Laboratorio de Dispositivos y Circuitos Electrnicos.

Oscilador Astable

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTNOMA DE MXICO

Facultad de Ingeniera
Divisin de Ingeniera Elctrica.
Laboratorio de Dispositivos y Circuitos Electrnicos.

Proyecto Tres.
Ingeniera Inversa
Grupo: 06

Autores:
ALANIS MONTES MIGUEL ANGEL
CAMPOS CHIU CINDY
CASTAEDA RAMOS FRANCISCO JAVIER
CORONAS MORENO GUILLERMO
GOMEZ GONZALEZ LILIA ISABEL
LOREDO RIVERA HECTOR HUMBERTO
LORY GARCIA CESAR
MARTINEZ SERRET LUIS ALFONSO
NIETO ARIAS JOSE DAVID
ORDOEZ VEGA MIGUEL ANGEL
ROBLEDO MIRANDA FRANCISCO JESUS
RODRIGUEZ NEGRETE RODRIGO
RUIZ GONZALEZ ANA LILIA
SANCHEZ CEDILLO ANA VICTORIA GABRIELA FERNANDA
VAZQUEZ VILLAMAR CARLOS RAFAEL
VIZCAINO TORRES RAUL

Mxico, Distrito Federal, Noviembre del 2009.

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Oscilador Astable

Ingeniera Inversa, Oscilador Astable (Multivibrador).

Objetivo
El presente trabajo busca realizar un proyecto de "Ingeniera Inversa"; a partir de un circuito funcional, se
busca obtener su diseo fundamentado a fin se saber cmo funciona y sobre todo obtener los parmetros
necesarios para el diseo del mismo.
Se nos muestra un circuito, para ser exactos el siguiente:

A simple vista, consta de 4 resistencias, dos diodos emisores de luz, dos transistores TBJ (BC547C), y
finalmente dos capacitores electrolticos de 68 [ F]. Pero qu hace? Al ser alimentado por una fuente de
5 [V] de CD a partir de una fuente regulada. El circuito muestra inicialmente un estado de "encendido" de
uno de los LED al que llamaremos LED1, quedando el otro "apagado" al que denominamos LED2;
pasado cierto tiempo LED1 pasa a "apagado" y "enciende " el LED2 que inicialmente se encontraba
"apagado", este proceso se repite indefinidamente, salvo se desconecte la fuente de alimentacin.
Para ser ms estrictos al cambio de estados, de encendido y apagado se le llamar de ahora en adelante
conmutacin.
En un primer acercamiento este circuito al constar de resistencias y capacitores involucra cierta constante
de tiempo , as que podemos pensar que el circuito oscila gracias a estos componentes, y como se
encuentran conectados entre las terminales de los transistores nuestra suposicin es correcta.
Ahora como los diodos conmutan sus estados de encendido y apagado sucesivamente, nos dan la idea de
que oscilan, por tanto el circuito tiene que ver con un circuito oscilador; mas tarde nos daremos cuenta
que, en efecto, es un oscilador en funcionamiento astable.

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He aqu su funcionamiento:
[] Cuando VP1 (VC-Q1) posee VOLTAJE ALTO
Q2 conduce e implica Q1 en corte, mientras tanto VP4 (VB-Q2 =0.6 [V]) por tanto D2 enciende, en tanto
C2 descarga, y C1 carga hasta que VP3 (VB-Q1=0.6 [V]) y Q1 = conduce, Q2 = corte. Entonces conmuta
y Ahora VP2 (VC-Q2) posee VOLTAJE ALTO
Q1 conduce e implica Q2 en corte, mientras tantoVP3 (VB-Q1 =0.6 [V]) por tanto D1 enciende, en tanto
C1 descarga, y C2 carga hasta que VP4 (VB-Q2=0.6 [V]) y Q2 = conduce, Q1 =corte. Entonces conmuta
y []
Se comprende lo dicho anteriormente?'
Realmente esta explicacin carece de sentido sin la teora que sustente esta aseveracin, por ende
dedicaremos la primer parte a la teora de transistores, y la segunda concluir con el clculo de la
frecuencia del mismo, que es realmente lo que se busca.
Para realizar un anlisis cualitativo; se requiere primeramente, conocer la teora bsica de un transistor
con el fin de entender el porqu de la oscilacin. Recurdese que el tema de transistores es bastante
extenso y por dichas razones no se incluye enteramente en el presente trabajo, slo se abarcar el tema de
transistores en configuracin de emisor comn, dado que el circuito de la fotografa anterior presenta
dicha configuracin en su esquematizacin (diagrama circuital).
Con ello en mente se invita al lector que recurra a la bibliografa de su preferencia, y recuerde bien el
tema de Leyes de Kirchhoff, ley de Ohm. Con ello la comprensin del tema ser mucho ms simple.

