Curso de Electronica de Potencia PDF

GENERALIDADES
TEMA 1. INTRODUCCIN AL MODELADO Y

ANLISIS DE CIRCUITOS DE POTENCIA
1.1. GENERALIDADES.
1.2. REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE
POTENCIA.
1.3. DESARROLLO EN SERIE.
Aos 50: SCR.

Aos 70: Microprocesadores.
Aos 90:
ASIC y DSP
IGBT
Frecuencias mayores
Menor tamao y coste de componentes reactivos
Mayores prestaciones, Menor coste, Posibilidad de emplearlos en nuevas

aplicaciones.
Aplicaciones Industriales:
Control de Motores DC, AC (70% de la energa elctrica consumida).
Fuentes de Alimentacin.
Energas Renovables.
1.3.1. Clculo de Armnicos.
El objetivo de la ELECTRONICA DE POTENCIA es:
1.3.2. Potencia.
Modificar, utilizando dispositivos de estado slido, la forma de

presentacin de la energa elctrica
1.3.3. Clculo de valores eficaces.

1.4. FORMULACIN SISTEMTICA UTILIZANDO
VARIABLES DE ESTADO.
Uso de Fuentes de Alimentacin, Componentes Reactivos e Interruptores. (no

Resistencias)
Definicin de Interruptor Ideal:
Roff=, VBD= , Ton=0

a) Interruptor Abierto
Ron=0, Ion= , Toff=0

b) Interruptor Cerrado
Otras caractersticas a tener en cuenta son: coste del dispositivo y de los

elementos auxiliares, potencia necesaria para controlar el dispositivo.
Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 1 de 21
GENERALIDADES
REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE

POTENCIA
Flujo de Potencia
R=50
Fuente de
Energa
Elctrica
Convertidor
de Estado
Slido
Carga
IR=10A
E=500V
VCE
Ejemplo simple con un solo interruptor.
Circuito de
Mando
Fuente de Energa
Carga
Alterna (Mono Trifsica):

Red Elctrica
Generador aislado:
Diesel
Elico
Alterna (Mono Trifsica):

Motor
Estufa
Horno
Iluminacin
...
Continua:
Bateras
Celdas de Combustible
Paneles Solares
Real:
Cortado
Saturado
Continua:
Motores
Circuito de mando
Microprocesadores/DSP
Circuitos microelectrnicos:
ASIC
FPGA
Convertidor de potencia
Interruptores
Componentes reactivos:
Transformadores
Bobinas
Condensadores
IC
1mA
9.96 Amp
VCE
499.95V
2V
VRes
50mV
498V
Valores reales
Ideal:
Cortado
Saturado
IC
0 Amp
10 Amp
VCE
500V
0V
VRes
0mV
500V
Valores ideales
Error (%):
Cortado
Saturado
IC
0.01
0.4
VCE
0.01
0.4
VRes
0.01
0.4
% de error sobre el valor mximo.

POTENCIA. Elementos Bsicos
v=L
IL
di
dt
i (t ) = i (t 0 ) +
1 t
v(t )dt
L t 0
= ivdt = L idi =
i=C
i
C

1 2
Li
2
i (t ) = i (t0 ) +
dv
dt
v(t ) = v(t0 ) +
VL
1 t
v (t ) dt
L t0
1 t
i (t )dt
C t 0
1
= ivdt = C vdv = Cv 2
2
Ecuaciones fundamentales de Bobinas y Condensadores
Funcionamiento de una Bobina al aplicar una tensin constante


IL
Ic
C
Vc
L
VL
1 t
v(t ) = v(t0 ) + i (t )dt
C t0
Funcionamiento de un Condensador al aplicar una corriente constante
Funcionamiento de una Bobina al aplicar una tensin alternada positiva y

negativa


POTENCIA. Ejemplo
IL
VL
V = E sen t
Carga LR
L
i(t)
Suponiendo como condicin inicial i(0)=0, cuando V se hace positivo en t=0, el

diodo se polariza directamente y empieza a conducir. El circuito equivalente si se
supone el diodo ideal ser:
Diodo
Conduciendo
V = E sen t
Carga LR
L
i(t)
Circuito equivalente en el primer intervalo

t
Ecuacin de mallas:
V = E sen t = R i + L
di
dt
que, para i(0) = 0 tiene una solucin del tipo:

Funcionamiento de una Bobina al aplicar una tensin alternada positiva y
negativa
i (t ) =
Rt
sen e L + sen( t )
2
2 2
R +L
Este circuito es vlido para el anlisis en tanto i (t ) 0 . Sea t1 el instante en el que

la intensidad se anula. El valor de t1 se obtiene de resolver la ecuacin i(t1)=0

POTENCIA. Ejemplo

POTENCIA. Ejemplo
Si t>t1 en el circuito anterior resulta i(t1)<0 y el diodo debera conducir

una corriente negativa. A partir de ese instante, el circuito anterior no es
vlido ya que el diodo se corta. El nuevo circuito equivalente es:
di
V = E sen t = R i + L dt
Diodo no
Conduce
V = E sen t
Carga LR
L
i(t)
cuya solucin para i(0) = 0 es:

Rt
E
sen e L + sen( t )
i(t ) =
R 2 + L2 2
Grficamente:
Circuito equivalente en el segundo intervalo

Este circuito es vlido hasta que la tensin de la fuente se hace positiva en t=2/.
A partir de este instante, vuelve a ser vlido el circuito del intervalo 1.
El funcionamiento en rgimen permanente es una sucesin de

intervalos en rgimen transitorio.

POTENCIA. Resumen

POTENCIA. Resumen
Los circuitos de potencia son circuitos no lineales dado que tienen componentes
no lineales. No obstante, considerando sus componentes como elementos de
conmutacin ideales, el anlisis en rgimen permanente de los circuitos de
potencia puede realizarse mediante la resolucin de una sucesin de circuitos
lineales en rgimen transitorio, cada uno de los cuales tiene validez durante
periodos de tiempo denominados intervalos. Los limites de estos intervalos
vienen fijados por los denominados parmetros de control.
En el circuito no lineal del ejemplo, puede representarse por el circuito lineal

de la figura (intervalo 1) durante el intervalo (0,t1 ) y por el circuito lineal de la
figura (intervalo2) durante el intervalo (t1 ,2/).
Estos parmetros de control tienen, principalmente, dos causas:

1. Excitaciones externas, tales como fuentes que varan su valor, disparo de
tiristores o variaciones en la polarizacin de base de los transistores y
2. Condiciones umbrales de los dispositivos de potencia, las cuales, si se
alcanzan, provocan un cambio de estado del dispositivo. Consideremos, por
ejemplo, una tensin nodo-ctodo negativa en un diodo en conduccin o una
tensin superior a la de ruptura en dispositivos de avalancha.
En todo circuito se puede escoger un conjunto de variables (normalmente
tensin en condensadores y corriente o flujo en bobinas) representativas de una
energa almacenada, cuyo valor no puede alterarse bruscamente. Estas
variables, cuyo conjunto recibe el nombre de condiciones de contorno, nos
permiten relacionar cada intervalo con el siguiente. El valor de estas
condiciones de contorno al finalizar un intervalo constituyen, precisamente, las
condiciones iniciales para el clculo del intervalo siguiente.
El paso de un intervalo a otro es debido a la conmutacin del diodo al pasar

por cero su corriente.
La condicin de contorno que liga ambos intervalos es el valor de la corriente
en la bobina.
Ntese que si, en el ejemplo anterior, t1 >2/, el diodo nunca se cortara y el
circuito de la figura (intervalo 1) sera una adecuada representacin del
circuito original en todos los instantes de su funcionamiento en rgimen
permanente.
no podemos saber a priori cuantos intervalos habr y

cual ser su duracin, ya que depender de los parmetros del circuito e
Por ello,
incluso, en algunos casos, de sus condiciones iniciales de funcionamiento.
Estas condiciones de contorno se complementan con la condicin de

periodicidad caracterstica del funcionamiento en rgimen permanente. Los
valores finales en el ltimo intervalo de las variables de contorno deben
corresponderse con sus valores iniciales del primer intervalo.
DESARROLLO EN SERIE. Clculo de Armnicos
Es usual que en la resolucin de un circuito de potencia se obtengan

expresiones muy complejas para las variables de inters, con trminos
exponenciales y trminos senoidales de distinta fase y frecuencia.
Dado que es conveniente en muchos casos conocer las componentes armnicas

de una forma de onda, vamos a recordar en que consiste el desarrollo en
serie de Fourier. Toda funcin peridica que cumple ciertas propiedades
puede ser descompuesta en una suma de senos y cosenos denominada
desarrollo en serie de Fourier de la funcin:
En la mayor parte de los casos nuestro inters se centrar exclusivamente en

una determinada componente de frecuencia de la seal (tpicamente su valor
medio y su primer armnico) o en su valor eficaz (a efectos trmicos). En
muchos casos, incluso, el resto de las componentes sern indeseables,
debindose estimar su magnitud a efectos de diseo de filtros que eliminen su
presencia.
i (t ) =
donde:
1 T
i (t ) dt ,
T 0
Tambin se le representa como
I AV
Para el clculo de la corriente media empleada para dimensionar un

dispositivo, se calcula el valor medio del valor absoluto de la seal.
- Valor eficaz
- Factor de forma
- Factor de pico
1 T 2
i (t )dt , Tambin se le representa como I RMS
T 0
I=
f =
I
I
= RMS
Im
I AV
Ip
I
= max
f =
I
I RMS
2
T
Ak =
2 t0 + T
i (t ) cos( k 0 t ) dt ,
T t0
k = 0,1,2K
Bk =
I p = max i (t ) , 0 t T
- Valor de pico
Pueden distinguirse dos valores de pico (positivo y negativo) para
considerar los casos de polarizacin directa e inversa.
Im =
0 =
En general, dada una seal peridica, de periodo T, se definen los siguientes

parmetros que caracterizan la seal:
- Valor Medio
A0
+ A cos( k 0 t ) + Bk sen( k 0 t )
2 k =1 k
2
T
k = 1,2,3K
t0 + T
t0
i (t ) sen( k 0 t ) dt ,
A0
2 es el valor medio de la funcin. Al trmino
Ak cos( k 0 t ) + Bk sen( k 0 t ) se le denomina armnico de orden k. Al
El
trmino
armnico de orden 1 se le denomina tambin componente fundamental.

El mdulo del armnico de orden k viene dado por:
y su valor eficaz:
Ik =
I kp =
Ak2 + Bk2
I kp
2
Empleando esta nomenclatura, el desarrollo en serie de Fourier se puede

reescribir como:
i (t ) = I m + 2 I k sen( k 0 t k )
k =1

En determinados casos el desarrollo en serie de la funcin se puede simplificar:
DESARROLLO EN SERIE. Potencia

La potencia media se define como:
P=
para el caso en que la funcin sea par, f ( t ) = f ( t ) los trminos en seno

desaparecen, por tanto Bk = 0 .
para el caso en que la funcin sea impar, f (t ) = f ( t ) los trminos en
coseno desaparecen, por tanto Ak = 0 .
para el caso de funcin alternada, f (t ) = f (t + T 2 ) los armnicos de
orden par desaparecen, por tanto, A2 k = B2 k = 0 .
El valor eficaz de la seal vendr dado por:
I=
2
Im +
(A
2
1
+B
2
1
) (A
+
2
2
+B
2
2
1 T
v (t ) i (t ) dt
T 0
Si se sustituye i(t) por su desarrollo en serie de Fourier y la tensin por
2 V sen( 0 t ) , (tensin rgida) y teniendo en cuenta que las integrales en
un perodo de un seno, o de los productos cruzados de senos y cosenos o

productos de razones trigonomtricas de diferente frecuencia son nulas,
quedar:
P=
1 T
2 V sen(0 t ) 2 I 1 sen(0 t 1 ) dt = V I 1 cos 1
T 0
donde 1 es el ngulo de desfase entre v ( t ) y el primer armnico de i(t ) .
+L =
2
I m + I 12 + I 22 +L
Se define la distorsin del armnico k como la relacin Dk =
(A)
Ik
I
I 1 donde k es el
valor eficaz del k-simo armnico.

Se define la distorsin total como: Dt =
los armnicos no contribuyen a la potencia media (real o activa).

La potencia aparente, se define como el producto de los valores eficaces de la
tensin y la corriente (cuyo valor como se ha visto depende de los armnicos
presentes).
S =V I
I + I +L
2
2
2
3
= D22 + D32 +L
I1
Al parmetro Dt se le llama tambin THD (Distorsin Armnica Total).
De la definicin anterior y de (A), se deduce: I =
2
I m + I 12 (1 + Dt2 )
De la misma forma, pueden definirse magnitudes anlogas para las tensiones,

con la salvedad de que en el caso de la red elctrica los armnicos en tensin no
suelen ser significativos.
El factor de potencia (PF) se define como:
PF =
donde DPF es el factor de potencia debido al desfase, la ecuacin anterior puede

reescribirse (para ondas cuyo valor medio sea cero, como es habitual en
sistemas de alimentacin alterna):
PF =
I
P V I 1 cos 1 I 1
= cos 1 = 1 DPF
=
S
V I
I
I
1
1+ D
2
t
DPF
la existencia de armnicos hace que

disminuya el factor de potencia
DESARROLLO EN SERIE. Clculo de valores eficaces

La expresin que permite calcular el valor eficaz de una
seal puede obligar a realizar complejos clculos, por
lo que en algunos casos conviene simplificarla, de forma
que en un perodo, la seal se descompone en N
intervalos de tiempo consecutivos, con tal de que no
coincidan en un instante dos o ms con valor no nulo.
DESARROLLO EN SERIE. Clculo de valores eficaces

Algunas formas de onda usuales y sus valores eficaces son:
I=
1 T 2
i (t )dt
T 0
Ip
Onda completa senoidal:
I=
t
T=
En general, si se conocen los valores eficaces de

cada intervalo, puede aplicarse la frmula:
2
I = I12 + I 22 + I 32 + L I N
Ip
Onda senoidal recortada por nivel:
Se puede hacer por ejemplo:
i(t)
I1
I2
I3
I4
I5 I6
I7
I8
Aproximacin
I9
I10
t1
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
t9
Si se aproxima por N intervalos

cuadrados de igual duracin, el
valor eficaz es:
t i = t
N=10
I=
2
I 12 + I 22 + I 32 + L + I N
N
Onda senoidal recortada por ngulo de fase:

Ip
I = Ip
En general se podra hacer una aproximacin como la siguiente:

i1(t)
D sen( (1 D ))cos( (1 D ))
+
2
2
D = 1
Ip
i(t)
(, en radianes)
Onda rectangular:
i2(t)
T=t1+t2+t3+t4
, con D =
2
T
t10
I = Ip
Pulso a aproximar
Ip
2
D=
I = Ip D
I = D(I + I a I b + I a2 )
con
T
Ib
Onda trapezoidal:
Ia
i3(t)
2
b
con
D=
t1
t2
t3
t4
Onda triangular:
Ip
i4(t)
t1
t2
t3
t4
I = Ip
D
3
con
D=
En este caso son de utilidad las frmulas siguientes:
FORMULACIN SISTEMTICA UTILIZANDO

VARIABLES DE ESTADO
El comportamiento de cualquier sistema dinmico puede representarse por un

conjunto de ecuaciones diferenciales de la forma:
dx1
= f 1 ( x1 ( t ) ,L x n ( t ) , u1 ( t ) ,L um ( t ) )
dt
dx 2
= f 2 ( x1 (t ),L x n (t ), u1 (t ),L um (t ))
dt
M
dx n
= f n ( x1 (t ),L x n (t ), u1 (t ),L um (t ))
dt
donde
xi son las variables de estado del sistema y ui las entradas.
Cuando las funciones f i no dependen del tiempo, el sistema se denomina

invariante en el tiempo. Si f i son lineales, entonces el sistema se dice lineal. Un
sistema lineal e invariante en el tiempo, se denomina LTI. Para estos ltimos:
x = A x + B u ; y = C x + D u ; donde A, B, C y D son matrices constantes

e y es el vector de salidas del sistema.
Los circuitos de potencia no son circuitos LTI, pero ya hemos visto que,
asumiendo sus componentes como dispositivos de conmutacin ideales, su
anlisis se reduce a una secuencia de circuitos LTI .
Para cada intervalo resulta un sistema de ecuaciones x = A x + B u ;

y = C x + D u ; con un vector de entradas u(t) conocido y un valor inicial de
las variables de estado x(0) (estas ltimas pueden no ser conocidas). La solucin
del sistema es de la forma:
t
x (t ) = e At x (0) + e A( t ) ) B u( ) d siendo e At una integral matricial.

0
Al no conocer los valores iniciales de los intervalos, normalmente ser
necesario iterar.
INTRODUCCIN. Fsica de Semiconductores
TEMA 2. DIODO DE POTENCIA.

2.1. INTRODUCCIN.
ni
Concentracin Intrnseca:
2.1.1. Fsica de semiconductores.
n = A0 T e
2
i
2.1.2. Unin p-n.

2.2. ESTRUCTURA BSICA. CARACTERSTICA ESTTICA.
qE G 0
kT
Para T=300K, ni=1.5 1010 elect./cm3
2.3. POLARIZACIN INVERSA.

2.3.1. Tcnicas para elevar la tensin VRRM
Concentracin de Portadores Minoritarios:
p0 n0 = ni2 ; p0 + N d = n0 + N a
2.3.1.1. Biselado
2.3.1.2. Anillos de guarda
2.3.2. Caractersticas de Catalogo
2.4. POLARIZACIN DIRECTA.
2.5. CARACTERSTICAS DINMICAS.
2.6. PRDIDAS EN LOS DISPOSITIVOS.
2.7. DIODO SCHOTTKY DE POTENCIA.
Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 1 de 14
Minoritarios Mayoritarios
En un cristal tipo p:
Material n
p0
ni2
Nd
n0 N d
ni2
p Na
Na y 0
Material p
n0
ni2
Na
p0 N a
n0
Recombinacin de Portadores Minoritarios:
d (n) n
=
dt
El valor de es muy importante para

conocer la velocidad de conmutacin de un
dispositivo bipolar y sus prdidas en
conduccin.
sube con la Temperatura y con las
concentraciones de portadores muy altas
(n>nb 1017, Recombinacin de Auger).
Control de centros de recombinacin:
a) Impurezas de oro
b) Radiacin con electrones (varios MeV)
Tiempo (s)
La anchura de la capa de deplexin es:

2 c (N A + N D )
W0 =
qN A N D
Donde c es el potencial de contacto de la
unin p-n:
kT N A N D
c =
ln
q ni2
Ron
NA
ND
Grficamente:
ESTRUCTURA BSICA. CARACTERSTICA ESTTICA

DEL DIODO DE TRES CAPAS
Dimetro=60150mm
Espesor=
0.31 mm
INTRODUCCIN. Unin p-n
Tamaos aproximados de un diodo tpico de alta tensin y alta corriente
nodo
W0 : Anchura de la
zona de deplexin
W0
El campo elctrico mximo que
soporta el Silicio es tericamente
300.000 V/cm, pero debido a
impurezas e imperfecciones de la
estructura cristalina, en la prctica
es de 200.000 V/cm.
10m
NA=1019imp/cm3
p+
dRD
ND=1014imp/cm3
nFuertemente Dopado
Ligeramente dopado
Diodo Ideal
iD
1/Ron
1/Ron
250m
ND=1019imp/cm3
Ctodo
VBD
VBD
dRD : Es funcin de la tensin inversa a soportar

V
vD
A : rea de la seccin perpendicular al plano del dibujo, es

funcin de la corriente mxima
Seccin de un diodo de potencia tpico mostrando su estructura de tres capas.
Efecto de la concentracin de impurezas en la tensin inversa y en la cada en

conduccin
ESTRUCTURA BSICA. CARACTERSTICA ESTTICA

DEL DIODO DE TRES CAPAS
POLARIZACIN INVERSA.
Area
a) En polarizacin inversa: la unin formada por las capas p n al estar poco

dopada soporta una tensin muy elevada.
b) En polarizacin directa: la circulacin de electrones desde la capa n+
inunda de electrones la capa n- con lo que desde el punto de vista de la
cada en conduccin es equivalente a un diodo muy dopado.
VBD
n-
Emax
V 1V
vD
Curva caracterstica esttica del diodo de potencia.
Diodos Zener
de potencia
p+
E
1/Ron
Rectificadores
de alta tensin
Propsito
general
Rpidos
(fast recovery)
Diodos
Schottky
= Conexin metlica (nodo y ctodo)
p+
iD
Tipo de Diodo
= Extensin de la zona de deplexin
Area
+ -
= Potencial Externo Aplicado =-Edx
Area
La estructura de tres capas permite:
Mxima
Velocidad
Mxima Cada en
tensin de
de
Aplicaciones
corriente conduccin
ruptura
conmutacin
Circuitos de
30kV
~500mA
~10V
~100nS
alta tensin
Rectificadores
~5kV
~10kA 0.7 - 2.5 V
~25S
50 Hz
Circuitos
~3kV
~2kA
0.7 - 1.5 V
<5S
conmutados
Rectificadores
~100V
~300A 0.2 - 0.9 V
~30nS
de BT y AF
~300 V
Referencias y
(funciona
fijacin de
~75 W
en
tensiones
ruptura)
n+
x
Emax
a) Diodo sin perforar

b) Diodo perforado
Lmites de la zona de deplexin y distribucin del campo elctrico en diodos.
El valor Emax es la mxima intensidad de campo elctrico que puede soportar el
silicio y que ya se vio era unos 200.000 V/cm.
Si suponemos espesores de las capas de los dos diodos iguales, en el caso b
(perforado), el rea bajo la curva de la distribucin del campo elctrico es casi el
doble que en el caso a. Por tanto, la tensin inversa que se puede aplicar es
prcticamente el doble. Esto es una ventaja muy importante, no solo en diodos,
sino en casi todos los dispositivos de potencia que estudiaremos en este curso.
Principales caractersticas de los diodos de potencia
POLARIZACIN INVERSA. Tcnicas para Mejorar VBD .

Biselado
POLARIZACIN INVERSA. Tcnicas para Mejorar VBD.

Anillos de Guarda
Difusin de Impurezas
NODO
SiO2
p+
SiO2
SiO2
p+
Regin de deplexin
Wdep : Anchura de la
zona de deplexin
n
n+
n-
db
V1
V2
(V1 V2 ) > (V1 V2 )

da
Para un diodo de 1000V, es aprox.

Wdep=100, luego R=600.
Como Wdiff R, el tiempo de
fabricacin es excesivamente alto y
por tanto no resulta rentable.
Unin pn. Proceso de difusin
CTODO
da
Wdiff
Experimentalmente se comprueba
que no se produce acumulacin de
lneas de campo para R6*Wdep
SiO2
SiO2
p+
p+
p+
db
biselado de los bordes de un diodo de tres capas.

Ventajas del biselado:
Eliminacin por ataque qumico de zonas con posibles defectos en la
estructura cristalina (zona del corte mecnico).
Disminucin de la intensidad del campo elctrico en las zonas ms
frgiles (superficie), al hacer d2 >d1 .
Anillo de
guarda a
potencial
flotante
n-
n+
Unin p-n empleando anillos de guarda.
POLARIZACIN INVERSA. Caractersticas de Catalogo

Primer subndice
Segundo
subndice
Tercer subndice
T=Dir. Polarizado y conduce
W=De trabajo
M=Valor Mximo
D=Dir. Polarizado y no conduce
R=Repetitivo
(AV)=Valor Medio
R=Inversamente Polarizado
S=No Repetitivo
(RMS)=Valor Eficaz
F=Directamente Polarizado
Subndices empleados por los fabricantes de semiconductores.
POLARIZACIN DIRECTA
Caractersticas de catlogo en Polarizacin Directa:
Corriente media nominal, IFW(AV) : Valor medio de la mxima corriente
de pulsos senoidales que es capaz de soportar el dispositivo en forma
continuada con la cpsula mantenida a una determinada temperatura
(tpicamente 100 C).
Corriente de pico repetitivo, IFRM : Corriente mxima que puede ser
soportada cada 20ms con duracin de pico 1ms.
Corriente de pico nico, IFSM : Corriente mxima que puede ser
soportada por una sola vez cada 10 ms minutos siempre que la
duracin del pico sea inferior a 10ms.
Caractersticas de Catlogo en Polarizacin Inversa:

Tensin inversa de trabajo, VRWM : Mxima tensin inversa que puede
soportar de forma continuada sin peligro de avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo, VRRM : Mxima tensin inversa que
puede soportar por tiempo indefinido si la duracin del pico es inferior a
1ms y su frecuencia de repeticin inferior a 100 Hz.
Tensin inversa de pico nico, VRSM : Mxima tensin inversa que puede
soportar por una sola vez cada 10 ms minutos si la duracin del pico
es inferior a 10 ms.
Tensin de ruptura, VBD : Valor de la tensin capaz de provocar la
avalancha aunque solo se aplique una vez por un tiempo superior a 10
ms.
CARACTERSTICAS DINMICAS
iD
IF
0.9IF
El tiempo de recuperacin inversa es el mayor de los dos tiempos de
conmutacin y el responsable de la mayor parte de las prdidas de conmutacin.
Qrr Carga
Almacenada
iD
IF
0.1IF
0.25Irr
diD/dt
tr
trr
Vfr
VON
vD
1.1VON
t
VR
tON
Encendido del diodo
0.25Irr
Irr
vD
t rr
Qrr = i f dt
tb
ta
La carga almacenada que se

elimina por arrastre es:
Qrr (Carga
Almacenada)
trr
I rr t rr
2 Qrr
Qrr t rr
2
I rr
Irr
VON
Pico de tensin
debido a L diD/dt
L=bobina en serie
con D. (tb<<ta)
t
VR
Tensin directa, VON. Cada de tensin del diodo en rgimen permanente para
la corriente nominal.
Tensin de recuperacin directa, Vfr. Tensin mxima durante el encendido.
Tiempo de recuperacin directa, tON. Tiempo para alcanzar el 110% de VON.
Tiempo de subida, tr. Tiempo en el que la corriente pasa del 10% al 90% de su
valor directo nominal. Suele estar controlado por el circuito externo
(inductivo).
Tiempo de recuperacin inversa, trr. Tiempo que durante el apagado del
diodo, tarda la intensidad en alcanzar su valor mximo (negativo) y retornar
hasta un 25% de dicho valor mximo. (Tip. 10s para los diodos normales y
1s para los diodos rpidos (corrientes muy altas).
La derivada de la corriente
durante ta depende del circuito
externo, y normalmente ser:
ta>> tb es decir: ta trr . Si se
resuelve el circuito y se conoce
el valor de la derivada de iD:
diD I rr I rr
se obtiene:
=
dt
ta trr
Apagado del diodo
Curvas de tensin y corriente del diodo durante la conmutacin.
Aproximando el rea bajo la

corriente a un tringulo ser:
Prdidas muy
elevadas al ser
la corriente y
la tensin muy
altas
I rr 2 Qrr
diD
dt
El valor de Qrr puede obtenerse

del catlogo del fabricante.
Curvas de tensin y corriente del diodo durante

la conmutacin a corte.
Los factores que influyen en el tiempo de recuperacin inversa son:
IF; cuanto mayor sea, mayor ser trr. Esto se debe a que la carga almacenada
ser mayor.
VR; cuanto mayor sea, menor ser trr. En este caso si la tensin inversa es
mayor se necesita menos tiempo para evacuar los portadores almacenados.
diF/dt; cuanto mayor sea, menor ser trr. No obstante, el aumento de esta
pendiente aumentar el valor de la carga almacenada Q. Esto producir
mayores prdidas.
T; cuanto mayor sea la temperatura, aumentarn tanto Q como trr.
PRDIDAS EN LOS DISPOSITIVOS
DIODO SCHOTTKY DE POTENCIA
Bloqueo: Se suelen despreciar.

