UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE SAN JUAN DEL RIO

INNOVACIN PARA EL DESARROLLO

MATERIA:
CONTROL DE MOTORES.

TEMA:
ELECTRONICA DE POTENCIA.

PROFESOR:
M en C. SALVADOR HERNNDEZ GONZALEZ.

PRESENTA EL ALUMNO:
JOAQUIN ALVARADO MARTINEZ.

GRUPO:
MECATRONICA MEC02SV-13




SAN JUAN DEL RIO, QRO ABRIL 2014

1. Encapsulados
Es la envoltura que recubre y provee a los semiconductores (transistores, triacs, circuitos
integrados,) de la rigidez necesaria y el aislamiento del medio. El material que lo
envuelve puede ser de plstico, cermico o metlico.



Funciones de los encapsulados:

Excluir las influencias ambientales: Los encapsulados evitan influencias externas
y protegen los chips de silicio de fenmenos externos como la humedad, el polvo,
golpes, campos magnticos
Permitir la conectividad elctrica: El encapsulado permite la fijacin de
conductores metlicos denominados pines que permiten que las seales sean
enviadas o recibidas por el dispositivo semiconductor.
Disipar el calor: Otra funcin muy importante del encapsulado es que permite
disipar o liberar el calor que genera el chip o semiconductor, ya que este en muchas
ocasiones se calienta produciendo un mal funcionamiento, incluso su destruccin.
Manejo y montaje: Permite de una forma sencilla su manipulacin as como su
montaje en placas.

Cpsula TO-3. Se utiliza para transistores de gran potencia, que siempre suelen llevar un
radiador de aluminio que ayuda a disipar la potencia que se genera en l. Abajo en la
imagen vemos su distribucin de terminales, observando que el colector es el chasis del
transistor. Ntese que los otros terminales no estn a la misma distancia de los dos
agujeros. Tambien vemos la forma de colocarlo sobre un radiador, con sus tornillos y la
mica aislante. La funcin de la mica es la de aislante elctrico y a la vez conductor trmico.
De esta forma, el colector del transistor no est en contacto elctrico con el radiador.

Cpsula TO-220. Se utiliza para transistores de menos potencia, para reguladores de
tensin en fuentes de alimentacin y para tiristores y triacs de baja potencia. Generalmente
necesitan un radiador de aluminio, aunque a veces no es necesario, si la potencia que van a
disipar es reducida.
Abajo vemos la forma de colocarle el radiador y el tornillo de sujecin. Se suele colocar
una mica aislante entre el transistor y el radiador, as como un separador de plstico para el
tornillo, ya que la parte metlica est conectada al terminal central y a veces no interesa que
entre en contacto elctrico con el radiador.

Cpsula TO-126. Se utiliza en transistores de potencia reducida, a los que no resulta
generalmente necesario colocarles radiador.
Abajo vemos la asignacin de terminales de un transistor BJT y de un Tiristor, vemos dos
transistores que tienen esta cpsula colocados sobre pequeos radiadores de aluminio y
fijados con su tornillo correspondiente.

Cpsula TO-92. Es muy utilizada en transistores de pequea seal. debajo vemos la
asignacin de terminales en algunos modelos de transistores, vistos desde abajo.
Abajo vemos dos transistores de este tipo montados sobre una placa de circuito impreso.
Ntese la indicacin "TR5" de la serigrafa, que indica que en ese lugar va montado el
transistor nmero 5 del circuito, de acuerdo al esquema elctrnico.

Cpsula TO-18. Se utiliza en transistores de pequea seal. Su cuerpo est formado por
una carcasa metlica que tiene un saliente que indica el terminal del Emisor.


Cpsula miniatura. Se utiliza en transistores de pequea seal. Al igual que el anterior,
tienen un tamao bastante pequeo.


