MOLCULAS Y SLIDOS

La hermosa simetra y regularidad de los slidos cristalinos ha estimulado y permitido rpidos

avances en el campo de la fsica de estado slido en el siglo xx. A pesar de los rpidos avances
tericos en los arreglos atmicos ms regulares (slidos cristalinos) y en los arreglos atmicos ms
aleatorios (gases), se ha avanzado mucho menos con lquidos y slidos amorfos (irregulares), hasta
hace muy poco. El reciente inters en los materiales amorfos de bajo costo ha sido motivado por su
empleo en la fabricacin de celdas solares, elementos de memorias y guas de onda de fibra ptica.
En este captulo estudiamos los conjuntos de tomos conocidos como molculas. Describimos
primero los mecanismos de enlace en las molculas, los diversos modos de fijacin molecular y la
radiacin emitida o absorbida por molculas. Luego seguimos el siguiente paso lgico y mostramos
cmo se combinan las molculas para formar slidos. Despus, mediante el examen de sus
distribuciones electrnicas, explicamos las diferencias entre cristales aislantes, metlicos y
semiconductores. Concluimos con el anlisis de uniones semiconductoras y la operacin de varios
dispositivos semiconductores.

43.1 ENLACES MOLECULARES
Dos tomos se combinan para formar una molcula debido a una fuerza de atraccin neta que existe
entre ellos siempre que su distancia de separacin sea mayor que su distancia de separacin de
equilibrio en la molcula. Adems, la energa de la molcula de enlace estable es menor que la
energa total de los tomos separados.
Fundamentalmente, los mecanismos de enlace en una molcula se deben principalmente a fuerzas
electrostticas entre tomos (o iones). Cuando dos tomos estn separados por una distancia
infinita, la fuerza entre ellos es cero, como lo es la energa potencial electrosttica del sistema que
constituyen. A medida que los tomos se aproximan entre s, actan ambas fuerzas atractiva y
repulsiva. A separaciones muy grandes, las fuerzas dominantes son atractivas. Para pequeas
separaciones, las fuerzas repulsivas entre cargas similares empiezan a dominar.
La energa potencial de un sistema de tomos puede ser positiva o negativa, dependiendo de la
separacin entre ellos. En ausencia de un enlace qumico, la energa potencial del sistema puede
aproximarse por medio de la expresin

(43.1)

donde r es la separacin internuclear, A y B son parmetros asociados a las fuerzas atractiva y
repulsiva, y n y m son enteros pequeos. En la figura 43.1 se grfica la energa potencial total contra
la separacin internuclear. La energa potencial para grandes separaciones es negativa, lo que
corresponde a una fuerza atractiva neta. En la separacin de equilibrio, las fuerzas atractiva y
repulsiva apenas se equilibran y la energa potencial tiene su valor mnimo.
Una descripcin completa de los mecanismos de enlace en molculas es muy complicada debido a
que estn implicadas las interacciones mutuas de muchas partculas. En esta seccin, por lo tanto,
slo analizamos algunos modelos simplificados en el siguiente orden: enlace inico, enlace
covalente, enlace de Van der Waals y enlace de hidrgeno.

Enlaces inicos
Los enlaces inicos se deben fundamentalmente a la atraccin de Coulomb entre iones con cargas
opuestas. Un ejemplo familiar de una molcula enlazada inicamente es el cloruro de sodio, NaCl,
es decir, la familiar sal de mesa. El sodio, que tiene una configuracin electrnica I.s
2
2s2
2
//

3.s, es
relativamente fcil de ionizar, brindando su electrn 3s para formar un ion Na
+
. La energa
requerida para ionizar el tomo con el fin de formar Na
+
es 5.1 eV. El cloro, que tiene una
configuracin electrnica Is
2
2s
2
2p
5
, tiene un electrn menos que la estructura de capa llena del
argn. Debido a que las configuraciones de capa llena son energticamente ms favorables que las
configuraciones de capa no llena, el ion Cl" es ms estable que el tomo Cl neutro. La energa
liberada cuando un tomo toma un electrn recibe el nombre de afinidad electrnica. Para el cloro
la afinidad electrnica es 3.6 eV. Por consiguiente, una energa igual a 5.1 - 3.6 = 1.5 eV debe
proporcionarse a los tomos neutros de Na y Cl para transformarlos en iones Na
+
y Cl
-
a una
separacin infinita.
La energa total contra la separacin internuclear se muestra en la figura 43.2 para el NaCl. La
energa total de la molcula tiene un valor mnimo de -4.2 eV a la separacin de equilibrio, la cual
es aproximadamente de 0.24 nm. La energa necesaria para separar la molcula de NaCl en tomos
neutros de sodio y cloro, denominada energa de disociacin, es igual a 4.2 eV.
Cuando dos iones se acercan hasta 0.24 nm uno del otro, los electrones en las capas llenas empiezan
a traslaparse, lo cual produce una repulsin entre los iones. Cuando los iones estn bastante
separados, la interaccin puede considerarse como una atraccin de dos cargas puntuales. Conforme
se aproximan uno al otro, las repulsiones electrn-electrn, especialmente de electrones del ncleo,
empiezan a dominar.



Enlaces covalentes
Un enlace covalente entre dos tomos en una molcula puede visualizarse como 1 comparticin de
electrones suministrados por uno o ambos tomos. Muchas molculas diatmicas, como H
2
, F
2
y
CO deben su estabilidad a enlaces covalentes. En el caso de la molcula de H
2
, los dos electrones
son compartidos por los ncleos y ocupan lo que se conoce como un orbital molecular. La densidad
electrnica es grande en la regin entre los dos ncleos, de manera que los electrones actan como
el pegamento que mantiene unido a los ncleos. La formacin del orbital molecular; partir de los
orbitales s de los dos tomos de hidrgeno se muestra en la figura 43.2. Debido al principio de
exclusin, los dos electrones en el estado base de H
2
deben tener espines antiparalelos. Asimismo,
debido al principio de exclusin, si un tercer tomo H se lleva cerca de la molcula H
2
, el tercer
electrn tendra que ocupar un nivel cuntico de mayor energa, lo cual es energticamente una
situacin desfavorable. En consecuencia, la molcula de H
3
no es estable y no se forma.
Molculas estables ms complejas que H
2
, como H
2
O, CO
2
y CH
4
se forman tambin mediante
enlaces covalentes. Considere al metano, CH
4
, una molcula orgnica comn que se muestra de
manera esquemtica en el diagrama de electrones compartidos de la figura 43.4a. En este caso los
cuatro enlaces covalentes se formar entre el tomo de carbono y cada uno de los tomos de
hidrgeno. La distribucin electrnica espacial de los cuatro enlaces covalentes se muestra en la
figura 43.4b Los cuatro ncleos de hidrgeno estn en las esquinas de un tetraedro regular, con el
ncleo de carbono en el centro.

Enlaces de Van der Waals
FIGURA 43.1 Energa
potencial total como una
funcin de la separacin
internuclear de un
sistema de dos tomos.

Si dos molculas estn separadas a cierta distancia, se atraen entre s por fuerza; electrostticas
dbiles denominadas fuerzas de Van der Waals. De igual modo, los tomos que no forman enlaces
inicos o covalentes se atraen mutuamente por medio de fuerzas de Van der Waals. Por esta razn,
a temperaturas suficientemente bajas donde las excitaciones trmicas son despreciables, los gases se
condensan primero en lquidos y despus se solidifican (con la excepcin del helio, el cual no se
solidifica a presin atmosfrica).


