Laboratorio 3

Transistor Bipolar
3.1. Objetivos
Estudiar el funcionamiento del transistor bipolar en las diferentes regiones de trabajo.
Interpretar la informacion sobre el transistor que dan las hojas de caractersticas.
Encontrar el punto de funcionamiento de un transistor graca y analticamente.
Aplicar diferentes modelos teoricos al tratamiento de circuitos con transistores deacuerdo a las carac-
tersticas del circuito especco y vericar su bondad experimentalmente.
3.2. Introducci on
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales (base, colector y emisor) compuesto por dos uniones
de material semiconductor pn. Deacuerdo a la disposicion fsica de las uniones, los transistores bipolares se
clasican como npn o pnp. En el caso del transistor npn, el emisor es un material semiconductor tipo n, la base
es tipo p y el colector es tipo n; la estructura fsica del transistor pnp es analoga a la anterior cambiando las
regiones tipo p por n y las n por p, como se muestra en el esquema mostrado en la Fig. 1.
Existen varias aproximaciones teoricas para modelar el comportamiento del transistor: Transistor idealizado,
modelo de ganancia de corriente en emisor com un, modelo difusivo de Ebers-Moll, entre otros. Estos modelos
tienen rangos de validez de acuerdo a la conguracion, polarizacion y region de funcionamiento, vease por ejem-
plo Fig. 2.
El modelo de trabajo en esta practica es el presentado en la Fig. 2b, En este modelo, La union base-emisor
y base-colector son modeladas con diodos por los cuales pasan las corrientes i
BE
e i
BC
en paralelo con los
Figura 1. Transistores bipolares. a) Transistor npn. b) Transistor pnp.
1
2 LABORATORIO 3. TRANSISTOR BIPOLAR
Figura 2. Modelos para un transistor npn. a) Modelo idealizado. b) Modelo de ganancia de corriente en emisor com un.
Figura 3. Conguraciones tpicas del transistor. a) Base com un. b) Emisor com un. c) Colector com un.
condensadores Ce y Cc respectivamente. Entre el colector y el emisor se tiene una fuente de corriente
F
i
BE

R
i
BC
dependiente de los valores de i
BE
e i
BC
. Las constantes
F
y
R
son especcas de cada transistor y se
denominan ganancia de corriente en emisor com un en directa e inversa respectivamente. Para el transistor npn
las corrientes i
BE
e i
BC
, deacuerdo a las caractersticas de voltaje y corriente para el diodo vienen dadas por:
i
BE
= i
SE
(e
v
BE
/V
T
1) (3.1)
i
BC
= i
SC
(e
v
BC
/V
T
1) (3.2)
Con V
T
= KT/q la tension termica, i
SE
e i
SC
las corrientes inversas de saturacion de los diodos. Para transis-
tores pnp, el sentido de los diodos y las corrientes son contrarios a los del transistor npn.
La region de operacion y el punto de trabajo del transistor quedan determinados por la red de polarizacion, es
decir, el arreglo electrico que establece los voltajes y corrientes en sus terminales. El transistor tipo npn esta po-
larizado directamente cuando las uniones emisora y colectora estan polarizadas positivamente (v
BE
y v
BC
son
positivos) y para el transistor pnp, cuando dichas uniones estan polarizadas negativamente. El transitor puede
trabajar en la region activa linealmente o como amplicador y en la region de corte y saturacion como interrup-
tor. Existen algunas conguraciones tpicas del transistor bipolar denominadas base com un, emisor com un y
colector com un, reriendose al terminal del transistor que es com un a la entrada y a la salida, como se presenta
en la Fig. 3
En esta practica, se trabajara con transistores del tipo npn en conguracion de emisor com un.
3.3. Transistor en Continua y baja Frecuencia
Para transistores polarizados con corriente directa o de baja frecuencia, los condensadores Cc y Ce en el modelo
de ganancia de corriente en emisor com un, pueden despreciarse debido a que una vez cargados, por ellos no
circula corriente o es muy peque na y el modelo (Fig. 2b) se reduce a dos diodos y una fuente independiente.
A continuaci on las relaciones de voltaje y corriente mediante las curvas caractersticas en conguracion de emisor
com un y la metodologa para el analisis de este tipo de circuitos.
3.3. TRANSISTOR EN CONTINUA Y BAJA FRECUENCIA 3
3.3.1. Curvas caractersticas del transistor en conguracion de emisor com un
Para la conguracion del transistor mostrada en la Fig. 4a, la entrada esta formada por los terminales base y
emisor y la salida por por el colector y el emisor (notese que el terminal com un a la entrada y la salida es el
emisor). La relacion de volteje v
BE
y corriente de entrada i
B
se presenta en las curvas caractersticas de entrada
y analogamente para el voltaje v
CE
y la corriente i
C
de la salida, en las curvas caractersticas de salida. En la
Fig. 4b, se muestra el circuito equivalente para ser analizaado en las diferentes regiones de trabajo del transistor.
Figura 4. Transistor npn en emisor com un. a) Corrientes y voltajes. b) Modelo de la conguracion.
Trabajo en la region activa
La region activa se caracteriza por que v
BE
> 0 y v
BC
< 0 es decir, el diodo de emisor esta polarizado
directamente y el diodo de colector inversamente, por lo que este ultimo puede aproximarse a un circuito
abierto haciendo nula la corriente i
BC
, deacuerdo al modelo mostrado en la Fig. 5, se obtiene entonces:
i
B

