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TRABAJO CIRCUITOS ELECTRONICOS | LOS DESCONOCIDOS

DIODOS
CIRCUITOS ELECTRONICOS I

UNIVERSIDAD NACIONAL
MAYOR DE SAN MARCOS



FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA
ELECTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES




APELLIDOS Y NOMBRES MATRICULA

Justino Lmaco Mayte Ana 12190068
Morales Pampa Jamel Angel


CURSO TRABAJO

Circuitos Electrnicos I Diodos



GRUPO PROFESOR
Los Desconocidos Epifanio Vivas Fernandez




NDICE


FOTODIODO ............................................................................................................... 3

DIODO LED ................................................................................................................. 8

DIODO PIN ............................................................................................................... 13

DIODO SCHOKTTY.................................................................................................. 20

DIODO TUNEL ......................................................................................................... 27

DIODO VARICAP ..................................................................................................... 31

DIODO ZENER ......................................................................................................... 34




FOTODIODO


Casi para cada tipo de semiconductor de unin existe un dispositivo
ptico anlogo que responde a la luz en vez (o en conjuncin) de a una
seal elctrica. La primera vez que se observ que un diodo
semiconductor era sensible a la luz, tuvo lugar probablemente al
observarse un considerable aumento de la corriente de prdida de un
diodo de unin, al exponerlo a la luz.

Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la
luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con
lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz.

El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus
propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de
hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier
otro material semiconductor.

Material
Longitud de onda
(nm)
Silicio 1901100
Germanio 8001900
Indio galio arsnico (InGaAs) 8002600
sulfuro de plomo <1000-3900


Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos
medios (longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos requieren refrigeracin por nitrgeno
lquido.







PRINCIPIO DE OPERACIN Y FUNCIONAMIENTO










Cuando son absorbidos fotones por el dispositivo cuya energa es mayor que la del intervalo de
energa, se generan pares electrn-hueco. Una de las ventajas principales del dopado es
introducir impurezas que originan electrones o huecos muy prximos a la banda de conduccin;
por tanto se requiere menor energa para excitar estos estados aadidos hasta la banda de
conduccin, como se observa en la figura debajo.















La generacin de pares ocurrir a varias profundidades, dependiendo de la energa de los
fotones y de la naturaleza y grosor de los materiales. Se observa que en la zona dentro de la
regin desierta no hay prcticamente electrones libres. En esencia, el dispositivo se asemeja a
un condensador en el que la regin desierta sirve de dielctrico y las zonas dopadas actan
como las placas cargadas de un condensador. De aqu que el campo electrosttico principal
exista dentro de la regin desierta y cualquier par electrn-hueco tender a separarse (en
direcciones opuestas) atrado por la combinacin de la tensin en la regin desierta y la tensin
de polarizacin inversa aplicada. (Se observar que las polaridades de estas dos tensiones son
del mismo sentido.) Si se producen pares electrn-hueco fuera de la zona desierta, tendrn una
elevada probabilidad de recombinacin, en cuyo caso no habr fotocorriente disponible. Por
tanto, es necesario que la parte superior de la capa p sea tan delgada como sea posible y la
regin desierta efectiva tan ancha como sea posible, para llevar al mximo el rendimiento
cuntico. La regin desierta puede ensancharse aumentando la polarizacin inversa del diodo.
Aumentando la polarizacin inversa tambin disminuye el tiempo de trnsito que tardan los
electrones y los huecos en alcanzar los extremos.


CURVA CORRIENTE INVERSA-ILUMINANCIA Y CURVA

vs

APLICACIONES

SENSOR DE LLUVIA
A modo de ejemplo, un sensor de lluvia est formado por un diodo emisor de luz infrarroja y un
fotodiodo para detectar la cantidad de luz emitida que el vidrio refleja. La luz infrarroja se emite
a travs del cuerpo del sensor con un ngulo preciso,se refleja dentro del vidrio del parabrisas
y vuelve al fotodiodo.
Cuando empieza a llover, las gotas que caen sobre el vidrio hacen que parte de la luz se
refracte y que menos luz vuelva reflejada al fotodiodo. A medida que la lluvia arrecia, la
cantidad de luz que vuelve reflejada a la superficie del detector disminuye.
Llega un momento en que la corriente de salida es inferior a un umbral definido y el sensor
indica "lluvia".







SENSOR DE TUNEL

Para que el sistema detecte un tnel, se requieren las seales de dos sensores. El primer
sensor tiene un campo de visin amplio y est orientado para "mirar hacia arriba", con un
periodo de tiempo medio de movimiento relativamente largo que impide que las luces se
enciendan y apaguen cclicamente. El segundo sensor, el sensor de tnel, tiene un campo de
visin estrecho y est orientado para "mirar hacia delante", con un periodo de tiempo medio de
movimiento relativamente corto. De esta manera, el sensor de tnel puede reaccionar
rpidamente ante cambios sbitos de luz, encender los faros y, posiblemente, atenuar la
iluminacin de los instrumentos al entrar en un tnel. El sensor que "mira hacia delante" impide
que las luces se enciendan y apaguen rpidamente al pasar por debajo de un puente o una
densa arboleda. En estos casos, el sensor todava "ver" luz delante.


Cuando se entra en un tnel, la seal del sensor de tnel disminuye, mientras que la del sensor
con campo de visin amplio se mantiene alta; por lo tanto, se encendern los faros. Por el
contrario, cuando se salga del tnel, la seal de este sensor ser alta, mientras que la del
sensor con campo de visin amplio ser baja, as que los faros se apagarn. El controlador
puede distinguir fcilmente las dos situaciones por los diferentes periodos medios de
movimiento.
El uso de sensores pticos, especialmente fotodiodos y fototransistores, en aplicaciones de
electrnica de la carrocera contribuye a aportar la seguridad y confort que los consumidores
demandan. Aunque estos sistemas se encuentran actualmente slo en coches de gama alta,
pronto estarn presentes en vehculos de todos los segmentos de precios, como es habitual en
las aplicaciones para automocin.