2. El transistor de Unijuntura (UJT)

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo para
SCR y TRIACs.
El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor, tal como se
muestra en la siguiente figura:

En la figura se puede apreciar la constitucin de un UJT, que en realidad est compuesto
solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran cantidad de
impurezas, presentando en su estructura un nmero elevado de huecos. Sin embargo, al
cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos electrones
libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta
cuando el diodo del emisor no conduce. Para entender mejor cmo funciona este
dispositivo, vamos a valernos del circuito equivalente de la figura siguiente:

R
1
y R
2
equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre los
terminales de las bases. El diodo D equivale a la unin formada por los cristales P-N entre
el terminal del emisor y el cristal N.
Mientras el diodo del emisor no entre en conduccin, la resistencia entre bases es igual a:

Si en estas condiciones aplicamos una tensin de alimentacin VBB entre las dos bases, la
tensin que aparece entre el emisor y la base ser la que corresponda en el circuito
equivalente a R1; es decir, en el divisor de tensin se cumplir que:

Si llamamos =R1/RBB, la ecuacin queda: V1 = VBB.
El trmino representa la relacin intrnseca existente entre las tensiones V1 y VBB.
As, por ejemplo, si un UJT posee una relacin intrnseca caracterstica igual a 0,85 y
queremos determinar la tensin que aparecer entre el terminal de emisor y la base 1 al
aplicar 12V entre bases, bastar con operar de la siguiente forma:

Al valor de V1 se le conoce como tensin intrnseca, y es aqulla que hay que aplicar para
que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicamos una tensin de 8V al
emisor, ste no conducir, ya que en el ctodo del diodo D existe un potencial positivo de
10,2V correspondiente a la tensin intrnseca, por lo que dicho diodo permanecer
polarizado inversamente. Sin embargo, si aplicamos una tensin superior a 10,9V (los
10,2V de V1 ms 0,7V de la tensin de barrera del diodo D), el diodo comenzar a
conducir, producindose el disparo o encendido del UJT. En resumen, para conseguir que el
UJT entre en estado de conduccin es necesario aplicar al emisor una tensin superior a la
intrnseca.
Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una tensin de polarizacin
directa del emisor respecto a la base 1, los portadores mayoritarios del cristal P (huecos)
inundan el tramo de cristal de tipo N comprendido entre el emisor y dicha base (recordar
que el cristal P est fuertemente contaminado con impurezas y el N dbilmente). Este
efecto produce una disminucin repentina de la resistencia R1 y, con ella, una reduccin de
la cada de tensin en la base 1 respecto del emisor, lo que hace que la corriente de emisor
aumente considerablemente.

Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (I
v
), el diodo
permanecer en conduccin como si de un biestable se tratase. Esta corriente se especifica
normalmente en las hojas de caractersticas y suele ser del orden de 5mA.
En la figura anterior, se muestra el aspecto de una de las curvas caractersticas de un UJT.
V
p
(punto Q
1
) nos indica la tensin pico que hay que aplicar al emisor para provocar el
estado de encendido del UJT (recordar que V
p
= V
1
+ 0,7). Una vez superada esta tensin,
la corriente del emisor aumenta (se hace mayor que I
p
), provocndose el descebado del UJT
cuando la corriente de mantenimiento es inferior a la de mantenimiento I
v
(punto
Q2
).

3. SCR,
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un
dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn
(Figura 2). Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La
conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento
unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador y
amplificador a la vez.









En esta rea (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las tensiones y
corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las
curvas:
Curva A y B: lmite superior e inferior de la tensin puerta-ctodo en funcin de la
corriente positiva de puerta, para una corriente nula de nodo.
Curva C: tensin directa de pico admisible V
GF
.
Curva D: hiprbola de la potencia media mxima P
GAV
que no debemos sobrepasar.


Figura 3. Curva caractersticas de puerta del tiristor.




4. TRIAC.
El Triac es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los dispositivos de
control: los tiristores. El triac es en esencia la conexin de dos tiristores en paralelo pero
conectados en sentido opuesto y compartiendo la misma compuerta. (ver imagen).
A1: nodo 1, A2: nodo 2, G: Compuerta
El triac slo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor, se dispara por la
compuerta. Como el triac funciona en corriente alterna, habr una parte de la onda que ser
positiva y otra negativa.

