EXPERIMENTO 06 CARACTERISTICAS AC DO TRANSISTOR MOS

LUCAS H. S. DE SOUZA 10/0111891

FELIPE D. MACHADO 10/0010741

Universidade de Braslia
Faculdade do Gama Caixa Postal 8114
CEP 72405-610 Gama DF - Brasil

lucashssouza@outlook.com
felipe.duarte.machado@gmail.com

Circuitos Eletrnicos 02
Abstract In this laboratory were mounted two transistor circuits: one using the CI CD4007 to implement a common source
amplifier and also another using the CI CD4007 to implement a common source amplifier with source degeneration. Observed
characteristics AC of a MOS transistor.
Keywords .transistor MOS, characteristics MOS-AC.
Resumo Neste laboratrio foram montados dois circuitos transistorizados: um utilizando o CI CD4007 para implementar um
amplificador de fonte comum e o outro tambm utilizando o CI CD 4007 para implementar um amplificador de fonte comum com
degenerao de fonte. Observou-se caractersticas AC de um transistor MOS.
Palavras-chave transistor MOS, caractersticas MOS-AC.
1 - Introduo
A tecnologia MOS responde atualmente por 90%
do mercado mundial de semicondutores, em sua
maioria constitudo de memrias e
microprocessadores. Seu emprego com fins didticos
se d devido ao fato de serem elementos
conceitualmente simples e de apresentarem boa
correlao entra valores tericos e experimentais,
entretanto, so produzidos apenas na forma integrada,
isto , com centenas ou at milhares de outros no
mesmo chip.
O princpio bsico de funcionamento de um
transistor bem simples.


Figura 1 - Estrutura de um MOSFET.

O funcionamento de um transistor MOS, consiste
no controle de uma corrente que flui do terminal de
dreno ao terminal fonte do transistor, sendo esta
corrente controlada por uma tenso empregada no
porto, ou seja, a coisa funciona da seguinte forma.
Quando no existe tenso no porto, no permitido
o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte, mas,
quando se coloca tenso no porto, passa a haver um
fluxo de corrente entre o dreno e fonte, a esse tipo de
controle d-se o nome de controle "digital", pois ou
tem corrente ou no tem corrente fluindo do dreno
para a fonte. Um outro mtodo de controle usado em
transistores o controle "analgico", onde o fluxo de
corrente proporcional tenso que est sendo
aplicada no porto, no entanto esta espcie de controle
no empregada nos transistores internos dos
nanochips, j que estes operam com lgica digital.
Vale salientar que apesar dos transistores serem
os componentes principais que formam os nanochips,
h outros componentes que tambm so encontrados
no interior dos nanochips como capacitores, resistores
e indutores.

2 - Procedimento experimental
2.1 Amplificador Fonte Comum
O circuito da figura 02 foi montado, utilizando o
CI CD4007.
Antes de cada montagem foi realizado uma
simulao no software LTSPICE no intuito de
verificar a funcionalidade do circuito e compara-lo
com o mesmo implementado com o CI CD4007.

Figura 2 - Amplificador fonte comum.
A figura 03 mostra o circuito da figura 02
implementado no software LTSPICE.


Figura 3 - Amplificador Fonte comum, simulado.
2.2 Amplificador Fonte comum com degenerao de
fonte
O circuito da figura 04 foi implementado e
simulado com os mesmos componentes e o mesmo
software do primeiro circuito.

Figura 4 - Amplificador Fonte comum com degenerao de fonte.


Figura 5 - Amplificador Fonte comum com degenerao de fonte,
simulado.
3 - Resultados e discusso
3.1 Amplificador Fonte comum
Na montagem 01, mediou-se as tenses de
polarizao VG, VS, VD, VGS como mostra a tabela 1 e
com essas tenses medidas foi calculada a corrente de
polarizao do dreno Id utilizando a formula (1) e a
transcondutncia gm utilizando a formula (2), sendo
que para esses clculos utilizou-se os valores de K e
Vt calculados no experimento anterior:
= 0,212

= 1,6

= (

)
2
(1)
= 2(

) (2)

TENSES DE POLARIZAO
VG 5,33 V
VS 0 V
VD 8,38 V
VGS 5,33 V
Tabela 1 - Tenses de polarizao.
A partir da tabela 1 e das equaes 1 e 2 calculou-
se a corrente de polarizao do dreno e a
transcondutncia gm:

= ,
= ,

Em seguida, aplicando um sinal de entrada de
1Vpp de amplitude e variando a frequncia, no intuito
de encontrar o ganho do amplificador e a frequncia
de ganho unitrio, encontrou-se os seguintes valores
de acordo com a tabela 2 (o valor Aout a amplitude
de sada) sendo que na figura 6 mostra o grfico do
Ganho x Frequncia.

