et je suis intervenue principalement en
troisime anne (T3) dans la Majeure "Electronique des Tlcommunications", sauf en 2005-
2006. En premire anne (T1), jai particip cette anne des TDs en Physique
(lectrocintique et magntostatique).
Mes enseignements en T3 portaient sur les circuits et systmes radiofrquences (ex:
mlangeurs / oscillateurs / synthse de frquence), le filtrage, et les mesures hyperfrquences.
187
La grande diffrence avec les enseignements de Majeure ESIEE portait sur le niveau plus
faible de ces tudiants (recrutement diffrent), ce qui ncessitait de mettre en place une
pdagogie fortement appuye sur des exemples.

III.3. Formation de 3
me
cycle

J'interviens dans le Master Recherche "Systmes de Communications hautes frquences" dans
lequel l'ESIEE est cohabilit avec l'Universit Marne-La-Valle, le CNAM et l'INT, depuis
2000 pour des TP de mesures hyperfrquences, et depuis 2003 pour des cours dans une
nouvelle option autour des micro-systmes.

Je participe aussi depuis son ouverture en janvier 2004 au Master of Science ESIEE NTU
1

(Singapour) sur les MEMS, avec la responsabilit du module intitul " Wireless Communication
Systems and RF MEMS ".
Je souhaiterais terme pouvoir augmenter le volume de mes interventions dans ces
formations de 3
me
cycle.

III.4. Dveloppement de travaux pratiques

Je fais partie des enseignants qui pensent que les travaux pratiques sont essentiels pour
lassimilation des divers concepts thoriques abords en cours. De plus japprcie le travail en
petits groupes que cela impose, permettant la fois de mieux connatre les tudiants et davoir
un retour assez direct sur les notions qui sont passes ou non.

J'ai mis en place un certain nombre de nouveaux TPs pour la formation ESIEE dans la
Majeure Signaux et Tlcoms ou ESTE dans la Majeure Electronique des Tlcoms:
- TP d'optolectronique illustrant le transfert de donnes sur fibre optique
- TP de dcouverte des technologies pour circuits hybrides hyperfrquences : ralisation
en salles blanches puis caractrisation l'analyseur de rseau vectoriel d'un filtre
passe-bande 12GHz sur alumine
- TP de caractrisation d'un mlangeur pour application DECT (1.8 1.9 GHz)

1
Nanyang Technological University (Singapore)

188
- Nombreux TPs de CAO sous ADS
2
(initialement HP Eessof): PLL et synthse de
frquence, oscillateur hyperfrquence, filtres actifs, filtres hyperfrquences ( saut
d'impdances ou lignes couples).

III.5. Formation continue industrielle

J'ai eu l'occasion de participer au montage de formations continues spcifiques pour des
industriels, comme pour Schlumberger, avec un module de cours d'lectronique des capteurs
(1 jour) avec mes collgues O. Franais et O. Venard, et un autre module de cours
d'introduction aux concepts RF et la caractrisation hyperfrquence (3 jours) avec mon
collgue D. Courivaud.

Je participe chaque anne la formation "RadioCommunications" et la formation "Raliser
son circuit en salle blanche" du catalogue de FC ESIEE, pour des cours ou des TPs.

Depuis juin 2004, une formation est organise l'initiative de la DGA (contact: J.M. Guyon-
Gelin) dans les locaux de l'ENSTA sur les MEMS avec une forte participation de l'ESIEE
(formation comprenant des cours effectus par T. Bourouina Micro-capteurs et actionneurs,
MOEMS et moi mme Introduction aux Microsystmes, Technologie, MEMS RF , ainsi
qu'une visite des salles blanches de l'ESIEE).

III.6. Autres interventions extrieures l'ESIEE

Jai particip plusieurs annes un cours de filtrage dans le cadre de la Matrise EEA de
l'UMLV. J'ai galement effectu un remplacement l'INT en 2001 et 2002 sur les composants
hyperfrquences (cours de ~10h).

2
Agilent Design Software
189
IV. Activits de recherche

Comme dans l'ensemble du manuscrit, je limite la description mes activits depuis
septembre 1997 qui portent sur les MEMS, tout en rappelant que cela aura reprsent pour
moi un changement d'orientation important par rapport ma thse soutenue en Juillet 1997
qui portait sur la tlmtrie Laser.