FIGURA 43.2 Energa total contra la separacin internuclear para la molcula de NaCl. Observe
que la energa de disociacin es 4.2 eV.

FIGURA 43,3 El enlace covalente formado por los dos electrones Is de la molcula H
2
. La
intensidad del color verde es proporcional a la probabilidad de encontrar un electrn en esa
posicin.

Hay tres tipos de fuerzas intermoleculares dbiles. El primer tipo, denominado la fuerza de dipolo-
dipolo, es una interaccin entre dos molculas, cada una con un momento de di polo elctrico
permanente. Por ejemplo, molculas polares, como el H
2
O, tienen momentos de dipolo elctrico
permanente y atraen a otras molculas polares (Fig. 43.5). En efecto, una molcula interacta con el
campo elctrico producido por otra molcula.
El segundo tipo es una fuerza de dipolo-dipolo inducido en la cual una molcula polar que tiene un
momento de dipolo elctrico permanente induce un momento de dipolo en una molcula no polar.
El tercer tipo, llamado de Van der Waals o fuerza de dispersin, es una fuerza atractiva que ocurre
entre dos molculas no polares. En este caso, la interaccin es resultado de que, aunque el momento
de dipolo promedio de una molcula no polar es cero, el promedio del cuadrado del momento de
dipolo es diferente d cero debido a las fluctuaciones de carga. En consecuencia, dos molculas no
polares cerca una de otra tienden a estar correlacionadas como para producir una fuerza atractiva de
Van der Waals.



FIGURA 43.4 a) Los cuatro enlaces covalentes en la molcula de CH
4
. b) Una representacin
esquemtica de la dependencia angular de estos cuatro enlaces covalentes. El tomo de carbono est
en el centro del tetraedro que tiene tomos de hidrgeno en sus esquinas. La densidad de electrones
es ms grande en el ncleo, aunque hay alguna distorsin para incrementar la densidad de
electrones entre los ncleos.


FIGURA 43.5 Las molculas de agua tienen momentos de dipolo elctrico permanentes. Las
molculas se atraen entre s debido a que el campo elctrico producido por una molcula interacta
con una cercana y orienta el momento de la misma.

El enlace de hidrgeno
Debido a que el hidrgeno slo tiene un electrn, se espera que forme un enlace covalente slo con
otro tomo. Sin embargo, en algunas molculas el hidrogene forma un tipo de enlace diferente, uno
que comprende ms de un tomo. Los enlaces en un arreglo de este tipo reciben el nombre de
enlaces de hidrgeno. ste es un enlace qumico relativamente dbil, con una energa de enlace de
aproximadamente 0.1 eV. Aunque el enlace de hidrgeno es dbil, es el mecanismo responsable de
enlace de molculas biolgicas gigantes y polmeros. Por ejemplo, en el caso de \i famosa molcula
de DNA que tiene una estructura de doble hlice, los enlaces de hidrgeno formados cuando dos
tomos comparten un protn crea uniones entre las vueltas de la hlice. El mecanismo de compartir
un protn es similar al de compartir electrones en el enlace covalente.

43.2 LA ENERGA Y ESPECTROS DE MOLCULAS
Como en el caso de los tomos, la estructura y propiedades de molculas pueden estudiarse al
examinar la radiacin que emiten o absorben. Antes de que describamos estos procesos, es
importante entender primero las distintas maneras en que puede excitarse una molcula.
Considere una molcula individual en la fase gaseosa. La energa de la molcula puede dividirse en
cuatro categoras: 1) energa electrnica, debida a interacciones mutuas de los electrones y ncleos
de las molculas; 2) energa traslacional, la cual se debe al movimiento del centro de masa de la
molcula por el espacio, 3) energa rotacional, que es producto de la rotacin de la molcula
alrededor de su centro de masa, y 4) energa vibratoria, consecuencia de la vibracin de los tomos
constituyentes. De este modo, podemos escribir la energa total de la molcula en la forma

Excitaciones de una molcula

La energa electrnica de una molcula es muy compleja debido a que incluye la interaccin de
muchas partculas cargadas; sin embargo, se han desarrollado algunas tcnicas para aproximar sus
valores. La energa translacional no se relaciona con la estructura interna, por lo que esta energa
molecular no es importante al interpretar los espectros moleculares.

Movimiento rotacional de una molcula
Consideremos la rotacin de una molcula alrededor de su centro de masa, limitando nuestro
anlisis al caso diatmico (Fig. 43.6a), pero se debe observar que las mismas ideas pueden
extenderse a molculas poliatmicas. Una molcula diatmica slo tiene dos grados de libertad
rotacionales, lo que corresponde a rotaciones alrededor de los ejes y y z, esto es, los ejes
perpendiculares al eje molecular.
1
Si es la frecuencia angular de rotacin alrededor de uno de los
ejes, la energa cintica rotacional de la molcula se puede expresar en la forma

(43.2)
donde I es el momento de inercia de la molcula, dado por
(

(43.3) Momento de inercia de una molcula diatmica

1
La energa de excitacin correspondiente a rotaciones alrededor del eje molecular es tan
grande que dichos modos no son observables debido a que casi toda la masa molecular est
concentrada dentro de las dimensiones nucleares del eje de rotacin, dando un momento de
inercia despreciablemente pequeo alrededor de la lnea internuclear.

donde m
1
y m
2
son las masas de los tomos que forman la molcula, r es la separacin atmica y
es la masa reducida de la molcula:

(43.4)
La magnitud del momento angular de la molcula es I, la cual de manera clsica puede tener
cualquier valor. La mecnica cuntica, sin embargo, restringe los valores de momento angular a
mltiplos de
( ) (43.5)
donde J es un entero conocido como nmero cuntico rotacional. Al sustituir la ecuacin 43.5 en
la 43.2, obtenemos una expresin para los valores permitidos de la energa cintica rotacional:

()

(( ))

( ) (43.6)

As, vemos que la energa rotacional de la molcula est cuantizada y depende de su momento de
inercia. Las energas rotacionales permitidas de una molcula diatmica se granean en la figura
43.6b.
El espaciamiento de niveles de energa rotacionales adyacentes de la mayor parte de las molculas
est en el intervalo de frecuencias de las microondas (f 10
11
Hz) o en el infrarrojo lejano. Cuando
una molcula absorbe un fotn de microondas salta de un nivel de energa rotacional inferior a uno
superior. Las transiciones rotacionales permitidas de molculas lineales se regulan por medio de la
regla de seleccin J = 1. Es decir, una lnea de absorcin en el espectro de microondas de una
molcula lineal corresponde a una separacin de energa igual a E
J
E
J-1
. De acuerdo con la
ecuacin 43.6, vemos que las transiciones permitidas estn dadas por la condicin

[( ) ( )]

(43.7)

donde J es el nmero cuntico rotacional del estado de energa ms alto. Debido a que E= hf,
donde f es la frecuencia del fotn de microondas absorbido, vemos que la frecuencia permitida de la
transicin J= 0 a J=1es f
1
= h
2
/4
2
I. La frecuencia correspondiente a la transicin J = 1 a J = 2 es
2f
1
, y as sucesivamente. Estas predicciones concuerdan muy bien con las frecuencias observadas.
Las longitudes de onda y frecuencias para el espectro de absorcin de microondas de la molcula de
CO estn dadas en la tabla 43.1. A partir de estos datos, el momento de inercia y la longitud del
enlace de la molcula pueden evaluarse.



