Benemrita Universidad

Autnoma de Puebla


FACULTAD DE CIENCIAS DE LA
ELECTRNICA

Tarea 1

Anlisis en DC de un Sistema analgico compuesto




Nombre de la Asignatura:

DISPOSITIVOS ANALOGICOS Y SUS ALPICACIONES

Profesor:

Lic. Jos Mauro Huerta Rivera


Integrantes del Equipo:



Hernndez Hernndez Jos Luis
Orozco Urbieta Tomas
Rosales Hernndez Silvia





Primavera 2014
1.- Objetivo
El objetivo de este proyecto es implementar un circuito que sea capaz de realizar las funciones de
un amplificador operacional construido con transistores PNP y NPN, y realizar un analisis de
corrientes y voltajes de la configuarcion, ya que en esta configuracion se encuentran espejos de
corrientes, los cuales son muy utiles pues que permiten el funcionamiento de dicho OPAM

2.- I ntroduccin
El amplificador operacional es una unidad electrnica que se comporta como una fuente de tensin
controlada por tensin.

El desarrollo de este proyecto se basa en la implementacin de un amplificador operacional
(OPAM) a nivel componentes es decir implementado con transistores los cuales al hacer un arreglo
se puede obtener el mismo principio de funcionamiento de un circuito integrado (OPAM), para
obtener ganancia de voltaje a su salida el cual es el principal funcionamiento de este circuito.
Los primeros amplificadores operacionales (OPAM) fueron utilizados principalmente para realizar
operaciones matemticas tales como adicin, sustraccin, integracin y diferenciacin, de ah el
trmino operacional. Estos primeros dispositivos se construyeron con tubos de vaco y funcionaban
con altos voltajes. Los amplificadores operacionales actuales son circuitos integrados lineales (IC)
que utilizan voltajes de cd relativamente bajos y son confiables y baratos. Se implementarn en lazo
cerrado, es decir: existe una rama de conexin Entrada_ Salida. (Retroalimentacin Feedback)
existiendo as la positiva y negativa.

3.- Planteamiento del problema

Para realizar el analisis e implementacion del OPAM nos apoyaremos en algunas caracteristicas
generales de este mismo.
Diagrama de bloques interno de un amplificador operacional

Un amplificador operacional tpico se compone de tres tipos de circuitos amplificadores: un
amplificador diferencial, un amplificador de voltaje y un amplificador push-pull,
El amplificador diferencial es la etapa de entrada del amplificador operacional. Amplifica la
diferencia de voltaje entre las dos entradas. La segunda etapa casi siempre es un amplificador clase
A que proporciona ganancia adicional. En general se utiliza un amplificador clase B push-pull para
la etapa de salida.


Imagen 1.
En el siguiente esquematico 1 como se muestra en la figura 2 una descripcion a nivel componentes
del OPAM



















Imagen 2 esquematico1

Como se muestra en el esquematico1 ,amplificador operacional este nos servira para realizar el
analisis a nivel componentes.
Se analizaran las fuentes espejo de corrientes encontradas en esteb diagrama como primera idea
para llevar un correcto analisis contemplando las caracteristicas decada transistor debidamente
analisado como transistor PNP o NPN.

4.- Marco terico
El amplificador operacional es un dispositivo electrnico que consta de un complejo sistema de
resistores, transistores, capacitores y diodos. Aqu se analizara por componente de circuitos estudiar
lo que ocurre en sus terminales. [Apndice A]


Figura 3

TRANSISTORES PNP
El BJT (transistor de unin bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras separadas por
dos uniones pn, como lo muestra la estructura plana epitaxial de la figura 4. Las tres regiones se
llaman emisor, base y colector. En las figuras 4bse muestran representaciones fsicas de los dos
tipos de BJT. En este caso el transistor consta de dos regiones p separadas por una regin n (pnp).
El trmino bipolar se refiere al uso tanto de huecos como de electrones como portadores de
corriente en la estructura de transistor.

