UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

CURSO DE GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA






USO DE TECNOLOGIA BIPOLAR NOS CIS ATUAIS
CIRCUITOS ELETRNICOS INTEGRADOS
PROFESSOR HAMILTON KLIMACH



ARGUS LUCONI ROSENHAIM
LEANDRO PRYTULA
STEVAN RUSCHEL DA SILVEIRA






PORTO ALEGRE, JULHO DE 2010




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RESUMO
O uso da tecnologia bipolar encontra-se presente ainda nos dias atuais em
diversas aplicaes. Nesse trabalho encontra-se algumas categorias de circuitos
integrados (CIs) que utilizam a tecnologia bipolar, como a famlia ECL, a tecnologia
BiCMOS e outros CIs mais recentes, que utilizam o transistor bipolar de heterojuno.
























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SUMRIO
1. RESUMO............................................................................................................2
2. INTRODUO..................................................................................................4
3. FAMLIA ECL DE COMPONENTES...........................................................5
3.1 Funcionamento..............................................................................................5
3.2 Caractersticas da famlia ECL...................................................................6
3.3 Aplicaes......................................................................................................6
4. TRANSISTOR BIPOLAR DE HETEROJUNO......................................6
4.1 Descrio: Modelo das bandas....................................................................7
4.2 Propriedades.................................................................................................8
4.3 Aplicaes......................................................................................................8
5. TECNOLOGIA BiCMOS..................................................................................9
6. TECNOLOGIA BiCMOS COM
TRANSISTOR DE HETEROJUNO...........................................................9
7. CONCLUSO....................................................................................................11
8. BIBLIOGRAFIA...............................................................................................12
9. ANEXOS
9.1 Anexo 1 Datashett componente ECL......................................................13
9.2 Anexo 2 Datasheet componente com Heterojuno.............................15













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INTRODUO
O uso de tecnologia bipolar em circuitos integrados foi muito utilizada durante
dcadas. Com o aperfeioamento da tecnologia MOSFET, reduzindo consumo e
diminuindo dimenses, a tecnologia bipolar perdeu espao. No entanto, algumas
caractersticas dos bipolares fazem com que eles continuem importantes para
determinadas aplicaes e dentro deste contexto que sero estudados.























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FAMLIA ECL DE COMPONENTES

A Lgica de Emissores Acoplados (em ingls Emitter Coupled Logic - ECL) foi criada
em agosto de 1956 na IBM, por Hannon S. Yourke. Por dcadas foi a famlia lgica
digital mais rpida. Essa alta velocidade se deve ao fato de que os transistores operam
fora da saturao reduzindo atrasos relativos a carga e descarga de capacitores parasitas
e mantendo os nveis lgicos em uma faixa de sinal relativamente pequena (0,8V ou
menor).


3.1 Funcionamento

Essa famlia apresenta um bloco lgico com duas sadas, a NOU e a OU,
obtidas a partir do mesmo circuito, como pode ser visto na figura 1. O circuito ECL
funciona de maneira anloga a um amplificador diferencial. Quando ambas as entradas
estiverem em nvel zero, os transistores T3 e T2 estaro no limiar da regio de corte,
portanto I2 ser pequena e por isso o potencial em Z2 ser alto. Se I2 tem um baixo
valor, I1 ter um valor alto de modo a satisfazer a condio Ie=I1+I2. Com isso o
transistor T1 estar no limiar da saturao, impondo assim, um potencial baixo em Z1.
Quando pelo menos uma das entradas (A ou B) estiver com potencial alto (nvel 1), o
seu respectivo transistor (T3 ou T2) estar no limiar da saturao e, com isso, I2 ser
elevada, logo o potencial de Z2 ser baixo. Se I2 elevada, I1 dever ser pequena de
modo a manter a corrente Ie. Com isso o transistor T3 estar no limiar de corte,
impondo assim um potencial alto em Z1. A transposio dessas situaes para uma
tabela verdade pode ser vista na tabela 1, onde se pode ver que a sada Z1 uma sada
OU e a sada Z2 uma sada NOU.