En Conmutacin. Son funcin de la frecuencia de trabajo. (Adems de
las corrientes, tensiones y la forma como evolucionan).
En Conduccin: Uso de catlogos:
PD
NODO
SiO2
SiO2
p+
p+
Zona de deplexin
PD
Unin
Rectificadora:
Zona deplexin
muy estrecha
situada en la
soldadura: VBD
muy baja
n-
=60 =120 =180

180
n+
Unin hmica:
Efecto Tnel.
CTODO
IAV
25C
125C
Tc
Diodo Schottky de potencia

iD
Diodo Schottky
Diodo Normal
Curvas tpicas suministradas por un fabricante para el clculo de las prdidas en

conduccin de un diodo
1/RON
Las prdidas aumentan con:
La intensidad directa.
La pendiente de la intensidad.
La frecuencia de conmutacin.
La tensin inversa aplicada.
La temperatura de la unin.
1/RON
VBD
VBD
V
vD
Caracterstica I-V de un diodo Schottky

Uso en circuitos donde se precise:
Alta velocidad
Bajas tensiones
Potencias bajas
Por ej. Fuentes de alimentacin conmutadas.
INTRODUCCIN. Caractersticas Generales del BJT
TEMA 3. TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA

3.1.
INTRODUCCIN
3.2.
CONSTITUCIN DEL BJT
3.3.
El inters actual del Transistor Bipolar de Potencia (BJT) es muy limitado, ya

que existen dispositivos de potencia con caractersticas muy superiores.
Le dedicamos un tema porque es necesario conocer sus limitaciones para poder
comprender el funcionamiento y limitaciones de otros dispositivos de gran
importancia en la actualidad.
Saturacin
Cuasi-Saturacin
1/Rd
Ruptura Secundaria
IC(A)
C
IC
Ruptura Primaria
FUNCIONAMIENTO DEL BJT
Activa
IB
3.3.1. Zona Activa
IE
Corte
3.3.2. Zona de Cuasi-Saturacin

3.3.3. Zona de Saturacin
3.3.4. Ganancia
3.4.
TRANSISTOR DARLINGTON
3.5.
EL TRANSISTOR EN CONMUTACIN
3.6.
EXCITACIN DEL BJT
E
0
BVSUS BVCE0 BVCB0 VCE (V)
Caracterstica de salida (IC frente a VCE ) del transistor NPN de potencia, para
distintas corrientes de base, IB5>IB4>...IB1 y Esquema del BJT de tipo NPN.
Valores mximos de VCE :
BVCB0>BVCE0>BVSUS
BVSUS : Continua.
BVCE0 : Para IB=0
BVCB0 : Para IE=0
Definicin de Corte:
de IC= - IE+IC0 ; -IE=IC+IB ;
se deduce:
IC =
IB +
IC0
1
1
Posibles definiciones de corte:
3.7.
CONSIDERACIONES TRMICAS
3.8.
AVALANCHA SECUNDARIA
a) I B = 0 I C =
b)
3.9.
ZONA DE OPERACIN SEGURA (SOA)
Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 1 de 17
1
I C 0 10 I C 0
1
I E = 0I C = I C 0
Por tanto se considera el transistor cortado

cuando se aplica una tensin VBE
ligeramente negativa IB = -IC = -IC0
CONSTITUCIN DEL BJT
CONSTITUCIN DEL BJT
E
n+
B
p
n+
C
Transistor Tipo Meseta (en desuso)
La anchura de la base y su dopado sern lo menores posibles para conseguir

una ganancia lo mayor posible (baja recombinacin de los electrones que
atraviesan la base).
Para conseguir BV elevada, se necesita una anchura de base grande y un
dopado pequeo.
El problema surge cuando el dopado es pequeo, pues para alojar la zona
de deplexin la base debe ser muy ancha, bajando la ganancia. Es por
tanto necesario encontrar unos valores intermedios de compromiso.
B
WE=10m
WB=520m
Zona de
expansin
50200m
WC=250m
E
+
1019 cm-3 n
1016 cm-3
1014 cm-3
n-
1019 cm-3
Este compromiso implica que los BJT de potencia tienen una ganancia
tpica de corriente entre 5 y 10. (muy baja).
n+
C
Seccin Vertical de un Transistor Bipolar de Potencia Tpico
Ventajas de la estructura vertical:
Maximiza el rea atravesada por la
corriente:
Minimiza resistividad de las capas
Minimiza prdidas en conduccin
Minimiza la resistencia trmica.
En la prctica, los transistores

bipolares de potencia no se
construyen como se ve en esta
figura, sino que se construyen en
forma de pequeas celdillas como
la representada, conectadas en
paralelo.
Los dispositivos de potencia que estudiaremos en este curso se construyen

empleando una estructura vertical y en forma de pequeas celdillas en paralelo.
CONSTITUCIN DEL BJT

Base
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona Activa
Emisor
Vbb
Vcc
B
+
n+
n+
n+
n+
Activa
nn+
Colector
Seccin Vertical de un Transistor Bipolar de Potencia Multiemisor de Tipo
NPN
Ventajas de la estructura multiemisor:
Zona Activa:
VCE Elevada
n-
n+
Carga
(Exceso de
electrones
en la Base)
Unin
Colector-Base
(inversamente
polarizada)
Distribucin de la carga almacenada en la base de un transistor bipolar de

potencia tpico en activa.
Reduce la focalizacin de la corriente debida al potencial de la base causante

de la avalancha secundaria.
Reduce el valor de RB (disminuye prdidas y aumenta la frecuencia fT ).
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona de Cuasi-Saturacin
Vbb
Vcc
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona de Saturacin
Vbb
n-
n+
Carga
(Exceso de
electrones
en la Base)
Base Virtual

potencia tpico, en Cuasi-Saturacin.
Saturacin
CuasiSaturacin
B
+
Vcc
n-
n+
Carga en
exceso
Q2
Q1
Base Virtual

potencia tpico, en saturacin.
Cuasi-Saturacin:
En activa al subir IB, IC VCE (=VCC - ICR ).
Simultneamente: VjCB (=VCE - ICRd ). Donde Rd es la resistencia de la capa
de expansin.
El lmite de la zona activa se alcanza cuando: VjCB=0 (VCE = ICRd ).
Si VjCB>0 (Unin directamente polarizada):
Habr inyeccin de huecos desde p a n- (Recombinacin con electrones
procedentes del emisor en n-) Desplaz. a la derecha de la unin efectiva:
Rd Disminuye
Aumento del ancho efectivo de la base.
Disminuye
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Ganancia
TRANSISTOR DARLINGTON
Base
max
log( )
min garantizada
por el fabricante
IeTA
Emisor
n+
SiO2
T
Ib A
n+
T
Ib B
VCE-Saturacin
n-
IcTA
ICmax /10
ICmax
log(IC)
IcTB
n+
Variacin de en Funcin de IC
Colector
Colector
Base
TA
D2
=BA+B+A
TB
D1
Emisor
Estructura de un Par Darlington Monoltico

Montaje Darlington para Grandes Corrientes.
Colector Vcc
Colector Vcc
ZL
ZL
Interruptor BJT conmutando una
Carga Inductiva
IC
Base IB
VCE
Interruptor BJT conmutando una

Carga Inductiva
IC
Base IB
VBE
VCE
VBE
IC
IL
IBon
IC
IB
IBon
IB
dI B
dt
IBoff
t
IBoff
VCE
VBE
VBE
t
t=0 tdon
VCE
t
t=0
ts
trv1 trv2 tfi
tri
tfv1
tfv2
Proceso de conmutacin: Saturacin
Proceso de conmutacin: Corte
IC
EXCITACIN DEL BJT

Aislamiento galvnico
entre circuitos de
control y potencia
Potencia
disipada
muy alta
1, 2, 3, 4, 5 y 6: instantes de tiempo
Trayectorias en el plano IC-VCE durante la conmutacin
IB
IBon
IL
dI B
dt
IB
BJT de potencia
Tierra de
potencia
-VCC
Circuito Tpico de Excitacin de Base para BJTs de Potencia
IC
Cb
Tierra digital
VCE
Acoplamiento
Seal digital
de control
IC
Amplificador
Fotoacoplador
Potencia disipada
muy baja
1
2
3
VCC
IBon
6
IBoff
t
IBoff
VCE
VBE
VBE
VCE
t
t=0
ts
trv1 trv2 tfi
t=0 tdon
tri
tfv1
tfv2
CONSIDERACIONES TRMICAS
Vcontrol
VBE
t
IC
Las prdidas en corte

suelen despreciarse al ser
la corriente muy baja.
Vcc
90%
RC
10%
td tr
ts
Concentracin
de corriente
Cada de tensin
VBE
Vcc
VCE
AVALANCHA SECUNDARIA
tf
IB
IC
VCE
VBE
Pd
Las
prdidas
conduccin pueden
aproximadas por:
en
ser
T
Pon = I c VCEsat ON
T
e-
e-
e-
n+
e-
+
e-
e-
n
C
Las prdidas en conmutacin pueden estimarse suponiendo que la corriente y la

tensin siguen una lnea recta durante la conmutacin:
n
T=1/f
n+
Cada de tensin
a)
b)
Concentracin o Focalizacin de Corriente en un BJT. a) En la Conmutacin a
Saturacin (IB >0) y b) en la Conmutacin a Corte (IB <0)
t
t
) I cmax dt
tr
tr
t t
0 ) dWr = Vcc Icmax (1 ) dt
tr tr
dWr = VCE I c dt + VBE I B dt VCE I c dt = (Vcc Rc I cmax
Rc Icmax = Vcc VCEsat Vcc (VCE Saturacion

tr
Wr = Vcc Icmax (1
0
t t
1
) dt = Vcc Icmax tr ;
tr tr
6
anlogamente se hace para Wf : Wcom = Wr + Wf =
1
Vcc Icmax (t r + t f ) ;
6
La potencia media disipada en el perodo T ser por tanto:
Pcom =
Wcom 1
= Vcc I c max f (tr + t f )
T
6
ZONA DE OPERACIN SEGURA
IC
f3
f2
ICM
f1
Lmite
trmico
dc
Avalancha
Secundaria
VCE0 VCE
a) FBSOA (f1 <f2 <f3 )
IC
ICM
VBEoff <0
VBEoff =0
VCE0 VCB0 VCE

b) RBSOA (Trancisiones de menos de 1 s)
Zonas de Operacin Segura del Transistor Bipolar
INTRODUCCIN. Transistor de Efecto de Campo de

Seal
Fuente
(S)
Contacto
metlico
Puerta
(G)
Drenador
(D)
TEMA 4. TRANSISTOR DE EFECTO DE

CAMPO DE POTENCIA
4.1. INTRODUCCIN
4.1.1. Transistor de Efecto de Campo de Seal
4.2. TECNOLOGAS DE FABRICACIN
4.2.1. Transistor VMOS
4.2.2. Transistor D-MOS
4.2.3. Transistor Trenched-MOS
4.2.4. Evolucin del Transistor MOS
4.3. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR DE
EFECTO DE CAMPO DE POTENCIA
4.4. DIODO EN ANTIPARALELO
4.4.1. Conmutacin en una Rama de un Puente
4.5. CARACTERSTICAS ESTTICAS, DINMICAS
Y TRMICAS
4.6. REA DE OPERACIN SEGURA
SiO2
SiO2
SiO2
n+
Canal inducido n
n+
Sustrato p
Sustrato
(B)
Transistor de Seal MOSFET de Enriquecimiento, Canal n
Tema 4. MOS. Transparencia 1 de 18
INTRODUCCIN. Transistor de Efecto de Campo de

Seal
iD
TECNOLOGAS DE FABRICACIN. Transistor

VMOS (Siliconix-1976)
Ruptura
Ohmica
Saturacin
VGS
VDS
n+ e-
n+
ep
VGS
iD
Canal
Corte
a) Smbolo
b) Curva Caracterstica
Transistor MOS Canal N de Enriquecimiento
VBV
VBD
VDS
Zonas de funcionamiento del transistor MOS:

Zona de corte, VGS<VT , iD0 ; el transistor se considera un interruptor abierto.
Zona de saturacin, VGS- VT <VDS, iDconstante (independiente de VDS):
k W
2
i D = (VGS VT ) , el lmite de esta zona con la siguiente, se obtiene al
2 L
k W
2
sustituir VGS- VT =VDS , en la frmula anterior, es decir: i D = (V DS ) ,
2 L
(=parbola)
n+
D
Primeros transistores MOS de potencia: Transistor en V. Deriv
rpidamente a U-MOS.
2
VDS
W
, en esta
Zona hmica, VGS- VT >VDS, i D = k (VGS VT ) V DS
2
L
zona el transistor se considera un interruptor cerrado, con una resistencia (para

valores muy pequeos de VDS):
1
RDS ( ON ) =
.
W
k (VGS VT )
L
Zona de ruptura, VDS > VBD.

DMOS

Trenched-MOS
Seccin de una
celdilla elemental
Fuente
SiO2
Puerta
n+
n+
n+
n+
SiO2
p
xido de puerta
n+
n+
n+
p
(sustrato)
canal
n+
(oblea)
iD
n+
1019 cm-3
1016 cm-3
Canal
10
1015 cm-3
n-epitaxial
1019 cm-3
iD
n+-oblea
14
Drenador
Seccin de un Transistor DMOS de Enriquecimiento Canal n
Transistores MOS de potencia modernos: Transistores con

Trinchera
TECNOLOGAS DE FABRICACIN. Evolucin del

Transistor MOS
FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR D-MOS

tomos aceptores
ionizados
VGS1
electrones libres
n+
lmite de la zona
de deplexin
p
-
a) Para valores bajos de VGS y VDS

VGS2
Evolucin en el tiempo de las generaciones de transistores MOS a partir

de DMOS hasta los transistores con trinchera.
n+
lmite de la zona
de deplexin
p
n
b) Para valores bajos de VDS (VGS2 > VGS1 , VGS2 < VT)

VGS 3
VGS3
n+
n+
lmite de la zona
de inversin
lmite de la zona
de deplexin
lmite de la zona
de inversin
lmite de la zona
de deplexin
p
n
c) Para valores bajos de VDS (VGS3 > VGS2, VGS3 > VT)
e) Para valores mayores de VDS (VGS3 > VGS2, VGS3 > VT)
VGS4
n+
lmite de la zona
de inversin
lmite de la zona
de deplexin
p
n
d) Para valores mayores de VDS (VGS4 > VT)
DIODO EN ANTIPARALELO
G
T1
n+
DIODO EN ANTIPARALELO. Conmutacin en una

Rama de un Puente
D1
IDiodo
VDD
IL
Carga inductiva
n-
T2
D2
IDrenador
VDD
B
E
S
Transistor Bipolar asociado al Transistor MOS
El transistor MOS con el Diodo en Antiparalelo Conmutando una Carga

Inductiva en una rama de un Puente.

Rama de un Puente

Rama de un Puente
DA
DB
Diodos Rpidos Aadidos al Transistor
La velocidad de subida o bajada de la tensin VGS se controla fcilmente

con el valor de la resistencia de la fuente de excitacin de puerta.
Efecto de las Capacidades Parsitas en la Tensin de

Puerta
Carga
RG
VG =0V
Vcom
Transistor MOS
CDS
G
CGS
RG =20
CGD
Efecto de las Capacidades Parsitas en la Tensin de

Puerta
Cambio de
tensin debido a
la conmutacin de
otro dispositivo
Transistor cortado
Efecto de la conmutacin de otros dispositivos sobre la tensin de puerta

con distintos valores de RG .
RG =200
El efecto de la conmutacin de otros dispositivos puede provocar

variaciones importantes en la tensin de puerta debido al acoplamiento
capacitivo CGD CGS . Esto tiene como consecuencias no deseadas:
a) Se supere la tensin mxima que el xido puede soportar.
b) Haciendo que el transistor (que estaba cortado) conduzca.
Vcom
VDS
En ambos casos es determinante el valor de la resistencia equivalente de la

fuente que excita a la puerta (RG) cuanto menor sea esta resistencia menos
se notar este efecto.
Se debe tener especial cuidado con las conexiones en el circuito de puerta,
porque cualquier inductancia parsita presente dar una impedancia
equivalente muy alta ante cambios bruscos.
VGS
Si se produce un flanco de bajada, ese flanco se transmitir igualmente a la

puerta, permaneciendo el transistor cortado, pero con peligro de superar la
tensin mxima del xido.
ID
Esto tiene el efecto de que baje la tensin VDS con lo que el efecto se
compensa, cortndose de nuevo el transistor a costa de sufrir grandes
prdidas por la corriente que circula durante el transitorio.
RG =2000
Si se produce un flanco de subida, ese flanco se transmitir a la puerta, con

lo que si se supera la tensin umbral, el MOS entra en conduccin.
Efecto de la conmutacin de otros dispositivos sobre la tensin de puerta

con distintos valores de RG .
CARACTERSTICAS ESTTICAS, DINMICAS Y

TRMICAS
REA DE OPERACIN SEGURA
RD =10
IDM=10A
D
Vi =10V
10s
ID=5A
VDD =100V
iD
Ro =50 G
T, para ondas cuadradas con D=1%
Lmite
debido
a RDS
0.1ms
1ms
10ms
V1 V
CGS
GS
SOA
(DC)
100ms
a) Circuito Empleado
Lmite de
potencia a
Tc=25C
V1
10V
Velocidades de subida y
bajada reguladas por RG
0
VGS
iD
9.85A
90%
ID es funcin del
rea del transistor
IC depende de min
tr
tf
IC
SOA
(DC)
10%
Lmite de
potencia a
Tc=25C
Avalancha
secundaria
del BJT
BVDSS o BVCE
1.5V
0
VDS
BVDSS=500V
Zona de Operacin Segura (SOA) en un MOSFET de Potencia

(iD y VDS en escala logartmica)
ID
100V
10V
Umbral de
corte
Umbral de
conduccin
VDS
0.1A
10V
DC
Comparacin entre las

Zonas
de
Operacin
Segura de dos transistores
MOSFET y BJT de
Potencia construidos para
las
mismas
tensiones
mximas y de secciones
anlogas.
VDS
t
1000A
P=iDVDS
0
b) Formas de Onda Resultantes

Caractersticas Dinmicas del Transistor MOSFET
Ntese que los lmites de corrientes y

tensiones de dispositivos de mayores
potencias que pueden encontrarse en el
mercado son aproximadamente:
SOA
BJT
100A
SOA
MOS
1000V 1500V
INTRODUCCIN. Estructura Bsica del SCR

nodo
TEMA 5. EL TIRISTOR
5.1. INTRODUCCIN
5.1.1. Estructura Bsica.
5.1.2. Caracterstica Esttica
5.2. FUNCIONAMIENTO DEL SCR.
5.2.1. Polarizacin Inversa
5.2.2. Polarizacin Directa
5.2.3. Mecanismo de Cebado
5.2.4. Mecanismo de Bloqueo.
5.3. RELACIN DEL BLOQUEO DEL SCR CON SU
CIRCUITO EXTERNO
5.4. CARACTERSTICAS DINMICAS
5.4.1. Encendido del SCR
5.4.2. Bloqueo Dinmico del SCR
5.5. FORMAS DE PROVOCAR EL DISPARO DEL SCR
5.6. TRIAC
5.6.1. Constitucin y Funcionamiento
5.6.2. Caracterstica Esttica
VAK
VAK>0
Puerta
Puerta
VAK<0
Ctodo
Smbolo y circuitos equivalentes del Tiristor SCR
CTODO (K)
PUERTA (G)
n+
n+
Unin Catdica
n+
p
Capa de Control
1019,10
Capa
Catdica
1017 imp/cm3,
30100
BJT
Unin de Control
Capa de Bloqueo
Unin Andica
p+
Capa Andica
101351014,
501000
10171019,
3050
NODO (A)
Seccin Longitudinal de un SCR
Tema 5. SCR Transparencia 1 de 15
INTRODUCCIN. Estructura Bsica del SCR
Puerta
INTRODUCCIN. Caracterstica Esttica del SCR
Ctodo
IA
Conduccin
IG2 > IG1
n+
n+
n+
n+
IH
VRWM
nn
Bloqueo
Directo
IB0
VH
IG=0
VB02 < VB01 < VB0
VAK
Bloqueo
Inverso
p+
nodo
Ruptura
Seccin de un SCR para potencias muy elevadas
Caracterstica Esttica del SCR
FUNCIONAMIENTO DEL SCR. Polarizacin Inversa

A
FUNCIONAMIENTO DEL SCR. Polarizacin Directa

A
Unin
Inversamente
Polarizada
RC
VAK
VCC
K
VCC
RC
n-
RC
nodo
Puerta
VAK
VCC
n-
VCC
RC
Unin
Inversamente
Polarizada
Ctodo
VCC
VCC
p
G
p
h+
h+
RG
n
VGG
e- e- e-
RG
VGG
SCR polarizado Inversamente
SCR polarizado Directamente
FUNCIONAMIENTO DEL SCR. Mecanismo de

Cebado
A
A
p1
J1
J1
J2
J2
G
p2
n2
IA = IE1
J3
p2
n2
IC2
VS
IC1
T2
G
J3
VAK
IB1
T1
n1
J2
p2
IA
p1
n1
n1
RELACIN DEL BLOQUEO DEL SCR CON SU

CIRCUITO EXTERNO
IG
IB2
IK = -IE2
K
IH
a) SCR Simplificado b) SCR como dos Transistores c) Circuito Equivalente

I C1 = 1 I E1 I CO1
Para el transistor pnp:

Y para el transistor npn:
Como:
I C 2 = 2 I E 2 + I CO 2
IK = IE 2 = I A + IG
(a)
(b)
(c)
(d)
I A = I E1
Sustituyendo (c) y (d) en (a) y (b) respectivamente, se obtiene:
I C1 = 1 I A I CO1
I C 2 = 2 ( I A + I G ) + I CO 2
(e)
(f)
VAKon
Teniendo en cuenta que la suma de corrientes en T1 es cero, se obtiene:
I A + I C1 = I C 2
(g)
Y, sustituyendo I C1 e I C2 en (g) por sus valores dados por sus respectivas

expresiones (e) y (f), se obtiene:
I A 1 I A I CO1 = 2 ( I A + I G ) + I CO 2
Circuito Simple de SCR con Bloqueo Esttico. Frecuencias Bajas
(h)
Finalmente, se despeja I A en (h) y se obtiene:
IA =
I G 1 + I CO1 + I CO 2
1 1 2

CIRCUITO EXTERNO

CIRCUITO EXTERNO
T1
L1
VS
L2
IL
T2
Circuito Rectificador con Bloqueo Dinmico
Formas de Onda del Circuito con Bloqueo Dinmico

FORMAS DE PROVOCAR EL DISPARO DEL SCR
IG
1. Corriente de Puerta.
2. Elevada tensin nodo-Ctodo (VAK>VDWM). Ruptura
t
IA1
0.9IF
3. Aplicacin de tensin nodo-Ctodo positiva antes de que el proceso

de bloqueo haya terminado (t<tq)
0.1IF
0.25Irr
td
4. Elevada derivada de la tensin nodo-Ctodo

Los fabricantes definen un valor mximo
VAK
tr
VFRM
Irr
VAK1
dV AK
dt max
trr
t
Uso de redes RC (Snubbers)
td >tq
dVF
< max
dt
tps
5. Temperatura elevada
Normalmente no ocurre, aunque si se produce una combinacin de
varias causas, podra provocarse la entrada en conduccin
6. Radiacin luminosa
Slo se ocurre en los dispositivos especialmente construidos para
funcionar de esta forma (LASCR)
Curvas de Tensin y Corriente del SCR durante la Conmutacin
TRIAC. Constitucin y Funcionamiento
TRIAC. Caracterstica Esttica

iT
nodo
nodo / T1
Puerta
VAK
Puerta
Ctodo / T2
VBD
Ctodo
Combinacin de dos SCR para formar un TRIAC. Smbolo del TRIAC

VBD
T1
VT1T2
N4
P1
J1
Caracterstica Esttica del TRIAC
N1
iG
J2
vG
P2
G
N3
N2
T2
T2
Estructura Interna del TRIAC
Caracterstica de Puerta de un TRIAC

Caractersticas generales del TRIAC:
Estructura compleja (6 capas).
Baja velocidad y poca potencia.
Uso como interruptor esttico.
RESUMEN DE LAS CARACTERISTICAS DEL SCR

Caractersticas mas destacadas del SCR:
Estructura de cuatro capas p-n alternadas.
Directamente polarizado tiene dos estados: cebado y bloqueado.
Inversamente polarizado estar bloqueado.
Dispositivo capaz de soportar las potencias ms elevadas. nico
y
dispositivo capaz de soportar I>4000Amp. (Von24Volt.)
V>7000Volt.
Control del encendido por corriente de puerta (pulso). No es posible
apagarlo desde la puerta (s GTO tema 7). El circuito de potencia debe
bajar la corriente andica por debajo de la de mantenimiento.
Frecuencia mxima de funcionamiento baja, ya que se sacrifica la
velocidad (vida media de los portadores larga) para conseguir una cada
en conduccin lo menor posible. Su funcionamiento se centra en
aplicaciones a frecuencia de red.
La derivada de la corriente andica respecto al tiempo en el momento
del cebado debe limitarse para dar tiempo a la expansin del plasma en
todo el cristal evitando la focalizacin de la corriente.
La derivada de la tensin nodo ctodo al reaplicar tensin positiva debe
limitarse para evitar que vuelva cebarse. Tambin se debe esperar un
tiempo mnimo para reaplicar tensin positiva.
INTRODUCCIN
Seccin de una celdilla elemental
Fuente
TEMA 6. TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA

AISLADA (IGBT)
Puerta
SiO2
xido de puerta
n+
n+
n+
canal
(sustrato)
1016 cm-3
n-
101415 cm-3
WD
RD
iD
n+
1019 cm-3
iD
1019 cm-3
(oblea)
Drenador
Transistor D-MOS
En un Transistor MOS para conseguir altas tensiones (BVDSS):
Para un dopado Nd, la mxima tensin de ruptura es: BVDSS
5
La zona de deplexin tiene un espesor: WD 1 10 BVDSS
La resistividad especfica es: RD A 3 10
BV
2.5 2.7
DSS
1.3 1017
ND
(cm)
( cm 2 )
Grficamente:
log(cm2)
6.1. INTRODUCCIN
6.2. TECNOLOGAS DE FABRICACIN Y CURVA
CARACTERSTICA I-V
6.3. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT
6.3.1. Estado de Bloqueo
6.3.2. Estado de Conduccin
6.4. EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARSITO
INTERNO DEL IGBT (LATCH UP)
6.4.1. Efecto del Latch up
6.4.2. Mtodos para Evitar el Efecto del Latch up
6.5. CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
6.5.1. Encendido
6.5.2. Apagado
6.6. REA DE OPERACIN SEGURA
6.7. CARACTERSTICAS Y VALORES LMITE DEL IGBT
n+
BVDSS
Tema 6. IGBT Transparencia 1 de 20
INTRODUCCIN
TECNOLOGAS DE FABRICACIN

Fuente
Aparece en dcada de los 80

Entrada como MOS, Salida como BJT
Velocidad intermedia (MOS-BJT)
Tensiones y corrientes mucho mayores que MOS (1700V-400Amp)
Geometra y dopados anlogos a MOS (con una capa n mas ancha y
menos dopada)
Soporta tensiones inversas (no diodo en antiparalelo). No el PT
Tiristor parsito no deseado
Existen versiones canal n y canal p
Puerta
SiO2
xido de puerta
n+
n+
canal
(sustrato)
1019 cm-3
p
1016 cm-3
n-
101415 cm-3
WD
RD
iD
n+
n+
iD
1019 cm-3
(oblea)
Fuente
Drenador
Transistor D-MOS
SiO2
En un Transistor MOS para conseguir tensiones (BVDSS) elevadas, RD tendr un

valor elevado al ser ND necesariamente bajo y el espesor WD grande.
Si la BVDSS del dispositivo es mayor que 200 o 300 Voltios La resistencia de la

capa n- (RD) es mucho mayor que la del canal.
xido de puerta
Transistor n-MOS
La cada en conduccin ser: iDRON Donde RON ser la suma de las

resistividades de las zonas atravesadas por la corriente de drenador (incluyendo
la de canal).
iD
Puerta
n+
n+
n+
canal
L
n
WD
p+
Regin de arrastre
del Drenador
RD
n+
1/RON
(sustrato)
iD
iD
n+
iD
Capa de almacenamiento
Oblea
Capa de inyeccin
Drenador
VDS
a) MOS de alta tensin
b) MOS de baja tensin
VDS
Transistor IGBT
Slo en PT-IGBT
n+
TECNOLOGAS DE FABRICACIN. TRANSISTOR

EN TRINCHERA (TRENCHED)
S
SiO2
n+
TRANSISTOR IGBT. CURVA CARACTERISTICA Y

SIMBOLOS
ID
Avalancha
VGS
Saturacin
n+
n+
p
n+
VRRM, Muy
bajo si es un
PT-IGBT
Canal
Corte
n-epitaxial
+
n -epitaxial
VDSon, Menor si
es un PT-IGBT
Avalancha
Corte
BVDSS
VDS
Curva Caracterstica Esttica de un Transistor IGBT de Canal n
p+-sustrato
iC
iD
Transistores IGBT de potencia modernos: Transistores en Trinchera

VCE
G
VGE
Microfotografa de una seccin

de la puerta de un transistor
IGBT tipo Trenched
VDS
a)
VGS
b)
Representacin Simblica del Transistor IGBT. a) Como BJT,

b) Como MOSFET
FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT
El comportamiento cortado es anlogo al MOS cortado. En conduccin ser:
S
n+
n+
n+
n+
Rarrastre
n-
Rdispersin
n-
Rarrastre
n+
p+
n+
p+
D
D
Seccin Vertical de un IGBT. Transistores MOSFET y BJT Internos a la

Estructura del IGBT
Seccin Vertical de un IGBT. Caminos de Circulacin de la Corriente en Estado

de Conduccin
Rarrastre
D
J1
Varrastre
G
ID Rcanal
S
Circuito Equivalente aproximado del IGBT.

Rarrastre
D
J1
Varrastre
G
ID Rcanal
IC 0.1 ID
n+
n+
p
Rdispersin
Circuito Equivalente aproximado del IGBT.
n+
Comparacin VDS(on) MOS-IGBT para la misma BVDSS
p+
VDS(on)=VJ1+ IDRcanal +IDRarrastre

Vj1=0.71Volt.
Rcanal =Rcanal (MOS)
Rarrastre (IGBT) << Rarrastre (MOS)
+
Debido a la inyeccin de huecos desde p
Esta resistencia es menor an si es PT-IGBT, ya que para soportar la
misma tensin puede ser casi la mitad de ancha.
(adems en los PT-IGBT la tensin VJ1 es menor al estar ms
dopadas las capas que forman la unin)
La cada total es menor en el IGBT para tensiones a partir de 600V. (1.6V
para 1.200 Voltios)
En el mercado existen IGBTs de 600, 1.200, 1.700, 2.200 y 3.300 Voltios
Hay anunciados IGBTs de 6.500 Voltios
D
Seccin Vertical de un IGBT. Transistores MOSFET y BJT Internos a la
Estructura del IGBT
J1
J2
J3
Resistencia de
dispersin del
sustrato
Circuito Equivalente del IGBT que Contempla el Tiristor Parsito
EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARSITO

INTERNO DEL IGBT (LATCH UP)
J1
J2
J3
VJ3<V

INTERNO DEL IGBT (LATCH UP). Mtodos para
Evitar el Efecto del Latch up
Si VJ3>V el transistor npn entra en

conduccin y activa el SCR.
Prdida de control desde puerta
=latch-up esttico (ID>IDmax).
Si se corta muy rpido, el MOS es
mucho ms rpido que el BJT y
aumenta la fraccin de la corriente
que circula por el colector del p-BJT,
esto aumenta momentneamente VJ3,
haciendo conducir el SCR.
latch-up dinmico.
Debe evitarse porque se pierde el control
del dispositivo desde la puerta
Entrada en conduccin del SCR parsito
G
S
p,
1016
n+
n+
p,
1016
p+,1019
nn+
p+
Mtodos para evitar el Latch-up en IGBTs:

A) El usuario:
A.1) Limitar ID mxima al valor recomendado por el fabricante.
A.2) Limitar la variacin de VGS mxima al valor recomendado por el
fabricante (ralentizando el apagado del dispositivo).
B) El fabricante: En general intentar disminuir la resistencia de dispersin
de sustrato del dispositivo:
B.1) Hacer L lo menor posible
B.2) Construir el sustrato como dos regiones de diferente dopado
B.3) Eliminar una de las regiones de fuente en las celdillas.
D
Tcnica para evitar el Latchup en los Transistores IGBT's. Modificacin del
Dopado y Profundidad del Sustrato

INTERNO DEL IGBT (LATCH UP) . Mtodos para
Evitar el Efecto del Latch up
G
CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
El encendido es anlogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de cola:
VGS(t)
VT
-VGG
n+
p+
iD(t)
td(off)
Corriente
de cola
p
n-
trv
n+
p
VDS(t)
tfi1
tfi2
VD
D
Tcnicas para evitar el Latchup en los Transistores IGBT's. Estructura de
bypass de la Corriente de Huecos
Es un procedimiento muy eficaz.
Disminuye la transconductancia del dispositivo.
Formas de Onda Caractersticas de la Tensin y Corriente en el Apagado de un

Transistor IGBT conmutando una carga inductiva (no comienza a bajar Id hasta
que no sube completamente Vd)
La corriente de cola se debe a la conmutacin ms lenta del BJT, debido a la carga
almacenada en su base (huecos en la regin n-).
Provoca prdidas importantes (corriente relativamente alta y tensin muy
elevada) y limita la frecuencia de funcionamiento.
La corriente de cola, al estar compuesta por huecos que circulan por la
resistencia de dispersin, es la causa del latch up dinmico.
Se puede acelerar la conmutacin del BJT disminuyendo la vida media de los
huecos en dicha capa (creando centros de recombinacin).
Tiene el
inconveniente de producir ms prdidas en conduccin. Es necesario un
compromiso.
En los PT-IGBT la capa n+ se puede construir con una vida media corta y la ncon una vida media larga, as el exceso de huecos en n- se difunde hacia la capa
n+ dnde se recombinan (efecto sumidero), disminuyendo ms rpido la
corriente.
REA DE OPERACIN SEGURA

iD
10-6s
DC
a)
iD
10-5s
10-4s
VDS
1000V/ s
2000V/ s
CARACTERSTICAS Y VALORES LMITE DEL IGBT

IDmax Limitada por efecto Latch-up.
VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio.
Se disea para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre
4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante
unos 5 a 10 s. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde
puerta.
VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy baja, ser
VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700,
2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan
valores mayores)
Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.
La tensin VDS apenas vara con la temperatura Se pueden conectar en
paralelo fcilmente Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad,
p.ej. 1.200 o 1.600 Amperios.
En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un
par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.
3000V/s
b)
VDS
rea de Operacin Segura SOA de un Transistor IGBT. a) SOA directamente

Polarizada (FBSOA) b) SOA Inversamente Polarizada (RBSOA)
IDmax , es la mxima corriente que no provoca latch up.

