Universidad de Costa Rica

Facultad de Ingeniera
Escuela de Ingeniera Elctrica
Laboratorio Elctrico II IE-0408
Anteproyecto
Proyecto Final
Generador de tonos controlado a distancia
Grupo de Trabajo: 3
Profesor: Jaime Cascante
Grupo: 2
Daniel Hernndez Mndez B03027
Jess Arturo Quirs Fallas, B05014
Fecha de entrega: 13 de Mayo de 2014
ndice
1. Objetivos 1
2. Nota terica 2
2.1. Consideraciones para el diseo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.1.1. Emisor infrarrojo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.1.2. Transmisor Infrarrojo: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2.1.3. Receptor infrarrojo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1.4. Convertidor de frecuencia a Voltaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.2. Amplicador operacional como comparador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.3. Tonos Musicales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3. Lista de equipos 8
4. Lista de componentes 9
5. Diseo 15
5.1. I Parte: Emisor Infrarrojo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
5.2. II Parte: Receptor Infrarrojo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
5.3. III Parte : Sistema enganchado en frecuencia y tiempo . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
5.3.1. Convertidor de frecuencia a tensin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
5.3.2. Comparador de ventana . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
5.4. IV Parte: Generador de tonos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
6. Procedimiento 32
6.1. I Parte: Emisor Infrarrojo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
6.2. II Parte: Receptor Infrarrojo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
6.3. III Parte: Sistema enganchado en frecuencia y tiempo . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
6.4. IV Parte: Generador de tonos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
7. ANEXOS 35
7.1. Anexo A. Hoja del fabricante LM331 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
7.2. Anexo B. Hoja del frabricante LM555 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
7.3. Anexo C. Hoja del frabricante LM358 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
7.4. Anexo C. Hoja del frabricante 2N222 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
7.5. Anexo C. Datos del fabricante del par emisor y detector infrarrojo Radio Shack 276-142. 49
II
ndice de Figuras
1. LM555 en conguracin astable. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2. Distribucin espectral de un IRED [3]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
3. Circuito equivalente para el fototransistor [3]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
4. Diagrama de bloques para un PLL. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
5. Curva caracterstica del PLL. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
6. Comparador de ventana a partir de amplicadores operacionales. . . . . . . . . . . . 6
7. Diagrama de bloques. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
8. Circuito Generador de onda cuadrada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
9. Simulacin generador ondas cuadradas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
10. Acople del IRED. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
11. Simulacin IRED. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
12. Circuito emisor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
13. Circuito emisor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
14. Circuito Receptor infrarrojo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
15. Simulacin circuito receptor infrarrojo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
16. Conguracin propuesta para usar el LM331 como PLL [A]. . . . . . . . . . . . . . . . 25
17. Grco de la simulacin de la respuesta de la tensin en funcin de la frecuencia. . . 26
18. Conguracin propuesta para implementar el comparador de ventana. . . . . . . . . 27
19. Simulacin comparador de ventana. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
20. Circuito emisor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
21. Circuito emisor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
22. Datos del fabricante del par emisor y detector infrarrojo Radio Shack 276-142. . . . . 49
III
ndice de Tablas
1. Notas musicales y sus frecuencias. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2. Lista de Equipos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
3. Lista de Componentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
4. Lista de Componentes parte 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
5. Lista de Componentes parte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
6. Lista de Componentes parte 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
7. Lista de Componentes parte Generador de seales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
8. Valores de Resistencias para generar las distintas frecuencias . . . . . . . . . . . . . . 17
9. Tensiones debido a las frecuencias de seguimiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
10. Rango de tensiones de comparador de ventana . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
11. Potenciometros de comparador de ventana . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
12. Clculo de frecuencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
IV
IE0408 - Laboratorio Elctrico II Anteproyecto
1. Objetivos
Disear un emisor infrarrojo.
Disear un receptor infrarrojo.
Disear un sistema enganchado por frecuencia y tiempo.
Disear un circuito capaz de genera tonos a distintas frecuencias.
Aplicar el sistema de transmisin en una situacin prctica.
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2. Nota terica
2.1. Consideraciones para el diseo
2.1.1. Emisor infrarrojo
Este sistema est compuesto de un oscilador astable de ondas cuadradas, un amplicador ope-
racional en modo seguidor de tensin y un emisor infrarrojo (IRED).
Oscilador de ondas cuadradas LM555
Para el LM555 en conguracin astable, se usa el circuito mostrado en la gura 1.
Figura 1: LM555 en conguracin astable.
La frecuencia de la seal de salida se puede modelar mediante la ecuacin (6).
f =
1
(R
a
+ 2R
b
) Cln(2)
(1)
Donde para conseguir un ciclo de trabajo del 50 %se usan dos diodos, ya que cuando se carga el
capacitor C1 lo hace a travs del diodo D2 y cuando se descarga es a travs del diodo D1, entonces
para esta conguracin las ecuaciones que modelan la salida son:
T
1
= R
a
Cln(2) (2)
T
2
= R
b
Cln(2) (3)
Donde T1 y T2 son el tiempo en alto y bajo respectivamente. Luego para el ciclo de trabajo este
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se dene como:
D =
tiempoenalto
periodo
(4)
Por lo que:
D =
R
a
R
a
+ R
b
(5)
Entones para lograr D=0,5:
1/2 = R
a
/(R
b
+ R
b
) 2R
a
+ 2R
b
= R
a
R
a
= R
b
Oscilador de ondas cuadradas CD4047
Para el CD4047 en conguracin astable, la frecuencia de la seal de salida se puede modelar
mediante la ecuacin (6).
f =
1
4,40 R C
(6)
Amplicador operacional LM358
Es un circuito integrado compuesto por dos amplicadores operacionales internamente com-
pensados, independientes y de alta ganancia, los cuales fueron diseados para operar con una
fuente de alimentacin dentro de un amplio rango de tensiones. Los amplicadores operacionales
tambin pueden funcionar con fuentes de tensin separadas y con distinto valor de tensin [Anexo
**].
2.1.2. Transmisor Infrarrojo:
Los diodos emisores de infrarrojo (IRED) son dispositivos de arseniuro de galio de estado slido
que emiten un rayo de ujo radiante cuando se polarizan en forma directa. Cuando la unin es
polarizada directamente, los electrones de la regin n se recombinarn con el exceso de huecos
del material p en una zona de recombinacin especialmente diseada entre los materiales tipo n y
p.
Durante este proceso de recombinacin se irradia energa del dispositivo en forma de foto-
nes. Estos fotones generados sern reabsorbidos por la estructura o abandonarn la supercie del
dispositivo como energa radiante. El chip o estructura de unin p-n se monta en un colector en
depresin, el cual protege la frgil estructura de dao y reeja la radiacin ptica emitida desde los
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lados de la unin. El paquete incorpora una lente para dirigir el ujo ptico a un ngulo especco
[4]. El espectro de emisin de un IRED tpico se puede observar en la Figura 2.
Figura 2: Distribucin espectral de un IRED [3].
2.1.3. Receptor infrarrojo
Fototransistor
El fotodiodo es la base de los fototransistores, los cuales convierten el ujo ptico en una co-
rriente elctrica. La corriente inducida por el efecto fotoelctrico es equivalente a la corriente de
base en el transistor [4]. El circuito equivalente para un fototransistor se muestra en la Figura 3.
