1

ELECTRONI CA I MODULO VI I
Tema 7: Transistores bipolares

Contenidos acadmicos
Introduccin. Los transistores: generalidades. El interior del
transistor. Dopado y funcin de cada zona. El transistor sin polarizar.
El transistor polarizado. Corrientes en el transistor. El factor de
ganancia. Configuracin en emisor comn. Clculo de la corriente de
base en EC. Curvas caractersticas de entrada y de salida. Clculo de
la tensin de colector y potencia disipada. Zonas de funcionamiento.
Familias de curvas de salida. La zona de corte. Aproximaciones para
el transistor: ideal, segunda y tercera aproximacin. La hoja de
caractersticas y los principales parmetros: limitaciones en la zona
de ruptura, corriente y potencia mximas, factor de ajuste por
temperatura y ganancia de corriente. Los disipadores de calor. El
coeficiente alfa para corriente continua. Conexin en base comn:
generalidades. Anlisis de fallos.

Actividades para el Alumno
Este mdulo acadmico presenta las siguientes actividades para el
alumno:

Actividades de Repaso: Cuestionario con preguntas claves al
final del mdulo.
Las preguntas claves orientan el estudio y dirigen el aprendizaje
hacia los contenidos ms relevantes y significativos de la
materia.

Actividades de Integracin: Ejercitacin en resolucin de
problemas numricos y grficos (al final del mdulo), con
integracin de contenidos en Trabajos Prcticos de Laboratorio
(en Carpeta de Laboratorios).
La ejercitacin propuesta est directamente relacionada con el
objetivo general de la materia: que el alumno se haga
poseedor de conocimientos tericos y prcticos bsicos sobre
teora y aplicaciones de componentes electrnicos
semiconductores (diodos y transistores).

Bibliografa y lecturas recomendadas
El material acadmico de esta materia utiliza distintas fuentes
bibliogrficas, siendo el principal texto Principios de
Electrnica, de Albert Paul Malvino; McGraw Hill (1994).
Otras fuentes bibliogrficas de referencia se mencionan al final del
mdulo.

Nota: Este material contiene ecuaciones editadas.


2
ELECTRONI CA I MODULO VI I
Introduccin

La seal de radio o televisin recibida por una antena es tan dbil que
no sirve para excitar un altavoz o un tubo de televisin. Por tanto,
esta seal se debe amplificar hasta que tenga la potencia suficiente
para ser til.

Antes de 1951, las vlvulas eran el elemento principal empleado para
amplificar seales dbiles. A pesar de que amplifican muy bien, las
vlvulas tienen varias desventajas:
poseen un filamento interno de caldeo que consume 1 W o ms
de potencia
su vida til es de unos cuantos miles de horas, ya que el
filamento se quema al cabo de ese tiempo
ocupan demasiado espacio
disipan calor que eleva la temperatura interna del equipo
electrnico.

En 1951, Shockley invent el primer transistor de unin, un
dispositivo semiconductor capaz de amplificar seales de radio y
televisin. Las ventajas del transistor superan los inconvenientes de
las vlvulas:
no tiene filamento interno de caldeo; por tanto, consume una
potencia mucho menor
como todo dispositivo semiconductor, puede durar
indefinidamente
como es tan pequeo, ocupa mucho menos espacio
como los transistores disipan mucho menos calor, el equipo
electrnico puede funcionar a temperaturas ms bajas

Gracias al transistor se han logrado muchos otros inventos,
incluyendo el circuito integrado (CI), pequeo dispositivo que
contiene miles de resistencias y transistores. Las computadoras
modernas y otros milagros de la electrnica son disponibles gracias al
CI.

En esta unidad estudiaremos a los transistores bipolares (de dos
polaridades), los cuales utilizan electrones libres y huecos.

Los transistores: generalidades

El transistor es un componente electrnico que se distingue por tener
tres patas o terminales de conexin: emisor (E), base (B) y colector
(C).


3
ELECTRONI CA I MODULO VI I

Fig. 1: Transistor y smbolo


Fig.2: Interior del transistor

El transistor puede dejar pasar o bloquear la corriente elctrica y
tambin atenuarla o amplificarla. Se puede entonces utilizar un
transistor como conmutador o como amplificador.

Sobre el cuerpo del transistor se pueden leer las referencias del
mismo: dos letras, tres nmeros y una letra. Esta codificacin nos
informa de los detalles tcnicos de cada transistor:
Tipo de transistor: NPN o PNP
Prdida de rendimiento mximo autorizado en W (P
tot
)
Tensin mxima autorizada en V (V
CBO
)
Corriente de colector mxima autorizada en A (I
Cmax
)
Factor de amplificacin de corriente (I
C
/I
B
)

Detalles tcnicos que se analizan durante el desarrollo de la presente unidad.

