Una FPGA (del ingls Field Programmable Gate

Array) es un dispositivo semiconductor que

contiene bloques de lgica cuya interconexin y
funcionalidad puede ser configurada 'in situ'
mediante un lenguaje de descripcin
especializado. La lgica programable puede
reproducir desde funciones tan sencillas como las
llevadas a cabo por una puerta lgica o un sistema
combinacional hasta complejos sistemas en un
chip.
Las FPGAs se utilizan en aplicaciones similares a
los ASICs sin embargo son ms lentas, tienen un
mayor consumo de potencia y no pueden abarcar
sistemas tan complejos como ellos. A pesar de
esto, las FPGAs tienen las ventajas de ser
reprogramables (lo que aade una enorme
flexibilidad al flujo de diseo), sus costes de
desarrollo y adquisicin son mucho menores para
pequeas cantidades de dispositivos y el tiempo
de desarrollo es tambin menor.
Ciertos fabricantes cuentan con FPGAs que slo se
pueden programar una vez, por lo que sus
ventajas e inconvenientes se encuentran a medio
camino entre los ASICs y las FPGAs
reprogramables.
Histricamente las FPGA surgen como una
evolucin de los conceptos desarrollados en las
PAL y los CPLD.
Historia: FPGA vs CPLD[editar editar fuente]

Arquitectura interna de una FPGA.
Las FPGAs fueron inventadas en el ao 1984
por Ross Freeman y Bernard Vonderschmitt, co-
fundadores de Xilinx, y surgen como una
evolucin de los CPLDs.
Tanto los CPLDs como las FPGAs contienen un
gran nmero de elementos lgicos programables.
Si medimos la densidad de los elementos lgicos
programables en puertas lgicas equivalentes
(nmero de puertas NAND equivalentes que
podramos programar en un dispositivo)
podramos decir que en un CPLD hallaramos del
orden de decenas de miles de puertas lgicas
equivalentes y en una FPGA del orden de cientos
de miles hasta millones de ellas.
Aparte de las diferencias en densidad entre ambos
tipos de dispositivos, la diferencia fundamental
entre las FPGAs y los CPLDs es su arquitectura. La
arquitectura de los CPLDs es ms rgida y consiste
en una o ms sumas de productos programables
cuyos resultados van a parar a un nmero
reducido de biestables sncronos (tambin
denominados flip-flops). La arquitectura de las
FPGAs, por otro lado, se basa en un gran nmero
de pequeos bloques utilizados para reproducir
sencillas operaciones lgicas, que cuentan a su vez
con biestables sncronos. La enorme libertad
disponible en la interconexin de dichos bloques
confiere a las FPGAs una gran flexibilidad.
Otra diferencia importante entre FPGAs y CPLDs
es que en la mayora de las FPGAs se pueden
encontrar funciones de alto nivel (como
sumadores y multiplicadores) embebidas en la
propia matriz de interconexiones, as como
bloques de memoria.
Historia[editar editar fuente]
Las FPGA son el resultado de la convergencia de
dos tecnologas diferentes, los dispositivos lgicos
programables (PLDs [Programmable Logic
Devices]) y los circuitos integrados de aplicacin
especfica (ASIC [Application-Specific Integrated
Circuit]). La historia de los PLDs comenz con los
primeros dispositivos PROM (Programmable Read-
Only Memory) y se les aadi versatilidad con los
PAL (Programmable Array Logic) que permitieron
un mayor nmero de entradas y la inclusin de
registros. Esos dispositivos han continuado
creciendo en tamao y potencia. Mientras,
los ASIC siempre han sido potentes dispositivos,
pero su uso ha requerido tradicionalmente una
considerable inversin tanto de tiempo como de
dinero. Intentos de reducir esta carga han
provenido de la modularizacin de los elementos
de los circuitos, como los ASIC basados en celdas,
y de la estandarizacin de las mscaras, tal como
Ferranti fue pionero con la ULA(Uncommitted
Logic Array). El paso final era combinar las dos
estrategias con un mecanismo de interconexin
que pudiese programarse utilizando fusibles,
antifusibles o celdas RAM y celdas ROM, como los
innovadores dispositivos Xilinx de mediados de los
80. Los circuitos resultantes son similares en
capacidad y aplicaciones a los PLDs ms grandes,
aunque hay diferencias puntuales que delatan
antepasados diferentes. Adems de en
computacin reconfigurable, las FPGAs se utilizan
en controladores, codificadores/decodificadores y
en el prototipado de circuitos VLSI y
microprocesadores a medida.
El primer fabricante de estos dispositivos
fue Xilinx [2] y los dispositivos de Xilinx se
mantienen como uno de los ms populares en
compaas y grupos de investigacin. Otros
vendedores en este mercado
son Atmel, Altera, AMD y Motorola.
Caractersticas[editar editar fuente]
Una jerarqua de interconexiones programables
permite a los bloques lgicos de un FPGA ser
interconectados segn la necesidad del diseador
del sistema, algo parecido a un breadboard (es
una placa de uso genrico reutilizable o semi
permanente) programable. Estos bloques lgicos e
interconexiones pueden ser programados despus
del proceso de manufactura por el
usuario/diseador, as que el FPGA puede
desempear cualquier funcin lgica necesaria.
Una tendencia reciente ha sido combinar los
bloques lgicos e interconexiones de los FPGA con
microprocesadores y perifricos relacionados para
formar un Sistema programable en un chip.
