1

UMA ANLISE DOS MODELOS DE PARA-RAIOS UTILIZADOS PARA

SIMULAO NO ATP

L. S. Marroques
1
, L. M.Peres
1
, M. L. R. Chaves
1
, G. C. Guimares
1
,
1
Universidade Federal de Uberlndia, Faculdade de Engenharia Eltrica, Uberlndia Minas Gerais
marroques.lucas@gmail.com, larissaa_mp@yahoo.com.br, lynce@ufu.br, gcaixeta@ufu.br


Resumo - Este artigo trata de uma anlise dos modelos
de para-raios utilizados em simulaes para definio do
nvel de proteo. So abordados os modelos j existentes
dentro do programa ATP/ATPDraw, e outros modelos
propostos. Aps esse embasamento terico, simulaes
comparativas de alguns modelos sero feitas para se
apreciar as diferenas de comportamento, com dois tipos
de forma de onda de descarga de corrente.

Palavras-Chave - ATP/ATPDraw, sobretenses, para-
raios, simulao digital, suportabilidade dieltrica.

AN ANALYSIS OF MODELS OF SURGE
ARRESTERS USED FOR SIMULATION ON
ATP

Abstract - This paper deals with the analysis of models
of surge arresters used in simulations to define the level
of protection. It covers the existing models within the
program ATP/ATPDraw, and other models. After this
theoretical background, comparative simulations of some
models will be made to appreciate the differences in the
behavior, with two types of waveform discharge current.
1
Keywords - ATP/ATPDraw, distributed generation,
speed governor, synchronous machine, voltage regulator.
I. INTRODUO
Em funo das grandes sobretenses e respectivos grandes
esforos dieltricos presentes no sistema, surgidos a partir de
descargas atmosfricas, o estudo desse fenmeno rpido,
porm capaz de destruir diversos equipamentos e inutilizar
parte do sistema por um perodo de tempo, muito
importante [1].
Normalmente, para se proteger o sistema contra esse
fenmeno da natureza, so utilizados para-raios prximos aos
equipamentos e em conexes de linhas.
Um caso especial e com uma relativa dificuldade, a
alocao de para-raios na ligao da gerao elica com o
sistema, tem-se a uma conexo de cabos subterrneos com
linhas areas, a diferena de impedncia entre eles faz surgir
um ponto de reflexo do surto, podendo at dobrar o valor do



mesmo, isso pode acarretar a uma superao do limite de
suportabilidade dieltrica dos equipamentos do local.
Diversos esforos na tentativa de observar uma boa
alocao de para-raios nesses sistemas baseiam-se na
utilizao de programas computacionais que trabalham no
domnio do tempo, em especial, o EMTP/ATP.
Uma grande preocupao a modelagem desse
dispositivo. Existem dentro do ATP trs modelos de ramos
no lineares para esse fim. Existem tambm outros modelos
mais sofisticados, com um funcionamento baseado em
teorias com detalhes rebuscados. Trs desses modelos se
sobressaem dos demais por sua aceitao e melhores
resultados. Dois desses so baseados no outro, mas com
diferenas facilmente visveis e justificveis.
O principal embasamento desses outros modelos que os
para-raios tm um comportamento dinmico, dependente da
frequncia. Eles so significantes em estudos que abrangem
descargas atmosfricas e outros surtos de frente de onda
rpida. Essa caracterstica se deve ao fato de que o valor de
tenso nos terminais do para-raios inversamente
proporcional ao tempo de subida da onda de surto de
corrente. Essa tenso cresce conforme o pico da corrente seja
atingido mais rpido. E ao fato de que a tenso atinge o seu
pico antes de a corrente atingir o seu. Os pontos de mximo
das duas curvas no esto no mesmo tempo. Essa
caracterstica interessante e relevante para alguns estudos
de coordenao de isolamento [2].
Diante dessa caracterstica, alguns modelos de para-raios
surgiram com base na dependncia da frequncia,
diferenciando-se no arranjo, no clculo e no ajuste de
parmetros. Para se validar um tipo de modelo com essa
base, interessante que se faa simulaes comparativas com
surtos de corrente, com formas de onda do tipo 1/2s e
8/20s. J para surtos de manobra a caracterstica do surto
utilizada a de 36x90s.
II. TIPOS DE MODELOS DISPONVEIS PARA
SIMULAO
O grupo de estudos do IEEE produziu uma modelagem de
para-raios no ATP a partir de informaes de caractersticas
de varistores de xido de zinco. As informaes acerca das
caractersticas e faixas de operao do equipamento devem
ser obtidas no catlogo do fabricante.

