Disipadores de Calor

Introduccin
El estudio trmico de los dispositivos de potencia es fundamental para un rendimiento
ptimo de los mismos. Esto es debido a que en todo semiconductor, el flujo de la
corriente elctrica produce una prdida de energa que se transforma en calor.
El calor produce un incremento de la temperatura del dispositivo. Si este incremento es
excesivo e incontrolado, inicialmente provocar una reduccin de la vida !til del
elemento " en el peor de los casos lo destruir.
En Electrnica de #otencia la $E%$&'E$(C&)* juega un papel mu" importante en la
optimi+acin del funcionamiento " vida !til del semiconductor de potencia.
Propagacin del calor
En todo semiconductor el flujo de la corriente elctrica produce una prdida de energa
que se transforma en calor. Esto es debido al movimiento desordenado en la estructura
interna de la unin. El calor elevar la energa cintica de las molculas dando lugar a
un aumento de temperatura en el dispositivo, si este aumento es excesivo e incontrolado
provocar una reduccin de la vida !til del dispositivo " en el peor de los casos su
destruccin.
Es por ello que la evacuacin del calor generado en el semiconductor es una cuestin de
gran importancia para asegurar el correcto funcionamiento " duracin del dispositivo.
-a capacidad de evacuacin del calor al medio ambiente podr variar seg!n el tipo de
cpsula pero en cualquier caso ser demasiado peque.a, por lo que necesita una a"uda
adicional para transferir el calor disipado mediante un dispositivo de ma"or volumen "
superficie conocido como disipador de calor, el cual /ace de puente para evacuar el
calor de la cpsula al medio ambiente.
Formas de transmisin del calor
-a experiencia demuestra que el calor producido por un foco calorfico se propaga por
todo el espacio que lo rodea. Esta transmisin del calor puede producirse de tres formas0
1.- CONDUCCIN:
Es el principal medio de transferencia de calor. Se reali+a por la transferencia de energa
cintica entre molculas, es decir, se transmite por el interior del cuerpo establecindose
una circulacin de calor. -a mxima cantidad de calor que atravesar dic/o cuerpo ser
aquella para la cual se consigue una temperatura estable en todos los puntos del cuerpo.
En este tipo de transmisin se debe tener en cuenta la conductividad trmica de las
sustancias 1cantidad de calor transmitido por unidad de tiempo, superficie, gradiente de
temperatura2.
2.- CON!CCIN:
El calor de un slido se transmite mediante la circulacin de un fluido que le rodea "
este lo transporta a otro lugar, a este proceso se le llama conveccin natural. Si la
circulacin del fluido est provocada por un medio externo se denomina conveccin
for+ada.
".- #$DI$CIN:
El calor se transfiere mediante emisiones electromagnticas que son irradiadas por
cualquier cuerpo cu"a temperatura sea ma"or a cero grados 3elvin. El estado de la
superficie influ"e en gran medida en la cantidad de calor radiado. -as superficies mates
son ms favorables que las pulidas " los cuerpos negros son los de ma"or poder de
radiacin, por este motivo se efect!a un ennegrecimiento de la superficie radiante. -a
transferencia de calor por radiacin no se tiene en cuenta puesto que a las temperaturas
a que se trabaja sta es despreciable.
#armetros que intervienen en el clculo
#ara que un semiconductor disipe la potencia adecuada, /a" que mantener la
temperatura de la unin por debajo del mximo indicado por el fabricante.
El paso de la corriente elctrica produce un aumento de la temperatura de la unin 14j2.
Si sta se quiere mantener a un nivel seguro, debemos evacuar al exterior la energa
calorfica generada por la unin. #ara que se produ+ca un flujo de energa calorfica de
un punto a otro, debe existir una diferencia de temperatura. El calor pasar del punto
ms caliente al ms fro, pero aparecen factores que dificultan este paso. ( estos factores
se les denomina resistencias trmicas.
#or lo tanto, aprovec/ando la le" de o/m reali+amos la siguiente comparacin elctrica
mostrada en la figura adjunta. (semejaremos las temperaturas a tensiones, las
resistencias trmicas a las resistencias /micas " el flujo de calor a una corriente
elctrica.