Figura 3: Circuito equivalente para el fototransistor [3].
2.1.4. Convertidor de frecuencia a Voltaje
Es un lazo de control, el cual sigue la frecuencia de una seal de entrada, se engancha a dicha
frecuencia. Realiza su enganche mediante una comparacin de fase entre la seal de entrada y una
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seal interna de referencia. Tiene dos salidas, una seal de tensin proporcional a la diferencia de
entre la frecuencia de la seal de interferencia y la frecuencia de la seal de entrada, y una seal de
la misma frecuencia que la entrada, regenada.
En la Figura 4 se presente el diagrama de bloques de un PLL donde se ve que toma una seal a la
cual compara su fase con una referencia interna, luego la ltra y amplica. De la salida se devuelve
la seal hacia un VCO el cual genera una frecuencia relacionada al nivel de DC que se tiene a la
salida.
Figura 4: Diagrama de bloques para un PLL.
En general para los PLL se tiene que la tensin proporcional a la que est siguiendo depende de
la frecuencia del VCO. Donde la frecuencia del VCO viene dada por la ecuacin (7). Donde
c
es la
frecuencia libre del VCO.

osc
= K
o
V
o
+
c
(7)
De manera que si el PLL est enganchado o est siguiendo la seal de
i
entonces la tensin de
salida est dada por la ecuacin (8).
V
o
=

i

c
K
o
(8)
En la Figura 5 se presenta la curva caracterstica del PLL, donde se dene Wc como la frecuencia
central o frecuencia de oscilacin libre. dWc el mbito de captura y dWL es el mbito de enganche.
Donde se ve cmo se relaciona la frecuencia de seguimiento a una tensin especca.
Figura 5: Curva caracterstica del PLL.
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El mbito de enganche o seguimiento de lazo es el rango de frecuencias de entrada que el PLL
puede seguir. Mientras que el rango de captura es el mbito de frecuencias en la cual el PLL se
puede enganchar a una seal de entrada. En general el rango de captura es menor al rango de
seguimiento.
2.2. Amplicador operacional como comparador
En el caso de los amplicadores operacionales, si se utilizan sin retroalimentacin negativa,
se tienen trabajando entonces de manera no lineal. En el caso de que no exista ninguna retroali-
mentacin, la ganancia ser excesiva y por lo tanto la salida del operador ser una seal saturada,
donde si la diferencia de las seales de entrada es positivia se tendr una saturacin positiva, pero
si la diferencia de las entrada es negativa entonces la saturacin ser negativa.
Si se conectan dos amplicadores operacionales en paralelo con la conguracin de la Figura 6
a partir de dos divisores de tensiones, se puede comparar una tensin de entrada contra un rango
de tensiones de los divisores de tensin. A partir de la polarizacin de los diodos.
Figura 6: Comparador de ventana a partir de amplicadores operacionales.
2.3. Tonos Musicales
Los tonos musicales estn representadas por frecuencias en Hz, entonces una onda a una fre-
cuencia determinada va a representar un tono musical. Cada tono de una escala musical bsica va
a tener una frecuencia distinta de acuerdo a la tabla 1.
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Tabla 1: Notas musicales y sus frecuencias.
Nota Frecuencia (Hz)
Si 493
La 440
Sol 392
Fa 349
Mi 330
Re 294
Do 261
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3. Lista de equipos
En la Tabla 2 se tiene la lista de equipos que se van a utilizar en esta prctica.
Tabla 2: Lista de Equipos
Equipo Sesin 1 Sesin 2 Sesin 3
Marca Modelo Placa Marca Modelo Placa Marca Modelo Placa
Osciloscopio
Medidor
Multifun-
cional
Generador
de Seales
Fuente DC
Fuente DC
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4. Lista de componentes
En la Tabla 3 se tiene la lista de componentes a utilizar en el proyecto.
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Tabla 3: Lista de Componentes
Nombre Sigla Valor terico
Resistor R1 1,2k
Resistor R2 560
Resistor R3 56
Resistor R4 220
Resistor R5 100k
Resistor R6 4,7M
Resistor R7 100k
Resistor R8 220k
Resistor R9 6,8k
Resistor R10 1k
Resistor R11 1k
Resistor R12 1k
Resistor R13 1k
Resistor R14 1k
Resistor R15 1k
Resistor R16 1k
Resistor R17 1k
Resistor R18 1k
Resistor R19 1k
Resistor R20 1k
Resistor R21 1k
Resistor R22 1k
Resistor R23 1k
Resistor R24 1k
Resistor R25 1k
Resistor R26 1k
Resistor R27 1k
Resistor R28 1k
Resistor R29 1k
Resistor R30 1k
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Tabla 4: Lista de Componentes parte 2
Nombre Sigla Valor terico
Resistor R31 1k
Resistor R32 1k
Resistor R33 1k
Resistor R34 1k
Resistor R35 1k
Resistor R36 1k
Resistor R37 1k
Resistor R38 1k
Resistor R39 1k
Resistor R40 1k
Resistor R41 1k
Resistor R42 1k
Potenciometro P1 10k
Potenciometro P2 10k
Potenciometro P3 10k
Potenciometro P4 5k
Potenciometro P5 5k
Potenciometro P6 5k
Potenciometro P7 5k
Potenciometro P8 5k
Potenciometro P9 5k
Potenciometro P10 5k
Potenciometro P11 5k
Potenciometro P12 1M
Potenciometro P13 1k
Potenciometro P14 1k
Potenciometro P15 1k
Potenciometro P16 1k
Potenciometro P17 1k
Potenciometro P18 1k
Potenciometro P19 1k
Potenciometro P20 1k
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Tabla 5: Lista de Componentes parte 3
Nombre Sigla Valor terico
Potenciometro P21 1k
Potenciometro P22 1k
Potenciometro P23 1k
Potenciometro P24 1k
Capacitor C1 27n
Capacitor C2 100n
Capacitor C3 10n
Diodo D1 1N4007
Diodo D2 1N4007
Diodo D3 1N4007
Diodo D4 1N4007
Diodo D5 1N4007
Diodo D6 1N4007
Diodo D7 1N4007
Diodo D8 1N4007
Diodo D9 1N4007
Diodo D10 1N4007
Diodo D11 1N4007
Diodo D12 1N4007
Diodo D13 1N4007
Diodo D14 1N4007
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Tabla 6: Lista de Componentes parte 4
Nombre Sigla Valor terico
Diodo Emisor de Luz LED1
Diodo Emisor de Luz LED2
Diodo Emisor de Luz LED3
Diodo Emisor de Luz LED4
Diodo Emisor de Luz LED5
Diodo Emisor de Luz LED6
Diodo Emisor de Luz LED7
Amplicador Operacional OP1 LM358
Amplicador Operacional OP2 LF353
Amplicador Operacional OP3 LF353
Amplicador Operacional OP4 LF353
Amplicador Operacional OP5 LF353
Amplicador Operacional OP6 LF353
Amplicador Operacional OP7 LF353
Amplicador Operacional OP8 LF353
Amplicador Operacional OP9 LF353
Boton B1
Boton B2
Boton B3
Boton B4
Boton B5
Boton B6
Boton B7
Transistor T1 2N2222
Multivibrador CD4047
Diodo IRED RS 276 143
Fototransistor T2 RS 276 142
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Tabla 7: Lista de Componentes parte Generador de seales
Nombre Sigla Valor terico
Diodo Emisor de Luz LED1
Diodo Emisor de Luz LED2
Diodo Emisor de Luz LED3
Diodo Emisor de Luz LED4
Diodo Emisor de Luz LED5
Diodo Emisor de Luz LED6
Diodo Emisor de Luz LED7
Transistor T1 2N2222
Transistor T1 2N2222
Transistor T1 2N2222
Transistor T1 2N2222
Transistor T1 2N2222
Transistor T1 2N2222
Transistor T1 2N2222
Multivibrador LM555
Resistor R43 10k
Resistor R44 3,3k
Resistor R45 3,9k
Resistor R46 4,7k
Resistor R47 2,7k
Resistor R48 5,6k
Resistor R49 5,6k
Resistor R50 560
Resistor R51 560
Resistor R52 560
Resistor R53 560
Resistor R54 560
Resistor R55 560
Resistor R56 560
Capacitor C1 10n
Capacitor C2 100n
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5. Diseo
El proyecto consiste bsicamente en controlar a distancia un generador de tonos mediante el
uso de comunicacin infrarroja. El generador de tonos corresponde un mini-piano, que va generar
los distintos tonos de acuerdo a las notas musicales. La idea es hacer uso de un emisor-receptor
infrarrojo para que se transmitan ondas a distintas frecuencias reconocibles por un PLL y que este
genere un tensin de salida determinada, la frecuencias a transmitir van a ser escogidas de acuerdo
a la pulsacin de botones. Luego esta tensin de salida va a ser procesada por diversos comparado-
res de ventana, uno por cada tono, que van a activar su salida cuando la salida del PLL se encuentre
dentro de sus respectivos umbrales, luego la salida de los comparadores van a activar los tonos de
un generador de ondas cuadradas produciendo el tono deseado.
El diagrama de bloques propuesta para la solucin es el siguiente:
Figura 7: Diagrama de bloques.
Donde:
Entrada: corresponde a pulsaciones de distintos botones.
Generador onda cuadrada: Implementado mediante un CD4047/LM555 que va a generar una
onda cuadrada a distintas frecuencias.
Emisor: va a corresponder a unIREDque va emitir una onda cuadrada a distintas frecuencias.
Receptor: compuesta por un fototransistor que va a recibir la onda cuadrada a distintas fre-
cuencias y amplicar su seal mediante amplicadores operacionales.
Convertidor Frecuencia a voltaje: Un PLL(LM331) que responda distintas frecuencias de en-
trada, generando una tensin de salida.
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Comparador: esta etapa esta compuesta por varios comparadores de ventana, que van a re-
cibir la seal de salida del PLL y compararla a diferentes umbrales de acuerdo a las distintas
frecuencias.
Generador de tonos: Generador de onda cuadra mediante un LM555 a distintas frecuencias
conocidas (tonos: Do, Re, Mi, Fa, Sol, La, Si), de acuerdo a las distintas salidas de los compa-
radores, que van a activar los tonos.
Salida: corresponde a parlante conectado a la salida del generador de tonos, reproduciendo
el sonido correspondiente a cada tono.
5.1. I Parte: Emisor Infrarrojo
Lo primero ser disear el generador de ondas cuadradas que genere frecuencias entre 1kHz y
7kHz con saltos de 1kHz, esto para activar las 7 notas, como se muestra en la gura8
Figura 8: Circuito Generador de onda cuadrada.
Se desea que la frecuencias de la seal estn entre 1kHz y 7kHz. Por lo que se asigna al capacitor
un valor de C
1
= 27nF y una resistencia R
g
= 1200 . Se hace uso de la ecuacin 6 para el calculo
de la resistencia R = R
g
+ R
f
y en la tabla 8 se muestran los valores para generar las diferentes
frecuencias.
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Frecuencia (kHz) Sigla Valor resistencia ( )
1 R
2
7217
2 R
3
3008
3 R
4
1065
4 R
5
904
5 R
6
483
6 R
7
202
7 R
8
2
Tabla 8: Valores de Resistencias para generar las distintas frecuencias
Por lo que para tener unos valores ms aproximados de estas resistencias se utilizaran Trimmers
en su lugar, as se asegura que las frecuencias sean lo ms cercanas a las tericas.
En la gura 9 se muestra la salida del CD4047 cuando se pulsa el botn SW-SPST1 de la gura
8, este esta diseado para que la frecuencia de salida sea f
out
= 1kHz, en la gura se observa que
T = 1, 01ms lo que implica una frecuencia de 997 por lo que se obtiene un error de 0, 3 %.
Figura 9: Simulacin generador ondas cuadradas.
Ahora de la parte del acople del IRED, esta se muestra en la gura 10.
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Figura 10: Acople del IRED.
Al aplicar Ley de Tensiones de Kirchhoff en la malla del colector al circuito de la gura 10 se
obtiene:
V
cc
V
D
V
Rc
V
ce,sat
= 0
R
c
=
V
cc
V
D
V
ce,sat
I
c
Entonces de las especicaciones de los compontes, con V
cc
= 9 V , I
cmax
= 150 mA, V
D
= 1, 28 V
y V
ce,sat
= 0, 4 V
R
c
=
9V 1, 28V 0, 4V
150x10
3
A
= 48, 8
Pero se pide considerar una la tolerancia del valor del resistor del 10 %. Para el valor encontrado
de Rc, esto equivale a 4, 88 . Si en el peor de los casos, el resistor presentara el mnimo valor de
tolerancia, las corrientes de base y colector de T1 aumentaran. Por esta razn, se utilizar un valor
de Rc que sea mayor que 48, 8 incluso cuando su valor sea el mnimo permitido. Esto signica:
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R
c
0, 1R
c
= 48, 8 R
C
= 54, 22
Ajustando a un valor comercial, se escoge R
c
= 56 .
Pero como este valor de resistencia es muy pequeo ser necesario, un clculo de potencia en
la resistencia:
P = I
2
R = (150mA)
2
56 = 1, 26 W
Con lo cual se requiere de al menos una resistencia de 2 W, o lo que se puede hacer es conectar
3 resistencias de 0,5 W en paralelo para dividir la corriente y no tener que usar resistencias de 2
W. Entonces se requieren 3 resistencias de 180 de 0,5 W en paralelo para lograr una resistencia
equivalente de de 60
Ahora aplicando Ley de Tensiones de Kirchhoff en la malla de la base del transistor para ajustar
el valor de Rb:
V
out,op
V
Rb
V
be
= 0
R
b
= (V
out,op
V
be
)/I
b
Tomando de las hojas del fabricante para el 2N222, V
be,sat
= 1, 3 V , V
out,op
= 9 V , que es la tensin
de salida del operacional. Para el caso de la corriente de base se trata de que esta sea menor a 20
mA, por lo que se escoge un valor de 15 mA, entonces
R
b
=
9V 1, 3V
15x10
3
A
= 513, 33
Ajustando a un valor comercial se escoge Rb = 560 .
Ahora para simular el circuito, se usa un LED en vez del IRED Radio Shack 276-143:
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Figura 11: Simulacin IRED.
Como se ve de la gura 11 las corrientes se encuentran dentro de los limites establecidos.
Ahora el circuito completo del emisor se muestra en la gura 12
Figura 12: Circuito emisor.
Y su simulacin correspondiente:
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Figura 13: Circuito emisor.
Donde se observa en la gura 13, que la corriente pulsante a traves del IRED es una onda cua-
drada a frecuencia de 6 kHz.
5.2. II Parte: Receptor Infrarrojo
En esta parte para disear el circuito receptor infrarrojo activado por la seal que enva el emi-
sor IRED, se trata capturar la seal emitida por el IRED mediante el fotodetector Radio Shack 276-
142 para que opere encorte y saturacina frecuencias entre 1kHz y 7kHz. Enla gura 14 se muestra
el circuito para el diseo del Receptor.
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Figura 14: Circuito Receptor infrarrojo.
Se tiene que como requisito de diseo que la corriente IC del Radio Shack 276-142 no supere el
90 %de la especicada por el fabricante (anexo **) la cual es de 50 mA, pero como se puede ver enla
gura 14 la corriente Ic del fotodetector es la misma que atraviesa el resistor Ro y el potencimetro
P1 Considerando como el peor caso que el valor del potencimetro sea de cero, entonces el resistor
Ro debe limitar la corriente Ic, entonces se tiene que de la malla:
V
cc
V
p1
V
Ro
V
ce
= 0
Pero tomando el valor del potencimetro igual a cero se tiene:
R
o
=
V
cc
V
ce,sat
I
c
Pero como el valor de V
ce,sat
no se especica, este se considera despreciable, V
cc
= 9 V y ajustan-
do la corriente de colector a I
c
= 40 mA
R
o
=
9V
40mA
= 225
Ajustando a valor comercial Ro = 220 .
Analizando la potencia de la resistencia Ro:
P = I
2
R
o
= (40mA)
2
220 = 0, 35 W
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Por lo que bastara que Ro sea una resistencia de 0,5 W.
Para el potencimetro P1, su funcin es ajustar la sensibilidad del fototransistor y para ello se
elije un potencimetro de 5k .
Ahora el capacitor C1, su funcin es desacoplar la seal percibida, ya que esta puede tener un
valor DC el cual no es deseado, entonces se disea el ltro RC que se forma en Ro+P1 y C1, a una
frecuencia de 6 kHz:
C =
1
2fR
=
1
2 6kHz 220
= 121 nF
Ajustando a valor comercial C
1
= 100 nF.
Ahora de la gura 14 se nota que los amplicadores LF353, ambos estn trabajando como in-
versores, por lo tanto se sabe que:
V
R3
=
R
2
R
1
V
i
Pero adems:
V
1
=
P
2
R
3
V
R3
Combinando las dos anteriores ecuaciones para obtener la expresion para la salida nal de esta
etapa:
V
1
=
R
2
P
2
R
1
R
3
V
i
Con valores de:
R
2
= 4, 7 M
P
2
= 1 M
R
1
= R
3
= 100 k
Se tiene que:
V
1
= 470V
i
Ya con los componentes diseados, sigue la simulacin obtenida usando TINA, pero debido a
que no se cuenta con el opto-transistor, este se cambia por un transistor BJT 2N2222, con una limi-
tacin en su corriente de base, adems se utiliz un generador de ondas cuadradas con amplitud 1
V y frecuencia en 6 kHz, para simular el emisor infrarrojo:
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Figura 15: Simulacin circuito receptor infrarrojo.
De la gura 15 se nota que la seal de salida V1 es una seal cuadrada tiene una frecuencia de 6
kHz.
5.3. III Parte : Sistema enganchado en frecuencia y tiempo
5.3.1. Convertidor de frecuencia a tensin
Para convertir las seales de frecuencia a seales de tensin se utiliza un LM331 el cual es un
VCOpero tiene la caracterstica de que se puede utilizar como un convertidor frecuencia a tensin.
Para esto se utiliza la conguracin propuesta por Texas Instrument en su hoja del fabricante. Di-
cha conguracin se presenta en la Figura 16.
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Figura 16: Conguracin propuesta para usar el LM331 como PLL [A].
En la misma Figura 16 se presenta la frmula que se utiliza con dicha conguracin para poner
a trabajar el LM331 como PLL. Dicha frmula se presenta en la ecuacin (9).
V
out
= f
in
2, 09
Rl
Rs
R
t
C
t
(9)
As que para los propsitos de este experimento las frecuencias que se desean seguir estn entre
1kHz y 7kHz. Se alimentar con9 Vel LM331. Por lo tanto se centrara enla frecuencia de 4kHz para
una tensin de 5V . Se utiliza la ecuacin 9 para calcular los valores de R
L
, R
s
, R
t
y C
t
. Si denimos
los valores de R
L
= 220k , R
s
, R
t
= 6800 y C
t
= 10nF
5 = 4000 2, 09
220000
R
s
6800 0, 01x10
6
R
s
= 2500 (10)
Por lo que para las frecuencias que se deben seguir se tienen las tensiones que se muestran en
la tabla 9.
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Frecuencia (kHz) Tensin (V )
1 1,25
2 2,5
3 3,75
4 5
5 6,25
6 7,5
7 8,75
Tabla 9: Tensiones debido a las frecuencias de seguimiento
Figura 17: Grco de la simulacin de la respuesta de la tensin en funcin de la frecuencia.
5.3.2. Comparador de ventana
Para esta parte la idea es utilizar un comparador de ventana para cada una de las tensiones de
la tabla 9 el cual active un transistor cuando la entrada este en el rango del comparador de ventana,
este rango de tensiones se muestra en la tabla 10.
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Frecuencia (kHz) Rango de Tensin V
min
-V
max
(V )
1 1,1 - 1,5
2 2,3 - 2,7
3 3,6 - 3,9
4 4,8 - 5,2
5 6,1 - 6,4
6 7,3 - 7,7
7 8,6 - 8,9
Tabla 10: Rango de tensiones de comparador de ventana
En la Figura 18 se presenta la conguracin propuesta para el comparador de ventana,
Figura 18: Conguracin propuesta para implementar el comparador de ventana.
En el circuito de la Figura 18 los dos LF353 son los amplicadores operacionales que se usan
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como los comparadores de ventana, enconjunto conlos dos diodos 1N4002. Se alimenta el circuito
con 9 V y - 9 V tal y cmo se puede ver fcilmente. La tensin de entrada se conecta a la terminal
positiva de U2 y a la negativa de U6. Mientras que en la terminal negativa del U2 se conecta a un
divisor de tensin de V
max
el cual es el lmite superior de la ventana, y a la terminal positiva del U6
se conecta con un divisor de tensin a V
min
el cual sera el lmite inferior de la ventana.
Cuando la tensin de entrada del circuito es menor a los V
min
, U2 tiene saturacin negativa
por lo cual no polariza a D1, y U6 tiene saturacin positiva por lo cual polariza a D2 y VF1 puede
entregar corriente. Cuando la tensin de entrada del circuito es mayor a V
min
, U2 tiene saturacin
positiva por lo cual polariza a D1.
En el caso de que la tensin de entrada VG1 se encuentre en el intervalo de [V
min
,V
max
] U2 y U6
tendrn saturacin negativa y no polarizarn ningn diodo.
