Tarea #1: El Diodo Semiconductor: Electrnica I

1. Qu es un electrn de valencia?
Los electrones que describen rbitas alejadas del ncleo tienen ms energa y estn
flojamente enlazados al tomo que aquellos ms cercanos al ncleo. Esto se debe a que
la fuerza de atraccin entre el ncleo cargado positivamente y el electrn cargado
negativamente disminuye con la distancia al ncleo. En la capa ms externa de un
tomo existen electrones con un alto nivel de energa y estn relativamente enlazados al
ncleo. Esta capa ms externa se conoce como la capa de valencia y los electrones
presentes en esta capa se llaman electrones de valencia. Estos electrones de valencia
contribuyen a las reacciones qumicas y al enlace dentro de la estructura de un material
y determinan sus propiedades elctricas.
2. Qu es un electrn libre?
Electrn de conduccin o Electrn libre. Electrn libre es un electrn que ha
adquirido suficiente energa para separarse de la banda de valencia del tomo matriz;
tambin llamado electrn de conduccin.

3. Mencione dos materiales Semiconductores:
El silicio (Si) (Material semiconductor ms utilizado, por su estabilidad) , el Germanio
(Ge) y el carbn.

4. Qu es un cristal?
Es un material slido en el cual los tomos estn dispuestos en un patrn simtrico.

5. Cmo se forman los enlaces covalentes?
Enlace covalente es la unin de dos o ms tomos por la interaccin de sus electrones de
valencia. Un tomo de silicio (Si), con sus cuatro electrones de valencia, comparte un
electrn con cada uno de sus cuatro vecinos. Esto crea efectivamente ocho electrones de
valencia compartidos por cada tomo y produce un estado de estabilidad qumica.
Adems, compartir electrones de valencia produce enlaces covalentes que mantienen a
los tomos juntos; cada electrn de valencia es atrado igualmente por los dos tomos
adyacentes que lo comparten. Un cristal intrnseco es uno que no tiene impurezas. El
enlace covalente en el germanio es similar porque tambin tiene cuatro electrones de
valencia.


6. Qu significa el trmino intrnseco?
El estado puro o natural de un material.

7. Qu es un hueco?
Hueco es la ausencia de un electrn en la banda de valencia de un tomo.

8. Por qu un semiconductor posee menos electrones libres que un
conductor? Los materiales semiconductores en su estado intrnseco no
conducen bien la corriente y su valor es limitado. Esto se debe al nmero
limitado de electrones libres presentes en la banda de conduccin y huecos
presentes en la banda de valencia.
Porque los slidos tienen una estructura de bandas de energa (muchos orbitales
atmicos); entre cada banda de energa hay "valores prohibidos" de energa (o band
gaps) a los que los electrones no pueden acceder. Un material conductor tiene la mitad
de su ltima banda de energa llena, por lo que, aplicndole poquita energa, los
electrones pueden "moverse" (cambiar de un orbital a otro) dentro de la banda y
conducir electricidad. En un aislante, la ltima banda est completamente llena, por lo
que los electrones no pueden cambiar de orbital, y as, conducir electricidad. En un
semiconductor, al igual que en un aislante, la ltima banda tambin est completamente
llena, pero la diferencia de energa (band gap) que hay entre ella y la siguiente banda no
es muy grande, por lo que algunos electrones pueden pasar a la siguiente banda y
conducir algo de electricidad
9. En qu consiste el dopado?
Dopado es el proceso de agregar impurezas a un material semiconductor intrnseco para
controlar sus caractersticas de conduccin. La conductividad del silicio y el germanio
se incrementa drsticamente mediante la adicin controlada de impurezas al material
semiconductor intrnseco (puro). Este proceso, llamado dopado, incrementa el nmero
de portadores de corriente (electrones o huecos). Los dos portadores de impurezas son el
tipo N y el tipo p.
10. Cmo se forma un semiconductor tipo N?
Para incrementar el nmero de electrones de banda de conduccin en silicio intrnseco
se agregan tomos de impureza pentavalente. Estos son tomos son cinco electrones de
valencia tales como arsnico (As), fsforo (P), bismuto (Bi) y antimonio (Sb).
Como ilustra la figura 1-15, cada tomo pentavalente (antimonio, en este caso) forma
enlaces covalentes con cuatro tomos de silicio adyacentes. Se utilizan cuatro de los
electrones de valencia del tomo de antimonio para formar enlaces covalentes con
tomos de silicio y queda un electrn extra. Este electrn extra llega a ser un electrn de
conduccin porque no interviene en el enlace. Como el tomo pentavalente cede un
electrn, se conoce como tomo donador. El nmero de electrones de conduccin puede
ser controlado con cuidado mediante el nmero de tomos de impureza agregados al
silicio. Un electrn de conduccin creado mediante este proceso de dopado no deja un
hueco en la banda de valencia porque excede el nmero requerido para llenarla.
Portadores mayoritarios y minoritarios: Como la mayora de los portadores de
corriente son electrones, el silicio (o el germanio) dopado con tomos pentavalentes es
un semiconductor tipo n (N expresa la carga negativa de un electrn). Los electrones se
conocen como portadores mayoritarios en material tipo n. Aunque la mayora de los
portadores de corriente en un material tipo n son electrones, tambin existen algunos
huecos que se crean cuando trmicamente se generan pares electrn-hueco (estos
huecos no se producen por la adicin de tomos de impureza pentavalentes). Los huecos
en un material tipo N reciben el nombre de portadores minoritarios.