A. Modelo para simulao proposto pelo I EEE

Esse modelo possui dois resistores no lineares A0 e A1,
separados por um filtro R-L, existe ainda outro filtro R-L e
uma capacitncia nos terminais do para-raios. Quando
simulado um surto de frente de onda lenta, o filtro apresenta
uma impedncia muito baixa e os resistores so praticamente
2

ligados em paralelo. E quando simulado um surto de frente
de onda rpida, a impedncia do filtro j se torna
significante, causando uma distribuio de correntes
diferente, fazendo passar pelo ramo A0, com maior
resistncia, uma parcela maior de corrente, o que resulta
numa tenso residual maior no para-raios [3].


Fig. 1. Modelo de dependncia com a frequncia recomendado pelo
IEEE.

Para se definir o valor de cada parmetro existem
equaes, baseadas nas dimenses do para-raios e no nmero
de colunas de materiais de xido de zinco. Os resistores tem
a tarefa de evitar o erro da integral numrica, j L0
representa os campos magnticos existentes na vizinhana do
para-raios e C a capacitncia entre os terminais do para-raios.
As equaes a seguir so utilizadas para encontrar tais
valores:

L1 = 15 d/n H (1)
R1 = 65 d/n (2)
L0 = 0,2 d/n H (3)
R0 = 100 d/n H (4)
C = 100 d/n pF (5)

Onde, d a altura do para-raios em metros e n o nmero
de colunas paralelas de material xido metlico.
A Tabela I apresenta a caracterstica no linear do para-
raios.
Tabela I Caractersticas do elemento no linear
Corrente(kA)


Tenso A0
(pu)

Tenso A1 (pu)

0,01 1,40 -
0,1 1,54 1,23
1 1,68 1,36
2 1,74 1,43
4 1,80 1,48
6 1,82 1,50
8 1,87 1,53
10 1,90 1,55
12 1,93 1,56
14 1,97 1,58
16 2,00 1,59
18 2,05 1,60
20 2,10 1,61

Tal procedimento pode apresentar valores para esses
parmetros distantes do ideal, esse o principal problema do
mtodo, deve-se lembrar de que para obter-se uma boa
relao da dinmica do para-raios em relao frequncia do
surto o principal parmetro L
1
.
Algumas concluses importantes foram feitas a partir
desse mtodo. Como por exemplo, o aumento de tenso para
a diminuio do tempo de frente de onda do surto de corrente
de 8s para 1,3s, de aproximadamente de 6%. Outra
concluso a de que um bom modelo para um para-raios,
que retrate esse efeito dinmico deve ter bons resultados para
surtos de corrente com tempos para o pico de 0,5 a 45s.

B. Modelo para simulao proposto por Pinceti

Esse modelo derivado do modelo IEEE e surgiu para
facilitar a obteno dos parmetros, a principal premissa dele
de que todos os dados necessrios so informados pelos
fabricantes no catlogo, e que no precisa se utilizar de
processos iterativos a fim de corrigir os parmetros.

Fig. 2. Modelo Pinceti de dependncia com a frequncia.

As mudanas desse modelo para o modelo IEEE so
facilmente vistas, a capacitncia, em paralelo aos terminais,
foi retirada, as duas resistncias em paralelo aos indutores
foram realocadas por uma em paralelo aos terminais, com
valor em mdia de 1M. O princpio de operao do modelo
em relao frequncia do surto muito prximo do modelo
IEEE.
Os erros obtidos por esse mtodo entre os valores de
tenso residual, simulados com base no modelo e os medidos
no equipamento so menores que 4,5% para correntes de
descarga com tempos de subida entre 1 e 30s. O erro
aumenta consideravelmente quando esses tempos so abaixo
de 8s [4].
A definio das caractersticas dos resistores no lineares
baseada nas curvas abaixo, e a varivel para defini-las
U
In,8/20.


Fig. 3. Caracterstica no linear dos resistores variveis, a
tenso dada em p.u.
Para se encontrar os valores das indutncias em H
devem-se usar as seguintes equaes:

(6)

(7)
3

Onde V
n
a tenso nominal do para-raios, V
r1/T2
a tenso
residual para uma descarga de 10kA da forma 1/T2 s. E
V
r8/20
a tenso residual para uma descarga de 10 kA da
forma 8/20 s.
No so utilizados parmetros fsicos do para-raios,
somente dados eltricos, essa a principal diferena desse
modelo em relao a outras propostas.

C. Modelo para simulao proposto por Fernndez

Outro modelo baseado no modelo IEEE, que prope
simplificaes para o clculo dos parmetros o modelo
Fernndez.

Fig. 4. Modelo Fernndez de dependncia com a frequncia.

Nesse modelo a indutncia L0 desprezada e a nica
indutncia presente est entre os resistores no lineares. H
apenas uma resistncia entre os terminais do para-raios para
eliminar problemas numricos de oscilao. A razo entre as
correntes circulantes pelos resistores no lineares deve ser
constante por toda a escala de tenso devido s
caractersticas do varistor, e deve ser igual a 0,02, um valor
timo para simulaes. Dessa forma para surtos com frente
de onda rpida o aumento da tenso residual se deve
unicamente do valor de L.
Atravs de curvas pr-definidas pode-se determinar o
valor de L, com base no valor de 0,02 para aquela razo. O
aumento da tenso residual depende do valor de L e do
tempo de frente de onda do surto. O procedimento para se
adquirir os valores do modelo est descrito resumidamente a
seguir. Os dados necessrios so obtidos facilmente junto ao
fabricante, no necessrio qualquer clculo iterativo e para
surtos com tempo de subida entre 1s e 8s, o erro
apresentado pelo mtodo de 1,7% no valor da tenso
residual [5].

1- Com a tenso residual U
In,8/20
para correntes de descarga
I
n8/20
, calcular a caracterstica no linear para A
0
e A
1
,
levando em considerao a razo constante e igual a
0,02 entre I
0
e I
1
e ainda que a soma de I
0
e I
1
seja igual
a I
n8/20
em todos os pontos da curva.


Fig. 5. Caracterstica dos elementos no lineares.

2- Calcula-se o percentual de aumento da tenso residual
(U
res
%) para a corrente nominal do para-raios:

(8)

Onde U
In,8/20
a tenso residual para uma descarga de
corrente nominal, e que U
In,T1
a tenso residual para uma
descarga de corrente com um tempo de frente T
1
e amplitude
nominal. Com o valor de U
res
% e T
1,
encontre o valor de L
1

nos grficos abaixo.



Fig. 6. Seleo de curvas. (a) tipo 5kA (b) tipo 10kA

3- Determinar um fator de escala t definido pela
equao abaixo e tabela II, que mostra os valores de
tenso residual para diferentes descargas.




(9)

Tabela II Tenses residuais mximas para elementos de 1kV e
descarga nominal de 5 e de 10 kA.
Tenso
residual (kV)
(5 kA)
Tenso
residual (kV)
(10 kA)
Descarga de
corrente
(A)
2,87 2,73 1500
3,07 2,90 3000
3,27 3,07 5000
3,60 3,33 10000
4,27 3,77 20000
5,30 4,53 40000

4- Com o valor da indutncia L1 e com o fator de escala t,
calcula-se a indutncia de todo componente no linear
dada por:

L = t.L1 (10)

4


5- A capacitncia pode ser determinada por:

(11)

Onde n o nmero de colunas em paralelo e d a altura
do para-raios.

6- A resistncia do resistor R de 1M para sistemas de
tenses mdias, e de 10M para sistemas com tenses
maiores. Essa resistncia evita oscilaes numricas em
simulaes digitais

D. Resistncia pseudo no linear tipo 99 no ATP

Essa resistncia definida por um grupo de cartes de
dados. Um carto ramo tipo 99 utilizado com os parmetros
VFLASH, TDELAY, JUMP e VSEAL, todos relacionados
com o flashover no gap interno do elemento e com a
interrupo de passagem de corrente por zero. Esse carto
mostrado a seguir:


Fig. 7. Carto de entrada de dados do tipo 99.

VFLASH a tenso de flashover. O ramo tipo 99 um
circuito aberto at que a tenso em seus terminais, em valor
absoluto, exceda esse valor de VFLASH. Desse momento em
diante, torna-se um ramo fechado at que a corrente que
passa pelo ramo chega zero. TDELAY o intervalo de
tempo para o qual o ramo fica fechado, dada ocorrncia de
um flashover. O ramo voltar a ser aberto quando a corrente
passar por zero aps o tempo TDELAY. JUMP a marca o
incio da operao. VSEAL uma grandeza usada como
alternativa para abertura do ramo, ao invs de a corrente se
igualar a zero o gap ficar aberto quando a tenso entre os
terminais do ramo chegar a um valor absoluto, esta estratgia
evita o erro de operao desse elemento.
A caracterstica no linear VxI especifica ponto a ponto.
Ela informa a corrente no elemento em ordem crescente,
sempre por um par ordenado de tenso e corrente, isso
atravs de um carto. A origem o ponto (0,0), um ponto
implcito, que o usurio deve saltar. Como essa caracterstica
deve ser simtrica, no se podem utilizar valores negativos, e
deve-se respeitar o mnimo de dois pontos, j que um nico
ponto caracteriza um comportamento linear [6].
O pensamento de que quando o nmero de segmentos da
caracterstica se aproxima de infinito, a preciso da
modelagem tambm se aproxima errneo para essa
modelagem. Um nmero grande de segmentos significa que
a operao pode ocorrer no segmento errado, levando ao
erro.
Caso o usurio deseje o flash do elemento somente uma


vez, a opo SINGLE FLASH deve ser denotada a partir da
coluna 33 no carto 9999. Essa opo considerada
somente uma vez e no primeiro elemento na ordem de
entrada no ATP, inserido em um mesmo conjunto de dados.


