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Prdidas en un MOSFET en conmutacin

Se trata de explicar como se calculan las prdidas totales de un transistor
operando en conmutacin, y el disipador que necesita.
Usemos para el ejemplo el simple circuito siguiente:

Circuito 1

Las ecuaciones de la corriente eficaz de una onda son:

Donde D se denomina ciclo de
trabajo (duty cycle).






Prdidas en conduccin

Se obtienen elevando al cuadrado la corriente eficaz, y multiplicando por Rds(on)

Pc= Io
2
* D *Rds(on) (frmula 1)

Donde Io es el techo del pulso de corriente, Rds(on) la resistencia drenador-surtidor del
transistor en conduccin, y D el ciclo de trabajo.

La Rds(on) debe ser la que corresponde a la corriente y temperatura de trabajo, que se obtiene
multiplicando la Rds(on) calculada para la corriente de trabajo con la curva del transistor
Typical Output Characteristics (Fig.2), (corresponde a 175C de juntura), y multiplicndola por
la relacin entre los coeficientes obtenidos en la curva Normalized On-Resistance Vs.
Temperature (Fig.4) para 175C y la temperatura de juntura a la que queremos que opere el
transistor.

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Prdidas de conmutacin

Las prdidas de conmutacin ms significativas son:

Psw= 0,5*Vin*Io*fsw* (tr+tf) (frmula 2)

Donde Vs es la tensin de entrada, Io el techo de la corriente de salida, fsw la frecuencia de
conmutacin, tr y tf los tiempos de conmutacin de subida y bajada (entrada y salida de
conduccin), respectivamente (trise y tfall) del transistor.


Curvas tpicas a utilizar:

Las curvas corresponden a un IRF540.




















Ejemplo de clculo:

Calcular las prdidas totales para un transistor IRF540 operando a una tensin de 30Vcc, una
Io=20A, a una frecuencia de 40KHz con un pulso activo de 15Seg., con una tensin de gate
de 10V, con una temperatura de juntura de 100C, y para una temperatura mxima en el
ambiente prximo de 40C, ver esquemtico Circuito1.

En la fig 2, para Id=20A a Vgs=10V, la cada de tensin drenador- surtidor es Vds=2V, a 175C
de juntura.

La Rds(on) para esa corriente y temperatura es
Rds(on)=2V/20A=0,1

La resistencia normalizada en la fig. 4 es, para 175C de juntura 2,8, y para 100C 1,8

La resistencia a 100C de juntura sera Rds(on)=(1,8/2,8)*0,1=0,064

El ciclo de trabajo para el ejemplo es D=t/T =t*f= 15Seg*40KHz= 0,6
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Las prdidas en conduccin seran segn la frmula 1.

Pc= 20A
2
*0,6*0,064=15,36W


De la hoja de datos del mismo transistor




Las prdidas de conmutacin seran segn la frmula 2.

Psw= 0,5*30V*20A*40KHz*(35nS+35nS)=0,84W



Las prdidas totales

Pt=Pc+Psw= 15,36W+0,84W=16,2W


El disipador:

Con el valor de la potencia total, nos falta calcular el disipador necesario para cumplir con la
condicin de que la juntura no supere los 100C.

La resistencia de la juntura al ambiente es la sumatoria de la resistencia trmica de la juntura a
la cpsula, de sta a la base del disipador, y de ste al ambiente (usando la notacin sink para
el disipador, para que coincida con las hojas de datos).

Rj-a= Rj-c+Rc-s+Rs-a

De esta ecuacin, debemos calcular la Rsa que es la resistencia trmica del disipador.

Para 16,2W disipados, 40C ambiente y 100C de juntura, la
Rja= t/Pt= (100C-40C)/16,2W = 3,7C/W

Despejamos Rsa= Rja - (Rjc+Rcs)

Obtenemos los datos de resistencias trmicas de la hoja del transistor, vlidos para un montaje
directo sobre la superficie del disipador, con grasa siliconada.



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Entonces:

Rsa= 3,7C/W - (1,15+0,5) C/W= 2C/W

Necesitamos un disipador de 2C/W




Causas de errores:

Este tipo de clculos siempre son aproximados, debindose en un diseo evaluar los
resultados haciendo mediciones en el prototipo.
Las causas de error se deben a que las curvas no se definen exactamente a las condiciones en
que nuestros circuitos operan.

Un ejemplo es la definicin de tr y tf, si bien las condiciones en que se definen tr y tf no son
exactamente las de nuestro ejemplo, las prdidas de conmutacin son poco significativas
respecto a las de conduccin, por lo que la diferencia que pudiera haber en los tiempos de
conmutacin respecto de nuestro circuito no afectaran demasiado el resultado en este caso.
No hay en la hoja de datos informacin de tr y tf para otras condiciones, para un clculo mas
exacto deberamos medir los tiempos en el circuito real.

Otro ejemplo es la curva Normalized On-Resistance Vs. Temperature (Fig.4), que est trazada
para una corriente Id de 33A (nuestro ejemplo opera a 20A).

Adems, hay que tener en cuenta que la informacin de la hoja de datos se suministra para un
semiconductor genrico, habiendo en realidad muestras que se apartan un poco de los valores
consignados en la misma.

Asegrense de conseguir para los clculos la hoja de datos de los semiconductores de la
marca que vayan a utilizar.





Jos A. Torello
Saxum S.A.- Desarrollos