Microsenzori Magnetoelectronici

Microsenzori magnetoelectronici
Autor Marioara Avram 1

CUPRINS

INTRODUCERE ............................................................................................................................................................ 2

1.

PRIVIRE ASUPRA DEZVOLTRII I PERFORMANELOR SENZORILOR DE CMP MAGNETIC.............. 4

1.1

Senzori magnetici pentru cmpuri slabe ................................................................................................... 7

1.1.1.

Magnetometrul SQUID..................................................................................................................... 7

1.1.2.

Magnetometrul cu bucl de cutare................................................................................................. 8

1.1.3.

Magnetometrul cu precesie nuclear............................................................................................... 8

1.1.4.

Magnetometrul cu fibr optic.......................................................................................................... 9

1.1.5.

Magnetometrul cu pompaj optic..................................................................................................... 10

1.2.

Senzori pentru cmpul magnetic terestru................................................................................................ 11

1.2.1.

Magnetometrul cu flux variabil pe poart....................................................................................... 11

1.2.2.

Magnetometrul magnetoinductiv.................................................................................................... 12

1.2.3.

Comutatori lamelari ........................................................................................................................ 12

1.2.4.

Magnetometre cu magnetorezisten anizotrop .......................................................................... 13

1.2.5.

Senzorii magneto - optici................................................................................................................ 14

1.3.

Dispozitive bazate pe aciunea forei Lorentz.......................................................................................... 16

1.3.1.

Magnetorezistorii ............................................................................................................................ 16

1.3.2.

Senzorii Hall ................................................................................................................................... 16

1.3.3.

Magnetodiodele.............................................................................................................................. 17

1.3.4.

Magnetotranzistorii ......................................................................................................................... 18

2.

MAGNETOELECTRONICA............................................................................................................................... 19

2.1.

Efecte galvanomagnetice care stau la baza proiectrii i realizrii microsenzorilor de cmp magnetic 19

2.1.1.

Efectul Hall ..................................................................................................................................... 19

2.1.2.

Efectul Nernst Ettinghausen........................................................................................................ 25

2.1.3.

Efectul Righi Leduc ..................................................................................................................... 26

2.1.4.

Efectul magnetorezistiv .................................................................................................................. 26

3.

MICROSENZORI HALL..................................................................................................................................... 41

3.1.

Modelarea microsenzorilor Hall ............................................................................................................... 41

3.1.1.

Material izotrop fr mprtiere a purttorilor de sarcin............................................................. 41

3.1.2.

Material anizotrop fr efecte de mprtiere ............................................................................... 41

3.1.3.

Material izotrop i mprtiere pe fononi ........................................................................................ 44

3.2.

Microsenzori Hall integrai........................................................................................................................ 44

3.2.1.

Proiectarea microsenzorului Hall integrat ...................................................................................... 52

3.2.2.

Tehnologia de realizare a microsenzorului integrat Hall................................................................ 54

3.3.

Microsenzori de cmp magnetic 3 D ....................................................................................................... 56

4.

MAGNETOTRANZISTORI BIPOLARI............................................................................................................... 58

4.1.

Simularea magnetotranzistorilor cu strat ngropat compact .................................................................... 58

4.2.

Simularea magnetotranzistorului microprelucrat ..................................................................................... 61

4.3.

Simularea magnetotranzistorului cu strat ngropat despicat ................................................................... 64

4.4.

Modelarea magnetotranzistorilor bipolari ................................................................................................ 66

4.4.1.

Modularea injeciei emitorului......................................................................................................... 69

4.4.2.

Modularea grosimii bazei (efect Early)........................................................................................... 74

4.4.3.

Influena recombinrii de suprafa................................................................................................ 75

4.4.

Magnetotranzistorii bipolari verticali......................................................................................................... 76

4.5.

Magnetotranzistori bipolari laterali ........................................................................................................... 77

4.6.

Proiectarea magnetotranzistorilor bipolari ............................................................................................... 79

4.7.

Tehnologie de realizare a magnetotranzistorilor bipolari n-p-n cu dou baze........................................ 82

5.

MAGNETOTRANZISTORUL BAZAT PE FENOMENUL DE EMISIE N CMP .............................................. 90

5.1.

Modelarea senzorului de cmp magnetic cu emisie n cmp ................................................................. 90

5.1.1.

Efectul sarcinii spaiale................................................................................................................... 92

5.2.

Stabilizarea emisiei reelei de emitori cu ajutorul unui MOSFET............................................................ 95

5.3.

Flux tehnologic pentru realizarea senzorului de cmp magnetic cu emisie n cmp.............................. 98

5.3.1.

Fluxul tehnologic pentru realizarea catodului ................................................................................ 98

5.3.2.

Fluxul tehnologic pentru realizarea anodului ................................................................................. 99

5.3.3.

Corodarea emitorilor....................................................................................................................... 99

5.3.4.

Experimente pentru ascuirea emitorilor ...................................................................................... 100

5.3.5.

Realizarea grilei ............................................................................................................................ 100

5.3.6.

Proces cu autoaliniere lift-off de SiO2 prin depunere de SiO ................................................... 100

5.3.7.

Proces cu dou mti fotolitografice - SiO2 depus LPCVD......................................................... 100

CONCLUZII................................................................................................................................................................ 101

BIBLIOGRAFIE.......................................................................................................................................................... 103


INTRODUCERE
Lucrarea conine rezultate de sintez i contribuiile originale ale autorului privitoare la domeniul
microsenzorilor de cmp magnetic.
Senzorii de cmp magnetic sunt acei senzori a cror funcionare se bazeaz pe legile i efectele
cmpurilor magnetice i electromagnetice. Un senzor magnetic este un traductor care convertete o
mrime magnetic, sau variaia acesteia ntr-un semnal electric. Tehnologia sistemelor de sesizare a
cmpului magnetic a evoluat n raport cu nevoia de a mbunti sensibilitatea, de a micora
dimensiunile i a mbunti compatibilitatea cu sistemele electronice. Senzorii magnetici difer de muli
ali detectori prin aceea c ei nu msoar direct proprietatea fizic de interes. Dispozitive care msoar
mrimi cum ar fi temperatura, presiunea, deformaia, debitul, indic direct valoarea parametrului testat
la ieire. Senzorii magnetici detecteaz variaii sau perturbaii ale cmpurilor magnetice create sau
modificate i de la care deriv informaii asupra mrimilor cum ar fi direcia, prezena, rotaia, unghiul
sau intensitatea curentului electric. Semnalul de ieire al acestor senzori necesit procesarea
semnalului pentru translaia n parametrul dorit. Dei detectorii de cmp magnetic sunt oarecum mai
dificil de folosit, ei furnizeaz date corecte, fr a fi nevoie de un contact mecanic. Senzorii de cmp
magnetic furnizeaz soluii unice pentru multe probleme tehnice i aplicaii incluznd detecia de
curent, detecia de proximitate, viteza de deplasare linear sau unghiular, echipamentele de orientare,
detecia de perturbaii n cmpul magnetic terestru, msurtori de deplasare i de poziionare.
nelegerea conceptelor fizice care stau la baza tehnologiei i aplicaiile senzorilor de cmp magnetic l
conduc pe proiectant la alegerea senzorului potrivit.
Lucrarea este structurat n dou pri. n prima parte, care cuprinde capitolele 1 i 2, se face o sintez
a rezultatelor publicate privind senzorii de cmp magnetic i fenomenele fizice ce stau la baza
funcionrii lor. n cea de a doua parte, care cuprinde capitolele 3 5, sunt prezentate rezultatele
teoretice i experimentale originale obinute de autor referitoare la microsenzorii Hall integrai pe siliciu,
magnetotranzistorii bipolari i senzorii magnetici microelectronici cu emisie n cmp.
Primul capitol al lucrrii prezint rezultatele de sintez privind senzorii de cmp magnetic realizai i
comunicai n literatura de specialitate. Prezentarea se refer la diferite tipuri i aplicaii ale
microsenzorilor magnetici.
n al doilea capitol se analizeaz noul domeniu aprut, investigat i dezvoltat recent i anume
magnetoelectronica, care combin structuri magnetice de dimensiuni foarte mici cu electronici
semiconductoare convenionale, pentru a obine dispozitive cu funcionaliti noi sau optimizate.
Apariia acestui domeniu a fost impulsionat de descoperirea i dezvoltarea unor noi materiale. Dei au
existat de-a lungul timpului multe idei i experimente provocatoare i stimulative privind transportul
spinului polarizat, cel mai important impuls n domeniul magnetoelectronicii l-a dat descoperirea
magnetorezistenei gigant (1988). Acest capitol debuteaz cu o scurt trecere n revist a efectelor
magnetice tradiionale, cum ar fi efectul Hall i efectul magnetorezistiv, magnetorezistena colosal i
continu cu observaii experimentale privind mecanismul i structura magnetorezistenei gigant.
n capitolul al treilea se descrie modelarea fizico-matematic, proiectarea i realizarea microsenzorului
Hall pe substrat de siliciu. Se analizeaz rezultatele originale privind proiectarea i realizarea
microsenzorului Hall integrat pe aceeai structur cu electronica de polarizare, amplificare, calibrare i

prelucrare a semnalului de ieire (tensiunea Hall). n capitol se prezint de asemenea layout ul i
rezultatele experimentale privind senzorul Hall 3D realizat n tehnologia circuitelor integrate bipolare.
n capitolul al patrulea se prezint rezultatele originale privind realizarea ctorva tipuri de
magnetotranzistori bipolari: modelare matematic i fizic, simulare i proiectare asistat de calculator,
tehnologia de realizare, rezultate experimentale i performanele fiecrui tip. Magnetotranzistorii
bipolari sunt dispozitive bipolare active cu ieire n curent. n ciuda marii lor diversiti, orice
magnetotranzistor are drept component esenial o surs de curent de forma unei jonciuni pn, care
injecteaz purttorii minoritari n regiunea bazei i una sau mai multe jonciuni polarizate invers drept
colectori, de pe care se culege semnalul de interes. Tipic pentru magnetotranzistorii bipolari este faptul
c inducia magnetic influeneaz att deplasarea curentului prin structur, ct i modularea lui. Ca
rezultat, semnalul electric de ieire se modific acordndu-se cu intensitatea influenei. Mecanismul
care domin rspunsul dispozitivului este modularea injeciei emitorului, cmpul magnetic mrind
injecia n unele regiuni i micornd-o n altele.
n capitolul 5 se prezint modelarea fizico matematic, tehnologia de realizare i rezultatele
experimentale privind senzorul de cmp magnetic bazat pe fenomenul de emisie n cmp. Modul de
operare al acestui senzor de cmp magnetic este urmtorul: electronii furnizai de o reea matriceal de
emitori verticali (3000) sunt deviai n cmp magnetic ctre un anod format din dou pri. Diferena
dintre cei doi cureni de anod constituie o msur a induciei magnetice. Ca urmare a deplasrii
balistice a electronilor n vid, acetia pot atinge viteze mult mai mari dect n semiconductori, iar
sensibilitatea unui senzor magnetic bazat pe emisie n cmp poate fi cu mult mai mare dect cea a
senzorilor cu semiconductori bazai pe efect Hall. Problemele ridicate de dispozitivele cu emisie n
cmp se refer la capacitatea electric mare, tensiunile de lucru comparativ mari i fluctuaiile
curentului de emisie. Se prezint rezultatele originale privind stabilizarea emisiei i mbuntirea
performanelor prin realizarea emitorilor n drena unui MOSFET. Scopul realizrii senzorului de cmp
magnetic bazat pe emisie n cmp stabilizat cu ajutorul unui MOSFET este creterea sensibilitii
dispozitivului, a densitii de curent de emisie, a stabilitii i uniformitii curentului de emisie.
Combinaia emitorilor cu dispozitivele active MOSFET (care sunt surse de curent constant n regim de
saturaie) este excelent pentru stabilizarea curentului de emisie. Curentul de emisie crete n acest
caz att datorit curentului generat termic n stratul de golire de sub emitori, ct i datorit curentului de
electroni din stratul de inversie de sub poarta MOSFET-ului.
Rezultatele teoretice i experimentale originale obinute sunt sintetizate n capitolul de concluzii la
sfritul lucrrii.


1. PRIVIRE ASUPRA DEZVOLTRII I
PERFORMANELOR SENZORILOR DE CMP MAGNETIC
Cuvntul magnet i are originea n numele regiunii Magnesia (Asia Mic), unde oamenii au
gsit pentru prima dat roci magnetice n natur. n Europa, prima raportare privind fora de
atracie i respingere dintre doi magnei a fost fcut de Thales din Milet n jurul anului 600
.e.n. Termenul senzor i are originea n latinescul sensus, care nseamn sensibil.
Senzorii magnetici sunt acei senzori care n funcionarea lor se bazeaz pe legile i efectele
cmpurilor magnetice i electromagnetice. Primul senzor de cmp magnetic a fost busola,
descoperit de chinezi cu mai mult de 4000 de ani n urm. Folosirea busolelor a devenit
foarte important n Europa odat cu marile descoperiri geografice; Cristofor Columb a fcut
observaii despre comportarea busolelor n timpul cltoriei n care a descoperit America. Cei
mai faimoi productori de busole sunt cunoscui c au trit la Londra i Nrnberg n jurul
anului 1500. Electromagnetismul a renscut n 1820 cnd fizicianul Oersterd a descoperit c
un conductor parcurs de curent electric determin deviaia acului busolei. Prima formul care
descrie dependena dintre curentul electric i cmpul magnetic s-a datorat lui Biot i Savart. n
1831, Faraday a descoperit legea induciei electromagnetice, iar primul magnetometru a fost
realizat n acelai an de Gauss i Weber. Bazele teoretice ale electromagnetismului au fost
puse de Maxwell n 1862 odat cu formularea teoriei fenomenologice care i poart numele.
Multe dintre efectele fizice care stau la baza funcionrii senzorilor au fost dezvoltate n
secolul al 19-lea, ncepnd cu efectul Joule (1842). Unul dintre cele mai importante efecte
galvanomagnetice a fost descoperit de Edwin Hall n 1879. Fizicianul olandez H.A. Lorentz a
fost primul care a explicat micarea sarcinilor electrice sub aciunea cmpului magnetic, iar
fora responsabil pentru aceasta a fost numit fora Lorentz. Alte efecte sunt rezumate n
tabelul 1.1. Unele efecte magnetice se folosesc pentru dezvoltarea de noi senzori magnetici,
altele i ateapt rndul s fie folosite. Principalele categorii de senzori magnetici sunt:
senzori magnetogalvanici, magnetoelastici, magnetorezistivi, Wiegand, magnetometre cu
miez saturat, magnetometre cu bobin de inducie, magnetometre cu bucl de cutare,
senzori SQUID. Pe baza principiilor fizice de conversie a energiei, microsenzorii magnetici se
pot clasifica aa cum se arat n tabelul 1.1. Tehnologia sesizrii cmpului magnetic a fost
condus spre dezvoltarea pe care a cptat-o n zilele noastre de nevoia de a micora foarte
mult dimensiunile senzorilor, de a le mbunti sensibilitatea i a o compatibiliza cu sistemele
electronice. Prezentarea se refer la diferite tipuri i aplicaii ale senzorilor magnetici.
Senzorii magnetici difer de muli ali detectori prin aceea c ei nu msoar direct proprietatea
fizic de interes. Dispozitive care msoar proprieti cum ar fi temperatura, presiunea,
deformaia, debitul, indic direct valoarea parametrului testat la ieire. Senzorii magnetici
detecteaz variaii sau perturbaii ale cmpurilor magnetice create sau modificate i din care

deriv informaii asupra unor mrimi cum ar fi direcia, prezena, rotaia, unghiul sau
intensitatea curentului electric.

Tabelul 1.1. Efectele magnetice care stau la baza funcionrii senzorilor de cmp magnetic
Anul Efectul Explicaia Aplicaii tehnice

1842

Joule

Deformarea unui corp magnetic prin
aplicarea unui cmp magnetic extern

Magnetometre n
combinaie cu
elemente
piezorezistive

1846

E

Schimbarea modulului Young cu
magnetizaia
Componente
pentru linii de
ntrziere acustic
pentru msurarea
cmpului magnetic

1847

Matteuci
Torsiunea unei bare feromagnetice ntr-un
cmp longitudinal schimb magnetizaia
barei

Senzori
magnetoelastici
1856 Thomson Schimbarea rezistenei cu cmpul magnetic Senzori
magnetorezistivi

1858

Wiedemann
Torsiunea unei bare feromagnetice cnd
prin ea trece curent electric i este supus
unui cmp magnetic longitudinal

Msurarea forei i
a momentului forei
1865 Villari Efectul Joule invers, magnetizarea unui
corp magnetic n urma unei deformri
Senzori
magnetoelastici

1879

Hall
Apariia unei tensiuni ntr-o prob cristalin
perpendicular pe curentul care strbate
proba i pe cmpul magnetic aplicat

Senzori
magnetogalvanici
1881 Ettinghausen Apariia unui gradient de temperatur
transversal, dup direcia tensiunii Hall, n
prezena cmpului magnetic.
Senzori
termomagnetici

1882

Righi - Leduc
Apariia unui gradient de temperatur
longitudinal, dup direcia curentului
electric, n prezena cmpului magnetic.
Senzori
termomagnetici
1884 Magnetorezistiv
(Kelvin)
Efect galvanomagnetic ce const n variaia
rezistenei electrice a unui metal sau
semiconductor n cmp magnetic

Senzori
magnetogalvanici

1903

Skin
Distribuia neuniform a curentului din
interiorul unui conductor spre suprafa
datorat curenilor turbionari
Senzori de distan
i proximitate

1915

Einstein
de Haas
Rotirea unui corp feromagnetic n timpul
magnetizrii sau demagnetizrii sale,
datorit legturii stabilite ntre momentele
magnetice i cinetice ale electronilor

Senzori magnetici

1919

Barkhausen
Magnetizaia unui corp feromagnetic
variaz n salturi cnd intensitatea cmpului
magnetic exterior variaz continuu. Se
datoreaz reorientrii brute a domeniilor
de magnetizare n direcia cmpului

Senzori Wiegand i
impulsuri n fire
1931 Sixtus - Tonks Apariia unor pulsuri ale magnetizaiei
datorit salturilor Barkhausen
Senzori Wiegand i
impulsuri n fire

1962

Josephson
Efect cuantic ce const n tunelare ntre
dou materiale supraconductoare separate
printr-un strat foarte subire

Magnetometre
SQUID
1988 Magnetorezisten
gigant
Variaia puternic a rezistenei unui
multistrat n cmp magnetic
Senzori cu valv de
spin, MRAM
1993 Magnetorezistena
colosal
Variaia puternic a rezistenei unui pmnt
rar n cmp magnetic
Senzori
magnetorezistivi

Semnalul de ieire al acestor senzori necesit procesarea semnalului pentru translaia n
parametrul dorit. Dei detectorii de cmp magnetic sunt oarecum mai dificil de folosit, ei
furnizeaz date corecte - fr a fi nevoie de un contact mecanic. n funcie de sensibilitate,
senzori magnetici pot fi folosii pentru cmpuri joase, sub 1G (10
-10
T), senzori care
detecteaz cmpuri magnetice medii, n domeniul 1G 10G (10
-10
10
-3
T), cunoscui i sub
numele de senzori de cmp terestru, i senzori de cmpuri puternice, peste 10G (10
-3
T),
cunoscui i ca senzori de cmp magnetic polarizat. Senzorii magnetici pot fi scalari, msoar
numai mrimea cmpului magnetic, unidirecionali, bidirecionali i tridirecionali. Tabelul 1.2
listeaz tehnologii ale senzorilor magnetici i domeniile lor de sensibilitate

Tabelul 1.2. Tipuri de senzori i domeniul lor de sensibilitate
Tipul senzorului Domeniul sensibilitii (T)
Senzor SQUID 10
-12
10
0

Magnetometru cu fibr optic 10
-10
10
-4

Magnetometru cu pompaj optic 10
-12
10
-4

Magnetometru magnetooptic 10
-4
10
4

Magnetometru cu precesie nuclear 10
-9
10
-2

Magnetometru cu bucl de cutare 10
-12
10
4

Senzor magnetism terestru 10
-7
10
-5

Senzor magnetorezistiv anizotrop 10
-10
10
-2

Magnetometre cu miez saturat (fluxgate) 10
-10
10
-2

Magnetotranzistor 10
-5
10
0

Magnetodiod 10
-4
10
0

Magnetorezisten gigant 10
-5
10
4

Senzori Hall 10
-3
10
2

Senzorii magnetici pe straturi subiri de metal sunt realizai pe straturi de materiale
feromagnetice. Cei mai cunoscui senzori de acest fel sunt comutatoarele magnetorezistive
pe straturi anizotrope de NiFe, NiCo sau permalloy. Senzorii magnetici pe suport
semiconductor (Si, Ge, GaAs) funcioneaz pe baza efectelor galvanomagnetice. Senzorii
magnetici pe suport semiconductor sunt flexibili n proiectare i aplicaii, au dimensiuni mici i
pot fi integrai mpreun cu electronica de polarizare i prelucrare a semnalului de ieire.
Senzorii magnetici pe siliciu sunt de departe cei mai puin costisitori, deoarece se pot realiza
n tehnologia circuitelor integrate, tehnologie n care se pot fabrica magnetotranzistori,
magnetodiode, comutatoare i puni Hall. Senzorii pe GaAs au o rezoluie magnetic mult
mare n comparaie cu dispozitivele pe siliciu deoarece mobilitatea purttorilor este mai mare.
Senzorii magnetici optoelectronici se bazeaz pe rotaia Faraday a planului de polarizare
liniar a luminii datorat aciunii forei Lorentz asupra electronilor n izolatori. Senzori

magnetici supraconductori (SQUID) sunt senzori cu sensibilitate magnetic foarte mare, n
domeniul nT. Funcionarea lor se bazeaz pe efectele galvanomagnetice cuantice care apar
n jonciunile Josephson ntre materialele supraconductoare, de exemplu Nb/Al
2
O
3
/Nb, la
temperaturi suficient de joase (sub 20 K). Datorit recentei descoperiri a supraconductorilor
de temperatur nalt, a fost realizat un senzor magnetorezistiv folosind un material ceramic
supraconductor compus Y-Ba-Cu-O, care lucreaz la temperatura azotului lichid.
1.1 Senzori magnetici pentru cmpuri slabe
Domeniul de detecie al acestor senzori este sub 1G. Acetia sunt mai voluminoi i mult
mai scumpi comparativ cu alte dispozitive magnetice. n cazul lor se ine seama de efectele
cmpului magnetic terestru, ale crui variaii pot depi domeniul de msur al senzorului.
Aceti senzori sunt folosii n dispozitive pentru aplicaii medicale i supraveghere militar.
Dintre acetia, se pot aminti: SQUID [1, 2], magnetometrul cu bucl de cutare [3],
magnetometrul cu precesie nuclear [4], magnetometrul cu surs laser [5], i magnetometrul
cu fibr optic [6, 7].
1.1.1. Magnetometrul SQUID
Dispozitivul cu interferen cuantic supraconductoare, cunoscut n literatura de specialitate
sub numele SQUID (Superconducting Quantum Interference Device), este cel mai sensibil
dispozitiv pentru cmpuri magnetice foarte joase. Dezvoltat in jurul anului 1962, acest senzor
se bazeaz pe studiile lui Brian D. Josephson asupra jonciunii cu contact punctiform
proiectat s msoare cureni extrem de sczui [1]. Funcionarea sa rezult din puternica
interaciune a curentului electric ce strbate un material supraconductor, rcit sub
temperatura sa critic, i cmpul magnetic ce i este aplicat. Dac fluxul magnetic ce parcurge
un inel supraconductor este diferit de zero, el va induce n inel un curent care, datorit
supraconductibilitii materialului, va persista un timp ndelungat , fr nici o atenuare, chiar
dup ndeprtarea cmpului. Intensitatea curentului indus constituie o msur foarte sensibil
a inducia magnetice: sistemul este sensibil la variaii ale inducia magnetic de ordinul de
mrime al fraciunii unitii cuantice de msur. Inelul este cuplat inductiv cu un circuit de
radiofrecven care constituie detectorul propriu-zis al cmpului (Fig.1.1); variaiile curentului
din inel modific frecvena de rezonan a circuitului, astfel nct semnalul de ieire variaz
periodic. De obicei, inelul supraconductor este un toroid din plumb sau niobiu, cu un diametru
de civa mm. Zona critic este o jonciune de contact punctual (jonciune Josephson).
Magnetometrul SQUID, cel mai sensibil instrument de msur a intensitii cmpului
magnetic sau a momentului magnetic, poate detecta cmpuri de la civa femtotesla (10
-15
T)
pn la 9 Tesla, (echivalent aproximativ 10
-11
G10
4
G) un domeniu de mai mult de 15 ordine

de mrime. Acest senzor este excepional n aplicaii medicale, cmpul neuromagnetic al
creierului omenesc fiind doar de cteva zecimi dintr-o femtotesla [2]; prin comparaie, cmpul
magnetic terestru este de aproximativ 50T. Sensibilitatea magnetometrului poate fi mrit
cuplnd inelul cu o alt bobin supraconductoare, cu rol de anten magnetic. Dispozitivele
SQUID necesit n prezent rcire cu heliu lichid la temperatura de 4 K, dar sunt in studiu
dispozitive care s funcioneze la temperaturi mai ridicate.

1.1.2. Magnetometrul cu bucl de cutare
Magnetometrul cu bucl de cutare se bazeaz pe legea induciei electromagnetice
(Faraday), conform creia tensiunea electromotoare indus ntr-o bucl este proporional cu
schimbarea cmpului magnetic inductor. Tensiunea indus produce un curent a crui variaie
este proporional cu viteza de variaie a cmpului magnetic. Sensibilitatea buclei este
dependent de permeabilitatea miezului, de aria i numrul de spire ale solenoidului i de
viteza de variaie a fluxului magnetic prin bobin. Aceti senzori pot detecta cmpuri mai
slabe de 10
-6
G i nu au limit de cmp superioar n domeniul sensibilitii. Domeniul optim
de frecvene este ntre 1 Hz i 1 MHz, limita superioar fiind dat de raportul ntre reactana i
rezistena bobinei. n practic, senzorul se construiete integrnd aceast bobin ntr-o punte.
Variaia inductanei bobinei aflat pe un bra al punii determin o variaie de potenial n
circuitul electric. Bucla solenoid detecteaz doar cmpuri magnetice statice sau lent variabile
n timp. Aceste magnetometre sunt ieftine i uor de construit, mai des fiind ntlnite n
construcia dispozitivelor pentru controlul traficului rutier.

1.1.3. Magnetometrul cu precesie nuclear
Funcionarea magnetometrului cu precesie nuclear se bazeaz pe comportarea nucleelor
atomilor unei hidrocarburi fluide, benzenul de exemplu, ntr-un cmp exterior. Protonii
Fig. 1.1. Principiul de
funcionare al magnetometrului
cu interferen cuantic
supraconductiv
Fig. 1.2. Magnetometrul cu bobin de
cutare bazat pe legea induciei
electromagnetice. Magnetometrul msoar
cmpul magnetic prin intermediul curenului
pe care acesta l induce n bobin. Cnd
inducia magnetic prin bobin variaz,
apare o tensiune ntre capetele bobinei

nucleelor se comport ca mici dipoli magnetici care se pot alinia n direcia unui cmp
magnetic de polarizare, produs de o bobin parcurs de curent electric (Fig.1.2). La
ntreruperea curentului electric, protonii ncep o micare de precesie n jurul direciei cmpului
magnetic aplicat, cu o frecven ce depinde de nsi intensitatea cmpului. Sensibilitatea
acestor magnetometre are valori cuprinse ntre 10
-11
T i 10
-4
T. Frecvena lor este limitat
numai de frecvena de excitaie a hidrocarburii utilizate.

1.1.4. Magnetometrul cu fibr optic
Magnetometrul cu fibr optic este un senzor relativ nou i este nc n dezvoltare. El este
constituit din dou fibre optice care formeaz un interferometru Mach Zender. Aa cum se
arat n Fig.1.4, lumina generat de un dispozitiv laser trece printr-un spliter de raze n cele
dou fibre, le traversez pe lungimea lor, se recombin ntr-un cuplor de lumin i ajung n
fotodetectorii care se afl la captul fiecrei fibre optice. Una dintre fibrele optice este
acoperit cu un material magnetostrictiv, ale crui dimensiuni depind de direcia i mrimea
magnetizaiei. Cnd materialul magnetostrictiv este magnetizat ntr-un cmp magnetic extern,
lungimea fibrei optice se schimb cu cel puin o fraciune de lungime de und, astfel nct
lumina care traverseaz aceast fibr nu mai este n faz cu lumina care strbate fibra optic
de referin cnd cele dou ajung n cuplor. Interferena celor dou unde luminoase face ca
energia luminoas primit de cei fotodetectori s difere printr-o cantitate ce depinde de
diferena de faz. Cu ajutorul acestui tip de magnetometru au fost detectate variaii ale
lungimii de und mai mici de 10
-13
m. Magnetometrul cu fibr optic poate determina att
orientarea liniilor de cmp magnetic, ct i intensitatea cmpului magnetic. Domeniul
cmpurilor detectate de acesta este de la 0,1 G la 10 G. Se pot detecta cmpuri constante i
cmpuri cu frecvene sub 60 kHz.

Fig.1 .4. Magnetometru
cu fibr optic
Fig.1.3. Magnetometrul cu precesie nuclear
se bazeaz pe comportarea dipolilor
elementari n prezena unui cmp magnetic

1.1.5. Magnetometrul cu pompaj optic
Magnetometrul cu pompaj optic se bazeaz pe efectul Zeeman. n 1896, fizicianul german
Peter Zeeman a demonstrat despicarea liniilor spectrale ale unor atomi n prezena cmpului
magnetic (o linie spectral se transform ntr-un grup de linii spectrale care difer cu valori
mici de lungimi de und). Despicarea este foarte pronunat n cazul metalelor alcaline i n
special la cesiu. Magnetometrul cu pompaj optic folosete cele trei stri de energie ale
unicului electron de valen al cesiului: dou stri energetice mai joase, foarte apropiate una
de alta i diferite prin orientarea spinului electronului (paralel sau antiparalel cu cmpul
magnetic aplicat) i o a treia stare energetic mult mai nalt, caracterizat prin acelai
moment de spin ca una sau cealalt din primele dou stri. Diferena dintre cele dou stri
energetice joase corespunde unei linii spectrale de radiofrecven, iar tranziia ntre o linie
spectral de energie mai joas i una de energie mai nalt corespunde unei linii spectrale din
domeniul vizibil. Diferena dintre energiile celor dou stri mai joase se datoreaz orientrii
spinului electronului. Starea de energie mai nalt are acelai moment unghiular cu strile
energetice mai joase. Considerm vapori de cesiu pompai optic cu lumin polarizat circular.
Energia luminoas absorbit se monitorizeaz cu ajutorul unui fotodetector. Iniial, electronii
din vaporii de cesiu se vor afla n cele dou stri de energie mai joas. Cnd atomii absorb
fotoni de la lumina polarizat circular, momentul lor unghiular se schimb cu o cuant. Astfel,
electronii de pe strile energetice joase al cror moment unghiular difer cu o unitate fa de
strile energetice nalte vor absorbi fotoni i se vor muta pe nivelele energetice mai nalte, dar
nu acelea care au acelai momentul unghiular ca al strii nalte. Datorit fotonilor absorbii,
fluxul luminos se diminueaz, iar electronul aflat n starea energetic mai nalt cade pe
nivelul energetic inferior. Vaporii de cesiu complet pompai devin relativ transpareni la lumin.
Dac se aplic un cmp de radiofrecven paralel cu direcia fluxului luminos, electronii se vor
deplasa alternativ ntre cele dou stri de energie joas fr a-i schimba momentul unghiular
de spin i fr apariia unui pompaj optic, dar vor absorbi lumin. Efectele optice i de
radiofrecven se combin, rezultnd o rezonan particular fin, rezonana pompajului optic
pe care se bazeaz acest magnetometru. Frecvena de rezonan depinde de intensitatea
cmpului magnetic. n magnetometru, o bucl de legtur controleaz radiofrecvena s
menin minimul de transmisie luminoas. Frecvena se folosete deci la msurarea cmpului
magnetic. Magnetometrul cu pompaj optic msoar cmpul magnetic total, indiferent de
orientare, fa de cea mai mare parte a magnetometrelor care msoar numai o component
a cmpului magnetic, cea care se afl de-a lungul axei senzitive. Domeniul de sensibilitate
pentru acest tip de dispozitive este cuprins ntre 10
-8
G i 1 G, dar , ca i n cazul altor
magnetometre, este puternic influenat de electronica de citire i amplificare a semnalului.