Movimiento vibratorio de molculas
Una molcula es una estructura flexible en la cual los tomos estn ligados entre s por lo que
pueden considerarse "resortes efectivos". Si se perturba, la molcula puede vibrar y adquirir energa
vibratoria. Este movimiento vibratorio y la energa vibratoria correspondiente puede alterarse si la
molcula se expone a la radiacin de la frecuencia adecuada.
Considere la molcula diatmica que se muestra en la figura 43.7a, donde el resorte efectivo tiene
una constante de fuerza k. Una grfica de la energa potencial contra la separacin atmica para una
de estas molculas se dibuja en la figura 43.7b, donde r
0
es la separacin atmica de equilibrio. De
acuerdo con la mecnica clsica, la frecuencia de vibracin para un sistema de este tipo es
FIGURA 43.6 a) Una molcula
diatmica orientada a lo largo del eje x
tiene dos grados de libertad
rotacionales, que corresponden a
rotacin alrededor de los ejes y y z. b)
Energas rotacionales permitidas de
una molcula diatmica de acuerdo a
como se calculan empleando la
ecuacin 43.6.

(43.8)
donde de nuevo es la masa reducida por la ecuacin 43.4.

FIGURA 43.7 a) Modelo de resorte efectivo de una molcula diatmica. La vibracin fundamental
es a lo largo del eje molecular, b) Una grfica de la energa potencial de una molcula diatmica
contra la separacin atmica, donde r
n
es la separacin de equilibrio de los tomos.

Como esperamos, la solucin de la mecnica cuntica a este sistema muestra que la energa est
cuantizada, con energas permitidas

) (43.9)
donde v es un entero llamado el nmero cuntico vibratorio. Si el sistema est en el estado de
vibracin ms bajo, para el cual v = 0, su energa de punto cero es 1/2 hf. La vibracin acompaante
el movimiento del punto cero siempre est presente, incluso si la molcula no est excitada. En
el primer estado excitado, v = 1 y la energa vibratoria es 3/2 hf, y as sucesivamente.
Sustituyendo la ecuacin 43.8 en la 43.9 se obtiene la siguiente expresin para la energa vibratoria:

(43.10)
La regla de seleccin para las transiciones vibratorias permitidas es Av- 1. De acuerdo con la
ecuacin 43.10 vemos que la diferencias de energa entre dos niveles vibratorios sucesivos
cualesquiera es

(43.11)
Las energas vibratorias de la molcula diatmica se granean en la figura 43.8. A temperaturas
ordinarias, la mayor parte de las molculas tienen energas vibratorias correspondientes al estado v
= 0 debido a que el espaciamiento entre estados vibratorios es grande comparado con k
B
T. Las
transiciones entre niveles vibratorios se encuentran en la regin infrarroja del espectro. Esto es, una
molcula salta de un nivel de energa vibratoria menor a uno mayor absorbiendo un fotn que tiene
una frecuencia en el intervalo infrarrojo. Las frecuencias de absorcin correspondientes a la
transicin v = 0 a v = l de diversas molculas diatmicas se registran en la tabla 43.2 junto a los
valores k calculados empleando la ecuacin 43.11. La rigidez de un enlace puede medirse por
medio del tamao de la constante de fuerza k. Por ejemplo, la molcula CO, que est enlazada por
medio de varios electrones, tiene un enlace ms rgido que el de molculas con un solo enlace,
como el HC1.





Espectros moleculares
En general, una molcula excitada gira y vibra de manera simultnea. En una primera
aproximacin, estos movimientos son independientes, por lo que la energa total de la molcula es
la suma de las ecuaciones 43.6 y 43.9:

[( )] (

) (43.12)
Los niveles de energa pueden calcularse a partir de esta expresin, y cada nivel es indicado
mediante dos nmeros cunticos, J y v. A partir de estos clculos, puede construirse un diagrama de
niveles de energa, como el que se muestra en la figura 43.9a. Para cada valor permitido del nmero
cuntico vibratorio v, hay un conjunto completo de niveles rotacionales que corresponden J = 0,1,
2,... Note que la separacin de energa entre niveles rotacionales sucesivos es mucho ms pequea
que la separacin entre niveles vibratorios sucesivos.
A temperaturas ordinarias, la mayor parte de las molculas estn en el estado vibratorio v = 0 pero
en diversos estados rotacionales. Cuando una molcula absorbe un fotn, v aumenta en una unidad
en tanto que/aumenta o disminuye en una unidad, como en la figura 43.9. De este modo, el espectro
de absorcin molecular se compone de dos grupos de lneas: el grupo a la derecha del centro
satisface las reglas de seleccin J=1 y v=1, y el grupo a la izquierda del centro satisface las
reglas de seleccin J= -1 y v=1.

FIGURA 43.8
Energas vibratorias
permitidas de una
molcula diatmica,
donde/es la frecuencia
de vibracin
fundamental, dada por
la ecuacin 43.8.
Advierta que los
espaciamientos entre
los niveles de
vibracin adyacentes
son iguales.



Las energas de los fotones absorbidos pueden calcularse de la ecuacin 43.12:

( ) ( ) (43.13)

( ) (43.14)

donde ahora J es el nmero cuntico rotacional del estado inicial. La ecuacin 43.13 genera la serie
de lneas igualmente espaciadas arriba de la frecuencia caracterstica f en tanto que la ecuacin
43.14 genera la serie abajo de esta frecuencia. Las lneas adyacentes estn separadas en frecuencia
por la unidad fundamental /I. La figura 43.9b muestra las frecuencias esperadas en el espectro de
absorcin de la molcula; estas mismas frecuencias aparecen en el espectro de emisin.
El espectro de absorcin de la molcula HC1 mostrado en la figura 43.10 sigue muy bien este
modelo y refuerza nuestro modelo. Sin embargo, es patente una peculiaridad: cada lnea se divide
en un doblete. Este doblamiento ocurre debido a que los dos istopos del cloro (
35
C1 y
37
C1) tienen
diferentes masas, y las dos molculas de HCl tienen valores diferentes de I.
FIGURA 43.9 a) Transiciones de
absorcin entre los estados
vibratorios v = O y v = 1 de una
molcula diatmica. Las transi-
ciones obedecen la regla de
seleccin J = 1 y caen dentro de
dos secuencias, aquellas para las
cuales J = +1, y aquellas para las
que J = -1. Las energas de
transicin estn dadas por la
ecuacin 43.12. b) Lneas esperadas
en el espectro de absorcin ptica de
una molcula. Las lneas al lado
derecho del centro corresponden a
transiciones en las cuales J cambia
en +1, mientras que las lneas a la
izquierda del centro corresponden a
transiciones para las cuales J cambia
en -1. Estas mismas lneas aparecen
en el espectro de emisin.

