PractEcaBasica PDF

LABORATORIO DE ELECTRONICA BASICA
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin

Especialidad Sistemas Electrnicos
2 Curso
Profesor Responsable: Gustavo A. Ruiz Robredo (//http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg)
Laboratorio de Electrnica Bsica
Indice
I.- Introduccin, Pag. I II.- Evaluacin de la asignatura Pag. II II.- Observaciones para la realizacin de las prcticas, Pag. III Prctica 1.Prctica 2.Prctica 3.Prctica 4.Prctica 5.Prctica 6.Prctica 7.Prctica 8.Prctica 9.Prctica 10.Prctica 11.Prctica 12.Polarizacin de un transistor bipolar y JFET, Pag. 1 Diseo y anlisis de un amplificador monoetapa, Pag. 3 Respuesta en frecuencia de un amplificador, Pag. 5 Amplificador multietapa: efecto de realimentacin negativa, Pag. 11 Anlisis de fuentes de intensidad: Carga activa, Pag. 13 Anlisis de una etapa diferencial, Pag. 15 Anlisis de un amplificador de la clase B push-pull, Pag. 17 Caracterizacin y aplicaciones bsicas del amplificador operacional, Pag. 19 Detector de nivel de luminosidad, Pag. 21 Oscilador de puente de Wien, Pag. 23 Generador de diente de sierra y cuadrada basado en un disparador de Schmitt, Pag. 25 Regulador de luz basado en un SCR, Pag. 27
Componentes , Pag. 29 BC546/548, Pag. 31 2N5457, Pag. 36 2N3903/04, Pag. 39 2N3905/06, Pag. 45 OA741, Pag. 50 BPX99, Pag. 56 LM139 /LM239/LM339/LM2901/LM3302, Pag. 59 78XX, Pag. 65 TL081/82/83, Pag. 69 2N2646, Pag. 74 C106, Pag. 75
Introduccin
I.- Introduccin A lo largo del curso se tiene programadas un total de 12 prcticas:
1.2.3.4.5.6.7.8.9.-
Polarizacin de un transistor bipolar y JFET. Diseo y anlisis de un amplificador monoetapa. Respuesta en frecuencia de un amplificador. Amplificador multietapa: efecto de realimentacin negativa. Anlisis de fuentes de intensidad: Carga activa. (*) Anlisis de una etapa diferencial. Anlisis de un amplificador de la clase B push-pull. (*) Caracterizacin y aplicaciones bsicas del amplificador operacional. Detector de nivel de luminosidad. (*)
10.- Oscilador de puente de Wien. 11.- Generador de diente de sierra y cuadrada basado en un disparador de Schmitt. 12.- Regulador de luz basado en un SCR. (*) (*) Prcticas optativas
El alumno debe anotar todos los aspectos tericos y experimentales de las prticas en un cuaderno con anillas que ser sellado en cada clase prctica. Este cuaderno podr ser llevado al examen prctico junto con los guiones de prcticas.
II.- Evaluacin de la asignatura Existen dos procedimientos para evaluar la asignatura de Laboratorio de Electrnica Bsica: 1) El procedimiento recomendado consiste en la realizacin en el Laboratorio de un total de 8 practicas obligatorias de las 12 propuestas que tendr un peso del 30% en la nota final de la asignatura. En las convocatorias de Febrero y en Septiembre se realizar un examen prctico en el Laboratorio de Electrnica Bsica. La nota final de la asignatura se obtiene aplicando el siguiente criterio: NOTA FINAL= 0.3*Nota Prcticas + 0.7*Nota Examen Prctico
2)
Aquellos alumnos que no realicen las prcticas obligatorias podrn presentarse a un examen final que consistir en el montaje de una prctica completa, diferente a las propuestas en a asignatura, que incluye aspectos tericos y experimentales. Dada la dificultad de superar esta
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin (Sistemas Electrnicos)
-I-
asignatura por este procedimiento se recomienda seguir el camino 1). No obstante, si algn alumno desea utilizar esta opcin debe comunicarlo al profesor con al menos dos semanas de antelacin a la fecha de realizacin del examen. III.- Observaciones para la realizacin de las prcticas Los resultados de cada prctica se recopilarn en un cuaderno de prcticas que va a ser el nico material de referencia utilizado en el examen final de la asignatura. Se debe recordar que el objetivo de las prcticas es doble: por una parte, obtener destreza en el montaje de circuitos y, por otra, recopilar correctamente los resultados para su posterior utilizacin. Realizacin de las prcticas Todas las prcticas se realizarn de forma individual (siempre que lo permita el limitado nmero de puestos del Laboratorio). Se recomienda realizar las prcticas en el orden que se han programado, y no saltarse ninguna, a no ser que la prctica sea opcional y no se tenga previsto realizar. Valoracin de las prcticas El profesor realizar una valoracin de las prcticas examinando aleatoriamente algunas de ellas. En dicha evaluacin se tendr en cuenta los resultados experimentales, su realizacin, y la comprensin y asimilacin de los aspectos tericos de la prctica. Esta evaluacin, teniendo en cuenta adems el nmero total de las prcticas realizadas, dar como resultado una nota con un peso del 30% en la nota final. Contenido En el cuaderno de prcticas es recomendable que se incluya en cada prctica lo siguiente: Introduccin y propsito de la prctica (breve). Procedimiento: Describir el procedimiento seguido y responder a cualquier pregunta propuesta en cada apartado de la prctica. Anlisis: Calcular el porcentaje de error entre los resultados tericos y los experimentales cuando se considere necesario. - Valor experimental 100 Porcentaje error = Valor terico Valor terico
Razonar si el dato tiene sentido. Si los errores entre los resultados tericos y experimentales son muy dispares, averiguar las causas de tales errores. Si se cree que la prctica se realiz incorrectamente, explicar lo que se cree se hizo mal. Explicacin: Explicar los resultados e incidir en el por qu ha ocurrido un fenmeno en particular. Presentar los datos tericos de tal forma que se
II
Introduccin
demuestre un dominio de la teora. Un ejemplo de cmo presentar los datos:

Terico Tensin Corriente 20 V 1.2 A Experimental 24 V 1.1 A % Error 20% 8%
La tensin obtenida es algo ms alta de lo esperado, y esto se debe probablemente a las tolerancias en los valores de las resistencias. La corriente medida est dentro de un error experimental razonable.
Conclusin: Realizar un resumen de lo que se ha aprendido.
Algunas sugerencias interesantes Los datos raramente son exactos con lo que se obtiene tericamente. Cuando esto sucede, averiguar algunas causas del error. Cuando se pida realizar una grfica de los resultados experimentales, tambien se debern incluir en una tabla los correspondientes datos de medida. Y recuerda, el cuaderrno de prcticas te puede resultar de gran ayuda durante el examen final. Y al ser el nico material de consulta, redctalo de una manera clara y concisa que te permita acceder rpidamente a la informacin que necesitas.
- III -
IV
Prctica 1
Prctica 1 Polarizacin de un transistor bipolar y JFET
1.- Objetivos Polarizar a un transistor significa fijar unas tensiones y corrientes DC en sus terminales para que opere en un punto de trabajo concreto. En esta prctica se analiza la polarizacin de un transistor bipolar y FET en las tres zonas de funcionamiento: lineal, saturacin y corte, y se extrae experimentalmente algunas de las caractersticas ms significativas de estos dispositivos en las diferentes regiones de operacin.
2.- Realizacin A) Realizar el montaje en el laboratorio del circuito de polarizacin del transistor bipolar que se muestra en la figura P1.1. Determinar el valor de la resistencia RB2 que fije la VCE a 5 V. Calcular terica y experimentalmente el punto de trabajo del transistor. Estimar el valor de hFE. Calcular el valor de RB2 para que la intensidad de base sea 3 veces la mnima que sature al circuito. Calcular terica y experimentalmente el punto de trabajo del transistor. Determinar el valor de hFE(sat)=IC(sat)/IB(sat). Nota: Hacer las aproximaciones que se consideren oportunas justificndolas. Con el anterior valor de RB2, retrese la resistencia RB1 del circuito. Calcular terica y experimentalmente el punto de trabajo del transistor. En qu regin opera el transistor?. Determinar tericamente el valor de RB1 que haga entrar al transistor en conduccin. Medir las tensiones y corrientes en los diferentes componentes del circuito. VCC
R B1 RC R C=5K6 R E=1k R B1 =120k VCC=12 V
B)
C)
BC547
R B2
RE
Figura P1.1. Circuito polarizacin de un transitor bipolar. D) Realizar el montaje en el laboratorio del circuito de polarizacin del transistor JFET de la figura P1.2. Proponer un experimento para obtener los parmetros IDSS y VP de este transistor.
-1-
VDD
RD R G=1M R D=1k R S=50k VDD=12 V
2N5457
RG
RS
Figura P1.2. Circuito polarizacin de un transitor JFET.
Prctica 2
Prctica 2 Anlisis y diseo de amplificadores monoetapa
1.- Objetivos El objetivo de esta prctica consiste en disear, analizar y caracterizar una etapa amplificadora basada en un transistor bipolar y en un JFET. Esta prctica tiene dos partes: polarizacin y amplificacin. En primer lugar es preciso determinar el valor de las resistencias que fijen el punto de trabajo de acuerdo a unas condiciones impuestas y posteriormente se realiza la medida experimental de los parmetros de ganancia de tensin y corriente, impedancia de entrada y de salida que van a caracterizar la etapa justificando las desviaciones existentes con los valores obtenidos de forma terica. 2.A) Realizacin Determinar el valor de las resistencias del circuito de la figura P2.1 para que su punto de trabajo se encuentre en la mitad de la recta esttica de carga y la tensin de colector sea VC=7 V. Comprobar experimentalmente el resultado.
VCC RC R B1 vi RS + vs ii CS CE R B2 RE io vo
BC547B
VCC=12 V R C=3.3k R S=600 C E=47F C S=100nF
Generador de seal
Figura P2.1. Circuito amplificador monoetapa. B) Determinar tericamente la impedancia de entrada en el rango de frecuencias medias (observar el desfase de 180 entre la entrada vi y la salida vo). Comprobar este valor en el laboratorio de modo experimental, usando para ello el esquema de la figura P2.2; la resistencia R debe ser de un valor cercano a la impedancia de entrada calculada de forma terica. Determinar tericamente la ganancia en tensin AV=vo/vi y AVS=vo/vs. Verificar experimentalmente estos valores, y compararlos con los obtenidos de forma terica, justificando si fuese necesario las desviaciones existentes entre ambos datos.
C)
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Zi Vi1 RS R + vs Amplificador Vi2
Vi2 Zi = V Vi2 i1 R
Generador de seal
Figura P2.2. Montaje para calcular la impedancia de entrada y expresin de Zi. D) Retirar el condensador CS y conectar el generador de seal directamente. Medir el punto de trabajo del transistor. Explicar qu ha sucedido en el circuito. Aumentar la amplitud de la seal de entrada hasta que se produzca recorte en la seal de salida. Determinar la causa que produce dicho recorte y comprobarlo tericamente. Determinar tericamente la ganancia en corriente AI=io/ii y comprobar si coincide con el resultado prctico Para ello, colocar una resistencia R a la entrada como en la figura P2.2 de forma que vo i RC AI = o = i i v i1 vi2 R Comprobar que se verifica AI=AVZi/RC. G) Medir experimentalmente la impedancia de salida utilizando el montaje de la figura P2.3. Para ello, realizar los siguientes pasos: Medir la tensin de salida para una amplitud de entrada, con la llave abierta. vo v'o Conectar una carga, de modo que R 5Zo (Zo terica), C R y cerrar la llave. Amplificador Relacionar mediante ecuaciones la tensin de salida antes y despus de conectar la resistencia R con la impedancia de salida. Nota: verificar que al cerrar la Figura P2.3. Montaje para calcular la impedancia de salida. llave la seal de entrada vi del amplificador y la tensin en vo tiene el desfase correcto; si esto ocurriese se debe aumentar el valor de C, o bien la frecuencia de trabajo.
E)
F)
H)
Disear un amplificador basado en NJFET 2N5457 que tenga las siguientes caractersticas: Zi > 300k, Zo > 4k y AV > 5. Realizar el montaje del circuito y la comprobacin experimental de los resultados.
Prctica 3
Prctica 3 Respuesta en frecuencia de un amplificador
1.- Objetivos Todos los amplificadores tienen limitacin en frecuencia debido principalmente a los efectos capacitivos. Generalmente, los condensadores externos, si existen, fijan la frecuencia de corte inferior del amplificador, y los condensadores parsitos e internos a los dispositivos la frecuencia de corte superior. El anlisis en frecuencia de un amplificador permite fihjar las tres zonas de operacin: frecuencias bajas, frecuencias medias y frecuencias altas. En esta prctica se estudia el diagrama de Bode de un amplificador para caracterizar su respuesta en frecuencia y establecer sus frecuencias de corte inferior y superior. Se comprueba como estas frecuencias se pueden obtener a partir de una onda cuadrada que permite adems analizar sus respuesta en frecuencia por simple inspeccin de la seal de salida. 2.A) Realizacin Realizar el montaje del amplificador de la figura P3.1. Determinar tericamente la frecuencia de corte inferior suponiendo que los condensadores CB y CE limitan esta frecuencia. Determinar tericamente la frecuencia de corte superior suponiendo que CC fija esta frecuencia; despreciar los efectos de los condensadores internos al transistor. CC se ha introducido de una manera artifical para reducir la frecuencia de corte superior y que pueda ser medida con el equipo de laboratorio; esta frecuencia es de 30MHz sin este condensador.
