Instituto tecnolgico de Reynosa

Qu es un transistor?

Es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para producir una seal de salida en respuesta a otra seal de entrada. Este cumple con las funciones de: Amplificador. Oscilador. Conmutador y rectificador.

Quin invento el transistor?

La invencin del transistor se le atribuye a tres grandes fsicos (William Bradford Shockley, John Bardeen y Walter Houser Brattain) que en el ao 1956 ganaron el nobel de fsica debido al considerado el mayor desarrollo tecnolgico del siglo XX el transistor. El desarrollo del primer transistor se dio debido a la necesidad tcnica de hacer llamadas telefnicas a larga distancia.

Manuel Ren de los Santos Manjarrez

Fsica de semiconductores

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Cmo se fabrican los transistores?

Los transistores suelen construirse de Ge (Germanio) o de Si (Silicio) segn la tcnica usada.

Transistores de aleacin.
Mediante este procedimiento se elaboran transistores PNP de Germanio y de pequea y mediana potencia (hasta 150 watts). Se parte de discos de Ge monocristalino tipo N. Se colocan en un molde de grafito, a la vez que se introducen dos bolitas del componente de aleacin que se quiere formar (en este caso Indio). La de mayor tamao de coloca en la cara destinada al colector y la ms pequea para la parte del emisor. El conjunto se introduce en un horno con una atmosfera neutra o ligeramente reductora y se realiza el proceso de vuelco. A una temperatura de 600 C se forma una aleacin eutctica de In-Ge que contiene el 24% de Ge, una vez girado el molde 90C. A continuacin se gira dicho molde 180 C para la formacin del emisor. Los tiempos de permanencia en cada fase determinan la profundidad de las uniones base-emisor y base-colector.

Existe una variante para seales dbiles que son las de aleacin difusa. Estos son bsicamente iguales a los de aleacin, pero haciendo que el emisor forme en una aleacin de In como Ge tipo N fuertemente dopado como muestra la figura de la izquierda. Esto es debido a que entre las dos capas de conductividades diferentes, existe un campo acelerado, disminuyendo el tiempo de trnsito.

Transistores por difusin. Tcnica Mesa.

Sobre una oblea de Ge tipo P o Si tipo N, que constituye el colector, se difunde arsnico o boro segn se trate de Ge o Si respectivamente. El emisor se obtiene por difusin (a veces aleacin) de Indio para el Ge o de Fsforo para el Si. Se metalizan las conexiones y se fijan los terminales por termocompresin. Como se ha podido observar, se obtienen transistores PNP de Ge y NPN de Si. La tcnica mesa reduce las superficies de unin colector-base, eliminando en gran parte la capacidad parsita asociada a esta unin (ya que normalmente est polarizado en inversa). Tambin permite obtener un reducido espesor de base, con lo que se llega a frecuencias de corte de 500 Mhz. Adems de estas caractersticas, podemos resear la elevada superficie de colector, con lo que sus aplicaciones se pueden enfocar hacia

Manuel Ren de los Santos Manjarrez

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Instituto tecnolgico de Reynosa transistores de Radiofrecuencia (RF) de potencia. Algunos variantes ms perfeccionados con mtodos epitaxiales se usan para VHF y en general para conmutacin rpida.

