ESTUDIO DEL TRANSISTOR Y SU POLARIZACION

I. INTRODUCCION:
TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en
electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la
tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose
como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de
portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la
unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los
portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca
recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.
Estructura

















Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del
emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P,
tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del
semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C),
segn corresponda.








Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar
como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material
semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor,
haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser
colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso,
otorgarle al transistor un gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo
simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de
funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura
interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el
colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos
que los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es
menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y
el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado,
permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base antes
de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin
normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de
inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con
aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores
inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos
CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia
alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente
que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado
para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de
corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de
corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja
impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT modernos
estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares
de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de
alta velocidad.
Funcionamiento








Caracterstica idealizada de un transistor bipolar.
En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-colector
en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la
barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores
que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En
una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est
polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada
en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo
elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados
trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base,
desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin
cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que
la base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en
la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores
puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador
minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan
antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de
difusin de los electrones.

Control de tensin, carga y corriente
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor
(control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la
relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente
exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente veces la
corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la tensin base-
emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la
base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el
uso de modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.
El Alfa y Beta del transistor
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones capaces de
cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje de la
regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor
hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor comn
est representada por
F
o por h
fe
. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de
colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100.
Otro parmetro importante es la ganancia de corriente base comn,
F
. La ganancia de corriente
base comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin
activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y
0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un
transistor NPN):



Tipos de Transistor de Unin Bipolar
NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras
"N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las
diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares
usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor
que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre
dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin
emisor-comn es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin
en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.
PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el
NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas
de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el
emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica
externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor
circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la
corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo
Funcionamiento del BJT en las distintas zonas





































Representacin del punto de trabajo con la recta en carga esttica
En la figura 1.8.b se muestra la representacin grfica del punto de trabajo Q del transistor,
especificado a travs de tres parmetros: ICQ, IBQ y la VCEQ.
Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de carga esttica: si Q
se encuentra en el lmite superior de la recta el transistor estar saturado, en el lmite inferior
en corte y en los puntos intermedios en la regin lineal.
Esta recta se obtiene a travs de la ecuacin del circuito que relaciona la IC con la VCE que,
representada en las curvas caractersticas del transistor de la figura 1.8.b, corresponde a una
recta.









La tercera ecuacin de (1.17) define la recta de carga obtenida al aplicar KVL al circuito de
polarizacin, de forma que

Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor se selecciona
dos puntos: a) VCE=0, entonces IC=VCC/RC; b) IC=0, entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden
identificar en la figura1.8.b y representan los cortes de la recta de carga esttica con los ejes de
coordenadas.
Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarizacin de un transistor es seleccionar
la situacin del punto Q. La seleccin ms prctica es situarle en la mitad de la recta de carga
esttica para que la corriente de colector sea la mitad de su valor mximo, condicin conocida
como excursin mxima simtrica.
Evidentemente esta es una condicin de diseo que asegurar el mximo margen del punto Q a
incrementos de cualquier signo de la intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras
condiciones de operacin del transistor que exige un desplazamiento de Q en uno u otro
sentido. En estos casos la situacin del punto Q estar definida por las diferentes restricciones.
Punto de trabajo
El transistor bipolar que opera en la regin lineal tiene unas caractersticas elctricas lineales
que son utilizadas para amplificacin.
En estos circuitos, las seales de entrada son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un
aporte de energa realizado a travs de fuentes de tensin externas denominadas fuentes de
alimentacin o fuentes de polarizacin.
Las fuentes de alimentacin cubren dos objetivos: proporcionar las corrientes y tensiones en
continua necesarias para que el transistor opere en la regin lineal y suministrar energa al
transistor de la que parte de ella va a ser convertida en potencia (amplificacin).
Los valores de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un transistor se denomina
punto de trabajo y se suele expresar por la letra Q (Quiescent operating point).
En transistor del circuito de la figura 1.8.a est polarizado con dos resistencias y una fuente de
tensin en continua VCC. En este circuito se verifica que

Si suponemos que el transistor se encuentra en la regin directa lineal, entonces se puede
relacionar las intensidades de base y colector a travs de la hFE y asignar una tensin base-
emisor tpica de 0.7 V.
El clculo de las tensiones e intensidades del transistor proporciona su punto de trabajo Q. Para
este circuito, Q viene definido por las siguientes ecuaciones:





II. OBJETIVOS:
- Identificar los terminales de la base, emisor y colector.
- Identificar el tipo de transistor NPN PNP
- Mostrar y medir los efectos de la corriente de base en las caractersticas de salida del transistor.
III. INSTRUMENTOS Y MATERIALES
- 1 Fuente Regulada. - 1 Potencimetro: 100K
- 1Multimetro Digital - 1 Tablero de conexin.
- 1 Transistor 2N3906 - 1 Alicate
- 1 Diodo 1NM4148 - 1 Transistor NPN (parte B)
- 3 Resistencias (1/4 W): 200, 8.2K, 3.6K

IV. PROCEDIMIENTO
PARTE A: Identificacin de los terminales de un transistor
1. Considere un transistor de pequea seal disponible en el Laboratorio (considrelo aunque se
haya borrado su nomenclatura).
2. Sobre el dibujo del transistor escogido enumere los tres terminales de este.






