Potencial termodinmico:

0 2

_
,

kT
e
N N
n
V
D A
i
ln ( ) Si T C 25 en Silicio:
0
0904
max
V ,

Unin pn en equilibrio

Distribucin de portadores: n N p
n
N
n D n
i
D
0 0
2
(regin n)
n
n
N
p N
p
i
A
p A 0
2
0
(regin p)

Densidad de carga: ( ) ( ) ( ) ( ) x e N p x N n x
D A
+
+
Campo elctrico:

( )
( )
x
x
dx
W
W
p
n

Potencial:
p
A
i
n
D
i
A D
i
kT
e
N
n
kT
e
N
n
kT
e
N N
n
ln ln ln
0 2


Semiconductores no homogneos en equilibrio:
n x n
e x
kT
p x n
e x
kT
i
i
( ) exp
( )
( ) exp
( )

_
,

_
,

'

Aproximacin de deplexin total

Densidad de carga:
n D p A
e N e N Campo elctrico:

0

e N W
e N W
D n A p
N W N W
D n A p


Potencial:
0 0
1
2
W donde W
e N N
A D
+

_
,

1 1
Anchura de la zona dipolar: W
e N N
A D
+

_
,

2 1 1
0

W W
N
N N
W W
N
N N
n
A
A D
p
D
A D

+

+


Unin pn asimtrica (p+n)

Zona de carga espacial: W W
e N
n
s
D

2 1
0

Campo elctrico:
n
n
x
x
W
( )

_
,

0
1

Potencial:
n
n n
n
n
n
x
x
W
x
W
x x
x
W
x W ( ) ( )

_
,

_
,

0
2
0
2
2
0 1 si origen si origen

Unin pn polarizada

Concentraciones:
p p
e V
kT
n
N
e V
kT
n n
e V
kT
n
N
e V
kT
n n
D i
D
D
p p
D i
A
D
( ) exp exp
( ) exp exp
0
0
0
2
0
2

_
,

_
,

_
,

_
,

'

Ancho zona dipolar: ( ) W

e N N
V
A D
+

_
,

2 1 1
0

Campo elctrico mximo (campo crtico):
0 0
1
2
V W

Exceso de minoritarios:
p p
e V
kT
p p p
n n
e V
kT
n n n
n n
D
n n n
p p
D
p p p
'( ) exp '( ) ( )
'( ) exp '( ) ( )
0 1 0 0
0 1 0 0
0 0
0 0

_
,

_
,

_
,

_
,

'

Corrientes:
J q D
dn x
dx
J q D
dp x
dx
n n
p
x
p p
n
x
( )
( )
( )
( )
0
0
0
0

1
]
1

1
]
1

'

Ecuacin de Shockley: J J
q V
kT
T
D

_
,

1
]
1
0
1 exp

En directa: J J
e V
kT
T
D

_
,

0
exp En inversa: J J
T

0


Corriente de saturacin: J q
D p
L
D n
L
q n
L
N
L
N
p n
p
n p
n
i
p
D p
n
A n
0
0 0
2
+

_
,
+

_
,

L D
p p p


p+n: J q n
L
N
i
p
D p
0
2

_
,

pn+: J q n
L
N
i
n
A n
0
2

_
,

Dependencia de J
0
con la temperatura:
dJ
J
E
kT
dT T J
G 0
0
2 0


Diodo corto

Ctodo corto: p x p
e V
kT
x
W
n n
D
c
'( ) exp

_
,

_
,

_
,

0
1 1 J q D
dp x
dx
q D
W
p
q V
kT
p p
n
p
c
n
D
( )
( )
exp 0 1
0

_
,

_
,


Diodo no ideal

Generacin en la zona dipolar en inversa, con

Corriente de generacin: J e
n
W
g
i

2
0

Recombinacin neta: U
n
i

2
0

Ley de Shockley: J J
q V
kT
J
T
D
g

_
,

_
,

+
0
1 exp Relacin con J
0
:
J
J
J J
J
n
N
L
W
n
N
L
W
g
dn dp
g
i
A
n i
D
p 0
2 2
+
+

Si T o E
G
predomina J
0
sobre J
g
.

Recombinacin en la zona dipolar en directa, con

Recombinacin neta: U
p n n
p n n
n
eV
kT
p n n
i
i
i
i

+ +

_
,

+ +
1
2
1
1
2
2
2

exp
Recombinacin mxima: U
n eV
kT
max
i

2
exp

Corriente de recombinacin: J e
n
W
eV
kT
r
i

2
exp Relacin con J
d
:
J J
J
n
W
L
N
L
N
eV
kT
dn dp
r
i n
A
p
D
+
+

_
,

2
2
exp

Para V
D
predomina J
r
sobre J
d
.

Rgimen de alta inyeccin ejemplo pn+

Campo elctrico en zona masiva: J e D
dn
dx
n neq
p
Tensin: V V V V
V kT
e
n
n
D D
D J J
D i
p
neq n
+ +

2
2
0
ln

Corriente: J e
D n
L
eV
kT
T
n i
n
D

_
,

2
2
exp Tensin de transicin: V
kT
e
N
n
A
i
0
2 2

_
,

ln V v
0
059 ( ) , Si

Disrupcin

Por inestabilidad trmica: T n J p T
i

0


Tensin de disrupcin: ( ) BV
e N N
e
BV
N N
N N
crit
D A
crit
A D
A D
+

_
,

+
+

2
0
2
1 1 2


Si BV
Eg
e
<
4
Zner Si BV
Eg
e
>
6
Avalancha

Modelo de control de carga: I
dQ
dt
Q d Q
dt
Q dQ
dt
p p
p
n n
n
J
+ + + +



Paso a conduccin

Desde V 0 hasta V V
F
. I
dQ
dt
Q
F
p p
p
+

Evolucin carga: Q Q I Q t I
t
p p F p p F p
p
( ) ( ) ( ) exp 0 0 1

1
]
1
1
1

Tensin: V t
kT
e
I
t
e A L p
D
F p
p
p n
( ) ln
exp

1
]
1
1
1

1
0


Salida de directa

Desde V V
F
hasta V 0 I I
dQ
dt
Q
R
p p
p
+

Evolucin de la carga:
Q I Q I
Q t I I
t
I
p F p p R p
p R F p
p
r p
( ) ( )
( ) ( ) exp
0
+

1
]
1
1
1
+

Tiempo de almacenamiento: Q t t
I
I
p s s p
F
R
( ) ln

1
]
1
1
0 1

Evolucin por inversa

I t C
dV
dt
R Jeq
D
( )
V V V
V t V
t
RC
D D R
D R
J
( ) ( )
( ) exp
0 0
1

_
,