FIGURA 43.10 El espectro de absorcin de la molcula de HC1. Cada lnea se divide en un doblete
debido a que el cloro tiene dos istopos,
35
C1 y
37
C1, los cuales tienen masas nucleares diferentes.

43.3 ENLACES EN SLIDOS
Un slido cristalino se compone de un gran nmero de tomos dispuesto en una configuracin
regular, formando una estructura peridica. Los esquemas de enlaza-miento de molculas descritos
en la seccin 43.1 tambin son apropiados al describir los enlaces en slidos. Por ejemplo, los iones
del cristal NaCl estn enlazados inicamente, en tanto que los tomos de carbono en la estructura
del diamante forman enlaces covalentes. El enlace metlico, el cual es de la misma naturaleza
general que el enlace inico y covalente, es responsable de la cohesin del cobre, plata, sodio y
otros metales.

Slidos inicos
Muchos cristales se forman mediante enlace inico, en el cual la interaccin dominante entre los
iones es la interaccin coulombiana. Considere el cristal de NaCl en la figura 43.11, donde cada ion
Na
+
tiene seis iones Cl
-
vecinos ms cercanos, y cada ion Cl
-
tiene seis iones Na
+
vecinos ms
cercanos. Cada ion Na
+
es atrado hacia sus seis vecinos Cl
-
. La energa potencial atractiva
correspondiente es -6k
r
e
2
/r, donde r es la separacin Na
+
- Cl
-
. Adems, hay tambin 12 iones Na
+
a
una distancia de2r desd el Na
+
, los cuales producen una fuerza repulsiva ms dbil sobre l.
Asimismo, ms all de estos 12 iones de Na
+
estn ms iones Cl
-
que producen una fuerza atractiva,
etctera.

FIGURA 43.11 a) La estructura cristalina del NaCl. b) En la estructura del NaCl, cada ion de sodio
positivo (esferas negras) est rodeado por seis iones de cloro negativos (esferas grises) y cad,a ion
de cloro est rodeado por seis iones de sodio.

El efecto neto de todas estas interacciones es una energa potencial electrosttica y negativa
resultante

(43.15)
donde es un nmero puro conocido como la constante de Madelung. El valor de depende slo
de la estructura del cristal, por ejemplo, = 1.7476 para la estructura del NaCl. Cuando los iones
constituyentes de un compuesto se acercan unos a otro sus subcapas evitan el traslape debido a que
los electrones se repelen entre s. Esto es tomado en cuenta por el trmino de energa potencial B/r
m

(seccin 43.1). Por lo tanto, la energa potencial total es

(43.16)
Una grfica de la energa potencial total contra la separacin de iones se muestra e la figura 43.12.
La energa potencial tiene su valor mnimo U
0
, en la separacin de equilibrio, cuando r= r
0
. Se deja
como un problema (problema 35) mostrar que

) (43.17)
Esta energa mnima U
0
se conoce como energa cohesiva inica del slido, y su valor absoluto
representa la energa requerida para separar el slido en una coleccin de iones aislados positivos y
negativos. Su valor para NaCl es -7.84 eV por par Na
T
Cl
-
. Con el fin de calcular la energa
cohesiva atmica, la cual es la energa de enlace relativa a los tomos neutros, se ganan 5.14 eV al
ir del Na
+
a Na, y deben proporcionarse 3.61 eV para convertir el Cl
-
en Cl. De este modo, la
energa cohesiva atmica del NaCl es
- 7.84 eV + 5.14 eV - 3.61 eV = - 6.31 eV
Los cristales inicos tienen las siguientes propiedades generales:
Forman cristales relativamente estables y duros.
Son pobres conductores elctricos debido a que no contienen electrones libres
Tienen altas temperaturas de evaporacin.
Son transparentes a la radiacin visible pero absorben intensamente en la regin infrarroja. Esto
ocurre debido a que los electrones forman capas tan rgidamente enlazadas en slidos inicos que la
radiacin visible no posee suficiente energa para estimular a los electrones a la siguiente capa
permitida. La intensa; absorcin infrarroja ocurre debido a que las vibraciones de los iones ms
masivos tienen una baja frecuencia natural y experimentan absorcin resonante en la regin
infrarroja de baja energa.
Muchos son bastante solubles en lquidos polares, como el agua. La molcula del agua, la cual
tiene un momento de dipolo elctrico permanente, ejerce una fuerza reactiva sobre los iones
cargados, la cual rompe los enlaces inicos y disuelve el slido.

FIGURA 43.12 Energa potencial total contra la separacin de iones en un slido inico, donde U
0

es la energa cohesiva inica y r
0
es la separacin de equilibrio entre iones.

Cristales covalentes
El carbono slido, en forma de diamante, es un cristal cuyos tomos estn enlazados
covalentemente. Debido a que el carbono atmico tiene una configuracin electrnica 1s
2
2s
2
2p
2
, le
faltan cuatro electrones para llenar la capa 2p
6
. Por lo tanto, dos tomos de carbono tienen una
intensa atraccin entre s, con una energa cohesiva de 7,37 eV.

FIGURA 43.13 a) Cada tomo de carbono en el diamante est enlazado covalentemente a otros
cuatro carbonos y forma una estructura tetrahedral. b) Estructura de cristal del diamante, mostrando
el arreglo de enlace tetrahedral.

En la estructura del diamante, cada tomo est enlazado covalentemente a otros cuatro tomos del
carbono localizados en las cuatro esquinas diagonalmente opuestas de un cubo, como en la figura
43.13a. Para formar dicha configuracin de enlaces, un electrn de cada tomo debe ascenderse a la
configuracin Is
2
2s2/x
!
, la cual es una capa p medio llena y requiere una energa de casi 4 eV. La
estructura cristalina del diamante se muestra en la figura 43.13b. Observe que cada tomo de
carbono forma enlaces covalentes con cuatro tomos vecinos cercanos. La estructura bsica del
diamante se denomina tetrahdrica (cada tomo de carbono est en el centro de un tetrahedro
regular), y el ngulo entre los enlaces es de 109.5. Otros cristales, como el silicio y el germanio,
tienen estructuras similares.
Las energas cohesivas de algunos slidos covalentes se proporcionan en la tabla 43.3. Las grandes
energas explican la dureza de los slidos covalentes. El diamante es particularmente duro y tiene
un punto de fusin extremadamente alto (alrededor de 4 000 K). Los slidos enlazados
covalentemente con frecuencia son muy duros, tienen grandes energas de enlace y altos puntos de
fusin, adems de ser buenos aisladores.

Slidos metlicos
Los enlaces metlicos son por lo general ms dbiles que los enlaces inicos o covalentes. Los
electrones de valencia en un metal pueden moverse con relativa libertad por todo el material. Hay
un gran nmero de estos electrones mviles en un metal, por lo comn 1 o 2 por tomo. La
estructura del metal puede verse como un "mar" o "gas" de electrones casi libres rodeados por una
retcula de iones positivos (Fig. 43.14). El mecanismo de enlace en un metal es la fuerza atractiva
entre los iones positivos y el gas de electrones.
Los metales tienen una energa cohesiva en el intervalo de 1 a 3 eV, el cual es ms pequeo que las
energas cohesivas de slidos inicos o covalentes. Puesto que los fotones visibles tambin tienen
energas en este intervalo, la luz interacta intensamente con los electrones libres en los metales.
Por esa razn, la luz visible se absorbe y reemite muy cerca de la superficie de un metal, lo cual
explica la naturaleza brillante de las superficies metlicas. Adems de la alta conductividad elctrica
de los metales producidos por electrones libres, la naturaleza no direccional del enlace metlico
permite que muchos diferentes tipos de tomos metlicos se disuelvan en un metal anfitrin en
cantidades variables. Las soluciones slidas resultantes, o aleaciones, pueden ser diseadas para
tener propiedades particulares, como resistencia a la tensin, ductibilidad, conductividad elctrica y
trmica, as como resistencia a la corrosin. Estas propiedades suelen ser controlables y en algunos
casos predecibles.




