TRANSISTORES

1.1 TRANSISTORES BJT

Caractersticas de los Transistores:
El consumo de energa es relativamente baja.
El tamao de los transistores es relativamente mas pequea que los tubos de vaco.
El peso.
Una vida larga til (muchas horas de servicio).
Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento).
No necesita tiempo de calentamiento.
esistencia mec!nica elevada.
"os transistores pueden reproducir el #en$meno de la #otosensibilidad (#en$menos
sensibles a la lu%).
Construccin de Transistores
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de
material tipo n & una capa tipo p' o bien' de dos capas de material tipo p & una tipo n. al
primero se le llama transistor npn' en tanto que al segundo transistor pnp.
Para la polari%aci$n las terminales que se muestran en la #igura (.)( las terminales se
indican mediante las literales E para el emisor' * para el colector & + para la base. ,e
desarrollar! una apreciaci$n de la elecci$n de esta notaci$n cuando se analice la operaci$n
b!sica del transistor. "a abreviatura +-.' de transistor bipolar de uni$n (del ingles' +ipolar
-unction .ransistor)' suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El t/rmino bipolar
re#leja el hecho de que los huecos & los electrones participan en el proceso de in&ecci$n
hacia el material polari%ado de #orma opuesta. ,i s$lo se utili%a un portador (electr$n o
hueco)' entonces se considera un dispositivo unipolar.
a) b)
1
0igura (.)(. .ipos de transistores1 a) pnp2 b) npn.

Operacin del Transistores
,e describir! la operaci$n b!sica del transistor utili%ando el transistor pnp de la #igura
(.)(a. la operaci$n del transistor npn es e3actamente la misma que si intercambiaran la
#unciones que cumplen el electr$n & el hueco. En la #igura (.)4 se dibujo de nuevo el
transistor pnp sin la polari%aci$n base 5 colector. El espesor de la regi$n de agotamiento se
redujo debido a al polari%aci$n aplicada' lo que da por resultado un #lujo mu& considerable
de portadores ma&oritarios desde el material tipo p hacia el tipo n.
0igura (.)4. Uni$n con polari%aci$n directa de un transistor pnp.


6hora se eliminar! la polari%aci$n base 5 colector del transistor pnp de la #igura (.)(a'
segn se muestra en la #igura (.)7. En resumen1
Una uni$n p5n de un transistor tiene polari%aci$n inversa' mientras que la otra tiene
polari%aci$n inversa.
ambos potenciales de polari%aci$n se aplicaron a un transistor pnp' con el #lujo resultante
indicado de portadores ma&oritarios & minoritarios. "os espesores de las regiones de
agotamiento' que indican con claridad cu!l uni$n tiene polari%aci$n directa & cu!l
polari%aci$n inversa. 8abr! una gran di#usi$n de portadores ma&oritarios a trav/s de la
uni$n p5n con polari%aci$n directa hacia el material tipo n. 6s' la pregunta sera si acaso
estos portadores contribuir!n de #orma directa a la corriente de base 9+ o si pasar!n
directamente al material tipo p. :ebido a que material tipo n del centro es mu& delgado &
tiene baja conductividad' un nmero mu& pequeo de estos portadores tomar! esta
tra&ectoria de alta resistencia hacia la terminal de la base.
"a magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los
microamperes' comparando con miliamperes para las corrientes del emisor & del colector.
"a ma&or cantidad de estos portadores ma&oritarios se di#undir! a trav/s de la uni$n con
polari%aci$n inversa' hacia el material tipo p conectado a la terminal del colector. "a ra%$n
2
de esta relativa #acilidad con la cual los portadores ma&oritarios pueden atravesar la uni$n
con polari%aci$n inversa se comprender! con #acilidad si se considera que para el diodo
con polari%aci$n inversa' los portadores ma&oritarios in&ectados aparecer!n como
portadores con polari%aci$n inversa' los portadores ma&oritarios in&ectados aparecer!n
como portadores minoritarios en el material tipo n.
En otras palabras' tuvo lugar una in&ecci$n de portadores minoritarios al material de la
regi$n de la base tipo n. 6 la combinaci$n de esto con el hecho de que todos los portadores
minoritarios en la regi$n de agotamiento atravesar! la uni$n con polari%aci$n inversa de un
diodo puede atribursele el #lujo.
0igura (.)7. Uni$n con polari%aci$n inversa de un transistor pnp.


Confiuracin de Base Co!"n
Para la con#iguraci$n de base comn con transistores pnp & npn. "a terminologa de la base
comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la salida de la
con#iguraci$n. 6 su ve%' por lo regular la base es la terminal m!s cercana a' o que se
encuentra en' el potencial de tierra. 6 lo largo de este libro todas las direcciones de
corriente har!n re#erencia al #lujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al
#lujo de electrones. Para el transistor la #lecha en el smbolo gr!#ico de#ine la direcci$n de
la corriente del emisor (#lujo convencional) a trav/s del dispositivo.
Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales' como
los ampli#icadores de base comn se requiere de dos conjuntos de caractersticas' uno para
el punto de e3citaci$n o par!metros de entrada & el otro para el lado de la salida. El
conjunto de entrada para el ampli#icador de base comn relacionar! la corriente de entrada
(9E). el conjunto de caractersticas de la salida o colector tiene tres regiones b!sicas de
inter/s1 la regiones activa' de corte & de saturaci$n. "a regi$n activa es la que suele
utili%arse para los ampli#icadores lineales (sin distorsi$n). En particular1
En la regi$n activa la uni$n base 5 colector se polari%a inversamente' mientras que la uni$n
emisor 5 base se polari%a directamente.
3
"a regi$n activa se de#ine mediante los arreglos de polari%aci$n de la #igura (.);. En el
e3tremo m!s bajo de la regi$n activa' la corriente del emisor (9E) es cero2 esa es la
verdadera corriente del colector' & se debe a la corriente de saturaci$n inversa 9*<' como lo
seala la #igura (.)=.
"a corriente 9*< real es tan pequea (microamperes) en magnitud si se compara con la
escala vertical de 9* > ?. "as condiciones del circuito que e3isten cuando 9E > ? para la
con#iguraci$n de base comn se muestra en la #igura (.)@. "a notaci$n que con m!s
#recuencia se utili%a para 9*< en los datos & las hojas de especi#icaciones es' como se
indica en la #igura (.)@' 9*+<.
:ebido a las mejoras en las t/cnicas de #abricaci$n' el nivel de 9*+< para los transistores
de prop$sito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja & mediana'
por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su e#ecto. ,in embargo' para las unidades de
ma&or potencia 9*+<' as como 9s' para el diodo (ambas corrientes de #uga inversas) son
sensibles a la temperatura. 6 ma&ores temperaturas' el e#ecto de 9*+< puede convertirse
en un #actor importante debido a que aumenta mu& r!pidamente con la temperatura.
En la regi$n de corte' tanto la uni$n base 5 colector como la uni$n emisor 5 base de un
transistor tienen polari%aci$n inversa.
En la regi$n de saturaci$n' tanto la uni$n como la emisor 5 base est!n en polari%aci$n
directa.
a) b)
0igura (.);. ,mbolos utili%ados con la con#iguraci$n comn1 a) transistor pnp2 b)
transistor npn.
4
0igura (.)=. *aractersticas de salida o colector para un ampli#icador a transistor de base
comn.

0igura (.)@. *orriente de saturaci$n inversa.


Confiuracin de E!isor Co!"n
"a con#iguraci$n de transistor que se encuentra m!s a menudo aparece en la #igura (.A?
para los transistores pnp & npn. ,e le denomina con#iguraci$n de emisor comn debido a
que el emisor es comn o hace re#erencia a las terminales tanto de entrada como de salida
(en este caso' es comn tanto a la terminal de base como a la de colector). Una ve% m!s' se
necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir por completo el comportamiento
de la con#iguraci$n de emisor comn1 uno para el circuito de entrada o base5emisor & otro
para el circuito de salida o colector5emisor.
En la regi$n activa de un ampli#icador de base comn la uni$n del colector5base se
encuentra polari%ada inversamente' mientras que la uni$n base5emisor se encuentra
polari%ada directamente.
5
Para prop$sitos de ampli#icaci$n lineal (la menor distorsi$n)' el corte para la con#iguraci$n
de emisor comn se de#inir! mediante 9* > 9*E<.

a) b)
0igura (.A?. smbolos utili%ados con la con#iguraci$n de emisor comn1 a) transistor npn2
b) transistor pnp.

*on#iguraci$n de *olector *omn
"a con#iguraci$n de colector comn se utili%a sobre todo para prop$sitos de acoplamiento
de impedancia' debido a que tiene una alta impedancia de entrada & una baja impedancia de
salida' contrariamente a alas de las con#iguraciones de base comn & de un emisor comn.
"a #igura (.A) muestra una con#iguraci$n de circuito de colector comn con la resistencia
de carga conectada del emisor a la tierra. <bs/rvese que el colector se encuentra conectado
a la tierra aunque el transistor est/ conectado de manera similar a la con#iguraci$n del
emisor comn. :esde un punto de vista de diseo' no se requiere de un conjunto de
caractersticas de colector comn para elegir los par!metros del circuito de la #igura (.A).
puede disearse utili%ando las caractersticas de salida para la con#iguraci$n de colector
comn son la mismas que para la con#iguraci$n de emisor comn.

6
0igura (.A). *on#iguraci$n de colector comn utili%ado para prop$sitos de acoplamiento de
impedancia.

#.$ BJT CO%O CON%&TA'OR
6plicar los transistores no se limita nicamente a la ampli#icaci$n de seales. 6 trav/s de
un diseo adecuado pueden utili%arse como un interruptor para computadora & para
aplicaciones de control. Puede emplearse como un inversor en los circuitos l$gicos de las
computadoras.
<bserve la #igura (.A( donde el voltaje de salida Bc es opuesto al que se aplic$ sobre la
base o a la terminal de entrada. .ambi/n obs/rvese la ausencia de una #uente de dc
conectada al circuito de la base. "a nica #uente de dc est! conectada al colector o lado de
la salida' & para las aplicaciones de computadoras normalmente es igual a la magnitud del
nivel CaltoC de la seal aplicada' en este caso 4 B.
7
0igura (.A(. .ransistor inversor.
El diseo ideal para el proceso de inversi$n requiere que el punto de operaci$n conmute de
corte a la saturaci$n' pero a lo largo de la recta de carga descrita en la #igura (.4A. para
estos prop$sitos se asumir! que 9c > 9ceo > ? m6 cuando 9+ > ? D6 (una e3celente
apro3imaci$n de acuerdo con las mejoras de las t/cnicas de #abricaci$n).
*uando Bi > 4 B' el transistor se encontrar! CencendidoC & el diseo debe asegurar que la
red est! saturada totalmente por un nivel de 9+ ma&or asociado con la curva 9+' que
aparece cerca del nivel de saturaci$n. El nivel de saturaci$n para la corriente del colector &
para el circuito est! de#inido por1

9*sat > BccE c

#.( TRANSISTOR 'E )OTENCIA
Fientras los circuitos integrados se usan para aplicaciones de pequeas seales & baja
potencia' la ma&ora de las aplicaciones de alta potencia todava requieren transistores de
potencia discretos. "as mejoras en las t/cnicas de producci$n han proporcionado potencias
m!s altas en encapsulados de tamao pequeo2 tambi/n han aumentado el voltaje de
ruptura m!3imo de transistor & han proporcionado transistores de potencia con una
velocidad de conmutaci$n ma&or.
"a potencia m!3ima manejada por un dispositivo particular & la temperatura de las uniones
del transistor est!n relacionadas' debido a que la potencia disipada por el dispositivo causa
un incremento de temperatura en la uni$n del dispositivo. Es obvio que un transistor de
8
)??G proporcionar! m!s capacidad de potencia que un transistor de )? G. ,e debe hacer
notar que de los dos tipos de transistores bipolares (germanio & silicio)' aquellos de silicio
proporcionan temperaturas nominales m!3imas. Por lo general' la temperatura m!3ima de
uni$n de estos tipos de transistores de potencia es1
,ilicio1 )4?5A??H*
Iermanio1 )??5))?H*
Para muchas aplicaciones' la potencia promedio disipada puede apro3imarse mediante
P: > B*E9*
,in embargo' esta disipaci$n de potencia se permite solamente hasta una temperatura
m!3ima.
Por arriba de esta temperatura se debe reducir la capacidad de disipaci$n de potencia del
dispositivo (o p/rdida de disipaci$n) para que a temperaturas superiores del encapsulado se
redu%ca la capacidad de manejo de potencia' llegando a ? G a la temperatura m!3ima del
encapsulado del dispositivo.
Entre ma&or sea la potencia manejada por el transistor' ma&or ser! la temperatura del
encapsulado. En la actualidad' el #actor limitante en el manejo de potencia por un transistor
particular es la temperatura de la uni$n del colector del dispositivo. "os transistores de
potencia est!n montados en encapsulados met!licos grandes para o#recer un !rea grande a
partir de la cual pueda radiar (trans#erirse) el calor generado por el dispositivo. 6un as' la
operaci$n de un transistor directamente en el aire (montado en una tarjeta de pl!stico' por
ejemplo) limita severamente la potencia nominal del dispositivo. ,i en ve% de ello (como es
lo usual) se monta el dispositivo en algn tipo de disipador de calor' su capacidad de
manejo de potencia puede acercarse m!s al valor de su potencia nominal m!3ima.

0igura (.A4. *urva de p/rdida de disipaci$n de potencia tpica para os transistores de
silicio.
9
TRANSISTORES
El .ransistor +ipolar o +-.1 .ipos' regiones de operaci$n
El transistor bipolar
- regiones operativas
- configuraciones
El transistor bipolar es el m!s comn de los transistores' & como los diodos' puede ser de
germanio o silicio.
E3isten dos tipos transistores1 el NPN & el PNP' & la direcci$n del #lujo de la corriente en
cada caso' lo indica la #lecha que se ve en el gr!#ico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de J patillas con los siguientes nombres1 base (+)' colector
(*) & emisor (E)' coincidiendo siempre' el emisor' con la patilla que tiene la #lecha en el
gr!#ico de transistor.
El transistor es un ampli#icador de corriente' esto quiere decir que si le introducimos una
cantidad de corriente por una de sus patillas (base)' el entregar! por otra (emisor) ' una
cantidad ma&or a /sta' en un #actor que se llama ampli#icaci$n. Este #actor se llama b (beta)
& es un dato propio de cada transistor.

.ransistor NPN .ransistor PNP
Entonces1
5 9c (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (#actor de ampli#icaci$n) por 9b
(corriente que pasa por la patilla base).
5 9
E
> 9
*
K 9
+
*orrientes en el transistor.
L > 9
*
E 9
+
Ecuaci$n de ganancia de corriente.
5 9e (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que 9c' s$lo que' la
corriente en un caso entra al transistor & en el otro caso sale de el' o viceversa.
,egn la #$rmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito
(Bcc)' pero en la realidad si lo hace & la corriente 9b cambia ligeramente cuando se cambia
Bcc. Ber #igura.
10
En el segundo gr!#ico las corrientes de base (9b) son ejemplos para poder entender que a
mas corriente la curva es mas alta
Reiones operati*as del transistor
+ Rein de corte: Un transistor esta en corte cuando1
corriente de colector > corriente de emisor > ?' (9c > 9e > ?)
En este caso el voltaje entre el colector & el emisor del transistor es el voltaje de
alimentaci$n del circuito. (como no ha& corriente circulando' no ha& cada de voltaje' ver
Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base > ? (9b >?)
5 egi$n de saturaci$n1 Un transistor est! saturado cuando1
*orriente de colector > corriente de emisor > corriente m!3ima' (9c > 9e > 9 m!3ima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentaci$n del circuito &
de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos' ver ley de Ohm. Este
caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo su#icientemente grande
como para inducir una corriente de colector L veces m!s grande. (recordar que 9c > L M 9b)
+ Rein acti*a: *uando un transistor no est! ni en su regi$n de saturaci$n ni en la regi$n
de corte entonces est! en una regi$n intermedia' la regi$n activa. En esta regi$n la corriente
de colector (9c) depende principalmente de la corriente de base (9b)' de L (ganacia de
corriente de un ampli#icador' es un dato del #abricante) & de las resistencias que ha&an
conectadas en el colector & emisor). Esta regi$n es la mas importante si lo que se desea es
utili%ar el transistor como un ampli#icador.
Confiuraciones: 8a& tres tipos de con#iguraciones tpicas en los ampli#icadores con
transistores' cada una de ellas con caractersticas especiales que las hacen mejor para cierto
tipo de aplicaci$n. & se dice que el transistor no est! conduciendo. Normalmente este caso
se presenta cuando no ha& corriente de base (9b > ?)
5 Emisor comn
5 *olector comn
5 +ase comn
Nota1 *orriente de colector & corriente de emisor no son e3actamente iguales' pero se
toman como tal' debido a la pequea di#erencia que e3iste entre ellas' & que no a#ectan en
casi nada a los circuitos hechos con transistores.