Ejemplo de tales tecnologas hbridas pueden ser
encontradas en los dispositivos Virtex-II PRO y
Virtex-4 de Xilinx, los cuales incluyen uno o ms
procesadores PowerPC embebidos junto con la
lgica del FPGA. El FPSLIC de Atmel es otro
dispositivo similar, el cual usa un
procesador AVR en combinacin con la
arquitectura lgica programable de Atmel. Otra
alternativa es hacer uso de ncleos de
procesadores implementados haciendo uso de la
lgica del FPGA. Esos ncleos incluyen los
procesadores MicroBlaze y PicoBlaze de Xlinx,
Nios y Nios II de Altera, y los procesadores
de cdigo abierto LatticeMicro32 y LatticeMicro8.
Muchos FPGA modernos soportan la
reconfiguracin parcial del sistema, permitiendo
que una parte del diseo sea reprogramada,
mientras las dems partes siguen funcionando.
Este es el principio de la idea de la computacin
reconfigurable, o los sistemas reconfigurables.
Programacin[editar editar fuente]
En la FPGA no se realiza programacin tal cual
como se realiza en otros dispositivos como DSP,
CPLD o microcontroladores. La FPGA tiene celdas
que se configuran con una funcin especfica ya
sea como memoria (FLIP-FLOP tipo D), como
multiplexor o con una funcin lgica tipo AND, OR,
XOR. La labor del "programador" es describir el
hardware que tendr la FPGA. Por consiguiente, la
tarea del "programador" es definir la funcin
lgica que realizar cada uno de los CLB,
seleccionar el modo de trabajo de cada IOB e
interconectarlos.
El diseador cuenta con la ayuda de entornos de
desarrollo especializados en el diseo de sistemas
a implementarse en un FPGA. Un diseo puede
ser capturado ya sea como esquemtico, o
haciendo uso de un lenguaje de
programacin especial. Estos lenguajes de
programacin especiales son conocidos
como HDL o Hardware Description
Language (lenguajes de descripcin dehardware).
Los HDLs ms utilizados son:
VHDL
Verilog
ABEL
En un intento de reducir la complejidad y el
tiempo de desarrollo en fases de prototipaje
rpido, y para validar un diseo en HDL, existen
varias propuestas y niveles de abstraccin del
diseo. Los niveles de abstraccin superior son los
funcionales y los niveles de abstraccin inferior
son los de diseo al nivel de componentes
hardware bsicos. Entre otras, National
InstrumentsLabVIEW FPGA propone un
acercamiento de programacin grfica de alto
nivel.
Aplicaciones[editar editar fuente]
Cualquier circuito de aplicacin especfica puede
ser implementado en un FPGA, siempre y cuando
esta disponga de los recursos necesarios. Las
aplicaciones donde ms comnmente se utilizan
los FPGA incluyen a los DSP (procesamiento digital
de seales), radio definido por software, sistemas
aeroespaciales y de defensa, prototipos de ASICs,
sistemas de imgenes para medicina, sistemas de
visin para computadoras, reconocimiento de voz,
bioinformtica, emulacin de hardware de
computadora, entre otras. Cabe notar que su uso
en otras reas es cada vez mayor, sobre todo en
aquellas aplicaciones que requieren un alto grado
de paralelismo.
Existe cdigo fuente disponible (bajo licencia GNU
GPL)
1
de sistemas
como microprocesadores, microcontroladores, filt
ros, mdulos de comunicaciones y memorias,
entre otros. Estos cdigos se llaman cores.
Tecnologa de la memoria de
programacin[editar editar fuente]
Las FPGAs tambin se pueden diferenciar por
utilizar diferentes tecnologas de memoria:
-Voltiles: Basadas en RAM. Su programacin se
pierde al quitar la alimentacin. Requieren una
memoria externa no voltil para configurarlas al
arrancar (antes o durante el reset).
-No Voltiles: Basadas en ROM. Hay de dos tipos,
las reprogramables y las no reprogramables.
1. Reprogramables: Basadas en EPROM o flash.
stas se pueden borrar y volver a reprogramar
aunque con un lmite de unos 10.000 ciclos.
2. No Reprogramables: Basadas
en fusibles o antifusibles. Solo se pueden
programar una vez, lo que las hace poco
recomendables para trabajos en laboratorios.
Ejemplo de tarjeta de desarrollo que incorpora
una FPGA
2
:
Fabricantes[editar editar fuente]
Desde principios de 2007, hay dos grandes
productores de FPGA de propsito general,
adems de un conjunto de otros competidores
quienes se diferencian por ofrecer dispositivos con
caractersticas nicas.
-Xilinx es uno de los dos grandes lderes en la
fabricacin de FPGA.
-Altera es el otro gran lder.
-Lattice Semiconductor lanz al mercado
dispositivos FPGA con tecnologa de 90nm.
Adems, Lattice es un proveedor lder en
tecnologa no voltil, FPGA basadas en tecnologa
Flash, con productos de 90nm y 130nm.
-Actel tiene FPGAs basados en tecnologa Flash
reprogrammable. Tambin ofrece FPGAs que
incluyen mezcladores de seales basados en Flash.
-QuickLogic tiene productos basados en
antifusibles (programables una sola vez).
-Atmel es uno de los fabricantes cuyos productos
son reconfigurables (el Xilinx XC62xx fue uno de
estos, pero no estn siendo fabricados
actualmente). Ellos se enfocaron en proveer
microcontroladores AVR con FPGAs, todo en el
mismo encapsulado.
-Achronix Semiconductor a travs de tecnologa
de Intel de 22 nm, su catlogo incluye dispositivos
FPGA de hasta 1.5 GHz
Nanotecnologa
La nanotecnologa es un campo de las ciencias
aplicadas dedicado al control y manipulacin de
la materia a una escala menor que unmicrmetro,
es decir, a nivel
de tomos y molculas (nanomateriales). Lo ms
habitual es que tal manipulacin se produzca en
un rango de entre uno y cien nanmetros. Se
tiene una idea de lo pequeo que puede ser
un nanobot sabiendo que un nanobot de unos
50 nm tiene el tamao de 5 capas
de molculas o tomos -depende de qu est
hecho el nanobot-.
