Modelizacin de componentes circuitales

Gua de Trabajos prcticos N1

1) Un resistor de alambre ser utilizado en un rango de temperatura de 40 C a 80
C, el material del alambre es de Nicrome cuya resistiidad es de
!"0C)
#1$0%10
&'
(cm y su coe)iciente de resistencia en )unci*n de la temperatura es de
!"0C)
#0,004
C
&1
(
a) +i el resistor usa 1,"" mts( de alambre cuyo dimetro es de 0,1", mm cual
ser la resistencia a "0 C(
b) -ue porcenta.e de / a "0 C le corresponde al delta de / en el interalo de
temperatura preisto(
") a) 0eterminar la resistencia / a "$ 1C en los e2tremos de la )orma 3ue se muestra en
la )igura4
b) Calcular cuanto aldr / a 80 1C(
0atos4
e # 1cm
a # "5($ cm
b # 60($ cm
7
0
# 7
"$C
# 1 8(cm
9
0
# 0(1 C
&1
6) Considere el problema de calcular la resistencia en los e2tremos del conductor en :
mostrado en la )igura4
a) ;<uede resolerse en )orma e2acta utilizando m=todos algebraicos
sencillos>(
b) /esu=lalo de )orma apro2imada !despreciando la es3uina) y estime
mediante alguna simpli)icaci*n cual es el error introducido( ;Considera
aceptable dic?a apro2imaci*n>(
c) /eemplace los tramos de 1 y " m por 10 y "0 cm( ;Considera aceptable la
apro2imaci*n ?ec?a en el punto anterior>(
4) @ ba.a temperatura !"0 C) la resistencia de cierta lmpara es de 1 ( ;Cul ser la
resistencia en condiciones de operaci*n !"600 C)>(

!"0 C)
#0,0004$ !1AC)
$) Bl diagrama de aba.o !Cigura $)muestra una tira )ina de tantalio metlico, con
contactos el=ctricos en sus e2tremos( +i ? # 10 cm, D # 1 cm, t # 0(01 mm y #
1",$(10
&'
(cm(
Calcule la resistencia en los bornes para temperatura ambiente(

') Una barra semiconductora !silicio) como la de la )igura " tiene dos contactos
metlicos en sus e2tremos, 3ue ineitablemente introducen una resistencia de
contacto, 3ue supondremos 3ue es independiente de la temperatura4
a) Como aria la resistencia en los bornes en )unci*n de la temperatura(
b) Como podrEa determinarse separadamente la resistencia de contacto y la de
la barra(
c) <roponga un modelo de circuito parta esta estructura(
Cigura "
,) Bl dispositio de dos terminales descripto por las caracterEsticas F&G de la )igura,
esta colocado en serie con una baterEa de 6 G( :a baterEa tiene una resistencia
interna de 10 (
a) Bncuentre la corriente en el circuito usando un m=todo gr)ico(
b) /eemplace el comportamiento F&G por un modelo lineal por tramos y
compare el resultado(
8) <ara el cobre la conductiidad # 10
'
!1A(cm) y el numero de portadores de n #
10
"6
!1Acm
6
)4
a) Bstime la moilidad de los electrones en el cobre(
b) Un alambre de 0,"$ mm de dimetro y 100 m de longitud se conecta a una
baterEa de 1 G( Bstime la corriente y el campo el=ctrico en el alambre(
c) ;Cuanto le tomar a un electr*n recorrer el alambre>, e2pli3ue el resultado(
5) Considere un resistor anular 3ue se muestra en la )igura 4, donde a y b son los
radios interior y e2terior respectiamente y t la altura del toroide( 0emuestre4
a) -ue la resistencia es4
/ # !(ln !bAa))A!"((t)

I-V
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0 1 2 3 4 5
V
I
b) -ue si a b o sea bAa 1 entonces4
/ (!b&a)A!"((t(a)
Cigura 4
10) Una )orma cilEndrica aislante de 1 cm de dimetro se ?alla bobinada con 100 espiras
de alambre de ni3uelina de 0,1 mm de dimetro( 0eterminar la resistencia en los e2tremos
del bobinado a "01C y a "$01C(
0atos4

"01
# 40 cm

"01
# 0,6(10
&6
C
&1
Semiconductores en equilibrio
Gua de Trabajos prcticos N2
1) 0etermine la relaci*n de concentraci*n de electrones libres a $0 C respecto de "$
C para semiconductores con4
a) B
g
# 1 eG(
b) B
g
# 0,$ eG(
") Complete el cuadro4
Problema N

