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de commutation
Chapitre VI
Autres types d'interrupteurs
Sommaire
1
INTRODUCTION ..................................................................................................................................... 57
BIBLIOGRAPHIE .................................................................................................................................... 67
les diacs.
Ces composants possdent un sens de polarisation, voire deux, pour lesquels si on applique
une tension rien ne se passe jusqu' une tension de seuil. Au del de cette tension soit le
composant limite ces bornes sa tension d'crtage, soit il se comporte comme un courtcircuit.
G1
Qn
Cours de commutation
Qp
G2
Didier Magnon
A1
3.2 LE TRIAC
Ce composant est analogue deux SCR monts tte bche. Son symbole est :
A2
3
G
Cours de commutation
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Didier Magnon
A
G
1
MOS
2
d'extinction
MOS
d'amorage
C'est un transistor bipolaire grille isole, c'est donc le mixage des avantages du MOS et du
bipolaire. On sait que les MOS possdent une grande simplicit de commande mais prsente
des tensions de dchet importantes. On sait galement que le bipolaire ncessite une
commande en courant pas toujours simple, mais une tension de saturation trs faible. Les
constructeurs on depuis longtemps cherchs coupler ces deux types de technologie (cf
MCT). L'IGBT est donc un MOS en entre qui pilote un bipolaire en sortie.
Son symbole et ses modles d'tude sont :
A
Collecteur
ou drain
ou anode
Grille
3
1
Emetteur
Ou source
Ou cathode
2
1
2
K
Schma quivalent
1
Symbole
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5.0
Vge = 8V
4.5
4.0
Vge = 7,5V
3.5
3.0
Ic (A)
Zone sature
Zone linaire
2.5
Vge = 7V
2.0
1.5
Vge = 6,5V
1.0
Vge = 6V
0.5
0.0
0
1 Vceth = 1.4V 2
10
Vce (V)
G1
Qp
Qp
MOS
Th
Qn
G2
Th
Qn
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commande par la base N (G1). Cette commande peut tre applique par un MOS canal N
(Figure 9.b).
On constate alors que lassociation du MOS damorage avec la section PNP du thyristor peut
constituer un IGBT si la section NPN est momentanment court-circuite. Ce court-circuit
commandable peut tre obtenu au moyen dun autre MOS. Lensemble du dispositif est alors
dnomm IGTH.
Qp
Th
Qn
G1
G2
IGBT
13
Rm
12
DZm
Vg IGBT
MOSHT
Vg MOSBloc
MOSBloc
Th
4.2
Une squence de fonctionnement (Figure 12) se dcompose en plusieurs temps. Pour obtenir
une commutation, il faut en premier lieu inhiber le fonctionnement du thyristor. On sature
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donc MOSBloc , ce qui permet de dclencher la commutation grce lIGBT linstant t1 sans
craindre lamorage du thyristor. Le courant crot dans lIGBT, en fonction de Vg IGBT.
Lorsque la tension Vg IGBT atteint un niveau suffisant (fonction de la valeur de DZm), MOSHT
se met conduire. Au moment o limpulsion de commande retombe (instant t2), MOSBloc
mande
nest plus conducteur, MOSHT alimente donc la gchette du thyristor. Ds lors, le thyristor et
lIGBT conduisent : il nest donc plus ncessaire de maintenir lIGBT en conduction. A
linstant t3, limpulsion de commande Vg IGBT est retombe. Seul le thyristor conduit alors. Il
ne sarrtera que lorsque IAK deviendra infrieur au courant de maintient Ih du thyristor.
1.2
12
Vg IGBT
t3
1
0.8
I
A
0.6
K
(A
0.4
10
8
Vg
6 (V)
4
t1
0.2
t2
IAK
0
5.6
5.8
6.2
6.4
6.6
6.8
7.2
t (ms)
I AK
Vg IGBT
Vg IGTH
RC
IGBT
MOSHT
Ph
Rm
DINV
Th
DZm
MOSBloc
C'est une technologie MOS qui permet de raliser un interrupteur de puissance intelligent. On
part d'une partie MOS de logique ou de microcontroleur, on fait sur la mme puce une
isolation puis on ralise un composant de puissance. De ce fait on a de faon monolithique la
commande et la puissance dans le mme botier.
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4.4
C'est une technologie bipolaire base sur les composants 4 couches. Ici, on n'intgre pas la
partie commande mais on cherche raliser sur la mme puce, une fonction de puissance. Des
broches du circuit ainsi ralis sont disponibles pour la commande.
On ralise dans cette technologie une bibliothque de composants lmentaires, diode,
rsistance (non-linaire), transistor, Ensuite on ralise en simulation ou avec des
composants de la bibliothque ASD. Quand les rsultats sont satisfaisants on intgre tous
les composants sur la mme puce. Chaque composant est isol de l'autre par des caissons
obtenus par un passage de la plaquette de 300 heures 1280C.
A titre d'exemples, les figures suivantes nous donnent deux applications construites autour
d'une fonction de puissance intgre sur une puce de silicium.
Charge
Vs
Cellule CEM
1 . 3W
C2
1000F
Secteur
D2
2.88W
7V
R1
D1
R2
39
C1
68nF
0 . 5W
70V
5 6 mW
20k
5.6k
47nF
470k
10nF
D3
470k
47nF
5.6k
60W
D4
20k
D2
Figure 15 : variateur de lumire compatible CEM sans filtre secteur, dont la partie hachure
peut tre intgre.
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Nous allons prsenter diffrents diagrammes qui permettent de bien cibler les interrupteurs en
fonctions des applications.
5.1.1 Diagramme V=f(I) par type d'interrupteur
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6 Bibliographie
Besson R. "Technologie des composants lectroniques" tome 2, dition radio.
Ferrieux J.P., Forest F. "Alimentations dcoupage - convertisseurs rsonance", dition
Masson, 1999.
Dalmasso J.L. "L'lectronique de puissance - commutation", dition DIA technique suprieur,
1987.
Baliga B.J. "Power semi-conducteur devices", 1996.
Divers travaux raliss au cours des recherches au laboratoire.
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