Nano es un prefijo griego que indica una medida
(10
-9
= 0,000 000 001), no un objeto; de manera
que la nanotecnologa se caracteriza por ser un
campo esencialmente multidisciplinar, y
cohesionado exclusivamente por la escala de la
materia con la que trabaja.
Definicin
La nanotecnologa comprende el estudio, diseo,
creacin, sntesis, manipulacin y aplicacin de
materiales, aparatos y sistemas funcionales a
travs del control de la materia a nanoescala, y la
explotacin de fenmenos y propiedades de la
materia a nanoescala. Cuando se manipula la
materia a escala tan minscula, presenta
fenmenos y propiedades totalmente nuevas. Por
lo tanto, los cientficos utilizan la nanotecnologa
para crear materiales, aparatos y sistemas
novedosos y poco costosos con propiedades
nicas.
Historia
El ganador del premio Nobel de Fsica de
1965, Richard Feynman, fue el primero en hacer
referencia a las posibilidades de la nanociencia y la
nanotecnologa en el clebre discurso que dio en
elCaltech (Instituto Tecnolgico de California)
el 29 de diciembre de 1959, titulado En el fondo
hay espacio de sobra (There's Plenty of Room at
the Bottom).
Otras personas de esta rea fueron Rosalind
Franklin, James Dewey Watson y Francis
Crick quienes propusieron que el ADN era la
molcula principal que jugaba un papel clave en la
regulacin de todos los procesos del organismo,
revelando la importancia de las molculas
como determinantes en los procesos de la vida.
Pero estos conocimientos fueron ms all, ya que
con esto se pudo modificar la estructura de las
molculas, como es el caso de los polmeros o
plsticos que hoy en da encontramos en nuestros
hogares. Pero hay que decir que a este tipo de
molculas se les puede considerar grandes.
Hoy en da la medicina tiene ms inters en la
investigacin en el mundo microscpico, ya que
en l se encuentran posiblemente las alteraciones
estructurales que provocan las enfermedades, y
no hay que decir de las ramas de la medicina que
han salido ms beneficiadas como es la
microbiologa, inmunologa, fisiologa; han surgido
tambin nuevas ciencias como la Ingeniera
Gentica, que ha generado polmicas sobre las
repercusiones de procesos como la clonacin o
la eugenesia.
Inversin
Algunos pases en vas de desarrollo ya destinan
importantes recursos a la investigacin en
nanotecnologa. La nanomedicina es una de las
reas que ms puede contribuir al avance
sostenible del Tercer Mundo, proporcionando
nuevos mtodos de diagnstico y cribaje de
enfermedades, mejores sistemas para la
administracin de frmacos y herramientas para
la monitorizacin de algunos parmetros
biolgicos.
Alrededor de cuarenta laboratorios en todo el
mundo canalizan grandes cantidades de dinero
para la investigacin en nanotecnologa. Unas
trescientas empresas tienen el trmino nano en
su nombre, aunque todava hay muy pocos
productos en el mercado.
[cita requerida]

Algunos gigantes del mundo informtico
como IBM, Hewlett-
Packard ('HP)' NEC e Intel estn invirtiendo
millones de dlares al ao en el tema. Los
gobiernos del llamado Primer Mundo tambin se
han tomado el tema muy en serio, con el claro
liderazgo del gobierno estadounidense, que
dedica cientos millones de dlares a su National
Nanotechnology Initiative.
En Espaa, los cientficos hablan
de nanopresupuestos. Pero el inters crece, ya
que ha habido algunos congresos sobre el tema:
en Sevilla, en la Fundacin San Telmo, sobre
oportunidades de inversin, y en Madrid, con una
reunin entre responsables de centros de
nanotecnologa de Francia, Alemania y Reino
Unido en la Universidad Autnoma de Madrid.
Las industrias tradicionales podrn beneficiarse de
la nanotecnologa para mejorar su competitividad
en sectores habituales, como textil, alimentacin,
calzado, automocin, construccin y salud. Lo que
se pretende es que las empresas pertenecientes a
sectores tradicionales incorporen y apliquen la
nanotecnologa en sus procesos con el fin de
contribuir a la sostenibilidad del empleo.
Actualmente la cifra en uso cotidiano es del 0.2 %.
Con la ayuda de programas de acceso a la
nanotecnologa se prev que en 2014 sea del 17 %
en el uso y la produccin manufacturera.
Ensamblaje interdisciplinario
La caracterstica fundamental de nanotecnologa
es que constituye un ensamblaje interdisciplinar
de varios campos de las ciencias naturales que
estn altamente especializados. Por tanto, los
fsicos juegan un importante rol no slo en la
construccin del microscopio usado para
investigar tales fenmenos sino tambin sobre
todas las leyes de la mecnica cuntica. Alcanzar
laestructura del material deseado y las
configuraciones de ciertos tomos hacen jugar a la
qumica un papel importante. En medicina, el
desarrollo especfico dirigido a nanopartculas
promete ayuda al tratamiento de ciertas
enfermedades. Aqu, la ciencia ha alcanzado un
punto en el que las fronteras que separan las
diferentes disciplinas han empezado a diluirse, y
es precisamente por esa razn por la que la
nanotecnologa tambin se refiere a ser una
tecnologa convergente.
Una posible lista de ciencias involucradas sera la
siguiente:
Qumica (Moleculares y computacional)
Bioqumica
Biologa molecular
Fsica
Electrnica
Informtica
Matemticas
Medicina
Nanoingenieria
Nanotecnologa avanzada
La nanotecnologa avanzada, a veces tambin
llamada fabricacin molecular, es un trmino
dado al concepto de ingeniera de nanosistemas
(mquinas a escala nanomtrica) operando a
escala molecular. Se basa en que los productos
manufacturados se realizan a partir de tomos.