IV. 1. Rsum des activits de Recherche

Intgration de fonctions hyperfrquences dans les microsystmes, applications aux capteurs
tl-aliments autonomes, au filtrage intelligent, et aux systmes de radiocommunication:
- conception et caractrisation de lignes hyperfrquences sur silicium (partenariat
UMLV): lignes coplanaires et lignes micro-rubans inverses,
- conception et ralisation d'un micro-modulateur hyperfrquences capacits
micromcaniques variables intgres sur silicium, projet initi par Dassault
Electronique,
- participation au projet CNRS Microsystmes (fvrier 1999 - septembre 2000),
- tude de micro-composants passifs commandables dans les gammes 1-20 GHz (micro-
capacits et micro-inductances), en partenariat avec Thales Airborne Systems (TAS),
- participation au PPF "Micro-bobines" avec l'IEF (2000-2003)

Thmatiques plus rcentes (depuis 2003), en lien assez direct avec les actions prcdentes, par
ordre chronologique:
- filtres hyperfrquences en bande Ka en technologies Verre-Silicium (partenariat
UMLV), filtres RF lments localiss et distribus (partenariat MEMSCAP et
UMLV)
- poursuite de l'tude de micro-composants passifs commandables (L et C) dans les
gammes 1-20 GHz
- intgration des MEMS RF dans les systmes de radiocommunication reconfigurables;
cas des dphaseurs d'antennes (partenariat TAS),
- tude de systmes ondes de surface pour applications biologiques (partenariat
CNAM Paris),
190
- dtection et limitation de la puissance traversante (> 1W) dans les MEMS RF entre 1
et 20 GHz (partenariat TAS, DGA) et application aux micro-systmes pointes,
- antennes inverses sur silicium, antennes en technologies MEMS (partenariat UMLV)
- problmatiques lies l'encapsulation des MEMS RF (partenariat Philips Caen)

IV.2. Encadrement de stagiaires et doctorants

Listes donnes par ordre chronologique.
IV.2.1. Stagiaires DEA ou ingnieurs longue dure

Stages ingnieurs ou quivalent

- Marcello Magna
o Sujet: tude mcanique du micro-modulateur hyperfrquence
o Dure: 6 mois, Novembre 1997 Avril 1998
o Encadrement: 50% (avec P. Sangouard, ESIEE, 50%)
- Dirk Lehman
o Sujet: modlisation de lignes hyperfrquences sur silicium
o Dure: 4 mois, Janvier Avril 1999
o Encadrement: 100%
- Jubline NDONGUI en Matrise EEA UMLV
o Sujet : Optimisation des performances dun tage de photo-rception
pour une liaison par fibres optiques plastiques en lien avec des TPs
o Dure : Mai Juillet 2000
o Encadrement : 100%
- Sbastien Le Guellec
o Sujet: modlisation des transducteurs SAW sous Momentum ou ADS
o Dure: 4 mois, Mars Juin 2004
o Encadrement: 40% (avec J.M. Fougnion, CNAM, 60%)
- Omar Hassouni en Matrise EEA Paris 7
o Sujet: simulation de filtres LC sous ADS (tude pour MEMSCAP)
o Dure: 3 mois, Mai Juillet 2004
o Encadrement: 80% (avec E. Richalot, UMLV 20%)
- Charles Wang Wei, Master of Science
o Sujet: Fabrication de structures de test en technologie verre-silicium
o Dure: 4 mois, Septembre-Dcembre 2005
o Encadrement: 100%
- Karthik Kannapan, Master of Science
o Sujet: Switches pour antennes reconfigurables en technologie verre-
silicium
o Encadrement: 80% (avec B. Poussot, UMLV, 20%)
- Christien Saputra, Master of Science
o Sujet: Evaluation des non-linarits dans les rsonateurs MEMS RF
o Encadrement: 60% (avec G. Schrpfer, Coventor, 40%)
191

Stages DEA Master Recherche

- CM Tassetti et A. Cruau
o Sujet: faisabilit d'inductances variables
o Dure: 6 mois, Janvier Juin 2001
o Encadrement: 30% (avec P. Nicole, TAS, 70%)
- Alejandro Ospina
o Sujet: modlisation sous ADS de composants passifs HF
o Dure: 6 mois, Fvrier Juillet 2002
o Encadrement: 100%
- Wielfrid Delacour
o Sujet: faisabilit d'un limiteur de puissance RF
o Dure: 6 mois, entre Fvrier et Septembre 2003
- Muriel Dave
o Sujet: premires simulations (logiciel HFSS) d'antennes inverses sur
silicium
o Dure: 6 mois, Fvrier Juillet 2004
o Encadrement: 30% (avec E. Richalot et J.M. Laheurte, UMLV, 70%)