(l igual que en un circuito elctrico, se puede decir que0
De la figura se obtiene la expresin0
#esistencias t%rmicas
En la siguiente figura se muestra la igualdad entre el circuito equivalente de resistencias
trmicas " los elementos en un montaje real0
$jc 5 $esistencia unin 6 contenedor
$cd 5 $esistencia contenedor 6 disipador
$d 5 $esistencia del disipador
4j 5 4emperatura de la unin
4c 5 4emperatura del contenedor
4d 5 4emperatura del disipador
4a 5 4emperatura ambiente
#esistencia Unin - Contenedor &#'c(
En este caso el foco calorfico se genera en la unin del propio cristal semiconductor, de
tal forma que el calor debe pasar desde este punto al exterior del encapsulado.
'eneralmente este dato lo suministra el fabricante, " depender del tipo de cpsula del
dispositivo. (parecer bien directamente o indirectamente en forma de curva de
reduccin de potencia. En la figura siguiente se muestra este tipo de curva.


Esta muestra la potencia en funcin de la temperatura del contenedor. En ella la
pendiente de la recta dada es la resistencia unin contenedor. -a frmula que se utili+a
para el clculo de esta resistencia es0
Donde estos datos se obtienen de la curva de reduccin de potencia, que ser propia de
cada dispositivo. Deberemos de tener en cuenta que #d es la dada por el fabricante " no
la que disipar el dispositivo en el circuito. *ormalmente 4c vale 78 9C.
Si tomamos de un manual los datos correspondientes a un 7*:;88 sern0
#dmx 5<<8 =
4jmx 57;; 9C
Sustitu"endo estos valores en la siguiente ecuacin, se obtiene el valor de la $jc0
" sta es, precisamente, la $jc indicada en los manuales para el 7*:;88.
#esistencia Contenedor - Disipador &#cd(
Es la resistencia trmica entre el semiconductor " el disipador.
Este valor depende del sistema de fijacin del disipador " el componente, " del estado
de planitud " paralelismo de las superficies de contacto, puesto que a nivel
microscpico, solo contactan por unos puntos, quedando /uecos de aire que entorpecen
la transmisin del calor.
4ambin depende del tipo de material que se interponga entre ambas superficies de
contacto. -os elementos que se sit!an entre la cpsula " el disipador pueden ser de dos
tipos0
a. #astas conductoras de calor, que pueden ser o no ser conductoras de la electricidad.
b. -minas aislantes elctricas que se pueden emplear conjuntamente con siliconas
conductoras de calor como mica, >elafilm, etc. 4ambin las /a" conductoras de calor
que no precisan pasta de silicona.
El tipo de contacto entre cpsula " disipador podr ser0
Directo.
Directo ms pasta de silicona.
Directo ms mica aislante.
Directo ms mica aislante ms pasta de silicona.
El valor de esta resistencia trmica influ"e notablemente en el clculo de la superficie "
longitud que debe disponer la aleta que aplicaremos al dispositivo a refrigerar. Cuanto
ms baja es $cd menor ser la longitud " superficie de la aleta requerida.
#or ejemplo, para una cpsula 4?.: se tiene que con contacto directo ms pasta de
silicona la $cd 5 ;,<7 9C@=, que con contacto directo $cd 5 ;,78 9C@=, que con
contacto directo ms mica " ms pasta de silicona $cd 5 ;,A 9C@=, " que con contacto
directo ms mica $cd 5 ;,B 9C@=.
#or lo tanto podemos decir que cuando no sea necesario aislar el dispositivo, el tipo de
contacto que ms interesa es el directo ms pasta de silicona, "a que da el menor valor
de $cd " si /ubiese que aislar con mica interesa montar mica ms pasta de silicona "a
que la $cd es menor que si se monta solo con mica. #or ello podemos obtener la
siguiente conclusin0 -a mica aumenta la $cd mientras que la pasta de silicona la
disminu"e " como se /a dic/o cuanto ms peque.a sea la $cd menor superficie de aleta
refrigeradora.
#esistencia del disipador &#d(
$epresenta el paso por conveccin al aire del flujo calorfico a travs del elemento
disipador. Este dato ser, en la prctica, la incgnita principal de nuestro problema,
puesto que seg!n el valor que nos de el clculo, as ser el tipo de aleta a emplear.
Depende de muc/os factores0 potencia a disipar, condiciones de la superficie, posicin
de montaje " en el caso de disipadores planos factores como el grosor del material " el
tipo de encapsulado. #ara el clculo de la resistencia se pueden utili+ar las siguientes
frmulas0
Este valor de $ja no es el que da el fabricante "a que ste la suministra sin disipador, "
la que /a" que utili+ar es con disipador. El fabricante la facilita como suma de $jc " $ca
puesto que ignora el tipo de disipador que utili+aremos.
Cna ve+ calculada la $d se pasa a elegir la aleta refrigeradora. #ara la eleccin de la
aleta, /abr que tener en cuenta que el tipo de encapsulado del dispositivo a refrigerar
sea el adecuado para su montaje en la aleta disipadora que se /a"a elegido.
Despus de cumplir la condicin anterior /a" que calcular la longitud o la superficie del
disipador elegido. #ara ello es necesario disponer de uno de los dos tipos de grficas que
ofrecen los fabricantes de disipadores, la $d 6 longitud " la $d 6 superficie.
Seg!n la grfica de que se disponga se obtendr un valor de longitud o un valor de
superficie de disipador que /a" que montar para refrigerar adecuadamente el dispositivo
semiconductor.
#esistencia Unin - $m)iente &#'a(
Como su nombre indica es la resistencia que existe entre la unin del semiconductor "
el ambiente. Con esta resistencia deberemos de distinguir dos casos, el de resistencia
unin ambiente con disipador " sin disipador. Cuando se /abla de resistencia unin
ambiente sin disipador, nos referimos a la resistencia unin contenedor junto con la
contenedor ambiente0
1fig. b2
Este valor lo suministra el fabricante en funcin del tipo de contenedor.
Cuando se /abla de la resistencia unin ambiente con disipador nos referimos a la suma
de la resistencia unin contenedor 1$jc2, la resistencia contenedor disipador 1$cd2 " la
resistencia disipador ambiente 1$d20
1fig. a2
Este valor no es conocido "a que vara seg!n el tipo de disipador que se utilice. El valor
de $ja depender de los valores de $d " de $cd. Como no es un valor fijo, no existe una
tabla de valores tpicos.
4emperaturas
*emperatura de la unin &*'(
-a temperatura mxima de la unin es el lmite superior de temperatura a la que no se
debe llegar " menos sobrepasar si queremos evitar la destruccin de la unin. Este dato
es un valor que se suele suministrar, normalmente, en los manuales de los fabricantes de
semiconductores.
Si este valor no se refleja en dic/os manuales o, simplemente, no se encuentra,
podremos adoptar unos valores tpicos en funcin del dispositivo a refrigerar como los
mostrados en la tabla que se expone a continuacin0
DI+PO+I*IO #$N,O D! *'m-.
de unin de 'ermanioEntre <;; " <78 9C
de unin de Silicio Entre <8; " 7;; 9C
D%E4 Entre <8; " <E8 9C
F?S%E4 Entre <E8 " 7;; 9C
4iristores Entre <;; " <78 9C
4ransistores Cniunin Entre <;; " <78 9C
Diodos de Silicio Entre <8; " 7;; 9C
Diodos Gener Entre <8; " <E8 9C
Se debe distinguir entre la temperatura mxima de la unin permitida para un
dispositivo " la temperatura real de la unin a la que se pretende que trabaje dic/o
elemento o dispositivo que, lgicamente, siempre ser menor que la mxima permitida.
El objetivo del que dise.a ser mantener la temperatura de la unin por debajo de la
mxima. #ara ello se utili+a un coeficiente 1 3 2 de seguridad cu"o valor dar una
temperatura de la unin comprendida entre el 8;H " el E;H de la mxima. #or lo tanto
> estar comprendido entre ;,8 " ;,E. -e asignamos el valor seg!n el margen de
seguridad que queremos que tenga el dispositivo. -a temperatura de la unin que se
utili+ar en los clculos ser0
4j 5 4jmx x >
-as condiciones de funcionamiento en funcin de > sern0
#ara valores de >5;,8. Dispositivo poco caliente. Fximo margen de seguridad,
pero el tama.o de la aleta refrigeradora ser ma"or.
