DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

Introduccin. Materiales semiconductores

El trmino semiconductor revela por s mismo una idea de sus caractersticas. El prefijo semi
suele aplicarse a un rango de niveles situados a la mitad de dos lmites. El trmino conductor se
aplica a cualquier material que permite un gran flujo de carga, cuando una fuente de voltaje de
magnitud limitada se aplica a travs de sus terminales.
Un aislante o dielctrico es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la
presin de una fuente de voltaje aplicada.
Un semiconductor, es un material que posee un nivel de conductividad que se localiza entre los
extremos de un dielctrico y un conductor.
Inversamente relacionada con la conductividad de un material, se encuentra la resistencia al flujo
de la carga o corriente. Esto es, mientras ms alto es el nivel de conductividad, menor es el nivel
de resistencia.



Entre los semiconductores conocidos, el germanio y el silicio han recibido la atencin que tienen
por varias razones. Una consideracin muy importante es el hecho de que se pueden purificar en
un muy alto grado de pureza. De hecho, los avances recientes han reducido los niveles de
impureza en el material puro a una parte por cada 10 mil millones.
Se preguntar si son necesarios estos niveles de impureza. S, si se considera que la adicin de
una parte de impurezas (del tipo adecuado) por milln, en una oblea de silicio puede cambiar
dicho material de un conductor relativamente pobre a un buen conductor de electricidad. La
habilidad de cambiar las caractersticas del material en forma significativa a travs de este
proceso, se conoce como dopado, qu es otra de las razones por las que el Ge y el Si han
recibido mayor atencin.
Otras razones incluyen el hecho de que sus caractersticas pueden ser alteradas de forma
importante mediante la aplicacin de luz o calor.
Algunas de esas caractersticas son consecuencia de su estructura atmica.
Los tomos de Ge y Si organizan un patrn bien definido que por naturaleza es peridico, esto es,
se repite continuamente; a este patrn se le llama cristal y al arreglo peridico se le llama red.
Ambos materiales presentan una estructura tridimensional. Si dichas estructuras cristalinas son
del mismo tipo se les conoce como estructura mono cristal. Adems, se ha observado que la
estructura de estos materiales no se altera demasiado al aplicrsele impurezas.







En la Figura 1 se muestran los modelos de Bohr para Ge y Si, como se puede observar, en ambos
casos se tienen 4 electrones en la capa exterior (de valencia). El potencial que se requiere
(potencial de ionizacin) para sacar de la estructura a cualquiera de los 4 electrones de valencia
es menor que el que se requiere para sacar cualquier otro electrn de la estructura.

En el caso de un cristal puro de Ge o Si, los 4 electrones de valencia se enlazan con 4 tomos
adyacentes como se muestra en la Figura 2. Tanto el Ge como el Si se denominan tomos
tetravalentes porque cada uno de ellos mantiene 4 electrones de valencia.
A la unin de tomos mediante electrones de valencia compartidos se le llama enlace covalente.
Si bien el enlace covalente es un vnculo fuerte entre los electrones de valencia y su tomo, es
posible que adquieran la suficiente energa cintica de forma natural para poder romper el enlace
y asumir un estado libre. Las causas naturales pueden ser energa luminosa en forma de
fotones o energa trmica proveniente del entorno.
A temperatura ambiente, hay alrededor de 1.5 x 10
10
electrones libres (conocidos como
portadores libres) en un cm
3
de material intrnseco de Si.

Material intrnseco. Es aquel que se ha refinado cuidadosamente con el objetivo de reducir las
impurezas hasta un nivel muy bajo, mediante la actual tecnologa.


Figura 1. Estructura atmica de: a) Ge, b) Si Figura 2. Enlace covalente del Si

Un incremento en la temperatura del semiconductor puede ocasionar un incremento
sustancial del nmero de portadores libres en el material.
Los materiales semiconductores como el Si y el Ge que presentan una reduccin en la
resistencia cuando se incrementa la temperatura se dice que tienen un coeficiente de
temperatura negativo.
En un conductor no se incrementa de forma importante el nmero de portadores libres al
incrementar la temperatura y, por otro lado, su patrn de vibracin con respecto a una posicin
fija dificulta cada vez ms el paso de los electrones. Por lo tanto, un incremento de temperatura
causa el incremento de la resistencia, as que tiene un coeficiente de temperatura positivo.









Niveles de Energa

En la estructura atmica aislada existen niveles discretos de energa (individuales) asociados con
cada electrn que orbita, como se muestra en la Figura 3. De hecho, cada material tiene su propio
conjunto permitido de niveles de energa para los electrones en su estructura atmica.

Mientras ms distante est el electrn del ncleo, mayor ser su estado de energa. Adems,
cualquier electrn que haya abandonado su tomo tiene un estado de energa mayor que
cualquier electrn dentro de la estructura atmica.