El interior del transistor

Un transistor tiene tres zonas de dopado: la zona del emisor, la zona
central o de base y la zona del colector. La figura 3 hace referencia a
dichas zonas en un transistor NPN (tambin hay transistores PNP).



4
ELECTRONI CA I MODULO VI I

Fig. 3: Interior del transistor

Un transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y otra
entre la base y el colector. Por tanto, un transistor es similar a dos
diodos contrapuestos (en oposicin). El emisor y la base forman uno
de los diodos, mientras que el colector y la base forman otro. De ah
que al describir el interior de un transistor se hable de diodo de
emisor y diodo de colector.

Tal como hemos estudiado al tratar la juntura PN, alrededor de la
unin entre las zonas del transistor se forman dos zonas de
deplexin: la zona de deplexin entre el emisor y la base y la zona de
deplexin entre la base y el colector.
En cada una de estas zonas de deplexin la barrera de potencial es
aproximadamente de 0,7 V a 25 C, para transistores de silicio.

Dopado y funcin de cada zona

El emisor est fuertemente dopado; su funcin consiste en emitir o
inyectar electrones libres a la base.
La base es generalmente muy estrecha y tiene un dopado muy ligero;
hace pasar hacia el colector la mayor parte de los electrones
inyectados por el emisor.
El colector, con un nivel de dopado de valor intermedio a los
anteriores, se llama as porque colecta o recoge electrones
provenientes de la base.

E = Emisor: emite electrones
B = Base: controla del flujo de electrones
C = Colector: recoge los electrones

El transistor sin polarizar

Segn lo anterior, la base de un transistor juega un papel muy
importante: controlar el flujo de los electrones que parten del emisor
y son recogidos por el colector.

De hecho, cuando la base del transistor no recibe corriente elctrica,
no hay paso de corriente elctrica entre el colector y el emisor, ya
que se trata de diodos en oposicin. Se dice en este caso que el
transistor est bloqueado o bien despolarizado o sin polarizacin.


5
ELECTRONI CA I MODULO VI I

El transistor polarizado

Al aplicar una pequea corriente sobre la base, y mientras dure sta,
el transistor se polariza o desbloquea y permite el paso de una
corriente elctrica que ser, generalmente, mayor a la que entr por
la base (efecto amplificador).

Para lograr un transistor polarizado hay que trabajar con el siguiente
circuito:


Fig. 4: Transistor polarizado

Donde, la tensin de la fuente V
BB
polariza directamente el diodo del
emisor, mientras que la tensin de la fuente V
CC
polariza
inversamente el diodo de colector; R
B
y R
C
son resistencias
limitadoras de corriente (de proteccin).

Si V
BB
es mayor que la barrera de potencial (0,7 V aprox.), fluir una
elevada corriente de electrones del emisor hacia la base.

Estos electrones libres que ingresan a la base pueden optar por
circular en dos direcciones posibles: pueden abandonar la base por su
terminal, pasando a travs de R
B
en su camino hacia el terminal
positivo de la fuente V
BB
; o pueden circular hacia el colector.

La mayora de los electrones seguir el camino hacia el colector por
dos razones:
por el dbil dopado de la base: los electrones libres (portadores
minoritarios en la base) tiene una larga vida en dicha zona; por
tanto, tienen tiempo suficiente para llegar al colector.
por la estrechez de la base, lo que tambin permite a los
electrones llegar con mayor facilidad al colector.

Los pocos electrones que eligieron fluir desde la base a la resistencia
externa (el 5 % aprox.), se recombinan algunos con los pocos huecos
de la base (ligeramente dopada) y, convertidos as en electrones de
valencia, pueden escapar de la base por la conexin externa.



6
ELECTRONI CA I MODULO VI I
La mayora de los electrones que cruz del emisor a la base (el 95 %
aprox.) atraviesan con mucha facilidad la unin base-colector que
est polarizada en inversa.

Una vez en el colector, los electrones son atrados por la fuente de
tensin V
CC
. Como consecuencia de ello, los electrones libres fluyen a
travs del colector y a travs de R
C
hasta que alcanzan el terminal
positivo de la fuente de tensin del colector.



Resumiendo: V
BB
polariza directamente el diodo emisor, obligando a
los electrones libres del emisor a entrar en la base. sta, siendo
estrecha y apenas dopada, hace que casi todos ellos tengan el tiempo
suficiente para difundirse en el colector. Estos electrones circulan a
travs del colector, a travs de R
C
y hacia el terminal positivo de la
fuente de tensin V
CC
.