VDSmax , es la tensin de ruptura de la unin B-C del transistor bipolar.
Limitado trmicamente para corriente continua y pulsos duraderos.
La RBSOA se limita por la VDS/t en el momento del corte para evitar el
latch-up dinmico

Cgd
Tj constante
VDS
ID creciente
Cds
VGS
a)
Cgs
S
ID
Tj=25C
Tj=125C
VDS/ t=0
VDS/ t>0
VDS/ t<0
b)
Anlogo al
transistor
MOS
Anlogo al
transistor
BJT
Las capacidades que aparecen en los catlogos suelen ser:

Cre o Cmiller : es la Cgd.
Ci, Capacidad de entrada: es la capacidad suma de Cgd y Cgs. (Medida
manteniendo VDS a tensin constante).
Co, Capacidad de salida: es la capacidad suma de Cgd y Cds. (Medida
manteniendo VGS a tensin constante).
105 pF
Ci
VDS
a) Efecto de VGS y la corriente de drenador sobre la cada en conduccin

(Prdidas en conduccin). Uso de VGS mximo (normalmente=15V).
b) Efecto de la corriente de drenador sobre la derivada de la cada en
conduccin respecto a la temperatura.
Derivadas positivas permiten conexin en paralelo.
Para funcionamiento de dispositivos aislados es preferible una derivada
negativa, ya que al subir la corriente, sube la temperatura disminuyendo la
cada de potencial (suben menos las prdidas).
En los PT-IGBT, la corriente nominal suele quedar por debajo del lmite
(siempre derivadas negativas) en los NPT-IGBT, se suele trabajar en zona de
derivada positiva.
Efecto de la tensin VDS sobre

las capacidades medidas en un
transistor IGBT.
104 pF
Co
103 pF
102 pF
0.1 V
Cre
1V
10 V
Puede observarse que cuando

est cortado son mucho
menores que cuando est
conduciendo
100 V
VDS (V)
Mdulo Semipuente 1200V, 400Amp
Mdulo con 7 IGBTs encapsulados.1200V, 75Amp

105x45x18mm
INTRODUCCIN
El SCR tiene una cada en conduccin muy baja, pero necesita que el circuito
de potencia anule su corriente andica. Esto ha reducido su empleo a
circuitos de alterna (bloqueo natural con una conmutacin por ciclo).
TEMA 7. TIRISTORES DE APAGADO POR

PUERTA
7.1. INTRODUCCIN
7.2. ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO DEL GTO
7.3. ESPECIFICACIONES DE PUERTA EN EL GTO
7.4. CONMUTACIN DEL GTO
7.4.1. Encendido del GTO
7.4.2. Apagado del GTO
7.5. MXIMA CORRIENTE ANDICA CONTROLABLE
POR CORRIENTE DE PUERTA
7.6. OTROS DISPOSITIVOS DE APAGADO DESDE LA
PUERTA.
7.6.1. Tiristor Controlado por Puerta Integrada: IGCT.
7.6.2. Tiristor Controlado por Puerta MOS: MCT
7.7. COMPARACIN ENTRE LOS DISPOSITIVOS DE
POTENCIA.
7.8. ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN
DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 1 de 23
Desde los primeros aos del SCR los fabricantes han intentado conseguir que
los SCR pudiesen cortarse desde la puerta A principios de los aos 80
aparecen los primeros GTOs.
Porqu no puede cortarse un SCR desde puerta?
CTODO (K)
PUERTA (G)
VGK<0
Unin
Catdica
p
Unin de
Control
n+
n+
n-
Capa Catdica
Capa de
Control
Capa de
Bloqueo
Unin
Andica
p+
Capa Andica
NODO (A)
Al aplicar una tensin negativa en la puerta (VGK<0), circula una corriente

saliente por la puerta. Aparece una focalizacin de la corriente ando-ctodo
hacia el centro de la difusin n+ catdica debido a la tensin lateral. Esta
corriente polariza directamente la zona central de la unin catdica,
manteniendo al SCR en conduccin.
ESTRUCTURA DEL GTO
CARACTERSTICA ESTTICA DEL GTO
Ctodo
Puerta
Puerta
n+
iA
n+
Puerta
BV2030 V
p
VAK
np+
n+
p+
n+
p+
nodo
nodo
nodo
Seccin de un GTO:
Las principales diferencias con el SCR son:
Interconexin de capas de control (ms delgada) y catdicas,
minimizando distancia entre puerta y centro de regiones catdicas y
aumentando el permetro de las regiones de puerta.
Ataque qumico para acercar el contacto de puerta al centro de las
regiones catdicas.
Regiones n+ que cortocircuitan regiones andicas:
Acelerar el apagado
Tensin inversa de ruptura muy baja
Puerta
Puerta
Ctodo
Ctodo
Caracterstica esttica y smbolos de GTOs
FUNCIONAMIENTO DEL GTO

A
A
p1
p2
n2
J2
p2
n2
IC2
IC1
p2
J3
puerta, debe ser
IB1
T1
n1
J2
J2
G
IA = IE1
n1
n1
Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la
p1
J1
J1
FUNCIONAMIENTO DEL GTO
T2
G
J3
IG
IB2
IK = -IE2
K
Al cebarlo por corriente entrante de puerta, tenemos exactamente el mismo

proceso que en el SCR normal.
Para bloquearlo, ser necesario sacar los transistores de saturacin aplicando
una corriente de puerta negativa:
-
IB2=1IA-IG ; IC2= -IB1 = (1-1) IA

La no saturacin de T2 IB2< IC2 /2 dnde 2= 2
sustituyendo las ecuaciones anteriores en la desigualdad obtenemos:
I B2 <
/(1-2)
I C 2 (1 2 ) (1 1 ) (1 2 )
=
I A;
2
2
I B2 = 1 I A I G <
luego:
IG >
IA
off
off =
2
1 + 2 1 lo mayor posible, para ello
debe ser: 2 1 (lo mayor posible) y 1 0 (lo menor posible).

2 1 implica que la base de T2 (capa de control) sea estrecha y
poco dopada y que su emisor (capa catdica) est muy dopado.
Estas condiciones son las normales en los SCR.
1 0 implica que la base de T1 (capa de bloqueo) sea ancha y
tenga una vida media de los huecos muy corta. La primera
condicin es normal en SCRs de alta tensin, la segunda no,
porque ocasiona un aumento de las prdidas en conduccin.
Para conseguir una buena ganancia off ser necesario asumir
unas prdidas en conduccin algo mayores.
Los cortocircuitos andicos evitan estas prdidas extras, al quitar
corriente de base a T1 disminuyendo su ganancia sin tener que
disminuir la vida media.
Respecto a la velocidad de corte de T1, si la vida media de los
huecos es larga, el transistor se vuelve muy lento, ya que solo
pueden eliminarse por recombinacin al no poder difundirse
hacia las capas p circundantes por estar llenas de huecos. Los
cortocircuitos andicos aceleran la conmutacin de T1 al poder
extraerlos (a costa de no soportar tensin inversa).
(1 1 ) (1 2 ) I A
2
,
dnde off es la ganancia de corriente en el

momento del corte y vendr expresada por:
off =
2
1 +2 1
ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO
IG
GTO Bloqueado
GTO Conduciendo
dIG /dt
CIRCUITO DE EXCITACIN DE PUERTA DEL GTO
IGM
IGON
GM
Se necesita una fuente de tensin con toma media.

Formas de Onda de la Corriente de Puerta
a) Para entrar en conduccin, se necesita una subida rpida y valor IGM
suficientes para poner en conduccin todo el cristal. Si slo entra en
conduccin una parte y circula toda la corriente, se puede daar. Ntese
que si slo entra en conduccin una parte bajar la tensin nodoctodo y el resto de celdillas que forman el cristal no podrn entrar en
conduccin.
b) Cuando se ha establecido la conduccin se deja una corriente IGON de
mantenimiento para asegurar que no se corta espontneamente. (Tiene
menos ganancia que el SCR).
-
c) Para cortar el GTO se aplica una corriente IG =IA/off muy grande, ya

que off es del orden de 5 a 10.
d) Esta corriente negativa se extingue al cortarse el SCR, pero debe
mantenerse una tensin negativa en la puerta para evitar que pudiera
entrar en conduccin espordicamente.
CONMUTACIN DEL GTO
Carga +
DLC
Io
Df
Turn-on
snubber
Lon
Lon
Don
CONMUTACIN DEL GTO. ENCENDIDO POR

CORRIENTE POSITIVA DE PUERTA
AMORTIGUADOR DE ENCENDIDO:
Limita la velocidad de subida de la

corriente andica en el encendido,
evitando que IA alcance valores muy
altos cuando an no puede circular por
todo el cristal (podra subir mucho
debido a la recuperacin inversa de Df )
IG /t, Limitada por las

inductancias parsitas
IG
I GON
IGM
AMORTIGUADOR DE APAGADO:
Limita la velocidad de subida de la

tensin andica en el apagado,
las
evitando que al subir VAK
corrientes por las capacidades de las
uniones lo ceben de nuevo
DS
t
I A : Sin amortiguador de encendido
IA
td
IAmax : Limitada por el
amortiguador de encendido
Turn-off
snubber
t
V AK
L
LS
GTO
Inductancia
parsita de las
conexiones
CS
Formas de Onda en el Encendido del GTO
Circuito para el Estudio de la Conmutacin del GTO:

Al no poder hacerlo funcionar sin estos componentes auxiliares, vamos a
estudiar la conmutacin del GTO sobre este circuito completo.
CONMUTACIN DEL GTO. APAGADO POR

CORRIENTE NEGATIVA DE PUERTA
IG
MXIMA CORRIENTE ANDICA CONTROLABLE

POR CORRIENTE DE PUERTA EN UN GTO
Ctodo
IGON
t
IA
ts
+
Puerta n
nt
Resonancia de Cs
y L (Prdidas)
t
Formas de Onda en el Apagado del GTO
n+
Puerta
tcola
VAK
Puerta
Focalizacin de la IA
debido al potencial
lateral Aumento
de la resistividad
Al aplicar una corriente negativa por la puerta, se produce un campo

lateral, que provoca que la corriente andica se concentre en los puntos mas
alejados de las metalizaciones de puerta.
Esto hace que aumente la resistividad de la capa de control.
Para que circule la corriente IG requerida, se necesita ms tensin.
Si sube IA se necesita an ms tensin -VGK.
Se podr subir -VGK hasta la tensin de ruptura de la unin Puerta-Ctodo.
Esta ruptura definir la mxima corriente controlable desde la puerta
TIRISTOR CONTROLADO POR PUERTA INTEGRADA:

IGCT
FUNCIONAMIENTO DEL IGCT
GTO y Diodo de la misma tensin de ruptura. Para integrarlos en la misma

oblea, hay que hacer el diodo ms ancho Ms prdidas
IGCT y Diodo de la misma tensin de ruptura. Se integran sin problemas.

Se suprimen los cortocircuitos andicos, se sustituyen por una capa
andica transparente a los electrones (emisor del transistor pnp muy
poco eficaz 1 muy pequea. Esto permite hacer un dispositivo PT
ms estrecho con menores prdidas en conduccin.
Se mejora el diseo de la puerta (muy baja inductancia) 4.000 Amp/s
(con una tensin Puerta-Ctodo de slo 20V). Apagado muy rpido
menores prdidas en conmutacin.
En el IGCT, se consigue transferir TODA la corriente catdica a la puerta

rpidamente, de forma que la unin catdica queda casi instantneamente
polarizada inversamente y el apagado del SCR queda reducido al corte del
transistor npn No es necesario un amortiguador de apagado.
La ganancia de puerta ser 1 ya que toda la corriente andica se transfiere a la
puerta.
ZONA DE OPERACIN SEGURA DEL IGCT
MODULO CON UN IGCT
4.500V, 3.600Amp. Dimetro Oblea: 120 mm
Ejemplo de zona de operacin Segura de un IGCT.

(Anloga a la de un BJT)
TIRISTOR CONTROLADO POR PUERTA MOS: MCT
COMPARACIN ENTRE LOS DISPOSITIVOS DE

POTENCIA
Conductor
A
G
Doff n
Soff
A
Doff
n+
p
Son
off-FET
Son p
on-FET
Soff
Don
pK
n+
K
a)
b)
(a) Seccin Transversal del p-MCT. (b) Circuito Equivalente
Comparacin de la cada de tensin en conduccin.
MOS
G
G
Smbolos del MCT: a) p-MCT
b)
Estructura formada por un SCR y dos transistores MOS (uno para

encenderlo y otro para apagarlo) Estructura compleja, con muchos
requerimientos contradictorios.
IGBT
SCR
GTO
Fcil de
controlar
Velocidad
Bajo coste
(V<150V)
Salida lineal
rea de silicio
/kVA
Fcil de
controlar
No Snubber
rea de silicio
/kVA
Tensiones y
corrientes
muy altas
Muy alta
tensin
rea de silicio
/kVA
Alto
coste/kVA
(V>300V)
Cada en
conduccin
fmax 50kHz
No se apaga
desde la puerta
Circuito de
puerta
Prdidas en
Conmutacin
Snubbers
Comenzaron las investigaciones en 1992, en la actualidad se han

abandonado al no poder alcanzar potencias elevadas y no ser competitivo
con el MOS en bajas potencias (frecuencia menor y mayor complejidad de
fabricacin mayor costo).
COMPARACIN ENTRE DISPOSITIVOS DE POTENCIA
ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN DE

LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: COOL-MOS
Evolucin de la mxima potencia controlable con GTO e IGBT. (Fuente ABB)

IMAX (kA) 7
6
GTO
5
4
3
2
1
100 50
10 5
20
7
VMAX (kV)
1
log(f)
(kHz)
IGBT
Consiguen que la resistencia en conduccin crezca casi linealmente con
la tensin de ruptura del dispositivo en vez de crecer con una potencia
2.6. Esto los hace interesantes para tensiones altas (600 a 1500Voltios).
Existen comercialmente (Infineon).
MOS
Mximas tensiones, corrientes y frecuencias alcanzables con transistores MOS,

IGBT y GTO

LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: IEGT
Injection Enhanced Gate Thyristor:
IEGT
La razn por la que la cada en
conduccin de un SCR o GTO es
menor que en el IGBT radica en
la doble inyeccin de portadores
(desde el ctodo y desde el
nodo).
En el IGBT la inyeccin desde la
fuente es muy limitada.
En el IEGT, se consigue que la
capa de fuente tenga una
eficiencia muy alta (optimizando
los perfiles de los dopados)

LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: HiGT
Seccin de una
celdilla elemental
Fuente
Seccin de una
celdilla elemental
Puerta
xido de puerta
xido de puerta
+
n+
n+
canal
(sustrato)
Puerta
SiO 2
SiO 2
Fuente
n+
p+ (oblea)
Capa de Inyeccin
Drenador
a) IGBT
n+
n+
canal
Regin de arrastre del
Drenador
Capa de Almacenamiento
(sustrato)
n
Regin de arrastre del
n+
Drenador
Capa de Almacenamiento
p+ (oblea)
Capa de Inyeccin
Drenador
b)HiGT (Hitachi)
La cada en conduccin puede ser comparable a la del GTO para los

dispositivos existentes de 4.500V y 1.500Amp.
En investigacin (Toshiba)
Existen variantes (HiGT Hitachi)
El efecto es parecido al obtenido en el IEGT.

LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: COMPARACIN
ENTRE LOS DISPOSITIVOS NUEVOS Y LOS
CONSOLIDADOS
Comparacin de la cada en conduccin de dispositivos nuevos y

consolidados
INTRODUCCIN
TEMA 8. LIMITACIONES DE CORRIENTE Y

TENSION
8.1. INTRODUCCIN
8.2. ASOCIACIN DE DISPOSITIVOS
8.2.1. Conexin en Serie
8.2.2. Conexin en Paralelo
8.3. PROTECCIONES
8.3.1. Proteccin contra Sobreintensidades
8.3.2. Proteccin contra Sobretensiones
8.3.2.1. Proteccin con Redes RC
8.3.2.2. Proteccin con Semiconductores y
Varistores de xido Metlico
1er tema dedicado a aspectos prcticos en el uso de Dispositivos de

Potencia.
Prximo tema: Circuitos de Disparo.
Siguiente tema: Limitaciones Trmicas.
Objetivo de este tema: No superar lmites recomendados por
fabricantes (Tensiones, corrientes y sus derivadas) Evitar la
destruccin de los dispositivos:
Extensin de las caractersticas de los dispositivos por
dificultad o imposibilidad de encontrar los dispositivos
adecuados en el mercado:
Conexin Serie.
Conexin Paralelo.
Empleo de dispositivos auxiliares para evitar que se superen
los lmites de los dispositivos:
Sobreintensidades.
Empleo de Fusibles
Sobretensiones:
Redes Amortiguadoras.
Limitadores de tensin.
Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensin. Transparencia 1 de 25
ASOCIACIN DE DISPOSITIVOS.
CONEXIN EN SERIE
Al conectar en serie dos dispositivos se trata de poder realizar un convertidor
en el que soporten tensiones mayores que las que soporta un solo dispositivo.
Optimo deberan soportar el doble de lo que soportan cada uno de ellos.
Problema reparto desigual de las cadas de tensin entre los dos
dispositivos (aunque sean del mismo fabricante y de la misma serie).
Ejemplo con SCR Cubre los casos de bloqueo directo e inverso.
IA
SCR1
VAK2 VAK1 VAK
VAK1
Se pueden elegir R1 y R2 de tal forma

que el par SCR1-R1 y el par SCR2-R2
tengan
la
curva
caracterstica
compuesta muy parecida.
IT
VAK1
R1
VT
VAK2
R2
VAK2
R1
VAK1 VAK2
Reparto de Tensiones en una Asociacin Serie de Tiristores
SCR2
VAK1
VT
VT= VAK1+VAK2
I= IA1=IA2
SCR1
IA
VAK2
VT
SCR2
Debido a los problemas antes mencionados, se prefiere emplear resistencias

iguales que eviten un desequilibrio exagerado entre las tensiones soportadas
por los dispositivos, as para el caso de dos dispositivos el efecto de conectar
una resistencia igual a cada dispositivo es (slo se considera bloqueo directo, el
efecto sobre el bloqueo inverso es anlogo):
IT
IA
SCR1
CONEXIN EN SERIE
Problemas:
Si en vez de dos son un nmero
elevado es imposible ajustarlo.
Al cambiar la temperatura
cambian las curvas.
Cada vez que se sustituya un SCR
por mantenimiento hay que
reajustar todas las resistencias
SCR2
VAK2
VAK1
R2
VAK1 VAK2 VAK
Reparto de Tensiones en una Asociacin Serie de Tiristores

Restricciones:
Ninguna de las tensiones andicas deber ser mayor que la mxima
soportable por cada dispositivo (Ep).
La tensin total mxima ser la suma de las dos tensiones nodo-ctodo,
cuando la mayor de las dos alcance su valor mximo (Ep).
El mayor valor posible ser cuando las dos tensiones nodo-ctodo
sean iguales entre s y al valor mximo (Ep).
Cuanto menor sea R ms parecidas sern las dos tensiones nodoctodo.
Cuanto menor sea R tendremos ms disipacin de potencia en R, para
n resistencias las prdidas totales sern:
Pn.(Ep)2/R
CONEXIN EN SERIE
I=IAmin
VAK1=
Ep=I1R
SCR1
I1
R
I=IAmax
I2
VT=Em
VAK2
SCR2
I=IAmax
I2
VAK3
SCR3
M
M
I=IAmax
I2
VAKn
SCRn
CONEXIN EN SERIE
En las transiciones de cebado a bloqueo y viceversa pueden presentarse
problemas debido a la diferencia de velocidad de cada dispositivo:
Cebado: Si se retrasa uno de los dispositivos Soportar toda la tensin.
En el caso del SCR es menos grave que en otros dispositivos, ya que
la tensin cae a unos pocos voltios (Debe evitarse, porque a la larga se
daar).
La solucin es dar un pulso de puerta adecuado para que todos los
dispositivos entren en conduccin a la vez.
Debe llegar el pulso a la vez (Uso de fibras pticas, caminos
iguales).
Debe ser lo ms escarpado posible.
Bloqueo: Si se adelanta un dispositivo Soportar toda la tensin
entrando en ruptura.
En el caso del SCR es ms grave que en otros dispositivos, ya que la
tensin cae a unos pocos voltios y no se consigue que se bloquee.
Una posible solucin es retrasar todos los SCR aadiendo una
capacidad en paralelo:
R
RD
C
Ecualizacin Esttica de una asociacin serie de SCRs (Ep ser la

mxima tensin que soporta un dispositivo en bloqueo directo o inverso)
I 1 > I 2 V AK > V AK = V AK L = V AK
1
V AK1 = I1 R = E P ; Em = E p + (n 1) R I 2
Como:
I 2 = I 1 I Amax
resulta:
n E p Em
(n 1) I Amax
Se ha de repetir para bloqueo directo e inverso y elegir el menor valor

que resulte para R.
RD
C
C
Esta solucin tiene el problema de

que al cebar los SCR hay unas
elevadas corrientes andicas y
sobre todo una elevada derivada
de dicha corriente
M
Esta
solucin
tiene
el
problema de no ser capaz de
retrasar los SCR el tiempo
requerido.
CONEXIN EN SERIE
CONEXIN EN PARALELO
La solucin pasa por tener un circuito con un diodo, que al cebar permita una
descarga lenta del condensador a travs de RD pero al bloquear, conecte C
directamente a la tensin nodo-ctodo. El circuito completo para la conexin
serie de un grupo de SCRs ser por tanto:
RD
Al conectar en paralelo dos dispositivos se trata de poder realizar un

convertidor en el que soporten corrientes mayores que las que soporta un
solo dispositivo.
ptimo deberan soportar una corriente el doble de lo que soporta
cada uno de ellos.
Problema reparto desigual de las corrientes entre los dos dispositivos
(aunque sean del mismo fabricante y de la misma serie).
Ejemplo con SCR
IA
IA1
IA1
IA
RS
SCR1
IA2
SCR2
VAK
IA2
RD
RS
C
VAK
Reparto de Corrientes en una Asociacin Paralelo de Tiristores
Ecualizacin Dinmica
Ecualizacin Esttica
El problema se agrava cuando la derivada de la tensin nodo-ctodo en

conduccin es negativa
Ecualizacin Esttica y Dinmica de un grupo de SCRs conectados en serie.
CONEXIN EN PARALELO
CONEXIN EN PARALELO
El problema se agrava cuando la derivada de la tensin nodo-ctodo en

conduccin es negativa:
IA
IA
T1
SCR1
SCR2
IA
IA2
T1 +T1
IA
T2 - T 2
IA
IA1
IA1
IA1
T2
Si los dispositivos tienen coeficiente negativo es necesario el uso de

ecualizacin, por ejemplo empleando resistencias o bobinas acopladas:
IA
IA1
IA1
IA2
IA
IA2
R
IA1
IA2
SCR1
IA1
VAK
IA2
IA2
IA2
SCR2
VAK
VAK VAK
a)
VAK VAK
b)
VAK
Uso de resistencias ecualizadoras. Problema: La Potencia crece con el

cuadrado de la corriente No se puede usar para corrientes elevadas.
Conexin en paralelo de dos dispositivos de potencia: a) Con coeficiente de

temperatura negativo y b) Con coeficiente positivo.
Si por uno de los dispositivos pasa ms corriente, se calentar ms.
Si sube la temperatura se desplaza la curva caracterstica esttica para
disminuir su cada de tensin.
Si tiene menor cada de tensin que los dems, circular una corriente an
mayor.
Ese incremento de corriente ocasionar un aumento de la temperatura,
haciendo que el desequilibrio de corrientes sea muy grande.
Si la derivada de la tensin nodo-ctodo en conduccin es positiva el efecto es
justo el contrario y se equilibran las corrientes.
CONEXIN EN PARALELO
Conexin de tres dispositivos en paralelo
Conexin de dos
dispositivos en paralelo
CONEXIN EN PARALELO
Aunque los dispositivos tengan coeficiente de temperatura negativo, se
pueden conectar si te tienen en cuenta las siguientes recomendaciones:
Si se puede elegir midiendo las cadas a corriente nominal y a
Temperatura constante, se puede definir una banda de voltajes por
ejemplo de 50 mVoltios y escoger los que caigan dentro de la banda.
Se debe cuidar especialmente el cableado (pletinas) para que sean
del mismo tamao y no provoque cadas extra que ocasionen
mayores desequilibrios.
Se deben montar en una misma aleta, para tratar de igualar las
temperaturas de las cpsulas.
Se debe cuidar especialmente el circuito de disparo generando un
pulso con una pendiente elevada y del valor adecuado al nmero de
dispositivos conectados en paralelo. A cada dispositivo le debe
llegar el pulso a la vez.
Retrasos en el disparo pueden hacer que no lleguen a entrar
en conduccin los SCR retrasados (por tensin nodo-ctodo
muy baja), sobrecargando a los que se han adelantado.
nodo
SCR Auxiliar
Mdulo de Potencia
Puerta
Ctodo
Conexin de 2 y 3 Tiristores en Paralelo con Bobinas Ecualizadoras:
Ventaja: No prdida de potencia en resistencias
Desventajas: Demasiada complejidad al subir el nmero de dispositivos en
paralelo: coste, peso y volumen.
Conjunto de Varios Tiristores en Paralelo en un mismo Encapsulado

incluyendo un SCR auxiliar para el disparo.
En el encapsulado de estos mdulos, los fabricantes tienen en cuenta
las recomendaciones anteriores, por lo que pueden usarse sin
problemas.
PROTECCIONES.
PROTECCIN CONTRA SOBREINTENSIDADES

tm : Tiempo de fusin
ta : Tiempo de arco
tc : Tiempo de limpieza
de la falta
En este tema se va a estudiar la proteccin de los dispositivos, no la proteccin

de mquinas o personas (objeto de otras asignaturas).
Los dispositivos debern protegerse contra:
Sobreintensidades:
Posibles causas:
Sobrecargas.
Cortocircuitos.
Medidas a tomar: Al tratarse ambas causas de un mal funcionamiento,
debe detenerse la operacin del dispositivo, hasta que un operador
repare la causa.
Fusibles.
Interruptores.
Sobretensiones:
Posibles causas:
Causas externas al circuito:
Perturbaciones atmosfricas
Conexiones y desconexiones de equipos en la red.
Causas internas al circuito:
Variaciones bruscas de corrientes por bobinas.
Medidas a tomar: Al ser un funcionamiento normal del circuito, deber
evitarse que se superen los lmites de tensin de cada dispositivo y sus
derivadas. Por tanto, se limitar el efecto de las sobretensiones dejando
el circuito en servicio.
Redes RC.
Dispositivos auxiliares limitadores de tensin.
Icc
Corriente
sin el fusible
Imax
Corriente
sin el fusible
ta
tm
tc
Efecto Limitador de Corriente en un Fusible
Al seleccionar un fusible es necesario calcular la corriente de fallo y tener en
cuenta lo siguiente:
1. El fusible debe conducir de forma continua la corriente nominal del
dispositivo.
2
2. El valor de la energa permitida del fusible (i tc) debe ser menor que la del
dispositivo que se pretende proteger.
3. El fusible debe ser capaz de soportar toda la tensin una vez que se haya
extinguido el arco.
4. La tensin que provoca un arco en el fusible debe ser mayor que la tensin
de pico del dispositivo.

I(RMS)
Caracterstica
del dispositivo
Rectificador
Caracterstica
del fusible
T1
T2
T4
T3
Red AC
10-2
10-1
10
t, segundos
Carga
F1
F2
Proteccin de un Grupo de Dispositivos
Proteccin Completa con un Fusible
Rectificador
dispositivo
I(RMS)
F1
F2
fusible
T4
disyuntor
magntico
10-1
T3
Red AC
F4
disyuntor
trmico
10-2
T2
10
t, segundos
Carga
T1
F3
Proteccin Individual de los Dispositivos

PROTECCIN CONTRA DERIVADA MXIMA DE

INTENSIDAD
PROTECCIN CONTRA SOBRETENSIONES
IA
Amortiguador
de encendido
Ron
IA
ta
dIA /dt=VR /LS
LS
tb
Lon
IA
VAK
Carga
almacenada
VAK
t
VR
Don
VR
VP
Sobretensin
IA
En el encendido del SCR o GTO ser:
I A
1
=
V Lon
t
Lon
a)
b)
c)
Sobretensin Producida al Cortar un Circuito Inductivo.:

a) Circuito, b) Conmutacin con un Dispositivo Ideal, c) Conmutacin con un
Dispositivo Real
Limitacin de la Derivada Mxima de la Corriente en un Dispositivo
PROTECCIN CONTRA SOBRETENSIONES.

DESCONEXIN DE LA RED
IA
ta
LS
Red AC
tb=0
Amortiguador
de apagado
IA
R
C
S1
Amortiguador
Transformador
VAC
VAK
VP
VR
Lm
Vo
Convertidor
de Potencia

USO DE REDES RC
a) Circuito Equivalente antes de la Desconexin de la Red

Uso de un Circuito Amortiguador en la Conmutacin de un Dispositivo
Circuito
Resonante
Lm
Vo
b) Circuito Equivalente tras la Desconexin de la Red

DESCONEXIN DE LA CARGA
Convertidor
de Potencia
Amortiguador
IL
PROTECCIN CONTRA SOBRETENSIONES. SVS

SVS: Silicon Surge Voltage Supressor:
Hace el efecto de dos diodos Zener conectados en antiparalelo, entrando en
conduccin si se supera la tensin
Lmite, protegiendo los dispositivos
contra sobretensiones.
S2
VS
Carga
LS
Vo
Estructura, smbolo de circuito y fotografa de SVS

Se conectarn en paralelo con el dispositivo o equipo que deba ser protegido, as
para proteger a un SCR, se elegir un SVS de forma que teniendo en cuenta las
tolerancias de fabricacin del SVS para la corriente mxima prevista por el
SVS no se alcance la tensin VDRM o VRRM del SCR.
a) Carga Conectada
LS
VS
R
C
Carga
Circuito
Resonante
b) Desconexin de la Carga
Tensiones y corrientes al conectar un SVS en paralelo con un SCR.

OTROS DISPOSITIVOS: Diodos de Selenio y MOVs

COMPARACIN ENTRE SVS Y MOV
Adems de los SVS, se utilizan Diodos de Selenio y MOV (Metal xido Varistor):
Los Diodos de Selenio son Diodos Zener, y por tanto protegen en un solo
sentido. Son bastante antiguos y con poca capacidad de disipacin de energa.
Los MOV son resistencias no lineales dependientes de la tensin, de forma que a
tensiones por debajo del umbral presentan una resistividad muy elevada, pero al
superar su umbral tienen una resistividad mucho mas baja comportndose de
forma parecida a los SVS (como dos diodos Zener en antiserie). Son dispositivos
formados por un aglomerado de microgrnulos de xido de Zinc, y pequeas
cantidades de otros xidos metlicos (Bismuto, Cobalto, Manganeso...). Estos
grnulos forman uniones p-n en sus bordes, de forma que el conjunto es un numero
elevado de uniones p-n en serie.
Estos dispositivos pueden conectarse en serie o en paralelo si es necesario.
Comparacin entre estos dispositivos:
V. DC
(V)
SVS
400-3.200
MOV
60-1400
Diodo de Selenio
35-700
Carburo de Silicio
6Cpsulas de Arcos
90-
I. Pico
(A)
P. Pico
(kW)
E. Pico
(Julios)
Vp/Vnom
135-50
350
30
2000
1700
65-192
200
15
4000
3.4
3.5-10
20
1.5
400
0.34
<1.2
1.7
2.3
3.2
8.2

Dispositivo
a Proteger
SVS
MOV
R
C
Uso conjunto de varistores y redes RC para proteger a un dispositivo o equipo.
INTRODUCCIN
Flujo de Potencia
9.1. INTRODUCCIN
9.2. CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN
PARALELO
9.2.1. Circuitos de Control con Acoplamiento DC
9.2.1.1. Salida Unipolar
9.2.1.2. Salida Bipolar
9.2.2. Circuitos de Control con Aislamiento Elctrico
9.2.3. Alimentacin en los Circuitos de Disparo
9.2.3.1. Alimentacin con circuitos de Bombeo de
Carga por Condensador
9.2.3.2. Alimentacin con circuitos Bootstrap
9.2.4. Circuitos de Puerta para SCRs
9.3. CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN
SERIE
9.4. PROTECCIONES
DEL
INTERRUPTOR
DE
POTENCIA INCORPORADAS EN EL CIRCUITO DE
CONTROL
9.4.1. Proteccin contra Sobrecorriente
9.4.2. Proteccin contra Cortocircuitos en Montajes
Tipo Puente
9.4.3. Conmutacin sin Snubbers
Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 1 de 27
Convertidor
de Estado
Slido
Fuente de
Energa
Elctrica
Carga
Objeto de
este tema
Amplificadores
de potencia
Aislamiento
galvnico de
las seales
(deseable)
Elementos de
clculo
Circuito de Mando
TEMA 9. CIRCUITOS DE DISPARO PARA

INTERRUPTORES DE POTENCIA
Esquema de un convertidor de potencia.

