IMPERFECCIONES EN LOS ARREGLOS

ATOMICOS Y IONICOS
DEFECTOS PUNTUALES
1. CUALES SON LOS TIPOS BASICOS DE IMPERFECCIONES QUE SE
PRESENTAN EN LOS ARREGLOS ATOMICOS Y IONICOS?
DEFECTOS PUNTUALES
DEFECTOS LINEALES (DISLOCACIONES)
DEFECTOS SUPERFICIALES
2. Por qu SON UTILES LOS DEFECTOS LINEALES (DISLOCACIONES)?
Son tiles para aumentar la resistencia de los metales y las aleaciones;
sin embargo, en el silicio monocristalino, que se usa para fabricar chips
de computadoras , no es deseable la presencia de dislocaciones.
3. SE PUEDEN CREAR EN FORMA INTENCIONAL LOS DEFECTOS PARA
OBTENER DETERMINADO CONJUNTO DE PROPIEDADES
ELECTRONICAS, OPTICAS Y MECANICAS?
Si, por ejemplo, el hierro puro es relativamente suave, sin embargo,
cuando se le agrega una pequea cantidad de carbono, se crean
defectos en el arreglo cristalino del hierro y se convierte en un acero al
carbono, que tiene una resistencia bastante mayor. De igual modo un
cristal de aluminio pura es transparente e incolora, pero cuando se
agrega una pequea cantidad de cromo se crea un defecto especial,
que produce un bello cristal de rub rojo.
Qu hace que un cristal de rub sea rojo y uno de zafiro sea
azul?
En el procesamiento de los cristales de silicio para
microelectrnica, se agregan concentraciones de muy pequeas
de tomo de P o B al SI. Estas adiciones producen defectos en el
arreglo de los tomos del silicio, que imparten propiedades
elctricas especiales a distintas regiones del cristal de silicio.
Casi siempre, pequeas concentraciones de elementos de un
metal, por lo dems puro baja su conductividad elctrica.

4. PORQUE CUANDO SE DESEA USAR COBRE COMO CONDUCTOR EN
HIDROELECTRONIC, SE USA LA MAXIMA PUREZA POSIBLE?
Esto se debe a que ___ cantidades pequeas de impurezas causan un
aumento de varios rdenes de magnitud en la resistividad del cobre,
por consiguiente el efecto de los defectos puntuales no siempre es
deseable.
5. CUAL ES LA INFLUENCIA QUE TIENEN LOS LIMITES DE GRANO
PRESENTES EN UN MATERIAL POLICRISTALINO?
La presencia de lmites de grano ayuda a endurecer los materiales
metlicos.
6. DEFINA QUE SON LOS DEFECTOS PUNTUALES
Son interrupciones localizados en arreglos atmicos o inicos que si no
fueran por ellos seran perfectos en una estructura cristalina.

7. CUALES SON LOS DEFECTOS PUNTUALES
a) Vacancias
b) tomo intersticial
c) tomo de sustitucin pequeo
d) tomo de sustitucin grande
e) Defecto de frenkel
f) Defecto de shottky
8. UNA VACANCIA SE PRODUCE CUANDO FALTA UN ATOMO O UN ION
EN SU SITIO NORMAL DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA Y Qu ES LO
QUE PASA CUANDO SE PRESENTA ESTA SITUACION?
Cuando faltan tomos o iones, aumenta el desorden normal o entropa
del material, lo cual aumenta la estabilidad termodinmica de un
material cristalino.
9. CUANDO SE INTRODUCEN LAS VACANCIAS A LOS METALES Y
ALEACIONES?
Durante la solidificacin.
A temperaturas elevadas
Por daos de radiacin
10. Cul ES EL PAPEL QUE DESEMPEAN LAS VACANCIAS?
Desempean un papel importante en la determinacin de la rapidez
capacitores de cermica.
El proceso de fabricacin de los capacitores es un tratamiento trmico
llamado SINTERIZADO (-1300c) que es el proceso mediante el cual se
forma una masa densa calentando materiales pulverizados
compactados que se efectan normalmente en el aire. Si se hace en
una atmosfera reductora o inerte (por ejemplo, de hidrogeno o
nitrgeno) algunos de los iones oxigeno gaseoso. Esto causara la
formacin de vacancias de ion oxgeno, lo que causara otros cambios
en el BATIO3. Ejemplo convertirlo en un SEMICONDUCTOR; esto no es
bueno si estamos fabricando capacitores para almacenar carga
elctrica.
11. EN QUE CASOS PUEDO INTRODUCIR VACANCIAS EN DETERMINADOS
SITIOS IONICO?
Si deseo sinterizar a menores temperaturas ya que las vacancias
ayudan al aumento del movimiento de los iones en los materiales
cermicos. En otras aplicaciones, se usan las vacancias creados en el
material cermico para afinar sus propiedades elctricas, esto se hace
en nuestros cermicos que se usan como oxido de indio y estao y en
los sensores de zirconio para oxgeno.
12. QUE ES UN DEFECTO INTERSTICIAL?
Es aquel que se forma cuando se inserta un tomo o ion adicional en la
estructura cristalina en una posicin normalmente desocupada.
Los tomos intersticiales como los de hidrogeno estn presentes con
frecuencia como impurezas, mientras que los tomos de carbono se
agregan en forma intersticial al hierro para producir acero.
13. Qu ES DEFECTO SUSTITUCIONAL?
Se introduce un defecto sustituciones cuando un tomo o ion es
sustituido por un tipo distinto de tomo o ion, los cuales ocupan un
sitio normal en la red.