Corrientes en un transistor

Haciendo uso de la corriente convencional (contraria al movimiento
real de los electrones), podemos distinguir tres corrientes distintas en
el transistor: la corriente de emisor I
E
, la corriente de base I
B
y la
corriente de colector I
C
.


Fig. 5: Corrientes en un transistor

Como el emisor es la fuente de electrones, su corriente es la mayor
de las tres. Casi todos los electrones del emisor circulan hacia el
colector; por tanto, la corriente de colector es aproximadamente
igual a la corriente de emisor. La corriente de base es muy pequea
comparada con las otras dos corrientes(en transistores de baja
potencia, I
B
es menor que el 1 % de I
C
).

Aplicando la ley de las corrientes de Kirchhoff, tenemos que:
B C E
I I I + =

Esta ecuacin indica que la corriente de emisor es la suma de la
corriente de colector y la corriente de base. Como la corriente de


7
ELECTRONI CA I MODULO VI I
base es mucho menor que la corriente de colector, es habitual hacer
la siguiente aproximacin: I
C
= I
E
.

El factor de ganancia

Como ya mencionamos, una de las cosas que hacen que el transistor
sea til es que la corriente de colector es mucho mayor que la
corriente de base.


Fig. 6: Efecto amplificador del transistor

La ganancia de corriente B
CC
de un transistor se define como la
corriente de colector dividida entre la corriente de base:
B
C
CC
I
I
B =


Para transistores de baja potencia (e incluso algunos de alta
potencia), la ganancia de corriente generalmente oscila entre 100 y
300. Por ejemplo, los transistores BC 548 B y BC 558 B tienen una
ganancia superior a 200.
1


Configuracin en emisor comn (conexin en EC)

El circuito de polarizacin equivalente al representado en la figura 4,
con el lado comn o masa de cada fuente de tensin conectado al
emisor del transistor, se conoce como configuracin en emisor
comn (conexin en EC) y lo representamos nuevamente en la
siguiente figura:


Fig. 7: Configuracin en emisor comn

1
A veces se utiliza la letra griega beta para representar este coeficiente o bien
la letra h.


8
ELECTRONI CA I MODULO VI I

Se distinguen claramente dos mallas: una es el circuito de base y la
otra malla es el circuito de colector.

El valor de la tensin V
BB
oscila entre 5 y 15 V (generalmente en baja
potencia). La tensin entre la base y el emisor se simboliza con V
BE
.
Usando diferentes valores de V
BB
y/o R
B
(resistencia de proteccin),
se puede controlar la corriente de base I
B
. Como I
B
controla a I
C
,
cualquier cambio en la primera produce un cambio en la segunda.

En el circuito del colector hay una fuente de tensin de valor V
CC
y
una resistencia limitadora de corriente R
C
. La tensin entre el colector
y el emisor se simboliza con V
CE
. La fuente de tensin V
CC
debe
polarizar inversamente el diodo de colector, o de lo contrario el
transistor no funcionara adecuadamente. Esta condicin, por lo
general, se satisface si V
CE
es mayor que 1 V (generalmente oscila de
1 a 15 V en baja potencia).

Clculo de la corriente de base en EC

Para calcular la corriente de base I
B
en la configuracin EC realizamos
el siguiente anlisis: la tensin en la resistencia de base es igual a la
diferencia entre la tensin de la fuente V
BB
y la tensin base-emisor
V
BE
. Aplicando la ley de Ohm a R
B
obtenemos que:
B
BE BB
B
R
V V
I

=


Llegado el momento, conviene aclarar la notacin que se est
utilizando:

Las tensiones con un slo subndice (V
C,
V
B
, V
E
) son las
diferencias de potencial entre uno de los terminales del
transistor con respecto a masa.

Las tensiones con subndices dobles (V
BE
; V
CE
) se refieren a la
diferencia de potencial entre dos terminales del transistor.

Por otro lado, las segundas se pueden calcular a partir de las
primeras, restando las correspondientes tensiones con un slo
subndice. Por ejemplo: V
BE
= V
B
- V
E
.

Curvas caractersticas de entrada y de salida


9
ELECTRONI CA I MODULO VI I

La figura 8 nos presenta las curvas de caractersticas elctricas de
entrada (diodo de emisor) y de salida (diodo de colector) para un
transistor de baja potencia (aproximadamente concuerda con las
curvas del transistor 2N3904):


Fig. 8: Curvas caractersticas de entrada y de salida

1. La curva de caracterstica de entrada es una grfica de la
corriente de base I
B
en funcin de la tensin o diferencia de
potencial entre la base y el emisor V
BE
.