Ingeniera Inversa
Introduccin
La presente teora nos ayudar a comprender como funciona nuestro circuito.
CONFIGURACIN DE EMISOR COMN
La configuracin de transistor que se encuentra ms a menudo aparece en la figura 1 para los transistores
pnp y npn. Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o hace
referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es comn tanto a la terminal de
base como a la de colector). Una vez ms, se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir por
completo el comportamiento de la configuracin de emisor comn: uno para el circuito de entrada o baseemisor y otro para el circuito de salida o colector-emisor. Ambos se muestran en la figura 1.1

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Figura 1 Notacin y smbolos utilizados con la configuracin de emisor comn: a) transistor npn; b) transistor
pnp.

Las corrientes del emisor, colector y base se muestran en su direccin convencional para la corriente. Si
bien cambi la configuracin del transistor, an se puede aplicar las relaciones de corriente que se
desarrollaron antes para la configuracin de base comn. Es decir,
IE = IC + IB e IC = IE.
Para la configuracin de emisor comn, las caractersticas de salida son una grfica de la corriente de
salida (lC) en funcin del voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de corriente de entrada (IB). Las
caractersticas de entrada son una grfica de la corriente de entrada (IB) en funcin del voltaje de entrada
(VBE) para un rango de valores de voltaje de salida (VCE).
Figura 1.1 Caractersticas de un transistor de silicio en la configuracin de emisor comn: a) caractersticas
del colector; b) caractersticas de la base.

Obsrvese que en las caractersticas de la figura 1.1 la magnitud de IB se indica en microamperios,

comparado con los miliamperios de IC. Considere tambin que las curvas de IB no son tan horizontales
como las que se obtuvieron para IE en la configuracin de base comn, lo cual indica que el voltaje del
colector al emisor tendr influencia sobre la magnitud de la corriente del colector.
La regin activa para la configuracin del emisor comn es la parte del cuadrante superior derecho que
tiene mayor linealidad, es decir, la regin en la que las curvas para lB son casi rectas e igualmente
espaciadas. En la figura 1.1, esta regin existe a la derecha de la lnea punteada en VCE y por arriba de la
curva para IB igual a cero. La regin a la izquierda de VCE se denomina regin de saturacin.
En la regin activa de un amplificador de base comn la unin del colector-base se encuentra
polarizada inversamente, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada directamente.

Recuerde que estas son las mismas condiciones que existieron en la regin activa de la configuracin de
base comn. La regin activa de la configuracin de emisor comn se puede emplear tambin para la
amplificacin de voltaje, corriente o potencia.

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La regin de corte para la configuracin de emisor comn no est tan bien definida como para la
configuracin de base comn. Obsrvese en las caractersticas del colector de la figura 1.1 que IC no es
igual a cero cuando IB es cero. Para la configuracin de base comn, cuando la corriente de entrada lE fue
igual a cero, la corriente del colector fue igual slo a la corriente de saturacin inversa ICO de tal forma
que en la curva IE = 0 y el eje de los voltajes fue uno para todos los propsitos prcticos.
Si ICB0 fuera 1 A. la corriente resultante del colector con IB = 0 A sera 250(1 [ A]) = 0.25 [mA], segn
se refleja en las caractersticas de la figura 1.1.

Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin), el corte para la configuracin de emisor
comn se definir mediante IC = lCEO.
En otras palabras, la regin por abajo de IB = 0 [ A] debe evitarse si se requiere una seal de salida sin
distorsin.
Cuando se utiliza como interruptor en el circuito lgico de una computadora, un transistor tendr dos
puntos de operacin interesantes: uno en la regin de corte y otro en la regin de saturacin. La condicin
ideal de corte debe ser IC = 0 [mA] para el voltaje elegido VCE. Debido a que ICEO suele ser bajo en
magnitud para los materiales de silicio, el corte existir para fines de conmutacin cuando lB = 0 [ A] o
lC=ICEO Pero solo para los transistores de silicio. Sin embargo, para los transistores de germanio, el
corte para fines de conmutacin se definir mediante las condiciones que existan cuando IC = ICB0. Dicha
condicin se puede obtener, por lo regular, para los transistores de germanio mediante la polarizacin
inversa de la unin base-emisor, con unas cuantas dcimas de volt.
Recuerde que para la configuracin de base comn se hizo una aproximacin al conjunto de
caractersticas de entrada mediante un equivalente de segmentos lineales, que dio como resultado VBE =
0.7 [V] para cualquier nivel de IE mayor que 0 [mA]. Para la configuracin de emisor comn se puede
recurrir al mismo mtodo, lo cual da por resultado el equivalente aproximado de la figura 1.2 El resultado
da sustento a la conclusin anterior respecto a que para un transistor "encendido" o activo, el voltaje de la
base-emisor es de 0.7 V. En este caso, el voltaje est fijo para cualquier nivel de corriente de base.