IV.2.2. Doctorants

- CM Tassetti (bourse DGA)
o Thse de l'Universit Paris XI Orsay
o Sujet: Conception et Ralisation de Micro-inductances variables,
Micro-usines, pour Applications Radiofrquences et Microondes
o Dates: octobre 2001 octobre 2004, soutenance le 5 juillet 2005
o Encadrement: 90% (avec J.P. Gilles, IEF, 10%)

- A. Cruau (bourse CIFRE-THALES)
o Thse d'lectronique de l'Universit Paris 7
o Sujet: Etude, Conception, Ralisation et Test d'une Capacit variable
MEMS RF pour le traitement de frquences entre 0.5 et 20GHz
o Dates: dcembre 2001 dcembre 2004, soutenance le 13 Janvier
2005

- Laurent Martoglio (bourse Ministre)
o Thse de l'Universit Marne-La-Valle
o Sujet: Etude, Modlisation, Ralisation et Caractrisation de Lignes
inverses sur silicium
o Dates:2001 2005, soutenance le 12 Dcembre 2005
o Encadrement: 20% (avec E. Richalot et O. Picon, UMLV, 80%)

- Alain Phommahaxay (bourse DGA)
192
o Sujet: Limitation de Puissance RF traversante dans la bande 1-20GHz,
pour des puissances > 1 W, l'aide de systmes micro-usins
o Dates: octobre 2004 octobre 2007
o Encadrement: 90% (avec T. Bourouina, ESIEE, 10%)

- Vincent Georgel (bourse CIFRE Philips Caen)
o Sujet: Modlisation et Caractrisation de puces RF pour technologie
"System in Package"
o Dates: Janvier 2005 Janvier 2008
o Encadrement: 10% (avec P. Poulichet et T. Bourouina, ESIEE, 20%, et
F. Verjus, Philips, 70%)

- Benot Poussot (bourse Ministre)
o Sujet: antennes inverses en technologie Verre-silicium
o Dates: 2004-2007
o Encadrement: 20% (avec E. Richalot et J.M. Laheurte, UMLV, 80%)

IV. 3. Animation d'quipe et collaborations acadmiques

IV.3.1. Ple Francilien Microsystmes (PFM)

Le PFM, cr en mars 1999, l'initiative de F. Baillieu, regroupe les organismes de recherche
suivants autour des micro-technologies : IEF et LURE, Universit Paris XI, Orsay SATIE /
PPSM, ENS Cachan - Groupe ESIEE, Noisy-le-grand - LGEP, Supelec - ESPCI, Paris.
Actions:
- Membre du comit excutif du PFM entre 1999 et 2001
- Prsidente du comit excutif du PFM entre 2001 et 2003,
- Organisation de deux journes thmatiques PFM en 2002 et 2003,
- Prsidente du Ple Francilien Microsystmes depuis 2004 (intrim assur par
T. Bourouina pour janvier - aot 2005).

Notons que le rle du comit excutif est de faire le point sur les actions communes en cours,
de discuter de l'arrive de nouveaux partenaires, de proposer de nouveaux thmes de
recherche, de mettre jour les informations concernant le ple (plaquette, site Web...), et
dorganiser quelques journes scientifiques.
193

IV.3.2. Equipe d'Accueil "Systmes de Communication et
Microsystmes" (ESYCOM)

ESYCOM regroupe les laboratoires de recherche suivants: Universit Marne la Valle -
quipe lectromagntisme et antennes, CNAM - ESCPI - quipe Photonique et Micro-ondes,
ESIEE - Signaux et Tlcommunications, SIGTEL, et Microlectronique et micro-
technologies, ELMI. Je suis membre d'ESYCOM depuis 2001 et lue son comit
scientifique depuis dcembre 2004.
Compte tenu de la cration rcente du Groupement dIntrt Scientifique (GIS)
Microsystmes sur le Polytechnicum, et de lintgration plus forte des thmatiques MEMS
dans les axes de recherche dESYCOM, mes propres orientations de recherche sinscrivent
parfaitement dans lvolution de lquipe.
IV.3.3. SEE