N
!
n
i
n p
! 10
1,
10
1'
10
11
" 10
1$
10
1'
10
$
# 10
1,
10
10
10
1,
10
1$
"(10
1$
10
14
$ "(10
1$
10
1$
1,$(10
1$
% 0 10
1'
10
1'
G 0 10
1'
10
1$
& 10
10
10
6
10
1,
' 0 10
1"
10
1"
( 10
16
0 10
16
6) Bl silicio tiene una constante diel=ctrica # 11,,(
0
!
0
#8,8$(10
&1"
CAm)H calcular
el tiempo de rela.aci*n diel=ctrica para el silicio !Si) si la conductiidad es4
a) 0,01 !(cm)
&1
(
b) 1 !(cm)
&1
(
c) 100 !(cm)
&1
(
4) Bl silicio tiene una energEa de gap de B
g
# 1(1" eG, ;cual es la mEnima longitud de
onda de radiaci*n electromagn=tica 3ue ser capaz de producir portadores por )oto
generaci*n>(
$) +i se tiene un semiconductor intrEnseco4
n
i
# 10
10
cm
&6
u
e
# $(000 cm
"
A(seg(
u
?
# $0 cm
"
A(seg(
I # 600 J
a) ;Cul es la conductiidad de este semiconductor a 600 J>
b) ;<uede ba.arse la conductiidad agregando impurezas>H B2plE3uelo(
$)ceso de car*as en semiconductores
Gua de Trabajos prcticos N+
1) 0ado el per)il de concentraci*n de electrones en e2ceso 3ue se muestra en la
)igura 14
a) Calcular la magnitud y direcci*n de la densidad de corriente de di)usi*n en K
1
y
K
"
, 0
e
# 10 cm
"
Aseg(
b) +uponga 3ue los e)ectos de la di)usi*n son despreciables y 3ue el e2ceso de
concentraci*n de electrones esta dado en t # 0, por la )igura 1( +i el tiempo de
ida es de 10 useg( encuentre el e2ceso de concentraci*n de electrones en t # $
useg( y gra)E3uelo(
c) Los3ue.e una distribuci*n razonable en t # $, si tanto la recombinaci*n como la
di)usi*n son importantes(
Cigura 1
") +uponga 3ue se crea una distribuci*n de e2ceso de ?uecos en una barra
?omog=nea de silicio de tipo N de acuerdo a la )unci*n P,-). / p0sen
2
-a0). para 1 ) 2a
donde p es una constante con unidades de 12cm
+
y a una constante con unidades de 12cm (
0
?
es el coe)iciente de di)usi*n para los ?uecos(
a) ;Cual es la direcci*n de la corriente de di)usi*n en ) / 230a y en ) / +0230a>
b) ;@ 3ue alores de 2 es igual a cero la corriente de di)usi*n>
Cigura "

6) @ba.o se muestra un diagrama del e2perimento de Maynes +?ocNley(
a) +i u
e
# 1(000 cm
"
AG(s H u
?
# 100 cm
"
AG(s H l # 1 cm H d # 0(1 cm y G
1
# 100 GH ;cul
ser el retardo de tiempo entre el pulso de luz y el de la seOal
0
, despreciando la
di)usi*n y la recombinaci*n>
b) 0espreciando nueamente la di)usi*n, si la altura del pulso es de 10 mG,
cuando # cual ser si # 10 useg(
Cigura 6
%4S'#! $5 $ST!6 S75'6
G84! N3 -'66S.
1) 0eterminar la caracterEstica F&G del siguiente modelo4
") 0os diodos id=nticos 3ue responden a la ecuaci*n i # Fs(!e
3GANI
&1) se conectan como
indica la )igura( ;Cul es la caEda de tensi*n en cada uno>
6) Un diodo responde a la ecuaci*n i # Fs(!e
3GANI
&1) en serie con una resistencia /(
a) 0eriar la e2presi*n 3ue represente la caracterEstica F&G en los terminales(
b) +i Fs # 10
&5
, / # $ o?m y I # 600 J Calcular la caEda de tensi*n en el con.unto para4
F !@) Gr Gd Gt
10
&8
10
&,
10
&'
10
&4
10
&"
1
c) Compare lo obtenido con / # 0
4) 0ada la caracterEstica F&G realice un modelo(
Semiconductores no uni9ormes en equilibrio
Gua de Trabajos prcticos N:
1) 0emuestre 3ue4
a) <ara BPPB
)
la )unci*n de Cermi puede apro2imarse a4
)!B) e
!B&B))A!JI)
b) <ara BQQB
)
la )unci*n de Cermi puede apro2imarse a4
)!B) 1 & e
& !B&B))A!JI)
") Complete el siguiente cuadro !B
g
# 1,1 eGH B
)
# 0,$$ eG)4
I!J) JI !eG) )!B) e
&!Bg&B))A!JI)
"00
600
$00
1(000
1($00
6) Bn un semiconductor altamente dopado con un per)il de impurezas N
d
# N
0
(e
&2Aa
,
calcular la magnitud y direcci*n del campo el=ctrico como )unci*n de la posici*n en
el cristal (
N
0
# 10
18
cm
&6
I # 600 J a # 0," u
4) Bn una barra de semiconductor con el siguiente per)il de dopado calcule
!:) & !0) a I # 600 J4
$) Bn una barra de semiconductor con el siguiente per)il de dopado calcule
!:) & !:A") y !:A") & !0) a I # 600 J4
"(N
d1
N
d1