10
ELECTRONI CA I MODULO VI I
Esta curva de entrada es igual a la curva de un diodo rectificador
normal, ya que en la entrada del transistor tenemos el diodo de
emisor. Esto significa que podemos usar cualquiera de tres
aproximaciones de un diodo analizadas con anterioridad.

Por ejemplo, en deteccin de fallas o averas en un circuito con
transistores, la unin base-emisor del transistor se puede tratar
como un diodo ideal. Si se trata de un diseo preciso, habr que
incluir en los clculos la resistencia interna del diodo emisor en
tercera aproximacin. La mayor parte de las veces, la segunda
aproximacin resultar ser el mejor compromiso entre la rapidez
que da la aproximacin ideal y la precisin de la tercera
aproximacin. Lo nico que se necesita recordar para la segunda
aproximacin es que V
BE
es 0,7 V.
En realidad, la curva de entrada de un transistor es un poco
diferente a la caracterstica del diodo comn y esto se debe a que
en un transistor hay ms variables que un diodo. Solo por
comentario, existe por ejemplo un fenmeno conocido como
efecto Early, resultado de una realimentacin interna del
transistor, que hace diferir los valores de la corriente de base. Sin
embargo, este efecto es tan pequeo que en nuestros estudios no
ser tenido en cuenta.

2. La curva de caracterstica de salida es una grfica de la corriente
de colector I
C
en funcin de la tensin o diferencia de potencial
entre el colector y el emisor V
CE
, para un valor de corriente de
base I
B
particular (figura 8).

Cuando V
CE
= 0, el diodo de colector no tiene polarizacin inversa
y I
C
= 0. Para valores de V
CE
entre 0 y 1 V, I
C
se eleva
rpidamente y luego se mantiene casi constante. Esto significa que
para establecer la polarizacin inversa del diodo de colector, habr
que superar la barrera de 0,7 V. Una vez alcanzado este nivel, el
colector recoge todos los electrones que lleguen a su zona de
deplexin.

Para tensiones mayores de 0,7 voltios, el valor exacto de V
CE
no es
muy importante, ya que incluso un valor pequeo de polarizacin
inversa es suficiente para reunir todos los electrones disponibles
en la base. Esta es la razn por la que la curva se hace horizontal
cuando V
CE
es aproximadamente mayor que 1 V. La horizontalidad
de la curva indica que I
C
es constante y aproximadamente igual a
1 mA para cualquier V
CE
entre 1 y 40 V.



11
ELECTRONI CA I MODULO VI I
Cuando V
CE
es mayor de 40 V, el diodo de colector entra en la
zona de ruptura y se pierde el funcionamiento normal del
transistor, ya que ste no est diseado para funcionar en
condiciones de ruptura.

Clculo de la tensin de colector y potencia disipada en EC

La tensin de colector-emisor V
CE
, en una configuracin en EC (figura
7), se puede calcular a partir de la ley de Kirchhoff de las mallas
aplicada al circuito del colector:
C C CC CE
R I V V . =


Esto nos indica que la tensin colector-emisor es igual a la tensin de
la fuente de polarizacin de colector menos la tensin que hay en la
resistencia de colector.

Por otro lado, la potencia disipada por el transistor ser igual a la
tensin colector-emisor multiplicada por la corriente de colector:
C CE DT
I V P . =


Los transistores de pequea seal o de baja potencia pueden disipar
W o menos; mientras que los transistores de potencia pueden ms
de W.

Esta potencia disipada en el transistor hace que aumente la
temperatura de la unin del diodo de colector. Cuanto mayor sea la
potencia, mayor ser la temperatura de la unin. El transistor se
quemar si la temperatura de la unin llega a valores comprendidos
entre 150 y 200 C, razn por la cual se establece la potencia
mxima P
DTmax
como una de las principales caractersticas de cada
transistor.

Zonas de funcionamiento

La curva de caractersticas de salida permite distinguir claramente
diferentes zonas o regiones, en las cuales el funcionamiento del
transistor es diferente:

1. Zona de saturacin: es la primera parte inclinada ascendente de la
curva, con V
CE
entre 0 y 1 V, aproximadamente (en transistores de
baja potencia, la curva se puede hacer horizontal muy por debajo
de 1 V). En esta zona, el diodo de colector no est polarizado
inversamente.


12
ELECTRONI CA I MODULO VI I
2. Zona activa: es la parte central horizontal de la curva, con V
CE

entre 1 y 40 V, aproximadamente. Esta es la zona ms
importante, ya que representa el funcionamiento normal del
transistor. En ella el diodo de emisor est polarizado en directa y
el diodo de colector tiene polarizacin inversa. Adems, el colector
se encuentra recogiendo casi todos los electrones que el emisor a
enviado a la base. Por ello, los cambios en la tensin de colector
no tienen efectos sobre la corriente de colector.
3. Zona de ruptura: es la porcin final inclinada ascendente de la
curva cuando V
CE
es mayor de 40 V. A tal tensin, el diodo de
colector entra en la zona de ruptura y se pierde el funcionamiento
normal del transistor (probable destruccin), ya que ste no est
diseado para funcionar en condiciones de ruptura.
Un transistor puede funcionar sin peligro en la zona de saturacin
o en la zona activa, pero nunca debe funcionar en la zona de
ruptura.

Familias de curvas de salida

Cuando se trazan varias curvas de la corriente de colector en funcin
de la tensin V
CE
en un mismo dibujo, mediante mediciones
reiteradas con variacin de corriente de base o mediante un
instrumento con memoria y salida en pantalla y luego graficando esos
datos, se obtiene una familia de curvas de colector como las de la
figura:


Fig. 9: Familia de curvas de salida

En la zona activa de la grfica observamos que, cada I
C
es 100 veces
mayor que la I
B
correspondiente. Esta observacin nos permite
conocer el factor de ganancia del transistor por simple lectura de
grfico y, en este caso, el grfico representa una ganancia de
corriente B
CC
igual a 100.

Para otros transistores, la ganancia de corriente puede ser diferente,
pero las formas de las curvas es la misma. Todos los transistores
tienen una zona activa (la ms importante), una zona de saturacin y
una zona de ruptura.


13
ELECTRONI CA I MODULO VI I

Los transistores funcionan en la zona activa cuando se utilizan como
amplificadores, que son circuitos que amplifican seales dbiles.



14
ELECTRONI CA I MODULO VI I
La zona de corte

En la familia de curvas de salida (figura 9) podemos distinguir una
curva muy particular en parte inferior. Para una corriente de base I
B

= 0 , se observa una pequea corriente de colector, que en muchos
grficos pasa desapercibida. Esta curva recibe el nombre de zona de
corte del transistor, y la pequea corriente de colector es la
corriente de corte de colector.

Esta corriente de corte se origina porque el diodo colector, como
cualquier otro diodo, tiene una corriente inversa de portadores
minoritarios y una corriente de fugas superficial y, generalmente, se
la ignora cuando la corriente de colector es mucho mayor. Por
ejemplo, cuando la corriente de colector es 20 veces mayor que la
corriente de corte, despreciar sta apenas genera un error del 5 % o
menos.

La zona de corte, junto a la de saturacin, se utiliza en los circuitos
digitales y en otros circuitos para computadoras.

Aproximaciones para el transistor

Segn sea el caso a considerar, al trabajar con transistores se
pueden aplicar las siguientes aproximaciones:


Fig. 10: Aproximaciones del transistor

1. Primera aproximacin: el transistor ideal

Un transistor ideal o perfecto no presenta zona de ruptura, ni
corriente de corte de colector ni zona de saturacin.
El diodo de emisor es un diodo ideal: no tiene barrera de potencial
y tampoco resistencia interna, por lo que acta como un
interruptor cerrado con polarizacin directa y abierto con
polarizacin inversa.


15
ELECTRONI CA I MODULO VI I
El diodo de colector tambin es ideal, pero ahora cumple la funcin
de una fuente de corriente que produce una corriente constante
igual a la ganancia de corriente multiplicada por la corriente de
base:
B CC C
I B I . =


2. La segunda aproximacin

En la segunda aproximacin para un transistor se tiene en cuenta
la barrera de potencial en el diodo de entrada, por lo que se
incluyen 0,7 V en el clculo de la corriente de base. De esta
manera, la segunda aproximacin se diferencia del caso ideal en
que el diodo de emisor se trata mediante la segunda aproximacin
de un diodo. Es decir, se supone que hay una cada de tensin de
0,7 V entre los extremos de la unin base-emisor del transistor.

3. La tercera aproximacin

La tercera aproximacin (para aplicarse en diseo de circuitos)
tiene en cuenta que el diodo de emisor tiene una resistencia
interna que produce una tensin que tiene que sumarse a 0,7 V
para obtener la tensin total entre los terminales base-emisor y
que el diodo de colector tambin tiene una resistencia interna en
la que aparecen unas dcimas de voltio.
Esto significa que V
BE
puede ser mayor que 0,7 V debido a la
resistencia interna del emisor y V
CE
puede ser mayor que 0 V
cuando el transistor est saturado.