Figura 1 Porta ECL

A B Z1 Z2
0 0 0 1
0 1 1 0
1 0 1 0
1 1 1 0
Tabela 1 Tabela verdade porta ECL




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3.2 Caractersticas da Famlia ECL

1) A natureza diferencial do circuito torna-o menos suscetvel a rudos. Em
particular um sinal de interferncia tende a afetar ambos os lados do par
diferencial de maneira similar, no causando chaveamento de corrente. Essa
propriedade vem da propriedade de rejeio de modo-comum do par diferencial.
2) A corrente drenada da fonte de alimentao permanece constante durante o
chaveamento dos transistores, ou seja, no so gerados spikes de corrente,
eliminando uma importante fonte de rudo em circuitos digitais. Essa uma
caracterstica fundamental para essa famlia, visto que opera com uma faixa de
nveis lgicos muito pequena, correspondendo a uma margem de rudo pequena.
3) Os circuitos com ECL normalmente operam com tenses de alimentao
negativas (terminal de alimentao positivo conectado ao terra).
4) Trabalham com nveis lgicos incompatveis com outras famlias. Isso significa
que a operao entre o ECL e outras famlias requer circuitos de interface
adicionais.
5) Fan-out igual a 25.
6) Tempo de atraso muito baixo , da ordem de poucos nanosegundos. Atualmente
esta famlia responde numa velocidade de uns 600 MegaHz..
7) Disponibiliza sadas complementares, simplificando o projeto.
8) A potncia dissipada pelos blocos dessa famlia da ordem de 50 a 70 mW por
bloco. Isso se d pelo fato de no trabalharem na regio de corte e saturao e
sim, na regio ativa.
9) Os transistores bipolares utilizados nesses circuitos so fabricados em silcio.


3.3 Aplicaes

Circuitos integrados ECL so utilizados onde velocidade alta requerida. Sua principal
aplicao est em linhas de comunicao, principalmente na comunicao via satlite,
onde alm de velocidade preciso trabalhar com pequenos sinais. No anexo 1
apresentado o datasheet de um componente com tecnologia ECL.




TRANSISTOR BIPOLAR DE HETEROJUNO
O transistor bipolar de heterojuno (HBT) uma melhoria do transistor de juno
bipolar (BJT). HBTs podem fornecer maiores velocidades de comutao que
transistores bipolares de silcio, principalmente por causa de suas reduzidas resistncia
de base e capacitncia entre coletor e substrato. Em comparao com BJTs, apresentam
melhor desempenho em termos de resistncia de base, capacitncia base-emissor e
freqncia de corte. Tambm apresentam uma boa linearidade e baixo rudo. HBTs so
usados em aplicaes de alta confiabilidade, tais como amplificadores de potncia de
telefones celulares e drivers laser. A idia de empregar uma heterojuno to antiga
quanto o BJT convencional, que remonta a uma patente de 1951, no entanto at a
dcada de 70 no havia tecnologia que permitisse a construo desses transistores.
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4.1 Descrio: Modelo das bandas
O transistor bipolar de heterojuno distingue-se do transistor bipolar de homojuno
em virtude da juno emissora ser uma heterojuno com o material do lado do emissor
possuindo maior altura da banda proibida. O tipo de transistor com mais potencialidades
o n-p-n, visto que a mobilidade dos eltrons maior que a das lacunas. A Fig. 2
representa esquematicamente um TBH.


Figura 2 Transistor n-p-n de heterojuno

Esta estrutura, em equilbrio termodinmico e na zona ativa direta de
funcionamento apresenta um diagrama de bandas como indicado na figura 3 (a) e (b)
respectivamente. Do diagrama da figura 3(b), fcil de reconhecer que a heterojuno
no emissor responsvel pelo aumento da altura da barreira de potencial na banda de
valncia que dificulta o movimento dos buracos da regio da base para a regio do
emissor. Este fato traduz-se num aumento do rendimento de injeo, e por isso do F
(ou F ).



WC Limite inferior da banda de conduo
WV Limite superior da banda de valncia
WG Altura da banda proibida

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Figura 3 - Diagrama de bandas do TBH. (a) Equilbrio termodinmico; (b) Zona ativa
direta.