VCC R B1 vi RS + vs CB R B2 RE RC vo
2N3906
CC
CE
VCC=12 V R E=100 R C=2k2 R B1 =1M R B2 =330k R S=600 C B=47nF C E=4.7F C C=1nF
Generador de seal
Figura P3.1. Amplificador B) Obtener experimentalmente la respuesta en frecuencia del amplificador y comprobar los resultados conlos obtenidos en el anterior apartado. Dibujar la repuesta en dos formatos: escala semilogartmica y escala logartmica; utilizar las grficas de las hojas adjuntas. Describir como se indentifican las dos frecuencias de
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corte en ambas grficas.
3.-
Anlisis de respuesta en frecuencia basado en una onda cuadrada
Un anlisis aproximativo de la respuesta en frecuencia puede ser realizado experimentalmente aplicando una onda cuadrada a la entrada del amplificador y observando y midiendo la forma de onda de salida. Esta forma de onda revela el comportamiento a bajas y altas frecuencias del amplificador; este proceso se denominaverificacin mediante onda cuadrada. En la figura P3.2.a se muestra la seal de entrada y las figuras P3.2.b a P3.2.e las diferentes seales de salida en funcin del tipo de respuesta en frecuencia del amplificador. Las figuras P3.2.b y P3.2.c indican que el amplificador tiene una frecuencia de corte inferior alta o muy alta, respectivamente. De una manera similar, las figuras P3.2.d y P3.2.e indican que el amplificador tiene una frecuencia de corte superior baja o muy baja, respectivamente.
vi
Figura P3.2.a. Seal de entrada.
vo
vo
t Pobre respuesta a baja frecuencia.
Muy pobre respuesta a baja frecuencia.
Figura P3.2.b
Figura P3.2.c.
vo
vo
t Pobre respuesta a alta frecuencia.
Muy pobre respuesta a alta frecuencia.
Figura P3.2.d
Figura P3.2.e
Esas frecuencias de corte se pueden obtener analizando con detalle la respuesta del amplificador cuando se aplica una onda cuadrada de periodo T. En la figura P3.3 se muestra los puntos que definen la H y L como
Prctica 3 0.35 tr Vp Vv Frecuencia de corte inferior L = Vp T (3.1)
Frecuencia de corte superior H =
vo
90%
Vp Vv
10%
tr
Figura P3.3. Respuesta del amplificador a una entrada cuadradra.
D)
Aplicar una onda cuadrada de 20kHz y 30mV de amplitud al circuito de la figura P3.1. Analizar la salida resultante utilizando las indicaciones sobreimpresionadas en la pantalla del osciloscopio de la figura P3.4. Obtener las frecuencias de corte superior e inferior utilizando las frmulas de la ecuacin 3.1.
90%
Vp
10%
Vv tr
Figura P3.4. Visualizacin en el osciloscopio de la seal de salida.
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Prctica 3
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10
Prctica 4
Prctica 4 Amplificador multietapa: Efecto de realimentacin negativa
1.- Objetivos Los amplificadores multietapa permiten obtener caractersticas de amplificacin que no es posible obtener con una etapa bsica. Esta prctica tiene como objetivo el anlisis de un amplificador constituido por dos tipos diferentes de etapas bsicas (EC y CC) conectadas en cascada. La respuesta en frecuencia y limitaciones en la amplitud mxima sern tambin consideradas. Por ltimo, se aade a este amplificador una realimentacin para estudiar su efecto sobre las caractersticas amplificadoras del circuito. Esta prctica exige un estudio terico previo del circuito imprescindible para comprender los datos experimentales que se van a obtener. 2.A) Realizacin Realizar el montaje en el laboratorio del amplificador multietapa de la figura P4.1. Determinar terica y experimentalmente las tensiones colector y emisor en DC de cada transistor. Obtener tericamente el modelo equivalente en tensin a frecuencias medias del amplificador completo y verificarlo experimentalmente.
VCC R B1 RC R B3 R E2 vo vi RS C S1 + vs C S2 R B4
BC547B 2N3906
R B2
R E1
CE
VCC=12 V R B1 =RB3 =RB4 =330k R B2 =150k R S=600 R C=1k R E1=180 R E2=3k3 C E=47F C S1 =CS2 =100nF
Generador de seal
Figura P4.1. Amplificador Multietapa. B) C) Determinar de forma terica y experimental la frecuencia de corte inferior de este amplificador. Realimentar este amplificador multietapa con la red de realimentacin que se muestra en la figura P4.2. Obtener de forma terica el modelo equivalente en tensin. Medir experimentalmente la AV y Zi; la Zo no es posible medirla. Por qu la ganancia en tensin es prcticamente la misma?
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vi
Amplificador Multietapa
vo
100nF
33k
Realimentacin
Figura P4.2. Esquema de la realimentacin introducida en el amplificador multietapa de la figura P4.1.
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Prctica 5
Prctica 5 Fuentes de corriente: Carga activa
1.- Objetivos Las fuentes de corriente son unos de los circuitos de polarizacin ms utilizados en circuitos integrados. En esta prctica se van a analizar dos tipos de fuente de corriente ms comunes: fuente de corriente basada en un espejo de corriente y fuente de corriente Widlar. La primera proporciona niveles de intensidad de salida msaltos que la segunda, pero su resistencia de salida es mucho ms baja. Estas limitaciones se van a poner de manifiesto al medir experimentalmente las caractersticas de ambas fuentes. Por ltimo, se analiza un amplificador que utiliza un espejo de corriente como carga activa que pone de manifiesto los problemas de polarizacin y la alta ganancia que se puden obtener con este tipo de estructuras. 2.A) Realizacin Realizar el montaje en el laboratorio de la fuente de intensidad de la figura P5.1. Para este circuito, se pide: 1) Utilizando una resistencia variable de 50k, representar grficamente la Io en funcin de RL. Cul es el valor mximo de RL para que se comporte como fuente de intensidad? Por qu?. 2) Calcular tericamente el modelo equivalente Norton de la fuente. Medir experimentalmente los parmetros del equivalente Norton a partir de dos puntos de operacin: Vo=1 V y Vo=10 V.
VCC R1 Iref RL Vo Io VCC=15 V R =15k BC547 1 R L=50k
BC547
Figura P5.1. Espejo de corriente. B) Realizar el montaje en el laboratorio de la fuente de corriente Widlar de la figura P5.2. Representar grficamente la Io en funcin de RL. Obtener los parmetros del equivalente Norton a partir de dos puntos de operacin. Nota: Si es necesario, utilizar resistencias fijas adicionales con R L. Comparar ambas fuentes de corriente y comentar sus ventajas e incovenientes.
C)
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Laboratorio de Electrnica Bsica VCC R1 Iref RL Vo Io