= i
BE
(3.3)
i
C

=
F
i
BE
=
F
i
B
(3.4)
Figura 5. Modelo del transistor en la regi on activa. a) Circuito equivalente b) Circuito aproximado.
La caracterstica de entrada en este modelo es la curva del diodo emisor que es independiente de v
CE
y la
caracterstica de salida corresponde a rectas horizontales que dependen del parametro i
B
, ver Fig 6. Aqu
F
tiene el signifacado fsco de ganancia de corriente en la conguracion emisor com un. Este analisis permite
visualizar la naturaleza unidireccional del transistor, la salida queda determinada por la entrada, pero no al
contrario.
4 LABORATORIO 3. TRANSISTOR BIPOLAR
Figura 6. Curvas caractersticas de entrada y salida, deacuerdo con el modelo de la Fig. 5
por ultimo, la corriente de emisor en la region activa es:
i
E
= i
c
+i
B
= (
F
+ 1)i
B
(3.5)
i
E
=

F
+ 1

i
C
=
1

F
i
C
(3.6)
Donde el parametro
F
tienen signicado fsico de ganancia de corriente en la conguracion de base com un.
Este parametro tiene un valor muy cercano a la unidad, por lo que normalmente se considera que la corriente
de emisor es aproximadamente igual a la de colector.
Trabajo en la region de corte
En el modo de corte, las corrientes i
BE
y i
BC
son nulas y por ende tambien lo sera i
C
. En las curvas caraac-
tersticas de salida, la region de corte corresponde al semieje positivo de abscisas ya que i
C
es nula y la union
colectora est a polarizada inversamente (Fig. 7a).
Trabajo en la region de saturacion
En saturacion, v
BE
y v
BC
son positivos, el modelo de la Fig. 2b no puede simplicarse ya que los dos diodos
conducen y la corriente de colector es:
i
C
=
F
i
BE