SENSORES DE LUZ

En las aplicaciones de electrnica de carrocera, los sensores de luz ambiente se utilizan para
ajustar la intensidad de la iluminacin de los paneles de instrumentos y las pantallas
LCD de los sistemas de navegacin con GPS, el sistema de climatizacin y las pantallas de los
reproductores DVD. Por ejemplo, a medida que oscurece, la iluminacin del panel de
instrumentos se ajusta para proporcionar una visibilidad ptima y no deslumbrar al conductor.
Si se utilizan estos sensores, puede suprimirse la molesta funcin que atena automticamente
el brillo de los instrumentos y pantallas al encender los faros durante el da. La principal
prestacin de un sensor de luz ambiente es copiar la sensibilidad del ojo humano entre 380 y
780 nm, las longitudes de onda visibles.
Los fotodiodos desempean una funcin en el control de la climatizacin porque determinan el
ngulo en que incide la luz solar y, en combinacin con un termistor, ajustan la velocidad del
ventilador y la temperatura. Para determinar el ngulo del sol, el fotodiodo utiliza una funcin de
la iluminancia en laque un pico se corresponde con el sol en su vrtice. El componente ms
apropiado para esta aplicacin es un fotodiodo con termistor NTC integrado. El sensor de lluvia
ofrece an ms posibilidades. Por ejemplo se lo puede usar para cerrar ventanas y techos
corredizos automticamente. Equipados con un sensor adicional de luz, puede controlar a las
luces del auto: se activa cuando oscurece o al ingresar a un tnel sin mediar la intervencin del
conductor.




DIODO LED


HISTORIA
El primer LED fue desarrollado en 1920 por Oleg Vladimir Vich Losev, sin embargo no se
us en la industria hasta la dcada de los aos 1960. Solo se podan construir de color
rojo, verde y amarillo con poca intensidad de luz y limitaba su utilizacin a mandos a
distancia y electrodomsticos para marcar el encendido y apagado. A finales del siglo XX
se invent los LEDs ultravioletas y azules, lo que di paso al desarrollo del LED blanco,
que es un diodo LED de luz azul con recubrimiento de fsforo que produce una luz
amarilla, la mezcla del azul y el amarillo produce una luz blanquecina denominada "luz de luna"
consiguiendo alta luminosidad (7 lumens unidad) con lo cual se ha ampliado su utilizacin en
sistemas de iluminacin.

El primer LED que emita en el espectro visible fue desarrollado por el ingeniero de General
Electric Nick Holonyak en 1962.



CARACTERISTICAS Y FUNCIONAMIENTO
El funcionamiento fsico consiste en que, en los materiales semiconductores, un electrn al
pasar de la banda de conduccin a la de valencia, pierde energa; esta energa perdida se
puede manifestar en forma de un fotn desprendido, con una amplitud, una direccin y una
fase aleatoria. El que esa energa perdida cuando pasa un electrn de la banda de conduccin
a la de valencia se manifieste como un fotn desprendido o como otra forma de energa (calor
por ejemplo) va a depender principalmente del tipo de material semiconductor. Cuando un
diodo semiconductor se polariza directamente, los huecos de la zona p se mueven hacia la
zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos desplazamientos de cargas
constituyen la corriente que circula por el diodo.

Si los electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse, es decir, los
electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un nivel energtico superior a
otro inferior ms estable. Este proceso emite con frecuencia un fotn en semiconductores de
banda prohibida directa o "direct bandgap" con la energa correspondiente a su banda
prohibida (vase semiconductor). Esto no quiere decir que en los dems semiconductores
(semiconductores de banda prohibida indirecta ) no se produzcan emisiones en forma de
fotones; sin embargo, estas emisiones son mucho ms probables en los semiconductores de
banda prohibida directa (como el Nitruro de Galio) que en los semiconductores de banda
prohibida indirecta (como el Silicio). La emisin espontnea, por tanto, no se produce de forma
notable en todos los diodos y slo es visible en diodos como los LEDs de luz visible, que tienen
una disposicin constructiva especial con el propsito de evitar que la radiacin sea
reabsorbida por el material circundante, y una energa de la banda prohibida coincidente con la
correspondiente al espectro visible.

En otros diodos, la energa se libera principalmente en forma de calor, radiacin infrarroja o
radiacin ultravioleta. En el caso de que el diodo libere la energa en forma de radiacin
ultravioleta, se puede conseguir aprovechar esta radiacin para producir radiacin visible,
mediante sustancias fluorescentes o fosforescentes que absorban la radiacin ultravioleta
emitida por el diodo y posteriormente emitan luz visible.



El dispositivo semiconductor est comnmente encapsulado en una cubierta de plstico de
mayor resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean en las lmparas
incandescentes. Aunque el plstico puede estar coloreado, es slo por razones estticas, ya
que ello no influye en el color de la luz emitida. Usualmente un LED es una fuente de luz
compuesta con diferentes partes, razn por la cual el patrn de intensidad de la luz emitida
puede ser bastante complejo.

En corriente continua (CC), todos los diodos emiten una cierta cantidad de radiacin cuando los
pares electrn-hueco se recombinan, es decir, cuando los electrones caen desde la banda de
conduccin (de mayor energa) a la banda de valencia (de menor energa), emitiendo fotones
en el proceso. Indudablemente, la frecuencia de la radiacin emitida y, por ende, su color,
depender de la altura de la banda prohibida (diferencias de energa entre las bandas de
conduccin y valencia), es decir, de los materiales empleados. Los diodos convencionales, de
silicio o germanio, emiten radiacin infrarroja muy alejada del espectro visible. Sin embargo,
con materiales especiales pueden conseguirse longitudes de onda visibles. Los LED e IRED,
adems tienen geometras especiales para evitar que la radiacin emitida sea reabsorbida por
el material circundante del propio diodo, lo que sucede en los convencionales.


COMPUESTOS EMPLEADOS EN LA CONSTRUCCIN DE LED
COMPUESTO COLOR LONG. DE ONDA
Arseniuro de galio (GaAs) Infrarrojo 940 nm
Arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs) Rojo e infrarrojo 890 nm
Arseniuro fosfuro de galio (GaAsP) Rojo, naranja y amarillo 630 nm
Fosfuro de galio (GaP) Verde 555 nm
Nitruro de galio (GaN) Verde 525 nm
Nitruro de galio e indio (InGaN) Azul 450 nm
Carburo de silicio (SiC) Azul 480 nm
Diamante (C) Ultravioleta


Los primeros diodos construidos fueron los diodos infrarrojos y de color rojo, permitiendo el
desarrollo tecnolgico posterior la construccin de diodos para longitudes de onda cada vez
menores. En particular, los diodos azules fueron desarrollados a finales de los 90 por Shuji
Nakamura, aadindose a los rojos y verdes desarrollados con anterioridad, lo que permiti,
por combinacin de los mismos, la obtencin de luz blanca. El diodo de seleniuro de zinc
puede emitir tambin luz blanca si se mezcla la luz azul que emite con la roja y verde creada
por fotoluminiscencia. La ms reciente innovacin en el mbito de la tecnologa LED son los
diodos ultravioletas, que se han empleado con xito en la produccin de luz blanca al
emplearse para iluminar materiales fluorescentes.
Aqu observamos la relacin de los colores de luz emitidos respecto al voltaje aplicado