11
TRANSISTOR BJT
Un transistor de unin es un !o"#onente se"i!ondu!tor $ue #uede estar
!onstituido #or !rista%es de &er"anio o de Si%i!io' Tienen 3 !a#as de do#ados(
2 uniones )J1 J2* + tres ter"ina%es !u+a a,ru#a!in da %u,ar a 2 ti#os de
transistores se,-n %a dis#osi!in de %as !a#as'
Transistor .i#o%ar( de unin o BJT es %o "is"o'
Transistor /N/ Transistor N/N

Si".o%o,0a

Si e% transistor tiene %a !a#a N en e% "edio es un transistor ti#o /N/' Si e%
transistor tiene %a !a#a / en e% "edio es un transistor ti#o N/N' 1os tres
ter"ina%es son2 3 4 3"isor( B 4 Base( 5 4 5o%e!tor
36isten tres 7onas de 8un!iona"iento 2 7ona de !orte( 7ona de satura!in +
7ona a!ti9a o de tra.a:o'
1' ;ONA A5TI<A'
3% transistor s%o a"#%i8i!a en esta 7ona( + se !o"#orta !o"o una 8uente de
!orriente !onstante !ontro%ada #or %a intensidad de .ase ),anan!ia de
!orriente*'3ste #ar="etro %o sue%e #ro#or!ionar e% 8a.ri!ante d=ndonos un
"=6i"o + un "0ni"o #ara una !orriente de !o%e!tor dada )I!*>
/ara $ue un transistor 8un!ione en %a 7ona a!ti9a( se de.e de
#o%ari7ar %a unin J1 dire!ta"ente + %a unin J2 in9ersa
12
2' ;ONA ?3 5ORT3'
3n esta 7ona e% transistor es uti%i7ado #ara a#%i!a!iones de
!on"uta!in )#oten!ia( !ir!uitos di,ita%es( et!'*( + %o #ode"os
!onsiderar !o"o un !orto!ir!uito entre e% !o%e!tor + e% e"isor'
Un transistor 8un!iona a% !orte !uando %a unin J1 se
#o%ari7a in9ersa"ente )o no se #o%ari7a* + %a J2 se #o%ari7a
in9ersa"ente'

1a !orriente de e"isor I
3
es !asi nu%a' Tiene 9a%ores de "i!roa"#erios'
3'@ ;ONA ?3 SATURA5IAN'
e% transistor es uti%i7ado #ara a#%i!a!iones de !on"uta!in
)#oten!ia( !ir!uitos di,ita%es( et!'*( + #ode"os !onsiderar %as
!orrientes $ue %o atra9iesan #r=!ti!a"ente nu%as )+ en es#e!ia%
I
!
*'
/ara !o%o!ar un transistor en satura!in( de.e"os #o%ari7ar a".as uniones
dire!ta"ente'

3n %a 7ona a!ti9a %os transistores 8un!ionan !o"o a"#%i8i!adores' 3n %a 7ona de
!orte
e$ui9a%en a un interru#tor a.ierto + en %a 7ona de satura!in a un interru#tor
!errado'

13
4' A5TI<A IN<3RSA2 3sta 7ona se #uede !onsiderar !o"o !arente de interBs'
3% transistor /N/ es !o"#%e"ento de% N/N de 8or"a $ue todos
%os 9o%ta:es + !orrientes son o#uestos a %os de% transistor N/N'
/ara en!ontrar e% !ir!uito /N/ !o"#%e"entario2
1'Se e% transistor N/N #or un /N/'
2'Se in9ierten todos %os 9o%ta:es + !orrientes'
O.ser9a!iones'
1a tensin !o%e!tor @ e"isor tiene un 9a%or
#r6i"o a !ero )0 <* <o%tios' 1a I
B
)!orriente de
.ase* #uede ser !o"#ara.%e a I
3
e I
5
'
1a e!ua!in 8unda"enta% de% transistor2 I
5
4 . I
B
@ )1 C . * I
5So
no
se !u"#%e !uando tra.a:a en satura!in'
14
Prueba de transistores
Un transistor .i#o%ar e$ui9a%e a dos diodos en o#osi!in )tiene dos
uniones*( #or %o tanto %as "edidas de.en rea%i7arse so.re !ada una de
e%%as #or se#arado( #ensando $ue e% e%e!trodo .ase es !o"-n a a".as
dire!!iones'

Se e"#%ear= un "u%t0"etro ana%,i!o + %as "edidas se e8e!tuar=n !o%o!ando e%
instru"ento en %as es!a%as de resisten!ia + #re8eri.%e"ente en %as es!a%as oD" 6
1( oD" 6 10 ta".iBn oD" 6 100' Antes de a#%i!ar %as #untas a% transistor es
!on9eniente !er!iorarse de% ti#o de Bste( +a $ue si es N/N se #ro!eder= de
8or"a !ontraria $ue si se trata de un /N/' /ara e% #ri"er !aso )N/N* se situar=
%a #unta ne,ra )#ositi9o* de% "u%t0"etro so.re e% ter"ina% de %a .ase + se a#%i!ar=
%a #unta ro:a so.re %as #ati%%as !orres#ondientes a% e"isor + !o%e!tor' 5on esto
se Da.r= a#%i!ado entre %a .ase + e% e"isor o !o%e!tor( una #o%ari7a!in dire!ta(
%o $ue traer= !o"o !onse!uen!ia %a entrada en !ondu!!in de a".as uniones(
"o9iBndose %a a,u:a de% "u%t0"etro Dasta indi!ar un !ierto 9a%or de
resisten!ia( ,enera%"ente .a:a )a%,unos oD"* + $ue de#ende de "u!Dos
8a!tores'

A !ontinua!in se in9ertir= %a #osi!in de %as #untas de% instru"ento( !o%o!ando
%a #unta
15
ro:a )ne,ati9a* so.re %a .ase + %a #unta ne,ra so.re e% e"isor + des#uBs so.re
e% !o%e!tor'
?e esta "anera e% transistor re!i.ir= una tensin in9ersa so.re sus uniones
!on %o $ue
!ir!u%ar= #or B% una !orriente "u+ dB.i%( tradu!iBndose en un #e$ueEo o
in!%uso nu%o
"o9i"iento de %a a,u:a' Si se tratara de un transistor /N/ e% "Btodo a
se,uir es :usta"ente e% o#uesto a% des!rito( +a $ue %as #o%aridades dire!tas
e in9ersas de %as uniones son %as !ontrarias a %as de% ti#o N/N'
1as !o"#ro.a!iones anteriores se !o"#%etan !on una "edida( situando e%
"u%t0"etro entre %os ter"ina%es de e"isor + !o%e!tor en %as dos #osi.%es
!o".ina!iones $ue #uede e6istir> %a indi!a!in de% instru"ento ser= "u+
si"i%ar a %a $ue se o.tu9o en e% !aso de a#%i!ar #o%ari7a!in in9ersa )a%ta
resisten!ia*( de.ido a $ue a% de:ar %a .ase sin !one6in e% transistor
estar= .%o$ueado' 3sta !o"#ro.a!in no de.e o%9idarse( +a $ue se #uede
dete!tar un !orto!ir!uito entre e"isor + !o%e!tor + en "u!Das o!asiones no
se des!u.re !on %as "edidas anteriores'
16
/RA5TI5A NF 2

I.- FUNDAMENTO TEORICO
3% transistor .i#o%ar es un dis#ositi9o $ue #osee tres !a#as se"i!ondu!toras
!on sus res#e!ti9os !onta!tos %%a"ados> !o%e!tor)5*( .ase)B* + e"isor)3*'
1a #a%a.ra .i#o%ar se deri9a de% De!Do $ue interna"ente e6iste una do.%e
!ir!u%a!in de !orriente2 e%e!trones + %a,unas o a,u:eros'
A'@ 51ASIGI5A5ION ?3 1OS TRANSISTOR3S BI/O1AR3S
1os transistores .i#o%ares se !%asi8i!an de %a si,uiente "anera2
1'@ /or %a dis#osi!in de sus !a#as
@ Transistores /N/
@ Transistores N/N
2'@ /or e% "ateria% se"i!ondu!tor e"#%eado
@ Transistores de Si%i!io
@ Transistores de &er"anio
3'@ /or %a disi#a!in de /oten!ia
@ Transistores de .a:a #oten!ia
@Transistores de "ediana #oten!ia
@ Transistores de a%ta #oten!ia
4'@ /or %a 8re!uen!ia de tra.a:o
@ Transistores de .a:a 8re!uen!ia
@ Transistores de a%ta 8re!uen!ia
B'@ /O1ARI;A5ION ?3 1OS TRANSISTOR3S BI/O1AR3S
/ara $ue un transistor .i#o%ar 8un!ione ade!uada"ente( es ne!esario
#o%ari7ar%o !orre!ta"ente' /ara e%%os se de.e !u"#%ir $ue2
@ 1a :untura BAS3 @ 3HISOR este #o%ari7ado dire!ta"ente( +
@ 1a :untura 5O135TOR I BAS3 este #o%ari7ado in9ersa"ente'
17
3:e"#%o2 Si e% transistor es N/N( %a .ase de.e tener un 9o%ta:e #ositi9o !on
res#e!to a% e"isor + e% !o%e!tor de.e tener un 9o%ta:e ta".iBn #ositi9o #ero(
"a+or $ue e% de %a .ase' 3n e% !aso de un transistor /N/ de.e o!urrir %o
!ontrario'
5'@ 5O?IGI5A5ION ?3 1OS TRANSISTOR3S BI/O1AR3S
1os transistores tienen un !di,o de identi8i!a!in $ue en a%,unos !asos
es#e!i8i!a %a 8un!in $ue !u"#%e + en otros !asos indi!a su 8a.ri!a!in'
/ese a %a di9ersidad de transistores( se distin,uen tres ,randes ,ru#os2
3uro#eos( Ja#oneses + A"eri!anos'
5O?IGI5A5ION 3URO/3A
/ri"era %etra
A 2 &er"anio
B 2 Si%i!io
Se,unda 1etra
A 2 ?iodo )e6!e#to %os diodos t-ne%*
B 2 Transistor de .a:a #oten!ia
? 2 Transistor de .a:a 8re!uen!ia + de #oten!ia
3 2 ?iodo t-ne% de #oten!ia
G 2 Transistor de a%ta 8re!uen!ia
1 2 Transistor de a%ta 8re!uen!ia + #oten!ia
/ 2 Goto I se"i!ondu!tor
S 2 Transistor #ara !on"uta!in
U 2 Transistor #ara !on"uta!in + de #oten!ia
J 2 ?iodos de #oten!ia
; 2 ?iodo ;ener
N-"ero de serie
100 I 9992 /ara e$ui#os do"Bsti!os ta%es !o"o radio( T<( a"#%i8i!adores(
,ra.adoras( et!'
18
10 I 99 + %a %etra K( J o ; 2 /ara a#%i!a!iones es#e!ia%es'
3:e"#%o 2 A?149( es un transistor de #oten!ia( de ,er"anio + sus a#%i!a!iones
son de .a:a 8re!uen!ia'
5O?IGI5A5ION JA/ON3SA
/ri"ero
0 )!ero* 2 Goto transistor o 8otodiodo
1 2 ?iodos
2 2 Transistor
Se,undo
S 2 Se"i!ondu!tor
Ter!ero
A 2 Transistor /N/ de RG )radio8re!uen!ia*
B 2 Transistor /N/ de AG )audio8re!uen!ia*
5 2 Transistor N/N de RG
? 2 Transistor N/N de AG
G 2 Tiristor ti#o /N/N
& 2 Tiristor ti#o N/N/
5uarto
N-"ero de serie 2 !o"ien7a a #artir de% n-"ero 11
Luinto
Indi!a un transistor "e:or $ue e% anterior
3:e"#%o2
19
3s un transistor /N/ de RG !on "e:ores !ara!ter0sti!as tB!ni!as $ue e%
2SA186'
5O?IGI5A5ION AH3RI5ANA
Anterior"ente %os transistores a"eri!anos e"#e7a.an su !odi8i!a!in !on e%
#re8i:o 2N + a !ontinua!in un n-"ero $ue indi!a.a %a serie de 8a.ri!a!in'
3:e"#%o 2N3055( 2N2924( et!'
A!tua%"ente( !ada 8=.ri!a %e ante#one su #ro#io #re8i:o( as0 se tiene #or
e:e"#%o 2 TI1411( 35&128( et!' $ue !orres#onden res#e!ti9a"ente a T3KAS
INSTRUH3NTS J SJ1<ANIA'
II'@ HAT3RIA13S J 3LUI/O
Una Guente de Tensin de 0 a 15 <
Un transistor 2N3904 )N/N* o e$ui9a%ente
9 Resisten!ias de M N2 100O(750O(910O( 1PO( 2'2PO( 3'3PO( 10PO( 270PO(
470PO'
Un <OH )Hu%t0"etro di,ita% o ana%,i!o*
III'@ /RO53?IHI3NTO
/O1ARI;A5ION GIJA ?3 BAS3
@ 3% !ir!uito !on e% $ue se tra.a: es e% si,uiente2
3n %as "edi!iones #r=!ti!as se o.tu9ieron %os si,uientes resu%tados2
Prctico Terico
VC 7.5V 7.53V
20
VB 0.7V 0.7V
VE 0V 0V
VCE 7.5V 7.53V
IC 10mA 9.96mA
IE 10mA 9.96mA
IB 52.96A 52.96A
188.82 188
R3SU1TA?OS T3ORI5OS
Si !onsidera"os B4188
Tene"os
3n %a Ha%%a de .ase2
I.)270P*C0'7<415<
I. 4 )15<@0'7<*Q)270P*
I. 4 52'96uAI! 4 B)I.*
I! 4 )188*)52'96uA*
I! 4 9'96 "A
3n %a "a%%a de !o%e!tor
I!)750*C<!e 4 15<
<!e 4 15< I )9'96"A*)750*
<!e 4 7'53 <

