Sunteți pe pagina 1din 13

1

Universitatea Academiei de tiine a Moldovei


Facultatea : tiinte ale naturii
Specialitatea: Biologie molecular



Referat la nanotehnologii

Tema:


Metode chimice de procesare a
nanomaterialelor.Clasificarea metodelor chimice n
fabricarea nanostructurilor




A efectuat: Talpa Mihaela
Profesor: Lidia Ghimpu








Chisinu, 2014

2

Cuprins:
Introducere
Scurt istoric
Tendine actuale de dezvoltare tiinific i tehnologic
Procesarea nanostructurilor
Metode chimice de procesare a nanomaterialelor.
Clasificarea metodelor chimice n fabricarea nanostructurilor
Concluzii
Referinte bibliografice
























3

Introducere
Dezvoltarea tiinei a demonstrat c progresele cele mai spectaculoase se obin prin cercetare
pluridisciplinar, situat la grania dintre diferite discipline. Cu ct numrul acestor discipline concurente
este mai mare, cu att este mai rapid dezvoltarea noii tiine iar impactul pe care l va avea asupra
societii va fi mai mare.
Nanotehnologia a fost iniial introdus pentru a furniza o int concret acurateei pentru procesele
de fabricaie care implic finisri de ultraprecizie, cum ar fi: tieri ultrafine, diverse tipuri de prelucrare
(procesare) cu fascicule energetice, utiliznd fascicule de fotoni, electroni sau ioni, evaporarea n strat
subire, corodri superficiale ultrafine, etc.
Nanotehnologia este acea ramur a tiinei care permite crearea de materiale, de dispozitive i de
sisteme la scar nanometric (1-100 nm), prin manipularea materiei la aceast scar, precum i prin
exploatarea noilor proprieti ce rezult la scar nanometric, avnd un puternic impact asupra
numeroaselor aplicaii comerciale, militare i spaiale.
Scurt istoric
La 29 decembrie 1959, laureatul premiului Nobel, Richard Feynman n cuvntarea intitulat There
is Plenty of Room at the Bottom n cadrul ntrunirii anuale a Societii Americane de Fizic, a fcut
prima aluzie la nanotehnologie, referindu-se la avantajele nc neexplorate ale miniaturizrii. n
cuvntarea sa, el a descris o disciplin menit a manipula uniti de materie din ce n ce mai mici,
permind aranjarea atomilor dup bunul plac al cercettorilor.
Aceast viziune a fizicianului este considerat de mult lume ca fiind prima discuie tiinific
despre nanotehnologie. Cu toate acestea, abia n 1974 termenul de nanotehnologie a fost adoptat de catre
Universitatea Norio Taniguchi din Tokyo. Taniguchi a delimitat ingineria la scala micrometric aa
numita micro-tehnologie de o noua inginerie, de aceast dat la nivel sub micrometric, pe care a numit-
o nanotehnologie.
Pentru nc un deceniu, nanotehnologia a rmas departe de cunotina publicului larg. Apoi, n 1986,
fizicianul american K. Eric Drexler, a scris Engines of Creation, carte considerat de majoritatea ca
fiind cursul de baz al nanotehnologiei, crend nanochimia ca ramur a nanotehnologiei, domeniu menit a
schimba radical n cteva decenii, toate laturile fundamentale ale vieii omenirii.
n prezent, comunitatea tiinific internaional apreciaz c nanotehnologia dispune de potenialul
necesar pentru a influena fiecare faet a vieii oamenilor cu mai mult for dect toate marile
descoperiri tiinifice i invenii anterioare prin aplicaii n toate domeniile tiinei i tehnicii.

Tendine actuale de dezvoltare tiinific i tehnologic

Ultimul deceniu a cunoscut numeroase realizri n obinerea de componente organice de o
complexitate considerabil. Descoperirea de noi tehnologii pentru polimeri, dendrimeri, a dus la obinerea
unei clase interesante de componente la nivel nano, cu proprieti mecanice i optice deosebite
Nanocristale
n ultimii ani, un semnificativ progres a fost nregistrat n obinerea de nanocristale. Multe materiale
comune, precum metalele, semiconductorii i magneii pot fi obinute din nanocristale, avnd la baz
procedee chimice coloidale. Conceptul schimbului de legtur a fost bine dezvoltat, aceast metod
permind nanocristalelor caracterizai printr-o distribuie limitat a mrimii diametrului (n general cu o
4

variaie n diametru ntre 5-15%) de a fi izolai i folosii ulterior ca reactivi chimici. n acest domeniu un
factor esenial a constat n cercetrile efectuate asupra rolului dimensiunilor care au avut la baz studii
fundamentale n domeniul chimiei fizice i al fizicii materiei condensate. Faptul c o simpl proprietate
precum emisia de lumin depinde att de mult de proprietile semiconductorilor a facilitat dezvoltarea
obinerii efective. Aceeai dependen de mrime a fost exploatat n obinerea unor aplicaii i n alte
domenii cum ar fi cel biologic.

