UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARIA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERAS FISICAS Y FORMALES

PROGRAMA PROFESIONAL
INGENIERIA MECNICA, MECNICA-ELECTRCA Y MECATRNICA
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Jefe de Prcticas:
Ing. Juan Carlos Cuadros
Laboratorio de Circuitos Electrnicos I
Tema: DISEO DE LA POLARIZACIN DE TRANSISTORES BJT
Cdigo: 4E05029
Semestre: V
Grupo: FECHA:
Apellidos y Nombres: Lab. N: 05 06/MAY/2014


I INFORME PREVIO
I.1. Desarrolle un breve resumen de los Circuitos de Polarizacin ms usuales: Polarizacin Fija, Polarizacin
Estabilizada de Emisor, Polarizacin con Retroalimentacin de Colector (Con R
E
y sin R
E
) y Polarizacin por Divisor
de Tensin. Similitudes y Diferencias. Aplicaciones.
I.2. Con el determinado en el laboratorio anterior para el BJT 2N3904 o el BJT 2N4401, realice los clculos de diseo
de polarizacin para las diferentes configuraciones, de acuerdo a los requerimientos y valores solicitados. Aproxime
los valores calculados para las redes resistivas a valores comerciales de las mismas.
I.3. Ahora con los valores de aproximacin del paso anterior realice el calculo analtico de las configuraciones y
verifique sus resultados de acuerdo a los valores y requerimientos de diseo solicitados.
I.4. Con los valores de resistencias determinados segn el paso I.2, haga la simulacin del procedimiento empleando
Multisim 10 (opcional). Consigne sus valores en una tabla de valores simulados mostrando todas las variables
elctricas de la configuracin simulada.
I.5. De acuerdo al paso anterior, implemente los circuitos fsicos y presntelos listos para realizar las pruebas de
laboratorio.
I.6. Traer la hoja de datos del transistor a emplear en la prctica de laboratorio.

II OBJETIVOS
II.1. Ensayar diversos diseos de topologas de polarizacin de transistores.
II.2. Comparar resultados prcticos respecto de los tericos calculados.
II.3. Comprobar el diseo de polarizacin midiendo el punto Q.
II.4. Realizar mediciones del punto de reposo Q

III MARCO TEORICO
(Revisar los siguientes Temas)
III.1. El Transistor Bipolar
III.1.1. Polarizacin de la unin Base-Emisor
III.1.2. Polarizacin de la unin Base-Colector
III.1.3. Polarizacin del transistor en directa
III.1.4. Circuitos de polarizacin del transistor BJT

IV MATERIAL Y EQUIPO

IV.1. Multmetro (2)
IV.2. Protoboard
IV.3. Transistor 2N3904 o 2N4401 y/o equivalente.
IV.4. Resistencias fijas y variables de valores diferentes (de acuerdo a los clculos previos)
IV.5. Fuente de tensin continua 0-15V
IV.6. Cautn o Pistola de Soldar

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Tema: DISEO DE LA POLARIZACIN DE TRANSISTORES BJT
LAB N 4 Lab. CE1
JP: Ing. Juan Carlos Cuadros

V PROCEDIMIENTO
V.1. Auto polarizacin
V.1.1. Determine la polarizacin del transistor de la Figura 1, para un punto de trabajo I
CQ
= 5.5 mA y V
CEQ
= 6 V.
Datos: R
B
= _______ k, R
C
= _______ k, V
CC
=12V, Considere h
FE
= = hallado en el informe previo (I.2).



V.1.2. Construya el circuito utilizando resistencias de valores comerciales y recalcule el punto de trabajo con estos
valores. Luego mida experimentalmente los valores del punto de reposo y todas las variables elctricas del
circuito.

V.1.3. Anotar en una tabla los valores tericos y luego los valores prcticos o medidos para todas las variables
elctricas del circuito.

V.1.4. Contraste los resultados anteriores con los valores tomados en la simulacin. Comente los resultados.

Coloque aqu la tabla de valores tericos, prcticos o medidos y los valores de la simulacin tomados para todas las variables elctricas del circuito. Contraste y comente
los resultados.
Coloque aqu sus clculos tericos, necesarios para determinar la polarizacin solicitada.

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Tema: DISEO DE LA POLARIZACIN DE TRANSISTORES BJT
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JP: Ing. Juan Carlos Cuadros

V.2. Polarizacin por emisor

V.2.1. El circuito a implementar es el siguiente:



V.2.2. Repita los pasos del 1 al 4 realizados con el primer circuito, a fin de calcular los valores de las resistencias que
polaricen el BJT segn lo solicitado. Compare y saque conclusiones.

V.3. Polarizacin por Divisor de Tensin
V.3.1. El circuito a implementar es el siguiente:



V.3.2. Se debe calcular R
1
, R
2
, R
C
y R
E
para que en el punto de reposo se tenga:
I
CQ
= 1 mA, V
CEQ
= 5V, V
REQ
= 0.1V
CC
(Utilice R
E
= 1Kohm), V
CC
= 10 V
Para el clculo de R
1
y R
2
emplee una I
div
>= 10 I
base
.
Aproxime sus resultados con resistencias de valores comerciales en combinaciones serie y/o paralelo si es
necesario. Esto le permitir obtener ms fcilmente el punto de polarizacin deseado.
V.3.3. Repita los pasos seguidos en los circuitos anteriores. Compare y saque conclusiones.


Considere en su diseo el
criterio de que V
E
=0.1V
CC


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Tema: DISEO DE LA POLARIZACIN DE TRANSISTORES BJT
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JP: Ing. Juan Carlos Cuadros

VI CUESTIONARIO FINAL
VI.1. Dibuje las rectas de carga para cada una de los diseos del procedimiento y determine la zona de operacin del
transistor fijando el rango de variacin de las variables de salida. Qu variable y con qu valor determina la
saturacin del transistor? y el corte del transistor?
VI.2. Por qu las condiciones de corte y saturacin determinan la recta de carga para un circuito concreto?
VI.3. Por qu es inestable la polarizacin fija?
VI.4. Exponer en forma resumida el comportamiento del circuito de polarizacin fija y de auto polarizacin, ante un
posible incremento de .
VI.5. Exponer en forma resumida el comportamiento del circuito de polarizacin por divisor de tensin ante un posible
incremento de .
VI.6. Por qu es importante el tipo de polarizacin usada en un transistor?
VI.7. Cmo elegira un modo de polarizacin al implementar un amplificador sobre la base de transistores bipolares?

VII CONCLUSIONES

VII.1. Emita al menos cinco conclusiones entorno al trabajo de diseo de polarizacin de transistores BJT realizado en el
procedimiento

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