Las propiedades de estos productos dependen de
cmo estn esos tomos dispuestos. As por
ejemplo, si reubicamos
los tomos del grafito (compuesto por carbono,
principalmente) de la mina del lpiz podemos
hacer diamantes (carbono puro cristalizado). Si
reubicamos los tomos de la arena (compuesta
bsicamente por slice) y agregamos algunos
elementos extras se hacen los chips de
un ordenador.
A partir de los incontables ejemplos encontrados
en la biologa se sabe que miles de millones de
aos de retroalimentacin evolucionada puede
producir mquinas biolgicas sofisticadas
yestocsticamente optimizadas. Se tiene la
esperanza que los desarrollos en nanotecnologa
harn posible su construccin a travs de algunos
significados ms cortos, quizs usando
principiosbiomimticos. Sin embargo, K. Eric
Drexler y otros investigadores han propuesto que
la nanotecnologa avanzada, aunque quiz
inicialmente implementada a travs de principios
mimticos, finalmente podra estar basada en los
principios de la ingeniera mecnica.
Determinar un conjunto de caminos a seguir para
el desarrollo de la nanotecnologa molecular es un
objetivo para el proyecto sobre el mapa de la
tecnologa liderado por Instituto Memorial
Battelle (el jefe de varios laboratorios nacionales
de EEUU) y del Foresigth Institute. Ese mapa
debera estar completado a finales de 2006.
Futuras aplicaciones
Segn un informe de un grupo de investigadores
de la Universidad de Toronto, en Canad, las
quince aplicaciones ms prometedoras de la
nanotecnologa son:
[cita requerida]

Almacenamiento, produccin y conversin
de energa.
Armamento y sistemas de defensa.
Produccin agrcola.
Tratamiento y remediacin de aguas.
Diagnstico y cribaje de enfermedades.
Sistemas de administracin de frmacos.
Procesamiento de alimentos.
Remediacin de la contaminacin
atmosfrica.
Construccin.
Monitorizacin de la salud.
Deteccin y control de plagas.
Control de desnutricin en lugares pobres.
Informtica.
Alimentos transgnicos.
Cambios trmicos moleculares
(Nanotermologa).
Aplicaciones actuales
Nanotecnologa aplicada al envasado de
alimentos
Una de las aplicaciones de la nanotecnologa en el
campo de envases para alimentacin es la
aplicacin de materiales aditivados
con nanoarcillas, que mejoren las propiedades
mecnicas, trmicas, barrera a los gases, entre
otras; de los materiales de envasado. En el caso de
mejora de la barrera a los gases, las nanoarcillas
crean un recorrido tortuoso para la difusin de las
molculas gaseosas, lo cual permite conseguir una
barrera similar con espesores inferiores,
reduciendo as los costos asociados a los
materiales.
Los procesos de incorporacin de las
nanopartculas se pueden realizar mediante
extrusin o por recubrimiento, y los parmetros a
controlar en el proceso de aditivacin de los
materiales son: la dispersin nanopartculas, la
interaccin de las nanopartculas con la matriz, las
agregaciones que puedan tener lugar entre las
nanopartculas y la cantidad de nanopartculas
incorporada.
Circuito integrado
Circuitos integrados de memoria con una ventana
de cristal de cuarzo que posibilita su borrado
mediante radiacin ultravioleta.
Un circuito integrado (CI), tambin conocido
como chip o microchip, es una pastilla pequea de
material semiconductor, de algunos milmetros
cuadrados de rea, sobre la que se
fabrican circuitos electrnicos generalmente
mediante fotolitografa y que est protegida
dentro de un encapsulado de plstico o cermica.
El encapsulado posee conductores
metlicos apropiados para hacer conexin entre la
pastilla y un circuito impreso.
Introduccin[editar editar fuente]

Geoffrey Dummer en los aos 1950.
En abril de 1949, el ingeniero alemn Werner
Jacobi
1
(Siemens AG) completa la primera solicitud
de patente para circuitos integrados con
dispositivos amplificadores de semiconductores.
Jacobi realiz una tpica aplicacin industrial para
su patente, la cual no fue registrada.
Ms tarde, la integracin de circuitos fue
conceptualizada por el cientfico de
radares Geoffrey W.A. Dummer (1909-2002), que
estaba trabajando para la Royal Radar
Establishment del Ministerio de Defensa Britnico,
a finales de la dcada de 1940 y principios de la
dcada de 1950.
El primer circuito integrado fue desarrollado en
1959 por el ingeniero Jack Kilby
1
(1923-2005)
pocos meses despus de haber sido contratado
por la firma Texas Instruments. Se trataba de un
dispositivo de germanio que
integraba seis transistores en una misma base
semiconductora para formar unoscilador de
rotacin de fase.
En el ao 2000 Kilby fue galardonado con
el Premio Nobel de Fsica por la enorme
contribucin de su invento al desarrollo de
la tecnologa.
2

Al mismo tiempo que Jack Kilby, pero de forma
independiente, Robert Noyce desarroll su propio
circuito integrado, que patent unos seis meses
despus. Adems resolvi algunos problemas
prcticos que posea el circuito de Kilby, como el
de la interconexin de todos los componentes; al
simplificar la esctructura del chip mediante la
adicin del metal en una capa final y la
eliminacin de algunas de las conexiones, el
circuito integrado se hizo ms adecuado para la
produccin en masa. Adems de ser uno de los
pioneros del circuito integrado, Robert Noyce
tambin fue uno de los co-fundadores de Intel,
uno de los mayores fabricantes de circuitos
integrados del mundo.
3

Los circuitos integrados se encuentran en todos
los aparatos electrnicos modernos, como relojes
de pulsera, automviles, televisores,
reproductores de CD, reproductores de MP3,
telfonos mviles, computadoras, equipos
mdicos, etc.