Je suis membre SEE depuis septembre 2003. A l'initiative de D. Placko, ENS Cachan, qui
dirige le Club Mtrologie, Instrumentation et Mesures (Club 17 de la SEE), nous avons
cr un cercle thmatique "Microsystmes et Micro-Instrumentation " au Club 17 pour faire
partager l'exprience du PFM un plus large spectre de personnes. En pratique, tout reste
encore organiser l'heure actuelle.
Pour rappel, le Club 17 rpartit ses moyens par thmes:
17.10 Mtrologie
17.20 Acquisition et exploitation des mesures
17.30 IEM-CEM
17.40 Capteurs sans contact et lectronique associe
17.50 Vulnrabilit des composants aux agressions lectromagntiques
17.60 Micro-Systmes et Micro-Instrumentation
17.70 Imagerie lectromagntique pour la caractrisation des matriaux et des
structures
17.80 Frquences de tlmesure et de tlcommande aronautiques
17.90 Essais en vol

194
IV.3.4. Collaboration avec le CNAM PARIS

J'ai suivi des travaux sur les transducteurs SAW
3
pour applications biologiques entre 2003 et
2005, avec l'quipe suivante:
- Au CNAM Paris, J.M. Fougnion, , N. Fourati, M. Bonnefoy, J.J Bonnet
- A l'ESIEE, L. Rousseau
Ma participation concernait essentiellement la caractrisation sous pointes des puces
fabriques en salle blanche par Lionel Rousseau. J'ai galement encadr un stagiaire pendant
4 mois de Mars Juin 2004 sur des aspects de modlisation. Nous avons rdig un article
commun pour EMN 2004 [C28].
IV.3.5. Collaboration avec l'Ecole Polytechnique Fdrale de Lausanne
(EPFL)

J'ai tabli des relations acadmiques depuis Janvier 2003 avec l'EPFL, dans le cadre des
activits MEMS RF, en particulier avec la thse d'A. Cruau sur les capacits variables
Nous envisageons aussi l'change d'tudiants, ou la participation des travaux de R&D
communs (demande EGIDE, programme Germaine de Stal, cependant refuse pour 2005).
D'autre part, je participe depuis 2005 au comit de lecture de la confrence PRIME qui a eu
lieu l'EPFL en juillet 2005, et qui aura lieu en Italie en juin 2006 pour la seconde dition.
Contacts: A. Ionescu, S. Dehollain (LEG) et P. Fluckiger (CMI)

IV.3.6. Collaboration avec le centre de Recherche EADS Munich

J'ai tabli des relations acadmiques depuis Octobre 2003 avec EADS-CRC Munich, dans le
cadre des activits MEMS RF, suite la confrence EUMW 2003. Nous avons commenc par
des stages ingnieurs tudiants (Mars-Juin 2004, puis Janvier-Juin 2005), et une demande
d'change EGIDE cependant refuse pour 2005.
Cette collaboration s'est galement concrtise par la participation au projet europen
RETINA.
Contact: V. Ziegler

3
SAW = Surface Acoustic Wave
195
IV.4. Participation des contrats

Il s'agit chaque fois de contrats pour lesquels j'ai reprsent l'ESIEE, en particulier ses
activits MEMS RF, et sur lesquels jai directement travaill.

Liste donne par ordre chronologique.

- Plan d'Etude Amont (PEA) de la DGA
o Sujet : Etude sur lidentification des principaux avantages tirer de
lintroduction de microsystmes de type MEMS dans les Systmes et
Equipements militaires de Guerre Electronique, Radar, et
Radiocommunications
o Dure: 9 mois partir de dcembre 2001
o Partenaires: ESIEE comme reprsentant du PFM, DGA, TAS,
MEMSCAP, IEMN

- Contrat industriel avec Thales Airborne Systems
o Sujet: Etude d'inductance variable
o Dure: 24 mois (2002-2004)
o Partenaires: ESIEE, TAS

- Contrat industriel avec MEMSCAP
o Sujet: Etude de filtres LC puis lignes couples entre 1 et 18GHz,
analyse de topologies et dcoupage en 8 sous-bandes, simulations ADS
et Momentum
o Dure: Mai octobre 2004.
o Partenaires: ESIEE, UMLV, MEMSCAP

- Projet europen RETINA (6
me
PCRD, Call Aronautique, #516121)
o Sujet: "Reliable, Tuneable and Inexpensive Antennas by collective
fabrication processes"
o Dure: fvrier 2005 Janvier 2008
o Partenaires: EADS, TAS, ESIEE, IMEC, EPFL, JSI, HYPOT-HYB,
Coventor

196
V. Publications

V.1. Brevets

Brevet franais n97015311 du 4 dcembre 1997, "Translateur de frquence perfectionn
faible consommation" + complment n98 11426 du 14 septembre 1998, "Improved low-
consumption frequency translator" - Collectivement, en qualit d'inventeurs, avec M. Paul
Bildstein, M. Patrick Sangouard, et M. Pierre Nicole.