43.4 TEORA DE BANDAS DE SLIDOS
Si dos tomos idnticos se apartan considerablemente no interactan y sus niveles de energa
pueden considerarse como los de tomos aislados. Suponga que los dos tomos son sodio, cada uno
con un electrn 3s que tiene una energa especfica bien definida. Cuando los dos tomos de sodio
se juntan, sus rbitas exteriores empiezan a traslaparse. En el momento en que la interaccin entre
ellos es lo suficientemente intensa, se forman dos niveles 3s diferentes, como se indica en la figura
43.15a.
Cuando un gran nmero de tomos se juntan para formar un slido, ocurre un fenmeno similar.
Conforme los tomos se acercan unos a otros, los diversos niveles de energa atmicos empiezan a
dividirse. Esta divisin de niveles para seis tomos muy prximos se muestra en la figura 43.15b.
En este caso, hay seis niveles de energa y seis funciones de onda traslapadas del sistema. Puesto
que el ancho de una banda de energa que surge de un nivel de energa atmico particular es
independiente del nmero de tomos en un slido, los niveles de energa tienen un espaciamiento
ms prximo en el caso de seis tomos que en el caso de dos tomos. Si extendiramos este
argumento a un gran nmero de tomos (del orden de 10
23
tomos/cm
3
), obtenemos un gran nmero
de niveles con un espaciamiento tan prximo que es posible considerarlos como una banda continua
de niveles de energa, como en la figura 43.15c. El ancho de una banda de energa depende slo de
las interacciones de vecinos cercanos, en tanto que el nmero de niveles dentro de la banda depende
del nmero total de partculas interactuando (por lo tanto, del nmero de tomos en un cristal). En
el caso del sodio, es comn referirse a la distribucin continua de niveles de energa permitidos,
como la banda 3s, debido a que la banda se origina a partir de los niveles 3s de tomos de sodio
individuales. En general, un slido cristalino tiene un nmero considerable de bandas de energa
permitidas que proviene de diferentes niveles de energa atmicos. La figura 43.16 muestra las
bandas de energa permitidas del sodio. Advierta que las brechas de energa ocurren entre las
bandas permitidas; estas brechas se denominan bandas de energa prohibidas debido a que no se
permite a los electrones entrar en ellas.
Si el slido contiene N tomos, cada banda de energa tiene N niveles de energa. En el caso del
sodio, las bandas 1s, 2s y 2p estn llenas, como se indica por medio de las reas de color verde en la
figura 43.16. Un nivel cuyo momento angular orbital es l puede contener 2(2l+ 1) electrones. El
factor 2 surge de las dos posibles orientaciones del espn del electrn, en tanto que el factor 2l + 1
corresponde al nmero de posibles orientaciones del momento angular orbital. La capacidad de cada
banda para un sistema de N tomos es 2(2l + 1)N electrones. Por lo tanto, las bandas 1s y 2s
contienen cada una 2Nelectrones (l = 0), mientras que la banda 2p contiene 6N electrones (l=1).
Debido a que el sodio slo tiene un electrn de valencia 3s y hay un total de N tomos en el slido,
la banda 3s contiene slo N electrones y slo est medio lleno. La banda 3p, la cual se encuentra
arriba de la banda 3s, est completamente vaca.
FIGURA 43.14 Diagrama
esquemtico de un metal. El
rea verde representa el gas
de electrones, en tanto que
los crculos negros
representan los ncleos del
ion metlico positivo.


FIGURA 43.15 a) La divisin de los niveles 3s cuando dos tomos de sodio se acercan, b) La
divisin de los niveles 3s cuando se acercan seis tomos de sodio, c) La formacin de una banda Bs
cuando numerosos tomos de sodio se juntan para formar un slido.



43.5 TEORA DE ELECTRONES LIBRES DE METALES
En esta seccin estudiamos la teora de electrones libres de metales. En este modelo imaginamos
que los electrones de la capa exterior en el metal no estn enlazados fuertemente a tomos
individuales sino que tienen libertad de movimiento a travs del metal.
La fsica estadstica puede aplicarse a una coleccin de partculas con el propsito de relacionar las
propiedades microscpicas con las macroscpicas. En el caso de electrones es necesario recurrir a la
estadstica cuntica, con el requisito de que cada estado del sistema puede ser ocupado por slo un
electrn. Cada estado se especifica por medio de un conjunto de nmeros cunticos. Todas las
partculas con espn de medio entero, llamadas fermiones, deben obedecer el principio de exclusin
de Pauli. Un electrn es un ejemplo de un fermin. La probabilidad de encontrar un electrn en un
estado particular de energa E es
()

(43.18)
donde E
F
recibe el nombre de energa de Fermi, y f( E) se denomina funcin de distribucin de
Fermi-Dirac. Una grfica de f(E) contra E a T= 0 K se muestra en la figura 43.17a. Observe que f =
1 para E< E
F
y f = 0 para E > E
F
. Esto significa que, a 0 K, todos los estados cuyas energas estn
debajo de la energa de Fermi estn ocupados, en tanto que todos los estados con energas mayores
que la energa de Fermi estn vacos. Una grfica de f(E) contra E a cierta temperatura T > 0 K se
muestra en la figura 43.l7b. En E=E
F
, la funcin f(E) tiene el valor 1/2. Las variaciones principales
de la funcin de distribucin de Fermi-Dirac con la temperatura ocurren a altas energas en los
FIGURA 43.16 Las bandas de energa del
sodio. El .slido contiene N tomos.
Advierta las brechas de energa entre las
bandas permitidas; los electrones no pueden
ocupar estados que se encuentran en estas
brechas prohibidas.

alrededores de la energa de Fermi. Advierta que slo se ocupa una fraccin pequea de los niveles
con energas mayores que la energa de Fermi. Adems, una pequea fraccin de los niveles debajo
de la energa de Fermi est vaca. Si una partcula est confinada a moverse en una caja
unidimensional de longitud L, los estados permitidos tienen niveles de energa cuantizados

FIGURA 43.17 Una grfica de la distribucin de Fermi-Dirac en a) T= 0K, y b) T > 0K, donde E
F

es la energa de Fermi.