En este tema estudiaremos circuitos amplificadores (Drivers)
siguientes caractersticas:
con las
Toman seales procedentes de un sistema digital (5V, 3.3V...) y las

amplifican a niveles adecuados para la conmutacin de dispositivos de
potencia.
Dependiendo de las caractersticas del dispositivo a controlar, podrn ser
de baja o media potencia.
Deben generar seales adecuadas para garantizar:
La conmutacin rpida con prdidas mnimas.
La entrada en conduccin segura del dispositivo, con prdidas en
conduccin mnimas.
El corte seguro evitando que entre en conduccin espontneamente.
Deben incluir las protecciones adecuadas para evitar la destruccin
del dispositivo que controlan:
Sobrecorriente.
Tiempos muertos en ramas de puentes.
CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN

PARALELO. Acoplamiento DC. Unipolares
Seal digital
Circuito de Disparo
Dispositivo
de Potencia
V BB
VBE (TA )
I2
TB
Comparador
I1
R1
ts
TA
I B (TA )
R2
Carga
R1
R2
V BE almacenamiento
I Balmacenamiento
I Bon = I 1
VBB
Vcc
Circuito de VBB
Disparo
Comparador
(a) Circuito de Control de la Corriente de Base de un BJT. (b) Formas de

Onda de Tensin y Corriente durante el Corte
R2 =

PARALELO. Acoplamiento DC. Unipolares
VBEon (TA )
R2
= VCE sat (TB ) + R1 I 1 + VBEon (TA )
M1
CGS
a) Bajas Frecuencias de Trabajo
VBB
Comparador
Vcc
Circuito de
Disparo
R1
Carga
T1 R
G
T2
M1
CGS
b) Altas Frecuencias de Trabajo
(9-1)
(9-2)
(9-3)
Diseo del circuito disparo:

1. Se parte de una velocidad de corte deseada, a partir de la cual se estima
el valor de la corriente negativa que debe circular por la base durante
el tiempo de almacenamiento (corte del BJT de potencia, ecuacin 9-1).
2. Conocido el valor de la corriente de base y de tensin base-emisor con
el BJT en estado de conduccin, se determina I1 de la ecuacin 9-2.
3. Se calcula R1 de la ecuacin 9-3, suponiendo que VBB vale unos 8 Volt.
Un valor pequeo de VBB disminuye las prdidas (del orden de VBB.I1)
en el circuito de base pero, un valor excesivamente pequeo de VBB
aumenta la influencia de VBEon en el circuito de base (ecuacin 9-3).
Circuitos de Control de Puerta de un Interruptor MOSFET o IGBT de

Potencia
En el circuito a): on=(R1+R2)CGS y off= R2CGS ;
Problemas:
Si se necesita conmutar a alta velocidad, deben ser ambas
resistencias de valor pequeo.
Aparece una disipacin de potencia importante durante toff debido al
2
pequeo valor de R1: Poff(toff/T)(VBB /R1).
En el circuito b): on= off= RGCGS.
No se presenta el problema de disipacin, al conducir slo uno de los
dos transistores a la vez.
Puede hacerse RG muy pequea (incluso cero). La carga y descarga
de la capacidad de puerta podr hacerse mucho ms rpido y por
tanto la conmutacin del dispositivo (MOS o IGBT).
Existen en el mercado numerosos CI con salida anloga a esta ltima, por
ejemplo DS0026 UC1707 que pueden suministrar hasta 1Amp.

PARALELO. Acoplamiento DC. Bipolares

PARALELO. Acoplamiento DC. Bipolares
Para acelerar la conmutacin al corte de transistores con puerta tipo Bipolar

MOS puede aplicarse una tensin negativa en la puerta, as:
En los BJT, aparece una corriente de base negativa que disminuye
drsticamente el tiempo de almacenamiento.
En los MOS e IGBT se acelera la descarga de la capacidad de puerta como se
observa en la siguiente figura:
Limitacin de
corriente en BJTs
Circuito de
Disparo
VBB+
Comparador
Tensin de
Referencia
Circuito
de control
Con
Vcc
RB
Tb+
TA
Tb
BJT
MOS
Divisor de tensin
capacitivo
Circuito Bipolar de Control de Base de Interruptor de Potencia
Vcc
Circuito de
Disparo
VBB
Tb+
A
La tensin Vcc vale 55Volt., la resistencia de puerta es de 50 Ohmios y la

tensin VGS vale inicialmente +20Volt. cambiando a 0Volt. en el caso
Unipolar y a 20Volt. en el caso Bipolar. El retraso que se observa entre
ambos casos es de unos 35nS.
Tb
VBB
IB
VBB
TA
Resto del circuito

de Potencia
Se puede comprobar, que gracias al divisor de tensiones capacitivo, se puede

aplicar al transistor de potencia (MOS o IGBT) una tensin negativa a su
entrada (al saturar el transistor Tb- cuando se corta el transistor Tb+ ).
CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO

ELCTRICO

ELCTRICO. OPTOACOPLADORES
Fuentes de alimentacin
V0 auxiliares
Alimentacin DC-aislada
Capacidad
parsita
V1
V2
Aislamiento Circuito
de la seal de Base
Circuito de
Control
Aislamiento Circuito
de la seal de Base
Neutro
Tierra
Alimentacin
de Potencia
Optoacoplador
Salida hacia
el driver
Fase
Tierra
VBB
Entradas
de control
Necesidad de aislamiento de la Seal Lgica de Control:

Tensiones elevadas (lineas rojas). Necesidad de proteccin del personal que
maneja los equipos de control.
Diferentes niveles de tensin dentro del convertidor y por tanto diferentes
referencias para las salidas Base-Emisor (Puerta-Fuente) de los drivers.
Se necesitan diferentes fuentes de alimentacin auxiliares para los diferentes
niveles de tensin. Existen diferentes mtodos que se estudiarn en los
prximos apartados.
El aislamiento galvnico se consigue empleando optoacopladores o
transformadores de pulsos.
Seal
digital de
control
Referencia
Digital
Referencia del
interruptor de potencia
Seal de Control Optoacoplada

El fotoacoplador permite conseguir un buen aislamiento elctrico entre el
circuito de control y el de potencia.
Este tipo de aislamiento ofrece como inconveniente la posibilidad de
disparos espreos en las conmutaciones del interruptor de potencia, debido
a la capacidad parsita entre el LED y el fototransistor.
Otro problema se debe a la diferencia de potencial entre las tierras del
fotodiodo y del fototransistor que no debe superar la tensin de ruptura.
Para minimizar estos dos inconvenientes se pueden usar fibras pticas,
(inmunidad al ruido EMI, aislamiento de alta tensin y evitan el efecto
inductancia de los cables largos).
No permiten transportar potencia, slo seal, por lo que ser necesario una
fuente de alimentacin auxiliar y un amplificador.


VBB
+15 V
Circuito
de
Potencia
DA
Circuito
Integrado CMOS
RG
VBB
Optoacoplador
Optoacoplador
Circuito de Control de Base, con Aislamiento Optoacoplado de la Seal de

Control
El diodo DA sirve para evitar la saturacin completa del BJT de potencia y
as acelerar su conmutacin.
Circuito de Control de Puerta, con Aislamiento Optoacoplado de la Seal de

Control
Este circuito es til para hacer funcionar interruptores MOS a velocidades
bajas (Los circuitos integrados digitales CMOS tienen una impedancia de
salida alta).
Para velocidades mayores pueden usarse circuitos especializados con
impedancia de salida mucho menor, por ejemplo IXLD4425, 3Amp y
15Volt.

ELCTRICO. TRANSFORMADORES

Q
Oscilador
de alta
frecuencia /Q
Circuito de control
Referencia del
interruptor de potencia
Referencia del
circuito de control
Inductancia de
Magnetizacin
Seal digital de Vc
control (baja
frecuencia)
Modulador
Seal de Control de Alta Frecuencia, Aislada con Transformador de Pulso

El transformador de pulsos permite transportar una seal de cierta
potencia, y a veces puede evitarse el uso de una fuente de alimentacin
auxiliar.
El problema es que no pueden usarse pulsos de baja frecuencia debido a
la inductancia de magnetizacin.
Para pulsos de frecuencias superiores a la decena de kHz y con D0.5
pueden conectarse directamente, conectndose bien a la puerta de
transistores de potencia, o en circuitos anlogos a los vistos sustituyendo
a fotoacopladores.
Vd
Vo
Entrada al
driver
Entrada al driver o
seal de disparo
Demodulador
Seal de Control de Baja Frecuencia Aislada con Transformador de Pulso

La frecuencia del oscilador podra ser por ejemplo de 1MHz, y los diodos
rectificadores sern de alta frecuencia, pero de seal.
Vc
Q
/Q
Vo
Vd

V BB
ip
Modulador
ic
Cp
N1
Lm
BJTPotencia
ib
T2
N2
T1
Demodulador
Circuito de potencia
Rp
Seal Digital
de Control

Circuito
de disparo
Buffer
R2
Oscilador
Vcontrol
Circuito de Base con Seal de Control Aislada mediante Uso de

Transformadores de Pulso. Aplicacin para Frecuencias de Trabajo Elevadas y
Ciclo de Trabajo Aproximadamente Constante. Evita Fuente de Alimentacin.
Si T1 est conduciendo, ib sera negativa y por tanto, T2 se cortar. La corriente
de magnetizacin por el transformador (por Lm) ser transcurrido un tiempo:
C1
Buffer
Schmitt-trigger
Buffer
DB
N3
C2
vi
RG
vo
Vcontrol
Q
Q
vi
vo
ipVBB/Rp.
Al cortar T1 cuando por Lm circula ip, se hace circular una corriente por la base,
y por tanto por el colector, de forma que al interactuar los devanados 2 y 3 ser:
ib=icN3/N2.
Adems, durante el tiempo que est cortado T1 Cp se descargar por Rp. Si en
estas condiciones se vuelve a saturar T1, la tensin aplicada al devanado 1 es VBB
y la corriente ip por el transformador podr ser muy alta, de forma que:
ib= icN3/N2- ipN1/N2
Si se eligen adecuadamente las relaciones de transformacin, podr hacerse la
corriente de base negativa y se cortar el transistor de potencia.
Circuito de Puerta con Seal de Control Aislada con Transformador de

Pulso. Aplicacin para Bajas Frecuencias de Trabajo
Si Vcontrol=1, aparece una seal de AF en el transformador, cargando una
vez rectificada los condensadores C1 y C2 Vi=0 y el CI est
alimentado, al ser inversor dar una salida Vo=1 , haciendo que el MOS
de potencia conduzca.
Si Vcontrol=0, no hay tensin de AF en el transformador y C2 se descarga
por R2 Vi=1, mientras que C1 se mantiene en carga (DB impide que se
descargue), luego Vo=0.
Si el circuito integrado es de bajo consumo (p.ej. 7555) se puede mantener
cargado C1 hasta el prximo disparo.
ALIMENTACIN EN LOS CIRCUITOS DE DISPARO
Vcc
Circuito de bombeo de carga
Vcc 2
Circuito de
disparo
VBB1
Carga
Vcc 2
Circuito de
disparo
VBB2
CIRCUITO DE DISPARO CON BOMBEO DE CARGA POR

CONDENSADOR
C2
D2
VCC+VBB
VBB
VCC
C1
CD-1
D1
VBB
Osc.
VBB
VBB
CD-2
Montaje Semipuente
Vcc
Circuito de Disparo con Bombeo de Carga por Condensador
VBB1
VBB2
VBB3
CD-1
CD-3
CD-5
CD-2
CD-4
CD-6
VBB
Simplifica el circuito total, al evitar tres fuentes auxiliares en los

puentes trifsicos.
No se ve afectado por el rgimen de disparo de los interruptores de
potencia.
Los transistores MOS, y dems componentes auxiliares deben
trabajar a altas tensiones (aunque con corrientes bajas).
Los drivers usados para el disparo de los interruptores de la mitad
superior de cada rama deben ser de alta tensin.
Esquema de un Inversor Trifsico

Son necesarias dos fuentes auxiliares de alimentacin para un montaje
semipuente y cuatro para un puente trifsico. La complejidad y el costo es
elevado, pero no hay restricciones respecto al rgimen de disparo de los
interruptores de potencia.
ALIMENTACIN EN LOS CIRCUITOS DE DISPARO

D
VBB
VBB
VBB
Driver
VBB
VBB
Driver
Fase C
Fase B
Fase A
Driver
VBB
Driver
Driver
Driver
VCC
CIRCUITOS DE PUERTA PARA SCRs
VGK
VGGL
VGGH
El circuito resultante es bastante simple, al conseguirse las tensiones

requeridas con un diodo y un condensador.
Los drivers usados para el disparo de los interruptores de la mitad superior
de cada rama deben ser de alta tensin.
El rgimen de disparo de los interruptores debe tenerse en cuenta para que
no se descarguen los condensadores.
Al iniciar el funcionamiento, deben dispararse todos los interruptores de la
mitad inferior de cada rama para arrancar con los condensadores cargados.
Inversor Trifsico con Circuitos Bootstrap
RG
Tierra de Potencia
D1
15v
VGK
D2
RG
Vcontrol
VD
Circuito de Control de Puerta del Tiristor con Amplificacin del Pulso de

Corriente
CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN SERIE
V BB
log iD
ic
PROTECCIN CONTRA SOBRECORRIENTES
RBSO
VGS=20V (mx.
permitido por la
tecnologa)
VGS=15V
(recomendado)
4*iDnom
Seal
de
Control
Conmutacin
iDnom
v CE
Circuito de Control en Serie con el Emisor del Interruptor de Potencia
Para circuitos de disparo de BJTs puede aprovecharse que si se provoca el
corte anulando IE el rea de operacin segura ser la correspondiente al
diodo C-B (no avalancha secundaria) luego ser cuadrada y con un valor
lmite de VCE casi el doble (BVCB02*BVCE0).
El transistor MOS empleado no necesita ser de alta tensin.
vDS
El problema que se plantea al intentar proteger contra sobrecorrientes

a dispositivos tipo BJT, MOS o IGBT, es que la corriente no sube a
valores lo bastante altos para que actuen a tiempo los fusibles, por ello
debe realizarse la proteccin desde el circuito de disparo, as en los
IGBTs:
Al aplicar la tensin VGS de 15 voltios (recomendada por los
fabricantes) en caso de cortocircuito la corriente se multiplica por
cuatro y el circuito de control tiene entre 5 y 10 s para quitar la
tensin de puerta (si la temperatura inicial es menor que 125C).
Si se aplicase la tensin mxima permitida por el espesor del xido
(20V), la corriente de cortocircuito subira mucho ms y el
fabricante no garantiza el corte del dispositivo a tiempo.
En un cortocircuito, pueden darse dos casos:
a) Cierre del interruptor cuando ya se ha producido un
cortocircuito
b) Se produce un cortocircuito cuando el dispositivo est
conduciendo.
PROTECCIN CONTRA SOBRECORRIENTES.
b) Se produce un cortocircuito cuando est conduciendo el dispositivo

(cont.)
a) Cierre del dispositivo sobre un cortocircuito
CGD
iD
vDS
PROTECCIN CONTRA SOBRECORRIENTES.
RG
4*iDnom
VGS=RG*CGD*dVDS/dt+VGG
VGG
iD
vDScc vDS
Al cerrar el IGBT sobre un cortocircuito, la tensin VDS cae ligeramente,

pero se mantiene a un valor muy alto, lo que permite al circuito de
control detectar el malfuncionamiento y dar orden de cortar al
dispositivo.
b) Se produce un cortocircuito cuando est conduciendo el dispositivo
4*iDnom
iD
RG
Tambin es necesario emplear para cortar el IGBT una tensin de puerta

negativa (al menos 5V, mejor 15V), porque:
iDnom
t
CGD
VGG
iD
vDS
El problema se agrava en este caso, ya que al subir la tensin de drenador,

se acopla la subida a travs de la capacidad Miller y se polariza la puerta
con una tensin mayor, con lo cual la corriente de drenador puede subir
hasta valores que impidan el corte del dispositivo. Se debe limitar la
tensin de puerta a 15 voltios empleando un par de diodos Zener:
vDScc vDS
Al producirse un cortocircuito cuando el IGBT est conduciendo, la

corriente sube hasta aproximadamente 4 veces la corriente nominal y la
tensin sube hasta prcticamente el valor de corte. Se produce una
subida muy rpida de la corriente y de la tensin.
Se acelera el corte disminuyendo las enormes prdidas debidas a las

elevadas tensiones y corrientes del cortocircuito.
Se asegura el corte, ya que la tensin umbral de corte disminuye en
unos 10mV por cada grado de temperatura que suba la temperatura de
la unin, de forma que durante un cortocircuito dicha tensin puede
valer casi 2V menos que el valor que da el fabricante a 25C.
Debido a que la derivada de la corriente de drenador es muy alta,
aparecen cadas de tensin extra en las inductancias parsitas internas
y del cableado externo, la tensin que ve la puerta es menor que la
esperada.
PROTECCIN CONTRA CORTOCIRCUITOS EN

MONTAJES TIPO PUENTE
PROTECCIN CONTRA PULSOS DE CORTA DURACIN
VCC
Generacin de retrasos
V1
Interr.
Cerrado
Control T+
T+
D+
Interr.
Abierto
Entrada de
Control
t
a)
Control
Control T-
V2
T-
D-
b)
tmin
Control
V1
tmin
tmin
a) Eliminacin de pulsos estrechos

b) Alargamiento de pulsos estrechos
V2
T+
Si algn pulso generado por el circuito de control (apertura o cierre) es

demasiado estrecho, el circuito de disparo deber evitar que dicho pulso
llegue a la puerta del dispositivo por las siguientes razones:
tc
tc
Circuito de Control con Generacin de Tiempos Muertos

Si est circulando corriente por T+ (I saliente de la rama), cuando se da la
orden de corte a T+ debe esperarse un tiempo (tc) antes de dar orden de
cierre a T- para que d tiempo a cortarse a T+ y evitar un cortocircuito
entre VCC , T+ y T-. El tiempo tc debe ser mayor que el tiempo de
almacenamiento de T+.
Si la corriente circula por T- (I entrante en la rama), el efecto es el mismo
debiendo retrasarse el cierre de T+.
Un pulso estrecho no conseguir que el interruptor entre en conduccin o

se corte totalmente por lo que las prdidas subirn innecesariamente.
Muchos circuitos incluirn circuitos auxiliares, p. ej. amortiguadores, que
necesitan de un tiempo mnimo para disipar la energa almacenada.
Tiene el inconveniente de distorsionar ligeramente las formas de onda
generadas.
CONMUTACIN SIN SNUBBERS

Los circuitos auxiliares empleados como amortiguadores de encendido o de
apagado, suponen una complejidad y un coste aadidos al circuito que deben
evitarse si es posible.
Es decir, no se usarn si el propio circuito garantiza que no se superarn los
lmites de derivadas de la corriente y tensin mximas ni las sobretensiones
inducidas en las bobinas.
Dispositivos con rea de operacin segura casi cuadrada como el IGBT
son buenos candidatos.
Dispositivos cuya velocidad de conmutacin pueda controlarse fcilmente
como el MOS y el IGBT tambin son buenos candidatos, ya que haciendo
que el dispositivo conmute ms lento, se pueden controlar las derivadas
de la corriente y tensin mximas y las sobretensiones inducidas en las
bobinas.
Al hacer que los dispositivos conmuten con tiempos de subida o
bajada mayores las prdidas de conmutacin suben.
Para compensar estas prdidas es necesario trabajar a frecuencias
ms bajas.
INTRODUCCIN
Problema a resolver: Al circular corrientes por los dispositivos y conmutar
entre corte y saturacin se producen unas prdidas de potencia en forma de
calor en el dispositivo. Si este calor no es extrado del interior del
dispositivo, provocar una subida de la temperatura del semiconductor.
TEMA 10. CONTROL TRMICO DE LOS

SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
La temperatura en el cristal de silicio no puede superar un valor mximo,

(normalmente Tjmax=125C), ya que:
10.1.INTRODUCCIN
10.2.MECANISMOS DE TRANSFERENCIA DEL CALOR
10.2.1. Conveccin.
10.2.2. Radiacin.
10.2.3. Conduccin.
10.2.3.1. Modelo Trmico Esttico
10.2.3.2. Modelo Trmico Dinmico
10.2.3.3. Clculo de la Temperatura de la Unin en
Situaciones Transitorias
10.3.DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS
10.3.1. Radiadores
10.3.1.1. Conveccin Forzada
10.3.1.2. Clculo de la Resistencia Trmica
10.3.2. Refrigeradores por lquidos
Vida esperada respecto a la

vida media a 75C
Empeoran las caractersticas funcionales del dispositivo.

La vida media esperada disminuye al aumentar la temperatura.
3
2
TjMax=
125C
Tj=75C
1
40 50 60 70 80 90 100 110 120
Temperatura en la unin Tj C
Puede observarse que un dispositivo funcionando a 75C durar unas

cuatro veces ms que si trabaja a su temperatura mxima, por tanto es muy
importante mantener la temperatura del cristal controlada, an en las
condiciones ms desfavorables (Mximas disipacin de potencia y
temperatura del medio ambiente)
ACCIONES A TOMAR:
Tema 10. Control Trmico. Transparencia 1 de 22
INTRODUCCIN
MECANISMOS DE TRANSFERENCIA DEL CALOR.

Conveccin
ACCIONES A TOMAR:
Debe limitarse la potencia disipada en el dispositivo (prdidas):
Usar dispositivos con menor cada en conduccin.
Limitar la corriente mxima por el dispositivo.
Usar tcnicas que minimicen las prdidas en conmutacin.
O bien facilitar la evacuacin del calor generado hacia el medio ambiente
(supuesto como un sumidero de calor infinito) empleando:
A
Superficie a TS
d
El mecanismo de conveccin del calor

ocurre entre un slido y el fluido con
el que est en contacto. Las capas del
fluido ms prximas se calientan y
crean un flujo (conveccin natural) o
mediante un ventilador o bomba se
establece un flujo (conveccin
forzada)
Flujo de aire a Ta
Cpsulas adecuadas
(Fabricante).
La transferencia de calor por Conveccin (natural, en el aire) se puede estimar por:

Ejemplo de Encapsulado: IGCT
Pconv=1.34 A(T)1.25/d0.25
donde:
Radiadores.
Disipador de Aluminio Extrusionado
Pconv es la potencia transferida por el mecanismo de conveccin desde el

disipador hacia el ambiente (W).
A es el rea de la superficie vertical (m2).
d es la altura vertical del rea de la superficie A (m).
T es el incremento de temperatura entre el fluido y la superficie (C).
La resistencia trmica equivalente ser por tanto:
Rsa ,conv
Radiadores con
ventilacin forzada.
1 d
=
1.34 A T
En algunos manuales se suele aproximar por:

Disipador de Aluminio con ventilador
Refrigeracin por
lquidos. (con o sin
evaporacin)
Dos refrigeradores por agua
1/ 4
Pconv=h A T
Sistema Empleado
Gases
Conveccin Natural
Lquidos
Gases
Conveccin Forzada
Lquidos
Conveccin con Cambio Lquido+Gas (Evaporacin y
de Fase
Condensacin)
h (W m-2 K-1)
2-25
50-1.000
25-250
50-20.000
2.500-100.000

Radiacin

Conduccin
En un material conductor del calor, el flujo de calor va desde los puntos
ms calientes del material hacia los ms frios.
Superficie a TS
A
El mecanismo de radiacin consiste

en la emisin por una superficie de
energa en forma de radiacin
electromagntica (infrarrojos), por
tanto no necesita un medio material
para producirse.
Segn la ley de Fourier, la evacuacin de calor por conduccin se puede

aproximar suponiendo que el material que conduce el calor presenta una
resistencia trmica independiente de la temperatura y de la cantidad de
calor evacuada:
R =
ambiente a Ta
PD
La transferencia de calor por Radiacin se rige por la ley de Stefan Boltzmann:
T1> T2
Prad=EA(Ts4-Ta4)
donde:
Prad es la potencia transferida entre la superficie del disipador y el
ambiente (W).
E es la emisividad de la superficie del disipador. Esta constante depende
del tipo de material. Para objetos oscuros, como el aluminio pintado de
negro utilizado en radiadores es 0.9.
2
A es el rea de la superficie (m ).
Ts es la temperatura de la superficie expresada en grados Kelvin.
=5.6710 W m K
-8
-2
-4
T2
T1
Q
= PD
t
R =
l
A
donde:
es la resistividad trmica del material (Cm/W).

l es la longitud (m).
A es el rea (m2).
PD es la potencia disipada (W).
R es la resistencia trmica del trozo de material (C/W).
es la constante de Stefan Boltzmann
(C*cm/W)
Material
Diamante
Cobre
Aluminio
Estao
Grasa trmica
Mica
Mylar
Aire en calma
La resistencia trmica equivalente ser por tanto:
Rsa ,rad =
con Q =
T C

PD W ,

T
5.7 10 8 EA(Ts4 Tas )
Al instalar radiadores, se debe tener en cuenta que si se colocan prximos a otros

objetos ms calientes absorbern ms energa que la que emitan por radiacin.
0.02 - 0.1
0.3
0.5
2.0
130
150
400
3000
Comparacin de la Resistividad Trmica de Algunos Materiales Tpicos

TRANSFERENCIA DE CALOR POR CONDUCCIN.

Modelo Trmico Esttico

Modelo Trmico Esttico
Se puede hacer una analoga con los circuitos elctricos:
Semiconductor Tj
Magnitud Elctrica
Diferencia de Potenciales
Intensidad
Resistencia Elctrica
Encapsulado Tc
Magnitud Trmica
Diferencia de Temperaturas
Potencia
Resistencia Trmica
Aislamiento
Disipador Ts
+
PD
Temperatura Ambiente Ta
donde:
Rjc es la resistencia trmica debido a
mecanismos de transferencia
de calor por conduccin entre el silicio y el encapsulado del
dispositivo.
Rcs es la resistencia trmica debido a mecanismos de transferencia

de calor por conduccin entre el encapsulado del dispositivo y el
disipador.
Rsa es la resistencia trmica debido a mecanismos de transferencia

de calor por conveccin y radiacin entre el disipador y el ambiente.
Estos mecanismos, aunque ms complejos, se pueden modelar de
forma aproximada mediante una resistencia trmica y sern
estudiados posteriormente.
Rcs +
Rsa +
Tj
Tc
Ts
Ta
Circuito Equivalente Basado en Resistencias Trmicas
Modelo Multicapa de un Semiconductor Montado sobre un Disipador

para analizar la Transferencia de Calor desde el Silicio hacia el
Ambiente
Rja= Rjc+ Rcs+ Rsa
Rjc +
Tj = PD (Rjc+ Rcs+ Rsa)+ Ta

dnde:
Tj es la temperatura de la unin del semiconductor.

Ta es la temperatura ambiente del medio exterior.
Estos clculos no son exactos, debido a que las resistencias trmicas varan con:
La Temperatura.
Contacto trmico entre cpsula y radiador (Montaje).
Dispersiones de fabricacin.
Efectos transitorios.

Modelo Trmico Dinmico

Modelo Trmico Dinmico
Hasta ahora se ha estudiado el funcionamiento en situaciones estacionarias.

Vamos a considerar otros casos:
Arranque de un sistema Potencia constante pero temperatura
subiendo.
Funcionamiento con cargas pulsantes Potencia variable, pero la
temperatura puede considerarse constante (o no).
T1
PD
T1
Ts
=C R
C
PD
La temperatura que alcanza un material al que se aplica una cantidad de

calor depende de su calor especfico definido como:
Ts
La energa requerida para elevar la temperatura de un material un grado

centgrado una unidad de masa de dicho material
La masa del material hace de almacenamiento de energa, modificando la
temperatura con una determinada dinmica.
En la analoga con los circuitos elctricos el producto masa x calor especfico
sera la capacidad de un condensador, ya que:
T = ( M C e )Q = C Q
T
Q
V
= C
= C PD
= C IC
t
t
t
a)
b)
a) Sistema Trmico Simple Consistente en una Masa a Temperatura inicial TS

a la cual se le suministra un escaln de potencia PD, estando en contacto
con un Disipador a Temperatura TS. La temperatura final alcanzada es T1.
b) Modelo equivalente elctrico utilizado para modelar comportamientos
transitorios de un sistema trmico.
La evolucin en el tiempo de la temperatura cuando se aplica un cambio
brusco (escaln) de la potencia disipada ser:
T1 (t ) TS = PD R (1 e t / )
donde:
Ce
M
C
En rgimen permanente coincide con lo estudiado anteriormente para el caso

esttico:
es el calor especfico del material (W C-1 Kg-1)

es la masa del material (Kg)
T1 (t = ) TS = PD R
es la capacidad trmica equivalente (W C-1)

Modelo Trmico Dinmico.
Para una masa de cierto tamao se tendr una distribucin continua de
temperaturas. Para calcular la evolucin de la temperatura se
aproxima el material en varios trozos en los que se supone que la
temperatura es constante:
T5 T4
T3 T2 T1

Modelo Trmico Dinmico.
Respuesta de la Temperatura de un material ante un escaln de potencia:
a) Sistema trmico
aproximado por cinco
trozos.
PD
Tn
Po
TS
PD
Tfn
Tn (t ) T0 n = P0 R (1 e t / )
T0n
0
t
a) Escaln de Potencia
b) Evolucin de la Temperatura
en el trozo n
Respuesta Transitoria de la Temperatura en el Nodo n Frente a un Cambio en

escaln en la Potencia Disipada.
T5
T2
T3
T4
R5,4
PD
R4,3
R3,2
C5
C4
C3
T1
R2,1
C2
R1,S
Definimos la impedancia transitoria

como:
C1
Z (t ) =
T (t ) Tn 0 T (t )
=
P0
P0
Z (t ) = Z 0 (1 e t / )
Z 0
TS
b) Modelo Elctrico Equivalente
La temperatura final en un nodo debe coincidir con la obtenida con el
modelo esttico
Clculo de la Temperatura de la Unin en Situaciones

Transitorias

Transitorias
Los fabricantes suelen dar curvas en las que se representa la impedancia trmica
transitoria para un dispositivo al que se aplica una potencia disipada tipo escaln
o ondas cuadradas peridicas, por ejemplo:
log(Z(t)/Z(t=))
Impedancia Trmica Transitoria

Unin-Cpsula ZthJC (C/W)
10
D=
En otros casos, los fabricantes dan nicamente una curva que representa la
impedancia trmica transitoria para una potencia disipada tipo escaln:
Impedancia Trmica
Transitoria de un
Dispositivo (incluyendo
la curva asinttica).
Impedancia
Trmica
Transitoria
0.5
Asntotas
0.2
0.1
log(t/ ))
0.05
Para formas de ondas diferentes de escalones y ondas cuadradas, se puede

aproximar por ondas de duraciones comparables que inyecten la misma energa
(rea) que la onda cuadrada, as por ejemplo:
PD
Pulso nico, T=
t1
Notas:
Tj
1-D=t1/T
2-TjMax=TC+PDMaxZthJC
0.01
10-3
10-4
10-5
10-1
10-2
10
t1 (seg)
Curvas de la Impedancia Trmica Transitoria del transistor MOSFET IRF 330
donde la Impedancia Trmica Transitoria est parametrizada en funcin del
ciclo de trabajo del MOSFET
Puede observarse que para valores altos de D y bajos de t1 (=altas frecuencias),
las curvas se vuelven horizontales, es decir, la inercia trmica hace que la
temperatura de la unin no vare y por tanto estas curvas no sirven. En general,
para frecuencias mayores de 3kHz es suficiente trabajar con la caracterstica
esttica.
t
0.09T
0.41T T/2
P5
t1=0.09T
t1
t2
t3
t5
t6
tm
t2=0.41T
El pulso se descompone en dos escalones:

P(t)=P0u(t1)-P0u(t2)=P0(u(t1)-u(t2))
y la temperatura puede calcularse de:
Tj(t)=Tj0+P0(Z(t1)- Z(t2))

Transitorias
P6
Pm
t4
P(t)
P3
Tj
P0
Para otras formas de ondas, se puede hacer la siguiente aproximacin:
Para otros tipos de pulsos se puede generalizar:
P1
Tj
t

Transitorias
P0
0.318T
Se hace equivalente un arco de

senoide a una onda cuadrada de
la misma amplitud y duracin
0.318T
P(t)
P0
0.318T
P0u(t1)
0.01
-P0u(t2)
0.02
Potencia
0.1
P1
t j0
t1
t2
P3
P2
P4
P5
Pulso a aproximar
P7
P8
Aproximacin
Pm
t3
t4
t5
t6
t7
t8
... t m
Tj(t)
Temperatura
Tj(t)
t j0
t
Temperatura de la Unin con Pulsos de Potencia Rectangulares
Llamando Zn=Z(t=tn) y teniendo en cuenta que P2=P4=P6=...=0, se puede
escribir que la temperatura despus del pulso m es:
T j (t ) = T j 0 + P1 ( Z 1 Z 2 ) + P3 ( Z 3 Z 4 ) + P5 ( Z 5 Z 6 ) + ...... =
n
Z n +1 )
n =1, 2....
Z n ( Pn Pn 1 )
ya que la secuencia de pulsos Pi se puede descomponer en una secuencia de

pulsos de tipo escaln:
P1
P0
t
P0u(t0)
n
n =1, 3, 5....
= T j0 +
P0
t
(P1-P0)u(t1)
P (Z
T j (t ) = T j 0 + Z 1 P1 + Z 2 ( P2 P1 ) + Z 3 ( P3 P2 ) + ...... =
Pulso
tj0
= TJ 0 +
Aproximacin de un Pulso de Potencia mediante Pulsos Rectangulares
P1-P0
t0
t1
DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS. Radiadores
DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS.