La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasar por el triac siempre y cuando haya
habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de arriba
hacia abajo (pasar por el tiristor que apunta hacia abajo), de igual manera:
La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasar por el triac siempre y cuando haya
habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de abajo
hacia arriba (pasar por el tiristor que apunta hacia arriba)
Para ambos semiciclos la seal de disparo se obtiene de la misma patilla (la puerta o
compuerta). Lo interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla
y as, controlar el tiempo que cada tiristor estar en conduccin. Recordar que un tiristor
slo conduce cuando ha sido disparada (activada) la compuerta y entre sus terminales hay
un voltaje positivo de un valor mnimo para cada tiristor)
Entonces, si se controla el tiempo que cada tiristor est en conduccin, se puede controlar la
corriente que se entrega a una carga y por consiguiente la potencia que consume.
Ejemplo: Una aplicacin muy comn es el atenuador luminoso de lmparas incandescentes
(circuito de control de fase).
Dnde:
- Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.C.)
- L: lmpara
- P: potencimetro
- C: condensador (capacitor)
- R: Resistor
- T: Triac
- A2: Anodo 2 del Triac
- A3: Anodo 3 del Triac
- G: Gate, puerta o compuerta del Triac
El triac controla el paso de la corriente alterna a la lmpara (carga), pasando continuamente
entre los estados de conduccin
(cuando la corriente circula por el triac)
y el de corte (cuando la corriente no
circula)
Si se vara el potencimetro, se vara el
tiempo de carga de un capacitor
causando que se incremente o reduzca
la diferencia de fase de la tensin de
alimentacin y la que se aplica a la
compuerta
5. DIAC.
El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para disparar
TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin). Tiene dos terminales: MT1
y MT2.

El DIAC se comporta como dos diodos Zener conectados en serie, pero orientados en
formas opuestas. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de tensin del Zener
que est conectado en sentido opuesto. El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene
una pequea corriente de fuga. La
conduccin aparece cuando la tensin de
disparo se alcanza.
Cuando la tensin de disparo se alcanza, la
tensin en el DIAC se reduce y entra en
conduccin dejando pasar la corriente
necesaria para el disparo del SCR o
TRIAC. Se utiliza principalmente en
aplicaciones de control de potencia
mediante control de fase. La curva
caracterstica del DIAC se muestra a continuacin



6. Tiristores foto activados (LASCR)
Estos tiristores, se activan por radiacin de luz directa, en la oblea de silicio, en la zona de
la juntura J2. La radiacin de luz genera en esta zona (polarizada inversamente, con
tensin de bloqueo directo, en los extremos del tiristor), generando suficiente pares
electrn-huecos que, por el proceso de realimentacin, activan al tiristor. La estructura de la
compuerta se disea de tal forma que proporciona suficiente sensibilidad para ser activado
con fuentes luminosas normales como por ejemplo radiacin luminosa provenientes de
fibras pticas o diodos emisores de luz(LEDS).
Estos tiristores se usan en aplicaciones de alto voltaje y corriente, a frecuencia industrial,
como las conversiones para transmisiones CC de alto voltaje (HVDC) y compensacin de
potencia reactiva. Los LASCR, tienen un aislamiento elctrico completo entre la fuente de
radiacin de activacin y el circuito conversor que trabaja a alta tensin. Las
especificaciones elctricas mximas de estos dispositivos, llegan a 4000 V a 1500 con una
potencia de activacin, menor de 100 mW. Soportan una dv/dt de hasta 2000 V/seg y di/dt
de unos 250 A/mseg.

7. Tiristores de apagado por compuerta (GTO)
EL GTO, en forma similar a un SCR, se puede activar con una seal pulsante positiva en la
compuerta, pero tiene la posibilidad de apagarlo con una seal negativa aplicada en la
misma compuerta. Los GTO, se pueden construir con especificaciones de tensin y
corrientes parecidas a los SCR, con las siguientes ventajas:
1) No necesitan elementos auxiliares de conmutacin en convertidores que necesitan la
conmutacin forzada, reduciendo el costo peso y volumen del convertidor.
2) Reduccin del ruido acstico y electromagntico por eliminacin de los reactores de
conmutacin.
3) Desactivacin ms rpida lo que le permite trabajar con frecuencias de conmutacin ms
elevada.
4) Mayor eficiencia de los convertidores en aplicaciones de baja potencia, los GTO
tambin tienen ventajas sobre los transistores bipolares:
1) Mayor especificacin de voltaje de bloqueo.
2) Alta relacin de corriente pico controlable a corriente promedio.
3) Alta relacin de corriente pico de sobrecarga y la corriente promedio. (10:1)
4) Alta ganancia entre la corriente en el estado activo y la corriente de compuerta necesaria
para su activacin (1:600).
5) Seal pulsante de corta duracin en compuerta para su activacin y desactivacin a
diferencia del transistor bipolar que requiere seal permanente en estado activo.