APLICACIONES

ILUMINACION
El uso de diodos LED en el mbito de la iluminacin (incluyendo la sealizacin de trfico) es
moderado y es previsible que se incremente en el futuro, ya que sus prestaciones son
superiores a las de la lmpara incandescente y la lmpara fluorescente, desde diversos puntos
de vista. La iluminacin con LEDs presenta indudables ventajas: fiabilidad, mayor eficiencia
energtica, mayor resistencia a las vibraciones, mejor visin ante diversas circunstancias de
iluminacin, menor disipacin de energa, menor riesgo para el medio ambiente, capacidad
para operar de forma intermitente de modo continuo, respuesta rpida, etc. Asimismo, con
LEDs se pueden producir luces de diferentes colores con un rendimiento luminoso elevado, a
diferencia de muchas de las lmparas utilizadas hasta ahora, que tienen filtros para lograr un
efecto similar (lo que supone una reduccin de su eficiencia energtica). Cabe destacar
tambin que diversas pruebas realizadas por importantes empresas y organismos han
concluido que el ahorro energtico varia entre un 70% y 80% respecto a la iluminacin
tradicional que se utiliza hasta ahora. Todo ello pone de manifiesto las numerosas ventajas que
los LEDs ofrecen en relacin al alumbrado pblico.


Pantalla de LEDs en el Estadio de los Arkansas Razorbacks.





La pantalla en Freemont Street en Las Vegas es la
ms grande.





LED's aplicados al automovilismo, Vehculo con luces diurnas de
LEDs.
Los LEDs de Luz Blanca son uno de los desarrollos ms recientes y se pueden considerar
como un intento muy bien fundamentado para sustituir las bombillas actuales por dispositivos
mucho ms ventajosos. En la actualidad se dispone de tecnologa que consume un 92%
menos que las bombillas incandescentes de uso domstico comn y un 30% menos que la
mayora de los sistemas de iluminacin fluorescentes; adems, estos LEDs pueden durar hasta
20 aos y suponer un 200% menos de costes totales de propiedad si se comparan con las
bombillas o tubos fluorescentes convencionales.
4
Estas caractersticas convierten a los LEDs
de Luz Blanca en una alternativa muy prometedora para la iluminacin.

Tambin se utilizan en la emisin de seales de luz que se trasmiten a travs de fibra ptica.
Sin embargo esta aplicacin est en deshuso ya que actualmente se opta por tecnologa lser
que focaliza ms las seales de luz y permite un mayor alcance de la misma utilizando el
mismo cable. Sin embargo en los inicios de la fibra ptica eran usados por su poco escaso
coste, ya que suponan una gran ventaja frente al coaxial (aun sin focalizar la emisin de luz).


OLED
(Organic Light-Emitting Diode o diodo orgnico de emisin de luz) es un diodo basado en una
capa electroluminiscente que est formada por una pelcula de componentes orgnicos, y que
reaccionan a una determinada estimulacin elctrica, generando y emitiendo luz por s mismos.
No se puede hablar realmente de una tecnologa OLED, sino ms bien de tecnologas basadas
en OLED, ya que son varias las que hay, dependiendo del soporte y finalidad a la que vayan
destinados.

Las tecnologas basadas en OLED no solo tienen una aplicacin puramente como pantallas
reproductoras de imagen, sino que su horizonte se ampla al campo de la iluminacin,
privacidad y otros mltiples usos que se le pueda dar.
Las ventajas de esta nueva tecnologa son enormes, pero tambin tiene una serie de
inconvenientes, aunque la mayora de estos son totalmente circunstanciales, y desaparecern
en unos casos conforme se siga investigando en este campo y en otros conforme vaya
aumentando su uso y produccin.

Una solucin tecnolgica que pretende aprovechar las ventajas de la eficiencia alta de los
LEDs tpicos (hechos con materiales inorgnicos principalmente) y los costes menores de los
OLEDs (derivados del uso de materiales orgnicos) son los Sistemas de Iluminacin Hbridos
(Orgnicos/Inorgnicos) basados en diodos emisores de luz. Dos ejemplos de este tipo de
solucin tecnolgica los est intentado comercializar la empresa Cyberlux con los nombres de
Hybrid White Light (HWL) (Luz Blanca Hbrida) y Hybrid Multi-color Light (HML) (Luz Multicolor
Hbrida), cuyo resultado, puede producir sistemas de iluminacin mucho ms eficientes y con
un coste menor que los actuales.


DIODO PIN


HISTORIA
En 1971 C.A. Burrus desarrolla un nuevo tipo de emisor de luz, el LED, de pequea
superficie radiante, idnea para el acoplamiento en F.O. Por lo que se refiere a los
fotodetectores, los diodos PIN y los de avalancha a base de Si, fueron desarrollados sin
dificultades y ofrecan buenas caractersticas. Sin embargo, no podan aplicarse en
longitud de onda > 1100 nm. El Ge era un buen candidato a ser utilizado para trabajar
entre 1100 y 1600 nm, y ya en 1966 se dispona de ellos con elevadas prestaciones
elctricas. Sin embargo, la corriente de oscuridad (ruido) del Ge es elevada y da motivo
a ensayos con fotodiodos con materiales como InGaAsP (arseniuro fosfuro de indio y galio). El
primer PIN de InGaAs (arseniuro de indio y galio) se realiza en 1977.

El diodo que tiene la regin poco contaminada y casi intrnseca entre las regiones de p y n se
llama diodo Pinto. El nombre se deriva del material intrnseco entre las capas p y n. Debido a
su construccin, el diodo quien tiene baja capacitancia y, por tanto, encuentra aplicacin en
frecuencias altas. Cuando se polariza en directo, la inyeccin de portadores minoritarios
aumenta la conductividad de la regin intrnseca. Cuando se polariza en inverso, la regin i se
vaca totalmente de portadores y la intensidad del campo a travs de la regin es constante.


SIGNIFICADO DEL NOMBRE DEL DIODO PIN
Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor
intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al
diodo). Sin embargo, en la prctica, la capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de
alta resistividad () o bien por una capa N de alta resistividad ().
El diodo PIN es un diodo que presenta una regin p y n altamente conductoras junto a una
zona intrnseca poco conductiva. De ah viene el significado de sus siglas PIN.


Zona tipo P. P

Material Intrnseco. I

Zona tipo N. N.



COMPOSICIN

El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja resistividad
representada, est formada por difusin de tomos de boro en un bloque de silicio tipo P y la
capa N muy delgada est formada difundiendo grandes cantidades de fsforo. La regin
intrnseca i es realmente una regin P de alta resistividad y se suele denominar regin p.
Cuando el circuito est abierto, los electrones fluyen desde la regin i (p) hasta la regin P para
recombinarse con los huecos en exceso, y los huecos fluyen desde la regin i para
recombinarse con los electrones de la regin N. Si el material i (p) fuese verdaderamente
intrnseco, la cada de tensin en la regin i sera nula, puesto que la emigracin de huecos
sera igual a la emigracin de electrones. Sin embargo, como el material es en verdad p (P de
alta resistividad), hay ms huecos disponibles que electrones.

Se pudo extraer un circuito equivalente del diodo para cada estado de conduccin y que se
muestra en la Fig. 7. Los valores de L, RS, CT y RP son en inversa L=0.2 nH, RS=2. CT=0.02
pF y RP=2100 . Para la polarizacin directa (con intensidad de 50 mA), el circuito equivalente
tiene los siguientes elementos: L=0.2 nH, RS=2. Y RI=0.8.










Fig. 7.
Circuito equivalente en polarizacin inversa (a) y directa (b) del diodo PIN HPND-4005







REGIN DIRECTA

Al diodo se le aplica voltaje positivo (DC) en sus terminales (n-p). Presenta una resistencia muy
pequea RS (0.5 y en funcin de la corriente DC), denominada resistencia Forward. En la
Figura 2 siguiente se muestra el circuito equivalente del Diodo Pin en la regin directa.










Circuito Equivalente del Diodo Pin en la regin Directa.




REGIN INVERSA

El diodo tiene un voltaje menor o igual a cero en sus terminales (n-p). El diodo presenta una
resistencia en paralelo RP alta (mayor a 50 K y en funcin del voltaje en la regin inversa) y
una capacidad CT, como se muestra en la Figura 3, ambas dependen de la frecuencia de la
seal RF.








Circuito Equivalente del Diodo Pin en la Regin Inversa.



CARACTERSTICAS

El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y otra regin N
tambin fuertemente dopada, separadas por una regin de material que es casi intrnseco. Este
tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1
GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando
est inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. Adems,
las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de 100 a 1000 V.
En virtud de las caractersticas del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como
modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propsitos se le
puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido
inverso. Tambin se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones
grandes.

Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos del material p
son barridos (sweptfree). Un posterior aumento de la tensin inversa simplemente incrementa
las distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN la longitud de la regin de transicin L
es aproximadamente igual a la regin i y aproximadamente independiente de la tensin
inversa.
El diodo PIN tiene una capacidad inversa que es aproximadamente constante, independiente
de la polarizacin. Una variacin tpica de la capacidad podra ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en
una variacin de la polarizacin inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la
longitud de la regin i, la longitud de la regin de transicin es aproximadamente constante y
considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad CR, que es
proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo que el diodo PIN
es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores normales de CR varan desde 0,1
pF hasta 4 pF en los diodos PIN comerciales.
Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden en la
regin p, creando una capa P de baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los
electrones y de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente iguales en la regin i.
En la condicin de polarizacin directa la cada de tensin en la regin i es muy pequea.
Adems, al igual que el diodo PN, cuando aumenta la corriente, tambin disminuye la
resistencia. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia
modulada. En una primera aproximacin, la resistencia rd en pequea seal es inversamente
proporcional a la corriente IDQ con polarizacin directa, lo mismo que en el diodo PN.


COEFICIENTE DE ELEVACIN DE LA TEMPERATURA

Este coeficiente nos mide la variacin de la temperatura con respecto a la potencia consumida
por el diodo (C/W). Al multiplicarlo por la potencia consumida, obtendremos el incremento de
temperatura del diodo.




eff : Impedancia trmica efectiva (C/W)-
DF: Ciclo de trabajo (0.8%).
tp : Impedancia trmica Pulsada (C/W)-


La potencia consumida del diodo es la diferencia de potencias picos de dos ensayos donde el
primero se mide slo la potencia pico del diodo pin y carga y en el segundo se mide la potencia
pico de la carga. Para un ensayo obtuvimos una potencia consumida por el diodo pin de 390
W.
Por lo que tendremos una variacin de temperatura de 25C, siendo la temperatura ambiente
de 20C, el diodo tendra una temperatura de 45C. El voltaje mximo que soporta el diodo pin
es 1KV de DC.



APLICACIONES


EL FOTODETECTOR

Componente crtico en cualquier sistema de comunicaciones por fibra ptica, ha sido
menospreciado, algunas veces, en la reciente tendencia de concentrarse en las mejoras de los
transmisores lser y en las mismas fibras pticas. Simplemente con cambiar de un tipo de foto
detector a otro se puede incrementar la capacidad de un sistema ptico en un orden de
magnitud sin tocar ningn otro componente.

El fotodiodo PIN es el detector ms importante utilizado en los sistemas de comunicacin
ptica. Es relativamente fcil de fabricar, altamente fiable, tiene bajo ruido y es compatible con
circuitos amplificadores de baja tensin. Adems, es sensible a un gran ancho de banda debido
a que no tiene mecanismo de ganancia. Unas zonas p y n altamente conductivas junto a otra
intrnseca poco conductiva, caracterizan al diodo PIN. Los fotones entran a la zona intrnseca
generando pares electrn-hueco. El diodo se polariza inversamente con el fin de que las cargas
generadas en la zona intrnseca sean aceleradas por el campo elctrico presente.

Una tpica estructura p-i-n planar tiene, como material absorbente de luz, a un compuesto de
InGaAs. La regin de absorcin es fina, siendo, generalmente, un material tipo n sobre un
sustrato tipo n de indio fosforoso. La superficie superior est recubierta de un fino aislante, o
capa pasiva, para proteger la superficie y reducir la recombinacin de electrones y huecos en
dicha superficie.

Su aplicacin principal es como receptor de seales en circuitos de transmisin de datos por
medio de fibra ptica, por ello a continuacin se muestra el principio de funcionamiento de un
sistema de fibra ptica. Estos sistemas estn compuestos por un transmisor, cuya misin es la
de convertir la seal elctrica en seal ptica susceptible de ser enviada a travs de una fibra
ptica. En el extremo opuesto de la fibra ptica se encuentra el receptor, cuya misin es la de
convertir la seal ptica en seal elctrica nuevamente.

El receptor consiste en un diodo PIN o un
APD, que se acopla a la fibra ptica. Se le
denomina convertidor opto-electrnico
(O/E). El tipo de modulacin utilizado es el
de amplitud, modulando la intensidad de
luz generada por el emisor. Las no
linealidades de los emisores y receptores
al convertir las seales elctricas a pticas
y viceversa, as como las fuentes de ruido
que se sobreponen a la seal en los
sistemas tpicos de fibra ptica hacen que
este sistema sea especialmente apropiado
para la transmisin de seales digitales,
que corresponde a los estados de
encendido-apagado del emisor.



No obstante tambin es posible transmitir seales analgicas.
Otros tipos de modulacin, como modulacin en frecuencia y dems sistemas coherentes
estn en fase de desarrollo, debido a la dificultad de obtener seales luminosas espectralmente
puras y que al mismo tiempo puedan ser moduladas en frecuencia.

La seal ptica que se propaga a travs de la fibra ptica se degrada por la atenuacin y
restriccin de la anchura de banda de la fibra, y entonces, es preciso regenerar la seal
transmitida. El mejor mtodo es tratar la seal en forma elctrica. Por lo tanto, los convertidores
E/O y O/E son componentes indispensables en un repetidor ptico. El amplificador e igualador
de la seal elctrica son similares a los de los sistemas de transmisin convencionales.




ATENUADOR DE RADIO FRECUENCIA.

Los atenuadores de RF ayudan a reducir la potencia cuando
es necesario. Tambin pueden expandir el rango dinmico en
amplificadores y otros dispositivos.
El diodo PIN es un semiconductor que opera con una
resistencia variable en RF y frecuencia de microonda. Controla
altos voltajes RF con niveles de excitacin DC mucho ms
pequeo, para el caso de frecuencias altas.










SISTEMA DE CONMUTACIN RF

Una solucin para el enfasamiento de la antena es activar un camino entre dos posibles, esto
se hace mediante el empleo de diodos PIN.

En la siguiente figura se muestra el sistema de enfasamiento para una polarizacin de la
antena, las fases que se obtienen son de 0,90,180,270. Los diodos ubicados en la posicin
1 y 2, as como los ubicados en la posicin 3 y 4 trabajan complementariamente. Es decir si el
diodo pin de la posicin 1 est conduciendo, los de la posicin 2 estn en circuito abierto. El
diodo pin soporta un voltaje mximo de 1KV





Para activar un camino se aplica un voltaje continuo negativo al diodo pin (n-p), el circuito
equivalente ser la misma lnea de transmisin sin diodo pin, dado que se encuentra en circuito
abierto.

Para desactivar un camino se aplica un voltaje DC positivo al diodo pin (aproximadamente 1V),
el circuito equivalente a es como si no hubiese lnea de transmisin. A mayor nivel de
corriente, la impedancia de diodo es menor mejorando el cortocircuito del diodo.




DIODO SCHOKTTY


HISTORIA
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico alemn Walter H.
Schottky. Walter Hermann Schottky (23 de julio de 1886, Zrich, Suiza - 4 de marzo de 1976,
Pretzfeld, Alemania Occidental) fue un fsico alemn que invent la pantalla de la red de tubo
de vaco en 1915 y la vlvula termoinica tetrodo en 1919 mientras trabajaba en Siemens. En
1938, Schottky formul una teora para predecir el efecto Schottky, que ahora se utiliza en los
diodos Schottky.


CARACTERISTICAS Y FUNCIONAMIENTO

Las junturas entre un metal y un semiconductor constituyen un
tema de gran inters tecnolgico porque son el camino de
comunicacin del semiconductor con el mundo exterior en
cualquier dispositivo de estado slido, incluyendo la interconexin
interna en los circuitos integrados.
La unin de un semiconductor dopado (normalmente tipo n) con un
electrodo de metal, puede producir un diodo de conmutacin muy
rpido, que se emplea principalmente en circuitos de alta frecuencia, o circuitos digitales de alta
velocidad. Bajo polarizacin directa, los electrones se mueven desde el material tipo n al metal,
y le entrega rpidamente su energa. No hay huecos (portadores minoritarios), de modo que la
conduccin se para rpidamente cuando se cambia a polarizacin inversa.

Las junturas metal-semiconductor pueden ser de dos tipos:

1. Rectificantes: denominadas barreras Schottky, permiten el paso de la corriente en un
solo sentido.

2. hmicas, que presentan una resistencia muy baja y permiten el paso de la corriente en
ambos sentidos.



Un metal en contacto con un semiconductor moderadamente dopado puede formar un contacto
rectificante llamado diodo de barrera Schottky.
El mecanismo de corriente en el diodo Schottky es diferente que en el caso de un diodo de
juntura PN, y es debido al flujo de portadores mayoritarios. Muchos metales pueden ser usados
para crear barreras Schottky sobre semiconductores de silicio (Si) o arseniuro de galio (GaAs).
Para la parte metal, los metales ms usados son platino, titanio y oro.





Un diodo Schottky, se forma colocando una pelcula metlica en contacto directo con un
semiconductor, El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la
movilidad ms grande de los portadores en este tipo de material. La parte metlica ser el
nodo y el semiconductor, el ctodo.




PARAMETROS

El parmetro q m [eV] es la funcin trabajo del metal.

La cantidad q s [eV] es la funcin trabajo del semiconductor.


El nivel de vaco

es usado como nivel de

referencia y representa la energa que
tendra un electrn si estuviera libre de la
influencia del material.

El parmetro q m [eV] es la funcin trabajo
del metal que resulta de la diferencia entre el
nivel de vaco Eo y el nivel de Fermi en el
metal EFm. La funcin trabajo del metal es
la energa mnima necesaria para liberar a
un electrn del metal.
La cantidad q s [eV] es la funcin trabajo del semiconductor, y depende de la concentracin
del dopaje, porque la posicin del nivel de Fermi EFs depende del tipo de dopado y de su
concentracin.
La altura de la barrera de energa en la superficie del semiconductor se expresa por la cantidad
q [eV], donde es la afinidad electrnica. La afinidad electrnica es una constante del
material y resulta de la diferencia de energa entre el nivel de vaco y el borde de la banda de
conduccin.
Cuando se establece el contacto entre los materiales, las diferencias de energa provocan una
transferencia de electrones desde el semiconductor hacia el metal de modo de igualar los
niveles de Fermi, en condiciones de circuito abierto. En el semiconductor se forma as una
regin de carga espacial debida a los tomos donadores ionizados. Se crea un campo elctrico
que se opone al flujo de electrones y en equilibrio se producir una curvatura de las bandas del
lado del semiconductor.


POLARIZACION


POLARIZACIN INVERSA

Para entender el comportamiento del sistema
cuando se aplica una tensin externa se
considerar que el semiconductor est conectado
a tierra. Si se aplica una tensin

tal que el
semiconductor, que es de tipo N, quede positivo
respecto del metal (

), la cada de tensin a
travs de la regin de carga espacial aumenta y
consecuentemente, aumentan el ancho de la
regin de agotamiento () y la carga espacial:










POLARIZACIN DIRECTA

Si ahora se aplica una tensin positiva

al metal
respecto del semiconductor, la barrera
semiconductor-metal,

se reduce. (B
permanece aproximadamente constante). En esta
situacin, los electrones pueden fluir fcilmente
desde el semiconductor hacia el metal, porque la
altura de la barrera se ha reducido.



CIRCUITO EQUIVALENTE


El circuito equivalente de pequea seal del diodo Schottky cuyo smbolo esquemtico se
muestra en la figura de la izquierda, es muy similar al de un diodo de juntura PN.










El circuito incluye la combinacin en paralelo de la resistencia y la capacidad

de la regin
de agotamiento, estos elementos del circuito estn en serie con , que incluye la resistencia
de los contactos y de la regin neutra del semiconductor, y una inductancia parsita en serie
Ls, que tiene efectos en aplicaciones de muy alta frecuencia.
Tambin se incluye la capacidad geomtrica del dispositivo que puede calcularse como:
L
A
C
s
geom

Donde:
L es la longitud del dispositivo de rea transversal A.
La diferencia ms importante con el circuito equivalente del diodo de juntura PN es la ausencia
de la capacidad de difusin, que predomina en polarizacin directa. Esta capacidad est
asociada con el tiempo de retardo causado por la recombinacin electrn-hueco. Como el
diodo Schottky es un dispositivo de portadores mayoritarios la recombinacin es un efecto
despreciable. La eliminacin de la capacidad de difusin hace que el dispositivo tenga una
rpida respuesta temporal y es mayormente usado en aplicaciones de conmutacin. Para un
diodo Schottky un tiempo de conmutacin tpico es de 1, en tanto que un diodo comn est
en el orden de 1


COMPARACIN DE UN DIODO SCHOTTKY Y UN DIODO DE UNIN PN

Los diodos Schottky tienen muchas aplicaciones porque presentan algunas ventajas respecto a
los diodos de unin PN. Adems de lo comentado en el prrafo anterior respecto a su mayor
velocidad de respuesta temporal, prcticamente no hay efectos de recombinacin de
portadores en la regin de agotamiento. Para una polarizacin directa aplicada el diodo
Schottky presenta una mayor corriente lo que se evidencia como una menor tensin de umbral,
alrededor de como se muestra en la figura de abajo, en la cual se comparan los
diodos.
Del diodo Schottky puede verse que resulta una fcil conduccin del flujo de corriente en
polarizacin directa, debido a que los electrones en el semiconductor ven una barrera reducida.
En polarizacin inversa, la corriente de saturacin queda determinada por la barrera para los
electrones en el metal B.











CONTACTO HMICO

Los contactos hmicos son los que proporcionan la interconexin de cualquier dispositivo
electrnico con el exterior. Son contactos metal-semiconductor en los cuales no hay efecto
rectificante. Bsicamente, un contacto hmico es una juntura de baja resistencia que provee
conduccin en ambas direcciones entre el metal y el semiconductor. Idealmente, la corriente a
travs del contacto hmico es una funcin lineal del potencial aplicado que podr ser muy
pequeo. La figura 1 compara la caracterstica corriente-tensin entre un contacto hmico y un
contacto rectificante.
























0 0.2 V
I
Contacto
rectificante
Figura 1
Contacto
hmico
APLICACIONES

En fuentes de baja tensin en la cuales las cadas en los rectificadores son
significativas.

Circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes
velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite
poco gasto de energa.

Variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no
pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades.

El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lgica TTL. Por ejemplo
los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutacin entre los transistores
sean mucho menores puesto que son ms superficiales y de menor tamao por lo que
se da una mejora en la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia
y menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que
las Schottky TTL con la misma potencia.

TTL-S (schottky): Serie rpida (usa diodos Schottky)
TTL-AS (advanced schottky): Versin mejorada de la serie anterior
TTL-LS (low power schottky): Combinacin de las tecnologas L y S (es la familia
ms extendida)
TTL-ALS (advanced low power schottky): Versin mejorada de la serie AS
TTL-F (FAST: fairchild advanced schottky)
TTL-AF (advanced FAST): Version mejorada de la serie F







DIODO TUNEL


HISTORIA

Este diodo fue inventado en 1958 por el fsico japons Leo Esaki, por lo cual recibi un Premio
Nobel en 1973 descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de
contaminacin del material bsico mucho ms elevado que lo habitual exhiben una
caracterstica tensin-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo
casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente
de cresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente
comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo,
llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo
crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace
cada vez ms rpido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de
alguna manera. Este comportamiento particular de los diodos muy
contaminados se debe a lo que los fsicos denominan efecto tnel


EFECTO TUNEL

El efecto tnel es un fenmeno nanoscpico por el que una partcula viola los principios de la
mecnica clsica penetrando una barrera potencial o impedancia mayor que la energa cintica
de la propia partcula. Una barrera, en trminos cunticos aplicados al efecto tnel, se trata de
una cualidad del estado energtico de la materia anlogo a una "colina" o pendiente clsica,
compuesta por crestas y flancos alternos, que sugiere que el camino ms corto de un mvil
entre dos o ms flancos debe atravesar su correspondiente cresta intermedia si dicho objeto no
dispone de energa mecnica suficiente como para imponerse con la salvedad de atravesarlo.

A escala cuntica, los objetos exhiben un comportamiento ondular; en la teora cuntica, un
cuanto movindose en direccin a una "colina" potencialmente energtica puede ser descrito
por su funcin de onda, que representa la amplitud probable que tiene la partcula de ser
encontrada en la posicin allende la estructura de la curva. Si esta funcin describe la posicin
de la partcula perteneciente al flanco adyacente al que supuso su punto de partida, existe
cierta probabilidad de que se haya desplazado "a travs" de la estructura, en vez de superarla
por la ruta convencional que atraviesa la cima energtica relativa. A esto se conoce como
efecto tnel.