El desarrollo de los circuitos integrados fue posible
gracias a descubrimientos experimentales que
demostraron que los semiconductores pueden
realizar algunas de las funciones de las vlvulas de
vaco.
La integracin de grandes cantidades de
diminutos transistores en pequeos chips fue un
enorme avance sobre el ensamblaje manual de
los tubos de vaco (vlvulas) y en la fabricacin de
circuitos electrnicos utilizando componentes
discretos.
La capacidad de produccin masiva de circuitos
integrados, su confiabilidad y la facilidad de
agregarles complejidad, llev a su estandarizacin,
reemplazando diseos que utilizaban transistores
discretos, y que pronto dejaron obsoletas a las
vlvulas o tubos de vaco.
Son tres las ventajas ms importantes que tienen
los circuitos integrados sobre los circuitos
electrnicos construidos con componentes
discretos: su menor costo; su mayor eficiencia
energtica y su reducido tamao. El bajo costo es
debido a que los CI son fabricados siendo
impresos como una sola pieza por fotolitografa a
partir de una oblea, generalmente de silicio,
permitiendo la produccin en cadena de grandes
cantidades, con una muy baja tasa de defectos. La
elevada eficiencia se debe a que, dada la
miniaturizacin de todos sus componentes, el
consumo de energa es considerablemente menor,
a iguales condiciones de funcionamiento que un
homlogo fabricado con componentes discretos.
Finalmente, el ms notable atributo, es su
reducido tamao en relacin a los circuitos
discretos; para ilustrar esto: un circuito integrado
puede contener desde miles hasta varios millones
de transistores en unos pocos milmetros
cuadrados.
Avances en los circuitos integrados[editar editar
fuente]
Los avances que hicieron posible el circuito
integrado han sido, fundamentalmente, los
desarrollos en la fabricacin de dispositivos
semiconductores a mediados del siglo XX y los
descubrimientos experimentales que mostraron
que estos dispositivos podan reemplazar las
funciones de las vlvulas o tubos de vaco, que se
volvieron rpidamente obsoletos al no poder
competir con el pequeo tamao, el consumo de
energa moderado, los tiempos de conmutacin
mnimos, la confiabilidad, la capacidad de
produccin en masa y la versatilidad de los CI.
4

Entre los circuitos integrados ms complejos y
avanzados se encuentran los microprocesadores,
que controlan numerosos aparatos,
desde telfonos mviles y hornos
microondas hastacomputadoras . Los chips
de memorias digitales son otra familia de circuitos
integrados, de importancia crucial para la
moderna sociedad de la informacin. Mientras
que el costo de disear y desarrollar un circuito
integrado complejo es bastante alto, cuando se
reparte entre millones de unidades de produccin,
el costo individual de los CIs por lo general se
reduce al mnimo. La eficiencia de los CI es alta
debido a que el pequeo tamao de los chips
permite cortas conexiones que posibilitan la
utilizacin de lgica de bajo consumo (como es el
caso de CMOS), y con altas velocidades de
conmutacin.
A medida que transcurren los aos, los circuitos
integrados van evolucionando: se fabrican en
tamaos cada vez ms pequeos, con mejores
caractersticas y prestaciones, mejoran
sueficiencia y su eficacia, y se permite as que
mayor cantidad de elementos sean empaquetados
(integrados) en un mismo chip (vase la ley de
Moore). Al tiempo que el tamao se reduce, otras
cualidades tambin mejoran (el costo y el
consumo de energa disminuyen, y a la vez que
aumenta el rendimiento). Aunque estas ganancias
son aparentemente para el usuario final, existe
una feroz competencia entre los fabricantes para
utilizar geometras cada vez ms delgadas. Este
proceso, y lo esperado para los prximos aos,
est muy bien descrito por la International
Technology Roadmap for Semiconductors.
5

Popularidad[editar editar fuente]
Slo ha trascurrido medio siglo desde que se inici
su desarrollo y los circuitos integrados se han
vuelto casi
omnipresentes. Computadoras, telfonos
mviles y otras aplicaciones digitales son ahora
partes de las sociedades modernas.
La informtica, las comunicaciones,
la manufactura y los sistemas de transporte,
incluyendo Internet, todos dependen de la
existencia de los circuitos integrados. De hecho,
muchos estudiosos piensan que la revolucin
digital causada por los circuitos integrados es uno
de los sucesos ms significativos de la historia de
la humanidad.
6

Tipos[editar editar fuente]
Existen al menos tres tipos de circuitos integrados:
Circuitos monolticos: Estn fabricados en
un solo monocristal, habitualmente
de silicio, pero tambin existen
en germanio, arseniuro de galio, silicio-
germanio, etc.
Circuitos hbridos de capa fina: Son muy
similares a los circuitos monolticos, pero,
adems, contienen componentes difciles de
fabricar con tecnologa monoltica.
Muchos conversores A/D y conversores
D/A se fabricaron en tecnologa hbrida
hasta que los progresos en
la tecnologa permitieron
fabricar resistores precisos.
Circuitos hbridos de capa gruesa: Se apartan
bastante de los circuitos monolticos. De hecho
suelen contener circuitos monolticos sin
cpsula, transistores, diodos, etc, sobre un
sustrato dielctrico, interconectados con pistas
conductoras. Los resistores se depositan
por serigrafa y se ajustan hacindoles cortes
con lser. Todo ello se encapsula, en cpsulas
plsticas o metlicas, dependiendo de la
disipacin de energa calrica requerida. En
muchos casos, la cpsula no est "moldeada",
sino que simplemente se cubre el circuito con
una resinaepoxi para protegerlo. En el mercado
se encuentran circuitos hbridos para
aplicaciones en mdulos de
radio frecuencia (RF), fuentes de alimentacin,
circuitos de encendido para automvil, etc.
