CIENCIA DE MATERIALES II

2014 - 1

MATERI ALES SEMI CONDUCTORES
NOCI ONES GENERALES SOBRE LOS SEMI CONDUCTORES,
CONDUCTI VI DAD: PROPI A Y
POR I MPUREZAS. CARACTERI STI CAS ELECTRI CAS
Y FOTOCONDUCCI ON DE LOS SEMI CONDUCTORES
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Semiconductor
Un semiconductor es un elemento que se comporta como un
conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como
por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin
que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se
indican en la tabla adjunta. El elemento semiconductor ms usado
es el silicio, el segundo el germanio, aunque idntico
comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los
grupos 12 y 13 con los de los grupos 14 y 15 respectivamente (As
Ga, P In, As Ga Al, Te Cd, Se Cd y S Cd). Posteriormente se ha
comenzado a emplear tambin el azufre.







La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes,
teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.
Slidos cristalinos en funcin de sus propiedades elctricas
Los Semiconductores son materiales que poseen propiedades
intermedias de conduccin.
Los materiales semiconductores ms importantes son:
Silicio
Germanio
Ga y As
Tanto el silicio como el Germanio cristalizan en el sistema cbico con
red centrada en las caras.






Para comprender mejor esta definicin es necesario recordar la
clasificacin de los elementos segn su capacidad de conduccin; en
la naturaleza encontramos materiales:













Parte de placa base con los componentes de semiconductores
Conductores
Aislantes
Semiconductores
Clasificacin de Slidos cristalinos en funcin de sus propiedades
elctricas
Metales, semiconductores, aislantes
Pero cuales son las caractersticas fsicas que diferencian a
cada uno de ellos?.
Debemos ahondar un poco mas en el estudio de la fsica de los
componentes.
Los materiales que encontramos en nuestro medio son la
combinacin ordenada o estructurada de una serie de elementos
conocidos como tomos.
Estos se unen entre s para formar las molculas y la unin de estas
forma a la vez los diferentes elementos de la naturaleza.
Desde el punto de vista electrnico: Nos interesa la
CONDUCTIVIDAD elctrica del material, electrones libres que
puedan ser arrastrados por un campo elctrico (o potencial) y
contribuyan a una corriente.



Tipos de semiconductores
Semiconductores intrnsecos
Es un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura
tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes
entre sus tomos, en la figura representados en el plano por
simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente
algunos electrones pueden absorber la energa necesaria para
saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente hueco
en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura
ambiente, son de 0,7 eV y 0,3 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los
electrones pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a
la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando
energa. A este fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede que,
a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares
e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin
global de electrones y huecos permanece invariable.

Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin
de huecos (cargas positivas), se cumple que:
n
i
= n = p
siendo n
i
la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de n
i
a temperatura ambiente (25c):
n
i
(Si) = 1.5 10
10
cm
-3
n
i
(Ge) = 2.5 10
13
cm
-3

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los
semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la
corriente elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de
potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida
al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y
por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de
valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando
una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin
contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy
inferior a la de la banda de conduccin.
Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un
pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o
pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice
que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar
parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente
tomo de silicio. Hoy en da se han logrado aadir impurezas de una
parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin del
material.
Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de
dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para
poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este
caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante aporta sus electrones ms
dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de
agente dopante es tambin conocido como material donante ya que
da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de
electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se
produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los
tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que
se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio
adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como
los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fosforo (P), arsnico (As) o
antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un
tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes
y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la
formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el
material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los
electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los
portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco
electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son
llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el
semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y
el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica
neta final de cero.
Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de
dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para
poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este
caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms
dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este
agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los
tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos
como huecos.
Suelen tener un tamao milimtrico y, alineados, constituyen
detectores multicanal que permiten obtener espectros en
milisegundos. Son menos sensibles que los fotomultiplicadores. Es
un semiconductor de tipo p (con huecos) en contacto con un
semiconductor de tipo n (electrones). La radiacin comunica la
energa para liberar los electrones que se desplazan hacia los huecos,
estableciendo una corriente elctrica proporcional a la potencia
radiante.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.
En el caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14
de la tabla peridica) se le une un tomo con tres electrones de
valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga,
B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de
silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco
producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn
libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco
se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la
posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado
como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de
aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la
excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los
portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los
portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes
azules (tipo II b), que contienen impurezas de boro (B), son un
ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera
natural.
Semiconductor tipo n
Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....












Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo
comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos
.... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4
electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que
contenga cinco electrones en su capa exterior, resulta que cuatro de
esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los tomos de la
red y el quinto queda libre.









Semiconductor dopado tipo N

A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le
denomina "Silicio tipo N.
En esta situacin hay mayor nmero de electrones que de huecos. Por
ello a estos ltimos se les denomina "portadores minoritarios" y
"portadores mayoritarios" a los electrones.
Las Impurezas tipo N ms utilizadas en el proceso de dopado son el
arsnico, el antimonio y el fsforo.
Est claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensin en
sus bornas, las posibilidades de que aparezca una corriente en el
circuito son mayores a las del caso de la aplicacin de la misma
tensin sobre un semiconductor intrnseco o puro.
Semiconductor tipo p
Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre
s) .... .... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4
electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que
contenga tres electrones en su capa exterior, resulta que estos tres















electrones llenarn los huecos que dejaron los electrones del tomo
de silicio, pero como son cuatro, quedar un hueco por ocupar. O sea que
ahora la sustitucin de un tomo por otros provoca la aparicin de huecos
en el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios"
sern los huecos y los electrones los portadores minoritarios.









Enlace covalente de tomos de germanio, cada tomo comparte cada
uno de sus electrones con otros cuatro tomos
A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le
denomina "silicio tipo P