CARACTERISTICAS Y FUNCIONAMIENTO

El diodo tnel basa su actuacin en el denominado efecto tnel o Easaki. ste se manifiesta
debido a que los diodos tnel incluyen una elevada concentracin de impurezas en ambas
zonas de semiconductor (P y N), lo que se traduce en:

- Una zona de unin ZT muy estrecha.
- Un campo elctrico en la unin (E) considerablemente elevado.
En estas circunstancias el fenmeno que se origina es similar al de avalancha, con la salvedad
de que la ionizacin es producida por el campo elctrico E. ste, debido a su intensidad,
arranca e- de los tomos presentes en ZT que se ocuparn de propagar la ionizacin en
cadena.








La generacin de nuevos portadores por efecto de la ionizacin es progresiva. Los
referidos portadores establecen una corriente cuyo crecimiento se prolonga tericamente hasta
el infinito, tal como se observa en la curva caracterstica.
Al igual que el efecto de avalancha, el efecto tnel se manifiesta en polarizacin inversa.
Debido a la elevada concentracin de impurezas, la zona de transicin es de anchura
reducida. Ello impide la ruptura por efecto avalancha, puesto que el espacio no es suficiente
para que los electrones alcancen la aceleracin necesaria para desencadenar la ionizacin.

En polarizacin directa, el diodo tnel presenta una especial particularidad:
Cuando la tensin supera el valor (tensin de pico), la evolucin de la
intensidad es decreciente respecto al incremento de .

Al llegar a (tensin de valle) la grfica vuelve a ser de nuevo ascendente,
reflejando un incremento de I respecto a .


El especial trazado de la curva caracterstica del diodo tnel se debe a que sta sintetiza el
efecto tnel y el funcionamiento como diodo normal. El tramo de curva comprendido entre los
puntos de abscisas y es de gran importancia.




A un incremento positivo de la tensin , corresponde una decrementacin de la intensidad I.
Ello significa que en este intervalo el diodo tnel presenta una resistencia negativa. Esta
peculiaridad hace que los diodos tnel favorezcan tericamente la no disipacin de energa, ya
que en el intervalo comprendido entre y presentan un efecto de anti-resistencia.

Por este motivo los diodos tnel se utilizan con frecuencia en los circuitos osciladores, con el
fin de contrarrestar la resistencia propia del circuito y minimizar la amortiguacin de la onda a
travs del tiempo.






APLICACIONES

Este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de
fuga muy grande cuando estn polarizados en reversa. As estos diodos slo encuentran
aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia

OSCILADOR CON DIODO TUNEL

El trmino oscilador se usa para describir un circuito en donde se produce una forma de onda
repetida continuamente, sin ningun tipo de entrada que no sea quizas un activador.



La regin de resistencia negativa del diodo tnel hace posible la accin del oscilador.











DIODO VARICAP

HISTORIA
Fue un invento que realizaron Sanford Barnes, Sherman Oaks y John Mann en 1958
trabajando para Pacific Semiconductors (PSI) en California. Ya se conocan los fenmenos
fsicos que permitan aprovechar los cambios de capacidad elctrica en funcin de la tensin
aplicada a un diodo, pero el primer trabajo en conseguir un
mtodo estable de fabricacin y repetividad en los dispositivos fue
el creado por Sanford Barners, Sherman Oaks y Jhon Mann.
Es un dispositivo semiconductor que puede controlar su valor de
capacidad en trminos de la tensin aplicada en polarizacin
inversa.


CARACTERISTICAS Y FUNCIONAMIENTO

Los diodos varactores tambin conocidos como diodos, varicap, diodos de sintonizacin o VVC
(Capacitancia variable dependiente del voltaje) son capacitores semiconductores dependientes
del voltaje. Su modo de operacin depende de la capacitancia que haya en la unin PN cuando
el elemento se polariza en inversa. En condiciones de polarizacin inversa hay una regin de
carga no recuperada a ambos lados de la unin que juntos conforman la regin de agotamiento
y definen el ancho de agotamiento

. La capacitancia de transicin

establecida por las

cargas no recuperadas aisladas es:

: Permitividad de los materiales semiconductores
: rea de la unin PN

: Ancho del empobrecimiento o agotamiento

A medida que se incrementa el potencial en polarizacin inversa, el ancho de la regin de
agotamiento se incrementa, lo cual a su vez reduce la capacitancia de transicion. Las
caractersticas de un diodo varicap se muestran en el siguiente grfico.

: Magnitud del potencial aplicado en polarizacin inversa

Podemos concluir entonces que si se aumenta la tensin de polarizacin inversa, las capas de
carga del diodo se espacien lo suficiente y as el efecto se asemeje a una disminucin de la
capacidad del capacitador.


APLICACIONES

Los diodos varicap han hecho posible la construccin de receptores con buscador automtico
electrnico o conocidos por el pblico como tuner. Su empleo es especialmente adecuado para
auto radios, la ventaja ms sobresaliente es la sustitucin de elementos mecnicos en los
circuitos oscilantes por componentes electrnicos estticos, susceptibles de ser controlados
por tensiones continuas libres de toda radiofrecuencia.
Otra aplicacin muy conocida es el uso de varactores en la tecnologa de ondas de
microondas, como limitadores, estos permiten eliminar tensiones que no nos interesa que
lleguen a un determinado punto de un circuito. Mediante un limitador podemos conseguir que a
un determinado circuito le lleguen nicamente tensiones positivas o solamente negativas
TUNERS EN TRANSMISORES
En los ltimos aos se han popularizado enormemente las transmisiones de radio en
frecuencia modulada (FM). Hasta la dcada del 60 eran comunes las emisiones en amplitud
modulada (AM) dado que era relativamente fcil conseguir este tipo de modulacin, pero se
vean perturbadas, muy fcilmente, por seales de ruido, como muy bien lo saben los
radioaficionados que, acostumbrados a esta transmisin, conocen muy bien los zumbidos que
se generan en sus transmisiones (especialmente de noche).


Precisamente, la transmisin de ondas de radio en FM nace para eliminar estas molestias
interferencias y, como adems se aumentaba el ancho de banda, mejora notablemente la
calidad de la transmisin.

En general, emitir es fcil, slo basta un oscilador que modifique su frecuencia levemente con
la informacin que queremos transmitir y una carga (antena) que reciba la seal del oscilador
para enviarla al espacio, tal como lo sugiere la siguiente figura.