#ara valores de >5;,I. Dimensin menor de la aleta refrigeradora sin que el
dispositivo se caliente demasiado.
#ara valores de >5;,E. Fximo riesgo para el dispositivo, mxima economa en
el tama.o de la aleta refrigeradora. Este coeficiente de seguridad exige que la
aleta se sit!e en el exterior.
*emperatura de la C-psula &*c(
Este dato no se suministra en los manuales "a que depende del valor de la potencia que
disipa el dispositivo, de la resistencia del disipador " de la temperatura ambiente. #or lo
tanto solo podemos calcularla cuando cono+camos todos los datos reflejados en alguna
de las siguientes expresiones0

*emperatura del disipador &*d(
Este valor se obtiene a partir de la potencia disipada #d, de la resistencia trmica de la
aleta $d " finalmente de la temperatura ambiente 4a. Se calcular con cualquiera de
estas expresiones0

-a temperatura obtenida ser siempre inferior a la temperatura de la cpsula aunque ser
lo suficientemente alta en la ma"ora de los casos como para no poder tocar el disipador
con las manos.
Esto no es motivo de preocupacin "a que se /an tomado las medidas necesarias como
para que la temperatura de la unin disponga de un margen de seguridad dentro de los
mrgenes "a explicados.
#uede suceder que la temperatura de la aleta es bastante elevada, tanto que si se toca
con un dedo notaramos que quema. #ero en todo momento la temperatura de la unin
entrar con amplio margen dentro de los lmites permitidos. *o obstante, si se quiere
disminuir esta temperatura, solo /a" que calcular de nuevo la resistencia trmica $d de
la aleta, poniendo esta ve+ ;,8 como factor 1 > 2 necesario para determinar 4j. Ello
llevar a adoptar una aleta ms grande, pero tanto la 4c, como la 4d disminuirn como
se desea.
*emperatura am)iente &*a(
En la interpretacin de este dato puede /aber alguna confusin "a que se puede tomar su
valor como la temperatura del medio ambiente cuando en realidad es la temperatura
existente en el entorno donde est ubicado el disipador.
#otencia disipada
-a potencia mxima es un dato que nos dar el fabricante. Este dato es para las mejores
condiciones de funcionamiento del dispositivo, es decir, para una temperatura del
contenedor de 78 9C " un disipador adecuado. #or ejemplo, si de un determinado
transistor nos dice el fabricante que puede disipar un mximo de <<I =atios, a primera
vista se puede pensar que disipando J; =atios no se corre ning!n riesgo puesto que /a"
un margen con respecto al mximo " no se necesita disipador. Si conocemos la
temperatura de la unin es de 7;; 9C " $ja de :8 KC@= se tiene0
Esta es la mxima potencia disipable sin disipador. Se puede ver que este valor se queda
mu" por debajo del indicado por el fabricante. Si consideramos una aleta con una buena
resistencia trmica como puede ser una de ;,I 9C@= " unas resistencias trmicas
contenedor 6 disipador $cd " unin 6 contenedor $jc de ;,<7 9C@= " de <,8 9C@=
respectivamente, ambos valores tambin bastante adecuados, se tendr0
Si /iciramos disipar J; = como pretendamos se destruira la unin. Como se puede
observar la potencia obtenida es superior a la disipable sin disipador e inferior a la que
nos suministra el fabricante. Ello es debido a que el fabricante /a calculado la #dmx
manteniendo la temperatura del contenedor a 78 9C, cosa que en la prctica es
imposible0
Como se /a dic/o este dato de <<I = es para las mejores condiciones de
funcionamiento " el fabricante debe indicar en cuales se reali+ esa medida.
$esumiendo, es importante saber interpretar adecuadamente los datos suministrados por
el fabricante, de lo contrario pueden aparecer sorpresas desagradables.
Sabemos que la mxima potencia que se puede /acer disipar a un semiconductor sin
disipador viene dada por el cociente entre el incremento de la temperatura " la
resistencia trmica unin ambiente0
Donde $ja es la que nos suministra el fabricante que no inclu"e $d. Cuando se utili+a
un disipador, la resistencia trmica se divide en tres parmetros0 la resistencia entre la
unin " el contenedor 1$jc2, entre el contenedor " el disipador 1$cd2 " entre el disipador
" el ambiente 1$d20