1.2. Senzori pentru cmpul magnetic terestru
Acetia sunt senzori de cmp magnetic mediu, cu domeniul de sensibilitate cuprins ntre 1G
i 10G. Dintre acetia amintim: magnetometrul cu flux variabil pe poart [1, 5],
magnetometrele magnetoinductive [1, 5] i magnetorezistive [8], comutatorii lamelari [5] i
senzorii magneto-optici [3, 7].
1.2.1. Magnetometrul cu flux variabil pe poart
Primul magnetometru de acest gen a fost dezvoltat n jurul anului 1928 precizia sa a fost
mrit de ctre militari pentru detecia submarin. Termenul cunoscut n literatura de
specialitate sub numele flux - gate compass definete busola de inducie terestr.
Dispozitivul avea s fie folosit pentru prospeciuni geofizice i cartografierea aerian a
cmpului magnetic. Poarta este elementul din construcia busolei de inducie terestr sensibil
la azimut. Cel mai cunoscut tip, numit dispozitiv pentru armonica a doua, ncorporeaz dou
bobine, un primar i un secundar, nfurate n jurul unui miez feromagnetic comun de
permeabilitate mare. Inducia magnetic a miezului variaz n prezena unui cmp magnetic
extern. Un semnal pilot aplicat nfurrii primare produce oscilaii n miez ntre punctele de
saturaie. nfurarea secundar scoate la ieire un semnal care este cuplat prin miez cu
nfurarea primar. Semnalul este dat de variaiile permeabilitii miezului i apare ca o
variaie a amplitudinii semnalului de ieire a solenoidului sesizor. Semnalul poate fi demodulat
cu un detector sensibil la faz i un filtru trece jos, pentru a regsi valoarea cmpului
magnetic detectat. Un magnetometru cu flux variabil pe poart sensibil la azimut bine
proiectat poate sesiza un semnal n domeniul zecilor de microgauss i msoar att modulul
ct i direcia cmpurilor magnetice statice. Sensibilitatea acestui senzor depinde de forma
curbei de histerezis. Pentru sensibilitate maxim curba B H trebuie s tind spre o form
dreptunghiular, form care se obine pentru cea mai mare valoare a tensiunii electromotoare
produs pentru o valoare dat a cmpului magnetic terestru. Pentru o putere consumat
minim, materialul miezului feromagnetic trebuie s aib o coercitivitate i un cmp magnetic
Fig.1.5. Magnetometru cu pompaj
optic bazat pe efectul Zeeman

de saturaie mici. Sensibilitatea este cuprins ntre 10
-6
G i 100 G, iar frecvena de rspuns a
senzorului este limitat de cmpul de excitaie i rspunsul n timp al materialului
feromagnetic. Limita superioar a frecvenei este de aproximativ 10 kHz. Dimensiunile
magnetometrului cu flux variabil pe poart sunt comparabile cu cele ale magnetometrului cu
bucl de cutare, dar puterea consumat este de peste cinci ori mai mare. Avantajul major al
acestui magnetometru fa de cel cu bucl de cutare este abilitatea de a msura precis
cmpurile produse de curentul continuu. Au fost dezvoltate mai multe variante de
magnetometre cu flux variabil pe poart, marea lor majoritate fiind dominat de proprietile
miezului magnetic.
1.2.2. Magnetometrul magnetoinductiv

Aceste dispozitive sunt relativ noi, primul patent fiind
nregistrat n anul 1989. Acest senzor este constituit dintr-
un singur solenoid nfurat pe un miez magnetic a crui permeabilitate variaz n domeniul
cmpului magnetic terestru (figura 1.6). Solenoidul este elementul inductiv ntr-un oscilator
L/R cu relaxare. Frecvena oscilatorului este proporional cu cmpul care trebuie msurat.
Pentru a polariza solenoidul ntr-o regiune liniar de operare se folosete un curent static.
Frecvena oscilatorului poate fi monitorizat de ctre un port de captare/comparare al unui
microprocesor, pentru a determina valorile intensitii cmpului magnetic. Aceste
magnetometre sunt simple n proiectare, ieftine i au un consum redus de putere. Domeniul
temperaturilor de funcionare este ntre 20
0
C i 70
0
C, iar valorile cmpului detectat sunt de
pn la 4mG. Asamblarea automat i alinierea axei senzitive sunt dificile, datorit
dimensiunilor mici ale senzorilor i configuraiei lor fizice.
1.2.3. Comutatori lamelari
Acest dispozitiv este cel mai simplu tip de senzor. El const dintr-o pereche de contacte
feromagnetice flexibile, etanate ermetic ntr-un recipient de sticl n care se afl gaz inert.
Cmpul magnetic de-a lungul axei longitudinale a contactelor magnetizeaz contactele i le
impune s se atrag reciproc, nchiznd circuitul electric. Contactele de rhodiu asigur o via
lung de contactare, zeci de milioane de contactri la cureni de aproximativ 10 mA.
Comutatorii lamelari scufundai n mercur pot comuta la cureni de pn la 1 A, dar prezint
Fig.1.6. Magnetometrul magnetoinductiv

vibraii de contactare. Prin ataarea unui mic magnet permanent unei pri mobile, ca de
exemplu ua sau fereastra, se activeaz comutatorul lamelar cnd ajunge suficient de
aproape de el. Comutatorii lamelari sunt intens folosii n industria de automobile. Preul
sczut, simplitatea, fiabilitatea i consumul de putere practic nul fac comutatorii lamelari foarte
des folosii n numeroase aplicaii industriale.
1.2.4. Magnetometre cu magnetorezisten anizotrop
Senzorii magnetorezistivi anizotropi (AMR) sunt alctuii dintr-un strat subire de Permalloy
depus pe substrat de siliciu i configurat cu trasee rezistive paralele. Proprietile filmului
determin schimbarea rezistenei cu 2% - 3% n prezena cmpului magnetic. Intr-o
configuraie tipic, patru dintre aceti rezistori sunt conectai n punte Wheatstone pentru a
permite msurarea intensitii cmpului magnetic de-a lungul axei (figura 1.7). Reacia
efectului magnetorezistiv este foarte rapid i nu este limitat de bobine sau frecvene de
excitaie. Proprietile magnetorezistive anizotrope se manifest numai atunci cnd domeniile
magnetice sunt aliniate in aceeai direcie. Aceast configuraie (figura 1.8) asigur o
sensibilitate mare si un histerezis minim. In timpul fabricaiei, filmul se depune intr-un cmp
magnetic foarte puternic, care determina orientarea vectorului magnetizaie M in rezistorii de
permalloy, de preferat n lungul axei uoare. Rezistena filmului este maxim atunci cnd
curentul este paralel cu direcia vectorului
magnetizaie (figura 1.9).

n prezena cmpului magnetic, caracteristicile magnetorezistive ale permalloyului determin
schimbarea rezistenei n punte i o schimbare corespunztoare a tensiunii de ieire.
Sensibilitatea se exprim de obicei n mV/V/Oe. Termenul din mijloc, V, se refer la tensiunea
Fig.1.7. Circuitul de baz al senzorului AMR care
indic un semnal de ieire diferenial n mrime i
sens n funcie de cmpul magnetic aplicat
Fig.1.8. Puntea AMR alctuit din patru seturi de
trasee paralele de Permalloy. Intre traseele de
permalloy se intercaleaz metal nemagnetic.
Acesta determin unghiul dintre curent si vectorul
magnetizaie.

punii. Printr-o alegere corespunztoare a amplificatorului se pot detecta i tensiuni de 1 V la
ieirea punii i deci se pot msura i cmpuri mai mici. Folosind un senzor AMR si un
amplificator corespunztor, se pot obine informaii att despre mrimea, ct i despre direcia
cmpului magnetic. Domeniile magnetice ale Permalloy -ului se pot orienta n sensul cmpului
magnetic produs de bobinele care nconjur fiecare rezistorilor din puntea Wheaststone. Prin
schimbarea pulsului de curent prin bobin se pot genera cmpuri magnetice suficient de
intense pentru a afecta vectorul magnetizaie.

Ofsetul punii poate fi eliminat electronic, folosind un amplificator cu reacie. Mecanismul de
operare este modularea semnalului de intrare al senzorului la o frecven mare, anularea
ofsetului i demodularea la un potenial continuu. Aceasta poate fi realizat prin schimbarea
set / reset aa cum se arat n figura 1.10.

1.2.5. Senzorii magneto - optici
Senzorii magneto-optici se bazeaz pe efectul Faraday (Fig.1.11). Acest efect determin
rotaia planului luminii polarizate la trecerea printr-un material magnetic. Efectul este puternic
n cristalele la care direcia de propagare a luminii, axa de simetrie a cristalului i direcia
cmpului magnetic aplicat sunt paralele. Pentru a nelege efectul polarizrii Faraday, se
consider c planul undei luminii polarizate se compune din dou unde polarizate circular:
una n sensul acelor de ceasornic (SAC) i cealalt n sens trigonometric (ST). O schimbare a
fazei relative ntre cele dou unde plane polarizate circular (SAC i ST) determin rotaia de
polarizare a undei plane. Efectul Faraday rezult din schimbarea indicelui de refracie al
cristalului fiind cunoscut c micarea de precesie a electronilor n jurul liniilor de cmp
Fig. 1.10. Circuitul ataat senzorului pentru
ndeprtarea ofsetului punii i pentru
nlturarea ofsetului datorat temperaturii. Se
poate aduga un amplificator adiional pentru
amplificarea semnalului i un sincronizator la
schimbarea set / reset care s demoduleze
amplificarea punii la un nivel DC.
Fig.1.9. Vectorul magnetizaie M poate fiorientat n direcie "set" sau n direcie "reset" prin
cuplarea unei bobine care da pulsuri de curent n filmul de Permalloy. Un curent intens va produce
un cmp magnetic destul de puternic pentru a roti sau a deplasa domeniile magnetice ale filmului

magnetic longitudinal este aceeai sau se semn opus rotaiei cmpului electric al luminii
polarizate. Efectul Faraday i are originea n interaciunea orbitei i spinului electronului cu
cmpul magnetic. Orbita electronului formeaz un dipol magnetic care tinde s se alinieze
ntr-un cmp aplicat constant. Cmpul magnetic perturb momentul magnetic de spin
determinnd o micare de precesie n jurul axei spinului. Perturbarea momentului de spin se
datoreaz i undei electromagnetice care se propag sau frecvenei microundei. Materialul
optim pentru apariia efectului Faraday se determin prin constanta Verdet, a crei unitate de
msur este perioada rotaiilor unghiulare pe unitate de cmp i unitate de lungime. Materiale
cele mai des folosite pentru realizarea senzorilor magneto-optici sunt: BGO (Bi
20
GeO
20
), BSO
(Bi
20
SiO
20
) i ZnSe, care au constanta Verdet aproximativ 7.10
-5
rad/A i cristalul ferimagnetic
de granat (Y
3
Fe
5
O
12
) cu o constant Verdet mai mare, aproximativ 10
-2
rad/A. Dei acest
material are o constant Verdet mai mare, el poate fi magnetizat permanent i de aceea se
folosete mai mult n aplicaii de memorii magneto-optice dect n senzori. Rotaia polarizaiei
este dat de formula:
H L V
F
=
unde V este constanta Verdet, H este intensitatea cmpului magnetic aplicat, iar L este
lungimea cristalului pe direcia cmpului. Unicul avantaj al senzorilor magneto-optici fa de
ali senzori magnetici este rspunsul lui foarte rapid n timp. S-au fabricat senzori cu rspuns
n domeniul GHz. Din pcate aceti senzori au o sensibilitate mic deoarece efectul de
polarizare Faraday este mic n domeniul cmpurilor magnetice terestre.

Fig.1.13. Senzor magneto-optic
Fig.1.11. Efectul Faraday
Fig.1.12. Schema simpl a
unui senzor magneto-optic
bazat pe efectul Faraday

1.3. Dispozitive bazate pe aciunea forei Lorentz
1.3.1. Magnetorezistorii
Magnetorezistorii sunt cele mai simple dispozitive care se bazeaz pe aciunea forei Lorentz
asupra purttorilor de sarcin [1, 5, 8]. Acetia se realizeaz pe suport semiconductor de InSb
sau InAs, materiale care au o mobilitate a purttorilor de sarcin foarte mare chiar la
temperatura camerei, dar pentru a fi eficace ca dispozitive magnetorezistive, tensiunea Hall
trebuie scurtcircuitat. Acest lucru se poate realiza utiliznd o geometrie special pentru
plcuele semiconductoare, sau discul Corbino, la care simetria circular a contactelor de
curent previne apariia tensiunii Hall. O alt soluie constructiv const n montarea n serie a
mai multor plcue semiconductoare cu lungimea mult mai mic dect limea, L<< W, astfel
nct zonele de nclinare a liniilor de curent s ocupe practic toat plcua. Aceste fii se
conecteaz prin barete de metal cu rezistivitate foarte sczut. Fiecare baret scurtcircuitat
constituie o zon echipotenial peste fia semiconductoare. Efectul cmpului magnetic este
acela de a lungi traiectoria purttorilor i n consecin mrirea rezistenei electrice. O cretere
a rezistenei cu mai multe sute de procente se poate obine pentru cmpuri magnetice
intense. La cmpuri slabe magnetorezistena variaz liniar cu inducia magnetic, iar la
cmpuri intense variaz cu ptratul induciei, aa nct magnetorezistorii se folosesc n
special pentru detectarea cmpurilor magnetice mari. Ei sunt sensibili numai la componenta
cmpului magnetic perpendicular pe placa semiconductoare i nu pot sesiza sensul
cmpului, ci numai direcia lui. Magnetorezistena este puternic dependent de temperatur,
deoarece mobilitatea purttorilor este puternic dependent de temperatur. Dac dispozitivul
este un circuit deschis, nu exist cmp electric n material, iar gradientul de temperatur va
determina att electronii ct i golurile s difuzeze n direcia pozitiv a axei x spre regiunea
de temperatur mai mic. n prezena unui cmp magnetic transversal, fora Lorentz va
deplasa electronii i golurile pe fee opuse ale barei, rezultnd sarcini n exces care determin
apariia unui cmp electric pe direcia pozitiv a axei y. Acest fenomen este cunoscut sub
numele de efect Nernst transversal. n bara scurt i n discul Corbino, sarcina n exces
asociat efectului Nernst transversal scurtcircuiteaz tensiunea dintre contactele conductive
n acelai fel n care scurtcircuiteaz tensiunea Hall. Efectul Nernst transversal are aceeai
influen asupra raportului magnetotermic ca i scurtcircuitarea tensiunii Hall asupra
magnetorezistenei.
1.3.2. Senzorii Hall
Un senzor Hall se realizeaz pe o plac semiconductoare la care lungimea n direcia
tensiunii aplicate este mai mare dect limea [10, 11]. Purttorii de sarcin sunt deviai spre
margine i se ridic spre suprafa pn cnd se creeaz o tensiune Hall peste plac cu o
for care echilibreaz fora Lorentz care acioneaz asupra purttorilor de sarcin. Purttorii

de sarcin se deplaseaz n lungul plcii pe traiectorii aproximativ drepte, i nu primesc
sarcin adiional. Atta timp ct traiectoria final a purttorilor de sarcin este n mod
esenial n lungul cmpului electric aplicat, rezistena electric variaz foarte puin cu cmpul
magnetic aplicat. Tensiunea Hall diferenial msurat ntre electrozii plasai la mijlocul
fiecrei margini, este proporional cu cmpul magnetic perpendicular pe plac. Ea i
schimb i semnul cnd cmpul magnetic i schimb sensul. Raportul dintre tensiunea Hall
i curentul de intrare se numete rezisten Hall, iar raportul dintre tensiunea aplicat i
curentul de intrare este numit rezisten de intrare. Senzorii Hall se realizeaz n mod
obinuit pe siliciu de tip "n" dac se dorete n principal un pre de cost sczut, sau pe GaAs
pentru dispozitive care funcioneaz la o temperatur a mediului mai nalt, datorit benzii
interzise mai mari a GaAs. Pentru performane ridicate se folosete InAs, InSb, sau alte
materiale semiconductoare cu mobiliti ale purttorilor de sarcin mai mari, ceea ce duce la o
sensibilitate mai mare i posibiliti de rspuns n frecven peste cei 10.-.20 KHz tipici ai
senzorilor Hall pe siliciu (figura 1.14). Compatibilitatea materialului senzorului Hall cu
substratul semiconductor este important dac se dorete integrarea senzorilor Hall cu alte
dispozitive microelectronice de polarizare, amplificare i prelucrare a semnalului [9].

1.3.3. Magnetodiodele
O magnetodiod este constituit dintr-o diod semiconductoare, sau o jonciune pn, cum se
ilustreaz n Fig.1.15. ntr-o magnetodiod, regiunea p este separat de regiunea n printr-o
regiune de siliciu nedopat. Pe partea superioar a siliciului se depune un strat de bioxid de
siliciu, iar pe partea inferioar safir, substrat pe care se construiete senzorul. Dac pe
contactul metalic al regiunii p se aplic un potenial pozitiv, iar pe contactul metalic al regiunii
n se aplic un potenial negativ, golurile din regiunea p i electronii din regiunea n vor fi
injectai n siliciul nedopat. Curentul prin diod este suma curenilor de electroni i goluri,
purttorii de sarcini opuse deplasndu-se n direcii opuse. O parte a purttorilor, n particular
cei care se afl la interfaa Si/SiO
2
sau la interfaa Si/Safir, se vor recombina, ceea ce va
determina o cretere a rezistenei materialului. n absena cmpului magnetic, recombinrile
de la cele dou interfee contribuie la cretere rezistenei. Un cmp magnetic perpendicular
pe direcia de micare a purttorilor de sarcin curbeaz traiectoria lor n sus sau n jos, n
Fig.1.15. Structur de magnetodiod

funcie de sensul cmpului magnetic. Att golurile ct i electronii sunt deflectai n aceeai
direcie, deoarece ei se deplaseaz n direcii opuse. Purttorii de sarcin de la interfaa
Si/Safir au o probabilitate mai mare de recombinare dect cei de la interfaa Si/SiO
2
. Astfel,
dac cmpul magnetic deflecteaz purttorii de sarcin n jos, rezistena materialului va fi mai
mare dect n absena cmpului magnetic, iar dac cmpul magnetic deflecteaz purttorii de
sarcin n sus, rezistena materialului va fi mai mic dect n absena cmpului magnetic.
Rspunsul unei magnetodiode este de circa zece ori mai mare dect rspunsul unui senzor
Hall pe substrat de siliciu [20].
1.3.4. Magnetotranzistorii
Acest senzor, la fel ca i magnetodioda, este un dispozitiv care se poate integra pe substrat
de siliciu. Diferena de construcie dintre tranzistor i magnetotranzistor este aceea c
magnetotranzistorul are doi colectori (figura 1.16). n absena cmpului magnetic cei doi
colectori vor primi aceeai cantitate de sarcini. Dac se aplic un cmp magnetic
perpendicular pe direcia de deplasare a purttorilor de sarcin, acetia vor fi deflectai spre
unul dintre cei doi colectori n funcie de sensul cmpului magnetic. Potenialele celor doi
colectori se cupleaz la intrarea unui amplificator diferenial al crui semnal de ieire va fi
proporional cu intensitatea cmpului magnetic aplicat. Magnetotranzistorul folosete dou
efecte diferite pentru a detecta cmpurile magnetice. Aceste efecte sunt efectul Hall i efectul
Suhl. n cazul efectului Hall, fora Lorentz este compensat de un cmp electric care apare
ntre cei doi colectori, iar efectul Suhl apare cnd fora Lorentz nu este compensat. Aplicarea
unui cmp magnetic extern determin variaia distribuiei purttorilor de sarcin electric ntre
cei doi colectori. Dei ambele efecte au loc simultan, se pot proiecta structuri de
magnetotranzistori la care unul dintre cele dou efecte s fie dominant. n figura 1.17 se
prezint o structur de magnetotranzistor la care efectul Suhl este dominant, structur
cunoscut n literatura de specialitate sub numele de dispozitiv cu transport de domeniu de
purttori. Magnetotranzistorul este de circa 100
de ori mai senzitiv dect magnetodioda.

Fig.1.16. Structur de
magnetotranzistor npn
Fig.1. 17. Seciune transversal printr-o structur de dispozitiv cu
transport de domeniu, care se bazeaz pe efectul Suhl (n acest caz
fora Lorentz nu este compensat de fora creat de cmpul Hall )

2. MAGNETOELECTRONICA
Magnetoelectronica este un domeniu recent investigat i dezvoltat, care combin structuri
magnetice de dimensiuni foarte mici cu electronici semiconductoare convenionale, pentru a
obine dispozitive cu funcionaliti noi sau optimizate [1]. Apariia acestui domeniu a fost
impulsionat de descoperirea i dezvoltarea unor noi materiale. Dei au existat de-a lungul
timpului multe idei i experimente provocatoare i stimulative privind transportul spinului
polarizat, cel mai important impuls n domeniul magnetoelectronicii a fost descoperirea
magnetorezistenei gigant (GMR) n 1988 [2]. Acest capitol debuteaz cu o scurt trecere n
revist a efectelor magnetice tradiionale, cum ar fi efectul Hall i efectul magnetorezistiv,
magnetorezistena colosal (CMR), i continu cu observaii experimentale privind
mecanismul i structura magnetorezistenei gigant.
2.1. Efecte galvanomagnetice care stau la baza proiectrii i
realizrii microsenzorilor de cmp magnetic
Efectele galvanomagnetice iau natere n conductori sau semiconductori n urma interaciunii
purttorilor de sarcin n micare cu cmpul magnetic aplicat i se manifest prin apariia unei
tensiuni electromotoare sau a unui gradient de temperatur paralel cu cmpul magnetic
aplicat (efecte longitudinale) sau perpendiculare pe direcia cmpului magnetic (efecte
transversale). Aceste efecte sunt determinate de rotirea suprafeelor echipoteniale n cmp
magnetic. Intensitatea acestor efecte este maxim atunci cnd cmpul magnetic este
perpendicular pe direcia de deplasare a purttorilor de sarcin, adic pe direcia cmpului
electric. ntr-un sens mai general, efectele galvanomagnetice sunt datorate faptului c, n
anumite materiale, n prezena cmpului magnetic: direciile magnetizaiei i ale densitii de
curent sunt diferite (efectul magnetorezistiv) i/sau direciile densitii de curent i ale
cmpului electric nu coincid (efectul Hall) [10]. Primele materiale utilizate n scopuri practice
au fost semiconductorii, la care densitatea purttorilor de sarcin este mic i deci tensiunea
Hall este ridicat.
2.1.1. Efectul Hall
ISTORIC
Efectul Hall a fost descoperit de Edwin Hall n 1879 cnd si-a susinut lucrarea de diplom la
Universitatea Johns Hopkins sub ndrumarea profesorului Henry A. Rowland [10,11]. n 1930
Landau a artat c din punct de vedere cuantic micarea orbital a electronilor d o
contribuie important la susceptibilitatea magnetic. El a remarcat c energia cinetic
cuantic d o contribuie periodic la susceptibilitatea magnetic. Nivelele Landau i
localizarea lor pot explica satisfctor efectul Hall cuantic ntreg.

Primele msurtori ale conductivitii Hall a stratului de inversie au fost fcute n 1975 de S.
Kawaji i colaboratorii si. Folosind un aranjament experimental diferenial, Klaus von Klitzing
a msurat tensiunea Hall, iar n 1978 Thomas Englert a descoperit platourile Hall.
Cuantificarea conductanei Hall n uniti e
2
/h nu a fost recunoscut pn n februarie 1980.
Cinci ani mai trziu, n 1985, Klaus von Klitzing a primit Premiul Nobel n fizic pentru
descoperirea efectului Hall cuantic. n 1982 D.C. Tsui, H.L. Stormer i A.G. Gossard au
descoperit efectul Hall cuantic fracionar [12]. n 1998 D.C. Tsui i H.L. Stormer au primit
Premiul Nobel n fizic pentru descoperirea efectului Hall cuantic fracionar, pe care l-au
mprit cu R.B. Laughlin, care a fost primul care a explicat teoretic efectul Hall cuantic
fracionar [12].
EFECTUL HALL CLASIC
Dac conductorului i se aplic un cmp magnetic perpendicular, de inducie B
z
, n conductor
este indus un cmp electric transversal, cmpul Hall, E
H
.(figura 2.1) Cele dou cmpuri se
adun vectorial rezultnd un cmp electric total, E, care face unghiul cu direcia curentului.
n acest caz crete i rezistena longitudinal a eantionului, producnd o cdere
suplimentar de tensiune.

Efectul Hall perpendicular este slab n metale. Tensiunea Hall este proporional cu
densitatea curentului i cu inducia cmpului magnetic i invers proporional cu grosimea
plcii conductoare. Tensiunea Hall se determin plecnd de la considerentul c efectul Hall
se datoreaz aciunii forei Lorentz asupra purttorilor de sarcin electric.
( ) B v E
k
+ = q
dt
d
h (2.1)
unde k este vectorul de und, v, viteza purttorilor de sarcin, E intensitatea cmpului
electric, iar B este inducia magnetic.
Dac cmpul magnetic este aplicat n lungul axei z, rezult:
z x z y
z
y x
B v B v
B
v v j i
k j i
B v = =
0 0
0 (2.2)
Fig.2.1. Efectul Hall ntr-o
plac conductoare

*
m
k
v
h
= (2.3)
unde m
*
este masa efectiv a purttorilor de sarcin
( )
z x z y
*
B v B v q
dt
d
m j i E
v
+ = (2.4)
Folosind modelul simplu de mprtiere i notnd cu timpul liber mediu de relaxare, sau
timpul mediu de deplasare al electronilor nainte de ciocnirea cu impuriti, imperfeciuni ale
reelei i fononi, viteza medie de drift a electronilor va fi [13]:
*
d
m
e
=
E
v (2.5)
( )
z x z y
*
B v B v q m j i E
v
+ =
(2.6)
sau, pe componente,
( )
( )
( )
z
*
z
z x y
*
y
z y x
*
x
E
m
q
v
B v E
m
q
v
B v E
m
q
v
=
+
=
(2.7)
y x y
x y x
E
m
q
v B
m
q
v
E
m
q
v B
m
q
v
* *
* *

=
= +
(2.7)
Notm cu
*
c
m
B e
=
frecvena ciclotronic a electronilor. Rezult
( )
(

+
=
(
=
(
y
x
c
c
c
y
x
y
x
y
x
c
c
E
E
m
q
v
v
E
E
m
q
v
v
1
1
1
1
1
2 2 *
*

(2.8)
Densitatea curentului electric este j = -nqv, unde n este concentraia purttorilor, iar q sarcina.
( )
( )
(
(
(
(
(
(
+

+

=
(
(
(
z
y
x
2
c
c
c
2 2
c
*
2
z
y
x
E
E
E
1 0 0
0 1
0 1
1 m
q n
j
j
j
(2.9)
n experiment se poate considera j
y
= 0, deci
c
E
x
+ E
y
= 0, urmnd E
y
= -
c
E
x
. Se obine
astfel:

( )
( )
( )
( )
x
*
2
2 2
c
*
2 2
c x
2
y c x
2 2
c
*
2
x
E
m
q n
1 m
1 E q n
E E
1 m
q n
j

=
+
+
=
+

= (2.10)
Constanta Hall este R
H
=
q n
1
B j
E
z x
y
= , valoarea sa fiind de ordinul 0,510
-10
m
3
/As pentru
metale ca Au sau Cu.
Tensiunea Hall se msoar cu un voltmetru de impedan foarte mare. Aceast tensiune este
proporional cu densitatea de curent i cu inducia cmpului magnetic i invers proporional
cu grosimea plcii semiconductoare :
=
z x H
H
B i R
e (2.11)
n concluzie, efectul Hall se datoreaz forei Lorentz care acioneaz asupra electronilor de
conducie (purttorii de sarcin negativ) care se deplaseaz n plac cu viteza medie v.
Fora deviaz electronii n direcia y, astfel nct pe feele laterale ale plcii se acumuleaz
sarcini, care-i asociaz un cmp electric propriu (cmpul Hall), care va contrabalansa fora
Lorentz. Cmpul Hall are expresia: E
H
= v
x
B
z
.
Explicaia efectului Hall const aadar n aceea c ntr-un metal cruia i se aplic un cmp
electric dup o direcie x, electronii se deplaseaz n sens opus cmpului, iar n drumul lor ei
intr n coliziune cu reeaua cristalin i, la fiecare ciocnire viteza lor scade. Atunci cnd
conductorului i se aplic i un cmp magnetic dup direcia z, parcursul electronilor este
determinat de cmpul electric n direcia x i de fora Lorentz n direcia y. Traiectoria
rezultant ia forma unor arce de cerc ntre momentele i poziiile la care au loc ciocnirile, iar
traiectoria medie adun electronii la una dintre feele laterale ale plcii. Dac cmpul
magnetic este foarte puternic, electronii pot descrie traiectorii circulare, atingnd naintea
urmtoarei ciocniri viteza unghiular = -qB
z
/m
*
, unde m
*
este masa efectiv a electronului.
EFECTUL HALL IN SEMICONDUCTORI
n semiconductori, efectul Hall este generat de schimbrile de traiectorie ale purttorilor
pozitivi de sarcin (golurile) sub influena forei Lorentz.
Pentru semiconductori, care au dou tipuri de purttori de sarcin electric, rezistivitatea va fi:
( ) p n q
p n

+
=
1
(2.12)
iar dac semiconductorul este tip n >>p,

n q
n
1
(2.13)
sau conductivitatea
n q
n

(2.14)

Electronii sunt deviai n cmp magnetic, genernd o tensiune Hall negativ. Fora Lorentz
care acioneaz asupra golurilor este opus celei care acioneaz asupra electronilor, astfel
nct tensiunea Hall corespunztoare este pozitiv. Cea mai cunoscut metod pentru
determinarea concentraiei purttorilor de sarcin este bazat pe efectul Hall. Dac se aplic
cmpul electric de-a lungul axei x, iar cmpul magnetic de-a lungul axei z i considerm
proba semiconductoare de tip p, atunci fora Lorentz va devia golurile spre faa de jos a
probei, lund natere astfel un cmp electric E
y
. Acest cmp electric pe axa y, numit cmp
Hall, echilibreaz fora Lorentz. F
Hall
= - F
Lorentz
, astfel nct j
y
=0. Pornind de la aceast
egalitate se poate deduce expresia constantei Hall.
Cmpul Hall poate fi msurat, fiind dat de:
z x H
y
y
B j R
W
V
E = = (2.15)
Pentru proba reprezentat n figura 2.2, tensiunea Hall se scrie [17]:

z x H H
B I R
W
U =
1
(2.16)
unde U
H
= E
H
d, I
x
= j
x
Wd , iar constanta Hall se exprim astfel:
( )
2
2
2
2
, ,
1
= =
+
= r b
bn p
n b p
q
r R
p
n
H
(2.17)
unde , timpul liber mediu ntre dou ciocniri ale purttorilor, depinde n principal de distribuia
purttorilor dup energii i viteze i de mecanismul de mprtiere. Conform distribuiei
Boltzmann pentru semiconductori nedegenerai, valoarea medie a puterii m a timpului liber
mediu este:
dE
kT
E
E
dE
kT
E
E
m
m
|
.
|
\
|
|
.
|
\
|
=
0
2 / 3
0
2 / 3
exp
exp
, m=1, 2 (2.18)

Fig.2.2. Efectul Hall n plci

=
, 128 / 45 1
, 1
, 512 / 315
, 8 / 3
si
r

n cazul degenerat (metale), r = 1.
De exemplu, R
H
=0 dac p=b
2
n sau dac densitatea purttorilor tinde la infinit [21].
Deoarece n semiconductori concentraia purttorilor este mai mic dect n metale, rezult
c R
H
i tensiunea Hall, U
H
, sunt mai mari la semiconductori dect la metale cu cteva ordine
de mrime. Determinarea constantei Hall i a dependenei sale de temperatur este deosebit
de important n studiul semiconductorilor, permind determinarea concentraiei purttorilor
de sarcin, a energiei de ionizare a impuritilor i a lrgimii benzii interzise. Combinnd
msurtori ale constantei Hall cu msurtori de conductibilitate electric se pot determina
valorile mobilitii Hall a purttorilor.
(2.19)
EFECTUL HALL IN MATERIALE FEROMAGNETICE
Efectul Hall poate fi descompus n doi termeni: primul termen proporional cu intensitatea
cmpului magnetic i al doilea proporional cu magnetizaia. S-a dovedit c raportul dintre
tensiunea Hall i densitatea liniar a curentului ce parcurge eantionul se poate pune sub
forma (E. W. Pugh, 1930) [15]:
M R H R
j
U
1 0
x
H
+ = (2.20)
unde primul termen din membrul drept reprezint efectul Hall normal (ordinar), n vreme ce al
doilea termen reprezint efectul Hall extraordinar. Pentru Ni, valorile constantelor Hall la
temperatura camerei sunt:
R
0
= -0,7610
-10
m
2
/A, respectiv R
1
= -7,4910
-10
m
2
/A [8].
Valoarea constantei R
0
este comparabil cu valorile gsite pentru metalele de tranziie
nemagnetice, Mn i Cu spre exemplu. Ambele constante sunt foarte sensibile la variaiile de
temperatur. Astfel, R
0
crete la nceput monoton cu temperatura, pentru ca apoi, la
temperaturi nalte, s rmn constant, la fel ca n cazul Mn sau Cu. Dimpotriv, constanta
R
1
prezint o variaie anormal, tipic materialelor caracterizate printr-o ordine local de tip
feromagnetic, ceea ce justific numele atribuit efectului - Hall extraordinar. Pentru explicarea
teoretic a efectului, s-a presupus c electronii 3d particip la procesul de conducie electric,
datorit faptului c micarea lor orbital este influenat de interaciunea spin orbit. S-a
gsit c la temperaturi nu prea coborte, coeficientul R
1
este practic proporional cu ptratul
rezistivitii (R
1

2
), dependen bine verificat experimental n cazul aliajelor nichelului. O

H H
R =
pentru mprtiere pe fononi acustici
pentru mprtiere pe impuriti ionizate
pentru mprtiere pe impuriti neutre
pentru mprtiere pe fononi optici la temperaturi mult mai mici
i respectiv mult mai mari dect temperatura Debye

explicaie posibil ar fi aceea c numai electronii 4s particip la procesul de conducie,
micarea lor orbital fiind totui influenat de electronii 3d. Pornind de la aceast ipotez, se
pot de asemenea explica n mod satisfctor caracteristicile efectului, n primul rnd
dependena de temperatur. Cercetri mai recente au stabilit c n straturile feromagnetice
subiri, efectul Hall prezint proprietatea remarcabil de a fi descris de coeficieni Hall diferii
de cei ce caracterizeaz eantioanele masive din aceleai materiale. Acest lucru se
datoreaz distribuiei neomogene a curentului n seciunea stratului, ca i ciocnirilor
nesimetrice ale electronilor de conducie pe suprafaa defectelor coninute n eantion.
2.1.2. Efectul Nernst Ettinghausen
n condiiile msurrii efectului Hall, pe direcia y n afara tensiunii Hall se mai culeg trei
tensiuni corespunztoare efectelor Ettinghausen, Nernst Ettinghausen i Righi Leduc
(Fig.2.3). Efectul Ettinghausen este un efect galvanomagnetic nsoit de un efect termic i
const n faptul c n prezena cmpului magnetic fora Lorentz este echilibrat de cmpul
Hall numai pentru purttorii de vitez egal cu viteza medie. Purttorii cu viteze mai mari
(calzi) sunt deviai de fora Lorentz ntr-un sens, iar cei de viteze mai mici (reci) sunt deviai de
cmpul Hall n sens contrar. Ca urmare, o fa a probei se nclzete, iar cea opus se
rcete, aprnd astfel un gradient de temperatur transversal, pe direcia cmpului Hall,
proporional cu cmpul magnetic i curentul electric, la fel ca i cmpul Hall:
x z E y
j B A T= (2.21)
unde T este temperatura, iar A
E
este constanta Ettinghausen.
Efectul Nernst Ettinghausen este consecina faptului c n lungul curentului (direcia x) se
creeaz un gradient de temperatur (efectul Nernst) datorit cruia exist tendina ca
purttorii s difuzeze din regiunea mai cald spre regiunea mai rece. n prezena cmpului
magnetic acest curent de difuzie a purttorilor conduce la apariia pe direcia y n prob a unui
cmp electric E
yNE
asemntor cmpului Hall:
T B A E
x z NE yNE
= (2.22)
unde A
NE
este constanta Nernst Ettinghausen. Aici gradientul de temperatur joac rolul
curentului j
x.