BC547
BC547
RE
VCC=15 V R 1 =15k R E=330 R L=250k
Figura P5.2. Fuente de corriente Widlar. D Montar el amplificador con carga activa de la figura P5.3. Determinar tericamente el valor aproximado de la tensin OFFSET necesaria para la correcta polarizacin del circuito. A continuacin se comprobar experimentalmente este valor. Para ello, es preciso utilizar la opcin DC OFFSET del generador de seal que permite introducir una componente DC a su salida. Pulsar el botn de atenuacin 20dB del generador de seal y reducir al mnimo la amplitud de salida en alterna. Variando el potencimetro DC OFFSET obtener una tensin DC en vo cercano a VCC /2; este ajuste resulta un poco costoso. A continuacin medir la componente en continua de la base del transistor NPN; este valor debe ser prximo a la tensin OFFSET terica obtenida anteriormente. En las anteriores condiciones medir la ganancia en tensin (vo/vi) procurando evitar el recorte de la tensin de salida. Cul es la ganancia terica aproximada de este amplificador?.
E)
VCC
vo RS vs vi
RC
VCC=5 V R S=600 R E=330 R C=10k
RE
Figura P5.3. Amplificador con carga activa. Importante: Para que las anteriores fuentes de intensidad funcionen correctamente es necesario que los transistores BC547 tengan la misma letra (A, B o C). Sin embargo, es posible que se detecten discrepancias respecto a los valores tericos debido a las diferencias que pueden existir entre los transistores.
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Prctica 6
Prctica 6 Anlisis de un amplificador diferencial
1.- Objetivos El amplificador diferencial es un circuito muy verstil que sirve como etapa de entrada tpica de los amplificadores operacionales y en circuitos integrados tan diversos como en comparadores y circuitos lgicos ECL. En esta prctica se realiza el montaje y anlisis de un amplificador diferencial sencillo donde se va aestudiar sus caractersticas de amplificacin de modo comn y modo diferencial. 2.A) Realizacin Realizar el montaje en el laboratorio del amplificador diferencial de la figura P6.1. Calcular terica y prctica la tensin en continua de los nudos de salida para vi1=vi2=0 V. Aplicar una tensin DC a la entrada (la otra conectar a masa) y obtener la VTC del circuito tanto para tensiones de entrada positivas como negativas; representar el resultado de ambas salidas en una misma grfica. Si la fuente de entrada no proporciona la suficiente sensibilidad utilizar un divisor de tensin a la entrada. VCC VCC VCC=12 V RC=7.5k RE1=100 RE2=7.5k
+
vo1 + vi1 Q1
RC
RC
vo2 Q2
~
RE1 RE2 VCC RE1
vi2
Figura P6.1. Amplificador diferencial. B) Calcular terica y prctica la ganancia en modo diferencial. Para ello, aplicar una tensin a vi1 con vi2=0. La ganancia en modo diferencial viene dada v v o1 A d = o2 vi1 Utilizar la opcin que existe en el osciloscopio para restar dos seales analgicas y obtener directamente el
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numerador. C) Calcular terica y prctica la ganancia en modo comn. Para ello, conectar ambas entradas a una misma tensin vs. La ganancia en modo comn viene dada por v v A c = o1 = o2 vs vs D) Calcular la relacin de rechazo en modo comn (CMRR) definida en decibelios como Ad Ac
CMRR = 20 log10
Importante: Un amplificador diferencial est basado en la simetra. Este amplificador realizado con transistores discretos puede perder este factor y, por consiguiente, sus caractersticas tan particulares. Es preciso utilizar transistores de la misma letra y es posible que los resultados de la prctica no sean los esperados debido a la divergencia en los transistores.
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Prctica 7
Prctica 7 Etapa de salida de la clase B push-pull
1.- Objetivos Las etapas de salida de cualquier amplificador deben ser capaces de suministrar potencia a una carga y deben tener una resistencia de salida baja. La etapa de salida push-pull o de clase B es una de las ms utilizadas por su alta eficiencia y su bajo consumo de energa en ausencia de seal de entrada. En esta prctica se analiza las caractersticas elctricas de esta etapa de salida, y su modo de operacin estudiando las formas de onda de las tensiones y corrientes en los transistores. El montaje de dos versiones diferentes de esta etapa permite estudiar el efecto de la distorsin de cruce y tcnicas de eliminacin para obtener circuitos ms lineales. 2.Realizacin
Las figuras P7.1 y P7.2 muestran dos tipos de polarizacin de una etapa de salida push-pull o clase B formada por los transistores complementarios 2N3904 y 2N3906. La figura P7.1 presenta a una etapa con distorsin de cruce, y la figura P7.2 una etapa clase AB con dos transistores en configuracin de diodo que eliminan ese problema. En ambos circuitos es preciso ajustar el potencimetro de forma que en ausencia de seal de entrada (nudo vi desconectado) la salida sea nula (vo=0).
VCC VCC R B1 RC R B1
VCC =12 V RC=100 RB1=47k RB2=33k RL=1k