3. Seleccione la escala de resistencia del DMM, Coger la punta de color negro (PN) y tomar uno de
los terminales del transistor y con la otra punta haga contacto con otro terminal, luego se debe
variar hasta realizar todas las medidas posibles, anotar las medidas obtenidas en el siguiente
cuadro.

1 2 3

Terminales
Del
Transistor
P.N. P.R.
Valor
medido()
1 2 5.64M
1 3 0
2 1 0
2 3 0
3 1 0
3 2 5,23 M

4. Los pares de terminales cuyas mediciones de resistencias sean bajas respecto a los otros
terminales contendr a la BASE. En el par de mediciones en las que el terminales del transistor
este presente en ambas mediciones ser realmente la BASE del transistor.

P.N. P.R.
Valor
medido()
1 2 5.64M
3 2 5,23 M

El terminal 2 es la BASE porque esta presente en las 2 mediciones.

5. Ahora de las mediciones realizadas en la 3. la medicin con menor resistencia corresponde al
Colector y la de mayor resistencia corresponde al emisor.
P.N. P.R.
Valor
medido()
1 2 5.64M
3 2 5,23 M

El terminal 1 es el EMISOR y el terminal 3 es el COLECTOR


6. As mismo por las mediciones realizadas con las puntas de prueba del DMM y los terminales del
transistor, nos indican que se trata de un transistor NPN ya que las puntas de prueba roja estuvo
conectada a la base.

7. Realizar un grafico del transistor los terminales corrector y el tipo utilizado (NPN PNP).






PARTE B: Comprobacion del estado de un transistor.
1. Tomar un transistor de baja seal y realice las pruebas correspondientes al paso 3. De la parte
A.

Terminales
Del
Transistor
P.N. P.R.
Valor
medido()
B E 5.4M
B C 5.16M
E C 0
E B 0
C B 0
C E 0

2. Deduzca el estado en que se encuentra las junturas del transistor bajo prueba.
- El transistor se encuentra en buen estado, es del tipo PNP.


1
Emisor
2
Base
3
Colector
2N3914
NPN
PARTE C: Curvas caractersticas del transistor bipolar.
1. Implemente el circuito de la Figura 4-2, Fijar el valor de la R
B
a su valor mximo (100K).
Coloque el osciloscopio en el modo X-Y.
2. Regule y fije la fuente V
BB
a 1 voltio y ajuste la salida del generador para una salida de 5 V
pp

sinodal, a una frecuencia de 1KHz.
















3. Conecte la alimentacin al circuito y tome 5 valores diferentes de Rb, , indique los valores
medidos de la corriente de base (Ib), corriente de colector (Ic) y voltaje colector emisor(Vce).

R
B
(K) I
B
(A) I
C
(mA) V
CE
(V)
15 36,76 11,03 0,129
20 35,46 10,76 0,348
30 26,17 7,64 0,972
50 17,18 4,29 1,642
100 9,24 2,98 1,904

4. Evale con los valores de las mediciones del paso 3, la ganancia (Beta) del transistor.

R
B
(K) I
B
(A) I
C
(mA)
15 36,76 11,03 300
20 35,46 10,76 303
30 26,17 7,64 291
50 17,18 4,29 250
100 9,24 2,98 322

293.2


5. Grafique las curvas caractersticas mostradas en la pantalla del osciloscopio correspondiente al
paso 2. Dibuje la recta de carga y punto de operacin, indicando los valores medidos de Ic, Ib, Vce;
correspondiente a cada una de ellas.
























































V. CUESTIONARIO
1. Cuales son las polarizaciones (efectuadas a travs de las puntas de pruebas del hmetro del
DMM) el tipo (PNP y NPN), que nos han permitido (paso 3 y 4 de la parte A) evaluar el
transistor? Grafique y explique cada caso.
Dependiendo del tipo de transistor, NPN o PNP, al realizar las mediciones notaremos que cuando
se coloca el ohmmetro en los terminales de la base-colector o del base-emisor, si esta polarizado
directamente no marcara baja resistencia, pero si esta polarizado inversamente nos marcara alta
resistencia, esto depende del transistor segn el diagrama indicado





De esta forma si la punta de prueba que media la base es de color rojo, entonces el transistor es
un NPN y en caso contrario seria un PNP.