La hoja de caractersticas y los principales parmetros

Las figuras 11 y 12 muestran anverso y reverso de una hoja tpica de
las caractersticas elctricas de los transistores.




16
ELECTRONI CA I MODULO VI I
Fig. 11 y 12: Anverso y reverso de una hoja de caractersticas
2


Analizaremos ahora los principales parmetros de los transistores:

1. Limitaciones en la zona de ruptura: Los primeros parmetros
de inters conforman un grupo de 3 valores lmites para tensiones
inversas de ruptura: V
CB
indica la mxima tensin inversa entre el
colector y la base, V
CEO
indica la tensin de colector-emisor con la
base abierta y V
EB
es la mxima tensin inversa del emisor a la
base.
Por ejemplo: estos lmites mximos para la serie 2N3904 y
2N3904 son:
V
CB
= 60 V V
CEO
= 40 V V
EB
= 6 V

Un diseo correcto nunca permite que las tensiones se acerquen a
las limitaciones mximas indicadas.

2. Corriente y potencia mximas: Los siguientes parmetros
importantes tambin conforman un grupo de datos, en este caso
de 4 valores lmites, 1 para la corriente mxima de colector y 3
para la potencia mxima en diferentes circunstancias.
Continuando con el transistor 2N3904 tomado como ejemplo, los
lmites mximos para estos parmetros son:

I
C
= 200 mA cc
P
D
= 250 mW (T
A
= 60 C)
P
D
= 350 mW (T
A
= 25 C) y 2,8 mW / C (2)
P
D
= 1 W (T
A
= 25 C) y 8 mW / C (3)

El primer dato, I
C
= 200 mA cc, nos indica que como mximo
pueden circular hasta 200 mA de corriente continua.
Los 3 datos siguientes se refieren a P
D
, es decir sobre las
limitaciones mximas de potencia del transistor, los cuales
dependen de la temperatura. Aunque se necesita nicamente 1 de
esos datos ms un factor de ajuste, se presentan 3 datos con
aclaraciones sobre la naturaleza de los mismos: (2) y (3) son
datos adicionales del fabricante.
Si la temperatura del aire circundante es de 60 C, la potencia
mxima es de 250 mW; pero si la temperatura ambiente es
apenas de 25 C, el lmite mximo de potencia es 350 mW.
Observamos que un transistor tiene una mayor limitacin de
potencia cuando la temperatura ambiente es menor, ya que es

2
Extradas del Anexo de Principios de Electrnica; Malvino; Pginas
1019 y 1020.


17
ELECTRONI CA I MODULO VI I
tambin menor la temperatura interna, es decir, la temperatura de
la unin. Por otro lado, un dato a tener en cuenta es que el
encapsulado del transistor tiene una temperatura que es
normalmente mayor que la temperatura ambiente.


18
ELECTRONI CA I MODULO VI I

3. Factores de ajuste (valor inverso de la resistencia trmica
entre la unin y el ambiente): el factor de ajuste indica cunto
hay que reducir la potencia mxima que puede disipar un
transistor.
Por ejemplo, en los datos (2) del punto anterior, el factor de ajuste est
dado como 2,8 mW / C. Esto significa que hay que reducir el lmite mximo
de potencia de 350 mW en 2,8 mW por cada grado centgrado por encima
de los 25 C.

4. Ganancia de corriente: Otro parmetro importante del transistor
que es informado en las hojas de caractersticas es el factor de
ganancia B
CC
(o !
CC
) o tambin h
FE
(otra forma de simbolizar la
ganancia de corriente, en este caso dentro de los llamados
parmetros h).
Por ejemplo, en el reverso de la hoja de caractersticas de un
2N3904 se presenta dichos valores de la siguiente manera:

I
C
(mA) h
FE
mn. h
FE
mx.
0,1
1
10
50
100
40
70
100
60
30
-
-
300
-
-

Observamos que el 2N3904 trabaja mejor cuando la corriente de
colector se halla cercana a los 10 mA, donde alcanza una ganancia
de corriente que vara entre un mnimo de 100 y un mximo de
300 (en general, la mayora de los transistores 2N3904 tendrn
una ganancia de corriente intermedia entre esos valores).