Las funciones de onda para estos estados permitidos son ondas estacionarias dadas por = A sen
(nx/L), la cual satisface la condicin de frontera =0 en x=0 y x = L. Imagine a continuacin un
electrn que se mueve en un cubo tridimensional de longitud de lado L y volumen L
3
, donde las
caras del cubo representan las superficies del metal. Puede mostrarse que la energa para una
partcula de este tipo es

) (43.19)
donde n
x
, n
y
y n
z
son nmeros cunticos. Tambin en este caso los niveles de energa estn
cuantizados, y cada uno est caracterizado por este conjunto de tres nmeros cunticos (uno para
cada grado de libertad) y el nmero cuntico de espn m
s
. Por ejemplo, el estado base
correspondiente a n
x
= n
y
= n
z
= 1 tiene una energa igual a 3
2

2
/2mL
2
, etctera. En este modelo,
requerimos que (x, y,z)= 0 en las fronteras. Este requerimiento produce soluciones que son ondas
estacionarias en tres dimensiones.
Si los nmeros cunticos se tratan como variables continuas, se encuentra que el nmero de estados
permitidos por unidad de volumen que tienen energas entre E y E + dE es
()

(43.20)
donde

(43.21)
La funcin g(E) = CE
1/2
recibe el nombre de funcin de densidad de estados.
En equilibrio trmico, el nmero de electrones por unidad de volumen que tienen energa entre E y
E + dE es igual al producto f(E)g(E) dE:
()

(43.22)
Una grfica de N(E) contra Ese brinda en la figura 43.18. Si n es el nmero total de electrones por
unidad de volumen, requerimos que
()

(43.23)

Con esta condicin se puede calcular la energa de Fermi. En T = 0K, la funcin de distribucin de
Fermi f(E) = 1para E< E
F
, y 0 para E< E
F
. Por lo tanto, en T = 0K, la ecuacin 43.23 se convierte
en

(43.24)
La sustitucin de la ecuacin 43.21 en la 43.24 y al despejar E
F
produce

(43.25)
De acuerdo con este resultado, E
F
muestra un aumento gradual con la concentracin de electrones
creciente. Esto se esperaba, pues los electrones llenan los estados de energa disponibles, dos
electrones por estado, en concordancia con el principio de exclusin de Pauli, hasta la energa de
Fermi.



El orden de magnitud de la energa de Fermi para metales es aproximadamente de 5 eV. En la tabla
43.4 se brindan valores de la energa de Fermi con base en la teora de electrones libres, junto con
valores para la velocidad del electrn en el nivel de Fermi, definida por

(43.26)
y la temperatura de Fermi, T
F
definida por

( 43.27)
FIGURA 43.18 Una grfica de la
distribucin de electrones contra la
energa en un metal a T= 0K y T=
300K. La energa de Fermi se
considera como 3 eV.

Se deja como un problema (problema 22) mostrar que la energa promedio de un electrn de
conduccin en un metal a 0 K es

(43.28)
En resumen, podemos considerar un metal como un sistema con un nmero muy grande de niveles
de energa disponibles para los electrones libres. Estos electrones llenan estos niveles -eti
concordancia con el principio de exclusin de Pauli, empezando con E= O y terminando con E
P
En
T= 0 K, todos los niveles debajo de la energa de Fermi estn llenos, en tanto que todos los niveles
arriba de la energa de Fermi estn vacos. Aunque los niveles son discretos, estn tan prximos que
los electrones tienen una distribucin de energa casi continua. A 300 K, una pequea fraccin de
los electrones de valencia se excitan sobre la energa de Fermi. Una estimacin de esta fraccin est
dada en el ejemplo 43.4.

43.6 CONDUCCIN ELCTRICA EN METALES, AISLADORES Y
SEMICONDUCTORES
En el captulo 27 encontramos que los buenos conductores elctricos contienen una alta densidad de
portadores de carga, en tanto que la densidad de portadores de carga en aislantes es casi cero. Los
semiconductores son una clase de materiales tecnolgicamente importantes en los cuales las
densidades de portadores de carga son intermedias entre las de los aisladores y las de los
conductores. En esta seccin estudiamos los mecanismos de conduccin en estas tres clases de
materiales. Las enormes variaciones en sus conductividades elctricas pueden explicarse en funcin
de las bandas de energa.

Metales
En la seccin 43.4 describimos la imagen de la banda de energa para el estado base del sodio
metlico. Si se agrega energa al sistema (digamos en forma de calor), los electrones pueden
moverse de los estados llenos a uno de muchos estados vacos.
Podemos obtener una mejor comprensin de las propiedades de los metales considerando una banda
medio llena, como la banda 3s del sodio. La figura 43.19 muestra una banda medio llena de un
metal a T= 0 K, donde la regin verde representa niveles llenos de electrones. Debido a que los
electrones obedecen la estadstica de Fermi-Dirac, todos los niveles debajo de la energa de Fermi
estn llenos con electrones y todos los niveles arriba de E
F
estn vacos. En el caso del sodio, la
energa de Fermi est a la mitad de la banda. A temperaturas un poco mayores de 0 K, algunos
electrones son excitados trmicamente hasta niveles arriba d E
F
, pero todo lo que ocurre es un
cambio menor respecto del caso de 0 K. Sin embargo, si un campo elctrico se aplica al metal, los
electrones que tienen energas cercanas a la de Fermi slo requieren una pequea cantidad de
energa adicional del campo aplicado para llegar a estados de energa cercanos. De este modo, los
electrones tienen libertad para moverse con slo un pequeo campo aplicado en el metal debido a
que hay muchos estados vacos disponibles para ocuparse cercanos a los estados de energa
ocupados.


FIGURA 43.19 Una banda
llena a la mitad ce un
conductor, como la banda 3s
del sodio. A T = 0K, la energa
de Fermi se encuentra a la
mitad de la banda.

Aisladores
Considere a continuacin las dos bandas de energa ms altas de un material, con la inferior de ellas
llena con electrones y la superior vaca a 0 K (Fig. 43.20). Es comn referirse a la separacin entre
la banda ms exterior llena y la vaca como la brecha de energa E
b
, del material. La brecha de
energa para un aislador es grande ( 10 eV). La banda inferior llena se conoce como la banda de
valencia, y la banda superior vaca es la banda de conduccin. La energa de Fermi est en algn
lado en la brecha de energa como se muestra en la figura 43.20. A 300 K (temperatura ambiente),
k
B
T = 0.025 eV, la cual es mucho ms pequea que la brecha de energa en un aislador. A estas
temperaturas, la distribucin de Fermi-Dirac predice que muy pocos electrones se excitan
trmicamente dentro de la banda de conduccin a temperaturas normales. Por lo tanto, aunque un
aislador tiene muchos estados vacos en su banda de conduccin, hay tan pocos electrones
ocupando estos estados que la conductividad elctrica total es muy pequea, lo que da como
resultado una alta resistividad de los aisladores.