:A"
0
:
Na # 10
18
cm
&6
Na # 10
1$
cm
&6
: 0
(unturas -8niones.
Gua de Trabajos prcticos N;
1) <ara una .untura <N abrupta se tiene4
N
a
# 1(10
1'
cm
&6
y N
d
# "(10
1'
cm
&6
para cada lado respectiamente(
a) Calcular
0
a I # 600 J(
b) Calcular l
n
, l
p
, l y B
ma2
para G
e
# 0 y G
e
# &10 Golts !
+i
# 1(10
&1"
CAcm)(
") <ara una uni*n metal&silicio con N
d
# 1(10
1'
cm
&6
determine G
bi
, ln, B
ma2
(
6) <ara el problema N1 calcular la capacidad en los terminales( !@
t
# 1 mm
"
)(
Gua N<= %sica del estado Solido
Transistores %$T > "ipolar0 6pto componentes0
a) 0ado el siguiente circuito y despreciando g
0
determine J,!G
d
# '
G)(
4
F
ds
#J(G
gs
"
R G
ds
(g
0
b) Bl silicio tiene una energEa de gap de B
g
# 1(1 eG, ;cual es la
mEnima longitud de onda de radiaci*n electromagn=tica 3ue ser capaz de producir
portadores por )oto generaci*n>(
c) Bmisores :B04
d( +e 3uiere construir un :B0 3ue emita en el color amarillo
!~0,$$0 um) 3ue B
g
debe tener el material semiconductor(
e( @ 3ue longitud de onda emite el sElice, Bg # 1,1 eG(
)) 0etermine la tensi*n en el colector del transistor, con L#$0(
g) 0ada la distribuci*n de la )igura, de portadores en e2ceso el la base
de un transistor bipolar, determine el alor de (
K
D
,$ S
Lase
<T!K)
100 S
Solucin de problemas
Gua N?1
1.
a)
S=
n
"
4
=
n(0,1",(10
6
)
"
4
=1,",(10
8
m
"
R
"01
=j
L
S
=
1,$(10
'
Dm1,""m
1,",(10
8
m
"
=144,1D
b)
AR=o
"01
AT R
"01
AR
S
=100
AR
R
"01
=o
"01
AT=1000,004C
1
1"0C=48S
")
a)
B2acta4
dS = e.dr, L = r., dR = (..r)/(e.r), dG = 1/dR
G=

a
b
e.dr
jr
=
e
j
ln(
b
a
)

