Universidad Nacional del Callao

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Escuela Profesional de Ingeniera Electrnica

TRANSISTORES
BIPOLARES

Alumnos:
Barzola Camarena Renzo J. 1113210175
Vargas ventura, Einsten 1113220494

Asignatura:
Laboratorio de dispositivos electrnicos.

2013 V






TRANSISTORES BIPOLARES
OBJETIVOS:
Reconocer las caractersticas de los transistores bipolares.
Polarizar las medidas aplicando los transistores bipolares.
Relacionar los valores tericos con los prcticos.
Introduccin:
Sera imposible entender la evolucin de la electrnica digital en general, y de
la informtica en particular sin una buena comprensin de lo que es, y lo que
ha aportado el transistor a estas ciencias. El transistor vino a reemplazar a un
dispositivo denominado tubo de vaco (los tubos de vaco an se emplean en
electrnica de potencia, cuando son necesarias elevadsimas ganancias, por
ejemplo en amplificadores para trasmisin va satlite) con las siguientes
ventajas:
Su consumo de corriente es mucho menor con lo que tambin es menor
su produccin de calor.
Su tamao es tambin mucho menor. Un transistor puede tener el
tamao de una lenteja mientras que un tubo de vaco tiene un tamao
mayor que el de un cartucho de escopeta de caza. Esto permite una
drstica reduccin de tamao.
Mientras que las tensiones de alimentacin de los tubos estaban
alrededor de los 300 voltios las de los transistores vienen a ser de 10
voltios con lo que los dems elementos de circuito tambin pueden ser
de menor tamao al tener que disipar mucho menos calor y soportar
tensiones mucho menores.
El transistor es un elemento constituido fundamentalmente por silicio o
germanio. Su vida media es prcticamente ilimitada y en cualquier caso
muy superior a la del tubo de vaco.

Como podemos ver el simple hecho de pasar del tubo de vaco al transistor
supone un gran paso en cuanto a reduccin de tamao y consumo y aumento
de fiabilidad.
Es necesario destacar que el desarrollo del transistor se apoya en mltiples
disciplinas cientficas que abarcan la qumica, la fsica y la ingeniera de
materiales entre otras.
El Transistor Bipolar
Fundamento Terico
Un transistor bipolar est formado por dos uniones pn en contraposicin.
Fsicamente, el transistor est constituido por tres regiones semiconductoras
denominadas emisor, base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares,
los denominados NPN y PNP:

Transistores Bipolares npn y pnp.
A partir de este punto nos centramos en el estudio de los transistores bipolares
NPN, siendo el comportamiento de los transistores PNP totalmente anlogo.
El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora ms fuertemente
dopada con donadores de electrones, siendo su ancho intermedio entre el de la
base y el colector. Su funcin es la de emitir electrones a la base. La base es la
zona ms estrecha y se encuentra dbilmente dopada con aceptores de
electrones. El colector es la zona ms ancha, y se encuentra dopado con
donadores de electrones en cantidad intermedia entre el emisor y la base.
Condiciones de funcionamiento
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan
cuando el diodo B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se
encuentra polarizado en inversa. En esta situacin gran parte de los electrones
que fluyen del emisor a la base consiguen atravesar sta, debido a su poco
grosor y dbil dopado, y llegar al colector.
El transistor posee tres zonas de funcionamiento:
1. Zona de saturacin: El diodo colector est polarizado directamente y es
transistor se comporta como una pequea resistencia. En esta zona un
aumento adicionar de la corriente de base no provoca un aumento de la
corriente de colector, sta depende exclusivamente de la tensin entre
emisor y colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector
a un interruptor cerrado.
2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una
fuente de corriente, determinada por la corriente de base. A pequeos
aumentos de la corriente de base corresponden grandes aumentos de la
corriente de colector, de forma casi independiente de la tensin entre
emisor y colector. Para trabajar en esta zona el diodo B-E ha de estar
polarizado en directa, mientras que el diodo B-C, ha de estar polarizado
en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es
equivalente a mantener el circuito base emisor abierto, en estas
circunstancias la corriente de colector es prcticamente nula y por ello
se puede considerar el transistor en su circuito C-E como un interruptor
abierto.

Los transistores se usan en su zona activa cuando se emplean como
amplificadores de seales. Las zonas de corte y saturacin son tiles en
circuitos digitales.

a) Circuito implementado :
















Tabla con las medidas del circuito

V
BB
(v) V
1(vol)
I
1uA
V
2(vol)
I
2mA

0.7 9.94v 0.22 0.06v 0.06
0.8 9.88v 0.40 0.12v 0.12
0.9 9.83v 0.59 0.17v 0.17
1 9.77v 0.79 0.23v 0.23
1.2 9.65v 1.19 0.35v 0.35
1.4 9.53v 1.60 0.47v 0.47
1.6 9.42v 2.01 0.58v 0.58
1.8 9.30v 2.42 0.70v 0.70
2 9.18v 2.84 0.82v 0.82
2.2 9.06v 3.26 0.94v 0.94
2.3 9.01v 3.47 0.99v 0.99
2.4 8.95v 3.68 1.05v 1.05
2.5 8.89v 3.89 1.11v 1.11


b) Circuito implementado:



Tabla de valores del circuito:

V
BB
(v) I
1mA
I
2mA
I
3uA
V
1(vol)
V
2(vol)
V
3(vol)
V
4(vol)
0.7 0.08 0.08 0.28 10.9 1.09 0.15 0.09
0.8 0.15 0.15 0.49 10.9 1.09 0.27 0.18
0.9 0.22 0.23 0.74 10.9 1.09 0.4 0.27
1 0.30 0.30 1 10.9 1.09 0.54 0.36
1.2 0.46 0.46 1.54 10.9 1.09 0.82 0.55
1.4 0.62 0.62 2.10 10.9 1.09 1.1 0.74
1.6 0.78 0.78 2.67 10.9 1.09 1.40 0.94
1.8 0.94 0.94 3.27 10.9 1.09 1.69 1.13
2 1.10 1.11 3.87 10.9 1.09 1.98 1.33
2.2 1.27 1.27 4.50 10.9 1.09 2.28 1.52
2.3 1.35 1.35 4.82 10.9 1.09 2.72 1.62
2.4 1.43 1.43 5.14 10.9 1.09 2.57 1.72
2.5 1.51 1.52 5.46 10.9 1.09 2.72 1.82