/O1ARI;A5ION /OR 3HISOR
@ 3% !ir!uito !on e% $ue se tra.a: es e% si,uiente2
21
3n %as "edi!iones #r=!ti!as se o.tu9ieron %os si,uientes resu%tados2
Prctico Terico
VC 10V 10.09V
VB 1.2V 1.24V
VE 0.55V 0.54V
VCE 9.6V 9.55V
IC 5.1mA 5.4mA
IE 5.1mA 5.4mA
IB 27A 29.25A
188.88 188
Si !onsidera"os B4188
Tene"os
3n %a Ha%%a de .ase2
I.)470P*C0'7<CIe)100* 4 15<
I. 4 )15<@0'7<*Q)470PC100)188C1**
I. 4 29'25uA
I! 4 I.)188*
I! 4 )29'25uA*)188*
I! 4 5'4 "A
22
3n %a "a%%a de !o%e!tor
R!'I! C <!e C Re'Ie 4 15<
<!e 4 15< I )910*)5'4"A*@)100*)5'4"A*
<!e 4 9'55 <
<e 4 )100*)5'4"A*
<e 4 0'54 <
<! 4 9'55< C 0'54<
<! 4 10'09<
<. 4 0'7< C 0'54<
<. 4 1'24<

/O1ARI;A5ION /OR ?I<ISOR ?3 <O1TAJ3
@ 3% !ir!uito !on e% $ue se tra.a: es e% si,uiente2
3n %as "edi!iones #r=!ti!as se o.tu9ieron %os si,uientes resu%tados2
Prctico Terico
VC 8.4V 8.45V
VB 2.7V 2.65V
VE 2.1V 1.95V
VCE 6.6V 6.5V
IC 1.8mA 1.97mA
IE 1.8mA 1.97mA
IB 8A 8.77A
225 225
Si !onsidera"os B4225
Tene"os
3n %a Ha%%a de .ase2
23
I.)R..*C0'7<CIe'Re 4 <..
I.)1'8P*C0'7<CIe)1000* 4 2'7<
I. 4 )2'7<@0'7<*Q)1'8PC1000)225C1**
I. 4 8'77uA
I! 4 I.)225*
I! 4 )8'77uA*)225*
I! 4 1'97"A
3n %a "a%%a de !o%e!tor
R!'I! C <!e C Re'Ie 4 15<
<!e 4 15< I )3'3P*)1'97"A*@)1000*)1'97"A*
<!e 4 6'5 <
<e 4 )1000*)1'97"A*
<e 4 1'95<
<! 4 6'5< C 1'97<
<! 4 8'45<
<. 4 0'7< C 1'95<
<. 4 2'65 <

I<'@ 5ON51USION3S
1a !orriente de !o%e!tor es a#ro6i"ada"ente i,ua% a %a !orriente de% e"isor' 1a
!orriente de .ase es "u!Do "=s #e$ueEa( ,enera%"ente "enor $ue e% 5R de
%a !orriente de e"isor'
1a ra7n de %a !orriente de !o%e!tor a %a !orriente de .ase se %%a"a ,anan!ia de
!orriente( + se %e denota #or S5? o .ien #or DG3'
5uando e% transistor se usa !o"o a"#%i8i!ador( e% transistor o#era en %a re,in
a!ti9a' 5uando se usa en !ir!uitos di,ita%es( e% transistor usua%"ente o#era en
%as re,iones de satura!in o !orte'
24
LABORATORIO N 2: EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA BJT
POLARIZACION Y COMO AMPLIFICADOR SE SEAL ALTERNA
1'@ O.:eti9o de e6#erien!ia'
2'@ 5uestionario #re9io'
2'1 ?i.u:e e% es$ue"a de% transistor' 3n !on8i,ura!in e"isor !o"-n'
2'2 ?e8ina a $ue se %%a"a e% S'
?e8ina e% !on!e#to de #unto de o#era!in'
?e8ina e% !on!e#to de re!ta de !ar,a'
T/or $uB #o%ari7a"os un transistorU
T3n $uB !ondi!iones se #uede usar un transistor !o"o a"#%i8i!ador?
2'7 TLuB es e% 9a%or 0'7 <'U
2'8 In9esti,ue !ua%es %as es#e!i8i!a!iones tB!ni!as de %os transistores $ue(
indi!ando %as "as i"#ortantes'
3'@ /o%ari7a!in2
3'1 Ar"e e% !ir!uito + deter"ine %os 9a%ores de2
<
5&
4
<
B&
4
<
3&
4
I
5
4
I
B
4
?eter"inar e% S de% transistor'