Semiconductor dopado tipo P















Fotoconduccion de los semiconductores
Efecto fotoelctrico
Se estudia en el 1887 cuando Heinrich Hertz se da cuenta de que un
arco elctrico entre dos electrodos salta mayor distancia cuando se
ilumina con rayos ultravioletas. Luego otros cientficos demostraron
que cuando se ilumina una superficie metlica con cierta longitud
de onda los ELECTRONES del material pueden escapar mas
fcilmente de l lo que justificaba el experimento de Hertz. Como
este efecto estaba relacionado con la luz y la electricidad fue llamado
efecto fotoelctrico.
Para comprender el porque del efecto fotoelctrico tenemos que
aceptar varias cosas que son difciles de entender desde el punto de
vista del macro mundo que nos rodea, veamos:
Que la luz tiene una naturaleza "extraa" que en ocasiones se
comporta como una ONDA (cumple muchas leyes de las ondas), en
otras, como un flujo de partculas (es capaz de producir empuje
cuando choca con un cuerpo opaco).
La energa contenida en estos fotones poda ser mayor o menor y en
dependencia de esto se comportaban como una onda de diferente
longitud en el espectro, por lo que fotones de mucha energa
producan luz ultravioleta de pequea longitud mientras que los
fotones de poca energa producen luz en la zona infrarroja y
mayor longitud, o bien al revs, la luz infrarroja tiene fotones de
baja energa y la ultravioleta de mayor energa.
Que la energa de los fotones era independiente de la intensidad de la
luz, mas bien una luz intensa tiene mas "proyectiles" y una dbil
menos.
As quedaba resuelto el asunto, estos fotones se comportan como
ondas durante el movimiento y al mismo tiempo cuando un cuerpo
opaco los absorbe y los detiene, parte de su energa se convierte en
masa y pueden producir empuje mientras el resto produce incremento
de la energa (por ejemplo calorfica) del cuerpo receptor.
Los elementos que constituyen la materia que nos rodea son tambin
de naturaleza "extraa", y se comportan al mismo tiempo como
partculas con masa y como si fueran un "paquete de energa".
Esta dualidad ha tratado de explicarse con la teora cuntica, pero
para nuestro propsito, es suficiente con asumir que los componentes
elementales de la materia son partculas.
La partcula elemental que nos interesa es el electrn, portador de
carga negativa con una masa casi despreciable. Estos electrones
tienen la particularidad de agruparse en cantidades fijas en los
alrededores del ncleo atmico a ciertas distancias preestablecidas
(niveles y sub-niveles de energa) y que cuando uno de ellos recibe
energa adicional por el choque de otra partcula nunca aumenta su
masa si no que se traslada a una de estas rbitas mas lejanas del
ncleo. Si la energa recibida es suficiente puede incluso abandonar el
tomo y convertirlo en un ion.
Que solo cuando el ltimo nivel o sub-nivel de energa (nivel de
valencia) del tomo est incompleto de electrones, los all presentes
pueden saltar de un tomo al vecino para producir lo que conocemos
como corriente elctrica. El resto de los electrones de los niveles y
sub-niveles precedentes estn completos y son fuertemente retenidos
por el ncleo y no se comparten a tomos vecinos.
De todo esta madeja de cosas medio "incomprensibles" y para simplificar la
explicacin, vamos a asumir que tanto el fotn como el electrn son
partculas, y que cuando se ilumina un cuerpo, los fotones de la luz chocan
con las partculas de los tomos de la superficie como si fueran bolas de
billar.
Porqu el efecto fotoelctrico
Sentadas las bases para la compresin tratemos ahora de explicar porqu se
produce el efecto fotoelctrico.
Si tomamos una sustancia cualquiera y la iluminamos, estamos
bombardeando los tomos de la superficie con fotones, algunos de estos
fotones pueden chocar con los electrones de un tomo y suministrarle la
energa necesaria para cambiar de rbita atmica y colocarse en el nivel de
valencia y hasta abandonar el tomo. Al hacer esto pueden producirse tres
manifestaciones diferentes del efecto fotoelctrico:
La foto ionizacin: Es la ionizacin de un gas por la luz u otra radiacin
electromagntica. Para ello, los fotones tienen que poseer la suficiente
energa para sacar uno o ms electrones externos de los tomos de gas y as
lograr el ion.
La foto conduccin: Los electrones de algunos materiales
semiconductores cristalinos absorben energa de los fotones y llegan
as subir a los niveles de energa en la que pueden desplazarse
libremente y conducir electricidad. Este efecto puede producirse en
todos los materiales pero en los buenos conductores la conduccin
base es tal que impide la percepcin del efecto.
El efecto fotovoltaico, los fotones pueden producir acumulacin de
carga elctrica (electrones) en las proximidades de la cara iluminada
de un material mientras se produce una deficiencia en la otra. Si se
capturan esos electrones acumulados y se conectan a travs de un
conductor a la otra cara se produce el flujo de una corriente. Hemos
logrado un generador fotoelctrico.