Conveccin Forzada
PD
Tj
Rjc
Definida por el fabricante,

puede haber varios tipos de
cpsula para un mismo
dispositivo
Tc
Rcs
Depende del encapsulado,

disipador y de la forma
como se conecten.
Ts
Rsa
Ta
Elegida (de un catlogo de

fabricantes de disipadores)
por
el
diseador
del
convertidor
La resistencia Rcs depende mucho de la forma como se conecten la cpsula y el

disipador, le afecta especialmente el acabado superficial de ambos:
Superficies
Rugosas
tpico: 1.6m
Disipador
Cpsula
Disipador
Uso de materiales intermedios

blandos que llenen los
huecos, por ejemplo:
Mica
Grasa de Silicona
Superficies
Pandeadas
tpico: 0.1%
Cpsula
Tipos de Superficies (secciones): Las secciones de tipo corrugadas se usan

en aplicaciones de conveccin natural
Recta Serrada Corrugada
porque son mas delgadas y permiten una
separacin mayor entre lminas.
Las secciones de tipo serradas se usan en
H
aplicaciones de conveccin forzada, ya
que aumentan la turbulencia del flujo y
por tanto el flujo de calor entre el
disipador y el fluido.
d
d
d
Las secciones rectas no se recomiendan
en aplicaciones de gran potencia debido a
100% 102%
107%
su menor capacidad de transferencia de
reas relativas para
calor.
tamaos iguales
Uso de tornillos que acerquen

las superficies por presin
Entrada
de
aire
Salida
Salida 1
Salida 2
Entrada de aire en el centro

Flujo 1 = Flujo 2
En el segundo caso, al ser

la
superficie atravesada por el flujo de
aire el doble, las prdidas de presin
son la mitad y por tanto se necesita un
esfuerzo menor (ventilador de menos
potencia) para conseguir el mismo
flujo. O bien con el mismo ventilador
se puede conseguir una velocidad del
aire mayor, bajando la resistencia
trmica equivalente.

Conveccin Forzada
DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS. Clculo de

la Resistencia Trmica
Incremento de Temperatura de la
Superficie respecto al ambiente (C)
Curvas dadas por un fabricante:

100
Conveccin Natural
90
80
70
60
50
A1
a)
40
b)
A2
(a) Ejemplo de Disipador. b) Definicin de las reas Usadas para Calcular la

Resistencia Trmica en el Disipador de la Figura por Conveccin y Radiaccin.
30
20
10
Acon=2 A2 + n A1
donde:
A1 es la superficie frontal del disipador.
A2 es la superficie lateral del disipador.
n es el nmero de superficies laterales generadas por las aletas que
componen el disipador. En el caso del disipador de la figura n=16.
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
Potencia Disipada (W)

1.0
0.9
0.8
Conveccin Forzada
RSA (C/W)
0.7
Rsa ,conv =
0.6
0.5
1
d 1/ 4
134 Acon Fred T 1/ 4
.
donde d es el lado vertical de las superficies A1 o A2.
0.4
0.3
0.2
Fred
0.1
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
Fred en Funcin de la Distancia en mm

entre Aletas del Disipador, para
Distancias Menores que 25 mm
1000
Velocidad del Aire (ft/min)

Caractersticas de la Resistencia Trmica de dos disipadores comerciales (azul y
rojo) con conveccin natural y forzada.
0.1
5 mm
25mm
Distancia entre aletas del disipador
DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS. Clculo de

la Resistencia Trmica

Refrigeradores por lquidos
Superficie de
contacto con
la cpsula del
dispositivo a
refrigerar
Normalmente se emplear un
circuito cerrado, y se forzar
mediante una bomba la
circulacin del lquido.
A2
A1
Para calcular la resistencia trmica debida a la radiacin:
Arad=2 A1 + 2 A2
Mediante estos dispositivos,

se puede evacuar una gran
cantidad de calor con un
tamao de disipador mucho
ms reducido si se compara
con los refrigerados por aire.
Entrada
de Lquido
Suele utilizarse como lquido

refrigerante agua (a veces con
aditivos).
Salida de
Lquido
donde:
El circuito completo ser:
A1 es la superficie frontal del disipador.

A2 es la superficie lateral del disipador.
Rsa ,rad =
T
5.7 10 8 EArad (Ts4 Tas )
Refrigerador
por lquido
Proteccin
por presin
baja
La Resistencia Trmica del Disipador ser la resistencia equivalente a

conectar en paralelo las dos resistencias trmicas calculadas anteriormente:
Rsa =
Rsa ,rad Rsa ,con

Rsa ,rad + Rsa ,con

Refrigeradores por lquidos
Como se vio al estudiar el mecanismo de conveccin, si se utiliza un sistema
que incluya un lquido que se evapora y condensa, el coeficiente h que define
la cantidad de calor que se evacua por conveccin, alcanza un valor muy alto.
Flujo de calor
Condensacin
Retorno del
lquido
condensado
El vapor sube
Evaporacin
Flujo de calor desde el

dispositivo a refrigerar
Proteccin
por caudal
bajo
Enfriador del
lquido por aire
forzado
Bomba
Depsito
INTRODUCCIN
En este tema se estudiar el diseo de inductores y transformadores as como
la seleccin de condensadores.
TEMA 11. COMPONENTES REACTIVOS.

CONSIDERACIONES PRCTICAS
En los aos iniciales de la electrotecnia se empleaban para la fabricacin

de inductores y transformadores ncleos de acero y sus aleaciones.
En los circuitos electrnicos modernos trabajando a altas frecuencias
esto ocasionara demasiadas prdidas eddy.
11.1.INTRODUCCIN
11.2.DISEO DE INDUCTORES
11.2.1. Tipos de Ncleo Magntico
11.2.2. Carrete
11.2.3. Conductores
11.2.4. Entrehierro
11.3.DISEO DE TRANSFORMADORES
11.3.1. Ncleo Magntico
11.3.2. Conductores
11.4.SELECCIN DE CONDENSADORES
11.4.1. Electrolticos
11.4.2. Plsticos y Cermicos
Uso de lminas o polvos sinterizados de acero inicialmente y a partir de

los aos 30-40 se comenzaron a usar ferritas, especialmente a partir de
los aos 50 con la introduccin de los televisores.
Las ferritas estn formadas por xidos magnticos con alta resistividad
elctrica y buenas caractersticas magnticas.
Se emplean dos grandes grupos:
Ferritas de Manganeso-Zinc (MnZn), formadas por una mezcla de
xidos de hierro, manganeso y zinc (Fe2O3 + MnO + ZnO).
Ferritas de Niquel-Zinc (NiZn), formadas por una mezcla de
xidos de hierro, niquel y zinc.
Las ferritas de NiZn tienen una resistividad muy alta por lo que se
usan para frecuencias muy elevadas (desde 12 MHz a varios
cientos de MHz) mientras que las MnZn se emplean hasta 2MHz.
La permeabilidad magntica de las ferritas MnZn es del orden de
100 veces mayor que en las NiZn.
Las caractersticas principales de las ferritas se pueden resumir:
Alta resistividad
Amplio rango de frecuencias de
trabajo
Bajas
prdidas
permeabilidad
con
alta
Alta estabilidad con el tiempo y

la temperatura
Amplia seleccin de materiales
INTRODUCCIN
Inductancia
Intensidad de campo magntico
Flujo Magntico
Densidad de Flujo Magntico/
Induccin Magntica
Unidad
SM
Henrio
Amperio/
A/m
metro
Wb
Weber
T
H/m
Permeabilidad
Tesla
Henrio/
metro
Carga elctrica
Culombio
Simb.
UC
L
Unidad Factor
UC
Convers
Henrios
1
Oe
Oersted
Mx
Maxwell
1 108
Gauss
1 104
--
EM
Carga
por
masa
4 10
Para el diseo de un inductor debe conocerse (del circuito dnde se conecta):

La inductancia, L.
La corriente de pico, Ip.
La corriente eficaz, IRMS.
La frecuencia, f
Con Gap
Con Gap
t
a)
B
10
Bp
BAV
b)
t
Definicin de Densidad de Flujo Mximo AC. a) Flujo Bipolar. b) Flujo

Unipolar
Aire, Entrehierro=Gap (g)

B: Densidad de flujo
magntico
H: Intensidad de campo
magntico
: permeabilidad
Bp
-7
g (mm)
Seccin de un ncleo magntico
Saturan a bajas densidades de

flujo
79.58
Ncleo magntico
B (gauss)
Fragilidad y poca resistencia

mecnica
DISEO DE INDUCTORES
Las unidades empleadas en electromagnetismo son (SM=Sistema Mtrico,

UC=Uso cotidiano):
Simb.
SM
H
Bajos coste y peso

Baja conductividad trmica
Tema 11. Componentes Reactivos. Transparencia 2 de 13
Magnitud
Gran variedad de formas de

ncleos
B =
E 108
k Ac N f
B es el incremento de densidad de flujo mximo AC expresado en gauss y

es igual a la diferencia entre el valor de pico de la densidad de flujo y su
valor medio.
k es una constante que es igual a 4.44 para onda senoidal y 4 para onda
H (oersted)
Sin Gap
Sin Gap
Curva caracterstica B-H de un ncleo de ferrita
cuadrada.
E es la tensin eficaz en voltios.

Ac es la seccin transversal efectiva del ncleo en cm2 y es
aproximadamente igual a la seccin de la columna central.
N es el nmero de espiras que abrazan al ncleo.

f es la frecuencia en Hz.
DISEO DE INDUCTORES.
DISEO DE INDUCTORES
Tipos de ncleos magnticos mas usados
Las prdidas en un ncleo de ferrita pueden estimarse (segn los fabricantes):
P = k f a B b
P es la prdida de potencia en mW/cm3.
B es la densidad de flujo mximo AC en gauss.

k, a y b son constantes dadas por los fabricantes para cada tipo de material
magntico.
a) POT
b) RM
c) UU
d) Toroidal
e) EI
f) EE
g) EC
h) EPC
Estas prdidas se limitan tpicamente a unos 10 mW/cm para ncleos de baja

potencia.
Para los ncleos de mayor potencia:
t = 0.833
P
A
t es el incremento de temperatura respecto de la temperatura ambiente (C).

P es la potencia disipada (mW).
A es el rea total de la superficie exterior del ncleo (cm2).
DISEO DE INDUCTORES
DISEO DE INDUCTORES
rea de ventana (Aw=lwhw)
Espacio para alojar los devanados
Seccin
Carrete
lw
Columna
interior
Gap
Vista Externa del Ncleo POT con Ranuras Laterales y Entrehierro (Gap)
rea de ventana (Aw=lwhw)
Conductores
Gap (g)
N espiras
hw
Seccin Transversal de los Ncleos POT, Cuadrados y en E
Para la seleccin del ncleo se emplea la
frmula que da la caracterstica producto
de reas. (se deducir posteriormente)
lw
hw
Gap (g)
Seccin Transversal de los Ncleos POT, Cuadrados, y en E
Aw Ac =
Lmax I p I rms
kcu JBmax
Aw rea de ventana.
Ac
Seccin media transversal del circuito magntico.
Lmax Inductancia mxima que puede obtenerse con el ncleo (se deducir
posteriormente).
Kcu Coeficiente de empaquetamiento del cobre (valores tpicos comprendidos
entre 0.6 y 0.8).
J
Densidad de corriente.
Carrete
Es la base sobre la que se asienta el solenoide o bobina de cobre.
Est caracterizado por el rea de ventana Aw y se define como el producto de la
altura de ventana hw por el ancho de ventana lw.
Conductores
A partir de la corriente eficaz Irms, y una densidad de
corriente aceptable (para cobre se suele fijar en 450 A/cm2)
puede determinarse la seccin del conductor:
Si se define N como el nmero mximo de espiras de cobre
de seccin efectiva Acu (incluyendo la superficie de aislante
que normalmente es barniz) que pueden ser alojadas en un
ncleo de rea de ventana Aw, se cumple:
Acu =
'
NAcu = Aw k cu
En la prctica: Acu Acu

I rms
J
DISEO DE INDUCTORES
DISEO DE INDUCTORES
k J
N = Aw cu
I rms
El nmero mximo de espiras que puede alojar el ncleo se

puede deducir de las dos ecuaciones anteriores:
(A)
Aplicando la definicin de densidad de flujo para la seccin
media del ncleo magntico:
= BAc
Lmax =
Su valor mximo ser:
N
I
NBmax Ac
=
Ip
L=
La inductancia de una bobina formada por N espiras:
N max
Ip
Este ser el valor de la inductancia mxima que puede obtenerse para un

ncleo dado. Debe ser mayor que el valor de inductancia deseado. En caso
contrario se selecciona un ncleo ms grande. Para este nuevo ncleo se
determina la nueva inductancia mxima y as sucesivamente hasta que la
inductancia mxima supere o iguale el valor deseado.
El nmero de espiras necesario para construir una bobina de
valor L, ser:
(B)
N=
LI p
Bmax Ac
Igualando los valores de N dados por las ecuaciones (A) y (B) resulta la
ecuacin del producto de reas del ncleo vista anteriormente:
Aw Ac =
L I p I rms
kcu JBmax
El producto AwAc depende de las dimensiones de cada ncleo, de forma que una
vez evaluada la parte derecha de la expresin anterior, debe elegirse un ncleo
con un producto de reas mayor o igual que el valor calculado.
Entrehierro (gap)
Consiste en intercalar una zona de aire en el circuito magntico. Se realiza en la
mayora de los inductores para aumentar la corriente mxima por la bobina
para una misma densidad de flujo (evitar saturacin). L pero se compensa
aumentando N ya que LN2.
La distancia de entrehierro puede obtenerse aplicando
la ley de Ampere al nuevo circuito magntico,
H dl = NI
La densidad de flujo en el aire, Bg puede relacionarse

con la densidad de flujo en el circuito magntico, Bmax,
sin ms que tener en cuenta que el flujo permanece
constante a lo largo del circuito magntico:
Bg Ag = Bmax Ac
Donde Ag es la seccin equivalente del entrehierro (esta seccin es ligeramente

superior a la del ncleo).
La intensidad del campo magntico en el entrehierro
(Hg) viene dada por:
Hg =
Bg
max
0 Ag
Debido a que la permeabilidad del ncleo magntico ()

Bg
B
es mucho mayor que la del aire (o), la intensidad del
>> c = H c
Hg =
campo en el ncleo (Hc) ser mucho menor que en
0
entrehierro (Hg).
Despreciando, por tanto, la intensidad de campo en el
material magntico frente a la intensidad de campo en
el aire, de la ley de Ampere, puede obtenerse:
H g g = NI p
De estas ecuaciones se obtiene la longitud del entrehierro que hay que realizar
para una corriente mxima Ip:
g=
NI p
Hg
LI p
Ip
0 Ag L 2 0 Ag L 2
max
=
= 2 Ip = 2 2 Ip
max
Bmax Ac
max
0 Ag
Donde g es la longitud del entrehierro.

DISEO DE TRANSFORMADORES
DISEO DE TRANSFORMADORES
Para el diseo de los transformadores se puede

proceder de forma anloga al diseo de los
S
inductores. Para ello se deducir una expresin A A =
c w
anloga para el producto de reas escrita en funcin
2 fBmax Jkcu
de la potencia aparente del transformador. (se
deducir posteriormente):
La relacin entre la tensin aplicada
V1
en el primario de un transformador y
el flujo que aparece es:
d
V1 = N1
, que en el caso de ondas
dt
cuadradas es:
2
V1 = N1 max = 4 N1 f max
1
2f
max
t
-max
1/f
Tensin y Flujo en un Transformador
N1 =
V1
V1
=
4 f max 4 fAc B
Acu 2
JAw k cu
2N1
JAw k cu
=
2N 2
I 1 max =
I 2 max
(C)
y en el secundario: N2=N1/a, donde a

es la relacin de transformacin.
Conductores
Suponiendo despreciable la corriente de magnetizacin, la
fuerza magnetomotriz primaria es igual a la secundaria:
Si J es la densidad de corriente mxima que admiten los
conductores, en ambos devanados ser (Acu=Seccin de los
conductores):
Si la ecuacin anerior se multiplica por el valor de la

corriente I1max del primario (D) se obtiene la
potencia aparente mxima (para la que hay que
dimensionar el transformador):
S1 = 2 fAc BJAwkcu
Reorganizando los trminos de la ecuacin anterior se

obtiene la ecuacin que da el producto de reas:
Ac Aw =
S1
2 fBJkcu
I1=Acu1J
De las expresiones anteriores, si se supone el mismo tipo de

conductores en primario y secundario:
V1 = 4 fN1 Ac B
= N1 I 1 = N 2 I 2
N1Acu1=N2Acu2
El rea de ventana se reparte entre los dos

devanados:
I2=Acu2J
Awkcu= N1Acu1+N2Acu2=
2N1Acu1=2N2Acu2
(D)
Para demostrar la frmula del producto de reas, se

puede despejar V1 de la ecuacin (C) obteniendo:
El nmero de espiras en el primario

es:
De la frmula anterior (Awkcu =2N1Acu1=2N2Acu2) se

deduce:
De las frmulas anteriores y de I1=Acu1J I2=Acu2J se

pueden calcular las corrientes mximas por los
devanados:
Aw k cu
2N1
Aw k cu
=
2N 2
Acu1 =
SELECCIN DE CONDENSADORES
Capacidad.
Tensin mxima.
Corriente eficaz.
Frecuencia.
Resistencia Serie Equivalente (ESR).
Autoinduccin Serie Equivalente (ESL).
Volumen (tamao).
En electrnica de potencia se utilizan fundamentalmente tres tipos:
Electrolticos.
Alta capacidad.
Altas ESR y ERL (Fuertes prdidas I2R).
Tensin mxima de unos 450500 V. Necesidad de conexin serie.
Tienen polaridad (peligro de explosin si se cambia la polaridad).
Plsticos y Cermicos.
Muy baja capacidad.
Muy bajas ESR y ERL.
Tensiones mximas muy elevadas.
No tienen polaridad.
El uso principal de los condensadores electrolticos es para mantener en
determinados nudos una tensin constante. Si se requiere que el
condensador suministre altas corrientes con cambios bruscos, es necesario
conectar en serie con el condensador electroltico un condensador plstico o
cermico que pueda suministrar instantneamente la corriente solicitada,
que el electroltico no puede dar debido a su ESL.
Los condensadores plsticos y cermicos suelen emplearse adems para
realizar circuitos resonantes o amortiguadores, en los que se requieren
valores pequeos de las capacidades.
INTRODUCCIN
TEMA 12. RECTIFICADORES NO CONTROLADOS

12.1.INTRODUCCIN
12.2.RECTIFICADOR MONOFSICO
12.2.1. Rectificador Media Onda
12.2.2. Puente Completo
12.2.2.1. Conmutacin Instantnea
12.2.2.2. Conmutacin no Instantnea
12.2.2.3. Carga Tipo Tensin Constante
12.2.3. Conexin en Redes Trifsicas. Corrientes por el
Neutro
12.3.RECTIFICADORES TRIFSICOS Y POLIFSICOS
12.3.1. Montajes Simples
12.3.2. Conexin Serie
12.3.2.1. Conexin en Fase
12.3.2.2. Conexin en Oposicin de Fases
12.3.3. Conexin Puente Completo
12.3.4. Conexin Paralelo
12.3.5. Tensiones y Corrientes Rectificadas
12.3.5.1. Valor Medio de la Tensin Rectificada
12.3.5.2. Valor Eficaz VRMS
12.3.5.3. Factor de Ondulacin
12.3.5.4. Desarrollo en Serie
12.3.5.5. Factor de Potencia del Secundario
12.3.5.6. Corriente Para Carga Altamente Inductiva
DC
AC, 1
AC,3
DC
AC, 3
DC
DC
Smbolos de Convertidores AC/DC

Entrada AC, monofsica o polifsica.
Salida DC no controlada, su valor depende de:
La tensin de entrada
La corriente por la carga
Topologa del convertidor
Flujo de potencia desde la entrada a la salida
Aplicaciones:
Pueden usarse en aplicaciones con las siguientes caractersticas:
De coste mnimo
No sensibles al valor de la tensin de salida
No problema con el factor de potencia
Algunos ejemplos:
Entrada de fuentes de alimentacin
Alimentacin de motores DC
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 2 de 32
RECTIFICADOR MONOFSICO
AC, 1
RECTIFICADOR MONOFSICO. Rectificador Media Onda
Carga
+
+
Carga
VS
iR
VS
a)
b)
Rectificador no Controlado con Carga Resistiva
Carga
Primer
intervalo:
VR=VS
IR=VS/R
VAK=0
c)
Diferentes Topologas de Rectificadores: a) Media Onda, b) Onda Completa

con Transformador de Toma Media, c) Onda Completa con Puente de Diodos
Segundo
intervalo:
VR=0
IR=0
VAK= VS
Tensin media en la carga:
VR ( AV ) =
1
2
2VS sen(t )dt =
2VS
Tensin eficaz en la carga:
VR ( RMS ) =
VS
2

VS = V L + V R ; V L = L
D
iR
Area A
di =
VS
VL
di
;
dt
1
V L dt
L
i (t2 )
1 t2
i (0) di = L 0 VL dt = 0
0 = Area( A) Area( B)
VR
D
iL
Area B
VL
VS
E
Area A
Primer Intervalo
Area B
Primer Intervalo
Formas de Onda en un Rectificador con Carga Resistiva-Inductiva
Formas de Onda en un Rectificador con Carga Inductiva y Fuerza

Contraelectromotriz (Cargador de Bateras o Motor DC).

D
D
iR
iL
VR
VL
VS
VS
L
VL
Area A
Area A
Area B
Area B
1er
Intervalo
1er Intervalo
2o
Interv
2o Intervalo
Formas de Onda en un Rectificador con Carga Resistiva-Inductiva y Diodo de

Libre Circulacin
Formas de Onda en un Rectificador con Carga Inductiva y Fuerza

Contraelectromotriz (Cargador de Bateras o Motor DC) y Diodo de Libre
Circulacin.
RECTIFICADOR MONOFSICO. Puente Completo

Conmutacin Instantnea

id
LS
D1
D3
D1
Carga
iS
VS
D4
D2
id
Puente Rectificador
Vd
iS
VS
Rectificador en Puente Completo Monofsico

Se estudiarn los siguientes casos:
D3
Carga
Puente Rectificador
Inductancia
parsita
D4
D2
Rectificador en Puente Completo Monofsico con conmutacin ideal y carga

resistiva:
id
Puente Rectificador
Para LS despreciable.
Con carga resistiva
Con carga fuertemente inductiva.
Carga
iS
D3
VS
D1
VS >0
Teniendo en cuenta el efecto de LS.
Vd
VS
Con carga fuertemente inductiva.
D4
D2
Vd = VS
a) Vs>0
id
Puente Rectificador
VS
D3
D1
Carga
iS
VS <0
D4
VS
D2
Vd = -VS
a) Vs<0


VS
LS=0; IS no contiene armnicos
iS
Vd 0
1 T2
2VS sen(t )dt =
=
T 0

2
Vd 0 =
Vd
LS=0; IS es una onda cuadrada
VS
iS
t
Id
I Sh
Vd
id
Id 0
I d = 0. 9 I d ;
0 (h par )
= I S1
h (h impar )
Los armnicos de la corriente

estn en fase con la tensin.
4 2VS 2 2
=
VS = 0.9VS
T
id
2 2
I S1 =
Id
V
V
= d 0 = 0.9 S
R
R
Id
Vd 0 = 0.9Vs
Id0 = Id
t
Formas de Onda de un Rectificador Monofsico Puente no Controlado para
Carga Fuertemente Inductiva
Formas de Onda de un Rectificador Monofsico Puente no Controlado
para Carga Resistiva
La distorsin de la corriente ser:
%THD = 100
2
2
I S I S1
I S1
, como IS=Id , I S 1 =
2 2
Id
2
2)2
= 48.43%
2
2
1 (
%THD = 100
PF =
DPF
1 + THD 2
DPF = 1

PF = 0.875
RECTIFICADOR MONOFSICO. Conmutacin no

Instantnea
RECTIFICADOR MONOFSICO. Conmutacin no

Instantnea
Inductancia
parsita
id
Puente Rectificador
LS
D1
D3
Carga
D2
iS
VS
iS
VS
Conducen
los cuatro
diodos
LS
D4
Vd
Circuito Equivalente Usado para el Estudio de la Conmutacin no Instantnea:
La fuente y la bobina forman una malla con los cuatro diodos conduciendo.
La ecuacin que rige el funcionamiento de este circuito es:
VS = 2VS sen(t ) = LS
a) Circuito
diS
dt
(0 t )
2V S sen(t ) d (t ) = L S di S
A =
( 0 t )
2V S sen(t ) d (t ) = L S
Id
Id
di S = 2L S I d
A = 2V S (1 cos ) = 2L S I d ;
El valor medio de la prdida de tensin debida a la conmutacin no instantnea

ser: A
luego la tensin en el rectificador ser:
b) Formas de Onda
Vd = Vd 0
Puente Rectificador Monofsico con Conmutacin no Instantnea
Inductancia de
Lnea y
Transformador
2LS I d
RECTIFICADOR MONOFSICO. Carga Tensin Constante
VL
Puente Rectificador
LS
D1
VS
= 0.9VS
RECTIFICADOR MONOFSICO. Carga Tensin Constante
D3
Id
Carga
iS
Vd
D2
D4
a) Circuito
Puente Rectificador Monofsico con Carga a Tensin Constante (Carga

capacitiva, Motor DC o Batera)
V
1 = ar sen d
2V
S
La ecuacin que rige el funcionamiento del circuito es:
VL = LS
VL
; p = 1
dI d
= 2VS sen(t ) Vd ;
dt
integrando esta ecuacin, se obtiene:

i
L S dI S =
2V S sen(t ) V d d (t )
LS iS (t ) = 2VS (cos(1 ) cos(t ) ) Vd (t 1 )

i S (t ) =
2VS2 Vd2
L S
2V S
t t1
cos(t ) Vd
LS ;
L S
El ngulo 2 en el que se anula la corriente, se calcula de:

b) Formas de Onda
Puente Rectificador Monofsico con Carga a Tensin Constante (Carga
capacitiva, Motor DC o Batera)
(
2
1
2VS sen(t ) Vd d (t ) = 0
y el valor medio de la corriente por la carga de:
Id =
1
iS (t ) d (t )

2
RECTIFICADORES TRIFSICOS Y POLIFSICOS.

Montajes Simples
RECTIFICADOR MONOFSICO. Conexin en redes

trifsicas. Corrientes por el neutro.
UT
Rect. 2
iN=iR+iS+iT
US i S
iT
Rect. 3
UR
Rect. 1
iR
Vd <0
+
b) Montaje Simple Policatdico
Vd >0
a) Montaje Simple Poliandico
Conexin de tres rectificadores idnticos en una red trifsica.
iS = 2 I S 1 sen (t 1 120 ) +
iT = 2 I S 1 sen (t 1 240 ) +
h = 2 k +1
h = 2 k +1
k = 1, 2, 3 L
2 I Sh sen (ht h 120 h )

2 I Sh sen (ht h 240 h )
i N = i R + i S + iT
La corriente por el neutro es:
En esta suma todos los armnicos no triples suman cero, luego la corriente
por el neutro ser:
iN = 3
h =3( 2 k 1)
IN = 3
2 I Sh sen (ht h ),
2
Sh
h =3( 2 k 1)
k = 1, 2, 3 L
3I S 3
Poliandico
2 I Sh sen (ht h ),
Policatdico
h = 2 k +1
Vd
Formas de ondas de los montajes
iR = 2 I S 1 sen (t 1 ) +
Vd
Esta ltima aproximacin se puede hacer si el tercer armnico es mucho

mayor que los dems armnicos triples.

Conexin Serie en fase
-
u1
Uc=u1+u2
u1
Comparacin con un solo

rectificador:
+
Uc
u2

Conexin Serie en oposicin de fases
Uc=u1-u2
+
Tensin de pico doble.

Frecuencia de rizado
igual.
Tensin de rizado doble.
u2
Uc
Comparacin con un solo

rectificador:
Tensin de pico menor que
el doble (en trifsica 3 ).
Frecuencia de rizado doble.
Tensin de rizado menor.
Vd
Uc
Uc
Conexin en Fase de dos Rectificadores Poliandicos idnticos
RECTIFICADORES TRIFSICOS Y POLIFSICOS. Puente

Trifsico

Trifsico
+
Carga
S
T
Uc
u1
R
TS
+
u2
Uc
Uc
2
R
Carga
Uc
El montaje puente es equivalente al

montaje serie en oposicin de fase,
pero se ahorran devanados de
transformadores.
TS
Carga
Carga
S
T
Carga
R
S
T
Carga
TS
Uc
Uc
Uc
S
T
Uc
Uc
+
Carga
R
S
T

Trifsico. Armnicos
Uc
RECTIFICADORES TRIFSICOS Y POLIFSICOS

+
TS
Carga
LS
S
T
Uc
Conmutacin no instantnea en un puente trifsico

TS/6
Armnico
Armn Valor Armn Valor Armn Valor Armn Valor

0
0
5
0.220
10
0
15
0
1
1.102
6
0
11
0.100
16
0
2
0
7
0.157
12
0
17
0.064
3
0
8
0
13
0.084
18
0
4
0
9
0
14
0
19
0.0584
Armnicos de la corriente IR (normalizada con Id)
TENSIN RECTIFICADA. Valor Medio de la Tensin

Rectificada en un Montaje Simple

Conexin en paralelo
Rectificador A
u1
R
Uc= u1
= u2
u1
R
+
Uc=( u1+ u2)/2
Vd
u2
u2
De la figura, puede deducirse que:
Vm = V M cos
Rectificador B
Conexin Paralelo de dos Rectific.

Trifsicos en Oposicin de Fase
Rectificador Hexafsico
TS
La tensin de salida estar formada por una serie de arcos que se repiten
peridicamente:
u = VM cos t para
TS
El valor medio
-
< t < .
m
m
V0 se obtiene integrando entre los lmites anteriores:
Vo =
Slo conduce un diodo en cada

instante
1
m
VM cos t d t = 2 VM [sen t ]mm =
2
m
m
m
=
VM sen sen
2
m
m
Vo =
Conducen un diodo de cada rectificador

en cada instante
TENSIN RECTIFICADA. Valor Medio de la Tensin

Rectificada en un Puente
Vf
Vf
Vc
/2
/2
Vf2
Vf1
2/m
Vf
TENSIN RECTIFICADA. Montaje Simple
En el tringulo issceles, el lado

mayor es la tensin compuesta Vc
(tensin fase-fase) y los lados
iguales son las tensiones de fase Vf.
Al dividirlo por la bisectriz,
quedan dos tringulos rectngulos,
de dnde se calcula:
Vc/2=Vfsen(/2)
Vfm
dnde =(2/m)trunc(m/2)
Para calcular la tensin media en un puente, se puede aplicar la frmula

deducida para un montaje simple, pero teniendo en cuenta que la tensin de
pico ser la tensin compuesta y que la frecuencia de rizado ser el doble:
VM = Vc = 2V f sen trunc ( )
2
m
2m
Montajes:
-Puente
-Simple
En el caso trifsico: m=3,
Vo =
Valor Eficaz (VRMS) . Montaje Simple:
Vc sen( ) =
2m
2m
=
2 sen trunc V f sen( ) =
2m

2
m
m
= 4 sen trunc sen( ) V f
m
2m
Vo =
m
V sen
M
m
3 3
V f = 1.652V f
m
1
2
2
VM cos t d t =
2
m
m
m 2 1 1
2
2
+ sen
=
VM + + sen
=
2
m
m
2 m m 4
2
VRMS =
m
2
2 1
= VM +
sen
m
2 4
VRMS = V M
1 m
2
+
sen
m
2 4
Para el caso trifsico: VRMS(m=3)=1.189VS
TENSIN RECTIFICADA. Montaje Simple. Factor de

Potencia del Secundario
TENSIN RECTIFICADA. Montaje Simple. Factor de

Ondulacin. Desarrollo en Serie. Factor de Potencia del
Secundario
Factor de Potencia Secundario:

Tambin se le denomina factor de utilizacin del transformador
Pd
TUF =
Ss
A1
C
,
A3
C
,
,
D A1
C C
D
C
A3
C
,
D
C
D
C
La potencia activa suministrada por el rectificador es: Pd = T v d i d dt ,

o
t
donde
Ss
es la potencia aparente total del secundario del transformador.
Veamos cuanto vale TUF para el caso de carga altamente inductiva. Si

suponemos que i d es constante durante todo el periodo y de valor I d ,
Pd = V0 I d donde V0 es el valor medio de la tensin rectificada.
Factor de Ondulacin. Montaje Simple:

El factor de ondulacin se define como la mitad del valor de pico-pico,
dividido por el valor medio.
Km =
v d e i d son la tensin y la corriente a la salida del rectificador.
1 cos
VM VM cos
VM Vm
m
m =
=
m
2m
2Vo
2 VM sen
sen
m
m
Para el caso trifsico: K3=0.302
Desarrollo en Serie. Montaje Simple:
2 ( 1) k
cos (k m t )
u(t) = Vo 1 + 2
2
k =1 k m 1
dnde V0 es el valor medio de la tensin rectificada.
La corriente que circula por el devanado secundario es igual a la que circula

por cada diodo. Esta corriente es igual a
durante el resto del perodo T, por tanto:
I s2 =
Id
1 2
I =
I
m d s m
Luego:
V 2 sen I d
Pd
Vo I d
2m
s
m
TUF =
=
=
sen
=
Id
m
S s m Vs I s
m Vs
m
Para el caso trifsico:
TUF (m = 3) =
sen = 0.675
3
TENSIN RECTIFICADA. Factor de Ondulacin. . Factor de

Potencia del Secundario. Desarrollo en Serie
I d durante el tiempo
m y es nula
CORRIENTE PARA CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA.

Puente Trifsico
Grficamente:
Corriente por la fase S
m= Nmero de fases
Factor de potencia del Secundario (TUF) y Factor de Ondulacin

(Km) en funcin del nmero de fases (m) del rectificador.
El valor eficaz de la corriente de una fase es: I S =
0.3
I S =
I S1 =
Para m=3:
I Sh =
0.25
3
6
9
12
0.2
0.15
0.1
2
Id
m
2
Id
3
Id 6
I S1
h
(h = 5,7,11L)
0.05
Al estar los armnicos en fase, DPF=1.
0
1
10
11
12
13
14
15
16
El factor de potencia es:

17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 12
PF =
I S 1 DPF 3
= = 0.955
IS
INTRODUCCIN
Flujo de Potencia
TEMA 13. RECTIFICADORES CONTROLADOS

13.1.INTRODUCCIN
13.2.RECTIFICADOR MONOFSICO
13.2.1. Rectificador de Media Onda
13.2.1.1. Estudio para diferentes tipos de cargas
13.2.1.2. Diodo de Libre Circulacin
13.2.2. Rectificador Puente Monofsico
13.2.2.1. Conmutacin Ideal
13.2.2.2. Valor Medio de la Tensin Rectificada
13.2.2.3. Efecto de sobre la Componente
Fundamental de IS
13.2.2.4. Conmutacin no Instantnea
13.2.3. Sincronizacin del Circuito de Disparo
13.3.RECTIFICADORES POLIFSICOS SIMPLES
13.3.1. Valor Medio de la Tensin Rectificada
13.3.2. Funcionamiento como Rectificador y como
Ondulador
13.3.3. Influencia de la Naturaleza de la Carga
13.3.4. Conmutacin no Instantnea
13.4.RECTIFICADOR PUENTE POLIFSICO
13.4.1. Valor Medio de la Tensin Rectificada
13.4.2. Conmutacin no Instantnea
13.5.RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS
13.5.1. Puente Monofsico
13.5.2. Puente Polifsico
Vd
Vd
Flujo de
Potencia
DC (+-)
Id Flujo de
Potencia
Smbolos de Rectificadores Controlados

Este tipo de convertidores en la actualidad es casi la nica aplicacin de los
SCR, ya que son circuitos que requieren control de ngulo de fase y los
dispositivos se bloquean naturalmente.
Existen rectificadores controlados monofsicos y polifsicos, diseados para
potencias muy elevadas.
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 2 de 30
RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFSICO.

Carga Resistiva
Id
AC, Mono o
Polifsica

Carga Resistiva e Inductiva
L
VS
i(t)
Ud
VS
Ud
i(t)
R
UR
El rea gris es la
integral de VL.
Las dos reas
deben ser iguales
di/dt muy alta.

Armnicos de
alta frecuencia
Tensiones negativas
aplicadas a la carga
Carga Resistiva e Inductiva

Carga Resistiva

Carga Inductiva y Fuente de Tensin

Carga Resistiva e Inductiva y Diodo de Libre Circulacin
L
L
VS
i(t)
Ud
VS
Ud
i(t)
UR
VL
VL
VL
max=
-min
VL
1er Int 2 Intervalo
min=
arsen(
E
2VS
1er Intervalo
)
Carga Resistiva e Inductiva con Diodo de libre circulacin
Carga Inductiva y Fuente de Tensin
RECTIFICADOR PUENTE MONOFSICO

Conmutacin Ideal
Carga Inductiva, Fuente de Tensin y Diodo de Libre Circulacin
Puente Rectificador
L
Ud
+
iS
i(t)
Carga
VS
id
VS
Vd
di/dt constante
VL
iS
VL
=0
In. 1
In. 1
In. 2
In. 3
iS
Carga inductiva y fuente de alimentacin con Diodo de libre circulacin
Puente Monofsico Controlado
RECTIFICADOR PUENTE MONOFSICO.

Efecto de sobre la Componente Fundamental de IS

Valor Medio de la Tensin Rectificada
Desarrollando en serie de Fourier se obtiene para la componente

fundamental de la corriente:
I S 1 = 0.9 I d (Valor eficaz)

I S 1M = 0.9 2 I d = 1.27 I d (Valor de pico)
Vd =
2VS sin ( t ) d ( t ) =
2 2
VS cos =
Vd = 0.9 VS cos
Valor Medio de la Tensin
Para distintos valores de :
1
P = Id
T
vd dt = 0.9 I d VS cos
Puente Monofsico Controlado


Conmutacin no Instantnea
Inductancia
parsita
Puente Rectificador
LS
SINCRONIZACIN DEL CIRCUITO DE DISPARO

Sincronizacin del disparo con el paso por cero de VS.
id
Detector de Paso
por cero
+
a:1
Carga
iS
VS
Vd
VS
diferenciador
RC
3
Retraso
()
VS /a
t=
Puente Monofsico con conmutacin no instantnea
t=
t
RECTIFICADORES POLIFSICOS SIMPLES

rea A
u1
u2
um
2/m
+
m
A
1
2
=
U cos t - U M cos t d t =
2
2 M
m
m
m
m
U m

sen sen sen + + sen =
U = M
m
m
2
m
m
U =
2/m
U =
U M m
2 sen + sen sen +

m
m
m
2
Aplicando sen p sen q = 2 cos
U =
1
1
( p + q ) sen 2 ( p q ) , resulta:
2
UM m
m

2 sen + 2 cos sen - = U M sen (1 cos ) =
2
m
m
m
U = U ov (1 cos )
La tensin media a la salida del rectificador controlado ser:
U o = U ov U = U ov cos
La Tensin Eficaz:
Los Armnicos:
1 m
2
+
sen
cos
2 4
m
U rms = U M
U ok = U o
2
1 + k 2 m 2 tg 2
k 2 m2 1


Armnicos de la Tensin Rectificada
Vo/VM
0.25
0.2
m
0.15
Tensin media rectificada en funcin del ngulo de disparo y del

nmero de fases m
0.1
17
29
60
30
0
27
25
21
23
Nm. armnico
0.05
19
13
15
11
VRMS/VM
Alfa
Armnicos de la tensin rectificada en un rectificador trifsico en funcin del

ngulo de disparo
Tensin eficaz rectificada en funcin del ngulo de disparo y del

nmero de fases m

Funcionamiento como Rectificador y como Ondulador

=0; Uo=257V
=30; Uo=222V
=60; Uo=129V
=90; Uo=0V
=120; Uo=-129V
=150; Uo=-222V
Segn el valor de :
2 m

< <
2 m
2
=
Ud = 0
2

< < +
2
2 m

+ < <
2 m
0 < <
Ud
siempre > 0 U o > 0
Ud
<> 0
Uo > 0
Ud
<> 0
Uo < 0
Ud
siempre < 0 U o < 0
=180; Uo=-257V

Influencia de la Naturaleza de la Carga

i1
u1
Uc =u1 +u2
i2
La frmula antes calculada:
U o = U ov U = U ov cos
No es vlida en el caso de cargas Resistivas o con diodos de libre
circulacin, ya que no se podrn aplicar tensiones negativas a la carga,
en este caso, solo ser aplicable si como vimos antes est en el
intervalo:
siempre > 0
ic
Uc =u1 -u2
Ud
LS
Tensin no
aplicada
Ud
2 m
2LS
LS
um
0 < <
ic
id =i1 +i2
u2
LS
b)
a)
a) Corrientes durante la conmutacin no instantnea. b) Circuito

equivalente.
U c = u2 u1
; Uc =
2 Ls
2 U c sen t ; U c = 2 sen
U f
m
dic
= 2 U c sen t
dt
ic =
2 Uc
I
sen t d t = c (cos cos t )
2 Ls
I
Dnde c =
i1 = I d i2 = I d ic
2 Uc
2 Ls
i1 ( t = + ) = 0 .
, para t = + ,
Como:
ic ( + ) = I d ser:
ic ( + ) = I d = I c (cos cos( + ))
cos( + ) = cos
Id
Ic


i1
ic=C(cos-cost)
u1
Uc =u1 +u2
LS
ic
id =i1 +i2
C
i2
i1
Id
i2
u2
Ccos
LS
Ud =(u1 +u2 )/2
um
LS
t
Circuito equivalente durante la conmutacin no instantnea.
u2
u1
2 U c
2 L s
sen t d t = c (cos cos t )

I
Vlida para:
Representacin grfica de la ecuacin que rige la conmutacin no

instantnea de un rectificador polifsico:
ic =
u3
u1 + u2
2
de la figura, se deduce que las reas A y B son iguales y que:
t +
A + B + C = U + 2U x donde:
U = U ov (1 cos ) rea C
U + 2U x = U ov 1 cos( + ) reas A+B+C
2U x = U ov [cos cos( + )]
U o = U ov U U x =
1
U o = U ov 1 (1 cos ) (cos cos( + )) =

2
1
U o = U ov [cos + cos( + )]
2
RECTIFICADOR PUENTE POLIFSICO

+
Ud
Carga
R
S
T
Ud
Puente Trifsico
t=2
1
Ud =
2
2m
U d (t ) = U d (t )
U c = 2U M sen( ) cos(t
)
m
2m
+
U d = 2U M sen( )
4m
Tensiones en un Puente Rectificador Trifsico con ngulo de Disparo
Ud =
Si m=3,
Ud =
cos(t
2m
)d (t )
U M sen( ) sen( ) cos( )

2m
m
3 3
U M cos( ) = 1.65 U M cos( )


Uo
LS
Carga
R
S
T
Ud
=45; Uo=363V
Uo
=90; Uo=0V
Igual que en el caso del rectificador simple ser:
1
U o = U ov [cos + cos( + )]
2
Uo
Para el puente trifsico ser:
=112; Uo=-192V
U ov =
3 3
COMPARACIN ENTRE RECTIFICADORES

U M cos( ) = 1.65 U M cos( )
RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS
Puente Monofsico
Puente Rectificador
Vo/VM
T1
Id
T2
Carga
Rectificador Trifsico
Simple
D1
D2
Puente Rectificador
T1
D1
Vd
Carga
iS
VS
Vd
Id
iS
VS
Vo/VM
T2
D2
Rectificador Trifsico
Puente
Tensin media rectificada en un rectificador trifsico en funcin del ngulo

de disparo y de la duracin de la conmutacin no instantnea
Puente Monofsico Semi-controlado
Puente Monofsico
T1
+
Carga
D1
T2
Id
VS/2
M
Carga
iS
Puente Polifsico
S
T
Ud
VS/2
- N
Ud
D2
D2
T2
D2
T1
D1
T1
D1
T2
D2
T2
D2
T1
-VS/2
Lim, Si se supera, se anula en algn instante Ud

t=2
VS/2
Puente Monofsico Semi-controlado
>Lim
Tensiones en un Puente Rectificador Trifsico semicontrolado con ngulo
de Disparo
INTRODUCCIN
TEMA 14. CONVERTIDORES CONMUTADOS

CC-CC. TOPOLOGAS BSICAS CON UN SOLO
INTERRUPTOR SIN AISLAMIENTO
GALVNICO
14.1 INTRODUCCIN
14.2 CONTROL DE LOS CONVERTIDORES CC-CC
14.3 CONVERTIDOR REDUCTOR
14.3.1 Modo de Conduccin Continua
14.3.2 Modo de Conduccin Discontinua
14.3.2.1 Modo de Conduccin Discontinua con Vd
Constante
14.3.2.2 Modo de Conduccin Discontinua con Vo
Constante
14.3.3 Rizado de la tensin de salida
14.3.4 Prdidas en el Condensador
14.4 CONVERTIDOR ELEVADOR
14.4.4 Efecto de componentes no ideales
14.5 CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR
14.5.4 Efecto de componentes no ideales
14.6 CONVERTIDOR DE CK
14.6.2 Lmite entre Modos de Conduccin
Tema 14. Convertidores DC/DC I.
Fuente DC:
-Batera-FC
-Panel Solar
Red Electrica
(Monofsica o
Trifsica)
Tensin no
regulada
Rectificador
no Controlado
Tensin no
regulada Vd
Tensin
regulada Vo
Convertidor
CC/CC
Carga
Controlador de la
Tensin Aplicada
a la Carga
Consigna de
Tensin
Diagrama de Bloques Tpico de un Convertidor CA-CC

Uso en fuentes de alimentacin reguladas, control de motores DC y fuentes de
energa alternativas.
Topologas bsicas con un solo interruptor de convertidores conmutados:
(Simples, en el prximo tema otras ms complejas y con aislamiento galvnico)
Convertidor reductor (Buck).

Convertidor elevador (Boost).
Convertidor reductor-elevador (Buck-Boost).
Convertidor de Ck.
Se supondrn las siguientes hiptesis:

Funcionamiento en rgimen permanente.
Los dispositivos semiconductores sern considerados como interruptores
ideales.
Las prdidas en los elementos inductivos y capacitivos sern despreciadas.
La alimentacin continua se supondr contante en el tiempo.
La etapa de salida del convertidor estar compuesta por un filtro paso bajo y
la carga (R). Cuando la carga es un motor DC, ser necesario hacer otro tipo
de modelado, (Tensin DC en serie con las L y R del devanado del motor).
1 de 37
CONTROL DE LOS CONVERTIDORES CC-CC
Condensador
de Filtrado
2 de 37
CONTROL DE LOS CONVERTIDORES CC-CC
io
Vst
Amplificador
de error
Comparador
ref
Vo
Vd
Vcontrol
vo(t)
Vo
Seal de
Disparo
Controlador PI
Diagrama de bloques de un controlador PWM
TS
ton
vst
vcont
Vst
vcont
vcont>vst
vcont<vst
Vo=
vo,med
a) D=0.3
b) D=0.8
Para TS = t on + t off ,
se define: D =
t on
TS
1 on
1
vo(t )dt = Ts Vd dt + TS
0
0
Generacin de la Modulacin por Anchura de Pulsos (PWM). Diagrama de

Bloques y Estrategia de Comparacin de Seales
TS
0 dt
ton
1
Vo = (Vd ton + 0 toff )
TS
Vo = Vd
Vd
TS
El valor medio Vo aplicado a la carga R ser:
1
Vo =
TS
vo(t)
Aplicando semejanza de tringulos:
t on
= D Vd
TS
Luego:
3 de 37
Vo = D Vd =
D=
ton vcontrol
=
TS
VSt
Vd
vcontrol = k vcontrol
VSt
4 de 37
CONVERTIDOR REDUCTOR
CONTROL DE LOS CONVERTIDORES CC-CC.

Filtrado de los armnicos de la tensin de salida
iL
io
iL
L
L
Vd
Vi
Vo =vo (t)
Vo
Filtro
Filtro LC
Si C es de un valor adecuado, ser:
vo(t) Vo
iL
Funcin de transferencia del

filtro (L=1mH, C=1mF
fr=159Hz)
io
Atenuacin (dB)
f=1MHz
Vd
f=3MHz
Vo =vo (t)
DC
Armnicos para
D=0.5, fs=1MHz
Circuito equivalente con el interruptor cerrado (intervalo de conduccin)

iL
io
fr=159Hz
log10(f)
Vd
Empleo de un filtro LC para eliminar las frecuencias no deseadas

en el convertidor.
Vo =vo (t)
La frecuencia de resonancia del filtro LC es:
r =
1
= 2f r
LC
fr =
1
,
2 LC
Circuito equivalente con el interruptor abierto (intervalo de no conduccin)
para L=1mH, C=1000F resulta: fr=159Hz

5 de 37
CONVERTIDOR REDUCTOR.
Modo de Conduccin Continua
iL
Armnicos.
iL
io
io
0.7
vL
Vd
Vo
Vo
0.6
Armnico:
vL
C
6 de 37
0.5
0.4
b)
a)
0.3
0.2
VL = Vd Vo
0.1
0
0.1
Ic>0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
Armnicos de una onda cuadrada en funcin de D
VL = Vo
Ic<0
0.7
1
Armnico:
0.6
0.5
Anlisis del Convertidor Reductor por Intervalos. (a) Intervalo

de Conduccin. (b) Intervalo de no Conduccin
TS
ton
v (t )dt = (V
L
(Vd
V0 )dt +
0.3
TS
( V )dt = 0
0.2
ton
Vo )t on = Vo (TS t on )
Si se desprecian las prdidas:
0.4
0.1
Vo t on
=
=D
Vd TS
0
0.1
1
I
Pot = Vo I o = Vd I d o =
Id D
7 de 37
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
Armnicos de una onda triangular en funcin de D

8 de 37
Modo de Conduccin Discontinua con Vd Constante
Modo de Conduccin Discontinua con Vd Constante
intervalo 1
int. 2
int. 3
Intervalo de
conduccin
Lmite entre Modo de

Conduccin Continua y
Discontinua:
(Vd constante y Vo regulable
con D), Vo= DVd
Inter.
IL
Si No No
Diodo No Si No
DLimTS
En el lmite del modo continuo a

discontinuo:
(Vd Vo )DTS + ( Vo ) 1TS = 0
La corriente media por L (ILB=Io, ya

que en rgimen permanente
Vc=Vo=cte) es:
I max = i L,pico =
t
1
iL,pico = on (Vd Vo ) =
2
2L
TV
= S d D( 1 D)
2L
I LB =
I LB
I L = Io =
D + 1
1
iL,pico(D + 1 ) TS = iL,pico
2
2
Area del tringulo
TV
= S d
8L
Luego: I LB = 4 I LB,max D( 1 D)
1
TS
Vo
1TS
L
V
(D + 1 ) = 4 D I
I o = o 1T S
LB,max 1
L
2
Su valor Mximo (para D = 0.5 ):
I LB,max
Vo
D
=
donde D + 1 < 1.0
Vd D + 1
Vo
=
Vd
Zonas Io -D de funcionamiento
en modo conduccin continua y conduccin
discontinua
1 =
Io
4 I LB,max D
D
1 Io
D2 +
4 I LB,max
9 de 37
Relacin de transformacin con Vd Constante
10 de 37
Modo de Conduccin Discontinua con Vo Constante
Ejemplo, control de motores DC: Se genera una tensin de salida variable Vo

que se aplica al motor DC a partir de una tensin de entrada sustancialmente
constante Vd.
Ejemplo: fuente de alimentacin con Vo constante, a partir de Vd

no regulada
Si Vo es constante Vd=Vo/D, en el lmite:
Vo
=
Vd
Vo
Vd
D2
1 I
D2 + o
4 I LB,max
I LB =
Sea: I LB,max =
Zona de conduccin
discontinua
DTS
TV
1
i L,pico =
(V d Vo ) = S o ( 1 D) ;
2
2L
2L
TS Vo
, (Para D = 0)
2L
I LB = ( 1 D)I LB,max
En conduccin discontinua:
Vo
D
=
1 = D d 1
V
Vd D + 1
o
iL , pico =
Vo
D + 1 Vo
1TS ; I o = iL , pico
=
TS 1 ( D + 1 )
2
2L
L
Como:
Io
I LB ,max
I LB,max =
DVd
V
TS Vo
I o = I LB ,max 1 ( D + 1 ) = I LB ,max D d 1
V
V
2L
o
o
Despejando D, se obtiene:
Relacin de transformacin de un convertidor reductor, en Modos Continuo y
Discontinuo con Vd Constante
11 de 37
Io
Vo I LB,max
D=
Vd 1 Vo
Vd
12 de 37
Rizado de Tensin a la salida
Relacin de transformacin con Vo Constante
Io
Vo I LB,max
D=
Vd 1 Vo
Vd
Zona de conduccin
discontinua
ton
I
I
LB , max
Suponiendo variaciones de Vo pequeas (p.ej. 1% de Vo), y se puede suponer que

todo el rizado de corriente lo absorbe el condensador de salida C:
V o =
Q 1 1 I L TS
=
C
C 2 2 2 ; (Area del tringulo sombreada)
I L =
Vo =
TS Vo
(1 D )TS
8C L
Vo
(1 D )TS ;
L
Dnde: f s =
(Durante toff )
f
Vo TS (1 D) 2
(1 D) c
=
=
f
Vo
8 LC
2
s
1
1
f =
TS y c 2 LC
Es decir, el rizado de la tensin de salida se puede acotar eligiendo el valor de C

13 de 37
Prdidas en el Condensador
14 de 37
CONVERTIDOR ELEVADOR
iL
io
vL
Vd
IC
IC,pico
Vo =vo(t)
Convertidor Conmutado Elevador

iL
io
vL
Vd
ton
Vo =vo(t)

iL
Suponiendo como en el caso anterior variaciones de Vo pequeas (p.ej. 1% de Vo),

se puede suponer que todo el rizado de corriente lo absorbe el condensador de
salida C:
io
vL
Vd
Vo =vo(t)
La corriente de pico por el condensador ser (Calculndola durante toff ):
I C , Pico =
V
1
I L = o (1 D )TS ;
2
2L
El valor eficaz de la corriente por el condensador ser (onda triangular):
C ( RMS )
V
C , Pico
= o (1 D )T
S
3
2 3L
Las prdidas en el condensador se obtienen al multiplicar dicha corriente al

cuadrado por la resistencia equivalente serie del condensador (ESR).
Los condensadores de salida deben elegirse con una ESR lo menor posible.
15 de 37
16 de 37
Lmite entre modos de Conduccin
iL
iL
io
io
vL
vL
Vd
Vo
Vd
a)
Vo
b)
IL=Id
ton=DLimTS
En el Lmite:
I LB =
Como:
Modo de Conduccin Continua. (a) Intervalo de Conduccin. (b) Intervalo de

no Conduccin
TS Vo
Io
2
D(1 D )
= 1 D , ser: I oB =
Id
2L
Haciendo: I LB,max =
Vd t on + (Vd Vo )t off = 0 Vd D + (Vd Vo ) ( 1-D) = 0
V o TS
1
=
=
Vd t off 1 D
TS Vo
e
8L
I oB =
2 TS Vo
27 L
27
D( 1 D)2 I oB,max
4
17 de 37
Modo de Conduccin Discontinua
I oB,max =
I LB = 4 D( 1 D)I LB,max
Resulta:
TV
1
i L,pico = S 0 D(1 D )
2
2L
18 de 37
4 Vo
D=
27 V
d
Vo
I
1 o
V
I
d
oB,max
Zona de conduccin
discontinua
DTS
Vd DTS + (Vd Vo ) 1TS = 0
Vo 1 + D
=
1
Vd
El valor medio de la corriente por la bobina (=corriente por la

fuente), resulta aplicando:
i L,pico
Id =
rea del tringulo:

Si no hay prdidas:
TV
= S 0 D(1 D ) y calculando el
L
Relacin de transformacin de un convertidor elevador,

En modos de funcionamiento continuo y discontinuo
Vd
DTS (D + 1 )
2L
T V
Io
1
I o = S d D 1
=
I d 1 + D y resulta:
2L
De las expresiones anteriores, se obtiene:
4 Vo
D=
27 V
d
Vo
I
1 o
V
I
d
oB,max
19 de 37
20 de 37
Efecto de componentes no ideales
Rizado de la tensin de salida
Ideal:
1/(1-D)
Vo/Vd
Real
ton
1
1 D
0
Relacin de transformacin teniendo en cuenta las prdidas en los elementos
reales (L, Interruptor, Diodo y Condensador)
Suponiendo variaciones de Vo pequeas (p.ej. 1% de Vo), y se puede suponer

que todo el rizado de corriente lo absorbe el condensador de salida C:
Vo =
Q I o DTS Vo DTS
=
=
; (Area del rectngulo sombreada)
C
C
RC
Vo DTS DTS
=
=
Vo
RC
Dnde:
= RC
21 de 37
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR.
L
L
Vd
Vd
vL
iL
22 de 37
Vo =vo
vL
L
iL C
Vo
Vd
vL
iL
io
io
Vo
R
io
a)
b)
Convertidor Reductor-Elevador
L
Vd
vL
iL
Vo =vo
io
ton
L
Vd
vL
iL
Vo =vo
io
Formas de Onda del Convertidor Reductor-Elevador para Modo de

Conduccin Continua: D=0.4
(a) Intervalo de Conduccin. (b) Intervalo de no Conduccin
Vd DTS + ( Vo )(1 D )TS = 0
Vo
D
=
Vd 1 D
I o 1 D
=
Id
D
23 de 37
24 de 37
Lmite entre Modos de conduccin
Formas de Onda del Convertidor Reductor-Elevador en el lmite entre los

modos de Conduccin Continua y Discontinua: D=0.4
L
Vd
vL
L
iL C
Vo
Vd
vL
iL
io
Vo
io
a)
b)
ton
En el Lmite:
I LB =
ton
Formas de Onda del Convertidor Reductor-Elevador para Modo de

Conduccin Continua: D=0.6
TV
1
TV
iL,pico = S d D I LB = S o (1 D ) ,
2L
2
2L
Io 1 D
TV
=
D I o = I L (1 D ) I oB = S o (1 D )2
Id
2L
I = I + I
d
o
L
Definiendo:
I LB,max =
TS Vo
2L
I LB = (1 D )I LB,max
Regulador elevador-reductor: Modo de Conduccin Discontinua D=0.4
TS V o
2L
, resulta:
I oB = (1 D ) I oB,max
2
25 de 37
I oB,max =
26 de 37
Regulador elevador-reductor: Modo de Conduccin Discontinua D=0.6
TS
1TS
ton=DTS
V d DTS + ( V o ) 1T S = 0
IL =
ton
Vo
D
=
Vd 1
I o 1
=
Id
D
Vd
DTS (D + 1 )
2L
1
V I 2
D= o o
Vd I oB ,max
27 de 37
28 de 37
Rizado de la tensin de salida
1
Vo I o 2
D=
Vd I oB ,max
ton
Zona de conduccin
discontinua
Suponiendo variaciones de Vo pequeas (p.ej. 1% de Vo), y se puede

suponer que todo el rizado de corriente lo absorbe el condensador de salida
C:
Vo =
Q I o DTS Vo DTS
=
=
C
C
RC
Relacin de transformacin de un convertidor reductor-elevador, en modos

de funcionamiento continuo y discontinuo
; (Area del rectngulo sombreada)
Vo DTS DTS
=
=
Vo
RC
Dnde:
29 de 37
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR
Efecto de componentes no ideales
iL1
C1
iL2
L2
vL1
vL2
C2
Vd
Ideal:
D/(1-D)
30 de 37
CONVERTIDOR DE CK
L1
Vo/Vd
= RC
Vo
io
En rgimen permanente, los valores medios de las tensiones en las bobinas es
Real
cero, luego ser:

iL1
VC1 = Vd + Vo ,
si C es suficientemente grande, VC1 se

puede considerar constante.
C1
L1
iL2
L2
vL1
1 D
0
Relacin de transformacin teniendo en cuenta las prdidas en los elementos
reales (L, Interruptor, Diodo y Condensador)
vL2
C2
Vd
Vo
io

iL1
L1
iL2
L2
vL1
Vd
C1
vL2
C2
R
Vo
io
31 de 37
32 de 37
CONVERTIDOR DE CK.
CONVERTIDOR DE CK
iL1
iL2
L1
C1
vL1
vL2
vC1
Vd
Convertidor de Ck: Modo de conduccin Continua. D=0.33
L2
C2
R
Vo
io
a)
iL1
iL2
L1
L2
vL1
vL2
vC1
Vd
C2
R
Vo
io
b)
Circuitos equivalentes en el funcionamiento por intervalos del

Convertidor Ck. (a) Intervalo de no Conduccin. (b)
Intervalo de Conduccin
a) Tensin y Corriente por L1
VC1
1
=
Vd 1 D
(VC1 Vo )DTS + ( Vo )(1 D )TS = 0 VC1 = 1
L2:
Vo
D
I L1 = I d
Vo
D
Io 1 D
=
=
donde
Luego:
y
Vd 1 D
Id
D
I L2 = I o
L1:
Vd DTS + (Vd VC1 )(1 D )TS = 0
b) Tensin y Corriente por L2

33 de 37
34 de 37
CONVERTIDOR DE CK.
CONVERTIDOR DE CK.
Lmite entre Modos de Conduccin
Convertidor de Ck: Modo de conduccin Continua. D=0.66
Convertidor de Ck: Lmite conduccin Continua-Discontinua. D=0.66
b) Tensin y Corriente por L2

35 de 37
36 de 37
COMPARACIN ENTRE CONVERTIDORES

Id
iL
id
io
IC
iC
C
Vd
Vo
Convertidor Reductor: Vo=DVd; Io=IL=Id/D

Id
id
iL
io
vL
iC
Vd
IC
Vo
Vo
Convertidor Elevador: Vo=Vd/(1-D); Id=IL=Io/(1-D)

Id
id
L
Vd
IC
vL
iL
iC
io
Convertidor Reductor-Elevador: Vo=VdD/(1-D); Id= IoD/(1-D); IL=Io/(1-D)

iL1
Id
L1
id
IC
C1
iL2
L2
vL1
vL2
C2
Vd
iC
io
Convertidor de Ck: Vo=VdD/(1-D); Id= IL1=IoD/(1-D); IL2=Io
37 de 37
Vo
INTRODUCCIN
Objetivo: Estudio de los circuitos ms usados en las fuentes de
alimentacin reguladas (de amplio uso en la alimentacin de equipos
electrnicos).
TEMA 15. CONVERTIDORES DC/DC II
Caractersticas:
Regulacin de la tensin de salida a un valor Vo constante
(dentro de un rango de tensiones de entrada y corrientes de
salida.
Aislamiento galvnico entre entrada y salida, sin emplear
transformadores de 50Hz.
Permitir si se precisa ms de una tensin de salida aisladas
entre s.
15.1 INTRODUCCIN
15.2 CONVERTIDOR PUENTE
15.2.1 Estrategias de Control
15.2.1.1 Control Bipolar
15.2.1.2 Control Unipolar
15.3 CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO
GALVNICO
15.3.1 Convertidor Flyback
15.3.2 Convertidor Forward
15.3.3 Convertidor Puente
15.4 CIRCUITOS DE CONTROL DE
CONVERTIDORES
Tema 15. Convertidores DC/DC II.
En este tema slo se va a analizar el funcionamiento en modo de

conduccin continua (en las fuentes de alimentacin L suele ser de un
valor bastante grande).
Se va a suponer que Vo es constante (C se supone de un valor elevado).
1 de 39
CONVERTIDOR PUENTE
id
+
CONVERTIDOR PUENTE
Donde cada
interruptor es
en realidad:
S3
S1
io
Vd
Carga
S2
Vo = V A VB
Potencia
positiva o
negativa
S1
io
B
S4
Si
2 de 39
Di
Vo
Generacin del
Retraso
Si IGBT o MOS
Esquema del convertidor Puente (4 cuadrantes)
id
S2
id
+
S1
Vd
D1
A
S2
Carga
Vd
D1
io
Carga
Corriente Inversa
del Diodo
S2
D2
a)
a)
S1
io
D2
b)
B
S1
Convertidor Puente, problemas en el disparo de los interruptores:

a) No se pueden cerrar simultneamente los dos interruptores de una rama. Por
tanto, si estaba conduciendo S1 hay que esperar un tiempo mayor que el que
necesita S2 para cortarse antes de dar la orden de cierre a S1. Empleo de
tiempos muertos en el disparo de los interruptores.
b) Cuando est conduciendo D2 hay que controlar la velocidad de entrada en
conduccin de S1 (controlando la velocidad de subida de VGS1) de forma que
la corriente de recuperacin inversa de D2 no suba excesivamente.
S2
tc
tc
tc
b)
Generacin de Tiempos Muertos:

a) Circuito Simple para Generarlos. b) Formas de Ondas
Los dos casos presentados son solo ejemplos, por simetra se pueden encontrar
otros ejemplos.
3 de 39
4 de 39
CONVERTIDOR PUENTE
CONVERTIDOR PUENTE
iO
Puede estar
abierto o cerrado
S1
Vd
Conducen
D1 y D4
iO<0
VO=Vd S4
S2
Puede estar
abierto o cerrado
iO
VA =Vd
D4
Si S1 = on (S 2 = off ) V A = Vd
Si S1 = off (S 2 = on) V A = 0
S2 D2
Luego:
D4
S2
0
0
0
1
1
1
0
0
0
S3
0
0
1
0
0
1
0
0
1
VO Conduce
-Vd D2 D3
0
D2 S4
-Vd D2 D3
-Vd D2 D3
0
D2 S4
-Vd D2 D3
0
S1 D3
Vd S1 S4
0
S1 D3
S1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
S2
0
0
0
1
1
1
0
0
0
io<0
S4
0
1
0
0
1
0
0
1
0
Si los dos interruptores estn abiertos:
VO Conduce
Vd D1 D4
Vd D1 D4
0
D1 S3
0
S2 D4
0
S2 D4
-Vd S2 S3
Vd D1 D4
Vd D1 D4
0
D1 S3
VA=Vd si io<0
VA=0 si io>0
No se puede controlar con

DA la tensin de la rama
5 de 39
CONVERTIDOR PUENTE. Control Bipolar
id
Filtro LC
S3
S1
Carga
S2
Vo=VAN-VBN
Vd
Ts
2Vtri
A
C
B
S4
S2
Vo
c
a
r
g
a
N
Convertidor Puente alimentando una carga de continua con filtro LC
Vd
Vd
S3
Vo (t ) = VA VB
S4
io
S1
io
Vd
6 de 39
id
+
= Vd D A
Vo=VA-VB=Vd(DA-DB)
Luego:
S3
0
0
1
0
0
1
0
0
1
TS
En la rama B se puede obtener de la misma forma: V B = Vd DB
Estados Posibles
S1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
Vd t onA + 0 t offA
VA =
Dnde: D A es el Duty cycle de la rama A.
Circulacin de Corriente por dos Diodos aplicando una tensin nula. (Si io>0,
la corriente circulara por D2 y S4).
io>0
S4
0
1
0
0
1
0
0
1
0
VA =Vd
Tensin V A con S1 Cerrado ( S 2 Abierto) en los casos io > 0 e i o < 0
Conducen
S 2 y D4
iO<0
VO=0 S4
Circulacin de Corriente por dos Diodos, se devuelve energa. (Si io>0, se

devuelve energa a la batera por los otros dos diodos).
S1
io<0
Vd
Vd
io>0
Vd
D1
)
Vcontrol + Vtri t on
=
=D
)
2 Vtri
TS
)
Vcontrol = Vtri ( 2 D-1 )
1
[Vd t on Vd (TS t on )]
Vo =
TS
V
Vo = )d Vcontrol = k Vcontrol
V
tri
Vd
toff
ton
Vd
Convertidor Puente: Control Bipolar
Ts
2Vtri
toff
7 de 39
ton
8 de 39

Vo>0, Io>0 (S1,S4)
S1
D1
Vo>0, Io<0 (D1,D4)
S3
D3
S1
D1
Io
S3
D3
S4
D4
Io
Vd
Vd
S2
D2
Vo
S4
S2
D4
D2
Vo
Vd
Vo<0, Io>0 (D2,D3)

S1
D1
Vo<0, Io<0 (S2,S3)
S3
D3
S1
D1
Io
-Vd
S3
D3
S4
D4
Io
Vd
Vd
S2
D2
Vo
S4
D4
S2
D2
Vo
Vd
Convertidor Puente: Circulacin de la corriente por los dispositivos con control

bipolar
Dispositivos conduciendo: Io siempre positiva
9 de 39
10 de 39
Vd
Vd
Dispositivos conduciendo: Io media negativa,

pero Io(t) cambia de signo
Dispositivos conduciendo: Io media positiva,
pero Io(t) cambia de signo
11 de 39
12 de 39
CONVERTIDOR PUENTE. Control Unipolar
Vd
Vo=Van-Vbn
Vd
Van se genera
comparando
Vtri con Vcon
Vbn se genera
comparando
Vtri con -Vcon
Vd
2Vtri
Ts
Convertidor Puente: Control Unipolar
)
)
t on Vcont + Vtri
Vcont + Vtri Vtri + Vcont Vcont

=
= )
tri
)
TS
2V
D A DB =
2Vtri
Vtri
tri Vcont
t'
V
D B= on =
TS
2 Vtri
Vo = V d D A V d D B =
V
Vo = )d Vcont = k Vcont
Vo = Vd (D A D B )
V
DA =
Dispositivos conduciendo: Io siempre negativa
tri
La tensin de salida es igual que en el control Bipolar, pero la frecuencia del

rizado en la tensin de salida es doble Componentes del filtro ms baratos.
13 de 39

Vo>0, Io>0 (S1,S4)
S1
D1
S3
14 de 39
Vo>0, Io<0 (D1,D4)

D3
S1
D1
Io
S3
D3
Io
Vd
Vd
S2
D2
Vo
S4
S2
D4
Vo<0, Io>0 (D2,D3)

S1
D1
S3
D2
Vo
S4
D4
Vo<0, Io<0 (S2,S3)

D3
S1
D1
Io
S3
D3
S4
D4
Io
Vd
Vd
S2
D2
Vo
S4
S2
D4
Vo=0, Io>0 (S1,D3)
D2
Vo
Vo=0, Io<0 (D1,S3)

Vd
S1
D1
S3
D3
S1
D1
Io
Vd
Io
D2
Vo=0
S4
S2
D4
Vo=0, Io>0 (D2,S4)

S1
D1
S3
D2
D3
D2
D4
S1
D1
S3
D3
Io
Vd
Vo=0
S2
S4
Vo=0, Io<0 (S2,D4)
Io
Vd
D3
Vd
Vo=0
S2
S3
Vo=0
S4
D4
S2
D2
S4
D4
Convertidor Puente: Circulacin de la corriente por los dispositivos con

control unipolar. Corriente media negativa pero con valores positivos y
negativos. Tensin de salida positiva

control unipolar
15 de 39
16 de 39
Ts
Vd
Ts

control unipolar. Corriente siempre negativa. Tensin de salida negativa
17 de 39
CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO

GALVNICO
Tensin DC
no regulada
Rectif. +
Filtro

GALVNICO
Tensin DC
regulada
Controlador
Potencia
Transf. AF
Filtro
EMI
Rectif.+
Filtro
Convertidor
DC/DC
Vo
Filtro
EMI
Rectif. +
Filtro
Convertidor
DC/DC
Entrada RED
50 60 H z
Controladores PWM
Tierra 1
Transf. AF
con varios
devanados
secundarios
Realimentacin
Drivers
Puertas
Tensin DC
regulada
Potencia
Entrada RED
50 60 H z
Transf. AF
18 de 39
Amplificador
de error
Rectif.+
Filtro
Vo1
Rectif.+
Filtro
Vo2
Rectif.+
Filtro
Von
VRe f.
Tierra 2
Esquema General de una Fuente de Alimentacin multisalida
Aislamiento
Galvnico
Esquema General de una Fuente de Alimentacin
Objetivos:
Aislamiento galvnico entre Red y
Vo .
Evitar la transformacin de 50/60 Hz por ser muy pesado y costoso el

transformador.
Vo
Tener una mayor relacin de transformacin V que la que permite D, al

i
N2
multiplicar por N .
1
19 de 39
20 de 39
Tensiones DC
no reguladas

GALVNICO. Convertidor Flyback

GALVNICO
i1
Ld 2
Transformador Ideal
+ Vd
S
Ld 1
Convertidor
Reductor-Elevador
+Vd
L
V1
Lm
V2
i2
N1 N 2
+ Vd
Circuito Equivalente de un Transformador
Se desprecian las prdidas debidas a las resistencias de los devanados y

ncleos
+ Vd
Relacin de corrientes:
V1 V2
=
Relacin de transformacin:
N1 N 2
Igualdad de potencias:
Convertidor Flyback
P = V1 i1 = V2 i 2
Vd
i1
i
= 2
N 2 N1
N2
N1
Inductancias de dispersin: Ld 1 , Ld 2 : Tan pequeas como sea

posible (fuerte acoplamiento magntico entre primario y secundario).
Ya que la energa que almacenan la deben absorber los interruptores.
Inductancia de magnetizacin: Lm : Tan grande como sea posible
(excepto en el convertidor Flyback), ya que las corrientes de
magnetizacin se suman a las de los devanados para formar las
corrientes por los interruptores y aumentan las prdidas.
Origen del Convertidor Flyback desde el Convertidor ReductorElevador
21 de 39

i=0
id = im = iSW
Lm
Vd
i m V1 = Vd
Vd
N2
N1

io
id = 0
22 de 39
id = im = iSW
Vo
R
C
Lm
im=iL
io
id = 0
i=0
V1 = Vd
Vd
Vd
N2
N1
R
C
Vo
N1: N 2
N1: N 2
Circuito Equivalente del Convertidor Flyback con el Interruptor Cerrado
iD
N1
Vo
N2
im
Io
Circuito Equivalente del Convertidor Flyback con el Interruptor

Cerrado
Vo
iL(t) = iSW (t) = I Lmin +
N1: N 2
Vd
t
Lm
Circuito Equivalente del Convertidor Flyback con el Interruptor Abierto
I Lmax = I Lmin +
Integrando en un ciclo la tensin aplicada a la inductancia de magnetizacin:
V d DTS
( 0<t<t on = DTS )
Vd DTS
Lm
N1
V o (1 D )TS = 0
N2
Vo
N
D
= 2
Vd
N1 1 D
23 de 39
24 de 39


iD
N1
Vo
N2
im
Io
Vo
C
N1: N 2
Circuito equivalente del convertidor Flyback con el interruptor abierto

V d DTS
Vd D (t DTS )
I Lmin = I Lmax
Lm
1 D
Lm
N1
N1
I Dmax = I Lmax
; I Dmin = I Lmin
N2
N2
i L (t ) = I Lmax
i D (t ) = i L (t )
Vd D N 1
V
N1
= I Dmax
t = I Dmax o
(1 D ) Lm N 2
N2
Lm
I Dmin = I Dmax
Vo
Lm
N1
N
2
N1
N
2
ton
(1 D )TS
Como el valor medio de i D es I o , se puede calcular I Dmax

2
Vo TS (1 D) 2 N 1
I
=
Dmax (1 D )T S
N
2 Lm
2
V (1 D )TS N 1
I o = (1 D) I Dmax o
N
2 Lm
2
Io =
1
TS
I Dmax =
Io
V (1 D )TS N 1
+ o
N
1 D
2 Lm
2
I Dmin =
Io
V (1 D )TS
o
1 D
2 Lm
N1
N
2
Convertidor Flyback: Funcionamiento para D=0.4 y a=0.5
El voltaje aplicado al interruptor cuando est abierto:

VSW = Vd +
N1
V
V = d
N2 o 1 D
25 de 39
CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO GALVNICO.

Convertidor Flyback
26 de 39

Convertidor Forward
VL
D1
V2
V1
Vd
N1
io
iL
Vo
D2
N2
Convertidor Forward Ideal

Si el transformador ideal, cuando el interruptor est cerrado:
V1 = Vd ;
ton
V L = Vd
V2 =
N2
Vo
N1
N2
Vd
N1
(0 < t < t on )
Esta tensin debe ser positiva (es un reductor visto desde V2 ) luego en este
intervalo
i L aumenta.
i L circula por D2 y
(t on < t < TS ) i L disminuye.
Cuando el interruptor se abre,
V L = Vo
Convertidor Flyback: Funcionamiento para D=0.6 y a=0.5
Igualando la integral de
V L dt en los dos perodos queda:
N
Vd 2 Vo t on = Vo (TS t on )
N1
N
Vd 2 Vo D = Vo (1 D)
N1
27 de 39
Vo N 2
=
D
Vd N1
28 de 39

Convertidor Forward

Convertidor Forward
i3=0
i2= i1(N1/N2)
i3
D1
N1
i1
io
iLM
N3
N2
Lm
V1
VL
i2
N1
i1
iL
Lm
Vo
io
V2
V1
VL= V2- Vo
Vo
D2
V1= Vd
V2= Vd(N2/N1)
Vd
isw= iLM+ i1
isw
iL= i2
N2
D1
Vd
D2
N3
D3
D3
Convertidor Forward: Intervalo de conduccin

i3=iLM(N1/N3)
i2 = 0
Convertidor Forward Real:

Se aade un tercer devanado que permite que la energa almacenada en Lm
cuando el interruptor est cerrado, se devuelva a la batera al abrirlo.
i1=-iLM
iLM
N1
N3
iL
D1
Lm
io
N2
V2
V1
VL= - Vo
Vo
D2
V1= -VdN1/N3
Vd
isw= 0
D3
Convertidor Forward: Intervalo de desmagnetizacin

i3=0
i2 = 0
i1=0
iLM
=0
N1
N3
iL
D1
Lm
V2
V1
io
N2
VL= - Vo
D2
Vo
V1= 0
Vd
isw= 0
D3
Convertidor Forward: Intervalo de no conduccin

29 de 39

Convertidor Forward
30 de 39

Convertidor Forward
Funcionamiento del convertidor Forward

Con el interruptor cerrado:
V1 = Vd
(0 < t < t on ) ,
im sube linealmente desde cero a I Lmmax .

Cuando se abre el interruptor
i1 = i m
N 1 i1 + N 3 i 3 = N 2 i 2 , como hay un diodo D1 , i2 = 0 la

N1
corriente i3 = N im fluir a travs del devanado auxiliar,
3
devolviendo energa a la batera.
Durante tm, la tensin aplicada al primario y a Lm es:
V1 =
tm
N1
V
N3 d
se puede calcular de:
(t on < t < t on + t m )
Vd t on =
N1
V (t )
N3 d m
ton
tm
N
= 3 D
TS
N1
Se tiene que cumplir que:
t m < toff
tm
N
< 1 D luego : (1 - D max ) = 3 Dmax
TS
N1
1
=
Dmax
N
1+ 3
N1
31 de 39
Convertidor Forward: Funcionamiento para D=0.4
32 de 39

GALVNICO.
Convertidor Puente

Convertidor Forward
T1
iD1
V1
iLm
T2
D1
D2
T4
VL
Vo1 iL
N2
Vd
D3
D1 T3
Lm
Vo
R
C
N2
N1
iD2 D2
D4
Convertidor Puente con transformador
ton
Convertidor Forward: Funcionamiento para D=Dmax
33 de 39

Convertidor Puente
T1
Vd
T2
io=iL(N2/N1) V1=Vd
+iLm B
D2
iD1= iL
D3
D1 T3
T4
Vd
T2
D1 T3
iLm
D2
R
C
Vo
Vd
D3
D1
N2
N2
iD1=iL/2
V1=-Vd iLm
T4
T1
iL
R
C
Vo
Vd
Vo
iD2=iL/2 D2
D4
D3
i1=0
V1=Vd iLm
D1 T3
D2
D3 conduciendo
T2
T2 y T3 conduciendo
N2
V Vo
N1 d
D1
D2
T4
D4
iL
Vo1=0
N2
io=- iLm
VL
Lm
iD1=iL/2
Vo1=Vd(N2/N1)
iD2= iL D2
VL =
R
C
N2
Funcionamiento del Convertidor Puente:
T1 T4 V1 = +Vd
N2
V
V01 =
T2 T3 V1 = Vd
N1 d
La tensin en la bobina es:
VL
Lm
N1
D2
iL
Vo1=0
N2
io= iLm
R
C
iD2=iL/2 D2
D1
D4 conduciendo
La relacin de transformacin se obtiene de integrar la tensin en la bobina en

medio ciclo (ya que el otro medio es idntico):
N2
Vo
N2
N Vd Vo D TS = Vo TS (0.5 D) V = 2 N D
d
1
35 de 39
Vo
N2
N1
D4
D1
VL
Lm
N1
i1=0
T2
D3
T1 y T4 conduciendo
iD1=0
D1 T 3
Vo1=Vd(N2/N1)
iD2=0 D2
Si conducen:
T1
iL
N2
N1

Convertidor Puente
VL
Lm
D4
io=iL(N2/N1) V1=-Vd iLm

+iLm B
T4
N2

T1
D1
34 de 39
36 de 39

Convertidor Puente
CIRCUITOS DE CONTROL DE CONVERTIDORES

EAOUT 2
ERROR
AMP
EAINV 1
PWM
COMPARATOR
PWM
LATCH
1.5V
SD
R
RAMP 7
CS 3
OSCILLATOR
CT
CURRENT LIMIT
COMPARATOR
VCC-0.43V
5 OUT
CLK
REFERENCE
& UVLO
SLEEP
COMPARATOR
SLEEP
2.2V
VCC 4
VCC
UVLO
8 3V REF
3V REF
GND 6
Diagrama de bloques del controlador UC1573

VIN
+12V IN
SLEEP
RSLEEP
1MEG
MSLEEP
RCS
RVSENSE1
91k
RSLEEP
24k
CVCC 10F
C 3VREF
100nF
ton/2
CRAMP
680pF
ton/2
RCOMP CCOMP
8 3VREF
RVSENSE2
39k
UC 1573
CBULK
10F
7 RAMP
1 EAINV
OUT 5
2 EAOUT
GND
CS 3
4 VCC
MSWITCH
LBUCK
6 GND
DBUCK
VOUT
COUT
100F
GND
+5V
OUT
Realizacin de un Convertidor Reductor con el controlador UC1573

Funcionamiento del convertidor Puente para D=0.3
37 de 39
CIRCUITOS DE CONTROL DE CONVERTIDORES

POL
REF
MIN OFF-TIME
GENERATOR
1 .2 5 V
R EF
POLARITY
START-UP
TRIG
Q
E R R OR
AM P
LX
F /F
S
FB
Q
R
S TA R T- U P
C O M PA R AT OR
ISET
T R IG
M AX O N -T IM E
G E N E R AT O R
Q
(10s)
1V
SHD N
C O N T R OL
VCC
G ND
Diagrama de bloques del controlador MAX629

V
IN
+0.8V
TO +24V
Conectar si se usa
una sola fuente
C1
VCC
+2.7V
TO +5.5V
10F
35V
L1
47 H
C3
0 .1 F
D1
SHDN
VCC
MAX 629
ISET
FB
C4
REF
R1
576k
1%
R2
31.6k
1%
POL
VOUT
M BR 0 5 40 L
+24V
LX
CF
150pF
C2
1 0F
35V
Realimentacin de
la tensin VOUT
GND
0.1 F
Convertidor Elevador realizado con el controlador MAX629
39 de 39
38 de 39
INTRODUCCIN
Smbolos para la Representacin de Convertidores CC/CA (Inversores)
CA
CC
TEMA 16. CONVERTIDORES CC/AC.

16.1. INTRODUCCIN
16.1.1. Armnicos
16.1.2. Conexin de un Convertidor CC/AC
16.1.3. Clasificacin
16.2. INVERSOR MEDIO PUENTE. RAMA
ELEMENTAL
16.3. INVERSOR MONOFSICO EN PUENTE
COMPLETO
16.4. INVERSOR TRIFSICO
16.4.1. Tensin en el Neutro
16.4.2. Armnicos
16.4.3. Espacio de Estados
16.5. OTROS INVERSORES
16.5.1. Inversor con Fuente de Corriente
16.5.2. Inversores de tres niveles
16.5.3. Inversores Multinivel
(a) Inversor Monofsico.
CA
CC
(b) Inversor Trifsico
APLICACIONES:
Actuadores para motores de corriente alterna. Permite variar la
tensin y la frecuencia de estos motores.
Fuentes de alimentacin ininterrumpida (UPS). Genera una tensin
senoidal a partir de una batera con el fin de sustituir a la red
cuando se ha producido un corte en el suministro elctrico.
Generacin fotovoltica. Genera la tensin senoidal de 50Hz a
partir de una tensin continua producida por una serie de paneles
fotovoltaicos.
En este tema, se considerar nicamente el funcionamiento a bajas
frecuencias, es decir: los interruptores conmutando a la frecuencia de la
red.
Tema 16. Inversores I.
1 de 35
INTRODUCCIN
INTRODUCCIN. Armnicos
+Vd /2
Vd /2
1
0
2 de 35
Armnicos para
D=0.5
iA
SA
Vd /2
VZ
-Vd /2
Circuito Inversor Simple

SA
Posicin 1
Posicin 0
Posicin 0
t
Vz
Vd
2
Armnicos de ondas cuadrada y triangular
V
d
2
iA
Vd
2R
iA
Carga inductiva
de valor L
Vd T
2L
0
Vd T
2L
Armnico
fundamental
Carga resistiva
de valor R
Vd
2R
t1
t0
T
t
T
Formas de Onda de un Circuito Inversor Simple

3 de 35
4 de 35
0.5
0.5
Armnico nm.
Armnicos en una Onda Cuadrada de amplitud
1
en funcin de D
2
Armnicos 0 a 5 de una Onda Cuadrada de amplitud
5 de 35
INTRODUCCIN. Conexin de un Convertidor CC/AC
1
en funcin de D
2
6 de 35
INTRODUCCIN. Conexin de un Convertidor CC/AC
Flujo de Potencia
I,P
Elementos metlicos aislados del circuito de potencia

FILTRO
DE
RED
CONVERT.
BOBINA
O
CA/CC
CONDENSAD.
INVERSOR
FILTRO
DE
CARGA
VC
CARGA
a)
+
Batera
s1 ( t )
s2 ( t )
I,P
sn ( t )
Control
RED
VC
Diagrama de Bloques del Sistema Inversor
b)
Circuito de Alimentacin de Inversores. (a) Alimentacin Mediante un
Rectificador Controlado. (b) Alimentacin Mediante Otro Inversor
VAC
Modelo por Fase de la Carga del Inversor
7 de 35
8 de 35
INTRODUCCIN. Clasificacin
INVERSOR MEDIO PUENTE. RAMA ELEMENTAL
Inversores con fuente de corriente (CSI).

Inversores con fuente de tensin (VSI).
IL
DA+
iA
TA+
Vd /2
A
TA-
Vd /2
DA-
VC
Inversor en Medio Puente

(a)
(b)
Inversores con: (a) Fuente de Tensin (VSI). (b) Fuente de Corriente (CSI)
Inversores de baja frecuencia (onda cuadrada).
Inversores de alta frecuencia (modulacin por anchura de pulsos).
t0 , instante de tiempo en el que se abre el interruptor TA+ .

t0+ t0 instante de tiempo en el que se cierra el interruptor TA- .
t1, instante de tiempo en el que se abre en interruptor TA-.
t1+ t1 instante de tiempo en el que se cierra el interruptor TA+.
t0 y t1 son los tiempos muertos (generalmente coinciden).
Inversores de transistores bipolares.

Inversores de MOSFETs.
Inversores de IGBTs.
Inversores de tiristores.
Inversores de GTOs.
TA+
t1 + t1
TA
t0
Inversores no resonantes.
Inversores resonantes.
VA
t 0 + t 0
t1
Vd
2
0
Medio puente o batera con toma media.

Transformador con toma medio o Push-Pull.
Puente completo monofsico.
Puente trifsico.
Formas de Onda del Inversor Medio Puente con Carga Resistiva
9 de 35

Vd
2
TA+
DA+
TA
DA
Vd
2
TA+
TA
c)
10 de 35
D A+ i ( t + t )
A 0
0
TA
DA
b)
Vd
2
DA+ i ( t )
A 1
TA+
Vd
2
Vd
2
a)
TA+
Vd
2
Vd
2
iA (t0 )
Vd
2
D A
DA+ i ( t + t )
A 1
1
Vd
2
TA
DA
d)
Circuitos Equivalentes durante los Intervalos de Funcionamiento del Inversor

en Medio Puente
11 de 35
Formas de Onda de Tensin y Corriente de un Inversor Medio

Puente con Carga Inductiva considerando tiempos muertos y tiempos
de almacenamiento de los interruptores
12 de 35

Vd
2
V pulso
iA
iA
Z
SA
Z
Vz
V
d
2
a)
b)
Circuitos Simplificados del Inversor en Medio Puente:

a) Como Conmutador. b) Como Fuente de Onda Cuadrada
Efecto de los Tiempos Muertos en la Prdida de Tensin en la Carga cuando

la corriente no cambia de signo
V A = Vd
t c t alm
sig (i A )
TS
13 de 35
INVERSOR MONOFSICO. PUENTE COMPLETO
Vd
2
TA+
iA
A
Vd
2
TB+
DA+
DA
TA
sA i
A
O
DB
TB
VZ
Vd
2
Vd
2
iB
Inversor Monofsico en Puente Completo
Vd
2
INVERSOR TRIFSICO
DB+
14 de 35
TA+
A
Vd
2
TA
DA+
iA
DA
TB+
DB+
iB
DB
TB
TC+
DC+
iC
C
TC
DC
Inversor puente trifsico
sB
B
Circuito Equivalente del Inversor Monofsico en Puente Completo
Estado
Interruptor Interruptor Tensin en

SA
SB
la carga
-Vd
Vd
Resumen de los Estados de un Inversor Monofsico en Puente Completo
15 de 35
16 de 35
INVERSOR TRIFSICO
Vd /2
iA
0
SA
iB
INVERSOR TRIFSICO. Tensin en el Neutro
SB
iC
SC
Vd /2
t
Tensiones en las tres ramas del inversor. Determinacin de la tensin del
neutro de la carga:
Vd
2
VA0
VAN
VBN
VCN
Vd
2
VN0
N
Circuito Equivalente del Inversor Trifsico
Vd
2
Vd
2
(a)
SB
SC
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
(b)
Circuitos Equivalentes para Determinar la Tensin del Neutro de la carga

Estados:
Z V
2 d Z Vd = Vd Vd = Vd
S1, S3 y S5
a) VNO = 3
6
3
6
2 3 Z 2
2
2Z
Interruptores
Estado SA
Z V
V
V
V
Z Vd
2 d = d d = d
b) VNO = 3
3
6
6
Z 2 32 Z 2
2
S2, S4 y S6
Luego:
t
y las tensiones aplicadas a la carga por fase son:
V AN = V AO VNO ; VBN = VBO VNO ; VCN = VCO VNO
Estados de un Inversor Trifsico.
17 de 35
INVERSOR TRIFSICO. Armnicos
Tensiones entre Fase y

Punto medio de la batera
Tensiones fase-fase
INVERSOR TRIFSICO. Armnicos
18 de 35
Tensiones en un puente trifsico
En las tensiones faseneutro desaparecen

los armnicos triples
Componente
Fundamental
19 de 35
20 de 35
INVERSOR TRIFSICO. Espacio de Estados

Interruptores
Estado
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
SA
0
1
1
0
0
0
1
1
SB
0
0
1
1
1
0
0
1
OTROS INVERSORES. Inversor con Fuente de

Corriente
Tensiones/Vd
SC VAN VBN VCN

0
0
0
0
0 2/3 -1/3 -1/3
0 1/3 1/3 -2/3
0 -1/3 2/3 -1/3
1 -2/3 1/3
1/3
1 -1/3 -1/3 2/3
1 1/3 -2/3
1/3
1
0
0
0
TA+
DB
iA
TA
TB+
D A
DB+
jIm
S2
S3
R=
Conversin de coordenadas del espacio

tridimensional al plano (proyeccin):
1 V
A
2 V
B
3
V
2 C
S1
S4
2Vd
3
iB
Estados de un Inversor Trifsico.
1
Re 2
2
=
Im 3
3

0
TB
DA+
Inversor en Puente Completo con Fuente de Corriente.

Los diodos son necesarios si los interruptores no soportan tensiones inversas.
Nota: En este montaje pueden cerrarse simultneamente los dos
interruptores de una rama, pero no se pueden dejar abiertos a la vez los dos
de la parte de arriba (o de abajo) de ambas ramas.
Re
S0, S7
S6
S5
Por ejemplo, para S1:
Re =
VA =
2Vd
2Vd
; Im = 0 , cuyo mdulo es:
3
3
para S5: V A =
Re =
2Vd
V
V
; VB = d ; VC = d , resulta:
3
3
3
Modelo Equivalente del Inversor Monofsico con Fuente de Corriente

Su uso principal es para grandes potencias con SCR (tendencia a desuso).
Tienen una ventaja, ya que pueden devolver energa a la red si la fuente de
corriente se construye con una bobina y un rectificador controlado.
2V
Vd
V
; VB = d ; VC = d , resulta:
3
3
3
Vd
V
2Vd
; Im = d , cuyo mdulo es:
3
3
3
21 de 35
OTROS INVERSORES. Inversor con Fuente de

Corriente
OTROS INVERSORES. Inversores de tres niveles
TA+
T1
T2
D2
D3
T4
D5
TC+
DB+
DC+
T2
iA
T3
D2
B
iB
D3
C
D6
T4
D4
T5
D5
T6
D6
TB
DB
TC
DC
Vd
2
Inversor Trifsico con Fuente de Corriente
TA
D1
A
T6
T5
D4
T1
TB+
DA+
Vd
2
T3
D1
22 de 35
DA
Inversor Trifsico de Tres Niveles
A
B
C
Modelo Equivalente del Inversor Trifsico con Fuente de Corriente
23 de 35
24 de 35
iC

D+
Vd/
2
DA
+
TA+
D1
T1
Vo=-Vd/2
D+
Vd/
2
DA
+
T1
D1
T4
D4
D+
Vd/
2
D1
Vd/
2
D+
Vd/
2
Io<0
DA
+
TA+
D+
TA+
D1
D4
T4
T4
Vd/
2
DA
+
D1
D4
D+
D1
T1
Io>0
Vo=-Vd/2
Vd/
2
Io<0
Vd/
2
D+
TA+
DA
-
T4
TA-
Vd/
2
D4
D+
D1
Io>0
D1
Vo=Vd/2
DA
-
T4
TA-
Vd/
2
D4
TA+
DA
+
D1
T4
D4
TA-
Vd/
2
D-
Io<0
Vo=Vd/2
DA
-
D-
DA
-
TA-
Io<0
Vo=Vd/2
D4
T4
DA
+
TA+
T1
Io>0
D-
Vo=0
DA
-
T1
D+
Vd/
2
DA
-
TA-
DA
+
D1
Io<0
D4
TA-
DA
-
D-
Vd/
2
T1
D1
D-
DA
+
TA+
D+
T1
Vd/
2
Vd/
2
DA
+
T4
Vd/
2
D-
Vo=0
D4
T4
Vd/
2
TA-
Vo=0
TA+
DA
+
TA+
D-
Io>0
Vo=Vd/2
DA
-
TA-
Vd/
2
T1
DA
-
T1
D+
Vd/
2
TA-
Vd/
2
TA-
Vo=-Vd/2
D-
DA
-
TA-
D4
T4
D-
D4
D-
DA
-
T1
Vd/
2
T4
Vd/
2
TA-
Io<0
DA
+
T1
Vo=0
D1
Vo=-Vd/2
D4
T4
DA
+
Io>0
D-
DA
-
TA+
Io>0
D1
TA+
T1
D+
Vd/
2
T1
Vd/
2
TA-
DA
+
TA+
Vo=-Vd/2
D-
DA
-
TA+
Io<0
D4
T4
Vd/
2
TA-
D1
T1
D-
D+
Vd/
2
Io>0
D4
T4
Vd/
2
DA
+
TA+
D+
Vd/
2
Estados de una rama de inversor a tres niveles
Vo=Vd/2
DA
-
D-
Estados de una rama de inversor a tres niveles

25 de 35
iA
0
SA
iB
SB
iC
SC
Vd /2
VA0
VAN
VBN
VCN
VN0
N
Circuito Equivalente del Inversor Trifsico de tres niveles
La tensin VN0 se puede calcular aplicando el Teorema de Superposicin:
2 +V
2 +V
2 =
V N 0 = V A0
B0
C0
Z +Z
Z +Z
Z +Z
2
2
2
(V + V B 0 + VC 0 )
V N 0 = A0
3
Las tensiones VA0 ,VB0 y VC0 pueden tomar los valores: +Vd /2 , -Vd /2 y 0.
Luego los posibles valores de VN0 sern: 0, Vd /6 , Vd /3 y Vd /2
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9 S10 S11 S12
Tensiones entre Fase y Tensiones fase-neutro

Punto medio de la batera
S1
Vd /2
26 de 35
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9
S10
S11
S12
VAN
1/2
2/3
1/2
1/3
0
-1/3
-1/2
-2/3
-1/2
-1/3
0
1/3
VBN
-1/2
-1/3
0
1/3
1/2
2/3
1/2
1/3
0
-1/3
-1/2
-2/3
VCN
0
-1/3
-1/2
-2/3
-1/2
-1/3
0
1/3
1/2
2/3
1/2
1/3
VN0
0
-1/6
0
1/6
0
-1/6
0
1/6
0
-1/6
0
1/6
SA
+
+
+
+
0
0
+
SB
0
+
+
+
+
+
0
-
Tensiones y estados en un inversor de tres niveles

27 de 35
28 de 35
SC
0
0
+
+
+
+
+

0.8
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9
S10
S11
S12
VAN
1/2
2/3
1/2
1/3
0
-1/3
-1/2
-2/3
-1/2
-1/3
0
1/3
VBN
-1/2
-1/3
0
1/3
1/2
2/3
1/2
1/3
0
-1/3
-1/2
-2/3
VCN
0
-1/3
-1/2
-2/3
-1/2
-1/3
0
1/3
1/2
2/3
1/2
1/3
SA
+
+
+
+
0
0
+
SB
0
+
+
+
+
+
0
-
SC
0
0
+
+
+
+
+
2 Niveles
3 Niveles
0.6
0.4
0.2
0
0
0.125
0.25
0.375
0.5
0.625
0.75
0.875
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
Estados en un inversor de tres niveles
Comparacin de las tensiones de fase y sus armnicos entre un inversor

convencional de dos niveles y otro de tres niveles
jIm
S5
S6
S4
Componente
Fundamental
S3
S7
S2
S8
Re
S9
S1
S11
S12
29 de 35
T1+
D1
+
T2+
D2
+
T3+
D+
Im
30 de 35
OTROS INVERSORES. Inversores Multinivel
D3
+
Vd
/5
D+
D+
Vd
/5
D+
D+
D+
D4
+
T4+
Re
D+
D+
D+
D+
D5
+
T5+
Vd
/5
Estados (27) en un inversor trifsico de tres niveles
31 de 35
D-
D-
D-
DD2
-
T2-
Vd
/5
D-
D-
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
D3
-
DT4-
D4
-
T5-
Vd
/5
k=
T1+
T2+
T3+
T4+
T5+
T1T2T3T4T5-
Tensin de Salida
Vo=k*Vd
4/5 3/5 2/5 1/5 0
0 0 0 0 0
1 0 0 0 0
1 1 0 0 0
1 1 1 0 0
1 1 1 1 0
1 1 1 1 1
0 1 1 1 1
0 0 1 1 1
0 0 0 1 1
0 0 0 0 1
DT3-
D-
Vo
D1
-
T1-
ESTADO VA0 VB0 VC0 VN0 VAN VBN VCN

=
S0
-0,5 -0,5 -0,5 -0,50 0,00 0,00 0,00 S13,S26
S1
-0,5 -0,5
0 -0,33 -0,17 -0,17 0,33
S14
S2
-0,5 -0,5 0,5 -0,17 -0,33 -0,33 0,67
S3
-0,5
0 -0,5 -0,33 -0,17 0,33 -0,17
S16
S4
-0,5
0
0 -0,17 -0,33 0,17 0,17
S17
S5
-0,5
0 0,5 0,00 -0,50 0,00 0,50
S6
-0,5 0,5 -0,5 -0,17 -0,33 0,67 -0,33
S7
-0,5 0,5
0 0,00 -0,50 0,50 0,00
S8
-0,5 0,5 0,5 0,17 -0,67 0,33 0,33
S9
0 -0,5 -0,5 -0,33 0,33 -0,17 -0,17
S22
S10
0 -0,5
0 -0,17 0,17 -0,33 0,17
S23
S11
0 -0,5 0,5 0,00 0,00 -0,50 0,50
S12
0
0 -0,5 -0,17 0,17 0,17 -0,33
S25
S13
0
0
0 0,00 0,00 0,00 0,00 S0,S26
S14
0
0 0,5 0,17 -0,17 -0,17 0,33
S1
S15
0 0,5 -0,5 0,00 0,00 0,50 -0,50
S16
0 0,5
0 0,17 -0,17 0,33 -0,17
S3
S17
0 0,5 0,5 0,33 -0,33 0,17 0,17
S4
S18
0,5 -0,5 -0,5 -0,17 0,67 -0,33 -0,33
S19
0,5 -0,5
0 0,00 0,50 -0,50 0,00
S20
0,5 -0,5 0,5 0,17 0,33 -0,67 0,33
S21
0,5
0 -0,5 0,00 0,50 0,00 -0,50
S22
0,5
0
0 0,17 0,33 -0,17 -0,17
S9
S23
0,5
0 0,5 0,33 0,17 -0,33 0,17
S10
S24
0,5 0,5 -0,5 0,17 0,33 0,33 -0,67
S25
0,5 0,5
0 0,33 0,17 0,17 -0,33
S12
S26
0,5 0,5 0,5 0,50 0,00 0,00 0,00 S0,S13
Estado de interruptores
S10
D5
-
D-
Vd
4/5Vd
Inversor de 6 niveles. Tensin

entre una rama y el terminal
negativo de la batera
3/5Vd
1/2Vd
2/5Vd
1/5Vd
0.002
0.004
0.006
0.008
0.01
0.012
0.014
0.016
0.018
0.02
32 de 35

2
Componente
Fundamental
Vd
Niveles
4/5 Vd
3/5 Vd
2/5 Vd
1/5 Vd
0
-1/5 Vd
-2/5 Vd
-3/5 Vd
-4/5 Vd
-Vd
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
Armnicos
Armnicos y Distorsin Armnica Total de VA0 en inversores Multinivel
Vd
4/5 Vd
3/5 Vd
1/2 Vd
2/5 Vd
1/5 Vd
t
3
Inversor de seis niveles: tensiones fase-neutro y fase-fase

33 de 35

0,35
3
0,3
Armnicos
0,25
0,2
0,15
0,1
0,05
Armnicos 3, 5, 7 y 9 en inversores de diferentes niveles de tensin
Vd
2 Niveles
3 Niveles
4 Niveles
5 Niveles
6 Niveles
7 Niveles
Vd/2
t
Tensiones de salida en inversores multinivel
35 de 35
11
13
15
Nmero de Niveles
34 de 35
INTRODUCCIN
TEMA 17. CONVERTIDORES CC/CA CON SALIDA

SINUSOIDAL
17.1 INTRODUCCIN
17.2 ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR
17.2.1 Modulacin Senoidal PWM
17.2.1.1 Armnicos
17.2.2 Sobremodulacin
17.2.2.1 Armnicos
17.2.3 Generacin de Seales PWM con Microprocesadores
17.3 INVERSOR MEDIO PUENTE.
17.4 INVERSOR PUENTE COMPLETO.
17.4.1 Modulacin Bipolar
17.4.2 Modulacin Unipolar
17.4.3 Comparacin entre Modulacin Bipolar y Unipolar
17.4.4 Efecto de Tiempos Muertos
17.5 PUENTE TRIFSICO
17.5.1 Generacin de Seales PWM Trifsicas
17.5.2 Modulacin Space Vector
17.5.3 PWM Modificado
17.5.3.1 Extensin del Indice de Modulacin
17.5.3.2 Cancelacin de Armnicos
17.5.4 Control de Corriente
Tema anterior: Inversores conmutando a bajas frecuencias:
Formas de ondas cuadradas a frecuencia de red.

Generacin de armnicos de baja frecuencia.
Alto coste de elementos reactivos para filtrado.
No es posible controlar la amplitud de las tensiones alternas
generadas (en trifsica).
Normalmente empleados en potencias muy elevadas (Empleo de
convertidores multinivel).
Este tema: Inversores conmutando a altas frecuencias:

Formas de ondas cuadradas de frecuencia mucho mayor que la de
la red.
Generacin de armnicos de alta frecuencia.
Menor coste de elementos reactivos para filtrado.
Control de la amplitud de las tensiones alternas generadas.
Posibilidad de controlar las corrientes aplicadas a la carga.
Empleados en potencias ms bajas:
Control de velocidad de motores AC.
Fuentes de alimentacin ininterrumpidas (UPS).
Conexin a red de sistemas de energas renovables.
Tema 16. Inversores II. 1 de 28
ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE

INVERSOR. Modulacin Senoidal PWM
Vd
Vd
DA +
TA +

io
$
Vtri
ts = 1 f
s
D A V AN
TA
Vcont
$
Vtri
Rama de un Puente Inversor
$
Vtri
ts = 1 f
s
+ Vd
2
V AO
Vcont
Vd
2
$
Vtri
+ Vd
2
V AO
Formas de onda en una rama de un Puente Inversor
fs=1/ts : Frecuencia de modulacin (frecuencia de la onda triangular

que ser constante).
f1 : Frecuencia de la seal de control (puede ser variable).
Vd
2
Formas de onda en una rama de un Puente Inversor
1
si Vcontrol > Vtri TA + (on) V AO = + Vd
2
1
si Vcontrol < Vtri TA (on) V AO = Vd
2
Vcont : Mximo de la seal de control.
Vtri : Mximo de la seal triangular (constante).

ma =
mf =
Vcont
:
Vtri ndice de modulacin (podra ser >1)
fs
: Relacin de frecuencias.
f1


INVERSOR. Armnicos
ma < 1 , La amplitud de la componente fundamental de V AO se puede obtener de:
Si
Si mf es grande, durante el tiempo ts la

seal de control no variar, y el valor
medio ciclo a ciclo ir coincidiendo con el
valor de la senoide Va,cont ya que por
semejanza de tringulos:
ts
Vtri
ton
Va,cont
2Vtri
Vtri
Va,cont Vd
2
Vtri
V AO =
Si:
f1 =
1
2
, ser:
(V AO )1 = Vcontrol
Vtri
1 (Fund.)
mf
mf2
mf4
2mf1
2mf3
2mf5
3mf
3mf2
3mf4
3mf6
4mf1
4mf3
4mf5
4mf7
(Vcontrol Vtri )
Vd
V
= ma d sen ( 1 t ) (ma 1)
2
2
(V ) = m
AO
es decir,
ma
h
(si Vcontrol Vtri )
Vcontrol = Vcontrol sen ( 1 t )

sen( 1 t )
mf f1, 2 mf f1, 3 mf f1 ...
V t t t V 2t t
VAO = d on s on = d on s
2 ts
ts 2 ts
VA0
V
d
2
ma<1:
Los armnicos aparecen en forma de bandas laterales, alrededor de:
ton Vtri +Va,cont 2ton ts Va,cont

=
ts
ts
2Vtri
Vtri
Va
Si
para ma1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
1.242
0.016
0.4
1.15
0.061
0.6
1.006
0.131
0.8
0.818
0.220
0.190
0.326
0.024
0.370
0.071
0.335
0.044
0.123
0.139
0.012
0.083
0.203
0.047
0.163
0.012
0.157
0.070
0.008
0.132
0.034
0.314
0.139
0.013
0.171
0.176
0.104
0.016
0.105
0.115
0.084
0.017
1.0
0.601
0.318
0.018
0.181
0.212
0.033
0.113
0.062
0.157
0.044
0.068
0.009
0.119
0.050
Amplitudes de los Armnicos

INVERSOR. Armnicos
1,4
1.4
ma=0.2
25
1,2

INVERSOR. Armnicos
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0,8
0.8
0,6
0.6
0,4
0,2
75
1
0.4
49 51
99101
73
23 27
77
97
0.2
103
1.0
Amplitudes de los primeros armnicos para ma entre 0.2 y 1.0,

para mf=25
ma=1.0
0.9
0.2
0.8
mf=25
0,6
0.7
h ma
25
0.6
0.5
0.4
23 27
0.3
47
53
4951
0.2
0.1
71
75
73
21
29
45
55
69
79
77
81
95
93
101 105
99
107
103
1
21
23
25
27
29
0,2
0,4
0,8
0,2
0,4
0,6
0,8
0,016
1,242
0,016
0,061
1,15
0,061
0,131
1,006
0,131
0,22
0,818
0,22
1
0,018
0,318
0,601
0,318
0,018
97
Armnicos para mf=25


INVERSOR. Armnicos
Si

INVERSOR. Sobremodulacin
ma 1 es que se tiene una relacin lineal entre Vcontrol y la tensin
de salida, y adems los armnicos que aparecen son de alta frecuencia (para m f
ma < 1 :
La ventaja de
Si m f es un nmero entero impar, entonces ser:
1
) (Funcin impar: Simetra
f (t ) = f (t ) y tambin f (t ) = f (t +
2
de media onda respecto al origen)
alto). Para ma > 1 se habla de sobremodulacin, el problema es que aparecen

armnicos de bajas frecuencias.
(V$ )
Para mf=15
AO 1
Esto implica que solo habr armnicos impares y coeficientes de tipo seno. (en
fase con la seal).
Vd
sobremodulacin
lineal
onda cuadrada
4
= 1,278
Al elegir fs se debe tener en cuenta que:

- Cuanto mayor sea mf ms fcil ser filtrar los armnicos que aparecen.
- Pero si mf sube, fs tambin y, por tanto, las prdidas de conmutacin.

- Para la mayora de las aplicaciones se elige fs <6 kHz (Altas potencias)
fs >20 kHz (para evitar el ruido audible en lo posible en bajas potencias).
- Sincronizacin para pequeos valores de mf (por ejemplo < 21) mf debe ser
un entero impar, sino aparecen subarmnicos. Esto implica que fs debe
modificarse al variar f1: fs =mf f1.
Para valores altos de mf esto no suele ser problema, ya que
los subarmnicos son de amplitud muy pequea y se habla
de PWM asncrono (mf no entero). Debe tenerse en cuenta
que los subarmnicos de muy baja frecuencia (aunque
tengan una amplitud pequea) pueden ocasionar grandes
corrientes en cargas inductivas.
ma
3,24
Tensin de salida normalizada en funcin de ma para mf=15

Si mf=15, para ma>3,24, ser (onda cuadrada):
y
(V ) = (V h )
AO h
AO 1
(V$ )
AO 1
4 Vd
V
= 1,278 d
2
2
h= 3, 5, 7.
( )
Al tratarse de una onda cuadrada no se puede controlar V AO
salvo variando Vd .

INVERSOR. Sobremodulacin

INVERSOR. Sobremodulacin. Armnicos
Comparacin entre ma=0.8 y ma=1.5 para ms=35

Armnico
Comparacin entre ma=0.8 y ma=1.5 (sobremodulacin) para ms=35

INVERSOR. Generacin de Seales PWM con
Microprocesadores
INVERSOR MEDIO PUENTE
Va
Vtri
Vd
C
Va
0
TA+
DA+
TA-
DA-
Vd/2
Configuracin en Medio Puente

t
T1
T0
Vd/2
T0,T1= Instantes de Muestreo
Los condensadores consiguen un punto medio equivalente a tener una batera

con toma media. Las formas de onda son exactamente las mismas que las que se
acaban de estudiar.
Va
Vtri
T3
T1
Va
T2
T0,T1...= Instantes de Muestreo
T0
Generacin de Seales PWM con microprocesadores

INVERSOR PUENTE COMPLETO
INVERSOR PUENTE COMPLETO. Comparacin entre

Modulacin Bipolar y Unipolar
1.5
DA+
TA+
Vsin
DB+
Vsal Bipolar
Vd/2
0
Vd/2
TB+
B
Z
io
TA-
0.5
DA-
Vo= VA0 VB0
DB-
TB-
N
-0.5
Configuracin en Puente Completo Monofsico

Son posibles las dos estrategias de disparo explicadas al estudiar los
convertidores DC/DC:
-1
a) Bipolar: Se dispara TA + y TB y a continuacin TA y TB + .

Las tensiones V AO y VBO son idnticas a las explicadas para una rama simple,
solo que V BO (t ) = V AO (t ) ,
-1.5
1.5
luego: V AB (t ) = V AO (t ) V BO (t ) = 2V AO (t ) , es decir, tendremos el doble de

tensin.
$
V01 = ma Vd (m a 1)
4
$
Vd < V01 < Vd (ma > 1)
Vsin
Vsal Unipolar
0.5
Lo explicado anteriormente respecto a los armnicos es vlido.

-0.5
b) Unipolar: En este caso:
Si Vcontrol > Vtri T A + on (V AN = Vd )

Si V
T A on (V AN = 0 )
control < Vtri
Si (-Vcontrol ) > Vtri TB + on (VBN = Vd )

Si (-Vcontrol ) < Vtri TB on (VBN = 0 )
-1
-1.5
Comparacin entre modulacin Bipolar y Unipolar en un puente

monofsico. Para ma=0.8 y mf=22
INVERSOR PUENTE COMPLETO. Comparacin entre

Modulacin Bipolar y Unipolar
INVERSOR PUENTE COMPLETO. Efecto de Tiempos Muertos
0.9
Bipolar
Unipolar
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
10
13 16
19 22
25 28
31
34 37
40
43 46
49
52
55
58
61
64
67
70
73
armnico
Comparacin entre modulacin Bipolar y Unipolar en un puente monofsico. Para

ma=0.8 y mf=22
Interr. ON
TA+TBTA-TBTA+TB+
TA-TB-
VAN
Vd
0
Vd
0
VBN
0
Vd
Vd
0
Vo =VAN VBN
Vd
-Vd
0
0
Efecto de los Tiempos Muertos en la Tensin de salida cuando la corriente

cambia de signo
V A = Vd
t c t alm
sig (i A )
TS
V(i<0)
Vo(t)
Real
Ideal
V(i>0)
Estados Posibles de los interruptores en un Convertidor Puente Monofsico

Como se vio al estudiar los convertidores DC/DC, la frecuencia de conmutacin
efectiva para Vo es 2fs, ya que se producen 4 conmutaciones en el periodo de una
onda triangular con lo que se consigue alejar los armnicos de mf a 2mf 1 (si mf
es entero par).
Ntese que para la modulacin unipolar, se escoge mf par, ya que en este caso el
primer armnico de las tensiones VA y VB estn desfasadas 180. Luego la
diferencia de fases AB = 180 mf=0 y por tanto desaparecen todos los armnicos
pares.
V(i<0)
io(t)
I>0
Efecto de los Tiempos

Muertos en la Tensin de
Salida
I>0
I<0
I<0
PUENTE TRIFSICO
N1
Vd/2
TA+
DA+
iA
A
Vd/2
TA-
TB+
DA-
DB+
TB-
TC+
iB
B
DB-
PUENTE TRIFSICO. Generacin de Seales PWM Trifsicas
iC
C
TC-
Va
DC+
Vtri
DC-
Vb
$
V
V
$
V AN 1 = ma d
con m a = cont
$
2
VT
V
3
ma d = 0,612 ma Vd
V LL1RMS =
2
2
Vc
Va
Formas de ondas
Vtri
Vcontrol,A
Vcontrol,B
Vcontrol,C
Vb
t
Vc
t
S0
S1
S2
S7
S2
S1
S0
Generacin de seales trifsicas PWM

Generacin de las Seales de Control para un Puente Trifsico
PUENTE TRIFSICO. Modulacin Space Vector
jIm
jIm
S*
S1
D1 = ma cos
sen
2
D2 = m a
sen
3
D0 = 1 D1 D2
Re
S0, S7
S6
Dnde ma es el ndice de modulacin

de amplitud =
S*
Si
S4
La solucin del sistema de ecuaciones

es:
S*
--t0 /2
Ciclos impares
S1
S2
+-t1
++t2
S7
+++
t0 /2
S7
+++
t0 /2
Ciclos pares
S2
S1
++t1
+-t2
S0
--t0 /2
De esta forma el nmero de conmutaciones se minimiza (slo hay una

conmutacin de rama en cada transicin)
S1
Re
S0, S7
S6
S5
En cada ciclo la secuencia de estados y sus duraciones son:
S0
--t0 /2
S1
+-t1 /2
En cada ciclo la secuencia de estados y sus duraciones (ti=Di *ts) son:
S0
S2
S3
dnde Di es la fraccin del tiempo de

muestreo que se aplica el vector i.
S2
S5
Una variante consiste en:
( D1 S1 + D2 S 2 ) = S *
S3
S4
Para conseguir el vector S*, se puede

conmutar entre los adyacentes S1, S2 y
S0 (o S7). Los tiempos de duracin de
cada estado se pueden obtener de:
S2
++t2
S1
+-t1 /2
S0
--t0 /2
S2
++t2 /2
S7
+++
t0 /2
O bien
S7
+++
t0 /2
S2
++t2 /2
S1
+-t1
De esta forma el nmero de conmutaciones se minimiza, ya que ahora el nmero

de conmutaciones por ciclo es 4 (antes eran 6) .
Esto permite subir la frecuencia de conmutacin (*3/2) con las mismas prdidas.
PUENTE TRIFSICO. PWM Modificado. Extensin del

Indice de Modulacin
t
t
Modulacin SV con ma=0.8, mf=35*1.5
Tensiones de Fase y Lnea al aadir un Tercer Armnico de amplitud de la

fundamental.
La tensin lnea-lnea que se consigue es 1.124*VLL (Valor mximo posible con
esta estrategia)
Armnico
Comparacin entre modulacin PWM y SV

PUENTE TRIFSICO. PWM Modificado. Extensin del

Indice de Modulacin
PUENTE TRIFSICO. Cancelacin de Armnicos
Otra posibilidad es (para 0.9*Vd/2):
a) Vo=0.8Vd/2
El valor mximo alcanzable es 1.156*Vd/2 y fmax*3/2

t
b) Vo=0.2Vd/2
Precalculando 1, 2 y 3 se controla la amplitud de la seal.
Simetra respecto al origen: No armnicos pares.
Con tres cortes por semiciclo:
7 Conmutaciones.
Se eliminan los armnicos 5 y 7.
El tercer armnico y sus mltiplos se cancelan en los inversores
trifsicos.
Es necesario comparar con otras estrategias (mf=7)
MODULACIN PWM. Control de Corriente
MODULACIN PWM. Control de Corriente

b) Control de Corriente a Frecuencia Constante
a) Control Bang-Bang (Banda de Histresis)
Vd
2
TA
Medida de
corriente
Modulador PWM
DA
iAerr
iAMedida
Corriente Real
Consigna de Corriente
Vcont
iA/C
Inversor
DA +
iA
Controlador
PI
TA +
Consigna iA
Vd
2
Comparador
iB/C
Vtri
B
C
iC/C
1/fs
Control PI de la Corriente
Frecuencia
variable
Medida de
corriente
iAerr
iA/C
Inversor
Consigna iA
V AN
Comparador
iAMedida
Vtri
Banda
de Histresis
iB/C
B
C
iC/C
El control de corriente (ambos mtodos) son muy usados en:

Control de motores de induccin.
Inyeccin de potencia procedente de fuentes de energas alternativas en la red.
Ntese que la consigna de corriente puede elegirse de manera que:
Est en fase con la tensin de la red. La red trabaja con el inversor como si fuese
una resistencia.
Est desfasado 180 con la tensin de la red. La red cede energa activa al
inversor.
Tenga un desfase en adelanto o retraso con la tensin de la red. La red toma o
cede energa activa o reactiva. Esto permite su uso como compensador de
energa reactiva.
Se pueden introducir desequilibrios entre las corrientes de las fases. Esto
permite compensar las corrientes que estn circulando por otra carga
desequilibrada.
Se pueden incorporar armnicos en las corrientes. Esto permite compensar los
armnicos de las corrientes que estn inyectando las cargas conectadas a la red.
Control Bang-Bang de un Inversor


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GENERALIDADES

TEMA 1. INTRODUCCIN AL MODELADO Y

Aos 50: SCR.

Mayores prestaciones, Menor coste, Posibilidad de emplearlos en nuevas

1.3.1. Clculo de Armnicos.

El objetivo de la ELECTRONICA DE POTENCIA es:

Modificar, utilizando dispositivos de estado slido, la forma de

1.3.3. Clculo de valores eficaces.

Uso de Fuentes de Alimentacin, Componentes Reactivos e Interruptores. (no

Roff=, VBD= , Ton=0

Ron=0, Ion= , Toff=0

Otras caractersticas a tener en cuenta son: coste del dispositivo y de los

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 1 de 21

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 2 de 21

REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE

Ejemplo simple con un solo interruptor.

Alterna (Mono Trifsica):

Alterna (Mono Trifsica):

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 3 de 21

% de error sobre el valor mximo.

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 4 de 21

REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE

REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE

Funcionamiento de una Bobina al aplicar una tensin constante

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 5 de 21

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 6 de 21

REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE

REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE

Funcionamiento de un Condensador al aplicar una corriente constante

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 7 de 21

Funcionamiento de una Bobina al aplicar una tensin alternada positiva y

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 8 de 21

REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE

REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE

Suponiendo como condicin inicial i(0)=0, cuando V se hace positivo en t=0, el

Circuito equivalente en el primer intervalo

que, para i(0) = 0 tiene una solucin del tipo:

Este circuito es vlido para el anlisis en tanto i (t ) 0 . Sea t1 el instante en el que

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 10 de 21

REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE

REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE

Si t>t1 en el circuito anterior resulta i(t1)<0 y el diodo debera conducir

cuya solucin para i(0) = 0 es:

Circuito equivalente en el segundo intervalo

El funcionamiento en rgimen permanente es una sucesin de

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 11 de 21

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 12 de 21

REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE

REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE

En el circuito no lineal del ejemplo, puede representarse por el circuito lineal

Estos parmetros de control tienen, principalmente, dos causas:

El paso de un intervalo a otro es debido a la conmutacin del diodo al pasar

no podemos saber a priori cuantos intervalos habr y

incluso, en algunos casos, de sus condiciones iniciales de funcionamiento.

Estas condiciones de contorno se complementan con la condicin de

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 13 de 21

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 14 de 21

DESARROLLO EN SERIE. Clculo de Armnicos

DESARROLLO EN SERIE. Clculo de Armnicos

Es usual que en la resolucin de un circuito de potencia se obtengan

Dado que es conveniente en muchos casos conocer las componentes armnicas

En la mayor parte de los casos nuestro inters se centrar exclusivamente en

Tambin se le representa como