Transistores planares.
El proceso comienza por la obtencin de mscaras de una escala 500:1 aproximadamente, para luego reducirse a tamao natural mediante fotolitografa. Estas mscaras van a determinar las zonas donde se han de hacer las difusiones correspondientes a cada parte del transistor, incluidas las metalizaciones. Hay que decir que las mscaras definitivas que se aplicarn a las obleas de Si, estn constituidas por una multiplicidad de mscaras elementales correspondientes a un solo transistor. Es decir, que se fabrican unos 4000 transistores a la vez en la misma oblea y a continuacin se separan para su encapsulacin. El proceso de fabricacin se va a explicar respecto a un transistor aislado, aunque como ya se ha dicho no sea fiel reflejo de la realidad. Se parte de un disco de Si tipo N, poco dopado (alta resistividad). Se procede a una oxidacin global en un horno a 1200 C. A continuacin se recubre la cara superior con una resina fotosensible, para despus colocarle la mscara correspondiente e iluminarla, generalmente con luz actnica. Se ataca el disco mediante fluoruro amnico y fluorhdrico para eliminar la resina polimerizada y el xido, donde se ha de hacer la difusin a una temperatura de 1200 C y se realiza una difusin de B en forma de vapor, obtenindose la base tipo P. Se introduce vapor de agua en el horno y se forma nuevamente SiO2 para proteger la zona difundida. Para la formacin del emisor se procede de la misma forma que para la base, con su mscara correspondiente y con una difusin tipo N con Fsforo o Arsnico. La pureza de la oblea inicial es muy importante, pues las dos difusiones posteriores (la de base tipo P y la de emisor tipo N) tienen que contrarrestar las impurezas que hubiera, disminuyendo por consiguiente la resistividad del material, y no se puede admitir un emisor con una resistividad demasiado baja. Para terminar, se procede a la metalizacin mediante la apertura de ventanas de forma anloga a la formacin de la base y el emisor. Por ltimo, se sueldan los terminales dummets de la base y el emisor por termocompresin, mientras que el colector suele ir conectada a la cpsula para obtener una mejor disipacin trmica.

Manuel Ren de los Santos Manjarrez

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Cmo funciona el transistor?

Las funciones que puede tener un transistor son variadas, ya que puede amplificar, conmutar, rectificar y hacer de oscilador. Los transistores son conmutadores electrnicos en miniatura. Muy similar a un simple interruptor de la luz, un transistor tiene dos posiciones, apagado y encendido. Esto permite el paso de electrones por un lado o por otros segn la necesidad. Este pequeo dispositivo es creado usando tres capas en lugar de dos como tiene el diodo. Como se ha dicho, un transistor se compone de tres partes: Colector, emisor y base. El funcionamiento es muy bsico. El emisor enva electrones y el colector los recibe, y la base simplemente modula el paso de dicho electrones. Si aplicamos una corriente elctrica entre el emisor y la base, variar la que va desde el emisor y el colector. Esta es una de las bases de amplificacin del transistor.

Caractersticas de los transistores

Transistor de contacto puntual

La base de la ganancia de corriente de un transistor de contacto comn es de alrededor de 2 a 3, mientras que la de un de un transistor de unin bipolar es tpicamente entre 0,98 y 0,998. Resistencia negativa diferencial. Cuando se utiliza en el modo saturado en la lgica digital, se enganchan en el on-estado, por lo que es necesario eliminar el poder por un breve periodo de tiempo en cada ciclo de la mquina que se les devuelva el estado de desconexin.

Manuel Ren de los Santos Manjarrez

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Transistor de unin bipolar o BJT.

El transistor de unin bipolar es uno de los dispositivos que son fruto de la tecnologa en semiconductores (basada en uniones PN y dopaje) y es uno de los tipos de transistores mas usados en la actualidad. Un transistor posee tres terminales (base, colector y emisor) las cuales se muestran en la ilustracin de la representacin esquemtica de un transistor PNP y NPN respectivamente.

Un transistor BJT puede eventualmente trabajar en tres regiones, las cuales son: Regin activa, regin de saturacin y regin de ruptura; Cuando un transistor BJT trabaja en regin activa, quiere decir que est trabajando como amplificador de una seal (Corriente o voltaje), esta regin de funcionamiento se caracteriza porque la corriente de base es muy pequea en comparacin a la de colector y emisor (que son parecidas), y porque el voltaje colector base no puede exceder los 0.4 o -0.4V (dependiendo si es PNP o NPN). Mientras que la regin de corte indica que el transistor prcticamente est apagado, es decir Ib = Ic = Ie =0A. Por ltimo, un transistor de unin bipolar est saturado cuando Ic=Ie=Imax; En este caso la magnitud de la corriente depende de la tensin de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos.

Manuel Ren de los Santos Manjarrez

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Emisor comn, Base comn y colector comn.

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.

Emisor comn:
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia tanto de tensin como de corriente.

Base comn:
La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.

Manuel Ren de los Santos Manjarrez

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Colector comn:
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente inferior a la unidad. La impedancia de entrada es alta, aproximadamente +1 veces la impedancia de carga. Adems, la impedancia de salida es baja, aproximadamente veces menor que la de la fuente de seal.

Manuel Ren de los Santos Manjarrez

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