R
"$1
=
1
G
"$1
=
1Dcm
n
"
1cmln(60,$cm/ "5,$cm)
=4,,1"D
@pro2imada4
L = r
medio
./2 = (a+b)./4 , S = (a-b).e
R
"$1
=
j L
S
=
j(a+b) n
4e(ba)
=
1Dcm'0cmn
41cm1cm
=4,,1"D
b)
R
801
=R
"$1
(1+o
"$1
AT )=4,,1"D(1+0,1C
1
(80C"$C ))=60',"8D
') :a resistencia en bornes de la barra estar compuesta de un aparte constante y otra
dependiente de la temperatura4
R=R
C
+ R
S
(T)
<or tratarse de un semiconductor !lo considero intrEnseco) la resistencia dependiente
de la temperatura debe ser proporcional al numero de portadores n
i
4
R
S
(T )=R
0
e
E
g
" k T
Uidiendo la resistencia a dos temperaturas distintas I1 y I1 se tiene 3ue4
AR=R
0
(e
E
g
"k T1
e
E
g
"k T2
)
Como B
g
es conocida, / se mide al igual 3ue I1 y I" se puede obtener /
0
y por
tanto conocer /
+
para cual3uier temperatura( /
C
se obtiene por di)erencia entre / y /
+
(
,)
a) <ara encontrar la soluci*n gr)ica se debe dibu.ar la cura F&G de la resistencia /
como )unci*n de la tensi*n de lampara( :a tensi*n sobre / es la di)erencia de la tensi*n de
)uente y la del dispositio, cuando en el dispositio no ?ay caEda de tensi*n, toda la tensi*n
cae en / y la corriente en el circuito es la tensi*n de la )uente diidido la resistencia /( <ara
el caso de 3ue toda la tensi*n de )uente est= presente en el dispositio, la caEda de tensi*n
en / es nula( 0ado 3ue / es lineal se puede trazar una recta entre estos dos puntos(
Bl punto donde se cruzan ambas gr)icas es la soluci*n al problema planteado,
siendo F#180 m@ y G # 1," G(
8)a)
j=
c
ne
=
1(10
' 1
Dcm
1(10
"6
1
cm
"
1,'(10
15
C
='",$
cm
"
!
S =
"
2
/4 = #($,$2%cm)
2
/& = &,'.1$
-&
cm
2
R=
L
c S
=
10000cm
1(10
' 1
Dcm
4,5(10
4
cm
"
="0,4D
( =

R
=
1
"0,4D
=0,045 "
E=

L
=
1
10000cm
=1(10
4
"
c) Bl tiempo esta dado por )=L/* donde * es la elocidad, a su es *=E por lo tanto4
I-V
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0 1 2 3 4 5
V
I
) =
L
jE
=
L
"
j
=
(10000cm)
"
'",$
cm
"
!
1
=1,'(10
'
!
-ue corresponde a 18,$ dEas(
5) a)
dR=
jdr
S
=
jdr
"n) r
R=

a
b
jdr
"n) r
=
j
"n)
ln (
b
a
)
b)
Si ab L(b-a) + ra
R
"$1
=
j L
S
=
j(ba)
"n) a
10)
L =
,
n = 1cm#-,1&#1$$=-1& cm
S =
"
2
/4 = #($,$1cm)
2
/& = .,/.1$
-%
cm
2
R
"01
=j
L
S
=
40(10
'
Dcm614cm
,,8$(10
$
cm
"
=1'0D
b)
R
"$01
=R
"01
(1+o
"01
AT )=1'0D(1+0,6(10
6
C
1
("$0C"0C ))=1,1,4D
Gua N?2
1) <ara el +ilicio !E
g
=1 e)4
n
i
(T )=0
0
e
E
g
"k T
n
i
($01C)
n
i
("$1C)
=e
E
g
" k
(
1
",6,1$+$0

1
",6,1$+"$
)
=4,4"
") <ara llenar los espacios acEos en el cuadro se deber utilizar las siguentes
apro2imaciones4
si4
0
a
110
d
20
a
0
d
110
a
n0
d
0
a
- 0
d
11 n
i
2

0
a
- 0
d
0
d
- 0
a
11 n
i
n

0
a
- 0
d
@dems, siempre se cumple 3ue4
2.n=n
i
2

6)a)
t=
e
r
e
0
c
=
11,,8,8$(10
14 ,
cm
0,01
1
Dcm
=1,04(10
10
!
4)
c=e( 2j
3
+nj
e
)=e n
i
(j
3
+j
e
)=1,'(10
15
C 1(10
10
cm
6
($000+$0) cm
"
( !)
1
c=$,0$(10
'
(Dcm)
1
Gua N?+
1)a)
4
e
=e 5
e
dn
d6
4
e
( 6
1
)e 5
e
An7
A6
=1,'(10
15
C10 cm
"
!
1 $(10
1$
cm
6
1(10
4
cm
=80 "cm
"
4
e
( 6
1
)=4
e
( 6
"
)
b) Cada punto de la gr)ica se reducir en $,8$. de acuerdo a4
n7 =n7
0
e
) /t
=n7
0
e
$/ 10
=n7
0
0,'0,
c) Bn el punto anterior donde no e2istEa di)usi*n, la )orma de la )igura se mantiene
pero el rea no, si adems e2iste di)usi*n la )igura se de)orma redondeando los =rtices(
")
27 ( 6)=27 ( !en
"
(a6)
06n/ a
4
3
=e 5
3
d2
d6
=e 5
3
" !en( a6) cos(a6)
V
?
!A4a) # & e 0
?