E. Para-raios de surtos ZnO exponencial tipo 92

Essa modelagem de um para-raios de xido de zinco
baseada em uma equao em que se admite que ele seja
restritamente resistivo e altamente no linear. Essa equao
est descrita a seguir:

(12)


Onde i a corrente no para-raios, V a tenso, p, V
ref
e q
so constantes que definem o dispositivo.
O valor da tenso de referncia usual o dobro do valor
da tenso nominal, ou outro valor prximo, esse parmetro
serve para normalizar a equao e sugere um ponto flutuante
numrico durante a exponenciao. Ou seja, as constantes
inerentes do para-raios so p e q.
A caracterstica intrnseca dos para-raios que deve ser
mantida em uma modelagem a no linearidade VxI. Ela
pode ser aproximada por um nmero de segmentos
exponenciais.
Nessa representao podem ser includos para-raios do
tipo com gaps, em srie ou paralelo, que necessitam de dois
conjuntos de segmentos exponenciais, e do tipo sem gaps,
que necessitam de um conjunto de segmentos exponenciais.
Existe um programa especial o ZnO Fitter, que faz a escolha
dos exponenciais adequadas.
Existem casos em que os valores de tenso so menores
que a tenso de referncia. Nesses casos, os valores de
corrente que passam pelo dispositivo so muito pequenos, e
para evitar-se problemas numricos usa-se o modelo linear
nessas simulaes.
No segundo grupo de cartes encontramos as variveis de
controle V
ref
, V
flash
, V
zero
e Col. V
ref
a tenso de referncia,
em volts, da equao do ZnO. V
flash
a tenso de necessria
para ocorrer um flashover no gap. Se o para-raios for do tipo
sem gap, qualquer nmero negativo deve ser colocado neste
campo. V
zero
a tenso inicial do para-raios na mesma
unidade de V
ref
. Na maioria dos casos deixado em branco e,
dessa forma, a interao de Newton inicia-se com corrente
zero. COL o nmero de colunas paralelas da caracterstica.
Caso esse campo fique em branco ou for digitado zero ou
unidade no mesmo, ento uma coluna considerada e a
caracterstica ser utilizada sem modificao. Mas para COL
positivo, a constante p para todos os cartes seguintes ser
multiplicada por COL durante a entrada de dados, antes da
armazenagem e posterior utilizao [7].
No terceiro grupo de cartes os segmentos exponenciais
que caracterizam o para-raios so especificados. Toda
caractersticas devem finalizar com o carto especial 9999,
nas colunas de 22 a 25.

5

Fig. 8. Carto de entrada de dados do tipo MOV.

COEF o coeficiente p da equao para modelagem, sua
unidade amperes. EXPON o expoente q da equao,
adimensional. VMIN a tenso mnima para a utilizao da
caracterstica preestabelecida, em por unidade da tenso
tendo como base a V
ref
.
Os cartes dos segmentos exponenciais so colocados em
ordem crescente de corrente. Se existirem hastes
centelhadoras no para-raios, devem aparecer as
caractersticas de pr e ps flashover.

F. Resistncia verdadeira no linear tipo 92 no ATP

Esse tipo de ramo se baseia no mtodo de soluo que
utiliza o mtodo iterativo de Newton, feita a soluo
verdadeira de um sistema de equaes. A diferena desse
ramo 4444 para o ramo 5555, que este representa a no
linearidade entre dois pontos consecutivos, tem-se na
verdade uma exponencial entre os mesmos, j o ramo 4444
apresenta uma reta entre dois pontos consecutivos da curva
no linear.
A especificao do elemento tipo 92, 4444 obedece a
seguinte formatao dos cartes de dados:
Esse carto abaixo o primeiro e obrigatrio, pois
representa o elemento no linear.
Os parmetros N1 ao N4, so os mesmos j definidos
anteriormente. NFLASH um controle do gap interno do
elemento, com valor +1 para a ocorrncia de flashover e
abertura do gap somente uma vez, com valor 0 para
considerar a ocorrncia de flashover e abertura do gap tantas
vezes quantas forem requeridas pelas condies do circuito,
com valor -1 para considerar a ocorrncia de flashover
apenas uma vez mantendo o gap fechado continuamente.
Nesse caso no h interrupo de gap [8].
O segundo grupo de cartes dever ser omitido se for
utilizada a opo de referncia.