Condiciones de circuito relativos a ICEO.

Figura 1.2 Equivalente de segmentos lineales para las caractersticas del diodo de la figura 1.1b.

BETA
En el modo de de, los niveles de IC e lB se relacionan mediante una cantidad a la que llamaremos beta y se
definen mediante la ecuacin siguiente:

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Donde IC e IB son determinadas en un punto de operacin en particular de las caractersticas. Para los
dispositivos prcticos, el nivel de suele tener un rango entre cerca de 50 y ms de 400, con la mayora
dentro del rango medio. Como para , revela ciertamente la magnitud relativa de una corriente respecto
a la otra. Para un dispositivo con una de 200. La corriente del colector equivale a 200 veces la magnitud
de la corriente de base.
En las hojas de especificaciones, dc se incluye, por lo regular, como hFE. Los subndices FE se derivan
de una amplificacin de corriente directa (por las siglas en ingls de forward) y la configuracin de
emisor comn, respectivamente.
El nombre formal para ac es factor de amplificacin de corriente directa de emisor comn. Debido a que,
por lo general, la corriente del colector es la corriente de salida para una configuracin de emisor comn,
y la corriente de base es la corriente de entrada, el trmino amplificacin se incluye en la nomenclatura
anterior.
Es posible establecer una relacin entre y utilizando las relaciones bsicas que se han presentado hasta
ahora. Al utilizar
= IC/IB
Se tiene que
IB = IC/
Y a partir de
=lC/lE
Se tiene que
IE= lC/.
Al
sustituir
en

Se tiene que
Y al dividir ambos miembros de la ecuacin entre IC se obtiene

O bien
En consecuencia

O bien

A su vez, recuerde que

Pero al utilizar una equivalencia de

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Derivado de lo anterior, se encuentra que

O bien
Segn se indica en la figura 1.1a. Beta es un parmetro en particular importante porque ofrece un vnculo
directo entre los niveles de corriente de los circuitos de entrada y los de salida para una configuracin de
emisor comn. Es decir,

Y dado que

Se tiene
Las dos ecuaciones anteriores desempean un papel muy importante en el anlisis que se realiza a
continuacin.
Polarizacin
La polarizacin adecuada de un amplificador de emisor comn puede determinarse de una manera similar
a la presentada para la configuracin de base comn. Suponga que se le presenta un transistor npn como
el que se muestra en la figura 1.3a, y se pide aplicar la polaridad correcta para colocar al dispositivo en la
regin activa.
El primer paso consiste en indicar la direccin de 1E segn lo establece la flecha en el smbolo del
transistor como se muestra en la figura 1.3b. Despus, se presentan las otras corrientes como se indica,
tomando en cuenta la relacin de la ley de corriente de Kirchhoff: IC + IB = IE Por ltimo, se introducen

Figura 1.3 Determinacin del arreglo polarizacin apropiada para una configuracin de transistor npn en emisor comn.

las fuentes con las polaridades que soportarn las direcciones resultantes de 1B e IC, segn se muestra en
la figura 1.3c, para completar el concepto. El mismo sistema puede aplicarse a los transistores pnp. Si el
transistor de la figura 1.3 tiene un transistor pnp, se invertirn todas las corrientes y polaridades de la
figura 1.3c.
Para que el BJT este polarizado en su regin lineal o de operacin activa, los siguientes puntos deben
resultar exactos:
1. La unin base-emisor debe tener una polarizacin directa (voltaje de la regin p ms positivo) con un
voltaje de polarizacin directa resultante de aproximadamente 0.6 a 0.7 V.
2. La unin base-colector debe tener una polarizacin inversa (voltaje de la regin n ms positivo) con un
voltaje de polarizacin inversa resultante de cualquier valor dentro de los lmites mximos del dispositivo.
[Obsrvese que para la polarizacin directa el voltaje a travs de la unin p-n es p-positiva, mientras que
para la polarizacin inversa es opuesto (inverso) con n-positiva. Este nfasis sobre la letra inicial debe