Fig.2.3. Montaj experimental
pentru determinarea efectului Hall
i efectului Ettinghausen

2.1.3. Efectul Righi Leduc
Efectul Righi Leduc nsoete efectul Nernst Ettinghausen. Aa cum n prezena efectului
Hall datorit unei distribuii dup viteze a purttorilor, apare un gradient de temperatur dup
axa y, dnd astfel natere efectului Ettinghausen, tot aa n prezena efectului Nernst
Ettinghausen datorit existenei unei distribuii dup viteze a purttorilor, apare un gradient
de temperatur transversal care determin efectul Righi Leduc [21]:
T B A T
x z RL y
= (2.23)
unde A
RL
este constanta Righi Leduc.
2.1.4. Efectul magnetorezistiv
Efectul magnetorezistiv face parte din categoria fenomenelor de transport galvanomagnetice
i const n variaia rezistenei electrice a unui metal sau semiconductor n cmp magnetic.
Fenomenul a fost descoperit de lordul Kelvin n 1884 la Fe i Ni. Dac timpul de relaxare
(timpul mediu ntre dou ciocniri ale purttorilor cu reeaua) este mare n comparaie cu
perioada n care purttorul descrie o orbit n cmp magnetic
|
|
.
|
\
|

qB
m
*
, n acest timp particula
nu sufer nici o ciocnire i rezistena electric nu se modific. Dac ns timpul de relaxare
este mai mic dect perioada n care purttorul descrie o orbit n cmp magnetic
|
|
.
|
\
|

qB
m
*
,
atunci are loc o deplasare global a purttorilor de un tip spre o parte lateral a probei. Acest
fapt nu ar trebui s duc la o variaie a rezistenei electrice, deoarece diferena de potenial
Hall echilibreaz aciunea forei Lorentz. Dar, dup cum a artat profesorul erban ieica,
acest echilibru are loc pentru electronii care posed viteza cea mai probabil; ceilali electroni
se abat de la direcia curentului longitudinal ceea ce duce la creterea rezistenei electrice. Se
poate considera c efectul magnetorezistiv se datoreaz faptului c proiecia drumului liber
mediu al purttorilor pe direcia cmpului electric aplicat este mai mic n prezena cmpului
magnetic, care curbeaz traiectoriile electronilor n cristal. Fie
0
lungimea drumului liber
mediu al electronului pe direcia cmpului electric i a curentului, n absena cmpului
magnetic i proiecia drumului liber mediu al electronului pe direcia cmpului electric E n
prezena cmpului magnetic [14, 15]. La unghiuri mici,
=
0
- =
0
(1-cos)
2
0
2
1

deoarece = v, atunci i:
( )
2
0
0
0
0
0
B
2
1
=

Variaia relativ a rezistivitii este proporional cu ptratul induciei magnetice (B
2
). n
aceast tratare simpl nu se ine seama de distribuia dup viteze a purttorilor. Teoria
corect trebuie s ia n consideraie dependena de energie a timpului de relaxare. Deoarece
rezistivitatea se msoar n circuit deschis (prin compensare) atunci, n condiii staionare,
variaia relativ a rezistivitii este dat de [18]:
( )
( )
( )
( )
1
B 1
B
B 1
B 1
2
2
2
2
2
2
2
0

+

+
+

+

(2.24)
unde depinde de mecanismul de mprtiere. Medierile de mai sus se efectueaz cu
formula:
( )
( )

|
.
|
\
|

=
d f
d
f
F
3
2
F
2 / 1
2 / 3
(2.25)
unde f este distribuia Fermi Dirac n cazul degenerat i distribuia Boltzmann n cazul
nedegenerat. Pentru cmpuri slabe B << 1, dezvoltnd n serie 1+ (B)
2
i reinnd termenii
n B
2
, se gsete:
( )
2
2
2 3
2
0
B

(2.26)
Se observ c pentru = constant, /
0
= 0, rezultat valabil numai n cazul suprafeelor
izoenergetice sferice. Pentru cmpuri puternice B >> 1, efectul magnetorezistiv nu depinde
de cmpul magnetic sau de natura materialului, ci numai de mecanismul de mprtiere:
1
1
0

(2.27)
pentru metale, n aproximaia degenerrii totale, = constant i /
0
=0
n aproximaia a doua n degenerare, la cmpuri slabe se obine:
( )
( )
2
2
F
2
*
F 2
0
B
kT
m
e
r
3

|
|
.
|
\
|

(2.28)
iar la cmpuri puternice efectul prezint saturaie:
( )
2
2
F
2
0
B
kT
4
3
r
3

|
|
.
|
\
|
|
.
|
\
|
+

(2.29)
Se vede c la metale efectul magnetorezistiv este slab datorit factorului
1
kT
2
F

|
|
.
|
\
|
,i depinde
de mecanismul de mprtiere prin coeficientul r, fiind n ntregime datorat cmpului magnetic
aplicat n planul structurii. Rezistivitatea metalului crete att n cazul aplicrii cmpului
magnetic longitudinal, ct i pentru cmp magnetic transversal, dar creterea este mai mic n

acest ultim caz. Creterea rezistivitii este proporional cu B
2
pentru cmpuri slabe i devine
liniar pentru cmpuri magnetice puternice. La conductori, unde electronii de conducie
prezint un domeniu mic de dispersie al vitezelor, efectul magnetorezistiv apare ca un efect
secundar alturi de efectul Hall care este efectul principal. Efectul magnetorezistiv n
semiconductoare are dou componente: efectul magnetorezistiv fizic i efectul
magnetorezistiv geometric.
EFECTUL MAGNETOREZISTIV FIZIC
Efectul magnetorezistiv fizic se datoreaz diferenei de vitez a purttorilor de sarcin,
deoarece fora Lorentz nu este aceeai pentru toi purttorii, ea putnd fi mai mare sau mai
mic n funcie de viteza purttorilor. Astfel, se produce o deviaie a purttorilor leni spre
partea superioar a plcii semiconductoare, n vreme ce purttorii rapizi sunt deviai spre
partea inferioar a plcii. Traiectoriile acestor dou tipuri de purttori sunt mai lungi dect
traiectoriile purttorilor de vitez medie, rezultnd de aici o uoar cretere a rezistivitii
materialului:
( )
( )
( )
2
B r 1
0
B

=
(2.30)
EFECTUL MAGNETOREZISTIV I MAGNETOCALORIC GEOMETRIC
Efectul magnetorezistiv geometric se datoreaz diferenei dintre lungimea i limea plcii.
ntr-adevr, dispozitivul Hall standard const dintr-o plac semiconductoare dreptunghiular,
la care contactele ce servesc la injectarea curentului se ntind pe toat lungimea plcii, L, n
vreme ce contactele Hall se afl pe limea W. Pentru o lungime a plcii L 4W, mrimea
cmpului Hall produs este astfel nct fora exercitat de acest cmp asupra purttorilor
echilibreaz fora Lorentz. n acest caz nu exist efect magnetorezistiv. Recent, un grup de
cercettori de la Institutul de Cercetare NEC din Princeton, SUA a artat c efectele
geometrice determin o magnetorezisten deosebit de mare, o magnetorezisten
extraordinar n structuri nemagnetice neomogene formate din aur i antimoniu de indiu [24].
La temperatura camerei, magnetorezistena extraordinar a unor asemenea materiale
nemagnetice este mult mai mare dect a unor materiale magnetice, inclusiv cele care prezint
magnetorezisten gigant sau magnetorezisten colosal. Joseph Heremans i colaboratorii
si de la Laboratoarele de Cercetare Delphi din Michigan, au artat c exist o contribuie
semnificativ a geometriei la aa numitul raport termic, care descrie cderea de potenial
determinat de gradientul termic ntre dou contacte 1 i 2 (Fig.2.4):
( )
1 2
1 2
T T
V V
T
=
(2.31)
unde T este temperatura medie. Raportul magnetotermic (T,H) include de asemenea efectul
cmpului magnetic asupra raportului termic. Acest efect a fost numit magnetotermic geometric
i se anticipeaz c acest efect va avea un impact semnificativ asupra materialelor

termoelectrice folosite ntr-un numr de aplicaii de nclzire sau rcire, incluznd navele
spaiale i refrigeratoarele n cascad. Aceste dispozitive pot nlocui sistemele mecanice de
aer condiionat n automobile unde greutatea i eficiena sunt parametri critici. Pentru a
nelege cum geometria unui dispozitiv afecteaz raportul magnetotermic trebuie s ne
amintim cum forma i poziia contactelor schimb magnetorezistena dispozitivului la
temperatur uniform. Dac curentul electric curge n direcia pozitiv a axei x, ntre dou
contacte aflate la capetele unei bare semiconductoare lungi, ca n figura 2.4, iar cmpul
magnetic acioneaz dup axa y, fora Lorentz care acioneaz asupra sarcinilor n micare n
cmp magnetic determin deplasarea sarcinilor spre una dintre feele barei pe axa z.
Rezultatul este un exces de electroni pe una din feele barei, care produce un cmp electric n
sensul negativ al axei y, cunoscut sub numele de cmp Hall. Cmpul Hall produce o for
care se opune forei Lorentz. Dac toi purttorii se deplaseaz cu viteza cea mai probabil,
cum este cazul metalelor nemagnetice, atunci efectul magnetorezistiv este minim sau chiar
nul. Pentru ca efectul magnetorezistiv s apar se impune ca purttorii de sarcin s prezinte
o distribuie dup viteze. Dac L<< W, traiectoriile curentului reprezint scurtcircuite pentru
tensiunea Hall. ntr-o asemenea situaie, cmpul Hall scade i fora asociat lui nu mai
echilibreaz fora Lorentz. Traiectoria medie a purttorilor este mai lung, ceea ce se traduce
printr-o rezistivitate mrit a materialului. Aceast traiectorie este mult mai nclinat n raport
cu axa x n vecintatea contactelor curentului. Unghiul de nclinare se obine considernd
ntreaga tensiune Hall scurtcircuitat:
z
x
H
B
E
E
tg = = (2.32)
unde E
x
este cmpul asociat curentului, iar cmpul Hall se scrie sub forma:
z x H H
B j R E = (2.33)
Densitatea de curent pe direcia x a unui semiconductor de tip n este:
x x x
E q n E j = = (2.34)
n prezena unui cmp magnetic, rezistivitatea materialului se mrete de 1/cos
2
ori. Pentru
unghiuri mici, modificarea rezistivitii va fi:
( ) ( ) ( ) ( ) ( )( )
2
z
2 2
B a 1 0 tg 1 0 B + + = (2.35)

Fig.2.5. Efectul magnetocaloric ntr-o plac semiconductoare subire

Pentru L<< W avem a = 1 i efectul magnetorezistiv geometric este maxim, n timp ce pentru
L W rezult a = 0 i efectul magnetorezistiv dispare. S vedem ce se ntmpl n cazul
discului Corbino realizat dintr-un semiconductor cu contacte concentrice pe interiorul i
exteriorul suprafeei cilindrice, ca n figura 2.5. n aceast geometrie, fora Lorentz mpinge
electronii ctre contactul exterior. Sarcina n exces apare pe un conductor, astfel nct discul
Corbino poate avea o magnetorezisten mare deoarece cmpul Hall nu se produce.

Dup cum s-a observat, mobilitatea purttorilor joac un rol important, efectul magnetorezistiv
fiind mai mare la semiconductori cu mobilitate mare, cum sunt InSb i InAs, dar pentru a fi
eficace ca dispozitive magnetorezistive, tensiunea Hall trebuie scurtcircuitat. Acest lucru se
poate realiza

utiliznd o geometrie special pentru plcu, i anume discul Corbino, la care
simetria circular a contactelor de curent previne apariia tensiunii Hall. Presupunem c
folosim o bar scurt asemntoare celei din figura 2.3, n locul celei lungi. n acest caz,
sarcina n exces va scurtcircuita tensiunea Hall. Aceast bar funcioneaz ca i discul
Corbino i are de asemenea o magnetorezisten mare. O alt soluie constructiv const n
montarea n serie a mai multor plcue de lungime mult mai mic dect limea, L<< W, astfel
nct zonele de nclinare a liniilor de curent s ocupe practic toat plcua.

50 100 150 200 250 300
-500
0
500
1000
1500
B=0
B=1.8T
(
T
,
H
)

(

V

K

-
1

)
T (K)
50 100 150 200 250 300
-400
-200
0
200
400
600
B=0
B=1.8T

(
H
,
T
)

(

V

K

-
1

)
T (K)
Fig. 2.6. Variaia raportului
magnetotermic cu temperatura
pentru bara foarte lung i ngust
Fig. 2.7. Variaia raportului magnetotermic
cu temperatura pentru discul Corbino.
Fig.2.5. Efectul magnetorezistiv geometric n discul Corbino

Dac apare un gradient de temperatur ntre contactele de la capetele barei, att electronii
ct i golurile devin purttori activi de sarcin. Dac dispozitivul este un circuit deschis, nu
exist un cmp electric n material, atunci gradientul de temperatur va determina att
electronii ct i golurile s difuzeze n direcia pozitiv a axei x spre regiunea de temperatur
mai mic. n prezena cmpului magnetic transversal, fora Lorentz va deplasa electronii i
golurile pe fee opuse ale barei, rezultnd sarcini n exces care determin apariia unui cmp
electric pe direcia pozitiv a axei y. Acest fenomen este cunoscut sub numele de efect Nernst
transversal. n bara scurt i n discul Corbino, sarcina n exces asociat efectului Nernst
transversal scurtcircuiteaz tensiunea dintre contactele conductive n acelai fel n

care
scurtcircuiteaz tensiunea Hall. Efectul Nernst transversal are aceeai influen asupra
raportului magnetotermic ca i scurtcircuitarea tensiunii Hall asupra magnetorezistenei.
Folosind un semiconductor tip p (antimoniu de indiu), n care electronii sunt purttori
minoritari, Heremans i colaboratorii [24] au produs bare scurte, L<< W, i structuri n care
efectul magnetotermic geometric este foarte puternic, cum se vede i din graficele din figurile
2.7 i 2.8.

Cmpul magnetic schimb semnul raportului
magnetotermic (T, B) n acelai domeniu de
temperaturi. Aceste rezultate dovedesc apariia
efectului magnetotermic geometric.

Fig. 2.8 Liniile de curent pentru dispozitivul format dintr-un semiconductor dreptunghiular cu
metal n mijloc. Contactele pentru curent sunt pe stnga i pe dreapta semiconductorului.
Fig. 2.10. Variaia magnetorezistenei
extraordinare n funcie de raportul
dimensional al semiconductorului i
metalului implantat, pentru diferite
valori ale induciei magnetice.
Fig. 2.9. Senzor cu magnetorezisten
extraordinar

Un alt dispozitiv foarte interesant este cel obinut dintr-un disc semiconductor (InSb), cruia i
se depune metal intr-o cavitate gravat n mijlocul discului prin tehnic mesa. Metalul
acioneaz ca un scurt circuit, deoarece cea mai mare parte a curentului trece prin metal
astfel nct rezistena metalului este mai mic dect rezistena semiconductorului. Densitatea
de curent este perpendicular pe cmpul electric (j E). Dac cmpul electric este
perpendicular pe suprafaa metalului, densitatea de curent este tangenial la suprafaa
metalului. La cmpuri magnetice mari, curentul este constrns s curg n jurul discului
metalic, metalul acionnd ca un circuit deschis i rezistena total devenind foarte mare.
Tranziia de la starea de rezisten mic (H = 0) la starea de rezisten nalt (H > 1/) este
determinat de cmpul magnetic, care este originea magnetorezistenei. Deoarece H=1,
este de dorit folosirea unui semiconductor cu mobilitate ridicat a purttorilor de sarcin.
Magnetorezistena fizic este observabil la cmpuri magnetice mari, dar magnetorezistena
geometric se observ i la cmpuri magnetice mici. n cazul unui disc van der Pauw cu o
neomogenitate de Au n mijloc, s-a observat la temperatura camerei o magnetorezisten
gigant de 100% la 0,005 T i 9100% la 0,25 T i 1000000% la 5T (figura 2.10) [9].
EFECTUL MAGNETOREZISTIV IN MATERIALE FEROMAGNETICE
Efectul magnetorezistiv poate fi de asemenea separat n doi termeni: unul proporional cu
magnetizaia spontan a materialului i al doilea legat de rotaia momentelor magnetice.
Dependena de temperatur a rezistivitii nichelului este reprezentat de o curb care are un
punct de inflexiune n punctul Curie (curba este concav pn n punctul Curie i apoi
convex). Forma acestei curbe poate fi justificat n cadrul a dou teorii diferite. Mott (1936) a
explicat-o pornind de la probabilitatea ca electronii de conducie 4s s ocupe nivelele
energetice 3d. Dac temperatura materialului este inferioar punctului Curie, deci materialul
este ordonat feromagnetic, jumtate din nivelele 3d sunt ocupate, astfel nct migrarea
electronilor 4s spre nivelele 3d (de spin pozitiv) este exclus. Migraia devine ns posibil n
starea paramagnetic a materialului, cnd strile de spin pozitiv i/sau negativ ce corespund
nivelelor 3d superioare rmn vacante. Kasuya (1956) a interpretat fenomenul avansnd
ipoteza c dependena de temperatur a rezistivitii este o funcie de doi termeni. Primul
termen reprezint efectul vibraiilor termice ale reelei i crete monoton cu temperatura. Cel
de-al doilea termen, anormal, se datoreaz urmtorului mecanism: s presupunem c
electronii feromagnetici 3d sunt localizai n nodurile unei reele i c interaciunea lor cu
electronii de conducie 4s este o interaciune de schimb. La T = 0, spinii electronilor 3d sunt
paraleli, astfel nct cmpul electric n care se mic electronii de conducie are caracter
periodic. Dimpotriv, la temperaturi 0<T< T
C
, spinii electronilor 3d sunt perturbai termic, ceea
ce conduce i la perturbaii n periodicitatea potenialului. Aceste neregulariti produc o
dispersie suplimentar n micarea electronilor de conducie, fapt care are drept consecin

creterea rezistivitii materialului. S-a mai menionat c rezistivitatea unui material poate fi
modificat prin aplicarea unui cmp magnetic suficient de puternic, ceea ce duce la creterea
magnetizaiei spontane a materialului; acesta este primul termen al efectului magnetorezistiv.
Rezistivitatea se msoar ntotdeauna n lungul liniilor de curent, pentru un cmp magnetic
aplicat paralel i, respectiv, perpendicular pe aceast traiectorie. n domeniul cmpurilor
puternice, cele dou rezistiviti scad la creterea cmpului, ceea ce duce la o cretere
suplimentar a magnetizaiei spontane. Conform teoriei lui Kasuya, un cmp foarte puternic
atenueaz ntr-o oarecare msur neregularitile potenialului produse de agitaia termic a
electronilor 3d, astfel nct probabilitatea de ciocnire a electronilor 4s este sensibil redus.
Mrimea efectului magnetorezistiv depinde de mrimea i direcia cmpului aplicat, dar i de
orientarea magnetizaiei spontane n raport cu direcia curentului. Pentru un eantion
feromagnetic cu structur multidomenial, cmpul extern poate alinia momentele magnetice
paralel sau perpendicular pe direcia curentului. Rezistivitile respective, msurate n lungul
traiectoriei curentului, sunt
II
i
,
care reprezint rezistivitatea tangent i respectiv
perpendicular pe traiectoria curentului. Maximul diferenei lor, =
II
-
este numit
magnetorezisten anizotrop. Mrimea /
0
, unde
3
II
0

= este rezistivitatea
izotrop a eantionului demagnetizat n cmp nul, este numit raport magnetorezistiv
anizotrop (raport AMR). Acest raport descrie cantitativ efectul magnetorezistiv:
0 0

II
(2.35)
Atunci cnd cmpul se aplic sub unghiul fa de direcia curentului, rezistivitatea anizotrop
a eantionului rezult din ecuaia Voigt Thomson:
() =
II
cos
2
+
sin
2
(2.36)
care se mai poate pune sub forma:
() =
0
+ cos
2
(2.37)
Variaia n cos
2
a rezistivitii conduce la o caracteristic a raportului AMR n funcie de
cmpul magnetic de form parabolic, cu vrful n origine. Rezistena cea mai mare a filmului
feromagnetic (de permalloy) se obine atunci cnd curentul este paralel cu vectorul
magnetizaie. Dac cmpul magnetic se aplic perpendicular pe suprafaa filmului, vectorul
magnetizaie se va roti i se schimb unghiul . Aceasta determin variaia rezistenei i
produce un potenial de ieire. Spre deosebire efectul Hall, care este uor de explicat n
termenii fizicii clasice, efectul de magnetorezisten anizotrop este fundamental un efect
cuantic. n materiale nemagnetice efectul Hall se numete ordinar, pentru a-l deosebi de
efectele galvanomagnetice mai puternice (extraordinare), care apar n metalele
feromagnetice, deoarece cmpului magnetic extern i se substituie un cmp magnetic intrinsec

proporional cu magnetizaia, care este mult mai puternic dect un cmp magnetic aplicat.
Mecanismul prin care cmpul intern microscopic asociat cu vectorul magnetizaie cupleaz cu
densitatea de curent se datoreaz interaciilor spin orbit dintre traiectoriile electronilor
(orbite) i magnetizaie (spin). Magnetorezistena anizotrop (AMR) apare n orice metal
feromagnetic (FM), i se definete ca variaia rezistivitii cu unghiul dintre curentul electric i
cmpul magnetic reprezentat prin vectorul magnetizaie (M) n stratul de permalloy (figura
2.11)

Proprietile electrice ale stratului de permalloy depind puternic de relaia dintre vectorul
magnetizaie (M) i curentul care parcurge filmul. Rezistena filmului este maxim atunci cnd
curentul electric este paralel cu vectorul M. Dac se aplic un cmp magnetic extern
perpendicular pe suprafaa filmului, vectorul M se va roti i i va schimba unghiul. Aceasta va
impune rezistenei o variaie astfel nct s produc o tensiune de ieire. Variaia
magnetorezistenei cu unghiul este prezentat n figura 2.13. Efectul AMR extraordinar i
are originea n mrimea cmpului magnetic intern proporional cu magnetizaia, care este mult
mai puternic dect cmpul magnetic extern aplicat. Proprietile magnetorezistive anizotrope
se manifest numai atunci cnd domeniile magnetice sunt aliniate in aceeai direcie
(Fig.2.12). Aceast configuraie asigur o sensibilitate mare si un histerezis minim. In timpul
fabricaiei, filmul se depune intr-un cmp magnetic foarte puternic, care determin orientarea
vectorului magnetizaie, M, in rezistorii de permalloy, de preferat fiind orientarea in lungul axei
uoare. Anizotropia fundamental a efectului magnetorezistiv poate fi explicat prin
deformarea asimetric a orbitalilor 3d. ntr-adevr, considernd un sistem de spini ordonai
feromagnetic i orientai de un cmp magnetic exterior, electronii de conducie vor suferi mai
multe ciocniri pe direcia cmpului dect n lungul direciei perpendiculare pe cmpul
magnetic. n cazul materialelor cu magnetostriciune pozitiv nu exist suprapunere de
orbitali, n vreme ce la materialele cu magnetostriciune negativ suprapunerea este evident
[9].

Fig. 2.11. Orientarea vectorului magnetizaie ntr-un
strat subire de permalloy n absena i n prezena
cmpului magnetic. Vectorul magnetizaie al filmului
de permalloy este puternic influenat de cmpul
magnetic aplicat. Rezistena filmului se schimb n
funcie de unghiul dintre vectorul magnetizaie i
curentul care trece prin rezistor.
Fig.2.12. Stratul subire de permalloy n
absena cmpului magnetic extern
prezint o orientare aleatoare a
magnetizaiilor domeniilor, iar n prezena
cmpului magnetic se orienteaz n
direcia cmpului extern.

Efectul magnetorezistiv este puternic influenat de structura de domenii a eantionului.
Aceast influen este totui mai slab atunci cnd structura de domenii este regulat.
Proprietile efectului magnetorezistiv anizotrop se manifest mai pregnant atunci cnd
domeniile magnetice sunt aliniate n aceeai direcie.

Rezistena filmului este maxim atunci cnd curentul este
paralel cu direcia vectorului magnetizaie. Un cmp
magnetic aplicat perpendicular pe eantion determin o
rotire a vectorului magnetizaie cu unghiul . Aceasta
determin o variaie a rezistivitii. n figura 2.13 se prezint schimbarea rezistivitii
feromagnetului n funcie de unghiul dintre direcia curentului i direcia magnetizaiei. Dac
curentul este paralel cu vectorul magnetizaie schimbarea rezistentei este maxim. Cnd
curentul face un unghi de 90 cu vectorul magnetizaie, rezistena este minim. n cazul
straturilor subiri, dac anizotropia magnetic uniaxial perpendicular este mai puternic
dect anizotropia de form, magnetizaia spontan se orienteaz normal pe planul stratului, n
caz contrar ea este coninut n planul stratului magnetic. Prezena unui cmp magnetic
exterior poate impune magnetizaiei spontane o orientare diferit de cele dou poziii limit
considerate anterior.
EFECTE MAGNETOREZISTIVE IN STRUCTURI MULTISTRAT
Multistraturile metalice constnd din straturi alternativ FM (feromagnetice) i NFM
(neferomagnetice) pot prezenta variaii mari (10%-80%) ale rezistenei lor electrice cnd se
aplic un cmp magnetic [8;15]. Un alt parametru important, utilizat pentru caracterizarea
comportrii magnetorezistive, este cmpul magnetic de saturaie, care reprezint intensitatea
cmpului magnetic aplicat pentru a obine raportul magnetorezistiv. Grosimea fiecrui strat de
metal este cuprins ntre 1,5 nm i 4 nm. n starea iniial (nu exista cmp magnetic extern),
exist o structura domenii aliniat antiparalel, impunnd mprtierea unor electroni de
conducie pe suprafeele stratului, ceea ce determin o cretere puternic a rezistenei [14,
16]. n conductorii nemagnetici numrul electronilor cu spin sus este egal cu numrul
electronilor cu spin jos n toate nivelele energetice. n cazul materialelor feromagnetice,
datorit interaciei de schimb exist o diferen ntre numrul electronilor cu spin jos i
numrul electronilor cu spin sus n banda de conducie [22, 23, 24].
Magnetorezistena gigant apare n multistraturi alternante de metale magnetice i
nemagnetice. Un alt parametru major folosit pentru a caracteriza magnetorezistena gigant
Fig.2.13. Schimbarea rezistentei stratului
de permalloy in funcie de unghiul dintre
direcia curentului si direcia magnetizaiei,
aa cum este definita in figura 2.10.

este determinat de faptul c intensitatea cmpului magnetic de saturaie mbuntete
raportul GMR. n absena cmpului magnetic exist o structur de domenii aliniat antiparalel,
care determin mprtierea electronilor de conducie pe suprafeele straturilor, ceea ce
conduce la o cretere important a rezistenei. Magnetorezistena gigant observat n
structurile multistrat apare datorit dependenei rezistivitii de configuraia cmpului magnetic
intern. Pentru ca magnetorezistena gigant s fie observat, cmpul magnetic extern trebuie
s schimbe momentele magnetice interne ale straturilor magnetice. Rolul cmpului magnetic
extern este deci acela de a schimba configuraia cmpului magnetic intern. Dac straturile
sunt cuplate feromagnetic (pinhole coupling), cmpurile ordinare nu pot s roteasc
magnetizaia unui strat fa de altul i GMR nu apare. Din acest motiv este necesar
separarea regiunilor magnetice unele fa de altele astfel nct s fie posibil reorientarea
magnetizaiilor lor.
Mecanisme GMR
Magnetizaiile straturilor magnetice vecine separate de un strat ne-feromagnetic sunt aliniate
spontan feromagnetic sau antiferomagnetic, funcie de grosimea stratului nemagnetic.
Mecanismul fizic responsabil pentru oscilaia cuplrii de schimb se crede a fi polarizarea
spinului electronilor de conducie explicat de modelul RKKY (Ruderman, Kittle, Kasuya, i
Yosida). Modelul RKKY clarific relaia dintre perioadele de oscilaie i structura electronic a
sistemului considerat. Se ilustreaz c propagarea electronilor ntre straturile magnetice prin
stratul nemagnetic ne-feromagnetic este responsabil de cuplare i determin perioada de
oscilaie. n figura 2.14 se prezint o reprezentare schematic a transportului electronilor.
Conductivitatea metalului este proporional cu drumul liber mediu al electronilor de
conducie. Iniial, electronii coninui n cele dou straturi subiri magnetice au spinii polarizai
n direcii opuse. Dac grosimea stratului magnetic este de 4 nm, iar a stratului nemagnetic de
2 nm, aceste mrimi sunt mult mai mici dect drumul liber mediu al electronilor de conducie
n volumul materialelor magnetice (22 nm pentru NiFeCo). Acest fapt determin mprtierea
electronilor pe suprafeele straturilor magnetice ntr-o msur mai mare dect mprtierea n
volum, i determin conductivitatea acestui tip de structur. Fie cazul cnd nu se aplic un
cmp magnetic extern. Electronii de pe suprafaa superioar i inferioar a straturilor
magnetice au spinii polarizai n sensuri opuse. Cea mai mare parte a conduciei are loc n
stratul nemagnetic, deoarece rezistena lui este mult mai mic dect cea a metalelor
feromagnetice. Dac un curent destul de mic este indus n material, unii dintre electronii
stratului magnetic inferior vor avansa la limita cu inter-stratul nemagnetic. Dac stratul
nemagnetic are o reea atomic cu puine defecte n comparaie cu metalul feromagnetic,
electronii vor trece prin zona de interfa ntre metalul nemagnetic i feromagnet, cu o
probabilitate mic de a fi mprtiai. O parte a electronilor va ajunge la limita dintre metalul

nemagnetic i stratul feromagnetic superior; acetia vor avea o probabilitate mare de
mprtiere dac electronii stratului magnetic superior au spinii polarizai n sens opus. Dac
frecvena de mprtiere este mare, drumul liber mediu al electronilor este mic, astfel
conductivitatea este mic. Se creeaz o stare de rezisten electric mare (figura 2.14). Dac
se aplic un cmp magnetic extern suficient de puternic n direcia unuia dintre straturile
feromagnetice, direcia magnetizaiei celuilalt strat feromagnetic se va roti astfel nct ambele
momente devin paralele. Aceasta face ca polarizaiile spinilor electronilor din stratul
feromagnetic inferior i cel superior s fie identice. Dac se induce un curent n momentul
aplicrii cmpului magnetic, electronii din straturile magnetice vor fi mult mai stimulai s
treac peste stratul nemagnetic, deoarece toi electronii au spinii polarizai n acelai sens, iar
frecvena de mprtiere este mic. Aceasta crete efectiv drumul liber mediu al electronilor
de conducie i, implicit conductivitatea materialului, astfel nct rezistena este mic. Dac
straturile magnetice sunt magnetizate paralel, drumul liber mediu al majoritii electronilor este
mult mai lung n multistraturi. Probabilitatea ca un electron s fie mprtiat cnd trece n
conductorul feromagnetic depinde astfel att de orientarea spinului lui ct i de orientarea
magnetizaiei stratului. Rezistena celor dou straturi feromagnetice separate de un strat
subire conductor nemagnetic se schimb dac cele dou straturi feromagnetice sunt
magnetizate paralel sau antiparalel. Straturile cu momente magnetice paralele vor avea
mprtieri mai puine la interfaa cu metalul nemagnetic, drumul liber mediu va fi mai mare i
rezistivitatea mai mic. Straturile cu momente magnetice antiparalele vor avea mprtieri mai
numeroase la interfaa cu metalul nemagnetic, drumul liber mediu va fi mai mic i
rezistivitatea mai mare. mprtierea dependent de spin este un fenomen cuantic n care
drumul liber mediu al electronilor n conductorii magnetici, i deci rezistivitatea lor, este
afectat de orientarea relativ a spinilor electronilor de conducie i momentul magnetic al
materialului magnetic. Dac se aplic o diferen de potenial, electronii de conducie sunt
accelerai de cmpul electric. Ei sunt mprtiai frecvent i i pierd momentul, deci vitezele
medii vor fi mai mici i implicit curentul mai slab. mprtierea poate avea loc n volum sau la
suprafa. Rezistivitatea straturilor subiri poate fi considerabil mai mare dect rezistivitatea de
volum dac grosimea stratului este mai mic dect drumul liber mediu al electronilor de
conducie. Pentru ca mprtierea dependent de spin s contribuie semnificativ la
rezistivitatea total, straturile trebuie s fie mai subiri dect drumul liber mediu al electronilor
n volumul materialului. Cele mai multe materiale feromagnetice au drumul liber mediu de
civa nanometri, astfel nct grosimea uzual a straturilor este mai mic de 10 nm. n figura
2.14 se ilustreaz schematic motivul pentru care raportul GMR este mult mai mare pentru
structura multistrat dect pentru o structur sandwich simpl. Dac straturile magnetice sunt
magnetizate paralel, drumul liber mediu al majoritii electronilor este mult mai lung n
multistraturi.

n practic structura GMR multistrat este depus att cu o rugozitate a interfeei, ct i cu o
inter-mixare chimic a straturilor, i/sau o densitate mare de defecte, astfel nct electronii vor
fi mprtiai la interfaa magnet / nemagnet i/sau pe defecte i efectul GMR poate disprea
sau are nevoie de cmpuri foarte mari pentru a fi iniiat. Rugozitatea interfeei determin
cuplarea Nel, mprtierea electronilor i slbirea cuplajului antiferomagnetic, care duc
mpreun la deteriorarea proprietilor GMR. Rugozitatea stratului nemagnetic poate duce la
apariia unui cuplaj magnetic n coaj de portocal (Fig.2.15), nedorit ntre structurile
magnetice multistrat, ntruct schimb punctul de polarizare i reduce sensibilitatea [136].