SEMICONDUCTORES ELEMENTALES Y COMPUESTOS.
EL GERMANIO Y EL SILICIO, SUS PROPIEDADES
Y USO. ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS.
NOCIONES SOBRE LA TECNOLOGIA DE PLANO PARA
LA FORMACION DE ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS
EN CIRCUITOS INTEGRADOS. CALCULO DE SELECCION
DE LOS MATERIALES CON LAS PROPIEDADES
DETERMINADAS POR EL DISENO
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I ntroduccin
Sin lugar a dudas, el estudio de las propiedades fsicas de los
materiales semiconductores y sus sorprendentes aplicaciones en el
desarrollo tcnico de dispositivos elctricos, representan una de las
revoluciones cientfico-tecnolgicas de mayor impacto sobre nuestra
sociedad.
Para tener una idea de la real magnitud de esta revolucin pensemos
por un momento en los transistores, probablemente la aplicacin
tecnolgica ms importante de los semiconductores. Cualquier
habitante del mundo moderno se encuentra rodeado
cotidianamente por millones de transistores. Estn en el televisor,
en el equipo de msica, en la mquina de lavar, en el reloj de
pulsera, en el telfono celular. Un computador personal puede
llegar a tener algunos miles de millones de transistores. De hecho,
en el mundo existen muchos ms transistores que personas. Pero,
naturalmente, una cosa es usar esta tecnologa y otra muy distinta
es entender como opera. Este ltimo es el objetivo que persigue este
breve artculo. Sin embargo, dada la naturaleza altamente
especializada del tema y el reducido espacio disponible para
desarrollarlo, siempre que sea posible dejaremos de lado las
consideraciones de carcter tcnico que obligaran a extender la
discusin ms all de lo pertinente.
La teora cuntica nos ensea que los tomos tienen niveles de
energa discretos cuando estn aislados unos de otros. Sin embargo,
si consideramos una gran cantidad de tomos la situacin cambia
dramticamente. Realicemos un experimento imaginario en el que un
conjunto de N tomos idnticos inicialmente aislados son
gradualmente acercados entre si para formar una red cristalina.
Observaremos los siguientes cambios en la estructura electrnica:
Cuando los N tomos se encuentran muy prximos, las funciones
de onda electrnicas se empiezan a cruzar y la interaccin entre
ellos ocasiona que cada nivel energtico se divida en N niveles con
energas ligeramente diferentes.
En un slido macroscpico, N es del orden de 1023 , de modo que
cada nivel se divide en un nmero muy grande de niveles energticos
llamados una banda. Los niveles estn espaciados casi
continuamente dentro de una banda.
Las bandas de energa, llamadas tambin bandas permitidas, se
encuentran separadas unas de otras por brechas, denominadas bandas
prohibidas. El ancho de estas bandas depender del tipo de tomo
y el tipo de enlace en el slido. Las bandas se designan por las letras
s, p, d etc. de acuerdo al valor del momentum angular orbital del
nivel energtico al cual estn asociadas.
De acuerdo al principio de exclusin de Pauli, si consideramos un
cristal compuesto por N tomos, cada banda podr acomodar un
mximo de 2(2l +1)N electrones, correspondientes a las dos
orientaciones del espn y a las 2l +1orientaciones del momentum
angular orbital. Agreguemos finalmente que, de no ser por el
principio de exclusin, los electrones se agolparan en su estado de
mnima energa haciendo imposible la formacin de bandas.
Metales, semiconductores y aislantes
Las bandas asociadas con las capas completas internas en los tomos
originarios tienen las cuotas exactas de electrones que les permite el
principio de exclusin de Pauli.









En estas bandas los orbitales no sufren alteraciones significativas y retienen
su carcter atmico al formarse el slido. Sin embargo, la banda
correspondiente a la capa atmica ms externa, ocupada por los electrones
de valencia, es la ms interesante en lo que se refiere a las propiedades de
los slidos. Si la banda ms externa no est completamente llena, se
denomina banda de conduccin. Pero, si est llena, se llama banda de
valencia y la banda vaca que queda inmediatamente encima de esta ltima
recibe el nombre de banda de conduccin.
Estamos ahora en condiciones de definir los distintos tipos de
materiales de acuerdo a sus propiedades de transporte de corriente
elctrica:
Conductor es toda sustancia en que la energa del primer estado
electrnico vaco se encuentra inmediatamente adyacente a la energa
del ltimo estado electrnico ocupado. En otros trminos, un
conductor es un material en el cual la ltima banda ocupada no est
completamente llena.
Aislante es toda sustancia en que la energa del primer estado
electrnico vaco se encuentra separada, por una brecha finita, de la
energa del ltimo estado electrnico ocupado.
Semiconductor es un material aislador en que el ancho de banda
prohibida es menor que 1eV.
A fin de precisar nuestra definicin de semiconductor recordemos que
a temperatura ambiente (T 300oK ) la energa trmica transferida a
un electrn de la red es del orden de K T 0.025eV. B Un clculo