Figura 4 a. Estructura plana epitaxial bsica. Figura 4b. Pnp
Para que un BJT opere adecuadamente como amplificador, las dos uniones pn deben estar
correctamente polarizadas con voltajes de cd externos.
Las corrientes correspondientes a un transistor pnp se muestran en la figura 4(b). Estos diagramas
muestran que la corriente de emisor (IE) es la suma de la corriente de colector (IC) y la corriente de
base (IB), expresada de la siguiente manera:



Las direcciones de las corrientes en un transistor npn y su smbolo esquemtico se muestran en la
figura 5

Figura 5
TRANSISTORES NPN
La operacin del pnp es la misma que para el npn excepto en que
los roles de los electrones y huecos, las polaridades del voltaje de
polarizacin y las direcciones de la corriente se invierten.
Este tipo de transistor se compone de dos regiones n separadas por
una regin p (npn) Figura 6
Figura 6 npn


La ganancia de corriente de cd de un transistor es el cociente de la corriente de cd del colector (IC)
entre la corriente de cd de la base (IB) y se expresa como beta de cd (CD).













Curva caracterstica del colector

Recta de Carga
ESPEJOS DE CORRIENTE
La imagen 9 establece la configuracion que da luga a un espejo de corriente formado por
transistores transistores PNP para el inciso (a) y NPN para inciso (b).
Donde las corrientes se espejean tanto en los colectores de cada transistor siempre son iguales Los
voltajes de colector a emisor en los transistores no son iguales, esto introduce un desnivel de
corriente o un error sistemtico. Esto se resuelve agregando un transistor conectado a un diodo en
serie con el colector.



(

>>1

====>

===> Ic


5.- Materiales para
4 Transistores PNP
5 Transistores NPN
3 Diodos LED
3 Resistencias 10K
1 Resistencias 18.6 K
1 Resistencia de 17.2 K
2 Fuentes de Voltaje DC
El siguiente esquematico1 muestra la configuracion interna de un OPAM el cual nos
servira como referencia para la implementacion




6.- Procedimiento

El anlisis en continua de este amplificador se realiza suponiendo nulas las entradas vi1 y vi2 y
despreciando las corrientes de base. En la polarizacin de las etapas diferenciales se utiliza dos
espejos de corriente, uno basado en transistores NPN (Q3,Q4) y otro en PNP (Q5,Q6), cuya
corriente de referencia se fija a travs de RD. Si se desprecia las corrientes de base de los
transistores se verifica que

7.- Anlisis de resultados


SIMULACION
A continuacin los resultados obtenidos del circuito implementado:

Las resistencias R
D
y R
E
idealmente tienen que ser de 18.6K y 17.2K respectivamente pero en
el circuito implementado las estuvimos variando con un potencimetro por lo cual el valor final de
R
D
y R
E
son de 16.8K y 17.1K


Simulacin
El valor de V
0
en el circuito implementado es:

V
0
= 0.84v

8.- Conclusiones

El desarrollo de este proyecto nos permitio conocer mas afondo el funcionamiento de un OPAM a
nivel componentes dicho analisis no se encuentra disponible en la moyoria de textos ya que el nivel
de complejidad es alto debido a la presencia de varios transistores en la red.
Podemos concluir , que durante las pruebas practicas realizadas los resultados no son muy precisos
en comparacion con los resultados teoricos y simulados a demas de que pudimos darnos cuenta que
al comparar este resultado del amplificador inversor, con practicas anteriormente realizadas durante
el curso, estos resultados solo son proximos, en comparacion si se usara un circuito integrado como
lo es el lm741, esto debido a que aun si se usa una misma matricula de transistor las betas de cada
transistor usado en este proyecto no son iguales.



9.- Referencias
[1] Boylestad, Nashelsky. Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos. EU:
Pearson, 2003.
[2] http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar
[3] Matthew N.O.Sadiku Fundamentos de Circuitos Electricos Charles K. Alexander,
tercera edicion.