Para obtener los divisores de tensiones de acuerdo con los valores para las ventanas se buscan
los valores de P1 y P2 de la Figura 18 en las ecuaciones (??) a (12).
V
max
=
R1
R1 + P1
9V =
1000
1000 + P1
9 (11)
V
min
=
R2
R2 + P2
9V =
1000
1000 + P2
9 (12)
Ahora realizando los clculos de las ecuaciones 11 y 12 se obtienen los valores de los potencio-
metros para los siete comparadores de ventana, esos datos se muestran en la tabla 11.
Frecuencia (kHz) Rango de Tensin V
min
-V
max
(V ) P1 () P2 ()
1 1,1 - 1,5 5000 7181
2 2,3 - 2,7 2333 2913
3 3,6 - 3,9 1307 1500
4 4,8 - 5,2 730 875
5 6,1 - 6,4 384 475
6 7,3 - 7,7 168 232
7 8,6 - 8,9 11 46
Tabla 11: Potenciometros de comparador de ventana
En la gura 19 se muestra un ejemplo del circuito comparador de ventana para una para un
rango entre 1, 1V 1, 5V .
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Figura 19: Simulacin comparador de ventana.
5.4. IV Parte: Generador de tonos
Generador de tonos Para implementar el generador de tonos, esto se hace simplemente me-
diante un LM555, que va a generar una onda cuadrada a distintas frecuencias. Para variar la fre-
cuencia de la onda de salida del LM555 se recuerda la ecuacin (6), donde la frecuencia depende
las resistencias y capacitancia, por lo que al variar uno de estos varia la frecuencia, por facilidad
se escoge la resistencia R1, debido a la variedad de valores de resistencias comerciales. El circuito
diseado para esta etapa es el siguiente:
Figura 20: Circuito emisor.
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Donde se trata de un LM555 en conguracin astable, y cada resistencia va a ser activada por
transistores trabajando en corte y saturacin. El potencimetro P1 va a justar la primera resistencia
al valor de la primera nota, y adems va a servir para ajustar las dems notas en caso de que disten
mucho las frecuencias para los valores calculados de resistencias, ya que todas estn resistencias
estn conectadas en serie, desde P1 hasta R7.
Enla base de los transistores va ir conectada la salida de los comparadores, pero conresistencias
de 560 conectadas limitar la corriente de base asegurndose de que los transistores funciones en
corte y saturacin.
Ahora lo que sigue es disear los valores de componente para calcular las frecuencias de salida,
para ello se escoge:
C = 100nF
Rb = 10k
Entonces, haciendo uso de la ecuacin (6), y de la tabla 1, se calculan los valores de resistencias
que van a ser usadas para generar las frecuencias, los valores calculados se muestran en la tabla 12.
Tabla 12: Clculo de frecuencias
Nota Frecuencia (Hz) Resistencia () Frecuencia calculada (Hz) Porcentaje error ( %)
Si 493 9,2k 493,1 0,02
La 440 3,3k 443,1 0,7
Sol 392 3,9k 395,6 0,92
Fa 349 4,7k 350,4 0,4
Mi 330 2,7k 328,8 0,36
Re 294 5,6k 291,5 0,85
Do 261 5,6k 261,8 0,31
A la salida del LM555 se conecta un speaker de 8 junto con un capacitor de 47 uF en serie para
eliminar el posible valor DC en la salida.
Ahora una simulacin del funcionamiento del circuito anterior, para la nota Fa, energizando la
base del transistor, la onda de salida se muestra en la gura 21.
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Figura 21: Circuito emisor.
Se nota que la frecuencia de salida es:
f =
1
2, 86ms
= 349, 65 Hz
Comparada a la frecuencia de 349 Hz terica del Fa, se nota como se alcanza la frecuencia para la
cual fueron diseados los componentes.
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6. Procedimiento
6.1. I Parte: Emisor Infrarrojo
1. Revisar que el osciloscopio se encuentre funcionando correctamente as como el multmetro
tenga carga.
2. Medir los valores de los componentes.
3. Armar el circuito de la gura 12.
4. Ajustar la tensin de las dos fuentes de alimentacin a 9 V y vericar que sean 9 V.
5. Comprobar el funcionamiento del oscilador CD4047 y vericar que su salida sea una onda
cuadrada a las frecuencias diseadas, tomar capturas de la seal en el osciloscopio.
6. Ahora conectar la salida del oscilador a la etapa del emisor infrarrojo y capturar su seal de
salida con ayuda del osciloscopio.
7. Medir la corriente del colector y vericar que se encuentre dentro de los lmites del IRED.
8. No desarmar el circuito, pues se es necesario para la siguiente parte.
6.2. II Parte: Receptor Infrarrojo
1. Armar la conguracin mostrada en la gura 14, teniendo cuidado de usar una fuente de
alimentacin distinta a la de la parte del emisor. Trabajar en una Protoboard aparte.
2. Acoplar el emisor infrarrojo IRED con el fotodetector a una distancia prudente.
3. Con ayuda del osciloscopio capturar la seal de salida procedente del fototransistor.
4. Vericar que la corriente de colector se encuentre dentro de los lmites aceptados para el
fototransistor.
5. Variar el potencimetro para ajustar la sensibilidad del fotodetector.
6. Capturar la seal de salida de la etapa de amplicaciny vericar que sea la seal amplicada
esperada, ajustar la ganancia mediante el potencimetro.
7. No desarmar el circuito anterior armado.
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6.3. III Parte: Sistema enganchado en frecuencia y tiempo
1. Trabajando enla misma proto boardque el receptor infrarrojo, pruebe primeramente la etapa
del convertidor de frecuencia a voltaje realice esto con un barrido en frecuencias probando
la respuesta de salida en volts dependiendo de la frecuencia. Compare lo obtenido con lo
presentado en la teora en la Figura 17.
2. Observe lo que sucede en la terminal 6 del LM311, Qu sucede en particular?
3. Conectar los comparadores de ventana, y probar que se cumplen los valores de los divisores
de tensiones. Comprobar que los diodos sirven segn la lgica del comparador.
4. Comprobar que los transistores se encuentran trabajando en saturacin y corte.
5. Conectar el circuito del sealizador y comprobar la tensin en el divisor de tensiones.
6. Finalmente acoplar los circuitos de emisor receptor infrarrojos.
6.4. IV Parte: Generador de tonos
1. Armar el circuito de la gura 20.
2. Comprobar que las frecuencias seanlas correctas y calibrar hasta que se alcancenlas frecuen-
cias deseadas.
3. Acoplar este circuito a la salida de los comparadores.
4. Conectar la salida del receptor infrarrojo a el sistema enganchado de frecuencia (con todo
conectado entre s) y revisar que el emisor infrarrojo controle correctamente el generador de
tonos.
5. Probar el funcionamiento de todo el sistema, mediante la pulsacin de los botones en el emi-
sor.
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Referencias
[1] Karris, S. (2005). Electronic Devices and Amplier Circuits with MATLAB Applications. U.S.A.:
Orchad Publications.
[2] Abarca Caldern, F. (2013). Documentos electrnicos dados en el curso de Electrnica II. U.C.R.
S.J., Costa Rica.