Grosimea straturilor nemagnetice se alege astfel nct cuplarea straturilor magnetice s fie
antiparalel. Un cmp magnetic extern va roti toate direciile de magnetizare spre o
configuraie paralel, astfel nct rezistena se reduce. Acest efect este independent de
direcia cmpului magnetic neglijnd cmpurile anizotrope (care sunt de obicei mici). n
concluzie, efectul magnetorezisten gigant este fenomenul care face ca rezistena unor
structuri multistrat magnetice s scad dramatic cnd se aplic un cmp magnetic. Acesta
este analog unui experiment de polarizare n care polarizorii aliniai permit trecerea luminii, pe
cnd polarizorii ncruciai nu permit trecerea luminii. Primul strat magnetic permite
electronilor cu o anumit stare de spin s treac uor, iar dac al doilea strat magnetic este
aliniat cu primul, permite i el electronilor s treac uor se creeaz un canal de spin prin
structur, i rezistena scade. Dac al doilea strat magnetic nu este aliniat fa de primul nu
se mai poate crea canalul de spin, electronii sunt reflectai de al doilea strat magnetic i
rezistena electric crete. Aceasta este ilustrat n figura 2.14. Altfel spus, structura de benzi
a feromagnetului este despicat, astfel nct densitatea de stri nu este aceeai pentru
electronii cu spinul n sus i cei cu spinul n jos pentru acelai nivel Fermi. Conform regulii de
aur a lui Fermi, vitezele de mprtiere sunt proporionale cu densitatea de stri, astfel nct
vitezele de mprtiere sunt diferite pentru electroni cu orientare diferit a spinului. Aceste idei
au fost folosite nainte de anul 1936 de ctre Sir Neville Mott pentru a explica scderea
rezistivitii metalelor feromagnetice atunci cnd erau rcite sub temperatura Curie. Msura
Fig. 2.14. Reprezentarea schematic a
transportului electronilor ntr-o structur
multistrat n absena (a) i n prezena
(b) cmpului magnetic
Fig. 2.15. Cuplajul magnetic
datorit rugozitii interfeei (a) i
datorit rugozitii att a interfeei
ct i a suprafeei (b).

efectiv a magnetorezistenei gigant este diferena unghiurilor celor dou magnetizaii ale
straturilor magnetice. Unghiurile mici (aliniere paralel) dau o rezisten mic, iar unghiurile
mari (aliniere antiparalel) dau o rezisten mare. Este uor de produs starea n care ambele
straturi magnetice au magnetizaiile paralele de exemplu, prin aplicarea unui cmp magnetic
suficient de puternic pentru a magnetiza la saturaie ambele straturi. Pentru a realiza starea
antiparalel se pot folosi trei idei de baz: cuplajul antiferomagnetic, coercitiviti diferite i
schimbarea polarizrii [136].
1. Cnd un strat intermediar nemagnetic foarte subire se intercaleaz ntre dou straturi
magnetice, cuplarea celor dou straturi oscileaz. Cu alte cuvinte, pentru valori bine stabilite
ale grosimii stratului nemagnetic magnetizaiile straturilor vecine se vor aeza n sensuri
opuse. Prin aplicarea unui cmp magnetic destul de puternic magnetizaiile straturilor
magnetice pot fi obligate s se alinieze n direcia cmpului. n acest caz se pot obine dou
stri de rezisten diferit. Este posibil realizarea unor structuri multistrat numite superreele,
care funcioneaz pe acest principiu ele pot fi eantioane n care

un strat magnetic i unul
nemagnetic se repet de un numr oarecare de ori, de exemplu Co/Cu.

n figura 2.16 se prezint raportul GMR pentru 100 perechi
Co/Cu la 4,2 K (curba roie) i la temperatura camerei
(curba albastr). La temperatura camerei raportul GMR este de aproximativ 75%. Cnd
straturile sunt cuplate feromagnetic raportul GMR este zero. Este posibil ca electronii cu spin
apropiat s treac prin multe straturi magnetice aliniate i s aib un drum liber mediu foarte
mare. Aceasta se ntmpl cnd straturile au magnetizaii paralele. Aplicaiile pentru senzori
cer ca magnetorezistena s fie mare, ceea ce nseamn c straturile cu magnetizaii paralele
nu sunt potrivite pentru senzori. Pentru aplicaii n dispozitive, materialele trebuie s aib un
raport GMR mare, un cmp de saturaie mic, o dependen liniar, o slab dependen de
temperatura mediului ambiant i stabilitate termic n secvena pailor de proces i folosire
(figura 2.17). Dei au fost descoperite multe sisteme multistrat care prezint efect GMR,
eforturile de a configura noi sisteme de materiale care s optimizeze performanele
dispozitivelor sunt nc incipiente. De exemplu, schimbrile compoziiei materialului,
arhitectura straturilor i condiiile de depunere pot influena puternic proprietile GMR prin
efecte nc neexplicate.
Fig. 2.16. Raportul GMR pentru
100 perechi de straturi subiri
Co/Cu la temperatura 4,2 K (curba
marcat cu ptrate) i la
temperatura camerei (curba
marcat cu cercuri).

2. Dac se folosesc dou materiale diferite, cu cmpuri de comutare diferite, apoi se aplic un
cmp magnetic de sens opus magnetizaiei unuia dintre straturi, unul dintre straturi va comuta
naintea celuilalt, obinnd astfel aliniamentul antiparalel dorit. Se poate folosi structura:
Co/Cu/NiFe/Cu. Aceste tipuri de structuri pot fi numite valve de spin.
3. Exist structuri la care unul dintre straturi se mic n cmp, n timp ce cellalt nu, acesta
din urm fiind folosit ca moment magnetic de referin. Este posibil s se schimbe cuplajul
unei perechi de straturi magnetice printr-un alt strat de material antiferomagnetic. n diagrama
din figura 2.18 se folosete un strat de FeMn pentru fixarea magnetizaiei stratului de Co
ntr-o direcie determinat. Acest strat este folosit ca strat de referin. Stratul de NiFe, care
este magnetic moale, poate fi aliniat paralel sau antiparalel de cmpuri destul de slabe.
Stratul de cupru este destul de gros pentru a stopa cuplarea magnetic ntre straturile
magnetice. Straturile de Ta sunt folosite ca tampon (pentru a da o suprafa bun pentru
depunere sau cretere) i ca strat de protecie mpotriva oxidrii structurii n aer. Magnetizaia
stratului de Co este fixat de ultimul strat de spini ai antiferomagnetului, nefiind afectat de
cmpurile slabe aplicate n aceast direcie. Aceasta nseamn c exist efectiv un cmp
magnetic local aplicat stratului fixat, determinnd saturarea sa n cmpuri nule. Aceste
structuri sunt foarte sensibile la cmpuri magnetice i se folosesc intens n industria
nregistrrilor magnetice pentru hard discurile de mare densitate i capetele de nregistrare.
Alte aplicaii includ busolele, senzorii de
rotaie n frnele ABS i senzorii de
curent pentru electrometre.

n practic GMR se msoar de obicei cu curentul n plan, n lungul straturilor este uor de
pus dou ferestre de contact pe diferite pri ale filmului i de msurat rezistena dintre ele
cnd variem cmpul magnetic aplicat. Se pare c cel mai bine este ca msurtorile s se fac
cu curentul perpendicular pe planul straturilor, astfel nct fiecare electron s treac prin
fiecare strat. n practic este dificil de realizat contacte electrice pe feele unui strat metalic
gros de aproape 0,1 m.
Fig. 2.18. Structur cu valv de spin
Fig.2.17 . Oscilaia raportului GMRn funcie de
grosimea stratului intermediar nemagnetic (Cu)
pentru 50 perechi Co/Cu

3. MICROSENZORI HALL
3.1. Modelarea microsenzorilor Hall
n acest subcapitol se va formula matematic efectul Hall i se va vedea cum se pot lua n
considerare influenele anizotropiei reelei cristaline i mprtierii purttorilor asupra tensiunii
Hall [26]. Pentru aceasta se va dezvolta un modelul n patru pai. Se va ncepe cu descrierea
fundamental a efectului Hall pentru un material izotrop fr mprtiere [28], apoi se va
extinde modelul, pentru cazul materialului anizotrop [29]. Paralel cu acesta se va stabili un
model pentru mprtierea acustic pe fononi i n cel de-al patrulea pas se vor concatena
cele dou formulri pentru a obine o descriere global a efectului Hall n siliciu.
3.1.1. Material izotrop fr mprtiere a purttorilor de sarcin
Fora care acioneaz asupra unui purttor n micare este suma vectorial a forei electrice
i forei Lorentz:
( ) B v E
v
F + = = q q m
(3.1)
n care m este masa efectiv a purttorilor de sarcin i timpul de relaxare. Se nlocuiete
viteza v a purttorului de sarcin n funcie de densitatea de curent J.
nq
J
v = (3.2)
obinnd o expresie explicit pentru cmpul electric E
( ) B J J E =
qn nq
m 1
2
(3.3)
nlocuind termenii pentru mobilitatea purttorului, pentru rezistivitate i coeficientul Hall,
qn
R
q m
q
H
n
1
,
1
, = = =
(3.4)
intensitatea cmpului electric va fi exprimat prin ecuaia:
( ) B J J E =
H
R
(3.5)
iar densitatea de curent astfel:
( ) ( )
| |
( )
| | B E B
B
B E
B
E
B
J
+
+
+
+
+
=
2 2
2
2 2 2 2
1 1 1
(3.6)
unde rezistivitatea este nlocuit de conductivitatea .
3.1.2. Material anizotrop fr efecte de mprtiere
n al doilea pas se ia n considerare influena anizotropiei. n acest caz masa efectiv nu mai
este o constant. Ea depinde de direcia deplasrii, respectnd orientarea suprafeelor

izoenergetice n cristalul de siliciu. Aceasta poate fi exprimat introducnd un tensor de mas
n ecuaia de echilibru a forelor [29]:
( ) E v B v q q M = +
1
(3.7)
Gold [27] este primul care a descris acest tensor de mas pentru fiecare dintre cei trei
elipsoizi perechi din structura reelei cristaline a siliciului:
(
(
(
=
(
(
(
=
(
(
(
=
1
3 1 2
1
1
0 0
0 0
0 0
0 0
0 0
0 0
0 0
0 0
0 0
m
m
m
M
m
m
m
M
m
m
m
M
t
t
t
t
t
t
(3.8)
Din ecuaiile (3.7) i (3.8) putem acum deduce o expresie pentru viteza medie a purttorului
de sarcin n fiecare direcie. Densitatea de curent este definit ca produsul dintre densitatea
purttorilor de sarcin i vitez,
E v J
i i
nq = = (3.9)
iar conductivitatea
i
poate fi definit n termeni ai tensorului de mas M
i
,
( ) | | E U B v
1
+ = q M q
i i
(3.10)
unde U este vectorul de modul egal cu unitatea, iar componentele densitii de curent:
( ) E E U B J
i
t
t
i
i
A
m
q
m
M
m
nq
K
K
0
1
2
1 2
3

=
(
(
+
+
=

(3.11)
Aici
0
reprezentnd conductivitatea independent de mas la cmp zero, A
i
este un tensor
coninnd tensorul anizotropiei de mas normalizat i informaia despre valoarea i direcia
densitii fluxului aplicat:
m
nq
K
K
2
0
1 2
3
+
=
(3.12)
( )
1
(
+ = U B A
t t
i
i
m
q
m
M
(3.13)
Densitatea total de curent n interiorul cristalului, J
tot
, este suma densitilor de curent pentru
trei elipsoizi perechi:
=
i
i tot
J J (3.14)
O expresie explicit pentru coeficientul Hall se obine prin multiplicarea ecuaiei (3.5) cu [J x
B]:
| | | |
| |
| |
2
2
B J
B J E
B J B J E

= =
H H
R R
(3.15)

Aceast ecuaie poate fi rezolvat pentru orice pereche dat de densiti de curent i inducii
magnetice cu respectarea sistemului de coordonate al elipsoizilor n cristal. Pentru a calcula
influena anizotropiei cristalului asupra dependenei cmpului magnetic de coeficientul Hall,
vectorii densitate de curent i inducie magnetic trebuie s fie exprimai n acelai sistem de
coordonate de reea. n primul rnd se va seta direcia curentului. Senzorii Hall utilizai n
aceast lucrare sunt fabricai pe plachete de siliciu tiate n planul <100>. Dispozitivele sunt
structurate astfel nct frontierele lor s fie paralele fie perpendiculare la faa plat a plachetei.
Se presupune c densitatea de curent J este n principal paralel cu suprafaa plachetei i
este ghidat de ctre limitele dispozitivului n lungul direciei cristaline <110>. Vectorul
densitii de curent poate fi scris apoi ca:
(
(
(
(
(
(
(
=
0
2
2
J
J
J
(3.16)
Se disting dou orientri diferite ale induciei magnetice aplicate pentru msurtori de cmp
magnetic (Fig. 3.1):
a) cmpul magnetic este aplicat perpendicular pe densitatea de curent i paralel cu suprafaa
plat n direcia cristalin <110>. Inducia magnetic n acest caz este:
(
(
(
=
B
0
0
B
(3.17)
b) cmpul magnetic este aplicat perpendicular pe densitatea de curent i pe suprafaa plat
n direcia cristalin <100> . Inducia magnetic n acest caz este:

(
(
(
(
(
(
(
=
0
2
2
B
B
B
(3.18)

Fig.3.1. Pentru senzorii Hall pe substrat de
siliciu descrii n aceast lucrare, densitatea
de curent se presupune n direcia <110>, iar
componentele cmpului magnetic care
genereaz tensiunea Hall sunt fie n planul
plachetei perpendicular pe curent <110> fie
perpendicular pe planul <100>


n ambele cazuri factorul de anizotropie a pentru B = 0 se reduce la bine cunoscutul factor de
anizotropie la cmpuri slabe dat de Beer [28].
3.1.3. Material izotrop i mprtiere pe fononi
n ecuaia (3.15) am definit constanta Hall R
H
pentru cel mai simplu model ca fiind invers
proporional cu sarcina i cu densitatea de purttori. Aceast expresie nu mai este valabil
dac n mecanismele de transport sunt implicate evenimente de mprtiere. La fel ca n cazul
materialelor anizotrope, se introduce factorul de mprtiere r
S
. Acest parametru descrie
influena mecanismului de mprtiere asupra constantei Hall:
( )
( )
qn
B r
B R
s
H
= (3.19)
Pentru concentraii de dopaj mai mici dect 10
15
cm
-3
la temperatura camerei, s-a gsit c
mprtierea fononic acustic n siliciu poate fi considerat izotrop [29]; n acest caz factorul
de mprtiere este sczut i se consider:
( ) 18 . 1
8
3
0 =

s
r (3.20)
Pentru a descrie dependena cmpului magnetic de mecanismele de mprtiere, Popovic
[29] a introdus un set de coeficieni cinetici, ce nlocuiesc parametrii din ecuaia (3.16). Pentru
a explica influena ciocnirilor asupra factorului Hall, trebuie s privim ecuaiile cinetice pentru
purttori de sarcin n micare. Aceast abordare se bazeaz pe soluia ecuaiei cinetice
Boltzmann. Rezolvnd ecuaia cinetic Boltzmann pentru un solid sub influena cmpului
electric i magnetic lent variabile n timp obinem ca soluie un set de trei coeficieni asociai
cu trei componente de curent. Unul este colinear cu cmpul electric, un altul este
perpendicular pe ambele - cmp electric si cmp magnetic, iar cel de-al treilea este colinear
cu cmpul magnetic. Densitatea total de curent se poate scrie:
( ) | | B E B B E E J + + =
3
2
4
2
2
1
2
K
m
e
K
m
e
K e (3.21)
K
1
, K
2
si K
3
sunt aa-numiii coeficieni cinetici, care n cazul general pentru suprafee
energetice nesferice sunt tensori [30]. Abordarea microscopic a ecuaiei (3.21) este de
aceeai form cu ecuaia (3.11) n care abordarea a fost macroscopic.
3.2. Microsenzori Hall integrai
De curnd, progresul deosebit nregistrat de tehnologia de procesare a siliciului a condus la
realizarea mai multor tipuri de senzori magnetici integrai. Principiul lor de operare se bazeaz
n principal pe efectul Hall, care const n apariia unei tensiuni pe o direcie perpendicular
pe planul format de direcia curentului i direcia induciei magnetice. n cadrul teoriei clasice

se admite c purttorii de sarcin care intervin n conducia curentului sunt deviai de la
traiectoria rectilinie datorit forei Lorentz:
( ) B v F = q
(3.22)
Acumularea sarcinii la una dintre marginile plcii Hall conduce la apariia unui cmp electric
transversal, cmpul electric Hall, E
H
. La echilibru, fora electric datorat cmpului transversal
egaleaz fora Lorentz :
| | 0 = +
H
e e E B v
(3.23)
conducnd la expresia explicita pentru intensitatea cmpului electric Hall:
| | B v E =
H
(3.24)
Din aceast ecuaie se observ c, pentru o viteza cunoscut v a purttorilor, E
H
poate s fie
utilizat drept o msur a induciei cmpului magnetic B. Viteza v a unui purttor de sarcin
poate fi exprimat ca produs al mobilitii a purttorului, un parametru uzual cunoscut
asociat materialului, i cmpul electric aplicat E:
E v =
(3.25)
Deci intensitatea cmpul electric Hall poate fi definit prin:
| | B E E =
H
(3.26)
Plcile Hall de volum de tipul celor din figura 3.2 pot fi uor ncorporate ntr-o structur de
circuit integrat pe siliciu (IC). Figura 3.4 arat o plac Hall orizontal integrat realizat pe un
strat epitaxial tip n (colector) crescut pe un substrat tip p ntr-un proces IC bipolar. Deoarece
stratul epitaxial este tip n, purttorii majoritari sunt electronii. ntre viteza purttorilor i
densitatea de curent exist relaia:
j = -qnv (3.27)
unde n este concentraia purttorilor de sarcin.

Fig.3.2 Tensiunea Hall msurta
V
H
este integrala cmpului
electric Hall E
H
generat peste
placa de lime w.
Fig.3.3. Sub influena induciei magnetice B, vectorul densitii de curent J i vectorul
cmpului electric E nu mai sunt colineari, ei formeaza unghiul Hall . Cmpul electric total E
este vectorul sum al cmpului electric extern E
e
i cmpului electric Hall E
H



Considernd direciile vectorilor din fig.3.2, cmpul transversal se obine sub forma:
E = - Bj/qn (3.28)
unde -1/qn este constanta Hall care este negativ pentru electroni. Tensiunea Hall se
calculeaz ca integral de linie a cmpului electric ntre electrozii transversali. Pentru o plac
Hall infinit de lung cu electrozi punctuali, tensiunea Hall este [31]:
V
H
= jBb/qn (3.29)
sau
V
H
= IB/qnh (3.29)
unde b este limea plcii Hall, h grosimea sa, j densitatea de curent, B inducia magnetic i
I intensitatea curentului electric. Relaia (3.27) pune n eviden faptul c pentru senzorii Hall
sunt interesante materialele cu coeficient Hall mare. Dar coeficientul Hall este cu att mai
mare cu ct concentraia de purttori este mai mic. Semiconductorul slab dopat (cazul
stratului epitaxial) va fi deci un material foarte bun pentru realizarea unui senzor Hall. Cmpul
electric total aplicat E poate fi scris drept suma vectorial a cmpului electric extern E
e
, i a
cmpului electric perpendicular Hall E
H
:
E = E
e
+ E
H
, (3.30)
Conform celor prezentate n figura 3.3, E si E
e
formeaz un unghi de nclinare, unghiul Hall
, ce poate fi exprimat cu ajutorul mobilitii purttorilor de sarcin i induciei magnetice
aplicate:
tg = E
H
/ E
e
= B . (3.31)
Materiale semiconductoare au o densitate mic de purttori de sarcin liberi. Purttorii de
sarcin nu interacioneaz puternic cu reeaua cristalin, ceea ce le confer o mobilitate
relativ mare. Mai mult, ei sunt suficient de puini, fapt ce permite aplicarea unui cmp de drift
nalt fr pericolul degenerrii termice a materialului [30, 31, 32]. Ambele caracteristici conduc
B
j
V
H
i solation p
n
+
H
1
H
2
p n n
n
substrate p
n
+
Fig. 3.4. Structura unui senzor Hall vertical realizat n tehnologia
circuitelor integrate. Acest dispozitiv are aceleai proprieti ca i placa
Hall convenional. El este sensibil la componenta induciei magnetice
paralel la planul suprafeei. Efectele de suprafa sunt considerabil
reduse prin folosirea unei jonciuni pn polarizate invers n zona activ.

la o vitez nalt i ulterior la un nivel nalt de semnal [33]. Aceasta este raiunea pentru care
dispozitivele Hall de astzi sunt construite exclusiv pe suport semiconductor.
Pentru a calcula funcia de transfer a plcii Hall se impun cteva precizri:
1. Expresia coeficientului Hall, calculat n cadrul teoriei cuantice a corpului solid nu se
deosebete esenial de relaia (3.19). n cazul mprtierii pe fononi ntr-un semiconductor
nedegenerat, efect dominant n cazul de interes pentru circuitul integrat, n expresia (3.19)
apare un factor suplimentar egal cu 3/8 [34].
2. Pentru placa Hall cu dimensiuni finite, tensiunea Hall n gol difer de tensiunea Hall n
placa infinit lung din cauza distorsionrii liniilor de cmp n apropierea electrozilor [31, 32].
Funcia de transfer depinde de geometria senzorului i de inducia magnetic i pentru placa
Hall din figura 3.4, este V
H
= 0.24*B.
Placa este mrginit de o difuzie adnc tip p, care este de obicei difuzia de izolare (turnurile
de izolare). Contactele senzorului (n
+
i n
+
) sunt fcute prin difuzii n
+
, care corespund
difuziilor obinuite de emitor i determin contactele ohmice pentru stratul de metal. Izolarea
plcii Hall de restul cipului este realizat prin jonciuni inverse p-n care nconjur placa. Plcile
Hall tipice au lungimi de 400 m i limi de 100 m. De preferat, ntr-un dispozitiv Hall
integrat se folosete ca regiune activ un material de tip n, care are o sensibilitate mai mare
relativ la potenial, iar stratul epitaxial trebuie s fie dopat intre 10
15
-10
16
cm
-3
pe grosimea de
10-12 m. Dac concentraia dopajului stratului epitaxial nu este insuficient se poate face o
plusare prin implantare ionic. Tensiunea Hall maxim pentru placa alimentat la tensiunea
V
CC
este V
H
0.74
n
BV unde 0.74 este un coeficient n care sunt nglobate dimensiunile
plcii i ale contactelor,
n
este mobilitatea electronilor, B este inducia magnetic, iar V este
tensiunea de alimentare. Suprafaa superioar a plcii Hall integrate este acoperit de obicei
cu SiO
2
[37]. Interfaa oxid-siliciu implic dispersia purttorilor de sarcin, ceea ce este n
detrimentul performanelor dispozitivului Hall. Acest efect este evitat dac se realizeaz o
structur ngropat, la care suprafaa se acoper cu o difuzie superficial tip p care ecraneaz
purttorii de interfa.

B
CC1
I
SC1
CC2
L
W
t
SC2
VH
S
Fig. 3.5. Reprezentarea schematic a unui
senzor Hall realizat pe substrat de siliciu


Alt problem a plcilor Hall cu jonciuni
de izolare o constituie efectul de cmp al
jonciunii. Datorit acestui efect, limea regiunii de golire a jonciunii p-n depinde de
tensiunea invers. Grosimea efectiv a plcii Hall integrate depinde de tensiunea de
alimentare. Drept consecin, tensiunea Hall i cderea de potenial corespunztoare pe
plac vor depinde de tensiunea aplicat jonciunii. Acest efect duce la o modulare a grosimii
dispozitivului de ctre potenial i, astfel, la un rspuns neliniar al senzorului (figura 3.6).
Neliniaritile senzorului datorate materialului i geometriei sunt proporionale cu ptratul
induciei magnetice, dar au semne opuse. Anularea celor dou efecte se poate realiza prin
alegerea unui material al crui coeficient de neliniaritate s anihileze coeficienii de
neliniaritate geometrici. Alt cale de a compensa neliniaritatea geometric este cuplarea unui
rezistor de sarcin la ieirea dispozitivului Hall [39, 40].
Un alt subiect important este reducerea ofsetului [41 50]. Trimerarea laser a unui rezistor
extern se folosete adesea pentru a ajusta ofsetul, dar aceast metod nu se folosete de
obicei la ofseturi ale induciei magnetice de 10 pn la 100mT, datorit n principal stresurilor
mecanice i toleranelor geometrice. ntr-un dispozitiv Hall cu configuraie simetric cu
respectarea rotaiei de /2, curenii i contactele senzorului pot fi interschimbate. Dou astfel
de dispozitive Hall au proprieti similare. Cnd ele sunt interconectate astfel nct
potenialele Hall rezultate s fie paralele, dar direciile celor doi cureni s fie ortogonale,
asimetriile lor tind s se anuleze i astfel ofsetul se reduce. O nou metod interesant de
reducere a ofsetului pe o singur plac Hall integrat este realizarea unei configuraii cu 16
contacte, care este simetric cu respectarea rotaiei cu /8. Direcia curentului este fcut s
se roteasc prin comutarea contactelor. Ofsetul se reduce astfel de 100 ori. Pe lng senzorul
Hall, circuitul integrat poate s conin pe acelai cip circuitele de polarizare, amplificare i
stabilizare. Aceste dispozitive se pot realiza fie ca puni Hall, fie comutatoare Hall, dar numai
pentru aplicaii care folosesc un semnal de ieire binar. Dispozitivele pot de asemenea s
conin un trigger Schmidt pentru a controla etajul final. O fotografie a structurii primului
dispozitiv Hall pe care l-am realizat n anul 1996 se arat n figura 3.7 [63]. Tensiunea de
ofset la ieire este obinut pentru o tensiune de alimentare dat, senzorul fiind plasat numai
n cmpul magnetic terestru. Valoarea absolut a acestui parametru, foarte mic de altfel, nu
influeneaz foarte mult comportamentul dispozitivului n aplicaii , ea fiind compensat relativ
CC2
SC1
CC1 CC3
SC2
.
P+
P+
Fig.3.6. Curentul i liniile
echipoteniale pentru placa Hall

uor. Problemele care apar in cadrul msurrii acestui parametru sunt legate de variaia lui cu
temperatura i cu tensionarea mecanic, cu acesta din urm neexistnd nici mcar o
dependen monoton. Acest impediment apare n special la ncapsulare, la fixarea plachetei
n vederea testrii i se manifest prin modificri ale valorii tensiunii de ofset, n ambele
sensuri i cu gravitaii diferite de la circuit la circuit. n general forele mecanice care apar n
cele dou careuri nu au acelai sens i aceeai direcie pentru toate circuitele, fiind de
presupus c, astfel efectuate, msurtorile pot fi eronate . Dac forele ar aciona ntr-un
singur sens fa de orientarea reelei cristaline, atunci ar apare efectul piezorezistiv oarecum
controlabil, datorit dependenei unilaterale i proporionale a valorii tensiunii de offset de
constantele piezorezistive. Variaia tensiunii de offset cu temperatura este controlabil i se
pot da garanii n procente despre aceasta. n cazul circuitelor ncapsulate, cldura acioneaz
i asupra rinii n care este nchis senzorul, deformarea acesteia conducnd la tensionarea
mecanic a circuitului [51 53]. Problemele apar n acest caz atunci cnd efortul mecanic la
care este expus structura datorit dilatrii rinii, conduce la un efect piezorezistiv mai
nsemnat dect cel termic, deoarece poate fi de acelai sens cu acesta, amplificndu-l, sau n
sens contrar, diminundu-l. Comportamentul termic al tensiunii de offset este foarte important
n funcionarea unei aplicaii bazate pe senzori semiconductori, deoarece chiar dac valoarea
tensiunii este compensat la o anumit temperatur, deriva termic mare a acesteia poate
duce la nefuncionarea schemei rezistive, la necesitatea relurii reglajului de compensare
.a.m.d. De menionat c acest efect poate apare chiar la temperatura ambiant constant,
atunci cnd prin senzor este injectat un curent mai mare n vederea obinerii unei sensibiliti
mai bune. La o inducie magnetic de 50 mT, tensiunea Hall pentru placa Hall din figura 3.7
este sub 15 mT, motiv pentru care erorile care pot aprea n realizarea geometriilor sau / i
variaiile rezistivitii stratului epitaxial pot produce tensiuni de eroare (offset), care, suprapuse
peste tensiunea Hall util, pot afecta puternic randamentele de fabricaie ale senzorului.
Valoarea acestor erori cumulate este [54]
V
offset
/V
H
= V
Roffset
/V
H
+ V
Coffset
/V
H
+ V
Hoffset
/V
H
(3.32)
unde:
V
Roffset
este eroarea datorat deplasrii prin rotaie a contactelor Hall;

V
Coffset
este eroarea datorat limii diferite a contactelor Hall datorit corodrii
neuniforme;

V
Hoffset
este eroarea datorat variaiei mobilitii electronilor n stratul epitaxial.

Aceste erori sunt minime pentru geometrii la care raportul lungime / lime este n domeniul
0,8 1,7. De asemenea am observat c ntr-un proces de fabricaie bine controlat, contribuia
erorii datorat variaiei mobilitii este sub 10% din eroarea total [63]. n afara erorilor

enunate, tensiunea Hall este afectat i de efectele piezorezistive determinate de solicitrile
mecanice care se exercit asupra plcii Hall n urma procesului de ncapsulare.

Diminuarea acestui efect nedorit pornete de la
observaia c tensiunea de eroare ce apare datorit
solicitrilor mecanice este dependent de direcia
curentului prin elementul Hall i variaz cu cosinusul
unghiului dintre direcia curentului i o ax de referin,
paralel cu suprafaa elementului Hall. Conform acestei observaii, conectnd n paralel dou
sau mai multe elemente Hall, direcia curentului prin ele fiind diferit, se poate obine
diminuarea tensiunii de offset (teoretic chiar anularea ei pentru unghiuri convenabil alese ntre
direciile curenilor).