Semiconductores
Los materiales que tienen una brecha de energa de aproximadamente 1 eV reciben el nombre de
semiconductores. La tabla 43.5 muestra las brechas de energa para algunos materiales
representativos. A T = 0 K, todos los electrones estn en la banda de valencia. De este modo, los
semiconductores son pobres conductores a temperaturas muy bajas. A temperaturas ordinarias, sin
embargo, la situacin es bastante diferente. Por ejemplo, la conductividad del silicio a temperatura
ambiente es de aproximadamente 1.6x 10
-3
(- m)
-1
. La estructura de bandas de un semiconductor
puede representarse por medio del diagrama mostrado en la figura 43.21. Debido a que el nivel de
Fermi se localiza cerca de la parte media de la brecha para un semiconductor y en virtud de que E
b

es pequea, un nmero apreciable de electrones son excitados trmicamente desde la banda de
valencia hasta la banda de conduccin. Hay muchos estados cercanos vacos en la banda de
conduccin, por lo que un pequeo potencial aplicado puede incrementar sin dificultad la energa de
los electrones en la banda de conduccin, originando una corriente moderada. Dado que la
excitacin trmica a travs de la brecha estrecha es ms probable a temperaturas ms altas, la
conductividad de semiconductores aumenta rpidamente con la temperatura. Esto contrasta
claramente con la conductividad de un metal, la cual disminuye en forma lenta con la temperatura.
Los portadores de carga en un semiconductor pueden ser negativos y/o positivos. Cuando un
electrn se mueve de una banda de valencia dentro de la banda de conduccin, deja atrs un sitio
del cristal vaco, que recibe el nombre de hoyo, en la de otro modo banda de valencia llena. Este
hoyo (sitio deficiente de electrones) aparece como una carga positiva, +e y acta como un portador
de carga en el sentido de que un electrn de valencia de un sitio cercano puede transferirlo dentro de
un hoyo. Siempre que un electrn se comporta as, crea un nuevo hoyo. De este modo el efecto neto
puede verse como el hoyo que emigra a travs del material. En un cristal puro que contiene slo un
elemento o compuesto, hay igual nmero de electrones y hoyos de conduccin. Estas
FIGURA 43.20 Un aislador a T = 0 K
tiene una banda de valencia llena y una
banda de conduccin vaca. El nivel de
Fermi se encuentra en alguna parte
entre estas bandas.

combinaciones de cargas reciben el nombre de pares electrn-hoyo, y un semiconductor puro que
contiene dichos pares se denomina semiconductor intrnseco (Fig. 43.22). En presencia de un
campo elctrico, los hoyos se mueven en la direccin del campo y los electrones de conduccin se
mueven opuestos al campo.





Semiconductores con impurezas
Cuando se aaden impurezas a semiconductores, su estructura de bandas y resistividades se
modifica. El proceso de agregar impurezas, denominado dopaje, es importante al fabricar
dispositivos y semiconductores que tengan regiones bien definidas de diferente conductividad. Por
ejemplo, cuando un tomo que condene cinco electrones en la capa exterior, como el arsnico, se
aade a un semiconductor, cuatro de ellos participan en los enlaces covalentes y uno queda afuera
(Fig. 43.23a). Este electrn extra est casi libre y tiene un nivel de energa que se encuentra dentro
de la brecha de energa, justo debajo de la banda de conduccin (Fig. 43.23b). Este tomo
pentavalente dona en efecto un electrn a la estructura-y, en consecuencia, se conoce como un
tomo donador. Puesto que los espaciamientos de energa entre los niveles del donador y de la
parte inferior de la banda de conduccin son muy pequeos (por lo comn, casi de 0.05 eV), slo
una pequea cantidad de energa trmica se necesita para hacer que un electrn en estos niveles se
mueva dentro de la banda de conduccin. (Recuerde que la energa trmica promedio de un electrn
a temperatura ambiente es aproximadamente k
B
T= 0.026 eV.) Los semiconductores dopados con
tomos donadores reciben el nombre de semiconductores tipo n debido a que la mayora de los
portadores de cargas son electrones, cuya carga es negativa.
FIGURA 43.21 La estructura de bandas de un
semiconductor a temperaturas ordinarias (T= 300 K).
La brecha de energa es mucho ms pequea que en
un aislador, y muchos electrones ocupan estados en la
banda de conduccin.

FIGURA 43.22 Un semiconductor intrnseco. Advierta
que los electrones se mueven en la direccin opuesta al
campo elctrico aplicado y que los hoyos se mueven
en la direccin del campo.

Si el semiconductor se dopa con tomos que contienen tres electrones en la capa exterior, como
indio y aluminio, los tres forman enlaces covalentes con sus tomos vecinos, dejando una
deficiencia de un electrn, u hoyo, en el cuarto enlace (Fig. 43.24a). Los niveles de energa de
dichas impurezas tambin estn dentro de la brecha de energa, esta vez justo arriba de la banda de
valencia, como en la figura 43.24b. Los electrones de la banda de valencia tienen suficiente energa
trmica a temperatura ambiente para llenar estos niveles de impurezas, dejando detrs un hoyo en la
banda de valencia. Debido a que un tomo trivalente acepta en efecto un electrn de la banda de
valencia, estas impurezas se conocen como aceptores. Un semiconductor dopado con impurezas
trivalentes (aceptor) se conoce como un semiconductor tipo p debido a que los portadores de carga
son hoyos cargados positivamente.
Cuando la conduccin es dominada por impurezas de aceptor o donador, el material se denomina
semiconductor extrnseco. El intervalo normal de densidades de dopamiento para semiconductores
tipo n o tipo p es de 10
13
a 10
19
cm
-3
. Esto puede compararse con una densidad de semiconductor
comn de aproximadamente 10
21
tomos/cm
3
.




43.7 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
La unin p-n
Consideremos ahora qu pasa cuando un semiconductor tipo p se une a un semiconductor tipo n
para formar una unin p-n. La unin se compone de las tres distintas regiones semiconductoras
mostradas en la figura 43.25a: una regin tipo p, una regin de agotamiento y una regin tipo n. La
regin de agotamiento, que se extiende varios micrmetros a cualquiera de los lados del centro de la
unin, puede considerarse como si surgiera cuando las dos mitades de la unin se juntan. Los
electrones donadores mviles del lado n ms cercano a la unin (rea verde en la figura 43.25a) se
difunden hacia el lado p, dejando atrs iones positivos inmviles. (Inversamente, los hoyos del lado
p ms cercanos a la unin se difunden hacia el lado n y dejan atrs una regin de iones negativos
fijos.) De este modo, la regin de agotamiento recibe este nombre debido a que en ella se agotan los
FIGURA 43.23 a)
Representacin bidimensional de
un semiconductor que contiene
un tomo donador (punto negro).
b) Diagrama de bandas de energa
de un semiconductor en el cual
los niveles del donador se
encuentran dentro de la brecha
prohibida, justo abajo del fondo
de la banda de conduccin.

FIGURA 43.24 a)
Representacin bidimensional de
un semiconductor que contiene
un tomo aceptor (punto negro)
.b) Diagrama de bandas de
energa de un semiconductor en
el cual los niveles del aceptor
estn dentro de la brecha
prohibida, justo arriba de la parte
superior de la banda de valencia.

portadores de carga mvil. Contiene tambin un campo elctrico integrado del orden de 10
4
a 10
6
V/cm, el cual sirve para barrer cargas mviles fuera de esta regin y mantenerla realmente agotada.
Este campo elctrico interno crea una barrera de potencial V
0
que evita la difusin adicional de
hoyos y electrones a travs de la unin y asegura una corriente cero a travs de la unin cuando no
se aplica voltaje externo.
Quiz el rasgo ms notable de la unin p-n es su capacidad para pasar corriente en una sola
direccin. Esta accin de diodo es ms fcil de entender en funcin del diagrama de potencial de la
figura 43.25c. Si un voltaje externo positivo se aplica en el lado p de la unin, la barrera completa
se reduce, y produce una corriente que aumenta exponencialmente con el voltaje directo, o
polarizacin directa, creciente. En la polarizacin inversa (un voltaje externo positivo en el lado n
de la unin) la barrera de potencial se incrementa, originando una corriente inversa muy pequea
que alcanza con rapidez un valor de saturacin, I
0
, cuando la polarizacin inversa se incrementa. La
relacin corriente-voltaje para un diodo ideal es

) (43.29)
donde q es la carga electrnica, k
B
es la constante de Boltzmann, y T es la temperatura en kelvin. La
figura 43.26 muestra una curva caracterstica /-Vde un diodo real junto con un dibujo esquemtico
de un diodo bajo polarizacin directa.