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ofrecer un medio para ayudar a memorizar la polaridad necesaria de voltaje.] La operacin en las regiones
de corte, saturacin y lineal de las caractersticas del BJT se ofrecen de la siguiente manera:
1. Operacin en la regin lineal:
Unin base-emisor con polarizacin directa Unin base-colector con polarizacin inversa.
2. Operacin en la regin de corte:
Unin base-emisor con polarizacin inversa.
3. Operacin en la regin de saturacin: Unin base-emisor con polarizacin directa Unin base-colector
con polarizacin directa.

MALLA II
Colector-

+
+

MALLA I
Base-

Figura 1.4 Circuito de polarizacin

Malla 1
Considere primero la malla del circuito base-emisor de la figura 1.4. Cuando escriba la ecuacin de
voltaje de Kirchhoff en la direccin de las manecillas del reloj, se obtendr:
Ntese la polaridad de la cada de voltaje a travs de RB establecida por la direccin indicada de IB.
Cuando se resuelve la ecuacin para la corriente IB da por resultado lo siguiente:

Es verdad que la ecuacin anterior no es difcil de recordar si se toma en cuenta que la corriente de base
es la corriente a travs de RB , y de acuerdo con la ley de Ohm dicha corriente es el voltaje a travs de RB
dividido entre la resistencia RB. El voltaje a travs de RB es el voltaje VCC aplicado en un extremo menos
la cada a travs de la unin base-emisor (VBE). Debido a que el voltaje VCC y el voltaje base-emisor son
constantes RB, fija el nivel de la corriente de base para el punto de operacin.
Malla 2
Es interesante observar que debido a que la corriente de base est controlada por el nivel de RB y que IC
est relacionada a IB por la constante , la magnitud de IC no es una funcin de la resistencia RC. El
cambio de RC hacia cualquier nivel no afectar el nivel de IB o de lC mientras se permanezca en la regin
activa del dispositivo. El nivel de RC determinar la magnitud de VCE, el cual es un parmetro importante.

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La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff en la direccin del sentido de las manecillas del reloj
alrededor de la malla cerrada indicada en la figura 1.4 dar por resultado lo siguiente:

Ecuaciones auxiliares

Saturacin del transistor

El trmino saturacin se aplica a cualquier sistema donde los niveles han alcanzado sus mximos valores.
Una esponja saturada es aquella que no puede contener otra gota de lquido. Para un transistor que opera
en la regin de saturacin la corriente es un valor mximo para el diseo en particular. El cambio en el
diseo puede ocasionar que el nivel de saturacin correspondiente pueda llegar a incrementarse o
descender. Desde luego, el nivel ms alto de saturacin est definido por la corriente mxima del colector,
y se proporciona en la hoja de especificaciones.
Las condiciones de saturacin se evitan normalmente porque la unin base-colector ya no se encuentra
con polarizacin inversa y la seal de salida amplificada se distorsionar. Un punto de operacin en la
regin de saturacin se describe en la figura 4.8a. Ntese que se trata de una regin donde las curvas
caractersticas se juntan y el voltaje colector-emisor se encuentra en o por debajo de VCE. Adems, la
corriente del colector es relativamente alta en las caractersticas.
Si se aproximan las curvas de la figura 1.5a a las que aparecen en la figura 1.5b, el mtodo directo para
determinar el nivel de saturacin se toma aparente. En la figura 1.5b la corriente es ms o menos alta y el
voltaje VCE se asume de 0 volts. Al aplicar la ley de Ohm, puede calcularse la resistencia entre las
terminales del colector y las del emisor de la siguiente manera:

Figura 1.5 Regin de saturacin a) real b) aproximada.

Por tanto, y para el futuro, si existiera una necesidad inmediata de conocer la comente mxima del
colector (nivel de saturacin) para un diseo en particular, slo se inserta un equivalente de corto circuito
entre el colector y el emisor del transistor y se calcula la corriente resultante del colector. En resumen,
slo haga VCE = 0 V. Para la configuracin de polarizacin fija de la figura 1.6 el corto circuito se aplic,
causando que el voltaje a travs de RC se convierta en el voltaje aplicado VCC. La corriente de saturacin
resultante para la configuracin de polarizacin fija es

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Figura 1.6 Determinacin de ICSAT para la configuracin de polarizacin fija.