R
i
BC
i
BC
= i
s
(e
v
BE
/V
T
1)
i
s

R
(e
v
BC
/V
T
1) (3.7)
en la region activa, i
C
=
F
i
B
que corresponde al primer termino de la ecuacion 3.7. Cuando se va incrementando
v
BC
, el segundo termino de la ecuacion 3.7 toma importancia y hace que la corriente de colector primero
disminuya y luego cambie de signo. S
R
fuera la unidad, la corriente de colector sera nula para v
BC
igual a
v
BE
, es decir, v
CE
nulo. Como
R
es menor que la unidad, v
CE
es algo mayor qu cero cuando i
C
sea igua a
cero. Como la curva caracterstica se traza para un valor de i
B
, v
BE
es constante; por esto la disminucion de i
C
tendra una dependencia exponencial recpecto a v
CE
(v
CE
= v
CB
+v
BE
). La curva caracterstica en saturacion se
puede aproximar casi a una linea recta, como se muestra en la Fig. 6. Se considera que en saturacion v
BE
= 0,2V
(ver Fig. 7b).
3.4. TRANSISTORES POLARIZADOS EN CONTINUA 5
Figura 7. a) Modelo del transistor en corte. b) Modelo del transistor en saturaci on.
Para el estudiante
Averiguar como se comporta el transistor trabajando en la region inversa.
Consultar las curvas caractersticas de un transistor real (por ejemplo el 2n222) y discutir las diferencias
respecto a las curvas caractersticas del modelo teorico aqu presentado.
3.4. Transistores Polarizados en Continua
Se quieren conocer las corrientes y voltajes en los terminales del transistor, es decir las variables: i
B
, i
C
, i
E
y
v
CB
, v
CE
, v
BE
. Este conjunto de variables estan relacionadas por las leyes de Kirchhof de la siguiente forma:
i
E
= i
C
+i
B
(3.8)
v
CE
= v
CB
+v
BE
(3.9)
Tal que se reduce en dos el n umero de incognitas en el problema. Ademas, en la aproximacion ideal, las ecuaciones
propias del transistor, donde la juntura BE se considera como un diodo, establecen en la region activa:
i
C
= i
B
y v
BE
= 0,7V (3.10)
con parametro de ganancia en emisor com un del transistor, que para efectos practicos se tomara como cons-
tante aunque en un modelo mas realista vara con la corriente de colector i
C
. Las dos variables restantes se
pueden encontrar de las mallas de polarizacion (entrada y salida).
Para determinar el punto de trabajo del transistor, usaremos el ejemplo del circuito mostrado en la Fig. 8
mediante metodo graco y analtico.
Figura 8. Determinaci on del punto de trabajo mediante la red de polarizaci on.
6 LABORATORIO 3. TRANSISTOR BIPOLAR
Analisis graco
En el ejemplo mostrado en la Fig. 8 consideremos la malla formada por V
i
, R
B
y los terminales de base y emisor
del transistor, de donde resulta:
V
i
= i
B
R
B
+v
BE
(3.11)
La anterior ecuacion corresponde a una lnea recta en el plano i
B
v
BE
que corta al eje de las i
B
en v
BE
= V
i
y al eje de las v
BE
en i
B
= V
i
/R
B
. El punto de interseccion de la recta con la curva caracterstica se denomina
punto de trabajo Q y se representa por la pareja (I
BQ
, V
BEQ
).
Veamos ahora la malla formada por V
CC
, R
C
y los terminales colector y base del transistor bipolar, donde:
V
CC
= i
C
R
C
+v
CE
(3.12)
Esta recta puede gracarse en los mismos ejes coordenados de la curva caracterstica de salida del transistor y
analogo al procedimiento anterior, corta al eje de las v
CE
en v
CE
= V
CC
y al eje de las i
C
en i
C
= V
CC
/R
C
.
El punto de trabajo del colector (I
CQ
, V
CEQ
) queda determinado por la interseccion de esta recta de carga con
la curva del transistor correspondiente al valor de I
BQ
hallado en la caracterstica de entrada. En la Fig. 9 se
presenta el analisis graco del circuito de la Fig. 8.
Figura 9. Determinaci on gr aca del punto de trabajo para el circuito mostrado en la Fig. 8. a) Caracterstica de
entrada. b)Caracterstica de salida
Metodo analtico
Consideramos que V
BEQ
0,7V, lo cual es valido si el transistor esta polarizado directamente y hay corriente
de base. Con esta aproximacion, de la ecuacion 3.11 se obtiene:
I
BQ
=
V
i
V
BEQ
R
B
(3.13)
El valor positivo de esta corriente indica que el transistor no esta en corte.
A partir de la ecuacion 3.12 puede hallarse el punto de trabajo del colector en caso de estar en saturacion (donde
V
CE
0,2V), entonces:
I
CQ
=
V
CC
V
CEsat
R
C
(3.14)
S el transistor trabajara en la region activa:
I
CQactiva
=
F
I
BQ
(3.15)
3.5. El transistor como amplicador en baja se nal
Un circuito amplicador se caracteriza porque los valores de sus variables electricas de salida (corriente, voltaje,
potencia) son mayores respecto a los valores de la entrada pero conservando la forma de la se nal, lo que determina
tres factores de amplicacion o ganancia:
G
v
=
v
o
v
i
G
i
=
i
o
i
i
G
P
=
P
o
P
i
=
v
o
i
o
v
i
i
i
= G
v
G
i
(3.16)
3.5. EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR EN BAJA SE