Patent n98 11426 du 14 Septembre 1998 Improved low-consumption frequency translator",
pour extension du brevet en brevet international, - Collectivement, en qualit d'inventeurs,
avec M. Paul Bildstein, M. Patrick Sangouard, et M. Pierre Nicole.

V.2. Revues internationales

[R1] T.Ditchi, G.Bazin, J.Lewiner, C.Alqui - "Direct observation of injected charges at
insulator-electrode interfaces in strongly diverging fields." - Applied Physics Letters, Vol 67,
n7, pp 1025-1027, August 1995.

[R2] G.Bazin, B.Journet, D.Placko - " Non destructive control with a network analyser and a
simple laser range-finder." - Journal of Optics, Vol.29, n3, pp 206-211, June 1998.

[R3] G. Bazin, P. Sangouard, P. Bildstein " Design of a Micro-mechanical capacitor with
microwave functions.", EPJ Applied Physics , Vol.9, n1, pp 75-80, January 2000.

[R4] G. Bazin, J.P. Gilles, P. Crozat, P. Sangouard, A. Bosseboeuf, I. Dufour, R. Yahiaoui, P.
Bildstein, " An electomechanical mixer using Si micromechanical capacitors and radio-
frequency functions.", Journal of Micromechanics and Microengineering, Vol.10, pp 254-259,
August 2000.

[R5] B.Journet, G.Bazin "A low-cost laser range finder based on an FMCW-like method.",
IEEE Trans. Instrumentation and Measurement, Vol.49, n4, pp 840-843, August 2000.

[R6] G. Lissorgues, L. Sevely, O. Franais, L. Valbin, H. Chen, O. Gigan, O. Robert, S.
Bendib, "MEMS : from Classic Sensors to RF Applications., Belgian Journal of Electronics
& Communications, N2, pp 27-38, June 2001.

[R7] A. Richardson, L. Cirio, L. Martoglio, O. Picon, G. Lissorgues-Bazin, C. Vasseure, 3D
FDTD Characterization of an original low-loss inverted microstrip line on silicon for
telecommunication applications., The International Journal for Computation and
Mathematics in Electrical and Electronic Engineering, 2002.

[R8] C.M. Tassetti, G. Lissorgues, J.P. Gilles, P. Nicole, New Tunable MEMS Inductors
Design for RF and Microwave Applications, Radio Frequency MEMS, Series in Micro and
Nanoengineering 5, Editura Academiei Romne 2003.

197
[R9] C.M. Tassetti, G. Lissorgues, J.P. Gilles, New Tunable RF MEMS Microinductors
Design, IOP Journal of Micromechanics and Microengineering, July 2004.

[R10] L. Martoglio, E. Richalot, G. Lissorgues, O. Picon, A wideband 3D-transition
between coplanar and inverted microstrip on silicon to characterize a line in MEMS
technology, Microwave and Optical Technology Letters, Vol. 46, NO. 4, pp. 378-381,
August 2005.

[R11] Bensetti, M. Le Bihan, Y. Marchand, C. Tassetti, C.-M. Lissorgues, G. Gergam,
E.D. Gilles, J.-P. , A hybrid finite-element method for the modeling of microcoils, IEEE
Transactions on Magnetics , Vol. 41, N 5, pp.1868- 1871, May 2005.

[R12] Aurlie Cruau, Galle Lissorgues, Pierre Nicole, Dominique Placko, Adrian M.
Ionescu, V-shaped micromechanical tunable capacitors for RF applications , Microsystem
Technologies Journal, Springer, Vol.12, N1-2, pp.15-20, December 2005.

[R13] L. Martoglio, E. Richalot, G. Lissorgues, O. Picon, Low-cost inverted line in
Silicon/Glass technology for filter in the Ka-band, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., to
be published in August 2006.

V.3. Revues nationales

[R14] Aurlie Cruau, Charles-Marie Tassetti, Galle Lissorgues-Bazin, Pierre Nicole, Jean-
Paul Gilles, Composants MEMS accordables pour applications radiofrquences , dans
Caractrisation lchelle du micromtre sous la direction de F. Lepoutre, Hermes-
Lavoisier, I2M, Vol.5, N1-2, pp.73-96, 2005.

V.4. Confrences internationales avec actes

[C1] B.Journet, G.Bazin - "Laser range-finding techniques for industrial applications." - 28th
ISATA, Dedicated Conference on Robotics, Motion and Machine Vision in the Automotive
Industries, Stuttgart, pp 369-376, September 1995.