Una vez que IC se conoce puede tenerse idea de la corriente mxima posible del colector para el diseo
escogido, y el nivel bajo el cual debe permanecer si se espera una amplificacin lineal.
Ahora somos capaces, de puede comenzar con el anlisis de un circuito conformado por transistores TBJ,
en configuracin de emisor comn.

Oscilador Astable

En electrnica, un astable es un oscilador que no tiene ningn estado estable, lo que significa que posee
dos estados "quasi-estables" entre los que conmuta, permaneciendo en cada uno de ellos un tiempo
determinado. La frecuencia de conmutacin depende, en general, de la carga y descarga de
condensadores. Entre sus mltiples aplicaciones se cuentan la generacin de ondas peridicas (generador
de reloj) y de trenes de impulsos. En la siguiente figura se muestra el esquema del oscilador astable
acoplado por colector realizado con componentes discretos, y que es objeto de nuestro estudio.
Q2




Q1










V1


C1
Probe2,Probe2

R2

R3

R1

R4

LED2

Probe1,Probe1

LED1

V:
V(p-p):
V(rms):
V(dc):
I:
I(p-p):
I(rms):
I(dc):
Freq.:

C2

V:
V(p-p):
V(rms):
V(dc):
I:
I(p-p):
I(rms):
I(dc):
Freq.:

Figura 2. Esquema del circuito oscilador realizado en NI Multisim 10

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Siendo su estado inestable, consiste en un oscilador de pulsos. Se lo disea con dos transistores y dos
redes, normalmente RC, que harn propicia una relajacin.

Figura 2.1. la correspondiente simulacin del circuito, utilizando la funcin de anlisis transitorio.

El anlisis transitorio es una funcin que "muestrea" una variable especificada en intervalos de tiempo
definidos (muy pequeos), en este caso monitoreamos el valor de la cada de voltaje en los puntos probe 1
y probe 2 que corresponden a las salidas de Vsalida 1 y Vsalida 2, respectivamente. Para observar las salidas
se colocaron diodos LED, stos indican el estado de las salidas del circuito a travs del tiempo.
A Q1 corresponde un capacitor, un LED y 2 resistencias asociadas, igualmente para Q2; como se habr
notado, el circuito es simtrico, por tanto los clculos realizados para una malla son vlidos para la otra.
Q2




Q1










V1


C1
Probe2,Probe2

R2

R3

R1

R4

LED2

Probe1,Probe1

LED1

V: 136 mV
V(p-p): 12.0 mV
V(rms): 131 mV
V(dc): 131 mV
I: 32.0 mA
I(p-p): 120 uA
I(rms): 32.1 mA
I(dc): 32.1 mA
Freq.: 19.7 kHz

C2

V: 3.33 V
V(p-p): 32.2 mV
V(rms): 3.34 V
V(dc): 3.34 V
I: 72.9 uA
I(p-p): 206 uA
I(rms): 89.1 uA
I(dc): 15.5 uA
Freq.: 50.0 kHz

Al aplicar la tensin de alimentacin (VCC), los dos transistores iniciaran la conduccin, ya que sus bases
reciben un potencial positivo a travs de las resistencias R-3 y R-4, pero como los transistores no sern
exactamente idnticos, por el propio proceso de fabricacin y el grado de impurezas del material
semiconductor, uno conducir antes o ms rpido que el otro.

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Supongamos que es Q-1 el que conduce primero. En estas condiciones el voltaje en su colector estar
prximo a 0 voltios, por lo que el C-2 comenzar a cargarse a travs de R-4. Cuando el voltaje en C-2
alcance los 0,6 V, Q-2 comenzar a conducir, pasando la salida a nivel bajo (tensin prxima a 0V). C-1,
que se haba cargado va R-2 y unin base-emisor de Q-1, se descargar ahora provocando el bloqueo de
Q-1.
C-1 comienza a cargarse va R-3 y al alcanzar la tensin de 0,6 V provocar nuevamente la conduccin de
Q-1, la descarga de C-2, el bloqueo de Q-2 y el pase a nivel alto (tensin prxima a Vcc (+) de la salida
en probe 2) esto se repite indefinidamente.