GI& 1


4'@ 3% transistor !o"o a"#%i8i!ador de seEa%es2
4'1 Ar"e e% !ir!uito( !a%i.re e% ,enerador de seEa%es sinusoida%es !on una
Gre!uen!ia de 1 PV + una tensin #i!o a #i!o de 0'3 <'
4'2 5on e% os!i%os!o#io "edir %os 9a%ores de2
@ < 0 de sa%ida de% a"#%i8i!ador'
25
L1
2S5945
R1
5'6W
R2
1'0W
R3
12W
R4
2'2W
<55
12<
XMM1
@ 3% des8ase de <
0
9ersus <
1
@ ?eter"inar %a ,anan!ia <
0
Q <
1

GI& 2
L1
2S5945
R1
2'2W
R2
1'0W
R3
5'6W
R4
12W
<55
12<
51
10uG@/O1
52
10uG@/O1 XFG1
XSC1
A B
36t Tri ,
C
C
X
X
C
X

26
RESUMEN DE LAS FORMULAS Y EL PROCESO
Las fo!"#as $!%#$a&as $' $s($ a')#*s*s so' #as s*+"*$'($s.
5orriente de di9isor2 I 4 <
55
Q R
1
@ R
2
Tensin de .ase2 <
B
4 I R
2
Tensin de e"isor2 <
3
4 <
B
@ <
B3
5orriente de e"isor2 I
3
4 <
3
Q R
3
Tensin de !o%e!tor2 <
5
4 <
55
@ I
5
R
5
Tensin de !o%e!tor e"isor2 <
53
4 <
5
@ <
3