[C2] G.Bazin, B.Journet - "A New Laser Range-finder Based on FMCW-like Method." -
IEEE Instrumentation & Measurement Technology Conference & IMEKO Technical
Committee 7, Bruxelles, pp 90-93, June 1996.

[C3] B.Journet, G.Bazin, F.Bras - "Conception of an adaptative laser range-finder based on
phase shift measurement." - IECON'96, the 22nd Annual International Conference on
Industrial Electronics, Control, and Instrumentation, Tawan, pp 784-789, August 1996.

[C4] G.Bazin, B.Journet - "Laser range-finding: global characterisation of the optical head,
implementation of measurement methods. - SPIE's Photonics East '96, Conference on Three-
dimensional Imaging and laser-based systems for Metrology and Inspection II, submitted to
Intelligent Systems & Advanced Manufacturing, Boston, Vol.2909, pp 131-138,
November 1996.

198
[C5] G.Bazin, B.Journet, D.Placko - "General characterization of laser range-finder optical
heads." - IEEE LEOS'96, in Electro-Optic Sensors & Systems, Boston, pp 232-233,
November 1996.

[C6] G.Bazin, B.Journet, D.Placko - "Non destructive control with a network analyser and a
simple laser range-finder." - ODIMAP'97, Nantes, July 1997.

[C7] G. Bazin, P. Sangouard, P. Bildstein, "Remote sensors, using Si micro-mechanical
capacitors and microwave functions.", Proceedings of MME99, Gif/Yvette, pp 120-123,
September 1999.

[C8] B. Journet, G. Bazin, C. Durieu, "An unique criterion to estimate the performances of
some laser diode range-finders", Proceedings of the IMEKO-SPIE LaserMetrology'99,
Florianopolis, Brazil, pp 2.12-2.21, October 1999.

[C9] G. Bazin, J.P. Gilles, P. Crozat, S. Megherbi, "RF MEMS : Silicon micro-mechanical
capacitive structures.", Proceedings of EuMW / GaAs 2000, Paris, pp 389-392, October 2000.

[C10] A. Richardson, L. Cirio, L. Martoglio, O.Picon, G. Lissorgues-Bazin, C. Vasseure, "
3D FDTD Characterization of an original low-loss inverted microstrip line on silicon for
telecommunication application", ICS Team Workshop forum application, pp.34-35, Evian,
July 2001.

[C11] L. Martoglio, E. Richalot, O.Picon, G. Lissorgues-Bazin, C. Vasseure, "Low-Loss
Microstrip MEMS Technology for RF passive Components., Proceedings of EuMW 2001,
Londres, pp. 13-16, October 2001.

[C12] L. Martoglio, E. Richalot, O.Picon, G. Lissorgues-Bazin, L. Cirio, C. Vasseure,
"Modeling of inverted coupled microstrip lines fabricated using MEMS technology",
EuMW2002, Proc. Conf EuMC, Milan, September 2002.

[C13] CM. Tassetti, G. Lissorgues-Bazin, A. Cruau, A. Ospina, AL. Coutrot, E. Dufour-
Gergam, JP. Gilles, P. Nicole, " Micro-Inductors for RF MEMS Applications ", MME2002,
Roumania, October 2002.

[C14] CM. Tassetti, G. Lissorgues-Bazin, JP. Gilles, P. Nicole, "New tunable MEMS
Inductors Design for RF and Microwave Applications", MEMSWAVE2003, France,
July 2003.

[C15] A. Cruau, CM. Tassetti, P. Nicole, G. Lissorgues-Bazin, "Influence of RF signal
power on tunable MEMS passive components", IMOC2003, pp 533-536, Brasil, September
2003.

[C16] CM. Tassetti, G. Lissorgues-Bazin, JP. Gilles, " Tunable RF MEMS microinductors
for future communication systems", IMOC2003, Brasil, September 2003.

[C17] CM. Tassetti, G. Lissorgues-Bazin, JP. Gilles, " effect of a loop array layer on a
micro-inductor for future RF MEMS Components", EuMW2003, Proc Conf GAAS, pp29-32,
Germany, October 2003.

199
[C18] A. Cruau, G. Lissorgues-Bazin, CM. Tassetti, P. Nicole, " Influence of RF signal
power on tunable MEMS capacitors.", EuMW2003, Proc Conf EuMC, Germany,
October 2003.

[C19] CM. Tassetti, G. Lissorgues-Bazin, JP. Gilles, " New tunable RF MEMS
Microinductor Design", MME2003, Netherlands, November 2003.