vo vi
RC
VCC =12 V RC=100 RB1=47k RB2=33k RL=1k

vo
vi
RL R B2 RC VCC VCC R B2 RC
RL
Figura P71. Etapa clase B con distorsin de cruce.
Figura P7.2. Etapa clase AB sin distorsin de cruce.
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Para el circuito de la figura P7.1, se pide: A) Representar grficamente la VTC del circuito. Para ello, utilizar una fuente DC a la entrada. Medir los niveles de tensin de entrada que producen distorsin de cruce. Aplicar una seal senoidal a la entrada de 5V de amplitud y visualizar vo, iC1 e iC2 . Representar grficamente el resultado. Nota: Para medir las corrientes de colector en los transistores utilizar la caida de tensin en las resistencias de 100.
B)
Para el circuito de la figura P7.2, se pide: C) D) Calcular terica y experimental la corriente de colector en reposo de cada transistor. Repetir el apartado B). Comparar los resultados.
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Prctica 8
Prctica 8 Caracterizacin y aplicaciones amplificador operacional bsicas del
1.- Objetivos El amplificador operacional es un amplificador diferencial de altas prestaciones, con una elevadsima ganacia en tensin cuando trabaja en lazo abierto (sin realimentacin). Su uso est extendido en una gran variedad de aplicaciones lineales y no lineales. Ofrece todas las ventajas de los circuitos integrados monolticos tales como pequeo tamao, bajo precio, versatilidad, etc. Uno de los objetivos de esta prctica es tomar contacto con los amplificadores operacionales y comprobar sus prestaciones y limitaciones. Para ello, se analizan algunas configuraciones bsicas que van a permitir comprobar aspectos relativos a las tensiones de polarizacin, efecto de las resistencias externas, limitaciones frecuenciales, slew-rate, etc.
Vi R1
R2 741 Vo
R 1 ||R 2
Figura P8.1. Amplificador inversor. 2.Realizacin
Realizar el montaje del amplificador inversor basado en el AO 741 de la figura P8.1, utilizando tensiones de polarizacin 12 V. Las resistencias R1 y R2 deben limitar la ganancia del amplificador entre -40 y -50. Para este circuito, se pide: A) B) Medir la ganancia de este amplificador a frecuencias bajas. Representar grficamente la respuesta en frecuencia del amplificador y determinar la frecuencia de corte superior y comprobar que coincide con la terica. Utilizar amplitudes de las seales suficientemente bajas para eliminar el efecto del slew-rate Aplicar una onda senusoidal o cuadrada alrededor de 20kHz a la entrada y medir el slew-rate del amplificador. Para ello, es necesario aumentar la amplitud de salida hasta que se observe con claridad el slew-rate.
. C)
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D)
Demostrar tericamente si la frecuencia de corte superior limita la frecuencia mxima de operacin del amplificador o es el slew-rate, en el caso de que la salida sea una onda senosoidal de 5 voltios de amplitud y 10KHz de frecuencia. Comprobar estos resultados experimentalmente. Colocar una resistencia de carga al amplificador de 100 . Aumentar la amplitud de entrada hasta que se produzca recorte en la tensin de salida. Qu produce recorte y por qu? Calcular tericamente la resistencia mnima de carga para Vo=4 V y comprobarlo experimentalmente. Un potencimetro de 250k conectado en las terminales 1 y 5 del OA elimina los efectos offset. Montar el circuito de la figura P8.2 y ajustar el potencimetro hasta que Vo=0 V. Se puede observar que si se calienta el OA con el dedo se produce un desplazamiento de Vo debido a su deriva trmica.
E)
F)
R1
R2 Vo
5 1
R 1 ||R 2
250k -V CC
Figura P8.2. Anulacin de efectos offset.
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Prctica 9
Prctica 9 Detector de nivel de luminosidad
1.- Objetivos Los comparadores son circuitos no-lineales que permiten, como su propio nombre indica, comparar dos seales para determinar cual de ellas es mayor o menor. El resultado de la comparacin es una seal binaria y bsicamente se comporta como un convertidor analgica-digital de 1 bit. Como aplicacin tpica de un comparador, esta prctica tiene como objetivo analizar un circuito que permite detectar si la intensidad de luz enel ambiente supera o no un determinado valor indicado a travs de un LED: intensidad de luz alta el LED estar encendido o, en caso contrario, estar apagado. Los elementos bsicos de este circuito son el fototransistor BPX99 para medir la intensidad de luz y el comparador LM339 para realizar la comparacin respecto a un nivel de referencia. En esta prctica se incluye adems la realizacin de la fuente de alimentacin regulada que proporciona la tensin de polarizacin necesaria a este circuito.
B250C1000 V1 IN
220V
7805
OUT
V2
5V
R1 R 1 =330 C 1 =47F C 2 =100nF
C1 + 1
C2
GROUND
Figura P9.1. Fuente de alimentacin regulada.