Los equipos elaborados como los transmisores de uso comercial necesitan que la seal
generada sea muy estable en frecuencia y, adems, tenga una potencia respetable para que
pueda lograr un gran alcance. En ese caso, el transmisor necesitar etapas adicionales
conformando un diagrama en bloques como el de la figura 2. Precisamente, lo que diferencia a
una emisora de FM de un micrfono sin cable del tipo miniatura son las aplicaciones que se le
darn a uno y a otro equipo, tenemos el circuito elctrico de un pequeo transmisor de FM
donde los transistores BF494, con sus componentes asociados, conforman el oscilador que es
del tipo multivibrador generando una seal de cierta potencia sin necesidad de recurrir a
ajustes complicados.

La frecuencia del oscilador queda fija por la inductancia de la bobina y la capacidad del
variable.
La modulacin se efecta en frecuencia por medio del diodo varicap que se conecta en
paralelo con el capacitor variable.





DIODO ZENER

HISTORIA
Clarence Melvin Zener realiza estudios de fsica en la universidad de Stanford, en la que se
grada en 1926. En 1929 recibe un doctorado (Ph.D.) de la universidad de Harvard y amplia
estudios en la universidad de Leipzig. En 1934 publica un artculo sobre la ruptura de las
propiedades aislantes de ciertos materiales.
A principios de la dcada de 1950, tras la invencin del transistor y
siguiendo sus investigaciones sobre materiales semiconductores, William
B. Shockley y varios colegas de los Laboratorios Bell estudiaron el
fenmeno de la corriente inversa en las uniones pn, explicndolo segn
la teora que Zener haba desarrollado en su trabajo de 1934 sobre el
efecto tnel. La aplicacin prctica de estas investigaciones se
materializa en un diodo semiconductor que Shockley bautiza como diodo
Zener.


COMPORTAMIENTO Y CARACTERISTICAS

Existe otro tipo de diodo, el llamado diodo Zener, cuyas caractersticas en polarizacin directa
son
Anlogas a las del diodo de unin estudiado en la prctica anterior (figura 2a), pero que en
polarizacin inversa se comporta de manera distinta (figura 2b), lo que le permite tener una
serie de aplicaciones que no posea el anterior.
Su caracterstica tensin-corriente en la figura 3.

Cuando el diodo esta polarizado inversamente, una pequea corriente circula por l, llamada
corriente de saturacin Is, esta corriente permanece relativamente constante mientras
aumentamos la tensin inversa hasta que el valor de sta alcanza Vz, llamada tensin Zener
(que no es la tensin de ruptura zener), para la cual el diodo entra en la regin de colapso. La
corriente empieza a incrementarse rpidamente por el efecto avalancha.

En esta regin pequeos cambios de tensin producen grandes cambios de corriente. El diodo
tener mantiene la tensin prcticamente constante entre sus extremos para un amplio rango de
corriente inversa.









Figura 2.-
Caracterstica I-V de un diodo Zener en polarizacin directa e inversa.












Fig. 3
Caracterstica I-V de un diodo Zener.

Si vamos disminuyendo la tensin inversa se volver a restaurar la corriente de saturacin

,
cuando la tensin inversa sea menor que la tensin zener. El diodo podr cambiar de una zona
a la otra en ambos sentidos sin que para ello el diodo resulte daado, esto es lo que lo
diferencia de un diodo de unin como el que estudiamos en la prctica anterior y es lo que le
da al diodo zener su caracterstica especial.
El progresivo aumento de la polarizacin inversa hace crecer el nivel de corriente y no debe
sobrepasarse un determinado nivel de tensin especificado por el fabricante pues en caso
contrario se daara el diodo, adems siempre debemos tener en cuenta la mxima potencia
que puede disipar el diodo y trabajar siempre en la regin de seguridad.


APLICACIONES

DIODO ZENER COMO REGULADOR

Se llama voltaje no regulado aquel que disminuye cuando el circuito conectado a l consume
ms corriente, esto ocurre en las fuentes DC construidas con solo el rectificador y el
condensador de filtro, en los adaptadores AC-DC y en las bateras. Un voltaje regulado
mantiene su valor constante aunque aumente o disminuya el consumo de corriente. Una de las
muchas formas de regular un voltaje es con un diodo Zener.
La figura 4 muestra el circuito de un diodo usado como regulador.









Fig. 4.- Circuito regulador.

Este circuito se disea de tal forma que el diodo zener opere en la regin de ruptura,
aproximndose as a una fuente ideal de tensin. El diodo zener est en paralelo con una
resistencia de carga RL y se encarga de mantener constante la tensin entre los extremos de
la resistencia de carga (V
out
=V
Z
), dentro de unos lmites requeridos en el diseo, a pesar de los
cambios que se puedan producir en la fuente de tensin V
AA
, y en la corriente de carga I
L
.

Analicemos a continuacin el funcionamiento del circuito. Consideremos primero la operacin
del circuito cuando la fuente de tensin proporciona un valor V
AA
constante pero la corriente de
carga varia. Las corrientes
L
z
L
R
V
I e I
Z
estn ligadas a travs de la ecuacin:
Z L T
I I I (1)

Y para las tensiones:

z R Z T AA
V V V R I V (2)

Por lo tanto, si V
AA
y V
Z
permanecen constantes, V
R
debe de serlo tambin R I V
T R
.

De esta forma la corriente total I
T
queda fijada a pesar de las variaciones de la corriente de
carga. Esto lleva a la conclusin de que si I
L
aumenta, I
Z
disminuye y viceversa (debido a la
ecuacin (1)). En consecuencia V
Z
no permanecer absolutamente constante, variar muy
poco debido a los cambios de I
Z
que se producen para compensar los cambios de I
L
.
Si ahora lo que permanece constante es la corriente de carga y la fuente de tensin V
AA
vara,
un aumento de sta produce un aumento de I
T
y por tanto de I
Z
pues I
L
permanece constante, y
lo contrario si se produjera una disminucin de V
AA
. Tendramos lo mismo que antes, una
tensin de salida prcticamente constante, las pequeas variaciones se produciran por las
variaciones de I
Z
para compensar las variaciones de V
AA
.

DIODO ZENER COMO ELEMENTO DE PROTECCIN





Se coloca el diodo Zener en paralelo con el circuito a proteger, si el voltaje de fuente crece por
encima de V
Z
el diodo conduce y no deja que el voltaje que llega al circuito sea mayor a V
Z
. No
se debe usar cuando V
F
> V
Z
por largos periodos de tiempo pues en ese caso se daa el diodo.
Se aplica acompaado de lmparas de nen o de descargadores de gas para proteger circuitos
de descargas elctricas por rayos.