[C20] M. Bensetti, Y. Le Bihan, C.Marchand, E. Dufour Gergam, J.-P. Gilles, C.-M. Tassetti,
G. Lissorgues, 3D Finite Element Modelling of micro-inductors, Compumag 2003,
Saratoga Springs, USA, 2003.

[C21] G. Lissorgues-Bazin, L. Martoglio, E. Richalot, O. Picon, Inverted microstrip lines
and Ka-band passive filter in MEMS technology , MEMSWAVE 2003, July 2003.

[C22] G.Bazin-Lissorgues, "Study of a microwave coupled lines filter : from clean room
realization to measurement and back-simulation", EWME Workshop 2004, Suisse,
April 2004.

[C23] A. Cruau, G. Lissorgues-Bazin , P. Nicole, D. Placko, A. Ionescu, "V-shaped
micromechanical tunable capacitor for RF applications", DTIP2004, Suisse, May 2004.

[C24] C.-M. Tassetti, M. Bensetti, G. Lissorgues, J.-P. Gilles, Y. Le Bihan, C. Marchand, P.
Nicole, "Design, Modeling and Measurements of Tunable MEMS inductors.", DTIP2004,
Suisse, May 2004.

[C25] CM. Tassetti, G. Lissorgues-Bazin, The Tunable MEMS Inductor and its Application
to Future Wideband Reconfigurable RF Systems, IMS2004 Workshop on Reconfigurable
MEMS for Optimum RF/Microwave Circuits, Texas, June 2004.

[C26] Aurlie Cruau, Galle Lissorgues, Raphal Fritschi, Adrian M. Ionescu, Pierre Nicole,
Dominique Placko, RF MEM Varactor Micromachined in a V shape, MMS 2004,
Marseille, France,1-3 June 2004.

[C27] Aurlie Cruau, Galle Lissorgues, Pierre Nicole, Raphal Fritschi, Adrian M. Ionescu
Fabrication of a V-shaped micromechanical tunable capacitor, EMN 2004, Paris, France,
20-21 October 2004.

[C28] J.M. Fougnion, L. Rousseau, N. Fourati, M. Bonnefoy, and G. Lissorgues, An
experimental study of gravimetric Love-wave acoustic sensors incorporating SU8-2000
guiding layers, EMN 2004, Paris, France, 20-21 October 2004.

[C29] C.M. Tassetti, G. Lissorgues, J. P. Gilles, Reconfigurable RF systems based on
tunable MEMS inductors, European Microwave Week, GAAS 2004, Amsterdam,
October 2004.

[C30] L. Martoglio, E. Richalot, G. Lissorgues, O. Picon, Ka_band bandpass filter in
inverted microstrip technology, International workshop on microwave filters,
September 2004.

200
[C31] A. Phommahaxay, G. Lissorgues, T. Bourouina, P. Nicole, Single Mask Fabrication
Process of Vacuum Microelectronics Components and Preliminary Characterization Results,
IEEE Technical Digest of the 18
th
International Vacuum Nanoelectronics Conference,
Oxford, pp. 368-369, July 2005.

[C32] A. Phommahaxay, G. Lissorgues, T. Bourouina, P. Nicole, Surface Conditioning
Effect on Vacuum Microelectronics Components Fabricated by Deep Reactive Ion Etching,
Proc. of DTIP2006, pp. 58-62, April 2006.

[C33] A. Phommahaxay, G. Lissorgues, C. Vasseure, L. Rousseau, T. Bourouina and P.
Nicole, Simulation, fabrication and early characterization of a fully passive ku-band power
limiter using RF-MEMS technologies and vacuum microelectronics, MEMSWAVE2006,
June 2006.

[C34] Georgel V., Verjus F., van Grunsven E.C.E., Poulichet P., Lissorgues G., Chamaly S.,
Integration of a SAW filter with PICS substrate using a polymer sealing, Proc. of
PRIME 2006 Conference, Italy, June 2006.

Integration of an electromechanical component on a silicon substrate, MEMSWAVE2006,
June 2006.

[C36] Phommahaxay A., Lissorgues G., Vasseure C., Rousseau L., Bourouina T., Nicole P.,
"Towards a fully passive Ku-band Power limiter using RF MEMS Technologies and Vacuum
Microelectronics", Proc. of EuMW, UK, September 2006.

T.Bourouina, Integrated SAW filter into a silicon passive integration connecting substrate, Proc. of
Eurosensors 2006, September 2006.