Geometria superficial a unei plci Hall realizat pe
acest principiu este prezentat n figura 3.8.
Elementul cuprinde patru subgrupe (1,2,8,0),
(4,5,6,0), (2,3,4,0) i (6,7,8,0), unde 0 este punctul virtual reprezentat printr-un ptrat punctat
n fig.3.8. Sensul curenilor, sensul n care are loc curbarea traiectoriilor purttorilor de sarcin
i tensiunea Hall sunt indicate n aceeai figur. Sunt evidente cteva dintre avantajele
utilizrii unei astfel de structuri:
componenta tensiunii de offset datorat solicitrilor mecanice este mult redus;
realizarea unei bune compactiti, subelementele Hall nefiind izolate unul de cellalt.
Compactitatea elementului Hall determin reducerea offsetului datorat neuniformitilor de
rezistivitate a stratului epitaxial sau ale eventualelor defecte ale reelei cristaline [57].
I
V
+
I
V
+
1
2 3
4
5 6
7
8
V
H
O
B
FIG. 3.8. Conectarea n circuit a elementului Hall
FIG. 3.7. Fotografia primului senzor Hall
planar realizat pe suport de siliciu in 1996,
pe baza structurii artat n fig. 3.4.

Am folosit o tehnic de ncapsulare prin care am urmrit i diminuarea tensiunilor mecanice
ce se exercit asupra structurii senzorului. Astfel lipirea structurii pe gril am fcut-o cu rin
KJR, iar structura am acoperit-o cu un material siliconic elastic. Am realizat plci Hall integrate
pe substrat de siliciu (111) i (100), observndu-se un offset mult mai mic i o tensiune Hall
mai mare pe substratul (100). Pentru exemplificare, n tabelul 3.1 prezint cteva dintre
rezultatele msurtorilor fcute pe senzorii Hall.
Se observ c, n absena cmpului magnetic, B = 0, offsetul pentru Si(100) este mai mic
pentru 45
0
, ntre 01,5mV, n timp ce pentru Si(111) offsetul este mai mare, ntre 4,4 8,5mV
(tabelul 3.1), iar n prezena cmpului magnetic, B 0, sensibilitatea fa de acesta este de
aproximativ 1,5mV/mT pentru substrat cristalografic (100) i aproximativ 0,9mV/mT pentru Si
(111). Acest lucru se vede n figurile 3.9, 3.10 i. 3.11.

a) (b)

50 100 150 200 250
10
20
30
40
50
60
70
80
Vcc = 5V
T
e
n
s
i
u
n
e

H
a
l
l

(
m
V
)
Inductie magnetica (mT)
Fig. 3.9. (a) Fotografia senzorului Hall planar cu offset-ul redus pe care l-am
realizat prin optimizarea celui prezentat in Fig. 3.7.
(b) Variaia tensiunii Hall n funcie de inducia magnetic

Fig. 3.11. Dependena semnalului
de ieire V
H
de inducia magnetic
pentru placa Hall realizat pe
substrat Si (100)
Fig. 3.10. Dependena semnalului
de ieire V
H
de inducia magnetic
pentru placa Hall realizat pe
substrat Si (111)


Tabelul 3.1. Tensiunile de ofset (V) msurate pentru dispozitivele Hall (Fig.3.7 i Fig.3.9) realizate pe
Si (100) si Si (111) cu orientarea contactelor la 45
0
si 90
0

Si (100) Si (111)
45
0
90
0
45
0
90
0

0 4,8 6,85 2,40
1 6,15 8,5 2,8
0,1 4,8 5,6 1
1 8,5 7,3 0,5
1,5 7 6,25 3,6
0,25 7,4 8,25 2,7
0,1 5,35 8,25 2
0,1 4,4 7,5 3,15
0,95 7,4 13,65 4
0 6 2,1 9,2
0,1 4,4 16 4,5
3.2.1. Proiectarea microsenzorului Hall integrat
Tehnologia circuitelor integrate moderne permite realizarea unor structuri mai adnci prin
implantare ionic i difuzie termic a ionilor impuritate [58]. n plus, aceast tehnologie a fcut
posibil fabricarea unor dispozitive Hall cu dimensiuni foarte mici la un pre foarte sczut [57].
n acelai timp tehnologia CI garanteaz o nalt reproductibilitate a proprietilor geometrice
i fizice. Dispozitivul Hall vertical, fabricat prin tehnologia circuitelor integrate, este un senzor
foarte avantajos, structurat pentru msurarea cu acuratee a cmpului magnetic aplicat [64,
65]. Senzorul Hall a fost proiectat prin asumarea unui compromis ntre performanele
parametrilor de nelinearitate i sensibilitate. Pentru reducerea nelinearitii, structura Hall a
fost proiectat s aib contacte de curent lungi n raport cu contactele Hall. In acest mod,
contribuia cu sens negativ la nelinearitatea dispozitivului a parametrilor de material poate fi
compensat prin contribuia cu sens pozitiv a elementelor de geometrie, iar n ansamblu, se
obine o reducere substanial a nelinearitii. Prin utilizarea acestei configuraii pentru
contactele senzorului, la o valoare dat a puterii disipate, am obinut de asemenea i o mare
sensibilitate a dispozitivului. Pentru atenuarea factorilor generatori de efecte de offset i de
instabilitate termic, am conceput layout-ul ntr-o form perfect simetric, n care elementul
senzor (placa Hall) este amplasat n zona central a cipului, avnd contactele pentru
aplicarea semnalului de excitaie situate n capete, pe axa orizontal. Pentru micorarea
efectului magnetorezistiv i creterea ponderii efectului Hall n funcionarea senzorului, am
dimensionat placa Hall la valorile de 690 m pentru lungime i 175 m pentru lime (raportul
lime/lungime =1/4), iar pentru asigurarea preciziei msurtorii, elementul Hall este integrat

ntr-un sistem unitar, mpreun cu circuitele de polarizare, de amplificare a semnalului i de
calibrare, eliminndu-se astfel efectele parazite. Circuitul de polarizare a fost integrat pe
acelai cip cu placa Hall, astfel nct extrage o parte din tensiunea de intrare pe dispozitiv,
ceea ce duce la reducerea ofset-ului i la eliminarea efectelor legate de dependena lui de
temperatur. Variaia ofset-ului cu cmpul magnetic se compenseaz uor, deoarece offsetul
i tensiunea de intrare sunt influenate n acelai sens de efectul magnetorezistiv. Utilizarea
alternativ a contactelor pentru polarizare i pentru detectare poate de asemenea reduce
offsetul. Traseele de aluminiu ale contactelor electrice au fost implementate tot n configuraie
simetric pentru a reduce efectul piezorezistiv [54 56].
Dimensiunile caracteristice pentru placa Hall sunt:
Dimensiuni palc Hall: 690 / 170 m;
Dimensiuni contacte curent: 80 / 10 m;
Dimensiuni contacte tensiune Hall: 10 / 10 m
Circuitul electronic de amplificare diferenial, compus din trei perechi de tranzistoare, este
dispus ntr-o simetrie circular fa de direcia de culegere a semnalului, de o parte i de
cealalt a cipului. Colectorii acestor tranzistoare sunt conectai simetric de o parte i de
cealalt a plcii Hall prin intermediul straturilor ngropate aferente, iar semnalul Hall
amplificat este cules pe padurile corespunztoare, dispuse simetric fa de axa orizontal i
situate n extrema dreapt a cipului (figura 3.12). Bazele acestor tranzistoare, care culeg
semnalul direct de la senzor, sunt conectate direct la placa Hall prin intermediul conexiunilor
metalice corespunztoare. Pentru o bun stabilitate termic i o bun amplificare a
semnalului, emitorii acestor tranzistoare sunt excitai prin intermediul unui generator de
curent comun, compus din patru tranzistoare amplasate n extrema dreapt a cipului.
Padurile din partea stng a cipului servesc pentru conectarea la circuitul exterior de
polarizare a circuitului electronic de culegere i amplificare a semnalului. n zona inferioar
din partea dreapt a cipului se afl dispus setul semnelor de aliniere, compus din patru
elemente. Am optat pentru semne n form de cruce, cu dimensiunile mergnd de la mic
spre mai mare n cadrul proceselor succesive de mascare, dimensiuni a cror alegere ine
cont de efectele de supracorodare din oxid i din metalul de contactare (aluminiu, n cazul de
fa). De asemenea, tot pentru o bun precizie a alinierii, unul i acelai semn se utilizeaz
n numai trei procese succesive de mascare. Dup trei utilizri succesive ale unui semn, pe a
treia masc pe care el apare, se adaug alturat lui un nou semn cruce, care va fi folosit in
continuare pe urmtoarele dou mti. Dimensiunea total a cipului (inclusiv cadrul inter-cip)
este de 1520x1020 m, iar configuraia de ansamblu coninnd toate mtile suprapuse, este
prezentat in figura 3.12.



3.2.2. Tehnologia de realizare a microsenzorului integrat Hall
Acest nou dispozitiv Hall, fabricat n tehnologia circuitelor integrate, are o structur de senzor
foarte avantajoas pentru msurarea cu precizie a cmpurilor magnetice. Pentru fabricarea lui
am utilizat plachete de siliciu monocristalin de foarte bun calitate, cu orientarea
cristalografic <100>. Dispozitivul a fost structurat astfel nct laturile sunt fie paralele, fie
perpendiculare pe marginea teit a plachetei, curentul circulnd astfel paralel cu suprafaa
plachetei, de-a lungul direciei cristalografice <110>.
Fig. 3.13. Flux tehnologic de
realizare a structurii senzorului Hall
integrat

o Fotogravur M1,
deschidere ferestre de
difuzie pentru strat
ngropat i difuzie strat
ngropat
o Fotogravur M2 i difuzie
turnuri de izolare
o
Epitaxie n
+
baz
o Fotogravur M4, difuzie
emitori i plusare contacte
de colector i plac Hall
o Fotogravur M6,
deschidere ferestre pentru
contacte metalice
o Metalizare
o Fotogravur M7, corodare
metal
o Fotogravur M8,
deschidere ferestre paduri
n oxidul de pasivare
Fig. 3.12. Setul de mti suprapuse al senzorului Hall integrat pe siliciu mpreun cu
circuitul de polarizare, calibrare, amplificare i prelucrare a semnalului

Senzorul Hall a fost fabricat n tehnologie standard de circuite integrate, printr-un proces care
utilizeaz opt mti (figura 3.13). Rezistivitatea substratului este 7.5 cm (n
0
10
15
cm
-3
),
orientarea cristalografic a siliciului este (100), iar grosimea plachetelor este de aproximativ
350 m. Structura Hall a fost realizat pe un strat epitaxial de tip n i este izolat de circuitele
auxiliare ale senzorului prin intermediul unei difuzii adnci de tip p. Concentraia de impuriti
din stratul epitaxial este de aproximativ 6.10
15
cm
3
, iar grosimea stratului12 m. Influena
tensiunii Hall i a efectului magnetorezistiv asupra nelinearitii, ca urmare a efectului de
cmp al jonciunii, a fost redus prin realizarea ntre electrozi, pe suprafaa de tip p, a unor
insule de tip n. Pentru precizia msurrii i eliminarea efectelor parazite, dispozitivul Hall este
ncorporat ntr-un sistem unic mpreun cu elementele de circuit de amplificare a semnalului i
de calibrare. In acest fel, offsetul, dependena de temperatur a sensibilitii, zgomotul i
nelinearitatea sunt fie reduse chiar de la nivelul elementului Hall, fie sunt compensate la
nivelul sistemului.

40 60 80 100 120 140 160 180 200 220
0
100
200
300
400
500
600
Ip = 0,8mA
Vcc = 5V
T
e
n
s
i
u
n
e
a

H
a
l
l

(
m
V
)
Inductia magnetica (mT)

(a) (b)

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
100
200
300
400
500
Ic = 1mA
Vcc = 5V
T
e
n
s
i
u
n
e
a

H
a
l
l

(
m
V
)
Curentul de polarizare (mA)

(c) (d)

50 100 150 200 250
500
1000
1500
2000
2500
Ic = 1mA
Ip = 0,8mA
Vcc = 5V
D
i
f
e
r
e
n
t
a

c
u
r
e
n
t
i

c
o
l
e
c
t
o
r
u
(
u
A
)

Fig. 3.14.(a). Structura senzorului Hall integrat pe siliciu mpreun cu circuitul de
polarizare, circuitul de calibrare i de amplificare a semnalului de ieire
(b). Variaia diferenei de curent de colector I
C
n funcie de inducia
magnetic pentru senzorul din fig.(a). Sensibilitatea relativ este S = 3 (1/T)
(c). Variaia tensiunii Hall V
H
n funcie de inducia magnetic pentru senzorul
din fig.(a).
(d). Variaia tensiunii Hall V
H
n funcie de curentul de polarizare a bazei

Structura senzorului i condiiile detaliate de polarizare au fost optimizate, n scopul obinerii
unei sensibiliti mari i variaiei mici a offsetului. Schema echivalent a senzorului Hall din
figura 3.14 (a). este schiat n figura 3.15.
V Hall
Alim.
Ip
1
2 2
2
1
1
R
Ei
5k
R
Ei

3.3. Microsenzori de cmp magnetic 3 D
Microsenzorul pe care l prezint n continuare const din opt structuri senzitive Hall, mprite
n trei grupe, fiecare msurnd o direcie a induciei magnetice [58, 59, 60]. Componentele x
i y, paralele cu suprafaa senzorului, se msoar fiecare printr-o pereche de senzori Hall
verticali, localizai pe laturile opuse ale microsenzorului astfel: pentru direcia x sunt aezai pe
latura stng i, respectiv, latura dreapt a structurii din figura 3.16, pentru direcia y sunt
aezai sus i, respectiv, jos. Componenta z a induciei magnetice se msoar prin patru
elemente Hall orizontale localizate n colurile structurii din figura 3.16. Elementele Hall ale
fiecrei grupe sunt conectate n paralel, astfel nct semnalul lor de ieire combinat reprezint
o interpolare la centrul senzorului. Din acest considerent, toate cele trei componente ale
vectorului inducie magnetic se msoar n acelai spot. Deoarece toate elementele Hall
sunt integrate pe aceeai structur, dezalinierile apar numai din procesul de fabricaie i pot fi
considerate neglijabile. Fiecare dintre cele trei canale este conectat la circuite electronice de
polarizare i amplificare, astfel nct cele trei semnale pot fi citite separat la ieire. Am realizat
microsistemul n tehnologia standard a circuitelor integrate bipolare pe plachete de siliciu de
tip p i orientare cristalografic (100) i l-am ncapsulat pe un suport de rin epoxidic
pentru reducerea stresului indus de temperatur n zona activ a elementelor Hall. n final
elementele Hall sunt conectate prin fire de aur la pinii circuitului integrat (Fig. 3.17). Senzorul
are o suprafa total de 9,5 mm
2
, iar suprafaa activ este de 4 mm
2
.
n figura 3.18 am reprezentat sensibilitatea elementelor Hall verticale i orizontale ale
microsistemului 3D n funcie de inducia magnetic.

Fig. 3.15. Schema electronic echivalent a senzorului Hall din figura 3.14.


0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,35 0,4 0,45 0,5
Inductia magnetica (T)
S
e
n
s
i
b
i
l
i
t
a
t
e
a

(
V
/
m
A
T
)
Elemente Hall orizontale Elemente Hall verticale

Fig.3.17. Fotografia unui
microsenzor de cmp magnetic 3D
dup mulare i lipirea
firelor.Suprafaa structurii active
este 4 mm
2

Fig. 3.16. Setul mtilor fotolitografice
suprapuse ale microsenzorului integrat
3D. n stnga i n dreapta se afl
perechea de elemente Hall verticale care
msoar componenta x a induciei
magnetice. Sus i jos sunt localizate
elementele Hall verticale care msoar
componenta y a cmpului magnetic. n
cele patru coluri se afl elementele Hall
orizontale care msoar componenta z a
induciei magnetice. Toate msurtorile
se fac fa de centrul structurii.
Fig. 3.18. Sensibilitatea
elementelor Hall verticale
i orizontale n funcie de
inducia magnetic

4. MAGNETOTRANZISTORI BIPOLARI
Magnetotranzistorii bipolari sunt dispozitive bipolare active cu ieire n curent. n ciuda
diversitii lor, orice magnetotranzistor are drept component esenial o surs de curent de
forma unei jonciuni pn, care injecteaz purttorii minoritari n regiunea bazei, i una sau mai
multe jonciuni polarizate invers drept colectori, de pe care se culege semnalul de interes [66].
Cum magnetotranzistorii bipolari se fac pe substrat nemagnetic, siliciu n cazul nostru, cmpul
magnetic extern, B, influeneaz numai procesele cinetice n diverse regiuni ale tranzistorului
[67]. Ca rezultat, variaiile curentului de colector n prezena cmpului magnetic dau indicaii
despre modulul i direcia vectorului inducie magnetic. Tipic pentru magnetotranzistorii
bipolari este c inducia magnetic influeneaz att deplasarea curentului prin structur, ct
i modularea lui. Ca rezultat, semnalul electric de ieire se modific acordndu-se cu
intensitatea influenei. Mecanismul care domin rspunsul dispozitivului este modularea
injeciei emitorului, cmpul magnetic mrind injecia n unele regiuni i micornd-o n altele.
n concluzie, magnetotranzistorii bipolari sunt proiectai astfel nct curentul de colector s fie
modelat de cmpul magnetic [68]. n funcie de geometria lor, magnetotranzistorii bipolari pot
detecta componenta vectorului cmp magnetic paralel cu planul structurii semiconductoare
sau perpendicular pe aceasta. Cele mai multe dintre structurile de magnetotranzistori
bipolari sunt de tip dual-colector. n absena cmpului magnetic operarea celor doi colectori
este simetric, astfel nct ei vor indica cureni egali, I
C1
= I
C2
. n prezena cmpului magnetic,
fora Lorentz creeaz o asimetrie n distribuia de curent i potenial, care se traduce ntr-o
diferen de curent de colector, I
C
=I
C1
- I
C2
. Magnetotranzistorii bipolari se bazeaz pe dou
principii de operare: (1) deflecia Lorentz: fora Lorentz curbeaz traiectoria purttorilor
minoritari spre unul din colectori, deprtndu-i de cellalt; (2) modularea injeciei emitorului:
inducia magnetic acioneaz asupra purttorilor majoritari care se deplaseaz n regiunea
bazei, dnd natere unui potenial Hall, care moduleaz potenialul emitor-baz, creind astfel
o asimetrie n injecia purttorilor minoritari. n funcie de direcia de micare a purttorilor
minoritari n bazele magnetotranzistorilor n absena cmpului magnetic, se numesc
magnetotranzistori bipolari laterali sau verticali [65, 66].
4.1. Simularea magnetotranzistorilor cu strat ngropat compact
O clas de magnetotranzistori pe care am simulato pe calculator (cu programele MEDICI si
SUPREM IV) este aceea cu strat ngropat sub regiunea activ a structurii, la jonciunea strat
epitaxial substrat (figura 4.1). El determin creterea nivelului de recombinare a purttorilor
minoritari n regiunea bazei, care determin scderea eficienei dispozitivului. O dopare
puternic n
++
a stratului ngropat situat sub regiunea activ a structurii pentru creterea
nivelului de recombinare n regiunea bazei determin apariia unui tranzistor vertical parazit

care reduce factorul de amplificare n curent. El reduce de asemenea curenii activi ai
colectorului i tensiunea Hall, astfel nct sensibilitatea dispozitivului scade.

Collector 1 Collector 2
Base
A
A
n++
n++
n++
n-epi
p+
p+
p+ p+
p-substrat
p+
Fig.4.1. Magnetotranzistor bipolar cu strat
ngropat compact sub regiunea activ a structurii
Fig. 4.2. Distribuia concentraiei de
impuriti n magnetotranzistorul cu
strat ngropt compact
Fig. 4.3. Distribuia vectorilor de curent n absena cmpului
magnetic (stnga) i n prezena cmpului magnetic (dreapta)
Fig.4.4. Distribuia potenialului electric n absena cmpului


Fig.4.5. Distribuia cmpului electric n absena cmpului magnetic (stnga)
i n prezena cmpului magnetic (dreapta)
Fig.4.6. Distribuia curentului de conducie n absena cmpului magnetic
(stnga) i n prezena cmpului magnetic (dreapta)
Fig.4.7. Mobilitatea electronilor conducie n absena
cmpului magnetic (stnga) i n prezena cmpului
magnetic (dreapta)
Fig. 4.8. Curenii celor doi colectori n
funcie de tensiunea Hall n prezena unui
cmp magnetic de 30 mT

Din simulrile fcute se observ urmtoarele aspecte: distribuia de potenial (figura 4.4) i
distribuia cmpului electric (figura 4.5) se modific substanial n prezena cmpului
magnetic; distribuia curentului de conducie este relativ uniform n absena cmpului
magnetic, dar odat cu aplicarea cmpului magnetic, curentul de conducie se concentreaz
pe unul dintre cei doi colectori (figura 4.6), dup cum era de ateptat, mobilitatea electronilor
nu este influenat de cmpul magnetic (figura 4.7); diferena curenilor de colector n
prezena cmpului magnetic, i deci sensibilitatea acestui tip de magnetotranzistor (figura
4.8), nu este semnificativ, dar aceast structur se integreaz foarte uor ntr-un circuit
integrat.
4.2. Simularea magnetotranzistorului microprelucrat
A doua clas de magnetotranzistori de care m-am ocupat mult este aceea cu jonciunea
colector substrat de sub regiunea activ a tranzistorului lateral E-B-C ndeprtat prin
corodare anizotrop umed (figura 4.9). n acest fel, dispozitivul parazit practic dispare.
Aceast metod reduce deci la zero influena tranzistorului parazit E-B-S. Nivelul de
recombinare al purttorilor minoritari este foarte mic, aceasta deoarece cea mai mare parte a
curentului de colector este captat de contacte i tensiunea Hall nu este afectat.

Collector 1 Collector 2
Base
A
A
n++ n++
n-epi
p+
p+
p+ p+
p-substrat
p+
Fig.4.9. Magnetotranzistor microprelucrat, a
crei structur se realizeaz pe o pern de
aer pentru o mai bun disipare a cldurii i
pentru o putere consumat mic
Fig. 4.10. Distribuia concentraiei de
impuriti n magnetotranzistorul
microprelucrat (cu substratul ndeprtat
printr-o corodare anizotrop a siliciului


Fig. 4.11. Distribuia vectorilor de curent n absena cmpului
Fig.4.12. Distribuia potenialului electric n absena cmpului
Fig.4.13. Distribuiacmpului electric n absena cmpului


n cazul magnetotranzistorilor microprelucrai se observ o modificare important a distribuiei
de potenial (figura 4.12) i a curentului de conducie n prezena cmpului magnetic (figura
4.14), dar nu se observ nici o modificare a distribuiei cmpului electric (figura 4.13) sau a
mobilitii electronilor (figura 4.15).

funcie de tensiunea Hall n prezena
unui cmp magnetic de 30 mT
Fig.4.14. Distribuia curentului de conducie n absena cmpului
Fig.4.15. Mobilitatea electronilor conducie n absena cmpului

Diferena curenilor de colector este mai mare la magnetotranzistorul microprelucrat fa de
cel cu strat ngropat compact (figura 4.16), dar acesta are dezavantajul c nu poate fi integrat.
n plus magnetotranzistorul microprelucrat prezint o stabilitate termic mai bun i un
consum mic de putere.
4.3. Simularea magnetotranzistorului cu strat ngropat despicat
A treia clas de magnetotranzistori const n conectarea tranzistorului parazit n paralel cu
structura de interes, care contribuie i la creterea sensibilitii dispozitivului (figura 4.17).
Aceast metod folosete caracteristicile electrice ale tranzistorului vertical pnp E-B-S prin
conectarea structurii parazite in paralel cu dispozitivul activ.

Collector 1
Collector 2
Base
A
A
n++
n++ n++
n++
n-epi
p+
p+
p+ p+
p-substrat
p+
Fig.4.17. Magnetotranzistor cu o eficien a
emitorului mare i sensibilitate crescut
Fig. 4.18. Distribuia concentraiei de impuriti n
magnetotranzistorul microprelucrat (cu substratul
ndeprtat printr-o corodare anizotrop a siliciului
Fig. 4.19. Distribuia vectorilor de curent n absena cmpului magnetic (stnga) i
n prezena cmpului magnetic (dreapta)
Fig.4.20. Distribuia potenialului electric n absena cmpului magnetic i n prezena cmpului


Fig.4.22. Distribuia curentului de conducie n absena cmpului
Fig.4.23. Mobilitatea electronilor
conducie n absena cmpului
magnetic (stnga) i n prezena
cmpului magnetic (dreapta)
funcie de tensiunea Hall n prezena
unui cmp magnetic de 30 mT
Fig.4.21. Distribuiacmpului electric n absena cmpului

Diferena curenilor celor doi colectori n prezena cmpului magnetic este foarte mare n
cazul acestui tip de magnetotranzistor (figura 4.24), deci sensibilitatea lui este mult mai mare
dect a celorlali doi pui n discuie.
4.4. Modelarea magnetotranzistorilor bipolari
Magnetotranzistorii bipolari ocup un loc important n cadrul imensei varieti de
magnetosenzori. Ei combin efectul de tranzistor cu efectul Hall. Sensibilitatea dispozitivului
se bazeaz pe dou fenomene cauzate de aciunea forei Lorentz asupra purttorilor de
sarcin: modularea injeciei curentului de emitor i deflecia purttorilor minoritari n regiunea
bazei [68]. n funcie de topologia concret a dispozitivelor, predomin unul sau cellalt dintre
efecte. La unele dispozitive ambele efecte joac un rol semnificativ.
n cazul aplicrii unui cmp magnetic de inducie B, densitatea curentului (j) face un unghi
cu intensitatea cmpului electric (E). Deoarece golurile se deplaseaz n sensul cmpului, iar
electronii n sens invers, o fa a probei semiconductoare va acumula purttori, n timp ce
cealalt va fi srcit [66, 67]. Electronii vor face un unghi
n
, iar golurile un unghi
p
cu
direcia vectorului E. Apare astfel un cmp electric perpendicular pe fora Lorentz, cmpul Hall
(E
H
), care depinde de semnul purttorilor. E
H
continu s creasc pn cnd fora Lorentz
este compensat de cmpul transversal. Dup aceea, sarcinile se vor mica ca i cnd ar
exista numai cmp electric, iar cmpul magnetic ar fi inexistent.
B E B j E = = R R
H
(4.1)
unde R este constanta Hall, care se determin uor dac considerm c fora Lorentz este
compensat de cmpul Hall.
0 = +F E
H
e (4.2)
B E B v
F
E = = =
e
(4.3)
unde este mobilitatea purttorilor.
Constanta Hall se definete ca raportul dintre mobilitatea purttorilor i conductivitatea probei
semiconductoare, fiind dependent att de sarcina, mobilitatea i concentraia purttorilor, ct
i de mecanismul de mprtiere al purttorilor.
( )v j x ep
p
= (4.4)
unde p
p
(x) este concentraia golurilor majoritare, curentul de electroni minoritari putnd fi
neglijat.
( ) ( ) x ep x ep
p
H
p
B j
E
j
v

= = , (4.5)
Pentru semiconductorul tip p, p
p
(x) poate fi bine aproximat cu N
A
, concentraia acceptorilor,
iar N
D
este concentraia donorilor i astfel,

( )
D n
H
n
A
H
p
eN x en eN
B j B j
E
B j
E

= , (4.6)
Condiia neutralitii sarcinii cere ca p
p
(x) = N
A
departe de jonciune, i p
p
(x) = N
A
+n
p
'
(x) n
apropierea jonciunii, unde n
p
'
(x) este concentraia electronilor minoritari n exces pe partea p
a jonciunii, rezultai din injecia emitorului. Concentraia purttorilor n
p
'
(x) scade cu deprtarea
de jonciune, ceea ce nseamn c intensitatea cmpului Hall, E
H
, crete.
( )) (
'
x n N e
p A
H
p
+
=
B j
E (4.7)
La marginea regiunii de golire a sarcinii pe partea p a jonciunii, rezult
( )
( )) 0 (
0
'
p A
H
p
n N e +
=
B j
E (4.8)
Expresia cmpului Hall pe partea n a jonciunii este
( ) x en
n
H
n
B j
E

= (4.9)
Este rezonabil s presupunem c n regiunea emitorului n
+
, n
n
(x) = N
D
. Rezult astfel,
D
H
n
eN
B j
E

(4.10)
Efectul celor dou cmpuri Hall induse la marginile regiunii de golire p i respectiv n este
creterea potenialului jonciunii pe partea dreapt i scderea lui pe partea stng, cum se
poate vedea i n figura 4.26. Partea dreapt (y = -w/2) are potenialul jonciunii V
dr
= V
0
+
L/2

, iar partea stng (y = w/2) are potenialul jonciunii V
st
= V
0
-
L/2
, unde V
0
este potenialul n
absena cmpului magnetic. Presupunnd cmpurile Hall constante la marginile regiunii de
golire, independente de y, suma cderilor de potenial de-a lungul unei curbe nchise trebuie
s fie nul. Rezult:
( ) ( ) 0 0 = + +
st
H
n dr
H
p
V w l V w E E (4.11)
unde l este lungimea stratului de golire.
( ) ( ) w l V V
H
n
H
p L
def
st dr
+ = =
(
E E 0
(4.12)
Cmpul Hall la marginea regiunii de golire pe partea p, (x = 0), poate fi scris:
( )
( )
( )) , 0
'
(
, 0
0
y n N e
y
p A
H
p
+

=
B j
E
(4.13)
Densitatea de curent i concentraia purttorilor minoritari variaz n direcia y. n condiii de
nivel mic de injecie i neglijnd curentul de drift, densitatea de curent poate fi scris sub
forma:

( )
( )
|
|
.
|
\
|
(
(
+ = 1 , 0
0 0
kT
y eV
p
p p
n
p n
e
L
p D
L
n D
e y j (4.14)
Pentru o jonciune n
+
- p, N
D
>>N
A
, astfel nct,
D
i
n
A
i
p
N
n
p
N
n
n
2
0
2
0
= >> =
, iar j(0,y) poate fi aproximat cu
( )
( )
|
|
.
|
\
|
(
1 , 0
0
kT
y eV
n
p n
e
L
n D
e y j
(4.15)
Concentraia purttorilor minoritari, densitatea de curent i respectiv cmpul Hall pe partea p
a jonciunii pot fi exprimate ca:
( )
( )
( ) ( )
( )
( )
( ) y n N
B y o n
L
D
E
y n
L
eD
y j n y n
p A
p
n
n H
p
p
n
n kT
y eV
p p
e
, 0
'
,
'
0
, 0
'
, 0 , 1 , 0
'
0
+

= =
|
|
.
|
\
|
(4.16)
Trebuie observat c la nivel mare de injecie, concentraia electronilor minoritari n exces la
marginea jonciunii devine
( )
( )
( ) ( ) ( )
( )
|
|
.
|
\
|
(
+
=

1
1
1
, 0
'
0 2
2
0
2
0
KT
y eV
KT
y V V e
KT
y eV
n
i
p
p
e
e
e
n
n
n
y n (4.17)
i densitatea de curent corespunztoare (neglijnd din nou driftul) este dat de:
( )
( ) ( )
( ) ( ) ( )
( )
|
|
.
|
\
|
(
(
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|

+ + +
=

1
1
1 1
, 0
0 2
2
0
2
0
2
0
2
0
KT
y eV
KT
y V V e
KT
y eV
n
i
n
p n
KT
y eV
p
i
p
n p
e
e
e e
n
n
L
n D
p
n
L
p D
e
y j

Pentru cazul cnd regiunea n
+
este mult mai puternic dopat dect regiunea p, se obine
( )
( )
( ) ( ) ( )

KT
y V V e
KT
y eV
p
p
e
e n
y n
0 2
0
1
, 0
'
(4.18)
iar densitatea de curent este
( ) ( ) y n
L
D
y j
p
n
n
e
, 0
'
, 0 =
( )
( )
( ) ( ) ( )

=

(
(
|
|
.
|
\
|
KT
y V V e
KT
y eV
n
p n
e
e
L
n D
e y j
0 2
0
1
, 0
(4.19)
Aceste ultime trei ecuaii sunt valabile att n condiii de nivel mic ct i nivel mare de injecie,
n comparaie cu ecuaia

( )
( )
( ) y n N
B y n
L
D
E
p A
p
n
n H
p
, 0
'
, 0
'
0
+

(4.20)
valabil n toate condiiile de injecie, atta timp ct componentele curentului de drift ale bazei
se neglijeaz. Cu att mai mult, aceast ultim ecuaie poate fi independent de y numai
pentru nivele extrem de mari de injecie (de exemplu, n
p
/
(0,y)>>N
A
), iar n condiii de nivel mic
sau moderat de injecie, cmpul Hall E
p
H
poate fi considerat constant.
n aceleai condiii, cmpul Hall pe partea n a jonciunii este:
( )
( )
( )
( )
D
n D
H
n
eN
y
y l p N e
y
l
B j B j
E

+

=
, 0
) ,
'
(
, 0
(4.21)
mrimea sa putnd fi scris sub forma:
( )
( )
D
p
n
n H
n
N
B y o n
L
D
l E

,
'
(4.22)
unde p
n
(-l,y)<<N
D
. Deoarece N
D
>>N
A,
se poate scrie

potenialul electric sub forma:
( )
( )
( )
( ) y n N
Bw y n
L
D
w
N
y n N
B y n
L
D
p A
p
n
n
D
p A
p
n
n
L
, 0
'
, 0
'
1
, 0
'
1
, 0
'
+
+
+
=
(
(
(4.23)
nainte de a trece la analiza problemei, trebuie s lum n consideraie efectul contactului de
metal asupra potenialului Hall lng contact. Contactul are efectul de a micora cmpul Hall
n vecintatea sa [68].
4.4.1. Modularea injeciei emitorului
n cazul magnetotranzistorului, mecanismul care domin rspunsul dispozitivului este
modulaia injeciei emitorului, cmpul magnetic mrind injecia n unele regiuni i reducnd-o
n altele [85, 66]. Efectul Hall genereaz dou fenomene care conduc la modulaia injeciei
emitorului, i anume: efectul cmpului magnetic asupra purttorilor minoritari n baz injectai
de ctre emitor, ceea ce duce la modificri ale potenialului pe ambele pri ale jonciunii
emitor baz (Fig.4.25 4.26) i efectul cmpului magnetic asupra purttorilor majoritari ce
curg prin baz, ducnd la modificarea distribuiilor de cmp i potenial pe suprafaa bazei
(Fig. 4.27 4.29). Considerm tranzistorul bipolar lateral cu o baz, un emitor i doi colectori.
Structura are grosimea H, lungimea L i limea W. Cmpul magnetic se aplic perpendicular
pe suprafaa structurii. n prezena cmpului magnetic, cei doi colectori vor primi cureni
diferii, att datorit efectului de modulare al injeciei emitorului, prin efect Hall de-a lungul
jonciunii, ct i datorit curbrii traiectoriei purttorilor de sarcin.