NAL 7
En este tipo de circuitos, la se nal amplicada tiene mas energa que la se nal de entrada, este incremento de
energa proviene de la fuente de alimentacion de tal modo que el amplicador transforma la energa continua
de la fuente en energa de se nal.
Figura 10. Circuito amplicado con transistor en emisor com un
.
Un circuito de la Fig. 10 es un amplicador con transistor tpico, que es util para presentar los conceptos fun-
damentales y el procedimiento a seguir en el analisis del amplicador en baja se nal. Las fuentes de alimentacion
son V
CC
y V
BB
y la se nal variable en el tiempo a amplicar es v
s
(t).
En el modelo de baja se nal, el transistor trabaja con se nales de una amplitud tal que el transistor queda
polarizado lejos de las regiones de corte o saturacion. En este analisis consta de varias etapas; primero se realiza
el analisis en continua (polarizacion), luego en baja se nal y por ultimo se determina en rango dinamico del
amplicador, es decir los margenes en los que el amplicador funcionara linealmente.
Analisis en continua
El objetivo de este analisis es calcular las corrientes y voltajes del circuito anulando la se nal v
s
(t) para
determinar el punto de trabajo del transistor en reposo y vericar que el transistor trabaja en la region
activa. Los valores encontrados del punto de trabajo se rotulan en may uscula y con la letra Q (como se
indico en la seccion 3.4).
Analisis en peque na se nal
En este punto se debe modicar el modelo con el que se viene trabajando, ya que se aproxima el voltaje
v
BE
= 0,7V, pero en este regimen no simpre es aceptable tal aproximacion. Para la malla de entrada del
amplicador de la Fig. 10 se tiene:
V
BB
+v
s
(t) = i
B
R
B
+v
BE
+i
E
R
E
(3.17)
V
BB
+v
s
(t) = (I
BQ
+i
B
(t))R
B
+ (V
BEQ
+v
BE
(t)) + (I
EQ
+i
E
(t))R
E
donde se ha esablecido la relacion con las componentes en reposo encontradas en el paso anterior. Ademas,
seg un este analisis, debe cumplirse que:
v
s
(t) = i
B
(t)R
B
+v
BE
(t) +i
E
(t)R
E
(3.18)
Analogamente para la malla de salida se tiene:
V
CC
= i
C
R
C
+v
CE
+i
E
R
E
(3.19)
V
CC
= (I
CQ
+i
C
(t))R
C
+ (V
CEQ
+v
CE
(t)) + (I
EQ
+i
E
(t))R
E
(3.20)
Que combinada con las ecuaciones de la malla de salida para el analisis en continua, se obtiene:
i
C
(t)R
C
+v
CE
(t) +i
E
(t)R
E
= 0 (3.21)
8 LABORATORIO 3. TRANSISTOR BIPOLAR
Dado que hasta el momento las ecuaciones generadas del analisis solo contienen incrementos de corrientes
y voltajes, se debe construir un circuito de baja se nal que genere las ecuaciones anteriores al aplicarle a
us mallas las leyes de Kirchho. Este circuito se construye a partir del circuito amplicador completo,
sustituyendo las fuentes independientes de voltaje continuo por cortocircuitos, las fuentes independientes
de corriente continua por circuitos abiertos y los otros componentes deben sustituirse por los elementos
que relacionen los incrementos de tension y corriente entre sus terminales (las resistencias no varan y el
transistor debe ser sustituido por su circuito equivalente en peque na se nal), Fig. 11.
Figura 11. Circuito de baja se nal correspondiente al circuito de la Fig. 10.
Para el circuito de la Fig. 10, en la region activa, el circuito total asociado es el presentado en la Fig. 12a.
Por otro lado, para un diodo, los incrementos de corriente y voltaje estan relacionados con su resistencia
dinamica mediante la ley de Ohm (v
D
= i
D
r
D
) y de la Fig. 11, se puede observar que i
C
=
F
i
B
entonces el circuito de peque na se nal queda simplicado como en la Fig. 12b con r

= V
T
/I
BQ
la resistencia
dinamica del diodo base-emisor.
Figura 12. a) Modelo del transistor en la regi on activa. b)Modelo de peque na se nal.
Al introducir el modelo del transistor en peque na se nal en el circuito de la Fig. 11 se obtiene el circuito
completo de la Fig. 13, de donde se obtiene:
G
v
=
v
o
v
i
=