Structuri din nanoparticole
Obinerea controlat a particulelor reprezint o metod sintetic foarte important necesar realizrilor
unor structuri de dimensiuni nano, constituind tehnologia de fabricare a diferitelor produse, de la cele
ceramice pn la cele specifice industriei farmaceutice. Astfel, structurile de tip nano pot fi ntlnite sub
diverse forme, dintre care cele mai importante sunt:
aglomerrile de nanoparticule;
aerogeluri.
Trebuie menionat faptul c n particular, aceste structuri se caracterizeaz printr-o morfologie
proprie, spre exemplu: dimensiunea fractalilor i numrul de coordinaie dar i prin energia de legtur
care are rolul de a pstra particulele ca pe un tot unitar.
Procesarea nanostructurilor
Dezvoltarea metodologiei de autoasamblare a permis extinderea cu uurin a metodelor de obinere a
nanostructurilor. n proiectarea structurilor complexe cum ar fi componentele electrice trebuie s ne
valorificm abilitile n scopul realizrii modelelor litografice. Astfel, au fost dezvoltate noi modaliti de
realizare, asamblare i legare a macromoleculelor i nanoobiectelor, avndu-se la baz interaciuni ce sunt
cu mult mai complexe dect cele ntlnite n mod curent.
Unitate de procesare, tensiuni de rupere i densitate de energie de procesare
n ultima vreme a devenit tot mai necesar fabricarea de produse inteligente precise cu o acuratee
extrem de nalt i realizare fin de ordinul nanometrilor. n mod clar, pentru a produce astfel de produse
de nalt precizie trebuie utilizate sisteme de prelucrare/procesare n domeniul subnanometric sau de tip
atom cu atom. Unitatea de prelucrare/procesare corespunde dimensiunii unei poriuni din cip n
procesele de mascare, unui pas din procesele de deformare i unui cluster molecular n procesele de
consolidare.
Metode de prelucrare cu uniti de prelucrare atom cu atom i cluster de atomi
Pentru a se obine componente i produse fine i ultraprecise, cu acuratee nanometric este n
general necesar utilizarea unei uniti de procesare de tip atom cu atom sau de clusteri de atomi.
Procesarea atom cu atom este realizat prin tratamentul atom cu atom al materialelor, i prin urmare
realizarea rezoluiilor de ordinul subnanometrilor, n timp ce procesarea tip cluster atomic consider
clusteri de atomi, ceea ce face ca rezoluia s fie de ordinul a ctorva nanometri. Dup cum s-a putut
observa n figura 6.3, densitatea de energie de procesare pentru zone atomice la punctul de prelucrare
trebuie s ajung la 104 106J cm-3, ceea ce corespunde, la nivel microscopic, energiei specifice
volumice de legtur de reea Ub (MJ m-3 sau J cm-3) sau energiei de legtur atomice Eb (J/atom)
conform tabelului 6.1. valorile pentru abrazivi ca Al2O3, SiC i diamant sunt cu 2 3 ordine de mrime
mai mari dect pentru Fe; pentru prelucrarea la nivel de clusteri atomici, valorile pot fi cu 1 2 ordine de
mrime mai mici.

5

Procesarea la nivel de clusteri atomici cu abrazivi fini mobili

Mainile-unelte obinuite de tiere sau cu discuri abrazive nu pot fi utilizate la tierea i
achierea/rectificarea n uniti de procesare de tipul clusterilor atomici datorit faptului c uzura muchiei
achietoare devine extrem de mare pentru panul din oel. Pentru metalele uoare ductile cum ar fi
aluminiul, este totui posibil realizarea unei microprelucrri pe baza procesrii de clusteri atomici
utiliznd scule diamantate sau pulbere de diamant (figura 3.4).