KT
L
e
KT
L j
V e
C
KT
L
e
KT
L j
V e
C
e e e e
I
I I
I
I I
2
2 / 0
0 2
2
2 / 0
0 1
2
,
2
|
.
|
\
|

|
.
|
\
|
+
= =
(4.24)

unde V
j0
este potenialul de alimentare direct a contactului de baz,
L
este potenialul Hall
total de-a lungul jonciunii care moduleaz injecia emitorului, I este intensitatea curentului
total, iar I
0
scurgerea de curent. Dimensiunile W i H care apar n text reprezint aria de
injecie a emitorului. Se poate presupune c potenialul colectorului 1, cel care se presupune
a primi un curent mai mare n prezena cmpului magnetic, este V
1
= V
j0
+
L/2
pentru
W/2<y<0, iar potenialul celuilalt colector V
2
= V
j0
-
L/2
pentru 0<y< W/2. Diferena de curent
ntre cei doi colectori este:
KT
L
e KT
L
e
KT
L
e
I I I I I
e e
2
2 2
2 1
sinh
2

(
(
(
(
= =
(4.25)

Expresia eficienei este atunci:
KT
L
e
I
I
2
sinh

=
=
(4.26)
Pentru cazul unui tranzistor bipolar n
+
-p-n, densitatea de curent J(0,y) poate fi modificat
innd seama de dimensiunea finit a bazei, W
B
.
( )
( )
|
|
.
|
\
|
1 , 0
0
KT
y
j
eV
n
B
n
p n
e ctnh
L
W
L
n D
e y J
(4.27)

Prin dezvoltarea n serie MacLaurin a cotangentei hiperbolice, se obine
......
45 3
3
3
+ + =
n
B
n
B
B
n
n
B
L
W
L
W
W
L
L
W
ctnh
(4.28)
Fig.4.25. Jonctiunea emitor - baza
Fig.4.26.Configuraie
magnetotranzistor cu doi colectori

din care, se reine doar primul termen, rezult:
( )
( )
( ) 0
'
1 , 0
0
p
B
n KT
y
j
eV
B
p n
n
W
D
e
W
n D
e y J e =
|
|
.
|
\
|
(4.29)

iar expresia corespunztoare pentru potenialul
L
pentru tranzistorul bipolar n
+
-p-n devine:
( )
( )
( )
n p
p A
p
B
n
L
D l
n N
B n
W
D
+
+

(
4
0
'
0
'
(4.30)
iar eficiena sa:
( ) 0
2
'
1
sinh
p
A
n p
B
n
n
N
D l
W
B
I
I
+
+

(4.31)
unde D
n
poate fi nlocuit prin expresia (KT/q)
n
.
Dac presupunem c limea stratului de golire este [71]:
( )
( )
A D A
D
j
s
p
N N N
N
V V
q
l
+

0
2
(4.32)
unde V
0
este potenialul jonciunii; pentru o jonciune n
+
-p (N
D
>>N
A
), se poate scrie
( )
A
j
s
p
N
V V
q
l
1
0
2

(4.33)
Se observ c l
p
scade cu creterea lui N
A
.
n condiii de nivel mic de injecie, N
A
>>n
p
(0) eficiena va fi egal cu:

( )( ) ( ) ( )
(
(
+ +

=
A
n p
A B
n p p n
KTN
J D B
N W
D l Bn l
I
I
0 2 2
sinh
0
'
sinh

(4.34)
Pentru o densitate de curent fixat, eficiena scade n timp ce N
A
crete. n condiii de nivel
mare de injecie, n
p
(0) >> N
A
, eficiena va fi:
( )
B
n p n
W
D l B
I
I
+
2
sinh
(4.35)
ceea ce sugereaz c la nivel mare de injecie eficiena este independent de curent. Faptul
c mobilitatea scade cu creterea concentraiei de dopare a bazei, arat de asemenea c
eficiena crete cu scderea concentraiei acceptorilor, N
A
. Dac inem seama de faptul c
mobilitatea purttorilor minoritari (electroni)
n
n baz pentru structura n
+
-p este mai mare
dect mobilitatea purttorilor minoritari (goluri) n baz pentru structura p
+
-n, eficiena
dispozitivului n
+
-p-n ar trebui s fie mai mare n comparaie cu structura p
+
-n-p pentru
operarea la nivel mare de injecie. Este important de identificat exact mecanismul dominant al
sensibilitii magnetice la un anumit dispozitiv, pentru a-i putea crete eficiena

transconduciei i a-i optimiza parametrii operaionali. Dup cum s-a observat i mai sus att
n cazul simulrii ct i cel al modelrii teoretice, aplicarea unui cmp magnetic are ca efect
modificarea distribuiei de cmp i potenial (Fig. 4.27).

Dac baza este polarizat prin dou contacte B
1
i B
2
, atunci emitorii magnetotranzistorului
din figura 4.28 se vor afla la poteniale diferite, date de cmpul electric transversal. Dac d
este distana dintre cei doi emitori, l distana dintre cele dou contacte B
1
i B
2
, iar V
1,2

diferena de potenial dintre cele dou contacte de baz, atunci diferena de potenial dintre
cei doi emitori va fi dat de:
d B
l
V
d E U
n H H
= =
2 , 1
(4.36)
fiind direct proporional cu cderea de tensiune pe baz, cu mobilitatea purttorilor majoritari
din baz, cu distana dintre cei doi emitori i cu inducia magnetic.
Dac cei doi emitori sunt polarizai de o surs de curent ce injecteaz curentul I
0
:
kT
qU
kT
qU
H
H
e
I
I
e
I
I
2
0
2
2 0
1
2
2
= =
= =

(4.37)
iar sensibilitatea dispozitivului va fi dat de:
|
|
.
|
\
|

d B
l kT
qV
I
I I
I
I
n
2
sinh
2 , 1
0
2 1
(4.38)

Fig.4.27. Liniile de cmp i suprafeele
echipoteniale ntr-un semiconductor de tip n,
aflat sub influena cmpului magnetic
perpendicular pe suprafaa semiconductorului
Fig. 4.28. Efectul de modulare al injeciei emitorului prin efect Hall n baz,
cmpul magnetic fiind perpendicular pe suprafaa semiconductorului

asemntoare expresiei (4.35).
Ca i n cazul de mai sus, acest dispozitiv prezint o bun liniaritate i se pot face
urmtoarele observaii:
1. De aceast dat sensibilitatea este controlat de mobilitatea purttorilor majoritari n
baz, i nu de cea a purttorilor minoritari injectai.
2. Sensibilitatea poate fi modificat cu ajutorul diferenei de potenial aplicat ntre cele
dou contacte de baz.
3. Dispozitivul analizat este sensibil la cmpuri magnetice perpendiculare pe suprafaa
semiconductorului. n figura. 4.29 se prezint un magnetotranzistor analog pentru
cmpuri magnetice paralele cu suprafaa semiconductorului.
4. Rspunsul n frecven al magnetotranzistorilor care se bazeaz pe efectul modulaiei
injeciei emitorului depinde de viteza cu care se instaleaz cmpul Hall i este invers
proporional cu dimensiunea transversal a dispozitivului. Deoarece sensibilitatea este
direct proporional cu d, produsul dintre sensibilitate i banda de rspuns n frecven
este aproximativ constant, frecvena maxim la care dispozitivul rspunde scznd
odat cu creterea sensibilitii. Acest neajuns poate fi eliminat cu ajutorul configuraiei
de magnetotranzistor din figura 4.30. n acest caz, norul purttorilor minoritari injectai
n baz de ctre emitorul, numit filament, se mparte ntre cei doi colectori.

Aplicarea unui cmp magnetic duce la rotaia filamentului cu un unghi a crui tangent este:

B tg
n
=
(4.39)
Fig. 4.29. Cofiguraie dual de magnetotranzistor care se bazeaz pe modulaia injeciei emitorului
indus de efectul Hall n baz, cmpul magnetic fiind paralel cu suprafaa semiconductorului
Fig.4.30. Configuraie de magnetotranzistor cu colector dual care se bazeaz pe efectul de rotaie
a norului de purttori minoritari injectai n baz. Cmpul magnetic este perpendicular pe suprafaa
semiconductorului

rezultnd o mprire diferit a curentului ntre cei doi colectori. Sensibilitatea acestui
dispozitiv este aproximat de formula:

B
n

=
2 2
(4.40)
unde reprezint unghiul solid al norului electronic.
n cazul unui gradient mare de potenial n baz, se pot realiza unghiuri mici, de cteva
grade, i deci o sensibilitate relativ bun.
4.4.2. Modularea grosimii bazei (efect Early)
Grosimea bazei este dependent de tensiunile aplicate prin modificarea limii regiunilor de
sarcin spaial a celor dou jonciuni. Efectul de modulare a grosimii bazei este, deci,
bilateral i se studiaz n dou situaii [69]:
1. Modificarea grosimii bazei datorit tensiunii V
BC
, pentru V
BE
= constant, cunoscut
sub numele de efect Early i
2. Modificarea grosimii bazei datorit tensiunii V
BE
, pentru V
BC
= constant, cunoscut
sub numele de efect Late.
Modelul presupune o dependen liniar a curentului de colector, I
C
, de tensiunea colector
emitor, V
CE
, iar extrapolrile caracteristicilor se consider convergente ntr-un punct (-V
A
) pe
axa tensiunii. Aceste aproximri au la baz o dependen liniar a grosimii bazei de tensiunea
aplicat jonciunii colector baz, W(V
BC
)
W(V
BC
) = W(0) (1+V
BC
/V
A
) (4.41)
unde W(0) este grosimea bazei la V
BC
= 0, limita de separare dintre regimul de saturaie i
regimul activ normal, iar V
A
este un parametru de model numit tensiunea Early, cu valori
uzuale de 40 - 50V.
n cazul magnetotranzistorului microprelucrat, baza este reprezentat de stratul epitaxial, de
sub care se corodeaz anizotrop substratul de siliciu. O problem important n procesul de
fabricare este controlul adncimii de corodare, care este deosebit de dificil. O blocare
insuficient a corodrii poate duce la o subiere a stratului epitaxial. Influena subierii stratului
epitaxial asupra performanelor magnetotranzistorului se poate vedea n tabelul de mai jos,
pentru magnetotranzistorul microprelucrat n comparaie cu magnetotranzistorul cu
suprimarea injeciei laterale (SSIMT).
Magnetotranzistorul lateral SSIMT
Grosime strat epi (m) 10,4 8,4 10,4
IC (mA) 4,28 2,98 1,11
IS (mA) 0,35 0,27 7,30
Nr 12,1 19,1 0,15
Sa(mAT
-1
) 2,22 3,28 0,98
Sr (T
-1
) 0,27 0,55 0,44

Valorile din tabel sunt calculate pentru un curent de baz I
B
= 5mA i o tensiune colector
emitor V
CE
= -5V.
S
C
r
I
I
N =
(4.42)
este raportul semnal zgomot, I
C
, I
S
i I
B
sunt curenii de colector, substrat i respectiv baz.
B
I
S
C
a
=
(4.43)
reprezint sensibilitatea absolut, iar
C
a
r
I
S
S
2
= (4.44)
sensibilitatea relativ a senzorului la prezena cmpului magnetic.
Din tabelul de mai sus, se observ influena semnificativ a grosimii bazei asupra rspunsului
senzorului, cu o cretere considerabil a sensibilitii magnetice pentru straturi epitaxiate
subiri. Micorarea dimensiunilor verticale ale bazei, astfel nct adncimea bazei s fie mai
mic dect lungimea de difuzie a purttorilor minoritari, este o condiie imperios necesar
pentru obinerea unui dispozitiv sensibil la prezena cmpului magnetic. Plasarea unui
obstacol geometric n calea purttorilor minoritari injectai de emitor faciliteaz despicarea
fluxului purttorilor n componente separate: stnga, dreapta i, posibil, central.
4.4.3. Influena recombinrii de suprafa
Un alt efect important care apare la ndeprtarea substratului este puternica recombinare de
suprafa care apare pe partea corodat a stratului epitaxial; datorit calitii proaste a
suprafeei, timpul de via al purttorilor scade drastic [70]. Astfel, lungimea de difuzie a
purttorilor minoritari n baz scade de asemenea, rezultnd un ctig n curent mic al
tranzistorilor laterali i implicit o degradare a caracteristicilor de ieire. Am analizat efectul
recombinrii de suprafa asupra comportrii dispozitivului prin repetarea simulrilor
structurilor de magnetotranzistori microprelucrai cu diverse viteze de recombinare, variind
ntre 1010
4
cm/s. Valorile acestora depind puternic de procesul tehnologic. Pentru o
suprafa de foarte bun calitate vitezele de recombinare sunt: v
n
v
p
= 10cm/s, n timp ce
pentru suprafeele rugoase, cu densitate mare de defecte, valorile tipice ale vitezelor de
recombinare sunt de ordinul v
n
v
p
= 10
4
-10
5
cm/s. Pentru viteze de recombinare v
n
v
p
>
10
5
cm/s, datorit saturrii, efectele recombinrii de suprafa determin caracteristici
asimptotice ale dispozitivului. Curenii de colector i de substrat scad cu creterea vitezei de
recombinare. Vitezele superficiale de recombinare mai mici de 100 cm/s nu au influene
perceptibile asupra ctigului n curent.


4.4. Magnetotranzistorii bipolari verticali

n figura 4.32 se arat un exemplu de structur de
magnetotranzistor bipolar vertical realizat n
tehnologia circuitelor integrate bipolare n
laboratorul nostru i care const din doi tranzistori n-p-n cuplai printr-un emitor comun i o
baz comun, iar n figura 4.31 se arat o seciune transversal printr-o structur de
magnetotranzistor bipolar vertical. Inducia magnetic B trebuie s fie perpendicular pe
curentul purttorilor minoritari, i deci paralel cu planul structurii. Purttorii minoritari sunt
injectai din regiunea puternic dopat a emitorului, trec prin regiunea mai puin adnc a bazei
i ajung la colectorul reprezentat de stratul epitaxial care este puin dopat, unde ei devin
purttori majoritari. Aici, curentul se despic n dou pri, fiecare ajungnd la unul din cele
dou straturi ngropate. n absena cmpului magnetic i la o simetrie perfect a dispozitivului,
cele dou pri primesc acelai curent, I
C1
= I
C2
= I
C0
/2, unde I
C0
este curentul total de colector
n absena induciei magnetice.

Fora Lorentz curbeaz traiectoria purttorilor
injectai n baz i implicit n stratul epitaxial,
determinnd o diferen a curentului de colector I
C
= I
C1
- I
C2
. Datorit drumului scurt n
regiunea bazei, avem de-a face n principal cu deflecia purttorilor majoritari n stratul
epitaxial. Diferena dintre curenii de colector n prezena cmpului magnetic este [72]:
I
C
= G
n
(L/W
E
)I
C0
B, (4.45)
unde L este distana emitor-colector, W
E
limea emitorului, iar G este un factor geometric,
care este aproximativ unitar n condiiile n care L<<W
E
.
Sensibilitatea relativ a magnetotranzistorului bipolar se definete ca
Fig.4.31. Magnetotranzistor bipolar vertical
dublu colector cu stratul ngropat despicat
Fig.4.32. Fotografia structurii
magnetotranzistoului bipolar vertical
realizat n tehnologie bipolar

S = ,I
C
/I
C0
B,, (4.46)
sau prin nlocuirea relaiei 4.45 n relaia 4.46 se obine
S = G
n
(L/W
E
) (4.47)
4.5. Magnetotranzistori bipolari laterali
n figura 4.33 se arat un exemplu de structur de magnetotranzistor bipolar lateral p-n-p,
dublu colector, realizat n tehnologia circuitelor integrate i care este caracterizat printr-o
regiune a bazei mare unde purttorii minoritari curg lateral de la emitor la colectori. n contrast
cu magnetotranzistorul bipolar vertical, aici apare n principal deflecia purttorilor minoritari n
regiunea bazei. Emitorul i cei doi colectori sunt nglobai n stratul epitaxial, care servete ca
regiune a bazei. Cele dou contacte de baz n
+
se folosesc pentru a produce un cmp de
accelerare de-a lungul regiunii bazei. Datorit potenialului de accelerare, cea mai mare parte
a purttorilor minoritari injectai n emitor sunt direcionai spre cei doi colectori i numai o
mic parte se scurge n substrat. Acest dispozitiv este sensibil la cmpuri magnetice
perpendiculare pe suprafaa structurii dispozitivului.

Un model rafinat de magnetotranzistor
bipolar lateral este cel a crei seciune transversal, aa cum este el proiectat n tehnologie
bipolar [76], este artat n figura 4.34. Doi tranzistori p-n-p mpart acelai emitor i aceeai
baz. Regiunea bazei este definit de stratul epitaxial. Un inel de gard puternic dopat n
+

nconjur emitorul pentru a preveni injecia lateral a purttorilor minoritari din emitor n baz.
Acesta face ca dispozitivul s fie mult mai sensibil la prezena cmpului magnetic paralel cu
+ P P+
N+ P+ N+ N+ P+
N+
N - EPI N - EPI
SUBS B
C1
E
C2 B SUBS
SUBSTRAT - P
P+
Fig.4.34. Seciune transversal
printr-un magnetotranzistor bipolar
cu suprimarea injeciei
laterale(SSIMT)
Fig.4.33. Fotografia structuii
unuia dintre primii
magnetotranzistori bipolari
laterali pe care i-am realizat
dup un proiect original.

suprafaa cipului i perpendicular pe planul desenului. Prin alimentarea invers a jonciunii
emitor-inel de gard, injecia purttorilor poate fi concentrat n centrul jonciunii emitor-baz.
Simultan se formeaz un cmp de accelerare ntre inelul de gard i contactele de baz.
Toate aceste efecte mresc rspunsul la prezena cmpului magnetic. n termeni de deflecie
Lorentz, explicarea intuitiv a operrii acestui tip de dispozitiv este urmtoarea: purttorii
minoritari sunt injectai de emitor n regiunea bazei. Aici, curentul se despic n trei pri. n
absena cmpului magnetic, cantiti egale de purttori minoritari ajung la cei doi colectori, a
treia parte fiind colectat de substrat, care acioneaz ca un colector adiional. n prezena
cmpului magnetic, are loc o dubl deflecie, dup cum urmeaz.
1. Curentul de substrat este deflectat de fora Lorentz, i, n funcie de sensul cmpului
magnetic, el se adun la curentul colectorului din stnga sau din dreapta.
2. Scurgerile laterale ale curenilor de colector sunt deflectate spre substrat sau spre colector
Ambele tipuri de deflecie coopereaz la mrirea sensibilitii n prezena cmpului magnetic,
care poate ajunge mai mare de 2 mA/T pentru structuri de magnetotranzistori bipolari laterali
pnp.
Toate structurile de magnetotranzistori bipolari laterali conduc la aceeai cureni de baz
mari, de civa mA, ctigul lor n curent fiind foarte mic, << 1, din trei motive:
1. Limea efectiv a bazei fiind destul de mare, ea depete lungimea de difuzie a
purttorilor minoritari i astfel mai puini purttori ajung la colector.
2. Substratul acioneaz ca un colector adiional. Dimensiunea vertical a
magnetotranzistorului bipolar lateral este definit de grosimea regiunii bazei, care este
mult mai mic dect extensia lui lateral. Astfel, un tranzistor vertical este mult mai
eficient dect unul lateral.
3. n cazul magnetotranzistorului bipolar lateral cu suprimarea injeciei laterale, de tipul
celui artat n figura 4.34, inelul de gard puternic dopat din jurul emitorului reduce
eficiena emitorului, i n consecin ctigul n curent.
Pentru magnetotranzistorii bipolari laterali de sensibilitate mare i n particular pentru
magnetotranzistorii bipolari cu suprimarea injeciei laterale devine inutil relaia (4.47) pentru
determinarea sensibilitii, deoarece ea neglijeaz curentul de substrat care are o contribuie
important la mrirea diferenei curenilor de colector, I
C
, care apare n prezena cmpului
magnetic, i deci are o contribuie important la mrirea sensibilitii acestui tip de
magnetotranzistor [74]. Pentru aceste tipuri de dispozitive relaia de calcul a sensibilitii este
urmtoarea:
S
T
= I
-1
|I
C
/B|
B = 0
(4.48)

unde I = I
E
- I
B
= I
C
+ I
S
este curentul total de alimentare al magnetotranzistorului. Relaia
(4.48) se poate folosi pentru calculul sensibilitii magnetotranzistorului bipolar vertical din

figura 4.34, care are ctigul n curent >>1 i curentul de substrat, I
S
, neglijabil, astfel nct
I
C
I
E
. Relaia (4.41) este preferabil pentru magnetotranzistorii bipolari laterali cu <<1 i S
T

<<S. n termeni de S
T
, valorile sensibilitilor magnetotranzistorilor bipolari laterali i verticali
sunt de acelai ordin de mrime. Influena curentului de substrat va fi discutat n continuare.
Au fost investigate diverse metode de reducere a curentului de substrat pentru
magnetotranzistorii bipolari cu suprimarea injeciei laterale (fig.4.34). n tehnologia bipolar a
circuitelor integrate se poate folosi stratul ngropat pentru a suprima tranzistorul vertical care
apare ntre emitor, baz i substrat. Aceast structur mrete raportul dintre curentul de
colector i cel de substrat cu mai mult de un ordin de mrime. Sensibilitatea, totui, scade cu
un ordin de mrime, datorit doprii puternice a stratului ngropat, dar acesta determin o cale
de rezisten sczut n regiunea bazei, reducnd cderea de potenial i, deci, deflecia
curentului. O alt posibilitate este scurtarea limii bazei laterale, cu creterea curentului de
colector pe seama curentului de substrat. ntr-adevr, ctigul n curent i curentul de colector
este invers proporional cu ptratul limii bazei, dar sensibilitatea scade liniar cu scderea
dimensiunilor laterale. Optimizarea amndoura, n vederea obinerii simultane a unei
sensibiliti mari i a unui curent de substrat mic, pare inutil. Mai mult, prin micorarea
dispozitivului folosind un minim de reguli de proiectare, se poate pstra o sensibilitate
rezonabil atta timp ct crete raportul I
C
/I
S
. O alt metod de a elimina prezena
tranzistorului vertical care apare ntre emitor, baz i substrat este introducerea unui strat
ngropat izolator de SiO
2
.
4.6. Proiectarea magnetotranzistorilor bipolari
Senzorul magnetic bipolar pentru cmp paralel cu suprafaa al crui layout este prezentat in
figura 4.35 este proiectat n tehnologie bipolar standard. Se compune dintr-o pereche de
tranzistoare npn verticale identice orientate antisimetric a cror baze sunt realizate din cte
dou difuzii de adncimi diferite. Fiecare din cele dou tranzistoare este compus practic din
cte dou structuri conectate n paralel. Unica diferen dintre ele const n grosimea i
concentraia de impuriti din interiorul bazei. Diferena de lime a bazei determin o
diferen de factor de amplificare. n condiii de echilibru, la polarizare identic (emitorul la
potenial pozitiv V+, generator de curent n baz IB, i colectorul la mas), tranzistoarele
fiind identice se comport la fel, diferena de curent de colector fiind teoretic nul. La apariia
unui cmp magnetic B paralel cu suprafaa si perpendicular pe axa longitudinal a
structurii are loc o interaciune ntre acesta si cmpul electric generat de polarizarea colector
emitor VCE = V+. Rezultatul acestei interacii este un cmp electric perpendicular pe planul
celorlalte dou, paralel cu axa longitudinal a structurii. Baza, fiind polarizat prin generator
de curent, are un potenial flotant dictat de potenialul fix al emitorului i de tensiunea de
deschidere a jonciunii emitor baz. Deoarece contactul pe baz este prevzut numai n

centrul structurii, datorit efectului rezistiv al stratului pe de o parte i cmpului Hall pe de alt
parte, se produce un gradient de potenial n baz, n lungul dispozitivului. Cmpul Hall
afecteaz diferit cele dou jumti ale structurii n sensul c pentru o jumtate favorizeaz
deschiderea suplimentar a jonciunii emitor baz, n timp ce pentru cealalt jumtate
favorizeaz blocarea ei. Acest gradient de potenial genereaz potenialul flotant al bazei i
este fixat doar n centrul structurii.
Proiectarea magnetotranzistorilor bipolari cu dou baze s-a fcut cu respectarea regulilor de
proiectare pentru circuite integrate bipolare adaptate procesului tehnologic standard de
realizare a circuitelor integrate cu tranzistoare dublu baz. Acest proiect este realizat prin
optimizarea proiectelor magnetotranzistorilor bipolari prezentai mai sus. Acesta este un
proces care utilizeaz 8 mti, avnd urmtoarele denumiri i coduri n etapele succesive ale
procesului de fotogravur: Masca M1, strat ngropat, cod SI; Masca M2, turn de izolare, cod
IZ; Masca M3, baz groas, cod BH; Masca M4, baz subire, cod BL; Masca M5, emitor, cod
EM; Masca M6, contacte, cod CT; Masca M7, metalizare, cod ME; Masca M8, pasivare, cod
OP.
Ca o condiie de ordin general, s-a avut n primul rnd n vedere asigurarea grzilor ntre
ferestrele de difuzie pentru baz, i ferestrele de difuzie pentru emitor i de plusare pentru
contactul de colector. Astfel, distana minim ntre difuzia de baz i cea de emitor este de 4
m, ntre difuzia de baz i cea de plusare pentru contactul de colector de 18 m, iar ntre
fereastra de emitor i cea de colector pe masca de difuzie a emitorului de 26 m. Aceste
valori ale grzilor asigur obinerea tensiunilor de lucru colector-baz, colector-emitor i
emitor baz n limitele necesare i impuse de foaia de catalog i asigur prevenirea
strpungerii jonciunilor la valori mici ale tensiunilor de alimentare. Pentru minimizarea
efectelor parazite, zona activ a senzorului, amplasat n zona central, este strict delimitat
i izolat de restul cipului prin intermediul unui zid izolare de tip p. Acesta este realizat printr-o
difuzie adnc, de concentraie foarte mare, astfel nct ptrunde n ntregime stratul epitaxial
pn la substrat i formeaz de jur mprejurul structurii active o jonciune p-n invers polarizat
i o izoleaz de celelalte elemente de pe cip. Turnuri de izolare sunt prevzute de asemenea,
n jurul fiecrui pad, pentru eliminarea cuplajelor capacitive ntre terminale i fa de substrat.
Limea turnurilor de izolare este de 10 m. Proiectul prevede de asemenea, accesul la
substrat prin intermediul padului de contactare a substratului, amplasat n partea dreapt a
structurii. Dimensiunile cipului sunt de 1520 1020 m
2
, structura fiind proiectat ntr-o
configuraie simetric, avnd zona activ cu dimensiunile de 564/288 m amplasat n centru,
iar padurile de alimentare, ieire i testare amplasate perfect simetric n zona periferic a
cipului. Pentru definirea zonei intercip, n conformitate cu specificul procesului de fotogravur
pentru fiecare etap tehnologic, au fost configurate cadre pe mtile: M3 (difuzie baz
groas), M4 (difuzie baz subire), M5 (difuzie emitor), M6 (deschidere ferestre pentru

contacte) i M8 (deschidere ferestre n oxidul de pasivare, pentru contactele de paduri).
Masca M1(deschidere ferestre de difuzie a stratului ngropat) nu are figurat cadru i de
asemenea, nu au cadru nici mtile M2 (difuzie de izolare) i M7 (metalizare), care, datorit
particularitilor procesului de mascare din aceste etape ale procesului tehnologic, sunt
realizate n polaritate negativ fa de celelalte mti.

a) (b)

(c)

50 100 150 200 250
5
10
15
20
25
30
35
40
Ic = 1mA
Ib = 0,8mA
Vce = 5V
D
i
f
e
r
e
n
t
a

C
u
r
e
n
t
i

c
o
l
e
c
t
o
r
(
u
A
)
50 100 150 200 250
5
10
15
20
25
30
Ic = 1mA
Ib = 0,8mA
Vce = 5V
D
i
f
e
r
e
n
t
a

c
u
r
e
n
t
i
l
o
r

c
o
l
e
c
t
o
r

(
u
A
)

Fig. 4.36. (a). Structurile a doi
magnetotranzistori bipolari laterali (unul
n partea de sus i altul n partea de jos)
realizai. (b) Variaia diferenei de curent
de colector I
C
n funcie de inducia
magnetic pentru magnetotranzistorul
din partea superioar a figurii (a).
Sensibilitatea relativ este S = 0,11 (1/T)
. (c) Variaia diferenei de curent de
colector I
C
n funcie de inducia
magnetic pentru magnetotranzistorul
din partea inferioar a figurii (a).
Sensibilitatea relativ este S = 0,15 (1/T)
Fig. 4.35. Setul mtilor
suprapuse ale structurii
difereniale cu tranzistor
n-p-n vertical cu dou
baze

Schema de ansamblu a layout-ului senzorului a fost gndit n sistem modular, astfel c
pentru elementele componente similare ntre ele, au fost proiectate layout-uri nregistrate n
celule distincte care au fost n final utilizate la realizarea layout-ului general prin asamblarea
lor. n figura 4.36 se poate vedea o fotografie a structurii magnetotranzistorului realizat i
sensibilitatea lui n funcie de inducia magnetic.
4.7. Tehnologie de realizare a magnetotranzistorilor bipolari n-
p-n cu dou baze
Senzorul de cmp magnetic cu structur integrat de tranzistor n-p-n se realizeaz pe
plachete de siliciu tip p, cu orientare cristalografic (100), iar fluxul tehnologic de realizare al
senzorului se bazeaz pe tehnologia bipolar pentru circuitele integrate. Iniial, pe substratul
de siliciu se crete un strat gros de bioxid de siliciu n care, dup fotogravare, se realizeaz
stratul ngropat prin difuzie de stibiu. Dup dezoxidarea total, placheta de siliciu se
epitaxiaz i apoi, dup oxidare termic i fotogravur, se realizeaz turnurile de izolare. n
fazele urmtoare ale procesului, se realizeaz bazele i emitorul prin difuzie de bor i
respectiv de fosfor, dup care se realizeaz contactele pentru paduri i traseele de metalizare
ale interconexiunilor pe cip, iar n final, pe ntreaga plachet se crete un strat gros de oxid
pirolitic pentru pasivarea structurii. Instruciunile tehnologice conin urmtoarele elemente
caracteristice: Se folosesc plachete de siliciu de rezistivitate 8 12 cm dopate cu bor, care
se oxideaz n atmosfera de O
2
+ vapori H
2
O (x
ox
= 1,1 m) n vederea realizrii stratului
ngropat. Prin tehnica fotolitografic se deschid ferestre n oxid cu ajutorul mtii M1(SI). n
aceste ferestre se difuzeaz stratul ngropat prin tehnica oxizilor dopai n dou etape -
predifuzie n amestec 20%O
2
n N
2
, difuzie n amestec 5% O
2
n N
2
- pn la o adncime de 9
- 10m i rezistivitate 9 - 11cm (C
s
= 10
19
cm
-3
). n oxidul de strat ngropat se deschid
ferestrele pentru predifuzia de izolare (masca M2). Predifuzia de bor se realizeaz astfel nct
s se obin o rezistivitate de 1,5 cm. Plachetele se dezoxideaz i se crete un strat
epitaxial de tip n de grosime 18 20 m i rezistivitate de 20 25 cm. Se oxideaz la T =
1050C (x
ox
= 1100nm) n vederea realizrii oxidului de mascare pentru etapa a doua a
realizrii zidului de izolare. Cu ajutorul mtii M2 se redeschid ferestrele pentru difuzia de
izolare a insulelor de componente. Se execut o nou predifuzie de bor cu parametrii mai sus
menionai. Se realizeaz apoi difuzia de bor simultan a celor doua zone predifuzate anterior
n dou etape, prima pn la o adncime de aproximativ 8 m, cea de a doua coinciznd cu
difuzia de baz. Rezistivitatea final a stratului de bor se estimeaz la 8-10 cm. Plachetele
se dezoxideaz i reoxideaz pirogenic in atmosfer de O
2
+vapori de ap, ceea ce permite
obinerea unui strat de SiO
2
de bun calitate, n care se deschid fotolitografic, cu ajutorul
mtii M3, ferestrele pentru prima difuzie de bor pentru baza puternic dopat. Urmeaz un
nou proces de mascare cu masca M4, dup care are loc difuzia de bor pentru baza slab

dopat. Bazele, colectorii i emitorii se realizeaz n dou etape: predifuzie i difuzie,
obinndu-se n final o adncime x
B
= 3,5 m i V/I = 8 10 . Cu masca M5, prin tehnica
fotolitografic, se deschid ferestre n oxid pentru realizarea emitorilor i a contactelor de
colector. n aceste ferestre se execut o difuzie de fosfor tot n dou etape (predifuzie n
atmosfer de N
2
+ O
2
+ sursa de dopare - i difuziune), obinndu-se x
E
= 2,7 - 2,8 m i V/I =
3 4 . n oxidul crescut la difuzia de baz i emitor, cu masca M6, se deschid ferestrele de
contactare a componentelor realizate pe cip. Pentru interconectarea componentelor se
depune un strat de metal (TiAl) de grosime ~1,6m n care se definesc traseele de conexiune
cu ajutorul mtii M7. Stratul de Al se sinterizeaz pentru obinerea de contacte ohmice n
amestec de N
2
+H
2
. Plachetele se acoper cu un strat de oxid depus prin sistemul CVD la
presiune atmosferic din surs de silan+O
2
+fosfin pentru protecie. Oxidul de pasivare
format are urmtoarea configuraie n funcie de concentraia de dopant: 0,2 m nedopat, 0,6
m dopat cu P aprox 7,5%, 0,2 m nedopat. n oxidul de pasivare, cu ajutorul mtii M8, se
deschid ferestre de contactare n zonele de lipire a terminalelor (paduri). Caracterizarea
electric se face prin msurarea principalilor parametri ai urmtoarelor componente:
tranzistorul n-p-n vertical, tranzistorul p-n-p lateral, tranzistorul p-n-p de substrat, dioda Zener,
rezistorul difuzat din difuzie de bor (baza). Caracterizarea electric s-a efectuat prin
msurarea principalilor parametri ai componentelor tranzistoarelor n-p-n verticale. Fluxul
prezentat reprezint varianta optim din punct de vedere al minimizrii nivelelor de mascare
prin care se realizeaz senzorul magnetic n tehnologie bipolar. Tabelul de mai jos prezint
sintetic toate etapele fluxului tehnologic, mpreun cu procesele i operaiile care se execut
n fiecare etap a fluxului, iar n figura 4.37 sunt ilustrate etapele acestui flux.
Tabelul 4.1 Fluxul tehnologic pentru realizarea senzorului magnetic cu structur de tranzistor n-p-n
dublu baz
Nr.crt Proces tehnologic Observaii
1 Formare lot
2 Oxidare iniial 1065
0
C, grosime 1,2m
3 Fotogravura M1 Strat ngropat
4 ndeprtare fotorezist
5 Predifuzie strat ngropat Sb
2
O
3
V/I = 9 - 15
6 Dezoxidare parial
7 Difuzie strat ngropat 30minO
2
+24hN
2
1200
0
C
8 Dezoxidare totala 2 min HF concentrat
10 Oxidare turnuri de izolare 1065
0
C, grosime 0,8m
11 Fotogravura M2 Turnuri de izolare
13 Predifuzie turnuri de izolare 1100
0
C V/I = 1,1 1,5

