ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.

Modelos anal Modelos anal gico y digital gico y digital

del transistor MOSFET del transistor MOSFET
ELEMENTOS ACTIVOS
EL-2207
II SEMESTRE 2008
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
Objetivos Objetivos
El transistor de efecto de campo MOSFET y la tecnologa CMOS (6
semanas)
Construccin, smbolo, clasificacin.
Funcionamiento.
Curvas caractersticas y polarizacin.
Modelo del MOSFET para aplicaciones analgicas.
Modelo del MOSFET para aplicaciones digitales.
Capacitancias internas y modelos de alta frecuencia.
Aplicaciones: El FET como interruptor: interruptor serie, paralelo,
inversor lgico y compuertas lgicas bsicas
Escalamiento de MOSFETs
Objetivo
Conocer el comportamiento y modelado del transistor de efecto de
campo MOSFET, as como sus principales aplicaciones.
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
Modelos del MOSFET Modelos del MOSFET
MOSFET
Simuladores/Clculo Clculo
Nivel1,2,3 BSIM
Para aplicaciones
analgicas
Para aplicaciones
digitales
Pequea seal Gran seal
Baja frecuencia
Alta frecuencia
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
Modelo de Nivel 1 Modelo de Nivel 1
DS
DS
TH GS DS
DS
TH GS D
V
V
V V K V
V
V V
L
W
K I = = )
2
( )
2
( '
D eff
eff OX
OX
OX
OX
L L L
L
W
t
K
V
A
t
K 2 , '
2
=

=
(

=

) 1 ( ) (
2
'
2
DS TH GS D
V V V
L
W K
I + =
Ecuaciones del modelo de nivel 1
V
GS
> V
TH
, V
GS
-V
TH
> V
DS
V
GS
> V
TH
, V
GS
-V
TH
< V
DS
) 2 2 (
0 B B SB TH TH
V V V + =
ox
si A
C
qN

2
|
|
.
|

\
|
=
A
i
t B
N
n
V ln
V
GS
< V
TH
0 =
D
I
Voltaje de umbral
Saturacin
Lineal
Subumbral
L
D
: traslape del canal y
regiones de difusin
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
L
W
A
L
W
V V I I
e I I
TH GS D D
mV
V V
D D
t
TH GS
= =
=

1 . 0 ) (
0
) (
0
El modelo de nivel 2 considera:
Variacin de la movilidad con el campo elctrico
Saturacin de la velocidad de arrastre
Ecuacin de corriente de subumbral
ox
dep
C
C
m + = 1
El modelo de nivel 3 considera:
Modelado de efectos de canal corto, vlidos para L hasta de 2 m
Modelado emprico: menos ecuaciones y reduccin de tiempo de simulacin
Efectos de canal corto y canal angosto, en parte con parmetros de ajuste
Modelos de Nivel 2 y 3 Modelos de Nivel 2 y 3
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
Modelo BSIM Modelo BSIM
BSIM: Berkeley Short-Channel IGFET Model
Modelo ms utilizado en simulacin
Alrededor de 150 parmetros. Incluye
Efectos de canal corto
Corriente de compuerta
Efectos de temperatura
Modulacin de canal corto
Saturacin de velocidad
Corriente de subumbral
Varios modelos de capacitancia
DIBL (drain induced barrier lowering)
Ruido, entre otros
http://www-device.eecs.berkeley.edu/bsim3/
Un modelo compacto ampliamente utilizado es el modelo EKV de Philips
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
Modelo del MOSFET Para Aplicaciones Digitales Modelo del MOSFET Para Aplicaciones Digitales
MOSFET como interruptor paralelo
Resistencia de conmutacin
Asumir paso de corte a saturacin en tiempo t0
V
c
(0)=V
DD
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
Modelo del MOSFET Para Aplicaciones Digitales Modelo del MOSFET Para Aplicaciones Digitales
Resistencia de conmutacin
Para calcular la resistencia de conmutacin se toman los valores finales e
iniciales de voltaje y corriente, como se muestra en el grfico
DD DS GS
V V V
DS
DD
I
V
R
= =
=
V
DD
Pendiente = 1/R
t=0
+
V
GS
=V
DD
, V
DS
=V
DD
DD DS GS
V V V
DS
I
= =
t 5 V
DS
=0, I
DS
=0
(el capacitor est descargado)
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
Modelo del MOSFET Para Aplicaciones Digitales Modelo del MOSFET Para Aplicaciones Digitales
Para comprender los efectos capacitivos, considere primero lo siguiente:
El circuito puede dividirse en un circuito de entrada y un circuito de salida con
el doble de la capacitancia
V=2V
DD
Q= C*2V
DD
V=V
DD
Q= 2C*V
DD
Para t < 0
Para t > 0
+
+ -
V
DD
-
V
DD
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
Modelo del MOSFET Para Aplicaciones Digitales Modelo del MOSFET Para Aplicaciones Digitales
Efectos capacitivos
Asume paso de corte a saturacin en tiempo t0
Asuma que la capacitancia entre compuerta y drenador, as como la capacitancia
entre compuerta y surtidor es 0.5C
ox
(operacin en la zona lineal).
Esta es una sobreestimacin del valor de la capacitancia, para calcular el
peor de los casos.
La capacitancia entre compuerta y
drenador conecta la entrada con la
salida.
Separando la capacitancia entre
compuerta y drenador en una
capacitancia equivalente entre la entrada
y tierra, y la salida y tierra
se tiene el circuito de la derecha
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
Modelo del MOSFET Para Aplicaciones Digitales Modelo del MOSFET Para Aplicaciones Digitales
El modelo equivalente incluyendo efectos capacitivos es, entonces
ox ox ox gd gs inn
C C C C C C 5 . 1 5 . 0 = + = + =
ox ds outn
C C C = =
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
Modelo Anal Modelo Anal gico del MOSFET gico del MOSFET
Modelo analgico segn regin de operacin
Comportamiento
resistivo
Comportamiento de
fuente de corriente
Comportamiento de
fuente de corriente
en paralelo con una
resistencia
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
Modelo Anal Modelo Anal gico en Regi gico en Regi n Lineal n Lineal
MOSFET se comporta como resistencia R
ch
(resistencia de canal)
1
|
|
.
|