2.-
Realizacin
En la figura P9.1 se indica el esquema de una fuente de tensin regulada basada en el regulador de tensin fijo positivo 7805 que proporciona una tensin de salida fija de 5 V. Est constituida por una fuente de alimentacin no regulada: transformador, puente de diodos (rectificador) y condensador C1, y el circuito monoltico 7805 que regula y estabiliza la tensin de salida a 5 V. Realizar el montaje de este circuito y comprobar la tensin de salida. Observar que el rizado que aparece a la entrada (V1) del regulador es eliminado a la salida (V2). Realizar el montaje del circuito de la figura P9.2 en donde la tensin de polarizacin es proporcionada por la fuente de alimentacin de la figura P9.1. Para este circuito se pide: A) Comprobar el funcionamiento del circuito. Para ello, tapar el fototransistor con un objeto (p.e., un capuchn de un bolgrafo negro) y observar el estado del diodo LED en funcin de la mayor o menor intensidad de luz que recibe el fototransistor.
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B)
Variando la intensidad de luz que recibe el fototransistor, representar grficamente la VTC de este circuito (Vi, Vo). Si conecta la resistencia R4 a masa en vez de a 5 V, funciona el circuito? Por qu?.
5V R4 R2
Vi
C)
R3 LM339
Vo
BPX99
R3
R 2 =100k R 3 =12k R 4 =330
Figura P9.2. Detector de luminosidad.
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Prctica 10
Prctica 10 Oscilador de puente de Wien
1.- Objetivos Los osciladores o fuentes de excitacin senosoidal son piezas fundamentales en muchos sistemas electrnicos. Un sistema realimentado oscilar si la seal transmitida a lo largo del amplificador y red realimentacin tiene desfase 0+2k , y si la ganancia en magnitud del amplificador por el factor de la red de realimentacin es ligeramente superior a 1. En esta prctica se analiza un oscilador de puente de Wien constituido por una amplificador lineal a tramos y una red basado en un puente equilibrado de Wien. Se analizarn individualmente ambos circuitos y se comprobar que cuando se conectan (y se verifican las anteriores condiciones) el circuito comenzar a oscilar con la la frecuencia de oscilacin establecida.
2.-
Realizacin
La figura P10.1 describe un oscilador de puente de Wien constituido por una amplificador lineal a tramos, para estabilizar y linealizar la onda senosoidal de salida, y una red de realimentacin en puente de Wien. Esta red de realimentacin define la frecuencia de oscilacin como o = cuando R1 + R 2 + R3 > 3 R1 que es equivalente a expresarlo de la forma R 2 + R3 > 2R1 La tensin Vpp (pico a pico)de la senodoidal de salida viene definida por el instgante en que los diodos entran en conduccin y verifica la siguiente relacin R1 + R 2 Vpp = 1 R3 2Vd Se recomienda al alumno que demuestre las ecuaciones (1), (2) y (3). 1 2 RC
(1)
(2)
(3)
- 23 -
D1
R2
R3
R2 R1
D2
741
Vo
B C R C
R A
Red de realimentacin
Figura P10.1. Oscilador de puente de Wien. A) Realizar el montaje en el laboratorio del amplificador de la figura P10.1. Escoger los valores de resistencia adecuados para que verifiquen las anteriores ecuaciones, siendo Vpp=8 V y la frecuencia de oscilacin de 1kHz. Se recomienda que la resistencia R2 sea variable para ajustar las condiciones de oscilacin. Comprobar que el circuito empieza a oscilar a partir de un determinado valor de R2 con la frecuencia establecida y amplitud pico a pico fijada. Retirar los diodos del esquema y observar la onda resultante. Comparar ambas seales senosoidales. Qu ha ocurrido? Por qu? Aislar el amplificador desconectando la red de realimentacin del circuito. Representar grficamente la VTC de este amplificador considerando como entrada el nudo + del OA y salida a Vo. Aislar la red de realimentacin del amplificador . Representar grficamente el desfase y la ganancia entre la entrada (nudo A) y salida (nudo B) en funcin de la frecuencia (entre 100Hz y 20kHz). Para ello, aplicar una onda senosoidal a la entrada y medir el desfase con respecto a la salida para diferentes frecuencias; comprobar que el desfase es de 0 a la frecuencia indicada por la ecuacin (1)
B)
C)
D)
24
Prctica 11
Prctica 11 Generador de diente de sierra y cuadrada basado en un disparador de Schmitt
1.- Objetivos La integracin de la salida de un disparador Schmitt con retroalimentacin es un circuito que permite obtener simultneamente una onda cuadrada y triangular; sta ltima puede derivar en una onda en forma de diente de sierra (onda triangular no simtrica). El objetivo de esta prctica consiste en montar y analizar un generador de estas caractersticas en base a dos circuitos muy comunes y de fcil realizacin con amplificadores operacionales: un disparador de Schmitt y un integrador RC. 2.Realizacin