n plus, sunt larg utilizate n procesarea de tip cluster atomic lepuirea pe baz de abrazivi fini de
diamant, Al2O3, SiC, etc. precum i lustruirea cu abrazivi fini de pulbere de Fe2O3, Cr2O3, CeO2, etc.
Abrazivii de lepuire sunt remprosptai i reascuii prin sfrmare n timpul operaiei pentru a realiza
ndeprtarea continu a materialului, n timp ce abrazivii de lustruire sunt lefuii sub aciunea tensiunilor
de forfecareextrem de mari, pe baza defectelor punctuale din domeniul clusterilor atomici. Din acest
motiv, lustruirea se realizeaz cu abrazivi duri i rezisteni termic.
Contururile geometrice de suprafa pot fi precis modelate prin lepuire folosind plci de duritate
medie i printr-o lustruire ulterioar utiliznd plci mai moi ntruct suprafeele acestor plci se uzeaz
puin pe durata procesrii datorit mecanismului de prelucrare. Prin urmare, procesarea continu a
suprafeei cu o acuratee aproape nanometric este posibil de realizat.
Pn n prezent a fost foarte dificil generarea suprafeelor nesfericesau de alte curburi, deoarece
micarea rlativ de nalt precizie dintre piesa de prelucrat i plac era dificil de realizat. Totui, recent a
fost realizat un control numeric de pai fini de 0,1 m i drept rezultat n curnd vor fi dezvoltate noi
tehnologii de fabricare a suprafeelor curbate de precizie care utilizeaz sisteme generatoare cu unelte de
lepuire i lustruire (figura 6.5).
6


Procesarea atom cu atom utiliznd particule elementare de nalt energie sau un cmp electric
intens
Pentru a realiza ndeprtarea materialului atom cu atom, pentru care este necesar o energie de
procesare ridicat 104 - 106 J cm-3, au fost dezvoltate metode de procesare cu particule de nalt energie,
n care un fascicul de particule elementare, cum ar fi: fotoni, electroni sau ioni, atomi reactivi chimic sau
electrochimic ori chiar atomi neutri, este aplicat asupra punctului ce trebuie prelucrat (figurile 4.6 i 4.7,
tabelele 4.2 i 4.3).

Metodele de prelucrare care utilizeaz particule de nalt energie au rezoluii de prelucrare la scar
atomic sau subnanometric. Totui, este foarte dificil poziionarea punctului de prelucrare cu acuratee
nanometric, ntruct spre deosebire de situaia utilizrii mainilor-unelte sau sculelor monobloc, nu
exist nici o suprafa sau ax geometric de referin pentru controlul poziiei fasciculului de particule la
o precizie aa de nalt. n consecin, prelucrarea cu fascicul de particule de nalt energie se realizeaz
n prezent numai cu comand n bucl deschis a poziiei axei fasciculului energetic, fr nici un fel de
informaie de tip feedback al poziionrii n timpul efectiv al prelucrrii.
7

Pentru prelucrarea atom cu atom, care implic aglomerri sau formarea de straturi subiri pe
suprafaa de lucru, au fost utilizate pe scar larg fascicule de ioni cu energie redus, cu mprtiere
atomic (fascicul rece) i atomi evaporai termic (fascicul cald) prin utilizarea fotonilor, electronilor
sau prin nclzire direct. Totui, pentru a se asigura legarea atomilor de pe suprafa cu atomii proiectai
de fascicule, atomul sau molecula trebuie s aib energia optim pentru realizarea adeziunii. Dac aceast
energie este prea mare, materialul va fi ndeprtat, iar dac energia este prea sczut, legtura adeziv
nu se va mai realiza. Implantarea ionic n straturile de suprafa i amestecarea ionic a structurii de
suprafa este larg utilizat n practic.
Procesarea subgranul

Procesarea subgranul a metalelor ductile .Ruperea prin forfecare sau deformarea plastic a
metalelor ductile pornete de la dislocaiile n domeniul 1-10 m, ceea ce corespunde unei dimensiuni
subgranulare.
a) Dislocaiile i vectorul Burgers.Materialele ductile, cum ar fi metalele Al i Fe, sunt alctuite din
granule monocristaline cu dimensiuni de la civa micrometri la civa zeci de micrometri. n granulele
cristaline, ntotdeauna exist defecte liniare, cum ar fi dislocaiile marginale i elicoidale.