Los disipadores de calor

Los disipadores de calor son objetos metlicos (generalmente de
aluminio y diseados con aletas) que aumentan el rea superficial del
encapsulado del transistor y permiten de esta manera deshacerse con
mayor rapidez del calor interno y, por lo tanto, disminuir ms
rpidamente la temperatura de funcionamiento; consiguiendo con ello
un aumento de la potencia mxima de trabajo.

Existen transistores de potencia que se construyen con cpsulas
disipadoras, mientras que a otros transistores se les anexa un
disipador externo. En todos los casos, la idea fundamental es que el
calor abandone el transistor hacia el chasis (que oficia de disipador
masivo) o hacia el ambiente con la mayor rapidez, lo que implica que


19
ELECTRONI CA I MODULO VI I
el transistor es capaz de disipar una mayor potencia a la misma
temperatura ambiente.
Sin importar la clase de disipador de calor que se emplee, el objetivo
es reducir la temperatura del encapsulado, ya que tal logro har que
descienda la temperatura interna del transistor.

El coeficiente alfa para continua

El parmetro o coeficiente alfa
3
para corriente continua de un
transistor indica hasta qu punto son iguales los valores de continua
de las corrientes de colector y de emisor, y se define como el cociente
entre dichas magnitudes:
E
C
CC
I
I
A =


Se observa que cuanto ms estrecha y ms ligeramente dopada est
la base, mayor ser el alfa para continua. En teora, si todos los
electrones inyectados fuesen al colector, el A
CC
sera igual a 1; sin
embargo, en la prctica, se obtienen valores mayores que 0,95 pero
menores a 1.

Trabajando con las ecuaciones de las corrientes en un transistor y las
definiciones de los coeficientes B
CC
y A
CC
, se puede obtener la
siguiente expresin que relaciona a dichos coeficientes:
CC
CC
CC
A
A
B

=
1


La configuracin en base comn (conexin en BC)

La configuracin en base comn se realiza de la manera indicada en
la siguiente figura:

Fig. 13: Configuracin en base comn

Se le llama circuito en base comn porque el terminal de base es
comn a la entrada y salida del circuito.

3
Continuamos trabajando con letras latinas para no introducir mayores
complicaciones (A
CC
= !
CC
).


20
ELECTRONI CA I MODULO VI I

Al polarizar directamente el diodo de emisor e inversamente el diodo
de colector, se obtiene una gran corriente de colector (casi tan
grande como la de emisor).

Un rpido anlisis del interior del transistor nos indica que en el
instante en que se aplique la polarizacin directa al diodo de emisor,
los electrones del emisor aun no habrn entrado en la zona de la
base. Si V
BE
es mayor que la tensin umbral del diodo base-emisor
(de 0,6 a 0,7 V para transistores de silicio), muchos electrones del
emisor entrarn en la zona de base. Estos electrones en la base
pueden circular en una de las dos direcciones: descendiendo por la
base estrecha hacia la conexin externa de la base o bien a travs de
la unin de colector hacia la zona de colector. El componente
descendente de la corriente de base recibe el nombre de corriente de
recombinacin. Es pequeo porque la base est ligeramente dopada
slo con algunos huecos.
Sin embargo, la base es muy estrecha y al estar cargada de
electrones inyectados en la banda de conduccin, origina una difusin
hacia la zona de deplexin del colector. Ya dentro de esta capa, los
electrones libres son empujados por el campo elctrico de la zona de
deplexin hacia la zona del colector y pueden entonces fluir hacia la
conexin externa del colector.

As, observamos una corriente estable de electrones abandonando el
terminal negativo de la fuente y entrando en la zona del emisor. La
polarizacin directa V
BE
obliga a estos electrones del emisor a entrar
en la zona de base. La estrecha y apenas dopada base deja a casi
todos estos electrones el tiempo de vida suficiente para difundirse
hacia la zona de deplexin del colector. Entonces el campo de la zona
de deplexin empuja a un corriente estable de electrones hacia la
zona de colector. Estos electrones salen del colector, entran en la
conexin externa del colector y fluyen hacia el terminal positivo de la
fuente de tensin. En la mayor parte de los transistores, ms del 95
% de los electrones inyectados por el emisor fluye hacia el colector y
el porcentaje restante cae en los huecos de la base y fluye hacia la
conexin externa de la base.