Q2




Q1










V1


C1
Probe2,Probe2

R2

R3

R1

R4

LED2

Probe1,Probe1

LED1

V: 3.33 V
V(p-p): 95.4 mV
V(rms): 3.34 V
V(dc): 3.34 V
I: 115 uA
I(p-p): 954 uA
I(rms): 147 uA
I(dc): 36.2 uA
Freq.: 50.0 kHz

C2

V: 123 mV
V(p-p): 39.7 mV
V(rms): 122 mV
V(dc): 122 mV
I: 32.2 mA
I(p-p): 397 uA
I(rms): 32.2 mA
I(dc): 32.2 mA
Freq.: 14.7 kHz

A partir de aqu la secuencia se repite indefinidamente, dependiendo los tiempos de conduccin y bloqueo
de cada transistor de las relaciones R-4/C-2 y R-3/C-1. Estos tiempos no son necesariamente iguales, por
lo que pueden obtenerse distintos ciclos de trabajo actuando sobre los valores de dichos componentes.
Para nuestro caso concreto estas relaciones correspondientes son:
Relacin 1= 1.470588235E-4
Relacin 2 = 1.470588235E-4

Asignacin de patillas del transistor BC547

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Solo basta con calcular la frecuencia de de nuestro circuito de la siguiente manera:
Para el circuito de la figura anterior determinar los parmetros elctricos de este segn datos:
DATOS: Rc1= Rc2= 100

C1 y C2= 68 F
Vcc=5v .
= 240. (Beta es obtenido de un multmetro para asegurar mayor exactitud en los clculos)
VBE = 0,65 v.
e idealizamos a los diodos LED como un "corto circuito".
DESARROLLO:
1.- Calculo de IC para ambos transistores en saturacin o conduccin:

IC =

VCC
5
=
IC = 50 mA.
RC1 100

2.- Calculo de la corriente IB para ambos transistores en saturacin o conduccin.

IC

IB =

50 10 3
IB = 208A.
240

IB = 416 A.
Se duplica IB para asegurar la conmutacin.
3.- Calculo de RB3= RB4, aplicando la ecuacin de la malla de entrada.

VCC = (IB RB ) + VBE DESPEJE DE RB RB1 = RB 2 =

VCC VBE
5 0,65
=

IB
416 10 6

RB1 = RB 2 = 10448 .
La resistencia ms cercana es de 10[k ], nos damos cuenta que el circuito armado posee estas
resistencias en las respectivas bases de los transistores. Ello indica que vamos por buen camino
4.- Calculo de los tiempos de nivel alto y nivel bajo, con la ecuacin de la carga y descarga del
condensador :

t1 = 0,693 RB C t1 = 0,693 10 .448 10 3 68 10 6 t1 = 0.49235155 2 [ s ]

El tiempo t2 es idntico ya que el circuito es simtrico.
5.- Calculo del perodo de la seal cuadrada generada:

T = t1 + t 2 T = 2 t1 T = 0.98470310 4[ s ]
6.- Calculo de la frecuencia de la seal cuadrada:

f =

1
1
=
f = 1.01553452 6[ Hz ]
T 0.98470310 4

Hay otra manera de calcular f:

Suponiendo lo siguiente.
C

>

>

R
I

C
I

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y cuando uno se corta

2
B

en la transicin
2
B

Diseo
Sean los datos
2
.

Elegimos los transistores y con el dato

I
.

obtenemos del manual

.

lo que nos determinar

RB
Calculamos finalmente los condensadores
I

>

2
.

2
.

2
T

Ahora somos capaces de entender lo siguiente

[] Cuando VP1 (VC-Q1) posee VOLTAJE ALTO
Q2 conduce e implica Q1 en corte, mientras tanto VP4 (VB-Q2 =0.6 [V]) por tanto D2 enciende, en tanto
C2 descarga, y C1 carga hasta que VP3 (VB-Q1=0.6 [V]) y Q1 = conduce, Q2 = corte. Entonces conmuta
y
Ahora VP2 (VC-Q2) posee VOLTAJE ALTO
Q1 conduce e implica Q2 en corte, mientras tantoVP3 (VB-Q1 =0.6 [V]) por tanto D1 enciende, en tanto
C1 descarga, y C2 carga hasta que VP4 (VB-Q2=0.6 [V]) y Q2 = conduce, Q1 =corte
entonces conmuta y []
Tericamente dicho voltaje alto debiera ser igual a VCC = 5[V], en la realidad es un poco menor a ste
valor. Esto es lo que significa la grafica anterior.
Con ello damos por terminado este trabajo. Si desea profundizar an ms consulte la bibliografa sugerida
por el temario de la asignatura.

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