REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITCNICO

SANTIAGO MARIO
EXTENSIN MATURN





Modelo hibrido
BJT


















Maturn, agosto de 2013
Profesor:

Mariangela Pollonais
Realizado por:

Gherardo Daz
ndice

1. Introduccin.. 2
2. Modelo hibrido de un transistor. Definicin...3
3. Representacin grfica del modelo hibrido BJT3
3.1 Expresiones generales.....3
3.2 Clculo de los parmetros hbridos.......4
3.3 Representacin grfica.......5
3. El transistor en pequea seal.....5
4.1 Modelo hibrido h de un transistor bipolar.......5
4.2 Parmetro h.....7
4.3 El modelo hbrido en ..8
5. Conclusin..9












Introduccin
La polarizacin de un transistor es la responsable de establecer las corrientes y
tensiones que fijan su punto de trabajo en la regin lineal (bipolares) o saturacin (FET),
regiones en donde los transistores presentan caractersticas ms o menos lineales. Al aplicar
una seal alterna a la entrada, el punto de trabajo se desplaza y amplifica esa seal.
El anlisis del comportamiento del transistor en amplificacin se simplifica
enormemente cuando su utiliza el llamado modelo de pequea seal obtenido a partir del
anlisis del transistor a pequeas variaciones de tensiones y corrientes en sus terminales.
El modelo de pequea seal del transistor es a veces llamado modelo incremental de
seal. Los circuitos que se van a estudiar aqu son vlidos a frecuencias medias, aspecto
que se tendr en cuenta en el siguiente tema. En la prctica, el estudio de amplificadores
exige previamente un anlisis en continua para determinar la polarizacin de los
transistores.
















Modelo hibrido de un transistor. Definicin.
El modelo hbrido del transistor es un modelo circuital que combina
impedancias y admitancias para describir al dispositivo, de all el nombre de hbrido.

La obtencin de los parmetros hbridos involucrados dentro del modelo se hace
en base a la teora de cuadripolos o redes de dos puertos.

La sustitucin del smbolo del BJT por su modelo hbrido durante el anlisis en
corriente alterna permite la obtencin de ciertos valores de inters como son: la ganancia
de voltaje (Av), ganancia de corriente (Ai), impedancia de entrada (Zi) y la impedancia
de salida (Zo). Estos valores dependen de la frecuencia y el smbolo circuital por si
solo no considera este aspecto, de all la utilidad del modelo hbrido quien si lo
considera.
Representacin grfica del modelo hibrido BJT
Se presenta el modelo hbrido del transistor BJT, uno de los ms ampliamente
utilizados para el anlisis de las pequeas seales de alterna. Para la deduccin del mismo
se consideran las siguientes hiptesis:
Transistor polarizado en RAN
Oscilaciones alternas de baja amplitud y baja frecuencia
Expresiones generales
El punto de operacin de un transistor bipolar viene indicado por cuatro variables
elctricas. De entre las diversas opciones posibles, para la deduccin del modelo hbrido se
escogen como variables independientes la corriente I
B
y la tensin V
CE
, mientras que las
dependientes son V
BE
e I
C
. De este modo, las ecuaciones caractersticas del transistor
vendrn dadas por dos funciones f
1
y f
2
tales que:

Las tensiones y corrientes de un punto de polarizacin concreto vendrn dadas por
las expresiones anteriores:

Supongamos que sobre este punto de operacin Q se aade una componente alterna,
caracterizada por un I
B
y por un V
CE
. Para calcular el V
BE
y el I
C
pueden sustituirse las
funciones f
1
y f
2
en las cercanas del punto Q por las tangentes respectivas en dicho punto.
Como se trata de funciones de dos variables independientes, las expresiones sern las
siguientes:

A partir de este momento, para simplificar la notacin se escribirn con letra
minscula los incrementos de las variables. La expresin anterior admite una
representacin matricial:

en donde los coeficientes h
ij
se llaman parmetros hbridos, puesto que tienen diferentes
unidades entre s.
h
ie
: Impedancia de entrada ()
h
re
: Ganancia inversa de tensin
h
fe
: Ganancia directa de corriente, o ganancia dinmica
h
oe
: Admitancia de salida (
-1
)

Clculo de los parmetros hbridos
Para el clculo de los parmetros h
ij
se van a emplear las expresiones resultantes del
modelo de Ebers-Moll para la RAN.
Funcin f
1
=>
Funcin f
2
=>


Tal y como puede observarse, los coeficientes h
re
y h
oe
son nulos segn estos
clculos. Este resultado refleja las limitaciones del modelo de Ebers-Moll propuesto, ya que
en realidad h
re 5 x 10
-5
y h
oe
6 x 10
-6

-1
. Sin embargo, su valor es tan pequeo que en muchos
casos son aceptables las expresiones obtenidas anteriormente.

Representacin grfica
El modelo hbrido, con las simplificaciones mostradas en el subapartado anterior,
admite la siguiente representacin grfica:

El transistor en pequea seal.
Seguimos teniendo en cuenta la definicin de pequea seal como niveles de
amplitud lo suficientemente pequeos como para que las variaciones del punto Q
alrededor de su punto de equilibrio sean muy pequeas y el transistor pueda suponerse
lineal. Para distinguir los parmetros del transistor en cada uno de los puntos de
operacin se les aade un subndice en letras minsculas, mientras que si el subndice
es en letras maysculas hace referencia a un valor en rgimen esttico. Ambos valores
no tienen porque ser iguales. Es muy importante que diferenciemos entre los
subndices en maysculas y en minsculas. Al estar en maysculas hacen
referencia a su valor en DC mientras que en minsculas se refieren a su valor en AC.