Clasificacin[editar editar fuente]
Atendiendo al nivel de integracin -nmero de
componentes- los circuitos integrados se pueden
clasificar en:
SSI (Small Scale Integration) pequeo nivel:
de 10 a 100 transistores
MSI (Medium Scale Integration) medio: 101 a
1.000 transistores
LSI (Large Scale Integration) grande: 1.001 a
10.000 transistores
VLSI (Very Large Scale Integration) muy grande:
10.001 a 100.000 transistores
ULSI (Ultra Large Scale Integration) ultra
grande: 100.001 a 1.000.000 transistores
GLSI (Giga Large Scale Integration) giga grande:
ms de un milln de transistores
En cuanto a las funciones integradas, los circuitos
se clasifican en dos grandes grupos:
Circuitos integrados analgicos.
Pueden constar desde simples transistores
encapsulados juntos, sin unin entre ellos, hasta
circuitos completos y funcionales,
como amplificadores, osciladores o
incluso receptores de radio completos.
Circuitos integrados digitales.
Pueden ser desde bsicas puertas lgicas (AND,
OR, NOT) hasta los ms
complicados microprocesadores o microcontrolad
ores.
Algunos son diseados y fabricados para cumplir
una funcin especfica dentro de un sistema
mayor y ms complejo.
En general, la fabricacin de los CI es compleja ya
que tienen una alta integracin de componentes
en un espacio muy reducido, de forma que llegan
a ser microscpicos. Sin embargo, permiten
grandes simplificaciones con respecto a los
antiguos circuitos, adems de un montaje ms
eficaz y rpido.
Limitaciones de los circuitos
integrados[editar editar fuente]
Existen ciertos lmites fsicos y econmicos al
desarrollo de los circuitos integrados.
Bsicamente, son barreras que se van alejando al
mejorar la tecnologa, pero no desaparecen. Las
principales son:
Disipacin de potencia[editar editar fuente]
Los circuitos elctricos disipan potencia. Cuando el
nmero de componentes integrados en un
volumen dado crece, las exigencias en cuanto a
disipacin de esta potencia, tambin crecen,
calentando el sustrato y degradando el
comportamiento del dispositivo. Adems, en
muchos casos es un sistema de realimentacin
positiva, de modo que cuanto mayor sea
la temperatura, ms corriente conducen,
fenmeno que se suele llamar "embalamiento
trmico" y, que si no se evita, llega a destruir el
dispositivo. Los amplificadores de audio y los
reguladores de tensin son proclives a este
fenmeno, por lo que suelen incorporar
protecciones trmicas.
Los circuitos de potencia, evidentemente, son los
que ms energa deben disipar. Para ello su
cpsula contiene partes metlicas, en contacto
con la parte inferior del chip, que sirven de
conducto trmico para transferir el calor
del chip al disipador o al ambiente. La reduccin
de resistividad trmica de este conducto, as como
de las nuevas cpsulas de compuestos de silicona,
permiten mayores disipaciones con cpsulas ms
pequeas.
Los circuitos digitales resuelven el problema
reduciendo la tensin de alimentacin y utilizando
tecnologas de bajo consumo, como CMOS. Aun
as en los circuitos con ms densidad de
integracin y elevadas velocidades, la disipacin
es uno de los mayores problemas, llegndose a
utilizar experimentalmente ciertos tipos de
criostatos. Precisamente la alta resistividad
trmica del arseniuro de galio es su taln de
Aquiles para realizar circuitos digitales con l.
Capacidades y autoinducciones
parsitas[editar editar fuente]
Este efecto se refiere principalmente a las
conexiones elctricas entre el chip, la cpsula y el
circuito donde va montada, limitando su
frecuencia de funcionamiento. Con pastillas ms
pequeas se reduce la capacidad y la
autoinduccin de ellas. En los circuitos digitales
excitadores de buses, generadores de reloj, etc, es
importante mantener la impedancia de las lneas
y, todava ms, en los circuitos de radio y
de microondas.
Lmites en los componentes[editar editar fuente]
Los componentes disponibles para integrar tienen
ciertas limitaciones, que difieren de sus
contrapartidas discretas.
Resistores. Son indeseables por necesitar una
gran cantidad de superficie. Por ello slo se
usan valores reducidos y en tecnologas MOS se
eliminan casi totalmente.
Condensadores. Slo son posibles valores muy
reducidos y a costa de mucha superficie.
Como ejemplo, en el amplificador
operacional A741, el condensador de
estabilizacin viene a ocupar un cuarto del
chip.
Inductores. Se usan comnmente en circuitos
de radiofrecuencia, siendo hbridos muchas
veces. En general no se integran.
Densidad de integracin[editar editar fuente]
Durante el proceso de fabricacin de los circuitos
integrados se van acumulando los defectos, de
modo que cierto nmero de componentes del
circuito final no funcionan correctamente. Cuando
el chip integra un nmero mayor de
componentes, estos componentes defectuosos
disminuyen la proporcin de chips funcionales. Es
por ello que en circuitos de memorias, por
ejemplo, donde existen millones de transistores,
se fabrican ms de los necesarios, de manera que
se puede variar la interconexin final para obtener
la organizacin especificada.
Fabricacin de circuitos integrados

La fabricacin de circuitos integrados es el
proceso mediante el cual se crean los circuitos
integrados presentes hoy da en todos los
dispositivos electrnicos. Es un proceso complejo
y en el que intervienen numerosas etapas
de fotolitografa y procesado qumico, durante las
cuales los circuitos se generan sobre
una oblea hecha de materiales
puramente semiconductores. Para ello se emplea
mayoritariamente el silicio, aunque tambin se
usansemiconductores compuestos para
aplicaciones especficas, como el arseniuro de
galio.
