EN 3827 Engenharia de Filmes

Finos
1 Quadrimestre 2013
1
Sumario da apresentao
Processos de evaporao de filmes finos
A fsica e a qumica da evaporao
Uniformidade de espessura e pureza
Tcnicas de evaporao
Conceitos
2
Introduo
Os dois processos mais importantes de deposio de filmes finos so a
evaporao e o sputtering;
O objetivo destes processos de deposio:
a transferncia controlada de tomos de uma fonte para um substrato onde a
formao do filme e o crescimento ocorram na escala atmica.
No processo de evaporao, os tomos so removidos de uma fonte por
meios trmicos;
Os primeiros experimentos nestas tcnicas de deposio foram em 1852;
Neste ano, Grove fez a deposio de metais a partir do processo de
sputtering;
5 anos depois, Faraday explodiu metais tipo fusvel em uma atmosfera inerte
e produziu filmes finos evaporados;
Avanos no desenvolvimento de equipamentos de vcuo e da fabricao de
fontes de aquecimento por efeito Joule (fios de platina e tungstnio)
alavancaram o desenvolvimentos de tcnicas de deposio por evaporao;
O interesse cientifico no fenmeno de evaporao e nas propriedades fsicas
dos filmes finos metlicos foi seguido pela produo industrial de
componentes pticos (espelhos, beam splitters, recobrimentos antireflexos).
3
Introduo
At 1960, o processo de evaporao era a tcnica de
deposio mais utilizada. Isto devido:
Altas taxas de deposio;
Melhor vcuo: ambiente limpo para a formao e crescimento
do filme;
Aplicvel a todas as classes de materiais;

Processo de evaporao de vapor fsico (PVD) envolve:
Processo de evaporao trmica de materiais fontes;
O transporte de massa para o substrato em um ambiente de
alto vcuo;

4
Processos de deposio de vapor fsico (PVD)
5
Os PVD:
evaporao e sputtering;
Fatores que distinguem PVD e deposio de vapor qumico
(CVD):
Fontes solidas ou derretidas confiveis;
Mecanismos fsicos com os quais a fonte de tomos entra numa fase
gasosa;
Ambiente que utiliza presso reduzida atravs do qual as espcies
gasosas so transportadas;
Ausncia de reaes qumicas na fase gasosa e na superfcie do
substrato.

Deposio por evaporao
Hertz, Knudsen (Langmuir) foram os primeiros a
interpretar quantitativamente o fenmeno de evaporao.
Em 1882, Hertz observando a evaporao do mercrio
verificou que a taxa de evaporao:
No limitada pelo fornecimento insuficiente do calor da
fonte evaporada (evaporante);
proporcional a diferena entre a presso de equilbrio P
e
do
Hg em uma dada temperatura e a presso hidrosttica P
h

atuando no evaporante .






6
7
Hertz verificou que um liquido tem uma habilidade
especifica para evaporar em uma dada temperatura.
A taxa mxima de evaporao est relacionada com o
numero de molculas de vapor emitidas e a presso de
vapor de equilbrio. Isto pode ser expresso da seguinte
forma:


Onde
e
o fluxo de evaporao em termos de numero
de tomos por unidade de rea por unidade de tempo, e

e
o coeficiente de evaporao (0
e
1).

Deposio por evaporao
O mximo de evaporao ocorre quando
e
= 1 e P
h
= 0 e neste caso, a
taxa mxima de evaporao :


Onde P
e
expressa em torr.
Uma variante escrever o fluxo em termos de razo de massa de
evaporao
e
, que pode ser expressa como:


A presso de 10
-2
torr, um valor tpico de
e
de ~ 10
-4
g/cm
2
.s

de
evaporante.
A temperatura o parmetro mais importante nas taxas de evaporao,
por ter um efeito direto na presso de vapor de equilbrio.
8
Vapor de presso dos elementos
Equao de Clausius-Clapeyron relao direta entre a temperatura e a presso de vapor,
que para o equilbrio solido - vapor e liquido - vapor pode ser escrito:



Onde H(T) a mudana de entalpia, V a diferena entre o volume da fase vapor (V

) e o
volume da fase condensada particular (V
c
), e T a temperatura de transformao em questo.
Fazendo algumas consideraes:


onde He a capacidade molar de evaporao, I uma constante de integrao.
Esta equao descreve adequadamente a dependncia da presso de vapor com a
temperatura em muitos materiais. No entanto, pode ser aplicada em uma faixa pequena de
temperatura.
Deve-se considerar a dependncia H(T). No caso, a presso de vapor para o Al liquido:
9
Vapor de presso dos elementos
Presso de vapor de elementos selecionados. Pontos
representam pontos de amolecimento [M. Ohring, 2002]

10
Vapor de presso dos elementos
Presso de vapor de elementos usados em materiais semicondutores. Pontos
significam pontos de amolecimento.

11
Vapor de presso dos elementos
A maioria destes dados foram medidos experimentalmente
Alguns poucos podem ser estimados das relaes termodinmicas, por no ser
possvel medi-los experimentalmente (ex. W e Mo).
Dois modos de evaporao podem ser observados:
O vapor origina-se de uma fonte liquida;
O vapor origina-se de uma fonte solida;
Um elemento amolece, se ele no alcana uma presso maior que 10
-3
torr na sua
temperatura de amolecimento;
A deposio efetiva de um filme de vrios metais alcanado quando a fonte
aquecida na fase liquida.
Com exceo Cr, Ti, Mo, Fe e Si que alcanam altas presses de vapor abaixo de seu
ponto de fuso e sublimam.
Cr pode ser depositado com altas taxas de um solido metlico porque alcanam
Pv ~ 10
-2
torr em uma temperatura 500 C abaixo do ponto de amolecimento.
12
Evaporao de compostos
Poucos compostos inorgnicos evaporam sem mudana molecular.
A composio do vapor em geral diferente daquela originaria da fonte;
13
Deposio do GaAs
14
O processo envolve varias variveis e no muito simples;
Devido a:
Grande diferena nos valores de presso de vapor do Ga e do As;
Coexistncia de fases nas condies de temperatura e presso de deposio do
GaAs.






P = 10
-6
torr
P = 10
-9
torr
15

Deposio do GaAs
850 K 1000 K
Evaporao de ligas
Filmes de ligas metlicas evaporados so amplamente utilizados para uma variedade de
aplicaes em dispositivos eletrnicos, magntico e pticos.
Exemplos: Al-Cu, permalloy (Fe-Ni), nicromo (Ni-Cr) e Co-Cr;
Nestas ligas os tomos so fracamente ligados
evaporam ~ independente um do outro e entram na fase de vapor como atomos simples (~
comportamento metalico);
O processo de amolecimento pode ser escrito em termos da lei de Raoul, que
estabelece que a presso de vapor do componente B em soluo reduzido em
relao a presso de vapor do B puro (P
B
(0)) na proporo de sua frao molar X
B
.

Como ligas metlicas no so solues ideais, mais ou menos B ira evaporar relativa a
soluo ideal, assim:

Onde a
B
a concentrao termodinmica efetiva de B (atividade), que se relaciona
com B atravs do coeficiente de atividade
B
.
16
Evaporao de ligas
Combinando estas relaes, pode-se estimar a razo de fluxo do elemento A e B no
vapor:

Exemplo: considere a composio amolecida aproximada de Al-Cu necessria para
evaporar filmes contendo ~ 2 % em massa de Cu de um cadinho aquecido a 1350 K.





A composio original deve ser enriquecida de 13,6 % em massa de Cu para
compensar a vaporizao preferencial de Al.
17
Estequiometria
18
O controle da estequiometria depende do numero de
fontes de evaporao:
(1) Evaporar dois metais independentes e em
temperaturas diferentes (BEM): implica em duplicar a
instrumentao;
(II) A composio de uma fonte simples ajustada
continuamente por meio da adio de massas externas.
Uniformidade de espessura de filmes e pureza
Geometria de deposio: fontes de evaporao e orientao e localizao
dos substratos;

A geometria fonte-substrato controla a uniformidade do filme depositado;

A evaporao de fonte pontual o caso mais simples de ser analisado.
O evaporante vem de uma regio infinitesimal (dA
e
) de uma esfera de rea
superficial A
e
com a razo de evaporao de massa uniforme.
Evaporao de (a) fonte pontual e (b) fonte superficial
19
Uniformidade de espessura de filmes e pureza
20
A massa total evaporada M
e
dada por:



dM
s
cai sobre o substrato de rea dA
s
.
Como dA
c
= dA
s
cos, a proporcionalidade dM
s
: M
e





Em unidade de tempo, a razo de deposio R (atomos/cm
2
.s) varia com a
orientao geomtrica do substrato e com o inverso do quadrado da
distancia fonte-substrato.

Substratos colocados tangentes a superfcie da esfera podem ser recobertas
uniformemente (cos = 1).



Uniformidade de espessura de filmes e pureza
A teoria cintica prev que o fluxo molecular do vapor atravs de uma abertura pode
ser expresso como:


E a evaporao depende de dois ngulos (emisso e incidente)










n deve confinar o material evaporado para ngulo estritos para minimizar a
contaminao da cmara.
Equao de deposio:
n representa a geometria da nuvem de vapor em forma de lobular ( geometria do
cadinho de evaporao) e o angulo de distribuio do fluxo do evaporante da
fonte.[M. Ohring, 2002]
21
Uniformidade de espessura de filme
A uniformidade da espessura do filme um requisito essencial para
aplicaes em microeletrnica e recobrimentos pticos;
Exemplos: Filtros de interferncia requerem uniformidade de
espessura da ordem de ~ 1%
A distribuio de espessura pode ser calculada para uma
variedade de geometrias fonte-substrato.
Considere:
A espessura do filme d dada por dM
s
/dA
s
,
onde a densidade da deposio.



Como r = (h
2
+l
2
)
1/2
e d
0
= Me/4h
2
,
portanto:

22
Uniformidade de espessura de filme
Para uma fonte superficial:


Desde que cos = cos = h/r, normalizando para as dimenses da espessura ou d
0
=
M
e
/h
2
.


Uma comparao entre estas equaes, mostra que a fonte superficial permite uma
menor uniformidade de espessura.

23
Estas funes so utilizadas para prever
o desempenho de geometrias fonte-
substrato.
Uniformidade de espessura do filme de fontes
pontuais e superficiais {M. Orhing, 2002]
Uniformidade de espessura de filme
Uniformidade de espessura atravs de
uma tira empregando duas fontes de
evaporao para vrios valores de
D/h
v
.
24
Variao da espessura do filme calculada a
partir do raio de rotao do disco (fonte).
Uniformidade de espessura de filme
A maneira mais eficiente de obter uniformidade de espessura colocando tanto a
superfcie evaporante quanto o substrato na superfcie de uma esfera.








Fig.1.10
Esquema de evaporao para alcanar uma deposio
uniforme. Fonte e substrato localizam-se sobre uma esfera
de raio r
0
. [M. Ohring, 2002]
25
No caso, = e cos = cos = r/2r
0
.





A espessura de deposio claramente
constante e independe do ngulo.
2
0 0 0
2
4 2 2 r
M
r
r
r
r
r
M
dA
dM
e e
s
s


Uniformidade de espessura de filme
Recobrimento de superfcies irregulares:
Recobrimento de regies no planarescircuitos
integrados
O recobrimento no ser uniforme quando
efeitos de sombra causam deposio desigual no
topo e nas paredes laterais de degraus.
Simulaes computacionais para o recobrimento
de um canal quadrado com 1m de largura e
1m de altura recoberto com 5000 de Al.
26
Ilustrao esquemtica do recobrimento de
degraus. (a) uniforme; (b) pobre e (c) falha.
Pureza do filme
27
A pureza qumica dos filmes evaporados dependem da natureza e nvel
de impurezas que:
Contidas na fonte;
Contaminao na fonte oriunda do aquecedor, cadinho e materiais do
suporte;
Originarias de gases residuais presentes no sistema de vcuo.
Para produzir filmes puros:
A deposio deve ser feita utilizando altas taxas de deposio;
Manter baixas presses fundo de gases residuais (H
2
O, CO
2
, CO, O
2

e N
2
)
Evaporadores
28
Fontes de evaporao aquecidas eletricamente:
Aquecimento de filamentos metlicos;
Alcanar a temperatura do evaporante e ter uma presso de
vapor desprezvel;
No pode contaminar, reagir com ou formar uma liga com o
evaporante;
Liberar gases do tipo O
2
ou N
2
ou H na temperatura de
evaporao;
Para ter estas caractersticas levaram ao uso de cadinhos
feitos de fontes aquecida por resistncia ou com oxido
inerte ou cadinhos feitos de cermica.

Evaporadores
29
Fontes de fios de tungstnio:
Fios enrolados de formas variadas;
Opera a 2200 K.
Fontes de folhas metlicas de metal
refratrio:
Folhas de Tungstnio, Tantalo e
molibidenio;
Requerem baixa tenso e baixa corrente;
Na forma de tiras, barquinho, canoa.
Fornos de sublimao:
Para evaporar sulfetos, selneto e alguns
oxidos eficientemente;
O material precursor prensado e
aquecidos por fontes de aquecimento;
Usado tampas perfuradas;
Fontes de cadinhos.
O cadinho tem forma cilindrica
composto de oxidos, BN pirolitico, grafite
e metais refratarios.

Fontes de evaporao aquecida por resistncia.
Equipamentos de evaporao de filmes
30

Equipamento
31