[C38] Lissorgues G., J.L.Polleux, C.Papon, F.Flourens, A.Phommahaxay, T.Dousset, X.
Delestre, P. Nicole, A.Ziaei, " A generic passive RF tunable component for ReflectArray
antenna applications", Proc. of EUCAP, November 2006.

V.5. Confrences nationales avec actes

[C39] P. Bildstein, G. Bazin, P. Sangouard, C. Vasseure, P.Nicole - " Micro-capacit
variable, et applications hyperfrquences." , Proceedings of C2I, Ens Cachan, pp 387-394,
Novembre 1998.

[C40] L. Martoglio, E. Richalot, O.Picon, G. Lissorgues-Bazin, C. Vasseure, "Lignes
microruban inverses A faibles pertes sur silicium et sur verre", 12
me
JNM, Poitiers,
Mai 2001.

[C41] CM. Tassetti, A. Cruau, G. Lissorgues-Bazin , P. Nicole , JP. Gilles, " Composants
MEMS accordables pour applications radio-frquence ", Proceedings of C2I, Ens Cachan,
France, Janvier 2004.

201
V.6. Autres confrences

[C42] L. Martoglio, E. Richalot, O. Picon, C. Vasseure, G. Lissorgues-Bazin, Etude aux
hautes frquences dune technologie microruban sur silicium et sur verre faibles pertes ,
Journe des laboratoires dIle de France 2002, Fvrier 2002, Paris.

V.7. Ouvrages collectifs

[O1] G. Bazin, P. Sangouard, G. Baudoin, C. Ripoll, P. Nicole, " Microsystmes autonomes
sans fils.", Revue Nano et Micro Technologies, Herms Science Publications, vol.1, n1,
pp. 89-117, Mai 2000.

[O2] Radiocommunications numriques/1, Principes, modlisation et simulation , Collectif
dauteurs sous la direction de G. Baudoin, Dunod, 2002.

[O3] Radiocommunications numriques/2, Conception de circuits intgrs RF et micro-
ondes , Collectif dauteurs sous la direction de M. Villegas, Dunod, 2002.

[O4] G. Lissorgues, P. Bildstein, mise jour de larticle Filtres capacits commutes ,
Techniques de lIngnieur, E 140, Novembre 2005.

CONTRIBUTION A LETUDE DE MICRO-DISPOSITIFS ELECTRO-MECANIQUES DESTINES
A DES APPLICATIONS RADIOFREQUENCES -MEMS RF-
DU COMPOSANT SIMPLE VERS DES FONCTIONS PLUS COMPLEXES

Il sagit dune synthse des activits R&D de Galle Lissorgues sur les MEMS RF ("Micro-
Electro-Mechanical-Systems for Radio Frequency applications") depuis son arrive au
Groupe ESIEE fin 1997.
Les travaux prsents concernent les diffrentes tudes ci-dessous :
- un dispositif de translation de frquence base de micro-capacits variables
fonctionnant entre 1 et 2 GHz,
- des lignes de transmission sur silicium faible pertes, entre 1 et 40 GHz,
- des micro-composants passifs accordables (L et C) entre 1 et 20 GHz
- analyse de la tenue en puissance RF des MEMS, avec une ouverture vers les systmes
dcharge localise (effet de pointes et vacuum electronics),
Des aspects plus rcents, tels que ltude de la reconfigurabilit (en particulier, antennes
base de MEMS et systmes de radiocommunications reconfigurables) ou les difficults lies
l'encapsulation des MEMS RF seront galement abords.

CONTRIBUTION TO THE STUDY OF MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS FOR RF
APPLICATIONS FROM BASIC COMPONENTS TO COMPLEX FUNCTIONS

The document is a synthetis on the research and development activities of Galle Lissorgues,
associate professor at ESIEE-ESYCOM, during the period 1997 2006.
Her main research topic deals with RF MEMS for Radio Frequency Micro-Electro-
Mechanical-Systems, and works presented are the following:
- a frequency modulator based on tuneable micro-capacitors operating between 1 and 2
GHz
- very low loss transmission lines on silicon, between 1 and 40GHz
- passive tuneable micro-components (L and C) between 1 and 20GHz
- high power handling capabilities of RF MEMS, with new projects based on field
emission and vacuum electronics
Some other recent topics, like reconfigurable radiocommunication systems and MEMS based
antenna, or System in Package problems, have also been included.

Key Words : RF MEMS, micro-machining, passive tuneable components, reconfigurable
radiocommunication systems, antenna, packaging, field emission, vacuum electronics.

HDR Lissorgues

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