11. Cmo se forma un semiconductor tipo P?
Para incrementar el nmero de huecos en silicio intrnseco, se agregan tomos de
impureza trivalentes: tomos con tres electrones de valencia tales como boro (B), indio
(In) y galio (Ga). Como muestra la figura 1-16, cada tomo trivalente (boro, en este
caso) forma enlaces covalentes con cuatro tomos de silicio adyacentes. Se utilizan los
tres electrones de valencia del tomo de boro en los enlaces covalentes y, como son
necesarios cuatro electrones, resulta un hueco cuando se agrega cada tomo trivalente.
Como el tomo trivalente puede tomar un electrn, a menudo se hace referencia a l
como tomo aceptor. El nmero de huecos se controla cuidadosamente con el nmero
de tomos de impureza trivalente agregados al silicio. Un hueco creado mediante este
proceso de dopado no est acompaado por un electrn de conduccin (libre).
Portadores mayoritarios y minoritarios: Como la mayora de los portadores de
corriente son huecos, el silicio (o germanio) dopado con tomos trivalentes se llama
semiconductor tipo P. Los huecos son los portadores mayoritarios en un material tipo p.
Aunque la mayora de los portadores de corriente en un material tipo pson huecos,
tambin existen algunos electrones de banda de conduccin que se crean cuando
trmicamente se generan pares electrn-hueco. Estos electrones de banda de conduccin
no se producen por la adicin de tomos de impureza trivalentes. Los electrones de
banda de conduccin en un material tipo P son los portadores minoritarios.

12. Cules son portadores mayoritarios en un semiconductor tipo N?
Los electrones Ne: se le llaman portadores mayoritarios en un material de tipo N.
Ocupan la banda de conduccin.
13. Qu es la unin PN?
La unin PN es el lmite entre dos tipos diferentes de materiales semiconductores.