estadstico que omitiremos muestra que esta energa es suficiente
para que una pequea fraccin de los electrones en la banda de
valencia pueda saltar a la banda desocupada. Sin embargo, a
temperatura nula ningn electrn podr ocupar la banda
superior.
Por lo tanto, los semiconductores a T =00 K son aisladores. Esto nos
permite definir los semiconductores como aisladores de banda
prohibida considerable. La Figura 2 muestra esquemticamente las
diferencias existentes entre las tres clases de slidos de acuerdo a sus
propiedades de transporte de carga.


Tabla 1 Gap de energa
de algunos aisladores y
semiconductores.










Aislante Semiconductor Conductor
Figura 2. Metales, semiconductores y aislantes desde el punto de
vista de la teora de bandas.

Figura 3. En un semiconductor con tomos dadores (por ejemplo
P en Si), el nivel dador se encuentra justo por debajo de la banda de
conduccin. Los electrones (-) son promocionados fcilmente a la
banda de conduccin. El semiconductor es de tipo-n. En un
semiconductor con tomos aceptores ( por ejemplo Al en Si), el nivel
aceptor se encuentra justo por encima de la banda de valencia. Los
electrones son promovidos fcilmemnte al nivel aceptor dejando
agujeros positivos (+) en la banda de valencia. El semiconductor es
de tipo-p.





Figura 3
Aplicaciones de los semiconductores
A partir de la dcada de 1950, los dispositivos semiconductores -conocidos
tambin como dispositivos de estado slido- remplazaron los tubos
electrnicos de la industria tradicional. Por la enorme reduccin de
tamao, consumo de energa y costo, acompaada de una mucho mayor
durabilidad y confiabilidad, los dispositivos semiconductores significaron
un cambio revolucionario en las telecomunicaciones, la computacin, el
almacenamiento de informacin, etc.
Desde el punto de vista de su forma de operacin, el dispositivo
semiconductor ms simple y fundamental es el DIODO; todos los dems
dispositivos pueden entenderse en base a su funcionamiento. Cuando un
semiconductor de tipo n y otro de tipo p se unen del modo indicado en la
Figura 4, las concentraciones inicialmente desiguales de electrones y
vacantes dan lugar a una trasferencia de electrones a travs de la unin
desde el lado p al n y de vacantes desde el lado n al p. Como resultado, se
crea una doble capa de carga en la unin semejante a la de un
condensador de placas paralelas, siendo negativo el lado p y positivo el
lado n.















Fig. 4













Fig. 4
UNION pn NO POLARIZADA
Una unin pn consiste en un nico cristal semiconductor al cual se
le han aadido impurezas de manera que se obtiene una zona p y otra
n.
Si estuviera formado por dos cristales independientes, antes de
conformar fsicamente la unin, se tendra una distribucin de
portadores segn se indica en la figura.














Representacin Esquemtica de una unin pn
El elevado gradiente de concentracin hueco-electrn a lo largo de
la unin, inicia un proceso de difusin, creando una zona de carga
espacial en la zona de unin.
Semiconductores compuestos









Chips de LED y obleas de silicio de LED / LED ultra brillante















Obleas de
silicio del
LED
Nombre del
producto
nm Material Estructura Polaridad
PG 559
Fosfuro de galio
(GaP)
P-up
GMGG 563
Fosfuro de galio
(GaP)
P-up
MGG 566
Fosfuro de galio
(GaP)
P-up
MMG 567
Fosfuro de galio
(GaP)
P-up
MG 568
Fosfuro de galio
(GaP)
P-up
NUYG-2 569
Fosfuro de galio
(GaP)
N-up
UYG-1 569
Fosfuro de galio
(GaP)
P-up
UYG-2 569
Fosfuro de galio
(GaP)
P-up
UYG-3 569
Fosfuro de galio
(GaP)
P-up
UYG-5 569
Fosfuro de galio
(GaP)
P-up
Oblea (electrnica)
En microelectrnica, una oblea es una fina plancha de material
semiconductor, como por ejemplo cristal de silicio, sobre la que se
construyen microcircuitos mediante tcnicas de dopado (por ejemplo,
difusin o implantacin de iones), grabado qumico y deposicin de
varios materiales. Las obleas tienen, de esta manera, una importancia
clave en la fabricacin de dispositivos semiconductores tales como
los circuitos integrados.






Una oblea de silicio grabada

Lista de materiales semiconductores
Grupo IV
Elementos del Grupo IV. Semiconductores elementales
Diamante (C)
Silicio (Si)
Germanio (Ge)
Grupo III-V
Semiconductores con elementos de los Vctor grupos III y V
Antimonio de aluminio (AlSb)
Arseniuro de aluminio (AlAs)
Nitruro de aluminio (AlN)
Fosfuro de aluminio (AlP)
Nitruro de boro (BN)
Fosfuro de boro (BP)
Arseniuro de boro (BAs)
Antimoniuro de galio (GaSb)
Arseniuro de galio (GaAs)
Grupo II-VI
Semiconductores de los grupos II y VI
Seleniuro de cadmio (CdSe)
Sulfuro de cadmio (CdS)
Grupo I-VII
Semiconductores de los grupos I y VII
Cloruro de cobre (CuCl)
Grupo IV-VI
Semiconductores de los grupos IV y VI
Seleniuro de plomo (PbSe)
Sulfuro de plomo (PbS)
Teluro de plomo (PbTe)
Sulfuro de estao (SnS)
Teluro de estao (SnTe)


Grupo V-VI
Semiconductores de los grupos V y VI
Teluro de bismuto (Bi
2
Te
3
)
Grupo II-V
Semiconductores de los grupos II y V
Fosfuro de cadmio (Cd
3
P
2
)
Arseniuro de cadmio (Cd
3
As
2
)
Antimoniuro de cadmio (Cd
3
Sb
2
)
Fosfuro de zinc (Zn
3
P
2
)
Arseniuro de zinc (Zn
3
As
2
)
Antimoniuro de zinc (Zn
3
Sb
2
)
Circuito integrado
Un circuito integrado (CI), tambin conocido como chip o
microchip, es una pastilla pequea de material semiconductor, de
algunos milmetros cuadrados de rea, sobre la que se fabrican
circuitos electrnicos generalmente mediante fotolitografa y que
est protegida dentro de un encapsulado de plstico o cermica.
El encapsulado posee conductores metlicos apropiados para hacer
conexin entre la pastilla y un circuito impreso.










Circuitos integrados de memoria con una ventana de cristal de
cuarzo que posibilita su borrado mediante radiacin ultravioleta.

En abril de 1949, el ingeniero alemn Werner Jacobi (Siemens
AG) completa la primera solicitud de patente para circuitos
integrados con dispositivos amplificadores de semiconductores.
Jacobi realiz una tpica aplicacin industrial para su patente, la cual
no fue registrada.
Ms tarde, la integracin de circuitos fue conceptualizada por el
cientfico de radares Geoffrey W.A. Dummer (1909-2002), que
estaba trabajando para la Royal Radar Establishment del Ministerio
de Defensa Britnico, a finales de la dcada de 1940 y principios de
la dcada de 1950.
El primer circuito integrado fue desarrollado en 1959 por el
ingeniero Jack Kilby pocos meses despus de haber sido contratado
por la firma Texas Instruments. Se trataba de un dispositivo de
germanio que integraba seis transitores en una misma base
semiconductora para formar un oscilador de rotacin de fase.
En el ao 2000 Kilby fue galardonado con el Premio Nobel de
Fsica por la enorme contribucin de su invento al desarrollo de la
tecnologa.
Al mismo tiempo que Jack Kilby, pero de forma independiente,
Robert Noyce desarroll su propio circuito integrado, que patent
unos seis meses despus. Adems resolvi algunos problemas
prcticos que posea el circuito de Kilby, como el de la interconexin
de todos los componentes; al simplificar la esctructura del chip
mediante la adicin del metal en una capa final y la eliminacin de
algunas de las conexiones, el circuito integrado se hizo ms adecuado
para la produccin en masa. Adems de ser uno de los pioneros del
circuito integrado, Robert Noyce tambin fue uno de los co-
fundadores de Intel, uno de los mayores fabricantes de circuitos
integrados del mundo.

Los circuitos integrados se encuentran en todos los aparatos
electrnicos modernos, como automviles, televisores, reproductores
de CD, reproductores de MP3, telfonos mviles, computadoras, etc.
El desarrollo de los circuitos integrados fue posible gracias a
descubrimientos experimentales que demostraron que los
semiconductores pueden realizar algunas de las funciones de las
vlvulas de vacio.
La integracin de grandes cantidades de diminutos transitores en
pequeos chips fue un enorme avance sobre el ensamblaje manual
de los tubos de vaco (vlvulas) y en la fabricacin de circuitos
electrnicos utilizando componentes discretos.
La capacidad de produccin masiva de circuitos integrados, su
confiabilidad y la facilidad de agregarles complejidad, llev a su
estandarizacin, reemplazando diseos que utilizaban transistores
discretos, y que pronto dejaron obsoletas a las vlvulas o tubos de
vaco.
Tipos de circuitos integrados
Existen al menos tres tipos de circuitos integrados:
Circuitos monolticos: Estn fabricados en un solo monocristal,
habitualmente de silicio, pero tambin existen en germanio,
arseniuro de galio, silicio-germanio, etc.
Circuitos hbridos de capa fina: Son muy similares a los circuitos
monolticos, pero, adems, contienen componentes difciles de
fabricar con tecnologa monoltica.

Muchos conversores A/D y conversores D/A se fabricaron en
tecnologa hbrida hasta que los progresos en la tecnologa
permitieron fabricar resistores precisos.
Circuitos hbridos de capa gruesa: Se apartan bastante de los
circuitos monolticos. De hecho suelen contener circuitos monolticos
sin cpsula, transitores, diodos, etc. sobre un sustrato dielctrico,
interconectados con pistas conductoras. Los resistores se depositan
por serigrafa y se ajustan hacindoles cortes con laser. Todo ello se
encapsula, en cpsulas plsticas o metlicas, dependiendo de la
disipacin de energa calrica requerida. En muchos casos, la cpsula
no est "moldeada", sino que simplemente se cubre el circuito con
una resina epoxi para protegerlo. En el mercado se encuentran
circuitos hbridos para aplicaciones en mdulos de radio frecuencia
(RF), fuentes de alimentacin, circuitos de encendido para
automvil, etc.
Clasificacin de circuitos integrados

Atendiendo al nivel de integracin - nmero de componentes - los
circuitos integrados se pueden clasificar en:
SSI (Small Scale I ntegration) pequeo nivel: de 10 a 100
transistores
MSI (Medium Scale I ntegration) medio: 101 a 1.000 transistores
LSI (Large Scale I ntegration) grande: 1.001 a 10.000 transistores
VLSI (Very Large Scale I ntegration) muy grande: 10.001 a 100.000
transistores
ULSI (Ultra Large Scale I ntegration) ultra grande: 100.001 a
1.000.000 transistores
GLSI (Giga Large Scale I ntegration) giga grande: ms de un milln
de transistores.
En cuanto a las funciones integradas, los circuitos se clasifican en
dos grandes grupos:
Circuitos integrados analgicos.