Figura 3. Niveles de energa: a) niveles discretos en estructuras atmicas aisladas; b) Bandas de
conduccin y de valencia para un dielctrico, un semiconductor y un conductor

Observe en la Figura 3 que la energa asociada a cada electrn se mide en electrn volts (eV). La
unidad surge de: W = QV eV; la ecuacin anterior se deriva de la ecuacin que define la
diferencia de potencial V = W/Q. Donde Q es la carga asociada con un solo electrn.
Al sustituir la carga del electrn y una diferencia de potencial de 1 volt en la ecuacin anterior, se
tiene como resultado un nivel de energa conocido como electrn volt (eV). Dado que la energa
tambin se expresa en joules y que la carga de un electrn es = 1.6 x 10
-19
C,

W = QV = (1.6 X 10
-19
C) (1V)
1 eV = 1.6 x 10
-19
J

En el cero absoluto (0K), todos los electrones de valencia de un semiconductor permanecen
inmovilizados en la capa externa del tomo que cuente con niveles de energa asociados con la
banda de valencia de la Figura 3. Sin embargo en la temperatura ambiente (300K, 25C) un
gran nmero de electrones de valencia habrn adquirido energa suficiente para abandonar la
banda de valencia, cruzar la banda de energa vaca definida por Eg en la Figura 3, e ingresar a la
banda de conduccin. Para el caso del Si Eg = 1.1 eV, para el Ge Eg = 0.67 eV y para el
Arseniuro de Galio Eg = 1.41 eV. El bajo nivel de Eg para el Ge se debe al alto nmero de
portadores en comparacin con el del Si a temperatura ambiente.











Materiales Extrnsecos tipo n y tipo p

Las caractersticas de los materiales semiconductores pueden alterarse de forma importante
mediante la adicin de ciertos tomos, llamados de impureza, al semiconductor prcticamente
puro. Aunque estas impurezas se aaden en proporcin de una parte por cada 10
7
por cm
3
,
pueden alterar la estructura de las bandas de energa lo suficiente para modificar las propiedades
elctricas del material por completo.

Material extrnseco. Es aquel semiconductor al que se le realiza un proceso de aplicacin de
impurezas (dopado).
Hay dos tipos de materiales extrnsecos, el tipo n y el tipo p.

Material tipo n

El material tipo n se forma mediante la adicin de un nmero predeterminado de tomos de
impureza que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio, arsnico
o fsforo. En la Figura 4 se muestra el efecto de estos elementos de impureza sobre una base de
Si.



Figura 4. Impureza de Antimonio (Sb) que convierte al Si en un material tipo n

Observe que permanecen presentes los 4 enlaces covalentes; sin embargo, hay un quinto electrn
adicional que proviene del tomo de impureza, el cual no intervienen en ningn enlace covalente.
Este electrn sobrante, que tiene un enlace dbil con su tomo (Sb), est relativamente libre
para moverse dentro del material semiconductor.

Las impurezas, difundidas en un semiconductor, que cuentan con cinco electrones de valencia
se conocen como tomos donadores.

Es muy importante notar que aunque se ha establecido un gran nmero de portadores libres en
el semiconductor, ste permanece con carga elctrica neutra; ya que el nmero de protones y de
electrones en la estructura, es el mismo.










Material tipo p

El material tipo p se forma mediante la adicin de un nmero predeterminado de tomos de
impureza que poseen tres electrones de valencia (trivalentes), como el boro, galio o indio. En la
Figura 5 se muestra el efecto de estos elementos de impureza sobre una base de Si.



Figura 5. Impureza de Boro (B) que convierte al Si en un material tipo p

Observe que esta impureza aporta un nmero insuficiente de electrones para completar los
enlaces covalentes de la red. A la vacante en la red se le llama hueco. Dado que la vacante
aceptar fcilmente un electrn libre:

Las impurezas, difundidas en un semiconductor, que cuentan con tres electrones de valencia
se conocen como tomos aceptores.

Al igual que el material tipo n, el material tipo p tambin es elctricamente neutro.

Flujo de electrones contra flujo de huecos

Si un electrn de valencia adquiere suficiente energa cintica para romper su enlace covalente y
llena el vaco creado por un hueco, entonces, se crea un hueco en el enlace covalente que liber al
electrn. Por lo tanto, existir una transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones a la
derecha, como se ve en la Figura 6.



Figura 6. Flujo de electrones contra flujo de huecos






Portadores mayoritarios y portadores minoritarios

En un material intrnseco el nmero de electrones libres, en Ge o Si, nicamente se debe a los
pocos electrones en la banda de valencia que adquirieron energa de fuentes trmicas o luminosas
para romper el enlace covalente, o a las escasas impurezas que no se pudieron eliminar. Las
vacantes que quedan en la estructura de enlace covalente representan el limitado suministro de
huecos.
En un material tipo n, el nmero de huecos no cambia de forma importante. Por lo tanto, el
resultado total es que el nmero de electrones excede por mucho el nmero de huecos.

En un material tipo n, el electrn es el portador mayoritario y el hueco el portador minoritario.

En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrn el portador minoritario.
En un material tipo n, se inyectan tomos que tienen cinco electrones en su rbita ms externa, al
liberarse el quinto electrn por alguna causa, el tomo de impureza queda con una carga neta
positiva (se indica con un circulo con signo + interno) y se le conoce como in donador. En un
material tipo p, se inyectan tomos con tres electrones en su rbita ms externa, si por alguna
razn los tomos de impureza ganan un electrn, se les llama iones aceptores (se muestran como
crculos con un signo menos interno).



Figura 7. Material: a) tipo n, b) tipo p