Fig. 9. Carto de entrada de dados do tipo 92.

R-LIN uma resistncia linear conectada em srie com o
ramo no linear. V-FLASH a tenso de flashover do gap
em volts. Se o elemento no possuir gap, ento um valor
negativo deve ser denotado neste campo. V-ZERO a tenso
inicial do mtodo iterativo do ramo. Se este campo deixado
em branco, ento o mtodo iterativo de Newton parte da
corrente zero, o que, usualmente satisfatrio. Finalmente,
os cartes a seguir especificam a caracterstica no linear VxI
ponto a ponto que terminada com um carto 9999 para a
corrente. O usurio pode especificar a caracterstica
completa, incluindo pontos negativos do terceiro quadrante,
se a caracterstica no for simtrica em relao origem.
III. SIMULAES E RESULTADOS
As simulaes sero feitas no programa ATP/ATPDraw,
com uma descarga atmosfrica atingindo uma linha, cujo
modelo o distribudo com linhas transpostas, com os
seguintes parmetros:

R = 0,05 /km
L = 1,0 mH/km
C = 11,11 nF/km

A simulao ter um tempo de integrao de 1,75 ns, e um
tempo mximo de 200 s. A linha tem 10 km de
comprimento. E o para-raios de 132 kV. Pode-se calcular a
partir desses valores uma impedncia caracterstica de 300.
A Tabela III apresenta a caracterstica no linear do para-
raios.

Tabela III Valores da curva VxI do para-raios

Tenso (V)


Corrente (A)



114000 0,001
132000 0,002
242600 100
267500 1000
311000 10000
342100 20000
376300 40000
391900 50000


Esses valores sero utilizados para todos os tipos de
modelos.
A fonte de corrente empregada a fonte de surto do tipo
15, com valor de crista de 20 kA, ter-se- dois tipos de
simulao, com tempo de crista de 8 s e tempo de cauda de
20 s, e com tempo de crista de 1,2 s e tempo de cauda de
50 s.
As simulaes obtidas so baseadas nos modelos do ATP,
visto a facilidade de simulao desses mtodos perante
outros, e sua eficincia quando de trabalhos para definir
nveis de proteo.
O tipo 99 foi o primeiro caso a ser simulado, conforme
figura abaixo.


Fig. 10. Circuito com modelo de para-raios tipo 99.

O segundo caso simulado o tipo MOV.
6


Fig. 11. Circuito com modelo de para-raios tipo MOV.

A convergncia desse modelo s foi possvel aps a
retirada de cinco pontos da curva, restando apenas trs, os de
valores de corrente de 10, 20 e 40 kA. E o ltimo caso o
modelo tipo 92 verdadeiro no linear.

Fig. 12. Circuito com modelo de para-raios tipo 92 verdadeiro no
linear.

Agora sero apresentados os resultados dos valores de
tenso das simulaes, primeiramente, com uma descarga da
forma de 8/20 s, salienta-se que a curva de corrente foi
multiplicada por um fator 20.


Fig. 13. Resultados para uma descarga de 20kA da forma 8/20 s.

E os resultados dos valores de tenso dessas simulaes
para uma descarga da foram de 1,2/50 s, lembrando que a
curva de corrente foi multiplicada por um fator 10.

Fig. 14. Resultados para uma descarga de 20kA da forma 1,2/50
s.

IV. CONCLUSES
Em funo dos grficos apresentados, podem-se observar
as diferenas de valores de tenso no tempo para tais
descargas. As diferenas so pequenas entre os modelos,
menores ainda entre os tipos 99 e 92, as curvas ficam
praticamente superpostas. Nesse aspecto qualquer um desses
modelos passvel de ser utilizado, lembrando que o mtodo
de clculo do modelo pseudo-no linear, apresenta uma
probabilidade de erro numrico menor, pois, faz clculos
aproximados e no exatos. Cada passo de integrao
representado por um segmento linear, a soluo de cada passo
utilizada no prximo, tal ao leva a um pequeno erro que
aceitvel para solues de engenharia.

AGRADECIMENTOS
Este trabalho recebeu apoio financeiro do Ministrio da
Educao por meio da CAPES - Coordenao de
Aperfeioamento de Pessoal de Ensino Superior, e tambm
apoio institucional da Universidade Federal de Uberlndia.


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