[3] Marn Naranjo, L. D. (2009). Introduccin a la optoelectrnica: Acople ptico con infrarrojo.
LAFTLA. Escuela de Ingeniera Elctrica, Universidad de Costa Rica.
[4] Boylestad, R. y Nashelsky, L. (1997). Electrnica: Teora de Circuitos. 5 ed. Prentice Hall.
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7. ANEXOS
7.1. Anexo A. Hoja del fabricante LM331
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L M 2 3 1 , L M 3 3 1
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These devices have limited built-in ESD protection. The leads should be shorted together or the device placed in conductive foam
during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.
Absolute M aximumRatings
(1 ) (2 ) (3 )
Supply Voltage, V
S
40V
Output Short Circuit to Ground Continuous
Output Short Circuit to V
CC
Continuous
Input Voltage 0.2V to +V
S
Package Dissipation at 25C 1.25W
(4)
Lead Temperature (Soldering, 10 sec.)
PDIP 260C
ESD Susceptibility
(5)
500V
(1) Absolute Maximum Ratings indicate limits beyond which damage to the device may occur. DC and AC electrical specifications do not
apply when operating the device beyond its specified operating conditions.
(2) All voltages are measured with respect to GND = 0V, unless otherwise noted.
(3) If Military/Aerospace specified devices are required, please contact the TI Sales Office/Distributors for availability and specifications.
(4) The absolute maximum junction temperature (T
J
max) for this device is 150C. The maximum allowable power dissipation is dictated by
T
J
max, the junction-to-ambient thermal resistance (
JA
), and the ambient temperature T
A
, and can be calculated using the formula
P
D
max = (T
J
max - T
A
) /
JA
. The values for maximum power dissipation will be reached only when the device is operated in a severe
fault condition (e.g., when input or output pins are driven beyond the power supply voltages, or the power supply polarity is reversed).
Obviously, such conditions should always be avoided.
(5) Human body model, 100 pF discharged through a 1.5 k resistor.
Operating Ratings
(1 )
Operating Ambient Temperature
LM231, LM231A 25C to +85C
LM331, LM331A 0C to +70C
Supply Voltage, V
S
+4V to +40V
(1) All voltages are measured with respect to GND = 0V, unless otherwise noted.
Package Thermal Resistance
Package
J-A
8-Lead PDIP 100C/W
Electrical Characteristics
All specifications apply in the circuit of Figure 16, with 4.0V V
S
40V, T
A
=25C, unless otherwise specified.
Parameter Conditions M in Typ M ax Units
4.5V V
S
20V 0.003 0.01 % Full- Scale
VFC Non-Linearity
(1)
T
MIN
T
A
T
MAX
0.006 0.02 % Full- Scale
VFC Non-Linearity in Circuit of Figure 15 V
S
= 15V, f = 10 Hz to 11 kHz 0.024 0.14 %Full- Scale
Conversion Accuracy Scale Factor (Gain)
LM231, LM231A V
IN
= 10V, R
S
= 14 k 0.95 1.00 1.05 kHz/V
LM331, LM331A 0.90 1.00 1.10 kHz/V
Temperature Stability of Gain
LM231/LM331 T
MIN
T
A
T
MAX
, 4.5V V
S
20V 30 150 ppm/C
LM231A/LM331A 20 50 ppm/C
4.5V V
S
10V 0.01 0.1 %/V
Change of Gain with V
S
10V V
S
40V 0.006 0.06 %/V
Rated Full-Scale Frequency V
IN
= 10V 10.0 kHz
Gain Stability vs. Time (1000 Hours) T
MIN
T
A
T
MAX
0.02 % Full- Scale
(1) Nonlinearity is defined as the deviation of f
OUT
from V
IN
(10 kHz/10 V
DC
) when the circuit has been trimmed for zero error at 10 Hz
and at 10 kHz, over the frequency range 1 Hz to 11 kHz. For the timing capacitor, C
T
, use NPO ceramic, Teflon

, or polystyrene.
2 Submit Documentation Feedback Copyright 19992013, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Links: LM231 LM331
L M 2 3 1 , L M 3 3 1
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Electrical Characteristics (continued)
All specifications apply in the circuit of Figure 16, with 4.0V V
S
40V, T
A
=25C, unless otherwise specified.
Parameter Conditions M in Typ M ax Units
Over Range (Beyond Full-Scale) Frequency V
IN
= 11V 10 %
INPUT COM PARATOR
Offset Voltage 3 10 mV
LM231/LM331 T
MIN
T
A
T
MAX
4 14 mV
LM231A/LM331A T
MIN
T
A
T
MAX
3 10 mV
Bias Current 80 300 nA
Offset Current 8 100 nA
V
CC
2.
Common-Mode Range T
MIN
T
A
T
MAX
0.2 V
0
TIM ER
Timer Threshold Voltage, Pin 5 0.63 0.667 0.70 V
S
Input Bias Current, Pin 5 V
S
= 15V
All Devices 0V V
PIN 5
9.9V 10 100 nA
LM231/LM331 V
PIN 5
= 10V 200 1000 nA
LM231A/LM331A V
PIN 5
= 10V 200 500 nA
V
SAT PIN 5
(Reset) I = 5 mA 0.22 0.5 V
CURRENT SOURCE (Pin 1 )
Output Current
LM231, LM231A R
S
= 14 k, V
PIN 1
= 0 126 135 144 A
LM331, LM331A 116 136 156 A
Change with Voltage 0V V
PIN 1
10V 0.2 1.0 A
Current Source OFF Leakage
LM231, LM231A, LM331, LM331A 0.02 10.0 nA
All Devices T
A
= T
MAX
2.0 50.0 nA
Operating Range of Current (Typical) (10 to 500) A
REFERENCE VOL TAGE (Pin 2 )
LM231, LM231A 1.76 1.89 2.02 V
DC
LM331, LM331A 1.70 1.89 2.08 V
DC
Stability vs. Temperature 60 ppm/C
Stability vs. Time, 1000 Hours 0.1 %
L OGIC OUTPUT (Pin 3 )
I = 5 mA 0.15 0.50 V
V
SAT I = 3.2 mA (2 TTL Loads), T
MIN
T
A

0.10 0.40 V
T
MAX
OFF Leakage 0.05 1.0 A
SUPPL Y CURRENT
V
S
= 5V 2.0 3.0 4.0 mA
LM231, LM231A
V
S
= 40V 2.5 4.0 6.0 mA
V
S
= 5V 1.5 3.0 6.0 mA
LM331, LM331A
V
S
= 40V 2.0 4.0 8.0 mA
Copyright 19992013, Texas Instruments Incorporated Submit Documentation Feedback 3
Product Folder Links: LM231 LM331
L M 2 3 1 , L M 3 3 1
SNOSBI2B JUNE 1999REVISED MARCH 2013 www.ti.com
In the simple circuit of Figure 18, this current is filtered in the network R
L
= 100 k and 1 F. The ripple will be
less than 10 mV peak, but the response will be slow, with a 0.1 second time constant, and settling of 0.7 second
to 0.1% accuracy.
In the precision circuit, an operational amplifier provides a buffered output and also acts as a 2-pole filter. The
ripple will be less than 5 mV peak for all frequencies above 1 kHz, and the response time will be much quicker
than in Figure 18. However, for input frequencies below 200 Hz, this circuit will have worse ripple than Figure 18.