Los dispositivos integrados pueden ser
tanto analgicos como digitales.
Tecnologa de Fabricacin[editar editar fuente]
La fabricacin de integrados a gran escala sigue,
en la actualidad un procedimiento VLSI (Very
Large Scale Integration, Integracin en escala muy
grande, por sus siglas en ingls) partiendo
delSilicio como materia prima. Desarrollos
recientes en tecnologas de aleacin de Silicio-
Germanio (SiGe) y silicio, sometido a esfuerzo,
refuerzan an ms la posicin de los procesos de
fabricacin que se basan en este elemento en la
industria microelectrnica en los aos venideros.
El pilin puede ser refinado por medio de tcnicas
bien establecidas de purificacin y crecimiento de
cristales. Este elemento qumico tambin exhibe
propiedades fsicas apropiadas para la fabricacin
de dispositivos activos con buenas caractersticas
elctricas, adems es fcil de oxidar para formar
un excelente aislante como el dixido de silicio
(SiO2). Este xido es til para construir
condensadores y dispositivos MOSFET. Tambin
sirve como barrera de proteccin contra la
difusin de impurezas indeseables hacia el mineral
adyacente de silicio de alta pureza. Esta propiedad
de proteccin del oxido de silicio permite que sus
propiedades elctricas sean fciles de modificar
en reas predefinidas. Por consiguiente, se
pueden construir elementos activos y pasivos en
la misma pieza material (o sustrato). Entonces los
componentes pueden interconectarse con capas
de metal (similares a las que se utilizan en las
tarjetas de circuito impreso) para formar el
llamado circuito integrado monoltico, que es en
esencia una pieza nica de metal.
Pasos Generales de Fabricacin de un Circuito
Integrado formado por Silicio como componente
activo[editar editar fuente]
Los pasos de fabricacin bsica se pueden realizar
muchas veces, en diferentes combinaciones y en
diferentes condiciones de procedimiento durante
un turno de fabricacin completo.
Preparacin de la oblea[editar editar fuente]
El material inicial para los circuitos integrados
modernos es el Silicio de muy alta pureza, donde
adquiere la forma de un cilindro slido de color
gris acero de 10 a 30 cm de dimetro y puede ser
de 1m a 2m de longitud . Este cristal se rebana
para producir obleas circulares de 400um a 600um
de espesor, (1um es igual a 1x10^-6 metros).
Despus, se alisa la pieza hasta obtener un
acabado de espejo, a partir de tcnicas de
pulimento qumicas y mecnicas. Las propiedades
elctricas y mecnicas de la oblea dependen de la
orientacin de los planos cristalinos,
concentracin e impurezas existentes. Para
aumentar la resistividad elctrica del
semiconductor, se necesita alterar las propiedades
elctricas del Silicio a partir de un proceso
conocido como dopaje. Una oblea de silicio tipo n
excesivamente impurificado (baja resistividad)
sera designada como material n+, mientras que
una regin levemente impurificada se designara
n-.
Oxidacin[editar editar fuente]
Se refiere al proceso qumico de reaccin del
silicio con el oxgeno para formar Dixido de Silicio
(SiO2). Para acelerar dicha reaccin se necesitan
de hornos ultralimpios especiales de alta
temperatura. El Oxgeno que se utiliza en la
reaccin se introduce como un gas de alta pureza
(proceso de oxidacin seca) o como vapor
(oxidacin hmeda). La Oxidacin hmeda tiene
una mayor tasa de crecimiento, aunque la
oxidacin seca produce mejores caractersticas
elctricas. Su constante dielctrica es 3.9 y se le
puede utilizar para fabricar excelentes
condensadores. El Dixido de Silicio es una
pelcula delgada, transparente y su superficie es
altamente reflejante. Si se ilumina con luz blanca
una oblea oxidada la interferencia constructiva y
destructiva har que ciertos colores se reflejen y
con base en el color de la superficie de la oblea se
puede deducir el espesor de la capa de xido.
Difusin[editar editar fuente]
Es el proceso mediante el cual los tomos se
mueven de una regin de alta concentracin a una
de baja a travs del cristal semiconductor. En el
proceso de manufactura la difusin es un mtodo
mediante el cual se introducen tomos de
impurezas en el Silicio para cambiar su
resistividad; por lo tanto, para acelerar el proceso
de difusin de impurezas se realiza a altas
temperaturas (1000 a 1200 C), esto para obtener
el perfil de dopaje deseado. Las impurezas ms
comunes utilizadas como contaminantes son el
Boro (tipo p), el Fsforo (tipo n) y el Arsnico (tipo
n). Si la concentracin de la impureza es
excesivamente fuerte, la capa difundida tambin
puede utilizarse como conductor.
Implantacin de iones[editar editar fuente]
Es otro mtodo que se utiliza para introducir
tomos de impurezas en el cristal semiconductor.
Un implantador de iones produce iones del
contaminante deseado, los acelera mediante un
campo elctrico y les permite chocar contra la
superficie del semiconductor. La cantidad de iones
que se implantan puede controlarse al variar la
corriente del haz (flujo de iones). Este proceso se
utiliza normalmente cuando el control preciso del
perfil del dopaje es esencial para la operacin del
dispositivo.
Deposicin por medio de vapor
qumico[editar editar fuente]
Es un proceso mediante el cual gases o vapores se
hacen reaccionar qumicamente, lo cual conduce a
la formacin de slidos en un sustrato. Las
propiedades de la capa de xido que se deposita
por medio de vapor qumico no son tan buenas
como las de un xido trmicamente formado,
pero es suficiente para que acte como aislante
trmico. La ventaja de una capa depositada por
vapor qumico es que el xido se deposita con
rapidez y a una baja temperatura (menos de
500C).
Metalizacin[editar editar fuente]
Su propsito es interconectar los diversos
componentes (transistores, condensadores, etc.)
para formar el circuito integrado que se desea,
implica la deposicin inicial de un metal sobre la
superficie del Silicio. El espesor de la pelcula del
metal puede ser controlado por la duracin de la
deposicin electrnica, que normalmente es de 1
a 2 minutos.
Fotolitografa[editar editar fuente]
Esta tcnica es utilizada para definir la geometra
de la superficie de los diversos componentes de
un circuito integrado. Para lograr la fotolitografa,
primeramente se debe recubrir la oblea con una
capa fotosensible llamada sustancia
fotoendurecible que utiliza una tcnica llamada
de giro; despus de esto se utilizar una placa
fotogrfica con patrones dibujados para exponer
de forma selectiva la capa fotosensible a la
iluminacin ultravioleta. Las reas opuestas se
ablandarn y podrn ser removidas con un
qumico, y de esta manera, producir con precisin
geometras de superficies muy finas. La capa
fotosensible puede utilizarse para proteger por
debajo los materiales contra el ataque qumico en
hmedo o contra el ataque qumico de iones
reactivos. Este requerimiento impone
restricciones mecnicas y pticas muy crticas en
el equipo de fotolitografa.
Empacado[editar editar fuente]
Una oblea de Silicio puede contener varios cientos
de circuitos o chips terminados, cada chip puede
contener de 10 a 108 o ms transistores en un
rea rectangular, tpicamente entre 1 mm y 10
mm por lado. Despus de haber probado los
circuitos elctricamente se separan unos de otros
(rebanndolos) y los buenos (pastillas) se
montan en cpsulas (soportes). Normalmente se
utilizan alambres de oro para conectar las
terminales del paquete al patrn de metalizacin
en la pastilla; por ltimo, se sella el paquete con
plstico o resina epxica al vacio o en una
atmsfera inerte.
Componentes Electrnicos ms usados en el
diseo de circuitos[editar editar fuente]
MOSFET[editar editar fuente]
Se prefiere el MOSFET canal n al MOSFET canal p.
La movilidad de la superficie de electrones del
dispositivo de canal n es de dos a cuatro veces
ms alta a la de los huecos. Este transistor ofrece
una corriente ms alta y una resistencia baja; as
como una transconductancia ms alta. Su diseo
se caracteriza por su voltaje de umbral y sus
tamaos de dispositivos, en general, los MOSFET
(tipo n o p) se disean para que tengan voltajes de
umbral de magnitud similar para un proceso
particular; por lo tanto, los circuitos MOSFET son
mucho ms flexibles en su diseo.
Resistencias[editar editar fuente]
Las regiones de distinta difusin tienen diferente
resistencia. El pozo n en general se utiliza para
resistencias de valor medio, mientras que las
difusiones n+ y p+ son tiles para resistencias de
valor bajo. Cuando se disea un valor real de una
resistencia se hace a travs del cambio de la
longitud y el ancho de las regiones difundidas.
Todas las resistencias difundidas estn
autoaisladas por las uniones pn polarizadas a la
inversa. Sin embargo una desventaja es que estn
acompaadas por una sustancial capacitancia
parsita de unin que los hace no muy tiles en el
uso de frecuencias altas. Adems, es posible que
exista una variacin en el valor real de la
resistencia cuando se aumenta el voltaje debido a
un efecto llamado JFET. Para obtener un valor ms
exacto, se recomienda que se fabrique con una
capa de polisilicio que se coloca encima del grueso
campo de xido.
Condensadores[editar editar fuente]
Existen 2 tipos de estructura de condensador en
los procesos CMOS, condensadores MOS y de
interpolietileno. La capacitancia de compuerta
MOS es bsicamente la capacitancia de
compuerta a fuente de un MOSFET, la cual
depende del rea de dicha compuerta; este
condensador exhibe una gran dependencia del
voltaje, para eliminar este problema, se requiere
un implante n+ adicional para formar la placa
inferior de los condensadores. Estos dos
condensadores MOS estn fsicamente en
contacto con el sustrato, lo que produce una gran
capacitancia parsita en la unin pn en la placa
inferior. El condensador interpoli exhibe
caractersticas casi ideales pero a expensas de la
incluir una segunda capa de polisilicio en el
proceso CMOS, donde los efectos parsitos se
mantienen al mnimo. Para los 2 tipos de
condensadores anteriormente (interpoli y MOS),
los valores de capacitancia pueden controlarse
hasta un margen de error de 1%. Esta propiedad
es extremadamente til para disear circuitos
CMOS anlogos de precisin.
Transistor pnp lateral[editar editar fuente]
Cuando se utilizan este tipo de dispositivos
electrnico, el pozo n sirve como regin de base n
con difusiones p+ como emisor y colector. La
separacin de entre las dos difusiones determina
el ancho de la base. Como el perfil de dopaje no
est perfeccionado para las uniones base-colector,
y como el ancho de la base est limitado por la
resolucin de fotolitogrfica mnima, el
desempeo de este dispositivo no es muy bueno.
Resistores de base p y de base
estrecha[editar editar fuente]
La difusin en la base p se puede utilizar para
formar un resistor de base p directo. Como la
regin de la base es, por lo general, de un nivel de
dopaje relativamente bajo y con una profundidad
de unin moderada, es adecuada para resistores
de valor medio. Si se requiere un resistor de valor
grande, se puede utilizar el de base estrecha; ya
que exhiben malos coeficientes de tolerancia y
temperatura pero una coincidencia relativamente
buena.
Procesos que pueden intervenir en la fabricacin
de circuitos integrados[editar editar fuente]
Crecimiento epitaxial
Oxidacin en semiconductores
Implantacin inica
Difusin en estado slido
Deposicin en semiconductores
Litografa