Procesarea subgranul a polimerilor organic. Structura macromoleculelor organice const din
molecule mari interconectate i, dei legtura dintre atomii polimerului este ionic sau covalent, cea
dintre molecule este determinat de fore van der Waals i prin urmare este foarte slab.n consecin,
deformarea intermolecular a polimerilor este, n principal, datorat alunecrii vscoase dintre grupele
moleculare mari creia i se opun forele de legtur van der Waals. Totui, pentru achierea foarte fin n
domeniul submicronic, uneltele convenionale nu sunt adecvate, ntruct separarea atomilor din molecula
polimerului necesit o prelucrare tip atom cu atom cu densiti de energie ridicate pentru a contracara
forele de legtur ionic sau covalent. De aceea, pentru ndeprtarea unor fragmente foarte fine din
polimerii nali sunt necesare unelte de achiere din carburi cementate, granule de diamant sau abrazivi
din SiC, etc. Mai mult, n unii polimeri nali care prezint comportare fragil, cum ar fi sticlele organice,
alunecarea datorit curgerii vscoase nu se produce uor n achierea ultrarapid i atunci survine ruperea
8

fragil. Acest lucru se ntmpl deoarece fora care se opune curgerii vscoase crete proporional cu
creterea vitezei de deformare.
Procesarea nanofizic
Evaporarea n cmp electric a atomilor specificai .Aceast metod a fost dezvoltat de la concepia
microscopului tunel cu baleiaj (STM Scanning Tunneling Microscope). O diagram schematic a
evaporrii n cmp electric este prezentat n figura 4.18. Sistemul const dintr-un electrod cu capt
ascuit, fcut din wolfram, care este controlat de o unitate de poziionare tridimensional (3D) ce are la
baz un sistem piezoelectric cu o rezoluie i o acuratee subnanometric i o surs de curent continuu de
civa voli.

Procesarea cu fascicul de fotoni dirijat .Un foton este o particul elementar de energie, fr mas,
i anume cuanta de energie din legea lui Planck. Un foton are o energie egal cu h, unde h este constanta
lui Planck, 6,626 10-34 Js, iar este frecvena echivalent (Hz). ntruct un foton poate fi considerat n
acelai timp i ca o und electromagnetic de frecven , lungimea de und echivalent a unui foton (m)
este dat de relaia: l = c/v (4.18) unde c este viteza luminii: 2,998 108 m/s. Rezult de aici c lungimea
de und a fotonilor dintr-un fascicul luminos sau fasciculul laser este de ordinul 10 pn la 0,1 m pentru
energiile fotonilor n domeniul 0,1 10 eV. Pe de alt parte, lungimea de und a fotonilor din radiaia X
sau cea sincotronic este de ordinul 10 la 0,1 nm pentru energii cuprinse ntre 0,1 i 1 MeV. O lungime de
und a fotonilor poate fi considerat ca o regiune n care ea exist.
9



Procesarea cu fascicul electronic dirijat . n figura 7.22 se prezint schematic o instalaie de
procesare cu fascicul electronic focalizat; macanismul transferului de energie de la electro la atomul
piesei de prelucrat este schiat n figurile 7.23 i 7.24. Procesul de baz realizat de un electron avnd
energie cinetic l constituie evaporarea termic a bucilor atomice. Electronii accelerai proiectai
asupra unei piese de prelucrat i transfer energia lor, n general, ctre nveliul exterior al atomului i
cresc energia termic de vibraie a nucleului. Astfel, electronii ce posed energie pot s furnizeze efectiv
energia necesar pentru evaporarea termic ntr-o poriune foarte fin localizat a materialului supus
prelucrrii. Totui, este important de recunoscut faptul c electronul proiectat este, n principal, absorbit
n regiunea de penetrare n adncime i nu la suprafaa materialului, dup cum se prezint n figura 7.23.


10


Procesarea cu fascicul ionic dirijat.O metod fundamental de procesare a materialelor care
utilizeaz ioni este prelucrarea cu mprtiere ionic. Echipamentul de baz pentru prelucrarea cu
mprtiere ionic este prezentat schematic n figura 4.26. Mecanismul prelucrrii prin
pulverizare/mprtiere este prezentat grafic n figura 4.27. Ionii de gaz inert, cum ar fi ionii de Ar
accelerai n cmp electric pn la o energie medie de 10 keV (corespunznd unei viteze de ~200 km/s),
sunt orientai unidirecional i proiectai asupra suprafeei materialului de prelucrat sub un vid nalt (1,3
10-4 Pa).
Procesarea suprafeei cu plasm Plasma este definit ca o stare electric conductoare a gazelor n
care coexist un numr aproximativ egal de electroni i ioni pozitivi. n general, la presiune atmosferic,
plasma apare la descrcarea n gaze n arc electric la temperaturi 10000 - 20000 K i este cauzat de
recombinarea electronilor i ionilor disociai. Totui, la presiuni sczute, plasma datorat descrcrii n
curent continuu sau excitaiei de microunde apare la temperaturi sczute n comparaie cu cazul presiunii
atmosferice; temperatura este determinat de energia cinetic a electronilor i ionilor din starea
respectiv.
11