Para el uso del transistor en pequea seal lo ms comn es utilizar un modelo que
simplifica los clculos. Presentaremos dos modelos lineales que son los ms comunes. El
modelo de parmetros h, basado en la teora de los cuadripolos est muy extendido y es
muy potente pero tiene como desventaja que sus parmetros dependen de la configuracin
(base comn, emisor comn, etc.), la frecuencia y el punto Q. Su rango de utilizacin es
para frecuencias entre 20 Hz y 20 kHz. El modelo hbrido en es un modelo circuital que
se puede manejar ms fcilmente y no vara segn la configuracin. Otro modelo muy
utilizado aunque generalmente para analizar amplificadores de muy alta frecuencia es el de
parmetros Y. Todos los modelos dependen del punto Q de operacin.
Modelo hibrido h de un transistor bipolar.
En un amplificador de transistores bipolares aparecen dos tipos de corrientes y
tensiones: contina y alterna.
La componente en continua o DC polariza al transistor en un punto de
trabajo localizado en la regin lineal. Este punto est definido por tres parmetros: I
CQ
,
I
BQ
y V
CEQ
. La componente en alterna o AC, generalmente de pequea seal,
introduce pequeas variaciones en las corrientes y tensiones en los terminales
del transistor alrededor del punto de trabajo. Por consiguiente, si se aplica el principio de
superposicin, la I
C
, I
B
y V
CE
del transistor tiene dos componentes: una continua y
otra alterna, de forma que:

Donde ICQ, IBQ y VCEQ son componentes DC, e ic, ib y vce son componentes en
alterna, verificando que ic << ICQ, ib << IBQ y vce << VCEQ

El transistor para las componentes en alterna se comporta como un circuito lineal
que puede ser caracterizado por el modelo hbrido o modelo de parmetros {H}. De los
cuatro posibles parmetros descritos, los h son los que mejor modelan al transistor porque
relacionan las corrientes de entrada con las de salida, y no hay que olvidar que un
transistor bipolar es un dispositivo controlado por intensidad.
Los parmetros h de un transistor, que se van a definir a continuacin, se obtienen
analizando su comportamiento a variaciones incrementales en las corrientes (i
b
,i
c
)
y tensiones (v
be
,v
ce
) en sus terminales.

En la figura 2.a se muestran las ecuaciones del modelo hbrido cuando
el transistor est operando con el emisor como terminal comn al colector y la base
(configuracin emisor-comn o EC).
El modelo hbrido de pequea seal en E-C de un transistor NPN y PNP se indican
en las figuras 2.b y 2.c respectivamente. Ambos modelos son equivalentes y nicamente
difieren en el sentido de las corrientes y tensiones para dar coherencia al sentido de esas
mismas corrientes y tensiones en continua.
Parmetro h
Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unin bipolar y permite un
fcil anlisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para desarrollar modelos
ms exactos. Como se muestra, el trmino "x" en el modelo representa el terminal del BJT
dependiendo de la topologa usada. Para el modo emisor-comn los varios smbolos de la
Figura 1 toman los valores especficos de:
Figura 1
x = 'e' debido a que es una configuracin emisor comn.
Terminal 1 = Base
Terminal 2 = Colector
Terminal 3 = Emisor
i
in
= Corriente de Base (i
b
)
i
o
= Corriente de Colector (i
c
)
V
in
= Tensin Base-Emisor (V
BE
)
V
o
= Tensin Colector-Emisor (V
CE
)
Y los parmetros h estn dados por:
h
ix
= h
ie
- La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia
del emisor r
e
).
h
rx
= h
re
- Representa la dependencia de la curva I
B
V
BE
del transistor en el valor
de V
CE
. Es usualmente un valor muy pequeo y es generalmente despreciado (se
considera cero).
h
fx
= h
fe
- La ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es generalmente
referido como h
FE
o como la ganancia de corriente continua (
DC
) in en las hojas de
datos.
h
ox
= h
oe
- La impedancia de salida del transistor. Este trmino es usualmente
especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a
impedancia.
Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende
representan que las condiciones de anlisis del circuito son con corrientes alternas. Para
condiciones de corriente continua estos subndices son expresados en maysculas. Para la
topologa emisor comn, un aproximado del modelo de parmetro h es comnmente
utilizado ya que simplifica el anlisis del circuito. Por esto los parmetros h
oe
y h
re
son
ignorados (son tomados como infinito y cero, respectivamente). Tambin debe notarse que
el modelo de parmetro h es slo aplicable al anlisis de seales dbiles de bajas
frecuencias. Para anlisis de seales de altas frecuencias este modelo no es utilizado debido
a que ignora las capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas frecuencias.
El modelo hbrido en


El modelo hbrido en est compuesto por una fuente de corriente controlada
por tensin, lo que indica la ganancia del dispositivo, las resistencias de entrada y
salida y las capacidades parsitas, C
cb
y C
be
, adems de la resistencia de base r
b'b
que representan el comportamiento a alta frecuencia.



Fig.4: Modelo hbrido en del transistor.

La ganancia del transistor viene determinada por la transconductancia g
m
que
relaciona la corriente de colector en funcin de la tensin de base.








Conclusin
Se amplifica seales con transistores bipolares por su buen marguen de ganancia al
momento de amplificar una seal. Estos transistores trabajan con corriente alterna y
corriente directa para poder realizar dicha funcin, hay capacitores de acoplo y desacoplo
para permitir el paso de la corriente alterna y negarle el paso a la corriente continua, ya que
a travs del circuito es necesario que solo se amplifique la seal alterna y que salga dicha
seal amplificada.