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LABORATORIO N1
ELECTRONIA II
POLARIZACION DEL TRANSISTOR BJT


Cristian David Gonzales Beltrn, Vctor Manuel Medina Ramrez, Jeimy Nio, Jony Rodrguez
e-mail: crisdavid_@hotmail.com, e-mail:victormedi@live.com, , e-mail: jonnyzsx@hotmail.com





1 OBJETIVOS

OBJETIVO GENERAL:

Identificar las caractersticas generales del
funcionamiento y polarizacin adecuada del transistor
BJT con doble fuente y con fuente negativa.

OBJETIVOS PARTICULARES:

- A partir de las formulas generales, calcular las
resistencias paralelas y las resistencias en
emisor y colector del transistor.
- Calcular el voltaje y la corriente que pasa en
cada una de las resistencias calculadas.
- Identificar la diferencia entre el funcionamiento
ideal simulado, el valor calculado y el valor
medido en el circuito.
2 MARCO TERICO

TRANSISTOR BIPOLAR
Los transistores bipolares son de tipo NPN o PNP, ya
que estn formados por dos semiconductores
contaminados con impurezas de diferente polaridad. El
transistor bipolar est formado por una unin PN y por
otra NP, caracterstica que hace que un semiconductor
de determinado tipo se encuentre entre dos de tipo
opuesto al primero, como se muestra en la figura 1. Lo
que se obtiene con esta configuracin es una seccin
que proporciona cargas (de huecos o de electrones) que
son captadas por otra seccin a travs de la seccin
media. El electrodo que proporciona las cargas es
el emisor y el que las recoge es el colector. La base es
la parte de en medio y forma las dos uniones, una con el
colector y otra con el emisor. Adems, la base controla
la corriente en el colector. Este tipo de transistores
recibe el nombre de transistores de unin.
Figura 1. Smbolos y diagramas de polarizacin para
transistores de unin.


a-) PNP. b-) NPN.

- EMISOR.
La unin base-emisor se polariza en forma directa. Los
valores del voltaje de polarizacin ms comunes son 0.3
v para el Ge y 0.7 v para el S. El emisor P del transistor
PNP de la figura 1a inyecta huecos a su unin con la
base. La direccin de la corriente de huecos en el
emisor est sealada por la flecha que aparece en su
smbolo. Cuando la flecha apunta hacia la base, la unin
entre el emisor y ella es del tipo PN.
En el transistor de la figura 1b, el emisor inyecta
electrones en la base. Por consiguiente, para un emisor
de tipo N el smbolo es una flecha que seala en
direccin contraria a la base y opuesta al flujo de
electrones. En los smbolos para transistores, el emisor
es el nico que tiene una flecha. Cuando sta apunta
hacia la base, el transistor es PNP; en caso contrario, el
transistor es NPN. En la prctica, todos los transistores
pequeos utilizados en amplificadores de audio y RF son
de tipo NPN, fabricados con silicio y con voltajes de
polarizacin directa entre la base y el emisor de 0.6 v.

- COLECTOR.
La funcin de este electrodo es remover las cargas de
su unin con la base. En la figura 1a, el transistor PNP
tiene un transistor P que recibe huecos. En el transistor
NPN de la figura 1b, el colector N recibe electrones.
La unin base-colector siempre tiene un voltaje con
polarizacin inversa. Los valores ms frecuentes de este




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voltaje varan de 4 a 100 v. La polarizacin inversa
impide el flujo de portadores mayoritarios del colector
hacia la base. Sin embargo, en la direccin opuesta, de
la base hacia el colector, el voltaje en este ltimo atrae
las cargas en la base que proporciona el emisor.

- BASE.
La base separa el colector del emisor. La unin base-
emisor tiene polarizacin directa y, por tanto, la
resistencia del circuito del emisor es muy baja. La unin
base-colector tiene polarizacin inversa y, por
consiguiente, la resistencia del circuito del colector es
muy grande.

