ICE-ESIME-IPN REACTIVOS DISPOSITIVOS

Reactivos para apoyar la evaluacin de la ateria de Dispositivos

!
"
Dibujar el diagrama a bloques de una fuente de voltaje lineal no regulada (eliminador).
Sol#
$
"
Dibujar el diagrama a bloques de una fuente conmutada.
Sol#
% Calcular la resistencia dinmica y la potencia mxima,
tomando en cuenta los valores de la grfica. Cada divisin
en el eje equivale a !m", mientras que cada divisin en
el eje # equivale a $%
Sol# r
&
'$(")*+ y P
&
'$!,-
. Calcular la potencia que disipa un &'D rojo, si su
resistencia interna es de !(, y su voltaje de unin
es de $.)%.
Sol* P
/ED
'.*".$-
'+ $! %
,$ + -./
,. + $./
EA0-$,,* !
ICE-ESIME-IPN REACTIVOS DISPOSITIVOS
1 Calcular la carga, para que esta disipe una potencia de
!//m0, si el transformador tiene una relacin de 1*$.
Dibujar la se2al de la carga indicando el valor de la
amplitud y el periodo. Calcular el capacitor que est
conectado en paralelo con la carga, para tener un ri3o de
$//mv.
45u6 pasar7a si el D$ se abriera8 'xplica.
Se tendr2a la respuesta de un circuito recti3icador de
edia onda"
Sol# R
/
'!)1+ y C'($,(",(4 5
9$
9.
9-
$9://$
$9://$
C
,&
) Dise2ar el circuito para que un diodo emisor de lu3, trabaje
adecuadamente, de acuerdo a los siguientes datos*
;
&'D
+!/m" a %
&'D
+-.-%
Sol* R'!!.+
'+ < %
,
( "nali3ar y calcular %
=
y >
=
del circuito mostrado. ?ambi6n
dibujar la curva de salida y la funcin de transferencia.
Vo' 1"!V6 y Po'($".$-
Vo' ,V6 y Po',-"
@
./Aen0t
$B
D (Ai )
%3 + !.$ %
%o
7 Calcular el voltaje de entrada del circuito si la carga es de
!1/( y esta disipa una potencia de .!/m0, Dibujar la
se2al de la carga indicando el valor de la amplitud y el
periodo. Calcular el capacitor que est conectado en
paralelo con la carga, para tener un ri3o de !/m%.
45u6 pasar7a si el D. se pusiera en corto8 'xplica.
Sol# Vi'!("771*Vp6 y C'11%!"1$$ 4 5
9$
9.
9-
$9://$
$9://$
C
,&
* Calcular el capacitor, para un ri3o de $//mv en un
rectificador de onda completa con puente de diodos, si el
transformador es de $.v
rms
con derivacin central. >ara
alimentar una carga que disipa .!/mC. Conectar el
puente de diodos entre los extremos del transformador.
45u6 pasa si uno de los diodos se abre8 'xplica
Sol# C'%,$*",,*45
D$
D:
D.
D-
,&
C
EA0-$,,* $
ICE-ESIME-IPN REACTIVOS DISPOSITIVOS
!
,
Determinar el voltaje pico inverso del diodo, la potencia y
el per7odo de salida del rectificador de media onda, si el
voltaje del primario del transformador es de $.D %
rms
, con
una relacin !*$ y una carga de !1/E. Dibuje las graficas
del secundario y de la carga, as7 como la grfica de la
funcin de transferencia. 'n todas las grficas deben estar
expresados los valores correspondientes.
Sol# VPI'%)")$Vp6 Po'$$."..7-6 y To'!)"))s
9$ 9.
D
,&
!
!
"nali3ar el circuito, y calcular el %
=
y dibujar la grafica de
salida, as7 como la grfica de la funcin de transferencia.
Ai el voltaje de la fuente es una se2al senoidal con una
amplitud de $/%.
Sol# Vo'!*"%Vp
@
%s
D
CF$ CF.
C + $/ u G o $ u G
@ @
H H
!
$
"nali3ar el circuito, y calcular el %
=
y dibujar la grafica de
salida, as7 como la grfica de la funcin de transferencia.
Sol# Vo'$!"%Vp
@
%s+ $. %p sent
C + $ u G
D (Ai)
' + . %
@ %o
HH
!
%
Calcular en el circuito el voltaje de salida y dibujar la
grafica, si el voltaje del Iener es de -.<% y el diodo es de
germanio. 'xplicar el funcionamiento del circuito e indicar
que tipo de circuito es.
Sol# Vo'%"*V y Vo',V8 y se trata de un circuito
recortador"
@
./Aen0t
$B
D
I
%o
!
.
Calcular el voltaje de entrada m7nimo necesario para
establecer la regulacin del Iener y la potencia que 6ste
disipar7a, si dicJo diodo presenta una resistencia interna
de $/(, una corriente nominal de $m" y un voltaje de
ruptura de -.-%.
Sol# V
i2n
'$$".,)V
%i
!1/
$//
!
1
"nali3ar y calcular %
=
del circuito mostrado. Dibujar la
curva de salida y la funcin de transferencia del circuito.
Sol# Vo'$,Vp y Vo'-1"7V
@
%s + ./ %p
, + $ KoJm
D (Ai )
%3 + !.$ %
@
L
%o
!// KF3
EA0-$,,* %
ICE-ESIME-IPN REACTIVOS DISPOSITIVOS
!
)
"nali3ar y calcular %
=
del circuito mostrado. Dibuja Ai los
diodos Iener ambos son de !.$%, y la fuente de
alimentacin %s entrega una se2al senoidal con una
amplitud de ./%p a una frecuencia de $//F3, y una ,$ de
$K(.
Sol# Vo'1"7V y Vo'-1"7V
@
%s
,$
I$
I.
!
(
'n un circuito regulador con diodo Iener, por el cual
circula una corriente de !m", con una fuente de
alimentacin de $!% que alimenta a una resistencia
limitadora y a una carga, ambas de --/(. Calcular el
voltaje del Iener.
Sol# V
&
')")(1V
$! %
,A
,&
I
!
7
Determinar la ;
3mx
y la potencia que disipar7a un Iener de
<.$%, con una fuente de alimentacin que var7a desde /%
a ./%, si la resistencia limitadora es igual la resistencia de
carga m7nima, con un valor de .D/(, y resistencia de
carga mxima de $/K(.
Sol# I
&9:
'.,"%)))%A y P
&
'%)("%%%)-
'
,A
,&
I
!
*
Determinar el valor de la ,
&min
necesaria para que un
Iener de $/% regule, con una corriente nominal de .m",
cuya resistencia limitadora es de -</( y la fuente de
alimentacin es de .!%.
Sol# R
/2n
'$(."$)+
.! %
,A
,&
I
$
,
Determinar el valor del resistor limitador en el circuito
regulador con diodo Iener de !.$% a una corriente
nominal de $m", si se desea alimentar una carga de
$!/(, y la fuente de alimentacin tiene una variacin del
./M de su valor que es de ./%. ?ambi6n calcular la
potencia de disipacin del Iener.
Sol# R
S
'%,$"(((+ y P
&
'!.."*1%-
./ %
,A
,&
I
EA0-$,,* .
ICE-ESIME-IPN REACTIVOS DISPOSITIVOS
$
!
Determinar los voltajes de entrada m7nimo y mximo que
pueden regularse por el diodo Iener, si la ;
IK
es de $m",
$!m" de corriente de Iener mxima, el voltaje del Iener
es de !.1% y una r
I
de $/(, para una carga infinita y una
resistencia limitadora de !1/(.
Sol# E2n')"!(V y E9:'!."!1V
'
,A
I
%o
$
$
Calcular las corrientes de carga m7nima y mxima para las
cuales el diodo Iener se mantenga en regulacin. Calcular
la resistencia de carga m7nima para que el Iener regule,
considerando %
I
+<.$%, ,s+ --/(, ;
IK
+-m" e ;
Imx
+</m",
con una r
I
+$/(, si la fuente de alimentacin es de .:%.
Sol# Para R
/9:
';+8 I
/2n
',A e I
&9:
'.%"7$.A
R
/in
'$,$")$+8 I
/9:
'.1",)A e I
&2n
'%A
.: %
,A
I
,&
$
%
Nn diodo Iener de )..% a .!
o
C, tiene un coeficiente en
temperatura positivo de /./1.M, calcular la variacin del
voltaje a una temperatura de D!
o
C.
Sol# <V
&
',"1.$V8 V
&=(1
o
C>
'7".1.$V
$
.
Calcular el valor de la resistencia de carga para que el
diodo Iener regule, si %
i
es igual ./% con una variacin de
./M, con %
I
de <.$v O !m" y ,
A
de $//(.
Sol# R
/2n
'!.$"!7(1+
./%
$//
<.$%
,&m7n
$
1
Calcular los voltajes y corrientes en cada uno de los
dispositivos y uniones del transistor, si este es de silicio y
tiene una P+/.<<, calcular la potencia que disipa el
transistor.
Sol" V
RC
'7",%%)V8 V
CE
'!"*)).V8
V
R!
'V
C?
',"7.1V8V
R$
'V
?E
',"(V8 I
RC
'7",%%)A8
I
!
'$1)",14A8 I
$
'!(*".7($4A8 I
?
'()"1)4A8 I
C
'("((()4A y
P
T
'!1"%.(1@
-.- KoJm
$ KoJm
-.< KoJm
$/ %
EA0-$,,* 1
ICE-ESIME-IPN REACTIVOS DISPOSITIVOS
$
)
"nali3ar el siguiente circuito y calcular* %
CQ
, %
C'
, %
'
, %
Q
, %
C
,
;
Q
, ;
C
, ;
$
, ;
.
, e ;
'
, para una beta de :! y con el potencimetro
en / de su valor.
Con base a los resultados escribir en que regin se
encuentra trabajando el transistor, e indicar la
configuracin del transistor, as7 como las caracter7sticas
de esta.
Sol" V
CE
'-%!"(.%V8 V
C
'-$7",.V8 V
C?
'%!"(.%V8V
?
'1"!V8
V
?E
',"(V8 V
E
'.".V8 I
C
'.%",.%1A8 I
!
'."1A8
I
$
'%"1.%1A8 I
?
'*1)"1$$4A8 I
E
'..A
,$
I
?;> :$
,'
>
$ B
... K
!.$ %
$//
$/ B
%cc+ $! %
$
(
Calcular el voltaje de entrada, las corrientes y potencias
de disipacin en cada uno de los dispositivos,
considerando P + /.<< y un %
C'
+ -% para un transistor de
silicio.
Sol# V
S
'%"1.V8 I
?
'()"((4A8 I
C
' (")A8 I
E
'(")((A8
V
R?
'$",(%V8 V
RC
')"$%$V8 V
C?
'$"%V8 P
R?
'!1*"!.4-8
P
RC
'.("%)-8 P
RE
'1"7*.-8 P
T
A$$"7-
%s
,Q+.D K
,C + )./
?$
,'+ $//
%cc + $/%
$
7
Calcular los resistores para que el transistor trabaje en el
regin de saturacin, el cual tiene %
C'sat
+/..!%, una ;
Csat
de
.!m", un factor de ganancia en corriente de $$/ y el %
;
es
igual al %
CC
. Considerando un &'D de rojo de $.!%.
Sol# R
?
'!7B+ y R
C
'!$,+
QC!:D"
,Q
%cc + @ ! %
%o
%i
,C
&'D
$
*
Calcular los valores de %
C'
, ;
C
e ;
Q
considerando ,
Q
+$)K(
y ,
C
+$./( del circuito, el cual tiene, un factor de ganancia
en corriente de $$/ y el %
;
es igual al %
CC
. Considerando
un &'D de rojo de $.!%.
Sol# I
?
'$%7"7*4A8 I
C
'$)"$(7A y V
CE
',"%.(V
QC!:D"
,Q
%cc + @ ! %
%o
%i
,C
&'D
EA0-$,,* )
ICE-ESIME-IPN REACTIVOS DISPOSITIVOS
%
,
Calcular los resistores para el circuito considerando %
'
de
.%, %
C'
+!% e ;
C
+$. m", para un factor de corriente de
$)/.
Sol# R
!
')7B+8 R
$
'.(B+8 R
C
'%*,+8 y R
E
'!1,+
,$
QC!:)Q
,C
@ %cc + $.%
,.
,'
%
!
"nali3ar el siguiente circuito y calcular* %
CQ
, %
C'
, %
'
, %
Q
, %
C
,
;
Q
, ;
C
, ;
$
, ;
.
, e ;
'
, para un factor de corriente de $)/.
Considerando ,
$
+1)K(, ,
.
+:DK(, ,
C
+-</(, y ,
'
+$!/(.
Sol" V
CE
'."11V8 V
C
')")%V8 V
C?
'%"71V8 V
?
'."*V8 V
?E
',"(V8
V
E
'$",7V8 I
C
'!%"((1A8 I
!
'!"!$A8 I
$
'!",.%A8
I
?
'()")$)4A8 I
E
'!%"71!A"
,$
QC!:)Q
,C
@ %cc + $.%
,.
,'
%
$
'ncuentre ,
Q
, ,
'
y ,
C
para el circuito bsico de
polari3acin con transistor bipolar, con, %
CC
+$!%, ;
C
+$/
m", %
Q'
+/.D%, %
C'
+!%, y una R+.//. Considere %
'
+.%.
Sol# R
?
'$.)B+8 R
C
'7,,+8 y R
E
'!**+
,Q ,C
,'
%CC
%
%
'ncuentre ,
$
, ,
.
,

,
'
y ,
C
para el circuito del transistor
bipolar de silicio a baja potencia con, %
CC
+$!%, ;
C
+./ m",
%
C'
+!%, ;
,$
+($S$/);
C
y una R+$)/. Considere %
'
+.%.
Sol# R
!
'!"7B+8 R
$
'!"1B+8 R
C
'%%,+8 y R
E
'!,,+
,$
,C
,'
%CC
,.
%
.
"nali3ar el circuito y calcular voltajes y corrientesT para un
transistor de silicio con R+$)/ y un %
CC
+$!%.
Sol" I
?
'!$)"%$.4A8 I
E
'$$"7)1A8 I
C
'$$"(%7.A8
I
!
'$"!!A8 I
$
'!"*7%A8 I
RC
'$."7.(%A8 V
CE
'.".*7V8
V
C
')"(7.1V8 V
C?
'V
R!
'%"(*7V8 V
?
'V
R$
'$"*7)1V8 y
V
E
'$"$7)1V"
$.) K
--/
$//
%CC
$.!K
EA0-$,,* (
ICE-ESIME-IPN REACTIVOS DISPOSITIVOS
%
1
"nali3ar y dise2ar el circuito para una ;
C.
+-/m" y un
%
C'.
+$.!%, si R
$
+$$/ y R
.
+:!T y el diodo emisor de lu3
tiene un voltaje de -.-%.
Sol" I
?!
')",,)4A8 I
E!
'I
?$
')))"))(4A8 R
?
'!"$)1.MC y
R
C
'!.,C"
En valor coercial R
?
'!"$MC y R
C
'!$,C"
,Q
QC!:D
?;>:$
,C
< %
%
)
>ara un UG'? con polari3acin mediante divisor de voltaje,
determinar voltajes y corrientes del circuito, dado un %
VA
+
H$.$v, ,
$
+$/WE, ,
.
+...WE, ,
D
+)./E, ,
A
+-</E y un
%
DD
+< %.
Sol# V
0
'!")$V8 V
S
'$"($V8 I
D
')"*(A8 V
DS
',"1))%V y
V
D
'%"$7)%V
$/ W
)./
-</ ... W
< %
%
(
Determinar el circuito de polari3acin con ;
DAA
+1m",
%
VA=GG
+H:%, %
DD
+$., considerando las condiciones del
punto medio.
Sol# R
S
'%*,+8 R
D
'!"7B+ y R
0
'!M+
,D
,A
,V
%DD
?$
%
7
Calcular %
D
, %
A
, %
DA
, %
VA5
, %
V
g
m
e ;
D5
, mediante el m6todo
grafico. Considerando ,
A
+-</(, ,
D
+$.)K( y ,
V
+$W(
Sol# V
D
')".$V8 V
S
'!"$V8 V
DS
'(")$V8 V
0SD
'-!"$V8 V
0
',V e
I
DD
'%"!A y E

'$"!S
,D
,A
,V
%DD
?$
%
*
Dise2ar el circuito para ;
DAA
+)m", %
VAoff
+H!% y un %
VA
de
$%
Sol# R
%
'!M+8 R
$
'!!"1M+ y R
!
')1!",.+
,$
,.
,-
%D+!%
%DD+$..!%
EA0-$,,* 7
ICE-ESIME-IPN REACTIVOS DISPOSITIVOS
.
,
Con base en el m6todo anal7tico, calcular* %
DA
, ;
D
, %
A
, %
VA
,
y %
V
, considerando %
D
de 1%.
Sol# V
DS
'%"171V8 I
D
'("%7A8 V
S
'$".!1V8 V
0S
',",%11.V8
y V
0
'$".1V
$. %
)./
--/
-.< W
$ W
.
!
Calcular voltajes y corrientes del circuito e indicar de qu6
transistor se trata y en qu6 regin est trabajando. Ai %
DA
es de !%.
Sol# I
D
',"(7.A8 V
S
'$"177V8 V
0S
'-,"*)1V8 V
D
'("177V y
V
0
'!")$%V
$/ W
$.) K
-.- K ... W
< %
.
$
"nali3ar el circuito y calcular voltajes y corrientes
empleando en m6todo grafico, e indica en que regin se
encuentra trabajando el dispositivo semiconductor y de
que dispositivo se trata. Considerando un voltaje de
drenador de !%, una ;
Don
+$m" para una %
VAumb
de $.!%
Sol# I
D
')",7(A8 V
S
'$",,7(V8 V
0S
',"..,%V8 y
V
0
'$"..*V8 B'1".$AFV
$

$. %
)./
--/
-.< W
$ W
.
%
Calcular el valor de las resistencias para un ngulo de
conduccin de $-!
/
y </
/
, empleando un scr con ;
V?
+
1/X", %
V?
+/.1 %, %
Q,
+:// %, con diodo de silicio, ,&+!/(.
Aiendo el diodo de silicio.
Sol" R
!
'.",,*()M+8 R
$
'7))",%)B+
,&
D
,.
,$
$./ %rms
a 1/ F3
.
.
Calcular el valor de las resistencias, considerando que el
AC,, tiene un %
V?
de $..v, ;
V?
de .//Y", y un %
Q,
de
.//%, para una conduccin que se encuentre entre !Z y
</Z. Considerando el diodo de silicio.
Sol" R
!
'*,)",1%B+8 R
$
'.")%.!M+
,.
,$
D (Ai)
$./%ca
1/F3
&mpara
EA0-$,,* *
ICE-ESIME-IPN REACTIVOS DISPOSITIVOS
.
1
Calcular las resistencias del circuito de la figura y el
ngulo de conduccin. Ai las caracter7sticas del AC, son*
%
V?
+-%, %
D,W
+%
Q,
+://%, ;
V?
+.//X", ;
F
+!m", >
V
+$.-C y
el diodo es de silicio. Describir el funcionamiento del
circuito.
Sol" R
!
'(,1"$(B+8 R
$
'%1*"*.B+6 G
C2n
'*,
,
8
G
c9:
'!(1"*.1
,
>$
,$
D$
,&+./
$//%rms
1/F3
.
)
Calcular las resistencias del circuito, para que tenga un
ngulo de conduccin de
0 0
170 90 > . Ai las
caracter7sticas del AC, son* %
V?
+-%, %
D,W
+.//%,
;
V?
+.//X", ;
F
+!m", >
V
+$.-0 y el diodo es de silicio
Sol" R
!
'(7."*(.%B+8 R
$
'!"1))M+
>$
,$
D$
,&+./
$//%rms
1/F3
.
(
"nali3ar el circuito para verificar el funcionamiento,
tomando en cuenta que en el optoacoplador se tiene un
%
C'
de $/v, para un a ;
G
de $/m", e ;
Cmx
de $//m",
mientras que el diodo emisor se tiene una ;
Gmx
+$//m",
;
Gtyp
+$/m", para un %
Gtyp
+$.$)%.
Sol# I
5i
'!,"%(1A8 I
C
'!,"%(1A8 V
CE
'%"*)%V
%i + .:%
,$ + ... K
:9.1
,.+$//
! %
.
7
"nali3ar el circuito de la fig. ., considerando en el emisor
del optoacoplador %
G
de $.$)%T mientras que para el
detector se tiene %
C'sat
de /.-%, y el AC, presenta un %
D,W
de ://%, ;
V?typ
de 1/Y" y un %
V?typ
de /.1%.
Sol# I
5i
'*"(*1A8 V
!$,B
'7"!V8 I
!$,B
')("(4A8 V
7$B
' ,")V8
I
7$B
'("%$4A8 V
!7B
'7"(V8 I
!7B
'.7%"%4A8 I
E
'1),"7%4A8
I
0
'),"!7%4A H V
d
'-!"$$V
$ K
:9.1
$ B
$ B
C$/1
AC
$9://:
< %
@
/% !%
.
*
"nali3ar el circuito, para verificar el funcionamiento,
considerando en el emisor del optoacoplador (:9.1)* %
Gtyp
de $.$!% para una ;
Gtyp
de $/m", y una ;
Gmx
de 1/m"T
mientras que para el detector se tiene una ;
Cmx
de $!/m"
y una R de !//T y para el .9-</: una beta m7nima de 1/.
Aol* I
5I
' 7"!*!A8 I
RE!
II
C!
'$,"1A8 V
CE!
'!"*$1V8
I
?$
'!17"%%A8 I
C!
'$,"1A8 I
C$
'*".**7A8 V
CE$
',"1%1!V8
optoacoplador abierto
.9-</:
:D/
$!/
:D/
! %
$! K
EA0-$,,* !,
ICE-ESIME-IPN REACTIVOS DISPOSITIVOS
1
,
'xplicar el funcionamiento del circuito. Calcular* voltajes,
corrientes del diodo emisor de lu3, del transistor y del
Iener, as7 como P. Ai el diodo emisor de lu3 tiene un
voltaje t7pico de %
G
+$..v, una ;
GWx
+)/m", mientras que el
fototransistor presenta un punto de operacin de voltaje
entre colector y emisor de /.:%, para una ;
G
+$/m", y una
;
CWx
+$//m". 'l transistor es de silicio y tiene una
ganancia en corriente de :/.
Sol# Para V
I
'1V6 I
5I
' $"7A8 V
CE!sat
' ,".V8 I
C!
'."(1A8
V
CE$
' !"!V8 por lo Jue V
R/
'$$".V"
Para Para V
I
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