14 Deglazurare turnuri de izolare 30min 650
0
C
15 Dezoxidare parial 8 min HF 5%
16 Difuzie turnuri de izolare 1200
0
C 4h O
2

17 Dezoxidare totala 1,5min HF concentrat
18 Msurarea tensiunii de izolare
19 Cretere strat epitaxial 12 15 m; 10
20 Oxidare baz groas 1065
0
C, grosime 1m
21 Fotogravura M3 Baza groas
23 Dezoxidare parial 0,5 min HF 5%
24 Predifuzie baz groas 950
0
C V/I = 3,5 5
25 Deglazurare baz groas 30min 650
0
C
26 Difuzie baz groas 1160
0
C V/I = 8 10
27 Oxidare baz subire 1065
0
C, grosime 1
28 Fotogravura M4 Baza subire Emitor
31 Predifuzie baz subire 1025
0
C V/I = 16,5 17,5
32 Difuzie baz subire 965
0
C 20min V/I = 48 54
33 Fotogravura M5 Emitor
36 Predifuzie emitor 1025
0
C V/I = 1,6 1,9
37 Difuzie emitor 965
0
C 20min V/I = 4,6 4,7
38 Fotogravura M6 Deschidere contacte
39 Metalizare Al 1,2
40 Fotogravura M7 Trasee metalizare
42 Sinterizare Al 450
o
C 30 min N
2
H
2
43 Depunere oxid de pasivare CVD P
2
O
3
0,7m
44 Fotogravur M8 Paduri
46 Lepuire mecanica si chimica
47 Metalizare spate



n figura 4.38 s-a reprezentat sensibilitatea magnetotranzistorului cu dou baze n funcie de
inducia magnetic, pentru diverse valori ale curenilor de polarizare a bazelor, iar n figura
4.39 s-a reprezentat sensibilitatea aceluiai magnetotranzistor n funcie de tensiunea baz
colector pentru diverse valori ale curentului de emitor. n figura 4.40 s-a reprezentat grafic
diferena curenilor de colector n funcie de inducia magnetic pentru diverse valori ale
curenilor de polarizare a bazelor.
n figura 4.41 se prezint pin-out-ul magnetotranzistorului p-n-p din partea de sus a figurii
4.36.(a), iar n figura 4.42 se prezint schema electronic echivalent a aceluiai
magnetotranzistor. n figura 4.43 se prezint pin-out-ul magnetotranzistorului n-p-n din partea
de jos a figurii 4.36.(a), iar n figura 4.44 se vede schema electronic echivalent a aceluiai
magnetotranzistor.
S-a observat din compararea rezultatelor msurtorilor obinute pentru cei doi
magnetotranzistori, c sensibilitatea la prezena cmpului magnetic este mai mare pentru
magnetotranzistorii cu emitor lung, iar offsetul mai mic s-a obinut pentru magnetotranzistori
fabricai pe substrat de siliciu cu orientare cristalografic (100).
Fig.4.37. Flux tehnologic de realizare a
magnetotranzistorului n p- n bipolar
cu dou baze
o Oxidare iniial
o Fotogravur M1, deschidere
ferestre de difuzie pentru strat
ngropat
o Difuzie strat ngropat
turnuri de izolare
o Epitaxie n
turnuri de izolare
o Fotogravur M3 i difuzie baz
groas
o Fotogravur M4 i difuzie baz
subire
emitori i plusare contact de
colector
ferestre pentru contacte
metalice
o Depunere metal i fotorezist
o Fotogravur M7, corodare
metal
ferestre paduri n oxidul de
pasivare

0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
,
0
0
0
,
1
0
0
,
2
0
0
,
3
0
0
,
4
0
0
,
5
0
0
,
6
0
0
,
7
0
0
,
8
0
0
,
9
0
1
,
0
0
S
e
n
s
i
b
i
l
i
t
a
t
e
a

(
%
)IB=0,1mA
IB=0,2mA
IB=0,3mA

0
5
10
15
20
25
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Ucb (V)
S
e
n
s
i
b
i
l
i
t
a
t
e
a

(
%
)
IE=0,3 mA
IE=0,6 mA
IE=0,9 mA
IE=1,2 mA

0
100
200
300
400
500
600
0
0
,
1
0
,
2
0
,
3
0
,
4
0
,
5
0
,
6
0
,
7
0
,
8
0
,
9 1
I
C
1
-
I
C
2

(
u
A
)
IB=0,2 mA
IB=0,4mA
IB=0.6mA
IB=0,8mA
IB=1 mA
IB=1,2mA

Fig. 4.38. Sensibilitatea relativ
msurat a magnetotranzistorului n-p-n
cu dou baze
Fig. 4.39. Sensibilitatea relativ
msurat n funcie de tensiunea baz
- colector pentru diveri cureni de
emitor, inducia magnetic 0,5 T, iar
curentul de polarizare a bazei 1 mA
Fig. 4.40. Diferena curenilor de
colector n funcie de inducia
magnetic pentru diveri cureni de
polarizare a bazelor
magnetotranzistorului
Fig. 4.41. Pin out ul
magnetotranzistorului prezentat n
partea superioar a figurii 4.36 (a)
Fig.4.42. Schema electronic echivalent
a magnetotranzistorului prezentat n
partea superioar a fig.4.36.(a).
E
B
C
1
C
2
M L T P N P
E
B
a c
2
R
P
V
0 1
V
0 1
- V
0 2
V
-
V
OU T
V
0 2
R
C 1
R
C2
M L T
1 00 K
V
+
R
0
2 x 3 K


TENSIUNEA DE OFSET A MAGNETOTRANZISTORILOR LATERALI N MONTAJ DIFERENIAL
Pentru un senzor magnetic, tensiunea de offset se manifest n general la ieirea acestuia n
cazul cnd acesta este polarizat. Pentru un senzor privit ca o punte rezistiv, acest offset
este datorat micilor diferene dintre cele patru ramuri ale punii i se manifest numai ca un
decalaj de ieire al dispozitivului. Problema offsetului este mult mai complex, att ca definire
ct i din punctul de vedere al comportamentului n cazul senzorilor formai cu tranzistoare
verticale sau laterale n montaj diferenial [87, 91]. n acest caz offsetul perceput pentru etajul
diferenial este diferena tensiunilor baz emitor ale celor dou tranzistoare, ce poate fi
generat att de diferenele celor dou difuzii ct i de asimetria general a ntregului
dispozitiv ntre cele dou tranzistoare : zone de contact ale regiunilor difuzate, treceri cu metal
peste regiunile difuzate, mici imperfeciuni n orientarea reelei cristaline etc.
Offsetul real este puternic influenat i de offsetul de ieire al celor dou tranzistoare, acesta
din urm rezultnd din diferenele accidentale dintre cele dou componente ale etajului
diferenial, care conduc la o neliniaritate a tensiunii de offset la ieire n funcie de offsetul
intrrilor: V
D
V
iD
*A
VO
.
Comportamentul la ieire influeneaz offsetul global n ambele direcii, amplificnd ns n
ambele cazuri valoarea sa absolut; se poate ajunge chiar pn acolo nct valoarea
offsetului s fie mai mare dect deviaia magnetic util nominal pentru o anumit valoare de
cmp magnetic. n acest caz problema este, ca i n cazul offsetului nul, simetria
msurtorilor:
V(B) - V
OFFSET
= V(-B)-V
OFFSET

Dac exist aceast relaie ntre cele dou msurtori, practic se poate modifica sistemul de
referin astfel nct valoarea noului decalaj s fie zero, iar valoarea absolut a msurtorii
V
(B) = V(B) - V
OFFSET
= V(-B). Aceasta este compensarea decalajului, dar tensiunea de
offset trebuie msurat pentru a-i fi cunoscut existena i valoarea. Caracteristicile

c
1
c
1
B
1
B
E
NPN
MLT
2
Fig.4.43. Pin-out-ul senzorului prezentat n
partea inferioar a fig.4.36.(a)
a c
2

E
B
1
B
2
c
2 c
1
V
01
V
02
R
C2
R
C1
R
O
V
+
R
P
V
+
V
OUT
= V
01
-V
02
MLT
Fig.4.44. Schema electronic echivalent
a magnetotranzistorului prezentat n
partea inferioar a fig.4.36.(a).

magnetice se analizeaz dup compensarea tensiunii de offset. Valorile tensiunilor de offset
msurate pe cei doi magnetotranzistori bipolari laterali din figura 4.36 sunt prezentate n
tabelul 4.2, n stnga pentru tranzistorul de sus i n dreapta pentru cel de jos.

Tabel 4.2.Tensiunile de offset pentru structuri de magnetotranzistori realizai pe substrat de Si de
orientare cristalografic (100) i (111), i dou polarizri diferite: 150mV/4mA i 100mV/1mA

Magnetotranzistor Fig. 4.36 (a) sus Magnetotranzistor Fig. 4.36 (a) jos
Si (111) Si (100) Si (111) Si (100)
150mV/4m
A
100mV/1m
A
150mV/4m
A
100mV/1
A
150mV/4m
A
100mV/1m
A
150mV/4m
A
100mV/1m
A
69 28 0 1 30 20 0 0
73 20 3 3 35 20 6 1
32 12 6 0 25 33 4 3
52 42 8 0 22 24 5 2
6 28 7 2 23 10 1 2
37 46 3 1 15 25 2 1
3 14 1 2 19 24 1 4
12 17 1 2 39 17 3 3
58 15 2 1 37 21 4 0
14 37 0 0 40 21 6 1
Pe lng o serie de parametri uzuali, (cum ar fi tensiunile de strpungere, curenii reziduali,
curenii de alimentare), senzorii de cmp magnetic integrai realizai n tehnologia circuitelor
integrate bipolare au i o serie de parametri specifici ca, de exemplu, sensibilitatea, curentul i
/ sau tensiunea de decalaj. Caracterizarea electric a senzorilor magnetici difereniali
necesit, de obicei, o configuraie extern de polarizare att a bazei ct i a colectorilor sau
emitorilor. Avnd n vedere valoarea mare a componentei de mod comun n comparaie cu
cea diferenial, pentru acurateea msurrii, se impune o postprocesare a semnalului care
elimin aceast component continu, astfel nct la ieire s apar numai componenta
diferenial. Etajele de polarizare precum i extractorul de curent - de mod comun - pot fi
nglobate ntr-un singur circuit tampon de configurare extern a senzorului. Un exemplu al
unui asemenea circuit se prezint n figura 4.45.
.
.
. . .
. .
.
.
.
.
.

. .
.
. . .
.
Output
k2d
k1d
k1d
C2 C1
B
Senzor
magnetic
VSS
I ref
VDD
Fig. 4.45. Schema electric echivalent
a circuitului de configurare extern a
senzorului magnetic diferenial realizat
cu tranzistoare n-p-n

Semnalul de ieire, care poate fi i de ordinul V, este amplificat cu ajutorul unui amplificator
de instrumentaie. La senzorii difereniali, decalajul ntre curenii sau tensiunile de ieire se
msoar in absena cmpului magnetic.
Msurarea sensibilitii se face n prezena cmpului magnetic transversal. Acesta se
genereaz cu ajutorul unei bobine cu miez magnetic n form de C. Bobina este plasat n
colectorul unui amplificator de semnal realizat cu un tranzistor n-p-n n conexiune cu emitor
comun, n baza cruia se plaseaz un generator de semnal. Blocul de generare a cmpului
magnetic precum i amplificatorul de instrumentaie sunt prezentate n figura 4.46.
1
2
1
2
2
2
3
3
3
3
3
2
6
6
6
+
+
+
-
-
-
B
4
4
5
4 70

205
+1 2V
(L )
B C
108
+ 5V
c c
+ 12
10k
10k
+12
7
108
4
1
8
7
108
1
4
8
1k 1 20k
-1 2 33
-1 2
33
1k
10 0k
120k
10M
5M 6
6 2
k
52k
42k
3 3
- 1 2
1
4
8
5
2 0 1
7
+ 1 2
- 1 2 V
c c
6
7
1
+ 1 2 V =
- 1 2 V=

Semnalul amplificat obinut la ieirea amplificatorului de instrumentaie poate fi citit direct cu
un aparat de msur sau preluat de un sistem de achiziie de date n vederea testrii
automate. Amplificatorul de instrumentaie prezint dou intrri difereniale cu impedan
foarte mare, notate cu + (intrarea neinversoare) i respectiv cu - (intrarea inversoare).
Caracteristica de atenuare a semnalului de mod comun micoreaz efectul buclelor de mas,
vrfurile semnalelor de curent alternativ ce pot s apar pe alimentare, precum i erorile
datorate zgomotului indus. Amplificatoarele de instrumentaie sunt folosite n special pentru
msurarea semnalelor de nivel mic, cum este i cazul senzorilor de cmp magnetic realizai
pe suport semiconductor. Pentru a pstra acuratea msurtorii semnalelor n diverse game
de lucru, dar i pentru ca msurtorile s nu influeneze sursa de semnal s-au folosit
amplificatoare de instrumentaie integrate cu amplificatoare programabile prin soft astfel nct
impedana de intrare, rejecia de mod comun i banda unui astfel de amplificator s fie foarte
mari, iar curentul de intrare i diferena tensiunii ntre intrri s fie nul. Sistemul de achiziii
de date a fost completat cu un convertor analog-digital care s preia datele de la
amplificatorul de instrumentaie.
Fig.4.46. Schema electronic de msur a parametrilor magnetotranzistorilor bipolari


5. MAGNETOTRANZISTORUL BAZAT PE FENOMENUL DE
EMISIE N CMP
Modul de operare al acestui senzor de cmp magnetic este urmtorul: o reea matriceal de
emitori verticali (3000) furnizeaz electronii, care sunt deviai n cmp magnetic ctre anodul
care este format din dou pri. Diferena dintre cei doi cureni de anod este o msur a
induciei magnetice. Ca urmare a deplasrii balistice a electronilor n vid, acetia pot atinge
viteze mult mai mari dect n semiconductori, iar sensibilitatea unui senzor magnetic bazat pe
emisie n cmp poate fi cu mult mai mare fa de senzorii cu semiconductori bazai pe efect
Hall [114]. Problemele ridicate de dispozitivele cu emisie n cmp se refer la capacitatea
electric mare, tensiunile de lucru comparativ mari i fluctuaiile curentului de emisie.
5.1. Modelarea senzorului de cmp magnetic cu emisie n cmp
Dei fenomenul emisie n cmp a fost pus n eviden i studiat de mult vreme, realizarea de
dispozitive de dimensiuni micronice bazate pe acest efect a cptat realitate doar n ultimii
ani. Astfel de dispozitive sunt realizate cu tehnologii de tip microelectronic i de
microprelucrare deja dezvoltate, plecnd de la un substrat semiconductor (in special siliciu,
ale crui proprieti sunt bine cunoscute) dar i de la straturi dielectrice i metalice.
Modificrile tehnologiilor existente se refer n principal la realizarea de vrfuri ascuite (cu
raze de curbur nanometrice) care permit obinerea unor cmpuri electrice foarte mari.
nelegerea funcionrii unui astfel de dispozitiv cu emisie n cmp necesit elaborarea unor
modele de dispozitiv. Modelele analitice, dei au un caracter idealizat, au meritul de a oferi o
prim imagine. Modelele numerice au dezavantajul de a nu fi 'transparente' i uor de neles,
dar ofer rezultate mai precise i pot trata situaii mai apropriate de realitate. Relaia Fowler-
Nordheim (FN) ofer o legtur ntre densitatea de curent emis n cmp, J
E
, i cmpul electric
local E. Aceast relaie are structural forma:

|
|
.
|
\
|
=
E
b E a
J
E
2 3 2
exp
(5.1)
Mrimile a i b au o dependen slab de cmpul E i de - mrimea barierei de potenial
prin care tuneleaz electronii, dar nu depind de temperatura T. Abordarea tradiional [114]
este de a considera c zona de emisie este suficient de mic pentru ca E i J s aib valori
constante. n acest caz, curentul total de emisie I se obine direct prin multiplicarea densitii
de curent, J
E
, cu aria de emisie . Pentru o reea de n emitori considerai identici, aceast
ecuaie se scrie:
I = nJ
E
(5.2)

unde n este numrul de emitori, iar este un factor de arie, care depinde de densitatea
emitorilor.
O a doua presupunere necesar pentru a face trecerea de la mrimile locale (J,E) la cele
globale (I,V) este c potenialul aplicat V determin la nivelul emitorului un cmp electric E,
proporional cu acesta:
E = V (5.3)
Cei doi factori de proporionalitate astfel definii poart numele de 'factor de cretere a
cmpului' sau 'de cmp' () i 'factor de arie' ().
Folosind ecuaiile 5.1- 5.3 se obine pentru curentul de emisie urmtoarea relaie:
( )
|
|
.
|
\
|
=
V
b V a
n I
2 / 3 2
exp (5.4)
Aceast relaie poate fi reprezentat ntr-o manier convenabil dac se ia ca ordonat
ln(I/V
2
) i ca argument 1/V :
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
= |
.
|
\
|
2
2 / 3 2
2
ln
1
ln ln
V
I
V
b n a
V
I

(5.5)
Aceast reprezentare (denumit grafic de tip Fowler-Nordheim) este liniar [93, 94].
Reprezentarea datelor experimentale de emisie n cmp permite n acest fel punerea n
eviden a fenomenului de emisie n cmp (dac acestea se aeaz ntr-adevr pe o linie
dreapt), lucru care este ntrit n situaia n care msurtori la temperaturi diferite conduc la
aceeai dependen. De asemenea, ecuaia 5.5 poate fi folosit n continuare pentru
extragerea parametrilor de model. Panta S i ordonata la origine Q corespunznd datelor
experimentale pot fi obinute prin metode standard, de exemplu prin regresie liniar. Folosind
ecuaia 5.5, S i Q se pot scrie sub forma:
( )
( )

, ,
,
2
2 / 3
=
=
=
=
Q
An
Q
S
B
S
(5.6)
Ecuaiile 5.6 pot fi utilizate pentru obinerea valorilor factorilor de cmp i arie i . Lucrul
mecanic de extracie , prezent n aceste ecuaii, poate fi obinut prin msurtori
experimentale. Un model simplificat pentru un senzor de cmp magnetic cu emisie n cmp
se obine lund n considerare un condensator cilindric - Fig.5.1 - avnd razele pturilor
interioare i exterioare r
0
i R = r
0
+d [96]. Traiectoria electronilor n funcie de inducia
magnetic a fost reprezentat n Fig. 5.2.
Din raiuni de simetrie, cmpul electric este radial. Potenialul V(r) i cmpul electric E(r) se
obin ca soluie a ecuaiei Laplace n coordonate sferice i, respectiv, cilindrice, cu condiii la
limit V(r=r
0
) = 0 i V(r=R) = V.


0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0
2
0
0
4
0
0
6
0
0
8
0
0
1
0
0
0
"x"coordinate (um)
"
y
"
c
o
o
r
d
i
n
a
t
e

(
u
m
)
30mT
40mT
60mT
8omT
90mT

Potenialul i cmpul electric la suprafaa emitorului pentru condensatorul sferic (E
s
= E(r=r
0
))
i condensatorul cilindric (E
c
= E(r=r
0
)) rezult a fi [97]:
( )
( ) |
.
|
\
|
+ =
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
|
.
|
\
|
+ =
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
d
r
r
V
E
R r r r
V r V
d
r
r
V
E
R r r r
V r V
s s
s s
0
0 0 0
0
0 0 0
1 ;
1 1 1 1
1 ;
1 1 1 1
(5.7)
5.1.1. Efectul sarcinii spaiale
Sarcina spaial joac un rol foarte important n cazul tuburilor cu emisie termoelectronic. n
mod normal, efectul ei este ns neglijabil n cazul catozilor cu emisie n cmp din cauza
cmpului electric intens care mpiedic formarea sarcinii spaiale [100]. Efectele sarcinii
spaiale pot fi puse n eviden numai la densiti de curent de emisie foarte mari. Legea de
emisie electronic n cazul unui electrod plan este legea lui Child Langmuir, extins pentru
cazul catozilor cilindrici. n aceste dou situaii cmpul electric a fost considerat nul n
vecintatea catodului, condiie la limit adecvat emisiei termoelectronice, dar nepotrivit
pentru emisia n cmp, cnd cmpurile intense sunt obligatorii. Ecuaia care trebuie rezolvat
este de tip Poisson, cuplat cu ecuaia de energie i ecuaia densitii de sarcin. Se iau n
considerare numai forele i vitezele longitudinale, adic cele avnd direcia axei z normal pe
suprafaa emitorului plan, respectiv radial n cazul emitorului cilindric i sferic. Pentru cazul
emitorului plan, ecuaiile se scriu:
Fig.5.1. Modelul de emitor
condensator sferic i cilindric
Fig.5.2.Traiectoria electronilor
emisi n cmp magnetic

0
2
2
=
dz
V d
Ecuaia Poisson (5.8)
m
qV
dt
dz
v
2
= = Ecuaia energiei (5.9)
dt
dz
v J = = Ecuaia distribuiei de sarcin (5.10)
In aceste ecuaii s-au folosit urmtoarele notaii: z - distana msurat de la catod, -
densitatea de sarcin datorat electronilor, V - potenialul electric, J - densitatea de curent,
0

- permitivitatea vidului, m,q - masa i sarcina electronului. Cele trei ecuaii precedente se pot
restrnge la:
q
m
k
V
kJ
dz
V d
2
1
;
0
2
2
= = (5.11)
care poate fi rezolvat considernd funcia invers z(V). Impunnd condiiile la limit V = 0 i
dV/dz = E pentru suprafaa catodului, z = 0, se obine:
( )
2 2
2 / 1 2 / 1
4
;
3
1 4 8 8
E
kJ
b
E b
bV bV
z =
+
= (5.12)
Aceeai ecuaie (5.11) integrat cu condiiile la limit V = 0 i dV/dz = 0 conduce la legea
Child-Langmuir:
z
V
k
J
2 / 3
9
4
= (5.13)

Pentru cazul emitorilor cu geometrie cilindric i sferic nu se mai poate obine o relaie
analitica I(V) ca n cazul emitorului plan, ci trebuie recurs la metode numerice (simple). Pentru
cazul emitorului cilindric, ecuaia Poisson n coordonate cilindrice se scrie:
0
2
2
0
2
2
1 1
= + = +
dr
dV
r dr
V d
dr
dV
r dr
V d
(5.14)
Ecuaiile pentru energie i densitatea de sarcin rmn aceleai cu nlocuirea lui z cu raza r.
Densitatea de curent se poate exprima i n funcie de densitatea liniar de curent I/L pentru
emitorul de lungime L. Cu s-a notat unghiul de emisie iar r
0
i J
0
sunt raza catodului i
densitatea de curent la suprafaa acestuia.
( )
0 0
J r r rJ L I = =
(5.15)
Combinnd ecuaiile 5.14 - 15 i 5.8 10, se obine:

r
E
V r
J kr
dr
dE
E
dr
dV
=
=
0 0
;
(5.16)
Aceast ecuaie se integreaz uor numeric prin metoda Runge-Kutta dac se rescrie sub
forma a dou ecuaii difereniale de gradul 1 cuplate:
r
E
V r
J kr
dr
dE
E
dr
dV
=
=
0 0
;
(5.17)
Distribuia cmpului electric se poate vedea n figura 5.3.
Pentru cazul emitorului cu geometrie sferic, ecuaia Poisson n coordonate sferice este:
0
2
0
2
= |
.
|
\
|
= |
.
|
\
|
dr
dV
r
dr
d
dr
dV
r
dr
d
(5.18)
Densitatea de curent poate fi exprimat n funcie de curentul total emis n unghiul solid :
( ) r J r J r I
2
0
2
0
= =
(5.19)
Combinnd ecuaiile 5.18 - 19 cu ecuaiile 5.8 - 10 se obine:
V r
J kr
dr
dV
r dr
V d
2
0
2
0
2
2
2
= + (5.20)
Aceast ecuaie poate fi integrat numeric prin metoda Runge-Kutta prin rescrierea sa sub
forma a dou ecuaii difereniale de gradul 1 cuplate:
r
E
V r
J kr
dr
dE
E
dr
dV
2
;
2
0
2
0
=
=
(5.21)

Fig.5.3. Distribuia cmpului electric

5.2. Stabilizarea emisiei reelei de emitori cu ajutorul unui MOSFET
Scopul realizrii senzorului de cmp magnetic bazat pe emisie n cmp stabilizat cu ajutorul
unui MOSFET este creterea sensibilitii dispozitivului, a densitii de curent de emisie, a
stabilitii i uniformitii curentului de emisie. Combinaia emitorilor cu dispozitivele active
MOSFET (care sunt surse de curent constant n regim de saturaie) este excelent pentru
stabilizarea curentului de emisie. Curentul de emisie crete n acest caz att datorit
curentului generat termic n stratul de golire de sub emitori, ct i datorit curentului de
electroni din stratul de inversie de sub poarta MOSFET-ului. Problemele ridicate de
dispozitivele cu emisie in cmp se refer la capacitatea electric mare (limitnd funcionarea
la frecvene ridicate), tensiunile de lucru comparativ mari i fluctuaii n curentul de emisie.
Dezvoltarea ctre integrare poate avea loc n diferite direcii, fie prin realizarea de structuri n
vid complexe cuprinznd mai muli electrozi sau alte elemente, precum i prin realizarea
structurilor integrate mixte pe suport semiconductor. Acestea din urm ar putea cumula
avantaje din amndou domeniile. Spre exemplu, un tranzistor cu efect de cmp (field effect
transistor, FET) - Fig.5.4 - sau un tranzistor cu straturi ar putea fi utilizat pentru controlul
curentului emis n cmp n vid de ctre un emitor realizat n acelai proces, monolitic.
Controlul activ al emisiei obinut astfel ar mbunti uniformitatea, lucru absolut necesar n
cazul display-urilor cu emisie n cmp. Alternativ, structuri cu emisie n cmp ar putea avea o
funcie auxiliar pe lng cele cu semiconductori, de exemplu de protejare la sarcina
electrostatic de suprafa.

Datorit tunelrii sub influena cmpurilor intense, electronii sunt generai prin emisie rece,
sau emisie Schottky [104, 105]. Dac emitorii sunt ncorporai n drena unei structuri
MOSFET, curentul emis poate fi mrit prin generare termic n regiunea golit de sub emitori
i de curentul de electroni din stratul de inversie de sub poart.
0 20 40 60 80 100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
E
m
i
s
s
i
o
n

c
u
r
r
e
n
t

I

(
A
)
Voltage V
a
(V)
Fig.5.4 .Emitor cu emisie n cmp
controlat prin efect de cmp
Fig.5.6. Variaia curentului de emisie n
funcie de tensiunea de polarizare a porii

Caracteristicile de emisie ale acestei structuri, trasate n Fig.5.5, confirm faptul c MOSFET-
ul controleaz curentul de emisie, deoarece curentul lui de dren este proporional cu (Vg
Vt)
2
n regim de saturaie.

Curentul de emisie a fost stabilizat prin conectarea extern a emitorilor cu drena unui
MOSFET, aa cum se vede n figura 5.6. Pe baza experimentelor realizate pe acest sistem
obinut prin conectarea extern a dou dispozitive active, am realizat o structur integrat
mixt, semiconductor vid, un senzor de cmp magnetic cu emisie n cmp ai crui emitori
sunt realizai n drena MOSFET ului (Fig. 5.9), care cumuleaz avantaje din ambele
domenii. Caracteristicile de emisie ale senzorului de cmp magnetic astfel obinut le - am
reprezentat n figura 5.7. Variaia sensibilitii relative a senzorului n funcie de tensiunea
anodului pentru dou distane ntre catod i anod (d = 5m i d = 10m) i inducia cmpului
magnetic B = 10mT este reprezentat n Fig.5.8. Cmpul magnetic se poate detecta folosind
un montaj diferenial pentru curent, reprezentat n figura 5.10. Senzorul de cmp magnetic
este ncapsulat ntr-o incint de sticl vidat (Fig.5.11). Dimensiunea mic a cipului (2 mm *
2.5 mm) face ca prezena unor elemente de spaiere ntre cele dou plci de sticl s nu mai
fie necesar. Deoarece electronii se deplaseaz balistic n vid pot atinge viteze mult mai mari
dect n semiconductori, sensibilitatea unui astfel de senzor magnetic fiind mult mai bun fa
de senzorii cu semiconductori bazai pe efectul Hall. Pentru senzorul descris, s-a msurat
experimental o sensibilitate de 1000 %/T, care este de peste 20 de ori mai mare fa de
senzorii cu semiconductori. Rspunsul senzorului este liniar pentru cmpuri magnetice sub
cteva sute de mT [113].