\
|

=
DS
D
ch
V
R
DS
DS
TH GS D
V
V
V V K Con )
2
( =
) (
DS TH GS
DS
D
V V V K
V
=

) (
1
DS TH GS
ch
V V V K
R

=
) (
1
TH GS
ch
V V K
R

lo cual para V
DS
<< V
DSAT
puede aproximarse a
Por lo tanto, la resistencia de canal se calcula como
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
Modelo Anal Modelo Anal gico en Regi gico en Regi n de Saturaci n de Saturaci n n
MOSFET se comporta como fuente de corriente en paralelo con resistencia
( )
DS TH GS TH GS D
V V V K V V K
2 2
) (
2
1
) (
2
1
+ =
= ) (
DS
V f Constante, independiente de V
DS
= fuente de corriente ideal I
DSAT
resistencia
I
DSAT
I
D
-I
DSAT
V
DS
-V
DSAT
V
DSAT
r
O
I
D
I
DSAT
V
DS
+
-
DSAT
O
I
r

1
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
Resistencia de Salida Resistencia de Salida
Modulacin de largo de canal causa resistencia de salida 0
D
A
D
o
V
DS
DS
d
o
I
V
I
r
V
I
g
r
GS
= =
(

= =
=

1 1
constante
1
-V
A
= -1/
En saturacin,
V
A
: voltaje de Early
Donde I
D
es la corriente I
DS
en
saturacin sin tomar en cuenta la
modulacin de largo de canal
A DS
V V
DS
I
=
= 0
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
Modelo de Peque Modelo de Peque a Se a Se al del MOSFET al del MOSFET
En baja frecuencia, el modelo de pequea seal del MOSFET es:
r
o
g
m
v
gs g
mb
v
bs
+
-
v
gs
G
S
B
D
+
-
v
bs
Ntese que cuando V
B
< V
S
, el signo de V
bs
es negativo y la
corriente de la fuente g
mb
V
bs
cambia de direccin, indicando una reduccin
de la corriente entre drenador y surtidor, lo cual equivale a un aumento
del voltaje de umbral
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
Transconductancia Transconductancia
La transconductancia de un
MOSFET se define como:
es decir, g
m
es la pendiente de la
curva caracterstica de
transferencia i
D
-v
GS
en el punto
de operacin
GS GS
V v
GS
D
m
v
i
g
=

=
TH GS
D
D TH GS m
V V
K V V K g

= = =
2
2 ) (
V
TH
Aplicando la definicin
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
Transconductancia Transconductancia de Substrato de Substrato
La transconductancia de substrato de un MOSFET se define como:
BS BS GS GS
V v V v
BS
D
b m
v
i
g
= =

=
,
m mb
g g =
que tambin puede calcularse como
SB B SB
TH
V V
V
+
=

2 2
Donde
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
Modelo de Peque Modelo de Peque a Se a Se al al
Los pasos a seguir para obtener el equivalente de pequea seal son:
Determinar el punto de operacin
anlisis de circuitos
ecuaciones caractersticas
Calcular los parmetros de corriente alterna con los puntos de operacin
obtenidos
Reemplazar las fuentes de voltaje de corriente directa (CD) por cortos
circuitos y las fuentes de corriente de CD por circuitos abiertos.
Reemplazar los elementos activos del circuito por sus equivalentes de
pequea seal de acuerdo con los parmetros de CA calculados
ITCR - Elementos Activos II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C.
Modelo de Peque Modelo de Peque a Se a Se al en Alta Frecuencia al en Alta Frecuencia
En alta frecuencia, el modelo de pequea seal del MOSFET es:
r
o
g
m
v
gs g
mb
v
bs
+
-
v
gs
G
S
B
D
+
-
v
bs C
gs
C
gd
C
gb
C
bs