PERMITIVIDAD La permitividad (o impropiamente constante dielctrica) es una constante fsica que describe cmo un campo elctrico afecta y es afectado por un medio. La permitividad del vaco es 8,8541878176x10 -12 F/m. La permitividad est determinada por la tendencia de un material a polarizarse ante la aplicacin de un campo elctrico y de esa forma anular parcialmente el campo interno del material. Est directamente relacionada con la susceptibilidad elctrica. Por ejemplo, en un condensador una alta permitividad hace que la misma cantidad de carga elctrica se almacene con un campo elctrico menor y, por ende, a un potencial menor, llevando a una mayor capacitancia del mismo.
En electromagnetismo se define el campo de desplazamiento elctrico D, como el campo elctrico E multiplicado por la permitividad elctrica del medio. De este modo el campo de desplazamiento elctrico D slo es inducido por las cargas libres y no por la cargas dipolares. La relacin de ambos campos (para medios lineales) con la permitividad es
donde es un escalar si el medio es istropo o un tensor de segundo orden en otros casos. La permitividad, tomada en funcin de la frecuencia, puede tomar valores reales o complejos. Generalmente no es una constante ya que puede variar con la posicin en el medio, la frecuencia del campo aplicado, la humedad o la temperatura, entre otros parmetros. En un medio no lineal, la permitividad puede depender de la magnitud del campo elctrico. La unidad de medida en el Sistema Internacional es el faradio por metro (F/m). El campo de desplazamiento D se mide en culombios por metro cuadrado (C/m 2 ), mientras que el campo elctrico E se mide en voltios por metro (V/m). D y E representan el mismo fenmeno, la interaccin entre objetos cargados. D est relacionado con las densidades de carga asociada a esta interaccin. E se relaciona con lasfuerzas y diferencias de potencial involucradas. La permitividad del vaco , es el factor de escala que relaciona los valores de D y E en ese medio. es igual a 8.8541878176...10 - 12 F/m.
BOMBAS DE ENERGIA Una bomba atmica es un dispositivo que obtiene una gran cantidad de energa explosiva con reacciones nucleares. Su funcionamiento se basa en provocar una reaccin nuclear en cadena descontrolada. Se encuentra entre las denominadas armas de destruccin masiva y su explosin produce una distintiva nube con forma de hongo. La bomba atmica fue desarrollada por Estados Unidos durante laSegunda Guerra Mundial gracias al Proyecto Manhattan, y es el nico pas que ha hecho uso de ella en combate (en 1945, contra las ciudades japonesas de Hiroshima y Nagasaki). Su procedimiento se basa en la fisin de un ncleo pesado en elementos ms ligeros mediante el bombardeo de neutrones que, al impactar en dicho material, provocan una reaccin nuclear en cadena. Para que esto suceda hace falta usar ncleos fisibles o fisionables como el uranio-235 o el plutonio-239. Segn el mecanismo y el material usado se conocen dos mtodos distintos para generar una explosin nuclear: el de la bomba de uranio y el de la de plutonio. En este caso, a una masa de uranio llamada subcrtica se le aade una cantidad del mismo elemento qumico para conseguir una masa crtica que comienza a fisionar por s misma. Al mismo tiempo se le aaden otros elementos que potencian (le dan ms fuerza) la creacin de neutrones libres que aceleran la reaccin en cadena, provocando la destruccin de un rea determinada por la onda de choquedesencadenada por la liberacin de neutrones.
El arma de plutonio es ms moderna y tiene un diseo ms complicado. La masa fisionable se rodea de explosivos convencionales como el RDX, especialmente diseados para comprimir el plutonio, de forma que una bola de plutonio del tamao de una pelota de tenis se reduce casi al instante al tamao de una canica, aumentando increblemente la densidad del material, que entra instantneamente en una reaccin en cadena de fisin nuclear descontrolada, provocando la explosin y la destruccin total dentro de un permetro limitado, adems de que el entorno circundante se vuelva altamente radiactivo, dejando secuelas graves en el organismo de cualquier ser vivo.
TERCERA LEY DE COULOMB La ley de Coulomb puede expresarse como: La magnitud de cada una de las fuerzas elctricas con que interactan dos cargas puntuales en reposo es directamente proporcional al producto de la magnitud de ambas cargas e inversamente proporcional al cuadrado de la distancia que las separa y tiene la direccin de la lnea que las une. La fuerza es de repulsin si las cargas son de igual signo, y de atraccin si son de signo contrario. La constante de proporcionalidad depende de la constante dielctrica del medio en el que se encuentran las cargas. Se nombra en reconocimiento del fsico francs Charles-Augustin de Coulomb (1736-1806), que la enunci en 1785 y forma la base de la electroesttica.
La ley de Coulomb es vlida slo en condiciones estacionarias, es decir, cuando no hay movimiento de las cargas o, como aproximacin cuando el movimiento se realiza a velocidades bajas y en trayectorias rectilneas uniformes. Es por ello que es llamada fuerza electrosttica. En trminos matemticos, la magnitud de la fuerza que cada una de las dos cargas puntuales y ejerce sobre la otra separadas por una distancia se expresa como:
CLASIFICACION DE LOS DIELECTRICOS
Estos materiales se comportan como aislantes a bajas temperaturas pero a temperaturas ms altas se comportan como conductores. La razn de esto es que los electrones de valencia estn ligeramente ligados a sus respectivos ncleos atmicos, pero no lo suficiente, pues al aadir energa elevando la temperatura son capaces de abandonar el tomo para circular por la red atmica del material.En cuanto un electrn abandona un tomo, en su lugar deja un hueco que puede ser ocupado por otro electrn que estaba circulando por la red. Los materiales semiconductores mas conocidos son: Silicio (Si) y Germano (Ge), los cuales poseen cuatro electrones de valencia en su ultimo nivel. Por otra parte, hay que decir que tales materiales forman tambin estructura cristalina. Hay que destacar que, para aadir energa al material semiconductor, adems de calor, tambin se puede emplear luz Como su nombre lo indica son materiales que pueden conducir electricidad, pero, digamos que les cuesta ms trabajo.
Los materiales semiconductores estn localizados en el grupo IV de la tabla peridica.
Estos se caracterizan por tener 4 electrones en su banda de valencia. Cuando estos materiales se "dopan" o se les aade otro elemento, se rompen los enlaces y se puede tener un exceso de electrones (material tipo N) o un exceso de huecos dnde se depositen estos electrones (material tipo P)
Estos materiales son muy importantes, ya que es a travs de ellos que fue posible la elaboracin de los primeros transistores (los que hoy ocupan las computadoras, celulares, etc).
Si tu aplicas un voltaje pequeo a estos materiales, no conducen electricidad, sin embargo, si les proporcionas el voltaje adecuado, los electrones de estos elementos pueden circular libremente a travs del material, generando un material conductor.