Anlisis de fallas o averas

En un transistor hay muchas cosas que pueden presentar problemas.
Como contiene dos diodos, el exceder cualquiera de las tensiones de
ruptura, las corrientes mximas o las limitaciones de potencia puede
daar uno o ambos diodos. Las fallas pueden incluir cortocircuitos,


21
ELECTRONI CA I MODULO VI I
circuitos abiertos, grandes corrientes de fugas, un valor reducido de
B
CC
y otros.

Cuando aparecen fallas o averas, en general se trata de
cortocircuitos o circuitos abiertos. Los cortocircuitos pueden ocurrir
como consecuencias de dispositivos daados o gotas de soldadura
entre las conexiones de los componentes. Los circuitos abiertos se
producen cuando los componentes se queman. Fallas como stas
producen grandes cambios en las corrientes y las tensiones ya que un
componente en cortocircuito equivale a una resistencia nula, y un
componente abierto es equivalente a una resistencia infinita. Por esta
razn, la primera aproximacin o transistor ideal es utilizada como
punto de partida en la deteccin de fallas y lo que se busca es
detectar grandes variaciones con respecto a los valores normales en
las magnitudes involucradas.

Uno de los primeros valores que hay que examinar es la tensin
colector-emisor, calculndola y midindola en el circuito, con el fin de
comparar dichos valores.
Uno de los problemas comunes es que no llegue tensin de la fuente
al colector. Esto podra ocurrir por: falla en la misma fuente de
alimentacin, una conexin abierta entre la fuente de alimentacin y
la resistencia de colector, una resistencia de colector en circuito
abierto, etc. En todos los casos, la tensin de colector ser
aproximadamente 0 porque no hay tensin en la fuente de colector.
Otro fallo posible es una resistencia de base en circuito abierto, lo
cual provoca que la corriente de base se haga 0. Esto obliga a la
corriente de colector a caer a 0 y a la tensin colector-emisor a
elevarse al valor de la fuente de tensin de colector. Un transistor
abierto produce el mismo efecto.

1. Pruebas fuera del circuito

Una forma de probar los transistores es utilizar un hmetro,
comprobando en buen funcionamiento de cada unin del transistor
en condiciones de continua.

Se puede comenzar midiendo la resistencia entre el colector y el
emisor. sta deber ser muy alta en ambas direcciones, ya que los
diodos de colector y de emisor estn opuestos en serie. Uno de los
fallos ms comunes es un cortocircuito entre el colector y el
emisor, producido al excederse la limitacin de potencia. Si se lee
de cero a unos cuantos miles de ohmios en cualquiera de las dos
direcciones, el transistor est en cortocircuito y slo queda tirarlo
a la basura.


22
ELECTRONI CA I MODULO VI I
Suponiendo que la resistencia colector-emisor sea muy alta en
ambas direcciones (en megohmios), se pueden entonces medir las
resistencias directa e inversa del diodo de colector (terminales
base-colector) y del diodo de emisor (terminales emisor-base). Lo
que se debe obtener es una razn inversa / directa muy alta para
los dos diodos, normalmente mayor que 1.000:1 (silicio). En caso
contrario, el transistor est defectuoso.

Incluso si el transistor pasa las pruebas del hmetro, podra tener
algn defecto. Por seguridad y segn se disponga, pueden
emplearse trazadores de curvas o comprobadores comerciales de
transistores para detectar problemas ms sutiles, tales como una
excesiva corriente de fugas, una B
CC
baja o una tensin de ruptura
insuficiente.

2. Pruebas dentro del circuito

Las pruebas ms simples dentro de un circuito consisten en medir
las tensiones del transistor con respecto a masa.

Por ejemplo, medir la tensin V
C
del colector y la tensin V
E
del
emisor es un buen comienzo. La diferencia V
C
V
E
debe ser mayor
que 1 V pero menor que V
CC
. Si la lectura es menor que 1 V, el
transistor podra estar en cortocircuito. Si la lectura es igual a V
CC
,
el transistor podra estar abierto.
Esta prueba indicara la presencia de una falla en corriente
continua.

Se suele incluir tambin una prueba de V
BE
, midiendo la tensin V
B

de base y la tensin V
E
de emisor. La diferencia entre dichos
valores V
BE
debe estar entre 0,6 y 0,7 V en transistores para
pequea seal funcionando en la zona activa, y puede ser de 1 V o
ms en transistores de potencia. Si el valor es menor a 0,6 V, el
diodo de emisor no tiene polarizacin directa, y la falla podra
estar en el transistor o en los elementos de polarizacin.

Por ltimo, se puede realizar una prueba de corte, efectuada como
sigue: los terminales base-emisor se ponen en cortocircuito
mediante un conductor. De esta forma se elimina la polarizacin
directa del diodo de emisor, lo que debe obligar al transistor a
entrar en la zona de corte. La tensin colector a tierra debe ser
igual a la tensin de fuente de polarizacin del colector. Si no
sucede as, algo est fallando en el transistor o en el circuito.