1.

MOSFET

Semicondutor FET de oxido metlico, ou MOSFET (Metal Oxide Semicondutor
Field-Effect) um tipo de transistor, sendo o transistor de efeito de campo mais comum em
circuitos digitais ou analgicos, um transistor unipolar, dependendo somente de um tipo de
carga, ou as lacunas ou os eltrons, comumente usado como chave ou amplificador de sinais
eltricos em projetos. O MOSFET possui normalmente 03 terminais: Porta, Fonte e Dreno
(Gate, Source e Drain), sendo a Porta eletricamente isolada do canal. Essencialmente h dois
tipos de MOSFET, sendo o de canal N (N-MOS) e o de canal P (P-MOS).

1.2. COMPOSIO

O MOSFET composto de um canal de material semicondutor, normalmente usado
o silcio, e o terminal de porta comumente so feitos de uma camada de polisilcio (silcio
policristalino) colocado sobre o canal, sendo separada deste por uma fina camada de dixido
de silcio isolante. A composio do MOSFET pode ser visto na Fig. 01:


Fig. 01 Principio de funcionamento do MOSFET no modo Enriquecimento.

2. TIPOS DE MOSFET

Existem dois tipos de MOSFET: o de Depleo (Induo) e de Intensificao
(Acumulao). A diferena bsica existente entre os MOSFETs tipo acumulao e depleo
esta no canal, no modo acumulao para se formar o canal deve-se aplicar uma tenso porta-
fonte, j no modo depleo o canal j formado (fabricado), e a tenso porta-fonte controla a
largura do mesmo.

2.1. TIPO DEPLEO

O MOSFET do tipo depleo, assim como os JFETs, tem o controle da largura do
canal feito atravs de uma tenso aplicada Porta do dispositivo, dessa forma, atravs do
controle da tenso aplicado a Porta, pode-se controlar a corrente do canal. Diferente dos
JFETs tem a sua Porta eletricamente isolada do canal, resultando em uma corrente de Porta
extremamente pequena, mesmo que a porta seja negativa ou positiva. O substrato em geral
conectado a fonte (pelo prprio fabricante), porm em algumas aplicaes usa-se o substrato
para controlar tambm a corrente de dreno, nesta situao o encapsulamento tem quatro
terminais.

Fig. 02 Simbologia MOSFET tipo Depleo.

2.1.1. FUNCIONAMENTO DO MOSFET TIPO DEPLEO

Aplicando-se uma tenso V
DD
ao MOSFET os eletrons livres so forados a fluir
atravs do material N. Quanto mais negativa for a tenso aplicada a Porta, menor ser a
corrente do Dreno, at que a camada de depleo feche e impessa o fluxo de eltrons. Sendo
assim, o funcionamento de um MOSFET do tipo depleo similar ao de um JFET quando
V
GS
negativa. Podemos ver um exemplo de um circuito de um MOSFET tipo depleo onde
a Porta recebe uma tenso negativa na Fig. 03:

Fig. 03 Exemplo de Circuito.
Quando aplicado uma tenso positiva na Porta, ocorre o aumento na conduo de
eltrons livres que fluem atraves do canal, quanto maior for essa tenso, maior sera a
conduo da Fonte para o Dreno.

2.1.2. CURVAS CARACTERSTICA DO MOSFET DEPLEO

Na Fig. 04 podemos ver as Curvas I
D
x V
DS
e I
D
x V
GS
, vemos que o MOSFET do tipo
de depleo tambm trabalha como acumulao.
Quando temos um V
GS
negativo percebemos que a corrente I
D
diminui, e quanto maior
for essa tenso negativa, mais proximo a regio de corte o transistor fica.

Fig. 04 Curvas caracteristicas.
Para definir a curva de transferencia do MOSFET tipo deplecao aplica-se a mesma
formula empregada ao JFET, sendo essa:
I
D
= I
DSS
(1-V
GS
/V
P
)

2.2. TIPO ACUMULAO

O MOSFET de modo acumulao uma evoluo do MOSFET tipo depleo, ele
representou um grande avano tecnologico devido a sua facil fabricao, alto desempenho e
tamanho reduzido, tem o seu uso generalizado na industria eletronica, sendo a sua principal
aplicao em circuitos digitais. Diferente do MOSFET acumulo o substrato estende-se por
todo o caminho ate o dioxido de silicio, no existindo mais um canal ligando a Fonte e o
Dreno. Devido ao fato de ser normalmente desligado (off), o MOSFET tipo acumulao
amplamente usado como uma chave em circuitos. Assim como o que acontece no MOSFET
tipo depleo o Substrato (SS) pode estar disponvel ou curto - circuitado internamente com o
terminal da fonte. Na Fig. 05 temos a simbologia para o MOSFET tipo Acumulao:

Fig. 05 Simbologia MOSFET tipo Acumulao.