F
R
C
R
B
+r

+ (
F
+ 1)R
E
(3.22)
Analisis del margen dinamico
Se quiere determinar las excursiones maximas de voltaje que pueden obtenerse a la salida del circuito
analizando la tension maxima y mnima que puede alcanzar el colector del transistor. Cundo el transistor
esta saturado la corriente es maxima y a la salida se obtiene el menor voltaje. Por otro lado, s la corriente
de colector llega a ser nula, la tension de salida es maxima.
Para el estudiante
Consulte y discuta por lo menos un modelo diferente al presentado en el texto para el uso del transistor como
amplicador en peque na se nal.
3.6. Transistor en conmutaci on
Cuando se trabaja un transistor en el regimen de corte o saturacion puede semejarse a un interruptor. En el
circuito mostrado en la Fig. 14, cuando el transistor esta en corte equivale a un interruptor abierto y cuando
3.7. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL Y AN

ALISIS 9
esta en saturacion la tension de salida es casi nula y puede semejarse a un interruptor cerrado. El estado del
interruptor esta controlado por la corriente i
B
y para trabajar como un interruptor cerrado, debe estar en la
region de saturacion lo que implica que i
C
debe ser infeior a
F
i
B
Figura 14 Transistor como interruptor. a) Circuito aproximado de polarizaci on. b)Modelo de interruptor.
3.7. Procedimiento experimental y analisis
Para trabajar en esta practica se propone el transistor npn 2n2222. Es necesario que previamente revise
su hoja de caractersticas y la traiga a clase para identicar sus terminales y trabajar sobre sus curvas
v-i.
Figura 15. Montaje experimental. a)An alisis en continua. b)Amplicador de peque na se nal.
Analisis en Continua. Monte el circuito mostrado en la Fig.15a con: V
CC
= 10V, R
C
= 2K, R
E
= 1K,
R
B
= 30K. Mediante un divisor de tension establezca V
BB
= 3 V. Mida
F
y v
BE
(recuerde que esta union
funciona analogamente como un diodo recticador) y trabaje con los valores medidos.
1. Identique la conguracion del circuito.
2. Determine teorica y experimentalmente el punto de trabajo (malla de entrada y de salida) por el metodo
analtico.
3. Determine teorica y experimentalmente el punto de trabajo (malla de entrada y de salida) por el metodo
graco.
4. Discuta la bondad del modelo teorico usado respecto a los datos obtenidos y las posibles causas de error.
10 LABORATORIO 3. TRANSISTOR BIPOLAR
Amplicador de peque na se nal. Monte el circuito mostrado en la Fig.15b con: V
CC
= 10V, R
C
= 2K,
R
E
= 1K, R
B
= 30K, mediante un divisor de tension establezca V
BB
= 3V. Mida
F
y v
BE
(recuerde
que esta union funciona analogamente a un diodo recticador) y trabaje con los valores medidos. Elija una
fuente de peque na se nal variable v
s
(t) senosoidal que le permita trabajar en la region activa (se recomienda
una amplitud pico de 2 a 3 Voltios, pero usted debe hacer las vericaciones correspondientes y determinar la
amplitud de la se nal de entrada que lleva el transistor a la region de corte o saturacion)
1. Determine teorica y experimentalmente la ganancia (o factor de amplicacion) del circuito (voltaje y
corriente).
2. Encuentre el voltaje de saturacion del circuito amplicador.
3. Determine el ancho de banda del circuito amplicador.
4. Discuta la bondad del modelo teorico usado respecto a los datos obtenidos y las posibles causas de error.
5. Aplique el modelo que consulto en la seccion 3.5 para el amplicador de peque na se nal y comparelo
con los resultados obtenidos en el punto anterior.
6. En un plano tridimensional de ejes i
B
, v
CE
, v
BE
trate de dar una interpretacion geometrica de las carac-
tersticas v-i del transistor y su punto de operacion Q. Repita el analisis en un plano tridimensional de
ejes i
B
, v
CE
, i
C
Transistor en conmutacion. Para el circuito mostrado en la Fig. 16, proponga los valores de las resistencias
para que el transistor trabaje en conmutacion de tal modo que al aumentar la luz el led se encienda y en
laoscuridad el led se apague. Notese que el efecto contrario se logra al intercambiar la resistencia R
b
con la
fotoresistencia LDR. Haga el analisis electrico respectivo a los estados de corte y saturacion.
Figura 16. Circuito para trabajo del transistor en conmutaci on.
Bibliografa
Prat Vi nas L. Circuitos y Dispositivos Electronicos. Fundamentos de Electronica. Ediciones UPC. 1998
Chua, L.O. Desoder C.A., Kuh E.S. Linear and Nonlinear Circuits. McGraw-Hill. 1987