Procesarea suprafeei cu fascicul molecular .Acest tip de proces este realizat prin bombardarea
direct cu atomi i molecule obinui prin evaporare termic cu ajutorul unui fascicul de electroni n vid
naintat (10-7 10-8 Pa). Energia cinetic a atomilor sau moleculelor n aceast stare este mult mai mic
(~1 eV) dect n cazul mprtierii ionice a atomilor neutri.

12


Procesarea cu fascicul molecular n care buci atomice sunt depuse direct se utilizeaz pentru
creterea epitaxial a cristalelor pe plachete semiconductoare, permind realizarea unui control foarte fin
al grosimii i compoziiei. Acest tip de procesare atom cu atom a permis dezvoltarea unui proces de
sintez pentru crearea materialelor cu superreele pentru componente microelectronice.
Procesarea nanochimic i electrochimic

Conceptul de procesare chimic i electrochimic Din cauza naturii reaciilor chimice, procesarea
chimic este n mod natural o procesare atom cu atom a materialelor. O reacie chimic reprezint o
modificare n combinarea atomilor, a moleculelor reactante, n care legtura chimic a moleculelor
reactante este desfcut i se genereaz o nou molecul. De exemplu, moleculele cu legturi atomice H-
H i O-O pot fi desfcute pentru a se forma o nou molecul avnd legturile H-O-H. n cadrul
procesului, un gaz sau un lichid reactiv chimic este aplicat unei poziii specifice pe suprafaa solid a
materialului de prelucrat. Moleculele reactive reacioneaz apoi cu moleculele suprafeei, iar moleculele
reacionate solubile ori ca vapori sunt ndeprtate sau difuzate n gazul sau lichidul reactant nconjurtor.
O astfel de procesare chimic a bucilor atomice are loc uniform i la ntmplare pe suprafaa
materialului, genernd o suprafa plan, neted.
Echilibrul n reaciile chimice O reacie chimic poate fi definit ca un proces n care legturile
moleculelor reactante sunt rupte fiind generate noi molecule. Pentru a investiga 133comportarea reaciilor
chimice n materialele reactante, este necesar ca mai nti s cunoatem tipul de legtur chimic
predominant n molecula de reactant, de exemplu ionic, covalent, metalic sau molecular (van der
Waals). Apoi, trebuie determinat gradul de echilibru al reaciei chimice i viteza de reacie. n consecin,
pentru procesarea chimic reactiv tip atom cu atom a materialelor, este necesar selecionarea unui
material reactant potrivit cu materialul de lucru, prin considerarea gradului echilibrului chimic i mrimii,
vitezei de reacie.



13

Bibliografia :
1. Koga, K., Nomura, J., Yasui, J., Terui, Y., Nagano, H., Fujita, K., et al. (1990). High-perforinance
synchrotron X-ray stepper. Journal of Vacuum Science and Technology, B8,1633.
2. For example, Ohki, S. and Yoshihara, H. (1990). Highprecision X-ray mask technology. Japanese
Journal of Applied Physics, 29,2600.
3. Kanai, M. and Ishihara, S. (1990). Air bearing lead screw and nut using porous ceramic material.
Journal of the Japan Society of Precision Engineering, 56, 63
4. Une, A., Takeuchi, N., and Torii, Y. (1990). A highaccuracy alignment technique using single- and
doublepitch dual gratings. Journal of Vacuum Science and Technology, B8, 51.
5. Deguchi, K., Miyoshi, K., Ban, H., Kyuragi, H., Konaka, S., and Matsuda, T. (1992). Application of
X-ray lithography with a single-layer resist process to subquartermicron LSI fabrication. Journal of
Vacuum Science and Technology, B10, 3145
6. Ito, H., England, W.P., and Lundmark, S.B. (1992). Efrects of polymer end groups on chemical
ampliflcation. SPIE Proceedings, 1672,2-14.
7. Kataoka, M. and Tokunaga, A. (1990). A highly sensitive positive electron beam resist EBR-9 HS31.
In: Polymers for microelectronics - science and technology", pp. 327-42. Kodansha.