Frequncia de ganho unitrio = 2,43 MHz.




Frequncia
(Hz)
VppI N
(V)
VppOUT
(V)
Aout
(V)
Ganho
5 1,1 3,2 1,6 2,9091
50,3 1,1 3,2 1,6 2,9091
100,2 1,1 3,2 1,6 2,9091
253,1 1,1 3,2 1,6 2,9091
509,7 1,1 3,2 1,6 2,9091
894,2 1,1 3,2 1,6 2,9091
1000 1,1 3,2 1,6 2,9091
1254,9 1,1 3,2 1,6 2,9091
3500,1 1,1 3,2 1,6 2,9091
5030 1,1 3,2 1,6 2,9091
10950 1,1 3,2 1,6 2,9091
41600 1,09 3,16 1,58 2,8991
110790 1,18 3,4 1,7 2,8814
547800 1,16 2,78 1,39 2,3966
2300000 1 1,06 0,53 1,06
Tabela 2 - Resultados obtidos.


Figura 6 - Curva Ganho x Frequncia.
3.2 Amplificador de fonte comum com degenerao de
fonte.
Na montagem 02, mediou-se as tenses de
polarizao VG, VS, VD, VGS como mostra a tabela 3 e
com essas tenses medidas foi calculada a corrente de
polarizao do dreno Id utilizando a formula (1), sendo
que para esse clculo utilizou-se os mesmos valores
de K e Vt do item anterior:

TENSES DE POLARIZAO
VG 9,67 V
VS 4,64 V
VD 10,39 V
VGS 5,04 V
Tabela 3 - Tenses de polarizao.

A partir da tabela 1 e da equaes 1 calculou-se a
corrente de polarizao do dreno:

= ,

Em seguida, aplicando um sinal de entrada de
1Vpp de amplitude e variando a frequncia, no intuito
a frequncia de corte, encontrou-se os seguintes
valores de acordo com a tabela 4 e os valores nas
sadas 1 e 2 utilizando uma frequncia abaixo da
frequncia de corte (o valor Aout a amplitude de
sada, neste caso e a diferena de tenso entre a sada
1 e sada 2) sendo que na figura 7 mostra o grfico do
Ganho x Frequncia.

Saida1 = 0,688 V
Saida2 = 0,688 V
Frequncia de corte = 294620 Hz

Frequncia
(Hz)
VppI N
(V)
VppOUT
(V)
Aout
(V)
Ganho
16,77 9,52E-01 6,16E-01 0,308 0,6471
47,65 1,01 6,68E-01 0,334 0,6614
131,26 1,07 7,00E-01 0,35 0,6542
192,07 1,05 6,84E-01 0,342 0,6514
257,22 1,03 6,76E-01 0,338 0,6563
1220 1,02 6,68E-01 0,334 0,6549
3270 1,02 6,68E-01 0,334 0,6549
11350 1,02 6,68E-01 0,334 0,6549
3,64E+04 1,02 6,60E-01 0,33 0,6471
1,29E+05 1,02 5,88E-01 0,294 0,5765
2,07E+05 1,01 5,04E-01 0,252 0,499
294630 1,09 4,48E-01 0,224 0,411
669040 1,07 2,32E-01 0,116 0,2168
1140000 1,04 1,44E-01 0,072 0,1385
1,98E+06 9,60E-01 8,40E-02 0,042 0,0875
2,33E+06 9,28E-01 7,20E-02 0,036 0,0776
Tabela 3 - Resultados obtidos.


Figura 7 - Curva Ganho x Frequncia.

0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
0 1000000 2000000 3000000
Ganho x Frequencia
0
0,2
0,4
0,6
0,8
0 500000 1000000 1500000 2000000 2500000
Ganho x Frequencia
4 - Concluso
A realizao das atividades do experimento
06 permitiram, aos operadores, o aperfeioamento de
conceitos bsicos na construo de circuitos
eletrnicos transistorizados. Esses conceitos tem
relevante importncia na resoluo da problemtica
no que diz respeito a caracterizao AC do transistor
MOS.
Referncias Bibliogrficas
Dorf, R. C e Svoboda, J. A. (2008). Introduo aos
circuitos eltricos. 7 Ed, LTC.

Boyledtad, R. e Nashelsky, L. (1999). Dispositivos
eletrnicos e teoria dos circuitos. 6 Ed., LTC.