A diferencia del SCR, el GTO tiene una capa adicional n+ cerca del nodo, que forma un
circuito de apagado entre la compuerta y el ctodo, en paralelo con la compuerta de
encendido. El circuito equivalente es similar al SCR, excepto por su mecanismo de apagado
interno. La activacin se logra con un pulso de corriente entrante, aplicado entre la
compuerta y el ctodo. Para lograr la realimentacin interna que lo lleve al estado activo o
encendido, el pulso de corriente entrante debe cumplir especificaciones, dadas por el
fabricante, respecto al gradiente de elevacin, corriente mxima y duracin del impulso.
El apagado se logra haciendo pasar un gran pulso de corriente entre el ctodo y la
compuerta (corriente saliente de la compuerta), para apartar suficientes portadores de carga
del ctodo, que correspondera al emisor del transistor Q2 (transistor npn, en el circuito
equivalente) para cortarlo y de esa manera sacar al transistor Q1 de la accin regenerativa.
Con esta accin, el transistor Q1 queda con la base abierta y el GTO vuelve al estado
desactivado o no conductor. De la misma forma, el pulso de corriente de apagado debe
cumplir con las especificaciones dadas por el fabricante.
Respecto a la corriente de encendido del nodo, esta debe ser por lo menos del 1% del
pulso de activacin, para asegurarse que la compuerta mantenga la retencin del estado
activo. Durante el apagado, la corriente de nodo, tiene una larga cola residual de
apagado por lo que se debe esperar un tiempo especificado, hasta que se haya disipado la
carga residual del nodo y se pueda, nuevamente activarlo. En la prxima figura se muestra
las especificaciones que debe cumplir el pulso positivo de encendido, como as tambin la
forma tpica de la corriente de nodo en funcin del pulso negativo de apagado.



8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
Un tiristor FET-CTH, esta compuesto, en un solo encapsulado, de un tiristor convencional
del tipo SCR y un transistor MOSFET. Este ltimo cuando se le aplica un voltaje en su
compuerta, conduce la corriente de disparo o activacin del tiristor. La tensin necesaria
aplicable al MOSFET para el disparo, es de unos 3 volt. Este dispositivo, tiene alta
velocidad de conmutacin y altos valores de di/dt y dv/dt.

El encendido es por tensin elctrica, pero no se puede apagar, salvo por la conmutacin
natural o forzosa. Tiene aplicaciones cuando se debe usar disparo ptico para dar
aislamiento elctrico entre la seal de control y la del circuito convertidor.

9. Tiristor de apagado por MOS (MTO)
El MTO es una combinacin de un GTO y un MOSFET, que juntos mejoran las
capacidades de apagado del GTO. Vimos que en este ltimo, necesitamos una corriente
inversa considerable para cortar la corriente de emisor del transistor npn y de esta manera
eliminar la realimentacin con el transistor pnp para as desactivar al GTO. En el caso del
MTO, el transistor MOS, que esta conectado entre la base y emisor del transistor bipolar
npn, hace caer la tensin base emisor por debajo del umbral y de esta manera ste transistor
deja de conducir, eliminando la realimentacin.
La estructura es parecida al GTO, conservando las ventajas de alto voltaje (hasta 10Kv) y
elevada corriente (4000 A), con aplicaciones de gran potencia (1 a 20 MVA).El MTO se
apaga mas rpidamente que el GTO y casi se eliminan las perdidas asociadas a las cargas
de almacenamiento. Tambin tienen una mayor dv/dt y en forma parecida al GTO, tienen
una larga cola de corriente de apagado.


10. Tiristores de apagado por emisor (ETO)
El ETO es un dispositivo hibrido compuesto por un MOS y un GTO, en el que se combinan
las ventajas de ambos semiconductores. Tiene dos compuertas, una normal para activarlo y
otra, con un MOSFET conectado en serie, para apagarlo. Su estructura y circuito
equivalente, se muestra en la siguiente figura:

La activacin se logra aplicando voltajes positivos a las compuertas 1 y 2; de esta manera el
MOSFET de canal P se mantiene en condicin de bloqueado y el MOSFET de canal N
conduce, permitiendo un flujo de corriente a la compuerta del GTO. Esta corriente inicia el
proceso de realimentacin interna la realimentacin haciendo que el GTO conduzca y asi el
ETO pasa al estado de conduccin o activacin.
El apagado se logra aplicando un voltaje negativo a la compuerta 2, apagando el MOSFET
de canal N ; la corriente principal se desva del ctodo (emisor del transistor bipolar npn del
GTO) , hacia la base a travs del MOSFET de canal P, deteniendo el proceso de
realimentacin interna y apagando o desactivando al ETO.
En forma parecida al GTO, el ETO tambin tiene una cola larga de la corriente de nodo, al
final del apagado, por lo que se debe esperar para el siguiente encendido, hasta que la
corriente residual, del lado del nodo, se haya disipado por el proceso de recombinacin. Se
disponen de estos dispositivos con tensiones de bloqueo directo e inverso de valores de
hasta 6 KV y corrientes de hasta 4000 A.

11. Tiristores conmutados por compuerta integrada
(IGCT)
En el IGCT, se integran un tiristor conmutado por
compuerta (GCT) y un activador de compuerta en tarjeta
de circuito impreso multicapa. El GCT, es un GTO de
conmutacin permanente con un pulso de corriente de
compuerta muy rpido y de valor muy alto, prcticamente
del mismo valor que toma la corriente de ctodo y la lleva
a la compuerta en aproximadamente en 1 seg para
asegurar un apagado rpido.
La estructura interna de GCT y su circuito equivalente, es parecido al GTO, como se
muestra en la siguiente figura, que adems tiene un diodo integrado en paralelo:

El encendido del IGCT es similar al GTO, aplicando una corriente de encendido a la
compuerta. Para apagarlo, se recurre a una tarjeta de circuito impreso multicapa de
compuerta que aplica un pulso de apagado de subida rpida, por ejemplo una corriente de 4
KA/sg, con solo un voltaje de 20 volt de compuerta ctodo. Con esta variacin de la
corriente de compuerta, el transistor npn, del lado del ctodo, se apaga en su totalidad en
menos de aprox. 1 seg. y de hecho el transistor pnp al quedar su base abierta , tambin se
apaga y el IGCT se desactiva. Debido a la muy corta duracin del pulso, el consumo de
compuerta se reduce al mnimo.


12. Tiristores controlados por MOS (MCT)
En un MCT, se combinan las propiedades de un tiristor regenerativo de cuatro capas, con
una estructura de compuerta MOS. En forma similar al transistor bipolar de compuerta
aislada (IGBT), se logran las ventajas de los transistores bipolares con las de efecto de
campo; el conjunto resulta en una mejora respecto a un tiristor con un par de MOSFET,
que lo activan y lo desactivan. Existen varios dispositivos de estas estructuras MCT;
solamente analizaremos una de ellas, el MCT de canal p de mayor difusin. En la
prxima figura representaremos su estructura interna:

El proceso de construccin de este dispositivo, es complejo, por lo que solamente nos
remitiremos a su circuito elctrico equivalente, formado por dos transistores bipolares, uno
npn, el otro pnp y dos transistores de efecto de campo MOS, uno de canal n y otro de canal
p, conectados como muestra la siguiente figura:

Los MCT tienen las siguientes caractersticas elctricas:
1) Tiene baja cada de tensin en sentido directo durante su estado conductor.
2) Tienen un corto tiempo de activacin, normalmente 0,4seg. y un corto tiempo de
apagado de aproximadamente 1,25 seg, por ejemplo para un MCT de 500 V y 300 A.
3) Tiene bajas perdidas por conmutacin.
4) Baja capacidad de bloqueo de la tensin inversa.
5) Alta impedancia de entrada en su compuerta lo que simplifica bastante el circuito
generador de pulsos de excitacin de compuerta.
6) Puede conectarse en paralelo para conmutar grandes corrientes, con pocas desviaciones
de las especificadas.
7) No puede utilizarse un transformador de pulsos si se necesita un pulso continuo para
evitar falsas excitaciones.
La estructura del MCT se reparte en toda la superficie del dispositivo, lo que le permite el
encendido y apagado rpido con bajas perdidas por conmutacin. La potencia o energa
para su activacin y desactivacin es baja y el retardo debido al almacenamiento de cargas,
tambin es muy bajo. Todas estas condiciones, lo aproximan como el dispositivo de
retencin, ideal, para ser usado en los convertidores de energa elctrica