2. Qu nos indica la lectura en ohmios, de la polarizacin directa aplicada a una unin PN a
travs de los terminales del DMM al transistor observado (paso 3)?
En ese caso tenemos la medicin del hie o hib, ambas son resistencias dinmicas propias del
transistor que dependes de la corriente de carga y del hfe, estas resistencias se determinan de la
siguiente manera

()

()

3. Un transistor en buen estado medir alta resistencia entre Base-Emisor, cuando la base es
mas positiva que el emisor? Explicar porque.
Cuando realizamos mediciones con el ohmmetro y nos marca alta resistencia entre base y emisor
cuando la base es mas positiva que el emisor, es porque el transistor es un transistor del tipo NPN,
ya que estara polarizado directamente y medira el hib del transistor, esto se puede notar en el
siguiente grafico de las mediciones.










4. Para que fluya corriente del colector en un transistor NPN, la base y el colector deben ser
mas positivos que el emisor?Por que?
Si, para que pueda fluir la corriente debe haber una diferencia de potencial, ya que la corriente del
colector es positiva, la corriente de base tambin debe ser positiva, ambas al ser mayores que la
corriente del emisor entonces se produce una diferencia de potencial por lo que permite que la
corriente fluya por el colector.
En caso contrario la carga no podr fluir la corriente, por lo tanto el transistor no podr trabajar.

5. La corriente de base (Ib) en un transistor NPN, en buenas condiciones de operacin es igual a
la corriente del colector? Explique
No, porque la corriente del colector es mucho mayor que la corriente de base, esto es debido a la
relacin entre las corrientes del emisor, base y del colector.

Pero tambin sabemos que

6. A que conclusiones le ha llevado las mediciones de las junturas o uniones del transistor
evaluado en la parte B? Indique cada caso.
Podemos verificar que las junturas del colector y el emisor con la base respectivamente, nos
muestran mediciones de resistencia en valores muy altos, dependiendo de la polaridad del
transistor esta medicin puede ser de baja resistencia. Pero siempre es en un solo sentido, de esta
forma solo existen 2 mediciones con valores de resistencia.
Entre estas mediciones se encuentra la base del transistor, de esta manera notamos que se
cumple la equivalencia en diodos al momento de realizar la medicin, si la resistencia aumenta el
punto de trabajo se aproxima al lado izquierdo de la grafica.
Ejemplo:







PARA 56K







PARA 68K

9.836, 0.000
8.535, 1.569
0.000, 12.000
y = -1.2208x + 11.999
-2.000
0.000
2.000
4.000
6.000
8.000
10.000
12.000
14.000
0.000 2.000 4.000 6.000 8.000 10.000 12.000
I
c
(
m
A
)

Vce(V)
9.836, 0
7.702, 2.587
0, 12
y = -1.2206x + 11.998
-5
0
5
10
15
0 2 4 6 8 10 12
I
c
(
m
A
)

Vce(V)
7. Que nos ha permitido el procedimiento de la parte C, acerca de que las caractersticas de
entrada y salida del transistor evaluado? Explique.
Observamos que mientras hacemos variar la resistencia en el potencimetro, el punto de trabajo
del transistor se desplaza a lo largo de la recta de carga de transistor, esto quiere decir que vara la
corriente de carga y el voltaje de carga esto se debe a que disminuimos o aumentamos la corriente
de base del transistor, es por eso que el transistor altera su punto de carga.
8. Anote sus conclusiones y observaciones del experimento.
Conclusiones
- El transistor es un dispositivo bipolar que trabaja en funcin a la corriente de base.
- Dependiendo de donde se encuentra el punto de trabajo, se sabe si el transistor esta trabajando
o no.
- El transistor puede trabajar con valores positivos de voltaje o negativos dependiendo del tipo de
juntura.
- Si realizamos variaciones en la resistencia de la base podremos mover el punto de trabajo del
transistor y de esta manera lograr que se adecue a la corriente voltaje que necesitemos.
- Podemos realizar la medicin de un transistor sin conocer cual es su base, emisor o su colector.

Observaciones
- Se debe de apuntar cual es la polaridad de la punta de prueba de la base al momento de la
medicin para determinar si es NPN o PNP.
- Mantener siempre la posicin inicial de referencia para determinar cuales son los bornes del
transistor.
- Se debe ajustar el osciloscopio antes de realizar la medicin.
- Las corrientes del transistor se deben de medir con micro ampermetros.
- El Vbb debe estar en el valor establecido de 1V y no se debe se mover.
- Podemos notar como varia la grafica del transistor conforme variamos la resistencia del
potencimetro.