14. Cmo se forman las capas polarizadas en la unin PN?

15. Cul es el valor del potencial de barrera de la unin PN de silicio?
Efecto del potencial de barrera durante la polarizacin en directa: Recuerde que el
campo elctrico entre los iones positivos y negativos de la regin de empobrecimiento a
ambos lados de la unin crea una colina de energa que impide que los electrones
libres se difundan a travs de la unin en equilibrio. Esto se conoce como potencial de
barrera. Cuando se aplica polarizacin en directa, los electrones libres reciben suficiente
energa de la fuente de voltaje de polarizacin para vencer el potencial de barrera y
escalar la colina de energa, atravesando as la regin de empobrecimiento. La energa
que requieren los electrones para pasar a travs de la regin de empobrecimiento es
igual al potencial de barrera. En otras palabras, los electrones ceden una cantidad de
energa equivalente al potencial de barrera cuando atraviesan la regin de
empobrecimiento. Esta prdida de energa produce una cada de voltaje a travs de la
unin PN igual al potencial de barrera (0.7 V) para el Silicio.Ocurre una cada de voltaje
adicional a travs de las regiones PN y debido a la resistencia interna del material. En el
caso de un material semiconductor dopado, esta resistencia, llamada resistencia
dinmica, es muy pequea y casi siempre se puede despreciar.
16. Cul es la diferencia entre polarizacin directa e inversa en trmino de la
corriente que pasa por el diodo? La polarizacin directa es la condicin en la
cual un diodo conduce corriente. La polarizacin inversa es la condicin en la
cual un diodo impide la corriente.

17. Explique cmo polarizar en directo un diodo:
Conexin para polarizacin en directa: Un diodo est polarizado en directa cuando se
conecta a una fuente de voltaje como muestra la figura 1-31(a). La terminal positiva de
la fuente se conecta al nodo mediante un resistor limitador de corriente. La terminal
negativa se conecta al ctodo. La corriente de polarizacin en directa (IF) circula del
nodo al ctodo como se indica. La cada del voltaje de polarizacin en directa (VF)
debido al potencial de barrera es de positivo en el nodo a negativo en el ctodo.
Cuando el diodo est polarizado en directa, acta como un interruptor cerrado en serie
con el voltaje de potencial de barrera equivalente (VB) y la pequea resistencia
dinmica de polarizacin en directa (r`
d
).

18. Explique cmo polarizar en inverso un diodo:
Conexin para polarizacin en inversa: Un diodo est polarizado en inversa cuando se
conecta una fuente de voltaje, como muestra la figura 1-31(b). La terminal negativa de
la fuente se conecta al nodo del circuito y la positiva al ctodo. No es necesario un
resistor de polarizacin en inversa pero se muestra, por consistencia, en el circuito. La
corriente de polarizacin en inversa es extremadamente pequea y puede ser
considerada cero. Observe que todo el voltaje de polarizacin (VPOLARIZACIN)
aparece a travs del diodo. Cuando el diodo est polarizado en inversa, acta como un
interruptor abierto en paralelo con la gran resistencia interna de polarizacin en inversa
(r`
R
).


19. Qu ocurre cuando el voltaje de polarizacin inversa de un diodo se vuelve
excesivamente alto?
Caracterstica V-I para polarizacin en inversa:
Cuando se aplica un voltaje de polarizacin en inversa a travs de un diodo, existe slo
una corriente en inversa extremadamente pequea (IR) a travs de la unin PN. Con 0 V
a travs del diodo, no existe corriente en inversa. A medida que se incrementa
gradualmente el voltaje de polarizacin en inversa, existe una corriente en inversa muy
pequea y el voltaje a travs del diodo se incrementa. Cuando el voltaje de polarizacin
aplicado se incrementa a un valor en el que el voltaje en inversa a travs del diodo (VR)
alcanza el valor de ruptura (VBR), la corriente en inversa comienza a incrementarse con
rapidez.
A medida que contina incrementndose el voltaje de polarizacin, la corriente contina
incrementndose muy rpido, pero el voltaje a travs del diodo se incrementa muy poco
por encima de VBR. La ruptura, con excepciones, no es un modo normal de operacin
de la mayora de los dispositivos con unin PN.
10. Qu es un diodo? Un diodo es un dispositivo que conduce corriente en slo una
direccin. La unin PN es la caracterstica que permite funcionar a diodos, ciertos
transistores y otros dispositivos