El transistor de unin
El descubrimiento del transistor por John Bardeen, Walter Brattain y William Shockey en 1948
revolucion, por completo el mundo de la electrnica. Por este trabajo, estos tres hombres
compartieron el premio Nobel en 1956. Hacia 1960, el transistor haba sustituido al tubo de vaco en
muchas aplicaciones electrnicas. La llegada del transistor cre una industria de miles de millones
de dlares que produce dispositivos tan populares como los radios porttiles, las calculadoras de
bolsillo, computadoras, televisores y juegos electrnicos.
El transistor de unin consta de un material semiconductor en el cual una regin n muy estrecha
est en medio de dos regiones p. Esta configuracin se denomina transistor pnp. Otra configuracin
es el transistor npn, el cual se compone de una regin p en medio de dos regiones -n. Debido a que
la operacin de los dos transistores es esencialmente la misma, describimos slo al transistor pnp.
La estructura del transistor pnp junto con su smbolo de circuito, se muestra en la figura 43.27. Las
regiones exteriores se denominan el emisor y colector y la estrecha regin central se conoce como
base. La configuracin contiene dos uniones: la interfase emisor-base y la interfase colector-base.
FIGURA 43.25 a) Arreglo fsico de una unin p-n.
b) Campo elctrico integrado contra x para la unin
p-n. c) Potencial integrado contra x para la unin p-n.

Suponga que se aplica un voltaje al transistor de modo que el emisor est a un potencial ms alto
que al colector. (Esto se consigue con la batera V
ec
, en la figura 43.28.) Si consideramos al
transistor como dos diodos uno tras de otro, vemos que la unin emisor-base est directamente
polarizada y que la unin base-colector est inversamente polarizada.
Debido a que el emisor tipo p est altamente dopado con relacin a la base, casi toda la corriente se
compone de hoyos que se mueven a travs de la unin emisor-base. La mayor parte de estos hoyos
no se recomiendan en la base debido a que sta es muy estrecha. Los hoyos se aceleran finalmente a
travs de la unin base-colector polarizada inversamente, produciendo la corriente I
e
, en la figura
43.28.
Aunque slo un pequeo porcentaje de los hoyos se recombina en la base, los que lo hacen limitan
la corriente del emisor a un valor pequeo debido a que los portadores de carga positiva se
acumulan en la base y evitan que los hoyos fluyan en ella. Con el fin de evitar esta limitacin de
corriente, una parte de la carga positiva en la base debe extraerse; esto se logra conectando la base a
una segunda batera, V
eb
, en la figura 43.28. Aquellas cargas positivas que no son barridas a travs
de la unin base-colector salen de la base por medio de esta trayectoria agregada. Esta corriente de
la base, I
b
, es muy pequea, pero un mnimo cambio en ella puede alterar de manera significativa la
corriente del colector, I
c
. Si el transistor est polarizado apropiadamente, la corriente del colector
(salida) es directamente proporcional a la corriente de la base (entrada) , y el transistor acta como
un amplificador de corriente. Esta condicin puede escribirse como

donde , la ganancia de corriente, est en el intervalo de 10 a 100. As, el transistor puede emplearse
para amplificar una seal pequea variable en el tiempo. El pequeo voltaje que se va a amplificar
se pone en serie con la batera V
eb
como se ilustra en la figura 43.28. La seal de entrada
dependiente del tiempo produce una pequea variacin en la corriente de la base, lo que produce un
gran cambio en la corriente del colector y consecuentemente un gran cambio en el voltaje a travs
del resistor de salida.


FIGURA 43.26 La curva caracterstica de un diodo real


FIGURA 43.27 a) El transistor pnp est compuesto por una regin n (base) emparedada entre dos
regiones p (el emisor y el colector). b) El smbolo de circuito para el transistor pnp.

FIGURA 43.28 Un voltaje de polarizacin V
eb
aplicado a la base en la forma que se muestra
produce una pequea corriente de base, I
b
, la cual se usa para controlar la corriente del colector, I
c
.

El circuito integrado
El circuito integrado, inventado independientemente por Jack Kilby en Texas Instruments al final
del ao de 1958, y por Robert Noyce en Firechild Camera and Instrument a principios de 1955, ha
sido llamado justamente "la ms extraordinaria tecnologa que impactar a la humanidad". El
primer dispositivo de Kilby se muestra en la figura 43.29. Los circuitos integrados han iniciado
efectivamente una segunda revolucin industrial y se encuentran en el corazn de computadoras,
relojes, cmaras, automviles, aeronaves, robots, vehculos espaciales y todo tipo de redes de co-
municacin y conmutacin. En los trminos ms simples, un circuito integrado es una coleccin de
transistores, diodos, resistores y capacitores interconectados que se fabrican sobre un pedazo de
silicio, conocido familiarmente como un chip. Los chips ms avanzados contienen fcilmente varios
cientos de miles de componentes en un rea de 1 cm
2
(Fig. 43.30).
Es interesante que los circuitos integrados fueran inventados parcialmente con el propsito de
alcanzar la miniaturizacin de circuitos y parcialmente para resolver el problema de interconexin
generado por el transistor. En la era de los tubos de vaco, las consideraciones de potencia y tamao
de componentes individuales impusieron modestos lmites sobre el nmero de componentes que
podran interco-nectarse en un circuito dado. Con la llegada del diminuto transistor de baja potencia
y alta confiabilidad, los lmites de diseo sobre el nmero de componentes desaparecieron y fueron
sustituidos con el problema de alambrar juntos cientos de miles de componentes. La magnitud de
este problema puede apreciarse cuando consideramos que las computadoras de segunda generacin
(compuestas por transistores discretos) contenan varios cientos de miles de componentes que
requeran ms de un milln de uniones soldadas que deban hacerse y probarse manualmente.
Adems de resolver el problema de interconexin, los circuitos integrados poseen las ventajas de la
miniaturizacin y de la rpida respuesta, dos atributos fundamentales para las computadoras de alta
velocidad. La respuesta rpida es producto de la miniaturizacin y del empaque compacto de los
componentes, debido a que el tiempo de respuesta de un circuito depende del tiempo que tardan las
seales elctricas en viajar a casi 0.3 m/ns para pasar de un componente a otro. Este tiempo se
reduce claramente por el empaque compacto de los componentes.

FIGURA 43.29 El primer circuito integrado de Jack Kilby, probado el 12 de septiembre de 1958.
(Cortesa de Texas Instruments, Inc.)


FIGURA 43.30 Un circuito integrado de microprocesador de 32 bits que contiene ms de 200 000
componentes es casi del tamao de una pequea moneda. (Cortesa de AT&T Bell Labs)