Prctica #7 El Transistor Para Un Puente H

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PRACTICA #7 EL TRANSISTOR PARA UN PUENTE H
Objetivo de la prctica:
El propsito de esta prctica esta fundamentalmente basado en comprender el uso del
transistor como interruptor de potencia, y la aplicacin de las propiedades del
transistor PNP y NPN para la realizacin de una inversin de giro.
Material y Equipo:
4 Diodos de Silicio IN4004. .
Resistencias
Tabilla de experimentos (Protoboard).
Cable para Protoboard.
Transistores (TIP32, TIP41, 2N2222)
Potencimetro
Push button
Motor de CD
Marco Terico
Un Puente H o Puente en H es un circuito electrnico que permite a un motor elctrico
de DC girar en ambos sentidos, avance y retroceso. Son ampliamente usados en
robtica y como convertidores de potencia. Los puentes H estn disponibles como
circuitos integrados, pero tambin pueden construirse a partir de componentes
discretos.
El trmino "puente H" proviene de la tpica representacin grfica del circuito. Un
puente H se construye con 4 interruptores (mecnicos o mediante transistores).
Cuando los interruptores S1 y S4 (ver primera figura) estn cerrados (y S2 y S3
abiertos) se aplica una tensin positiva en el motor, hacindolo girar en un sentido.
Abriendo los interruptores S1 y S4 (y cerrando S2 y S3), el voltaje se invierte,
permitiendo el giro en sentido inverso del motor.

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Con la nomenclatura que estamos usando, los interruptores S1 y S2 nunca podrn
estar cerrados al mismo tiempo, porque esto cortocircuitara la fuente de tensin. Lo
mismo sucede con S3 y S4.

Como hemos dicho el puente H se usa para invertir el giro de un motor, pero tambin
puede usarse para frenarlo (de manera brusca), al hacer un corto entre las bornes del
motor, o incluso puede usarse para permitir que el motor frene bajo su propia inercia,
cuando desconectamos el motor de la fuente que lo alimenta. En el siguiente cuadro se
resumen las diferentes acciones.





Lo ms habitual en este tipo de circuitos es emplear interruptores de estado slido
(como Transistores), puesto que sus tiempos de vida y frecuencias de conmutacin
son mucho ms altas. En convertidores de potencia es impensable usar interruptores
mecnicos, dado su bajo nmero de conmutaciones de vida til y las altas frecuencias
que se suelen emplear.
Adems los interruptores se acompaan de diodos (conectados a ellos en paralelo)
que permitan a las corrientes circular en sentido inverso al previsto cada vez que se
conmute la tensin, puesto que el motor est compuesto por bobinados que durante
breves perodos de tiempo se opondrn a que la corriente vare.



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Transistores de unin bipolar o BJT
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT)
GART es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus
terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y
electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero
tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente
en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica
digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como
emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento
normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector
en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque
es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector.
El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y
estado de actividad.





Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la
regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son,
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respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un
transistor NPN ARIAS. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.
Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede
apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de
material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la
regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin
de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se
acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un
dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen
que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo
inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada
para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los
valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran
obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5.
La falta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el
colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente
dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin
colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en
inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente
dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa
de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la
base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en
la unin base-emisor deben provenir del emisor.
Funcionamiento
En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y la unin
base-colector en inversa.1 Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del
emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su
vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo
elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y
la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo,
cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre
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los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin
agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente
inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde
la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja
concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados
portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales
generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til
del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de
portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de
la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.
Desarrollo
Para el armado de esta prctica se recurri a un circuito como el que se muestra a
continuacin:

Un puente H se construye con 4 interruptores (mecnicos o con semiconductores).
Cuando los interruptores S1 y S4 estn cerrados (y S2 y S3 abiertos) se aplica una
tensin positiva en el motor, hacindolo girar en un sentido. Abriendo los
interruptores S1 y S4 (y cerrando S2 y S3), el voltaje se invierte, permitiendo el giro
en sentido inverso del motor. Tambin puede usarse para frenarlo (de manera
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brusca), al hacer un corto entre las bornes del motor, o incluso puede usarse para
permitir que el motor frene bajo su propia inercia, cuando desconectamos el motor de
la fuente que lo alimenta.





En este tipo de circuitos es emplear interruptores electrnicos (como Transistores,
IGBT), por su durabilidad y velocidad de conmutacin. Adems los interruptores
electrnicos se acompaan de diodos (conectados a ellos en paralelo) por lo general
de alta velocidad y que permiten a las corrientes circular en sentido inverso, para
evitar la corrientes inversas producto de cambio de giro y parado del motor.



Si bien el puente H funciona correctamente es necesario eliminar algunas
combinaciones no deseadas o mejor dicho prohibidas, para proteccin de los motores
o los dispositivos de conmutacin. Un caso tpico que puede ocurrir es por ejemplo,
que puede ocurrir si se activan los conmutadores Q1 y Q3 al mismo tiempo.
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Resultados
En esta prctica logr apreciar una de las tantas aplicaciones que se pueden tener al
combinar transistores PNP y NPN, la inversin de giro es una aplicacin muy utilizada
y con los transistores al ser dispositivos de estado slido podemos realizar mucho
ms acciones a altas frecuencias a diferencia de la prctica anterior con relevadores.


Conclusiones:
Por medio de este circuito podemos concluir que la inversin de giro est dada por la
configuracin del transistor ya sea NPN o PNP puesto que son un arreglo de diodos la
cual permite que una pequea corriente entre los diodos la cual es denominada base
active el colector en el caso NPN o el emisor PNP ya que la corriente fluir
dependiendo de este acomodo en donde los electrones del emisor van a la base
tapando los huecos del material P y continuando el excedente al colector el cual hace
un flujo de electrones que aumenta la corriente por lo que se usa como amplificador,
esto dado por la naturaleza qumica del material el cual aporta electrones logrando
una inversin de giro en el motor por las polaridades de ste ya que el transistor hace
un cambio en su sentido de corriente por el material que son diodos polarizados en
directa o inversa con lo que tenemos una muy apreciable aplicacin para controlar
motores en este caso llega hasta 3 A la corriente permitida en el transistor pero se
tiene que tener en cuenta sus caractersticas de las hojas de datos para poder
determinar cul es el necesario dependiendo de la aplicacin.

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Bibliografa

BOYLESTAD, ROBERT L. y NASHELSKY, LOUIS
Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos
10 Edicin
PEARSON EDUCACIN, Mxico, 2009

ALBERT PAUL MALVINO
Principios de Electrnica
6 Edicin
Mc. Graw Hill, Espaa, 2000

FLOYD, THOMAS L.
Dispositivos electrnicos
8 Edicin
PEARSON EDUCACIN, Mxico, 2008