The engineering of the filter time-constants to get adequate response and small enough ripple simply requires a
study of the compromises to be made. Inherently, V-to-F converter response can be fast, but F-to-V response
can not.
*Use stable components with low temperature coefficients.
See APPLICATIONS INFORMATION.
**This resistor can be 5 k or 10 k for V
S
=8V to 22V, but must be 10 k for V
S
=4.5V to 8V.
***Use low offset voltage and low offset current op-amps for A1: recommended types LF411A or LF356.
Figure 1 7. Precision Voltage-to-Frequency Converter,
1 00 kHz Full-Scale, 0.03 % Non-L inearity
*Use stable components with low temperature coefficients.
Figure 1 8. Simple Frequency-to-Voltage Converter,
1 0 kHz Full-Scale, 0.06% Non-L inearity
10 Submit Documentation Feedback Copyright 19992013, Texas Instruments Incorporated
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IE0408 - Laboratorio Elctrico II Anteproyecto
7.2. Anexo B. Hoja del frabricante LM555
Escuela de Ingeniera Elctrica 39 de 49 Universidad de Costa Rica
L M 5 5 5
www.ti.com SNAS548CFEBRUARY 2000REVISED MARCH 2013
Electrical Characteristics
(1) (2)
(T
A
= 25C, V
CC
= +5V to +15V, unless otherwise specified)
L imits
Parameter Test Conditions L M 5 5 5 C Units
M in Typ M ax
Supply Voltage 4.5 16 V
Supply Current V
CC
= 5V, R
L
= 3 6
mA
V
CC
= 15V, R
L
= 10 15
(Low State)
(3)
Timing Error, Monostable
Initial Accuracy 1 %
Drift with Temperature R
A
= 1k to 100k, 50 ppm/C
C = 0.1F,
(4)
Accuracy over Temperature 1.5 %
Drift with Supply 0.1 %/V
Timing Error, Astable
Initial Accuracy 2.25 %
Drift with Temperature R
A
, R
B
= 1k to 100k, 150 ppm/C
C = 0.1F,
(4)
Accuracy over Temperature 3.0 %
Drift with Supply 0.30 %/V
Threshold Voltage 0.667 x V
CC
Trigger Voltage V
CC
= 15V 5 V
V
CC
= 5V 1.67 V
Trigger Current 0.5 0.9 A
Reset Voltage 0.4 0.5 1 V
Reset Current 0.1 0.4 mA
Threshold Current
(5)
0.1 0.25 A
Control Voltage Level V
CC
= 15V 9 10 11
V
V
CC
= 5V 2.6 3.33 4
Pin 7 Leakage Output High 1 100 nA
Pin 7 Sat
(6)
Output Low V
CC
= 15V, I
7
= 15mA 180 mV
Output Low V
CC
= 4.5V, I
7
= 4.5mA 80 200 mV
Output Voltage Drop (Low) V
CC
= 15V
I
SINK
= 10mA 0.1 0.25 V
I
SINK
= 50mA 0.4 0.75 V
I
SINK
= 100mA 2 2.5 V
I
SINK
= 200mA 2.5 V
V
CC
= 5V
I
SINK
= 8mA V
I
SINK
= 5mA 0.25 0.35 V
(1) All voltages are measured with respect to the ground pin, unless otherwise specified.
(2) Absolute Maximum Ratings indicate limits beyond which damage to the device may occur. Operating Ratings indicate conditions for
which the device is functional, but do not ensure specific performance limits. Electrical Characteristics state DC and AC electrical
specifications under particular test conditions which ensures specific performance limits. This assumes that the device is within the
Operating Ratings. Specifications are not ensured for parameters where no limit is given, however, the typical value is a good indication
of device performance.
(3) Supply current when output high typically 1 mA less at V
CC
= 5V.
(4) Tested at V
CC
= 5V and V
CC
= 15V.
(5) This will determine the maximum value of R
A
+ R
B
for 15V operation. The maximum total (R
A
+ R
B
) is 20M.
(6) No protection against excessive pin 7 current is necessary providing the package dissipation rating will not be exceeded.
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L M 5 5 5
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Figure 14. Time Delay
ASTABL E OPERATION
If the circuit is connected as shown in Figure 15 (pins 2 and 6 connected) it will trigger itself and free run as a
multivibrator. The external capacitor charges through R
A
+ R
B
and discharges through R
B
. Thus the duty cycle
may be precisely set by the ratio of these two resistors.
Figure 15 . Astable
In this mode of operation, the capacitor charges and discharges between 1/3 V
CC
and 2/3 V
CC
. As in the
triggered mode, the charge and discharge times, and therefore the frequency are independent of the supply
voltage.
Figure 16 shows the waveforms generated in this mode of operation.
V
CC
= 5V Top Trace: Output 5V/Div.
TIME = 20s/DIV. Bottom Trace: Capacitor Voltage 1V/Div.
R
A
= 3.9k
R
B
= 3k
C = 0.01F
Figure 16. Astable Waveforms
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L M 5 5 5
www.ti.com SNAS548CFEBRUARY 2000REVISED MARCH 2013
The charge time (output high) is given by:
t
1
= 0.693 (R
A
+ R
B
) C (1)
And the discharge time (output low) by:
t
2
= 0.693 (R
B
) C (2)
Thus the total period is:
T = t
1
+ t
2
= 0.693 (R
A
+2R
B
) C (3)
The frequency of oscillation is:
(4)
Figure 17 may be used for quick determination of these RC values.
The duty cycle is:
(5)
Figure 17. Free Running Frequency
FREQUENCY DIVIDER
The monostable circuit of Figure 12 can be used as a frequency divider by adjusting the length of the timing
cycle. Figure 18 shows the waveforms generated in a divide by three circuit.
V
CC
= 5V Top Trace: Input 4V/Div.
TIME = 20s/DIV. Middle Trace: Output 2V/Div.
R
A
= 9.1k Bottom Trace: Capacitor 2V/Div.
C = 0.01F
Figure 18. Frequency Divider
PUL SE WIDTH M ODUL ATOR
When the timer is connected in the monostable mode and triggered with a continuous pulse train, the output
pulse width can be modulated by a signal applied to pin 5. Figure 19 shows the circuit, and in Figure 20 are
some waveform examples.
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IE0408 - Laboratorio Elctrico II Anteproyecto
7.3. Anexo C. Hoja del frabricante LM358
Escuela de Ingeniera Elctrica 43 de 49 Universidad de Costa Rica
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
Rev. 1.0.2
Features
Internally Frequency Compensated for Unity Gain
Large DC Voltage Gain: 100dB
Wide Power Supply Range:
LM258/LM258A, LM358/LM358A: 3V~32V (or 1.5V
~ 16V)
LM2904 : 3V~26V (or 1.5V ~ 13V)
Input Common Mode Voltage Range Includes Ground
Large Output Voltage Swing: 0V DC to Vcc -1.5V DC
Power Drain Suitable for Battery Operation.
Description
The LM2904,LM358/LM358A, LM258/LM258A consist of
two independent, high gain, internally frequency
compensated operational amplifiers which were designed
specifically to operate from a single power supply over a
wide range of voltage. Operation from split power supplies
is also possible and the low power supply current drain is
independent of the magnitude of the power supply voltage.