2.2.1. FUNCIONAMENTO DO MOSFET TIPO ACUMULAO

Aplicando-se uma tenso positiva a Porta, surge um campo eletrico entre a Porta e o
Substrato que atrai eletrons para proximo da Porta, dependendo da quantidade de eletrons
atraidos, podera se formar um canal entre Dreno e a Fonte.
Embora o material proximo a Porta seja do tipo P, o campo eletrico faz com que no
canal os eltrons tornem-se majoritrios, criando uma camada de inverso (canal N),
conforme ocorre o aumento de V
G
, mais eltrons so atrados, alargando o canal, diminuindo a
resistncia e aumentando I
D
.

Fig. 06 Formao da camada de inverso (Canal N).

A tenso Porta-Fonte mnima para criar a camada de inverso tipo N chamado de
tenso de limiar, simbolizado por V
GS(th)
, quando a tenso V
GS
menor que V
GS(th)
a corrente de
dreno ser igual a zero. Quando temos V
GS
maior que V
GS(th)
a camada de inverso formada,
o valor de V
GS(th)
pode variar entre menos de 1V at mais de 5V, esse parmetro dependera do
MOSFET.

2.2.2. CURVAS CARACTERSTICA DO MOSFET ACUMULAO

Na Fig. 07 podemos ver as Curvas I
D
x V
DS
e I
D
x V
GS
. No grafico I
D
x V
DS
, a curva mais
baixa para V
GS(th)
. Quando V
GS
maior que V
GS(th)
, a corrente de dreno controlada pela tenso
da porta.


Fig. 07 - Curvas caractersticas MOSFET acumulao

A curva I
D
x V
GS
, a curva de transcondutncia e uma curva quadrtica, tendo o
inicio da parbola em V
GS(th)
. A formula para traar a curva de transcondutncia dada por:
I
D
= k(V
GS
V
GS(th)
)
Onde k uma constante que depende do MOSFET em particular.

3. MOSFET X TBJ

O MOSFET possui algumas caractersticas importantes que o diferem do TBJ e o
tornam mais vantajosos em algumas aplicaes:
MOSFETs ocupam menos espao e so mais fceis de serem fabricados.
Podem atuar como uma resistncia controlada por tenso.
Possuem alta impedncia de entrada.
Possui a capacidade de dissipar potncias elevadas e comutar grandes correntes em
alguns nanossegundos.
Geram menos rudo que os TBJs
Quando usados na configurao CMOS a dissipao de potncia praticamente nula
em baixas frequncias.
Mesmo com tantas vantagens o MOSFET no recomendado para todas as
aplicaes. Em situaes onde existe a necessidade de obter grandes ganhos ou onde o
componente esteja suscetvel a pequenos danos, seja por manuseio ou picos de tenso,
recomendada a utilizao dos TBJs

4. MOSFET COMO CHAVE

Os transistors so base da eletrnica moderna e possuem centenas de aplicaes,
porm uma das funes que mais bem executada por esse componente a servir como uma
chave liga-desliga.
A forma mais fcil de usar um MOSFET como chave, significando uma operao na
regio de saturao ou de corte. Quando trabalhamos com ele saturado, como se o MOSFET
funcionasse como uma chave fechada entre a Fonte e o Dreno, j quando trabalhamos com ele
na regio de corte, como se o MOSFET funcionasse como uma chave fechada entre a Fonte
e o Dreno.

4.1 MOSFET COMO CHAVE EM CARGA INDUTIVA

Ao utilizar MOSFETs como chave para uma carga indutiva sempre se deve colocar
um diodo em paralelo com a carga. Quando a corrente flui normalmente, o diodo no conduz,
mas quando o fluxo de corrente cortado, o indutor gera uma tenso inversa muito alta, que
seria capaz de destruir o transistor se no fosse dissipada pelo diodo. Na figura abaixo vemos
um motor DC acionando por uma chave feita com um MOSFET:

Fig. 08 Circuito usando MOSFET como chave com carga indutiva.

4.2 MOSFET COMO CHAVE EM CARGA RESISTIVA

Quando trabalhamos com o chaveamento de cargas de natureza resistiva a presena do
diodo de proteo dispensada, tendo em vista que no gerado nenhum tipo de FEM (fora
eletromotriz) no momento do corte. Sendo nesse caso, como trabalhamos com um LED,
usado um resistor em serie para limitar a passagem: