Tesis Porfirio Nájera

S.E.P S.E.1.T S.N .I .
T
CENTRO NACIONAL DE INVESTIGACIN Y
DESARROLLO TECNOLGICO
.+
$&
-.
cenidet
RECTIFICADOR CONMUTADO CON CORRECCI~N DEL
FACTOR DE POTENCIA Y CONMUTACIN SUAVE DEL
TIPO CUASIRRESONANTE A CORRIENTE CERO
T E S 1 S
PARA OBTENER EL GRADODE
MAESTRO EN CIENCIAS
EN INGENIERA ELECTRNICA
P R E S E N T A :
PORFIRIO ROBERTO NJERA MEDINA
CENTRO DE INFORErlACiOt
C I N I D E Y
DIRECTOR DE TESIS:
DR. JAIME E. ARAU ROFFlEL
DR. ABRAHAM CO-DIRECTOR CLAUDIO DE TESIS: SNCHEZ 0
[ YENI bET ; I
J
CUERNAVACA, MOR. OCTUBRE DE 1997
g 7 1 o 5. 2
S.E.P S.E.1.T S.N.1.T
CENTRO NACIONAL DE I NVESTI GACI ~N Y
DESARROLLO TECNOLGICO
cenidet
"RECTIFICADOR CONMUTADO CON CORRECCI ~N DEL
FACTOR DE POTENCIA Y CONMUTACI ~N SUAVE DEL TIPO
CUASIRRESONANTE A CORRIENTE CERO"
TESIS QUE PARA OBTENER EL GRADO DE MAESTRO EN CIENCIAS
EN INCENIERiA ELECTRNICA
P R E S E N T A :
PORFI RI O ROBERTO NJ ERA MEDINA
Ingeniero en comunicaciones y electrnica por
la Escuela Superior de Ingeniera Mecnica
y Elctrica del Instituto Politcnico Nacional
DIRECTOR DE TESIS:
DR. J AI ME E. ARAU ROFFlEL
CO-DIRECTOR DE TESIS:
DR. ABRAHAM CLAUD10 SNCHEZ
J urado calificador
Presidente
Secretario MC. Alberto Campos Violante
1" Vocal
2" Vocal
Dra. Mara Cotorogea Pfeifer ,
Dr. J aime E. Arau Roffiel
MC. Vctor M. Crdenas G.
CUERNAVACA, MOR OCTUBRE DE 1997
S.E.P. S.E.1.T . S.N.1.T
CENTRO NACIONAL DE I NVESTI GACI ~N Y DESARROLLO TECNOL~GI CO
ACADEMIA DE LA MAESTR~A EN ELECTRONICA
cenidet
FORMA RI 1
ACEPTACION DEL TRABAJO DE TESIS
Dr. J uan Manuel Ricao Castillo
Director del cenief
Presente
Cuemavaca, Mor. a 14 de octubre de 1997.
Atn. Dr. J aime E. Arau Roffiel
J efe del Depto. de Electrnica
Despus de haber revisado el trabajo de tesis titulado: Rectiicador conmutadocon correccin
del factor de potencia y conmutacin suave del tipo cuasirresonante a corriente cero,
elaborado por el alumno Porfirio R. Njera Medina. bajo la direccin del Dr. Jaime Arau
Roffiei y el Co-director Dr. Abraham Claudio Snchez, el trabajo presentado se ACEPTA para
proceder a su impresin.
A T E N T A M E N T E n
~&&.c-&9
M.C. Vctor M. Crdenas G. M C l h f h k n r d r n n n c v
P
M.C. J avier Meneses Ruiz / Pdte. de la Academia de Electrnica
Ing. David Chvez Aguilar / J efe del Depto. de Ser vi r i nc Fc r n1ar - c
Expediente.
c e n de f / ApaR;ido 5. l nl enor I 65 Internado 62050 Curmaiaca Palmin SMMor C P 62490 Mtr;ico
Tels (73) 18-77-11 y 12-76-13. F a 12-24-34
h
e-
i
SISTEMA NACIONAL DE INSTITUTOS TECNOLOGICOS
. .
CENTRO NACIONAL DE INVESTlGAClON Y DESARROLLO TECNOLOGICO
Cuernavaca. Morelos a 13 de Octubre de 1997
Ing. Porf i ri o R. Njera Medina
Candidato al grado de Maestro en Ciencias
en lngenieria Electrnica
Presente
. ,
Despus de haber sometido a revisin su trabajo final de tesis titulado: RECTIFICADOR
SUAVE DEL TIPO CUASIRRESONANTE A CORRIENTE CERO, y habiendo cumplido
con todas las indicaciones que el jurado revisor de tesis le hizo, le comunico que se leconcede
autorizacin para que proceda a la impresin de la misma, como requisito para la.obtencin del
grado.
CONMUTADO CON CORRECCI~N DEL FACTOR DE POTENCIA Y CONMUTACI~N
Reciba un cordial saludo
C.C.P.: J efe de Servicios lpdaF&
/
Expediente
, /
Interior Internado Palmira S/N C P 62490
Tek (73) 18-77-41 1 12-76-13 Fax 12-24-34
Apanado Postal 5-164 C P 62050 Cuernavaca Mor Mehm
cenidet/ /I
!
A
&
I
Esta tesis a dedico a todos aqueks que de una u otra manera influyeron
en a decisin de continuar superndome. Tam6in a hs que me motivaron
para no desmayary nevar a f e i trmino este proyecto.
3 mi famiia por su comprensin y apoyo.
Pero so6retodo 15 dedico atodopoderoso porque me dio l a fortallza para
cumpir ejuramento que e hice.
t
PT
gracias.
I,
. . . .
. , .
AGRADEZCO ' .
AI M.C. Gerard0 Lara Orozco por la motivacin y facilidades que me brind.
AI Ing. Jos Luis Jimnez Vidal por su confianza y apoyo.
Ai Dr. Abraham Claudio Sncbez por el apoyo brindado.
I/
Especialmente al Dr. Jaime Arau Rofiel, con admiracin y respeto, por su
confianza
1
A todos mis compaeros de generacin
especialmente a. Vernica
Ninrod
David.
Leobardo
Rafael
Jaime Adrin
AI buen amigo Elas por su ayuda oportuna
A Paco, Carlitos y a todo el grupo de Electrnica de Potencia
Al comit de revisin:
Dra. Mm'a Cotorogea Pfeifer.
M.C. Alberto Campos Violante
M.C. Victor M. Crdenas G.
A todo el personal acadmico y administrativo de este centro.
..
:>
TABLA DE CONTENIDO
Pgina
* /. Lista de figuras. I
y+ Lista de tablas. 3.
Simbologa.
Introduccin.
Objetivo.
Resumen.
4
6
7
CAPiTULO I.- ANTECEDENTES.
10
I O
12
13
14
1s
.16.
1.1.- Introduccin.
1.2.- Planteamiento de la problemtica.
I .
1.3.- El factor de potencia y su relacin con el ahorro de enerda.
I .4:- Mtodos de correccin del factor de potencia.
1.5.- Correccin activa mediante convertidores CDlCD ' .
1.6.- Rectificador conmutado en conmutacin dura.
.
de alta frecuencia.
1.7.- Comportamiento ante el incremento de la frecuencia.
CAPITULO 11.- RECTlFlCADOR CONMUTADO EN CONMUTACIN DURA.
85%- 2.1 .- Introduccin.
2.2.: Convertidor genrico.
2.3.- Modos de operacin.
2. 3. 1. - Primer modo.
2.3.2.- Segundo modo.
19
19
19
20
21
. .
. .
CAPITULO 111.- RECTiFiCADOR CONMUTADO EN CONMUTACIN SUAVE.
!I
. .
. .
24
24
3.1 _- Introduccin.
3.'2.- Interruptor resonante.
25
3.4.- Principio de operacin. 26
33
33 , ,
3.5.- Etapa de control.
34
37
42
3.5.4.1.- Comente promedio en los transistores M, o Mz. 42
3.5.4.2.- Comente promedio en cada uno de los diodosD.43
3.5.4.3.- Comente promedio en cada uno de los diodos 44
' . 3. 3. - Rectificador conmutado ZCS-QRC.
. .
3.5.1 .- Introduccin.
3.5.2.- Anlisis del control.
3.5.3.- Anlisis de la frecuencia de conmutacin.
3.5.4.- Esfuerzos en los dispositivos.
de libre circulacin.
3.5.5.- Factor de potencia. 45
3.6.- Rectificador conmutado ZCS-QRC eficiente. 48
CAPTULO 1V.- ASPECTOS CRTICOS DE DISENO
4. I .- Introduccin. . .
4.2.- Requerimientos de diseo.
4.3.- Diseo.
4.3.1.- Determinacin de parmetros de entrada.
4.3.2.- Seleccin del parmetro a.
4.3.3.- Clculo de la bobina de entrada.
4.3.4.- Determinacin de las frecuencias de conmutacin.
4.3.5.- Clculo del tiempo de encendido de los transistores.
4.3.6.- Clculo de los elementos resonantes.
4.3.7.- Ciculo del capacitor de salida C,.
4.3.8.- Determinacin de los esfuerzos de comente en los
semiconductores.
4.3.9.- Determinacin de las prdidas de potencia
en conduccin de los semiconductores.
4.3.10.- Resistencia t~ca. de1 disipador requerido.
4.3. I 1 .- Determinacin del factor de potencia.
. .
4,4.- Resultados de simulacin.
50
50
51
51
52
52
53
54 ' , ' /,
54
55
55
56
58
60
61
#I
CAPITULO V.- RESULTADOS EXPERIMENTALES
5.1 .- Introduccin.
5.2.- Formas de onda obtenidas.
5.2.1 _- Voltaje y corriente de entrada.
5.2.2 .- Voltaje y comente en IGBT a maxima frecuencia.
5.2.3 _- Voltaje y comente en IGBT a mnima frecuencia.
5.3.1 _- Parmetros de diseo obtenidos.
5.3.2.- Comportamiento de la eficiencia ante variaciones
. .
6. 5.3.- Mediciones efectuadas.
5-
65
65.
65
65
66
67
67
67
de voltaje y carga.
de voltaje y carga.
ante variaciones de voltaje y carga.
5.3.3.- Comportamiento del factor de pot,encia ante variaciones .68
5:3.4.-'Comportamiento de la distorsin armnica total 69
5.4.- Comparacin de THD obtenida con la noma IEC-1000-3-2. 69
5.5.- Otras pruebas. 70
70
5.5.1.- Diseo a 220 voltios de salida. 70-
5.5.2.- Comportamiento de la eficiencia con respecto a a.
CAPTULO VI.- ESTUDIO DE PRDIDAS EN CONMUTACIN DEL
RECTIFICADOR CONMUTADO.
6.1 .- Introduccin.
6.2.- Simulacin.
' 6.3.- Resultados experimentales.
CONCLUSIONES.
OTROS LOGROS.
TRABAJ OS FUTUROS
BIBLlOGRAFh GENERAL.
+
t.3-
73
77
78
82
83
83
84
r
f Figura
G.
1 . 1
1.2
+-
1.3
1.4
1.5
1.6
1.6
2.1
2. 2
2.3
3. I
3.2
3.3
3.4
2 3. 5
3.6
- 3. 7
3.8
3.9
LISTA DE FIGURAS
Formas de onda de voltaje y comente en una carga inductiva.
Etapa de entrada de un sistema de alimentacin tpico.
a) Detalle del puente rectificador y filtrado.
b) Formas de onda caractersticas.
Situacin actual de la energa elctrica demandada en Mxico.
Diagrama a bloques de. la correccin mediante convertidor CDICD.
Convertidor elevador (boost).
Rectificador conmutado.
Tendencia de la eficiencia vs frecuencia en el convertidor
elevador y rectificador conmutado.
Convertidor Boost genrico con mnimas prdidas en conduccin.
Pgina
10
11
11
1 1
13
14
14
15
17
19
Funcionamiento del rectificador conmutado; primer modo de operacin. 20
a) Estados topolgicos. 20
b) Seales de control para los dos mosfets.
Funcionamiento del rectificador conmutado; segundo modo de operacin. 2 1
a) Estados topolgicos para el segundo modo de operacin.
b) Seales de control para los dos mosfets.
20
Configuraciones del interruptor resonante.
a) Del tipo conmutado a cero voltaje.
b) Del tipo conmutado a cero comente.
. .Rectificador conmutado ZCS-QRC.
Circuito equivalente en alta frecuencia del Rectificador,
Conmutado-ZCS-QRC. . ,
Etapa lineal de comente. ' .
Etapa resonante.
Etapa resonante.
Etapa lineal de voltaje.
Etapa de transferencia de energa.
Principales formas de onda en el rectificador conmutado ZCS-QRC.
3. I O Comente en el transistor ante diferentes mapitudes de la
comente de resonancia y comente de entrada pico.
a) Comentes iguales. b) Comente resonante menor.
c) Comente resonante mayor.
21
21
24
24
24
25
26
27
28
29
30
31
31
32
I
..
3. 1 1 Circuito de Control.
3.12 Comente de entrada y de referencia.
3. 13 Modelo anlogo elctrico en pequea seal.del convertidor
.,. : elevador corrector del factor de potencia.
3.1'4 Modelo en pequea seal con filtro de salida y resistencia de carga.
3.15 Diagama.de bode de la funcin de transferencia entrada-salida ' .
en el rectificador conmutado.
3.16 Comente de entrada-y Comente.de referencia.
3.17 Corriente de entrada con ngulo muerto.
3.18 Comportamiento del factor de potencia ante variaciones
. ' del ngulo muerto y rizo en la bobina.
3.19 Variacin de la distorsin armnica total ante
diferentes ngulos muertos.
4.1 Diagrama funcional de la topologa a implementar.
4. 2 Modelo anlogo elctrico del comportamientotrmico~del
montaje del IGBT y el diodo en un solo disipador.
4. 3 Formas de onda del voltaje colector-emisor y comente
de colector a frecuencia mnima de operacin.
4. 4 Formas de onda.del voltaje colector-emisor y comente
de colector a frecuencia mxima de operacin.
4.5
5.1
5. 2
5.3
5.4
5.5
5.6
6.1
6. 2
6.3
6.4
6. 5
6.6
Formas de onda del voltaje y comente de enGada.
.Voltaje (100 V/div) y comente'de entrada ( 5 Ndiv).
Voltaje (200 V/div) y comente ( 5 Vdiv) en el interruptor principal
mxima frecuencia de operacin.
Voltaje (200 V/div) y comente ( 5 Ndiv) en el interruptor principal
mnima frecuencia de operacin.
Comportamiento de la eficiencia ante: a) Variaciones de la potencia
de salida b) Variaciones del voltaje de entrada.
Comportamiento del factor de potencia ante: a) Variaciones de la
potencia de salida b) Variaciones del voltaje de entrada.
Comportmiento de la distorsin armnica total ante: a) Variaciones
de la potencia de salida b) Variaciones del voltaje de entrada.
Rectificado1 conmutado.ZCS-QRC a) Circuito simplificado
b) Seales de control..
Carga de la bobina de, entrada.
Etapa de libre circulacin.
Comente en el colector del IGBT
'Comente de.colector y voltaje colector-emisor en el IGBT de prueba.
Comente de colector y voltaje colector-emisor en el IGBT
para td =4 ps.
. '
.
33
34
35
36
37
38
46
46
47
50
58
61
62
62
65
66
66
67
. 68
69
73
.74
75
75
78
2
>
3
i '
6.7
6. 8
Corriente de colector y voltaje.colector-emisor en el lGBT
Corriente de colector y voltaje .colector-emisor en el lGBT
79
80
para t d =3 ps.
para t d =2 ps.
..
LISTA DE TABLAS
Tabla.
Pgina
I . 1 'Potencia aparente demandada ante diferentes factores de potencia. 12
5.1 Magnitud de armnicos de comente (ampenos) obtenidos y mximos 70
permisibles para equipo el,echco clase D, segn la norma IEC-1000-3-2.
5.2 Comportamiento de la eficiencia ante variaciones de a. 71
'!
3
SIMBOLOG A . . .
CA
CD
co
a
Al
fP
18,
Io
Po
Fs
fa
Zn
L
rl
, . -
Comente alterna.
Comente directa.
Capacitor de salida.
Parmetro de conmutacin.
Rizo de comente de entrada.
Factor de potencia.
Valor pico de la comente de
entrada.
Comente de CD de salida.
Potencia de salida.
Frecuencia de conmutacin.
.Frecuencia de resonancia.
Impedancia caracterstica.
Inductancia.
Eficiencia.
~
I Componente de comente en
pequea seal.
i, Componente de voltaje en
pequea seal.
C, Capacitor resonante.
L, Bobina resonante.
" P Potencia activa.
S Potencia aparente.
D Diodo.
M Transistor mosfet
Q Transistor IGBT.
11,
V,,
t Tiempo.
t,,,
ZCS Conmutacin a comente
Comente en la bobina resonante.
Voltaje en el capacitor resonante.
Tiempo de encendido del IGBT.
cero.
THD Distorsin arhnica total. QRC Cuasirresonante.
V, Voltaje de entrada de CA. At incremento en tiempo.
K Ganancia del lazo de comente: G Ganancia.
. .
Vo Voltaje de salida de CD. K Factor de escalamiento.
w, Frecuencia angular de resonancia. Ai,," Rizo de la comente de entrada
4
. .
i, .Comente eficaz de entrada. ' . 8icic;ii.r = Resistencia . timica entre la
unin y la cpsula del IGBT.
8,,il =Resistencia trmica entre la unin 8cdIGHT = Resistencia trmica entre la
y la cpsula del diodo. cpsula y et disipador del IGBT.
edil = Resistencia trmica entre la edn = Resistencia trmica entre el
cpsula y el disipador del diodo. disipador y el ambiente.
T, =Temperatura mxima permisible en T,, =Temperatura ambiente maxima.
la unin.
PDl ~BT =Potencia que disipa el IGBT.
PDD =Potencia que disipa el diodo. p = Factor de posicin del conjunto
TD =Temperatura en el disipador.
disipador dentro del equipo.
n =Factor de correccin por nmero de . v =Factor por ventilacin forzada.
semiconductores en un mismo disipador.
5
..
' ,INTRODUCCIN
En la actualidad, la demanda de energkelctrica est creciendo a un.ritmo
muy acelerado quej inclusive, amenaza con rebasar la capacidad instalada de las
plantas generadoras del sistema elctrico nacional. El desarrollo tecnolgico, la
creacin de nuevas industrias y en general el incremento de usuarios domsticos, son^
algunos,de los factores que han originado este problema.
Otra problemtica no menos importante es que, dado el desarrollo tan
.vertiginoso de la industria electrnica, la mayora-de las cargas conectadas a la red
de^alimentacin son equipos, de naturaleza electrnica, que demandan de la lnea
comente pulsante. Esto trae como consecuencia que el equipo opere con un factor
de potencia (f p) bajo y una distorsin armnica total (THD.por sus siglas en ingls)
alta 121.
'
'
Operar con un factor de potencia bajo significa que el equipo no esta
aprovechando al mximo la energa suministrada. Por otro lado, una distorsin
armnica alta contamina la linea de alimentacin y puede provocar fallas, por
interferencia, en algunos equipos susceptibles a ello; es decir, estamos haciendo mal
uso de la energa elctrica.
El origen.de-este problema, es la excesiva distorsin de la comente provocada
por la fuente de alimentacin utilizada, en los de equipos de naturaleza electrnica.
La computadora, la televisin, balastros electrnicos, drivers de motores, cargadores
de bateras y el control electrnico de cargas industriales, son algunos ejemplos' de
equipos que en la actualidad se conectan a la lnea de alimentacin.
Se puede estimar que alrededor del 50 al 60 % de la potencia elctrica en los
potencia. Dicho porcentaje esta creciendo a un ritmo tal que el impacto, de las
cargas no lineales, actualmente es bastante serio.
- pases industrializados, es procesada mediante algn tipo de equipo de electrnica.de
. <
2
**
Lo anterior ha presentado la necesidad de normalizar sobre los limites
permisibles de armnicos en algn sistema de ,electrnica de potencia. Las
instituciones encargadas de normalizar, en este aspecto, son la. Comisin
Internacional Electrotcnica (IEC por sus siglas en ingls) y el instituto de
Ingenieros en Elctrica y Electrnica (IEEE por sus siglas en ingls).
,
6
La IEC normaliza los armnicos permisibles en .los equipos. particularmenle
en la Norma.'IEC-1000-3-2, mientras que la IEEE recomienda los armnicos
permisibles en los sistemas elctricos de potencia en la Norma IEEE 519.
. .
El cumplir con las Normas es una estrategia que algunos pases han puesto en
vigor como una poltica de ahorro de energa. El objetivo es que los equipos
disponibles en el mercado las cumplan satisfactoriamente para que utilicen al
z mximo la energa elctrica suministrada. . .
.-
En este marco, en nuestro pas tambin existe la necesidad de realizar
esfuerzos en el diseo e investigacin de topologas de fuentes de alimentacin; que
comjan el factor de p0tencia.y que operen con distorsin armnica baja.
OBJETIVO
Dada la importancia de incorporar la correccin'del factor de potencia en los
equipos, ante la inminente entrada en vigor de las Normas Internacionales, se plantea
la necesidad de desarrollar convertidores de CNCD que las cumplan
satisfactoriamente, mediante la integracin de rectificadores de~lnea de calidad .
Con la integacin de rectificadores de calidad en la etapa de alimentacin, en
los equipos, se utilizar eficientemente la energa elctrica suministrada,
contribuyendo con las polticas de ahorro de energa que en nuestro pais se estn
implement ando.
Como una alternativa para contribuir a realizar lo anterior, se.presenta el
siguiente trabajo de tesis que tiene como objetivo:
Diseo y construccin de un convertidor de CNCD para aplicaciones
industriales de mediana potencia (menor a 3 KW) con caractersticas tales como:
1 .- Alta eficiencia > 90 YO.
2.-.Alto factor de potencia >95 YO.
.
3.- Que cumpla satisfactoriamente con la Norma Internacional IEC-1000-3-2.
7
I'
..
. .
RESUMEN
,..
, .
. , .".
En el .presente documento, se reportan los resultados obtenidos de la
implementacin de una tecnologia que est en el estado del arte. Consiste de una.
topologa de convertidor de CNCD que se conoce como rectificador conmutado.
Esta'topologa opera eficientemente ya que integra en F a soia etapa los procesos de
rectificacin y correccin del factor de potencia. 'Su nombre se deriva debido a que
los diodos inferiores del puente rectificador son sustituidos por transistores' de
potencia que trabajan en alta frecuencia.
El convertidor a desarrollar tiene'caractensticas importante tales como:
1. - Opera con bajas prdidas en conduccin ya que, .en la configuracin, se elimina
un dispositivo de potencia en la trayectoria de la comente con respecto al
Convertidor elevador tradicional.
2 - Los transistores de potencia trabajan bajo el principio de la conmutacin suave
del tipo cuasirresonante a comente cero. Esto implica que las prdidas debido a la
conmutacin son mnimas aun cuando se est trabajando en alta frecuencia.
3. - Utiliza transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT por sus siglas en
ingis) como interruptores de potencia. Esto implica que se tendrn las menores
prdidas en conduccin an cuando se tenga mayor esfuerzo de coniente en ellos.
Las especificaciones generales del convertidor son las siguientes:
. .
1. - Voltaje de salida = 300 Veo.
2.- Potencia de~salida =' 700 W.
3. - Voltaje de entrada =127 V $: IO.%.
4.- Frecuencia de conmutacin mxima = 1 O0 K hz.
5.- Voltaje de salida no regulado.
e
Antcccdcntcs
CaDlUlO 1
.
I . 1..- Introduccin
Captulo I
Antecedentes
1.2.- Planteamiento de la problemtica
1.3.- El factor de potencia y su relacin con el ahorro de energa
i
1.4.- Mtodos de correccin del factor de potencia
1.5.- Correccin activa mediante convertidores CD/CD de alta frecuencia
1.6.- Rectificador conmutado en conmutacin dura
1.7.- Comportamiento ante el incremento de la frecuencia de operacin
Anicccdcnics
.,
CaDiiulo I .
. .
. .
. .
: ..* >
1.1- INTRODIICCI~N
En este apartado se presenta una introduccin a la problemtica originada poi-
el incremento de cargas no lineales conectadas a la red de alimentacin. Se
comentan los mtodos utilizados para minimizarla y se explican los antecedentes de
la topologa propuesta en la realizacin de este trabajo de tesis;
1.2.- Planteamiento de la problemtica
En el pasado la causa principal de un bajo factor de potencia (fp) era el
comportamiento inductivo de las cargas debido al uso. de motores de induccin. Este
tipo de cargas demanda de la lnea voltaje y comente, con forma de onda sinusoidal,.
tal como se muestra en la figura 1 . I .
.
Fig. 1.1.- Toormas d onda d voliaje y comientr en una carga inductiva.
En la figura anterior se observa que existe cierto defasamiento (expresado ~
'
generalmente en grados elctricos) entre ambas formas de onda. Dicho defasamiento
(e) es el responsable de que no se aproveche al mximo la energa elctrica
suministrada.
,
"Lo anterior es cierto porque la potencia activa (P)' que realmente est
utilizando la carga. est afectada por un trmino que depende del ngulo .de fase. La
potencia activa se expresa generalmente por la siguiente ecuacin:
( 1 . 1 )
P=v I cos e
. .
En conclusin, en este tipo de cargas, la potencia activa es afectada,por el
trmino cos 8. Dicho trmino se conoce como factor de potencia (fp) y se expresa
mediante la siguiente ecuacin [ I] :
' I O
Anicccdcnics
Captulo 1
.
Sin embargo>con el advenimiento de la industria electrnica, los avances
tecnolgicos y,. ms recientemente, el enorme incremento del nmero de
computadoras. televisores y otros equipos que incorporan en su etapa de
alimentacin rectificadores de, linea (fig. 2.1 .a) seguidos por un capacitor como
filtro' han originado que la naturaleza del problema cambie [2].
. .,
'
Este'hpo de cargas (no lineales) demanda de la lnea comente pulsante con
un alto contenido armnico (fig. 12.b). El resultado es un equipo que opera con un
factor de potencia pobre, 0.6 o menos, y que no cumple con Normas Internacionales
como la IEC-1000-3-2 [3] vigente en Europa.
. ..
Regulador
Db
I
I I I I
vi A
-- Regulador ' vi:% , "
.
c o
Lineal
Conmutado
o
- -
Ii
4r
.. !Fig. 1.2.- Etapa de entrada de un sistcma d aGmentacin tlpico.
a) Detnih dcpucntr rcct$cadoryj i trado. 6) Fo~onnos d onda caractersticas.
En este caso el factor de potencia no puede ser definido como el cos 8 ya que
las formas de onda de comente y voltaje no son sinusoidales. Sin embargo,
independientemente de las .formas de onda de voltaje y comente, el factor de
potencia puede'definirse como la relacin de la potencia real o activa (P) absorbida
por la carga entre la potencia aparente (S) que demanda, el cual se expresa mediante
la siguiente ecuacin:
.
1 1
I,
' 971052
. . Anicccdcnics
Caoiulo 1
in KVA 1 I
1.3.- El factor de potencia y su relacin con el ahorro de energa
O
El factor de potencia es importante porque es un valor que determina que tan
eficientemente se est aprovechando la energa elctrica suministrada a un equipo.
Por ejemplo, la siguiente tabla muestra la potencia aparente necesaria a suministrarse
y la no utilizada, para una carga de 800 KW, ante diferentes factores de operacin:
d
io KVA 0.8
io KVA 0.5
*
200 K\,
800 K\,
Tabh 1.1.- Potenria apami c &mandada ante diferentes
factores &potencia para una carga & 800 7@i?
.
En la tabla anterior se observa que 'cuando el f p es unitario la potencia
aparente demandada es igual a la potencia activa, por lo que se est aprovechando al
mximo la energa suministrada. Por el contrario, a medida que el f j ~ disminuye, la
potencia aparente se incrementa; esto quiere decir que una misma carga demanda de
la lnea energa excedente que no utilizar.
El trabajar con bajo factor de potencia origina un desperdicio de energa as
como la problemtica asociada con la necesidad de incrementar la capacidad
instalada de las plantas generadoras y sobredimensionar los conductores de las lineas
de transmisin y distribucin [4].
Resulta evidente la importancia de.&atar de que todas las cargas operen con
factor de potencia cercano a la unidad, para contribuir al ahorro de energa y,
aprovechar al mximo la capacidad instalada del sistema elctrico nacional.
Es'claro que se bene un problema de mucha importancia que se debe atender
ya que, si bien se observa en la figura 1. 3 que del total de energa demandada en el
pas slo el 22 % es Utilizada para alimentar cargas domsticas y de oficinas [ 5] , si
analizamos la distribucin de usuarios, observamos que casi un 90 % utiliza equipos
con esta problemtica, por'lo que,nos enfrentamos a un serio problema de dispersin
de usuarios en donde la nica solucin viable ,es que, tras imponerse la
normalizacin, el factor.de potencia y THD se comjan en los propios equipos.
12
Anicccdcntcs
CJYitulo 1
. .
Domesiicos
oficinas
Otros
w
Consuiiio lotal I>istribucii>ii de usuarios
F9.. 1.3.- Situacin act ual de h energa el kt nca demandada en Nhj co.
Estos antecedentes justifican la necesidad de seleccionar una estrategia
adecuada para la correccin del factor de poten.cia y su incorporacin en una
topologia eficiente, con la finalidad.de obtener me.jores resultados en el proceso de
conversin de energa de CNCD.
1.4.- Mtodos de correccin del factor de potencia
El factor de potencia se puede corregir mediante la utilizacin de mtodos
,
pasivos y mtodos activos.
Los mtodos pasivos pueden implementarse utilizando filtios L-C , bancos de
capacitores y motores sncronos. Estos mtodos se caracterizan por tener elementos
muy voluminosos y caros, requieren de mantenimiento constante (principalmente los
dos ltimos). Con estos medios se pueden obtener factores de potencia cercanos a la
unidad con algunos . . riesgos, que pueden ser peligrosos, porque el banco de
capacitores puede entrar en resonancia con la impedancia de la lnea [ 6] .
Los mtodos activos pueden implementarse utilizando convertidores CD/CD
de alta frecuencia y filtros activos. Estos mtodos reportan los mejores resultados,
con respecto a los medios pasivos, ya que con su integracin a los sistemas de
potencia se puede alcanzar un fp muy cercano a la unidad.
13
i
-.
Anlcccdcnlcs
CaDi tUl O I
1.5.- Correccin activa mediante convertidores CDlCD de alta frecuencia
Nos interesa la correccin activa del factor de potencia, particulamente
mediante la utilizacin de convertidores, CDKD de alta frecuencia en la etapa de
alimentacin. Esto consiste en colocar un convertidor en una^etapa interme.dia entre
el rectificador y el capacitor tal como se muestra en la figura I .4 [4].
. . . . Vi q-g--JT/ - . _ . . CDICD
m
Figis. 1.4.- Diagrama a 6COqucs de l correccin mcdhnte
convcrtdor m/m,.
La funcin del convertidor es mantener el voltaje en el capacitor constante y
evitar que se descargue. Sin embargo, dada la evolucin senoidal del voltaje de
entrada, si deseamos mantener el voltaje de salida constante necesitamos que el
convertidor tenga la capacidad de amplificar cuando el voltaje de entrada sea cero
y quiz reducir (depende del voltaje de salida Vo deseado) cuando el voltaje de
entrada sea mximo.
.
Existen varias topologias que pueden utilizarse como correctores del factor de
potencia; la condicin es que.amplifiquen o eleven voltaje para que realicen la
funcin ya descrita y puedan comportarse ante la linea como emuladores de
resistencia [4].
El convertidor generalmente utilizado para corregir el factor de potencia. en
fuentes de alimentacin monofsicas est constituido por un puente rectificador y un !I
convertidor elevador (boost) el cual se muestra en la figura 1.5 [4].
Lin n5
~ mgLTcq--1 . ,
Rz
n.i MI
Vi CL. n?
- -
Fig. 1.5.- Converttdorefvaor(6oost)
Antcccdcnlcs
Capitulo 1
El convertidor elevador est constituido por la inductancia L,,,. el diodo de
libre circulacin D5.y el transistor de potencia M, (el cual opera. en alta frecuencia).
Algunas caractersticas bien conocidas pero interesantes de resaltar son:'
1 .- La corriente de entrada no es pulsante.
2.- La fuente est referida a tierra lo que facilita su control.
3. - El voltaje de salida es mayor que.el. de entrada por lo que la energa se almacena
.~
ms eficientemenken el capacitor C,, reducindose su tamao.
4.- Siempre existen tres dispositivos de potencia en la trayectoria de la comente.
Una'desventaja de esta topolo@a es que presenta prdidas por conduccin y
conmutacin importantes, que contribuyen a reducir la eficiencia total [7].
1.6.- Rectificador conmutado en conmutacin dura
Como una solucin para incrementar la eficiencia del convertidor elevador,
en los laboratorios de electrnica de potencia de la Universidad de Texas A&M, se
desarroll una topologa que integra las dos etapas: el recificador y el convertidor
CDCD, en una sola. Esta topologa fue presentada por Prasad N. Enjeti [8] y; como
se muestra en la figura 1.6, el resultado es un circuito con menos elementos y
particularmente se observa que el diodo D5 es eliminado.
vi
I I ' I
:t$caor conmutado.
La topologia se conoce como rectificador conmutado debido a que los diodos
inferiores del rectificador se sustituyen por transistores de potencia que operan
conmutando en alta frecuencia. Este convertidor trabaja como dos convertidores
elevadores, uno para cada semiciclo de red, y presenta las siguientes caractensticas:
'15
..., Antccedcntcs
Cauitulo I
c
a'
- I 3
1 .- La comente de entrada no es pulsante.
. .
. . .
2,- La co]ocacin de la bobina del lado de CA contribuye a reducir la interfemcia
electromagntica.
3.- Los impulsores de las .compuertas .para MI y M2 estn referenciadas al m'ismo
punto.
4.- En cualquier instante dado, siempre hay dos dispositivos en conduccin.
En la figura 1.6 se observa que, efectivamente, estamos reduciendo las
prdidas en conduccin porque estamos eliminando un diodo en.la trayectoria de la
comente. Sin embargo, dado que nicamente estamos eliminando las prdidas en
dicho dispositivo, el incremento. de eficiencia pudiera no ser muy significativo;
porque, si consideramos que la potencia total Po = V, 1, y si V, =300 V. entonces la
potencia total Po = 300 I,. Por otro lado, la potencia en el diodo PD =VD I, y si Vo
=1 V. entonces la potencia en el'diodo es PO =I,.
' .
'Esto quiere decir que la potencia total, en estas condiciones, es trescientas
veces mayor que la potencia en el diodo. En otras palabras las prdidas de potencia,.
en el diodo eliminado, prcticamente son despreciables.
/;
I!
;Esto significa que la topologa propuesta por Enjeti no es mucho ms
eficiente:que ei convertidor elevador tradicional y si a eso le agregamos que las
pruebas en el convertidor fueron realizadas a baja frecuencia (36.5 Khz), en realidad
no se tienen diferencias significativas en eficiencia entre ambas'topologias.
1.7.- Comportamiento ante el incremento de la frecuencia
Para que realmente se tengan diferencias significativas en el rectificador
convertidor a mayor frecuencia de conmutacin. As, como se observa en la figura
.. 1.7;. el rectificador conmutado ser ms eficiente a medida que la frecuencia de
operacin se incrementa.
conmutado, con respecto al convertidor elevador 'tradicional, se debe trabajar al
!I
1:
Anicccdcntcs
Ca!Jitulo 1
f
~i g. I. 7.- T&& de I e$&n& vsfrcnutn& en cC
r owoer t i do~ eluBdory rectijiraor ronmutado.
Adems, con .los requerimientos actuales se bene la necesidad de disear
equipos que tengan la capacidad de manejar mayor densidad de. potencia (W/cm3 )*
por lo-que es necesario incrementar la frecuencia de trabajo del convertidor.
Sin embargo, el incremento de la frecuencia de operacin implica mayores
prdidas de potencia, debido a la conmutacin, ,as como tambin problemticas
asociadas a la no idealidad de los componentes utilizados, tales como: picos de
corriente en el momento del encendido y picos de voltaje. en el apagado. Esta
situacin obliga a utilizar tcnicas de conmutacin suave en esta topologa, de tal
forma que la eficiencia permanezca invariable ante el incremento de la frecuencia
[91.
La integracin de la conmutacin suave a la topologa propuesta por Enjeh es
el'objehvo principal 'de este trabajo de tesis. En estas condiciones se espera obtener
un convertidor de CNCD con las mnimas prdidas: tanto en conduccin como en
conmutacin. Una'topologa, que sin duda alguna; ser muy eficiente y permitir
manejar mayor densidad de potencia, a gn costo menor, sin gran complejidad del
circuito.
17
Caoitulo 11
Rcciificador conmuiado en conmuiacion dura
' . :
Captulo I1
Rectificador conmutado en conmutacin dura
2.1.- Introduccin
2.2.- Convertidor genrico
2.3.- Modos de operacin
2.3.1.- Primer modo.
18
Caoiiulo I1
Reciificador conniuiado en conmuiacion dura
. .. 2.1.- Introduccin
'En este captulo se explica el fiincionamiento del rectificador.. conmutado
propuesto por Enjeti [8]. Este ' convertidor opera con menores prdidas en'
conduccin, con respecto a los cnvertidores utilizados tradicionalmente, debido a
que la comente de entrada circula nicamente' por dos semiconductores de potencia
en lugar de tres. Sin' embargo, presenta la desventaja de. que las prdidas por
conmutacin pueden ser considerables ante el incremento de la frecuencia de
operacin, dado que los transistores operan en conmutacin dura. Tambin se
justifica. la razn- por la cual se utiliza una sola seal de control para ambos
c
. ,,
r transistores de potencia.
2.2.- 'Convertidor genrico . .
El rectificador conmutado presentado en la figura 1.6 es bsicamente una
sntesis de dos convertidores elevadores los cuales funcionan independientemente
uno para. cada ciclo de red. Un convertidor genrico puede representarse como un
convertidor totalmente simtrico compuesto por dos convertidores elevadores
(boost), como se muestra en la figura 2.1':
Fig. 2.1.- Convertidor 6oost genrico con
mnimas prdds en conduccin.
Cada convertidor trabajar durante un semiciclo del voltaje de entrada
dependiendo de la polaridad del voltaje de entrada en las terminales del ctodo de
los diodos D3 y D4.
2.3.- Modos de operacin
El rectificador conmutado presenta dos modos distintos de operacin, que
estn en funcin del tipo de seales de control que activan a los transistores de
potencia. Estos modos de operacin se explican a continuacin:
19
-
C3DlulO 11
Rcciificador conmutado cn coiimucacin dura
2.3.1 .- Primer modo
En 'el primer modo de operacin uno de los dos mosfets est conduciendo
durante todo el semiciclo (positivo o negativo) mientras que el otro transistor..realiza
la funcion elevadora. La &gura 2.2 muestra el funcionamiento del 'convertidor en
este modo de operacin, as como las seales de control en la compuerta de los
mosfets.
1
~. ..
- . .
V -
FQ. 2. 2. - Funcionamiento dCrecty5cador ronmutado; primer modo d operacin.
a) Gt ados topoigicos. 6)seriabs dc contiofpara LS dos mosfcts.
. .
El mosfet que permanece activo durante el semiciclo. de red tendr la
posibilidad de conducir comente en sentido inverso, de fuente a drenador, si el.
producto del valor eficaz de la comente que circula y la resistencia htema del
mosfet no es mayor a 0.7 voltios; en caso contrario, la comente circular a travs.de
su diodo interno;
20
Rcctificador coninutado en conmutaci6n dura
..
Caoitulo 11
. :
. :.
. .
..
Esta propiedad reducir an ms las prdidas en conduccin y aumentara la
. eficiencia del convertidor. Sin embargo, este modo de operacin presenta. mayor
complejidad en el circuito de control ya que se tienen que generar dos'seales
distintas: una para cada transistor [IO].
Este modo de operacin bene la caracterstica de que la seal de control es la
misma para ambos transistores. Los estados topolgicos y las seales de control se
muestran en la figura 2.3.
Eg. 2.3.- Funcronamlrtito delrect$cador conmutado; segudo modo de operann
a) Gt ados topolgicos. 6)i)scals de controlpara los dos mosfeets
21
Caotulo I1
Rcctificador conmutado en conmutacin dura
. .
Si realizamos e, anlisis' de conduccin 'para el semiciclo positivo,
observamos que cuando ambos transistores se encienden la comente fluye en
sentido directo' a traves del mosfet-M2 y en sentido inverso por el transistor MI .
.Cuando se apagan la comente fluye a travs del diodo D2 y por el diodo parsito del
mosfet MI . Lo mismo ocurre para el semiciclo negativo, pero con los otros
elementos.
En este modo de operacibn *se presentarn prdidas por conduccin un poco
mayores comparadas con el primero. Sin embargo, continan nicamente dos
semiconductores en la trayectoria de la comente.
En conclusin, el rectificador conmutado es una topologa que presenta
menores prdidas en conduccin porque la comente circula nicamente por dos
dispositivos de potencia. Con la utilizacin de transistores mosfet, como
interruptores, el principio de la conduccin inversa puede ser aprovechado para
disminuir an ms las prdidas en conduccin. Si el rectificador conmutado trabaja
con el segundo modo de operacin, el resultado es una topologa muy eficiente y
sencilla.
,
22
Capitulo 111
Rcciificador coniiiuiado cn conniulac~oll S u a C
Captulo 111
Rectificador conmutado en conmutacin suave
3.1.- Introduccin
3.2.- Interruptor resonante
3.3.- Rectificador conmutado ZCS-QRC
3.4.- Principio de operacin
3.5.- Etapa de control
3.5.'1.- Introduccin.
3.5.3.- Anlisis de la frecuencia de conmutacin. .
3.5.4.; Esfuerzos en los dispositivos.
'
,3.5.4. I _- Corriente promedio en el'transistor MI . .
3,5.4.2.- Comente promedio en el~diodo D.
3.5.4.3.- Comente promedio en el diodo de libre circulacin.
3.5.5.- Factor de potencia.
3.6.- Rectificador conmutado ZCS-QRC con reducidas prdidas en conduccin
23
Capiiuio 111
Rcciificador conmulado en conmuiacin suave
3.1.- introduccin
Dado' que se tiene la necesidad de incrementar la frecuencia de operacin en el
rectificador cokutado para obtener diferencias significativas-. con respecto al
convertidor boost -tradicional, se deben buscar topologas que concili'en reducidas
prdidas de conmutacin. e integrarlas en el rectificador conmutado. Una de ellas es
integrar conmutacin suave para los transi,stores de potencia.
1
Con la utilizacbjn de las tcnicas de conmutacin suave se pretende que el
transistor se encienda ante condiciones de. cero voltaje (ZVS-QRC) y que se apague
ante Condiciones de cero comente (ZCS-QRC). En estas condiciones se reducen
significativamente las prdidas por conmutacin, los sobretiros de comente y voltaje,.
as como tambin el ruido radiado por emisin electromagntica (EM1 por sus siglas en
ingls).
%,
!i
3.2.- Interruptor resonante
Las topologas basadas en la conmutacin suave utilizan el concepto de
interruptor resonante. Su integracin a los convertidores PWM tradicionales da como
resultado una nueva familia de convertidores que se conocen como cuasirresonantes
(QRC) y tienen como caractenstica que la comente o el voltaje en el transistor
principal evolucionen de forma cuasi-sinusoidal.
"
El interruptor resonante est constituido por un transistor de potencia
(interruptor S) al cual se le agregan elementos resonantes L y C. Hay dos tipos de
configuraciones: tipo L y tipo M, las cuales determinan el modo de conectar los
elementos resonantes. Estas se muestran en la figura 3.1.
Trg 3.1.- Configuranones dei nt empt or resomntC a) Dcf tipo
conmutado a cero votaJe 6)c~ci t i po conmutado a cero comentc.
' / ' ,
I,
24
. .
Capitulo 111
Rcclificador contiiuwdo cnconniulacin suwc
. . .
Para el caso particular de este' trabajo se utilizar conniutacin suave
. . .
cuasirresonante a .comente cero (ZCS-QRC) utilizando la configuracin de! tipo-L.
. .
L, y C, constituyen un circuito serie resonante cuya oscilacin es iniciada cuando
el interruptor S es encendido. La bobina'resonante L, se conecta en serie con el
interruptor principal para limitar el - en el momento del apagado y el capacitor C,
tiene la funcin de almacenar y transferir energa.
di
dl
-
2'
3.3.- Rectificador conmutado ZCS-QRC
Como una alternativa para disminuir las prdidas por conduccin y por
conmutacin se propone la implementacin de un circuito que integra la topologia
propuesta por EnJeti (rectificador conmutado) [8] y conmutacin suave del tipo
cuasirresonante a comente cero (ZCS-QRC) para los interruptores principales [I I ]. De
esta manera estaremos conciliando bajas prdidas, por conduccin y conmutacin.
integradas en una topologa que se muestra en la figura 3.2.
Fy. 3.2.- @gt$icadarconmutdo ZCS-QW.
En la figura antenor se observa que al rectificador conmutado se le han agregado
los elementos resonantes L, y C, los cuales provocan que la comente que circula por
los transistores MI y M2 , cuando estn encendidos, sea sinusoidal.
Cuando la comente en' el. transistor es nula se comanda el apagado, ante
condiciones de comente cero (principio de la. conmutacin suave ZCS), logrndose .
minimizar las prdidas por conmutacin en este instante.
:
A continuacin se enumeran ' de manera resumida algunas caractersticas
importantes de esta topologa y que justifican en gran medida su implementacin:
25
Caoiiulo 111
Reciificador conmutado en conmutacin suave
. .
:. .
. .
1 .-NO se requiere de transistor auxiliar para conseguir la conmutacin suave.
2.7.Comente de entrada sinusoidal mediante el control apropiado.
3.-' La seal de control para ambos transistores es la misma.
4.- Menores prdidas en conduccin ya que slo existen dos elementos en conduccin
en cualquier instante
-
5. - Reducidas prdidas en conmutacin
''
3.4.- Principio de operacin
Para facilitar el anlisis del funcionamiento .del rectificador 'conmutado ZCS-
QRC, se realizan las siguientes consideraciones o simplificaciones:
I .- La frecuencia de conmutacin es mucho mayor que la frecuencia de lnea.
2.- Debido al, punto anterior,.la energia almacenada en la bobina se puede considerar
como una fuente de comente constante en un periodo de conmutacin.
3.- El anlisis se realizar considerando el valor mximo de la corriente de entrada (IiJ
4.- El anlisis lo realizaremos para e1ciclo positivo de la comente de lnea y en un solo
. .
transistor.
5. - El transistor M es sustituido por un interruptor S.
De esta manera, al rectificador conmutado ZCS-QRC io podemos representar
por un circuito equivalente en alta frecuencia el cual se muestra en la figura 3.3.
Fig. 3.3.- Circuito equi vaht e en atntafrenrencia del
rectfzcador conmutado m-w.
. 26
Rcclifiwdor conniulado'cn conniuiacion suavc
.
. .
CaPiulo 111
, .
. .
. .
A f;n de facilitar el anlisis del circuito anterior se definen algunos parametros
normalizados en la tcnica de conmutacin suave a comente cero.
ZN =Impedancia caracterstica =6
1
a
w~, =Frecuencia angular de resonancia =
z, . I,
a = Parmetro de conmutacin =__
1.'
o
El anlisis del circuito lo realizaremos en cinco etapas las cuales se describen a
continuacin:
Etapa lineal de corriente (to, ti )
En el inicio de esta etapa la comente en el inductor es igual a la comente de
entrada lip. En el instante t =to el interruptor S se cierra y la corriente en L, 'decrece
linealmente hasta cero; la comente en el interruptor S crece en la misma proporcin. El
circuito equivalente en esta etapa se muestra en la figura 3.4.
Fig. 3.4.- Etnpa IlneaCli conientc.
Las ecuaciones que describen el comportamiento de la comente en la bobina y
el voltaje en el capacitor, se expresan a continuacin:
27
Rcctificador conmutado cn conmutacin suavc
. .
CaDilUio 111
VCr (t) =vo
(3.2)
Esta etapa termina cuando la comente en L, es cero. En este instante el diodo
Di deja de conducir y la comente de entrada circula totalmente, por S. La duracin de
esta etapa se puede determinar valuando para 11, ( ti ) =O y se define por: . ,
o,Atl = a
Ntese que si a = O, At, =O.
Etapa resonante ( tl, t z)
En t =tl , Dl se bloquea y da inicio la etapa resonante, se iniciar la transferencia
de energa del capacitor a la bobina, y la comente en L, decrecer en forma sinusoidal
hasta un valor mximo negativo e invertir su sentido tomndose ahora positiva. Del
mismo modo, el voltaje en el capacitor decrecer en forma sinusoidal hasta volverse
negativo. El circuito equivalente se muestra en la figura 3.5.
Las ecuaciones que describen el comportamiento, de la comente en la bobina y
el voltaje en el capacitor: se expresan mediante las ecuaciones 3.5 y 3.6.
Fig. 3.5.- Etapa resonante.
vo
I L ~ ( t) = - - sen (o,, t)
2,
Vcr ( t ) =vo cos (o, t)
28
I1
Reciiiicador coniiiuiado cn coniiiubciii suavC
..
Cauiiulo 111
.~
I/
k
, . . !I
!I
.. ..
. . .
sta etapa termina cuando l,,r(t2) =li, y la duracin la podemos deteminar' .
. .
evaluando para esta condicin.
it
z, *I , p
o, At2 =sen-' [ - I;o ] =sen-' (- a)
(3. 7)
:,
:I
. .
Etapa resonante ( ti, t3)
p
.I
En esta etapa la co.mente en la rama del transistor es negativa y circula por el
/I
?
diodo. As, podemos apagar el transistor ante condiciones de conmutacin a comente
cero ZCS.'El circuito equivalente se muestra en la~figura 3.6. i/
I!
i!
'Fig. 3.6.- Etapa rcsonante. :;
!'
8 .
;
Vo*J l - cz2
I Lr =I,, cos ( o" t ) + sen (o, t)
vCr =zN I,, sen (o, t - vo K2 cos (o, t)
(3.9)
(3.8)
, !I
&
1
,:
Esta etapa termina cuando la' comente en L,(t3) =I,. La duracin se determina
$
/ /
evaluando para esta condicin..
.#
. . o, At; = - 2 sen-! ki
I
I . .
I!'
1 .
/I.
!i
~O i l U l O 111 ~. . Rcciiicador conniucado en conmuiacin suave
.. .
Etapa lineal de Voltaje ( t3, t4 )
Cuando la comente IL, es igual a I,, , el capacitor C, es cargado linealmente por
la fuente de comente I,, . El circuito equivalente se muestra en la figura 3.7.
Ia DI
r y y r :
-
VI
IL> I
I I I I I
Fig. 3.7.- Eiupa linenlii. vohjc.
I Lr (0 = I,,
(3. I I )
(3.12)
Esta etapa termina cuando el voltaje en el capacitor resonante es Vo. As;
evaluando para esta condicin, la duracin de esta etapa se determina por la siguiente
ecuacin.
i - Iji - a
a
Ntese que si a =O 3 At4 =O
W, At4=
(3.13)
Etapa de transferencia de energa ( t d , ts )
Durante esta etapa la comente de entrada circula por Dl y se transfiere energa
de la entrada hacia la carga. Esta etapa termina cuando el interruptor S es colocado
nuevamente en conduccin inicindose nuevamente el ciclo de operacin.
La duracin de esta etapa est definida por la siguiente ecuacin:
30
Cadtulo 111
Rcctificador conmuiado cn conmutacin suave
.. .
At5 =T - (At, +At2 +At3 +At4 )
Donde T'es el periodo de conmutacin.
(3.1.4)
. .
La figura 3.8 muestra el circuito equivalente de esta ltima etapa.
Fig. 3.8.- Etapa de transferencia d energa.
La figura 3.9 muestra las principales formas de onda que se generan durante el
ciclo de operacin.
Fig. 3.9.- f i ' nci pah f o m L& onda en e rcct l fdorconmut ndo ZCS-QW.
En la figura anterior se observa que, una vez que .el transistor es encendido, la
comente que circula por el colector es lineal y proporcional a la comente almacenada. ' ,I
en la bobina.
31
...
Caoitulo 111 I Rcctificadorconniulado cn conmulacioii Su3YC
, La resonancia se inicia cuando la comente en la bobina es cero y la comente en
el transistor es lip. Esto es importante de entender, porque la amplitud de la comente
resonante debe ser de tal magnitud que garantice que -la corriente sea cero
posteriormente.
La figura 3.10 muestra el comportamiento de la comente en el transistor, ante
diferentes magnitudes de la comente resonante, en funcin de los parmetros
normalizados a, Z, y el voltaje de salida Vo.
~i g. 3.10.- coniente en etransistorante diferentes magnitudes de ~a conienie de resonancia
y coniente d entrada pico. a) Conientes i guah. 6) Coniente resonante menor .) Conicnte
resonante myor.
idealmente la magnitud de la comente resonante debe ser igual a la comente de
entrada pico (fig.3.lO.a). Si n embargo, ante el incremento del voltaje de lnea o de la
carga pudiera ocurrir que la comente resonante no llegue a cero y .la conmutacin
suaveno se realice. Si la comente resonante es menor (fig.3.iO.b) nunca se lograr la
conmutacin suave por lo que es una condicin no deseada.
La magnitud de comente que se muestra en la figura 3.1O.c es la adecuada
porque aseguramos la conmutacin suave ante variaciones controladas del voltaje de
lnea y de carga. Sin embargo, en estas condiciones ],as prdidas por conduccin se
incrementan debido a que el valor promedio de la comente resonante tambin se
incrementa. La siguiente, ecuacin es la que se debe cumplir para .asegurar. la
conmutacin suave:
. .
32
(3.15)
De la ecuacin 3.15 podemos despejar y obtener el parmetro de conmutacin
normalizado a:
(3.17)
Seleccionando un valor de ad se asegura la conmutacin suave pero tambin se
presenta un incremento en las prdidas por conduccin.
3.5.- Etapa de control
3.5. I _- Introduccin.
Para lograr la correccin del factor de potencia se utiliza una estrategia de
control a base de un control todo-nada con histresis, el cual es de los ms sencillos.
Se aprovecha su inestabilidad natural para generar un tren de pulsos y encender a los
transistores principales. Posteriormente se coloca un temporizador para fijar cierta
histresis y limitar la frecuencia de operacin.
Consiste en comparar una seal senoidal de referencia IREF =I,, sen ot con la
comente en la bobina. Cuando la corriente en la bobina es igual a la de referencia los
interruptores MI y M2 entran en conduccin y permanecen, en este estado, por un
tiempo bn constante fijado por un temponzador. Dicho tiempo corresponde a la suma
de tiempos de la primera etapa lineal y las dos etapas resonantes vistas en la seccin
3.4.
' El circuito utilizado se muestra en la siguiente figura.
Rcclificidor CmmuUdo
ZCS-QRC
.
F&. 3.11.- Circuito de controCpara l & en e[rect+cadorconmutdo m-w.
33
Caoitulo 111
Rcctificador conmutado en conmutacin suac
Debido a que el tiempo de conduccin es constante los picos de comente'del
inductor sern proporcionales a la tensin de entrada (esto tambin se presenta cuando
la comente en la bobina Li,, opera en el modo de conduccin discontinuo). De.este
modo, como se muestra en la figura 3.12, la corriente de entrada estar confinada entre
una comente de referencia senoidal y una envolvente tambin senoidal, lo que
garantiza un factor de potencia bastante elevado.
+J. 3.12.- Conicnte de entraday dc rqrenai.
Haciendo un balance de energas y suponiendo que la potencia de entrada (PI) es
igual a la potencia de salida (P,).
P, =P, (3 18)
O tambin.
(3 19)
V, i, =V, I,
La ley de control que gobierna la corriente de entrada es.
(3.20)
Donde K es un factor de escalamiento.
Sustituyendo la ley de control 3.20 en la ecuacin 3.19 y despejando para 1, :
1.'2,
I, =-
KVo
(3.21)
34
CaUilUlO 111 - . - 'Reclificador conmutado cn conmutacin SU3W
h
5
. . ..
..
.. .
:Fro: t v o,
-
La razn de conversin (G) del sistema'en estado estable se puede determinar
mediante la siguiente ecuacin:
I.' "
Donde: r, = -
1,
(3.23)
Perturbando la ecuacin 3.21 se obtiene la siguiente ecuacin:
2 G ' - ' 1 A
''o
K ro
I , = - IJi - -
(3.24)
Donde: Te =Componente de comente de salida en pequea seal.
Go= Componente de voltaje de salida en pequea seal.
C, =Componente de voltaje de entrada en pequea seal
Perhubando tambin a la ecuacin 3.20 tenemos:
(3.25)
Donde: <= Componente de comente de entrada en pequea seal
35
..
Rcci,fiador conmutado . . en conmuiacin S U ~ X
CaDitulo11I ' ' - . .
.. .
. .
. .
. .
Agregando el capacitor de salida y. la resistencia de carga al circuito antenor; se
obtiene el modelo anlogo elctrico con filtro de salida y carga:
.~
':
'Trasladando al dominio de Laplace y resolviendo por e mtodo de nodos se
Fig. 3.14.- Modelo en pcquca setatconficro de sal da y resisten& de carga.
puede 'determinar la funcin de transferencia de entrada-salida:
h
(3. 26)
_ - - 2.G.r" 1 1 K,,
y K(i+S.C,.r,'ii R,)
Para el caso de una carga resistiva la resistencia de pequea seal ra es igual a la
resistencia de carga por lo que la funcin de transferencia se simplifica a:
(3.27)
La funcin de transferencia tiene un polo en el semiplano izquierdo y
,
obtendremos su respuesta en frecuencia.mediante un diagrama de bode.
' La razn de conversin G, la resistencia en pequea seal ro , la resistencia de
cargaiRL y el capacitor C, se calculan en el captulo V en funcin de los requenmientos
de diseo de la topologa a implementar . El valor del factor de escalamiento K se
propone para obtener un comportamiento adecuado de la funcin de transferencia. As
.los valores a sustituir en la ecuacin 3.27 se muestran a continuacin:
G =1166
r, =128.5 R.
K =6
C, =.800 pF
RL =128.5.R.
b
i
f
i b .
1
. .
. .
i
. . ,:
I!
. .
. .
36
. .
. .
I
/I
Rcclihcador conmutado en conmutacin suaw
caoihito 111
La funcin de transferencia a graficar est determinada por la siguiente
ecuacin:
21'3.3 1
0.3s +6
F(S) =
(3.28)
La grfica se obtuvo mediante el programa de cmputo CC control, y se muestra
en la siguiente figura.
En la figura anterior se observa que, cuando la curva de ganancia cruza cero
decibeles, la pendiente de la ganancia es de -20 db/dec y el margen de fase es de 90
grados. Esto garantiza que el sistema no presentar problemas de inestabilidad (criterio
de estabilidad de Nyquist).
3.5.3.- Anlisis de la frecuencia de conmutacin
De las formas de onda de la figura 3.9 y particularmente la correspondiente a la
comente en el transistor se observa que una vez que la comente cruza el primer cero
estamos en condiciones de apagar el interruptor; sin embargo, esto lo podemos realizar
hasta antes de que la comente cruce el segundo cero. As se definen dos tiempos de
encendido del transistor correspondientes a cuando cruza el primer cero; tiempo de
encendido mnimo &,,, y hasta antes de que cruce el segundo cero; tiempo de
encendido mximo bDmax .
37
Rectificador conmutado en conmutacin suave
. .
..
Caoiulo 111
Los tiempos de encendido'mnimo y mxima se pueden calcular en funcin de la
duracin de los tiempos y se determinan mediante las siguientes expresiones:
'::', t,,,;, 5 At, +At2
(3.29)
1
0"
t, nmiii =- {a +r+ sei i -l a} (3.30)
b , , , = At, +At2 +At3
(3.31)
En funcin de la ecuacin 3.30 y 3.32 se elige un tiempo to, que ser constante
en todo momento. Por otro lado, la figura 3.16 muestra las formas de onda de la
comente de referencia y de la bobina, resultado de la estrategia de control a
implementarse.
Fig. 3.16.- Corriente d entrada y conienie h rgerencia.
La comente de referencia est definida por la expresin:
Iref (t) =I,, sen (WL t 1 (3.33)
WL = frecuencia angular de la lnea.
w
i El tiempo de subida de la comente en la bobina se puede determinar por medio
de la siguiente expresin:
t, = At] + At2 +At3 +Ab
(3.34)
38
, .
~.
Capitulo 111 , I Rectiicador conmulado en conmutacibn suave
.~
1
.,
h
(3.35)
Como la comente de referencia es una senoide, el parhetro a tambin variar
en funcin de una senoide. As:
a (t) =a sen ( WLt )
(3.36)
Sustituyendo (3.36) en (3.35) tenemos:
El tiempo de subida mximo ocurrir en el valor mximo de la comente de
entrada (o,. t = - ). Sustituyendo en la ecuacin (3.37) se obtiene la siguiente
expresin que determina el tiempo de subida mximo t,,, de la comente en la bobina.
IT
2
Por otro lado, el tiempo de subida mnimo t,,,, ocurrir cuando la comente de
entrada sea cero (WL t = 'O ). Evaluando, tenemos que:
(3.39)
El voltaje en la bobina se expresa mediante la siguiente ecuacin:
di
dt
V,(t) =L - (3.40)
w .
Cuando los transistores estn encendidos, VL (t) = V, = V, sen (aL t); dt =t, ,
por io que podemos determinar el rizo de comente en la bobina.
39
(3.41)
Capitulo Ill
Rcctificador conmutado en coniiiuiacion s u a c
.. ..
Evaluando para cuando ocurre el pico mximo del voltaje de entrada:
(3.42)
sustituyendo la ecuacin (3.38) en la ecuacin anterior tenemos:
La ecuacin (3.43) es importante, ya que a partir de un rizo de corriente
propuesto podemos determinar el valor de la inductancia de la bobina de entrada.
Cuando los transistores estn apagados, VL(t) =V, - V, ; dt =tf
(3.44)
Igualando las ecuaciones 3.44 y 3.42 se determina la expresin para el tiempo de
bajada:
(3.45)
Sustituyendo la ecuacin 3.37 en 3.45, encontramos la ecuacin que determina
el tiempo de bajada:
El tiempo de bajada mximo ocurrir en el valor mximo de la comente de
entrada ( o ~ t = i? ). Sustituyendo en la ecuacin (3.46) se obtiene la siguiente
expresin que determina el tiempo de bajada mximo tha, de la comente en la bobina.
2
40
Caolldo 111
Ratificador conmutado cn conmutacin sua\c
Por otro lado, el tiempo de bajada mnimo tmln ocurrir cuando la comente de
entrada sea cero (wLt = O ). Evaluando, tenemos que:
(3.48)
La frecuencia de conmutacin ser variable a lo largo del semiciclo de red
debido a la variacin de t, y tf ; es decir, el convertidor estar trabajando en frecuencia
moduladaFM. .
(3.49)
Sustituyendo las ecuaciones 3.37 y 3.46 en la ecuacin 3.49, y resolviendo,
obtenemos la ecuacin que determina la frecuencia de conmutacin a lo largo de un
semiciclo de lnea:
2
f,.Zn.a.(i - sen( hLf ) - c o s (oL')
(wLt) - I ) + a.sen(wL/).(sen-l(a.sen(oL/)) - 2n) +, , I = - 11 (3.50)
K?
"P
Donde: p=-
La mnima frecuencia de conmutacin ocunir cuando el voltaje de entrada sea
el mximo y la mxima frecuencia ocurrir cuando el voltaje de entrada sea cero.
(3.51)
(3.52)
41
Rcctificador conmutado en conmutacin suavc ' - '
.. .
CaDiIUlO I11
3.5.4.- Esfuerzos en los dispositivos.
Hasta el momento, hemos analizado y obtenido las ecuaciones que rigen el
comportamiento del circuito en alta frecuencia, considerando que la comente de
entrada es la mxima. En estas condiciones podemos determinar la comente promedio
en los transistores y diodos, del circuito de la figura 3.2, para un periodo de
conmutacin.
Para determinar la comente promedio en un semiciclo de red debemos integrar
los valores promedios, obtenidos en alta frecuencia, durante este periodo.
3.5.4.1.- Comente promedio en los transistores Mi o M2.
Los transistores Mi o Mz estn conduciendo durante los tiempos Ati y At2. La
comente promedio en cada uno, para un periodo de conmutacin y comente de entrada
pico, est definida por la siguiente expresin:
Resolviendo la ecuacin anterior tenemos que la comente promedio, en el
transistor, en un periodo de conmutacin es:
Por otro lado, la comente promedio en los transistores para un semiciclo de red
est defmida por la siguiente ecuacin:
42
I.
e
k-
(3.56)
Donde: 0= 01. t.
Sustituyendo la ecuacin 3.50 y 3.55, en trminos de 0, en 3.56 tenemos:
(3.57)
F =a. sen0
La ecuacin 3.57 permite calcular la comente promedio, en cada uno de los
transistores, para un semiciclo de lnea.
3.5.4.2.- Comente promedio en cada uno de los diodos D
El tiempo durante el cual el diodo est conduciendo es At3. La comente
promedio en el diodo D para un periodo de conmutacin y comente de entrada pico
est definida por la siguiente expresin:
Resolviendo la ecuacin anterior tenemos que:
(3.58)
43
cauitulo 111
Rcctificador conmutado cn conniuiacion sua~c
La corriente promedio en el diodo D para un ciclo de red se calcula mediante la
,,
siguiente expresin:
Sustituyendo la ecuacin 3.50 y 3.59 (en trminos de e) en 3.60 tenemos:
(3.61)
Donde:
1
2 2 2
B(0) =
P( a +a . cos 8- 2. n. 6+6. ~en- ~6- 1+=
3.5.4.3.- Comente promedio en cada uno de los diodos de libre circulacin DI o D2
El tiempo durante el cual el diodo de libre circulacin est conduciendo es At, y
Ats. La comente promedio en el diodo para un periodo de conmutacin y comente de
entrada pico, est definida por la siguiente expresin:
Resolviendo la ecuacin anterior:
La comente promedio en el diodo de libre circulacin se calcula mediante la
siguiente expresin:
44
Caoiulo 111
Rccificador coniiiuiado cn coniiiuiacin Su aI C
(3.64) .. ..
Sustituyendo la ecuacin 3.50 y 3.63 (en trminos de e) en 3.64 tenemos que la
comente promedio para un semiciclo de linea en el diodo de libre circulacin es:
Donde:
(3.65)
2
( I -sen& cos 0)
c(e) =
D(e) =6 +4. 7~6 -2.6.sen-I 6+2-2.-
3.5.5.- Factor de potencia.
El rizo de alta frecuencia en la bobina reduce el factor de potencia y presenta la
necesidad de introducir un filtro de lnea para lograr un f $ cercano a la unidad.
La siguiente expresin relaciona el factor de potencia y el rizo de comente en la
bobina [ i 21.
f p= 1- 4
/ 12I2,+AZ2,
(3.66)
Otro problema asociado con el control por histresis es que en los cruces por
cero de la corriente de entrada, donde la frecuencia de conmutacin es mxima, existe
la posibilidad de que la comente en la bobina ya no siga a la comente de referencia.
Para resolver este problema se introduce un pequeo tiempo o ngulo muerto en la
frecuencia de conmutacin. Esto origina cierta distorsin en la comente de entrada tal
como se muestra en la figura 3.1 7.
45
caoitulo 111 I Rcciificador conmutado en conmutacin S u a W
. .
. .
!I
Fig. 3.17.- Corriente de entra& con ngub muerto.
Esto implica que el factor de potencia disminuya y la distorsin armnica se
incremente. La siguiente ecuacin relaciona el factor de potencia con respecto al
ngulo muerto. [ 121 .
f p = J G II (3.67)
Donde: CT =ngulo muerto.
La figura 3.18 muestra una grfica del f p con respecto al ngulo muerto y el
rizo de comente en la bobina.
.sa
PAC- - --
Porn
.sq
.76
O 10 ao 30 O M 60
A U0 MULRTO
Fig. 3.18.- Comportamiento &lfactordepotm& ante
variaciones el nguo muerto y ri zo en 1 606ina.
Cauitulo 111
Rcctificador conniutado en conniutacin suaw
La distorsin-armnica tambin es afectada por los mismos parmetros que
afectan ai f p . En este caso la componente del"primei .armnico con respecto al ngulo
muerto se puede determinar mediante la siguiente ecuacin [ 121.
(3.68)
Las componentes armnicas de mayor orden se pueden obtener restando la
componente fundamental I,, ( 1) , del total de la comente rms de entrada.
Por otro lado, la distorsin armnica total (THD) se define como la relacin de
las armnicas de mayor orden entre la componente fundamental.
THD =/ y
(3.69)
De esta manera podemos obtener el comportamiento de la THD de la corriente
de lnea con respecto al ngulo muerto. Dicho comportamiento se muestra en la
siguiente figura:
O (o 20 30 40 50 60 . ?O
ngulo nmerto ( p r o a a s )
FG. 3.19.- ?/nriacin de h dlrtonin armnica t ot al
ante diferentes nguCos muertos.
En conclusin, en el mtodo de control utilizado, el factor de potencia y la
distorsin armonica total son ms pobres con respecto a otros modos de control. Sin
embargo, en esta topologa se utiliza el concepto de conmutacin suave del tipo
cuasirresonante, por lo que necesitamos un tiempo de encendido fijo (durante el cual se
realiza la resonancia).
47
&Dilulo 111
Roctificador conmutado'cn conmulacin suave
As, el mtodo de control por histresis presenta mejores caractensticas ya que
es muy sencillo y cumple satisfactoriamente con los requerimientos y condiciones que
se necesitan
3.6.- Rectificador conmutado ZCS-QRC con reducidas prdidas en conduccin
La integracin de la conmutacin suave al rectificador conmutado efectivamente
es una alternativa para disminuir prdidas por conmutacin. Sin embargo, dado que la
forma de onda de la comente que circula es cuasi-sinusoidal, implica mayor esfuerzo
de comente en el transistor.
Esto trae como consecuencia que las prdidas por conduccin en los mosfet sean
significativas ya que las prdidas en estos semiconductores se calculan como el
producto del valor rms de la comente que circula (de drenador a fuente) y su
resistencia interna; esto implica, que de cierta manera regresemos al principio.
Dada la aparicin de trksistores de potencia de nueva generacin tales como los
transistores de compuerta aislada (IGBT por sus siglas en ingls) se tiene la posibilidad
de manejar mayor potencia a la salida sin grandes prdidas, ya que en este caso se
calculan en funcin del producto de la comente promedio y el voltaje colector-emisor
de saturacin.
Estos dispositivos tienen la desventaja de tener una significativa cola de
comente de apagado que limita su frecuencia de operacin. Sin embargo, con la
implementacin de conmutacin suave a los transistores de potencia y dado que la
comente que circula tiene una evolucin cuasisenoidal tenemos la posibilidad de
utilizar IGBT, en alta frecuencia, sin'problemas con su cola de apagado.
Con la sustitucin de los transistores mosfet por IGBT en el rectificador
conmutado ZCS-QRC, se tendr una topologa que realmente operar con las menores
prdidas tanto en conduccin como en conmutacin. El resultado es una topologa que
ante estas condiciones tendr la posibilidad de manejar mayor potencia de salida, que'la
hacen una muy interesante alternativa de convertidor de CA/CD en aplicaciones de
mediana potencia.
.
48
h p x t o s criicos dc discfio
CaDitulo IV
Captulo IV
ASPECTOS CRITICOS DE DISEO
4.2.- Requerimientos de diseo
4.3.- Diseo
4.3.1 .- Determinacin de parmetros de entrada.
4 3.3.- Clculo de la bobina de entrada.
4.3.4.- Determinacin de las fiecuencias de conmutacin.
4.3.7.- Clculo del capacitor de salida Co.
4.3 8.- Determinacin de los esfuerzos de comente en los semiconductores.
4.3.9.- Determinacin de las prdidas de potencia, en conduccin, de los
4.3.10.- Resistencia trmica del disipador requerido.
4.3.1 1 .- Determinacin del factor de potencia.
semiconductores.
4.4.- Resultaiios de simulacin
CaDilUlO IV
As ~c i o s criticos dc diseo
x
. .
En este captulo realizaremos el clculo de los elementos cnticos para el buen
funcionamiento de la topologa. Es importante que los componentes fisicos a utilizar
se aproximen al mximo con los obtenidos en los respectivos clculos,
particularmente 10s relacionados con los elementos resonantes.
4.2.- Requerimientos de diseo
El diseo se realiza en funcin de las ecuaciones que previamente ya se han
desarrollado y, para este caso, los elementos del Rectificador Conmutado. se calculan
segn los siguientes requerimientos de diseo:
1.- Potencia de salida =700 W..
2.- Voltaje de' salida =300 V.
3.- Voltaje de entrada =127 k 10 YO V.
4.- Frecuencia de conmutacin mxima =100 Khz.
5.- Rizo mximo en la comente de entrada = 15 YO.
La figura 4.1, muestra el diagrama funcional de la topologa a implementar.
. .
50
. ~. ~.
A s ~ t o s cni i cos dc discao
..
CaDiiuio IV
. , ..
El circuito anterior es una variacin topolgica del presentado en la figura 3.2
sin que la filosofia de dos convertidores elevadores, uno para cada semicic1o.de red,
sea modificada. La razn estriba en tener la posibilidad de sensar la comente en la
bobina con mayor facilidad.
La comente en cada bobina es sensada por medio de una resistencia R,, de
pequeo valor, y luego sumadas ambas para obtener la comente total.
Posteriormente es comparada con la comente de referencia obtenida del rectificador
de onda completa, generndose los pulsos necesarios para activar al temporizador.
La compuerta en la entrada es necesaria para evitar mal funcionamiento del
temponzador mientras est en el estado activo y asegurar que la duracin del tiempo.
Ln sea constante. . .
il
4.3.- Diseo
Los elementos reactivos, as como los parmetros necesarios para el control,
se calculan de acuerdo con la siguiente metodologa:
.4.3.i .- Determinacin de parmetros de entrada
Considerando una eficiencia del 100 %, entonces la potencia de salida Po es
igual a la potencia de entrada Pi .
Donde:
li =Comente eficaz de entrada.
V, =Voltaje eficaz de entrada.
Cuando el voltaje de entrada es el mnimo se demanda la mayor cantidad de
comente de la lnea (que es el peor caso). As:
v, =vi (1-0.1) (4.3)
51
. .
~~
CaDi tUl O IV
' k ~c c t o s criticas de disco
..
. .
. _
La comente pico de entrada: . .
I,,= fi li =8.66 A.
Seleccionamos el rizo de comente de entrada como:
AI" =15 % Ii, = 1;29A.
Que sumado con la comente pico de entrada, se tiene una comente pico
mxima en la entrada.
lipmas =lip +AI,, = 9.95 A.
Seleccionamos a = 0.6 (ver captulo VI),
4.3.3.- Clculo de la bobina de entrada.
El valor de la inductancia, lo podemos calcular considerando el t,, , togma, o
el parmetro a. Hasta el momento no hemos calculado los tiempos de encendido y
apagado, por lo que calcularemos el valor de la induct&cia mediante la siguiente
ecuacin (que previamente ya se desarroll):
0 6
0.6 +2rr - seW'0.6 +
161.64 1
L,, = -
1.29 2rrt105K
Li. =1.24 mH
Observando la topologa a implementar (fig. 4.1), la bobina de entrada es
dividida entre dos, por lo que el valor de cada una de ellas es:
Li, 624.2 pH.
52
. ~~. . ~
Asoccios criiicos dc disciio ' ..
< .
. .
. ,
Caoiiulo 1v
. .
4. 3. 4. - Determinacin de las frecuencias de conmutacin.
El tiempo de subida mximo del rizo de comente se calcula mediante la
siguiente ecuacin:
c
i
Sustituyendo los valores:
Y el tiempo de bajada mximo, se calcula mediante la siguiente ecuacin:
Sustituyendo valores:
1
--
161.64
Con base en los tiempos anteriores, podemos determinar la frecuencia
mxima y mnima de operacin del rectificador conmutado.
1
=4 6 . 2 9 Kh z
f . =
smin
L a x +' .f mar
53
b i o s crtkbs dc di xAo
. .
. . .
CaDitulo 1v
. .
El tiempo de encendido mnimo que debe estar encendido el transistor se
calcula mediante.la siguiente ecuacin:
Sustituyendo valores:
( 0. 6 + + sen-' 0.6 ) =6.66 ps.
1
2rr*105K
to",," =
Y el tiempo de encendido mximo es:
Seleccionamos un to, = 8.5 ps.
- = [ : I =.[ 0.6*300 8,66 ] ' = 432.02
C, .
2
L, C, =[
] = 2.29nF.
2rr *f,
Resolviendo simultneamente ambas ecuaciones:
C, =72.9 nF.
L, = 31.5 pF,
54
Astyxtos criiicos dc discA
' .
Capitulo IV
. .
4.3.7.- Clculo del capacitor de salida C,
Para el clculo del capacitor de salida se utilizan los siguientes parmetros de
diseo:
1 .- Potencia de salida =P, =700 W.
2.- Voltaje de salida =Vo = 300 V.
3.- Rizo de voltaje = AVo = 10 % VO
4. - Tiempo de mantenimiento = th =10 ms.
La ecuacin que define el valor del capacitor [I31 en trminos de los
parmetros anteriores es:
2 * P, * t ,
C, =
V' , - AV2,
Sustituyendo valores obtenemos que el capacitor de salida C, = 8 18 ps.
Como no existe valor comercial del capacitor calculado, colocaremos dos
capacitores en paralelo: uno de 470 pF y otro de 330 pF.
4.3.8.- Determinacin de los esfuerzos de comente en los semiconductores
Para el clculo de los valores promedios de los dispositivos se utiliza el
propaha de cmputo MAPLE V.
La comente promedio en los IGBT se obtiene mediante la ecuacin 3.57:
La comente promedio en el diodo en antiparalelo (D3 o Dj) se calcula
mediante la ecuacin 3.61 considerando que nicamente conducen durante un
semiciclo de lnea:
5s
.. ,
. Durante el Otro semiciclo conducen los di0dos.D; o D6 , cuyas prdidas
tambin se calculan mediante la ecuacin,3.61:
1 ~ 5 6 ~ ~ 0 ~ = 2.75 A.
La comente promedio en cada uno de los diodos de libre circulacin.(Di O
D2) se calcula mediante la ecuacin 3.65:
4.3.9.- Determinacin de las prdidas de potencia, en conduccin, de los
semiconductores.
Los transistores utilizados tienen las siguientes caractersticas:
IGBT = IRGPHSOF
V C ~ max = 1200 V. IC =45 A.
VCh, < 3v. e,, = 0.64 OCIW.
Tjmas = 150 "C.
Las prdidas por conduccin en cada IGBT son:
P~GBT =Vc~sst . ISPROM = 3* I .I 3 =3.39 W.
Los diodos en antiparalelo (D) tienen las siguientes caractersticas:
Diodo =RHR30120.
I F= 30 A. v,, =1200 v.
e,, = I .2 ~ CI W. t, <65 ns.
V ~c 29V . TJ max =175 "C.
Las prdidas por conduccin en cada uno ellos son:
56
Asaicios criiicos de disco
. -
CaDitulo IV
. '
..
.. .
. .
. . .
,...
Los diodos de libre circulacin (DI o D2) y los diodos D5,' Dh tienen.las siguientes
caractersticas. .I . . .
Diodo =MUR 860
I F =8 A. V- =600 V.
t, =60 ns.
VF < 1.2 v.
e,, = 2 " C/W.
TJmax = 175 "C.
Las prdidas por conduccin en cada uno de los diodos de libre circulacin
son:
Las prdidas por conduccin en cada uno de los diodos Ds o D6 son:
P D S ~ =VF . I DI ZPR~M =1.2 * 2.75 =3.3 W.
Las prdidas totales es la suma de las prdidas en cada dispositivo:
PTOT =2. PlGBT + 2. PD34 +2. PDF +2. PD56 = 6.78 +1.45 + 4.03 +3.3 =15.5 w.
En estas condiciones de funcionamiento se presentarn 15.5 W de potencia de
prdidas, debido a la conduccin de los dispositivos, lo que implica que la eficiencia
mxima esperada sea del 97.7 %.
57
CaDiulo 1V
ASDCCIOS criticos dc diseo
. . .
. .
. .
4.3.10.- Resistencia trmica del disipador requerido.
Se pretende colocar cada IGBT, con su respectivo diodo en antiparalelo, en
un solo disipador. El comportamiento trmico,~para este caso, se representa por un
.. ..
modelo anlogo elctrico como el que se muestra en la siguiente figura:
I , .,
. . .
I A
F9. 4.2.- %o&b adbgo e~c t r i Co &[comportnmknto
trmico dimontaje e i wj edi oo en un soco dlnpaot:
Donde: eJC1,~, =Resistencia trmica entre la unin y el encapsulado del IGBT.
eJco =Resistencia trmica entre la unin y el encapsulado del diodo.
&lGBT = Resistencia trmica entre la capsula y el disipador del IGBT.
0 d ~ =Resistencia trmica entre la cpsula y el disipador del diodo.
Oda =Resistencia trmica entre el disipador y el ambiente,
TJ = Temperatura mxima permisible en la unin.
TA =Temperatura ambiente mxima.
TD = Temperatura en el disipador.
PD~GBT =Potencia que disipa el IGBT.
PDD = Potencia que disipa el diodo.
58
'..
Aspxios criiicos de discrio
. .
. . .
Capitulo I V .'
. . . -
Haciendo un anlisis del' circuito de la figia.4.2 se establecen las siguientes
ecuaciones:
TD =ed a (PDIGBT + PDD) +TA .. (4.4)
TnGBT =PDlGBT (ejc1GBT +ecdlGBT) +TD (4.6)
De las ecuaciones 4.5 y 4.6, se observa que Tnc BT # TJD . En estas
se debe evaluar de tal manera que se garantice que TnGBT Y TJD sean condiciones
menores a la temperatura critica.
Resolviendo para eda obtenemos las ecuaciones que permiten calcular la
resistencia trmica del disipador en funcin de las caractensticas del IGBT y de las
del diodo:
rDJGBi I D D
(4.8)
En relacin a las ecuaciones 4.7 y 4.8, seleccionaremos el disipador con @da
menor.
En la operacin del conjunto trmico existen otros factores que afectan su
eficiencia, por lo que deben considerarse en el clculo trmico correspondiente [14].
Estos factores son:
1 .- Posicin y nmero de semiconductores en el disipador.
2.- Posicin del conjunto disipador dentro del equipo.
3.- Ventilacin forzada.
4.- Acabado de la superficie del disipador.
De acuerdo con lo anterior la resistencia trmica del disipador es afectada por
dichos factores y se determina por la siguiente ecuacin.
59
Captulo 1v
Asuccios criiicos dc disc130
Donde:
n = Factor de correccin por nmero de semiconductores
p = Factor de posicin del conjunto disipador dentro del equipo.
v =Factor por ventilacih forzada.
en un mismo disipador.
Sustituyendo valores en las ecuaciones 4.9,4.10 y considerando que n =0.85,
p = 1, V = 1 [I41 y TA= 40 "C :
=10.76W.
(I 50 - 40) - (0.64 +0.4) * 3.39
0.85+1+1
0dalGBT =
3.39 +6.5
=12.59 W.
(1 75 - 40) - (1.2 +0.4) * 6.5 *
OdaD = . .
3
0.85 +1 +1 3.39 +6.5
Con base en io anterior cada IGBT, con su diodo en antiparalelo, debe ser
montado en un disipador con una resistencia trmica de 10.76 "CIW. En este caso,
seleccionamos el TO202 fabricado por Disipadores Electrnicos S. A. (o
equivalente).
4.3.1 1 _- Determinacin del factor de potencia.
Para calcular el factor de potencia hacemos uso de la grfica que se muestra
en la figura 3.18, considerando los siguientes criterios:
1.- Para asegurar la correccin del factor de potencia en todo momento se
propone un ngulo muerto (o) = 10 grados.
2.- El rizo mximo de la comente de entrada se considera el doble del
propuesto porque el valor de la inductancia de entrada se dividi entre dos. El valor
para (Ai,") =30 %
Con tales valores, observamos que el factor de potencia esperado es del 99 '70.
60
Asocctos criiicos de diseo
. .
..
Cauiiulo 1V . . .
-_
. ,
. .
. . . .
... .
, .
. .
La distorsion armnica total la podemos determinar mediante la figura 3.19
que como se obseka, el valor esperado es ye1 5 %.
4.4.- Resultados de simulacin
Con la intencin de verificar el funcionamiento de la topologja, con los
clculos realizados en la seccin anterior, se procedi a realizar su simulacin en
Pspice. Los resultados obtenidos se muestran a continuacin.
, La figura 4.3 muestra el comportamiento del voltaje colector-emisor y la
comente de colector en el IGBT a la frecuencia minima de operacin. En esta figura
se observa que las conmutaciones tanto de encendido como de apagado se realizan
suavemente minimizando las prdidas por conmutacin.
1
........ ~~ ....... ~ ............... - ................. ~~ ........................
Fig 4.3.- TOW d onda dCvoCije co&ctor-em&or
y cominte d colctorafreawuia minim d operacin
La figura 4.4 muestra el comportamiento del voltaje colector-emisor y la
comente de colector en el IGBT a la frecuencia mxima de operacin. Se observa
tambin que las conmutaciones se realizan suavemente y sin grandes prdidas.
61
Aqmios criiicosdc disco
. . . .~
CaDiIUlO Iv
. . .
< .
..
. . .
. .
. . . . .
..
>>
, ..................................................................
? ,
. . .
. . . . . . . . . .
>>;
...,......... .................................................................................
r 2. 52h s 42.5- . 2. 58" S .2.'i<hnS 42.5.5rb .1.5*s 42.55%", 42.56or.
rn w w : c > rn . I CW)
I i U
~i g. 4.4.- ~oFormar d onda h v o i j e colictor-emisor
y coniente d colictor afrecuencia mxjma & operacin.
62
~ ..
. . ~~~
. .. Ascccios crticos dc.diseo
. ,.
Capitulo IV
J
Las figura 4.3 y 4.4 permiten asegurar que, con los valores de los elementos
calculados, la topologa operar adecuadamente al conmutar suavemente, los
transistores principales ,en todo el rango de operacin en frecuencia.
Lafigura 4.5 nos muestra que el circuito demanda comente senoidal y en fase
con el voltaje de entrada. Esto nos permite aseverar que la topologa operar con un
aceptable factor de potencia.
63
. .
Resultados esoerimentalcs~
. .
, . .
. .
caotulo v
.I
I
Captulo V
~~~
Resultados experimentales
5.1.- Introduccin
5.2.- Formas de onda obtenidas
5.2.1 .-'Voltaje y comente de entrada.
5.2.2 .- Voltaje y comente en IGBT a mxima frecuencia.
5.2.3 .- Voltaje y comente en IGBT a mnima frecuencia.
5.3.- Mediciones efectuadas
5.3.1.- Parmetros de diseo obtenidos.
5.3.2 .- Comportamiento de la eficiencia ante variaciones de voltaje y carga.
5.3.3 .- Comportamiento del factor de potencia ante variaciones de voltaje y carga.
5.3.4 _- Comportamiento de la distorsin armnica total ante vanaciones de voltaje y
carga.
5.4.- Comparacin de THD obtenida con la norma IEC-1000-3-2
5.5.- Otras pruebas
5.5.1.- Diseo a 220 voltios de salida.
5.5.2.- Comportamiento de la eficiencia con respecto a a.
64
Resuliados ex~nmeni al cs
Caoiiulo V
. .
5.1.- Introduccin
Las formas de onda ms importantes, obtenidas de la implementacin fsica
del. rectificador conmutado, se muestran a continuacin. Es importante aclarar que
las formas de onda obtenidas, .asi como la mediciones realizadas, fueron obtenidas
mediante el equipo disponible en el laboratorio de electrnica de Cenidet.
.
5.2.- Formas de onda obtenidas
5.2.1 .- Voltaje y comente de entrada.
Las formas de onda mostradas en la figura 5.1 corresponden al voltaje de
entrada y comente de entrada. Se observa que la comente de entrada es bastante
parecida a una senoide por lo que el contenido armnico es pequeo. Esto demuestra
que en la topologia propuesta s disminuye la distorsin armnica total.
. .
F$. 5.1.- I/o&jt- (100 I//&)y Comen& & entra& (SP/d?v)
fp= 97 % 131(0=8.5 %.
5.2.2 .- Voltaje y corriente en IGBT a mxima frecuencia.
Las formas de onda de la figura 5.2 corresponden al voltaje colector-emisor y
a la corriente.de colector del rectificador conmutado ZCS-QRC. Se observa que las
conmutaciones, tanto de encendido como en apagado, se realizan suavemente
disminuyendo considerablemente las prdidas en conmutacin. Cabe aclarar que los
dispositivos de potencia utilizados no tendran la posibilidad de trabajar en alta
fiecuencia (lOOKhz), debido a que se tendran problemas con su cola de apagado.
Mediante la utilizacin de la tcnica de conmutacin suave ZCS-QRC se tiene la
capacidad de utilizar estos dispositivos de nueva generacin, tenindose la.
posibilidad de utilizar esta topologa en aplicaciones de mediana potencia.
65
. .
Resuliados exoenmenlales
..
. .
caoiiuio v
,
. . . . . . , . i . . . . j . , - . - ; ,:,: i ; .,.,:; ....... j ,'..,. .....................
. . . .
i t Ii i f :
-25.ooc4 U8 0.60000 6 25.woQ "8
Fg. 5.2.- Vol t+j e (200 V/&v) y comente (5 V/hv) en e l
i n t e n u p t o r p n ~ p a l m ~ e ~ e n ~ d operacin
5.2.3 .- Voltaje y comente en IGBT a mnima frecuencia.
La figura 5.3 muestra el voltaje colector-emisor y la comente de colector a la
mnima frecuencia de operacin (50 Khz). Se observa tambin que las
conmutaciones se realizan suavemente tanto en el encendido como en el apagado.
ii
. .
. a
. . . . . . . . .
......... ..........
. . . #. : +..:: . . : : : : . . : . . ,-: ......
L" ; . ; , : .i 4 I . :
--.- 2 ______I_. __. I
-is.Ox!o .us t.3moQ P 29.0000 "6
TG. 5.3.- Vol uj e (200 V/hv) y coniente (S@iv) en e l
intenuptorpnncipalmnima frecuencia d operacin.
66
Capitulo V Rcsultados emcrimentalcs
. .
. .
5.3.- Mediciones efectuadas.
5.3.i.~Parmetros de diseo obtenidos.
Se realizaron las respectivas mediciones para determinar los parmetros ms
importantes de esta topologa. Estas mediciones fueron realizadas con el equipo
Dranets power platform modelo ppl, el cual tiene un ancho de banda de 5 Khz. En
estas condiciones los resultados que se muestran a continuacin son vlidos hasta el
armonico 83.
Distorsin armnica del voltaje de entrada = 2.5 %.
Distorsin armnica de la corriente de entrada = 8.5 YO.
Factor de potencia = 97 YO.
Eficiencia = 95.1%.
Frecuencia de conmutacin mxima = 99 Kbz.
Frecuencia de conmutacin di = 50 Kbz.
5.3.2 .- Comportamiento de la eficiencia ante variaciones de voltaje y carga.
Las grficas que se muestran a continuacin demuestran la eficiencia y buen
uso de la energa elctrica que la topologa hace. Se observa el comportamiento de la
eficiencia, factor de potencia y distorsin armnica total ante variaciones de la carga
y voltaje de entrada.
..
92
9a
88
86
84
a2
n n
S6,6
96
84.6
91
93.6
93
92.6
82
- PO 91,s
-
67
. .
.i
. .
' 1=5&/ d i v I
capitulo v Resuliados emcnmcntalcs
.!
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
I
, . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . .!. . ..,. . . . . . . . .
. . . . , . . :. ; . . . . : ............... : . i . . . . i . .... i . ' . . . I:: ..
! : II i f f
-25.0600 u* 0.- ,,I 25.woo " 5
Fig. 5.2.- voltaje (200 V/&) y coniente (5 ~ / L v ) en e[
i n t c r m p t o r p r i ~ p a C m ~ e ~ - a2 operacin.
5.2.3 .- Voltaje y comente en IGBT a mnima'frecuencia.
La figura 5.3 muestra el voltaje colector-emisor y la comente de >lector a la
mnima frecuencia de operacin (50 Khz). Se observa tambin que las
conmutaciones se realizan suavemente tanto en el encendido como en el apagado.
. , . . .
. . . . .... . l : . . . . . . . . :. .... , . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. i . : . ~ .
I
.l . . . j :...: . . . . :.' ... : . . . .
. .
. . . . j . . . : : . . . I
. . .
I .
L . .
. . .
1: . . . . . . . . . . .
-2S.Wqp ,us c.omoo 6 zs.aooo US
~i g. 5.3.- Votaje (200 V/&)y coni ene (S.A/i+)en e
intermptorprincipamima fie& a5 operacin
. . ..':. , ...... ..-:................ . . . . . . . . . . -: ....
. ~.
. , . . -
L- :
. : ,: . .i
L .-_.
z
66
caotulo v Resuliados esDcnrnentalcs
' '
En'las grficas anteriores se observa que la topologa es ms eficiente a',
medi daqe se tiene mayor potencia de salida.'Esto es normal, dado que las prdidas .:
por conduccin tienen mliy poca variacin en todo el rango de vanacin de la carga.
Esto .origina que dichas prdidas sean ms significitivas. a una potencia menor. "
. .
Por otro lado, cuando el voltaje de entrada es menor se demanda mayor
comente de la lnea, por lo que las prdidas por conduccin en las bobinas de
entrada se incrementan; esto se refleja en una disminucin de la eficiencia total. En
otras palabras, a medida que el voltaje de entrada se incrementa, las prdidas
disminuyen, por lo que la eficiencia se incrementa.
i
5.3.3 .- Comportamiento del factor de potencia ante variaciones de voltaje y carga.
rp
97.1
fP
97,10 -, -
97.1
97,M
97
9 6 S
96,s
96.85
96.8
96.70
1
Po
97.00
97
96.95
96.9
96,85
96.8
VI
Fig. 5.5.- Comportamiento afactordepotencia ante: a) Variaciones de GI
potenah d sarda 6) Variaciones dvoituje d entraci.
En las grficas anteriores se observa que el factor de potencia permanece
el factor de potencia depende del factor de desplazamiento (que es constante) y del
factor de distorsin que depende, a su vez, de la distorsin annnica total que, como
se observa en la grfica 5.6, no vara significativamente.
constante ante variaciones de la carga y del voltaje de lnea. La razn estriba en que
'/
68
CaOiiuio V Resultados emximcntaics
..
&mhnico
3
5
7
9
11
13
i
" I
X O ~ M IEC-100&3-2 Raltndos obtendos
2.3 0.42
1.14 0.18
o. 77 0.22
0.4 0.1s
0.33 0.12
0.21 o. 1
5.3.4 .-.Comportamiento de la distorsin armnica total ante variaciones de voltaje y
carga., 1,
. ,
THD THD . ~ ~~
16 8.6
8
14
12
10
8 7.6
6
4 7
2
O 6.6
1
Vi
. .
b)
Fig. 5.6.- Comportamiento d b & o d n a d n i c a totalante:
a) Vatiaciones d h potencia d s a r i 6) Vahciones dlvoltaje d entrada.
. .
En la grfica de la figura 5.6.a se observa que la distorsin armnica total
. Esto se hebe a que a menor potencia se demanda menor comente 'de la lnea. En
tiende.,a' disminuir a medida que nos acercamos' a la potencia nominal de diseo. ~
estas condiciones el rizo de comente presenta mayores efectos en la distorsin.
En el caso del comportamiento de la THD con respecto al voltaje de entrada,
a menor voltaje se demanda mayor comente de la lnea por lo que el rizo presenta
menores efectos en la distorsin que con respecto a un voltaje de entrada mayor ( ya
que se demanda menor corriente).
5.4.- C6mparacin de THD obtenida con la norma IEC-1000-3-2
La siguiente tabla muestra el contenido armnico de la comente de entrada
obtenida, as como los limites mximos permitidos por la norma internacional IEC-
1000-3-2 para equipo elctrico clase D.
Tabb 5.1.- aagni t udd armnicos d coniente (ampetios) obtendosy m&jms
' penni.dhpara equipo ekctrico &e (D segn h %orma IEC-100@3-2.
i
'I
I
I
69
En la tabla antenor se observa que la comente, que demanda la topologa
propuesta, cumple satisfactoriamente con la Norma Internacional 'IEC-I 000-3-2 ya
que en ningn momento la magnitud de los armnicos que demanda es mayor que
los permitidos,
5.5.- Otras pruebas.
5.5.1 .- Diseo'a 220 voltios de salida.
!
En este trabajo se realizc OTO diseo mxiderando tin vo!taje de salida V, =
220 V. Las mediciones fueron realizadas con el mismo equipo del punto anterior.
Los resultados obtenidos se muestran a continuacin:
Distorsin Armnica voltaje de entrada = 2.5 %.
Distorsin Armnica corriente de entrada = 11.3 '%.
Factor de potencia = 96 Yn.
Eficiencia = 95.0. 'h.
Frecuencia de conmutacin mxi ma = 95 Khz.
Frecuencia de conmutacin mnima = 36 Khz.
I
Comparando estos resultados con los obtenidos anteriormente prcticamente
no existen diferencias significativas.
En este caso la distorsin armnica de la comente de entrada es un poco
mayor. Esto se refleja en la disminucin del factor de potencia en tres unidades.
Las formas de onda obtenidas tienen la misma configuracin y en todo
momento se logra la conmutacin suave.
. ,
5.5.2.- Comportamiento de heficiencia con respecto a a.
Tambin se realizaron varios diseos para valores de a de 0.48, 0.8, 0.9. Esto
con la intencin de verificar el. comportamiento de la eficiencia ante estas
condiciones.los resultados obtenidos se muestran en la siguiente tabla.
70
.. ..
0.8
0.9
la61. 5.2.- Comportamiento dr LI
e$&ncia ante vananoncs dr a.
A partir de la tabla anterior wpueden haceralgunos comentarios: para un
valor de a de 0.48 la comente que circula por el transistor y la bobina tiene mayor
magnitud- esto implica, mayores prdidas por conduccin; para a =0.9 la coi-riente
que circula es menor, pero no estamos dando el tiempo suficiente para que las cargas
-almacenadas en el IGBT se recombinen, esto .implica mayores prdidas poi.
conmutacin.
>
El comportamiento de la eficiencia para a entre 0.6 y 0.8 es prcticamente el
mismo: Sin embargo, se recomienda seleccionar un valor de alfa de 0.6 y no de 0.8
para tener mayor margen de proteccin y evitar que ante variaciones del voltaje de
entrada o de la carga, los transistores se salgan de conmutacin suave.
.t
. .
,
71
Esludio dc las DCrdidas cn coniiiuiacin.dc1 rcciificador conniuiado
. .
,. " .
Cauiiulo Vi
..
I
Captulo VI
Estudio de las prdidas en conmutacin
del rectificador conmutado
11
6.1.- Introduccin
6.2.- Simulacin
63.- Resultados experimentales
72
Capiiulo V1
Esludio dc las otrdidas cn conmutacin dcl rcciificador coniiiuiado .!
. .~
I.
. .
'I
, '.
6.1.- Introduccin
En la actualidad los transistores lGBT se utilizan ampliamente en
conveddores electrnicos de potencia de uso industrial, tales como rectificadores e'
inversores. Estos. dispositivos tienen la capacidad de manejar mayor cantidad de
comente con. respecto a los transistores mosfet. Sin embargo, la inherente cola de
apagado en los IGBT limita ampliamente la. frecuencia de operacin ya que, en altas
frecuencias, las prdidas por conmutacin son muy significativas e inaceptables
~ 5 1 .
Con la integracin de la conmutacin suave a los &mistores utilizados en el
rectificador conmutado, se pretende disminuir las prdidas por conmutacin para
obtener una topologia eficiente tiabajando en alta frecuencia, con la posibilidad de
manejar mayor densidad de potencia.
'f
Por esta razn en el presente captulo se estudia el comportamiento del IGBT,
ante condiciones de conmutacin suave del tipo cuasirresonante a comente cero, coa
el fin de obtener informacin referente a las prdidas que se tienen en funcin de la
kecuencia y, especificamente, demostrar que el valor del parmetro a no debe estar
muy cercano a la unidad.
Para este fin. se impiement un circuito que simula fielmente 'ei
comportamiento del rectificador conmutado ZCS-QRC, cuyo objetivo es reproducir
el fenmeno de la resonancia en un solo transistor. Dicho circuito, y las.seales de
control, se muestra en la siguiente figura:
'I
a) b) ' '
Fig. 6.1.- ~cctfiudorconmutado zcS-Q.c a) Circuito simplificado 6)se7i ah d control '
il
. .
, ,
73 '
I
c&iulo VI
Estudio dc Ja-fifdht&s ct i coi i ni ui ci oi i dcl rcciificadl COlE!!$@ . . :
. .
El circuito opera en modo' iinpulsioiial para teller. la posibilidad de controlar'
con mayor facilidad el experimento 1161. Se considera que el capacitor C, esta,
cargado inicialmente con el-voltaje V,, qiie para este caso.es de 300 V. Cabe hacer l a,
aclaracin que el transistor bajo prueba es Q,.
El funcionkiento del circuito se puede explicar bsicamente en tres etapas
las cuales se presentan a continuacin:
I1
::
I " Etapa.- Carga lineal de L;,.
En esta etapa se trata de simular el comportamiento de la comente de entrada
ante las variaciones del voltaje de lnea dada su naturaleza sinusoidal (desde valor
mnimo .hasta mximo). Para ello, el transistor Qa est encendido hasta, que la
comente en la bobina L;, alcanza un valor previamente determinado ( segn el punto
donde se desea realizar la prueba). En esta etapa.tambin se est simulando la . .
operacin en frecuencia del IGBT ya que cuando el vo1taje.de entrada es cero' se
tiene frecuencia mxima, y cuando ,es mximo, frecuencia minima. El circuito de la
figura 6.2 muestra la trayectoria de comente en este caso.
'I
: Bo
i
Fig. 6.2.- Carga d GI 606im de entrada.
Mediante la ley de Faraday podemos determinar el tiempo durante el cual el
transistor Qa debe estar encendido:
Donde: L;, =610 pF (valor propuesto). '
.
7.4
CJiilp VI
Estudio dc hx,y3dd:is ci i coiiniuiaciii d c . l ~ l ~ ~ d ~ I co!!!&it&dJ)
I ._
. . .
. .
La coniente I,, ser variable en funcin del instante en que se desee realizar la,
prueba.
23 Etapa.- Libre circulacin de comente
En esta etapa ambos transistores estn apagados y la comente almacenada en
Li,, circula por D, L, y DI ..Por esta razn, la bobina resonante L, tambin se carga
con e1valor de la comente de entrada seleccionada. La trayectoria de comente en
esta etapa se'muestra en la figura 6.3.
--
-
-
-I
QP
-I
Qa
Fy. 6.3.- Etapa d Libre nrculcin
vo
't
3" Etapa.- inicio del proceso de prueba.
En este momento el transistor Qp es encendido; inicindose as, el proceso de
prueba para el IGBT. La forma de onda de comente que circula por el colector se
muestra en la figura 6.4.
. t
Fg. 6.4.- Comente en e c obc t or & I pl
Capitulo Vi
Estudio dc las &didas cn conniulacin dcl reciirtcador conmui:i&,
S e trata de una.forma de onda cuasi-sinusoidal la cual tiene una corriente
cursiva (que corresponde con la corriente de entrada
seleccionada).
. .
. .
Para asegurar la conmutacin suave es claro ,que la magnitud de la comente
resonante debe ser mayor'que la comente de entrada. Esta condicin se expreso
matemticamente en la ecuacin 3.17.
'!
. .
Sin embargo, el parmetro a tambin determina la comente promedio que
circula por el colector del transistor y, por ende, las prdidas asociadas -a este
elemento en conduccin.
'I
.Modificando el valor ., de a podemos obtener experimentalmente el
comportamiento de las cargas residuales en el cuerpo del colector del IGBT, en el
mom,ento en que la comente de colector cruza el primer cero. Esto nos permitir
determinar la' frecuencia mxima de operacin del IGBT ante estas condiciones de
conmutacin suave y comente de entrada (variable desde cero hasta un valor
mximo).
De la ecuacin 3.17 se observa que a es directamente proporcional a la
comente de entrada. Varindola podemos simular el comportamiento de la comente
en el IGBT para diferentes valores de a.
Por ejemplo, para un valor de a=0.48 la magnitud de la comente resonante
es mucho mayor que la comente pico de entrada lo que resulta en mayor esfuerzo de
comente en el transistor y en la bobina resonante; esto implica mayores prdidas poi
conduccin (pero aseguramos conmutacin suave)..
. .
Para un valor de a=I las prdidas por conduccin son las menores dado qu'e
la magnitud de la comente resonante tambin es la menor. Sin embargo, en estas
condiciones el circuito es muy susceptible a las variaciones del voltaje de entrada y
de la carga, io que implica que podra salirse de conmutacin suave.
Por otro lado. en el momento en que se. comanda el apagado del IGBT una
cantidad finita de portadores minoritarios est almacenada en el colector. Estas
.cargas tienen un tiempo. de vida (thl') aproximado de entre 0.5 ps y 1 i s ' y son las
responsables de las prdidas por conmutacin (en estas condiciones de conmutaciofi
suave). .
76
"' .
Estudio dc las drdidas cn conniutacin dcl reciificadoxonniuiado
. .
mmoVI
'I .
...
. .
Si el tiempo de conduccin del diodo es el suficiente, la mayona de esas '1
cargas desaparece antes de que se presente el voltaje colector-emisor del IGBT [ 151
reducindose significativamente las prdidas.
En estas condiciones no es recomendable seleccionar valores de a muy
cercanos a la unidad. Ms bien se debe buscar que el diodo conduzca un tiempo
razonable para que las cargas almacenadas en el colector .del IGBT desaparezcan
~ 7 1 .
!
6.2.- Simulacin
A fin de verificar el funcionamiento del circuito de la figura 4. I se procedi a
simularlo en Pspice. Para un valor de f, =105 Khz y a = 0.6 se calculan los valores
de los elementos resonantes, los cuales son los siguientes: C, =72 nf y L, =3 1.5 pH,
La grfica resultante de la simulacin se muestra en la siguiente figura:
'/
TI&. 6.5.- Conicnte de colictory voChje
colictor-emisor en e C I p T c prueba.
En la figura antenor se observa que el transistor conmuta suavemente El
comportamiento para diferentes valores de a se puede obtener. como ya se
mencion, variando el tiempo de encendido del transistor auxiliar
,
\
77
CaoiuIo ~1
Esludio de las Dcrdidas en conmutacin dcl rcciilicador connulado
I.. .
6.3.- Resultados experimentales.
Se arm el circuito de la figura 6.1 y se prob en el laboratorio Cabe hacer la
observacin de que el transistor es apagado precisamente cuando la onda
cuasisenoidal cruza el primer cero. Esto con la intencin de observar el
comportamiento de conduccin en el IGBT y determinar comportamiento de las
cargas residuales. !
Las formas de onda fueron obtenidas mediante un osciloscopio marca
Tektronix modelo TDS784A y un sohare, producto de otro tema de tesis, que para
este fin fue desarrollado en el cenrder. Es importante aclarar tambin que sin estos
medios sera muy dicil haberlas obtenido.
Se estudian tres casos correspondientes a diferentes tiempos de conduccin
del diodo.
Primer caso. f
En este caso, el tiempo de conduccin del diodo (td) es de 4 ps. El
comportamiento de la comente de colector y el voltaje colector-emisor del IGBT, se
muestran en la figura 6.6 donde se observa que el transistor est conmutando
suavemente.
F@ra 6.6.- Coniente de co&ctory vo'oIEaje
co&ctor-ernlror en e i p T p a r a td =4 ps.
78
. .
. .
C3DitUIO v[
Estudio de.las &didas en conniutacion del recihcador conmutado
If
!!
. .
Aun cuando el diodo conduce durante 4 ps, las cargas residuales en el 'IGBT
no alcanzan a recombinarse en su totalidad, Esto se refleja en la presencia de una .
cola de comente de apagado que, para este caso, tiene una amplitud mxima . . de 2.3
A. y una duracin de 380 ns.
,,
'!
.* 'Segundo caso.
'I
..
En este caso el tiempo de conduccin del diodo es de 3 ps. Bajo esta
condicin el IGBT tiene menor tiempo, que el caso anterior, para que las cargas
residuales se recombinen. En consecuencia lo que se espera es un incremento de
prdidas en el momento' del apagado.
El comportamiento de la comente de colector y el voltaje colector-emisor del .t
IGBT, se muestran en la figura 6. 7.
' f i gura 6.7.- Comente de cohctory woltaje
cohctor-emrroren e l i p T p a r a =3 ps.
En la figura anterior se observa que la cola de apagado tiene una amplitud
mxima de 2.6 A. y una duracin de 350 ns. Esto implica mayores prdidas en este . ,
momento.
79
CaDitulo VI
Esludio dc las krdidas cn conmulaci6n dcl rcciificador coiiniutadO
Tercer caso
i ..
En este caso el tiempo de conduccin del diodo es de 2 ps. El'
comportamiento de la comente de colector y el voltaje colector-emisor del IGBT se
muestran en la figura 6.8.
I
Figura 6.8.- Corriente de cobctory vohj e
coli.ctor-ernrroren e l i w p a r a =2 ps.
Dado que el tiempo de conduccin del diodo es de 2 ps, en este caso se
observa que existemayor prdida de potencia en el momento del apagado ya que, en
este caso, la amplitud de la cola es similar al caso antenor pero la duracin es de 350
ns.
, .
Con base en los resultados obtenidos, podemos realizar las siguientes
conclbsiones:
:I
1. - Est claro que con esta tcnica estamos reduciendo las prdidas en
conmutacin. Sin embargo, existe, un compromiso bastante seno entre el tiempo de,
conduccin del diodo y la eficiencia. Por ello, se debe .buscar una estrategia, de
control que asegure que el diodo conduzca el tiempo necesario y suficiente para un
funcionamiento adecuado de la topologa, y se tengan las menores prdidas.
2.- El tiempo de conduccin del diodo est muy relacionado' con el parmetro
porque es el que finalmente determina, en la topologa, l a duracin de' las etapas de . '
funcionamiento del rectificador conmutado. ;I
Capiiulo VI
Esiudo dc las drdidas cn conmutacin dcl rcciificador conniutadoii
3.- El seleccionar un a menor a la unidad nos asegura que. la conmutacin suavd
ocumr en'todo momento del semiciclo de linea y que el diodo conducir el tiempo
suficiente. Sip 'embargo, el seleccionar una a pequea implica mayores prdidas poi
conduccin en el transistor y en la bobina reson'ante.' Aunque esto ltimo se
solucionara alimentando ai rectificador 'conmutado'con'mayor voltaje de linea (220
V).
4.- De acuerdo con Io anterior, 'se recomienda seleccionar'un valor de alfa de entre
0.6 a 0.8. !
5.- Finalmente, con el trabajo que se desarroll en este captulo es posible
determinar el comportamiento del IGBT, ante condiciones reales de operacin, sin
problemas de destruccin.
I!
I1
.I
!/
X I
I!
CONCLllSlONES
Generales . .
3
En el trabajo que se, presenta en este documento he.ms desarrollado una
tecnologa que est dentro de los parmetros del estado del arte con'resultados muy
satisfactorios. !
Se cumplieron cabalmente los objetivos planteados al obtenerse; en el
prototipo, una eficiencia del 95.1 %, un factor de potencia del 97 % y cumplir con la
norma intemacional IEC-I 000-3-2.
5
!
Se desarrollaron dos prototipos en circuito impreso que cumplen
satisfactoriamente con las especificaciones p1,anteadas en este trabajo.
'r
En base a los resultados obtenidos, podemos afirmar que el rectificador
conmutado ZC.S-QRC es una topologa de convertidor de energa de CNCD que
tiene amplias oportunidades de utilizacin, ya que dada la posibilidad de utilizar
dispositivos de nueva generacin (IGBT) 'trabajando en alta frecuencia, y que
cumple cabalmente con los requerimientos internacionales, su incorporacin en los
equipos ayuda definitivamente a utilizar la energa elctrica con mayor efjciencia y
calidad, contribuyendo con las polticas de ahorro de'energa que en nuestro pas se
estn implementando.
I
Lo antenor es importante ya que a pesar de que en Mxico an no existen
Normas que regulen la calidad de la energa elctrica demandada. debemos estar a la
vanguardia en el desarrollo, de fuentes de alimentacin de calidad de tal manera que
en su momento no dependamos de la tecnologa extranjera
Particulares
Las pruebas realizadas en el captulo VI nos permitieron demostrarque el
diodo debe conducir durante un tiempo suficiente, que permita la recombinacin de
las cargas residuales en el IGBT, para minimizar las perdidas en conduccin.
'' Lo anterior tambin se demostr en el prototipo'ya que se realizaron vario\
diseos, para diferentes valores de a; obtenindose diferentes tiempos de
conduccin del diodo y sus respectivos efectos en las prdidas por conmuta'cin. ' '1
,I
82
,
.I
,~
. .
. .
En estas condiciones, la seleccin adecuada del parmetro de conmutacin a
. . es muy importante porque de l dependen las prdidas asociadas a la topologa, en
' I ' conduccin y conmutacin. . .
. . :
Desarrollamos un prototipo de rectificador conmutado con una potencia de
salida representativa de mediana potencia, que nos permiti establecer los aspectos
crticos de diseo y poder extrapolar los clculos a otras especificaciones de diseo.
OTROSLOGROS . . .
Este trabajo ha originado la publicacin de un articulo en el XVIII Congreso
Intemacional Acadmico de Ingeniera Electrnica ELECTR0'96 organizado por el
Instituto Tecnolgico de Chihuahua de1'21-25 de octubre de 1996 (ver apndice 1). !
Tambin, la publicacin de otro artculo en el X Congreso Intemacional sobre
Investigacin en Ciencia Elctricas, organizado por el Instituto Tecnolgico de la
Laguna del 25-28 de agosto de 1997 (ver apndice 1).
TRABAJOS FUTUROS
Con el lazo de comente utilizado estamos corrigiendo el factor de potencia y
disminuyendo considerablemente la distorsin qnni ca total obteniendo un
convertidor de CNCD de calidad; sin embargo, consideramos que a futuro sena
interesante cerrar el lazo de voltaje y ofrecer un convertidor de CNCD con voltaje
de salida regulado.
Otro aspecto importante es el de tratar de incrementar la potencia de salida,ya
que los dispositivos utilizados en la topolo@< permiten el manejo de mayor
densidad 'de potencia. Sin, embargo, en estas condiciones, y para continuar
. . ofreciendo un convertidor eficiente, se recomienda alimentar con mayor voltaje de.
lnea (220 V).
Continuar con el estudio de las prdidas en el IGBT (ver captulo vi) y
determinar la influencia de la duracin del pulso.de encendido en el desalojo' de
cargas residuales. Esto permitir determinar experimentalmente la fkecuencia
mxima de operacin de algn lGBT en paiticular, as como la influencia de. los
pametros externos (temperatura, etc.) en el comportamiento de las cargas.
83
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85

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