Application areas include transducer amplifier, DC gain
blocks and all the conventional OP-AMP circuits which now
can be easily implemented in single power supply systems.
8-DIP
8-SOP
1
1
Internal Block Diagram
-
+
+
-
1
2
3
4 5
6
7
8 VCC
OUT2
IN2 (-)
IN2 (+)
OUT1
IN1 (-)
IN1 (+)
GND
LM2904,LM358/LM358A,LM258/
LM258A
Dual Oper at i onal Ampl i f i er
LM2904,LM358/LM358A,LM258/LM258A
3
Electrical Characteristics
(Vcc = 5.0V, VEE = GND, TA = 25C, unless otherwise specified)
Note:
1. This parameter, although guaranteed, is not 100% tested in production.
Parameter Symbol Conditions
LM258 LM358 LM2904
Unit
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.
Input Offset
Voltage
VIO
VCM = 0V to VCC
-1.5V
VO(P) = 1.4V,
RS = 0
- 2.9 5.0 - 2.9 7.0 - 2.9 7.0 mV
Input Offset
Current
IIO - - 3 30 - 5 50 - 5 50 nA
Input Bias
Current
IBIAS - - 45 150 - 45 250 - 45 250 nA
Input Voltage
Range
VI(R)
VCC = 30V
(LM2904, VCC=26V)
0 -
Vcc
-1.5
0 -
Vcc
-1.5 0 -
Vcc
-1.5 V
Supply Current ICC
RL = , VCC = 30V
(LM2904, VCC=26V)
- 0.8 2.0 - 0.8 2.0 - 0.8 2.0 mA
RL = , VCC = 5V - 0.5 1.2 - 0.5 1.2 - 0.5 1.2 mA
Large Signal
Voltage Gain
GV
VCC = 15V,
RL= 2k
VO(P) = 1V to 11V
50 100 - 25 100 - 25 100 - V/mV
Output Voltage
Swing
VO(H) VCC=30V
(VCC
=26V for
LM2904)
RL = 2k 26 - - 26 - - 22 - - V
RL=
10k
27 28 - 27 28 - 23 24 - V
VO(L) VCC = 5V, RL= 10k - 5 20 - 5 20 - 5 20 mV
Common-Mode
Rejection Ratio
CMRR - 70 85 - 65 80 - 50 80 - dB
Power Supply
Rejection Ratio
PSRR - 65 100 - 65 100 - 50 100 - dB
Channel
Separation
CS
f = 1kHz to 20kHz
(Note1)
- 120 - - 120 - - 120 - dB
Short Circuit to
GND
ISC - - 40 60 - 40 60 - 40 60 mA
Output Current
ISOURCE
VI(+) = 1V,
VI(-) = 0V
VCC = 15V,
VO(P) = 2V
20 30 - 20 30 - 20 30 - mA
ISINK
VI(+) = 0V, VI(-) = 1V,
VCC = 15V,
VO(P) = 2V
10 15 - 10 15 - 10 15 - mA
VI(+) = 0V,VI(-) =1V ,
VCC = 15V,
VO(P) = 200mV
12 100 - 12 100 - - - - A
Differential
Input Voltage
VI(DIFF) - - - VCC - - VCC - - VCC V
IE0408 - Laboratorio Elctrico II Anteproyecto
7.4. Anexo C. Hoja del frabricante 2N222
Escuela de Ingeniera Elctrica 46 de 49 Universidad de Costa Rica
1997 May 29 2
Philips Semiconductors Product specication
NPN switching transistors 2N2222; 2N2222A
FEATURES
High current (max. 800 mA)
Low voltage (max. 40 V).
APPLICATIONS
Linear amplification and switching.
DESCRIPTION
NPN switching transistor in a TO-18 metal package.
PNP complement: 2N2907A.
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 emitter
2 base
3 collector, connected to case
Fig.1 Simplified outline (TO-18) and symbol.
handbook, halfpage
MAM264
1
3
2
3
1
2
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
V
CBO
collector-base voltage open emitter
2N2222 60 V
2N2222A 75 V
V
CEO
collector-emitter voltage open base
2N2222 30 V
2N2222A 40 V
I
C
collector current (DC) 800 mA
P
tot
total power dissipation T
amb
25 C 500 mW
h
FE
DC current gain I
C
= 10 mA; V
CE
= 10 V 75
f
T
transition frequency I
C
= 20 mA; V
CE
= 20 V; f = 100 MHz
2N2222 250 MHz
2N2222A 300 MHz
t
off
turn-off time I
Con
= 150 mA; I
Bon
= 15 mA; I
Boff
= 15 mA 250 ns
1997 May 29 4
Philips Semiconductors Product specication
NPN switching transistors 2N2222; 2N2222A
CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise specied.
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
I
CBO
collector cut-off current
2N2222 I
E
= 0; V
CB
= 50 V 10 nA
I
E
= 0; V
CB
= 50 V; T
amb
= 150 C 10 A
I
CBO
collector cut-off current
2N2222A I
E
= 0; V
CB
= 60 V 10 nA
I
E
= 0; V
CB
= 60 V; T
amb
= 150 C 10 A
I
EBO
emitter cut-off current I
C
= 0; V
EB
= 3 V 10 nA
h
FE
DC current gain I
C
= 0.1 mA; V
CE
= 10 V 35
I
C
= 1 mA; V
CE
= 10 V 50
I
C
= 10 mA; V
CE
= 10 V 75
I
C
= 150 mA; V
CE
= 1 V; note 1 50
I
C
= 150 mA; V
CE
= 10 V; note 1 100 300
h
FE
DC current gain I
C
= 10 mA; V
CE
= 10 V; T
amb
= 55 C
2N2222A 35
h
FE
DC current gain I
C
= 500 mA; V
CE
= 10 V; note 1
2N2222 30
2N2222A 40
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage
2N2222 I
C
= 150 mA; I
B
= 15 mA; note 1 400 mV
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; note 1 1.6 V
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage
2N2222A I
C
= 150 mA; I
B
= 15 mA; note 1 300 mV
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; note 1 1 V
V
BEsat
base-emitter saturation voltage
2N2222 I
C
= 150 mA; I
B
= 15 mA; note 1 1.3 V
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; note 1 2.6 V
V
BEsat
base-emitter saturation voltage
2N2222A I
C
= 150 mA; I
B
= 15 mA; note 1 0.6 1.2 V
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; note 1 2 V
C
c
collector capacitance I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz 8 pF
C
e
emitter capacitance I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 500 mV; f = 1 MHz
2N2222A 25 pF
f
T
transition frequency I
C
= 20 mA; V
CE
= 20 V; f = 100 MHz
2N2222 250 MHz
2N2222A 300 MHz
F noise gure I
C
= 200 A; V
CE
= 5 V; R
S
= 2 k;
f = 1 kHz; B = 200 Hz
2N2222A 4 dB
IE0408 - Laboratorio Elctrico II Anteproyecto
7.5. Anexo C. Datos del fabricante del par emisor y detector infrarrojo Radio
Shack 276-142.
Figura 22: Datos del fabricante del par emisor y detector infrarrojo Radio Shack 276-142.
Escuela de Ingeniera Elctrica 49 de 49 Universidad de Costa Rica