En el circuito de la figura P11.1 se muestra un comparador regenerativo tambin denominado comparador con histresis o disparador de Schmitt. Para ello, se utiliza uno de los 4 OA que contiene el circuito integrado TL084C. Para este circuito, se pide: A) B) Calcular su VTC terica y experimental. Aplicar a a la entrada del disparador una onda senosoidal de 10 V de amplitud y 1KHz de frecuencia. Representar grficamente el resultado. Repetir los apartados A) y B) retirando la resistencia R1 del circuito. Discutir las diferencias obtenidas en ambos casos.
C)
TL084C
Vo R1 R2 Vi
R 1 =33k R 2 =18k
Figura P11.1. Disparador de Schmitt. Con el disparador de Schmitt anterior construye el circuito generador de diente de sierra y onda triangular de la figura P11.2. Para este circuito se pide: D) Determinar la forma de onda terica del circuito calculado las amplitudes de Vo1 y Vo2 y el periodo de la seal.
- 25 -
E) F)
Comprobar el resultado experimentalmente y representar grficamente Vo1 y Vo2. Observar el efecto de susituir la resistencia de R3 de 100k por una de 56k.
R4 R3
TL084C
TL084C
Vo1 R1 R2
Vo2 R 1 =33k R 2 =18k R 3 =100k R 4 =56k C=10nF
Figura P11.2. Circuito generador de diente de sierra y onda cuadrada basado en un disparador de Schmitt.
26
Prctica 12
Prctica 12 Regulador de luz basado en un SCR
1.- Objetivos En esta prctica se pretende introducir los conceptos bsicos de la regulacin de potencia basada en SCRs. Para ello, se estudia un circuito prctico que permite variar, en funcin de un potencimetro, la potencia entregada a una bombilla de baja tensin. El circuito de disparo seleccionado est basado en un transistor uniunin (UJT) que acta como oscilador de relajacin. Este circuito permite fijar el ngulo de conduccin (en fase con la red elctrica) del SCR y, por consiguiente, la potencia disipada por la bombilla que se observa fcilmente por la intensidad luminosa que emite.
2.-
Realizacin prctica
En primer lugar se estudiar un oscilador de relajacin basado en el UJT 2N2646 que constituir la base del circuito de disparo del SCR. En la figura P12.1 se muestra este oscilador cuya frecuencia est fijada por la costante de tiempo (R1+R 2)C. Para este circuito, se pide: A) B) Determinar la frecuencia mxima y mnima de oscilacin. Ajustar R1 para que la frecuencia de oscilacin sea de 700Hz; comprobar si este valor de R1 coincide con el valor terico. Representar grficamente el valor de VC1, VOB1 y VOB2. Variar R1 hasta que el circuito deje de oscilar. Comprobar si este valor de R1 coincide con el valor terico
C)
VCC R1 R2 VC VOB1 R OB2 R OB1 VCC=12 V R OB2=300 R OB1=100 R 1 =50k R 2 =470 C=100nF
VOB2
Figura P12.1. Oscilador de relajacin basado en un UJT.
- 27 -
120 250k 330 12 V 5W V5
B250C1000
R1 R2
470 V2 V1
C106D 2N2646 100 V4
V6
V3 100nF
Figura P12.2 .Regulador de luz. En la figura P12.2 se muestra un regulador de luz basado en el SCR C106D. El circuito de disparo est constituido por un oscilador de relajacin, similar al estudiado en la figura P12.1, que genera pulsos que, por eficacia, deben estar sincronizados con la alimentacin alterna. La constante de tiempo de la red (R1+R 2)C determinar el tiempo necesario para que la tensin de emisor alcance el valor de pico (Vp) y produzca el primer pulso que disparar al SCR; esta constante definir el angulo de disparo. Una vez disparado el SCR, el condensador se mantendr descargado hasta que se inicie un nuevo semiciclo. Montar el circuito de la figura P12.2 y realizar las siguientes medidas: D) E) F) Variar R1 y observar los diferentes niveles de luminosidad de la bombilla. Ajustar R1 para que el ngulo de conduccin sea de 90. Representar grficamente las tensiones V1 a V6. Determinar el valor mximo y mnimo del ngulo de conduccin.
- 28 -
Componentes
HOJAS DE CARACTERISTICAS DE LOS COMPONENTES UTILIZADOS EN LA REALIZACION DE ESTAS PRACTICAS
Transistor NPN de propsito general. BC546/548, Pag. 31 Transistor JFET de canal N de propsito general. 2N5457, Pag. 36 Transistor NPN de propsito general complementario del 2N3905/06. 2N3903/04, Pag. 39 Transistor PNP de propsito general complementario del 2N3903/04. .2N3905/06, Pag. 45 Amplificador operacional de propsito general. OA741, Pag. 50 Fototransistor. BPX99, Pag. 56 Comparador de tensin. LM139/LM239/LM339/LM2901/LM3302, Pag. 59 Regulador lineal de tensin fija. 78XX, Pag. 65 Amplificador operacional de propsito general con entrada JFET. TL081/82/83, Pag. 69 Transistor uniunin. 2N2646, Pag. 74 Tiristor SCR. C106, Pag. 75
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Componentes
BC546/548
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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Componentes
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LABORATORIO DE ELECTRONICA BASICA

Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin

Profesor Responsable: Gustavo A. Ruiz Robredo (//http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg)

Laboratorio de Electrnica Bsica

I.- Introduccin A lo largo del curso se tiene programadas un total de 12 prcticas:

Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin (Sistemas Electrnicos)

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demuestre un dominio de la teora. Un ejemplo de cmo presentar los datos:

Conclusin: Realizar un resumen de lo que se ha aprendido.

Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin (Sistemas Electrnicos)

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Prctica 1 Polarizacin de un transistor bipolar y JFET

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Figura P1.2. Circuito polarizacin de un transitor JFET.

Prctica 2 Anlisis y diseo de amplificadores monoetapa

VCC=12 V R C=3.3k R S=600 C E=47F C S=100nF

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Zi Vi1 RS R + vs Amplificador Vi2

Prctica 3 Respuesta en frecuencia de un amplificador

VCC=12 V R E=100 R C=2k2 R B1 =1M R B2 =330k R S=600 C B=47nF C E=4.7F C C=1nF

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corte en ambas grficas.

Anlisis de respuesta en frecuencia basado en una onda cuadrada

Figura P3.2.a. Seal de entrada.

t Pobre respuesta a baja frecuencia.

Muy pobre respuesta a baja frecuencia.

t Pobre respuesta a alta frecuencia.

Muy pobre respuesta a alta frecuencia.

Prctica 3 0.35 tr Vp Vv Frecuencia de corte inferior L = Vp T (3.1)

Frecuencia de corte superior H =

Figura P3.3. Respuesta del amplificador a una entrada cuadradra.

Figura P3.4. Visualizacin en el osciloscopio de la seal de salida.

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Prctica 4 Amplificador multietapa: Efecto de realimentacin negativa

Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin (Sistemas Electrnicos)

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Figura P4.2. Esquema de la realimentacin introducida en el amplificador multietapa de la figura P4.1.

Prctica 5 Fuentes de corriente: Carga activa

Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin (Sistemas Electrnicos)

Laboratorio de Electrnica Bsica VCC R1 Iref RL Vo Io

VCC=15 V R 1 =15k R E=330 R L=250k

Prctica 6 Anlisis de un amplificador diferencial

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Prctica 7 Etapa de salida de la clase B push-pull

VCC =12 V RC=100 RB1=47k RB2=33k RL=1k

VCC =12 V RC=100 RB1=47k RB2=33k RL=1k

Figura P71. Etapa clase B con distorsin de cruce.

Figura P7.2. Etapa clase AB sin distorsin de cruce.

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Prctica 8 Caracterizacin y aplicaciones amplificador operacional bsicas del

Figura P8.1. Amplificador inversor. 2.Realizacin

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Figura P8.2. Anulacin de efectos offset.

Prctica 9 Detector de nivel de luminosidad