Fig.5.7. Caracteristicile de emisie (I-V)
ale senzorului de camp magnetic cu
emisie in cmp ai crui emitori sunt
inglobati in drena unui MOSFET
Fig.5.5. Senzor de camp magnetic cu emisie
in camp care are curentul de emisie stabilizat
prin conectarea externa a unui MOSFET


0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
100 150 200 250 300 350 400 450 500
Anode Potential, Va, [V]
S
e
n
s
i
t
i
v
i
t
y
,

S
,

[
%
/
T
]

d = 0,5 nm
d = 1 nm
Fig.5.11. Reprezentare schematica n
sectiune a senzorului de cmp magnetic
cu emitori laterali incapsulat ntr-o incinta
de sticla vidata (dimensiunea cip-ului
este de 2 mm * 2.5 mm)
Fig. 5.10. Circuitul diferenial de msur a
senzorului de cmp magnetic bazat pe
fenomenul de emisie n cmp
Fig.5.9. Structura test final (vedere
verticala) a senzorului de cmp magnetic
bazat pe emisia n cmp stabilizat cu
ajutorul unei structuri MOSFET
Fig.5.8. Sensibilitatea relativa a
senzorului de camp magnetic cu
emisie in camp ai carui emitori sunt
inglobati in drena unui MOSFET

5.3. Flux tehnologic pentru realizarea senzorului de cmp magnetic cu emisie n
cmp
5.3.1. Fluxul tehnologic pentru realizarea catodului
Catodul senzorului de cmp magnetic cu emisie n cmp s-a realizat pe plachete de Si, de
orientare (100), polisate pe ambele fee, n urmtoarea secven:
1. Curire standard iniial pentru oxidare.
2. Oxidare termic: T = 1100
O
C, t = 2h, H
2
O vapori, d = 2 m.
3. Fotogravura fa-spate (Masca M0) pentru definirea semnelor de aliniere.
4. Corodare SiO
2
, 2 min, soluie NF
4
:HF (6:1).
5. Protejarea spatelui plachetei cu fotorezist.
6. Subierea oxidului de pe faa plachetei pn la grosimea de 0.7 m 1.3 min, soluie
NF
4
:HF (6:1).
7. Fotogravur pe faa plachetei cu oxid subire pentru delimitarea emitorilor; se
depune un strat subire de fotorezist, cu viteza 3000-3500 rot/min i se lucreaz o
plachet de prob pentru stabilirea timpului optim de expunere i developare.
8. nlturarea fotorezistului n aceton.
9. Corodare Si prin masc de oxid n soluie de corodare izotrop:
HNO
3
:HF.CH
3
COOH (25:1:10); procesul se consider ncheiat cnd se observ la
microscopul optic desprinderea plriilor de oxid de la marginea plachetei.
10. nlturarea stratului de cear de pe spatele plachetei n tricloretilen la cald.
11. Curire standard pentru oxidare.
12. Oxidare termic pentru ascuirea emitorilor, 950
0
C, 30 min.
13. Realizarea stratului dielectric printr-un proces de autoaliniere. Depunerea unui
strat de SiO pe faa plachetei, de nlime aproximativ egal cu cea a emitorilor (d
= 2 m).
14. Depunerea unui strat metalic (Au) pentru realizarea contactului de gril.
15. nlturarea SiO i Au de pe zonele nedorite printr-un proces de lift-off de SiO
2
n
soluie de HF.
16. Fotogravur spate placheta pentru definirea orificiului de vidare.
17. Protejarea feei plachetei cu polimer siliconic.
18. Corodare Si de pe spatele plachetei pn la deschiderea orificiului de vidare.
19. nlturarea materialului de protecie de pe faa plachetei.
n figura 5.12 am prezentat o fotografie a emitorilor verticali realizai prin corodare n plasm i
ascuii prin corodare umed izotrop, n secvena de proces artat mai sus.

a b c

5.3.2. Fluxul tehnologic pentru realizarea anodului
Anodul senzorului de cmp magnetic cu emisie n cmp s-a realizat de asemenea pe
plachete de Si, de orientare (100), polisate pe ambele fee, n secvena urmtoare:
1. Curire standard pentru oxidare.
2. Oxidare termic Si, T = 1100
0
C, t = 2 h, H
2
O vapori, d = 2 m.
3. Fotogravur i gravare semne de aliniere.
4. Protejarea spatelui plachetei cu fotorezist.
5. Fotogravur pe faa plachetei pentru definirea umrului de distaniere, anod catod.
6. Corodare SiO
2
.
7. Corodare Si, d = 2 m.
8. Curire standard pentru metalizare.
9. Depunere Au pe faa plachetei; pentru acoperirea pereilor laterali se aeaz placheta n
poziie nclinat i se rotete n timpul depunerii.
10. Fotogravura pentru definirea interchip-urilor.
11. Corodare Au.
12. Fotogravur spate plachet pentru definirea membranei.
13. Protejarea feei plachetei cu polimer siliconic.
14. Corodare adnc Si n soluie de KOH, la temperatura de 80
0
C, un timp prestabilit
experimental pentru realizarea unei membrane cu grosimea de 20 m.
5.3.3. Corodarea emitorilor
Corodarea emitorilor se poate realiza umed, n soluii chimice, sau uscat, n plasm.
Corodarea emitorilor prin masc de SiO
2
s-a realizat prin procedeul corodrii umede izotrope
n soluie standard de HNO
3
/CH
3
COOH/HF (25/10/1). Iniial temperatura a fost de 24-25
0
C
scznd lent n timp. n ncpere temperatura a fost de 12-15
0
C, viteza de corodare fiind de
400 nm/min. n urma corodrii s-au obinut emitorii de-a lungul planelor <111>.
Corodarea uscat a emitorilor verticali se realizeaz prin corodare cu ioni reactivi (RIE) n doi
pai: mai nti o corodare ntr-un amestec de CF
4
i O
2
(4%) la puteri RF mari (0,5W/cm
2
) i
apoi o corodare ntr-un amestec de SF
6
i O
2
(23%) la puteri RF mici (0,25W/cm
2
). Se
Fig.5.12. Structura reelei de emitori verticali realizati prin corodare n plasma ( a, b )
i ascuii prin corodare umed (c).

folosete proprietatea c CF
4
la puteri RF mari corodeaz anizotrop siliciul, genernd perei
verticali, n timp ce SF
6
la puteri RF mici corodeaz izotrop siliciul, iar oxigenul cur
suprafaa n timpul corodrii, mrind viteza de corodare [110]. De aceea, un amestec optim al
acestor gaze poate controla n acelai timp corodarea lateral sub masca de oxid, corodarea
n adncime n siliciu, dar i micorarea razei de curbur a emitorilor. Corodarea cu ioni
reactivi se face la energii mari i n acest fel, suprafaa lateral a emitorilor devine mai
rugoas, acoperit cu asperiti (fibrile) de dimensiuni nanometrice. Fiecare dintre aceste
asperiti produce o cretere local a cmpului electric, devenind un nanoemitor [106, 107].
Aceti nanoemitori determin creterea curentului de emisie prin mrirea ariei de emisie i
prin creterea valorii intensitii cmpului electric local (care este direct proporional cu
nlimea emitorilor i invers proporional cu raza de curbur a emitorilor), acesta din urm
fiind mecanismul determinant [108, 109].
5.3.4. Experimente pentru ascuirea emitorilor
Prin oxidare emitorii se ascut mbuntindu-se emisia dat de acetia. Analiznd grosimea
emitorilor obinui, s-au ales dou programe de oxidare a reelelor de emitori: O
2
vapori la
950
0
C, timp de 90 min si O
2
vapori la 950
0
C, timp de 135 min. Pentru a vedea cum se
realizeaz ascuirea prin oxidare a emitorilor n cazul oxidrii cu O
2
, uscat am folosit urmtorul
program de oxidare: O
2
uscat, timp de 2 h la 950
0
C, dup care s-au fcut poze SEM.
5.3.5. Realizarea grilei
Grila se poate realiza utiliznd dou procese: un proces cu autoaliniere prin lift-off de SiO
2

prin depunere de SiO i un proces n care am folosit dou mti fotolitografice cu SiO
2
depus
LPCVD.
5.3.6. Proces cu autoaliniere lift-off de SiO
2
prin depunere de SiO
Pe una dintre probe, care fusese iniial oxidat obinndu-se un strat de oxid de 600 nm i la
care procesul de corodare al emitorilor fusese oprit n momentul n care plriile de oxid
ncepuser s se desprind de pe vrfurile emitorilor, s-a depus SiO. Depunerea s-a fcut
fr a nltura oxidul (SiO
2
) de pe vrfurile emitorilor. Programul de depunere al SiO este
urmtorul: depunere la 2x10
-6
Torr la temperatura camerei 20
0
C; grosimea stratului depus
fiind de circa 1,2 m. Apoi stratul de SiO
2
a fost corodat folosind ntr-un prim pas o soluie de
HF 50% i n al doilea pas o soluie de HF 5%.
5.3.7. Proces cu dou mti fotolitografice - SiO
2
depus LPCVD
O plachet pe care am obinut n prealabil emitorii a fost oxidat la 950
0
C, 2,5 h pe O
2
uscat.
Pe aceasta am depus apoi SiO
2
LPCVD din TEOS timp de 4 h la 730
0
C, grosimea de oxid

depus variind n jurul a 2,3 m. Dup aceasta s-a depus Al i apoi s-a fcut fotolitografiere
utiliznd masca 4 pentru a obine grila.
Procedeul de realizare a senzorului de cmp magnetic bazat pe emisie n cmp stabilizat cu
ajutorul unui MOSFET include cteva operaii tehnologice suplimentare:
- se realizeaz jonciuni p/n prin implantare ionic cu ioni de fosfor cu doza 510
15
ioni/cm
2

i energie 70 KeV n emitorii verticali, n dren i n surs, att pentru controlul i stabilizarea
curentului de emisie, ct i pentru a obine o multiplicare a curentului de emisie prin efectul de
conductivitate indus de bombardamentul cu electroni. Se face un tratament termic la 900
0
C
n atmosfer de azot pentru activarea ionilor de fosfor;
- stratul intermediar care determin distana dintre reeaua de emitori i anod este SiO
depus din stare de vapori la presiune joas, prezentnd proprieti de izolator foarte bune, i
anume rezistivitate i tensiuni de strpungere foarte mari ( 8 MV/cm), adeziune excelent
att la substrat ct i la metalul porii, porozitate i constant dielectric mic, stabilitate n
timp);
- oxidarea termic i ascuirea emitorilor se fac n pai tehnologici diferii, pentru a putea
controla att grosimea oxidului, deci nlimea emitorilor, ct i raza de curbur a emitorilor,
deoarece creterea oxidului consum aproximativ 0,45 din grosimea siliciului;
- grila se plaseaz la o anumit distan fa de emitor, cobornd poziia acesteia fa de
emitor. Astfel, intensitatea cmpului electric pe emitor este determinat att de potenialul
porii ct i de cel anodic. Modularea semnalului este determinat tot de poart;
- distana dintre anod i catod este relativ mare (0,2 mm) n comparaie cu datele din
literatur n scopul creterii sensibilitii dispozitivului, care este determinat de diferena celor
doi cureni de anod. n prezena cmpului magnetic, cu ct deflecia traiectoriei electronilor va
fi mai mare, cu att va fi mai mare diferena curenilor de anod i implicit se obine o
sensibilitatea mai bun [117].
Pentru senzorul descris, s-a msurat experimental o sensibilitate de 1000 %/T, de peste 20
de ori mai mare fa de senzorii cu semiconductori. Rspunsul senzorului a fost liniar pentru
cmpuri magnetice sub cteva sute de mT [118].
Dei aplicaiile raportate referitoare la senzori bazai pe emisie n cmp sunt relativ puin
numeroase, este de ateptat ca numrul i diversitatea acestora s creasc. Acest lucru se
va face prin corelarea domeniului emisiei n cmp cu alte domenii ale microelectronicii.
CONCLUZII
Lucrarea conine rezultate de sintez i contribuii originale privitoare la microsenzorii
magnetoelectronici. Microsenzorii descrii au fost realizai folosind att tehnici
microelectronice la dimensiuni micronice i submicronice, ct i tehnici de microprelucrare i
depunere de straturi subiri de dimensiuni nanometrice.

Contribuiile originale aduse prin prezenta lucrare pot fi sintetizate dup cum urmeaz:
1. Proiectarea i realizarea primului senzor Hall integrat pe siliciu mpreun cu circuitele
electronice de polarizare, de prelucrare i amplificare a semnalului. Contribuiile
originale sunt certificate prin brevetele: H01L27/22; H01L43/00 i lucrrile: [63, 64, 65];
2. Aplicarea unor tehnici originale pentru atenuarea factorilor generatori de efecte de
offset, instabilitate termic i neliniaritate n senzorii Hall. Contribuiile originale sunt
certificate prin brevetul nr. H 01 L 27/22; H 01 L 43/00 i lucrrile: [63, 64, 65, 87];
3. Proiectarea i realizarea primilor magnetotranzistori bipolari, verticali, laterali,
microprelucrai, cu suprimarea injeciei laterale. Contribuiile originale sunt certificate
prin brevetul nr. H 01 L 29/70; H 01 L 45/00 i lucrrile: [85, 86, 88, 89,90, 91, 92];
4. Aplicarea unor tehnici originale pentru obinerea unor magnetotranzistori care s
exploateze n funcionarea lor ambele mecanisme: efectul forei Lorentz asupra
purttorilor de sarcin i modularea injeciei emitorului, obinndu-se astfel dispozitive
cu sensibilitate ridicat, rspuns liniar i offset compensat Contribuiile originale sunt
certificate prin brevetele: H01L 9/70; H 01 L45/00 i lucrrile: [86, 88, 89, 90, 91, 92];
5. Proiectarea i realizarea primului senzor de cmp magnetic bazat pe fenomenul de
emisie n cmp, format dintr-o matrice de 3000 nanoemitori verticali Contribuiile
originale sunt certificate prin brevetele: H01J1/16; H01J1/02 i lucrrile: [110, 113,
117, 118];
6. Aplicarea unei tehnici originale de realizarea a nanoemitorilor n drena unui MOSFET,
pentru amplificarea i stabilizarea curentului de emisie, ceea ce duce la o cretere a
sensibilitii dispozitivului. Contribuiile originale sunt certificate prin brevetul nr. H 01
J1/16; H 01 J 1/02 i lucrrile: [117, 118];


BIBLIOGRAFIE
[1] J.E. Lenz.,"A Review of Magnetic Sensors," Proc IEEE, Vol. 78, No. 6:973-989, June 1990.
[2] P. Ciureanu, S. Middelhoek, Thin Film Resistive Sensors, IOP Publishing, London, 1992.
[3] W. Gopel, J. Hesse, J.N. Zemel, Magnetic Sensors: A Compresive Survey, 1989.
[4] H. Weiss, Structure and application of Galvanomagnetic Devices, Pergamon Press, Oxford, 1980.
[5] J. Clarke, R.H. Koch, The Impact of High Temperature Superconductivity on SQUID Magnetometers, Science,
vol. 242, pp.217-223, oct. 1988.
[6] A. Metze, L. Strandjord, J. Lenz, A Prototype Fiber-Optic Magnetometer, Fiber Optics Conference Proceeding,
Washington DC, March 1988.
[7] A. Yariv, H. Windsor, Proposal for Detection of Magnetic Fields through Magnetoresistive Perturbation of
Optical Fibers, Optical Letters, vol. 5, pp. 87, March 1980.
[8] H. Gavril, H. Chiriac, P. Ciureanu, V. Ioni, A. Yelon, Magnetism tehnic i aplicat, Editura Academiei
Romne, Bucureti, 2000.
[9] Michael J. Caruso, Tamara Bratland et. all. A New Perspective on Magnetic Field Sensing,
www.ssec.honeywell.com ,2001
[10] E.H. Hall, On a new action of the magnet on electric current American Journal of Mathematics, Vol.2, pp. 287
292, 1879.
[11] E.H. Hall, On a new action of magnetism on a permanent electric current American Journal of Sciences,
series 3, Vol.20, pp. 161 186, 1880.
[12] M. Heilblum, A. Stern, Fractional Quantum Hall Effects, Physics World, Vol.13, No. 3, pp. 37 - 43, 2000.
[13] C. Kittel, Introduction to Solide - State Physics , John Wiley & Sons, New York, 1996
[14] A.H. Morirsh, The Physical Principles of Magnetism, Wiley, New York, 1965.
[15] K. Yosida, Theory of Magnetism, Berlin, Springer, 1996
[16] C. Y. Chang and S. M. Sze, ULSI Technology. New York: McGraw-Hill, 1996.
[17] S. M. Sze, VLSI Technology. New York: McGraw-Hill, 1988.
[18] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley Ed. New York, 1981.
[19] C. L. Chien and C. R. Westgate, The Hall Effect and Its Applications, New York: Plenum, 1980.
[20] C. S. Roumenin, Magnetic sensors continue to advance toward perfection, Sensor & Actuators, vol. 46, no.
13, p. 273, 1995.
[21] P. Yu, M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors, Berlin, Springer, 1999.
[22] A.A. Abricosov, Fundamentals of Theory of Metals,Amsterdam, Holland, 1988.
[23] M. Devoret, New Era for Quantum Electronics, Physics World, Vol.14. No.6, pp. 27 32, 2001.
[24] E. Hinds, Magnetic Chips and Quantum Circuits for Atoms Physics World, Vol.14. No.7, pp. 397 43, 2001.
[25] C. L. Chien and C. R. Westgate, The Hall Effect and its Applications. New York: Plenum, 1980.
[26] R. S. Popovic, Hall Effect Devices: Magnetic Sensors and Characterization of Semiconductors. Bristol, U.K.:
Adam Hilger, p.219, 1991.
[27] L. Gold, L.M. Roth, Galvanomagnetic Theory for Electrons in Germanium and Silicon: Magnetoresistance in
the High Field Saturation Limit, Physical Review, Vol. 103, No. 1, pp. 61 66, 1956.
[28] A. C. Beer, Hall Effect and Beauty and Challenge of Science in the Hall Effect and Its Applications, C. L. C. A
C. R. Westgate, Ed. (plenum Press, New York, pp. 229 338, 1980.
[29] R. Popovic, Hall-effect devices, Sens. Actuators, vol. 17, p. 39, 1989.
[30] M. Metz, A. H aberli, M. Schneider, R. Steiner, C. Maier, and H. Baltes, Contactless angle measurement
using four Hall devices on a single chip, in Dig. Tech. Papers Transducers 97, Chicago, IL, p. 385, 1997.
[31] G. de Mey, Potential calculations in Hall plates, Advances Electron. Electron Phys., vol. 61, p. 1, 1984.

[32] C. S. Roumenin, Parallel-field Hall microsensors: An overview, Sensor & Actuators, vol. 30, no. 1/2, pp. 77,
1992.
[33] R. S. Popovic, The vertical Hall-effect device, IEEE Electron Device Lett., vol. EDL-5, pp. 357, 1984.
[34] S. Kordic, Integrated silicon magnetic-field sensors, Sensor &. Actuators, vol. 10, pp. 347, 1986.
[35] A. Haeberli, M. Schneider, P. Malcovati, R. Castagnetti, F. Maloberti, H. Baltes, Two-dimensional magnetic
sensor with on-chip signal processing for contactless angle measurement, IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 31, pp.
1902, 1996.
[36] P. M. Sarro, Sensor technology strategy in silicon, Sensor & Actuators, vol. 31, pp. 138, 1992.
[37] H. Baltes, CMOS as sensor technology, Sensor & Actuators, vol. 37/38, pp. 51, 1993.
[38] S. Bellekom and P. M. Sarro, Offset reduction of Hall plates in three different crystal planes, Sensor &
Actuators A, vol. 66, p. 23, 1998.
[39] P. J. A. Munter, A low-offset spinning current Hall plate, Sensor & Actuators, vol. 2123, p. 743, 1990.
[40] R. Gottfried-Gottfried, Thermal behavior of CMOS Hall sensors for different operating modes, Sensor &
Actuators A, vol. 4142, p. 430, 1994.
[41] Y. Kanda and M. Migitaka, Effect of mechanical stress on the offset voltage of Hall devices in Si IC, Phys.
Stat. Sol. (A), vol. 35, p. 115, 1976.
[42] S. M. Hu, Stress-related problems in silicon technology, J. Appl. Phys., vol. 70, pp. R53, 1991.
[43] L. T. Nguyen, S. A. Gee, W. F. v.d. Bogart, Effects of configuration on plastic package stresses, J. Electron.
Packag., vol. 113, p. 397, 1991.
[44] J. H. Lau, C. P. Wong, J. L. Prince, and W. Nakayama, Electronic Packaging: Design, Materials, Process, and
Reliability. New York:McGraw-Hill, p. 193, 1998.
[45] B. Hualg and R. S. Popovic, How to liberate integrated sensor from incapsulation stress, in Dig. Tech. Papers
Transducers 89, Montreux, p. 908, 1989.
[46] Y. Zou, J. C. Suhling, and R. C. Jaeger, Die surface stress variation during thermal cycling and thermal aging
reliability tests, in Dig. Tech. Papers Electronic Components and Technology Conference 99, San Diego, CA, p.
1249, 1999.
[46] P. J. A. Munter, A low-offset spinning current Hall plate, Sens. Actuators A, vol. 2123, p. 743, 1990.
[47] R. Steiner, A. Hoaberli, F.-P. Steiner, Ch. Maier, and H. Baltes, Off-set reduction in Hall devices by
continuous spinning current, Sens. Actuators A, vol. 66, p. 167, 1998.
[48] C. E. Shannon, Communication in the presence of noise, Proc. IRE, vol. 37, pp. 10, 1949.
[49] S. A. Gee, V. R. Akylas, and W. F. v.d. Bogert, The design and calibration of a semiconductor strain gauge
array , in Proc. IEEE Microelectronic Test Structures, vol. 1, pp. 185, 1988.
[50] R. E. Beaty, J. C. Suhling, C. A. Moody, D. A. Bittle, R. W. Johnson, R. D. Butler, R. C. Jaeger, Calibration for
piezoresistive-based stress sensor, Dig. Tech. Papers Electronic Components and Technology Conf. 90, Las
Vegas, NV, p. 797, 1990.
[51] J. R. Howell, Reliability study of plastic encapsulated copper lead frame epoxy die attaching packaging
system, in Proc. Int. Reliab. Phys. Symp, p. 104, 1981.
[52] M. Mayer, O. Paul, and H. Baltes, Complete set of piezoresistive coefficients of CMOS n
+
-diffusion, J.
Micromech. Microeng., vol. 8, p. 158, 1998.
[53] D. A. Bittle, J. C. Suhling, R. E. Beaty, R. C. Jaeger, and R. W. Johnson, Piezoresistive stress sensor for
structural analysis of electronic packages, J. Electron. Packag., vol. 113, p. 203, 1991.
[54] C. S. Smith, Piezoresistance effects in germanium and silicon, Phys. Rev., vol. 94, pp. 42, 1954.
[55] O. Madelung, Introduction to Solid-State Theory, Berlin: Springer, 1978.
[56] K. Seeger, Semiconductor Physics. Berlin, Germany: Springer, 1989.
[57] R. S. Popovic, The Vertical Hall Effect Device IEEE Electron Device Letters, vol.5, No.9, pp.357-358, 1984.

[58] R. S. Popovic, Z. Randjelovic, D. Manic, Integrated Hall Magnetic Sensors Sensors & Actuators, A, No. 2924,
p p.1-5, 2001.
[59] C. Schott and R. S. Popovic, Integrated 3-D Hall magnetic field sensors, in Transducers99 Tech. Dig.,
Sendai, Japan, p. 168, 1999.
[60] M. Paranjape, I. Filanovsky, and L. J. Ristic, 3-D vertical Hall magnetic- field sensor in CMOS technology,
Sensor & Actuators, vol. 34, no. 1, pp. 9, 1992.
[61] T. Nakamura and K. Maenaka, Integrated magnetic sensors, Sensor & Actuators,
vol. 2123, p. 762, 1990.
[62] M. Paranjape and L. J. Ristic, Micromachined vertical Hall magnetic field sensor in standard complementary
metal oxide semiconductor technology, Appl. Phys. Lett., vol. 60, no. 25, p. 3188, 1992.
[63] M. Avram, G. Simion, C. Ciprian, An Optimised Planar Hall Microsensor, Proceedings of the International
Conference on Semiconductors pp. 523 526, CAS 1997
[64] M. Avram, O. Neagoe, C. Codreanu, C. Voitincu A Novel Silicon Integrated Hall Sensor for Accurate Magnetic
Field Measurement, The 11th International Conference on Solid State Sensors and Actuators, EUROSENSORS
XVI, pp. 624 627, 2002
[65] M. Avram, C. Codreanu,O. Neagoe, C. Voitincu, M. Simion, A monolithically integrated magnetic field sensor
system, IEEE International Conference on Semiconductors CAS 2002, Sinaia, Romania;
[66] S. M. Sze, VLSI Technology. New York: McGraw-Hill, 1988.
[67] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley Ed. New York, 1981.
[68] C. Y. Chang and S. M. Sze, ULSI Technology. New York: McGraw-Hill, 1996.
[69] Adrian Rusu, Modelarea Componentelor Microelectronice Active, Editura Academiei Romane, 1990.
[70] Adrian Rusu, Conductie Electrica Neliniara in Structuri Semiconductoare, Editura Academiei Romane, 2000.
[71] A.S. Grove, Physics and Technology of Semiconductor Devices, University of California, Berkeley, 1967.
[72] S. Kordic, Integrated silicon magnetic-field sensors, Sensor & Actuators, vol. 10, p. 347, 1986.
[73] M. Metz, Offset in CMOS magnetotransistorsAnalysis and reduction, Ph.D. dissertation, ETH Zrich,
Zrich, Switzerland, 1999.
[74] C. S. Roumenin, Magnetic sensors continue to advance toward perfection, Sensor & Actuators, vol. 46, no.
13, p. 273, 1995.
[75] T. Nakamura and K. Maenaka, Integrated magnetic sensors, Sensor & Actuators, vol. 2123, pp. 762, 1990.
[76] P. M. Sarro, Sensor technology strategy in silicon, Sensor & Actuators, vol. 31, pp. 138, 1992.
[77] M. Avram, N. Moldovan, R. Leancu, M. Buzica, Dry Etching Induced Damage in Silicon , IEEE International
Conference on Semiconductors, pp. 401 404, CAS 1994.
[78] N. Moldovan, M. Avram, Mihaela Ilie, "Progresses in the Physics of Etching Growth Processes for
Micromachining", Microsystems, pp. 203 207, 1991
[79] M. Avram, R. Leancu, M. Ilie, Dimentional Stability of Etched Structures During the Anisotropic Silicon
Etching,. , IEEE International Conference on Semiconductors, pp. 249 253, CAS 1995
[80] R. Divan, H. Camon, M. Avram, E. Manea, N. Moldovan, M. Dilhan, Roughness in Silicon Anisotropic
Etching: the Influence of Cleaning Conditions, IEEE International Conference on Semiconductors, pp. 349 352,
CAS 1998.
[81] H. Baltes, CMOS as sensor technology, Sensor & Actuators, vol. 37/38, pp. 51, 1993.
[82] M. Bodea, A. Vatasescu, N. Marinescu, Circuite integrate liniare Vol. 3, Editura Tehnica Bucuresti, 1984.
[83] E. Ohta, M. Sakata, Temperature Dependence of Hall Factor in Low Compensated n- type Silicon,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 17, No. 10, pp. 1795 1804, 1978.
[84] J. A. del Alamo, R. M. Swanson, Measurement of Hall Scattering factor in Phosphorus Doped Silicon,
Journal of Applied Physics, Vol. 17, No. 10, pp.2314 2317, 1985.

[85] M. Avram, O.Neagoe, "A New Bipolar Magnetotransistor with Combined Phenomena of Carrier Deflection and
Emitter Injection Modulation" IEEE International Semiconductor Conference, pp.97 100, CAS 1996.
[86] M. Avram, O. Neagoe, T. Lipan, "Lateral Bipolar Magnetotransistors with enhanced Emitter Injection
Modulation and Carrier Defflection, " IEEE International Semiconductor Conference, Sinaia, Romania, 1997.
[87] M. Avram, G. Simion, C. Iliescu , M. Simion "An Optimised Planar Hall Microsensor, IEEE International
Semiconductor Conference, pp. 519 522, CAS 1997.
[88] M. Avram, O. Neagoe, An Optimised Integrated Bipolar Magnetotransistor, Eurosensors XII, p.991 - 994,
(1998)
[89] M. Avram, C. Ravariu, A new MOSFET-SOI Magnetic sensor ", IEEE Int. Conf. Proc. CDE-99, Spania,
Madrid, pp. 488 491, 1999.
[90] M. Avram, O. Neagoe, C. Ravariu, The Efficiency Increase for Integrated Lateral Dual Collector
Magnetotransistor IEEE International Semiconductor Conference, pp. 289 292, CAS 1998
[91] C. Iliescu, J. Miao, M. Avram, Fabrication of Chip Scale Piezoresistive Pressure Sensors Using Screen
Printed Glass Frit Packaging International Journal of Computional Engineering Science, Vol. 0, No. 0, pp. 1- 4,
2002.
[92] M. Avram, O. Neagoe,C. Codreanu, C. Voitincu, M. Simion, Bipolar Magnetic Microsensor for Longitudinal
Fields, EUROSENSORS XVI, pp. 628 631, 2002.
[93] C.A.Spindt & al, "Physical properties of thin-film emission cathodes with molybdenum cones", J.of Appl. Phys.,
vol.47, no.12, p5248; 1976.
[94] K.Betsui , "Fabrication and characteristics of Si field emitter arrays", Proceedings of the fifth IVMC, Nagahama,
Japan, 1991.
[95] S.Fukuda, K.Betsui, "Fabrication and characteristics of tantalum field emitter arrays", Proceedings of the fifth
IVMC, Nagahama, Japan, 1991.
[96] H.Komatsu, "Fabrication and characteristics of vacuum microelectronic devices with lateral field electron
emission cathode", Proceedings of the fifth IVMC, Nagahama, Japan, 1991.
[97] H.Busta & al, "Lateral miniaturized vacuum devices", IEDM, p533; 1989.
[98] R.Marcus & al. "Formation of silicon tips with <1nm radius", Appl.Phys.Lett.,56(3), Vol. 1,1996.
[99] I. Brodie and C. A. Spindt, Vacuum microelectronics, Adv. Electron.Phys., vol. 83, p. 1, 1992.
[100] C. A. Spindt, I. Brodie, L. Humphrey, and E. R. Westenberg, Physical properties of thin-film field emission
cathodes, J. Appl. Phys., vol. 47, p. 5248, 1976.
[101] H. G. Kosmahl, A wide-bandwidth high-gain small-size distributed amplifier with field-emission triode
(FETRODEs) for the 10 to 300 GHz frquency range, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 36, p. 2728, Nov. 1989.
[102] P. N. Lally, Y. Gorden, and E. A. Nettesheim, An X-band tuned amplifier with a field-emission cathode, IEEE
Trans. Electron Devices, vol. 36, p. 2738, Nov. 1989.
[103] S. Kanemaru and J. Itoh, Fabrication and characterization of lateral field-emitter triodes, IEEE Trans.
Electron Devices, vol. 38, p. 2334, Oct. 1991.
[104] C. A. Spindt, C. E. Holland, A. Rosengreen, I. Brodie, Progress in field emitter array development for high-
frequency operation, in IEDM Tech. Dig., p. 749. 1993.
[105] C. M. Park, M. S. Lim, and M. K. Han, A novel in situ vacuum encapsulated lateral field emitter triode, IEEE
Electron Device Lett, vol. 18, p. 538, Nov. 1997.
[106] C. A. Spindt, C. E. Holland, I. Brodie, J. B. Mooney, and E. R. Westerberg,
Field-emitter arrays applied to vacuum fluorescent display, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 36, p. 225, Jan.
1989.
[107] W. D. Kesling and C. E. Hunt, Beam focusing for field-emission flat-panel displays, IEEE Electron Device
Lett., vol. 24, p. 340, Feb. 1995.

[108] J. D. Levine, Statistical analysis of field emitter emissivity: Application to flat displays, J. Vac. Sci. Technol.
B, vol. 13, no. 2, p. 553, 1995.
[109] J. A. Oro and D. D. Ball, Lateral field-emission devices with subtenthmicron emitter to anode spacing, J.
Vac. Sci. Technol. B, vol. 11, no. 2, p. 464, 1993.
[110] I. A. Kleps, M. Avram, M. Badila, A. Paunescu, "Dry etching of the HMDS - LPCVD films", The 9th
International Colloquium on Plasma Processes, Juan-les-Pins, CIP93 Proceedings, pp. 7-11, 1993,
[111] J. H. Park, H. I. Lee, H. S Tae, J. S. Huh, and J. H. Lee, Lateral field emission diodes using SIMOX wafer,
IEEE Trans. Electron Devices, vol. 44, p. 1018, 1997.
[112] H. Y. Ahn, C. G. Lee, and J. D. Lee, Numerical analysis on field emission for the effects of the gate
insulators, J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 13, no. 2, p. 540, 1995.
[113] M. Avram, A. Angelescu, I. Kleps, C. Ravariu,.Stabilization of Emitter Arrays by MOSFET for Magnetic
Sensor Applications , International Semiconductor Conference, Sinaia, Romania, 2001.
[114] D. Nicolaescu, V. Filip, Modelling of Magnetic Sensor Based on Vacuum Field Emission, Applied Surface
Science, vol. 94/95, pp. 87 93, 1996.
[115] T. Hirano, S. Kanemaru, H. Tanoue and J. Itoh, Emission Characteristics of Ion Implanted Silicon Emitter
Tips, Jpn. J. Appl.,Vol.34,pp.69076911, 1995.
[116] T. Matsukawa, K. Koga, S. Kanemaru, H. Tanoue and J. Itoh, Optimization of Transistor Structure for
Transistor Stabilized Field Emitter Arrays, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 46, pp. 2261 - 2264, 1999.
[117] M. Avram, Magnetic Sensor based on stabilised MOSFET Field Emitter Arrays, The 11th International
Conference on Solid State Sensors and Actuators, Transducers01, EUROSENSORS XV, Munich, Germany, pp.
152 155, 2001.
[118] M. Avram, I. Kleps, A. Angelescu, M. Simion, M. Miu, An Optimised Magnetic Sensor Based On Stabilized
Mosfet Field Emitters Array, EUROFE`01, Alicante, Spain, pp. 71 74, 2001.



MULUMIRI
Mulumesc pentru colaborare, imensa nelegere, discuii tiinifice fructuoase, sfaturi utile n
ceea ce privete munca mea, dar i despre via n general, prietenei mele Otilia Neagoe.
Mulumesc de asemenea celor care de-a lungul anilor m-au ajutat la realizarea numeroaselor
experimente, simulari, caracterizri i msurtori: Ciprian Iliescu, George Simion i Cristian
Ravariu.

Microsenzori Magnetoelectronici

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Microsenzori Magnetoelectronici

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Microsenzori magnetoelectronici

Autor Marioara Avram 1

(0) eficiena va fi egal cu:

S-ar putea să vă placă și