4.2 Propriedades

Para alm do aumento do rendimento de injeo j mencionado, a heterojuno
do emissor permite que a regio da base possa ser fortemente dopada, mais que a regio
do emissor, sem prejuzo do rendimento de injeo, e mesmo do F (ou F ) dada a
pequena largura da regio de base. Uma elevada condutividade da base apresenta vrias
vantagens:
1) Pequenas quedas de tenso na base, quer longitudinais quer transversais. Aumenta-
-se a condutividade dinmica (melhoria da resposta em frequncia) e diminuem os
efeitos da densidade de corrente no uniformes.
2) As bases podem ser mais estreitas j que as regies de transio se encontram quase
completamente do lado do emissor e do coletor. No h assim problemas de
atravessamento da base sendo tambm menor que o tempo de permanncia dos
portadores na base. A variao do F (ou F ) com as tenses aplicadas tambm
muito menor (efeito de Early).
3) A juno emissora apresenta uma capacitancia menor, visto que a concentrao de
doadores no emissor menor que a habitual com a consequente melhoria da sua
resposta em frequncia.
4) A tenso de disrupo do emissor aumenta tambm pela razo anterior, podendo ser
da ordem da juno coletora.
5) Os TBH podem funcionar num intervalo de temperaturas maior que os transistores
bipolares usuais devido ao tipo de materiais semicondutores utilizados e natureza
dos tomos de impurezas de substituio.


4.3 Aplicaes
Os HBTs so usados para aplicaes digitais e analgicas de microondas com
freqncias muito elevadas, podendo chegar a centenas de gigahertz.



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TECNOLOGIA BiCMOS
A tecnologia BiCMOS combina os circuitos Bipolar e CMOS na mesma pastilha de
CI. Nessa tecnologia a parte lgica realizada por circuitos CMOS e a parte bipolar
apenas o estgio de sada pois, devido a alta transcondutncia do transistor bipolar, este
capaz de fornecer uma maior corrente por unidade de rea de silcio que o MOSFET.
Resumindo as vantagens da unio das duas tecnologias:

Baixa Potncia Consumida
Alta velocidade de operao
Alta impedncia de entrada
Alta capacidade de corrente
Amplas margens de rudo de acionamento

claro que para a utilizao em conjunto dessas tecnologias acarreta num aumento
de custo e complexidade do processo de fabricao. No anexo 2 mostrado o datasheet
de um circuito BiCMOS.


Figura 4 Exemplo de um BiCMOS

TECNOLOGIA BiCMOS COM TRANSISTOR DE HETEROJUNO
Existe um consrcio europeu h trs anos denominado DotFive que visa obter
transistores de heterojuno Silcio/Germnio operando na faixa de 0,5 THz para
aplicaes de comunicao, imagem ou radar. Em fevereiro de 2010 nos Estados
Unidos esse consrcio apresentou dois de seus resultados.
O primeiro resultados apresentado foi de um CI transmissor e receptor da
University of Wuppertal na Alemanha. O O chipset 158-165 GHz suporta esquemas de
modulao QAM e incluem VCO, prescaler e cadeias de amplificadores.
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O segundo resultado foi um receptor de 650 GHz, com uma antena integrada.
Esse circuito trabalha com largura de banda entre 635-665GHz. Ambos circuitos foram
implementados em uma tecnologia Europia Silcio/Germnio BiCMOS. As figuras 5 e
6 mostram os CIs produzidos.


Figura 5 Transmissor e receptor 160 GHz


Figura 6 Receptor 650 GHz











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CONCLUSO

O uso da tecnologia bipolar nos dias atuais prova que na rea de eletrnica
muitos conceitos no envelhecem. Com o aperfeioamento de materiais e tcnicas
possvel trazer a tona antigas idias e implement-la como solues em determinadas
ocasies.























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BIBLIOGRAFIA

[1] Microelectronics circuits 5th, Sedra, Adel S. and Smith, Kenneth C., 2004
[2] Heterostructure Bipolar Transistors and Integrated Circuits, HERBERT
KROEMER, IEEE 1982
[3] Heterojunction Bipolar Transistors, Y.C. Chou and R. Ferro
[4] Eletrnica Digital I, Fabiano Fruett, 2007
[5] http://en.wikipedia.org/wiki/Heterojunction_bipolar_transistor
[6] http://www.ihp-microelectronics.com




















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ANEXO 1 Datasheet componente ECL






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ANEXO 2 Datasheet Componente com Heterojuno