Pueden constar desde simples transistores encapsulados juntos, sin
unin entre ellos, hasta circuitos completos y funcionales, como
amplificadores, osciladores o incluso receptores de radio
completos.
Circuitos integrados digitales.
Pueden ser desde bsicas puertas lgicas (AND, OR, NOT) hasta
los ms complicados microprocesadores o microcontroladores.
Algunos son diseados y fabricados para cumplir una funcin
especfica dentro de un sistema mayor y ms complejo.
En general, la fabricacin de los CI es compleja ya que tienen una
alta integracin de componentes en un espacio muy reducido, de
forma que llegan a ser microscpicos. Sin embargo, permiten grandes
simplificaciones con respecto los antiguos circuitos, adems de un
montaje ms eficaz y rpido.

Serigrafa
La serigrafa es una tcnica de impresin empleada en el mtodo de
reproduccin de documentos e imgenes sobre cualquier
material, y consiste en transferir una tinta a travs de una malla
tensada en un marco, el paso de la tinta se bloquea en las reas donde
no habr imagen mediante una emulsin o barniz, quedando libre la
zona donde pasar la tinta.
El sistema de impresin es repetitivo, esto es, que una vez que el
primer modelo se ha logrado, la impresin puede ser repetida cientos
y hasta miles de veces sin perder definicin.
TECNOLOG A DE LOS CI RCUI TOS I NTEGRADOS
MONOL TI COS
El termino "monoltico" se deriva de las palabras griegas mono que
significa nico, y lithos que significa piedra. As un circuito
integrado monoltico se construye en una nica piedra o cristal de
silicio.
La palabra integrado se debe a que todos los componentes del
circuito: transistores, diodos, resistencias, capacidades y sus
interconexiones se fabrican como un ente nico. Obsrvese que no
se incluyen inductancias: una de las consecuencias de la construccin
de circuitos integrados semiconductores es precisamente que no
pueden conseguirse valores de inductancia prcticos. La variedad de
procesos con los que se fabrican estos circuitos se desarrollan
sobre un plano nico y por tanto puede hablarse de tecnologa
planar.

La figura 1 (a) representa la estructura de un
integrado bipolar, lo que es la materializacin
del circuito de la figura 1 (b).



En la figura 2 se pueden ver varias capas que son:
regiones de silicio dopadas n y p, el dixido de
Silicio SiO2

denominada tambin capa de oxido, y
las zonas metlicas. Las capas de silicio forman los
elementos del sistema as como el Sustrato o
Cuerpo en el que se construye el circuito
integrado. Adems las zonas de silicio se emplean
para aislar unos de otros componentes. para formar
las capas de silicio se emplean tres procesos
distintos que son el epitaxial, de difusin, y el de
Implantacin de Iones.
Figura 2 (a) Circuito MOS canal n con cargas de
Deplexion. (b) Disposicin como CI


La capa de oxido se utiliza para proteger la superficie del chip de
los contaminantes externos y para permitir la formacin selectiva
de las regiones n y p. El oxido se elimina por corrosin qumica que
descubre las partes de la superficie en las que se debern formar esas
regiones n y p. Las zonas a corroer se delimitan por tcnicas de
fotolitografia. La fina capa metlica se obtiene por deposicin
qumica de vapor de aluminio sobre la superficie del chip. Para
delimitar los trazos se emplea la fotolitografia y mediante corrosin
se elimina el aluminio sobrante dejando solo las conexiones entre
componentes. Las figuras 1 y 2 son solo parte de un conjunto ms
complejo, sobre una oblea nica de silicio se fabrican
simultneamente muchos de tales circuitos. El cristal de silicio
(oblea) forma el sustrato sobre el que se hacen todos los
componentes del circuito. En la actualidad las obleas empleadas
tienen un dimetro de 20 cm o ms, y su espesor es de 0,2 a 0,3
mm, da la suficiente resistencia mecnica para impedir su flexin.
Completando el proceso de fabricacin la oblea se divide en 100 a
8000 partes rectangulares con 1 a 10 mm de lado.
Cada una de estas partes constituye un circuito nico como la figura
3 que puede contener desde una decena hasta varios cientos de miles.