14. LOS MATERIALES CERAMICOS Y POLIMERICOS PUEDEN CONTENER
DISLOCACIONES?
En algunos cermicos y algunos polmeros pueden contener
dislocaciones sin embargo hay otros factores como la porosidad de los
cermicos o enredo de cadenas en los polmeros que dominan en el
comportamiento mecnico de los cermicos y polmeros.
15. Por qu LOS MATERIALES CERAMICOS SON FRAGILES?
Son frgiles porque tienen poca cantidad de dislocaciones por tanto no
exhiben nada de ductilidad por el movimiento de las dislocaciones.
16. Qu SIGNIFICAN LOS TERMICOS DEFORMACION PLASTICA Y
DEFORMACION ELASTICA?
La deformacin plstica es una deformacin o cambio de forma
irreversible que se presenta cuando se retira la fuerza o el
esfuerzo que la causo, esto ocurre porque el esfuerzo aplicado
causa el movimiento de dislocaciones el cual a su vez origina la
deformacin permanente.
La deformacin elstica es un cambio temporal de forma que
sucede mientras una fuerza o un esfuerzo se aplica a un
material. En la deformacin elstica el cambio de forma lo causa
la elongacin de los enlaces interatmicos, sin embargo no hay
movimiento de dislocaciones
17. Por qu EL COBRE MONOCRISTALINO Y POLICRISTALINO ES DUCTIL,
MIENTRAS QUE EL ZINC MONOCRISTALINO PUEDE TENER UNA GRAN
DUCTILIDAD, PERO NO EL ZINC POLICRISTALINO?
El cobre tiene una estructura FCCy son ductiles porque tienen un
esfuerzo critico resuelto en PSI bajo 50-100 (en tabla 4-2 pg. 151
ASKELAND que implica menor esfuerzo para deformar el metal, dado
tambin que los metales se deforman con ms facilidad en direcciones
a lo largo de las cuales los tomos estn en contacto ms estrecho en
metales como el zinc que tiene HCP, el esfuerzo cortante critico.
Resuelto es menor a 100PSI como los que tiene FCC, en el zinc la
relacin c/a > 1,633
En los metales HCP no hay planos cruzados de deslizamiento en un
deslizamiento porque los planos de deslizamiento son paralelos y
entonces las dislocaciones no puede propagarse de un plano de
deslizamiento (vecino) en un cristal vecino entonces el zinc
policristalino muestra ductilidad limitado.
18. Por qu EL DESLIZAMIENTO CRUZADO EN LOS METALES BCC Y FCC ES
MAS FACIL QUE EN LOS METALES HCP? COMO INFLUYE ESO SOBRE
LA DUCTILIDAD DE LOS METALES BCC, FCC Y HCP?
El deslizamiento cruzado en los metales BCC y FCC porque hay varios
sistemas de deslizamiento que se cruzan porque es ms fcil ya que
una dislocacin puede trasladarse a un segundo sistema de
deslizamiento que lo interseca, si tambin tiene la orientacin
adecuada puede moverse.
En metales HCP no puede haber deslizamiento cruzado porque los
planos de deslizamiento son paralelos, es decir no se cruzan por lo que
los metales HCP tienden a ser frgiles.

19. Qu HACE QUE EL ACERO SIMPLE AL CARBONO SEA MAS DURO QUE
EL HIERRO PURO?
Da esto ocurre porque se introducen en forma intencional tomos de
carbono sustitucionales o intersticiales producindose un
endurecimiento por solucin solida
20. Por qu LA JOYERIA SE FABRICA CON ORO O PLATA EN ALEACION
CON COBRE?
Oro y plata puro FCC
COBRE FCC
CONTIENE MUCHOS SISTEMAS DE DE DESLIZAMIENTO ACTIVOS POR LO
QUE DEMASIADO SUAVES MECANICAMENTE.



21. Por qu SE PREFIERE USAR CRISTALE4S DE SEMICONDUCTOR QUE
CONTENGA UNA CANTIDAD DE DISLOCACIONES TAN PEQUEA COMO
SEA POSIBLE?
La influencia de defectos tales como semiconductores suele ser
perjudicial ya que interfieren con el movimiento de los portadores de
carga por lo que debemos asegurarnos de que sean muy pequeas las
cantidades de dislocaciones
22. Cmo SE ALTERA LA CONDUTIVIDAD DEL SILICIO AL USAR P O B
COMO DOPANTES?
Se trata de un defecto sustitucional, cada tomo de p o b que se agrega
trae consigo un electrn que puede quedar disponible por la
conduccin ya que la valencia P es S y el SI es 4.
Impartiendo una semiconductividad tipo n al SI el boro con una
valencia de tres.

23. LAS DISLOCACIONES CONTROLAN LA RESISTENCIA DE UN VIDRIO DE
SILICATO EXPLIQUE PORQUE?
No, la resistencia de un vidrio de silicato depende de la distribucin de
diminutas fallas sobre la superficie
24. Qu SIGNIFICA ENDURECIMIENTO POR DEFORMACION?
Al aumentar la cantidad de dislocaciones sigue aumentando la
resistencia del material porque al aumentar la densidad de las
dislocaciones se produce ms obstculos al movimiento de las
dislocaciones, se sabe que la densidad de dislocaciones aumenta en
forma notable a medida que se deforma el material.