V
?
!6A4a) # e 0
?

b) V
?
#0 en 0, A"a y Aa
6)a)
:a elocidad de los portadores minoritarios es *=
e
E=
e

1
/9
Bl tiempo 3ue tarda un portador minoritario en recorrer la distancia d es )=d/*

) =
d 9
j
e

1
=
0,1cm1cm
1000 cm
"
( !)
1
100
=1(10
'
!
b) +i para un tiempo de ida in)inito
o
=1$ m !G
0
es proporcional a los portadores en
e2ceso 3ue )ueron recogidos por el contacto puntual), para un tiempo de ida de 1(10
&$
s el
alor de G
0
ser4

0t
=
0
e
) / t
=5,0$m
Bl tiempo t es el tiempo de transito del portador obtenido en el Etem anterior(
Gua N?:
6)
4
C
=4
5
c E=e 5
3
d2
d6
e 5
3
0
a
a
0
a
j E=5
3
0
a
a
Utilizando4
5
j
=
kT
e
E=
kT
e a
Bl potencial se puede calcular como4
=

0
6
E d6=E 6
$) :a di)erencia de potencial no depende del camino sino de los puntos inicial y )inal4
A=( L)(0)=
kT
e
ln(
0a( L)
0a(0)
)=0,18
Gua N?;
1) <ara obtener los parmetros solicitados se realiz* un programa en +CF:@L 3ue es
un so)Ware de usos mXltiples y de licencia gratuita !se lo puede ba.ar de la red)( :as lEneas
de comando se transcriben a continuaci*n4
clear
t/2< 22*rados
I#",6(1$Rt
N#8('1,e&$ AAeGAJ
Bg#1(1
N#"(5e15 AAatomAm6
ni#N%e2p!&BgA!"%N%I))
er#11(,
eo#8(8$e&14 AACAcm
e#er%eo
3#1('e&15 AACoul o 3# 1 e

a
=
kT
e
2
Na/1e1; 22atom2cm+
Nd/2e1; 22atom2cm+
@e/A1 22@olt
0e#6$ AAcm"As
0?#16
ue#16$0 AAcm"AGs
u?#$00
@o/-BCT21.Clo*-NaCNd2niD2.
ln/--2CeC-@oA@e.2q.D10:.C--Na2-NdC-NdENa...D10:.
lp/--2CeC-@oA@e.2q.D10:.C--Nd2-NaC-NdENa...D10:.
$m/--2CqC-@oA@e.2e.D10:.C---NdCNa.2-NdENa..D10:.
AA2#0
d2#0(004e&'%$e"
ld#1e&'%$e" Rd2 AA m % cmAm
ubica#0($ AA S desde la iz3uierda
2#&ld%ubica
ind#0
W?ile 2Qld%!1&ubica)
ind#indR1
K!ind)#2
-!ind)#0
i) !!2P!0&lp)) Y !2Q#!0))) t?en -!ind)#&Na%3H
endH
i) !!2P!0)) Y !2Q!0Rln))) t?en -!ind)#Nd%3H
endH
B!ind)# inttrap!-)%d2Ae
G!ind)# & inttrap!B)%d2
2#2Rd2
end
subplot!",",1),plot!K,-,ZbZ)
subplot!",","),plot!K,B,ZrZ)
subplot!",",6),plot!K,G,ZgZ)
+e remarc* los datos a ingresar y las Bc( 3ue se utilizan, se de.a como traba.o al alumno
eri)icar estos resultados manualmente(
<ara
e
=$
9
n
=12,-&.1$
-8
cm
9
2
=2&.8..1$
-8
cm
E
m
=-/128 /cm

$
=$,.$%%
0e iz3uierda a derec?a y de arriba a aba.o4 densidad de carga en C/cm
-
, Campo
el=ctrico en /cm, potencial en ( :a escala de 6 est en cm(
<ara
e
=-1$
9
n
=&/,$8.1$
-8
cm
9
2
='8,11.1$
-8
cm
E
m
=1&/%1& /cm
0e iz3uierda a derec?a y de arriba a aba.o4 densidad de carga en C/cm
-
, Campo
el=ctrico en /cm, potencial en ( :a escala de 6 esta en cm(
")

bi
=
"
6
E
g
e
=0,,6
9
n
=(
"c
Si

bi
e 0d
)
1
"
=6(10
$
cm
E
ma6
=(
"e 0
d

bi
c
Si
)
1
"
=641,'

cm
6) :a capacidad en un capacitor de placas paralelas iene dada por4
C=
c "
9
<ara la .untura pn4
C=
c
Si
"
)
9
n
+9
2
<ara
e
=$ C=2.$ 2,
<ara
e
=-1$ C=8' 2,