27
UNI,ERSIDAD NACIONAL -SAN LUIS .ONZA.A/ DE ICA
FACULTAD DE IN.ENIERIA MECANICA0 ELECTRICA
ESCUELA MECANICA ELECTRICA
?3/ARTAH3NTO A5A?3HI5O ?3 3135TRI5I?A? J 3135TRONI5A
SILABO
IDENTIFICACION
1' No".re de% 5urso 2 ELECTRONICA INDUSTRIAL I
1''1 5di,o 2
1''2 Ti#o 2 O.%i,atorio
1''3 Ni9e% 2 /re@ &rado
2' Se"estre A!adB"i!o 2 II
3' AEo A!adB"i!o 2 2011 @ 1
4' AEo !urri!u%ar 2 S3KTO 5I51O
5' /eriodo 5rono%,i!o 2
6' /re@Re$uisito 2 Nin,uno
7' /ro8esor de% 5urso 2 In,' 5ar%os Hedina &ar!0a
8' ?ura!in de 5urso 2 17 se"anas
9' N-"ero de 5rBditos 2 3
10' Nu"ero de !%ases Se"ana%es2
10'1 Se!!iones 2 <I H3 1( 2
10'2 5%ases teri!as 2 02
10'3 1a.oratorio 2 02
10'4 Doras se"ana%es 2 04
10'5 N-"ero de ,ru#os 2 08
10' 1o!a% 2 GIH33S
11' Vorario 2
SUMILLA
3sta asi,natura #retende #ro#or!ionar %os !ono!i"ientos re%a!ionados
!on %os dis#ositi9os + !o"#onentes "as usados en %a 3%e!trni!a
Ana%,i!a + industria%( estudiando %a estru!tura( 8a.ri!a!in(
8un!iona"iento + a#%i!a!in industria%' 3"#%eando e!ua!iones
"ate"=ti!as #ara su de"ostra!in + !a%!u%o de #ar="etros'
OBJETIVOS
3'1' OBJ3TI<OS &3N3RA13S
3'1'1' Ana%i7ar e inter#retar dia,ra"as e%B!tri!o@e%e!trni!os
#ara su "anteni"iento as0 !o"o %a "odi8i!a!in +
"e:ora de% "is"o'
28
3'1'2' 5ono!er %os dis#ositi9os + a#%i!a!iones i"#ortantes
uti%i7ados en %a e%e!trni!a de #oten!ia
3'1'3' Ana%i7ar e% 8un!iona"iento de un a"#%i8i!ador
o#era!iona%( as0 !o"o su a#%i!a!in industria%'
3'1'4' Ana%i7ar !ir!uitos de te"#ori7aron'
3'1'5' 3"#%ear !ir!uitos re!ti8i!adores tri8=si!os'
3'2' OBJ3TI<OS 3S/35IGI5OS
A% tBr"ino de% #resente !urso e% a%u"no estar= en !ondi!iones
de2
3'2'1' Ana%i7ar + e9a%uar %as !ara!ter0sti!as( 8un!iona"iento de
%os dis#ositi9os e%e!trni!os de "ando + !ontro%'
3'2'2' Identi8i!ar sin error %os ter"ina%es de un a"#%i8i!ador
o#era!iona%( as0 !o"o %os di9ersos !ir!uitos de
a#%i!a!in'
3'2'3' Identi8i!ar e% ti"er 555( 5I 4047 !o"o te"#ori7ador
asta.%e + "onoesta.%e'
3'2'4' Ana%i7ar + e9a%uar %as !ara!ter0sti!as( 8un!iona"iento +
uso de %os e%e"entos usado en 3%e!trni!a de /oten!ia(
!o"o %os diodos( transistores de #oten!ia e% S5R +
otros'
3'2'5' Identi8i!ar( diseEar( "ontar + "edir !ir!uitos rea%i7ados
!on dis#ositi9os o#to e%e!trni!os + de #oten!ia'
3'2'6' A#%i!ar %as tB!ni!as de !on9ersin de ener,0a
!ontro%ada A5Q?5 a% !ontro% tri8=si!o( diseEando +
#ro.ando %os !ir!uitos de re!ti8i!a!in'
3'2'7'
CRONOGRAMA
S3H G35VA 5ONT3NI?O
1 11 a% 16 de
A.ri% 2011'
Se"i!ondu!tores2 diodos ( + re!ti8i!adores
1a.oratorio NF 1
Re!ono!i"iento de %os se"i!ondu!tores'
1a.oratorio NF 2
Re!ti8i!a!in de "edia + onda !o"#%eta'
2 18 a% 20 de
A.ri%'
3% transistor .i#o%ar( #o%ari7a!in( !on8i,ura!in I e%
transistor !o"o a"#%i8i!ador + !o"o interru#tor'
1a.oratorio NF 3
/o%ari7a!in de% transistor( ,anan!ia de% a"#%i8i!ador
e"isor !o"-n'
3 25 a% 30 de
A.ri%'
3% transistor uni#o%ar( #o%ari7a!in( !on8i,ura!in'
1a.oratorio NF 4
/o%ari7a!in + ,anan!ia de% a"#%i8i!ador e"isor !o"-n'
4 02 a% 07 de
Ha+o'
3% a"#%i8i!ador o#era!iona%2 de8ini!in !ara!ter0sti!as (
tierra 9irtua%(
5ir!uito in9ersor + no in9ersor'
5' 09 a% 14 de
Ha+o'
3% a"#%i8i!ador o#era!iona% II2 !ir!uito inte,rador(
di8eren!iador( su"ador + !o"#arador'
29
6 16 a% 21 de
Ha+o'
3 % a"#%i8i!ador o#era!iona% III2 re!ti8i!adores de
#re!isin de M( onda !o"#%eta'
7 23 a% 28 de
Ha+o'
3% a"#%i8i!ador o#era!iona% I<2 8i%tros a!ti9os'
8 30 de "a+o
04 de :unio
/RIH3R /AR5IA1
9 06 a% 11 de
Junio'
Os!i%adores + te"#ori7ador I'
10 13 a% 18 de
Junio'
Os!i%adores + te"#ori7ador II'
11 20 a% 25 de
Junio(
?is#ositi9os de #oten!ia2 diodo de #oten!ia( transistor de
#oten!ia( e% I&BT'
12 27 de :unio
a% 02 de
:u%io'
?is#ositi9os de #oten!ia2 e% S5R + e% Tria!'
13 04 a% 09 de
Ju%io(
?is#ositi9os de "ando2 UJT( /UT( ?IA5 I os!i%ador de
re%a:a!in'
14 11 a% 16 de
:u%io
?is#ositi9o de "ando e% o#toa!o#%ador'
15 18 a% 23 de
:u%io
5ir!uitos di,ita%es2 !o"#uertas %,i!as'
16 25 a% 30 de
?e :u%io'
5ir!uitos di,ita%es2 a%,e.ra .oo%eana'
17 04 a% 09 de
a,osto'
S3&UN?O /AR5IA1
METODOLOGIA
3% desarro%%o de esta asi,natura !onsistir= en un !urso de !ar=!ter
#r=!ti!o( a 8in de $ue e% estudiante %o,re ad$uirir %os !ono!i"ientos + %as
destre7as en e% "ane:o de %os dis#ositi9os e%e!trni!os e"#%eados en
esta #arte( #ara %o,rar esto se e"#%eara se#aratas( dia#ositi9as( as0
!o"o una si"u%a!in en %a !o"#utadora e"#%eando so8tYare'
Ade"=s e% estudiante rea%i7ara tra.a:os de in9esti,a!in> as0 !o"o %a
e%a.ora!in de !ir!uitos de a#%i!a!in !o"o es %a !onstru!!in de una
8uente de a%i"enta!in esta.i%i7ada + otros !ir!uitos
MATERIAL DE ENSEANZA
3n e% desarro%%o de% #resente !urso %os estudiantes e"#%earan %os
si,uientes e$ui#os + "ateria%es2
1' 1a"inas( dia#ositi9as '
2' Hanua%es de ree"#%a7os de inte,rados 35&( NT3( HOTORO1A
3' So8tYare de a#%i!a!in !o"o e% 5IR5UIT HAP3R'
4' 3$ui#os e instru"entos
Hu%t0"etros
Os!i%os!o#ios
30
&enerador de seEa%es
/ro+e!t .oard
Guentes de a%i"enta!in
2' ?is#ositi9os e%e!trni!os
Resisten!ias
5ondensadores
?iodos
Transistores .i#o%ares( uni#o%ares
A"#%i8i!ador O#era!iona% UA741
S5R( tria!s( o#toa!o#%adores( et!'
UJT( ?IA5S( et!'
Trans8or"adores
3' Verra"ientas
/isto%as de so%dar
So%dadura
/asta
?estorni%%adores
A%i!ates + otros
,II BIBLIO.RAFIA:
/ra!ti!as de 1a.oratorio de 3%e!trni!a( de /a-% B' ;.ar'
/rin!i#ios de 3%e!trni!a( de A%.ert /a-% Ha%9ino'
Go%%etos ?is#ositi9os + !o"#onentes de e%e!trni!a de Jor,e &ar!0a
<i%%area%'
In8or"a!in de Internet'
/ro,ra"as de e%e!trni!a 2 5ir!uitHaWer 2000
3%e!troni!s NorW.en!D'
I!a( 29 de "ar7o 2011'
IN&' 5AR1OS H3?INA &AR5IA
31
LABORATORIO DE ELECTRONICA INDUSTRIAL I
1a.oratorio NF 1 Re!ono!i"iento de %os se"i!ondu!tores'
1a.oratorio NF 2 Re!ti8i!a!in de Hedia + Onda !o"#%eta'
1a.oratorio NF 3 /o%ari7a!in de% Transistor .i#o%ar'
1a.oratorio NF 4 3% diodo ;ener'
1a.oratorio NF 5 3% a"#%i8i!ador o#era!iona%2 !ir!uito in9ersor + no in9ersor'
1a.oratorio NF 6 3% !ir!uito o#era!iona% II2 !ir!uito inte,rador( di8eren!iador(
su"ador + !o"#arador'
1a.oratorio NF 7 Os!i%adores + te"#ori7ador I'
1a.oratorio NF 8 Os!i%adores + te"#ori7ador II'
1a.oratorio NF 9 ?is#ositi9os de #oten!ia2 diodo de #oten!ia( transistor de
/oten!ia( e% I&BT'
1a.oratorio NF 10 B%o$ueo + dis#aro de% S5R + TRIA55'
32