- CORRIENTE DE COLECTOR.
El requisito final para que el transistor funcione es que el
circuito base-emisor controle la corriente del colector. El
emisor tiene una contaminacin considerable de
impurezas con el fin de proporcionar portadores
mayoritarios. Sin embargo, la base tiene una cantidad
pequea de impurezas y es muy delgada, lo cual
permite que las cargas puedan moverse hacia la unin
con el colector. El voltaje en el colector es relativamente
grande. Como consecuencia de estos factores,
prcticamente todas las cargas inyectadas a la base por
el emisor circulan por el circuito del colector.
Es comn que entre un 98% y 99% de las cargas
inyectadas por el emisor formen la corriente del colector
Ic. El restante 1% y 2% pasa a formar la corriente de
base Ib.
Por ejemplo, considrense las corrientes en un transistor
NPN. El emisor N inyecta electrones en la base P. En
ella, los electrones son portadores minoritarios.
Como consecuencia de las escasas impurezas
contenidas en la base, muy pocos electrones pueden
recombinarse con los huecos de la base. Cualquier
nueva combinacin de cargas en la base genera una
corriente de retorno Ib muy pequea, que circula de la
base hacia el emisor.
En la unin base-emisor existe una concentracin muy
alta de electrones libres gracias a la polarizacin directa.
Como resultado de lo anterior, casi todos los electrones
fluyen a lo largo de la base hacia la unin con el
colector.
El voltaje de polarizacin inversa del colector N es
positivo. Este voltaje positivo del colector atrae las
cargas libres, que son los electrones que se mueven de
la base. Debido a lo anterior, los electrones que salen
de la unin base-emisor avanzan hacia el colector,
donde dan origen a la corriente Ic que circula por el
circuito del colector. En un transistor PNP, la polaridad
de todos los voltajes e invierte y la corriente Ic que
circula por el electrodo colector est formada por
huecos.



Figura 2. Corrientes Ie, Ib e Ic en los electrodos de un
transistor NPN


Las flechas punteadas indican la direccin del flujo de
electrones de corriente I del circuito externo.

- CORRIENTE EN LOS ELECTRODOS.
El emisor de la figura 2 proporciona una corriente Ie de
10 mA. De sta corriente, se inyectan 9.8 mA en el
circuito del colector. Esta corriente es Ic. Solo 0.2 mA, o
sea 200 micro A, regresan de la base al emisor. Esta
corriente es Ib. As:
Ie = Ic + Ib

Ntese que Ie en la figura 2 est marcada como
negativa con el nico fin de indicar que su direccin es
opuesta a la de Ic e Ib. Es una prctica general
considerar la corriente de huecos que ingresa en un
semiconductor como la direccin positiva de I. Dado que
Ie es un flujo de electrones que ingresa al transistor, la
direccin de esta corriente I es negativa.
Algebraicamente, los valores son:
-10 mA + 9.8 mA + 0.2 mA = 0

En trminos prcticos, la frmula establece que la suma
de las corrientes de la base y el colector es igual a la
corriente del emisor, la cual se considera como la fuente
de corriente.
En transistores de potencia, los valores de Ie e Ic
generalmente son del orden de amperes. En transistores
ms pequeos, estas corrientes son del orden de
miliamperios, mientras que la de la base Ib tiene un
intervalo de micro amperes. En todos los casos, Ic e Ib
regresan al emisor a travs del circuito externo, que es
la fuente de las cargas.

- LA CORRIENTE DE BASE CONTROLA LA DE
COLECTOR.
Cuando Ib aumenta al incrementarse el voltaje de
polarizacin directa, las cargas mayoritarias que estn
en la base se inyectan en el colector. Por consiguiente,
el aumento de Ib incrementa Ic.
La corriente en el colector Ic disminuye cuando lo hace
Ib, lo cual ocurre cuando el voltaje de polarizacin
directa tambin disminuye.
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que
conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de
identificacin de los terminales. Tambin tendremos que
conocer una serie de valores mximos de tensiones,
corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para
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no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia
disipada por el transistor es especialmente crtico con la
temperatura, de modo que esta potencia disminuye a
medida que crece el valor de la temperatura, siendo a
veces es necesario la instalacin de un radiador o aleta
refrigeradora. Todos estos valores crticos los
proporcionan los fabricantes en las hojas de
caractersticas de los distintos dispositivos.
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es
mediante un polmetro: Este dispone de dos orificios
para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para
el PNP. Para obtener la medida de la ganancia es
necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que
queda determinado si es un NPN o un PNP.



Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:

1. ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica
en esta zona, y se comporta como una fuente
de corriente constante controlada por la
intensidad de base (ganancia de corriente).
Este parmetro lo suele proporcionar el
fabricante dndonos un mximo y un mnimo
para una corriente de colector dada (Ic);
adems de esto, suele presentar una variacin
acusada con la temperatura y con la corriente
de colector, por lo que en principio no
podemos conocer su valor. Algunos
polmetros son capaces de medir este
parmetro pero esta medida hay que tomarla
solamente como una indicacin, ya que el
polmetro mide este parmetro para un valor de
corriente de colector distinta a la que circular
por el BJT una vez en el circuito.

2. SATURACIN: En esta zona el transistor es
utilizado para aplicaciones de conmutacin
(potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos
considerar como un cortocircuito entre el
colector y el emisor.

3. CORTE: el transistor es utilizado para
aplicaciones de conmutacin (potencia,
circuitos digitales, etc.), y podemos considerar
las corrientes que lo atraviesan prcticamente
nulas (y en especial Ic).

4. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede
considerar como carente de inters.



El transistor PNP es complemento del NPN de forma
que todos los voltajes y corrientes son opuestos a los del
transistor NPN.
Para encontrar el circuito PNP complementario:
1. Se sustituye el transistor NPN por un PNP.
2. Se invierten todos los voltajes y corrientes.




Polarizacin del transistor.

El transistor sin polarizar se puede considerarse como
dos diodos contrapuestos, con una barrera de potencial
de 0,7 V para cada diodo. Si se polariza ambos diodos
directa o inversamente, se comportarn permitiendo o no
el paso de la corriente como se sabe. El efecto de
amplificacin en el transistor se crea al polarizar
directamente la unin base-emisor e inversamente la
unin colector-base.




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3 DIAGRAMA ELECTRICO



4 CALCULOS







5 TABLA DE RESULTADOS


DATOS CALCULADOS NC
DATOS OBTENIDOS
EN LABORATORIO NL
DATOS OBTENIDOS
EN SIMULACION NS
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6 REGISTRO FOTOGRAFICO



7 OBSERVACIONES

En el laboratorio, a comparacin con los clculos y la
simulacin obtenida por el programa multisim podemos
denotar la diferencia que hubo la toma entre estas
muestras debido, a que las resistencias puestas en el
circuito a trabajar tuvieron una aproximacin a la
calculada ya que el valor de la resistencia no es muy
comercial, y vimos como afecto el voltaje y la corriente
en algunos puntos del circuito.
La corriente que debamos obtener en la resistencia
colector era de 10 m A pero se tuvo una corriente de
11.4 m A estuvo 1.4 m A por el valor que se deba tener
en el circuito y al igual ocurri en el voltaje colector
emisor y en el voltaje thevenin donde las mediciones
obtenidas no eran las esperadas.

8 CONCLUCIONES

Identificamos cada uno de las caractersticas
generales de funcionamiento del transistor y los
diferentes modos de cmo podemos encontrar el
punto Q y la mejor eficiencia de un transistor, adems
aprendimos como polarizar un transistor dependiendo
a cada uno de los parmetros que se pidan para el
desarrollo del ejercicio o el laboratorio.

9 REFERENCIAS
www.itescam.edu.mx/principal/sylabus/fp
db/recursos
www.viasatelital.com/proyectos_electroni
cos/polarizacion_transistor.htm
www.slideshare.net/Jhomgomez/transist
or-bjt
www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_b
asica/tema8
www.icmm.csic.es/fis/gente/.../6%20Tran
sistores

10 ANEXOS


SIMULACION EN MULTISIM

Medicin de corriente en colector y voltaje thevenin

NE DATO NL DATO NS DATO
IC 10mA IC 11.4mA IC 9.41mA
IB 42,01A IB 48,01A IB 47,51A
VCC 15v VCC 15v VCC 15v
VCE 7.5v VCE 6.2v VCE 7.93
VRE 1,5v VRE 1.7v VRE 1.42v
VRC 6v VRC 7.1v VRC 5.65v
VTH 2,2v VTH 2.6v VTH 2.093v
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Medicin voltaje colector emisor

Medicin de voltaje en la resistencia colector

Medicin de voltaje en la resistencia emisor



Medicin de corriente en la base del transistor